DE102016218746A1 - Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus, and projection exposure apparatus - Google Patents

Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus, and projection exposure apparatus Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Beleuchtungseinrichtung eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske (131, 207) mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (305, 402, 500) abbildet, wobei in das Substrat (305, 402, 500) zumindest zeitweise eine nicht durch das Nutzlicht bewirkte Heizleistung und/oder eine Kühlleistung derart eingekoppelt wird, dass eine ohne diese Einkopplung bei der Abbildung der Strukturen durch die Projektionsbelichtungsanlage erzeugte optische Aberration und/oder eine ohne diese Einkopplung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage erzeugte Deformation des Substrats (305, 402, 500) wenigstens teilweise kompensiert wird. The invention relates to a method for operating a microlithographic projection exposure apparatus, and to a microlithographic projection exposure apparatus, wherein the illumination device illuminates a mask (131, 207) arranged in an object plane of the projection lens with useful light of a working wavelength and wherein the projection objective subjects these structures to an in-focus A substrate (305, 402, 500) arranged on an image plane of the projection lens is imaged, wherein a heating power not caused by the useful light and / or a cooling power is coupled into the substrate (305, 402, 500) at least at times such that one without this coupling is coupled in the optical aberration generated by the projection exposure apparatus and / or a deformation of the substrate (305, 402, 500) produced without this coupling during operation of the projection exposure apparatus is at least partially compensated for.

Figure DE102016218746A1_0001
Figure DE102016218746A1_0001

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG BACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der Erfindung Field of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. The invention relates to a method for operating a microlithographic projection exposure apparatus, and to a microlithographic projection exposure apparatus.

Stand der Technik State of the art

Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD’s, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. The microlithography process is carried out in a so-called projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective. The image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is hereby projected onto a substrate (eg a silicon wafer) coated with a photosensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective in order to apply the mask structure to the photosensitive coating of the Transfer substrate.

Ein in der Praxis auftretendes Problem ist, dass während des mikrolithographischen Belichtungsprozesses ein signifikanter Anteil der Energie der elektromagnetischen Strahlung vom Wafer absorbiert werden kann, wobei dies sowohl für (die gewünschte Arbeitswellenlänge aufweisende) Nutzstrahlung als auch für gegebenenfalls vorhandene elektromagnetische Strahlung anderer Wellenlängen (z.B. Infrarotstrahlung einer Laserplasmaquelle in einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage) gilt. A problem encountered in practice is that during the microlithographic exposure process a significant portion of the energy of the electromagnetic radiation can be absorbed by the wafer, both for useful radiation (having the desired working wavelength) and for any other electromagnetic radiation of other wavelengths (eg infrared radiation) a laser plasma source in a projection exposure apparatus designed for operation in the EUV).

Insbesondere werden während des Lithographieprozesses einzelne Felder des Substrats in einer bestimmten Sequenz belichtet, wobei die Belichtung jedes dieser Felder mit einer entsprechenden Energieaufnahme sowie auch einer Wärmeleitung auf benachbarte Felder des Substrats einhergeht. Die auf Seiten des Wafers stattfindende Absorption kann wiederum zu einer räumlich und/oder zeitlich inhomogenen Temperaturverteilung im Wafer führen, mit der Folge, dass gegebenenfalls thermisch bedingte Deformationen sowie damit einhergehende Abbildungsfehler auftreten. In particular, during the lithography process, individual fields of the substrate are exposed in a specific sequence, the exposure of each of these fields being accompanied by a corresponding energy absorption as well as heat conduction to adjacent fields of the substrate. The absorption taking place on the side of the wafer can in turn lead to a spatially and / or temporally inhomogeneous temperature distribution in the wafer, with the consequence that, if appropriate, thermally induced deformations and associated aberrations occur.

Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2010 041 298 A1 , DE 10 2012 213 794 A1 und DE 103 17 662 A1 verwiesen. The prior art is merely an example DE 10 2010 041 298 A1 . DE 10 2012 213 794 A1 and DE 103 17 662 A1 directed.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG SUMMARY OF THE INVENTION

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welche eine Verringerung oder Vermeidung von im Betrieb auftretenden Abbildungsfehlern ermöglichen. It is an object of the present invention to provide a method for operating a microlithographic projection exposure apparatus and a microlithographic projection exposure apparatus, which allow a reduction or avoidance of aberrations occurring during operation.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. This object is solved by the features of the independent claims.

Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei die Beleuchtungseinrichtung eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat abbildet, wird in das Substrat zumindest zeitweise eine nicht durch das Nutzlicht bewirkte Heizleistung und/oder eine Kühlleistung derart eingekoppelt, dass eine ohne diese Einkopplung bei der Abbildung der Strukturen durch die Projektionsbelichtungsanlage erzeugte optische Aberration und/oder eine ohne diese Einkopplung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage erzeugte (mechanische) Deformation des Substrats wenigstens teilweise kompensiert wird. In a method according to the invention for operating a microlithographic projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective, the illumination device illuminates a mask having useful light having a working wavelength arranged in an object plane of the projection objective and the projection objective illuminating these structures in an image plane of the image plane Projection lens arranged substrate is at least temporarily introduced into the substrate not caused by the Nutzlicht heating power and / or cooling performance such that a generated without this coupling when imaging the structures by the projection exposure system optical aberration and / or one without this coupling in Operation of the projection exposure system generated (mechanical) deformation of the substrate is at least partially compensated.

Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, durch Vorheizung des Substrats bzw. Einkopplung einer zusätzlichen, nicht durch das Nutzlicht bewirkten Heizleistung in das Substrat und/oder durch Einkopplung einer Kühlleistung in das Substrat eine Korrektur optischer Aberrationen in Form von Fokus- und/oder Overlayfehlern zu erzielen, wobei es sich bei diesen Aberrationen um solche, die aufgrund von durch im Betrieb auftretende optische Lasten hervorgerufenen Deformationen des Substrats verursacht werden, oder auch um ursächlich auf andere Bereiche der Projektionsbelichtungsanlage zurückzuführende Aberrationen handeln kann. Bei Kenntnis dieser Aberrationen bzw. der in der Projektionsbelichtungsanlage vorhandenen Einflüsse auf Fokuslage und Overlay (z.B. durch In-Situ-Messung oder Simulation) kann eine Gesamtkompensation optischer Aberrationen durch gezielte Einstellung eines geeigneten Temperaturfeldes im Substrat erreicht werden. The invention is based in particular on the concept of correcting optical aberrations in the form of focus and / or overlay errors by preheating the substrate or coupling an additional heating power not caused by the useful light into the substrate and / or by coupling a cooling power into the substrate These aberrations can be caused by deformations of the substrate caused by optical loads occurring during operation, or by aberrations attributable to other areas of the projection exposure apparatus. With knowledge of these aberrations or the influences on focus position and overlay present in the projection exposure apparatus (for example by in-situ measurement or simulation), a total compensation of optical aberrations can be achieved by targeted setting of a suitable temperature field in the substrate.

Im Ergebnis wird somit gemäß der Erfindung ein substrattemperaturbasierter Manipulator zur Reduzierung insbesondere feldabhängiger Fokus- oder Overlay-Fehler bereitgestellt, wobei dieser Manipulator die gewünschte Korrektur allein oder gegebenenfalls auch in Kombination mit anderen innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage verfügbaren Manipulatoren bewirken kann. As a result, according to the invention, a substrate-temperature-based manipulator is thus provided for reducing, in particular, field-dependent focus or overlay errors, this manipulator providing the desired correction alone or possibly also in combination with other manipulators available within the projection exposure apparatus.

Dabei beinhaltet die Erfindung weiter das Konzept, durch Variationen der zusätzlich eingekoppelten Heizleistung und/oder Kühlleistung in örtlicher Hinsicht (d.h. durch eine über die Querschnittsfläche des Substrats variierende Erwärmung oder Kühlung) und/oder in zeitlicher Hinsicht eine räumliche und/oder zeitliche Inhomogenität besagter Aberrationen auszugleichen. In this case, the invention further includes the concept of variations of the additionally coupled heating power and / or cooling power in local terms (ie by varying over the cross-sectional area of the substrate heating or cooling) and / or in terms of time spatial and / or temporal inhomogeneity of said aberrations compensate.

Dabei kann z.B. noch vor Beginn des Lithographieprozesses ein Aufwärmen des Substrats bzw. Wafers auf die im Lithographieprozess erwartete Betriebstemperatur erfolgen. Sodann kann während des Lithographieprozesses in dem Maße, in welchem der aktuell belichtete Bereich über das Substrat wandert, eine erfindungsgemäß eingekoppelte Heizleistung jeweils entsprechend reduziert sowie – zum Zeitpunkt eines erneuten Abkühlens – wieder zugeführt werden, um ein sowohl in räumlicher als auch in zeitlicher Hinsicht homogenes Temperaturprofil über das gesamte Substrat zu gewährleisten. Alternativ kann auch ein gezielt inhomogenes Temperaturprofil eingestellt werden. In this case, e.g. warming up the substrate or wafer to the operating temperature expected in the lithographic process before the start of the lithography process. Then, during the lithography process to the extent that the currently exposed area travels across the substrate, a heat input coupled in accordance with the invention can be correspondingly reduced and, at the time of renewed cooling, fed back to be homogeneous both in space and in time Temperature profile over the entire substrate to ensure. Alternatively, a specifically inhomogeneous temperature profile can also be set.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst die optische Aberration einen Fokusfehler und/oder Overlayfehler. According to one embodiment, the optical aberration comprises a focus error and / or overlay error.

Gemäß einer Ausführungsform wird die Heizleistung und/oder die Kühlleistung zeitlich variiert. According to one embodiment, the heating power and / or the cooling power is varied over time.

