DE102016000092A1 - Method for assembling high frequency filters - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren dient zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern (1), wobei jedes Hochfrequenzfilter (1) ein Hochfrequenzgehäuse aufweist, das einen Gehäusekörper (2) und einen auf den jeweiligen Gehäusekörper (2) abgestimmten Gehäusedeckel (3) aufweist. Der Gehäusekörper (2) umfasst einen Gehäuseboden (4) und eine zwischen dem Gehäuseboden (4) und dem Gehäusedeckel (3) umlaufende Gehäusewand (5). Das Hochfrequenzfilter (1) umfasst zumindest einen Koaxialresonator (61, 62, ..., 6n), der eine Resonatorkammer (71, 72, ..., 7n) aufweist. In einem Verfahrensschritt wird zumindest eine elektrische und/oder geometrische Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) gemessen. Dann wird festgestellt wie groß eine Messwertabweichung des Messwerts von einem Referenzwert für diese Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) ist. Schließlich wird ein entsprechender Gehäusedeckels (3) ausgewählt, so dass bei einer Kombination des Gehäusekörpers (2) mit dem ausgewählten Gehäusedeckel (3) eine frequenzabhängige Durchlasskurve des daraus gebildeten Hochfrequenzfilters (1) einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve (17, 18) am nächsten kommt, wodurch zumindest ein Teil der Messwertabweichung kompensiert wird.A method is used for assembling high-frequency filters (1), wherein each high-frequency filter (1) has a high-frequency housing which has a housing body (2) and a housing cover (3) matched to the respective housing body (2). The housing body (2) comprises a housing bottom (4) and a between the housing bottom (4) and the housing cover (3) encircling housing wall (5). The high-frequency filter (1) comprises at least one coaxial resonator (61, 62, ..., 6n), which has a resonator chamber (71, 72, ..., 7n). In a method step, at least one electrical and / or geometric property of the housing body (2) is measured. Then, it is determined how large a measured value deviation of the measured value is from a reference value for this property of the housing body (2). Finally, a corresponding housing cover (3) is selected, so that in a combination of the housing body (2) with the selected housing cover (3) a frequency-dependent transmission curve of the resulting high-frequency filter (1) of a frequency-dependent reference transmission curve (17, 18) comes closest , whereby at least part of the measured value deviation is compensated.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern und ein durch dieses Verfahren hergestelltes Hochfrequenzfilter.The invention relates to a method for assembling high frequency filters and a high frequency filter manufactured by this method.

Filter dienen in der Übertragungstechnik dazu, gewünschte Frequenzbereiche durchzulassen und unerwünschte Frequenzbereiche zu sperren. Im Mobilfunkbereich erlaubt dies beispielsweise den Einsatz einer gemeinsamen Antenne. Durch Filter können dann der Sendepfad und der Empfangspfad voneinander getrennt werden.In transmission technology, filters serve to pass through desired frequency ranges and to block unwanted frequency ranges. In the mobile sector, for example, this allows the use of a common antenna. Filters can then be used to separate the transmission path and the reception path.

Filter existieren in unterschiedlichen Größen. Sie können innerhalb eines Chips ausgebildet sein, mit diskreten Bauelementen auf einer Leiterplatine aufgebaut sein oder aus Fräs- bzw. Gussteilen bestehen.Filters exist in different sizes. They may be formed within a chip, be constructed with discrete components on a printed circuit board or consist of milling or castings.

Hochfrequenzfilter, welche aus koaxialen Resonatoren bestehen, lassen sich einfach aus Fräs- oder Gussteilen herstellen. Darüber hinaus gewährleisten diese Resonatoren eine hohe elektrische Güte sowie eine relativ große Temperaturstabilität. Allerdings lassen sich Toleranzen im Herstellungsverfahren nicht vermeiden.High-frequency filters, which consist of coaxial resonators, can be easily produced from milling or casting parts. In addition, these resonators ensure a high electrical quality and a relatively high temperature stability. However, tolerances in the manufacturing process can not be avoided.

Um optimale Filterergebnisse erreichen zu können, ist allerdings eine Feinabstimmung nach der Herstellung notwendig. Eine solche Feinabstimmung findet meistens dadurch statt, dass Abstimmelemente in die Resonatorkammern eingedreht werden, wodurch die Resonanzfrequenz und die Koppelbandbreiten geändert werden.In order to achieve optimal filter results, however, a fine-tuning after production is necessary. Such a fine tuning usually takes place in that tuning elements are screwed into the resonator chambers, whereby the resonance frequency and the coupling bandwidths are changed.

Aus der DE 10 2010 056 048 A1 ist bekannt, dass zur Feinabstimmung der Filter Abstimmelemente unterschiedlich tief in die Resonatoren eingeführt werden. Das Einführen dieser Abstimmelemente bewirkt eine Veränderung der Resonanzfrequenz des Hochfrequenzfilters. Die Abstimmelemente werden dabei von außerhalb des Hochfrequenzfilters eingedreht.From the DE 10 2010 056 048 A1 It is known that for fine tuning of the filter tuning elements are inserted at different depths in the resonators. The introduction of these tuning elements causes a change in the resonant frequency of the high-frequency filter. The tuning elements are screwed in from outside the high-frequency filter.

Nachteilig an der DE 10 2010 056 048 A1 ist, dass ein ausreichend großer Abstimmbereich nicht immer realisiert werden kann und eine Abstimmung nur schwer automatisiert erfolgen kann.A disadvantage of the DE 10 2010 056 048 A1 is that a sufficiently large voting range can not always be realized and that coordination is difficult to automate.

Die Aufgabe der hier vorliegenden Erfindung ist es daher ein Verfahren zu schaffen, bei dem ein Hochfrequenzfilter gegenüber dem Stand der Technik kostengünstiger und einfacher herzustellen ist. Außerdem ist es die Aufgabe der Erfindung ein Hochfrequenzfilter zu schaffen, das leichter abzustimmen ist als dies bei den bekannten Hochfrequenzfiltern aus dem Stand der Technik möglich ist. Das erfindungsgemäße Verfahren wird durch den Anspruch 1 gelöst. Das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter ist gemäß dem Anspruch 12 aufgebaut. In den abhängigen Ansprüchen werden vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben.The object of the present invention is therefore to provide a method in which a high-frequency filter over the prior art is cheaper and easier to produce. In addition, it is the object of the invention to provide a high-frequency filter which is easier to tune than is possible in the known high-frequency filters of the prior art. The inventive method is solved by the claim 1. The high frequency filter according to the invention is constructed according to claim 12. Advantageous developments of the method according to the invention are described in the dependent claims.

Das erfindungsgemäße Verfahren dient zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern, wobei jedes Hochfrequenzfilter ein Hochfrequenzgehäuse aufweist, das einen Gehäusekörper und einen auf den jeweiligen Gehäusekörper abgestimmten Gehäusedeckel aufweist. Der Gehäusekörper umfasst einen Gehäuseboden und eine zwischen dem Gehäuseboden und dem Gehäusedeckel umlaufende Gehäusewand, wodurch der Gehäusedeckel von dem Gehäuseboden des Gehäusekörpers beabstandet ist. Das Hochfrequenzfilter umfasst zumindest einen Koaxialresonator, der eine Resonatorkammer aufweist. Der Koaxialresonator umfasst zumindest einen ersten Innenleiter, der in der Resonatorkammer angeordnet ist, wobei der zumindest eine erste Innenleiter mit dem Gehäuseboden galvanisch verbunden ist und sich in axialer Richtung vom Gehäuseboden in Richtung des Gehäusedeckels erstreckt. Der zumindest eine erste Innenleiter endet im Abstand vor dem Gehäusedeckel und/oder ist vom Gehäusedeckel galvanisch getrennt. Der Gehäusedeckel umfasst zumindest einen zweiten Innenleiter, der mit dem Gehäusedeckel galvanisch verbunden ist und sich in axialer Richtung vom Gehäusedeckel in Richtung des Gehäusebodens erstreckt. Der zumindest eine zweite Innenleiter endet im Abstand von dem Gehäuseboden und/oder ist von dem Gehäuseboden galvanisch getrennt. Zum Auffinden eines passenden Paares, bestehend aus Gehäusekörper und Gehäusedeckel, wird eine Reihe von Verfahrensschritten ausgeführt. In einem Verfahrensschritt wird zumindest eine oder mehrere elektrische und/oder geometrische Eigenschaft(en) des Gehäusekörpers gemessen. Man erhält für diese Eigenschaft des Gehäusekörpers einen Messwert. In einem weiteren Verfahrensschritt wird festgestellt wie groß eine Messwertabweichung des Messwerts für diese Eigenschaft des Gehäusekörpers von einem Referenzwert ist. In einem zusätzlichen Verfahrensschritt wird ein entsprechender Gehäusedeckel, in Abhängigkeit der Höhe der Messwertabweichung, aus einer Gruppe von zumindest zwei Gehäusedeckeln mit unterschiedlichen zweiten Innenleitern ausgewählt bzw. verwendet. Dabei wird derjenige Gehäusedeckel ausgewählt bzw. verwendet, durch den bei einer Kombination mit dem Gehäusekörper eine frequenzabhängige Durchlasskurve des daraus gebildeten Hochfrequenzfilters einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve näher oder am nächsten kommt. Bei einer solchen Kombination aus Gehäusekörper und Gehäusedeckel wird zumindest ein Teil der Messwertabweichung kompensiert.The method according to the invention serves to assemble high-frequency filters, wherein each high-frequency filter has a high-frequency housing which has a housing body and a housing cover which is matched to the respective housing body. The housing body comprises a housing bottom and a housing wall surrounding the housing bottom and the housing cover, whereby the housing cover is spaced from the housing bottom of the housing body. The high frequency filter comprises at least one coaxial resonator having a resonator chamber. The coaxial resonator comprises at least one first inner conductor which is arranged in the resonator chamber, wherein the at least one first inner conductor is galvanically connected to the housing bottom and extends in the axial direction from the housing bottom in the direction of the housing cover. The at least one first inner conductor terminates at a distance in front of the housing cover and / or is galvanically separated from the housing cover. The housing cover comprises at least one second inner conductor, which is galvanically connected to the housing cover and extends in the axial direction from the housing cover in the direction of the housing bottom. The at least one second inner conductor terminates at a distance from the housing bottom and / or is galvanically isolated from the housing bottom. To find a matching pair, consisting of housing body and housing cover, a series of process steps is performed. In one method step, at least one or more electrical and / or geometric property (s) of the housing body is measured. One obtains a measured value for this property of the housing body. In a further method step, it is determined how large a measured value deviation of the measured value for this characteristic of the housing body is from a reference value. In an additional method step, a corresponding housing cover, depending on the height of the measured value deviation, is selected or used from a group of at least two housing covers with different second inner conductors. In this case, that housing cover is selected or used by which, in combination with the housing body, a frequency-dependent transmission curve of the high-frequency filter formed therefrom comes closer or closest to a frequency-dependent reference transmission curve. With such a combination of housing body and housing cover, at least part of the measured value deviation is compensated.

Es ist besonders vorteilhaft, dass das erfindungsgemäße Verfahren Schritte beinhaltet, mit denen festgestellt werden kann, inwieweit der Gehäusekörper, der später zusammen mit dem Gehäusedeckel das Hochfrequenzfilter bildet, von einem Referenzgehäusekörper abweicht. Unter einem Referenzgehäusekörper ist ein Gehäusekörper zu verstehen, wie er aussehen würde, wenn das Herstellungsverfahren (z. B. ein Aluminiumdruckgussverfahren) keine Toleranzen aufweisen würde. Anhand der festgestellten Messwertabweichungen kann ein Gehäusedeckel ausgewählt werden, der wiederum so beschaffen ist, dass bei einer Kombination des ausgewählten Deckels mit dem Gehäusekörper, die Herstellungstoleranzen des Gehäusekörpers bestmöglich kompensiert werden können.It is particularly advantageous that the inventive method includes steps with which can be determined to what extent the housing body, which later forms the high-frequency filter together with the housing cover, deviates from a reference housing body. A reference housing body is a housing body to understand what it would look like if the manufacturing process (eg, an aluminum die casting process) did not have tolerances. On the basis of the measured value deviations determined, a housing cover can be selected, which in turn is designed in such a way that, when the selected cover is combined with the housing body, the manufacturing tolerances of the housing body can be compensated in the best possible way.

