DE102016006781A1 - power module - Google Patents
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Abstract
Das Leistungsmodul weist zumindest ein Leistungsbauteil sowie einen Fehlerstrompfad auf, welcher zumindest einen ersten und einen zweiten Schaltkontakt, die aufeinander zu kraftbeaufschlagt sind, aufweist, wobei das Leistungsmodul zumindest einen Abstandshalter aufweist, der ersten und zweiten Schaltkontakt voneinander beabstandet, wobei der zumindest eine Abstandhalter zumindest mittels eines exotherm reaktiven Materials gebildet ist.The power module has at least one power component and a fault current path, which has at least one first and one second switching contact, which is acted upon by force, wherein the power module has at least one spacer, the first and second switching contact spaced from each other, wherein the at least one spacer at least is formed by means of an exothermic reactive material.
Description
Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul.The invention relates to a power module.
In der Leistungselektronik sind bei zahlreichen Anwendungen Energiewandlung und Energietransport sicherzustellen. Herkömmliche Leistungsmodule allerdings sind im Fehlerfall bzw. im Abschaltversagen nicht sicher elektrisch leitfähig oder nur mit sehr hohem Aufwand dauerhaft (externe Schutzschalter) elektrisch schaltbar.In power electronics, numerous applications require energy conversion and energy transport. Conventional power modules, however, are not sure electrically conductive in the event of a fault or in the shutdown failure or only with great effort permanent (external circuit breaker) electrically switchable.
Es sind Leistungsmodule bekannt, bei welchen im thermischen Fehlerfall (Ausdehnung, Explosion) ein sicherer dauerhafter Kontakt zwischen Emitter und Kollektor eines Leistungshalbleiters des Leistungsmoduls sichergestellt ist. Dies wird dadurch gewährleistet, dass mittels eines federvorgespannten Druckstempels im Fehlerfall auf den betreffenden Halbleiterchip gedrückt wird, welcher unter Druck und Temperatur durchlegieren kann (sogenannte „Conduct-on-Fail”-Lösung, kurz: „CoF”).Power modules are known in which a reliable permanent contact between emitter and collector of a power semiconductor of the power module is ensured in the event of a thermal fault (expansion, explosion). This is ensured by the fact that is pressed by means of a spring-biased plunger in case of failure on the relevant semiconductor chip, which can alloy under pressure and temperature (so-called "Conduct-on-Fail" solution, in short: "CoF").
Das irreversible Auslösen des Stempels wird durch das Schmelzen oder Erweichen eines Lotmaterials realisiert, welches im vorhergehenden Normalbetrieb einen Abstandshalter bildet. Erste Tests haben jedoch gezeigt, dass das Auslösen des Stempels viel Zeit benötigt. Ein sicherer und insbesondere schneller Conduct-On-Fail-Fall jedoch erfordert ein sehr schnelles Auslösen, vorzugsweise innerhalb weniger Millisekunden. Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Leistungsmodul zu schaffen, welches eine im Fehlerfall rasch leitend durchschaltet.The irreversible release of the stamp is realized by the melting or softening of a solder material, which forms a spacer in the previous normal operation. However, initial tests have shown that it takes a long time to trigger the stamp. However, a secure and particularly fast conduct-on-fail case requires a very fast trigger, preferably within a few milliseconds. It is therefore an object of the invention to provide an improved power module, which switches through a conductive quickly in the event of an error.
Diese Aufgabe der Erfindung wird mit einem Leistungsmodul mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den zugehörigen Unteransprüchen, der nachfolgenden Beschreibung und der Zeichnung angegeben.This object of the invention is achieved with a power module having the features specified in claim 1. Preferred embodiments of the invention are set forth in the appended subclaims, the following description and the drawing.
