DE102015221976A1

DE102015221976A1 - Kippanordnung, Verfahren zum Herstellen einer Kippanordnung und Lithographieanlage

Info

Publication number: DE102015221976A1
Application number: DE102015221976.3A
Authority: DE
Inventors: Henner Baitinger
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2015-11-09
Filing date: 2015-11-09
Publication date: 2016-10-27

Abstract

Es wird eine Kippanordnung (200), insbesondere für eine Lithographieanlage (100), offenbart, aufweisend ein erstes Element (204), ein zweites Element (206), wobei das erste Element (204) relativ zu dem zweiten Element (206) verkippbar ist, und zumindest einen Draht (208), welcher mittels Drahtbonden mit dem ersten Element (204) und/oder dem zweiten Element (206) verbunden ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kippanordnung, ein Verfahren zum Herstellen einer Kippanordnung und eine Lithographieanlage mit einer Kippanordnung.
Die Lithographie wird zur Herstellung mikro- und nanostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Lithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von – wie bisher – brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.
Die Spiegel können als Facettenspiegel ausgestaltet sein, d.h. mehrere Facetteneinrichtungen mit jeweils einer Facette aufweisen. Dabei können die Spiegel so ausgestaltet sein, dass die einzelnen Facetten separat verkippt und positioniert werden können. Dies ermöglicht eine Anpassung der Lage- und Kippeinstellung der Facetten an die gewünschten Abbildungseigenschaften des Spiegels. Somit können etwa im Betrieb der Lithographieanlage auftretende Änderungen der optischen Eigenschaften, z.B. infolge von thermischen Einflüssen, kompensiert werden.
Eine Facette kann mittels eines Festkörpergelenks gelagert werden. Je dicker das Festkörpergelenk ist, desto besser ist der Wärmetransport aus der Facette. Allerdings gilt ebenfalls, je dicker das Festkörpergelenk ist, desto größer ist die Kippsteifigkeit.
Die DE 10 2008 049 556 A1 offenbart eine Facette, welche über ein Biegeelement mit einem Grundkörper verbunden ist. Für den Wärmetransport sind Metallfäden vorgesehen. Demnach sind für die Kipplagerung und den Wärmetransport separate Bauelemente vorgesehen.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Kippanordnung bereitzustellen. Es ist eine weitere Aufgabe ein Verfahren zum Herstellen einer Kippanordnung sowie eine Lithographieanlage mit einer solchen Kippanordnung bereitzustellen.
Demgemäß wird eine Kippanordnung, insbesondere für eine Lithographieanlage, bereitgestellt, aufweisend ein erstes Element, ein zweites Element, wobei das erste Element relativ zu dem zweiten Element verkippbar ist, und zumindest einen Draht, welcher mittels Drahtbonden mit dem ersten Element und/oder dem zweiten Element verbunden ist.
Dadurch, dass der zumindest eine Draht mittels Drahtbonden mit dem ersten Element und/oder dem zweiten Element verbunden ist, kann eine stabile Verbindung zwischen dem ersten Element und/oder dem Draht einerseits und zwischen dem zweiten Element und dem Draht andererseits geschaffen werden. Dadurch kann der so verbundene Draht sowohl für den Wärmetransport von dem ersten Element zu dem zweiten Element als auch zur Kipplagerung des ersten Elements geeignet sein. Weiter kann durch den so verbundenen Draht eine elektrische Verbindung zwischen erstem Element und zweitem Element erreicht werden. In diesem Fall können elektrische Ladungen von dem ersten Element zu dem zweiten Element – und umgekehrt – fließen. Insbesondere kann eine Vielzahl solcher Drähte verwendet werden, die mittels Drahtbonden mit dem ersten Element und dem zweiten Element verbunden sind.
Dadurch, dass der zumindest eine Draht und/oder eine Vielzahl solcher Drähte sowohl zur Kipplagerung als auch für den Wärmetransport verwendet werden können, ist es möglich den benötigten Bauraum gering zu halten.
Das Drahtbonden (von engl. bond – „Verbindung“, „Haftung“) bezeichnet in der Aufbau- und Verbindungstechnik einen Verfahrensschritt, bei dem mittels eines dünnen Drahtes, dem sogenannten Bonddraht, die Anschlüsse eines integrierten Schaltkreises oder eines diskreten Halbleiters, z.B. eines Transistors, einer Leuchtdiode oder einer Photodiode, mit den elektrischen Anschlüssen eines Chipgehäuses verbunden werden. Im vorliegenden Fall wird das erste Element mit dem zweiten Element verbunden. Insbesondere können mit Drahtbonden die weiter unten beschriebenen Verfahren Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden und Ultraschall-Wedge-Wedge-Bonden zu verstehen sein.