Häufig ist es so, dass die Herstellungstoleranzen des Gehäusedeckels geringer sind, bzw. sich nicht so stark auswirken. Dies erlaubt, dass gezielt Gehäusedeckel mit unterschiedlichen geometrischen Eigenschaften, wie beispielsweise der Länge und/oder der Dicke des zweiten Innenleiters hergestellt werden können.It is often the case that the manufacturing tolerances of the housing cover are smaller or do not have such a strong effect. This allows targeted housing cover with different geometric properties, such as the length and / or the thickness of the second inner conductor can be produced.

Anhand der festgestellten Messwertabweichungen des Gehäusekörpers von einem Referenzgehäusekörper kann dann ein passender Gehäusedeckel ausgewählt werden, so dass zumindest ein Teil der frequenzabhängigen Durchlasskurve des daraus gebildeten Hochfrequenzfilters dem entsprechenden Teil der frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve am nächsten kommt. Dadurch kann die Messwertabweichung zwischen dem tatsächlichen Gehäusekörper und dem Referenzgehäusekörper zumindest in Teilen kompensiert werden. Dadurch ist es möglich, dass die Zahl der Abstimmelemente reduziert werden kann, bzw. dass einige oder alle Abstimmelemente, wie sie aus dem Stand der Technik bekannt sind, entfallen können.On the basis of the measured value deviations of the housing body from a reference housing body, a suitable housing cover can then be selected so that at least part of the frequency-dependent transmission curve of the high-frequency filter formed therefrom comes closest to the corresponding part of the frequency-dependent reference transmission curve. As a result, the measured value deviation between the actual housing body and the reference housing body can be at least partially compensated. This makes it possible that the number of tuning elements can be reduced, or that some or all tuning elements, as they are known from the prior art, can be omitted.

In einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird derjenige Gehäusedeckel ausgewählt, so dass die dann vorliegende frequenzabhängige Durchlasskurve des hergestellten Hochfrequenzfilters mit dem ausgewählten Gehäusedeckel der frequenzabhängigen Referenzdurchlasskurve zumindest im Durchlassbereich und/oder im Sperrbereich näher oder am nächsten kommt.In an advantageous embodiment of the inventive method that housing cover is selected so that the then present frequency-dependent transmission curve of the manufactured high-frequency filter with the selected housing cover of the frequency-dependent Referenzdurchlasskurve at least in the passband and / or in the stopband closer or closest.

In einem anderen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens handelt es sich bei der geometrischen Eigenschaft des Gehäusekörpers um den Durchmesser und/oder die Höhe des zumindest einen ersten Innenleiters. In Ergänzung oder alternativ dazu kann es sich bei der geometrischen Eigenschaft des Gehäusekörpers auch um die Höhe von zumindest einem Koppelsteg und/oder Trennsteg handeln, der sich vom Gehäuseboden weg erstreckt und sich zwischen zwei Koaxialresonatoren befindet. In Ergänzung oder alternativ dazu, kann es sich bei der elektrischen Eigenschaft des Gehäusekörpers um zumindest einen S-Parameter (Streuparameter) handeln. Anhand der gemessenen Eigenschaften des Gehäusekörpers kann eine Messwertabweichung zu den Eigenschaften eines Referenzgehäusekörpers ermittelt werden, wobei in Abhängigkeit der Höhe der Messwertabweichung feststellbar ist, wie stark sich die frequenzabhängige Durchlasskurve eines Hochfrequenzfilters von der frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve unterscheidet. Je nach Größe der Messwertabweichung kann diese mit einem entsprechenden Gehäusedeckel zumindest teilweise und idealerweise vollständig kompensiert werden.In another exemplary embodiment of the method according to the invention, the geometric property of the housing body is the diameter and / or the height of the at least one first inner conductor. In addition or alternatively, the geometric property of the housing body can also be the height of at least one coupling web and / or separating web, which extends away from the housing bottom and is located between two coaxial resonators. In addition or as an alternative thereto, the electrical property of the housing body may be at least one S-parameter (scattering parameter). On the basis of the measured properties of the housing body, a measured value deviation from the properties of a reference housing body can be determined, it being possible to determine the extent to which the frequency-dependent transmission curve of a high-frequency filter differs from the frequency-dependent reference transmission curve as a function of the height of the measured value deviation. Depending on the size of the measured value deviation, this can be at least partially and ideally completely compensated with a corresponding housing cover.

In einem zusätzlichen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der zumindest eine Messwert des zu vermessenden Gehäusekörpers aus dem zumindest einen S-Parameter gewonnen. Dieser zumindest eine Messwert liegt beispielsweise im Frequenzbereich des Durchlassbereichs und/oder des Sperrbereichs des Hochfrequenzfilters. Er kann ebenfalls zur Bandbreite des Durchlassbereichs und/oder des Sperrbereichs bzw. zur Mittenfrequenz und/oder zur unteren bzw. oberen Grenzfrequenz des Durchlass- bzw. Sperrbereichs korrelieren. Vorzugsweise wird eine Vielzahl von Messwerten aufgenommen, so dass der Verlauf der Durchlasskurve zumindest im Sperrbereich bzw. zumindest im Durchlassbereich des Hochfrequenzfilters nachgebildet werden kann. In diesem Fall handelt es sich bei dem Messwert um einen Wert, der die Dämpfung eines durch das Hochfrequenzfilter übertragenen Signals in einer bestimmten Frequenz oder in einem bestimmten Frequenzverlauf angibt.In an additional embodiment of the method according to the invention, the at least one measured value of the housing body to be measured is obtained from the at least one S parameter. This at least one measured value is, for example, in the frequency range of the passband and / or the stop band of the high-frequency filter. It can also correlate to the bandwidth of the passband and / or the stopband or to the center frequency and / or to the lower or upper limit frequency of the passband or stopband. Preferably, a plurality of measured values are recorded, so that the course of the transmission curve can be reproduced at least in the stopband or at least in the passband of the high-frequency filter. In this case, the measured value is a value indicating the attenuation of a signal transmitted by the high-frequency filter at a specific frequency or in a specific frequency characteristic.

Um die elektrischen Eigenschaften des Gehäusekörpers ermitteln zu können, wird in einem weiteren Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens ein Prüfdeckel auf den Gehäusekörper aufgelegt und an diesen angepresst. Der Prüfdeckel verschließt dabei die Resonatorkammer vollständig oder zu einem überwiegenden Teil, so dass keine bzw. möglichst wenig Störstrahlung von außerhalb des Hochfrequenzfilters in dieses eintritt. Der Prüfdeckel ist dabei vorzugsweise stets derselbe und wird für die Vermessung von vorzugsweise allen Gehäusekörpern verwendet. Durch An- bzw. Aufpressen des Prüfdeckels auf den Gehäusekörper kann auf ein Verschrauben dieses mit dem Gehäusekörper verzichtet werden. Dadurch wird sehr viel Zeit gespart. Der Prüfdeckel weist zumindest einen ersten kapazitiven Koppelstab auf, der galvanisch von dem Prüfdeckel getrennt ist. Dieser zumindest eine erste kapazitive Koppelstab wird benachbart zu dem zumindest einen ersten Innenleiter in die Resonatorkammer des zumindest einen Koaxialresonators eingeführt. Mittels eines Vektornetzwerkanalysators kann der zumindest eine S-Parameter (Streuparameter) gemessen werden. Es wäre auch möglich eine Filterfunktion zu messen, aus der der zumindest eine Messwert abgeleitet wird. Der zumindest eine erste kapazitive Koppelstab ist vorzugsweise fest mit dem Prüfdeckel verbunden, bzw. stets an der gleichen Stelle am Prüfdeckel angeordnet und wird daher bei den unterschiedlichen Gehäusekörpern stets an der gleichen Stelle in die Resonatorkammer eingeführt. Der zumindest eine kapazitive Koppelstab ist vorzugsweise einzig innerhalb der Resonatorkammer angeordnet.In order to determine the electrical properties of the housing body, a test cover is placed on the housing body and pressed against this in a further embodiment of the method according to the invention. The test cover closes the resonator chamber completely or for the most part, so that no or as little as possible interference radiation from outside of the high-frequency filter enters this. The test cover is preferably always the same and is used for the measurement of preferably all housing bodies. By attaching or pressing the test cover on the housing body can be dispensed with a screw this with the housing body. This saves a lot of time. The test cover has at least one first capacitive coupling rod which is galvanically isolated from the test cover. This at least one first capacitive coupling rod is inserted adjacent to the at least one first inner conductor into the resonator chamber of the at least one coaxial resonator. By means of a vector network analyzer, the at least one S-parameter (scattering parameter) can be measured. It would also be possible To measure filter function, from which the at least one measured value is derived. The at least one first capacitive coupling rod is preferably firmly connected to the test cover, or always arranged at the same location on the test cover and is therefore always introduced in the different housing bodies in the same place in the resonator. The at least one capacitive coupling rod is preferably arranged only inside the resonator chamber.

In einem zusätzlichen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens weist der Prüfdeckel zumindest einen zweiten kapazitiven Koppelstab auf, der wiederum galvanisch vom Prüfdeckel getrennt ist. Dieser zweite kapazitive Koppelstab ist außerdem räumlich und galvanisch vom ersten kapazitiven Koppelstab getrennt. Der zumindest eine zweite kapazitive Koppelstab wird benachbart zu dem zumindest einen ersten Innenleiter in die Resonatorkammer des zumindest einen Koaxialresonators oder benachbart zu einem weiteren ersten Innenleiter in die Resonatorkammer eines weiteren Koaxialresonators eingeführt. Mittels eines vektoriellen Netzwerkanalysators können dann beispielsweise der Vorwärts- bzw. Rückwärtstransmissionsfaktor gemessen werden. Daraus lässt sich die frequenzabhängige Durchlasskurve berechnen, wobei diese vorzugsweise nur für einen bestimmten Frequenzbereich erstellt wird. Das Ergebnis dieser frequenzabhängigen Durchlasskurve kann dann mit einer Referenz-Durchlasskurve verglichen werden. Anhand der festgestellten Messwertabweichungen wird der Gehäusekörper mit einem Gehäusedeckel kombiniert, dessen zweite Innenleiter ein größeres Volumen bzw. eine größere Länge oder ein kleineres Volumen bzw. eine kleinere Länge aufweisen. Für den Fall, dass die Mittenfrequenz, bzw. die obere oder untere Grenzfrequenz nach oben angehoben werden soll, wird der Gehäusekörper mit einem Gehäusedeckel kombiniert, dessen zweiter Innenleiter ein kleineres Volumen aufweist bzw. kürzer ist, als wenn die Mittenfrequenz, bzw. obere und/oder untere Grenzfrequenz nach unten verschoben werden soll. Bei der frequenzabhängigen Durchlasskurve handelt es sich vorzugsweise um den Vorwärts- bzw. Rückwärtstransmissionsfaktor zwischen zwei Toren (vorzugsweise zwischen einem Eingang und einem Ausgang) des Hochfrequenzfilters.In an additional embodiment of the method according to the invention, the test cover has at least one second capacitive coupling rod, which in turn is galvanically isolated from the test cover. This second capacitive coupling rod is also spatially and galvanically separated from the first capacitive coupling rod. The at least one second capacitive coupling rod is inserted adjacent to the at least one first inner conductor into the resonator chamber of the at least one coaxial resonator or adjacent to a further first inner conductor in the resonator chamber of a further coaxial resonator. By means of a vectorial network analyzer, for example, the forward or reverse transmission factor can then be measured. From this, the frequency-dependent transmission curve can be calculated, wherein this is preferably created only for a certain frequency range. The result of this frequency-dependent transmission curve can then be compared with a reference transmission curve. On the basis of the measured value deviations determined, the housing body is combined with a housing cover whose second inner conductor has a larger volume or a greater length or a smaller volume or a smaller length. In the event that the center frequency, or the upper or lower cutoff frequency to be raised upward, the housing body is combined with a housing cover whose second inner conductor has a smaller volume or is shorter than when the center frequency, or upper and / Lower limit frequency to be moved down. The frequency-dependent transmission curve is preferably the forward or reverse transmission factor between two ports (preferably between an input and an output) of the high-frequency filter.

