DE102015212859A1 - Lithographieanlage sowie Verfahren - Google Patents

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Stefan Hembacher
Alireza Akbarinia
Jens Kugler
Panchal Amishkumar Chandulal
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Abstract

Es wird eine Lithographieanlage (100, 100A, 100B, 200) zur Belichtung von in Lots (202, 202‘‘) vorgehaltenen Wafern (122) bereitgestellt, die ein optisches Element (M6, M6‘, M6‘‘), eine erste Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) zur thermischen Konditionierung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) ausschließlich während eines Lotwechsels, und eine zweite, von der ersten Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) verschiedene Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) zur thermischen Konditionierung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) vor, während und/oder nach dem Lotwechsel aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Lithographieanlage sowie ein Verfahren. Bei der Lithographieanlage handelt es sich insbesondere um eine EUV- oder DUV-Lithographieanlage.
  • Lithographieanlagen werden beispielsweise bei der Herstellung von integrierten Schaltungen bzw. ICs verwendet, um ein Maskenmuster in einer Maske (auch als Retikel bezeichnet) auf ein Substrat, wie beispielsweise einem Siliziumwafer, abzubilden. Insbesondere umfassen derartige Lithographieanlagen eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv. Das Bild der mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske wird mittels des Projektionsobjektivs auf das mit einer lichtempfindlichen Schicht (photoresist) beschichtete und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnete Substrat projiziert, um das Maskenmuster auf die lichtempfindliche Schicht des Substrats zu übertragen.
  • In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, das heißt bei Wellenlängen von beispielsweise 13 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet. Ein dabei auftretendes Problem ist, dass die Spiegel infolge Absorption der von der EUV-Lichtquelle emittierten Strahlung (Belichtung der Maske) aber auch aufgrund anderer Wärmequellen eine Erwärmung und eine damit einhergehende thermische Verformung erfahren. Diese thermischen Verformungen – sowohl lokal im Bereich der optischen Fläche, welche belichtet wird, wie auch im gesamten Spiegel – ergeben sich dabei als Funktion der Wärmestromverteilung sowie des materialabhängigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Die optischen Verformungen können wiederum zu Beeinträchtigungen bei der Abbildung mittels des Projektionsobjektivs führen. Das Problem der thermischen Verformung ist im Übrigen nicht auf EUV-Lithographieanlagen beschränkt. Vielmehr besteht dieses Problem auch bei herkömmlichen Lithographieanlagen, die beispielsweise von ArF Excimer Lasern Gebrauch machen und insbesondere mit einer Wellenlänge von 192 nm und entsprechenden Linsen als optische Elemente operieren.
  • Um der erwähnten thermischen Verformung entgegenzusteuern, sind diverse Konzepte zur thermischen Konditionierung der optischen Elemente, d.h. Heizen und/oder Kühlen derselben, bekannt geworden, wie beispielsweise in DE 10 2012 221 923 A1 beschrieben. In der Regel werden dazu diverse Heizer und Kühler um das optische Element positioniert und während der Belichtung derart angesteuert, dass sie als thermische Homogenisierer wirken. D.h. sie stellen sicher, dass bei unterschiedlichen Betriebsbedingungen auf dem entsprechenden optischen Element immer die annähernd gleiche Temperaturverteilung vorliegt.
  • Häufig sind diese Methoden auch völlig ausreichend, um eine zeitlich stationäre homogene Wärmeverteilung sicherzustellen. In der Regel versagen sie, wenn transiente Wärmelasten wirken. Transiente Wärmelasten treten insbesondere bei einem Settingwechsel auf. Ein Setting zeichnet sich bzgl. seiner thermischen Wirkung im Projektionsobjektiv dadurch aus, dass sehr lokal, sehr hohe Wärmeströme auf die Optik wirken. Wechselt das Setting, so werden in der Regel wieder hohe Wärmeströme, aber mit einem deutlich anderen Muster aufgeprägt. Beispielsweise kann sich das Muster von einem X-Dipol zu einem Y-Dipol verändern.
  • Die Konsequenz ist, dass sich im Bereich von >10 min die Temperaturverteilung auf der Optik, und damit auch die Deformation, massiv ändert. Durch Maßnahmen, die auf "zeitlich mittlere" Wärmeverteilungen bzw. Deformationen wirken, kann die Optik nur unzureichend beeinflusst werden. Insbesondere ergibt sich das Problem, dass die optischen Elemente in der Regel eine sehr große thermische Masse aufweisen und durch Kühler oder Heizer nur langsam verändert werden können. Typische thermische Abklingkurven können im Bereich von Stunden liegen.
  • Berücksichtig man typische Randbedingungen eines EUV-Systems wie Wärmelasten im Bereich von 5 bis 50W, Spiegelmassen zwischen 10 und 100 kg und typische Spiegelmaterialien wie ULE (Ultra Low Expansion Glass hergestellt durch die Fa. Corning Inc.) oder Zerodur (glaskeramischer Werkstoff hergestellt durch die Fa. Schott AG), dann führen Abschätzungen zu einem Faktor > 50, um den die typische Zeitkonstante eines EUV-Spiegel reduziert werden müsste. Dies ist nach dem aktuellen Stand der Technik selbst mit dem besten wärmeleitenden Material (Diamant) nicht zu erreichen.
  • Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Lithographieanlage sowie ein verbessertes Verfahren zum Betreiben einer solchen bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Lithographieanlage zur Belichtung von in Lots vorgehaltenen Wafern, welche folgendes aufweist: ein optisches Element, eine erste Konditioniereinrichtung zur thermischen Konditionierung des optischen Elements ausschließlich während eines Lotwechsels, und eine zweite, von der ersten Konditioniereinrichtung verschiedene Konditioniereinrichtung zur thermischen Konditionierung des optischen Elements vor, während und/oder nach dem Lotwechsel.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, die Zeitspanne während Lotwechseln (in dieser Zeit wird kein Wafer belichtet, was einer Belichtungspause entspricht) zu nutzen, um eine thermische Konditionierung, d.h. ein Heizen und/oder Kühlen, des optischen Elements vorzunehmen. Dazu wird eine erste Konditioniereinrichtung eingesetzt, die – aufgrund der Tatsache, dass keine Belichtung stattfindet – anders arbeiten bzw. andere Kühl-/Heizprinzipien nutzen kann als eine zweite Konditioniereinrichtung, die zumindest vor und/oder nach (oder auch während) dem Lotwechsel das optische Element thermisch konditioniert.
  • Ein Lot umfasst mehrere, beispielsweise 50 Wafer. Ein Wafer wiederum mehrere, beispielsweise 100 Dies. Belichtungspausen treten zwischen der Belichtung von jeweils zwei Dies (bspw. 50 ms), zwischen jeweils zwei Wafern (bspw. 30 s) sowie zwischen jeweils zwei Lots (bspw. 1 bis 2 min). Sind alle Dies und Wafer eines Lots belichtet, wird dieser gegen ein neues Lot ausgetauscht. D.h., das alte Lot wird aus der Lithographieanlage entnommen und das neue Lot eingesetzt. Unter einem „Lotwechsel“ ist hier die Zeitspanne zu verstehen, welche es dauert, das alte gegen das neue Lot auszutauschen. Diese Zeitspanne für eine thermische Konditionierung zu nutzen, ist deshalb besonders günstig, da sich regelmäßig zwischen zwei Lots (jedoch i.d.R. nicht zwischen zwei Dies oder zwei Wafern) ein Beleuchtungssetting in der Lithographieanlage ändert, um auf dem neuen Lot bzw. den darin enthaltenen Dies neue Strukturen zu erzeugen. Die transienten Wärmelasten sind dann besonders hoch, wie einleitend ausgeführt. Diesen Transienten wird nun mit einer speziellen Konditioniereinrichtung (erste Konditioniereinrichtung) entgegengewirkt. Das Beleuchtungssetting hängt von der auf einem jeweiligen Die zu erzeugenden Struktur ab und kann bspw. einen X-Dipol, einen Y-Dipol oder eine sonstige mehrpolige Struktur umfassen.
  • Die erste Konditioniereinrichtung konditioniert das optische Element ausschließlich während des Lotwechsels. Die zweite Konditioniereinrichtung dagegen kann das optische Element ggf. ausschließlich vor und/oder nach dem Lotwechsel oder auch während des Lotwechsels konditionieren.
  • Die erste Konditioniereinrichtung kann beispielsweise das optische Element während des Lotwechsels kühlen. Dies kann beispielsweise den Vorteil haben, dass das optische Element während des Lotwechsels thermisch stabil gehalten werden kann, so dass eine Beeinflussung des optischen Elements durch eine Temperaturverteilung und/oder eine Änderung der Temperaturverteilung während des Lotwechsels minimiert werden kann. Da die erste Konditioniereinrichtung ausschließlich während des Lotwechsels verwendet wird bzw. zum Einsatz kommt, kann für die erste Konditioniereinrichtung ein Mechanismus (insbesondere Kühlprinzip) gewählt werden, der unter Umständen die Abbildungseigenschaften des optischen Elements und/oder der Lithographieanlage während des Lotwechsels beeinträchtigt.
  • Unter einer „Konditionierung“ wird ein Kühlen und/oder Heizen verstanden. Wenn zu einem Lotwechsel das Setting für das nächste Lot schon bekannt ist, kann mit einem lokalen Heizen und/oder Kühlen das optische Element für das nächste Lot thermisch vorkonditioniert werden. Dies kann insbesondere zu einem Vorzeichenwechsel in einer Deformation des optischen Elements führen.
  • Das optische Element kann eine optisch aktive Schicht bzw. Fläche (zur Reflexion von Arbeitslicht) und einen Grundkörper aufweisen. Um einen Bi-Metalleffekt zu vermeiden, sind die optische Schicht und der Grundkörper bevorzugt aus demselben Material gefertigt. Das optische Element kann beispielsweise ein Spiegel oder eine Linse sein. Insbesondere kann das optische Element ein Plan- und/oder ein Hohlspiegel sein. Bevorzugt ist das optische Element in einer Lagerung gelagert.
  • Ferner kann eine Detektionseinrichtung vorgesehen sein, welche dazu eingerichtet ist, einen Wechsel eines Lots zu detektieren. Die Detektionseinrichtung kann als Software und/oder Hardware ausgebildet sein. Insbesondere kann Detektionseinrichtung Teil einer Steuereinrichtung der Lithographieanlage (insbesondere zur Steuerung des Lotwechsels in der Lithographieanlage) sein. Alternativ kann die Detektionseinrichtung auch unabhängig von einer Steuereinrichtung vorgesehen sein. Bevorzugt kann die Steuereinrichtung dazu eingerichtet sein, die erste und zweite Konditioniereinrichtung anzusteuern.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite Konditioniereinrichtung eine erste Wärmepumpe, welche dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem optischen Element abzuführen und/oder Wärme dem optischen Element zuzuführen, und eine zweite Wärmepumpe auf, welche dazu eingerichtet ist, Wärme von der ersten Wärmepumpe abzuführen und/oder Wärme der ersten Wärmepumpe zuzuführen.
  • Unter dem Begriff „Wärmepumpe“ wird eine Einrichtung verstanden, die Wärme bzw. thermische Energie von einem Element zu einem anderen Element überträgt. Beispielsweise kann die Wärmepumpe Wärme unter Aufwendung von Arbeit von einem ersten Element aufnehmen, das eine erste Temperatur hat, und die aufgenommene Wärme einem zweiten Element zuführen, das eine zweite Temperatur hat, wobei die erste Temperatur kleiner als die zweite Temperatur ist. Alternativ und/oder zusätzlich kann die Wärmepumpe Wärme von einem ersten Element aufnehmen, das eine erste Temperatur hat, und die aufgenommene Wärme unter Aufwendung von Arbeit einem zweiten Element zuführen, das eine zweite Temperatur hat, wobei die erste Temperatur größer als die zweite Temperatur ist.