Gemäß einer Ausführungsform der Kippanordnung ist der zumindest eine Draht mit einer von dem ersten Element abgewandten Seite des zweiten Elements verbunden. Vorteilhafterweise kann die Bondverbindung auf der von dem ersten Element abgewandten Seite des zweiten Elements einfacher realisiert werden, da die von dem ersten Element abgewandte Seite des zweiten Elements für eine Bondvorrichtung leichter zugänglich ist. Zwischen erstem Element und zweitem Element kann dagegen nur wenig Platz vorhanden sein, so dass eine Bondverbindung auf der dem ersten Element zugewandten Seite des zweiten Elements schwieriger zu realisieren ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist das zweite Element eine Durchführung, insbesondere ein Loch, auf, durch die sich der zumindest eine Draht erstreckt. Damit kann verhindert werden, dass der zumindest eine Draht seitlich am zweiten Element vorbeiläuft, um eine Bondverbindung mit der von dem ersten Element abgewandten Seite des zweiten Elements zu ermöglichen. Der zumindest eine Draht ist somit nur unterhalb des ersten Elements angeordnet und kann sich nicht in den Bereich unterhalb eines anderen ersten Elements erstrecken.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist der zumindest eine Draht an seinem dem ersten Element zugewandten Ende einen geradlinigen Verlauf auf. Vorteilhafterweise kann dieser Verlauf mit einer Bondvorrichtung einfach realisiert werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung fungiert der zumindest eine Draht als Drehgelenk für das Verkippen des ersten Elements relativ zu dem zweiten Element, wobei bevorzugt eine geradlinige Verlängerung des geradlinigen Verlaufs des zumindest einen Drahts durch einen Drehpunkt des ersten Elements verläuft. Vorteilhafterweise kann der zumindest eine Draht das erste Element lagern. Die geradlinige Verlängerung am dem ersten Element zugewandten Ende des zumindest einen Drahts kann durch den Drehpunkt des ersten Elements, also durch den Punkt, um den das erste Element verkippt wird, verlaufen. Sind mehrere Drähte vorhanden, so können diese den Drehpunkt bzw. Kipppunkt definieren. Vorteilhafterweise kann der zumindest eine Draht bei einem Verkippen des ersten Elements um den Drehpunkt nur geringfügig vom geradlinigen Verlauf abweichen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung ist der zumindest eine Draht als elektrischer und/oder thermischer Leiter ausgebildet und/oder weist ein Metall, insbesondere Gold, Silber oder Kupfer, auf. Vorteilhafterweise weist der zumindest eine Draht ein thermisch und/oder elektrisch leitendes Material auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist der zumindest eine Draht einen Durchmesser von 10 bis 1000 μm, 20 bis 500 μm oder 50 bis 100 μm auf. Dadurch, dass der Durchmesser des zumindest einen Drahts in den angegebenen Bereichen liegt und als weiterer Designparameter die Anzahl der Drähte pro Kippanordnung variiert wird, kann erreicht werden, dass der zumindest eine Draht eine ausreichende Steifigkeit für eine Lagerung des ersten Elements bei einer ausreichenden thermischen und elektrischen Leitfähigkeit aufweist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung sind mehrere Drähte, insbesondere 1 bis 1000, 10 bis 300 oder 50 bis 200 Drähte, vorgesehen. Durch alle Drähte zusammen kann die Lagerung der Facette gebildet werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung sind alle dem ersten Element zugewandten Enden der Drähte in Richtung des Drehpunkts ausgerichtet. Damit definiert die Lagerung des ersten Elements, die aus allen Drähten gebildet ist, einen Drehpunkt bzw. Kipppunkt des ersten Elements.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung trägt der zumindest eine Draht das erste Element oberhalb des zweiten Elements und/oder bilden die Drähte eine freitragende Struktur, die das erste Element oberhalb des zweiten Elements trägt, und/oder bilden die Drähte einen zeltartigen Aufbau. Vorteilhafterweise kann mit dieser Anordnung des zumindest einen Drahts oder der Drähte die Lagerung des ersten Elements erfolgen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist diese ferner einen Aktuierungsdraht zum Verkippen des ersten Elements auf, wobei bevorzugt der Aktuierungsdraht an seinem ersten Ende insbesondere mittig an dem ersten Element angreift und an seinem zweiten Ende für das Verkippen, um eine Achse senkrecht zu seiner Längsachse, biegbar ist. Der Aktuierungsdraht überträgt die von einer Aktorvorrichtung hervorgerufene Auslenkung in eine Drehung des ersten Elements um den Drehpunkt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung ist das erste Element ein optisches Element, insbesondere ein Spiegelelement, bevorzugt eine Facette. Eine Kippanordnung, bei welcher eine oder mehrere Facetten verkippt werden, wird vorliegend auch als Facetteneinrichtung bezeichnet. Das zweite Element kann als Basiselement ausgebildet sein.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist diese ferner eine Aktorvorrichtung auf, mit einem ersten Piezo-Biegewandler zum Auslenken in eine erste Richtung und einen mit dem ersten Piezo-Biegewandler verbundenen zweiten Piezo-Biegewandler zum Auslenken in eine zweite Richtung und/oder mit einem Formgedächtnislegierungs-Aktor. Dadurch, dass der erste Piezo-Biegewandler mit dem zweiten Piezo-Biegewandler verbunden ist, wird die gesamte Auslenkung der Aktorvorrichtung durch eine Kombination der Auslenkungen der beiden Piezo-Biegewandler gebildet. Vorteilhafterweise kann auch ein Formgedächtnislegierungs-Aktor vorgesehen sein, welcher eine große Auslenkungskraft bei kleinem Bauvolumen aufweisen kann.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung ist die erste Richtung orthogonal zu der zweiten Richtung. Vorteilhafterweise ergänzen sich die Auslenkung des ersten Piezo-Biegewandlers und die Auslenkung des zweiten Piezo-Biegewandlers dann optimal, so dass das erste Element um zwei orthogonale Achsen verkippbar ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist die Aktorvorrichtung ferner einen Hebel zum Vergrößern der Auslenkung des ersten und des zweiten Piezo-Biegewandlers auf, wobei der Hebel mit einem ersten Hebelende mit dem Aktuierungsdraht und mit einem zweiten Hebelende mit dem ersten Piezo-Biegewandler verbunden ist. Der Hebel überträgt die Auslenkungen der beiden Piezo-Biegewandler auf das von dem ersten Element entfernte Ende des Aktuierungsdrahts. Dabei werden die Auslenkungen durch den Hebel vergrößert. Durch die Auslenkung des von dem ersten Element entfernten Ende des Aktuierungsdrahts wird das erste Element mittels des Aktuierungsdrahts verkippt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist der Hebel ein z-Gelenk mit zwei Blattfedern zum Ausgleichen einer Längenänderung der Kippanordnung auf. Werden der erste Piezo-Biegewandler und/oder der zweite Piezo-Biegewandler ausgelenkt, dann verändert sich die Länge der Kippanordnung, die von dem ersten Element bis zu dem von dem ersten Element abgewandten Ende der Aktorvorrichtung reicht. Diese Längenänderung kann mittels des z-Gelenks ausgeglichen werden. Weiter kann es auch zu thermisch bedingten Längenänderungen der Kippanordnung kommen, welche ebenfalls mittels des z-Gelenks ausgeglichen werden können.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist die Aktorvorrichtung ferner ein Aktorgestell und eine Detektionseinheit zum Ermitteln einer Auslenkung der Aktorvorrichtung auf, wobei das Aktorgestell ein Aktorbasiselement und mehrere Stangen aufweist, wobei die Stangen erste Stangenenden aufweisen, welche mit dem Hebel verbunden sind, und zweite Stangenenden aufweisen, welche mit der Detektionseinheit verbunden sind, und wobei der zweite Piezo-Biegewandler mit dem Aktorbasiselement verbunden ist und die Stangen durch das Aktorbasiselement geführt sind. Mittels des Aktorgestells und der Detektionseinheit kann die Auslenkung des ersten Piezo-Biegewandlers und/oder des zweiten Piezo-Biegewandlers bestimmt werden. Der Hebel vergrößert diese einzelnen Auslenkungen dann um einen von der Geometrie des Hebels bestimmten Faktor. Somit kann die Auslenkung der Aktorvorrichtung ermittelt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Kippanordnung weist die Detektionseinheit einen Sensor und ein Sensortarget auf, wobei das Sensortarget mit den Stangen verbunden ist und der Sensor geeignet ist, eine durch die Stangen verursachte Bewegung des Sensortargets zu detektieren. Dadurch, dass die Stangen sowohl mit dem Sensortarget als auch mit dem Hebel verbunden sind, kann von einer Bewegung des Sensortargets auf die Auslenkung der Aktorvorrichtung geschlossen werden.
