DE102016108369A1 - OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT - Google Patents

OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt und einem Gehäusekörper, wobei der Gehäusekörper an den ersten Leiterrahmenabschnitt angrenzt. Ein Dichtmaterial ist auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt angeordnet und zumindest teilweise vom Gehäusekörper bedeckt. Auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (150) angeordnet, der zumindest teilweise mit einem Vergussmaterial bedeckt ist. Das Vergussmaterial grenzt an den ersten Leiterrahmenabschnitt und an den Gehäusekörper an. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements.The invention relates to an optoelectronic component having a first leadframe section and a housing body, wherein the housing body is adjacent to the first leadframe section. A sealing material is disposed on the first lead frame portion and at least partially covered by the housing body. Arranged on the first leadframe section is an optoelectronic semiconductor chip (150) which is at least partially covered by a potting material. The potting material adjoins the first leadframe section and the housing body. Moreover, the invention relates to a method for producing such an optoelectronic component.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. Bei der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen können optoelektronische Halbleiterchips auf einen Leiterrahmenabschnitt montiert und der Leiterrahmenabschnitt mit einem Spritzgusskörper umspritzt werden.The invention relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component. In the production of optoelectronic components, optoelectronic semiconductor chips can be mounted on a leadframe section and the leadframe section can be overmolded with an injection-molded body.

Ebenso ist es möglich, zunächst aus dem Leiterrahmenabschnitt und einem Spritzgussmaterial einen Gehäusekörper herzustellen, in den anschließend der optoelektronische Halbleiterchip eingesetzt wird.Likewise, it is possible first to produce a housing body from the leadframe section and an injection molding material into which subsequently the optoelectronic semiconductor chip is inserted.

Der optoelektronische Halbleiterchip kann dabei ein lichtemittierender Halbleiterchip sein. Die Halbleiterchips können mit einem Vergussmaterial, beispielsweise aus Silikon bestehend, bedeckt werden. Dabei kann es vorkommen, dass zwischen dem Material des Gehäusekörpers und dem Leiterrahmen ein Fließkanal vorhanden ist, durch den das Vergussmaterial auf die Rückseite des Leiterrahmenabschnitts und damit auf die Gehäuseunterseite gelangen kann. Es kann passieren, dass das Vergussmaterial die Rückseite des Leiterrahmenabschnitts abdeckt und so eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements erschwert.The optoelectronic semiconductor chip can be a light-emitting semiconductor chip. The semiconductor chips can be covered with a potting material, for example consisting of silicone. It may happen that between the material of the housing body and the lead frame, a flow channel is present through which the potting material can reach the back of the lead frame section and thus on the housing bottom. It may happen that the potting material covers the back of the leadframe portion and thus makes it difficult to make electrical contact with the optoelectronic component.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement zur Verfügung zu stellen, bei dem ein Durchtritt von Vergussmaterial durch Fließkanäle zwischen dem Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper verhindert oder zumindest erschwert wird. Dadurch wird die Qualität der optoelektronischen Bauelemente verbessert.An object of the invention is to provide an optoelectronic component in which a passage of potting material through flow channels between the leadframe section and the housing body is prevented or at least made more difficult. This improves the quality of the optoelectronic components.

Diese Aufgabe wird mit dem optoelektronischen Bauelement und dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.This object is achieved with the optoelectronic component and the method for producing an optoelectronic component of the independent patent claims. Further advantageous embodiments are specified in the dependent claims.

Ein optoelektronisches Bauelement weist einen ersten Leiterrahmenabschnitt und einen Gehäusekörper auf. Der Gehäusekörper grenzt dabei an den ersten Leiterrahmenabschnitt an. Auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt ist ein Dichtmaterial angeordnet, wobei das Dichtmaterial zumindest teilweise vom Gehäusekörper bedeckt ist. Dies kann bedeuten, dass das Dichtmaterial komplett zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper angeordnet ist. Andererseits ist es ebenso möglich, dass Teile des Dichtmaterials nicht vom Gehäusekörper oder dem ersten Leiterrahmenabschnitt bedeckt sind, sondern in Bezug auf den ersten Leiterrahmenabschnitt und den Gehäusekörper freiliegen. Auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt ist ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Dieser optoelektronische Halbleiterchip ist zumindest teilweise mit einem Vergussmaterial bedeckt. Das Vergussmaterial grenzt zusätzlich an den ersten Leiterrahmenabschnitt und an den Gehäusekörper an. Durch das zwischen dem Gehäusekörper und dem ersten Leiterrahmenabschnitt angeordnete Dichtmaterial wird das Durchdringen von eventuell beim Produktionsprozess des optoelektronischen Bauelements aufgetretenen Fließkanälen zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper verhindert oder zumindest erschwert. Das Dichtmaterial dichtet also etwa entstandene Fließkanäle zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper ab oder verhindert ein Entstehen von Fließkanälen.An optoelectronic component has a first leadframe section and a housing body. The housing body adjoins the first leadframe section. On the first lead frame section, a sealing material is arranged, wherein the sealing material is at least partially covered by the housing body. This may mean that the sealing material is arranged completely between the first leadframe section and the housing body. On the other hand, it is also possible that parts of the sealing material are not covered by the case body or the first lead frame portion, but are exposed with respect to the first lead frame portion and the case body. An optoelectronic semiconductor chip is arranged on the first leadframe section. This optoelectronic semiconductor chip is at least partially covered with a potting material. The potting material additionally adjoins the first leadframe section and the housing body. The sealing material arranged between the housing body and the first leadframe section prevents or at least impedes penetration of any flow channels which may have occurred between the first leadframe section and the housing body during the production process of the optoelectronic component. The sealing material thus seals approximately resulting flow channels between the first lead frame section and the housing body or prevents the emergence of flow channels.

In einer Ausführungsform weist das Dichtmaterial eine mechanische Vorspannung auf. Durch die mechanische Vorspannung des Dichtmaterials wird eine verbesserte Abdichtung zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem Dichtmaterial sowie zwischen dem Dichtmaterial und dem Gehäusekörper bewirkt. Die Vorspannung des Dichtmaterials kann beispielsweise dadurch erzeugt werden, dass das Dichtmaterial eine gewisse Elastizität aufweist und vom ersten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper zusammengedrückt wird. Durch das Zusammendrücken des Dichtmaterials werden selbst kleinere Fließkanäle, die sich zwischen dem Leiterrahmenabschnitt und dem Dichtmaterial beziehungsweise dem Dichtmaterial und dem Gehäusekörper ergeben, durch das Dichtmaterial verschlossen und abgedichtet, so dass kein oder weniger Vergussmaterial zwischen dem Gehäusekörper und dem ersten Leiterrahmenabschnitt hindurchgelangen kann. Dadurch wird die Abdichtung zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper verbessert, so dass kein oder nur wenig Vergussmaterial auf die Rückseite des Gehäusekörpers gelangen kann.In one embodiment, the sealing material has a mechanical bias. Due to the mechanical bias of the sealing material, an improved seal between the first lead frame portion and the sealing material and between the sealing material and the housing body is effected. The bias of the sealing material can be produced, for example, in that the sealing material has a certain elasticity and is compressed by the first lead frame section and the housing body. By compressing the sealing material, even smaller flow channels arising between the lead frame portion and the sealing material or the sealing material and the housing body are closed and sealed by the sealing material, so that no or less potting material can pass between the housing body and the first lead frame portion. As a result, the seal between the first leadframe section and the housing body is improved, so that no or only little potting material can reach the rear side of the housing body.

