DE102017102998A1 - Arrangement and method for characterizing a transparent substrate - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zur Charakterisierung eines transparenten Substrats. Eine erfindungsgemäße Anordnung zur Charakterisierung eines transparenten Substrats weist eine Lichtquelle zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, eine erste multifokale Optik und eine zweite multifokale Optik, welche derart ausgebildet sind, dass ein von der ersten multifokalen Optik zur zweiten multifokalen Optik verlaufendes kollimiertes Strahlenbündel eine Mehrzahl von Teilstrahlen aufweist, welche sich im Wert wenigstens eines vorgegebenen optischen Parameters voneinander unterscheiden und unterschiedlichen, bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor oder nach der ersten multifokalen Optik befindlichen Fokuslagen zugeordnet sind, wobei die zweite multifokale Optik die Teilstrahlen dieses kollimierten Strahlenbündels abhängig von dem Wert des optischen Parameters in eine Mehrzahl von unterschiedlichen, in einer zur Lichtausbreitungsrichtung senkrechten Bildebene (IP) benachbarten Fokuslagen fokussiert, und einen Detektor zur Erfassung der in dieser Bildebene (IP) auftreffenden Strahlung auf.The invention relates to an arrangement and a method for characterizing a transparent substrate. An inventive arrangement for characterizing a transparent substrate comprises a light source for generating electromagnetic radiation, a first multifocal optic and a second multifocal optic, which are designed such that a collimated beam extending from the first multifocal optic to the second multifocal optic has a plurality of partial beams which differ in the value of at least one predetermined optical parameter from one another and are assigned to different focal positions in relation to the light propagation direction before or after the first multifocal optics, the second multifocal optics dividing the partial beams of this collimated beam depending on the value of the optical parameter Focused plurality of different, in an image plane perpendicular to the light propagation direction image plane (IP) focal positions focused, and a detector for detecting in this image plane (IP) occur effective radiation.
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNG BACKGROUND OF THE INVENTION
Gebiet der Erfindung Field of the invention
Die Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zur Charakterisierung eines transparenten Substrats. The invention relates to an arrangement and a method for characterizing a transparent substrate.
Ein beispielhaftes Anwendungsgebiet der Erfindung ist insbesondere die Inspektion von Masken oder Wafern für die Mikrolithographie. Die Erfindung ist jedoch grundsätzlich in beliebigen Anwendungen vorteilhaft realisierbar, in welchen ein transparentes Substrat (z.B. auch eine biologische Probe) dahingehend charakterisiert werden soll, dass bestimmte Defekte oder Objekte (z.B. Zellen, Moleküle etc.) hinsichtlich ihrer Position innerhalb des Substrats möglich rasch vermessen werden sollen. An exemplary field of application of the invention is in particular the inspection of masks or wafers for microlithography. However, in principle, the invention can be advantageously implemented in any application in which a transparent substrate (eg also a biological sample) is to be characterized in such a way that certain defects or objects (eg cells, molecules, etc.) can be measured rapidly in terms of their position within the substrate should be.
Stand der Technik State of the art
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD’s, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. The microlithography process is carried out in a so-called projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective. The image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is here projected onto a substrate (eg a silicon wafer) coated with a photosensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective in order to apply the mask structure to the photosensitive coating of the Transfer substrate.
Im Lithographieprozess wirken sich unerwünschte Defekte auf der Maske besonders nachteilig aus, da diese mit jedem Belichtungsschritt reproduziert werden können und somit die Gefahr besteht, dass im schlimmsten Falle die gesamte Produktion an Halbleiterbauelementen unbrauchbar ist. Daher ist es von großer Bedeutung, die Maske vor ihrem Einsatz in der Massenproduktion auf ausreichende Abbildungsfähigkeit zu prüfen. In the lithographic process, undesired defects on the mask have a particularly disadvantageous effect, since they can be reproduced with each exposure step and thus there is the danger that in the worst case the entire production of semiconductor components is unusable. Therefore, it is very important to check the mask for sufficient imaging capability prior to its use in mass production.
