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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft eine Beschichtungsanlage sowie ein Beschichtungsverfahren zur Beschichtung eines Substrats, insbesondere eines optischen Elements für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
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Stand der Technik
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Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD’s, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf einen mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichteten und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordneten Wafer (z.B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Wafers zu übertragen.
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In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
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Eine zur Spiegelherstellung verwendete Beschichtungsanlage weist typischerweise eine Mehrzahl von Quellen zur Beschichtung mit verschiedenen Materialien auf. Diese können z.B. Magnetron-Target-Einheiten sein, in denen einem Magnetron jeweils ein Target mit einem entsprechenden Beschichtungsmaterial zugeordnet ist. Zur Beschichtung eines Substrats wird dann das jeweilige Substrat (hierunter wird der Träger für die im Beschichtungsverfahren aufzubringende Schicht bzw. das aufzubringende Schichtsystem verstanden) über die den jeweiligen Quellen (z.B. Magnetron-Target-Einheiten) zugewandten Beschichtungspositionen geführt.
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Ein in der Praxis im Betrieb einer Beschichtungsanlage auftretendes Problem ist, dass unerwünschte Wechselwirkungen zwischen dem Substrat einerseits und den Quellen bzw. Magnetron-Target-Einheiten (insbesondere dem Plasma, welches zur Materialablösung dient) andererseits auftreten können, welche das letztlich erzielte Beschichtungsergebnis in nur schwer zu kontrollierender Weise beeinflussen.
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Eine solche unerwünschte Wechselwirkung besteht insbesondere, wenn es sich bei dem in der Beschichtungsanlage beschichteten Substrat um Substrat handelt, welches elektrisch leitfähig ist und ggf. seine Leitfähigkeit mit der Zeit ändert, da sich in diesem Falle während der Durchführung des Beschichtungsverfahrens die Wechselwirkung der jeweiligen Quelle bzw. Magnetron-Target-Einheit einerseits mit und der relativ zu dieser bewegten Oberfläche des Substrats andererseits ändert. Diese Änderung der Geometrie während der o.g. Verfahrbewegung des Substrats über die jeweilige Quelle bei Durchführung des Beschichtungsprozesses hat wiederum zur Folge, dass z.B. die zur Einstellung einer konstanten Leistung während des Beschichtungsprozesses zur Anregung der Quelle bzw. Magnetron-Target-Einheit erforderliche elektrische Spannung variiert.
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Eine weitere Wechselwirkung zwischen Substrat einerseits und Magnetron-Target-Einheit andererseits tritt während des Beschichtungsprozesses auch bei nicht elektrisch leitfähigen (z.B. keramischen oder Glas-)Substraten auf und ist darauf zurückzuführen, dass ein gewisser Anteil (typischerweise im Bereich von etwa 5%) des vom jeweiligen Target auf das Substrat aufgebrachten („Sputter“)-Materials elektrisch geladen ist mit der Folge, dass die während des Beschichtungsprozesses somit auf das Substrat aufgebrachte elektrische Ladung wiederum ein elektrisches Gegenfeld erzeugt, welches die weiterhin ankommenden Targetteilchen des Targetmaterials beeinflusst. Auch treffen weitere elektrisch geladene Teilchen aus dem Plasma (Elektronen, Ionen, etc.) auf dem Substrat auf, welche zu einer elektrischen Aufladung führen können. Mit wachsender Schichtdicke während des Beschichtungsprozesses ändert sich hierbei auch aufgrund der elektrisch geladenen Targetteilchen die elektrische Leitfähigkeit des Substrats, was ebenfalls einen sich mit der Zeit ändernden, unerwünschten Effekt darstellt.
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Den vorstehend beschriebenen Effekten während des Beschichtungsprozesses ist gemeinsam, dass sie in unerwünschter Weise die letztlich erzielten Schichteigenschaften der jeweils hergestellten optischen Komponente bzw. des Spiegels (z.B. Schichtdickenverlauf, Reflexionseigenschaften, Oberflächenrauhigkeit etc.) beeinflussen.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beschichtungsanlage sowie ein Beschichtungsverfahren zur Beschichtung eines Substrats, insbesondere eines optischen Elements für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, bereitzustellen, welche unter Vermeidung oder Milderung der vorstehend beschriebenen Probleme eine größere Genauigkeit bei der Beschichtung ermöglichen.
