DE102016109054A1 - Method for producing an optoelectronic lighting device and optoelectronic lighting device - Google Patents

Method for producing an optoelectronic lighting device and optoelectronic lighting device Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, umfassend: – Bereitstellen eines Trägers, wobei auf einer Oberseite des Trägers ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips angeordnet sind, und – Verpressen einer Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips. Die Erfindung betrifft ferner eine entsprechende optoelektronische Leuchtvorrichtung.The invention relates to a method for producing an optoelectronic light-emitting device, comprising: providing a carrier, wherein one or more optoelectronic semiconductor chips are arranged on an upper side of the carrier, and pressing a fluorescent film onto the one or more semiconductor chips. The invention further relates to a corresponding optoelectronic lighting device.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Die Erfindung betrifft ferner eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.The invention relates to a method for producing an optoelectronic lighting device. The invention further relates to an optoelectronic lighting device.

Optoelektronische Leuchtvorrichtungen als solche sind bekannt. Sie umfassen in der Regel einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips, zum Beispiel Leuchtdiodenchips. Ein optoelektronischer Halbleiterchip emittiert in seinem Betrieb eine Primärstrahlung. Oft besteht ein Bedarf, diese Primärstrahlung in eine elektromagnetische Strahlung zu konvertieren, die eine andere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung. Für die Konversion ist es üblich, Leuchtstoffe zu verwenden, die mittels Fluoreszenz und/oder Phosphoreszenz die Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung mit einer anderen Wellenlänge konvertieren.Optoelectronic light-emitting devices as such are known. As a rule, they comprise one or more optoelectronic semiconductor chips, for example light-emitting diode chips. An optoelectronic semiconductor chip emits a primary radiation in its operation. Often there is a need to convert this primary radiation into electromagnetic radiation having a different wavelength than the primary radiation. For the conversion, it is customary to use phosphors which convert the primary radiation into secondary radiation with a different wavelength by means of fluorescence and / or phosphorescence.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist darin zu sehen, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung bereitzustellen.The problem on which the invention is based is to provide a method for producing an optoelectronic lighting device.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist auch darin zu sehen, eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bereitzustellen.The object underlying the invention is also to be seen in providing an optoelectronic lighting device.

Diese Aufgaben werden mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen.These objects are achieved by means of the subject matter of the independent claims. Advantageous embodiments of the invention are the subject of each dependent subclaims.

Nach einem Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend:

  • – Bereitstellen eines Trägers, wobei auf einer Oberseite des Trägers ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips angeordnet sind, und
  • – Verpressen einer Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips.
In one aspect, there is provided a method of making an opto-electronic light device, comprising:
  • - Providing a carrier, wherein one or more optoelectronic semiconductor chips are arranged on an upper side of the carrier, and
  • - Pressing a phosphor sheet on the one or more semiconductor chips.

Nach einem weiteren Aspekt wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend:

  • – einen Träger,
  • – wobei auf einer Oberseite des Trägers ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips angeordnet sind und
  • – wobei eine Leuchtstofffolie auf dem einen oder den mehreren Halbleiterchips verpresst ist.
According to a further aspect, an optoelectronic lighting device is provided, comprising:
  • A carrier,
  • - Wherein one or more optoelectronic semiconductor chips are arranged on an upper side of the carrier and
  • - Wherein a phosphor film is pressed on the one or more semiconductor chips.

Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass die obige Aufgabe dadurch gelöst werden kann, dass eine Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips verpresst wird. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips effizient mit einem Leuchtstoff, die verpresste Leuchtstofffolie, versehen werden. Dadurch wird ferner der technische Vorteil bewirkt, dass eine mittels des einen oder der mehreren Halbleiterchips emittierte Primärstrahlung effizient in eine Sekundärstrahlung konvertiert werden kann.The invention is based on the realization that the above object can be achieved in that a phosphor film is pressed onto the one or more semiconductor chips. As a result, in particular the technical advantage is achieved that the one or more semiconductor chips are provided efficiently with a phosphor, the compressed phosphor film. This also has the technical advantage that a primary radiation emitted by means of the one or more semiconductor chips can be efficiently converted into a secondary radiation.

Eine Leuchtstofffolie im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst also einen oder mehrere Leuchtstoffe.A phosphor film in the sense of the present invention thus comprises one or more phosphors.

Ein Leuchtstoff im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ausgebildet, elektromagnetische Strahlung (hier die Primärstrahlung) aufweisend eine erste Wellenlänge oder einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung (hier die Sekundärstrahlung) aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist respektive der zweite Wellenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als eine Primärstrahlung bezeichnet werden. Die mittels des Leuchtstoffs konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als eine Sekundärstrahlung bezeichnet werden.A phosphor according to the present invention is in particular designed to convert electromagnetic radiation (here the primary radiation) having a first wavelength or a first wavelength range into an electromagnetic radiation (here the secondary radiation) having a second wavelength or a second wavelength range, wherein the second wavelength different from the first wavelength, respectively, the second wavelength range is at least partially, in particular completely, different from the first wavelength range. The electromagnetic radiation to be converted may be referred to, for example, as a primary radiation. For example, the electromagnetic radiation converted by the phosphor may be referred to as secondary radiation.

Ein Halbleiterchip im Sinne der vorliegenden Erfindung ist ein optoelektronischer Halbleiterchip, auch wenn das Adjektiv „optoelektronisch“ nicht vor dem Wort „Halbleiterchip“ stehen sollte. Ausführungen, die im Zusammenhang mit einem Halbleiterchip gemacht sind, gelten analog für mehrere Halbleiterchips und umgekehrt. Das heißt, wenn der Halbleiterchip im Singular steht, soll stets der Plural mitgelesen werden und umgekehrt.A semiconductor chip in the sense of the present invention is an optoelectronic semiconductor chip, even if the adjective "optoelectronic" should not stand in front of the word "semiconductor chip". Embodiments made in connection with a semiconductor chip apply analogously to a plurality of semiconductor chips and vice versa. That is, if the semiconductor chip is singular, always read the plural and vice versa.

Ein Halbleiterchip umfasst eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite. Ein Halbleiterchip umfasst zwei gegenüberliegende Seitenflanken.A semiconductor chip comprises an upper side and a lower side opposite the upper side. A semiconductor chip comprises two opposite side edges.

Ein Halbleiterchip im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst eine oder mehrere lichtemittierende Flächen, mittels welcher respektive mittels welchen im Betrieb des Halbleiterchips Primärstrahlung emittiert wird.A semiconductor chip according to the present invention comprises one or more light-emitting surfaces, by means of which respectively by means of which primary radiation is emitted during operation of the semiconductor chip.

In einer Ausführungsform ist eine lichtemittierende Fläche an der Oberseite des Halbleiterchips gebildet. Der Halbleiterchips emittiert somit zum Beispiel an seiner Oberseite Primärstrahlung.In one embodiment, a light-emitting surface is formed at the top of the semiconductor chip. The semiconductor chip thus emits primary radiation, for example, on its upper side.

In einer Ausführungsform ist eine lichtemittierende Fläche jeweils an gegenüberliegenden Seitenflanken des Halbleiterchips gebildet. Der Halbleiterchip emittiert somit zum Beispiel an seinen Seitenflanken Primärstrahlung.In one embodiment, a light emitting surface is formed respectively on opposite side edges of the semiconductor chip. Of the Semiconductor chip thus emits primary radiation, for example, on its side edges.

In einer Ausführungsform ist ein Halbleiterchip als ein Volumenemitter ausgebildet.In one embodiment, a semiconductor chip is formed as a volume emitter.

In einer Ausführungsform ist ein Halbleiterchip als ein Topemitter ausgebildet.In one embodiment, a semiconductor chip is formed as a top emitter.

In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip als ein Leuchtdiodenchip ausgebildet. Ein Leuchtdiodenchip kann auch als LED-Chip bezeichnet werden.In one embodiment, the semiconductor chip is formed as a light-emitting diode chip. A light-emitting diode chip can also be referred to as an LED chip.

In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip mit seiner Unterseite auf der Oberseite des Trägers angeordnet.In one embodiment, the semiconductor chip is arranged with its underside on the upper side of the carrier.

In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip ausschließlich mittels seiner Unterseite elektrisch kontaktierbar.In one embodiment, the semiconductor chip is electrically contactable exclusively by means of its underside.

In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip ausschließlich mittels seiner Unterseite elektrisch kontaktiert.In one embodiment, the semiconductor chip is electrically contacted exclusively by means of its underside.

In einer Ausführungsform ist der Träger ein Aufwachssubstrat, auf welchem der Halbleiterchip aufgewachsen ist.In one embodiment, the carrier is a growth substrate on which the semiconductor chip is grown.