Gemäß einer Ausführungsform wird die Heizleistung und/oder die Kühlleistung zumindest zeitweise über die Querschnittsfläche des Substrats örtlich variabel eingestellt. According to one embodiment, the heating power and / or the cooling power is set at least temporarily locally variable over the cross-sectional area of the substrate.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Einkopplung der Heizleistung und/oder der Kühlleistung, bevor das Substrat in der Bildebene des Projektionsobjektivs platziert wird. Dabei kann die Einkopplung der Heizleistung und/oder der Kühlleistung insbesondere während einer Vermessung der Topologie des Substrats erfolgen. Auf diese Weise können, wie im Weiteren noch näher erläutert, Platzprobleme aufgrund des im Bereich des Projektionsobjektivs in der Regel stark beschränkten Bauraums vermieden werden. According to one embodiment, the coupling of the heating power and / or the cooling power takes place before the substrate is placed in the image plane of the projection lens. In this case, the coupling of the heating power and / or the cooling power can take place in particular during a measurement of the topology of the substrate. In this way, as explained in more detail below, space problems due to the generally limited in the field of projection lens installation space can be avoided.

Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist,

  • – wobei die Beleuchtungseinrichtung eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat abbildet;
  • – wobei in das Substrat zumindest zeitweise eine nicht durch das Nutzlicht bewirkte Heizleistung und/oder eine Kühlleistung eingekoppelt wird;
  • – wobei die Einkopplung der Heizleistung und/oder der Kühlleistung während einer Vermessung der Topologie des Substrats erfolgt.
The invention further relates to a method for operating a microlithographic projection exposure apparatus, which has a lighting device and a projection objective,
  • Wherein the illumination device illuminates a mask having useful light of a working wavelength that is arranged in an object plane of the projection objective and that images to be imaged, and wherein the projection objective images these structures onto a substrate arranged in an image plane of the projection objective;
  • - Wherein at least temporarily not effected by the Nutzlicht heating power and / or a cooling capacity is coupled into the substrate;
  • - Wherein the coupling of the heating power and / or the cooling power takes place during a measurement of the topology of the substrate.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Einkopplung der Heizleistung zumindest zeitweise durch Beaufschlagung des Substrats mit nicht dem Nutzlicht entsprechender elektromagnetischer Strahlung. Dabei können Bestrahlungswinkel und/oder -wellenlänge in geeigneter Weise für jede Kombination aus Substrat und jeweiliger vorhandener Beschichtung angepasst bzw. optimiert werden. According to one embodiment, the coupling of the heating power takes place at least temporarily by acting on the substrate with electromagnetic radiation that does not correspond to the useful light. In this case, the irradiation angle and / or wavelength can be adapted or optimized in a suitable manner for each combination of substrate and respective existing coating.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Einkopplung der Heizleistung zumindest zeitweise über wenigstens eine Laser-Diode. According to one embodiment, the coupling of the heating power takes place at least temporarily via at least one laser diode.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Einkopplung der Heizleistung zumindest zeitweise über einen oberflächenemittierenden Laser (VCSEL). According to one embodiment, the coupling of the heating power takes place at least temporarily via a surface emitting laser (VCSEL).

Die Erfindung betrifft weiter eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete und abzubildende Strukturen aufweisende Maske mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat abbildet, wobei wenigstens eine Heizvorrichtung zur Einkopplung von nicht durch das Nutzlicht bewirkter Heizleistung in das Substrat und/oder wenigstens eine Kühlvorrichtung zur Einkopplung einer Kühlleistung in das Substrat derart vorgesehen ist, dass eine ohne diese Einkopplung bei der Abbildung der Strukturen durch die Projektionsbelichtungsanlage erzeugte optische Aberration und/oder eine ohne diese Einkopplung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage erzeugte Deformation des Substrats wenigstens teilweise kompensierbar ist. The invention further relates to a microlithographic projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective, wherein the illumination device illuminates a mask having useful light of a working wavelength in operation of the projection exposure apparatus and has structures which are arranged in an object plane of the projection objective, and the projection objective illuminates these structures in one At least one heating device for coupling not effected by the useful light heating power into the substrate and / or at least one cooling device for coupling a cooling power into the substrate is provided such that one without this coupling in the image of the structures optical aberration generated by the projection exposure apparatus and / or a def produced without such coupling during operation of the projection exposure apparatus ormation of the substrate is at least partially compensated.

Die Projektionsbelichtungsanlage kann insbesondere dazu ausgestaltet sein, ein Verfahren gemäß den vorstehend beschriebenen Merkmalen durchzuführen. Des Weiteren kann die Projektionsbelichtungsanlage für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 200nm ausgelegt sein. The projection exposure apparatus can in particular be designed to carry out a method according to the features described above. Furthermore, the projection exposure apparatus can be designed for a working wavelength of less than 200 nm.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen. Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Es zeigen: Show it:

1 eine schematische Darstellung eines Projektionsobjektivs einer für den Betrieb im EUV-Bereich ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die Erfindung beispielsweise realisierbar ist; 1 a schematic representation of a projection lens designed for operation in the EUV area microlithographic projection exposure apparatus, in which the invention can be realized, for example;

2 eine schematische Darstellung eines Projektionsobjektivs einer für den Betrieb im DUV-Bereich ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die Erfindung realisierbar ist; und 2 a schematic representation of a projection lens designed for operation in the DUV area microlithographic projection exposure apparatus in which the invention can be realized; and

3–5 schematische Darstellungen zur Erläuterung unterschiedlicher Ausführungsformen der Erfindung. 3 - 5 schematic representations for explaining different embodiments of the invention.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS

1 zeigt zunächst eine schematische Darstellung einer für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 100, in welcher die Erfindung beispielsweise realisierbar ist. 1 shows first a schematic representation of a designed for operation in the EUV projection exposure system 100 in which the invention can be realized, for example.