Ein in der Praxis bei sämtlichen vorstehend genannten Anwendungen auftretendes Problem ist, dass eine Charakterisierung bzw. Positionsbestimmung in drei Dimensionen unter Verwendung einer lediglich zweidimensionalen (z.B. kamerabasierten) Detektoranordnung durchgeführt werden muss. Eine grundsätzlich mögliche Durchführung einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Messungen (z.B. mit voneinander verschiedenen Fokustiefen) erfordert hierbei einen erheblichen Zeitaufwand mit der Folge, dass je nach Anwendung die gewünschten Ergebnisse nicht schnell genug – etwa im Hinblick auf die erforderliche Berücksichtigung der Ergebnisse im Gesamtprozess – verfügbar sind. A problem encountered in practice in all of the above applications is that three-dimensional characterization must be performed using a two-dimensional (e.g., camera-based) detector array. A fundamentally possible implementation of a large number of temporally successive measurements (eg with mutually different focus depths) requires a considerable amount of time with the result that, depending on the application, the desired results are not fast enough - for example with regard to the required consideration of the results in the overall process ,
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG SUMMARY OF THE INVENTION
Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anordnung und ein Verfahren zur Charakterisierung eines transparenten Substrats bereitzustellen, welche eine möglichst rasche Lokalisierung von an unterschiedlichen Positionen in dem Substrat vorhandenen Objekten oder Defekten ermöglichen. Against the above background, it is an object of the present invention to provide an arrangement and a method for characterizing a transparent substrate, which enable as fast as possible localization of objects or defects present at different positions in the substrate.
Diese Aufgabe wird durch die Anordnung gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 bzw. das Verfahren gemäß den Merkmalen des nebengeordneten Patentanspruchs 16 gelöst. This object is achieved by the arrangement according to the features of the independent patent claim 1 and the method according to the features of the independent claim 16.
Eine erfindungsgemäße Anordnung zur Charakterisierung eines transparenten Substrats weist auf:
- – eine Lichtquelle zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, und
- – eine erste multifokale Optik und eine zweite multifokale Optik, welche derart ausgebildet sind, dass ein von der ersten multifokalen Optik zur zweiten multifokalen Optik verlaufendes kollimiertes Strahlenbündel eine Mehrzahl von Teilstrahlen aufweist, welche sich im Wert wenigstens eines vorgegebenen optischen Parameters voneinander unterscheiden und unterschiedlichen, bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor oder nach der ersten multifokalen Optik befindlichen Fokuslagen zugeordnet sind,
- – wobei die zweite multifokale Optik die Teilstrahlen dieses kollimierten Strahlenbündels abhängig von dem Wert des optischen Parameters in eine Mehrzahl von unterschiedlichen, in einer zur Lichtausbreitungsrichtung senkrechten Bildebene benachbarten Fokuslagen fokussiert, und
- – einen Detektor zur Erfassung der in dieser Bildebene auftreffenden Strahlung.
- A light source for generating electromagnetic radiation, and
- A first multifocal optic and a second multifocal optic, which are designed such that a collimated beam extending from the first multifocal optic to the second multifocal optic has a plurality of partial beams which differ from one another in the value of at least one predetermined optical parameter, and associated with the light propagation direction before or after the first multifocal optics located focal positions,
- - wherein the second multifocal optics focuses the partial beams of this collimated beam, depending on the value of the optical parameter, into a plurality of different focal positions adjacent to each other in an image plane perpendicular to the light propagation direction, and
- - A detector for detecting the incident in this image plane radiation.
Im Sinne der vorliegenden Anmeldung ist der Begriff „transparentes Substrat“ derart zu verstehen, dass hiervon auch schwach absorbierende Substrate umfasst werden. Vorzugsweise kann das Substrat einen Absorptionskoeffizienten von weniger als 20%, insbesondere weniger als 10%, weiter insbesondere weniger als 5%, aufweisen. For the purposes of the present application, the term "transparent substrate" is to be understood as meaning that it also includes weakly absorbing substrates. The substrate may preferably have an absorption coefficient of less than 20%, in particular less than 10%, more particularly less than 5%.
Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, bei der Charakterisierung von transparenten Substraten die Durchführung einer Vielzahl zeitlich aufeinander folgender Messungen mit jeweils unterschiedlicher Fokustiefe durch eine simultane Aufnahme mehrerer Messbilder zu ersetzen, welche sich wiederum durch einen vorgegebenen optischen Parameter der das jeweilige Messbild erzeugenden elektromagnetischen Strahlung (z.B. Wellenlänge oder Polarisation) voneinander unterscheiden. Durch Zuordnung des betreffenden Messbildes bzw. des jeweiligen optischen Parameters zu einer (Fokus-)Position innerhalb des zu charakterisierenden Substrats kann so im Ergebnis darauf zurückgeschlossen werden, wo etwaige, das betreffende Messbild verändernde Defekte oder Objekte innerhalb des zu charakterisierenden Substrats vorliegen. In particular, the invention is based on the concept, in the characterization of transparent substrates, of replacing a plurality of temporally successive measurements with different depths of focus by simultaneously recording a plurality of measurement images, which in turn are replaced by a predetermined optical parameter of the respective measurement image differing electromagnetic radiation (eg wavelength or polarization) from each other. By assigning the respective measurement image or the respective optical parameter to a (focus) position within the substrate to be characterized, conclusions can be drawn as to where any defects or objects that modify the relevant measurement image are present within the substrate to be characterized.
Zur Realisierung des vorstehend beschriebenen Konzepts umfasst die erfindungsgemäße Anordnung zwei in Lichtausbreitungsrichtung nach einer die elektromagnetische (Mess-)Strahlung erzeugenden Lichtquelle angeordnete, bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung aufeinanderfolgende multifokale Optiken, von denen die bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung erste multifokale Optik eine Mehrzahl von Fokuslagen in Lichtausbreitungsrichtung erzeugt und die zweite multifokale Optik eine Mehrzahl von Fokuslagen in einer zur Lichtausbreitungsrichtung senkrechten Richtung erzeugt. In order to realize the above-described concept, the arrangement according to the invention comprises two multifocal optics arranged in the light propagation direction according to a light source generating the electromagnetic (measurement) radiation, of which the first multifocal optic relative to the light propagation direction has a plurality of focal positions in the light propagation direction and the second multifocal optic generates a plurality of focal positions in a direction perpendicular to the light propagation direction.
Hierbei ist für ein- und dasselbe kollimierte Strahlenbündel jeweils der Wert eines vorgegebenen optischen Parameters (insbesondere Wellenlänge oder Polarisation) ausschlaggebend dafür, in welche der besagten Fokuslagen die betreffende elektromagnetische Strahlung fokussiert wird bzw. wohin ein den betreffenden Wert des optischen Parameters aufweisender Teilstrahl gelenkt wird. Im Ergebnis werden so bezogen auf die erste multifokale Optik befindliche und in Lichtausbreitungsrichtung (= z-Richtung) aufeinanderfolgende Positionen im optischen Strahlengang nach der zweiten multifokalen Optik in lateral (d.h. in einer zur Lichtausbreitungsrichtung bzw. z-Richtung senkrechten Ebene = x-y-Ebene) zueinander versetzte Positionen transformiert. In this case, the value of a given optical parameter (in particular wavelength or polarization) is decisive for one and the same collimated beam bundle, into which of these focal positions the respective electromagnetic radiation is focused or where a partial beam having the relevant value of the optical parameter is directed , As a result, with respect to the first multifocal optics located in the light propagation direction (= z direction) successive positions in the optical beam path after the second multifocal optics in laterally (ie, in a direction perpendicular to the light propagation direction or z-direction plane = xy plane) transformed staggered positions.
Den in der betreffenden (Detektor-)Ebene aufgenommenen Messbildern sind somit in eindeutiger Weise über den Wert des optischen Parameters (insbesondere Wellenlänge oder Polarisation) jeweils bestimmte z-Positionen innerhalb des bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor oder nach der ersten multifokalen Optik befindlichen, zu charakterisierenden Substrats zugeordnet, so dass die z-Position von Defekten innerhalb des zu charakterisierenden Substrats letztlich durch Analyse der lateral benachbarten Messbilder in der Detektorebene bzw. der dort erhaltenen Intensitätsverteilung bestimmt werden kann. The measurement images recorded in the relevant (detector) plane are thus unambiguously in each case via the value of the optical parameter (in particular wavelength or polarization) certain z-positions within the relative to the light propagation direction before or after the first multifocal optics located to be characterized Substrate assigned so that the z-position of defects within the substrate to be characterized ultimately by analysis of the laterally adjacent measurement images in the detector plane or the intensity distribution obtained there can be determined.