In einer Ausführungsform ist die mechanische Haftung zwischen dem Dichtmaterial und dem ersten Leiterrahmenabschnitt größer als die mechanische Haftung zwischen dem Gehäusekörper und dem ersten Leiterrahmenabschnitt. Dies führt dazu, dass etwa auftretende Fließkanäle zwischen dem Gehäusekörper und dem ersten Leiterrahmenabschnitt um das Dichtmaterial herum geführt werden. Dadurch wird der Fließkanal verlängert und das Vergussmaterial muss zusätzlich um das Dichtmaterial herum fließen, um auf die Gehäuseunterseite zu gelangen. Dadurch wird der Durchfluss des Vergussmaterials durch die Fließkanäle erschwert, wodurch sich eine verbesserte Abdichtung ergibt.In one embodiment, the mechanical adhesion between the sealing material and the first leadframe section is greater than the mechanical adhesion between the housing body and the first leadframe section. As a result, any flow channels occurring between the housing body and the first leadframe section are guided around the sealing material. As a result, the flow channel is extended and the potting material must also flow around the sealing material in order to get to the bottom of the housing. As a result, the flow of potting material through the flow channels is difficult, resulting in an improved seal.

In einer Ausführungsform weist das Dichtmaterial einen rechteckigen Querschnitt auf. Ein rechteckiger Querschnitt des Dichtmaterials ist vorteilhaft, da dadurch eine einfache Gestaltung des Dichtmaterials möglich ist. Das Dichtmaterial kann beispielsweise als flächiges Element, insbesondere als Folie, auf den ersten Leiterrahmenabschnitt aufgebracht und anschließend ausgestanzt werden. Dadurch kann der rechteckige Querschnitt des Dichtmaterials entstehen.In one embodiment, the sealing material has a rectangular cross-section. A rectangular cross section of the sealing material is advantageous as a result, a simple design of the sealing material is possible. The sealing material can be applied, for example, as a planar element, in particular as a film, on the first lead frame section and then punched out. As a result, the rectangular cross-section of the sealing material can arise.

In einer Ausführungsform ist das Dichtmaterial an einem Rand des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnet und überragt den Rand des ersten Leiterrahmenabschnitts. Durch diese Anordnung kann der Weg des Fließkanals, also der Weg, den das Vergussmaterial zwischen dem Gehäusekörper und dem ersten Leiterrahmenabschnitt durchdringen müsste, verlängert werden. Dadurch wird die Abdichtung zwischen dem Gehäusekörper und dem ersten Leiterrahmenabschnitt für das Vergussmaterial verbessert.In one embodiment, the sealing material is arranged on an edge of the first leadframe section and projects beyond the edge of the first leadframe section. By virtue of this arrangement, the path of the flow channel, that is to say the path which the potting material would have to penetrate between the housing body and the first leadframe section, can be lengthened. Thereby, the seal between the housing body and the first lead frame portion for the potting material is improved.

In einer Ausführungsform ist das Dichtmaterial als Folie ausgebildet. Dies ist besonders vorteilhaft, da eine Folie einfach flächig auf den ersten Leiterrahmenabschnitt aufgebracht werden kann. Ebenso ist es möglich, die Folie auf wenigstens einen Leiterrahmen, der den ersten Leiterrahmenabschnitt und eventuell einen weiteren Leiterrahmenabschnitt enthält, aufzubringen und so mehrere Leiterrahmenabschnitte mit Dichtmaterial zu vorzusehen.In one embodiment, the sealing material is formed as a film. This is particularly advantageous because a film can be applied simply flat on the first lead frame section. It is also possible to apply the foil to at least one leadframe which contains the first leadframe section and possibly a further leadframe section, and thus to provide a plurality of leadframe sections with sealing material.

In einer Ausführungsform ist das Dichtmaterial elektrisch isolierend ausgestaltet. Dies ist vorteilhaft, wenn das Dichtmaterial an weitere stromführende Bauteile des optoelektronischen Bauelements angrenzt und verhindert werden soll, dass ein Kurzschluss zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und weiteren stromführenden Elementen des optoelektronischen Bauteils auftritt.In one embodiment, the sealing material is designed to be electrically insulating. This is advantageous if the sealing material adjoins further current-carrying components of the optoelectronic component and it is to be prevented that a short circuit occurs between the first conductor frame portion and further current-carrying elements of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform weist das Dichtmaterial einen Kunststoff, ein Leiterplattenmaterial oder einen schwer entflammbaren Verbundwerkstoff auf. Die Materialien eignen sich gut als Dichtmaterial, insbesondere wenn sie zusätzlich elastisch sind.In one embodiment, the sealing material comprises a plastic, a printed circuit board material or a flame retardant composite material. The materials are well suited as a sealing material, especially if they are additionally elastic.

In einer Ausführungsform ist das Dichtmaterial umlaufend um den optoelektronischen Halbleiterchip auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt angeordnet. Durch die umlaufende Anordnung des Dichtmaterials um den optoelektronischen Halbleiterchip wird auch eine umlaufende Abdichtung für das Vergussmaterial zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper erreicht.In one embodiment, the sealing material is arranged circumferentially around the optoelectronic semiconductor chip on the first leadframe section. Due to the circumferential arrangement of the sealing material around the optoelectronic semiconductor chip, a peripheral seal for the potting material between the first leadframe section and the housing body is achieved.

In einer Ausführungsform bilden der erste Leiterrahmenabschnitt und der Gehäusekörper eine Kavität. Der optoelektronische Halbleiterchip ist innerhalb der Kavität angeordnet. Die Kavität ist zumindest teilweise mit dem Vergussmaterial gefüllt. Das Vergussmaterial kann dabei beispielsweise einen Konverter oder andere optische Elemente wie beispielsweise Streupartikel für das optoelektronische Bauelement enthalten. In one embodiment, the first leadframe section and the housing body form a cavity. The optoelectronic semiconductor chip is arranged within the cavity. The cavity is at least partially filled with the potting material. The potting material may include, for example, a converter or other optical elements such as scattering particles for the optoelectronic device.

In einer Ausführungsform weist das Bauelement einen zweiten Leiterrahmenabschnitt auf. Der Gehäusekörper grenzt an den zweiten Leiterrahmenabschnitt an. Das Dichtmaterial grenzt sowohl an den ersten als auch an den zweiten Leiterrahmenabschnitt an und ist mit beiden Leiterrahmenabschnitten verbunden. Der zweite Leiterrahmenabschnitt kann beispielsweise für die elektrische Kontaktierung eines zweiten elektrischen Kontaktes des optoelektronischen Halbleiterchips verwendet werden. Durch das Dichtmaterial, das ebenfalls an den zweiten Leiterrahmenabschnitt angrenzt, wird auch das Durchdringen von Fließkanälen zwischen dem zweiten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper durch das Dichtmaterial ebenfalls erschwert oder verhindert.In one embodiment, the device has a second leadframe section. The housing body adjoins the second leadframe section. The sealing material abuts both the first and second leadframe sections and is connected to both leadframe sections. The second leadframe section can be used, for example, for the electrical contacting of a second electrical contact of the optoelectronic semiconductor chip. The sealing material, which likewise adjoins the second leadframe section, also impedes or prevents the penetration of flow channels between the second leadframe section and the housing body by the sealing material.