Weiter wird ein Spiegel für eine Lithographieanlage mit einer Kippanordnung, wie beschrieben, bereitgestellt. Dabei kann der Spiegel mehrere Kippanordnungen aufweisen.
Weiter wird ein Verfahren zum Herstellen einer Kippanordnung, insbesondere für eine Lithographieanlage, bereitgestellt, aufweisend die Schritte: a) Bereitstellen eines ersten Elements, b) Bereitstellen eines zweiten Elements, und c) Bereitstellen zumindest eines Drahts, welcher mittels Drahtbonden mit dem ersten Element und dem zweiten Element derart verbunden wird, dass das erste Element relativ zu dem zweiten Element verkippbar ist.
Vorteilhafterweise wird das erste Element mit dem zweiten Element mittels Drahtbonden verbunden. Auf diese Weise wird eine Lagerung des ersten Elements bereitgestellt, welche eine geringe Kippsteifigkeit bei einem gleichzeitig hohen Wärmetransport ermöglicht.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird bei dem Drahtbonden das Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden verwendet. Bei dem Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden wird der Draht durch eine Kapillare geführt. Ein unten aus der Kapillare herausstehendes Drahtende wird angeschmolzen, so dass sich durch die Oberflächenspannung eine Kugel (Engl.: ball) bildet. Die bereits erstarrte Kugel wird unter Druck, Wärme und/oder Ultraschall auf die zu kontaktierende Fläche, also hier das erste Element, gebondet. Dabei kann die Kugel durch die Kapillare verformt werden. Der Draht wird zunächst von der verbundenen Fläche, also hier dem ersten Element, weggeführt. Danach wird der Draht zur zweiten Kontaktstelle, hier dem zweiten Element, geführt und wieder mittels Ultraschall, Wärme und/oder Druck kontaktiert. Durch die Geometrie der Kapillare entsteht dann der Wedgebond (Wedge = Engl. für Keil).
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird bei dem Drahtbonden das Ultraschall-Wedge-Wedge-Bonden verwendet. Bei dem Ultraschall-Wedge-Wedge-Bonden wird das Ende des Drahts, welches unter der Bondvorrichtung sitzt und Tail (tail = Engl.: für Ende) genannt wird, auf die zu kontaktierende Fläche, also hier das erste Element, mit einem definierten Druck gedrückt. Der aufgebrachte Druck und/oder angelegte Ultraschallschwingungen führen zu Diffusionsvorgängen zwischen dem Drahtmaterial und dem Material des ersten Elements. Daraus resultiert eine feste Verschweißung zwischen dem Draht und dem ersten Element. Die Bondvorrichtung wird danach zum zweiten Kontaktierungsort, also hier dem zweiten Element, bewegt, wobei der Draht durch die Bondvorrichtung nachgeführt wird. Mit dem zweiten Element wird der Draht ebenfalls, wie zuvor beschrieben, verbunden. Der Bondvorgang wird beim Drahtbonden mit einem dünnen Draht, also einem Draht mit einem Durchmesser im Bereich von 15 bis 100 μm, durch Entfernen der Bondvorrichtung in einer definierten Abreißbewegung abgeschlossen, wobei der Draht aufgrund der Schwächung, die an der zweiten Bondstelle durch das Festpressen des Drahtes entstanden ist, dort abreißt. Beim Drahtbonden mit einem dicken Draht, also einem Draht im Bereich von 100 bis 500 μm, wird der Draht mit einem Messer angeschnitten, bevor er abgerissen wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der zumindest eine Draht durch eine Kapillare einer Bondvorrichtung geführt, wobei der zumindest eine Draht zuerst an einem ersten Ende an eine dem zweiten Element zugewandte Seite des ersten Elements gebondet wird, danach durch eine Durchführung des zweiten Elements hindurchgeführt wird und anschließend an einem zweiten Ende an eine von dem ersten Element abgewandte Seite des zweiten Elements gebondet wird. Vorteilhafterweise kann der Draht an die von dem ersten Element abgewandte Seite des zweiten Elements gebondet werden. Auf dieser Seite des zweiten Elements kann der Bondvorgang aus Platzgründen einfacher erfolgen als auf der dem ersten Element zugewandten Seite des zweiten Elements.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der zumindest eine Draht an das erste Element und/oder an das zweite Element mittels Ultraschall gebondet. Durch die Verwendung von Ultraschall kann erreicht werden, dass sich der Draht mit dem ersten Element und/oder dem zweiten Element fest verbindet.