  • Insbesondere können die erste Wärmepumpe und die zweite Wärmepumpe über einen Wärmetauscher miteinander gekoppelt sein. Die erste Wärmepumpe kann insbesondere dazu eingerichtet sein, eine am optischen Elemente auftretende Wärme zu einer Stelle zu befördern, an der die zweite Wärmepumpe angeordnet ist. Die erste und/oder zweite Wärmepumpe können mittels einer Lagerung gelagert sein. Diese Lagerung kann insbesondere unabhängig von einer Lagerung des optischen Elements sein. Alternativ kann die Lagerung der ersten und/oder zweiten Wärmepumpe mit der Lagerung des optischen Elements gekoppelt sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die erste Wärmepumpe ein Wärmeeinkopplungselement auf, welches dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem optischen Element in die erste Wärmepumpe einzukoppeln, wobei das optische Element eine Vorderseite mit einer optisch aktiven Fläche und an seiner Rückseite eine Ausnehmung unterhalb der optisch aktiven Fläche aufweist, wobei das Wärmeeinkopplungselement in der Ausnehmung und kontaktlos mit dem optischen Element angeordnet ist.
  • Die Ausnehmung in dem optischen Element kann insbesondere derart ausgestaltet sein, dass ein thermischer Widerstand des optischen Elements in der radialen Richtung des optischen Elements (senkrecht zur optischen Achse des optischen Elements) gleich zu einem thermischen Widerstand in der axialen Richtung (in der Richtung der optischen Achse des optischen Elements) ist. Insbesondere kann eine Tiefe der Ausnehmung derart gewählt sein, dass eine Deformation aufgrund eines Wärmeeintrags auf das optische Element minimiert wird. Das heißt, wenn die Ausnehmung zu groß ist, ist zwar die Trägheit des thermischen Elements bezüglich der Thermalisierung reduziert, jedoch kann eine Wärmeleitung ebenfalls reduziert sein. Dadurch kann eine eingebrachte Wärme das optische Element schneller deformieren. Es kann dadurch notwendig sein, die Rückseite des optischen Elements effektiv zu kühlen. Dies kann beispielsweise mittels des Wärmeeinkopplungselements geschehen, welches dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem optischen Element in die erste Wärmepumpe einzukoppeln. Das Wärmeeinkopplungselement kann ein oder mehrere Teile aufweisen. Insbesondere kann das Wärmeeinkopplungselement beweglich und dazu entsprechend ansteuerbar sein. Weist das Wärmeeinkopplungselement mehrere Teile auf, so können beispielsweise Temperaturprofile eingestellt werden. Beispielsweise kann das Wärmeeinkopplungselement derart eingerichtet sein, dass es in einem Bereich mit einem hohen Wärmeeintrag mehr Wärme in die erste Wärmepumpe einkoppelt als in Bereichen mit einem geringeren Wärmeeintrag.
  • Es kann ferner vorteilhaft sein, wenn das optische Element mittels eines versteifenden Elements stabilisiert ist. Dadurch können beispielsweise Deformationen reduziert werden, die aufgrund der Ausnehmung in dem optischen Element entstehen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das versteifende Element den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen wie das optische Element.
  • Dies hat den Vorteil, dass ein Bi-Metalleffekt verhindert werden kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die erste Wärmepumpe ein oder mehrere Peltierelemente auf.
  • Insbesondere können Peltierelemente den Vorteil haben, dass sie schnell Wärme von dem optischen Element zu der zweiten Wärmepumpe abführen können. Des Weiteren können Peltierelemente einfach von einem Kühlmodus zu einem Heizmodus umgestellt werden, so dass schnell auf geänderte Wärmeverteilungen in dem optischen Element reagiert werden kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die zweite Wärmepumpe in Form eines Wasserkühlkreislaufs ausgebildet.
  • Ein Wasserkühlkreislauf kann insbesondere den Vorteil haben, dass Wärme schnell abgeführt werden kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die zweite Wärmepumpe ein Wärmeeinkopplungselement auf, welches dazu eingerichtet ist, Wärme von der ersten Wärmepumpe in die zweite Wärmepumpe einzukoppeln und/oder Wärme von der zweiten Wärmepumpe in die erste Wärmepumpe einzukoppeln, wobei das Wärmeeinkopplungselement gegenüber einem Tragrahmen der Lithographieanlage beweglich gelagert ist.
  • Insbesondere kann das Wärmeeinkopplungselement ein Wärmetauscher sein. Durch die bewegliche Lagerung des Wärmeeinkopplungselements gegenüber einem Tragrahmen der Lithographieanlage kann insbesondere das optische Element von der zweiten Wärmepumpe mechanisch entkoppelt werden. Dies kann insbesondere den Vorteil haben, dass mechanische Schwingungen der zweiten Wärmepumpe nicht auf das optische Element übertragen werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische Element einen die Ausnehmung verschließenden Deckel auf.
  • Der Deckel versteift das optische Element vorteilhaft.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Deckel an einen Rand des optischen Elements angesprengt.
  • Unter „ansprengen “ ist ein Verbinden von zwei glatten, ebenen Oberflächen nur durch deren molekulare Anziehungskräfte zu verstehen. Dies setzt in der Regel ein Schleifen und/oder Polieren der entsprechenden Oberflächen voraus, bevor diese gegeneinander in Anlage gebracht werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Deckel und/oder der Rand einen Durchtritt für die erste Wärmepumpe auf.
  • Insbesondere kann durch den Durchtritt die erste Wärmepumpe mit der zweiten Wärmepumpe und/oder dem Wärmeeinkopplungselement bzw. Wärmetauscher verbunden werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische Element eine optisch aktive Fläche auf, und die erste Konditioniereinrichtung umfasst eine Zuführeinrichtung zum Zuführen von Wasserstoff auf die optisch aktive Fläche, und eine Absaugeinrichtung zum Absaugen des Wasserstoffs von der optisch aktiven Fläche.
  • Dadurch wird die optische Oberfläche mit Wasserstoff konditioniert, und der Wasserstoff wird wieder abgesaugt, bevor die Beleuchtung der optisch aktiven Fläche wieder eingeschaltet wird, wodurch Transmissionsverluste verhindert werden können. Die Verwendung von Wasserstoff bietet sich deshalb besonders an, weil eine Wasserstoffüberdruckatmosphäre bereits herkömmlicherweise genutzt wird, um das sogenannte Minienvironment (Umgebung des Strahlengangs) frei von Partikeln zu halten. D.h., im Grundsatz sind entsprechende Vorkehrungen schon getroffen bzw. entsprechende Einrichtungen schon vorhanden, um Wasserstoff im Bereich des Spiegels handhaben zu können. Insbesondere können dadurch typische thermische Abklingkurven, deren Zeitkonstante im Bereich von Stunden liegt, reduziert werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lithographieanlage ferner eine Positioniereinrichtung zur Positionierung der Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung auf der optischen Fläche auf.
  • Insbesondere kann die Positioniereinrichtung derart eingerichtet sein, dass die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung derart positioniert wird, dass der Wasserstoff möglichst nah an der optischen Oberfläche ausströmt bzw. abgesaugt wird. Durch die Absaugeinrichtung kann sichergestellt werden, dass der Partialdruck des Wasserstoffs bei wiedereinsetzender Belichtung einen vorgegebenen Wert aufweist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Positioniereinrichtung dazu eingerichtet, die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung während des Lotwechsels über der optischen Fläche und vor und/oder nach dem Lotwechsel seitlich außerhalb des Strahlengangs zu positionieren.
  • Dadurch kann sichergestellt werden, dass die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung nicht im Strahlengang der Lithographieanlage angeordnet ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Positioniereinrichtung als Schwenkeinrichtung, insbesondere mit ein oder mehreren Festkörpergelenken, ausgebildet.
  • Insbesondere können Festkörpergelenke den Vorteil haben, dass keine Teilchen gebildet oder freigesetzt werden können, die sich auf die optisch aktive Fläche des optischen Elements absetzen können.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung ein Rohr auf, dessen eines Ende über der optischen Fläche positionierbar ist.
  • Dadurch kann der Wasserstoff gezielt auf die optisch aktive Fläche geleitet und von dieser abgesaugt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Wasserstoff mittels der Zuführeinrichtung auf lokal definierte Bereiche der optisch aktiven Fläche leitbar.
  • Insbesondere kann die Positioniereinrichtung derart eingerichtet sein, die Zuführund/oder Absaugeinrichtung so zu positionieren, dass der Wasserstoff möglichst nah an der optisch aktiven Fläche ausströmt bzw. abgesaugt wird. Insbesondere kann die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung derart gesteuert werden, dass der Wasserstoff in gezielten Bahnen über die aktive optische Fläche geführt werden kann. Dies hat den Vorteil, dass gezielt lokale Wärmemaxima konditioniert werden können.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lithographieanlage ferner eine Steuereinrichtung auf, welche die Positioniereinrichtung in Abhängigkeit von einem gewählten oder zu wählendem Setting ansteuert.
  • Dadurch kann das optische Element settingspezifisch thermisch konditioniert werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Kühleinrichtung vorgesehen, welche dazu eingerichtet ist, den Wasserstoff derart zu kühlen, dass eine Temperaturdifferenz von zumindest 10 K, bevorzugt 20 K zwischen dem Wasserstoff und der optischen Fläche besteht.
  • Durch die vorliegende Temperaturdifferenz zwischen dem Wasserstoff und der optischen Fläche kann ein höherer Wärmestrom realisiert werden. Bevorzugt kann die Temperaturdifferenz je nach Setting gewählt werden. Insbesondere kann die Steuereinrichtung eingerichtet sein, die Temperaturdifferenz einzustellen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische Element eine optisch aktive Fläche auf. Ferner umfasst die erste Konditioniereinrichtung zumindest einen Kühlkanal zum Führen eines Kühlmittels, welcher in dem optischen Element unterhalb der optisch aktiven Fläche verläuft.
  • Da die erste Konditioniereinrichtung ausschließlich während des Lotwechsels das optische Element thermisch konditioniert, kann eine Beeinflussung des optischen Elements aufgrund von strömungsinduzierten Vibrationen in einem Kühlkanal, der in dem optischen Element gebildet ist, vermieden werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein Netz von Kühlkanälen unterhalb der optischen Fläche angeordnet.
  • Ein Netz unterhalb der optischen Fläche kann den Vorteil haben, dass direkt Wärme von der optischen Fläche abgeführt werden kann. Es kann insbesondere vorteilhaft sein, dass das Netz von Kühlkanälen möglichst nah an der optischen Fläche angeordnet ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weisen die Kühlkanäle jeweils einen Durchmesser kleiner 1 mm auf.
  • Durch den kleinen Durchmesser der Kühlkanäle ist es möglich, eine sehr homogene Kühlung bereitzustellen sowie das Netz von Kühlkanälen nahe unterhalb der optischen Fläche anzuordnen. Ferner kann ein Vorteil darin bestehen, dass sich die Struktur der Kühlkanäle nicht während der Bearbeitung des optischen Elements oder im Betrieb durchprägen kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische Element ein erstes und ein zweites Teil, wobei die Kühlkanäle durch Schleifen in dem ersten Teil und anschließendes Ansprengen des ersten Teils an das zweite Teil erzeugt sind.
  • Durch das Schleifen der Kühlkanäle in dem ersten Teil und anschießendes Ansprengen des ersten Teils an den zweiten Teil kann sichergestellt werden, dass ein Netz von Kühlkanälen unterhalb der optischen Fläche bereitgestellt wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische Element ein erstes und ein zweites Teil auf, welche miteinander den zumindest einen Kühlkanal definieren, wobei das erste Teil plattenförmig und das zweite Teil topfförmig ausgebildet ist, wobei der entsprechende Topf Bestandteil des zumindest einen Kühlkanals ist.
  • Je nach Setting oder Wärmebelastung kann der Topf den Vorteil aufweisen, dass in kurzer Zeit ein großer Teil der thermischen Masse ausgetauscht werden kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind in dem Topf Verstrebungen zur Versteifung des optischen Elements ausgebildet.
  • Die im Topf ausgebildeten Verstrebungen können eine Deformation des optischen Elements reduzieren.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lithographieanlage ferner eine mit dem zumindest einen Kühlkanal verbundene Kühlmittelzufuhr außerhalb des optischen Elements sowie eine Nachführeinrichtung auf, welche dazu eingerichtet ist, die Kühlmittelzufuhr einer Bewegung des optischen Elements passiv oder aktiv nachzuführen.
  • Insbesondere kann dies den Vorteil haben, dass Kräfte, die aufgrund einer Verstellung des optischen Elements entstehen, aufgefangen werden können. Bevorzugt kann die Kühlmittelzufuhr zu einer möglichst zwangskräftefreien Position nachgeführt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lithographieanlage ferner eine Erfassungseinrichtung von zwischen dem optischen Element und der Kühlmittelzufuhr wirkenden Kräften auf, wobei die Nachführeinrichtung die Kühlmittelzufuhr in Abhängigkeit von den erfassten Kräften nachführt.