Gemäß 1 weist eine Beleuchtungseinrichtung der Projektionsbelichtungsanlage 100 einen Feldfacettenspiegel 103 und einen Pupillenfacettenspiegel 104 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 103 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche im Beispiel eine EUV-Lichtquelle (Plasmalichtquelle) 101 und einen Kollektorspiegel 102 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 104 sind ein erster Teleskopspiegel 105 und ein zweiter Teleskopspiegel 106 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Umlenkspiegel 107 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines sechs Spiegel 121–126 umfassenden Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 131 auf einem Maskentisch 130 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 141 auf einem Wafertisch 140 befindet. According to 1 has a lighting device of the projection exposure system 100 a field facet mirror 103 and a pupil facet mirror 104 on. On the field facet mirror 103 the light of a light source unit, which in the example an EUV light source (plasma light source) 101 and a collector mirror 102 includes, steered. In the light path after the pupil facet mirror 104 are a first telescope mirror 105 and a second telescope mirror 106 arranged. In the light path below is a deflection mirror 107 arranged, which reflects the radiation impinging on an object field in the object plane of a six mirror 121 - 126 comprehensive projection lens steers. At the location of the object field is a reflective structure-bearing mask 131 on a mask table 130 arranged, which is imaged by means of the projection lens in an image plane in which a substrate coated with a photosensitive layer (photoresist) 141 on a wafer table 140 located.

2 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren möglichen Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 200, welche für den Betrieb bei Wellenlängen im DUV-Bereich (z.B. ca. 193nm) ausgelegt ist und ebenfalls eine Beleuchtungseinrichtung 201 und ein Projektionsobjektiv 208 aufweist. 2 shows a schematic representation of another possible structure of a microlithographic projection exposure apparatus 200 , which is designed for operation at wavelengths in the DUV range (eg, about 193nm) and also a lighting device 201 and a projection lens 208 having.

Die Beleuchtungseinrichtung 201 umfasst eine Lichtquelle 202 und eine in stark vereinfachter Weise durch Linsen 203, 204 und eine Blende 205 symbolisierte Beleuchtungsoptik. Die Arbeitswellenlänge der Projektionsbelichtungsanlage 200 beträgt in dem gezeigten Beispiel 193 nm bei Verwendung eines ArF-Excimerlasers als Lichtquelle 202. Die Arbeitswellenlänge kann jedoch beispielsweise auch 248 nm bei Verwendung eines KrF-Excimerlasers oder 157 nm bei Verwendung eines F2-Lasers als Lichtquelle 202 betragen. Zwischen der Beleuchtungseinrichtung 201 und dem Projektionsobjektiv 208 ist eine Maske 207 in der Objektebene OP des Projektionsobjektivs 208 angeordnet, die mittels eines Maskenhalters 206 im Strahlengang gehalten wird. Die Maske 207 weist eine Struktur im Mikrometer- bis Nanometer-Bereich auf, die mittels des Projektionsobjektives 208 beispielsweise um den Faktor 4 oder 5 verkleinert auf eine Bildebene IP des Projektionsobjektivs 208 abgebildet wird. Das Projektionsobjektiv 208 umfasst eine ebenfalls lediglich in stark vereinfachter Weise durch Linsen 209 bis 212 symbolisierte Linsenanordnung, durch die eine optische Achse OA definiert wird. The lighting device 201 includes a light source 202 and in a greatly simplified way through lenses 203 . 204 and a panel 205 symbolized illumination optics. The working wavelength of the projection exposure machine 200 in the example shown is 193 nm using an ArF excimer laser as the light source 202 , However, for example, the working wavelength may be 248 nm using a KrF excimer laser or 157 nm using an F 2 laser as the light source 202 be. Between the lighting device 201 and the projection lens 208 is a mask 207 in the object plane OP of the projection lens 208 arranged by means of a mask holder 206 is held in the beam path. The mask 207 has a structure in the micrometer to nanometer range, by means of the projection lens 208 for example, by a factor of 4 or 5 reduced to an image plane IP of the projection lens 208 is shown. The projection lens 208 also includes only in a very simplified way by lenses 209 to 212 symbolized lens arrangement, by which an optical axis OA is defined.

In der Bildebene IP des Projektionsobjektivs 208 wird ein durch einen Substrathalter 218 positioniertes und mit einer lichtempfindlichen Schicht 215 versehenes Substrat 216, bzw. ein Wafer, gehalten. Zwischen dem bildebenenseitig letzten optischen Element 220 des Projektionsobjektivs 208 und der lichtempfindlichen Schicht 215 befindet sich ein Immersionsmedium 250, bei dem es sich beispielsweise um deionisiertes Wasser handeln kann. In the image plane IP of the projection lens 208 becomes a through a substrate holder 218 positioned and with a photosensitive layer 215 provided substrate 216 , or a wafer held. Between the image plane side last optical element 220 of the projection lens 208 and the photosensitive layer 215 is an immersion medium 250 , which may be, for example, deionized water.