Das erfindungsgemäße Leistungsmodul ist mit zumindest einem Leistungsbauteil sowie mit einem Fehlerstrompfad gebildet. Der Fehlerstrompfad weist zumindest einen ersten und einen zweiten Schaltkontakt, die aufeinander zu kraftbeaufschlagt sind, auf. Das Leistungsmodul weist zudem zumindest einen Abstandshalter auf, der ersten und zweiten Schaltkontakt voneinander beabstandet. Dabei ist der zumindest eine Abstandshalter mittels eines exotherm reaktiven Materials, insbesondere mit einem exotherm reaktiven Material, gebildet.The power module according to the invention is formed with at least one power component and with a fault current path. The fault current path has at least a first and a second switching contact, which are subjected to force to each other on. The power module also has at least one spacer, the first and second switching contact spaced from each other. In this case, the at least one spacer is formed by means of an exothermic reactive material, in particular with an exothermic reactive material.
Es versteht sich, dass mit der Wendung „Fehlerstrompfad” im Sinne der vorliegenden Anmeldung ein Pfad gemeint ist, welcher im Fehlerfall bestromt wird. D. h. ein „Fehlerstrompfad” besteht auch dann, wenn er aktuell nicht bestromt wird, insbesondere im Normalbetrieb. Er weist aber elektrisch leitfähige Elemente auf, welche den Fehlerstrom im Fehlerfall, jedenfalls abschnittsweise, leiten. Im Normalbetrieb folgt der Betriebsstrom vorzugsweise einem „Betriebsstrompfad”.It is understood that the term "fault current path" in the sense of the present application, a path is meant, which is energized in the event of a fault. Ie. a "fault current path" exists even if it is currently not energized, especially in normal operation. However, it has electrically conductive elements which conduct the fault current in the event of a fault, at least in sections. In normal operation, the operating current preferably follows an "operating current path".
Geeigneterweise ist das Leistungsbauteil ein Leistungshalbleiterelement oder weist ein solches Leistungshalbleiterelement auf.Suitably, the power device is a power semiconductor element or has such a power semiconductor element.
Das erfindungsgemäße Leistungsmodul ist insbesondere ein mit planarer Aufbau- und Verbindungstechnologie realisiertes Leistungsmodul, vorzugsweise ein IGBT-Modul.The power module according to the invention is in particular a power module realized with planar construction and connection technology, preferably an IGBT module.
Vorteilhaft kann mit dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul ein Conduct-on-Fail-Fall in deutlich geringerer Zeit erreicht werden als bislang bekannt, da bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul das exotherm reaktive Material sehr rasch, zweckmäßig innerhalb von wenigen Millisekunden, auslöst. Das exotherm reaktive Material kann sich folglich rasch zersetzen, sodass der Abstandshalter schmelzen oder erweichen oder sich zersetzen kann. Folglich können erster und zweiter Schaltkontakt aufeinander zu bewegt werden, sodass der Fehlerstrompfad bevorzugt bestromt wird. Geeigneterweise ist bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul der Abstandshalter mit einem geringeren Schmelzpunkt oder mit einer geringeren Erweichungstemperatur ausgebildet als das oder ein oder jedes Material des Leistungsbauteils.Advantageously, with the power module according to the invention a conduct-on-fail case can be achieved in a much shorter time than previously known, since in the power module according to the invention, the exothermic reactive material very quickly, advantageously within a few milliseconds, triggers. The exothermic reactive material can consequently decompose rapidly, so that the spacer can melt or soften or decompose. Consequently, the first and second switching contact can be moved towards each other, so that the fault current path is preferably energized. Conveniently, in the power module of the present invention, the spacer having a lower melting point or a softening temperature is formed as the one or each material of the power device.