  • Dies kann insbesondere erlauben, unzulässige Kräfte und Momente auf das optische Element zu vermeiden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lithographieanlage ferner ein Reservoir auf, welches mit dem zumindest einen Kühlkanal fluidisch gekoppelt und dazu eingerichtet ist, Kühlmittel bei einer Volumenänderung desselben aufgrund einer Belichtung des optischen Elements aufzunehmen.
  • Verbleibt das Kühlmittel in dem Kühlkanal, kann es während der Belichtung des optischen Elements vorkommen, dass Wärme auf das Kühlmittel übertragen wird. Folglich muss eine Möglichkeit geschaffen werden, dass sich das Kühlmittel ausdehnen kann, ohne Kräfte auf das optische Element zu übertragen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Reservoir als ein Balg ausgebildet.
  • Beispielsweise kann der Balg ein Faltenbalg sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist dem Reservoir ein Ventil vorgeschaltet, welches bei einem Durchströmen des Kühlkanals mit Kühlmittel während des Lotwechsels geschlossen ist.
  • Das Ventil kann verhindern, dass bei einem Zuführen des Kühlmittels während des Lotwechsels nur das Reservoir gefüllt wird. Bevorzugt schließt das Ventil, wenn das Kühlmittel während des Lotwechsels zugeführt wird, und öffnet, wenn die Belichtung nach dem Lotwechsel wieder startet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der zumindest eine Kühlkanal Bestandteil eines Kühlkreislaufs, welcher in dem optischen Element und einem mit diesem beweglich verbundenen Wärmeauskoppelelement verläuft, wobei eine Mikropumpe dazu eingerichtet ist, Kühlmittel in dem Kühlkreislauf zu zirkulieren.
  • Dadurch kann der Kühlkanal als ein geschlossener Kühlkreislauf vorgesehen werden. Dies kann beispielsweise eine kompaktere Gestaltung der ersten Konditioniereinrichtung ermöglichen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische Element eine optisch aktive Fläche an seiner Vorderseite und einer dieser gegenüberliegenden Rückseite auf, und die zweite Konditioniereinrichtung ist dazu eingerichtet, die Rückseite des optischen Elements mit Wasserstoff zu kühlen.
  • Die Verwendung von Wasserstoff zur Kühlung der Rückseite des optischen Elements hat insbesondere den Vorteil, dass der Wasserstoff, der zu Reinigungszwecken im System vorhanden ist, gleichzeitig auch zur Kühlung verwendet werden kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die zweite Konditioniereinrichtung eine Zuführeinrichtung zum Zuführen von Wasserstoff auf die Rückseite des optischen Elements und eine Absaugeinrichtung zum Absaugen des Wasserstoffs von der Rückseite auf.
  • Insbesondere können die Zuführeinrichtung und die Absaugeinrichtung derart angeordnet sein, dass sich Druckschwankungen im System nur minimal auswirken. Das Vorsehen einer Absaugeinrichtung hat insbesondere den Vorteil, dass höhere Wasserstoffpartialdrücke eingestellt werden können, ohne dass die Transmission des Systems bzw. der Lithographieanlage beeinflusst wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lithographieanlage ferner eine Positioniereinrichtung zur Positionierung der Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung auf der Rückseite auf.
  • Insbesondere kann die Positioniereinrichtung derart eingerichtet sein, die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung in gezielten Bahnen unterhalb der aktiven optischen Fläche zuführen. Dies hat den Vorteil, dass gezielt lokale Wärmemaxima konditioniert werden können.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Positioniereinrichtung als Schwenkeinrichtung, insbesondere mit ein oder mehreren Festkörpergelenken, ausgebildet.
  • Insbesondere können Festkörpergelenke den Vorteil haben, dass keine Teilchen gebildet oder freigesetzt werden können, die sich auf die optisch aktive Fläche des optischen Elements absetzen können.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung ein Rohr auf, dessen eines Ende an der Rückseite positionierbar ist.
  • Dadurch kann der Wasserstoff gezielt an die erforderlichen Positionen unterhalb der optisch aktiven Fläche geleitet und wieder abgesaugt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Wasserstoff mittels der Zuführeinrichtung auf lokal definierte Bereiche der optisch aktiven Fläche leitbar ist.
  • Dies hat den Vorteil, dass gezielt lokale Wärmemaxima konditioniert werden können.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Lithographieanlage ferner eine Steuereinrichtung auf, welche die Positioniereinrichtung in Abhängigkeit von einem gewählten oder zu wählendem Setting ansteuert.
  • Insbesondere kann die Steuereinheit auch dazu eingerichtet sein, zu detektieren, ob ein Lotwechsel stattfindet, und den Lotwechsel zu steuern.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Kühleinrichtung vorgesehen, welche dazu eingerichtet ist, den Wasserstoff derart zu kühlen, dass eine Temperaturdifferenz von zumindest 10 K, bevorzugt 20 K zwischen dem Wasserstoff und der optisch aktiven Fläche besteht.
  • Durch die vorliegende Temperaturdifferenz zwischen dem Wasserstoff und der optischen Fläche kann ein höherer Wärmestrom realisiert werden. Bevorzugt kann die Temperaturdifferenz je nach Setting gewählt werden. Insbesondere kann die Steuereinrichtung eingerichtet sein, die Temperaturdifferenz einzustellen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische Element einen Durchtritt unter der optisch aktiven Fläche auf, welcher sich parallel zu der optisch aktiven Fläche erstreckt und an einer seiner Innenwände die Rückseite definiert.
  • Dies kann insbesondere den Vorteil haben, dass der Wasserstoff, der das optische Element kühlt, möglichst nahe zu der optischen aktiven Fläche eingebracht werden kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform erstrecken sich die Zuführ- und Absaugeinrichtung von gegenüberliegenden Seiten in den Durchtritt hinein.
  • Dadurch, dass sich die Zuführ- und Absaugeinrichtung von gegenüberliegenden Seiten in den Durchtritt hinein erstrecken, kann sichergestellt werden, dass kein Wasserstoff auf die optisch aktive Fläche gelangt. Dadurch können insbesondere Transmissionsverluste in der Lithographieanlage vermindert werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Zuführeinrichtung als ein Rohr mit radialen Bohrungen ausgebildet, welches sich durch den Durchtritt hindurcherstreckt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Absaugeinrichtung benachbart zu Öffnungen des Durchtritts angeordnet.
  • Wird die Zuführeinrichtung als ein Rohr mit radialen Bohrungen ausgebildet, kann insbesondere sichergestellt werden, dass sich die möglichen Druckvariationen, die durch den Wasserstoff gebildet werden, normal zur Innenwand ausbilden und sich dadurch kompensieren.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform beträgt das Verhältnis von Dicke zu Durchmesser des optischen Elements zwischen 1:1 und 1:10, bevorzugt zwischen 1:5 und 1:10.
  • Des Weiteren wird ein Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage, insbesondere der Lithographieanlage wie vorstehend beschrieben, vorgeschlagen, wobei ein optisches Element ausschließlich während eines Lotwechsels mittels einer ersten Konditioniereinrichtung konditioniert wird, und wobei das optische Element vor, während und/oder nach dem Lotwechsel mittels einer zweiten, von der ersten Konditioniereinrichtung verschiedenen Konditioniereinrichtung thermisch konditioniert wird.
  • Die vorgeschlagene Lithographieanlage kann insbesondere eine EUV- oder DUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „extreme ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. DUV steht für „deep ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm.
  • Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmale oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.
  • 1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage;
  • 1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage;
  • 2 zeigt eine schematische Ansicht einer Lithographieanlage gemäß einer Ausführungsform;
  • 3A bis 3F zeigen schematisch ein Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage gemäß einer Ausführungsform;
  • 4 bis 9 zeigen schematische Querschnittsansichten einer Anordnung mit einer zweiten Konditioniereinrichtung gemäß einer ersten bis sechsten Ausführungsform;
  • 10 zeigt eine schematische Draufschicht auf eine Strömungsführung in einer Anordnung mit einer zweiten Konditioniereinrichtung gemäß der fünften oder sechsten Ausführungsform;
  • 11 und 12 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung mit einer ersten Konditioniereinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform in einer ersten Position und einer zweiten Position;
  • 13 und 14 zeigen schematische Querschnittsansicht einer Anordnung mit einer ersten Konditioniereinrichtung gemäß einer zweiten und dritten Ausführungsform;
  • 15 zeigt eine schematische Draufschicht auf eine Strömungsführung in einer Anordnung mit einer ersten Konditioniereinrichtung gemäß der dritten Ausführungsform; und
  • 16 und 17 zeigen schematische Querschnittsansichten einer Anordnung mit einer ersten Konditioniereinrichtung gemäß einer vierten und fünften Ausführungsform.
  • Falls nichts anderes angegeben ist, bezeichnen gleiche Bezugszeichen in den Figuren gleiche oder funktionsgleiche Elemente. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
  • 1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht näher dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht näher dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem die Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren bzw. Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein.
  • Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle oder ein Synchrotron vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletten Bereich), also z.B. im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm aussenden. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.
  • Das in 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf die Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 136 auf die Photomaske gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 122 oder dergleichen abgebildet wird.
  • Das Projektionssystem 104 weist sechs Spiegel M1–M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 122 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1–M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 124 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel i.d.R. an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
  • 1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind von einem nicht näher dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem die Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren bzw. Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind. Die DUV-Lithographieanlage 100B weist ferner eine Steuereinrichtung 126 zum Steuern verschiedener Komponenten der DUV-Lithographieanlage 100B auf. Dabei ist die Steuereinrichtung 126 mit dem Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102, einer DUV-Lichtquelle 106B, einer Halterung 128 der Photomaske 120 (Engl.: reticle stage) und einer Halterung 130 des Wafers 122 (Engl.: wafer stage) verbunden.
  • Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei 193 nm emittiert.
  • Das in 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmittives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 122 oder dergleichen abgebildet wird.
  • Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 132 und/oder Spiegel 134 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 122 auf. Dabei können einzelne Linsen 132 und/oder Spiegel 134 des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 124 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen und Spiegel der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen und/oder Spiegel vorgesehen sein. Insbesondere weist das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 der DUV-Lithographieanlage 100B mehrere Linsen und/oder Spiegel auf. Des Weiteren sind die Spiegel i.d.R. an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
  • 2 zeigt eine schematische Ansicht einer Lithographieanlage 200 gemäß einer Ausführungsform.
  • Die Lithographieanlage 200 kann beispielsweise als eine EUV-Lithographieanlage 100A, wie sie in 1A gezeigt ist, oder als eine DUV-Lithographieanlage 100B ausgebildet sein, wie sie in 1B gezeigt ist.
  • Die Lithographieanlage 200 ist bevorzugt dazu eingerichtet, Lots 202, 202‘‘ von Wafern 122 zu belichten. Ein Lot 202, 202‘‘ umfasst mehrere, beispielsweise 50, Wafer 122. Ein Wafer 122 kann wiederum mehrere, beispielsweise 100 Dies (nicht gezeigt) umfassen. Belichtungspausen treten zwischen der Belichtung von jeweils zwei Dies (bspw. 50 ms), zwischen jeweils zwei Wafern 122 (bspw. 30 s) sowie zwischen jeweils zwei Lots 202, 202‘‘ (bspw. 1 bis 2 min) auf. Sind alle Dies und Wafer 122 eines Lots 202, belichtet, wird dieser gegen ein neues Lot 202‘‘ ausgetauscht. D.h. das alte Lot 202 wird aus der Lithographieanlage 200 entnommen, und das neue Lot 202‘‘ eingesetzt. Unter einem „Lotwechsel“ ist hier die Zeitspanne zu verstehen, welche es dauert, das alte gegen das neue Lot 202, 202‘‘ auszutauschen. Diese Zeitspanne für eine thermische Konditionierung zu nutzen, ist deshalb besonders günstig, da sich regelmäßig zwischen zwei Lots 202, 202‘‘ (jedoch i.d.R. nicht zwischen zwei Dies oder zwei Wafern 122) ein Beleuchtungssetting in der Lithographieanlage 200 ändert, um auf dem neuen Lot 202‘‘ bzw. den darin enthaltenen Dies neue Strukturen zu erzeugen. Die transienten Wärmelasten sind dann besonders hoch, wie einleitend ausgeführt.