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Diese Aufgabe wird durch die Beschichtungsanlage gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 bzw. das Beschichtungsverfahren gemäß den Merkmalen des nebengeordneten Patentanspruchs 15 gelöst.
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Eine Beschichtungsanlage zur Beschichtung eines Substrats, insbesondere eines optischen Elements für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, weist auf:
- – wenigstens eine Materialquelle, welche ein Beschichtungsmaterial aufweist, und
- – einen Substrathalter zum Halten des Substrats, wobei der Substrathalter und die Materialquelle relativ zueinander verfahrbar sind,
- – wobei zwischen der Materialquelle und dem Substrathalter wenigstens eine elektrische Abschirmung vorgesehen ist, welche eine Anzahl an von der Materialquelle bis zum Substrat gelangenden elektrisch geladenen Teilchen im Vergleich zu einer analogen Beschichtungsanlage ohne diese Abschirmung um wenigstens 80% reduziert.
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Die Erfindung ist nicht auf die Ausgestaltung der Materialquelle als Magnetron-Target-Einheit beschränkt, sondern grundsätzlich in sämtlichen Beschichtungsanlagen bzw. -verfahren realisierbar, bei denen ein Plasma (ggf. mit zumindest teilweise elektrisch geladenen Teilchen) verwendet wird.
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Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, im Bereich zwischen jeweils einer Materialquelle wie z.B. einer Magnetron-Target-Einheit einerseits und dem Substrat andererseits ein elektrisch leitfähiges Gitter vorzusehen. Hierdurch kann erreicht werden, dass sich aus der Sicht der jeweiligen Materialquelle bzw. Magnetron-Target-Einheit unabhängig davon, ob und an welcher Position sich in der Umgebung jenseits des Gitters ein zumindest teilweise elektrisch leitfähiges Substrat befindet, die elektrische Umgebung der Materialquelle bzw. Magnetron-Target-Einheit nicht ändert, da auch ein gegebenenfalls elektrisch leitfähiges Substrat bzw. auf dem Substrat gegebenenfalls befindliche elektrische Ladung nach dem Prinzip des Faraday‘schen Käfigs über das erfindungsgemäß vorgesehene Gitter abgeschirmt wird. Alternativ kann das Gitter auch am Substrat befestigt werden.
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Hierdurch können im Ergebnis aus Sicht der Materialquelle bzw. Magnetron-Target-Einheit – aufgrund der Vermeidung unerwünschter zeitlich veränderlicher Wechselwirkungen zwischen Materialquelle und Substrat – hinsichtlich der in der Umgebung wirkenden elektrischen Felder konstante Bedingungen und damit ein stabiler und reproduzierbarer Beschichtungsprozess erreicht werden.
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Neben der vorstehend beschriebenen Abschirmwirkung besteht ein weiterer vorteilhafter Effekt des erfindungsgemäß vorgesehenen Gitters darin, dass die (z.B. in einem Anteil von etwa 5% bezogen auf sämtliche von dem jeweiligen Target herausgelösten Targetteilchen) elektrisch geladenen Teilchen des während des Beschichtungsprozesses von dem jeweiligen Target herausgelösten „Sputter“-Materials an dem betreffenden Gitter zurückgehalten werden können, so dass diese elektrisch geladenen Targetteilchen gar nicht erst bis zu dem Substrat gelangen und der vorstehend beschriebene Effekt einer sich mit der Zeit bzw. mit wachsender Schichtdicke ändernden elektrischen Leitfähigkeit des Substrats verhindert werden kann.