In einem anderen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens sind der zumindest eine Koaxialresonator, in den der erste kapazitive Koppelstab eingeführt wird und der zumindest eine eitere Koaxialresonator, in den der zumindest eine zweite Koppelstab eingeführt wird, benachbart zueinander angeordnet. Sie könnten aber auch durch zumindest einen weiteren Koaxialresonator voneinander getrennt sein. Es wäre auch möglich, dass diese Resonatoren am Anfang eines Filterpfads und am Ende eines Filterpfads angeordnet sind. Grundsätzlich ist festzustellen, dass die Messung umso genauer ist, je näher der kapazitive Koppelstab an den entsprechenden Innenleiter herangeführt wird. Allerdings wird die Messung auch umso empfindlicher auf Toleranzen.In another embodiment of the method according to the invention, the at least one coaxial resonator into which the first capacitive coupling rod is inserted and the at least one other coaxial resonator into which the at least one second coupling rod is inserted are arranged adjacent to one another. However, they could also be separated from one another by at least one further coaxial resonator. It would also be possible for these resonators to be located at the beginning of a filter path and at the end of a filter path. In principle, it should be noted that the closer the capacitive coupling rod is to the corresponding inner conductor, the more accurate the measurement. However, the measurement becomes even more sensitive to tolerances.

In einem ergänzenden Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens weist der Prüfdeckel zumindest so viele kapazitive Koppelstäbe auf, wie es Koaxialresonatoren gibt. Zumindest ein kapazitiver Koppelstab wird in jedem der Koaxialresonatoren eingeführt. In diesem Fall können eine Vielzahl von Streuparametern ermittelt werden. Die daraus ableitbaren frequenzabhängigen Durchlasskurven, bzw. Teile von diesen, können wiederum mit einer Vielzahl von Referenz-Durchlasskurven verglichen werden. Anhand der ermittelten Messwertabweichungen kann der passendste Gehäusedeckel ausgewählt werden.In a supplementary embodiment of the method according to the invention, the test cover has at least as many capacitive coupling rods as there are coaxial resonators. At least one capacitive coupling rod is inserted in each of the coaxial resonators. In this case, a variety of scattering parameters can be determined. The frequency-dependent transmission curves derived therefrom, or parts of these, can in turn be compared with a multiplicity of reference transmission curves. The most suitable housing cover can be selected on the basis of the measured value deviations determined.

In einem anderen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der zumindest eine kapazitive Koppelstab durch eine Öffnung in dem Prüfdeckel in die Resonatorkammer der zumindest einen Koaxialresonators eingeführt. In Ergänzung oder alternativ dazu steht der zumindest eine kapazitive Koppelstab um einen vorbestimmten Abstand von einer Innenfläche des Prüfdeckels in Richtung der Resonatorkammer des zumindest einen Koaxialresonators hin ab. Dies ermöglicht einen einfachen Aufbau des Prüfdeckels, wobei reproduzierbare Messungen gewährleistet sind.In another embodiment of the method according to the invention, the at least one capacitive coupling rod is inserted through an opening in the test cover into the resonator chamber of the at least one coaxial resonator. In addition or as an alternative, the at least one capacitive coupling rod protrudes by a predetermined distance from an inner surface of the test cover in the direction of the resonator chamber of the at least one coaxial resonator. This allows a simple construction of the test cover, whereby reproducible measurements are ensured.

Das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter wird durch das eingangs vorgestellte Verfahren hergestellt. Das Hochfrequenzfilter umfasst einen Gehäusekörper und einen auf den Gehäusekörper abgestimmten Gehäusedeckel. Dadurch kann die Anzahl der Abstimmelemente reduziert werden, bzw. diese können gänzlich entfallen. Bei der Auswahl des passenden Deckels kann auch von einer selektiven Materialzufuhr in der Produktion von Koaxialfiltern gesprochen werden.The high-frequency filter according to the invention is produced by the method presented at the outset. The high-frequency filter comprises a housing body and a housing cover matched to the housing body. As a result, the number of tuning elements can be reduced, or they can be omitted entirely. When selecting the appropriate lid can also be spoken of a selective material supply in the production of coaxial filters.

Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beispielhaft beschrieben. Gleiche Gegenstände weisen dieselben Bezugszeichen auf. Die entsprechenden Figuren der Zeichnungen zeigen im Einzelnen:Various embodiments of the invention will now be described by way of example with reference to the drawings. Same objects have the same reference numerals. The corresponding figures of the drawings show in detail:

1: eine räumliche Darstellung eines Hochfrequenzfilters, das einen Gehäusekörper und einen Gehäusedeckel aufweist; 1 a spatial representation of a high frequency filter having a housing body and a housing cover;

2: den optimalen Verlauf einer frequenzabhängigen Durchlasskurve eines Hochfrequenzfilters und Abweichungen davon, die dadurch entstehen, dass der Gehäusekörper und der Gehäusedeckel Herstellungstoleranzen aufweisen und nicht aufeinander abgestimmt sind; 2 : the optimal course of a frequency-dependent transmission curve of a high-frequency filter and deviations thereof, resulting from the fact that the housing body and the Housing cover manufacturing tolerances and are not matched;

3A: eine vergrößerte Darstellung der frequenzabhängigen Durchlasskurve im Durchlassbereich aus 2; 3A : an enlarged representation of the frequency-dependent transmission curve in the passband 2 ;

3B: eine vergrößerte Darstellung der frequenzabhängigen Durchlasskurve im Sperrbereich aus 2; 3B : an enlarged representation of the frequency-dependent transmission curve in the stopband 2 ;

4A: eine Möglichkeit zur Messung von elektrischen Eigenschaften eines Gehäusekörpers mit einem Prüfdeckel; 4A a possibility for measuring electrical properties of a housing body with a test cover;

4B, 4C: verschiedene Möglichkeiten zur Messung von geometrischen Eigenschaften eines Gehäusekörpers; 4B . 4C : various possibilities for measuring geometric properties of a housing body;

5: ein Flussdiagramm, welches erläutert, wie die passende Auswahl eines Gehäusedeckels erfolgen kann; 5 a flowchart which explains how the appropriate selection of a housing cover can be made;

6: zwei verschiedene frequenzabhängige Durchlasskurven eines Hochfrequenzfilters, wobei das Hochfrequenzfilter einmal mit einem normalen Gehäusedeckel und einmal mit einem Prüfdeckel verschlossen ist; 6 two different frequency-dependent transmission curves of a high-frequency filter, the high-frequency filter being closed once with a normal housing cover and once with a test cover;

7: den optimalen Verlauf einer frequenzabhängigen Durchlasskurve eines Hochfrequenzfilters, das mit einem Prüfdeckel verschlossen ist und Abweichungen davon, die dadurch entstehen, dass der Gehäusekörper Herstellungstoleranzen aufweist; 7 : the optimum course of a frequency-dependent transmission curve of a high-frequency filter, which is closed with a test cover and deviations thereof, resulting from the fact that the housing body has manufacturing tolerances;

8: eine vergrößerte Darstellung der frequenzabhängigen Durchlasskurve im Sperrbereich aus 7; und 8th : an enlarged representation of the frequency-dependent transmission curve in the stopband 7 ; and

9: eine räumliche Darstellung eines Gehäusekörpers und drei verschiedener Gehäusedeckel. 9 a spatial representation of a housing body and three different housing cover.

1 zeigt eine räumliche Darstellung eines Hochfrequenzfilters 1, das einen Gehäusekörpers 2 und einen Gehäusedeckel 3 aufweist. Der Gehäusekörper 2 umfasst einen Gehäuseboden 4 und eine zwischen dem Gehäuseboden 4 und dem Gehäusedeckel 3 umlaufende Gehäusewand 5, wodurch der Gehäusedeckel 3 von dem Gehäuseboden 4 beabstandet ist. In 1 wurde zur besseren Übersichtlichkeit darauf verzichtet Anschlussbuchsen darzustellen. 1 shows a spatial representation of a high frequency filter 1 that has a case body 2 and a housing cover 3 having. The housing body 2 includes a housing bottom 4 and one between the case back 4 and the housing cover 3 circumferential housing wall 5 , whereby the housing cover 3 from the case back 4 is spaced. In 1 was omitted for better clarity on port sockets.

Das Hochfrequenzfilter 1 umfasst außerdem zumindest einen Koaxialresonator 6 1, 6 2, ..., 6 n. Jeder dieser Koaxialresonatoren 6 1, 6 2, ..., 6 n umfasst eine Resonatorkammer 7 1, 7 2, ..., 7 n. Die einzelnen Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n sind durch Trennstege 12 bzw. Trennwände 12 teilweise oder vollständig voneinander getrennt.The high frequency filter 1 also includes at least one coaxial resonator 6 1 , 6 2 , ..., 6 n . Each of these coaxial resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n includes a resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n . The individual resonator chambers 7 1 , 7 2 , ..., 7 n are separated by dividers 12 or partitions 12 partially or completely separated from each other.

Jeder der Koaxialresonatoren 6 1, 6 2, ..., 6 n umfasst zumindest einen ersten Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n, der mit dem Gehäuseboden 4 galvanisch verbunden ist und sich in axialer Richtung vom Gehäuseboden 4 weg in Richtung des Gehäusedeckels 3 erstreckt. Der zumindest eine erste Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n endet im Abstand zu dem Gehäusedeckel 3 und/oder ist vom Gehäusedeckel 3 galvanisch getrennt.Each of the coaxial resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n comprises at least a first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n , with the case back 4 is electrically connected and in the axial direction of the housing bottom 4 away in the direction of the housing cover 3 extends. The at least one first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ends at a distance to the housing cover 3 and / or is from the housing cover 3 galvanically isolated.

Die ersten Innenleiter 8 1, 8 2, ... 8 n weisen in diesem Ausführungsbeispiel einen Aufnahmeraum 9 1, 9 2, ..., 9 n auf, der zum Gehäusedeckel 3 hin geöffnet ist und den ersten Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n zumindest teilweise in axialer Richtung durchsetzt.The first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ... 8th n have in this embodiment, a receiving space 9 1 , 9 2 , ..., 9 n , to the housing cover 3 is open and the first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n at least partially interspersed in the axial direction.

Der Gehäusedeckel 3 umfasst zumindest einen zweiten Innenleiter 10, der mit dem Gehäusedeckel 3 galvanisch verbunden ist und sich in axialer Richtung vom Gehäusedeckel 3 in Richtung des Gehäusebodens 4 erstreckt. Der zumindest eine zweite Innenleiter 10 endet im Abstand von dem Gehäuseboden 4 und/oder ist von dem Gehäuseboden 4 galvanisch getrennt. In dem Ausführungsbeispiels aus 1 erstreckt sich der zweite Innenleiter 10 in die Aufnahmeöffnung 9 1, 9 2, ..., 9 n des ersten Innenleiters 8 1, 8 2, ..., 8 n hinein. Der zweite Innenleiter 10 ist allerdings auch hier vom ersten Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n galvanisch getrennt. Der zweite Innenleiter 10 könnte auch ganz allgemein neben dem ersten Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n in der Resonatorkammer 7 1, 7 2, ..., 7 n enden.The housing cover 3 includes at least a second inner conductor 10 that with the housing cover 3 is electrically connected and in the axial direction of the housing cover 3 in the direction of the housing bottom 4 extends. The at least one second inner conductor 10 ends at a distance from the caseback 4 and / or is from the housing bottom 4 galvanically isolated. In the embodiment of 1 extends the second inner conductor 10 in the receiving opening 9 1 , 9 2 , ..., 9 n of the first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n inside. The second inner conductor 10 However, here is the first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n galvanically isolated. The second inner conductor 10 could also be quite common next to the first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n in the resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n end.