  • In der Lithographieanlage 200 ist zur Steuerung der Belichtung der einzelnen Dies und Wafern 122 sowie zur Durchführung eines Lotwechsels eine Steuereinrichtung 204 vorgesehen. Ferner weist die Lithographieanlage 200 eine Detektionseinrichtung 206 auf, die dazu eingerichtet ist, einen Lotwechsel zu detektieren. Die Detektionseinrichtung 206 kann mit einer Steuereinrichtung 204 gekoppelt sein. Alternativ kann die Detektionseinrichtung 202 auch in der Steuereinrichtung 204 integriert sein.
  • Zur Belichtung wird ein Wafer 122 von dem Lot 202 genommen, in einer Belichtungsposition 208 belichtet und dann in einen Ablagestapel 202‘ des Lots 202 abgelegt. Dies ist mittels des Pfeils 216 in der 2 dargestellt. Ist das gesamte Lot 202 abgearbeitet und befindet sich dann in dem Ablagestapel 202’, wird das Lot 202 aus der Lithographieanlage 200 entfernt. Dies ist mittels des Pfeils 214 angedeutet.
  • Gleichzeitig wird ein neues Lot 202‘‘ in die Lithographieanlage 200 eingebracht, wie mittels des Pfeils 218 angedeutet ist.
  • Während des Lotwechsels findet eine Belichtung zumindest eines Teils der optischen Elemente M1–M6 bzw. 132, 134 in der Lithographieanlage 200 nicht statt, wozu entsprechende Blenden vorgesehen sein können. Dieser Zustand ist der Einfachheit halber vorliegend mit „Belichtung aus“ bezeichnet. Der normale Belichtungsbetrieb ist dagegen mit „Belichtung an“ bezeichnet. Folglich liegen andere Wärmebeaufschlagungen in den optischen Elementen, wie beispielsweise dem Spiegel M6, vor. Um transiente Temperaturveränderungen bei dem Lotwechsel oder bei einem durch den Lotwechsel bedingten Settingswechsel zu homogenisieren bzw. eine möglichst definierte Temperaturverteilung über die Zeit zu generieren, weist die Lithographieanlage 200 eine erste Konditioniereinrichtung 210 und eine zweite Konditioniereinrichtung 212 auf.
  • Die erste Konditioniereinrichtung 210 ist zur thermischen Konditionierung eines optischen Elements, d.h. bspw. des Spiegels M6, ausschließlich während eines Lotwechsels eingerichtet. Das heißt, die erste Konditioniereinrichtung 210 wird dann verwendet, wenn der Spiegel M6 nicht belichtet wird.
  • Die zweite Konditioniereinrichtung 212 ist von der ersten Konditioniereinrichtung 210 verschieden und ist zur thermischen Konditionierung des Spiegels M6 vor, während und/oder nach dem Lotwechsel eingerichtet. Das heißt, die zweite Konditioniereinrichtung 212 ist insbesondere dazu eingerichtet, vor und nach einem Lotwechsel, eingesetzt zu werden. Zusätzlich ist die zweite Konditioniereinrichtung 212 bevorzugt dazu eingerichtet, auch während eines Lotwechsels eingesetzt zu werden. Dadurch dass die erste Konditioniereinrichtung 210 ausschließlich während einer Belichtungspause eingesetzt wird, kann die erste Konditioniereinrichtung 210 anders arbeiten bzw. andere Kühl-/Heizprinzipien nutzen, als die zweite Konditioniereinrichtung 212, die zumindest vor und/oder nach (oder auch während) dem Lotwechsel den Spiegel M6 thermisch konditioniert.
  • Die 3A bis 3F zeigen schematisch ein Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage 200 gemäß einer Ausführungsform.
  • 3A zeigt einen Belichtungsverlauf in der Lithographieanlage 200. Auf der Abszisse ist die Zeit t aufgetragen. Vom Zeitpunkt t0 bis zum Zeitpunkt t1 wird ein erstes Lot (mit entsprechenden, nicht gezeigten, kurzen Pausen), beispielsweise Lot 202 belichtet. Zwischen dem Zeitpunkt t1 und dem Zeitpunkt t2 findet ein Lotwechsel, beispielsweise von Lot 202 auf Lot 202‘‘, statt. Zwischen diesen Zeitpunkten t1 und t2 ist daher die Belichtung ausgeschaltet. Nach Beendigung des Lotwechsels am Zeitpunkt t2 wird die Belichtung für das neue Lot 202‘‘ wieder eingeschaltet.
  • 3B zeigt den An- und Ausschalteverlauf der ersten Konditioniereinrichtung 210. Wiederum ist auf der Abszisse die Zeit t aufgetragen. Vom Zeitpunkt t0 bis zum Zeitpunkt t1, das heißt während das erste Lot 202 belichtet wird, ist die erste Konditioniereinrichtung 210 ausgeschaltet. Während des Lotwechsels von Lot 202 auf Lot 202‘‘, das heißt vom Zeitpunkt t1 bis zum Zeitpunkt t2, ist die erste Konditioniereinrichtung 210 eingeschaltet. Mit Beginn der Belichtung für das zweite Lot 202‘‘ wird die erste Konditioniereinrichtung wieder ausgeschaltet.
  • Die 3C bis 3F zeigen verschiedene Modi eines Betreibens der zweiten Konditioniereinrichtung 212. Bei den 3C bis 3F ist auf der Abszisse die Zeit t aufgetragen.
  • Bei der 3C ist ein Modus dargestellt, bei dem die zweite Konditioniereinrichtung 212 zusammen mit der Belichtung betrieben wird. Das heißt, die zweite Konditioniereinrichtung 212 ist vor dem Lotwechsel vom Zeitpunkt t0 bis zum Zeitpunkt t1 angeschaltet und wird nach dem Lotwechsel zum Zeitpunkt t2 wieder eingeschaltet. Während des Lotwechsels, das heißt vom Zeitpunkt t1 bis t2 ist in der 3C die zweite Konditioniereinrichtung 212 ausgeschaltet.
  • Die 3D zeigt einen weiteren Modus für die zweite Konditioniereinrichtung 212, bei dem die zweite Konditioniereinrichtung 212 während der gesamten Zeit eingeschaltet bleibt. Das heißt, die zweite Konditioniereinrichtung 212 ist sowohl vor dem Lotwechsel als auch nach dem Lotwechsel sowie während des Lotwechsels eingeschaltet.
  • 3E zeigt einen Modus, bei dem die zweite Konditioniereinrichtung 212 nur vor dem Lotwechsel eingeschaltet ist. Das heißt vom Zeitpunkt t0 bis zum Zeitpunkt t1 während der Belichtung des ersten Lots 202 ist die zweite Konditioniereinrichtung 212 eingeschaltet.
  • 3F zeigt den zu dem in der 3E gezeigten entgegengesetzten Fall. Das heißt, die zweite Konditioniereinrichtung 212 ist ausschließlich nach dem Lotwechsel ab dem Zeitpunkt t2 aktiv.
  • Selbstverständlich kann die zweite Konditioniereinrichtung 212 auch vor dem Lotwechsel und während des Lotwechsels aber nicht nach dem Lotwechsel eingeschaltet sein oder erst während des Lotwechsels eingeschaltet werden und nach dem Lotwechsel weiter verwendet werden.
  • Insbesondere können die in den 3E und 3F gezeigten Modi eingesetzt werden, wenn die Energiezufuhr bzw. die Deformation des Spiegels M6 in den Belichtungszeiten hinreichend klein und die thermische Energie in den Belichtungspausen mittels der ersten Konditioniereinrichtung 210 aus dem Spiegel M6 transportiert werden kann.
  • Nachfolgend werden verschiedene Ausführungsformen einer ersten bzw. zweiten Konditioniereinrichtung für den Spiegel M6 der EUV-Lithographieanlage 100A beschrieben. Diese können jedoch prinzipiell bei allen optischen Elementen der EUV-Lithographieanlage 100A oder der DUV-Lithographieanlage 100B eingesetzt werden. Die erste und zweite Konditioniereinrichtung können auch für andere Bauteile einer Lithographieanlage 100, 200 vorgesehen werden. Dies betrifft insbesondere den Wafer 122 selbst.
  • Die 4 bis 10 zeigen verschiedene Ausführungsformen der zweiten Konditioniereinrichtung.
  • 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 300 mit dem Spiegel M6 und einer zweiten Konditioniereinrichtung 312 gemäß einer ersten Ausführungsform. Um den Spiegel M6 zu lagern, ist der Spiegel M6 an seinem Umfang mit einer Lagerung verbunden, mittels derer er sich an einem Tragrahmen 304 der Lithographieanlage abstützt.
  • Der Spiegel M6 weist an einer Vorderseite eine optisch aktive Fläche 302 auf, die beispielsweise eine Form aufweist, die rotationssymmetrisch zu einer optischen Achse 308 ist. Die optisch aktive Fläche 302 ist auf einem Spiegelkörper 303 vorgesehen. Während einer Belichtung eines Wafers 122 in der Lithographieanlage 200 können sehr hohe Wärmeströme auf den Spiegel M6 wirken. Insbesondere können sich die lokalen Verteilungen dieser Wärmeströme je nach Belichtungseinstellung (Setting) unterscheiden. Wechselt das Setting, so werden in der Regel wieder hohe Wärmeströme, aber mit einem deutlich anderen Muster aufgeprägt. Die Konsequenz ist, dass sich die Temperaturverteilung auf dem Spiegel M6, und damit auch eine durch den aufgebrachten Wärmestrom induzierte Deformation ändert.
  • Um eine schnelle Thermalisierung des Spiegels M6 zu gewährleisten, ist die thermische Masse des Spiegels M6 durch eine Ausnehmung 306 reduziert. Die Ausnehmung 306 ist dabei derart gewählt, dass eine resultierende Spiegeldicke z in axialer Richtung, d.h. in Richtung der optischen Achse 308, ein bestimmtes Verhältnis zu einer Spiegeldicke r in der radialen Richtung aufweist. Dabei ist ein Kompromiss aus der Fertigbarkeit des Spiegels M6 und der Wärmeleitung sowohl in axialer als auch in radialer Richtung zu wählen. Wird der Spiegel M6 in axialer Richtung zu dünn, kann sich der Spiegel M6 aufgrund eines ungünstigen Verhältnisses zwischen der radialen und der axialen Wärmeleitung deformieren. Beispielsweise kann eine Mittendicke des Spiegels M6 in axialer Richtung 10mm betragen.
  • Es kann daher notwendig sein, eine der optisch aktiven Fläche 302 gegenüberliegende Rückseite des Spiegels M6 zu kühlen.
  • Um dieser Deformation entgegenzuwirken, weist die zweite Konditioniereinrichtung 312 eine erste Wärmepumpe 320 auf, die dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem Spiegel M6 abzuführen. Des Weiteren weist die zweite Konditioniereinrichtung 312 eine zweite Wärmepumpe 322 auf, welche dazu eingerichtet ist, Wärme von der ersten Wärmepumpe 320 abzuführen. Die erste Wärmepumpe 320 und die zweite Wärmepumpe 322 können beispielsweise mittels Wärmeeinkopplungselementen 324 miteinander gekoppelt sein. Das Wärmeeinkopplungselement 324 kann beispielsweise ein Wärmetauscher sein.
  • Bevorzugt ist die zweite Konditioniereinrichtung 312 über die zweite Wärmepumpe 322 mechanisch entkoppelt von dem Tragrahmen 304 des Spiegels M6 an einem Tragrahmen 326 gelagert. Alternativ können der Tragrahmen 304 des Spiegels M6 und der Tragrahmen 326 miteinander gekoppelt oder als derselbe Tragrahmen ausgebildet sein.
  • Die erste Wärmepumpe 320 ist insbesondere kontaktlos in der Ausnehmung 306 angeordnet. Dies kann beispielsweise den Vorteil haben, dass Schwingungen aus der ersten Wärmepumpe 320 nicht auf den Spiegel M6 übertragen werden. Die erste Wärmepumpe 320 kann ein Peltierelement 332 aufweisen, wobei auf zumindest einer Seite des Peltierelements ein Wärmeeinkopplungselement 331 vorgesehen ist, das dazu ausgebildet ist, eine thermische Energie von dem Spiegel M6 in die Wärmepumpe 320 und umgekehrt zu übertragen. Die zweite Wärmepumpe 322 kann beispielsweise als Wasserkreislauf ausgebildet sein. Dies wird mittels der Pfeile 328 und 330 in der 4 angedeutet.