Ferner wird eine Lithographieanlage, insbesondere EUV- oder DUV-Lithographieanlage, bereitgestellt, aufweisend eine Kippanordnung, wie beschrieben, oder eine nach einem der beschriebenen Verfahren hergestellte Kippanordnung. EUV steht für „extreme ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. DUV steht für „deep ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm.
Die für die vorgeschlagene Kippanordnung beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfahren und die vorgeschlagene Lithographieanlage entsprechend.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmale oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.
1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage;
1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage;
2 zeigt eine Baugruppe eines Spiegels aufweisend mehrere Facetteneinrichtungen;
3 zeigt eine Schnittansicht der Baugruppe aus 2;
4 zeigt eine perspektivische Ansicht einer der in 2 und 3 dargestellten Facetteneinrichtungen;
5 zeigt eine perspektivische Ansicht des Bereichs V aus 4;
6 zeigt eine Schnittansicht der in 5 dargestellten Facetteneinrichtung;
7 zeigt eine Schnittansicht des Bereichs VII aus 4;
8 zeigt eine vergrößerte Darstellung des Bereichs VIII aus 4;
9 zeigt eine schematische Ansicht zur Verkippung der Facette;
10 zeigt ein Verfahren zum Herstellen einer Facetteneinrichtung;
11 zeigt eine Bondvorrichtung;
12 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Teils eines Spiegels;
13 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Facetteneinrichtung von dem Teil des Spiegels aus 12;
14 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Bereichs der Facetteneinrichtung aus 13;
15 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines in 13 dargestellten Formgedächtnislegierungs-Aktors; und
16A bis 16H zeigen ein Verfahren zum Herstellen von Facetteneinrichtungen. Falls nichts anderes angegeben ist, bezeichnen gleiche Bezugszeichen in den Figuren gleiche oder funktionsgleiche Elemente. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht näher dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht näher dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem die Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren bzw. Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein.
Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle oder ein Synchrotron vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletten Bereich), also z.B. im Wellenlängenbereich von 0,1 nm bis 30 nm aussenden. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.
Das in 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf die Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 136 auf die Photomaske gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 122 oder dergleichen abgebildet wird.
Das Projektionssystem 104 weist sechs Spiegel M1–M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 122 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1–M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 124 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel i.d.R. an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind von einem nicht näher dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem die Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren bzw. Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind. Die DUV-Lithographieanlage 100B weist ferner eine Steuereinrichtung 126 zum Steuern verschiedener Komponenten der DUV-Lithographieanlage 100B auf. Dabei ist die Steuereinrichtung 126 mit dem Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102, einer DUV-Lichtquelle 106B, einer Halterung 128 der Photomaske 120 (Engl.: reticle stage) und einer Halterung 130 des Wafers 122 (Engl.: wafer stage) verbunden.
Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei 193 nm emittiert.
Das in 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 122 oder dergleichen abgebildet wird.
Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 132 und/oder Spiegel 134 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 122 auf. Dabei können einzelne Linsen 132 und/oder Spiegel 134 des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 124 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen und Spiegel der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen und/oder Spiegel vorgesehen sein. Insbesondere weist das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 der DUV-Lithographieanlage 100B mehrere Linsen und/oder Spiegel auf. Des Weiteren sind die Spiegel i.d.R. an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
Der Spiegel 110 der EUV-Lithographieanlage 100A kann als Facettenspiegel ausgebildet sein. Eine Kippanordnung in Form einer Facetteneinrichtung 200 wird nachfolgend beispielhaft für den Spiegel 110 der EUV-Lithographieanlage 100A beschrieben. Die Facetteneinrichtung 200 kann jedoch auch bei allen anderen Spiegeln der EUV-Lithographieanlage 100A oder der DUV-Lithographieanlage 100B, die als Facettenspiegel ausgebildet sind, eingesetzt werden.
2 zeigt eine Baugruppe 202 des Spiegels 110 aufweisend mehrere Facetteneinrichtungen 200. Die Facetteneinrichtungen 200 umfassen jeweils eine Facette 204, ein Basiselement 206, und zumindest einen Draht 208. Eine Facette 204 weist eine optische Fläche 210 zum Reflektieren von elektromagnetischer Strahlung auf und ist relativ zu dem Basiselement 206 verkippbar. Der zumindest eine Draht 208 ist mittels Drahtbonden mit der Facette 204 und dem Basiselement 206 verbunden.
Die Facetteneinrichtung 200 kann weiter eine Aktorvorrichtung 212 aufweisen. Die Aktorvorrichtung 212 kann einen ersten Piezo-Biegewandler 214 und einen zweiten Piezo-Biegewandler 216 umfassen, um die Aktorvorrichtung 212 auszulenken. Weiter kann die Aktorvorrichtung 212 einen Hebel 218 aufweisen, um die Auslenkung der Aktorvorrichtung 212 zu vergrößern. Zudem kann die Aktorvorrichtung mit einem Aktorgestell 220 und einer Detektionseinheit 222 vorgesehen sein. Mit dem Aktorgestell 220 und der Detektionseinheit 222 kann die Auslenkung der Aktorvorrichtung 212 ermittelt werden. Die Auslenkung der Aktorvorrichtung 212 wird mittels eines Aktuierungsdrahts 224 in eine Verkippung der Facette 204 umgewandelt.
3 zeigt eine Schnittansicht der Baugruppe 202 des Spiegels 110 aus 2. Der erste Piezo-Biegewandler 214 kann in eine erste Richtung ausgelenkt werden. In 3 verläuft die erste Richtung senkrecht zur Zeichenebene. Der zweite Piezo-Biegewandler 216 kann in eine zweite Richtung ausgelenkt werden, wobei die zweite Richtung nicht der ersten Richtung entspricht. In 3 verläuft die zweite Richtung horizontal in der Zeichenebene. Der erste Piezo-Biegewandler 214 ist mit dem zweiten Piezo-Biegewandler 216 verbunden. Dadurch kann die Aktorvorrichtung 212 sowohl in die erste als auch in die zweite Richtung ausgelenkt werden.