Die einzelnen Koaxialresonatoren 6 1, 6 2, ..., 6 n sind nur teilweise miteinander gekoppelt. Eine Kopplung findet hauptsächlich zwischen den benachbarten Koaxialresonatoren 6 1, 6 2, ..., 6 n statt. Die Höhe der Kopplung kann durch Öffnungen 11 in dem Trennsteg 12, sowie beispielsweise über elektrisch leitende Elemente, welche vom Gehäuseboden 4 und den Trennstegen 12 galvanisch getrennt sind (nicht dargestellt), beeinflusst werden.The individual coaxial resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n are only partially coupled with each other. A coupling mainly occurs between the adjacent coaxial resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n instead. The height of the coupling can be through openings 11 in the divider 12 , as well as, for example via electrically conductive elements, which from the housing bottom 4 and the dividers 12 are electrically isolated (not shown), are affected.

Neben Trennstegen 12 gibt es auch sogenannte Koppelstege, die in 1 nicht dargestellt sind. Diese erstrecken sich vom Gehäuseboden 4 teilweise in Richtung des Gehäusedeckels 3 und verbinden zwei Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n galvanisch miteinander. Hierbei handelt es sich um eine überwiegend induktive Kopplung, weil diese Koppelstege die ersten Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n in Gehäusebodennähe 4 miteinander verbinden.In addition to dividers 12 There are also so-called coupling webs, which in 1 are not shown. These extend from the housing bottom 4 partly in the direction of the housing cover 3 and connect two inner conductors 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n galvanic with each other. This is a predominantly inductive coupling, because these coupling webs, the first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n near the housing 4 connect with each other.

Das Hochfrequenzfilter 1, insbesondere der Gehäusekörper 2, besteht vorzugsweise aus Aluminium oder Messing oder einem anderen Metall. Das Metall ist beispielsweise mit Silber galvanisiert. Der Gehäusekörper 2 wird vorzugsweise in einem Gießverfahren hergestellt. Dabei wird flüssiges Metall unter Druck in eine Gießform eingepresst. Das Hochfrequenzfilter 1 soll auch für hohe Frequenzen (> 1 GHz) eingesetzt werden. Daher führen bereits kleinste Abweichungen der tatsächlichen Form von der gewünschten Form dazu, dass das Hochfrequenzfilter 1 verstimmt ist und nachträglich abgestimmt werden muss. Eine solche Abstimmung gelingt insbesondere dadurch, dass Abstimmelemente unterschiedlich weit in die einzelnen Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n eingeführt werden. Wie später noch erläutert wird, kann mit der erfindungsgemäßen Auswahl von Gehäusekörper 2 und Gehäusedeckel 3 auf diese Abstimmelemente teilweise verzichtet werden.The high frequency filter 1 , in particular the housing body 2 , is preferably made of aluminum or brass or another metal. The metal is, for example, galvanized with silver. Of the housing body 2 is preferably produced in a casting process. In this case, liquid metal is pressed under pressure into a casting mold. The high frequency filter 1 should also be used for high frequencies (> 1 GHz). Therefore, even the smallest deviations of the actual shape from the desired shape lead to the high-frequency filter 1 is disgruntled and must be reconciled later. Such a vote succeeds in particular in that tuning elements different distances in the individual resonator 7 1 , 7 2 , ..., 7 n be introduced. As will be explained later, with the inventive selection of housing body 2 and housing cover 3 be partially dispensed with these tuning elements.

2 zeigt den optimalen Verlauf einer frequenzabhängigen Durchlasskurve 17 (frequenzabhängige Referenz-Durchlasskurve) eines Hochfrequenzfilters und Abweichungen 17', 17'' davon, die dadurch entstehen, dass der Gehäusekörper 2 und der Gehäusedeckel 3 Herstellungstoleranzen aufweisen und nicht aufeinander abgestimmt sind. Das Hochfrequenzfilter 1 besitzt einen Sperrbereich 15, der sich hier im Frequenzbereich von 1,92 GHz bis 1,98 GHz erstreckt. In diesem Frequenzbereich muss das Hochfrequenzfilter 1 eine Dämpfung aufweisen, die größer als 60 dB ist. Das Hochfrequenzfilter 1 umfasst außerdem einen Durchlassbereich 16, der hier im Frequenzbereich von 2,11 GHz bis 2,17 GHz liegt. In diesem Durchlassbereich 16 soll das Hochfrequenzfilter 1 eine möglichst geringe Dämpfung aufweisen. Es ist natürlich auch möglich, dass das Hochfrequenzfilter 1 in anderen Frequenzbereichen eingesetzt wird. 2 shows the optimal course of a frequency-dependent transmission curve 17 (Frequency-dependent reference transmission curve) of a high-frequency filter and deviations 17 ' . 17 '' of which, arising from the fact that the housing body 2 and the housing cover 3 Have manufacturing tolerances and are not matched. The high frequency filter 1 has a restricted area 15 , which extends here in the frequency range from 1.92 GHz to 1.98 GHz. In this frequency range must be the high frequency filter 1 have an attenuation greater than 60 dB. The high frequency filter 1 also includes a pass band 16 , which lies in the frequency range from 2.11 GHz to 2.17 GHz. In this passband 16 should the high frequency filter 1 have the lowest possible attenuation. Of course it is also possible that the high frequency filter 1 used in other frequency ranges.

Aufgrund von Herstellungstoleranzen gibt es Abweichungen zu einem idealen Hochfrequenzfilter 1. Die frequenzabhängige Referenz-Durchlasskurve 17 eines idealen Hochfrequenzfilters 1 wird durch die durchgezogene Kennlinie beschrieben. Gepunktet und gestrichelt dargestellt sind mögliche Verläufe der frequenzabhängigen Durchlasskurve 17', 17''. Diese spiegeln die vorzugsweisen maximalen Abweichungen zu der Referenz-Durchlasskurve 17 wieder. Bei den frequenzabhängigen (Referenz-)Durchlasskurven 17, 17', 17'' handelt es sich in diesem Ausführungsbeispiel um den Vorwärtstransmissionsfaktor S21 des Hochfrequenzfilters 1. Problematisch sind diese Abweichungen insbesondere im Durchlassbereich 16. Hier können höhere Dämpfungen dazu führen, dass das hergestellte Hochfrequenzfilter 1 nicht gemäß seinen Spezifikationen arbeitet.Due to manufacturing tolerances, there are deviations from an ideal high frequency filter 1 , The frequency-dependent reference transmission curve 17 an ideal high frequency filter 1 is described by the solid curve. Spotted and dashed are possible gradients of the frequency-dependent transmission curve 17 ' . 17 '' , These reflect the preferred maximum deviations from the reference transmission curve 17 again. For the frequency-dependent (reference) transmission curves 17 . 17 ' . 17 '' In this embodiment, this is the forward transmission factor S 21 of the high-frequency filter 1 , These deviations are problematic, especially in the passband 16 , Here, higher attenuations can cause the manufactured high-frequency filter 1 does not work according to its specifications.

Dieses Problem kann auch im Sperrbereich 15 auftreten. Die 3A und 3B zeigen hier eine vergrößerte Darstellung aus 2. 3A zeigt eine vergrößerte Darstellung des Durchlassbereichs 16, wohingegen 3B eine vergrößerte Darstellung des Sperrbereichs 15 zeigt. Im Herstellungsverfahren können Hochfrequenzfilter 1 geschaffen werden, deren frequenzabhängige Durchlasskurve entweder der frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve 17 entspricht oder von diesem Verlauf abweicht und die gepunkteten oder gestrichelten Verläufe 17', 17'' aus 3A annimmt. Diese Verläufe 17', 17'' sollen allerdings vermieden werden. In der hier vorliegenden Erfindung werden daher Möglichkeiten aufgezeigt, mit denen der gepunktete oder der gestrichelte Verlauf der frequenzabhängigen Durchlasskurve 17', 17'' dem durchgezogenen Verlauf der frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve 17 angepasst werden kann.This problem can also be in the restricted area 15 occur. The 3A and 3B show here an enlarged view 2 , 3A shows an enlarged view of the passband 16 , whereas 3B an enlarged view of the blocking area 15 shows. In the manufacturing process, high frequency filters 1 whose frequency-dependent transmission curve is either the frequency-dependent reference transmission curve 17 corresponds or deviates from this course and the dotted or dashed gradients 17 ' . 17 '' out 3A accepts. These courses 17 ' . 17 '' should be avoided, however. In the present invention, therefore, possibilities are shown with which the dotted or dashed curve of the frequency-dependent transmission curve 17 ' . 17 '' the solid curve of the frequency-dependent reference transmission curve 17 can be adjusted.

Diese Anpassung erfolgt erfindungsgemäß weniger durch Eindrehen von Abstimmelementen in die Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n, sondern vielmehr dadurch, dass einzelne Gehäusekörper 2 mit optimalen Gehäusedeckeln 3 aus einer Gruppe von Gehäusedeckeln vereint werden. In der Erfindung werden daher Wege aufgezeigt, um passende Paare bestehend aus Gehäusekörper 2 und Gehäusedeckel 3 aufzufinden.This adaptation is carried out according to the invention less by screwing tuning elements in the resonator 7 1 , 7 2 , ..., 7 n , but rather in that individual housing body 2 with optimal housing covers 3 be united from a group of housing covers. In the invention, therefore, ways are shown to matching pairs consisting of housing body 2 and housing cover 3 find.

Bei einigen Filtertypen wird sich dabei die Tatsache zunutze gemacht, dass die geometrische Form, insbesondere der zweite Innenleiter 10 des Gehäusedeckels 3, deutlich stärker von der geometrischen Form eines Referenz-Gehäusedeckels 3 abweichen müssen, als dies bei dem Gehäusekörper 2 der Fall ist, um dieselbe Verstimmung erzielen zu können. Dies bedeutet, dass mit üblichen Herstellungsprozessen gezielt Gehäusedeckel 3 hergestellt werden können, die um einen bestimmten Faktor von einem idealen Gehäusedeckel 3, wie er für einen idealen Gehäusekörper 2 verwendet werden würde, abweichen. Diese Gehäusedeckel 3 können bezüglich ihrer Abweichungen besser reproduzierbar hergestellt werden. Es gibt daher eine Gruppe von Gehäusedeckeln 3, die sich insbesondere hinsichtlich ihres zweiten Innenleiters 10 voneinander unterscheiden. Unter einem zweiten Innenleiter 10 sind vorzugsweise alle Gebilde zu verstehen, die sich ausgehend von einer Unterseite 19 des Gehäusedeckels 3 zumindest teilweise in die Resonatorkammer 7 1, 7 2, ..., 7 n hineinerstrecken. Es können auch Strukturen, die zwischen den Resonatoren angeordnet sind, zum Einsatz kommen.In some filter types, the fact is exploited that the geometric shape, in particular the second inner conductor 10 of the housing cover 3 , much stronger from the geometric shape of a reference housing cover 3 must differ than that in the case body 2 the case is to achieve the same detuning. This means that with standard manufacturing processes targeted housing cover 3 can be manufactured by a certain factor of an ideal housing cover 3 as he would for an ideal case body 2 would be used differ. This housing cover 3 can be made more reproducible with respect to their deviations. There is therefore a group of housing covers 3 , in particular with regard to their second inner conductor 10 differ from each other. Under a second inner conductor 10 are preferably all structures to understand, starting from a bottom 19 of the housing cover 3 at least partially into the resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n reach into it . It is also possible to use structures which are arranged between the resonators.

Um festzustellen, welcher Gehäusedeckel 3 auf welchen Gehäusekörper 2 aufgesetzt werden soll, muss die Abweichung des Gehäusekörpers 2 von einem Referenz-Gehäusekörper ermittelt werden.To determine which housing cover 3 on which housing body 2 must be placed, the deviation of the housing body 2 be determined by a reference housing body.