In einer Ausführungsform ist der Träger eine Trägerfolie, auf welcher der Halbleiterchip aufgeklebt ist.In one embodiment, the carrier is a carrier foil, on which the semiconductor chip is glued.

In einer Ausführungsform sind die mehreren Halbleiterchips identisch ausgebildet oder unterschiedlich ausgebildet.In one embodiment, the plurality of semiconductor chips are identically formed or formed differently.

In einer Ausführungsform ist jeweils eine lichtemittierende Fläche sowohl an einer Oberseite als auch an gegenüberliegenden Seitenflanken des Halbleiterchips gebildet. Der Halbleiterchip emittiert somit zum Beispiel sowohl an seiner Oberseite als auch seinen Seitenflanken Primärstrahlung.In one embodiment, in each case one light-emitting surface is formed both on an upper side and on opposite side edges of the semiconductor chip. The semiconductor chip thus emits primary radiation, for example, both on its top side and its side edges.

Die auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips verpresste Leuchtstofffolie ist somit auf einer oder auf mehreren lichtemittierenden Flächen des oder der Halbleiterchips angeordnet. Das heißt, dass die Leuchtstofffolie zum Beispiel die eine oder die mehreren lichtemittierenden Flächen unmittelbar, also direkt, kontaktiert. Zum Beispiel ist die Leuchtstofffolie auf der jeweiligen Oberseite und/oder auf den jeweiligen gegenüberliegenden Seitenflanken des oder der Halbleiterchips verpresst.The luminescent film pressed onto the one or more semiconductor chips is thus arranged on one or more light-emitting surfaces of the semiconductor chip or chips. That is, for example, the phosphor sheet contacts the one or more light emitting surfaces directly, that is, directly. For example, the phosphor film is pressed on the respective upper side and / or on the respective opposite side edges of the semiconductor chip or chips.

Das Verpressen der Leuchtstofffolie umfasst insbesondere ein Verpressen der Leuchtstofffolie auf die Oberseite des Trägers.The pressing of the phosphor film comprises in particular a pressing of the phosphor film on the top side of the carrier.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass vor dem Verpressen der Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips die Leuchtstofffolie zwischen dem einen oder den mehreren Halbleiterchips und einem Reflektorrahmen angeordnet wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips zugeordnete Aussparungen umfasst, wobei nach dem Anordnen der Reflektorrahmen gemeinsam mit der Leuchtstofffolie auf die Oberseite des Trägers verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips jeweils in einer der Aussparungen des verpressten Reflektorrahmens angeordnet sind.In an embodiment, it is provided that before the phosphor film is pressed onto the one or more semiconductor chips, the phosphor film is arranged between the one or more semiconductor chips and a reflector frame, which comprises recesses associated with the one or more semiconductor chips, wherein after arranging the Reflector frame is pressed together with the phosphor film on the top of the carrier, so that the one or more semiconductor chips are each arranged in one of the recesses of the pressed reflector frame.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass in einem einzigen Prozessschritt sowohl der Reflektorrahmen als auch die Leuchtstofffolie effizient auf den Träger verpresst werden. Dadurch kann insbesondere in vorteilhafter Weise eine effiziente und zeitsparende Montage durchgeführt werden.As a result, the technical advantage in particular that in a single process step both the reflector frame and the phosphor film are pressed onto the carrier efficiently. As a result, an efficient and time-saving installation can be carried out in an advantageous manner.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips, insbesondere auf eine jeweilige Oberfläche des einen oder der mehreren Halbleiterchips, laminiert wird.In an embodiment, it is provided that the phosphor film is laminated on the one or more semiconductor chips, in particular on a respective surface of the one or more semiconductor chips.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie formschlüssig über den einen oder die mehreren Halbleiterchips laminiert wird.In one embodiment, it is provided that the phosphor film is laminated in a form-fitting manner over the one or more semiconductor chips.

Gemäß einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass vor dem Verpressen der Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips die Leuchtstofffolie auf einen Reflektorrahmen verpresst wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips zugeordnete Aussparungen umfasst, wobei der die auf dem Reflektorrahmen verpresste Leuchtstofffolie umfassende Reflektorrahmen auf die Oberseite des Trägers verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips jeweils in einer der Aussparungen des verpressten Reflektorrahmens angeordnet sind.According to one embodiment, it is provided that, before the phosphor film is pressed onto the one or more semiconductor chips, the phosphor film is pressed onto a reflector frame which comprises recesses associated with the one or more semiconductor chips, wherein the reflector frame comprising the phosphor frame pressed onto the reflector frame impacts on the reflector frame Top of the carrier is pressed, so that the one or more semiconductor chips are each arranged in one of the recesses of the pressed reflector frame.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das Verfahren technisch leicht und effizient durchgeführt werden kann. As a result, in particular, the technical advantage is brought about that the method can be carried out technically easily and efficiently.

Im verpressten Zustand ist die Leuchtstofffolie zwischen dem Reflektorrahmen und den Halbleiterchips angeordnet. Das heißt zum Beispiel, dass die Leuchtstofffolie die Halbleiterchips unmittelbar, also direkt, kontaktiert oder berührt. Der Reflektorrahmen hingegen weist keinen direkten Kontakt zu den Halbleiterchips auf, berührt diese also nicht.In the compressed state, the phosphor film is arranged between the reflector frame and the semiconductor chips. This means, for example, that the phosphor film contacts or touches the semiconductor chips directly, ie directly. The reflector frame, however, has no direct contact with the semiconductor chips, so it does not touch.

Das heißt, dass die mittels der Halbleiterchips emittierte Primärstrahlung zuerst auf die Leuchtstofffolie trifft und mittels dieser in Sekundärstrahlung konvertiert wird. Die Sekundärstrahlung trifft dann auf den Reflektorrahmen und wird mittels dieser zumindest teilweise, insbesondere vollständig, reflektiert und/oder gestreut.This means that the primary radiation emitted by means of the semiconductor chips first strikes the phosphor film and by means of this in secondary radiation is converted. The secondary radiation then impinges on the reflector frame and is at least partially, in particular completely, reflected and / or scattered by means of this.

Der Reflektorrahmen reflektiert zum Beispiel auch einen Anteil der Primärstrahlung zurück zur Leuchtstofffolie, die mittels dieser nicht konvertiert wurde, so dass dann die Möglichkeit gegeben ist, dass die zurückreflektierte Primärstrahlung mittels der Leuchtstofffolie konvertiert wird.The reflector frame also reflects, for example, a proportion of the primary radiation back to the phosphor film, which was not converted by means of this, so that then there is the possibility that the reflected back primary radiation is converted by the phosphor film.

Das Vorsehen des Reflektorrahmens bewirkt somit in vorteilhafter Weise eine effiziente Konversion der Primärstrahlung und somit eine Erhöhung eines Konversionsgrads, also des Anteils der Primärstrahlung, die konvertiert wird.The provision of the reflector frame thus advantageously effects an efficient conversion of the primary radiation and thus an increase in a degree of conversion, that is to say the proportion of the primary radiation which is converted.

Ein Reflektorrahmen im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst insbesondere eine oder mehrere Aussparungen, wobei die Anzahl der Aussparungen mindestens der Anzahl, insbesondere genau der Anzahl, an Halbleiterchips entspricht, die auf dem Träger angeordnet sind. Das heißt also insbesondere, dass jeder Halbleiterchip in seiner eigenen Aussparung angeordnet ist, wenn der Reflektorrahmen auf dem Träger verpresst ist.A reflector frame according to the present invention in particular comprises one or more recesses, wherein the number of recesses corresponds at least to the number, in particular exactly the number, of semiconductor chips which are arranged on the carrier. This means in particular that each semiconductor chip is arranged in its own recess when the reflector frame is pressed onto the carrier.

Eine jeweilige Kontur der Aussparungen entspricht zum Beispiel einer jeweiligen Kontur der Halbleiterchips. Zum Beispiel weisen die Halbleiterchips jeweils eine rechteckige Kontur auf. Zum Beispiel weisen die Aussparungen jeweils eine rechteckige Kontur auf.A respective contour of the recesses corresponds, for example, to a respective contour of the semiconductor chips. For example, the semiconductor chips each have a rectangular contour. For example, the recesses each have a rectangular contour.

In einer Ausführungsform ist eine jeweilige Größe der Aussparungen derart bemessen, dass die Halbleiterchips passgenau in den Aussparungen angeordnet sind.In one embodiment, a respective size of the recesses is dimensioned such that the semiconductor chips are arranged precisely in the recesses.

Wenn der Reflektorrahmen auf dem Träger verpresst ist, ist zum Beispiel vorgesehen, dass die gegenüberliegenden Seitenflanken mit dem Reflektorrahmen mittelbar bedeckt sind. Mittelbar bedeutet, dass die Leuchtstofffolie zwischen dem Reflektorrahmen und den gegenüberliegenden Seitenflanken angeordnet ist.If the reflector frame is pressed onto the carrier, it is provided, for example, that the opposite side edges are indirectly covered by the reflector frame. Indirect means that the phosphor sheet is disposed between the reflector frame and the opposite side edges.