In einer Ausführungsform weist das Bauelement einen zweiten Leiterrahmenabschnitt auf. Der Gehäusekörper grenzt an den zweiten Leiterrahmenabschnitt an. Der zweite Leiterrahmenabschnitt weist ein weiteres Dichtmaterial auf, wobei durch das weitere Dichtmaterial eine verbesserte Abdichtung zwischen dem zweiten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper bewirkt wird. In dieser Ausführungsform sind das Dichtmaterial und das weitere Dichtmaterial nicht miteinander verbunden. Der zweite Leiterrahmenabschnitt weist also ein eigenes, weiteres Dichtmaterial auf, welches die Abdichtung von Fließkanälen zwischen dem zweiten Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper übernimmt.In one embodiment, the device has a second leadframe section. The housing body adjoins the second leadframe section. The second lead frame section has a further sealing material, wherein an improved seal between the second lead frame section and the housing body is effected by the further sealing material. In this embodiment, the sealing material and the further sealing material are not connected to each other. Thus, the second leadframe section has its own further sealing material which undertakes the sealing of flow channels between the second leadframe section and the housing body.

Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird durchgeführt, indem zunächst ein Leiterrahmenabschnitt bereitgestellt wird. Anschließend wird ein Dichtmaterial auf den Leiterrahmenabschnitt aufgebracht. Ein Material wird derart geformt, dass das Material einen Gehäusekörper bildet. Das Material grenzt dabei an den Leiterrahmenabschnitt und das Dichtmaterial an. Anschließend wird ein optoelektronischer Halbleiterchip auf den Leiterrahmenabschnitt aufgebracht. Abschließend wird der optoelektronische Halbleiterchip mit einem Vergussmaterial bedeckt. Durch das Aufbringen des Dichtmaterials kann eine verbesserte Abdichtung zwischen dem Leiterrahmenabschnitt und dem Gehäusekörper erreicht werden.A method of manufacturing an optoelectronic device is performed by first providing a lead frame portion. Subsequently, a sealing material is applied to the lead frame section. A material is molded such that the material forms a housing body. The material adjacent to the lead frame section and the sealing material. Subsequently, an optoelectronic semiconductor chip is applied to the leadframe section. Finally, the optoelectronic semiconductor chip is covered with a potting material. By applying the sealing material, an improved seal between the leadframe portion and the housing body can be achieved.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Leiterrahmenabschnitt dadurch bereitgestellt, dass zunächst eine Platte bereitgestellt wird, wobei die Platte anschließend in einen Leiterrahmen mit mehreren Leiterrahmenabschnitten strukturiert wird. Das Strukturieren kann z.B. durch einen Stanzprozess, einen Ätzprozess, einen Laserstrukturierungsprozess erfolgen.In one embodiment of the method, the leadframe portion is provided by first providing a plate, wherein the plate is subsequently patterned into a leadframe having a plurality of leadframe portions. The structuring may e.g. by a punching process, an etching process, a laser structuring process.

In einem Ausführungsbeispiel erfolgt das Strukturieren der Platte vor dem Aufbringen des Dichtmaterials. Das bedeutet, dass die Platte zunächst in den Leiterrahmen mit den Leiterrahmenabschnitten strukturiert wird. Anschließend wird das Dichtmaterial auf einen oder mehrere der Leiterrahmenabschnitte aufgebracht. In an exemplary embodiment, the structuring of the plate takes place before the application of the sealing material. This means that the panel is first patterned into the leadframe with the leadframe sections. Subsequently, the sealing material is applied to one or more of the leadframe sections.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Strukturieren der Platte erst nach dem Aufbringen des Dichtmaterials. Das bedeutet, dass zunächst eine Platte bereitgestellt wird, auf die das Dichtmaterial aufgebracht wird. Anschließend wird die Platte in einen Leiterrahmen mit Leiterrahmenabschnitten strukturiert.In one embodiment of the method, the structuring of the plate takes place only after the application of the sealing material. This means that first a plate is provided to which the sealing material is applied. Subsequently, the plate is structured in a lead frame with lead frame sections.

In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zusätzlich die Schritte des flächigen Aufbringens des Dichtmaterials und des Strukturierens des Dichtmaterials. Dadurch kann beispielsweise eine Folie, die als Dichtmaterial vorgesehen ist, flächig auf die Platte oder den Leiterrahmen mit den Leiterrahmenabschnitten aufgebracht werden. Die Folie kann dann strukturiert werden, damit sich die gewünschte Form des Dichtmaterials ergibt.In one embodiment, the method additionally comprises the steps of applying the sealing material over the area and structuring the sealing material. As a result, for example, a film which is provided as a sealing material, be applied flat on the plate or the lead frame with the lead frame sections. The film can then be patterned to give the desired shape of the sealing material.

In einer Ausführungsform erfolgt das flächige Aufbringen des Dichtmaterials durch Auflegen einer Folie auf einen oder mehrere Leiterrahmenabschnitte oder die Platte, bevor die Platte in Leiterrahmenabschnitte strukturiert wurde.In one embodiment, the surface application of the sealing material is carried out by placing a film on one or more lead frame sections or the plate before the plate has been structured in leadframe sections.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 ein optoelektronisches Bauelement; 1 an optoelectronic component;

2 ein optoelektronisches Bauelement mit einem Dichtmaterial mit rechteckigem Querschnitt; 2 an optoelectronic device with a sealing material having a rectangular cross-section;

3 ein optoelektronisches Bauelement, bei dem das Dichtmaterial einen Rand des ersten Leiterrahmenabschnitts überragt; 3 an optoelectronic component, wherein the sealing material projects beyond an edge of the first leadframe portion;

4 einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement; 4 a cross section through an optoelectronic device;

5 und 6 ein optoelektronisches Bauelement, bei dem das Dichtmaterial an zwei Leiterrahmenabschnitte angrenzt; 5 and 6 an optoelectronic device, wherein the sealing material adjacent to two lead frame sections;

7 und 8 ein optoelektronisches Bauelement, bei dem jeder Leiterrahmenabschnitt Dichtmaterial aufweist; 7 and 8th an optoelectronic component in which each leadframe portion has sealing material;

9 bis 14 ein Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Bauelement; 9 to 14 a manufacturing method of an optoelectronic component;

15 einen Leiterrahmen für ein optoelektronisches Bauelement; und 15 a lead frame for an optoelectronic device; and

16 einen Leiterrahmen mit Dichtmaterial. 16 a ladder frame with sealing material.

1 zeigt einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 100. Das optoelektronische Bauelement 100 weist einen ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und einen Gehäusekörper 120 auf. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 kann dabei einstückig oder aus mehreren Schichten ausgebildet sein. Der Gehäusekörper 120 grenzt dabei an den ersten Leiterrahmenabschnitt 110 an. Ein Dichtmaterial 130 ist zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 angeordnet. Das Dichtmaterial 130 ist dabei teilweise vom Gehäusekörper 120 bedeckt. Ferner weist das Dichtmaterial 130 einen trapezförmigen Querschnitt auf. Auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 150 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 150 ist mit einem Vergussmaterial 160 teilweise bedeckt. Das Vergussmaterial 160 grenzt ebenfalls an den ersten Leiterrahmenabschnitt 110, den Gehäusekörper 120 und das Dichtmaterial 130 an. Das Dichtmaterial 130 grenzt also an den ersten Leiterrahmenabschnitt 110, den Gehäusekörper 120 und das Vergussmaterial 160 an. 1 shows a cross section through an optoelectronic device 100 , The optoelectronic component 100 has a first lead frame section 110 and a housing body 120 on. The first ladder frame section 110 can be formed in one piece or from several layers. The housing body 120 it borders on the first ladder frame section 110 at. A sealing material 130 is between the first lead frame section 110 and the housing body 120 arranged. The sealing material 130 is partially from the housing body 120 covered. Furthermore, the sealing material has 130 a trapezoidal cross section. On the first ladder frame section 110 is an optoelectronic semiconductor chip 150 arranged. The optoelectronic semiconductor chip 150 is with a potting material 160 partially covered. The potting material 160 also adjoins the first leadframe section 110 , the housing body 120 and the sealing material 130 at. The sealing material 130 thus borders on the first leadframe section 110 , the housing body 120 and the potting material 160 at.