Erfindungsgemäß können Kurzschließer und Zusatzgehäuse wegfallen, was zu erheblichen Kosteneinsparungen führt. Durch Reduzierung dieser Komponenten bzw. Materialien ist die Zuverlässigkeit, insbesondere die Ausfallsicherheit, des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls erhöht. Bevorzugt steht bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul der Abstandshalter, zumindest ein Teil des Abstandshalters, mit dem Leistungsbauteil in thermischem Kontakt und/oder mit dem Fehlerstrompfad in elektrischem Kontakt. Auf diese Weise kann das exotherm reaktive Material des Abstandshalters im Fehlerfall, also bei ungewöhnlich starkem Stromfluss oder ungewöhnlich starker Hitzeentwicklung, zünden und somit den Abstandshalter schmelzen und/oder erweichen und/oder, zumindest teilweise, zersetzen.Short circuiters and additional housing can be eliminated according to the invention, which leads to considerable cost savings. By reducing these components or materials, the reliability, in particular the reliability, of the power module according to the invention is increased. Preferably, in the case of the power module according to the invention, the spacer, at least a part of the spacer, is in electrical contact with the power component in thermal contact and / or with the fault current path. In this way, the exothermic reactive material of the spacer in the event of a fault, so at unusually high current flow or unusually high heat, ignite and thus melt the spacer and / or soften and / or, at least partially, decompose.
Der Abstandshalter wirkt im Normalfall vorteilhaft einer Kraftbeaufschlagung auf das Leistungsbauteil entgegen, sodass dieses im Normalbetrieb entlastet ist.In the normal case, the spacer advantageously counteracts the application of force to the power component, so that it is relieved during normal operation.
Vorzugsweise ist bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul der Abstandshalter Teil des Fehlerstrompfads. In dieser Weiterbildung der Erfindung erweicht der Abstandshalter bei beginnender Bestromung des Fehlerstrompfads besonders rasch, sodass erster und zweiter Schaltkontakt miteinander in Kontakt treten können und eine vorzugsweise Bestromung des Fehlerstrompfads leicht sichergestellt werden kann.Preferably, in the power module according to the invention, the spacer is part of the fault current path. In this development of the invention, the spacer softens particularly rapidly when current is applied to the fault current path, so that the first and second switching contact can come into contact with each other and a preferably energization of the fault current paths can be easily ensured.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls weist der Abstandshalter einen mit exotherm reaktivem Material gebildeten Zündpfad auf, welcher in thermischem Kontakt mit dem Leistungsbauteil steht und/oder an dem Leistungsbauteil angeordnet ist. Auf dieser Weise kann der Fehlerfall sehr rasch bei einer ungewöhlich starken Erwärmung des Leistungsmoduls ausgelöst werden, indem der Zündpfad am thermischen Kontakt zündet. Aufgrund des exotherm reaktiven Materials zündet das reaktive Mtaerial des Abstandshalters vollständig.In an advantageous development of the power module according to the invention, the spacer has an ignition path formed with exothermic reactive material, which is in thermal contact with the power component and / or is arranged on the power component. In this way, the error case can be triggered very quickly in an unusually strong heating of the power module by the ignition ignites the thermal contact. Due to the exothermic reactive material ignites the reactive Mtaerial of the spacer completely.
Vorzugsweise führt das reaktive Material, insbesondere in der Art einer Zündschnur, vom Leistungsbauteil zum Abstandshalter. Vorteilhaft lassen sich so mehrere Leistungsbauteile mit einem einzigen Abstandshalter oder mit einer geringen Anzahl von Abstandhaltern, verbinden. Auf diese Weise kann der Conduct-on-Fail-Fall für eine Vielzahl von Leistungsbauteilen zugleich gewährleistet werden. Insbesondere ist auch in diesem Falle lediglich eine geringe Anzahl von Abstandshaltern zur Realisierung der Conduct-on-Fail-Lösung erforderlich.The reactive material, in particular in the manner of a fuse, preferably leads from the power component to the spacer. Advantageously, several power components can thus be connected with a single spacer or with a small number of spacers. In this way, the conduct-on-fail case for a variety of power components can be guaranteed at the same time. In particular, only a small number of spacers for realizing the conduct-on-fail solution is required in this case.
Besonders bevorzugt ist bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul das zumindest eine Leistungsbauteil an einen Betriebsstrompfad angebunden, welcher eine Überstromsicherung, insbesondere eine Schmelzsicherung, aufweist.In the power module according to the invention, the at least one power component is particularly preferably connected to an operating current path, which has an overcurrent protection, in particular a safety fuse.