Wenn der Reflektorrahmen auf dem Träger verpresst ist, ist zum Beispiel vorgesehen, dass die jeweilige Oberseite der Halbleiterchips frei von dem Reflektorrahmen ist. Die Oberseite ist somit im verpressten Zustand zum Beispiel ausschließlich mittels der Leuchtstofffolie unmittelbar bedeckt.If the reflector frame is pressed on the carrier, it is provided, for example, that the respective upper side of the semiconductor chips is free of the reflector frame. The upper side is thus directly covered in the compressed state, for example, exclusively by means of the fluorescent film.

Der Reflektorrahmen umfasst zum Beispiel Reflexionspartikel. Reflexionspartikel umfassen zum Beispiel TiO2-Partikel und/oder Al2O3-Partikel.The reflector frame includes, for example, reflection particles. Reflection particles include, for example, TiO 2 particles and / or Al 2 O 3 particles.

Der Reflektorrahmen weist zum Beispiel eine Reflektivität von mindestens 80 %, insbesondere 90 %, vorzugsweise 95 %, für die Sekundärstrahlung auf.The reflector frame has, for example, a reflectivity of at least 80%, in particular 90%, preferably 95%, for the secondary radiation.

Der Reflektorrahmen weist zum Beispiel ein Matrixmaterial auf, in welchem zum Beispiel Reflexionspartikel eingebettet sind. Das Matrixmaterial ist zum Beispiel ein Silikon.The reflector frame has, for example, a matrix material in which, for example, reflection particles are embedded. The matrix material is for example a silicone.

Der verpresste Reflektorrahmen bildet somit einen jeweiligen Reflektor für die Halbleiterchips.The compressed reflector frame thus forms a respective reflector for the semiconductor chips.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Verpressen der Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips ein Reflektormaterial auf die Oberseite des Trägers gedruckt wird, so dass mittels des gedruckten Reflektormaterials ein Reflektor gebildet wird.In one embodiment, it is provided that after the phosphor film has been pressed onto the one or more semiconductor chips, a reflector material is printed on the top side of the carrier, so that a reflector is formed by means of the printed reflector material.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein jeweiliger Reflektor für die Halbleiterchips effizient mittels eines technisch bewährten Beschichtungsverfahrens (Drucken) hergestellt werden kann.As a result, the technical advantage in particular that a respective reflector for the semiconductor chips can be produced efficiently by means of a technically proven coating method (printing) is brought about.

Ein Reflektormaterial umfasst zum Beispiel Reflexionspartikel. Reflexionspartikel umfassen zum Beispiel TiO2-Partikel und/oder Al2O3-Partikel.A reflector material includes, for example, reflection particles. Reflection particles include, for example, TiO 2 particles and / or Al 2 O 3 particles.

Ein Reflektormaterial weist zum Beispiel eine Reflektivität von mindestens 80 %, insbesondere 90 %, vorzugsweise 95 %, für die Sekundärstrahlung auf.A reflector material has, for example, a reflectivity of at least 80%, in particular 90%, preferably 95%, for the secondary radiation.

Ein Reflektormaterial weist zum Beispiel ein Matrixmaterial auf, in welchem zum Beispiel Reflexionspartikel eingebettet sind. Das Matrixmaterial ist zum Beispiel ein Silikon.A reflector material has, for example, a matrix material in which, for example, reflection particles are embedded. The matrix material is for example a silicone.

Im gedruckten Zustand ist also analog zum Reflektorrahmen vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie zwischen dem gedruckten Reflektor und den Halbleiterchips angeordnet ist. Somit wird auch hier die Primärstrahlung zuerst auf die Leuchtstofffolie treffen und mittels dieser zumindest teilweise, insbesondere vollständig, konvertiert werden. Die im Zusammenhang mit dem Reflektorrahmen gemachten Ausführungen bezüglich der spezifischen Vorteile (zum Beispiel Erhöhung des Konversionsgrads) gelten insofern analog für den gedruckten Reflektor.In the printed state, it is therefore provided analogously to the reflector frame that the phosphor film is arranged between the printed reflector and the semiconductor chips. Thus, here too, the primary radiation will first strike the phosphor film and be at least partially, in particular completely, converted by means of this. The statements made in connection with the reflector frame with regard to the specific advantages (for example, increasing the degree of conversion) apply analogously to the printed reflector.

Das Drucken des Reflektors umfasst insbesondere, dass Reflektormaterial in jeweilige Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips eingebracht wird. Das heißt, dass die Zwischenräume zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit Reflektormaterial verfüllt werden. Es wird also insbesondere Reflektormaterial in die Zwischenräume eingefüllt.The printing of the reflector comprises in particular that reflector material is introduced into respective spaces between the semiconductor chips. This means that the interspaces are at least partially, in particular completely, filled with reflector material. It is thus filled in particular reflector material in the interstices.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Drucken ein Siebdrucken und/oder ein Schablonendrucken umfasst. In an embodiment it is provided that the printing comprises screen printing and / or stencil printing.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der Reflektor effizient gedruckt werden kann. Ein weiterer Vorteil der Verwendung einer Schablone liegt insbesondere darin, dass ein Schablonendesign flexibel an den konkreten Einzelfall angepasst werden kann.As a result, the technical advantage in particular that the reflector can be printed efficiently. Another advantage of using a template is, in particular, that a template design can be adapted flexibly to the specific individual case.

Druckparameter bei einem Schablonendrucken respektive Siebdrucken umfassen zum Beispiel: ein Anpressdruck, der von der Kraft abhängt, mit der das Rakel beaufschlagt wird, und/oder eine Rakelgeschwindigkeit und/oder ein Absprung (Abstand Schablone zum Substrat) und/oder eine Pastenzusammensetzung und/oder eine Viskosität der Paste. Paste steht hier insbesondere für das Reflektormaterial.Printing parameters in stencil printing or screen printing include, for example: a contact pressure, which depends on the force with which the doctor is applied, and / or a doctor speed and / or a jump (distance stencil to the substrate) and / or a paste composition and / or a viscosity of the paste. Paste stands here in particular for the reflector material.

Beim Siebdrucken respektive Schablonendrucken ist insbesondere vorgesehen, dass ein oder mehrere der vorstehend bezeichneten Druckparameter derart gewählt werden, dass (möglichst) kein Pastenmaterial auf einen Oberflächenabschnitt der Leuchtstofffolie gelangt, der auf der Oberseite des oder der Halbleiterchips angeordnet ist.In screen printing or stencil printing, it is provided, in particular, that one or more of the above-described printing parameters be selected such that (as far as possible) no paste material reaches a surface section of the phosphor film which is arranged on the upper side of the semiconductor chip or chips.

Ein Sieb, welches zum Siebdrucken verwendet wird, respektive eine Schablone, welche zum Schablonendrucken verwendet wird, weist zum Beispiel Aussparungen auf, die einem Abstand zwischen zwei Halbleiterchips entsprechen, so dass effizient Reflektormaterial durch das Sieb respektive die Schablone in den Zwischenraum zwischen zwei Halbleiterchips eingebracht werden kann.For example, a screen used for screen printing or a stencil used for stencil printing has recesses corresponding to a space between two semiconductor chips, so that reflector material is efficiently introduced into the space between two semiconductor chips through the screen and the stencil, respectively can be.

Die Schablone respektive das Sieb ist also derart ausgebildet, dass ein Bedrucken der jeweiligen Oberseite der Halbleiterchips verhindert wird. Das heißt also insbesondere, dass das Sieb respektive die Schablone Aussparungen aufweist, die den Zwischenräumen zwischen den Halbleiterchips entsprechen.The template or the screen is thus designed such that a printing of the respective upper side of the semiconductor chips is prevented. This means, in particular, that the screen or the template has recesses which correspond to the spaces between the semiconductor chips.

In einer Ausführungsform umfasst das Verpressen ein Laminieren.In one embodiment, the compression includes lamination.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das Verpressen mittels eines technisch bewährten Verfahrens durchgeführt werden kann. Ein Laminieren weist insbesondere den Vorteil auf, dass eine robuste und zuverlässige Verbindung zwischen der Leuchtstofffolie und gegebenenfalls zwischen dem Reflektorrahmen und den Halbleiterchips respektive dem Träger geschaffen ist.As a result, in particular the technical advantage is achieved that the pressing can be carried out by means of a technically proven method. Lamination has the particular advantage that a robust and reliable connection between the phosphor film and optionally between the reflector frame and the semiconductor chips or the carrier is provided.