Es ist möglich, dass das Vergussmaterial 130 statt des trapezförmigen Querschnittes auch einen anderen Querschnitt aufweist. Dieser andere Querschnitt kann beispielsweise ein runder, halbrunder, konvexer, konkaver oder dreieckiger Querschnitt sein. Auch andere Querschnitte sind möglich. Ebenso ist es möglich, dass das Dichtmaterial 130 komplett zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 angeordnet ist, ohne das Vergussmaterial 160 zu berühren.It is possible that the potting material 130 also has another cross section instead of the trapezoidal cross section. This other cross-section may be, for example, a round, semicircular, convex, concave or triangular cross-section. Other cross sections are possible. It is also possible that the sealing material 130 completely between the first lead frame section 110 and the housing body 120 is arranged without the potting material 160 to touch.

Das Dichtmaterial 130 ist dabei eingerichtet, etwaige Fließkanäle zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 abzudichten, so dass kein Vergussmaterial zwischen dem Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 auf die Unterseite 101 des optoelektronischen Bauelements hindurchgelangen kann.The sealing material 130 is set up any flow channels between the first lead frame section 110 and the housing body 120 seal so that no potting material between the leadframe section 110 and the housing body 120 on the bottom 101 of the optoelectronic component can pass.

Das Dichtmaterial 130 kann umlaufend um den optoelektronischen Halbleiterchip 130 angeordnet sein. Ebenso ist es möglich, dass das Dichtmaterial 130 U-förmig, den optoelektronischen Halbleiterchip 130 teilweise umlaufend angeordnet ist. Ferner kann das Dichtmaterial 130 linear auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 120 angeordnet sein und z.B. nur entlang einer Seite des Halbleiterchips 130 angeordnet sein.The sealing material 130 can surround the optoelectronic semiconductor chip 130 be arranged. It is also possible that the sealing material 130 U-shaped, the optoelectronic semiconductor chip 130 partially arranged circumferentially. Furthermore, the sealing material 130 linear on the first lead frame section 120 be arranged and eg only along one side of the semiconductor chip 130 be arranged.

Das Dichtmaterial 130 kann auch so angeordnet sein, dass der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der Gehäusekörper 120 das Dichtmaterial 130 im Wesentlichen umschließen und das Vergussmaterial 160 nur im Bereich von eventuell auftretenden Fließkanälen mit dem Dichtmaterial 130 in Verbindung steht. The sealing material 130 can also be arranged so that the first lead frame section 110 and the housing body 120 the sealing material 130 essentially enclose and the potting material 160 only in the area of possibly occurring flow channels with the sealing material 130 communicates.

2 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres optoelektronisches Bauelement 100. Das optoelektronische Bauelement 100 weist wiederum einen ersten Leiterrahmenabschnitt 110, einen Gehäusekörper 120, ein Dichtmaterial 130, einen optoelektronischen Halbleiterchip 150 und ein Vergussmaterial 160 auf. Der Gehäusekörper 120 bildet zusammen mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110, der in den Gehäusekörper 120 integriert ist, eine Kavität 125, in der der optoelektronsiche Halbleiterchip 150 angeordnet ist. Ferner ist die Kavität 125 teilweise mit dem Vergussmaterial 160 gefüllt. Das Dichtmaterial 130 ist an einem Rand 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 angeordnet und weist einen rechteckigen Querschnitt auf. Das Dichtmaterial 130 kann dabei umlaufend um den optoelektronischen Halbleiterchip 150 oder nicht umlaufend um den optoelektronischen Halbleiterchip 150 ausgebildet sein. Das Dichtmaterial 130 ist wiederum eingerichtet, das Ausbilden von Fließkanälen zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 zu erschweren. 2 shows a cross section through a further optoelectronic device 100 , The optoelectronic component 100 in turn has a first leadframe section 110 , a housing body 120 , a sealing material 130 , an optoelectronic semiconductor chip 150 and a potting material 160 on. The housing body 120 forms together with the first lead frame section 110 in the housing body 120 integrated, a cavity 125 in which the optoelectronic semiconductor chip 150 is arranged. Further, the cavity 125 partly with the potting material 160 filled. The sealing material 130 is on a border 111 of the first leadframe section 110 arranged and has a rectangular cross section. The sealing material 130 can thereby revolving around the optoelectronic semiconductor chip 150 or not circumferentially around the optoelectronic semiconductor chip 150 be educated. The sealing material 130 in turn, is configured to form flow channels between the first leadframe section 110 and the housing body 120 to complicate.

Das Dichtmaterial 130 ist vom ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und vom Gehäusekörper 120 begrenzt und grenzt außerhalb von eventuell vorhandenen Fließkanälen nicht an das Vergussmaterial 160 an. Es ist jedoch ebenso möglich, dass das Dichtmaterial 130 analog zu 1 sowohl an den ersten Leiterrahmenabschnitt 110 als auch an den Gehäusekörper 120 und das Vergussmaterial 160 angrenzt.The sealing material 130 is from the first ladder frame section 110 and from the housing body 120 limited and does not border on the potting material outside any existing flow channels 160 at. However, it is equally possible that the sealing material 130 analogous to 1 both to the first lead frame section 110 as well as to the housing body 120 and the potting material 160 borders.

Die Dichtwirkung des Dichtmaterials 130 kann dadurch erreicht werden, dass das Dichtmaterial 130 unter einer mechanischen Vorspannung steht und zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 zusammengedrückt wird. Das Dichtmaterial füllt dabei kleinste Zwischenräume zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 auf und ermöglicht so die Abdichtung zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 derart, dass kein oder nur wenig Vergussmaterial 160 am Dichtmaterial 130 vorbei und zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper auf die Unterseite 101 des optoelektronischen Bauelements 100 gelangen kann.The sealing effect of the sealing material 130 can be achieved by the sealing material 130 is under a mechanical bias and between the first lead frame section 110 and the housing body 120 is compressed. The sealing material fills the smallest gaps between the first lead frame section 110 and the housing body 120 and thus allows the seal between the first lead frame section 110 and the housing body 120 such that no or only little potting material 160 on the sealing material 130 over and between the first leadframe section 110 and the housing body on the bottom 101 of the optoelectronic component 100 can get.

Es kann vorgesehen sein, dass durch die mechanische Vorspannung das Dichtmaterial 130 um 5 % bis 15 %, bevorzugt um 10 % zusammengedrückt, eine Abmessung des Dichtmaterials 130 also um 5 % bis 15 %, bevorzugt um 10 % verringert wird.It can be provided that by the mechanical bias the sealing material 130 compressed by 5% to 15%, preferably by 10%, a dimension of the sealing material 130 Thus, by 5% to 15%, preferably reduced by 10%.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die mechanische Haftung zwischen dem Dichtmaterial 130 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 größer als die mechanische Haftung zwischen dem Gehäusekörper 120 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass der Gehäusekörper 120 und das Dichtmaterial 130 aus verschiedenen Materialien bestehen. Dadurch müsste das Vergussmaterial, wenn es durch einen Fließkanal zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 hindurchfließt, um das Dichtmaterial 130 herumfließen und somit, für den Fall, dass ein Fließkanal zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 vorhanden ist, einen längeren Weg zurücklegen, wie wenn kein Dichtmaterial 130 vorgesehen wäre. Dadurch wird die Abdichtung von Fließkanälen zwischen dem Gehäusekörper 120 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 verbessert.In a further embodiment, the mechanical adhesion between the sealing material 130 and the first lead frame section 110 greater than the mechanical adhesion between the housing body 120 and the first lead frame section 110 , This can be achieved, for example, in that the housing body 120 and the sealing material 130 made of different materials. This would require the potting material to pass through a flow channel between the first leadframe section 110 and the housing body 120 flows through to the sealing material 130 flow around and thus, in the event that a flow channel between the first lead frame section 110 and the housing body 120 is present, travel a long way, as if no sealant 130 would be provided. This seals the flow channels between the housing body 120 and the first lead frame section 110 improved.