In 3 ist gezeigt, dass der erste Piezo-Biegewandler 216 und der zweite Piezo-Biegewandler derart angeordnet sind, dass die erste Richtung orthogonal zu der zweiten Richtung ist.
4 zeigt eine perspektivische Ansicht einer der in 2 und 3 dargestellten Facetteneinrichtungen 200. Die in 4 dargestellte Facetteneinrichtung 200 umfasst eine Aktorvorrichtung 212. Die Aktorvorrichtung weist den Hebel 218 auf, wobei der Hebel 218 ein erstes Hebelende 400 und ein zweites Hebelende 402 besitzt. Das erste Hebelende 400 ist mit dem Aktuierungsdraht 224 verbunden. Dagegen ist das zweite Hebelende 402 mit dem ersten Piezo-Biegewandler 214 verbunden. Der Hebel 218 vergrößert die Auslenkung des ersten und des zweiten Piezo-Biegewandlers 214, 216 und überträgt die vergrößerte Auslenkung auf den Aktuierungsdraht 224. Aufgrund der Auslenkung des Aktuierungsdrahts 224 wird die Facette 204 verkippt.
5 zeigt eine perspektivische Ansicht des Bereichs V aus 4. Dabei ist in 5 die Facetteneinrichtung 200 ohne Aktorvorrichtung 212 dargestellt. Die Facetteneinrichtung 200 weist die Facette 204, das Basiselement 206 und den zumindest einen Draht 208 auf. Der Durchmesser der Facette 204 kann im Bereich von 1 mm bis 20 mm, bevorzugt im Bereich von 3 mm bis 10 mm, liegen. Der zumindest eine Draht 208 ist mittels Drahtbonden mit der Facette 204 und dem Basiselement 206 verbunden. Die Facette 204 kann an ihrer der optischen Fläche 210 abgewandten Seite ein Verbindungselement 500 aufweisen. In diesem Fall kann der zumindest eine Draht 208 mit dem Verbindungselement 500 mittels Drahtbonden verbunden sein.
Der zumindest eine Draht 208 ist mit einer von der Facette 204 abgewandten Seite 502 des Basiselements 206 verbunden. Auf dieser Seite 502 des Basiselements 206 kann die Bondverbindung einfacher realisiert werden, da auf der von der Facette 204 abgewandten Seite 502 des Basiselements 206 mehr Platz zur Verfügung steht als auf einer der Facette 204 zugewandten Seite 504 des Basiselements 206.
Das Basiselement 206 kann eine Durchführung 506 aufweisen. Dabei kann die Durchführung 506 insbesondere als Loch ausgebildet sein. Weiter kann sich der zumindest eine Draht 208 durch die Durchführung 506 erstrecken. Damit kann verhindert werden, dass der zumindest eine Draht 208 außen am Basiselement 206 vorbeigeführt wird.
Zusätzlich zu dem zumindest einen Draht 208 können ein oder mehrere weitere Drähte 508 vorgesehen sein. Dabei können die weiteren Drähte 508 ebenfalls mittels Drahtbonden mit der Facette 204 und/oder dem Basiselement 206 verbunden sein. Insgesamt können insbesondere 1 bis 1000, 10 bis 300 oder 50 bis 200 Drähte 208, 508 vorgesehen sein. Wie in 5 dargestellt, können die Drähte 208, 508 zusammen einen zeltartigen Aufbau 510 bilden.
6 zeigt eine Schnittansicht der in 5 dargestellten Facetteneinrichtung 200. Der Aktuierungsdraht 224 ist an seinem ersten Ende 600 mit der Facette 204 verbunden und kann an seinem zweiten Ende 602 für das Verkippen der Facette 204, um eine Achse 604 senkrecht zu seiner Längsachse 606, biegbar sein. Dabei greift der Aktuierungsdraht 224 vorzugsweise mittig an der Facette 204 an. Für den Fall, dass die Facette 204 ein Verbindungselement 500 aufweist, greift der Aktuierungsdraht 224 vorzugsweise mittig an dem Verbindungselement 500 an.
Der zumindest eine Draht 208 kann an seinem facettenseitigen Ende 608 einen geradlinigen Verlauf 614 aufweisen. Verlängert man den geradlinigen Verlauf 614 geradlinig über das facettenseitige Ende 608 des zumindest einen Drahts 208 hinaus, dann verläuft die geradlinige Verlängerung 610 durch den Drehpunkt 612 der Facette 204.
Weiter kann der zumindest eine Draht 208 ein Metall aufweisen. Dabei kann es sich um Gold, Silber oder Kupfer handeln. Der Durchmesser des zumindest einen Drahts 208 kann in einem Bereich von 10 bis 1000 μm, 20 bis 500 μm oder 50 bis 100 μm liegen. Durch die Wahl des Materials und des Durchmessers eines Drahts und der Anzahl der Drähte kann eine ausreichende thermische und/oder elektrische Leitfähigkeit und eine ausreichende mechanische Stabilität bzw. ausreichende mechanische Flexibilität erreicht werden.
Die für den zumindest einen Draht 208 genannten Eigenschaften und Merkmale können einzeln oder in Kombination auch alle möglichen weiteren Drähte 508 aufweisen. Insbesondere können alle facettenseitigen Enden 608 der Drähte 208, 508 in Richtung des Drehpunkts 612 ausgerichtet sein. Durch den Schnittpunkt der geradlinigen Verlängerungen 610 der Drähte 208, 508 wird der Drehpunkt 612 definiert. Bevorzugt liegt der Drehpunkt auf der optischen Fläche 210 der Facette 204.