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Dabei wird erfindungsgemäß durch das Zurückhalten bzw. „Absaugen“ elektrisch geladener Targetteilchen bewusst eine gewisse Reduzierung der Beschichtungsrate in Kauf genommen, um im Gegenzug die eingangs beschriebenen, für das erzielte Beschichtungsergebnis besonders problematischen dynamischen Änderungen der Geometrie des Beschichtungsprozesses zu vermeiden.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die elektrische Abschirmung wenigstens ein Gitter aus elektrisch leitfähigem Material auf.
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Gemäß einer Ausführungsform weist das Gitter Gitteröffnungen mit einer Öffnungsgröße von wenigstens 1 Mikrometer (µm) auf.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die elektrische Abschirmung eine Separierung zwischen Substrat und der Materialquelle aus einem elektrisch leitfähigem Material (z.B. ein die Materialquelle bzw. die Magnetron-Target-Einheit umgebendes Gehäuse aus elektrisch leitfähigem Material) auf, welches wenigstens eine Öffnung für den Durchtritt von Beschichtungsmaterial besitzt.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die elektrische Abschirmung ein den Substrathalter umgebendes Gehäuse aus elektrisch leitfähigem Material auf, welches wenigstens eine Öffnung für den Durchtritt von Beschichtungsmaterial besitzt.
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Gemäß einer Ausführungsform weist das elektrisch leitfähige Material ein Metall auf. In weiteren Ausführungsformen kann auch ein halbleitendes Material verwendet werden.
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Gemäß einer Ausführungsform ist das elektrisch leitfähige Material aus der Gruppe ausgewählt, welche Wolfram (W), Molybdän (Mo), Ruthenium (Ru), Tantal (Ta) und Graphit enthält. In weiteren Ausführungsformen ist das elektrisch leitfähige Material ein halbleitendes Materialien wie z.B. Silizium (Si) oder Germanium (Ge).
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Gemäß einer Ausführungsform weist die Beschichtungsanlage wenigstens eine Spannungsquelle zur Erzeugung einer Potentialdifferenz zwischen der Materialquelle (z.B. der Magnetron-Target-Einheit) und der elektrischen Abschirmung auf.
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Gemäß einer Ausführungsform ermöglicht diese Spannungsquelle eine Variation der Potentialdifferenz zwischen der Materialquelle und der elektrischen Abschirmung während des Betriebs der Beschichtungsanlage, wodurch das Ausmaß des Zurückhaltens elektrisch geladener Targetteilchen noch gezielt variiert bzw. gesteuert werden kann.
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Gemäß einer Ausführungsform ist das Substrat ein Spiegelsubstrat eines Spiegels, insbesondere eines EUV-Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
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Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Beschichtungsverfahren zur Beschichtung eines Substrats, insbesondere eines optischen Elements für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
- – Beschichten eines auf einem Substrathalter gehaltenen Substrats mit wenigstens einem Beschichtungsmaterial einer Materialquelle,
- – wobei die Materialquelle in Bezug auf den Substrathalter elektrisch derart abgeschirmt wird, dass eine Anzahl an von der Materialquelle bis zum Substrat gelangenden elektrisch geladenen Teilchen im Vergleich zu einer analogen Beschichtungsanlage ohne diese Abschirmung um wenigstens 80% reduziert wird.
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Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das elektrische Abschirmen dadurch, dass ein Gitter aus elektrisch leitfähigem Material zwischen der Materialquelle und dem Substrathalter angeordnet wird.
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Gemäß einer Ausführungsform wird über eine Spannungsquelle eine Potentialdifferenz zwischen der Materialquelle und der elektrischen Abschirmung erzeugt.
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Gemäß einer Ausführungsform wird diese Potentialdifferenz im Betrieb der Beschichtungsanlage variiert.
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Gemäß einer Ausführungsform wird diese Potentialdifferenz im Betrieb der Beschichtungsanlage gepulst, mit RF oder mit RF-gepulst variiert.
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Gemäß einer Ausführungsform ist das Substrat ein Spiegelsubstrat eines Spiegels, insbesondere eines EUV-Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
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Die Erfindung betrifft ferner einen Spiegel für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Betrieb im EUV, welcher mit einer Beschichtungsanlage oder mit einem Beschichtungsverfahren mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen hergestellt ist.