3 zeigt weiteren Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 100, das im Wesentlichen dem optoelektronischen Bauelement 100 der 2 entspricht. Im Gegensatz zu 2 ist in diesem Ausführungsbeispiel das Dichtmaterial so an dem Rand 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 angeordnet, dass das Dichtmaterial 130 den Rand 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 überragt. Dadurch wird der Weg für das Vergussmaterial 160 zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem Gehäusekörper 120 weiter verlängert. 3 shows another cross section through an optoelectronic device 100 , which is essentially the optoelectronic component 100 of the 2 equivalent. In contrast to 2 In this embodiment, the sealing material is at the edge 111 of the first leadframe section 110 arranged that the sealing material 130 the edge 111 of the first leadframe section 110 surmounted. This will be the way for the potting material 160 between the first leadframe section 110 and the housing body 120 further extended.

Das Dichtmaterial 130 kann dabei um mindestens 5 %, bevorzugt mindestens 15 %, insbesondere bevorzugt mindestens 35 % der Breite des Dichtmaterials 130 über den Rand 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts hinausragen.The sealing material 130 may be at least 5%, preferably at least 15%, particularly preferably at least 35% of the width of the sealing material 130 over the edge 111 protrude the first leadframe section.

Ebenfalls in 3 dargestellt ist mit einer gestrichelten Linie der Bereich, der im Querschnitt die 4 ergibt. 4 zeigt, dass um einen äußeren Randbereich herum ein Gehäusekörper 120 angeordnet ist. In den Gehäusekörper 120 ist das Dichtmaterial 130 integriert. In der Mitte, innerhalb der durch den Gehäusekörper 120 gebildeten Kavität 125, befindet sich ein optoelektronischer Halbleiterchip 150, der mit einem Vergussmaterial 160 umschlossen ist. Das Vergussmaterial 160 befindet sich in dieser Querschnittsebene also zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 150 und dem Gehäusekörper 120.Also in 3 is shown with a dashed line of the area, in cross section the 4 results. 4 shows that around a outer edge region around a housing body 120 is arranged. In the housing body 120 is the sealing material 130 integrated. In the middle, within the through the housing body 120 formed cavity 125 , is an optoelectronic semiconductor chip 150 that with a potting material 160 is enclosed. The potting material 160 is in this cross-sectional plane so between the optoelectronic semiconductor chip 150 and the housing body 120 ,

Das Dichtmaterial 130 ist dabei umlaufend um den optoelektronischen Halbleiterchip 150 angeordnet. In einem Ausführungsbeispiel ist das Dichtmaterial 130 als Folie ausgebildet. In einem Ausführungsbeispiel ist das Dichtmaterial elektrisch isolierend ausgebildet. In einem Ausführungsbeispiel weist das Dichtmaterial einen Kunststoff, ein Leiterplattenmaterial oder einen schwer entflammbaren Verbundwerkstoff auf.The sealing material 130 is circumferentially around the optoelectronic semiconductor chip 150 arranged. In one embodiment, the sealing material is 130 designed as a film. In one Embodiment, the sealing material is electrically insulating. In one embodiment, the sealing material comprises a plastic, a printed circuit board material or a flame retardant composite material.

5 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres optoelektronisches Bauelement 100. Das optoelektronische Bauelement 100 weist einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 auf, der ebenfalls in den Gehäusekörper 120 integriert ist. Das Dichtmaterial 130 grenzt dabei sowohl an den ersten Leiterrahmenabschnitt 110 als auch an den zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 an. Ein optoelektronischer Halbleiterchip 150 ist innerhalb einer durch den Gehäusekörper 120 und die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 gebildeten Kavität 125 angeordnet. Ein Bonddraht 151 dient dazu, den optoelektronischen Halbleiterchip 150 zusätzlich mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 elektrisch zu kontaktieren. Die Kavität 125 ist mit einem Vergussmaterial 160 verfüllt. 5 shows a cross section through a further optoelectronic device 100 , The optoelectronic component 100 has a second lead frame section 112 on, also in the housing body 120 is integrated. The sealing material 130 it borders both on the first leadframe section 110 as well as the second leadframe section 112 at. An optoelectronic semiconductor chip 150 is within a through the housing body 120 and the lead frame sections 110 . 112 formed cavity 125 arranged. A bonding wire 151 serves to the optoelectronic semiconductor chip 150 in addition to the second lead frame section 112 to contact electrically. The cavity 125 is with a potting material 160 filled.

6 zeigt eine Draufsicht auf den ersten Leiterrahmenabschnitt 110, den zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 und das Dichtmaterial 130 der 5, wobei der Gehäusekörper 120 und der optoelektronsiche Halbleiterchip 150 noch nicht an bzw. auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 angeordnet sind. Das Dichtmaterial 130 ist dabei im Wesentlichen in der Form einer Acht auf den Rändern der Leiterrahmenabschnitte 110, 112 angeordnet und grenzt sowohl an den ersten Leiterrahmenabschnitt 110 als auch an den zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 an. In diesem Fall kann das Dichtmaterial 130 aus einem elektrisch isolierenden Material bestehen, um einen Kurzschluss zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 zu vermeiden. 6 shows a plan view of the first lead frame section 110 , the second leadframe section 112 and the sealing material 130 of the 5 , wherein the housing body 120 and the optoelectronic semiconductor chip 150 not yet on or on the first ladder frame section 110 are arranged. The sealing material 130 is essentially in the form of an eight on the edges of the leadframe sections 110 . 112 arranged and adjacent both to the first lead frame section 110 as well as the second leadframe section 112 at. In this case, the sealing material 130 made of an electrically insulating material to a short circuit between the first lead frame section 110 and the second lead frame section 112 to avoid.

Die 7 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 112. Das Ausführungsbeispiel der 7 entspricht im Wesentlichen der 5. Das Dichtmaterial 130 ist jedoch nur auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 angeordnet, während ein weiteres Dichtmaterial 131 an den zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 angrenzt. Die beiden Leiterrahmenabschnitte 110, 112 weisen also zwei getrennte Dichtmaterialien 130, 131 auf, die jeweils für die Abdichtung für das Vergussmaterial 160 zwischen den Leiterrahmenabschnitten 110, 112 und dem Gehäusekörper 120 sorgen. Dabei können die Dichtmaterialien 130, 131 identisch oder verschieden sein. Die Dichtmaterialien 130, 131 können als Folie und/oder elektrisch isolierend ausgebildet sein. Ferner können die Dichtmaterialien 130, 131 einen Kunststoff, ein Leiterplattenmaterial oder einen schwer entflammbaren Verbundwerkstoff aufweisen. Die Dichtmaterialien 130, 131 können umlaufend um die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 oder nicht-umlaufend ausgebildet sein.The 7 shows a cross section through a further embodiment of an optoelectronic device 100 with a first lead frame section 110 and a second lead frame section 112 , The embodiment of 7 essentially corresponds to the 5 , The sealing material 130 but is only on the first lead frame section 110 arranged while another sealing material 131 to the second lead frame section 112 borders. The two ladder frame sections 110 . 112 So have two separate sealing materials 130 . 131 on, each for the seal for the potting material 160 between the lead frame sections 110 . 112 and the housing body 120 to care. In this case, the sealing materials 130 . 131 be identical or different. The sealing materials 130 . 131 may be formed as a foil and / or electrically insulating. Furthermore, the sealing materials 130 . 131 a plastic, a printed circuit board material or a flame retardant composite material. The sealing materials 130 . 131 can wrap around the ladder frame sections 110 . 112 or be formed non-circumferential.