Wie bereits eingangs erläutert können im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage gemäß 1 oder 2 ohne weitere Maßnahmen thermisch bedingte Deformationen des Wafers sowie damit einhergehende Abbildungsfehler auftreten. Zusätzlich oder alternativ können Abbildungsfehler auch anderenorts in der Projektionsbelichtungsanlage verursacht werden. As already explained in the operation of the projection exposure system according to 1 or 2 without further action thermally induced deformations of the wafer and associated aberrations occur. Additionally or alternatively, aberrations may be caused elsewhere in the projection exposure apparatus.

Gemäß der Erfindung wird nun durch Vorheizung des Substrats bzw. Einkopplung einer zusätzlichen, nicht durch das Nutzlicht bewirkten Heizleistung und/oder Einkopplung einer Kühlleistung in das Substrat eine Korrektur optischer Aberrationen erzielt, wie im Weiteren unter Bezugnahme auf die schematischen Abbildungen von 3 bis 5 beschrieben wird. According to the invention, a correction of optical aberrations is now achieved by preheating the substrate or coupling an additional, not caused by the useful light heating power and / or coupling a cooling power into the substrate, as hereinafter with reference to the schematic figures of 3 to 5 is described.

Gemäß 3a–b erfolgt die erfindungsgemäße Einkopplung zusätzlicher Heizleistung in ein Substrat 305 unter Verwendung wenigstens eines Heizstrahlers 310 bzw. 320, wobei diese Einkopplung gemäß 3a von der Substratrückseite oder auch gemäß 3b von der Substratvorderseite (d.h. der der Lichtquelle zugewandten Seite des Substrats 305) aus erfolgen kann. Dabei symbolisieren die in 3a–b eingezeichneten Pfeile das auf das Substrat 305 im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage auftreffende bzw. von dem Substrat 305 reflektierte Nutzlicht. According to 3a -B, the coupling of additional heating power according to the invention takes place in a substrate 305 using at least one radiant heater 310 respectively. 320 , this coupling according to 3a from the back of the substrate or according to 3b from the substrate front side (ie, the side of the substrate facing the light source) 305 ) can be made. The symbolize in 3a -B drawn arrows that on the substrate 305 in the operation of the projection exposure system impinges or from the substrate 305 reflected useful light.

Ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre, kann zur Einkopplung von Heizleistung in das Substrat insbesondere wenigstens eine Laserdiode oder wenigstens ein oberflächenemittierender Laser (VCSEL) verwendet werden. Without the invention being restricted to this, in particular at least one laser diode or at least one surface emitting laser (VCSEL) can be used for coupling heating power into the substrate.

In Ausführungsformen kann auch zusätzlich oder alternativ zur Heizleistung eine Kühlleistung in das Substrat eingekoppelt werden, um das Substrat in ausgewählten Bereichen aktiv zu kühlen, wobei insbesondere auch eine Kombination aus (Vor-)Heizen und Kühlen vorgenommen und gegebenenfalls in einem Regelkreis basierend auf einer ortsaufgelösten Temperaturmessung an den Belichtungsprozess dynamisch angepasst werden kann. Die besagte Temperaturmessung kann über Temperatursensoren beispielsweise auf Basis des Bimetalleffekts, auf Basis temperaturabhängiger elektrischer Wiederstände oder auf Basis von Infrarotkameras erfolgen. Die Einkopplung einer Kühlleistung kann z.B. durch thermischen Kontakt mit einem aktiv gekühlten Träger erfolgen, wobei diese aktive Kühlung wiederum über Wasser, Luft, Peltierelemente oder in beliebiger anderer geeigneter Weise erfolgen kann. In embodiments, in addition to or as an alternative to the heating power, a cooling power can also be coupled into the substrate in order to actively cool the substrate in selected areas, in which case a combination of (pre) heating and cooling is also carried out and optionally in a control loop based on a spatially resolved one Temperature measurement can be dynamically adapted to the exposure process. The said temperature measurement can be carried out via temperature sensors, for example based on the bimetallic effect, on the basis of temperature-dependent electrical resistances or on the basis of infrared cameras. The coupling of a cooling capacity can e.g. be effected by thermal contact with an actively cooled carrier, said active cooling can be carried out in turn via water, air, Peltier elements or in any other suitable manner.

In Ausführungsformen der Erfindung kann die Einkopplung der Heizleistung und/oder der Kühlleistung in das betreffende Substrat noch vor dessen Platzierung in der Bildebene des Projektionsobjektivs erfolgen. Diese Ausgestaltung hat den Vorteil, dass Bauraumbeschränkungen, welche sich aufgrund der typischerweise vergleichsweise engen Platzverhältnisse im Bereich zwischen Substrat und Projektionsobjektiv ergeben, bei der Einkopplung der Heiz- bzw. Kühlleistung vermieden werden können. Dabei kann insbesondere (jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) die erfindungsgemäße Einkopplung von Heiz- und/oder Kühlleistung während einer der eigentlichen Belichtung zeitlich vorgelagerten Vermessung des Substrats erfolgen, wie dies lediglich schematisch in 4 angedeutet ist. In embodiments of the invention, the coupling of the heating power and / or the cooling power into the relevant substrate can take place before it is placed in the image plane of the projection lens. This embodiment has the advantage that space limitations, which arise due to the typically comparatively narrow space conditions in the area between the substrate and the projection lens, can be avoided when coupling the heating or cooling capacity. In this case, in particular (but without the invention being limited thereto), the coupling according to the invention of heating and / or cooling power may take place during a measurement of the substrate preceding the actual exposure, as is shown only schematically in FIG 4 is indicated.