  • Die Spiegeltemperaturen in der Lithographieanlage 200 können lokal im Bereich von 30° bis 50°C liegen. Eine typische Umgebungstemperatur, bei der die Lithographieanlage 200 betrieben wird, liegt im Bereich zwischen 20°–30°C. Damit in der Lithographieanlage 200 keine großen Temperaturgradienten und damit Deformationen von Tragstrukturen auftreten, sollte ein verwendetes Kühlmedium ebenfalls im Bereich zwischen 20° und 30° C arbeiten.
  • Der Vorteil der Anordnung 300 liegt insbesondere darin, dass das Peltierelement 332 der ersten Wärmepumpe 320 zusammen mit den Wärmeeinkopplungselementen 324 die Wärme bzw. thermische Energie an eine Stelle befördert, an der mit einer herkömmlichen Kühlung, d.h. mit dem Wasserkühlkreislauf 322, die thermische Energie abgeführt werden kann. Das heißt, die erste Wärmepumpe 320 ermöglicht es, die Wärme bzw. thermische Energie dorthin zuführen, wo zum einen mit größeren Temperaturdifferenzen gearbeitet werden kann und zum anderen ausreichend Raum bereitsteht, dass übliche Kühlwasserleitungen mit Durchmessern > 1 mm verwendet werden können.
  • 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 400 mit dem Spiegel M6 und einer zweiten Konditioniereinrichtung 412 gemäß einer zweiten Ausführungsform.
  • Die erste Wärmepumpe 420 der zweiten Konditioniereinrichtung 412 weist – im Unterschied zu 4 – mehrere separate Peltierelemente 432, wobei auf zumindest einer Seite eines jeweiligen Peltierelements 432 ein Wärmeeinkopplungselement 431 vorgesehen ist, auf. Bevorzugt kann jedes Peltierelement 432 hinsichtlich seiner jeweiligen Kühlleistung einzeln ansteuerbar sein. Ferner können ein oder mehrere der Peltierelemente 432 geheizt werden, während das oder die jeweils anderen Peltierelemente 432 gekühlt werden.
  • 6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 500 mit dem Spiegel M6‘ und einer zweiten Konditioniereinrichtung 512 gemäß einer dritten Ausführungsform.
  • Unter Umständen kann die Ausnehmung 306 in dem Spiegel M6‘ dazu führen, dass eine dynamische Steifigkeit des Spiegels M6‘ reduziert wird. Dies kann dazu führen, dass sich eine Regelbarkeit des Spiegels M6‘ verschlechtert. Dies wird beim dem Spiegel M6‘ dadurch gelöst, dass ein Deckel 534 die Ausnehmung 306 verschießt, wobei der Deckel 534 als versteifendes Element wirkt. Bevorzugt weist der Deckel 534 den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie der Spiegel M6‘ auf. Dadurch kann insbesondere ein unerwünschter Bi-Metall-Effekt verhindert werden.
  • Bevorzugt wird der Deckel 534 an dem Spiegelkörper 303 angesprengt, nachdem die erste Wärmepumpe 520 in der Ausnehmung 306 angeordnet ist. Über Durchtritte 536, die in dem seitlichen Rand des Spiegelkörpers 303 vorgesehen sind, kann die erste Wärmepumpe 520, die beispielsweise ein Peltierelement 532 mit einem Wärmeeinkopplungselement 531 umfasst, mit einer zweiten Wärmepumpe 522 gekoppelt werden. Dies kann, wie vorstehend beschrieben, über ein Wärmeeinkopplungselement 524 erfolgen. Alternativ zu dem Vorsehen des Durchtritts 536 in dem Rand des Spiegelkörpers 303 kann der Durchtritt 536 auch in dem Deckel 534 vorgesehen sein. Wie in der 6 gezeigt ist, kann die zweite Wärmepumpe 522 der zweiten Konditioniereinrichtung 512 auch seitlich, das heißt radial, zum Spiegel M6‘ vorgesehen sein.
  • 7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 600 mit dem Spiegel M6 und einer zweiten Konditioniereinrichtung 612 gemäß einer vierten Ausführungsform.
  • Die zweite Konditioniereinrichtung 612 ist dazu eingerichtet, eine der optisch aktiven Fläche gegenüberliegende Rückseite 305 des Spiegels M6 mit Wasserstoff zu kühlen. Hierfür weist die zweite Konditioniereinrichtung 612 eine Zuführeinrichtung 640 zum Zuführen des Wasserstoffs auf die Rückseite 305 des Spiegels M6 und eine Absaugeinrichtung 642 zum Absaugen des Wasserstoffs von der Rückseite 305 auf.
  • Die Zuführeinrichtung 640 und die Absaugeinrichtung 642 weisen jeweils ein Rohr 644 auf, dessen eines Ende 646 an der Rückseite 305 des Spiegels M6 positionierbar ist. Zum Positionieren sind sowohl an der Zuführeinrichtung 640 als auch der Absaugeinrichtung 642 Positioniereinrichtungen 648 vorgesehen, die die Positionierung der Zuführ- und Absaugeinrichtungen 640, 642 bewerkstelligen.
  • Die Positioniereinrichtungen 648 sind bevorzugt als Schwenkeinrichtungen gebildet, wobei der Schwenkmechanismus mittels mehrerer Festkörpergelenke 650 bereitgestellt wird. Die Positioniereinrichtungen 648 können Aktuatoren, insbesondere Elektromagnete, aufweisen, um die Enden 646 an der gewünschten Position unterhalb der Rückseite 305 zu positionieren.
  • Bevorzugt kann die Steuereinrichtung 204 der Lithographieanlage 200 dazu eingerichtet sein, eine Positionierung der Zuführeinrichtung 640 bzw. die vorgenannten Aktuatoren derart zu steuern, dass der Wasserstoff auf definierte Bereiche unterhalb der aktiven optischen Fläche 302 geleitet wird. Beispielsweise können diese Bereiche entsprechend eines Temperaturprofils, das auf der optisch aktiven Fläche 302 aufgrund eines eingestellten Settings vorliegt, gewählt werden. Dabei können die Zuführ- und Absaugeinrichtung 640, 642 unterhalb der optisch aktiven Fläche 302 insbesondere mittels der vorgenannten Aktuatoren entlang einer Kurve verfahren werden und so zu lokalen Temperaturmaxima bewegt werden. Bevorzugt wird die abgefahrene Kurve derart bestimmt, dass die mit Wasserstoff beaufschlagte Fläche zu keinen unzulässigen Lasten auf dem Spiegel M6 führt.
  • 8 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 700 mit einem Spiegel M6‘‘ und einer zweiten Konditioniereinrichtung 712 gemäß einer fünften Ausführungsform.
  • Der Spiegel M6‘‘ weist einen Durchtritt 714 unter der optischen aktiven Fläche 302 auf. Bevorzugt verläuft dieser Durchtritt 714 parallel zu der optisch aktiven Fläche und definiert an einer seiner Innenwände 716 die Rückseite 305 der optisch aktiven Fläche 302. Zuführ- und Absaugeinrichtungen 740, 742 sind an den sich gegenüberliegenden Seiten des Durchtritts 714 angeordnet. Das heißt, die Wasserstoffzufuhr erfolgt mittels der Zuführeinrichtung 740 von der einen Seite des Durchtritts 714 und die Wasserstoffabsaugung erfolgt mittels der Absaugeinrichtung 742 auf der gegenüberliegenden Seite des Durchtritts 714. Das Absaugen des Wasserstoffs auf der gegenüberliegenden Seite ermöglicht es, dass höhere Wasserstoffpartialdrücke eingestellt werden können, ohne dass die Transmission des Systems beeinflusst wird.
  • Bevorzugt weist der Spiegel M6‘‘ eine Mehrzahl von Durchtritten 714 auf, die parallel und senkrecht zueinander angeordnet sein. Dadurch kann eine netzstrukturförmige Strömungsführung unterhalb der optisch aktiven Fläche 302 erzielt werden (siehe 10).
  • 9 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 800 mit einem Spiegel M6‘‘ und einer zweiten Konditioniereinrichtung 812 gemäß einer sechsten Ausführungsform.
  • Der Spiegel M6‘‘ weist einen Durchtritt 814 unter der optischen aktiven Fläche 302 auf. Bevorzugt verläuft dieser Durchtritt 814 parallel zu der optisch aktiven Fläche und definiert an einer seiner Innenwände 816 die Rückseite 305 der optisch aktiven Fläche 302.
  • Die zweite Konditioniereinrichtung 812 weist eine Zuführeinrichtung 840 auf, die als ein Rohr 844 mit radialen Bohrungen 846 ausgebildet ist. Die radialen Bohrungen 846 als Durchgangsbohrungen ausgebildet, so dass sich Lasten entlang der optischen Achse 308, d.h. Lasten, die normal zur Innenwand 816 des Durchtritts 814 auftreten, gegenseitig kompensieren. Das Rohr 844 erstreckt sich durch den Durchtritt 814 durch den Spiegel M6‘‘ hindurch. Dadurch kann insbesondere ein Verzug des Spiegels M6‘‘ verhindert werden.
  • Bevorzugt wird der Wasserstoff sowohl von einem ersten Ende 848 des Rohr 844 als auch von einem dem ersten Ende 848 gegenüberliegenden zweiten Ende 848‘ des Rohr 844 zugeführt. Der zugeführte Wasserstoff wird mittels Absaugeinrichtungen 842, 842‘ abgesaugt. Bevorzugt sind die Absaugeinrichtungen 842, 842‘ benachbart zu einer Öffnung des Durchtritts 814 angeordnet.
  • 10 zeigt eine schematische Draufschicht auf eine Strömungsführung in einer Anordnung gemäß der fünften Ausführungsform.
  • 10 zeigt eine Draufsicht auf den Spiegel M6‘‘. Die Lagen der Durchtritte 714 sind insbesondere so gewählt, dass die durch die Durchtritte gebildeten Strömungskanäle an Bereichen des Spiegels M6‘‘, an denen eine höhere Wärmelast anliegt, ein dichteres Netz bilden.
  • 11 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 900 mit einer ersten Konditioniereinrichtung 910 gemäß einer ersten Ausführungsform in einer ersten Position und 12 zeigt eine schematische Querschnittsansicht der Anordnung 900 mit der ersten Konditioniereinrichtung 910 gemäß der ersten Ausführungsform in einer zweiten Position.
  • Die erste Konditioniereinrichtung 910 weist eine Zuführeinrichtung 940 zum Zuführen von Wasserstoff auf die optisch aktive Fläche 302 des Spiegels M6 und eine Absaugeinrichtung 942 zum Absaugen des Wasserstoffs von der optisch aktiven Fläche 302 auf. Die Zuführeinrichtung 940 und die Absaugeinrichtung 942 weisen jeweils ein Rohr 944 auf, dessen eines Ende 946 über der optisch aktiven Fläche 302 positionierbar ist. Das Ende 946 des jeweiligen Rohrs 944 wird dabei bevorzugt mittels einer Positioniereinrichtung 948 über der optisch aktiven Fläche 302 positioniert.
  • Da, wie in der 11 gezeigt ist, der Wasserstoff direkt auf die optisch aktive Fläche 302 aufgebracht werden soll, ist die Positioniereinrichtung 948 dazu eingerichtet, die Zuführ- und Absaugeinrichtungen 940, 942 während des Lotwechsels in einer ersten Position über der optisch aktiven Fläche 302 zu positionieren. Bevorzugt ist Positioniereinrichtung 948 derart eingerichtet, die Zuführeinrichtung 940 in der ersten Position so zu positionieren, dass der Wasserstoff möglichst nah an der optisch aktiven Fläche 302 ausströmt. Dadurch kann mittels des Wasserstoffs ein Wärmestrom direkt an der optisch aktiven Fläche 302 generiert werden.
  • Um den Betrieb der Lithographieanlage 200 nicht zu beeinträchtigen, ist die Positioniereinrichtung 948 ferner dazu eingerichtet, die Zuführ- und Absaugeinrichtungen 940, 942 vor und nach dem Lotwechsel in einer zweiten Position außerhalb des Strahlengangs zu positionieren, wie in der 12 gezeigt ist.
  • Die Positioniereinrichtungen 948 sind bevorzugt als Schwenkeinrichtungen gebildet, wobei der Schwenkmechanismus mittels mehrerer Festkörpergelenke 950 bereitgestellt wird. Die Positioniereinrichtungen 948 können Aktuatoren, insbesondere Elektromagnete, aufweisen, um die Enden 946 an der gewünschten Position oberhalb der optisch aktiven Fläche 302 zu positionieren.