8 zeigt eine Draufsicht auf die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 mit den Dichtmaterialien 130, 131 der 7. Die Dichtmaterialien 130, 131 sind dabei jeweils am Rand der Leiterrahmenabschnitte 110, 112 angeordnet und um den Leiterrahmenabschnitt 110, 112 umlaufend, ohne dass die Dichtmaterialien 130, 131 sich berühren. 8th shows a plan view of the leadframe sections 110 . 112 with the sealing materials 130 . 131 of the 7 , The sealing materials 130 . 131 are each at the edge of the ladder frame sections 110 . 112 arranged and around the ladder frame section 110 . 112 circulating without the sealing materials 130 . 131 touch.

Die 9 bis 14 zeigen im linken Bereich jeweils einen Querschnitt und im rechten Bereich jeweils eine Draufsicht auf Zwischenprodukte während der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 100. Das in 14 gezeigte optoelektronische Bauelement 100 entspricht dabei dem optoelektronischen Bauelement der 5. Es ist jedoch auch möglich, eines der anderen gezeigten Ausführungsbeispiele mit dem Verfahren herzustellen.The 9 to 14 show in each case a cross section in the left region and in the right region in each case a plan view of intermediate products during the production of an optoelectronic component 100 , This in 14 shown optoelectronic component 100 corresponds to the optoelectronic component of 5 , However, it is also possible to produce one of the other embodiments shown with the method.

9 zeigt einen Ausschnitt aus einer Platte 113 mit einem auf die Platte 113 aufgebrachten Dichtmaterial 130. Das Dichtmaterial 130 ist dabei flächig auf die Platte 113 aufgebracht. Das Dichtmaterial 130 bedeckt die gesamte Platte 113, so dass in der Draufsicht nur das Dichtmaterial 130 zu sehen ist. Die Platte 113 kann aus Metall, insbesondere aus einem Metallblech, beispielsweise einem Kupferblech, bestehen. Ab hier wird nur der Teilbereich der Platte, der zwei Leiterrahmenabschnitte 110, 112 für ein optoelektronisches Bauelement 100 umfasst, gezeigt. Es können jedoch auch mehrere optoelektronische Bauelemente 100 ausgehend von einer Platte 113 erzeugt werden, für die dann noch ein Vereinzelungsschritt vorgesehen sein kann. 9 shows a section of a plate 113 with one on the plate 113 applied sealing material 130 , The sealing material 130 is flat on the plate 113 applied. The sealing material 130 covers the entire plate 113 , so that in the plan view only the sealing material 130 you can see. The plate 113 can be made of metal, in particular of a metal sheet, for example a copper sheet. From here, only the portion of the plate, the two leadframe sections 110 . 112 for an optoelectronic component 100 includes shown. However, it is also possible to use a plurality of optoelectronic components 100 starting from a plate 113 are generated, for which then a separating step can be provided.

10 zeigt die Platte 113 der 9 nach einem weiteren Verfahrensschritt, bei dem die Platte 113 der 9 in einen ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 strukturiert wurde. Das Strukturieren kann beispielsweise durch einen Stanzprozess oder einen Laserschneidprozess oder einen Ätzprozess erfolgt sein. Das Dichtmaterial 130 liegt noch in derselben Form wie in 9 vor, so dass in der Draufsicht weiterhin nur das Dichtmaterial 130 zu sehen ist. Anstelle der in 9 und 10 beschriebenen Reihenfolge kann auch vorgesehen sein, dass zunächst die Platte 113 in Leiterrahmenabschnitte 110, 112 strukturiert wird und anschließend das Dichtmaterial 130 auf die Leiterrahmen 110, 112 flächig aufgebracht wird. 10 shows the plate 113 of the 9 after a further process step, in which the plate 113 of the 9 in a first lead frame section 110 and a second lead frame section 112 was structured. The structuring can be done for example by a stamping process or a laser cutting process or an etching process. The sealing material 130 is still in the same form as in 9 before, so that in the plan view further only the sealing material 130 you can see. Instead of in 9 and 10 described order can also be provided that initially the plate 113 in ladder frame sections 110 . 112 is structured and then the sealing material 130 on the ladder frame 110 . 112 is applied flat.

11 zeigt die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 der 10 nach einem weiteren Verfahrensschritt. Das Dichtmaterial 130 wurde im Bereich der Leiterrahmenabschnitte 110, 112 strukturiert, so dass sich in der Draufsicht ein achtförmig angeordnetes Dichtmaterial 130 mit jeweils einer freiliegenden Oberfläche der Leiterrahmenabschnitte 110, 112 in den freien Bereichen des achtförmigen Dichtmaterials 130 ergibt. 11 shows the leadframe sections 110 . 112 of the 10 after a further process step. The sealing material 130 was in the field of ladder frame sections 110 . 112 structured so that in top view an eight-shaped arranged sealing material 130 each with one exposed Surface of the lead frame sections 110 . 112 in the free areas of the eight-shaped sealing material 130 results.

Es kann ebenso vorgesehen sein, dass ausgehend von 9 zunächst das Dichtmaterial 130 und erst anschließend die Metallplatte 113 strukturiert werden. Ebenso kann es vorgesehen sein, dass auf die Metallplatte 113 oder die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 ein bereits vorstrukturiertes Dichtmaterial 130 aufgebracht wird.It may also be provided that starting from 9 first the sealing material 130 and only then the metal plate 113 be structured. Likewise, it may be provided that on the metal plate 113 or the lead frame sections 110 . 112 an already pre-structured sealing material 130 is applied.

12 zeigt die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 mit dem Dichtmaterial 130, nachdem ein Gehäusekörper 120 um die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 geformt wurde. Der Gehäusekörper 120 umschließt dabei die in den äußeren Randbereichen angeordneten Teile des Dichtmaterials 130. Der zwischen den beiden Leiterrahmenabschnitten 110, 112 angeordnete mittlere Teil 133 des Dichtmaterials 130 wird jedoch nicht vom Gehäusekörper 120 bedeckt, sondern grenzt nur an seiner Unterseite 132 zwischen den beiden Leiterrahmenabschnitten 110, 112 an den Gehäusekörper 120 an. In der Draufsicht sind also der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 112 mit dem dazwischenliegenden Dichtmaterial 130 zu sehen. Ansonsten sind weitere Teile der Leiterrahmenabschnitte 110, 112 und des Dichtmaterials 130 vom Gehäusekörper 120 bedeckt und umschlossen. 12 shows the leadframe sections 110 . 112 with the sealing material 130 after a housing body 120 around the ladder frame sections 110 . 112 was formed. The housing body 120 encloses the arranged in the outer edge portions of the sealing material 130 , The between the two leadframe sections 110 . 112 arranged middle part 133 of the sealing material 130 but not from the case body 120 covered, but only borders on its underside 132 between the two lead frame sections 110 . 112 to the housing body 120 at. In the plan view, therefore, the first lead frame section 110 and the second lead frame section 112 with the intermediate sealing material 130 to see. Otherwise, other parts of the leadframe sections 110 . 112 and the sealing material 130 from the housing body 120 covered and enclosed.