7 zeigt eine Schnittansicht des Bereichs VII aus 4. Dargestellt ist die Facetteneinrichtung 200, wobei von der Aktorvorrichtung 212 lediglich ein Teil des Hebels 218 zu sehen ist. Der Hebel 218 kann ein z-Gelenk 700 aufweisen. Dabei kann das z-Gelenk zwei Blattfedern 702 umfassen. Mittels des z-Gelenks 700 kann eine Längenänderung der Facetteneinrichtung 200 ausgeglichen werden. Insbesondere kann eine thermisch bedingte Längenänderung und eine Längenänderung, welche sich aufgrund der Auslenkung der Aktorvorrichtung 212 ergibt, ausgeglichen werden.
8 zeigt eine vergrößerte Darstellung des Bereichs VIII aus 4. Zu sehen ist das zweite Hebelende 402 des Hebels 218, der erste Piezo-Biegewandler 214 und der zweite Piezo-Biegewandler 216. Die Aktorvorrichtung 212 kann ferner ein Aktorgestell 220 und eine Detektionseinheit 222 zum Ermitteln der Auslenkung der Aktorvorrichtung 212 aufweisen.
Das Aktorgestell 220 umfasst ein Aktorbasiselement 800 und mehrere Stangen 802. Insbesondere kann das Aktorgestell 220 eine, zwei, drei, vier, fünf oder sechs Stangen 802 aufweisen. Die Stangen 802 weisen erste Stangenenden 804 auf, die mit dem zweiten Hebelende 402 verbunden sind. Weiter weisen die Stangen 802 zweite Stangenenden 806 auf, die mit der Detektionseinheit 222 verbunden sind. Dazu sind die Stangen 802 durch das Aktorbasiselement 800 geführt. Dabei sind die Stangen 802 bezüglich des Aktorbasiselements 800 beweglich.
Weiter ist der erste Piezo-Biegewandler 214 mit dem zweiten Hebelende 402, der zweite Piezo-Biegewandler 216 mit dem ersten Piezo-Biegewandler 214 und das Aktorbasiselement 800 mit dem zweiten Piezo-Biegewandler 216 verbunden.
Die Detektionseinheit 222 umfasst einen Sensor 808 und ein Sensortarget 810. Dabei ist das Sensortarget 810 mit den zweiten Stangenenden 806 verbunden. Werden die Stangen 802 an ihren ersten Stangenenden 804 aufgrund einer Auslenkung des Aktors bewegt, so überträgt sich diese Auslenkung auf die zweiten Stangenenden 806, welche das Sensortarget 810 bewegen. Der Sensor 808 kann die durch die Stangen 802 verursachte Bewegung des Sensortargets 810 detektieren.
9 zeigt eine schematische Ansicht zur Verkippung der Facette. Der zweite Piezo-Biegewandler 216 ist in eine zweite Richtung ausgelenkt. Der erste Piezo-Biegewandler 214 ist nicht ausgelenkt. Dadurch ergibt sich eine geradlinige Anordnung der Aktorvorrichtung 212. Die Aktorvorrichtung 212 ist, wie in 9 zu sehen, um den Auslenkungswinkel α ausgelenkt. Aufgrund der Auslenkung verbiegt sich der Aktuierungsdraht 224 und verkippt die Facette 204 um den Verkippungswinkel β.
10 zeigt ein Verfahren zum Herstellen einer Facetteneinrichtung 200. In einem ersten Schritt S1 wird eine Facette 204 mit einer optischen Fläche 210 zum Reflektieren von elektromagnetischer Strahlung bereitgestellt. In einem zweiten Schritt S2 wird ein Basiselement 206 bereitgestellt. In einem dritten Schritt S3 wird zumindest ein Draht 208 bereitgestellt, welcher mittels Drahtbonden mit der Facette 204 und dem Basiselement 206 derart verbunden wird, dass die Facette 204 relativ zu dem Basiselement 206 verkippbar ist.
Bei dem Drahtbonden können verschiedene Bondverfahren eingesetzt werden. Insbesondere können das zuvor beschriebene Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden oder das zuvor beschriebene Ultraschall-Wedge-Wedge-Bonden eingesetzt werden. Weiter kann der zumindest eine Draht 208 an die Facette 204 und/oder an das Basiselement 206 unter der Verwendung von Ultraschall gebondet werden.
11 zeigt eine Bondvorrichtung 1100. Mit 11 wird das Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden an der Facette 204 beschrieben. Der zumindest eine Draht 208 wird durch eine Kapillare 1102 der Bondvorrichtung 1100 geführt. Weiter wird der zumindest eine Draht 208 an einem ersten Ende 1104 geschmolzen, so dass sich eine Kugel 1106 bildet. Der zumindest eine Draht 208 wird dann zuerst an seinem ersten Ende 1104, also mit der Kugel 1106, an eine dem Basiselement 206 zugewandte Seite 1108 der Facette 204 gebondet. Danach wird der zumindest eine Draht 208 durch eine Durchführung 506 des Basiselements 206 hindurchgeführt. Anschließend wird der zumindest eine Draht 208 an einem zweiten Ende 1110 an eine von der Facette 204 abgewandte Seite des Basiselements 206 gebondet. Auf diese Weise können ebenfalls weitere Drähte 508 mit der Facette 204 und dem Basiselement 206 verbunden werden.
Die folgenden 12 bis 16 beschreiben ein Ausführungsbeispiel, bei welchem ein Formgedächtnislegierungs-Aktor 1200 (im Folgenden FGL-Aktor) zum Verkippen der Facette 204 vorgesehen ist.
12 kann eine perspektivische Ansicht eines Teils 1202 des Spiegels 110 aus 1A zeigen. Der Teil 1202 des Spiegels 110 weist mehrere Facetteneinrichtungen 200 auf. Jede Facetteneinrichtung 200 kann eine Facette 204, ein Basiselement 206, zwei FGL-Aktoren 1200 und eine Bezugselement 1204, bezüglich dessen die FGL-Aktoren 1200 auf einer Seite befestigt sind, aufweisen.
13 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels einer Facetteneinrichtung 200, welche in dem Teil 1202 des Spiegels 110 aus 12 angeordnet sein kann. Mittels der Drähte 208, 508 ist die Facette 204 mit dem Basiselement 206 verbunden.