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Die Erfindung betrifft ferner auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Betrieb im EUV, welche einen mit einer Beschichtungsanlage oder mit einem Beschichtungsverfahren mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen hergestellten Spiegel aufweist.
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Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand eines in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Es zeigen:
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1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer Beschichtungsanlage gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
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2–4 schematische Darstellungen zur Erläuterung weiterer möglicher Ausführungsformen der Erfindung; und
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5 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Im Weiteren werden unter Bezugnahme auf 1 Aufbau und Funktionsweise einer Beschichtungsanlage zur Beschichtung eines Substrats, insbesondere eines Spiegelsubstrats eines EUV-Spiegels für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung beschrieben.
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Eine Beschichtungsanlage weist eine unter Vakuumbedingungen betreibbare Prozesskammer auf, innerhalb der die Beschichtung eines Substrats, z.B. des Spiegelsubstrats eines EUV-Spiegels, mit einer Mehrzahl von Beschichtungsmaterialien erfolgt. Dabei ist die Prozesskammer typischerweise an eine evakuierbare Schleusenanordnung gekoppelt, so dass eine Bestückung der Prozesskammer mit dem Substrat über die Schleusenanordnung unter Einstellung einer der Prozesskammeratmosphäre entsprechenden Atmosphäre bzw. eines entsprechenden Vakuums innerhalb der Schleusenanordnung erfolgen kann, ohne dass hierbei in unerwünschter Weise Partikel, Gase oder Feuchtigkeit in die Prozesskammer eindringen.
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Die Beschichtungsanlage weist typischerweise eine Mehrzahl von Materialquellen wie z.B. Magnetron-Target-Einheiten auf, von denen jede zur Beschichtung des Substrats mit jeweils einem Beschichtungsmaterial verwendet wird und wobei das Substrat während des Beschichtungsverfahrens nacheinander über die den jeweiligen Materialquellen bzw. Magnetron-Target-Einheiten zugeordneten Beschichtungspositionen geführt wird.
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Der Einfachheit halber ist in 1 lediglich eine Materialquelle 110 in Form einer Magnetron-Target-Einheit (hier vereinfacht als Einheit gezeichnet) zusammen mit einem zum Halten eines Substrats 120 vorgesehenen Substrathalter 125, welcher in Richtung des Pfeils „P“ über die Materialquelle 110 bzw. Magnetron-Target-Einheit geführt wird, dargestellt. Dabei können zur Realisierung der gesamten Beschichtungsanlage eine Mehrzahl solcher Materialquellen 110 bzw. Magnetron-Target-Einheiten in analoger Weise ausgestaltet sein, wobei der Substrathalter 125 mit dem Substrat 120 nacheinander über die in beliebiger geeigneter Weise angeordneten Materialquellen 110 bzw. Magnetron-Target-Einheiten zur Aufbringung der einzelnen Schichten des gewünschten Schichtsystems geführt wird.
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Die jeweils auf dem Substrat 120 erzeugte Schichtdicke ist von der „Verweilzeit“ des Substrats 120 im Bereich der betreffenden Materialquellen 110 abhängig, wobei mit schnellerer Bewegung des Substrats 120 durch die Beschichtungszone hindurch jeweils die Schichtdicke der aktuell auf das Substrat 120 aufgebrachten Schicht (welche von der „Verweilzeit“ des Substrats im Bereich der jeweiligen Materialquelle 110 abhängig ist) verringert wird. Insbesondere kann in für sich bekannter Weise während des Beschichtungsprozesses über eine Variation der Verfahrgeschwindigkeit und/oder der Frequenz einer Eigenrotation des Substrats 120 eine Variation der Schichtdicke etwa zur Erzeugung eines gewünschten Schichtdickenprofils oder zur Berücksichtigung bestimmter Substrat- bzw. Spiegelgeometrien (z.B. zur Erzeugung von Freiformflächen) erzielt werden.