Bei einem Laminieren kann das Adjektiv „verpresst“ auch durch das Adjektiv „laminiert“ ersetzt werden. Das heißt, dass eine verpresste Leuchtstofffolie respektive ein verpresster Reflektorrahmen auch als eine laminierte Leuchtstofffolie respektive als ein laminierter Reflektorrahmen bezeichnet werden kann.When laminating, the adjective "compressed" can also be replaced by the adjective "laminated". That is, a compressed phosphor sheet or a compressed reflector frame may also be referred to as a laminated phosphor sheet or a laminated reflector frame, respectively.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Laminieren ein Vakuumlaminieren und/oder ein Rollenlaminieren umfasst.In an embodiment it is provided that the lamination comprises a vacuum lamination and / or a roll lamination.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die Leuchtstofffolie respektive der Reflektorrahmen effizient laminiert werden kann. As a result, in particular, the technical advantage is achieved that the phosphor film or the reflector frame can be laminated efficiently.

Vorteile des Vakuumlaminierens sind zum Beispiel ein schonenderer Umgang mit dem Material (beim Vakuumlaminieren wirkt flächig Kraft auf den Träger ein, beim Rollenlaminieren nur an der aktuellen Rollenposition).Advantages of vacuum lamination are, for example, a gentler handling of the material (in the case of vacuum lamination, surface force acts on the carrier, while roller lamination only affects the current roll position).

Das Vakuumlaminieren erfolgt in einer Ausführungsform in mehreren Schritten, die nachfolgend beschrieben werden:
Die Leuchtstofffolie respektive der Reflektorrahmen wird auf den Träger aufgelegt, wobei der Träger mit der aufgelegten Leuchtstofffolie respektive dem aufgelegten Reflektorrahmen anschließend in eine Vakuumkammer einer Laminieranlage eingebracht wird. Anschließend wird die Vakuumkammer evakuiert. Es wird dann ein mechanisches Aufdrücken der Leuchtstofffolie respektive des Reflektorrahmens unter Vakuum für ein erstes Aufkleben (zum Beispiel durch eine Gummimembrane) durchgeführt. Dann wird eine Druckluftbeaufschlagung durchgeführt, um einen Formschluss (zweites Aufkleben) um den oder den mehreren Halbeiterchips zu bewirken.The vacuum lamination is done in one embodiment in several steps, which are described below:
The phosphor film or the reflector frame is placed on the support, wherein the carrier is then introduced with the applied phosphor film respectively the applied reflector frame in a vacuum chamber of a laminating. Subsequently, the vacuum chamber is evacuated. It is then carried out a mechanical pressing of the phosphor film or the reflector frame under vacuum for a first sticking (for example by a rubber membrane). Then, pressurized air is applied to effect a positive engagement (second adhesion) around the one or more semiconductor chips.

Prozessparameter für ein Vakuumlaminieren umfassen: einen Vakuumwert (Unterdruck) und/oder eine Vakuumzeit und/oder eine Temperatur und/oder eine Druckbeaufschlagung von oben auf den Träger für den Formschluss.Process parameters for vacuum lamination include: a vacuum value (vacuum) and / or a vacuum time and / or a temperature and / or a pressurization from above onto the carrier for positive engagement.

Das Laminieren wird nach einer Ausführungsform mittels eines Laminiergeräts durchgeführt.The lamination is carried out in one embodiment by means of a laminator.

Das Laminiergerät ist zum Beispiel ein Vakuumlaminierer oder ein Rollenlaminierer oder ein kombinierter Vakuumrollenlaminierer.The laminator is, for example, a vacuum laminator or a roll laminator or a combined vacuum roll laminator.

Das Verpressen wird nach einer Ausführungsform mittels eines Pressgeräts durchgeführt.The pressing is carried out in one embodiment by means of a pressing device.

Eine Leuchtstofffolie weist nach einer Ausführungsform eine maximale Dicke von 100 µm auf.A phosphor sheet according to one embodiment has a maximum thickness of 100 μm.

Eine Leuchtstofffolie weist nach einer Ausführungsform eine minimale Dicke von 10 µm auf. A phosphor sheet according to one embodiment has a minimum thickness of 10 μm.

Eine Leuchtstofffolie weist nach einer Ausführungsform eine Dicke zwischen 50 µm und 100 µm auf.A phosphor film according to one embodiment has a thickness of between 50 μm and 100 μm.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Verpressen der Leuchtstofffolie (gegebenenfalls nach dem Verpressen des Reflektorrahmens) die Halbleiterchips vereinzelt werden.In one embodiment, it is provided that after the compression of the phosphor film (optionally after pressing the reflector frame), the semiconductor chips are separated.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Vielzahl an vereinzelten Halbleiterchips mit jeweils einer eigenen vereinzelten Leuchtstofffolie und gegebenenfalls einem eigenen vereinzelten Reflektorrahmen effizient hergestellt werden können.As a result, the technical advantage, in particular, is achieved that a large number of individualized semiconductor chips, each with its own individual phosphor screen and possibly a separate reflector frame of its own, can be produced efficiently.

Jeder der vereinzelten Halbleiterchips ist somit auf einem eigenen vereinzelten Träger angeordnet, so dass eine entsprechend vereinzelte Anordnung (also ein vereinzelter Träger mit vereinzeltem Halbleiterchip mit eigener Leuchtstofffolie und gegebenenfalls einem eigenen vereinzelten Reflektorrahmen) jeweils eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bilden.Each of the isolated semiconductor chips is thus arranged on its own individual carrier, so that a correspondingly isolated arrangement (ie an isolated carrier with an isolated semiconductor chip with its own phosphor film and possibly its own isolated reflector frame) each form an optoelectronic lighting device.

Nach einer Ausführungsform umfasst das Vereinzeln ein Sägen.According to one embodiment, the singulating comprises sawing.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Vereinzeln erst nach dem Drucken des Reflektors durchgeführt wird.In one embodiment, it is provided that the singulation is performed only after the printing of the reflector.

Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform erst nach dem Bilden eines Reflektors, sei es mittels Druckens oder sei es mittels Verpressen eines Reflektorrahmens, die Halbleiterchips vereinzelt werden.This means in particular that, according to one embodiment, only after the formation of a reflector, be it by means of printing or be it by means of pressing a reflector frame, the semiconductor chips are separated.

Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform vorgesehen ist, dass die vereinzelten Halbleiterchips einen eigenen gedruckten oder verpressten Reflektor aufweisen.That means in particular that according to one embodiment it is provided that the separated semiconductor chips have their own printed or pressed reflector.

Somit wird also insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass einzelne einen Reflektor umfassende Halbleiterchips effizient und insbesondere kostengünstig hergestellt werden können.Thus, in particular, the technical advantage is achieved that individual semiconductor chips comprising a reflector can be produced efficiently and, in particular, inexpensively.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie mit einem auf der Oberseite des Trägers verpressten Reflektorrahmen verpresst ist, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips zugeordnete Aussparungen umfasst, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips jeweils in einer der Aussparungen des verpressten Reflektorrahmens angeordnet sind.In one embodiment, it is provided that the phosphor film is pressed with a reflector frame pressed onto the top side of the carrier, which comprises recesses associated with the one or more semiconductor chips, such that the one or more semiconductor chips are respectively arranged in one of the recesses of the pressed reflector frame ,

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass auf der Oberseite des Trägers ein mittels eines auf die Oberseite des Trägers gedruckten Reflektormaterials gebildeter Reflektorrahmen gebildet ist.In a further embodiment it is provided that a reflector frame formed by means of a reflector material printed on the upper side of the carrier is formed on the upper side of the carrier.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die optoelektronische Leuchtvorrichtung mittels des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung hergestellt wird respektive ist.According to one embodiment, it is provided that the optoelectronic lighting device is produced by the method for producing an optoelectronic lighting device or is.

Technische Funktionalitäten der optoelektronischen Leuchtvorrichtung ergeben sich analog aus entsprechenden technischen Funktionalitäten des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und umgekehrt.Technical functionalities of the optoelectronic lighting device result analogously from corresponding technical functionalities of the method for producing an optoelectronic lighting device and vice versa.

Vorrichtungsmerkmale ergeben sich somit aus entsprechenden Verfahrensmerkmalen und umgekehrt.Device features thus result from corresponding process features and vice versa.

Der Reflektorrahmen weist nach einer Ausführungsform eine Rechteckform auf. The reflector frame according to one embodiment has a rectangular shape.

Die Aussparungen des Reflektorrahmens weisen in einer Ausführungsform jeweils eine quadratische Kontur auf. The recesses of the reflector frame each have a square contour in one embodiment.

In einer Ausführungsform sind die Aussparungen des Reflektorrahmens aus dem Reflektorrahmen ausgestanzt.In one embodiment, the recesses of the reflector frame are punched out of the reflector frame.

Die Aussparungen des Reflektorrahmens weisen in einer Ausführungsform einander gegenüberliegende Innenwände auf.The recesses of the reflector frame in one embodiment have opposite inner walls.