4A schlägt hierzu vor zumindest eine elektrische Eigenschaft des Gehäusekörpers 2 zu messen, um daraus einen Messwert für diese Eigenschaft des Gehäusekörpers 2 zu ermitteln. Bei dieser elektrischen Eigenschaft handelt sich vorzugsweise um einen S-Parameter. Die elektrische Eigenschaft wird vorzugsweise dadurch ermittelt, dass ein Prüfdeckel 20 auf den Gehäusekörper 2 aufgelegt und optional an diesen angepresst wird. Dadurch, dass der Prüfdeckel 20 auf den Gehäusekörper 2 gepresst wird, kann auf eine Schraubverbindung verzichtet werden. Der Prüfdeckel 20 muss also nicht mit dem Gehäusekörper 2 verschraubt werden. Es wird vorzugsweise stets der gleiche Prüfdeckel 20 verwendet, um die unterschiedlichen Gehäusekörper 2 bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften zu vermessen. Der Prüfdeckel 20 weist zumindest einen ersten kapazitiven Koppelstab 21 auf. Dieser ist galvanisch von dem Prüfdeckel 20 getrennt. Der zumindest eine erste kapazitive Koppelstab 21 wird benachbart zu dem zumindest einen ersten Innenleiter 8 1 in die Resonatorkammer 7 1 des zumindest einen Koaxialresonators 6 1 eingeführt. Je näher der kapazitive Koppelstab 21 zu dem zumindest einen ersten Innenleiter 8 1 angeordnet wird, desto genauer aber auch empfindlicher wird die Messung. 4A suggests for this purpose at least one electrical property of the housing body 2 to measure it from a reading for this property of the housing body 2 to investigate. This electrical property is preferably around an S-parameter. The electrical property is preferably determined by a test cover 20 on the housing body 2 placed on and optionally pressed to this. Because of the test cover 20 on the housing body 2 is pressed, can be dispensed with a screw connection. The test cover 20 does not have to be with the case body 2 be screwed. It is preferably always the same test cover 20 used the different case body 2 regarding their electrical properties. The test cover 20 has at least one first capacitive coupling rod 21 on. This is galvanic from the test cover 20 separated. The at least one first capacitive coupling rod 21 becomes adjacent to the at least one first inner conductor 8th 1 in the resonator chamber 7 1 of the at least one coaxial resonator 6 1 introduced. The closer the capacitive coupling rod 21 to the at least one first inner conductor 8th 1 , the more accurate and sensitive the measurement becomes.

In 4A weist der Prüfdeckel 20 noch einen zweiten kapazitiven Koppelstab 22 auf. Dieser ist ebenfalls galvanisch von dem Prüfdeckel 20 getrennt. Der zweite kapazitive Koppelstab 22 ist außerdem räumlich und galvanisch von dem ersten kapazitiven Koppelstab 21 getrennt. Der zweite kapazitive Koppelstab 22 kann in die gleiche Resonatorkammer 7 1, 7 2, ..., 7 n eingeführt werden, in die bereits der erste kapazitive Koppelstab 21 eingeführt ist. Vorzugsweise wird der zweite kapazitive Koppelstab allerdings in eine andere Resonatorkammer eingeführt. Der erste und der zweite Koppelstab 21, 22 befinden sich daher vorzugsweise in unterschiedlichen Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n.In 4A has the test cover 20 a second capacitive coupling rod 22 on. This is also galvanic from the test cover 20 separated. The second capacitive coupling rod 22 is also spatially and galvanically from the first capacitive coupling rod 21 separated. The second capacitive coupling rod 22 can be in the same resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n are already introduced in the already the first capacitive coupling rod 21 is introduced. Preferably, however, the second capacitive coupling rod is introduced into another resonator chamber. The first and the second coupling rod 21 . 22 Therefore, they are preferably in different resonator chambers 7 1 , 7 2 , ..., 7 n .

Für den Fall, dass der erste und der zweite kapazitive Koppelstab 21, 22 in verschiedene Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n eingesetzt werden, können diese Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n benachbart zueinander angeordnet sein. Es kann natürlich auch sein, dass die beiden Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n noch durch zumindest eine weitere Resonatorkammer 7 1, 7 2, ..., 7 n voneinander getrennt sind.In the event that the first and the second capacitive coupling rod 21 . 22 in different resonator chambers 7 1 , 7 2 , ..., 7 n can be used, these resonator chambers 7 1 , 7 2 , ..., 7 n adjacent to each other. Of course, it can also be that the two resonator chambers 7 1 , 7 2 , ..., 7 n still by at least one other resonator 7 1 , 7 2 , ..., 7 n are separated from each other.

In einem anderen Ausführungsbeispiel wird der erste kapazitive Koppelstab 21 in die Resonatorkammer 7 1 eingeführt, die am Anfang eines Filterpfads des Gehäusekörpers 2 angeordnet ist. Im Gegensatz dazu wird der zweite kapazitive Koppelstab 22 in die Resonatorkammer 7 n eingeführt, die am Ende des Filterpfads angeordnet ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann dies allerdings auch anders sein.In another embodiment, the first capacitive coupling bar 21 into the resonator chamber 7 1 introduced at the beginning of a filter path of the housing body 2 is arranged. In contrast, the second capacitive coupling bar 22 into the resonator chamber 7 n introduced at the end of the filter path. In other embodiments, however, this can also be different.

So wäre es auch möglich, dass der Prüfdeckel 20 vorzugsweise so viele kapazitive Koppelstäbe 21, 22 aufweist, wie es Koaxialresonatoren 6 1, 6 2, ..., 6 n gibt, wobei zumindest ein kapazitiver Koppelstab 21, 22 in jeden der Koaxialresonatoren 6 1, 6 2, ..., 6 n eingeführt wird.So it would also be possible for the test cover 20 preferably so many capacitive coupling rods 21 . 22 has, as it coaxial resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n , where at least one capacitive coupling bar 21 . 22 in each of the coaxial resonators 6 1 , 6 2 , ..., 6 n is introduced.

Die kapazitiven Koppelstäbe 21, 22 sind mit je einem Eingang eines Netzwerkanalysators 23, insbesondere eines vektoriellen Netzwerkanalysators 23 verbunden. Der Netzwerkanalysator 23 ermittelt dann den zumindest einen S-Parameter. Vorzugsweise wird der Vorwärts- bzw. Rückwärtstransmissionsfaktor zwischen zwei Resonatorkammern 7 1, 7 2, ..., 7 n ermittelt.The capacitive coupling rods 21 . 22 are each with one input of a network analyzer 23 , in particular a vectorial network analyzer 23 connected. The network analyzer 23 then determines the at least one S parameter. Preferably, the forward or reverse transmission factor becomes between two resonator chambers 7 1 , 7 2 , ..., 7 n determined.

In 4A wird der zumindest eine kapazitive Koppelstab 21 durch eine Öffnung 24 in dem Prüfdeckel 20 in die Resonatorkammer 7 1 des zumindest einen Koaxialresonators 6 1 eingeführt. Gleiches gilt auch für den zweiten kapazitiven Koppelstab 22. Dieser wird ebenfalls durch eine Öffnung 24 in dem Prüfdeckel 20 in die weitere Resonatorkammer 7 2 des zumindest einen weiteren Koaxialresonators 6 2 eingeführt. Es ist allerdings auch möglich, dass auf eine solche Öffnung 24 verzichtet wird. Die kapazitiven Koppelstäbe 21, 22 würden dann von einer Innenfläche 19 des Prüfdeckels 20 in Richtung der jeweiligen Resonatorkammer 7 1, 7 2, ..., 7 n abstehen. Einzig die Messkabel müssten durch eine Öffnung im Prüfdeckel 20 oder im Gehäusekörper 2 zum Netzwerkanalysator 23 geführt werden.In 4A becomes the at least one capacitive coupling rod 21 through an opening 24 in the test lid 20 into the resonator chamber 7 1 of the at least one coaxial resonator 6 1 introduced. The same applies to the second capacitive coupling rod 22 , This is also through an opening 24 in the test lid 20 into the further resonator chamber 7 2 of the at least one further coaxial resonator 6 2 introduced. However, it is also possible that on such an opening 24 is waived. The capacitive coupling rods 21 . 22 then would from an inner surface 19 the test cover 20 in the direction of the respective resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n stand out. Only the measuring cables would have to pass through an opening in the test cover 20 or in the housing body 2 to the network analyzer 23 be guided.

Bei Einsatz eines Prüfdeckels 20 sollten sich die einzelnen kapazitiven Koppelstäbe 21, 22 vorzugsweise nicht gegeneinander verschieben, insbesondere bei Messung von unterschiedlichen Gehäusekörpern 2. Die kapazitiven Koppelstäbe 21, 22 sollten bei der Messung von unterschiedlichen Gehäusekörpern 2 jeweils an der gleichen Stelle und gleich weit in die jeweilige Resonatorkammer 7 1, 7 2, ..., 7 n eingebracht werden.When using a test cover 20 should be the individual capacitive coupling rods 21 . 22 preferably do not move against each other, especially when measuring different housing bodies 2 , The capacitive coupling rods 21 . 22 should be used when measuring different housing bodies 2 in each case at the same place and equally far into the respective resonator chamber 7 1 , 7 2 , ..., 7 n be introduced.

In 4B und 4C werden weitere Möglichkeiten aufgezeigt, mit denen ermittelt werden kann, wie groß die Abweichung eines Gehäusekörpers 2 von einem Referenz-Gehäusekörper ist. In 4B wird eine geometrische Eigenschaft des Gehäusekörpers 2 ermittelt. Bei dieser geometrischen Eigenschaft handelt es sich um die Höhe eines Koppelstegs. In 4C handelt es sich bei der geometrischen Eigenschaft um den Durchmesser und/oder die Höhe von zumindest einem ersten Innenleiter 8 1, 8 2, ..., 8 n. Die geometrischen Eigenschaften werden hier mit mechanischen Werkzeugen ermittelt. Sie könnten allerdings auch berührungslos, beispielsweise mittels eines Lasers ermittelt werden.In 4B and 4C further possibilities are shown with which it can be determined how large the deviation of a housing body 2 from a reference housing body. In 4B becomes a geometric property of the case body 2 determined. This geometric property is the height of a coupling web. In 4C the geometric property is the diameter and / or the height of at least one first inner conductor 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n . The geometric properties are determined here with mechanical tools. However, they could also be determined without contact, for example by means of a laser.

Wie später noch erläutert wird, kann anhand der Messwerte, die zumindest eine Eigenschaft des Gehäusekörpers 2 beschreiben, festgestellt werden, wie groß die Messwertabweichungen zwischen dem Gehäusekörper 2 und einem Referenz-Gehäusekörper sind. Anhand der Höhe der Messwertabweichung der Messwerte von einem Referenzwert, können diese Messwertabweichungen durch Auswahl eines passenden Gehäusedeckels 3 aus einer Gruppe von zumindest zwei Gehäusedeckeln 3, die vorzugsweise unterschiedliche zweite Innenleiter 10 aufweisen, verringert, oder gar kompensiert werden. Dies bedeutet, dass bei einer Kombination des Gehäusekörpers 2 mit dem ausgewählten Gehäusedeckel 3 eine frequenzabhängige Durchlasskurve des daraus gebildeten Hochfrequenzfilters 1 einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve 17 näher oder am nächsten kommt. Die frequenzabhängige Referenz-Durchlasskurve 17 wurde in 2 gezeigt.As will be explained later, based on the measured values, the at least one property of the housing body 2 describe how large the measured value deviations between the housing body 2 and a reference housing body. Based on the height of the measured value deviation the measured values of a reference value, these measured value deviations can be selected by selecting a suitable housing cover 3 from a group of at least two housing covers 3 , preferably different second inner conductors 10 have, be reduced, or even compensated. This means that when combining the case body 2 with the selected housing cover 3 a frequency-dependent transmission curve of the high-frequency filter formed therefrom 1 a frequency-dependent reference transmission curve 17 closer or closest comes. The frequency-dependent reference transmission curve 17 was in 2 shown.