  • Bevorzugt kann die Steuereinrichtung 204 der Lithographieanlage 200 dazu eingerichtet sein, eine Positionierung der Zuführeinrichtung 940 bzw. die vorgenannten Aktuatoren, derart zu steuern, dass der Wasserstoff auf definierte Bereiche der optischen aktiven Fläche 302 geleitet wird. Beispielsweise können diese Bereiche entsprechend eines Temperaturprofils, das auf der optisch aktiven Fläche 302 aufgrund eines eingestellten Settings vorliegt, gewählt werden.
  • Dabei können die Zuführ- und Absaugeinrichtung 940, 942 oberhalb der optisch aktiven Fläche 302 entlang einer Kurve verfahren werden und so zu lokalen Temperaturmaxima bewegt werden. Beispielsweise können so Gebiete mit einer hohen thermischen Belastung gezielt während des Lotwechsels gekühlt werden. Nachdem der Lotwechsel abgeschlossen ist, positioniert die Positioniereinrichtung die Zuführund Absaugeinrichtung außerhalb der optischen Fläche, wie es in 12 dargestellt ist.
  • Trotz eines lokal höheren Partialdrucks des Wasserstoffs kann es je nach Setting vorkommen, dass es nicht möglich ist, in kurzer Zeit während des Lotwechsels nur über Wärmeleitung den Spiegel M6 auf das gewünschte Temperaturniveau zu kühlen. Daher kann bevorzugt gekühlter Wasserstoff verwendet werden, der eine Temperaturdifferenzen von >> 10 K zur optisch aktiven Fläche 302 aufweist.
  • 13 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 1000 mit einem Spiegel M6‘‘ und einer ersten Konditioniereinrichtung 1010 gemäß einer zweiten Ausführungsform.
  • Der Spiegel M6‘‘ weist zumindest einen Durchtritt 1014, der als Kühlkanal gebildet ist, unter der optischen aktiven Fläche 302 auf. Bevorzugt verläuft dieser Durchtritt 1014 parallel zu der optisch aktiven Fläche und definiert an einer seiner Innenwände 1016 die Rückseite 305 der optisch aktiven Fläche 302. Ein strömendes Kühlmittel, z.B. Wasser, wird durch den Durchtritt 1014 von der einen Seite zu anderen Seite durchgeleitet, wie mittels des Pfeils 1018 angedeutet ist. Bevorzugt sind mehrere Kühlkanäle 1014 parallel zu einander vorgesehen, die ein Netz unter der optisch aktiven Fläche 302 bilden, siehe beispielsweise 10.
  • Bevorzugt weisen die Kühlkanäle 1014 einen kleinen Durchmesser auf, beispielsweise kleiner als 1 mm. Der Kühlkanal 1014 liegt insbesondere zwischen 5 bis 10 mm unterhalb der optisch aktiven Fläche 302. Die Kühlkanäle wirken dabei wie eine Isolationsschicht. Das Material des Spiegels M6‘‘ hat typischerweise hat eine relativ schlechte Wärmeleitung. Beispielsweise hat ULE eine Wärmeleitungskonstante von 1.3W/mK. Wird ein strömendes Fluid eingesetzt, z.B. Wasser, erfolgt der Wärmetransport nicht mehr über Wärmeleitung, sondern über Konvektion.
  • Konvektion ist mit mehr als 3000W/m2K sehr effektiv und kann über die Strömungsgeschwindigkeit noch beeinflusst bzw. verbessert werden. Lokale Wärmelasten können daher schon nahe an der optisch aktiven Fläche "verschmiert" und eine Deformationsamplitude des Spiegels M6‘‘ reduziert werden.
  • Um zu verhindern, dass sich die Struktur der Kühlkanäle bei der Bearbeitung des Spiegels M6‘‘, beispielsweise beim Polieren der optisch aktiven Fläche 302, oder im Betrieb durchprägt, werden feine Kanäle verwendet. Dazu werden die Kühlkanäle in den Spiegelkörper 303 eingearbeitet beispielsweise mittels Schleifens. Über die in den Spiegelkörper 303 eingeschliffenen Kanäle wird eine Platte mit einer optischen Oberfläche gefügt, beispielsweise mittels Ansprengens.
  • Des Weiteren kann eine Druckausgleicheinrichtung 1327 (16) vorgesehen sein, die dazu eingerichtet ist, eventuelle Änderungen des Drucks des im Kühlkanal 1014 strömenden Kühlmittels auszugleichen.
  • 14 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 1100 mit einem Spiegel M6‘‘ und einer ersten Konditioniereinrichtung 1110 gemäß einer dritten Ausführungsform.
  • Der Spiegel M6‘‘ weist ein erstes und ein zweites Teil 1102, 1104 auf. Das erste Teil 1102 ist plattenförmig ausgebildet und das zweite Teil 1104 ist topfförmig ausgebildet. Der dadurch ausgebildete Topf 1106 ist Bestandteil zumindest eines Kühlkanals 1114. Zur Versteifung können im Topf 1106 Verstrebungen (nicht gezeigt) ausgebildet sein. Je nach Setting oder Wärmebelastung kann der Topf 1106 den Vorteil haben, dass in kurzer Zeit ein großer Teil der thermischen Masse ausgetauscht werden kann.
  • Ein Druckverlust, der bei sehr feinen und vergleichsweise langen Kühlkanälen, wie in 14 gezeigt, auftreten kann und durch eine entsprechende Pumpleistung kompensiert werden muss, wird durch den topfförmigen Kühlkanal 1114 reduziert. Des Weiteren kann eine Druckausgleicheinrichtung 1327 (16) vorgesehen sein, die dazu eingerichtet ist, eventuelle Änderungen des Drucks des im Kühlkanal 1114 strömenden Kühlmittels auszugleichen.
  • 15 zeigt eine schematische Draufschicht auf eine Strömungsführung in einer Anordnung mit einer ersten Konditioniereinrichtung 1010, 1110.
  • Um einen gleichmäßigen Wärmeabtransport zu gewährleisten, kann sowohl bei der Ausführungsform gemäß 13 als auch bei der Ausführungsform gemäß 14 der Fluss des Kühlmittels in dem Spiegel M6‘‘ derart ausgestaltet sein, dass sich ein Netz von Kühlkanälen 1014, 1114 unterhalb der optischen Fläche bildet. 15 zeigt eine Draufsicht auf ein direkt gekühltes optisches Element. Die in der 15 gezeigten Pfeile 1202 deuten die Flussrichtung des Kühlmittels an. Dabei kann die Flussrichtung sowohl durch die Ausbildung von dünnen Kühlkanälen 1014, 1114 als auch durch die Leitung über Verstrebungen in einem topfförmigen optischen Element gewährleistet werden.
  • 16 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 1300 mit einem Spiegel M6‘‘ und einer ersten Konditioniereinrichtung 1310 gemäß einer vierten Ausführungsform.
  • Der Spiegel M6‘‘ weist zumindest einen Durchtritt 1314, der als Kühlkanal gebildet ist, unter der optischen aktiven Fläche 302 auf. Bevorzugt verläuft dieser Durchtritt 1314 parallel zu der optisch aktiven Fläche und definiert an einer seiner Innenwände 1316 die Rückseite 305 der optisch aktiven Fläche 302. Ein strömendes Fühlmittel, z.B. Wasser, wird von einer Kühlmittelzufuhr 1320 zugeführt und durch den Durchtritt 1314 von der einen Seite zu der anderen Seite durchgeleitet, wie mittels des Pfeils 1318 angedeutet ist.
  • Durch das verwendete Kühlmittel können zusätzliche Kräfte und Momente, insbesondere bei dem Zuführen des Kühlmittels wirken. Um eine gewünschte optische Wirkung zu erzielen, werden jedoch die optischen Elemente, d.h. der Spiegel M6‘‘, in der Regel während des Betriebs der Lithographieanlage 200 verfahren, beispielsweise um einen Drift zu korrigieren. Dazu kann es notwendig sein, das optische Element vor den durch das Kühlmittel bzw. die zur Zuführung desselben vorgesehenen Einrichtungen entstehenden Kräfte und Momente zu schützen.
  • An der Kühlmittelzufuhr 1320 ist hierzu eine Erfassungseinrichtung 1322 vorgesehen, die die Kräfte und Momente, die an der Kühlmittelzufuhr 1320 wirken, misst und erfasst. Die Erfassungseinrichtung 1322 bestimmt basierend auf den erfassten Werten ein Minimum. Eine Nachführeinrichtung 1324 führt die Kühlmittelzufuhr 1320 entsprechend des bestimmten Minimums nach. Alternativ oder zusätzlich ist eine weitere Erfassungseinrichtung 1326 vorgesehen, die die Kräfte und Momente an der Lagerung 304 des Spiegels M6‘‘ erfasst und an die Nachführeinrichtung 1324 übermittelt, welche die Nachführung der Kühlmittelzufuhr 1320 entsprechend anpasst. Dadurch kann die Kühlmittelzufuhr 1320 an einer möglichst zwangskräftefreien Position positioniert werden. Die Nachführeinrichtung 1324 kann hierzu einen Elektromagneten oder sonstigen Aktuator aufweisen.
  • Bei den in den 13, 14 und 16 gezeigten Ausführungsformen verbleibt – gemäß einer möglichen hier gezeigten Variante – das Kühlmedium im Spiegel M6‘‘. Hierbei können sich zwei Probleme ergeben. Zum einen wird das Kühlmedium in der Regel einen vom optischen Material des Spiegels M6‘‘ abweichenden thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. D.h. es kann bei Temperaturdifferenzen ein "Bi-Metalleffekt" auftreten. Zum anderen besteht das Risiko, sofern ein flüssiges Kühlmittel verwendet wird, dass das Kühlmittel dynamische Anregungen überträgt, insbesondere wenn das Kühlmittel inkompressibel ist.
  • Diese Probleme können dadurch gelöst werden, dass eine Möglichkeit geschaffen wird, dass sich das Kühlmittel ausdehnen kann. Hierzu ist eine Druckausgleicheinrichtung 1327, die ein Reservoir 1328 umfasst, mit dem das Kühlmittel in Verbindung steht und das sich an die Volumenänderung des Kühlmittels anpassen kann, vorgesehen. Bevorzugt ist das Reservoir als Balg, insbesondere als Faltenbalg, ausgebildet.
  • Damit beim Zuführen des Kühlmittels während des Lotwechsels nicht nur das Reservoir 1328 gefüllt wird, ist in der Druckausgleichseinrichtung 1327 ferner ein Ventil 1330 vorgesehen, das bevorzugt dann schließt, wenn das Kühlmittel während des Lotwechsels zugeführt wird, und dann wieder öffnet, wenn die Belichtung nach dem Lotwechsel wieder startet.
  • 17 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung 1400 mit einem Spiegel M6‘‘ und einer Konditioniereinrichtung 1410 gemäß einer fünften Ausführungsform. Die in der 17 gezeigte Konditioniereinrichtung 1410 kann sowohl als erste Konditioniereinrichtung als auch als zweite Konditioniereinrichtung verwendet werden.
  • Die erste Konditioniereinheit 1410 weist einen geschlossenen Kühlkanal 1412 auf, in dem ein Kühlmittel zirkuliert, wie mittels der Pfeile 1414 angedeutet ist. Das Kühlmittel wird mit einer schwingungsarmen Mikropumpe 1416 bewegt. Mittels eines Wärmetauscher 1418 wird die Wärme an weiteren Kühler 1420 abgegeben. Um zu verhindern, dass mechanische Schwingungen über den Wärmetauscher 1418 an den Spiegel M6‘‘ übertragen werden, können bevorzugt Entkopplungselemente 1422 zwischen dem Spiegel M6‘‘ und dem Wärmetauscher 1418 angeordnet sein. Des Weiteren kann eine Druckausgleicheinrichtung 1327 vorgesehen sein, die dazu eingerichtet ist, eventuelle Änderungen des Drucks des im Kühlkanal 1412 strömenden Kühlmittels auszugleichen.
  • Des Weiteren wurde auf den Spiegel M6, M6‘, M6‘‘ einer EUV-Lithographieanlage, mit einer Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm, eingegangen. Die Erfindung ist jedoch nicht auf EUV-Lithographieanlagen beschränkt, sondern kann auch auf andere Lithographieanlagen, beispielsweise DUV(„deep ultraviolet“)-Lithographieanlagen, mit einer Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm, angewandt werden.