Die Aussparungen des Reflektorrahmens sind in einer Ausführungsform in einer Matrix aus Spalten und Zeilen angeordnet. The recesses of the reflector frame are arranged in one embodiment in a matrix of columns and rows.

Bei einer Matrix aus Spalten und Zeilen sind in einer Ausführungsform zwischen den Aussparungen Längsstege und Querstege gebildet, wobei die Querstege senkrecht zu den Längsstegen verlaufen. In a matrix of columns and rows, in one embodiment longitudinal ridges and transverse ridges are formed between the recesses, the transverse ridges being perpendicular to the longitudinal ridges.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die mehreren Halbleiterchips entsprechend der Matrix aus Aussparungen des Reflektorrahmens analog in einer weiteren Matrix angeordnet sind. Das heißt, dass die weitere Matrix aus Halbleiterchips der Matrix aus Aussparungen des Reflektorrahmens entspricht.In one embodiment, it is provided that the plurality of semiconductor chips are arranged analogously in a further matrix corresponding to the matrix of recesses of the reflector frame. This means that the further matrix of semiconductor chips of the matrix corresponds to recesses of the reflector frame.

Die Schablone respektive das Sieb ist nach einer Ausführungsform derart ausgebildet, dass beim Rakeln kein Reflektormaterial auf die Oberseiten der Halbleiterchips aufgedruckt wird. According to one embodiment, the template or the screen is designed in such a way that no reflector material is printed onto the upper sides of the semiconductor chips during doctoring.

In einer Ausführungsform sind Aussparungen der Schablone respektive des Siebs entsprechend der Matrix aus Halbleiterchips selbst in einer Matrix angeordnet, wobei die Aussparungen der Schablone jeweils Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips zugeordnet sind.In one embodiment, recesses of the template or of the screen corresponding to the matrix of semiconductor chips themselves are arranged in a matrix, wherein the recesses of the template each spaces are assigned between the semiconductor chips.

Die Formulierung „respektive“ umfasst insbesondere die Formulierung „und/oder“.The wording "respectively" includes in particular the wording "and / or".

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobeiThe above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments which will be described in connection with the drawings

1 einen Reflektorrahmen, 1 a reflector frame,

2 eine Leuchtstofffolie, 2 a fluorescent film,

3 einen Träger mit mehreren optoelektronischen Halbleiterchips, 3 a carrier with a plurality of optoelectronic semiconductor chips,

4 bis 6 jeweils einen Herstellungsschritt eines ersten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, 4 to 6 in each case a production step of a first method for producing an optoelectronic lighting device,

7 und 8 jeweils einen Herstellungsschritt eines zweiten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, 7 and 8th in each case a production step of a second method for producing an optoelectronic lighting device,

9 bis 12 jeweils einen Herstellungsschritt eines dritten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und 9 to 12 in each case a production step of a third method for producing an optoelectronic lighting device and

13 ein Ablaufdiagramm eines vierten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung
zeigen. 13 a flowchart of a fourth method for producing an optoelectronic lighting device
demonstrate.

Im Folgenden werden für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet.Hereinafter, like reference numerals are used for like features.

1 zeigt einen Reflektorrahmen 101 in einer Draufsicht. 1 shows a reflector frame 101 in a top view.

Der Reflektorrahmen 101 weist eine Rechteckform auf. Der Reflektorrahmen 101 umfasst mehrere Aussparungen 103. Die Aussparungen 103 weisen jeweils eine quadratische Kontur auf. Zum Beispiel sind die Aussparungen 103 aus dem Reflektorrahmen 101 ausgestanzt worden.The reflector frame 101 has a rectangular shape. The reflector frame 101 includes several recesses 103 , The recesses 103 each have a square contour. For example, the recesses 103 from the reflector frame 101 punched out.

Die Aussparungen 103 weisen einander gegenüberliegende Innenwände 105 auf.The recesses 103 have opposing inner walls 105 on.

Die Aussparungen 103 sind in einer Matrix aus Spalten und Zeilen angeordnet. In dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Reflektorrahmen 101 vier Zeilen und sieben Spalten auf. Insofern gibt es 28 Aussparungen 103.The recesses 103 are arranged in a matrix of columns and rows. In the in 1 embodiment shown, the reflector frame 101 four rows and seven columns. In this respect there are 28 recesses 103 ,

Aufgrund der Matrix-Anordnung sind zwischen den Aussparungen 103 Längsstege 107 und Querstege 109 gebildet, wobei die Querstege 109 senkrecht zu den Längsstegen 107 verlaufen.Due to the matrix arrangement are between the recesses 103 longitudinal webs 107 and crossbars 109 formed, with the transverse webs 109 perpendicular to the longitudinal webs 107 run.

In 1 ist eine Schnittlinie I-I gezeichnet. Die 4 bis 8 zeigen jeweils eine Schnittansicht entlang der Schnittlinie I-I.In 1 is drawn a section line II. The 4 to 8th each show a sectional view along the section line II.

2 zeigt eine Leuchtstofffolie 201 in einer Draufsicht. 2 shows a fluorescent film 201 in a top view.

Die Leuchtstofffolie 201 entspricht in ihrer Größe und in ihren Abmessungen vorzugsweise der Größe respektive den Abmessungen des Reflektorrahmens 101 der 1.The fluorescent film 201 corresponds in size and dimensions preferably the size or the dimensions of the reflector frame 101 of the 1 ,

3 zeigt einen Träger 301 in einer Draufsicht. 3 shows a carrier 301 in a top view.

Der Träger 301 weist eine Rechteckform auf. Die Abmessungen respektive die Größe des Trägers 301 entsprechen vorzugsweise den Abmessungen respektive der Größe des Reflektorrahmens 101 der 1.The carrier 301 has a rectangular shape. The dimensions respectively the size of the carrier 301 preferably correspond to the dimensions or the size of the reflector frame 101 of the 1 ,

Der Träger 301 umfasst eine Oberseite 303. Auf der Oberseite 303 sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips 305 angeordnet. Die optoelektronischen Halbleiterchips 305 sind zum Beispiel Leuchtdiodenchips.The carrier 301 includes a top 303 , On the top 303 are several optoelectronic semiconductor chips 305 arranged. The optoelectronic semiconductor chips 305 are, for example, light-emitting diode chips.

Die optoelektronischen Halbleiterchips 305 weisen jeweils eine Oberseite 307 auf, die der Oberseite 303 des Trägers 301 abgewandt ist. Das heißt also, dass die Halbleiterchips 305 mit ihrer Unterseite (nicht gezeigt) auf der Oberseite 303 des Trägers 301 angeordnet sind.The optoelectronic semiconductor chips 305 each have a top 307 on top of that 303 of the carrier 301 turned away. So that means that the semiconductor chips 305 with its underside (not shown) on the top 303 of the carrier 301 are arranged.

Die mehreren Halbleiterchips 305 sind entsprechend der Matrix aus Aussparungen 103 des Reflektorrahmens 101 analog in einer Matrix angeordnet. Das heißt also, dass die mehreren Halbleiterchips 305 in einer Matrix aus vier Zeilen und sieben Spalten angeordnet sind. Somit sind in dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel 28 Halbleiterchips 305 auf der Oberseite 303 des Trägers 301 angeordnet.The multiple semiconductor chips 305 are according to the matrix of recesses 103 of the reflector frame 101 arranged analogously in a matrix. So that means that the multiple semiconductor chips 305 are arranged in a matrix of four rows and seven columns. Thus, in the in 3 shown embodiment 28 semiconductor chips 305 on the top 303 of the carrier 301 arranged.

In 3 ist eine Schnittlinie II-II gezeichnet. Die 4 bis 6 und 8 bis 12 zeigen jeweils eine entsprechende Schnittansicht entlang der Schnittlinie II-II.In 3 is drawn a section line II-II. The 4 to 6 and 8th to 12 each show a corresponding sectional view along the section line II-II.

4 zeigt einen Herstellungsschritt eines ersten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. 4 shows a production step of a first method for producing an optoelectronic light-emitting device.

Es ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie 201 der 2 zwischen dem Reflektorrahmen 101 der 1 und dem Träger 301 der 3 angeordnet wird. Zum Beispiel wird die Leuchtstofffolie 201 zwischen die Halbleiterchips 305 und den Reflektorrahmen 101 gelegt.It is envisaged that the phosphor sheet 201 of the 2 between the reflector frame 101 of the 1 and the carrier 301 of the 3 is arranged. For example, the phosphor sheet 201 between the semiconductor chips 305 and the reflector frame 101 placed.