In 5 ist ein Flussdiagramm dargestellt, welches erläutert, wie die Auswahl von Gehäusekörper 2 und passendem Gehäusedeckel 3 erfolgt. Das Flussdiagramm findet dann Anwendung, wenn über das in 4A dargestellte Messverfahren eine elektrische Eigenschaft des Gehäusekörpers 2 bestimmt wird. In einem ersten Verfahrensschritt S1 wird auf den zu vermessenden Gehäusekörper 2 ein Prüfdeckel 20 aufgesetzt. Der Prüfdeckel 20 wird dabei vorzugsweise auf den Gehäusekörper 2 aufgepresst. Der Prüfdeckel 20 umfasst zumindest einen kapazitiven Koppelstab 21, 22.In 5 a flow chart is shown, which explains how the selection of housing body 2 and matching housing cover 3 he follows. The flowchart then applies when using the in 4A measuring method shown an electrical property of the housing body 2 is determined. In a first method step S 1 is on the housing body to be measured 2 a test lid 20 placed. The test cover 20 is preferably on the housing body 2 pressed. The test cover 20 comprises at least one capacitive coupling rod 21 . 22 ,

Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S2 ausgeführt. In dem Verfahrensschritt S2 wird die elektrische Eigenschaft des Gehäusekörpers 2 gemessen. Bei dieser handelt es sich in diesem Fall um zumindest einen S-Parameter. Vorzugsweise handelt es sich um den Vorwärts- bzw. Rückwärtstransmissionsfaktor. Bei diesem S-Parameter handelt es sich um die frequenzabhängige Durchlasskurve.Subsequently, the method step S 2 is carried out. In the method step S 2 , the electrical property of the housing body 2 measured. This is at least an S parameter in this case. Preferably, it is the forward or reverse transmission factor. This S parameter is the frequency-dependent transmission curve.

Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S3 ausgeführt. In dem Verfahrensschritt S3 werden nur bestimmte Frequenzbereiche des zumindest einen S-Parameters untersucht. Es findet eine sogenannte Merkmalsextraktion bzw. Merkmalsreduktion statt. Dabei wird der zumindest eine Messwert aus den S-Parametern extrahiert. Der zumindest eine Messwert korreliert beispielsweise zur Bandbreite bzw. zur Mittenfrequenz des S-Parameters im Durchlassbereich 16 und/oder im Sperrbereich 15. Der zumindest eine Messwert liegt daher vorzugsweise im Frequenzbereich des Durchlassbereichs 16 und/oder des Sperrbereichs 15 des Hochfrequenzfilters 1. Er kann auch zur oberen bzw. unteren Grenzfrequenz des Durchlassbereichs 16 bzw. des Sperrbereichs 15 korrelieren. Bei dem zumindest einen Messwert handelt es sich vorzugsweise um die frequenzabhängige Durchlasskurve, bzw. einen Teil von dieser. Unter der frequenzabhängigen Durchlasskurve ist vorzugsweise der Verlauf des Vorwärts- bzw. Rückwärtstransmissionsfaktor zu verstehen. Diese frequenzabhängige Durchlasskurve weicht natürlich von einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve 17, 18 ab, weil der Prüfdeckel 20 nicht mit einem richtigen Gehäusedeckel 3 verglichen werden kann.Following this, method step S 3 is carried out. In method step S 3 , only certain frequency ranges of the at least one S parameter are examined. There is a so-called feature extraction or feature reduction. In this case, the at least one measured value is extracted from the S parameters. The at least one measured value correlates, for example, to the bandwidth or to the center frequency of the S parameter in the passband 16 and / or in the restricted area 15 , The at least one measured value is therefore preferably in the frequency range of the passband 16 and / or the blocking area 15 the high frequency filter 1 , It can also be at the upper or lower limit frequency of the passband 16 or the blocking area 15 correlate. The at least one measured value is preferably the frequency-dependent transmission curve or a part thereof. The frequency-dependent transmission curve is preferably to be understood as the course of the forward or backward transmission factor. Of course, this frequency-dependent transmission curve deviates from a frequency-dependent reference transmission curve 17 . 18 because of the test cover 20 not with a proper housing cover 3 can be compared.

Die frequenzabhängige Referenz-Durchlasskurve 17, 18 kann dadurch gewonnen werden, dass ein Referenz-Gehäusekörper mit einem Referenzdeckel versehen wird. Eine solche Referenz-Durchlasskurve 17 wäre dann in 6 zu sehen. Sie kann allerdings auch dadurch gewonnen werden, dass ein Referenz-Gehäusekörper mit dem Prüfdeckel 20 versehen wird. Eine solche Referenz-Durchlasskurve 18 wäre dann in 7 zu sehen. Diese Referenz-Durchlasskurven 17, 18 stellen dann einen Referenzwert dar, mit dem der zumindest eine Messwert verglichen wird bzw. aus diesen Referenz-Durchlasskurven 17, 18 wird ein Referenzwert erzeugt, mit dem der zumindest eine Messwert verglichen wird. Wenn der zumindest eine Messwert beispielswiese zur Mittenfrequenz korreliert, dann stellt der Referenzwert die Mittenfrequenz dar. Beide Werte beschreiben daher dieselbe physikalische Größe.The frequency-dependent reference transmission curve 17 . 18 can be obtained by providing a reference housing body with a reference cover. Such a reference transmission curve 17 would be in 6 to see. However, it can also be obtained by having a reference housing body with the test cover 20 is provided. Such a reference transmission curve 18 would be in 7 to see. These reference transmission curves 17 . 18 then represent a reference value, with which the at least one measured value is compared or from these reference transmission curves 17 . 18 a reference value is generated with which the at least one measured value is compared. If the at least one measured value correlates, for example, with the center frequency, then the reference value represents the center frequency. Both values therefore describe the same physical quantity.

Der Verfahrensschritt S3 ist als optional anzusehen. Es kann auch die gesamte frequenzabhängige Durchlasskurve verarbeitet werden.The method step S 3 is to be regarded as optional. It is also possible to process the entire frequency-dependent transmission curve.

Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S4 ausgeführt. In dem Verfahrensschritt S4 wird festgestellt, wie groß eine Messwertabweichung des zumindest einen Messwerts für die gemessene Eigenschaft des Gehäusekörpers 2 von einem Referenzwert eines Referenz-Gehäusekörpers ist. Beispielsweise kann überprüft werden, ob der zumindest eine Messwert, der beispielsweise mit der die Mittenfrequenz im Durchlassbereich 16 für den zu überprüfenden Gehäusekörper 2 korreliert in etwa der Mittenfrequenz entspricht, wie diese im Durchlassbereich 16 eines Referenz-Gehäusekörpers vorliegt.Subsequently, method step S 4 is carried out. In method step S 4 , it is determined how large a measured value deviation of the at least one measured value for the measured characteristic of the housing body 2 from a reference value of a reference case body. For example, it can be checked whether the at least one measured value, for example, with the center frequency in the passband 16 for the housing body to be checked 2 correlates approximately with the center frequency, as in the passband 16 a reference housing body is present.

Im Anschluss daran wird der Verfahrensschritt S5 ausgeführt. Im Verfahrensschritt S5 wird ein entsprechender Gehäusedeckel 3 aus einer Gruppe von zumindest zwei Gehäusedeckeln 3 ausgewählt bzw. verwendet. Die Auswahl erfolgt danach, wie groß die Messwertabweichungen des Messwerts sind. Für den Fall, dass der zumindest eine Messwert zu der Mittenfrequenz des zu vermessenden Gehäusekörpers 2 korreliert, unterhalb einer Mittenfrequenz eines Referenz-Gehäusekörpers liegt, muss ein Gehäusedeckel 3 ausgewählt werden, dessen zweiter Innenleiter 10 kürzer ist, als der zweite Innenleiter 10 eines Gehäusedeckels 3, der mit dem Referenz-Gehäusekörper verbunden werden würde. Im Gegensatz dazu muss für den Fall, dass der zumindest eine Messwert, der zu der Mittenfrequenz des zu vermessenden Gehäusekörpers 2 korreliert, oberhalb einer Mittenfrequenz des Referenz-Gehäusekörpers liegt, ein Gehäusedeckel 3 ausgewählt werden, dessen zweiter Innenleiter 10 länger ist als der zweite Innenleiter 10 eines Gehäusedeckels 3, der mit dem Referenz-Gehäusekörper verbunden werden würde. Dadurch können Toleranzen im Herstellungsprozess des Gehäusekörpers 2 kompensiert werden.Subsequently, the method step S 5 is carried out. In method step S 5 , a corresponding housing cover 3 from a group of at least two housing covers 3 selected or used. The selection is made according to how large the measured value deviations of the measured value are. In the event that the at least one measured value to the center frequency of the housing body to be measured 2 correlated, is below a center frequency of a reference housing body, a housing cover must 3 be selected, the second inner conductor 10 shorter than the second inner conductor 10 a housing cover 3 which would be connected to the reference housing body. In contrast, in the event that the at least one measured value, which is at the center frequency of the housing body to be measured 2 correlated, is above a center frequency of the reference housing body, a housing cover 3 be selected, the second inner conductor 10 is longer than the second inner conductor 10 a housing cover 3 which would be connected to the reference housing body. This allows tolerances in the manufacturing process of the housing body 2 be compensated.

Falls der Messwert zu der Bandbreite und/oder der Mittenfrequenz und/oder der unteren bzw. oberen Grenzfrequenz des Gehäusekörpers 2 korreliert gibt es unterschiedliche Möglichkeiten, wie der Gehäusedeckel 3 für den zu untersuchenden Gehäusekörper 2 ausgewählt wird:

  • a) der Gehäusekörper 2, für den der Messwert größer ist als der Referenzwert, wird mit einem Gehäusedeckel 3 zusammengefügt, der einen größeren und/oder längeren und/oder dickeren zweiten Innenleiter 10 aufweist als der Gehäusedeckel 3, der mit einem Gehäusekörper 2 zusammengefügt werden würde, dessen Messwert dem Referenzwert entspricht; oder
  • b) der Gehäusekörper 2, für den der Messwert kleiner ist als der Referenzwert, wird mit einem Gehäusedeckel 3 zusammengefügt, der einen kleineren und/oder kürzeren und/oder dünneren zweiten Innenleiter 10 aufweist als der Gehäusedeckel 3, der mit einem Gehäusekörper 2 zusammengefügt werden würde, dessen Messwert dem Referenzwert entspricht.
If the measured value to the bandwidth and / or the center frequency and / or the lower or upper limit frequency of the housing body 2 correlated there are different ways, such as the housing cover 3 for the housing body to be examined 2 is selected:
  • a) the housing body 2 , for which the measured value is greater than the reference value, comes with a housing cover 3 joined, the one larger and / or longer and / or thicker second inner conductor 10 has as the housing cover 3 that with a housing body 2 would be joined, whose measured value corresponds to the reference value; or
  • b) the housing body 2 , for which the measured value is smaller than the reference value, comes with a housing cover 3 joined, the one smaller and / or shorter and / or thinner second inner conductor 10 has as the housing cover 3 that with a housing body 2 would be joined together whose measured value corresponds to the reference value.

Anhand der Höhe der Abweichung des zumindest einen Messwerts von dem Referenzwert kann ein Gehäusedeckel 3 ausgewählt werden, dessen zweiter Innenleiter 10 um eine vorbestimmte Länge und/oder Breite (also Form) von dem zweiten Innenleiter 10 eines Referenzgehäusedeckels abweicht. Falls es eine solche Beschaffenheit der zweiten Innenleiter 10 bei den zur Auswahl stehenden Gehäusedeckeln 3 nicht gibt, dann wird der Gehäusedeckel 3 ausgewählt, dessen zweite Innenleiter 10 der gewünschten Länge und/oder Breite (also Form) am nächsten kommen.On the basis of the amount of deviation of the at least one measured value from the reference value, a housing cover 3 be selected, the second inner conductor 10 by a predetermined length and / or width (ie shape) of the second inner conductor 10 of a reference housing cover deviates. If such a condition of the second inner conductor 10 with the available housing covers 3 does not exist, then the housing cover 3 selected, the second inner conductor 10 the closest to the desired length and / or width (ie shape) come closest.