  • Obwohl die Erfindung anhand verschiedener Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf keineswegs beschränkt, sondern vielfältig modifizierbar.
  • Ausführungsformen
    • 1. Lithographieanlage (100, 100A, 100B, 200) zur Belichtung von in Lots (202, 202‘‘) vorgehaltenen Wafern (122), aufweisend: ein optisches Element (M6, M6‘, M6‘‘), eine erste Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) zur thermischen Konditionierung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) ausschließlich während eines Lotwechsels, und eine zweite, von der ersten Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) verschiedene Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) zur thermischen Konditionierung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) vor, während und/oder nach dem Lotwechsel.
    • 2. Lithographieanlage nach Ausführungsform 1, wobei die zweite Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) aufweist: eine erste Wärmepumpe (320, 420, 520), welche dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) abzuführen und/oder Wärme dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) zuzuführen, und eine zweite Wärmepumpe (322, 422, 522), welche dazu eingerichtet ist, Wärme von der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) abzuführen und/oder Wärme der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) zuzuführen.
    • 3. Lithographieanlage nach Ausführungsform 2, wobei die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) ein Wärmeeinkopplungselement (331, 431, 531) aufweist, welches dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) in die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) einzukoppeln und/oder Wärme von der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) in das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) einzukoppeln, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine Vorderseite mit einer optisch aktiven Fläche (302) und an seiner Rückseite (305) eine Ausnehmung (306) unterhalb der optisch aktiven Fläche (302) aufweist, wobei das Wärmeeinkopplungselement (331, 431, 531) in der Ausnehmung (306) und kontaktlos mit dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) angeordnet ist.
    • 4. Lithographieanlage nach Ausführungsform 2 oder 3, wobei die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) ein oder mehrere Peltierelemente (432) aufweist.
    • 5. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 2 bis 4, wobei die zweite Wärmepumpe (322, 422, 522) in Form eines Wasserkühlkreislaufs ausgebildet ist.
    • 6. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 2 bis 5, wobei die zweite Wärmepumpe (322, 422, 522) ein Wärmeeinkopplungselement (324, 524) aufweist, welches dazu eingerichtet ist, Wärme von der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) in die zweite Wärmepumpe (322, 422, 522) einzukoppeln und/oder Wärme von der zweiten Wärmepumpe (322, 422, 522) in die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) einzukoppeln, wobei das Wärmeeinkopplungselement (324, 524) gegenüber einem Tragrahmen (326) der Lithographieanlage (100, 100A, 100B, 200) beweglich gelagert ist.
    • 7. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 3 bis 6, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) einen die Ausnehmung (306) verschließenden Deckel (534) aufweist.
    • 8. Lithographieanlage nach Ausführungsform 7, wobei der Deckel (534) an einen Rand des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) angesprengt ist.
    • 9. Lithographieanlage nach Ausführungsform 8, wobei der Deckel (534) und/oder der Rand einen Durchtritt (536) für die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) aufweist.
    • 10. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 1 bis 9, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine optisch aktive Fläche (302) aufweist, und wobei die erste Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) umfasst: eine Zuführeinrichtung (940) zum Zuführen von Wasserstoff auf die optisch aktive Fläche (302), und eine Absaugeinrichtung (942) zum Absaugen des Wasserstoffs von der optisch aktiven Fläche (302).
    • 11. Lithographieanlage nach Ausführungsform 10, ferner aufweisend eine Positioniereinrichtung (948) zur Positionierung der Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung (940, 942) auf der optischen Fläche (302).
    • 12. Lithographieanlage nach Ausführungsform 11, wobei die Positioniereinrichtung (948) dazu eingerichtet ist, die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung (940, 942) während des Lotwechsels über der optischen Fläche (302) und vor und/oder nach dem Lotwechsel seitlich außerhalb des Strahlengangs zu positionieren.
    • 13. Lithographieanlage nach Ausführungsform 11 oder 12, wobei die Positioniereinrichtung (948) als Schwenkeinrichtung, insbesondere mit ein oder mehreren Festkörpergelenken (950), ausgebildet ist.
    • 14. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 10 bis 13, wobei die Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung (940, 942) ein Rohr (944) aufweist, dessen eines Ende (946) über der optischen Fläche (302) positionierbar ist.
    • 15. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 10 bis 14, wobei der Wasserstoff mittels der Zuführeinrichtung (940) auf lokal definierte Bereiche der optisch aktiven Fläche (302) leitbar ist.
    • 16. Lithographieanlage nach Ausführungsform 15, ferner aufweisend eine Steuereinrichtung (204), welche die Positioniereinrichtung (948) in Abhängigkeit von einem gewählten oder zu wählendem Setting ansteuert.
    • 17. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 10 bis 16, wobei eine Kühleinrichtung vorgesehen ist, welche dazu eingerichtet ist, den Wasserstoff derart zu kühlen, dass eine Temperaturdifferenz von zumindest 10 K, bevorzugt 20 K zwischen dem Wasserstoff und der optischen Fläche besteht.
    • 18. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 1 bis 17, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine optisch aktive Fläche (302) aufweist, und wobei die erste Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) zumindest einen Kühlkanal (1014, 1114, 1314, 1412) zum Führen eines Kühlmittels umfasst, welcher in dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) unterhalb der optisch aktiven Fläche (302) verläuft.
    • 19. Lithographieanlage nach Ausführungsform 18, wobei ein Netz von Kühlkanälen (1014, 1114, 1314, 1412) unterhalb der optischen Fläche (302) angeordnet ist.
    • 20. Lithographieanlage nach Ausführungsform 19, wobei die Kühlkanäle (1014, 1114, 1314, 1412) jeweils einen Durchmesser kleiner 1 mm aufweisen.
    • 21. Lithographieanlage nach Ausführungsform 19 oder 20, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) ein erstes und ein zweites Teil (1102, 1104) umfasst, wobei die Kühlkanäle (1014, 1114, 1314, 1412) durch Schleifen in dem ersten Teil (1102) und anschließendes Ansprengen des ersten Teils (1102) an das zweite Teil (1104) erzeugt sind.
    • 22. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 18 bis 21, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) ein erstes und ein zweites Teil (1102, 1104) aufweist, welche miteinander den zumindest einen Kühlkanal (1014, 1114, 1314, 1412) definieren, wobei das erste Teil (1102) plattenförmig und das zweite Teil (1104) topfförmig ausgebildet ist, wobei der entsprechende Topf (1106) Bestandteil des zumindest einen Kühlkanals (1014, 1114, 1314, 1412) ist.
    • 23. Lithographieanlage nach Ausführungsform 22, wobei in dem Topf (1106) Verstrebungen zur Versteifung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) ausgebildet sind.
    • 24. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 18 bis 23, ferner aufweisend eine mit dem zumindest einen Kühlkanal (1314) verbundene Kühlmittelzufuhr (1320) außerhalb des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) sowie eine Nachführeinrichtung (1324), welche dazu eingerichtet ist, die Kühlmittelzufuhr (1320) einer Bewegung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) passiv oder aktiv nachzuführen.
    • 25. Lithographieanlage nach Ausführungsform 24, ferner aufweisend eine Erfassungseinrichtung (1322, 1326) von zwischen dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) und der Kühlmittelzufuhr (1320) wirkenden Kräften, wobei die Nachführeinrichtung (1324) die Kühlmittelzufuhr (1320) in Abhängigkeit von den erfassten Kräften nachführt.
    • 26. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 18 bis 25, ferner aufweisend ein Reservoir (1328), welches mit dem zumindest einen Kühlkanal (1314) fluidisch gekoppelt und dazu eingerichtet ist, Kühlmittel bei einer Volumenänderung desselben aufgrund einer Belichtung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) aufzunehmen.
    • 27. Lithographieanlage nach Ausführungsform 26, wobei das Reservoir (1328) als ein Balg ausgebildet ist.
    • 28. Lithographieanlage nach Ausführungsform 26 oder 27, wobei dem Reservoir (1328) ein Ventil (1330) vorgeschaltet ist, welches bei einem Durchströmen des Kühlkanals (1314) mit Kühlmittel während des Lotwechsels geschlossen ist.
    • 29. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 18 bis 28, wobei der zumindest eine Kühlkanal (1412) Bestandteil eines Kühlkreislaufs ist, welcher in dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) und einem mit diesem beweglich verbundenen Wärmeauskoppelelement (1418) verläuft, wobei eine Mikropumpe (1416) dazu eingerichtet ist, Kühlmittel in dem Kühlkreislauf zu zirkulieren.
    • 30. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 1 bis 29, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine optisch aktive Fläche (302) an seiner Vorderseite und einer dieser gegenüberliegenden Rückseite (305) aufweist, und wobei die zweite Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) dazu eingerichtet ist, die Rückseite (305) des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) mit Wasserstoff zu kühlen.
    • 31. Lithographieanlage nach Ausführungsform 30, wobei die zweite Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) eine Zuführeinrichtung (640, 740, 840) zum Zuführen von Wasserstoff auf die Rückseite (305) des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) und eine Absaugeinrichtung (642, 742, 842, 842‘) zum Absaugen des Wasserstoffs von der Rückseite (305) aufweist.
    • 32. Lithographieanlage nach Ausführungsform 31, ferner aufweisend eine Positioniereinrichtung (648) zur Positionierung der Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung (640, 642) auf der Rückseite (305).
    • 33. Lithographieanlage nach Ausführungsform 32, wobei die Positioniereinrichtung (648) als Schwenkeinrichtung, insbesondere mit ein oder mehreren Festkörpergelenken (650), ausgebildet ist.
    • 34. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 31 bis 33, wobei Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung (640, 642) ein Rohr (644) aufweist, dessen eines Ende an der Rückseite (305) positionierbar ist.
    • 35. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 31 bis 34, wobei der Wasserstoff mittels der Zuführeinrichtung (640) auf lokal definierte Bereiche der optisch aktiven Fläche (302) leitbar ist.
    • 36. Lithographieanlage nach Ausführungsform 35, ferner aufweisend eine Steuereinrichtung (24), welche die Positioniereinrichtung (648) in Abhängigkeit von einem gewählten oder zu wählendem Setting ansteuert.
    • 37. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 30 bis 36, wobei eine Kühleinrichtung vorgesehen ist, welche dazu eingerichtet ist, den Wasserstoff derart zu kühlen, dass eine Temperaturdifferenz von zumindest 10 K, bevorzugt 20 K zwischen dem Wasserstoff und der optisch aktiven Fläche (302) besteht.
    • 38. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 30 bis 37, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) einen Durchtritt (714, 814) unter der optisch aktiven Fläche (302) aufweist, welcher sich parallel zu der optisch aktiven Fläche (302) erstreckt und an einer seiner Innenwände (716, 816) die Rückseite (305) definiert.
    • 39. Lithographieanlage nach Ausführungsform 38, wobei sich die Zuführ- und Absaugeinrichtung (840), von gegenüberliegenden Seiten (848, 848‘) in den Durchtritt (814) hineinerstrecken.
    • 40. Lithographieanlage nach Ausführungsformen 38 oder 39, wobei die Zuführeinrichtung (840) als ein Rohr (844) mit radialen Bohrungen (846) ausgebildet ist, welches sich durch den Durchtritt (814) hindurcherstreckt, und/oder wobei die Absaugeinrichtung (842, 842‘) benachbart zu Öffnungen des Durchtritts (814) angeordnet ist.
    • 41. Lithographieanlage nach einer der Ausführungsformen 1 bis 40, wobei das Verhältnis von Dicke zu Durchmesser des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) zwischen 1:1 und 1:10, bevorzugt zwischen 1:5 und 1:10, beträgt.
    • 42. Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage, insbesondere der Lithographieanlage (100, 100A, 100B, 200) nach einer der Ausführungsformen 1 bis 41, wobei ein optisches Element (M6, M6‘, M6‘‘) ausschließlich während eines Lotwechsels mittels einer ersten Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) konditioniert wird, und wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) vor, während und/oder nach dem Lotwechsel mittels einer zweiten, von der ersten Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) verschiedenen Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) thermisch konditioniert wird.