In der in 4 schematisch angedeuteten Ausführungsform geht die Erfindung von dem für sich bekannten Konzept aus, vor jedem Belichtungsschritt zur Belichtung eines mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) versehenen Substrats eine Vermessung der Topologie des Substrats bzw. der betreffenden lichtempfindlichen Schicht durchzuführen, um je nach konkreter Geometrie, Verkippung und gegebenenfalls Krümmung der lichtempfindlichen Schicht z.B. eine geeignete Aktuierung bzw. Kippung über hierzu vorgesehene Manipulatoren vorzunehmen. Diese Vermessung erfolgt gemäß 4 während der Platzierung des betreffenden Substrats 401 auf einem zusätzlich zum eigentlichen, im Bereich der Bildebene des Projektionsobjektivs 450 befindlichen Belichtungstisches vorgesehenen Messtisch und unter Verwendung einer entsprechenden Messeinheit 410. Die Messeinheit 410 dient somit in für sich bekannter Weise zur Vermessung des beschichteten, jedoch noch nicht belichteten Substrats 401. In the in 4 In a schematically indicated embodiment, the invention proceeds from the concept known per se of carrying out a measurement of the topology of the substrate or the respective photosensitive layer before each exposure step for exposing a substrate provided with a photosensitive layer (photoresist), depending on the specific geometry, tilting and optionally curvature of the photosensitive layer, for example, to carry out a suitable actuation or tilting via manipulators provided for this purpose. This measurement is carried out according to 4 during the placement of the relevant substrate 401 on one in addition to the actual, in the area of the image plane of the projection lens 450 located metering table and using a corresponding measuring unit 410 , The measuring unit 410 thus serves in a conventional manner for measuring the coated, but not yet exposed substrate 401 ,

Die erfindungsgemäße Einkopplung von Heiz- und/oder Kühlleistung unter Verwendung einer entsprechenden Heiz- bzw. Kühlvorrichtung (in 4 mit „420“ bezeichnet) während besagter Vermessung bzw. im Bereich des betreffenden Messtisches ist insofern besonders vorteilhaft, als Platzprobleme aufgrund des im Bereich des Projektionsobjektivs 450 in der Regel stark beschränkten Bauraums vermieden werden können. Dabei kann in Ausführungsformen ein bestimmtes, in das jeweilige Substrat einzukoppelndes Temperaturmuster auch in ein vergleichsweise grobes Muster (d.h. einen auf vergleichsweise größerer Ortsskala bzw. mit höherer Ortswellenlänge variierenden Anteil) und ein vergleichsweise feineres Muster (d.h. einen auf vergleichsweise kleinerer Ortsskala bzw. mit geringerer Ortswellenlänge variierenden Anteil) zerlegt werden. In diesem Falle kann der auf vergleichsweise größerer Ortsskala variierende Anteil – welcher typischerweise zeitlich länger stabil bleibt als der mit kürzerer Ortswellenlänge variierende Anteil – bereits während des vorstehend beschriebenen Messschrittes eingekoppelt werden, wohingegen der verbleibende Anteil des Temperaturmusters, welcher mit kürzerer Ortswellenlänge variiert und typischerweise die geringere zeitliche Stabilität aufweist, erst kurz vor dem eigentlichen Belichtungsschritt eingekoppelt werden kann. The coupling according to the invention of heating and / or cooling power using a corresponding heating or cooling device (in 4 With " 420 "Referred to) during said survey or in the region of the relevant measuring table is particularly advantageous in that space problems due to the in the region of the projection lens 450 usually very limited space can be avoided. In this case, in embodiments, a specific temperature pattern to be coupled into the respective substrate can also be converted into a comparatively coarse pattern (ie a portion varying on a comparatively larger local scale or with a higher spatial wavelength) and a comparatively finer pattern (ie one on a comparatively smaller local scale or with a smaller one) Spatial wavelength varying proportion) are decomposed. In this case, the proportion varying on a comparatively larger local scale-which typically remains stable for a longer time than the fraction varying with a shorter spatial wavelength-can already be coupled in during the measuring step described above, whereas the remaining portion of the temperature pattern, which varies with a shorter spatial wavelength, and typically has lower temporal stability, can be coupled just before the actual exposure step.