Die in 13 gezeigten FGL-Aktoren 1200 weisen ein Rückstellelement 1300 und einen Formgedächtnislegierungs-Draht 1302 (im Folgenden FGL-Draht) auf. Das Rückstellelement 1300 ist als Feder 1304 ausgebildet.
14 zeigt eine vergrößerte perspektivische Ansicht eines Bereichs der Facetteneinrichtung 200 aus 13. Jeder Draht 208, 508 ist an seinem facettenseitigen Ende 608 mittels Drahtbonden mit der Facette 204 verbunden. Weiter ist jeder Draht 208, 508 an seinem anderen Ende 1400 mittels Drahtbonden mit dem Basiselement 206 verbunden. Dabei kann jedes andere Ende 1400 eines Drahts 208, 508 mit einer von der Facette 204 abgewandten Seite 1402 verbunden sein. In diesem Fall ist jeder Draht 208, 508 durch eine Durchführung 506 durch das Basiselement 206 geführt. Es können 1 bis 1000, 10 bis 300 oder 50 bis 200 Drähte 208, 508 pro Facette 204 vorgesehen sein.
15 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines in 13 dargestellten FGL-Aktors 1200. Der FGL-Aktor 1200 weist ein erstes Bauteil 1500 und ein zweites Bauteil 1502 auf. Das Rückstellelement 1300 kann als Druckfeder 1504 ausgebildet sein, um das erste Bauteil 1500 und das zweite Bauteil 1502 auseinanderzudrücken. Der FGL-Draht 1302 wird durch das erste Bauteil 1500, die Druckfeder 1504 und das zweite Bauteil 1502 geführt. Dabei ist der FGL-Draht 1302 an einem ersten Ende 1506 mit dem ersten Bauteil 1500 an einem ersten Ende 1508 des FGL-Aktors 1200 verbunden. Weiter ist der FGL-Draht 1302 an einem zweiten Ende 1510 mit dem zweiten Bauteil 1502 an einem zweiten Ende 1512 des FGL-Aktors 1200 verbunden. Auf diese Weise ist der FGL-Draht 1302 vorgespannt.
16A bis 16H zeigen ein Verfahren zum Herstellen von Facetteneinrichtungen 200. Die Facetteneinrichtungen 200 können einzeln oder wie es die 16A bis 16H zeigen zusammen hergestellt werden.
Die Facetten 204 werden mit ihrer optischen Fläche 210 auf ein Trägerelement (in 16A nicht gezeigt) aufgeklebt/gekittet. Es entsteht eine Facettenanordnung 1600. Jede Facette 204 weist auf ihrer der optischen Fläche 210 abgewandten Seite drei Bereiche 1602, 1604, 1606 auf. In einem mittleren Bereich 1602 werden später die Drähte 208, 508 befestigt. An einem ersten Randbereich 1604 wird später ein erster FGL-Aktor 1200 befestigt und an einem zweiten Randbereich 1606 wird später ein zweiter FGL-Aktor 1200 befestigt. Die Facetten 204 können aus Aluminium (AL), Kupfer (Cu), Silizium (Si) und/oder weiteren metallischen Werkstoffen gefertigt werden.
Danach wird eine Sensoranordnung 1608 auf eine Kühlkörperanordnung 1610 aufgeklebt oder aufgelötet (16B). Dabei kann die Kühlkörperanordnung 1610 Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Stahl und/oder weitere metallische Werkstoffe aufweisen.
Als nächstes wird die Sensor- und Kühlkörperanordnung 1608, 1610 über der Facettenanordnung 1600 positioniert (16C).
Im Anschluss werden die Drähte 208, 508 mittels Drahtbonden an den mittleren Bereichen 1602 der Facetten 204 und an den einzelnen Basiselementen 206 der Kühlkörperanordnung 1610 befestigt (16D).
Danach können die FGL-Aktoren 1200 hergestellt werden (16E). Zum Herstellen eines FGL-Aktors 1200 kann ein erstes Ende 1506 eines FGL-Drahts 1302 in ein erstes Bauteil 1500 eingeführt werden, wobei das erste Ende 1506 mit dem ersten Ende 1508 des FGL-Aktors 1200 verbunden wird. Weiter wird der FGL-Draht 1302 durch eine Druckfeder 1504 geführt, so dass das erste Bauteil 1500 an der Druckfeder 1504 anliegt oder mit dieser verbunden wird. Danach wird ein zweites Ende 1510 des FGL-Drahts 1302 in ein zweites Bauteil 1502 eingeführt, wobei das zweite Ende 1510 mit dem zweiten Ende 1512 des FGL-Aktors 1200 verbunden wird. Dadurch liegt das zweite Bauteil 1502 an der Druckfeder 1504 an oder wird mit dieser verbunden.
Als nächstes werden jeweils zwei FGL-Aktoren 1200 mit einer Facette 204 bzw. mit einem ersten Randbereich 1604 und einem zweiten Randbereich 1606 der Facette 204 verbunden (16F).
Weiter wird eine Bezugselementanordnung 1612 aufweisend mehrere Bezugselemente 1204 mit den FGL-Aktoren 1200 verbunden (16G).
In einem letzten Schritt wird das Trägerelement (in den Figuren nicht gezeigt) abgelöst, so dass die optischen Flächen 210 der Facetten 204 frei liegen (16H).
Obwohl die Erfindung anhand verschiedener Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf keineswegs beschränkt, sondern vielfältig modifizierbar.