6 zeigt zwei verschiedene frequenzabhängige Durchlasskurven 17, 18 eines Hochfrequenzfilters 1, wobei das Hochfrequenzfilter 1 einmal mit einem normalen Gehäusedeckel 3 und einmal mit einem Prüfdeckel 20 verschlossen ist. Gestrichelt dargestellt ist die frequenzabhängige Referenz-Durchlasskurve 17. Diese Kurve wird dann erzielt, wenn ein Referenz-Gehäusekörper mit einem passenden Gehäusedeckel 3 abgeschlossen ist. Mit einer durchgezogenen Linie ist eine frequenzabhängige Durchlasskurve 18 dargestellt, die sich bei Messung des Vorwärtstransmissionsfaktors des Gehäusekörpers 2 mit dem Prüfdeckel 20 ergibt. Die Charakteristik dieser frequenzabhängigen Durchlasskurve korreliert nur noch lose mit der der Referenz-Durchlasskurve, was daran liegt, dass die Kombination aus Gehäusekörper 2, Prüfdeckel 20 und Koppelstäben 21, 22 kein vollständiges Hochfrequenzfilter ergibt. Die frequenzabhängige Durchlasskurve 18 gibt allerdings Aufschluss über die erzielbare Bandbreite und die Mittenfrequenz. Die erzielbare Bandbreite muss einem zuvor festgelegten Referenzwert entsprechen. Die Mittenfrequenz muss einem zuvor festgelegten Referenzwert entsprechen. Abweichungen hiervon können durch Auswahl eines geeigneten Gehäusedeckels 3 kompensiert werden. 6 shows two different frequency-dependent transmission curves 17 . 18 a high frequency filter 1 , where the high frequency filter 1 once with a normal housing cover 3 and once with a test cover 20 is closed. Dashed lines show the frequency-dependent reference transmission curve 17 , This curve is achieved when a reference housing body with a matching housing cover 3 is completed. With a solid line is a frequency-dependent transmission curve 18 shown in measuring the forward transmission factor of the housing body 2 with the test cover 20 results. The characteristic of this frequency-dependent transmission curve correlates only loosely with that of the reference transmission curve, which is due to the fact that the combination of housing body 2 , Test cover 20 and coupling rods 21 . 22 does not yield a complete high frequency filter. The frequency-dependent transmission curve 18 However, information about the achievable bandwidth and the center frequency. The achievable bandwidth must correspond to a predetermined reference value. The center frequency must correspond to a previously set reference value. Deviations from this can be achieved by selecting a suitable housing cover 3 be compensated.

7 zeigt den optimalen Verlauf einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve 18 eines Hochfrequenzfilters 1, das mit einem Prüfdeckel 20 verschlossen ist und (Messwert-)Abweichungen davon, die dadurch entstehen, dass der Gehäusekörper 2 Herstellungstoleranzen aufweist. Je nachdem, wie stark der Gehäusekörper 2 von einem Referenz-Gehäusekörper abweicht wird bei Auflegen des Prüfdeckels 20 der gepunktete oder der gestrichelte Verlauf der frequenzabhängigen Durchlasskurve 18', 18'' gemessen. Dieser weicht von dem idealen Verlauf 18, welcher in 7 mit einer durchgezogenen Linie eingezeichnet ist, ab. Diese Messwertabweichung, welche in 8 vergrößert dargestellt ist, kann durch Auswahl eines geeigneten Gehäusedeckels 3 kompensiert werden. Der zumindest eine Messwert wird mit einem Referenzwert verglichen. Der Referenzwert ergibt sich aus dem Verlauf der Kurve 18 mit der durchgezogenen Linie. 7 shows the optimal course of a frequency-dependent reference transmission curve 18 a high frequency filter 1 that with a test lid 20 is closed and (measured) deviations thereof, which arise because of the housing body 2 Having manufacturing tolerances. Depending on how strong the case body 2 is deviated from a reference housing body when placing the test cover 20 the dotted or dashed curve of the frequency-dependent transmission curve 18 ' . 18 '' measured. This deviates from the ideal course 18 which is in 7 marked with a solid line, from. This measurement deviation, which in 8th shown enlarged, can by selecting a suitable housing cover 3 be compensated. The at least one measured value is compared with a reference value. The reference value results from the course of the curve 18 with the solid line.

9 zeigt den Gehäusekörper 2 und eine Gruppe von Gehäusedeckeln 3. Die Gruppe besteht in diesem Ausführungsbeispiel aus drei verschiedenen Gehäusedeckeln 3. Diese unterscheiden sich in der Länge ihrer zweiten Innenleiter 10. Je nachdem, wie stark die gemessene frequenzabhängige Durchlasskurve oder Teile der frequenzabhängigen Durchlasskurve von einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve 17, 18 abweichen, wird einer der drei oben ausgeführten Gehäusedeckel 3 mit dem Gehäusekörper 2 verbunden. 9 shows the housing body 2 and a group of housing covers 3 , The group consists in this embodiment of three different housing covers 3 , These differ in the length of their second inner conductor 10 , Depending on how strong the measured frequency-dependent transmission curve or parts of the frequency-dependent transmission curve are from a frequency-dependent reference transmission curve 17 . 18 will deviate from one of the three housing covers listed above 3 with the housing body 2 connected.

Die Auswahl des passenden Gehäusedeckels 3 aus einer Gruppe von zumindest zwei Gehäusedeckeln 3 mit unterschiedlichen zweiten Innenleitern 10 erfolgt derart, dass eine Differenz zwischen einer frequenzabhängigen Durchlasskurve des aus dem Gehäusekörper 2 und dem Gehäusedeckel 3 gebildeten Hochfrequenzfilters 1 und einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve 17, 18 kleiner als ein vorgebbarer Abweichungswert ist.The selection of the appropriate housing cover 3 from a group of at least two housing covers 3 with different second inner conductors 10 takes place such that a difference between a frequency-dependent transmission curve of the housing body 2 and the housing cover 3 formed high-frequency filter 1 and a frequency-dependent reference transmission curve 17 . 18 is smaller than a predefinable deviation value.

Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Andere Messmethoden für die elektrischen und/oder geometrischen Eigenschaften des Gehäusekörpers 2 sind ebenfalls denkbar. Im Rahmen der Erfindung sind alle beschriebenen und/oder gezeichneten Merkmale beliebig miteinander kombinierbar.The invention is not limited to the described embodiments. Other measuring methods for the electrical and / or geometric properties of the housing body 2 are also possible. In the context of the invention, all described and / or drawn features can be combined with each other as desired.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102010056048 A1 [0006, 0007] DE 102010056048 A1 [0006, 0007]

Claims (12)

Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern (1), wobei jedes Hochfrequenzfilter (1) ein Hochfrequenzgehäuse aufweist, das einen Gehäusekörper (2) und einen auf den jeweiligen Gehäusekörper (2) abgestimmten Gehäusedeckel (3) aufweist: – der Gehäusekörper (2) umfasst einen Gehäuseboden (4) und eine zwischen dem Gehäuseboden (4) und dem Gehäusedeckel (3) umlaufende Gehäusewand (5), wodurch der Gehäusedeckel (3) von dem Gehäuseboden (4) des Gehäusekörpers (2) beabstandet ist; – das Hochfrequenzfilter (1) umfasst zumindest einen Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n), der eine Resonatorkammer (7 1, 7 2, ..., 7 n) aufweist; – der zumindest eine Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n) umfasst zumindest einen ersten Innenleiter (8 1, 8 2, ..., 8 n), der in der Resonatorkammer (7 1, 7 2, ..., 7 n) angeordnet ist, wobei der zumindest eine erste Innenleiter (8 1, 8 2, ..., 8 n) mit dem Gehäuseboden (4) galvanisch verbunden ist und sich in axialer Richtung vom Gehäuseboden (4) in Richtung des Gehäusedeckels (3) erstreckt; – der zumindest eine erste Innenleiter (8 1, 8 2, 8 n) endet im Abstand vor dem Gehäusedeckel (3) und/oder ist vom Gehäusedeckel (3) galvanisch getrennt; – der Gehäusedeckel (3) umfasst zumindest einen zweiten Innenleiter (10), der mit dem Gehäusedeckel (3) galvanisch verbunden ist und sich in axialer Richtung vom Gehäusedeckel (3) in Richtung des Gehäusebodens (4) erstreckt; – der zumindest eine zweite Innenleiter (10) endet im Abstand von dem Gehäuseboden (4) und/oder ist von dem Gehäuseboden (4) galvanisch getrennt; wobei zum Auffinden eines passenden Paares bestehend aus Gehäusekörper (2) und Gehäusedeckel (3) die nachfolgenden Verfahrensschritte ausgeführt werden: – Messen (S2) zumindest einer elektrischen und/oder geometrischen Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) und Ermitteln zumindest eines Messwerts für diese Eigenschaft des Gehäusekörpers (2); – Feststellen (S4), wie groß eine Messwertabweichung des Messwerts von einem Referenzwert für diese Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) ist; – Verwenden (S5) eines entsprechenden Gehäusedeckels (3) in Abhängigkeit der Höhe der Messwertabweichung aus einer Gruppe von zumindest zwei Gehäusedeckeln (3) mit unterschiedlichen zweiten Innenleitern (10) derart, dass zur Verringerung der Messwertabweichung das aus dem Gehäusekörper (2) mit dem verwendeten Gehäusedeckel (3) gebildete Hochfrequenzfilter (1) eine frequenzabhängige Durchlasskurve aufweist, die einer frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve (17, 18) näher oder am nächsten kommt.Method for assembling high-frequency filters ( 1 ), each high-frequency filter ( 1 ) has a high-frequency housing which has a housing body ( 2 ) and one on the respective housing body ( 2 ) matched housing cover ( 3 ): - the housing body ( 2 ) comprises a housing bottom ( 4 ) and one between the housing bottom ( 4 ) and the housing cover ( 3 ) circumferential housing wall ( 5 ), whereby the housing cover ( 3 ) from the housing bottom ( 4 ) of the housing body ( 2 ) is spaced; - the high-frequency filter ( 1 ) comprises at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) having a resonator chamber ( 7 1 , 7 2 , ..., 7 n ); - the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) comprises at least a first inner conductor ( 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ) in the resonator chamber ( 7 1 , 7 2 , ..., 7 n ), wherein the at least one first inner conductor ( 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ) with the housing bottom ( 4 ) is electrically connected and in the axial direction of the housing bottom ( 4 ) in the direction of the housing cover ( 3 ) extends; The at least one first inner conductor ( 8th 1 , 8th 2 , 8th n ) ends at a distance in front of the housing cover ( 3 ) and / or is from the housing cover ( 3 ) galvanically isolated; - the housing cover ( 3 ) comprises at least a second inner conductor ( 10 ), which with the housing cover ( 3 ) is electrically connected and in the axial direction of the housing cover ( 3 ) in the direction of the housing bottom ( 4 ) extends; The at least one second inner conductor ( 10 ) ends at a distance from the housing bottom ( 4 ) and / or is from the housing bottom ( 4 ) galvanically isolated; wherein for finding a matching pair consisting of housing body ( 2 ) and housing cover ( 3 ) the following method steps are carried out: measuring (S 2 ) at least one electrical and / or geometric property of the housing body ( 2 ) and determining at least one measured value for this property of the housing body ( 2 ); Determining (S 4 ) how large a measured value deviation of the measured value from a reference value for this property of the housing body ( 2 ); Use (S 5 ) a corresponding housing cover ( 3 ) depending on the height of the measured value deviation from a group of at least two housing covers ( 3 ) with different second inner conductors ( 10 ) such that, in order to reduce the measured value deviation, the signal from the housing body ( 2 ) with the housing cover used ( 3 ) formed high-frequency filter ( 1 ) has a frequency-dependent transmission curve corresponding to a frequency-dependent reference transmission curve ( 17 . 18 ) closer or closest. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgendes Merkmal: – dass im Verfahrensschritt Verwenden (S5) derjenige Gehäusedeckel (3) ausgewählt wird, so dass die frequenzabhängige Durchlasskurve des gebildeten Hochfrequenzfilters der frequenzabhängigen Referenz-Durchlasskurve (17, 18) zumindest im Durchlassbereich (16) und/oder im Sperrbereich (15) näher oder am nächsten kommt.Method for assembling high-frequency filters according to Claim 1, characterized by the following feature: - that in the method step using (S 5 ) the housing cover ( 3 ) is selected so that the frequency-dependent transmission curve of the high-frequency filter formed of the frequency-dependent reference transmission curve ( 17 . 18 ) at least in the passband ( 16 ) and / or in the restricted area ( 15 ) closer or closest. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch folgende Merkmale: – bei der geometrischen Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) handelt es sich um den Durchmesser und/oder die Höhe des zumindest einen ersten Innenleiters (8 1, 8 2, ..., 8 n); und/oder – bei der geometrischen Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) handelt es sich um die Höhe von zumindest einem Koppelsteg und/oder Trennsteg (12), der sich vom Gehäuseboden (4) weg erstreckt und zwei erste Innenleiter (8 1, 8 2, ..., 8 n) von zwei Koaxialresonatoren (6 1, 6 2, ..., 6 n) miteinander verbindet oder voneinander trennt bzw. sich zwischen zwei Koaxialresonatoren befindet; und/oder – bei der elektrischen Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) handelt es sich um zumindest einen S-Parameter.Method for assembling high-frequency filters according to Claim 1 or 2, characterized by the following features: - in the case of the geometric property of the housing body ( 2 ) is the diameter and / or the height of the at least one first inner conductor ( 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ); and / or - in the case of the geometric property of the housing body ( 2 ) is the height of at least one coupling web and / or separating web ( 12 ) extending from the caseback ( 4 ) and two first inner conductors ( 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ) of two coaxial resonators ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) connects to each other or separates from each other or is located between two coaxial resonators; and / or - in the electrical property of the housing body ( 2 ) is at least one S-parameter. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch folgende Merkmale: der Messwert beschreibt eine geometrische Eigenschaft des Gehäusekörpers (2) und: a) der Gehäusekörper (2), für den der Messwert kleiner ist als der Referenzwert, wird mit einem Gehäusedeckel (3) zusammengefügt, der einen größeren und/oder längeren und/oder dickeren zweiten Innenleiter (10) aufweist als der Gehäusedeckel (3), der mit einem Gehäusekörper (2) zusammengefügt werden würde, dessen Messwert dem Referenzwert entspricht; oder b) der Gehäusekörper (2), für den der Messwert größer ist als der Referenzwert, wird mit einem Gehäusedeckel (3) zusammengefügt, der einen kleineren und/oder kürzeren und/oder dünneren zweiten Innenleiter (10) aufweist als der Gehäusedeckel (3), der mit einem Gehäusekörper (2) zusammengefügt werden würde, dessen Messwert dem Referenzwert entspricht.Method for assembling high-frequency filters according to Claim 3, characterized by the following features: the measured value describes a geometric property of the housing body ( 2 ) and: a) the housing body ( 2 ), for which the measured value is smaller than the reference value, is provided with a housing cover ( 3 ), which has a larger and / or longer and / or thicker second inner conductor ( 10 ) than the housing cover ( 3 ), which is connected to a housing body ( 2 ) whose measured value corresponds to the reference value; or b) the housing body ( 2 ) for which the measured value is greater than the reference value, is provided with a housing cover ( 3 ), which has a smaller and / or shorter and / or thinner second inner conductor ( 10 ) than the housing cover ( 3 ), which is connected to a housing body ( 2 ) whose measured value corresponds to the reference value. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Verfahrensschritt Messen (S2) der folgende Verfahrensschritt ausgeführt wird: – Messen zumindest eines S-Parameters; der zumindest eine Messwert wird im Verfahrensschritt Extrahieren (S3) aus dem zumindest einen S-Parameter gewonnen und: a) liegt im Frequenzbereich des Durchlassbereichs (16) und/oder des Sperrbereichs (15) des Hochfrequenzfilters (1); und/oder b) korreliert zur Bandbreite des Durchlassbereichs (16) und/oder des Sperrbereichs (15); und/oder c) korreliert zur Mittenfrequenz des Durchlassbereichs (16) und/oder des Sperrbereichs (15); und/oder d) korreliert zur oberen und/oder unteren Grenzfrequenz des Durchlassbereichs (16) und/oder des Sperrbereichs (15).Method for assembling high-frequency filters according to Claim 3, characterized in that the following method step is carried out in the method step measuring (S 2 ): measuring at least one S parameter; the at least one measured value is obtained in the step Extract (S 3 ) from the at least one S parameter and: a) lies in the frequency range of the passband ( 16 ) and / or the blocking area ( 15 ) of the high-frequency filter ( 1 ); and / or b) correlates to the bandwidth of the passband ( 16 ) and / or the blocking area ( 15 ); and / or c) correlates to the center frequency of the passband ( 16 ) and / or the blocking area ( 15 ); and / or d) correlates to the upper and / or lower limit frequency of the passband ( 16 ) and / or the blocking area ( 15 ). Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Verfahrensschritt Messen (S2) die folgenden Verfahrensschritte ausgeführt werden: – Auflegen (S1) eines Prüfdeckels (20) auf den Gehäusekörper (2) des Hochfrequenzgehäuses; – Anpressen des Prüfdeckels (20) auf den Gehäusekörper (2) des Hochfrequenzgehäuses.Method for assembling high-frequency filters according to one of the preceding claims, characterized in that before the method step measuring (S 2 ) the following method steps are carried out: - placing (S 1 ) a test cover ( 20 ) on the housing body ( 2 ) of the high-frequency housing; - pressing the test cover ( 20 ) on the housing body ( 2 ) of the high-frequency housing. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch folgendes Merkmal: – der Prüfdeckel (20) weist zumindest einen ersten kapazitiven Koppelstab (21) auf, der galvanisch von dem Prüfdeckel (20) getrennt ist und benachbart zu dem zumindest einen ersten Innenleiter (8 1, 8 2, ..., 8 n) in die Resonatorkammer (7 1, 7 2, ..., 7 n) des zumindest einen Koaxialresonators (6 1, 6 2, ..., 6 n) eingeführt wird.Method for assembling high-frequency filters according to Claim 6, characterized by the following feature: - the test cover ( 20 ) has at least one first capacitive coupling rod ( 21 ), which is galvanically isolated from the test cover ( 20 ) is separated and adjacent to the at least one first inner conductor ( 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ) into the resonator chamber ( 7 1 , 7 2 , ..., 7 n ) of the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) is introduced. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch folgende Merkmale: – der Prüfdeckel (20) weist zumindest einen zweiten kapazitiven Koppelstab (22) auf; der zweite kapazitive Koppelstab (22) ist galvanisch von dem Prüfdeckel (20) getrennt; der zweite kapazitive Koppelstab (22) ist räumlich und galvanisch von dem ersten kapazitiven Koppelstab (21) getrennt; – der zweite kapazitive Koppelstab (22) wird benachbart: a) zu dem zumindest einen ersten Innenleiter (8 1, 8 2, ..., 8 n) in die Resonatorkammer (7 1, 7 2, ..., 7 n) des zumindest einen Koaxialresonators (6 1, 6 2, ..., 6 n) eingeführt; oder b) zu einem weiteren ersten Innenleiter (8 1, 8 2, ..., 8 n) in die Resonatorkammer (7 1, 7 2, ..., 7 n) eines weiteren Koaxialresonators (6 1, 6 2, ..., 6 n) eingeführt.Method for assembling high-frequency filters according to Claim 7, characterized by the following features: - the test cover ( 20 ) has at least one second capacitive coupling rod ( 22 ) on; the second capacitive coupling rod ( 22 ) is galvanically isolated from the test cover ( 20 ) separated; the second capacitive coupling rod ( 22 ) is spatially and galvanically from the first capacitive coupling rod ( 21 ) separated; The second capacitive coupling rod ( 22 ) is adjacent to: a) to the at least one first inner conductor ( 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ) into the resonator chamber ( 7 1 , 7 2 , ..., 7 n ) of the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) introduced; or b) to a further first inner conductor ( 8th 1 , 8th 2 , ..., 8th n ) into the resonator chamber ( 7 1 , 7 2 , ..., 7 n ) of another coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ). Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch folgende Merkmale: – der zumindest eine Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n), in den der erste kapazitive Koppelstab (21) eingeführt wird und der weitere Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n), in den der zumindest eine zweite kapazitive Koppelstab (22) eingeführt wird, sind benachbart zueinander angeordnet; oder der zumindest eine Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n), in den der erste kapazitive Koppelstab (21) eingeführt wird und der weitere Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n), in den der zumindest eine zweite kapazitive Koppelstab (22) eingeführt wird, sind durch zumindest einen weiteren Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n) voneinander getrennt; und/oder – der zumindest eine Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n), in den der erste kapazitive Koppelstab (21) eingeführt wird, ist am Anfang eines Filterpfads des Gehäusekörpers (2) angeordnet und der weitere Koaxialresonator (6 1, 6 2, ..., 6 n), in den der zumindest eine zweite kapazitive Koppelstab (22) eingeführt wird, ist am Ende des Filterpfads angeordnet.Method for assembling high-frequency filters according to Claim 8, characterized by the following features: - the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) into which the first capacitive coupling rod ( 21 ) and the further coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) into which the at least one second capacitive coupling rod ( 22 ) are arranged adjacent to each other; or the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) into which the first capacitive coupling rod ( 21 ) and the further coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) into which the at least one second capacitive coupling rod ( 22 ) are introduced by at least one further coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) are separated from each other; and / or - the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) into which the first capacitive coupling rod ( 21 ) is at the beginning of a filter path of the housing body ( 2 ) and the further coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) into which the at least one second capacitive coupling rod ( 22 ) is placed at the end of the filter path. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach Anspruch 8 oder 9, gekennzeichnet durch folgendes Merkmal: – der Prüfdeckel (20) weist zumindest so viele kapazitive Koppelstäbe (21, 22) auf, wie es Koaxialresonatoren (6 1, 6 2, ..., 6 n) gibt, wobei zumindest ein kapazitiver Koppelstab (21, 22) in jeden der Koaxialresonatoren (6 1, 6 2, ..., 6 n) eingeführt wird.Method for assembling high-frequency filters according to Claim 8 or 9, characterized by the following feature: - the test cover ( 20 ) has at least as many capacitive coupling rods ( 21 . 22 ) on how it coaxial resonators ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ), wherein at least one capacitive coupling rod ( 21 . 22 ) in each of the coaxial resonators ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) is introduced. Verfahren zum Zusammenstellen von Hochfrequenzfiltern nach einem der Ansprüche 6 bis 10, gekennzeichnet durch folgendes Merkmal: – der zumindest eine erste kapazitive Koppelstab (21) wird durch eine Öffnung (24) in dem Prüfdeckel (20) in die Resonatorkammer (7 1, 7 2, ..., 7 n) des zumindest einen Koaxialresonators (6 1, 6 2, ..., 6 n) eingeführt; und/oder – der zumindest eine erste kapazitive Koppelstab (21) steht um einen vorbestimmten Abstand von einer Innenfläche (19) des Prüfdeckels (20) in Richtung der Resonatorkammer (7 1, 7 2, ..., 7 n) des zumindest einen Koaxialresonators (6 1, 6 2, ..., 6 n) hin ab.Method for assembling high-frequency filters according to one of Claims 6 to 10, characterized by the following feature: - the at least one first capacitive coupling rod ( 21 ) is passed through an opening ( 24 ) in the test lid ( 20 ) in the resonator chamber ( 7 1 , 7 2 , ..., 7 n ) of the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) introduced; and / or - the at least one first capacitive coupling rod ( 21 ) is at a predetermined distance from an inner surface ( 19 ) of the test cover ( 20 ) in the direction of the resonator chamber ( 7 1 , 7 2 , ..., 7 n ) of the at least one coaxial resonator ( 6 1 , 6 2 , ..., 6 n ) down. Hochfrequenzfilter, das nach einem der vorherigen Ansprüche hergestellt ist, wobei das Hochfrequenzfilter (1) einen Gehäusekörper (2) und einen auf den Gehäusekörper (2) abgestimmten Gehäusedeckel (3) aufweist.A high-frequency filter produced according to one of the preceding claims, wherein the high-frequency filter ( 1 ) a housing body ( 2 ) and one on the housing body ( 2 ) matched housing cover ( 3 ) having.
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GB2505138A (en) * 2012-12-12 2014-02-19 Radio Design Ltd A Filter including resonating means and transmission line located on or associated with a support member located over at least a part of the filter body

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