In dieser Weiterbildung des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls lässt sich ein Conduct-On-Fail-Fall besonders zuverlässig erreichen, wenn der im Normalbetrieb vorgesehene, bestehende Betriebsstrompfad mittels der Überstromsicherung versagt, sodass der fließende Strom dann auf den Fehlerstrompfad überspringen muss. Zweckmäßig weist dazu der im Normalbetrieb vorgesehene Betriebsstrompfad dünne Leiterquerschnitte als Überstromsicherung auf, insbesondere zumindest eine dünne planare Leitungsverbindung und/oder zumindest einen Bond und/oder zumindest einen Bonddraht.In this development of the power module according to the invention, a conduct-on-fail case can be achieved particularly reliably if the existing operating current path provided in normal operation fails by means of the overcurrent protection, so that the flowing current then has to jump over to the fault current path. For this purpose, the operating current path provided in normal operation expediently has thin conductor cross sections as overcurrent protection, in particular at least one thin planar line connection and / or at least one bond and / or at least one bonding wire.
Geeigneterweise ist bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul das exotherm reaktive Material mit nanogeschichteten Materialen gebildet, insbesondere mit aufeinanderfolgend wechselnden Schichten, und/oder mit einem Sprengstoff und/oder mit zumindest einem Treib- und/oder Schießstoff und/oder mit zumindest einem Zündmittel und/oder pyrotechnischen Erzeugnis gebildet.Conveniently, in the power module according to the invention the exothermic reactive material is formed with nano-coated materials, in particular with successively alternating layers, and / or with an explosive and / or with at least one blowing and / or shooting material and / or with at least one ignition and / or pyrotechnic Produce made.
Vorzugsweise ist das reaktive Material mit nanogeschichteten Materialien mit aufeinanderfolgend wechselnden Schichten von Ni und Al und/oder von NiV und Al und/oder von Ti und B, und/oder von Ti und C und/oder von Ti und Si und/oder von Ti und Ni und/oder von Ti und Al und/oder von Zr und Al und/oder von Pd und Al und/oder von Pt und Al und/oder von sonstigen welchselnden Materialfolgen gebildet. Alternativ oder zusätzlich kann das reaktive Material mit einem Sprengstoff mit thermodynamisch wenig stabilen Verbindungen, vorzugsweise mit Nitrogruppen, insbesondere Nitroglycerin, gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich weist das reaktive Material Treib- und/oder Schießstoff in Form von Schwarzpulver und/oder Schießpulver und/oder Treibladungspulver auf.Preferably, the reactive material is nano-coated materials having successively alternating layers of Ni and Al and / or NiV and Al and / or Ti and B, and / or Ti and C and / or Ti and Si and / or Ti and Ni and / or Ti and Al and / or Zr and Al and / or Pd and Al and / or Pt and Al and / or other alternating material sequences. Alternatively or additionally, the reactive material may be formed with an explosive having thermodynamically less stable compounds, preferably nitro groups, in particular nitroglycerin. Alternatively or additionally, the reactive material comprises propellant and / or gunpowder in the form of black powder and / or gunpowder and / or propellant charge powder.
Bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul sind in einer bevorzugten Weiterbildung erster und zweiter Schaltkontakt mittels eines Federelements aufeinander zu kraftbeaufschlagt.In the case of the power module according to the invention, in a preferred embodiment, the first and second switching contacts are subjected to force applied to one another by means of a spring element.
Besonders bevorzugt ist bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul der erste Schaltkontakt mittels einer Durchstechanordnung gebildet und es sind erster und zweiter Schaltkontakt mittels einer solchen Isolierschicht voneinander elektrisch isoliert, welche mittels der Durchstechanordnung durchstechbar ist. Auf diese Weise ist der Fehlerstrompfad im Normalbetrieb besonders durchschlagfest. Zugleich kann mittels der Durchstechanordnung ein Conduct-on-Fail-Fall im Fehlerfall leicht realisiert werden.In the power module according to the invention, the first switching contact is particularly preferably formed by means of a piercing arrangement, and the first and second switching contacts are electrically insulated from one another by means of such an insulating layer, which can be pierced by means of the piercing arrangement. In this way, the fault current path in normal operation is particularly resistant to breakdown. At the same time, by means of the piercing arrangement, a conduct-on-fail case can easily be realized in the event of an error.