Im Ergebnis kann so durch simultane Aufnahme einer Vielzahl von jeweils unterschiedlichen z-Positionen zugeordneten Messbildern eine schnelle Charakterisierung des Substrats im Hinblick auf etwaige Defekte oder Objekte erfolgen. As a result, a rapid characterization of the substrate with regard to possible defects or objects can be carried out by simultaneous recording of a large number of different z-positions assigned to each z-position.
Gemäß einer Ausführungsform ist das zu charakterisierende Substrat zwischen der Lichtquelle und der ersten multifokalen Optik angeordnet. According to one embodiment, the substrate to be characterized is disposed between the light source and the first multifocal optic.
Gemäß einer Ausführungsform ist bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor dem zu charakterisierenden Substrat ein doppelbrechendes optisches Element angeordnet. According to one embodiment, a birefringent optical element is arranged in front of the substrate to be characterized in relation to the light propagation direction.
Gemäß einer Ausführungsform ist bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor dem doppelbrechenden optischen Element ein Gitter angeordnet. According to one embodiment, a grid is arranged in front of the birefringent optical element with respect to the light propagation direction.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste multifokale Optik ein Gitter auf. According to one embodiment, the first multifocal optic has a grid.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste multifokale Optik eine dispersive Linse auf. According to one embodiment, the first multifocal optic has a dispersive lens.
Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite multifokale Optik eine Doppelkeilanordnung, welche aus doppelbrechendem Material hergestellt ist, auf. According to one embodiment, the second multifocal optic has a double wedge arrangement made of birefringent material.
Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite multifokale Optik ein Gitter auf. According to one embodiment, the second multifocal optic has a grid.
Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite multifokale Optik ein Prisma auf. According to one embodiment, the second multifocal optic has a prism.
Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite multifokale Optik eine fokussierende Linse auf. According to one embodiment, the second multifocal optic has a focusing lens.
Gemäß einer Ausführungsform ist der vorgegebene optische Parameter der Polarisationszustand. According to one embodiment, the predetermined optical parameter is the polarization state.
Gemäß einer Ausführungsform ist der vorgegebene optische Parameter die Wellenlänge. According to one embodiment, the predetermined optical parameter is the wavelength.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Anordnung wenigstens einen Strahlteiler auf. According to one embodiment, the arrangement has at least one beam splitter.
Gemäß einer Ausführungsform ist das zu charakterisierende Substrat eine Maske zur Verwendung in der Lithographie. In one embodiment, the substrate to be characterized is a mask for use in lithography.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Anordnung eine bildebenseitige numerische Apertur (NA) von wenigstens 0.8, insbesondere von wenigstens 0.9, auf. According to one embodiment, the arrangement has a image-side numerical aperture (NA) of at least 0.8, in particular of at least 0.9.
Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zur Charakterisierung eines transparenten Substrats unter Verwendung einer Anordnung mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen. The invention further relates to a method of characterizing a transparent substrate using an assembly having the features described above.
Zu bevorzugten Ausgestaltungen und Vorteilen des Verfahrens wird auf die Ausführungen im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Anordnung Bezug genommen. For preferred embodiments and advantages of the method is based on the statements in Related to the arrangement according to the invention reference.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt basierend auf der Analyse einer in der Bildebene erhaltenen Intensitätsverteilung eine Lokalisierung von Objekten und/oder Defekten in dem Substrat. According to one embodiment, based on the analysis of an intensity distribution obtained in the image plane, a localization of objects and / or defects in the substrate takes place.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen. Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Es zeigen: Show it:
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS
Die erfindungsgemäße Anordnung dient zur Charakterisierung eines transparenten Substrats
Gemäß
Wie lediglich schematisch anhand von drei Teilstrahlen
Die optische Baugruppe aus Doppelkeilanordnung
Im Ausführungsbeispiel von
Während bei ideal homogener Beschaffenheit des Substrats
Die Ausführungsform von
Gemäß
Infolgedessen gehen die im Strahlengang nach dem dispersiven optischen Element
Bezogen auf den optischen Strahlengang nachfolgend zum dispersiven optischen Element
Im Ausführungsbeispiel von
Infolgedessen kann auch bei dieser Ausführungsform ein etwaiger, im Substrat
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist. While the invention has been described in terms of specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments, e.g. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.
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