13 zeigt das optoelektronische Bauelement 100 nach einem weiteren Verfahrensschritt, bei dem ein optoelektronischer Halbleiterchip 150 auf den ersten Leiterrahmenabschnitt 110 angebracht wird. Der optoelektronische Halbleiterchip 150 befindet sich in der durch den Gehäusekörper 120 und die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 gebildeten Kavität 125. Mit einem Bonddraht 151 ist der optoelektronische Halbleiterchip 150 elektrisch leitfähig mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 verbunden. 13 shows the optoelectronic device 100 after a further method step, in which an optoelectronic semiconductor chip 150 on the first ladder frame section 110 is attached. The optoelectronic semiconductor chip 150 is located in through the housing body 120 and the lead frame sections 110 . 112 formed cavity 125 , With a bonding wire 151 is the optoelectronic semiconductor chip 150 electrically conductive with the second lead frame section 112 connected.

14 zeigt das optoelektronische Bauelement 100 nach einem weiteren Verfahrensschritt, bei dem die durch den Gehäusekörper 120 und die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 gebildete Kavität 125 durch ein Vergussmaterial 160 aufgefüllt wurde. In der Draufsicht ist nun nur noch der Gehäusekörper 120 und das Vergussmaterial 160 in der Kavität 125 zu erkennen. 14 shows the optoelectronic device 100 after a further process step, in which the through the housing body 120 and the lead frame sections 110 . 112 formed cavity 125 through a potting material 160 was filled up. In the plan view is now only the case body 120 and the potting material 160 in the cavity 125 to recognize.

15 zeigt einen Leiterrahmen 114 mit jeweils vier ersten Leiterrahmenabschnitten 110 und vier zweiten Leiterrahmenabschnitten 112. Die ersten Leiterrahmenabschnitte und zweiten Leiterrahmenabschnitte sind dabei jeweils nebeneinander angeordnet und nicht direkt miteinander verbunden. Über Stege 115 sind die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 jedoch so miteinander verbunden, dass ein stabiler Leiterrahmen 114 entsteht. Der Leiterrahmen 114 ist dabei eingerichtet, insgesamt vier optoelektronische Bauelemente zu ermöglichen. Dazu kann der Leiterrahmen 114 an den mit Pfeilen gekennzeichneten Stellen durch beispielsweise einen Sägeschnitt vereinzelt werden, nachdem ein in 15 nicht gezeigter Gehäusekörper erstellt wurde. 15 shows a ladder frame 114 each with four first lead frame sections 110 and four second lead frame sections 112 , The first leadframe sections and second leadframe sections are each arranged next to each other and not directly connected to each other. About bridges 115 are the ladder frame sections 110 . 112 however, connected together in such a way that a stable ladder frame 114 arises. The ladder frame 114 is set up to allow a total of four optoelectronic components. This can be the lead frame 114 at the points marked with arrows by, for example, a saw cut are separated after a in 15 not shown housing body was created.

16 zeigt den Leiterrahmen 114 der 15, nachdem ein Dichtmaterial 130 auf jeweils zueinander gehörige Leiterrahmenabschnitte, die jeweils einen ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 112 umfassen, aufgebracht wurde. Gestrichelt ist dabei unterhalb des Dichtmaterials der Verlauf der Leiterrahmenabschnitte zu erkennen. Das Aufbringen des Dichtmaterials 130 auf die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 kann dabei durch Auflegen der einzelnen Stücke des Dichtmaterials 130 oder durch ein flächiges Aufbringen des Dichtmaterials 130 in Form einer Folie und anschließendes Strukturieren des Dichtmaterials, beispielsweise durch einen Stanzprozess, erfolgen. Der Leiterrahmen der 15 und 16 kann nun in einen Gehäusekörper eingebettet werden und bildet damit die Ausgangsbasis für vier optoelektronische Halbleiterbauelemente. 16 shows the lead frame 114 of the 15 after a sealing material 130 on respective mutually associated lead frame sections, each having a first lead frame section 110 and a second lead frame section 112 have been applied. Dashed is to recognize below the sealing material, the course of the lead frame sections. The application of the sealing material 130 on the ladder frame sections 110 . 112 can thereby by placing the individual pieces of the sealing material 130 or by a flat application of the sealing material 130 in the form of a film and subsequent structuring of the sealing material, for example by a stamping process done. The lead frame of the 15 and 16 can now be embedded in a housing body and thus forms the basis for four opto-electronic semiconductor devices.

Es kann vorgesehen sein, dass das Dichtmaterial 130 nicht komplett um die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 umlaufend angeordnet ist, sondern im Bereich der Stege 115 Lücken im Dichtmaterial 130 vorliegen. Ebenso kann es vorgesehen sein, dass die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 und die Stege 115 jeweils am Rand mit dem Dichtmaterial 130 bedeckt werden und dadurch das Dichtmaterial 130 nicht um die Leiterrahmenabschnitte 110, 112 umlaufend angeordnet ist, nachdem die optoelektronischen Bauteile 100 vereinzelt wurden.It can be provided that the sealing material 130 not completely around the ladder frame sections 110 . 112 is arranged circumferentially, but in the area of the webs 115 Gaps in the sealing material 130 available. Likewise, it may be provided that the leadframe sections 110 . 112 and the footbridges 115 each at the edge with the sealing material 130 are covered and thereby the sealing material 130 not around the ladder frame sections 110 . 112 is arranged circumferentially after the optoelectronic components 100 were isolated.

Es ist möglich, dass der Leiterrahmen 114 weniger oder mehr als vier erste Leiterrahmenabschnitte 110 und zweite Leiterrahmenabschnitte 112 umfasst.It is possible that the lead frame 114 less than or more than four first leadframe sections 110 and second lead frame sections 112 includes.

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.Although the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
Optoelektronisches Bauelement Optoelectronic component
101101
Unterseite bottom
110110
Erster Leiterrahmenabschnitt First ladder frame section
111111
Rand edge
112112
Zweiter Leiterrahmenabschnitt Second ladder frame section
113113
Platte plate
114114
Leiterrahmen leadframe
115115
Steg web
120120
Gehäusekörper housing body
125125
Kavität cavity
130130
Dichtmaterial sealing material
131131
Weiteres Dichtmaterial Other sealing material
132132
Unterseite bottom
133133
Mittlerer Teil Middle part
150150
Optoelektronischer Halbleiterchip Optoelectronic semiconductor chip
151151
Bonddraht bonding wire
160160
Vergussmaterial grout

Claims (18)