Aufgrund der in 4 gezeigten Schnittansicht ist nun eine jeweilige Unterseite 401 der Halbleiterchips 305 erkennbar. Ferner sind gegenüberliegende Seitenflanken der Halbleiterchips 305 mit dem Bezugszeichen 403 gekennzeichnet.Due to the in 4 shown sectional view is now a respective bottom 401 the semiconductor chips 305 recognizable. Furthermore, opposite side edges of the semiconductor chips 305 with the reference number 403 characterized.

5 zeigt einen weiteren Schritt des ersten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Der weitere Schritt folgt zeitlich nach dem in 4 dargestellten Schritt. 5 shows a further step of the first method for producing an optoelectronic light-emitting device. The next step follows after the in 4 illustrated step.

Der Reflektorrahmen 101 ist auf die Oberseite 303 des Trägers 301 aufgepresst worden. Das heißt also, dass der Reflektorrahmen 101 auf der Oberseite 303 des Trägers 301 verpresst ist.The reflector frame 101 is on the top 303 of the carrier 301 been pressed. So that means that the reflector frame 101 on the top 303 of the carrier 301 is compressed.

Das Verpressen ist zum Beispiel mittels einer Laminieranlage respektive eines Laminiergeräts durchgeführt worden. Das heißt also insbesondere, dass der Reflektorrahmen 101 auf die Oberseite 303 des Trägers 301 laminiert wird.The pressing has been carried out, for example, by means of a laminating machine or a laminating device. So that means in particular that the reflector frame 101 on top 303 of the carrier 301 is laminated.

Durch dieses Auf- oder Verpressen des Reflektorrahmens 101 wird in einem gemeinsamen Prozessschritt gleichzeitig die Leuchtstofffolie 201 ebenfalls auf die Halbleiterchips 305 verpresst. Somit wird die Leuchtstofffolie 201 auf die jeweilige Oberseite 307 und die jeweiligen Seitenflanken 403 der Halbleiterchips 305 verpresst, insbesondere laminiert.By this pressing or pressing the reflector frame 101 becomes in a common process step at the same time the phosphor film 201 also on the semiconductor chips 305 pressed. Thus, the phosphor sheet 201 on the respective top 307 and the respective side edges 403 the semiconductor chips 305 pressed, in particular laminated.

Zum Beispiel ist an der jeweiligen Oberseite 307 eine lichtemittierende Fläche (nicht gezeigt) gebildet, mittels welcher die Halbleiterchips 305 Primärstrahlung emittieren.For example, at the respective top 307 a light-emitting surface (not shown) is formed, by means of which the semiconductor chips 305 Emit primary radiation.

Zum Beispiel ist an den gegenüberliegenden Seitenflanken 403 jeweils eine lichtemittierende Fläche (nicht gezeigt) gebildet. Mittels dieser lichtemittierenden Flächen wird zum Beispiel Primärstrahlung emittiert.For example, on the opposite side edges 403 each formed a light-emitting surface (not shown). By means of these light-emitting surfaces, for example, primary radiation is emitted.

Dadurch, dass die Leuchtstofffolie 201 nun in unmittelbarem, also direktem, Kontakt mit der Oberseite 307 respektive den Seitenflanken 403 ist, trifft die Primärstrahlung zuerst auf die Leuchtstofffolie 201 und somit auf den oder die Leuchtstoffe, der von der Leuchtstofffolie 201 umfasst ist. Dadurch kann in vorteilhafter Weise die Primärstrahlung mittels des Leuchtstoffs in eine Sekundärstrahlung konvertiert werden.Because of the fluorescent film 201 now in direct, so direct, contact with the top 307 respectively the side flanks 403 is, the primary radiation first strikes the phosphor sheet 201 and thus on the phosphor (s) coming from the phosphor sheet 201 is included. As a result, the primary radiation can be converted by means of the phosphor into a secondary radiation in an advantageous manner.

Da die Matrix aus Aussparungen 103 des Reflektorrahmens 101 der Matrix aus Halbleiterchips 305 des Trägers 301 entspricht, werden Zwischenräume 405 zwischen den Halbleiterchips 305 durch die Querstege 109 und die Längsstege 107 aufgefüllt. Somit werden diese Zwischenräume 405 mit dem Material gefüllt, aus welchem der Reflektorrahmen 101 gebildet ist. Da ein Reflektorrahmen 101 im Sinne der vorliegenden Erfindung ein Reflektormaterial umfasst, wird somit um die einzelnen Halbleiterchips 305 ein Reflektor gebildet.Because the matrix of recesses 103 of the reflector frame 101 the matrix of semiconductor chips 305 of the carrier 301 equals become interstices 405 between the semiconductor chips 305 through the crossbars 109 and the longitudinal webs 107 refilled. Thus, these spaces become 405 filled with the material from which the reflector frame 101 is formed. As a reflector frame 101 For the purposes of the present invention comprises a reflector material is thus to the individual semiconductor chips 305 a reflector formed.

Somit zeigt die 5 eine optoelektronische Leuchtvorrichtung 501 aufweisend den Träger 301, wobei auf der Oberseite 303 des Trägers 301 die mehreren optoelektronischen Halbleiterchips 305 angeordnet sind. Ferner umfasst die optoelektronische Leuchtvorrichtung 501 die Leuchtstofffolie 201, die auf den mehreren Halbleiterchips 305 verpresst ist.Thus, the shows 5 an optoelectronic lighting device 501 comprising the carrier 301 , being on the top 303 of the carrier 301 the plurality of optoelectronic semiconductor chips 305 are arranged. Furthermore, the optoelectronic lighting device comprises 501 the fluorescent film 201 on the multiple semiconductor chips 305 is compressed.

Ferner umfasst die optoelektronische Leuchtvorrichtung 501 einen Reflektorrahmen 101, der den mehreren Halbleiterchips 305 entsprechende Aussparungen 103 aufweist, wobei der Reflektorrahmen 101 auf der Oberseite 303 des Trägers 301 verpresst ist, so dass die mehreren Halbleiterchips 305 jeweils in einer der Aussparungen 103 des verpressten Reflektorrahmens 101 angeordnet sind.Furthermore, the optoelectronic lighting device comprises 501 a reflector frame 101 that the multiple semiconductor chips 305 corresponding recesses 103 having, wherein the reflector frame 101 on the top 303 of the carrier 301 is pressed, so that the multiple semiconductor chips 305 each in one of the recesses 103 of the pressed reflector frame 101 are arranged.

6 zeigt einen anderen Herstellungsschritt des ersten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Der andere Schritt folgt zeitlich nach dem weiteren Schritt, der in 5 dargestellt ist. 6 shows another manufacturing step of the first method for producing an optoelectronic lighting device. The other step follows in time after the further step in 5 is shown.

Gemäß dem weiteren Schritt ist vorgesehen, dass die Halbleiterchips 305 vereinzelt werden, zum Beispiel mittels Sägen.According to the further step, it is provided that the semiconductor chips 305 be singulated, for example by means of sawing.

Das heißt also, dass mehrere optoelektronische Leuchtvorrichtungen 601 durch das Vereinzeln gebildet werden, die jeweils einen entsprechend vereinzelten Träger mit einer entsprechend vereinzelten Leuchtstofffolie und einem entsprechend vereinzelten Reflektorrahmen umfassen.So that means that several optoelectronic light-emitting devices 601 are formed by the separation, each comprising a correspondingly separated carrier with a correspondingly separated fluorescent film and a correspondingly isolated reflector frame.

7 zeigt einen Herstellungsschritt eines zweiten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. 7 shows a production step of a second method for producing an optoelectronic light-emitting device.

Gemäß diesem Schritt ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie 201 auf den Reflektorrahmen 101 verpresst respektive aufgepresst wird, insbesondere laminiert wird.According to this step, it is provided that the phosphor film 201 on the reflector frame 101 pressed or pressed, in particular is laminated.

Gemäß dem in 8 gezeigten weiteren Schritt des zweiten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, wobei der weitere Schritt dem Schritt gemäß 7 zeitlich folgt, ist dann vorgesehen, dass der Reflektorrahmen 101 mit der verpressten Leuchtstofffolie 201 auf die Oberseite 303 des Trägers 301 aufgepresst wird, insbesondere laminiert wird.According to the in 8th shown further step of the second method for producing an optoelectronic lighting device, wherein the further step according to the step 7 temporally, it is then provided that the reflector frame 101 with the compressed phosphor film 201 on top 303 of the carrier 301 is pressed, in particular laminated.

Das Bezugszeichen 801 zeigt auf zwei Pfeile, die eine Aufpressrichtung anzeigen. The reference number 801 points to two arrows indicating a Aufpressrichtung.

Durch dieses Verpressen, wie es in 8 symbolisch dargestellt ist, wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung gebildet, die analog zu der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 501 gemäß 5 ausgebildet ist. Von daher wurde auf eine gesonderte Darstellung verzichtet.By this pressing, as it is in 8th is shown symbolically, an optoelectronic light-emitting device is formed, which is analogous to the optoelectronic light-emitting device 501 according to 5 is trained. Therefore, a separate presentation has been omitted.