Im Ergebnis wird gemäß der Erfindung ein substrattemperaturbasierter Manipulator zur Reduzierung von in der Projektionsbelichtungsanlage erzeugter optischer Aberrationen, insbesondere feldabhängiger Fokus- oder Overlay-Fehler, bereitgestellt. Hierzu kann in der Praxis zunächst eine Messung oder Abschätzung der Aberrationsverteilung (insbesondere Verteilung des Fokus- und/oder Overlayfehlers) erfolgen, woraufhin ein zur vollständigen oder teilweisen Kompensation dieser Verteilung geeignetes Temperaturfeld auf dem Substrat bestimmt wird. Sodann erfolgt während des Lithographieprozesses eine entsprechende Ansteuerung der Heiz- bzw. Kühlvorrichtung, um das Temperaturfeld auf dem Substrat entsprechend einzustellen und dynamisch anzupassen. Das erfindungsgemäß eingestellte Temperaturfeld auf dem Substrat kann homogen oder auch gezielt inhomogen sein, wobei gegebenenfalls auch anderenorts in der Projektionsbelichtunganlage verursachte optische Aberrationen kompensiert werden können. As a result, according to the invention, a substrate-temperature-based manipulator for reducing optical aberrations generated in the projection exposure apparatus, in particular field-dependent focus or overlay errors, is provided. For this purpose, in practice initially a measurement or estimation of the aberration distribution (in particular distribution of the focus and / or overlay error) can take place, whereupon a temperature field suitable for complete or partial compensation of this distribution is determined on the substrate. Then takes place during the lithography process, a corresponding control of the heating or cooling device to adjust the temperature field on the substrate accordingly and adjust dynamically. The temperature field set on the substrate according to the invention can be homogeneous or even deliberately inhomogeneous, it also being possible to compensate for optical aberrations caused elsewhere in the projection exposure apparatus.

5 zeigt in lediglich schematischer Darstellung ein kreisförmiges Substrat 500. Während des Lithographieprozesses erfolgt in aufeinanderfolgenden Belichtungs- sowie Vorschubschritten eine sequentielle Belichtung von Feldstreifen 501, 502, ..., jeweils bestehend aus mehreren Teilfeldern, auf dem Substrat 500, wie durch die in 5 eingezeichneten Pfeile angedeutet ist. 5 shows only a schematic representation of a circular substrate 500 , During the lithography process, sequential exposure of field strips occurs in successive exposure and advancement steps 501 . 502 , ..., each consisting of several subfields, on the substrate 500 as by the in 5 indicated arrows is indicated.

Erfindungsgemäß kann nun beispielsweise zunächst eine Vorheizung des Substrats 500 auf die im Lithographiebetrieb erwartete Betriebstemperatur erfolgen. Sodann kann eine mit der sequentiellen Belichtung der Teilfelder im ersten Feldstreifen einhergehende inhomogene Temperaturverteilung und dementsprechende mechanische Verspannung des Substrats 500 dadurch vermieden werden, dass durch die Einkopplung der Heizstrahlung die übrigen Bereiche des Substrats 500 entsprechend zusätzlich aufgeheizt werden, um über die gesamte Querschnittsfläche des Substrats 500 eine möglichst konstante Temperaturverteilung aufrechtzuhalten. Des Weiteren kann während des Lithographieprozesses in dem Maße, in dem der jeweils aktuell belichtete Bereich im Laufe des Lithographieprozesses über das Substrat 500 wandert, die Heizleistung in den jeweils zuvor belichteten Bereichen reduziert werden und erst bei einsetzender Abkühlung wieder erhöht werden etc. Im Ergebnis kann so eine möglichst homogene Temperaturverteilung über das Substrat 500 erreicht werden. Des Weiteren kann aber auch eine gezielt inhomogene Temperaturverteilung über das Substrat 500 eingestellt werden, um z.B. anderenorts in der Projektionsbelichtunganlage verursachte optische Aberrationen zu kompensieren. According to the invention, for example, first a preheating of the substrate 500 to the expected operating temperature in lithography operation. Then, an inhomogeneous temperature distribution associated with the sequential exposure of the subfields in the first field strip and corresponding mechanical strain of the substrate 500 be avoided that by the coupling of the heating radiation, the remaining areas of the substrate 500 be additionally heated in accordance to over the entire cross-sectional area of the substrate 500 to maintain as constant a temperature distribution as possible. Furthermore, during the lithography process to the extent that the respectively currently exposed area in the course of the lithographic process on the substrate 500 migrates, the heating power can be reduced in each previously exposed areas and only be increased again when the onset of cooling, etc. As a result, the most homogeneous possible temperature distribution over the substrate 500 be achieved. Furthermore, however, it is also possible for a specifically inhomogeneous temperature distribution over the substrate 500 can be adjusted, for example, to compensate for optical aberrations caused elsewhere in the projection exposure apparatus.

Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist. While the invention has been described in terms of specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments, e.g. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

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Claims (13)

Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, • wobei die Beleuchtungseinrichtung eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske (131, 207) mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (305, 402, 500) abbildet; • wobei in das Substrat (305, 402, 500) zumindest zeitweise eine nicht durch das Nutzlicht bewirkte Heizleistung und/oder eine Kühlleistung derart eingekoppelt wird, dass eine ohne diese Einkopplung bei der Abbildung der Strukturen durch die Projektionsbelichtungsanlage erzeugte optische Aberration und/oder eine ohne diese Einkopplung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage erzeugte Deformation des Substrats (305, 402, 500) wenigstens teilweise kompensiert wird. Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective, wherein the illumination device has a mask (FIG. 2) arranged in an object plane of the projection objective (FIGS. 131 . 207 ) is illuminated with useful light of a working wavelength, and wherein the projection objective projects these structures onto a substrate (in an image plane of the projection objective) ( 305 . 402 . 500 ) maps; Where in the substrate ( 305 . 402 . 500 ) is at least temporarily coupled with a heating power not caused by the useful light and / or a cooling power such that a generated without this coupling in the imaging of the structures by the projection exposure system optical aberration and / or a generated without this coupling during operation of the projection exposure system deformation of the substrate ( 305 . 402 . 500 ) is at least partially compensated. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Aberration einen Fokusfehler und/oder Overlayfehler umfasst. A method according to claim 1, characterized in that the optical aberration comprises a focus error and / or overlay error. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizleistung und/oder die Kühlleistung zeitlich variiert wird. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the heating power and / or the cooling power is varied over time. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizleistung und/oder die Kühlleistung zumindest zeitweise über die Querschnittsfläche des Substrats (305, 402, 500) örtlich variabel eingestellt wird. Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the heating power and / or the cooling power at least temporarily over the cross-sectional area of the substrate ( 305 . 402 . 500 ) is set locally variable. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einkopplung der Heizleistung und/oder der Kühlleistung erfolgt, bevor das Substrat in der Bildebene des Projektionsobjektivs platziert wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the coupling of the heating power and / or the cooling power takes place before the substrate is placed in the image plane of the projection lens. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einkopplung der Heizleistung und/oder der Kühlleistung während einer Vermessung der Topologie des Substrats erfolgt. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the coupling of the heating and / or cooling power is performed during a survey the topology of the substrate. Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, • wobei die Beleuchtungseinrichtung eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske (131, 207) mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (305, 402, 500) abbildet; • wobei in das Substrat (305, 402, 500) zumindest zeitweise eine nicht durch das Nutzlicht bewirkte Heizleistung und/oder eine Kühlleistung eingekoppelt wird; • wobei die Einkopplung der Heizleistung und/oder der Kühlleistung während einer Vermessung der Topologie des Substrats erfolgt. Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective, wherein the illumination device has a mask (FIG. 2) arranged in an object plane of the projection objective (FIGS. 131 . 207 ) is illuminated with useful light of a working wavelength, and wherein the projection objective projects these structures onto a substrate (in an image plane of the projection objective) ( 305 . 402 . 500 ) maps; Where in the substrate ( 305 . 402 . 500 ) at least temporarily a not caused by the useful light heating power and / or a cooling capacity is coupled; • wherein the coupling of the heating power and / or the cooling power takes place during a survey of the topology of the substrate. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einkopplung der Heizleistung zumindest zeitweise durch Beaufschlagung des Substrats (305, 402, 500) mit nicht dem Nutzlicht entsprechender elektromagnetischer Strahlung erfolgt. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the coupling of the heating power at least temporarily by applying the substrate ( 305 . 402 . 500 ) with not the useful light corresponding electromagnetic radiation. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einkopplung der Heizleistung zumindest zeitweise über wenigstens eine Laser-Diode erfolgt. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the coupling of the heating power takes place at least temporarily via at least one laser diode. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einkopplung der Heizleistung zumindest zeitweise über einen oberflächenemittierenden Laser (VCSEL) erfolgt. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the coupling of the heating power takes place at least temporarily via a surface emitting laser (VCSEL). Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete und abzubildende Strukturen aufweisende Maske mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat abbildet, wobei wenigstens eine Heizvorrichtung zur Einkopplung von nicht durch das Nutzlicht bewirkter Heizleistung in das Substrat und/oder wenigstens eine Kühlvorrichtung zur Einkopplung einer Kühlleistung in das Substrat derart vorgesehen ist, dass eine ohne diese Einkopplung bei der Abbildung der Strukturen durch die Projektionsbelichtungsanlage erzeugte optische Aberration und/oder eine ohne diese Einkopplung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage erzeugte Deformation des Substrats wenigstens teilweise kompensierbar ist.  A microlithographic projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective, wherein the illumination device illuminates a mask having useful light having a working wavelength in the operation of the projection exposure apparatus and the projection objective projects these structures onto a substrate arranged in an image plane of the projection objective wherein at least one heating device is provided for coupling heating power not effected by the useful light into the substrate and / or at least one cooling device for coupling a cooling power into the substrate in such a way that an optical device generated by the projection exposure system without this coupling during imaging of the structures Aberration and / or a deformation of the substrate at least t generated without this coupling during operation of the projection exposure apparatus is partially compensated. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass diese dazu ausgelegt ist, ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10 durchzuführen. Microlithographic projection exposure apparatus according to claim 11, characterized in that it is designed to carry out a method according to one of claims 1 to 10. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass diese für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 200nm ausgelegt ist. Microlithographic projection exposure apparatus according to claim 11 or 12, characterized characterized in that it is designed for a working wavelength of less than 200nm.
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