Optoelektronisches Bauelement (100) mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) und einem Gehäusekörper (120), wobei der Gehäusekörper (120) an den ersten Leiterrahmenabschnitt (110) angrenzt, wobei ein Dichtmaterial (130) auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) angeordnet ist, wobei das Dichtmaterial (130) zumindest teilweise vom Gehäusekörper (120) bedeckt ist, wobei auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) ein optoelektronischer Halbleiterchip (150) angeordnet ist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (150) zumindest teilweise mit einem Vergussmaterial (160) bedeckt ist, und wobei das Vergussmaterial (160) an den ersten Leiterrahmenabschnitt (110) und an den Gehäusekörper (120) angrenzt.Optoelectronic component ( 100 ) with a first lead frame section ( 110 ) and a housing body ( 120 ), wherein the housing body ( 120 ) to the first leadframe section ( 110 ), wherein a sealing material ( 130 ) on the first lead frame section ( 110 ), wherein the sealing material ( 130 ) at least partially from the housing body ( 120 ) is covered, wherein on the first lead frame section ( 110 ) an optoelectronic semiconductor chip ( 150 ), wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 150 ) at least partially with a potting material ( 160 ) and the potting material ( 160 ) to the first leadframe section ( 110 ) and to the housing body ( 120 ) adjoins. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei das Dichtmaterial (130) eine mechanische Vorspannung aufweist, wobei die mechanische Vorspannung des Dichtmaterials (130) eine verbesserte Abdichtung zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) und dem Dichtmaterial (130) sowie zwischen dem Dichtmaterial (130) und dem Gehäusekörper (120) bewirkt.Optoelectronic component ( 100 ) according to claim 1, wherein the sealing material ( 130 ) has a mechanical bias, wherein the mechanical bias of the sealing material ( 130 ) an improved seal between the first lead frame portion ( 110 ) and the sealing material ( 130 ) as well as between the sealing material ( 130 ) and the housing body ( 120 ) causes. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die mechanische Haftung zwischen dem Dichtmaterial (130) und dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) größer ist als die mechanische Haftung zwischen dem Gehäusekörper (120) und dem ersten Leiterrahmenabschnitt(110).Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 or 2, wherein the mechanical adhesion between the sealing material ( 130 ) and the first leadframe section ( 110 ) is greater than the mechanical adhesion between the housing body ( 120 ) and the first leadframe section ( 110 ). Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Dichtmaterial (130) einen rechteckigen Querschnitt aufweist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 3, wherein the sealing material ( 130 ) has a rectangular cross-section. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Dichtmaterial (130) an einem Rand (111) des ersten Leiterrahmenabschnittes (110) angeordnet ist und den Rand (111) des ersten Leiterrahmenabschnitts (110) überragt.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 4, wherein the sealing material ( 130 ) on one edge ( 111 ) of the first leadframe section ( 110 ) and the edge ( 111 ) of the first lead frame section ( 110 ) surmounted. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Dichtmaterial (130) als Folie, insbesondere als strukturierte Folie, ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 5, wherein the sealing material ( 130 ) is formed as a film, in particular as a structured film. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Dichtmaterial (130) elektrisch isolierend ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 6, wherein the sealing material ( 130 ) is formed electrically insulating. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Dichtmaterial (130) einen Kunststoff, ein Leiterplattenmaterial oder einen schwer entflammbaren Verbundwerkstoff aufweist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 7, wherein the sealing material ( 130 ) comprises a plastic, a printed circuit board material or a flame retardant composite material. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Dichtmaterial (130) umlaufend um den optoelektronischen Halbleiterchip (150) auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 8, wherein the sealing material ( 130 ) around the optoelectronic semiconductor chip ( 150 ) on the first lead frame section ( 110 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (110) und der Gehäusekörper (120) eine Kavität (125) bilden, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (150) innerhalb der Kavität (125) angeordnet ist, und wobei die Kavität (125) zumindest teilweise mit dem Vergussmaterial (160) gefüllt ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 9, wherein the first lead frame section ( 110 ) and the housing body ( 120 ) a cavity ( 125 ), wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 150 ) within the cavity ( 125 ), and wherein the cavity ( 125 ) at least partially with the potting material ( 160 ) is filled. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Bauelement (100) einen zweiten Leiterrahmenabschnitt aufweist, wobei der Gehäusekörper (120) an den zweiten Leiterrahmenabschnitt (112) angrenzt, wobei das Dichtmaterial (130) an den ersten Leiterrahmenabschnitt (110) und den zweiten Leiterrahmenabschnitt (112) angrenzt und mit beiden Leiterrahmenabschnitten (110, 112) verbunden ist. Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 10, wherein the component ( 100 ) has a second leadframe portion, wherein the housing body ( 120 ) to the second leadframe section ( 112 ), wherein the sealing material ( 130 ) to the first leadframe section ( 110 ) and the second leadframe section ( 112 ) and with both lead frame sections ( 110 . 112 ) connected is. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Bauelement (100) einen zweiten Leiterrahmenabschnitt (112) aufweist, wobei der Gehäusekörper (120) an den zweiten Leiterrahmenabschnitt (112) angrenzt wobei der zweite Leiterrahmenabschnitt (112) ein weiteres Dichtmaterial (131) aufweist, wobei durch das weitere Dichtmaterial (131) eine verbesserte Abdichtung zwischen dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (112) und dem Gehäusekörper (120) bewirkt wird.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 10, wherein the component ( 100 ) a second leadframe section ( 112 ), wherein the housing body ( 120 ) to the second leadframe section ( 112 ) wherein the second leadframe section (FIG. 112 ) another sealing material ( 131 ), wherein by the further sealing material ( 131 ) an improved seal between the second lead frame portion ( 112 ) and the housing body ( 120 ) is effected. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmenabschnitts (110); – Aufbringen eines Dichtmaterials (130) auf den Leiterrahmenabschnitt; – Formen eines Materials derart, dass das Material einen Gehäusekörper (120) bildet, wobei das Material an den Leiterrahmenabschnitt (110) und das Dichtmaterial (130) angrenzt; – Aufbringen eines optoelektronischen Halbleiterchips (150) auf den Leiterrahmenabschnitt (110); – Bedecken des optoelektronischen Halbleiterchips (150) mit einem Vergussmaterial (160). Method for producing an optoelectronic component ( 100 ) comprising the following steps: - providing a leadframe section ( 110 ); - applying a sealing material ( 130 ) on the ladder frame section; Forming a material such that the material comprises a housing body ( 120 ), the material being applied to the leadframe section (FIG. 110 ) and the sealing material ( 130 ) adjoins; - Application of an optoelectronic semiconductor chip ( 150 ) on the ladder frame section ( 110 ); Covering the optoelectronic semiconductor chip ( 150 ) with a potting material ( 160 ). Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements nach Anspruch 13, wobei das Bereitstellen des Leiterrahmenabschnitts (110) die folgenden Schritte umfasst: – Bereitstellen einer Platte (113); – Strukturieren der Platte (113) in einen Leiterrahmen (114) mit mehreren Leiterrahmenabschnitten (110, 112).The method of manufacturing an optoelectronic component according to claim 13, wherein providing the lead frame portion (FIG. 110 ) comprises the following steps: - providing a disk ( 113 ); - structuring the plate ( 113 ) in a ladder frame ( 114 ) with a plurality of lead frame sections ( 110 . 112 ). Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Strukturieren der Platte (113) vor dem Aufbringen des Dichtmaterials (130) erfolgt. The method of claim 14, wherein structuring the plate ( 113 ) before applying the sealing material ( 130 ) he follows. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Strukturieren der Platte (113) nach dem Aufbringen des Dichtmaterials (130) erfolgt.The method of claim 14, wherein structuring the plate ( 113 ) after application of the sealing material ( 130 ) he follows. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, mit den zusätzlichen Schritten: – Flächiges Aufbringen des Dichtmaterials (130); – Strukturierung des Dichtmaterials (130).Method according to one of claims 13 to 16, with the additional steps: - surface application of the sealing material ( 130 ); - structuring of the sealing material ( 130 ). Verfahren nach Anspruch 17, wobei das flächige Aufbringen des Dichtmaterials (130) durch Auflegen einer Folie auf einen oder mehrere Leiterrahmenabschnitte (110, 112), insbesondere die Platte (113) erfolgt.A method according to claim 17, wherein the surface application of the sealing material ( 130 ) by laying a film on one or more lead frame sections ( 110 . 112 ), especially the plate ( 113 ) he follows.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005041064A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mounted optoelectronic component has semiconductor chip with a molded body shaped on the chip
DE102007017855A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102760816A (en) * 2011-04-26 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 LED (light emitting diode) packaging structure and manufacturing method thereof
KR101846364B1 (en) * 2011-07-29 2018-04-09 엘지이노텍 주식회사 Optical component package and manufacturing method thereof
KR20130096094A (en) * 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package, manufactueing method for light emitting device pacakge and lighting system having light emitting device package

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005041064A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mounted optoelectronic component has semiconductor chip with a molded body shaped on the chip
DE102007017855A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component

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