Zweckmäßig ist bei dem erfindungsgemäßen Leistungsmodul der zumindest eine Abstandshalter mit einem oder mehreren schmelzbaren und/oder erweichbaren elektrisch leitfähigen Material(ien), insbesondere mit einem oder mehreren Loten und/oder einem oder mehreren Metallen und/oder exotherm reaktivem Material gebildet.The at least one spacer is expediently formed with one or more fusible and / or softenable electrically conductive materials, in particular with one or more solders and / or one or more metals and / or exothermically reactive material.
Alternativ kann der zumindest eine Abstandshalter lediglich mit dem reaktiven Material gebildet sein, wobei dieses reaktive Material in dieser Weiterbildung der Erfindung entweder selbst nach reaktiver Zündung elektrisch leitfähig ist und/oder die mittels des Abstandshalters beabstandeten Elemente, insbesondere Kupfer im Falle eines mit Kupfer gebildeten Druckstempels, miteinander verschmelzen lässt.Alternatively, the at least one spacer can be formed only with the reactive material, wherein this reactive material in this embodiment of the invention is electrically conductive even after reactive ignition and / or spaced by means of the spacer elements, in particular copper in the case of a pressure stamp formed with copper , merge together.
Das erfindungsgemäße Leistungsmodul ist insbesondere mittels eines Federsystems wie aus Druckschrift
Nachfolgend wird die Erfindung anhand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the drawing.
Es zeigen:Show it:
Das in
Die Kupferleiterbahn
Oberhalb der Kupferleiterbahn
Der Druckstempel
Im Fehlerfall kann aufgrund eines Defekts
Aufgrund des Aufschmelzens der Kupferleiterbahn
Infolge des Stromflusses über den Abstandshalter
Folglich presst die Druckfeder
Das in
Anstelle des Luftspalts
Instead of the
In einem weiteren, nicht eigens dargestellten Ausführungsbeispiel, welches im Übrigen dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel entspricht, ist das exotherm reaktive Material ein reaktives Material, welches erst oberhalb der bei Normalbetrieb vorherrschenden Bedingungen zündet, nämlich erst oberhalb eines Stromflusses von 50 A. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Isolierschicht
Das in
Ein weiteres erfindungsgemäßes Leistungsmodul
Soweit in den vorhergehend beschriebenen Ausführungsbeispielen von planarer Verbindungstechnik die Rede ist, kann die jeweilige Verbindungstechnik in weiteren, nicht eigens beschriebenen Ausführungsbeispielen alternativ oder zusätzlich mittels Bonddrähten realisiert sein.As far as in the previously described embodiments of planar connection technology is mentioned, the respective connection technology in other not specifically described embodiments may alternatively or additionally be realized by means of bonding wires.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- DE 102014207928 A1 [0024] DE 102014207928 A1 [0024]
- DE 102014208174 A1 [0024] DE 102014208174 A1 [0024]
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016006781.0A DE102016006781A1 (en) | 2016-06-02 | 2016-06-02 | power module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016006781.0A DE102016006781A1 (en) | 2016-06-02 | 2016-06-02 | power module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102016006781A1 true DE102016006781A1 (en) | 2017-12-07 |
Family
ID=60328045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016006781.0A Withdrawn DE102016006781A1 (en) | 2016-06-02 | 2016-06-02 | power module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102016006781A1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014207928A1 (en) | 2014-04-28 | 2015-10-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit unit for a transistor and method for operating such |
DE102014208174A1 (en) | 2014-04-30 | 2015-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Protective layer system for a metallic lithium anode |
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2016
- 2016-06-02 DE DE102016006781.0A patent/DE102016006781A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014207928A1 (en) | 2014-04-28 | 2015-10-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit unit for a transistor and method for operating such |
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