Analog zu der in 6 gezeigten Darstellung ist auch in dem zweiten Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung in einer Ausführungsform vorgesehen, dass die Halbleiterchips 305 vereinzelt werden. Die vereinzelten Halbleiterchips entsprechen dann den in 6 gezeigten vereinzelten Halbleiterchips 305. Auf die entsprechenden Ausführungen wird verwiesen. Es wird auch hier auf eine gesonderte Darstellung verzichtet.Analogous to the in 6 The illustration shown is also provided in the second method for producing an optoelectronic light-emitting device in one embodiment that the semiconductor chips 305 to be isolated. The isolated semiconductor chips then correspond to those in 6 shown isolated semiconductor chips 305 , Reference is made to the corresponding statements. It is also omitted here on a separate presentation.

9 zeigt einen Herstellungsschritt eines dritten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. 9 shows a manufacturing step of a third method for producing an optoelectronic lighting device.

Gemäß diesem Herstellungsschritt ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie 201 auf die Halbleiterchips 305 verpresst respektive aufgepresst wird, insbesondere laminiert wird.According to this manufacturing step, it is provided that the phosphor film 201 on the semiconductor chips 305 pressed or pressed, in particular is laminated.

10 zeigt die Leuchtstoffschicht 201 im verpressten Zustand. Das heißt also, dass die 10 eine Anordnung zeigt, die den Träger 301 umfasst, wobei auf der Oberseite 303 des Trägers 301 die mehreren Halbleiterchips 305 angeordnet sind, wobei die Leuchtstofffolie 201 auf den mehreren Halbleiterchips 305 verpresst ist. 10 shows the phosphor layer 201 in the compressed state. So that means that the 10 an arrangement showing the carrier 301 includes, being on the top 303 of the carrier 301 the multiple semiconductor chips 305 are arranged, wherein the phosphor sheet 201 on the multiple semiconductor chips 305 is compressed.

Insofern zeigt die 10 eine optoelektronische Leuchtvorrichtung 1001.In this respect, the shows 10 an optoelectronic lighting device 1001 ,

11 zeigt einen weiteren Herstellungsschritt des dritten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, wobei der weitere Herstellungsschritt zeitlich dem Verpressen gemäß 9 folgt. 11 shows a further manufacturing step of the third method for producing an optoelectronic light-emitting device, wherein the further manufacturing step in time the pressing according to 9 follows.

Gemäß diesem weiteren Herstellungsschritt ist vorgesehen, dass die in 10 gezeigte Anordnung noch mittels eines Reflektormaterials 1105 bedruckt wird. Das heißt also, dass durch Aussparungen 1103 einer Schablone 1101 mittels eines Rakels 1107 Reflektormaterial 1105 in die Zwischenräume 1109 zwischen den Halbleiterchips 305 eingebracht oder eingefüllt wird. Das heißt also, dass zwischen den Halbleiterchips 305, also in den entsprechenden Zwischenräumen 1109, Reflektormaterial 1105 eingebracht oder eingefüllt wird, wobei das Einfüllen respektive Einbringen mittels eines Druckverfahrens durchgeführt wird.According to this further production step, it is provided that the in 10 arrangement still shown by means of a reflector material 1105 is printed. So that means that through recesses 1103 a template 1101 by means of a squeegee 1107 reflector material 1105 in the interstices 1109 between the semiconductor chips 305 is introduced or filled. So that means that between the semiconductor chips 305 so in the appropriate spaces 1109 , Reflector material 1105 is introduced or filled, wherein the filling or introduction is carried out by means of a printing process.

Insofern bildet sich zwischen den Halbleiterchips 305, also in den Zwischenräumen 1109, jeweils ein Reflektor 1111 aus Reflektormaterial 1105.In this respect, forms between the semiconductor chips 305 So in the gaps 1109 , one reflector each 1111 made of reflector material 1105 ,

Hierbei ist die Schablone 1101 derart ausgebildet, dass beim Rakeln kein Reflektormaterial 1105 auf die Oberseiten 307 der Halbleiterchips 305 aufgedruckt wird. Das heißt also insbesondere, dass die Aussparungen 1103 der Schablone 1101 entsprechend der in 3 gezeigten Matrix aus Halbleiterchips 305 angeordnet und ausgebildet sind, wobei die Aussparungen 1103 der Schablone 1101 jeweils den Zwischenräumen 1109 zugeordnet sind.Here is the template 1101 designed such that when doctoring no reflector material 1105 on the tops 307 the semiconductor chips 305 is printed. So that means in particular that the recesses 1103 the template 1101 according to the in 3 shown matrix of semiconductor chips 305 are arranged and formed, wherein the recesses 1103 the template 1101 each the spaces 1109 assigned.

Nach dem Drucken der Reflektoren 1111 ist gemäß einem anderen in 12 gezeigten Herstellungsschritt vorgesehen, dass die Halbleiterchips 305 vereinzelt werden, zum Beispiel mittels Sägen.After printing the reflectors 1111 is according to another in 12 shown manufacturing step that the semiconductor chips 305 be singulated, for example by means of sawing.

Insofern sind mehrere optoelektronische Leuchtvorrichtungen 1201 gebildet, die jeweils einen entsprechend vereinzelten Träger umfassen, wobei auf einer Oberseite des vereinzelten Trägers jeweils einer der optoelektronischen Halbleiterchips 305 angeordnet ist, der sowohl mit einer verpressten Leuchtstofffolie versehen ist als auch mit einem gedruckten Reflektor.In this respect, several optoelectronic light-emitting devices 1201 formed, each comprising a correspondingly separated carrier, wherein on an upper side of the isolated carrier in each case one of the optoelectronic semiconductor chips 305 is arranged, which is provided both with a compressed phosphor sheet and with a printed reflector.

13 zeigt ein Ablaufdiagramm eines vierten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. 13 shows a flowchart of a fourth method for producing an optoelectronic lighting device.

Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:

  • – Bereitstellen 1301 eines Trägers, wobei auf einer Oberseite des Trägers ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips angeordnet sind, und
  • – Verpressen 1305 einer Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips.
The method comprises the following steps:
  • - Provide 1301 a carrier, wherein one or more optoelectronic semiconductor chips are arranged on an upper side of the carrier, and
  • - Pressing 1305 a phosphor sheet on the one or more semiconductor chips.

Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, eine Leuchtstofffolie auf mehrere Halbleiterchips zu verpressen, insbesondere eine Leuchtstofffolie auf mehrere Halbleiterchips zu laminieren. The invention thus encompasses, in particular, the idea of compressing a phosphor film onto a plurality of semiconductor chips, in particular of laminating a phosphor film onto a plurality of semiconductor chips.

Gemäß einer ersten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie zwischen einem Reflektorrahmen und den Halbleiterchips angeordnet oder gelegt wird, wobei dann der Reflektorrahmen auf den Träger aufgepresst wird, zum Beispiel mittels einer Laminieranlage. Vorzugsweise wird anschließend ein Vereinzeln der Halbleiterchips durchgeführt.According to a first embodiment, it is provided that the phosphor film is arranged or laid between a reflector frame and the semiconductor chips, in which case the reflector frame is then pressed onto the carrier, for example by means of a laminating system. Preferably, a singulation of the semiconductor chips is then carried out.

Gemäß einer zweiten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie zuerst auf den Reflektorrahmen aufgepresst, insbesondere auflaminiert, wird. Der Reflektorrahmen mit der aufgepressten Leuchtstofffolie wird dann in einem zeitlich folgenden Schritt auf den Träger umfassend die Halbleiterchips verpresst, insbesondere auflaminiert. Vorzugsweise werden anschließend die Halbleiterchips vereinzelt.According to a second embodiment it is provided that the phosphor film is first pressed onto the reflector frame, in particular laminated. The reflector frame with the pressed-on phosphor film is then pressed in a temporally following step on the carrier comprising the semiconductor chips, in particular laminated. Preferably, then the semiconductor chips are separated.

Gemäß einer dritten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstoffschicht auf die Halbleiterchips auflaminiert wird. Anschließend wird mittels eines Druckens, insbesondere mittels eines Sieb- und/oder Schablonendruckens, Reflektormaterial zwischen die Halbleiterchips eingefüllt oder eingebracht. Das heißt also insbesondere, dass in Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips Reflektormaterial eingebracht wird. Das heißt also, dass gemäß dieser dritten Ausführungsform die Reflektoren für die Halbleiterchips gedruckt werden. Vorzugsweise werden die Halbleiterchips nach dem Drucken vereinzelt, zum Beispiel mittels Sägen.According to a third embodiment it is provided that the phosphor layer is laminated onto the semiconductor chips. Subsequently, by means of printing, in particular by means of screen and / or stencil printing, reflector material is introduced or introduced between the semiconductor chips. This means, in particular, that reflector material is introduced into intermediate spaces between the semiconductor chips. That is, according to this third embodiment, the reflectors for the semiconductor chips are printed. Preferably, the semiconductor chips are separated after printing, for example by means of sawing.