Bezugszeichenliste

100: Lithographieanlage
100A: EUV-Lithographieanlage
100B: DUV-Lithographieanlage
102: Strahlformungs- und Beleuchtungssystem
104: Projektionssystem
106A: EUV-Lichtquelle
106B: DUV-Lichtquelle
108A: EUV-Strahlung
108B: DUV-Strahlung
110: Spiegel
112: Spiegel
114: Spiegel
116: Spiegel
118: Spiegel
120: Photomaske
122: Wafer
124: optische Achse des Projektionssystems
126: Steuereinrichtung
128: Halterung der Photomaske
130: Halterung des Wafers
132: Linse
134: Spiegel
136: Spiegel
200: Facetteneinrichtung
202: Baugruppe
204: Facette
206: Basiselement
208: Draht
210: optische Fläche
212: Aktorvorrichtung
214: erster Piezo-Biegewandler
216: zweiter Piezo-Biegewandler
218: Hebel
220: Aktorgestell
222: Detektionseinheit
224: Aktuierungsdraht
400: erstes Hebelende
402: zweites Hebelende
500: Verbindungselement
502: Seite
504: Seite
506: Durchführung
508: Draht
510: zeltartiger Aufbau
600: erstes Ende des Aktuierungsdrahts
602: zweites Ende des Aktuierungsdrahts
604: Achse
606: Längsachse des Aktuierungsdrahts
608: facettenseitiges Ende des Drahts
610: geradlinige Verlängerung
612: Drehpunkt
614: geradliniger Verlauf
700: z-Gelenk
702: Blattfeder
800: Aktorbasiselement
802: Stange
804: erstes Stangenende
806: zweites Stangenende
808: Sensor
810: Sensortarget
1100: Bondvorrichtung
1102: Kapillare
1104: erstes Ende des Drahts
1106: Kugel
1108: Seite der Facette
1110: zweites Ende des Drahts
1200: Formgedächtnislegierungs-Aktor
1202: Teil
1204: Bezugselement
1300: Rückstellelement
1302: Formgedächtnislegierungs-Draht
1304: Feder
1400: anderes Ende eines Drahts
1402: abgewandte Seite
1500: erstes Bauteil
1502: zweites Bauteil
1504: Druckfeder
1506: erstes Ende des FGL-Drahts
1508: erstes Ende des FGL-Aktors
1510: zweites Ende des FGL-Drahts
1512: zweites Ende des FGL-Aktors
1600: Facettenanordnung
1602: mittlerer Bereich
1604: erster Randbereich
1606: zweiter Randbereich
1608: Sensoranordnung
1610: Kühlkörperanordnung
1612: Bezugselementanordnung
M1–M6: Spiegel
α A: uslenkungswinkel
β V: erkippungswinkel

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 102008049556 A1 [0006]

Claims

Kippanordnung (200), insbesondere für eine Lithographieanlage (100), aufweisend ein erstes Element (204), ein zweites Element (206), wobei das erste Element (204) relativ zu dem zweiten Element (206) verkippbar ist, und zumindest einen Draht (208), welcher mittels Drahtbonden mit dem ersten Element (204) und/oder dem zweiten Element (206) verbunden ist.
Kippanordnung nach Anspruch 1, wobei der zumindest eine Draht (208) mit einer von dem ersten Element (204) abgewandten Seite (502) des zweiten Elements (206) verbunden ist.
Kippanordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das zweite Element (206) eine Durchführung (506), insbesondere ein Loch, aufweist, durch die sich der zumindest eine Draht (208) erstreckt.
Kippanordnung nach Anspruch 2 oder 3, wobei der zumindest eine Draht (208) an seinem dem ersten Element (204) zugewandten Ende (608) einen geradlinigen Verlauf (614) aufweist.
Kippanordnung nach Anspruch 4, wobei der zumindest eine Draht (208) als Drehgelenk für das Verkippen des ersten Elements (204) relativ zu dem zweiten Element (206) fungiert, wobei bevorzugt eine geradlinige Verlängerung (610) des geradlinigen Verlaufs (614) des zumindest einen Drahts (208) durch einen Drehpunkt (612) des ersten Elements (204) verläuft.
Kippanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der zumindest eine Draht (208) als elektrischer und/oder thermischer Leiter ausgebildet ist und/oder ein Metall, insbesondere Gold, Silber oder Kupfer, aufweist.
Kippanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der zumindest eine Draht (208) einen Durchmesser von 10 bis 1000 μm, 20 bis 500 μm oder 50 bis 100 μm aufweist.
Kippanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei mehrere Drähte (508), insbesondere 1 bis 1000, 10 bis 300 oder 50 bis 200 Drähte (208, 508), vorgesehen sind.
Kippanordnung nach Anspruch 8, wobei alle dem ersten Element (204) zugewandte Enden (608) der Drähte (208, 508) in Richtung des Drehpunkts (612) ausgerichtet sind.
Kippanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der zumindest eine Draht (208) das erste Element (204) oberhalb des zweiten Elements (206) trägt und/oder die Drähte (208, 508) eine freitragende Struktur bilden, die das erste Element (204) oberhalb des zweiten Elements (206) trägt, und/oder die Drähte (208, 508) einen zeltartigen Aufbau (510) bilden.
Kippanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner aufweisend einen Aktuierungsdraht (224) zum Verkippen des ersten Elements (204), wobei bevorzugt der Aktuierungsdraht (224) an seinem ersten Ende (600) insbesondere mittig an dem ersten Element (204) angreift und an seinem zweiten Ende (602) für das Verkippen um eine Achse (604) senkrecht zu seiner Längsachse (606) biegbar ist.
Kippanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das erste Element (204) ein optisches Element, insbesondere ein Spiegelelement, bevorzugt eine Facette, ist.
Verfahren zum Herstellen einer Kippanordnung (200), insbesondere für eine Lithographieanlage (100), mit den Schritten: a) Bereitstellen eines ersten Elements (204), b) Bereitstellen eines zweiten Elements (206), und c) Bereitstellen zumindest eines Drahts (208), welcher mittels Drahtbonden mit dem ersten Element (204) und/oder dem zweiten Element (206) derart verbunden wird, dass das erste Element (204) relativ zu dem zweiten Element (206) verkippbar ist.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei bei dem Drahtbonden das Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden oder das Ultraschall-Wedge-Wedge-Bonden verwendet wird.
Lithographieanlage (100) mit einer Kippanordnung (200) nach einem der Ansprüche 1 bis 12 oder mit einer nach einem der Ansprüche 13 oder 14 hergestellten Kippanordnung (200).