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Gemäß 1 ist die Materialquelle 110 von einem Gehäuse 111 aus elektrisch leitfähigem Material umgeben, welches eine Öffnung 111a für den Durchtritt von Beschichtungsmaterial des Targets der Magnetron-Target-Einheit besitzt.
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Des Weiteren ist gemäß 1 ein Gitter 112 aus elektrisch leitfähigem Material vorgesehen, wobei die Gitteröffnungen des Gitters 112 in geeigneter Weise so gewählt werden, dass im Betrieb der Beschichtungsanlage die einzelnen Targetteilchen des Targetmaterials der Magnetron-Target-Einheit hinsichtlich deren Teilchengröße durch die Gitteröffnungen hindurchpassen.
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Bei dem elektrisch leitfähigen Material des Gitters 112 ist vorzugsweise darauf zu achten, dass ein (etwa hinsichtlich unerwünschter Effekte wie Ausgasen etc.) EUV-verträgliches Material verwendet wird, um im Falle eines unerwünschten Herauslösens von Partikeln des Gitters 112 während des Beschichtungs- bzw. Sputter-Verfahrens eine Kontamination bzw. Beeinträchtigung des Beschichtungsverfahrens zu vermeiden. Geeignete Materialien sind beispielsweise Wolfram (Wo), Ruthenium (Ru), Molybdän (Mo), Tantal (Ta) oder Graphit, wobei auch halbleitende Materialien z.B. Silizium (Si) geeignet sein können. Die Öffnungsgröße der Gitteröffnungen kann beispielhaft im Bereich von 1 µm oder wenigen µm bis zu einigen 10cm liegen, wobei im Extremfall auch eine einzige vergleichsweise große Gitteröffnung vorgesehen sein kann.
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Wie bereits eingangs erläutert ist in der Regel ein gewisser Anteil (typischerweise im Bereich von etwa 5%) der Targetteilchen, welche während des Beschichtungs- bzw. Sputter-Prozesses aus dem Targetmaterial der Materialquelle 110 bzw. Magnetron-Target-Einheit herausgelöst werden, elektrisch geladen, wobei solche elektrisch geladenen Teilchen in 1 lediglich schematisch eingezeichnet und mit „115“ bezeichnet sind. Zusätzlich sind in einem Plasma noch weitere geladene Teilchen (Ionen) und Elektronen vorhanden, die ebenfalls zu einer elektrischen Aufladung des Substrats 120 führen können.
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Die Wirkungsweise des Gitters 112 in der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage ist nun wie folgt:
Zum einen bewirkt das Gitter 112, welches ebenso wie das Gehäuse 111 aus elektrisch leitfähigem Material (z.B. aus einem metallischen oder auch einem geeigneten halbleitenden Material) hergestellt ist, zusammen mit dem Gehäuse 111 eine elektrische Abschirmung der Materialquelle 110 bzw. Magnetron-Target-Einheit in Bezug auf die Umgebung und insbesondere das Substrat 120 (welches z.B. seinerseits aus einem metallischen bzw. elektrisch leitfähigen Material bestehen kann und/oder auf welchem während des Beschichtungsprozesses gegebenenfalls auftreffende elektrisch geladene Teilchen vorhanden sein können). Diese elektrische Abschirmung hat zur Folge, dass eine unerwünschte elektrische Wechselwirkung zwischen dem Substrat 120 und der Materialquelle 110 aufgrund des Wirkungsprinzips der elektrischen Abschirmung als „Faraday’scher Käfig“ verhindert oder zumindest reduziert wird.
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Des Weiteren können durch das Gitter 112 auch die vorstehend beschriebenen elektrisch geladenen Targetteilchen 115 zumindest teilweise zurückgehalten bzw. „abgesaugt“ und somit deren Ablagerung auf dem Substrat 120 vermieden werden. Hierzu kann das Gitter 112 mit einer externen Spannungsquelle auf eine geeignete Potentialdifferenz relativ zur Materialquelle 110 bzw. dem hieraus während des Beschichtungsverfahrens erzeugten Plasma gebracht werden, welche (je nach Größe der Gitteröffnungen sowie Ionenenergie der Targetteilchen 115) typischerweise im Bereich von wenigen Volt bis einigen Kilovolt liegen kann.