Das erfindungsgemäße Konzept weist insbesondere den Vorteil auf, dass nur wenige, kostengünstige Prozessschritte notwendig sind, um eine optoelektronische Leuchtvorrichtung aufweisend eine Leuchtstofffolie und einen Reflektor herzustellen. Somit können zum Beispiel viele kritische Umklebe-Schritte entfallen.In particular, the concept according to the invention has the advantage that only a few, cost-effective process steps are necessary in order to produce an optoelectronic lighting device comprising a phosphor film and a reflector. Thus, for example, many critical Umklebe steps can be omitted.

Gemäß der ersten Ausführungsform werden also die drei Teile (Träger, Leuchtstofffolie, Reflektorrahmen) in einem gemeinsamen Prozessschritt verpresst.According to the first embodiment, therefore, the three parts (carrier, fluorescent film, reflector frame) are pressed in a common process step.

Gemäß der zweiten Ausführungsform wird also vorab die Leuchtstofffolie auf den Reflektorrahmen verpresst, wobei erst in einem zeitlich folgenden Schritt dieser Reflektorrahmen mit der verpressten Leuchtstofffolie auf den Träger aufgepresst wird.According to the second embodiment, therefore, the phosphor film is pressed in advance on the reflector frame, wherein only in a temporally following step, this reflector frame is pressed onto the carrier with the compressed phosphor film.

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.While the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

101101
Reflektorrahmen reflector frame
103103
Aussparung recess
105105
Innenwand der Aussparung Inner wall of the recess
107107
Längssteg longitudinal web
109109
Quersteg crosspiece
201201
Leuchtstofffolie Phosphor screen
301301
Träger carrier
303303
Oberseite des Trägers Top of the vehicle
305305
optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
307307
Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips Top of the optoelectronic semiconductor chip
401401
Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips Bottom of the optoelectronic semiconductor chip
403403
Seitenflanke des optoelektronischen Halbleiterchips Side edge of the optoelectronic semiconductor chip
405405
Zwischenraum gap
501501
optoelektronische Leuchtvorrichtung Opto-electronic lighting device
601601
optoelektronische Leuchtvorrichtung Opto-electronic lighting device
801801
Aufpressrichtung press-on
10011001
optoelektronische Leuchtvorrichtung Opto-electronic lighting device
11011101
Schablone template
11031103
Aussparung recess
11051105
Reflektormaterial reflector material
11071107
Rakel doctor
11091109
Zwischenraum gap
11111111
Reflektor reflector
12011201
optoelektronische Leuchtvorrichtung Opto-electronic lighting device
13011301
Bereitstellen Provide
13051305
Verpressen pressing

Claims (10)

Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001, 1201), umfassend: – Bereitstellen (1301) eines Trägers (301), wobei auf einer Oberseite (303) des Trägers (301) ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (305) angeordnet sind, und – Verpressen (1305) einer Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305).Method for producing an optoelectronic lighting device ( 501 . 601 . 1001 . 1201 ), comprising: - providing ( 1301 ) of a carrier ( 301 ), wherein on a top side ( 303 ) of the carrier ( 301 ) one or more optoelectronic semiconductor chips ( 305 ), and - pressing ( 1305 ) of a fluorescent film ( 201 ) on the one or more semiconductor chips ( 305 ). Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor dem Verpressen (1305) der Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) die Leuchtstofffolie (201) zwischen dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) und einem Reflektorrahmen (101) angeordnet wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) zugeordnete Aussparungen (103) umfasst, wobei nach dem Anordnen der Reflektorrahmen (101) gemeinsam mit der Leuchtstofffolie (201) auf die Oberseite (303) des Trägers (301) verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips (305) jeweils in einer der Aussparungen (103) des verpressten Reflektorrahmens (101) angeordnet sind.Method according to claim 1, wherein before pressing ( 1305 ) of the phosphor film ( 201 ) on the one or more semiconductor chips ( 305 ) the phosphor film ( 201 ) between the one or more semiconductor chips ( 305 ) and a reflector frame ( 101 ) disposed one or more semiconductor chips ( 305 ) associated recesses ( 103 ), wherein after arranging the reflector frame ( 101 ) together with the fluorescent film ( 201 ) on the top ( 303 ) of the carrier ( 301 ) is pressed, so that the one or more semiconductor chips ( 305 ) in each case in one of the recesses ( 103 ) of the pressed reflector frame ( 101 ) are arranged. Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor dem Verpressen (1305) der Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) die Leuchtstofffolie (201) auf einen Reflektorrahmen (101) verpresst wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) zugeordnete Aussparungen (103) umfasst, wobei der die auf dem Reflektorrahmen (101) verpresste Leuchtstofffolie (201) umfassende Reflektorrahmen (101) auf die Oberseite (303) des Trägers (301) verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips (305) jeweils in einer der Aussparungen (103) des verpressten Reflektorrahmens (101) angeordnet sind. Method according to claim 1, wherein before pressing ( 1305 ) of the phosphor film ( 201 ) on the one or more semiconductor chips ( 305 ) the phosphor film ( 201 ) on a reflector frame ( 101 ) is pressed, the one or more semiconductor chips ( 305 ) associated recesses ( 103 ), wherein the on the reflector frame ( 101 ) compressed phosphor film ( 201 ) comprehensive reflector frames ( 101 ) on the top ( 303 ) of the carrier ( 301 ) is pressed, so that the one or more semiconductor chips ( 305 ) in each case in one of the recesses ( 103 ) of the pressed reflector frame ( 101 ) are arranged. Verfahren nach Anspruch 1, wobei nach dem Verpressen (1305) der Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) ein Reflektormaterial (1105) auf die Oberseite (303) des Trägers (301) gedruckt wird, so dass mittels des gedruckten Reflektormaterials (1105) ein Reflektor (1111) gebildet wird.Process according to claim 1, wherein after compression ( 1305 ) of the phosphor film ( 201 ) on the one or more semiconductor chips ( 305 ) a reflector material ( 1105 ) on the top ( 303 ) of the carrier ( 301 ) is printed, so that by means of the printed reflector material ( 1105 ) a reflector ( 1111 ) is formed. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Drucken ein Siebdrucken und/oder ein Schablonendrucken umfasst.The method of claim 4, wherein the printing comprises screen printing and / or stencil printing. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Verpressen (1305) ein Laminieren umfasst.Method according to one of the preceding claims, wherein the pressing ( 1305 ) comprises lamination. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Laminieren ein Vakuumlaminieren und/oder ein Rollenlaminieren umfasst.The method of claim 6, wherein the laminating comprises vacuum lamination and / or roll laminating. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001, 1201), umfassend: – einen Träger (301), – wobei auf einer Oberseite (303) des Trägers (301) ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (305) angeordnet sind und – wobei eine Leuchtstofffolie (201) auf dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) verpresst ist.Optoelectronic lighting device ( 501 . 601 . 1001 . 1201 ), comprising: - a carrier ( 301 ), - being on a top ( 303 ) of the carrier ( 301 ) one or more optoelectronic semiconductor chips ( 305 ) are arranged and - wherein a phosphor film ( 201 ) on the one or more semiconductor chips ( 305 ) is compressed. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001, 1201) nach Anspruch 8, wobei die Leuchtstofffolie (201) mit einem auf der Oberseite (303) des Trägers (301) verpressten Reflektorrahmen (101) verpresst ist, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) zugeordnete Aussparungen (103) umfasst, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips (305) jeweils in einer der Aussparungen (103) des verpressten Reflektorrahmens (101) angeordnet sind.Optoelectronic lighting device ( 501 . 601 . 1001 . 1201 ) according to claim 8, wherein the phosphor film ( 201 ) with one on the top ( 303 ) of the carrier ( 301 ) pressed reflector frame ( 101 ) which is pressed against the one or more semiconductor chips ( 305 ) associated recesses ( 103 ), so that the one or more semiconductor chips ( 305 ) in each case in one of the recesses ( 103 ) of the pressed reflector frame ( 101 ) are arranged. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001, 1201) nach Anspruch 8, wobei auf der Oberseite (303) des Trägers (301) ein mittels eines auf die Oberseite (303) des Trägers (301) gedruckten Reflektormaterials (1105) gebildeter Reflektorrahmen (101) gebildet ist.Optoelectronic lighting device ( 501 . 601 . 1001 . 1201 ) according to claim 8, wherein on the upper side ( 303 ) of the carrier ( 301 ) by means of one on the top ( 303 ) of the carrier ( 301 ) printed reflector material ( 1105 ) formed reflector frame ( 101 ) is formed.
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