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Gemäß 1 können unterschiedliche elektrische Spannungen „U1“–„U4“ an die Materialquelle 110, das Gehäuse 111, das Gitter 112 und das Substrat 120 angelegt werden. Mittels einer positiven bzw. negativen Spannung U1, U2 bzw. U3 können Ionen bzw. Elektronen aus dem Plasma über der Materialquelle 110 bzw. Magnetron-Target-Einheit abgestoßen/beschleunigt bzw. angezogen/zurückgestoßen werden. Durch Veränderungen der Spannungen U1 bis U4 kann zusätzlich das Plasma in der Ausdehnung/Form geändert werden. Wird das Gitter 112 (an welchem die Spannung U2 anliegt) auf das gleiche elektrische Potential wie das Gehäuse 111 (an welche die Spannung U3 anliegt), entsteht ein Faraday’scher Käfig um die Materialquelle 110.
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Sowohl durch den vorstehend beschriebenen Effekt der elektrischen Abschirmung als auch das ebenfalls beschriebene Zurückhalten bzw. „Absaugen“ der elektrisch geladenen Targetteilchen 115 kann in der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage im Ergebnis eine unerwünschte Wechselwirkung zwischen dem Substrat 120 und der Materialquelle 110 vermieden werden mit der Folge, dass insoweit die Einhaltung möglichst konstanter Bedingungen vereinfacht und die Genauigkeit des letztlich erzielten Beschichtungsergebnisses erhöht werden können.
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Die Erfindung ist nicht auf die Anordnung des Gitters 112 bzw. des Gehäuses 111 auf Seiten der Materialquelle 110 beschränkt.
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In weiteren Ausführungsformen können ein Gitter sowie ein Gehäuse auch auf Seiten des Substrats vorgesehen sein, wozu 2 eine entsprechende Ausführungsform in schematischer Darstellung zeigt. Dabei sind im Übrigen im Vergleich zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet.
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In weiteren Ausführungsformen können gemäß 3 auch sowohl auf Seiten der Materialquelle als auch auf Seiten des Substrats jeweils sowohl ein Gitter 312 bzw. 317 als auch ein Gehäuse 311 bzw. 316 vorgesehen sein. Dabei sind im Übrigen im Vergleich zu 2 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet.
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4 zeigt eine weitere Ausführungsform, in welcher die elektrische Abschirmung eine Platte 411 aus elektrisch leitfähigem Material aufweist, wobei ein Abschnitt dieser Platte 411 als Gitter 412 ausgestaltet ist. In weiteren Ausführungsformen kann die elektrische Abschirmung allgemein eine Komponente aus elektrisch leitfähigem Material aufweisen, welche wenigstens eine Öffnung für den Durchtritt von Beschichtungsmaterial besitzt.
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5 zeigt eine schematische Darstellung einer beispielhaften für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, welche wenigstens ein erfindungsgemäß hergestelltes optisches Element aufweisen kann. Hierbei kann es sich bei dem erfindungsgemäß hergestellten optischen Element insbesondere um einen der in der Beleuchtungseinrichtung oder im Projektionsobjektiv der Projektionsbelichtungsanlage vorhandenen EUV-Spiegel handeln.
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Gemäß 5 weist eine Beleuchtungseinrichtung in einer für EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 500 einen Feldfacettenspiegel 503 und einen Pupillenfacettenspiegel 504 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 503 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 501 und einen Kollektorspiegel 502 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 504 sind ein erster Teleskopspiegel 505 und ein zweiter Teleskopspiegel 506 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Umlenkspiegel 507 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines sechs Spiegel 551–556 umfassenden Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 521 auf einem Maskentisch 520 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 561 auf einem Wafertisch 560 befindet.
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Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102012205615 A1 [0009]