  • Bezugszeichenliste
    • 100, 100A, 100B
    EUV-Lithographieanlage
    102
    Strahlformungs- und Beleuchtungssystem
    104
    Projektionssystem
    106, 106A, 106B
    Lichtquelle
    108, 108A, 108B
    Strahlung
    110, 112, 114, 116, 118
    Spiegel
    120
    Photomaske
    122
    Wafer
    124
    optische Achse
    126
    Steuereinrichtung
    128, 130
    Halterung
    132
    Linsen
    134
    Spiegel
    200
    Lithographieanlage
    202, 202‘‘
    Lots
    202‘
    Ablagestapel
    204
    Steuereinrichtung
    206
    Detektionseinrichtung
    208
    Belichtungsposition
    210
    erste Konditioniereinrichtung
    212
    zweite Konditioniereinrichtung
    214, 216, 218
    Pfeil
    300
    Anordnung
    302
    optisch aktive Fläche
    303
    Spiegelkörper
    304
    Fassung
    305
    Rückseite
    306
    Ausnehmung
    308
    optische Achse
    312
    zweite Konditioniereinrichtung
    320
    erste Wärmepumpe
    322
    zweite Wärmepumpe
    324
    Wärmeeinkopplungselement
    326
    Tragrahmen
    328, 330
    Pfeil
    331
    Wärmeeinkopplungselement
    332
    Peltierelement
    400
    Anordnung
    412
    zweite Konditioniereinrichtung
    420
    erste Wärmepumpe
    431
    Wärmeeinkopplungselement
    432
    Peltierelement
    500
    Anordnung
    512
    zweite Konditioniereinrichtung
    520
    erste Wärmepumpe
    522
    zweite Wärmepumpe
    524
    Wärmeeinkopplungselement
    531
    Wärmeeinkopplungselement
    532
    Peltierelement
    534
    Deckel
    536
    Durchtritt
    600
    Anordnung
    612
    zweite Konditioniereinrichtung
    640
    Zuführeinrichtung
    642
    Absaugeinrichtung
    644
    Rohr
    646
    Ende
    648
    Positioniereinrichtung
    650
    Festkörpergelenk
    700
    Anordnung
    712
    zweite Konditioniereinrichtung
    714
    Durchtritt
    716
    Innenwand
    740
    Zuführeinrichtung
    742
    Absaugeinrichtung
    800
    Anordnung
    812
    zweite Konditioniereinrichtung
    814
    Durchtritt
    816
    Innenwand
    840
    Zuführeinrichtung
    842, 842‘
    Absaugeinrichtung
    844
    Rohr
    846
    Bohrung
    848, 848‘
    Ende
    900
    Anordnung
    910
    erste Konditioniereinrichtung
    940
    Zuführeinrichtung
    942
    Absaugeinrichtung
    944
    Rohr
    946
    Ende
    948
    Positioniereinrichtung
    950
    Festkörpergelenk
    1000
    Anordnung
    1010
    erste Konditioniereinrichtung
    1014
    Durchtritt
    1016
    Innenwand
    1018
    Pfeil
    1100
    Anordnung
    1102
    erstes Teil
    1104
    zweites Teil
    1106
    Topf
    1110
    erste Konditioniereinrichtung
    1114
    Kühlkanal
    1202
    Pfeil
    1300
    Anordnung
    1310
    erste Konditioniereinrichtung
    1314
    Durchtritt
    1316
    Innenwand
    1318
    Pfeil
    1320
    Kühlmittelzufuhr
    1322, 1326
    Erfassungseinrichtung
    1324
    Nachführeinrichtung
    1327
    Druckausgleichseinrichtung
    1328
    Reservoir
    1330
    Ventil
    1400
    Anordnung
    1410
    erste Konditioniereinrichtung
    1412
    Kühlkanal
    1414
    Pfeil
    1416
    Mikropumpe
    1418
    Wärmetauscher
    1420
    weiterer Kühler
    M1–M6, M6‘, M6‘‘
    Spiegel
    t, t0, t1, t2
    Zeit, Zeitpunkte
    z
    axiale Spiegeldicke
    r
    radiale Spiegeldicke
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102012221923 A1 [0004]

Claims (20)

  1. Lithographieanlage (100, 100A, 100B, 200) zur Belichtung von in Lots (202, 202‘‘) vorgehaltenen Wafern (122), aufweisend: ein optisches Element (M6, M6‘, M6‘‘), eine erste Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) zur thermischen Konditionierung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) ausschließlich während eines Lotwechsels, und eine zweite, von der ersten Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) verschiedene Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) zur thermischen Konditionierung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) vor, während und/oder nach dem Lotwechsel.
  2. Lithographieanlage nach Anspruch 1, wobei die zweite Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) aufweist: eine erste Wärmepumpe (320, 420, 520), welche dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) abzuführen und/oder Wärme dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) zuzuführen, und eine zweite Wärmepumpe (322, 422, 522), welche dazu eingerichtet ist, Wärme von der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) abzuführen und/oder Wärme der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) zuzuführen.
  3. Lithographieanlage nach Anspruch 2, wobei die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) ein Wärmeeinkopplungselement (331, 431, 531) aufweist, welches dazu eingerichtet ist, Wärme aus dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) in die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) einzukoppeln und/oder Wärme von der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) in das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) einzukoppeln, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine Vorderseite mit einer optisch aktiven Fläche (302) und an seiner Rückseite (305) eine Ausnehmung (306) unterhalb der optisch aktiven Fläche (302) aufweist, wobei das Wärmeeinkopplungselement (331, 431, 531) in der Ausnehmung (306) und kontaktlos mit dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) angeordnet ist.
  4. Lithographieanlage nach Anspruch 2 oder 3, wobei die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) ein oder mehrere Peltierelemente (432) aufweist.
  5. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die zweite Wärmepumpe (322, 422, 522) ein Wärmeeinkopplungselement (324, 524) aufweist, welches dazu eingerichtet ist, Wärme von der ersten Wärmepumpe (320, 420, 520) in die zweite Wärmepumpe (322, 422, 522) einzukoppeln und/oder Wärme von der zweiten Wärmepumpe (322, 422, 522) in die erste Wärmepumpe (320, 420, 520) einzukoppeln, wobei das Wärmeeinkopplungselement (324, 524) gegenüber einem Tragrahmen (326) der Lithographieanlage (100, 100A, 100B, 200) beweglich gelagert ist.
  6. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine optisch aktive Fläche (302) aufweist, und wobei die erste Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) umfasst: eine Zuführeinrichtung (940) zum Zuführen von Wasserstoff auf die optisch aktive Fläche (302), und eine Absaugeinrichtung (942) zum Absaugen des Wasserstoffs von der optisch aktiven Fläche (302).
  7. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine optisch aktive Fläche (302) aufweist, und wobei die erste Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) zumindest einen Kühlkanal (1014, 1114, 1314, 1412) zum Führen eines Kühlmittels umfasst, welcher in dem optischen Element (M6, M6‘, M6‘‘) unterhalb der optisch aktiven Fläche (302) verläuft.
  8. Lithographieanlage nach Anspruch 7, wobei ein Netz von Kühlkanälen (1014, 1114, 1314, 1412) unterhalb der optischen Fläche (302) angeordnet ist.
  9. Lithographieanlage nach Anspruch 7 oder8, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) ein erstes und ein zweites Teil (1102, 1104) aufweist, welche miteinander den zumindest einen Kühlkanal (1014, 1114, 1314, 1412) definieren, wobei das erste Teil (1102) plattenförmig und das zweite Teil (1104) topfförmig ausgebildet ist, wobei der entsprechende Topf (1106) Bestandteil des zumindest einen Kühlkanals (1014, 1114, 1314, 1412) ist.
  10. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 7 bis 9, ferner aufweisend eine mit dem zumindest einen Kühlkanal (1314) verbundene Kühlmittelzufuhr (1320) außerhalb des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) sowie eine Nachführeinrichtung (1324), welche dazu eingerichtet ist, die Kühlmittelzufuhr (1320) einer Bewegung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) passiv oder aktiv nachzuführen.
  11. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 7 bis 10, ferner aufweisend ein Reservoir (1328), welches mit dem zumindest einen Kühlkanal (1314) fluidisch gekoppelt und dazu eingerichtet ist, Kühlmittel bei einer Volumenänderung desselben aufgrund einer Belichtung des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) aufzunehmen.
  12. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) eine optisch aktive Fläche (302) an seiner Vorderseite und einer dieser gegenüberliegenden Rückseite (305) aufweist, und wobei die zweite Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) dazu eingerichtet ist, die Rückseite (305) des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) mit Wasserstoff zu kühlen.
  13. Lithographieanlage nach Anspruch 12, wobei die zweite Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) eine Zuführeinrichtung (640, 740, 840) zum Zuführen von Wasserstoff auf die Rückseite (305) des optischen Elements (M6, M6‘, M6‘‘) und eine Absaugeinrichtung (642, 742, 842, 842‘) zum Absaugen des Wasserstoffs von der Rückseite (305) aufweist.
  14. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 6 bis 13, ferner aufweisend eine Positioniereinrichtung (648) zur Positionierung der Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung (640, 642) auf der Rückseite (305), und/oder eine Positioniereinrichtung (948) zur Positionierung der Zuführ- und/oder Absaugeinrichtung (940, 942) auf der optischen Fläche (302).
  15. Lithographieanlage nach Anspruch 14, wobei die Positioniereinrichtung (648, 948) als Schwenkeinrichtung, insbesondere mit ein oder mehreren Festkörpergelenken (650, 950), ausgebildet ist.
  16. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 6 bis 15, wobei die Zuführund/oder Absaugeinrichtung (640, 642, 940, 942) ein Rohr (644, 944) aufweist, dessen eines Ende an der Rückseite (305) positionierbar ist, und/oder dessen eines Ende (946) über der optischen Fläche (302) positionierbar ist.
  17. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 6 bis 16, wobei der Wasserstoff mittels der Zuführeinrichtung (640, 940) auf lokal definierte Bereiche der optisch aktiven Fläche (302) leitbar ist.
  18. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 14 bis 17, ferner aufweisend eine Steuereinrichtung (24), welche die Positioniereinrichtung (648, 948) in Abhängigkeit von einem gewählten oder zu wählendem Setting ansteuert.
  19. Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 6 bis 18, wobei eine Kühleinrichtung vorgesehen ist, welche dazu eingerichtet ist, den Wasserstoff derart zu kühlen, dass eine Temperaturdifferenz von zumindest 10 K, bevorzugt 20 K zwischen dem Wasserstoff und der optisch aktiven Fläche (302) besteht.
  20. Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage, insbesondere der Lithographieanlage (100, 100A, 100B, 200) nach einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei ein optisches Element (M6, M6‘, M6‘‘) ausschließlich während eines Lotwechsels mittels einer ersten Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) konditioniert wird, und wobei das optische Element (M6, M6‘, M6‘‘) vor, während und/oder nach dem Lotwechsel mittels einer zweiten, von der ersten Konditioniereinrichtung (210, 910, 1010, 1110, 1310, 1410) verschiedenen Konditioniereinrichtung (212, 312, 412, 512, 612, 712, 812) thermisch konditioniert wird.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020204722A1 (de) * 2020-04-15 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102020111976A1 (de) * 2020-05-04 2020-12-24 Asml Netherlands B.V. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
WO2023237282A1 (de) * 2022-06-08 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum betreiben einer projektionsbelichtungsanlage und projektionsbelichtungsanlage

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5390228A (en) * 1991-09-07 1995-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of and apparatus for stabilizing shapes of objects, such as optical elements, as well as exposure apparatus using same and method of manufacturing semiconductor devices
US20030179377A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Mirror device, mirror adjustment method, exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method
DE102011010462A1 (de) * 2011-01-28 2012-08-02 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Optische Anordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Kühlen eines optischen Bauelements
DE102011113521A1 (de) * 2011-09-15 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102011086513A1 (de) * 2011-11-16 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102012221923A1 (de) 2012-11-29 2014-06-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlsystem für zumindest eine Systemkomponente eines optischen Systems für EUV-Anwendungen sowie derartige Systemkomponente und derartiges optisches System
WO2014139543A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5390228A (en) * 1991-09-07 1995-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of and apparatus for stabilizing shapes of objects, such as optical elements, as well as exposure apparatus using same and method of manufacturing semiconductor devices
US20030179377A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Mirror device, mirror adjustment method, exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method
DE102011010462A1 (de) * 2011-01-28 2012-08-02 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Optische Anordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Kühlen eines optischen Bauelements
DE102011113521A1 (de) * 2011-09-15 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102011086513A1 (de) * 2011-11-16 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102012221923A1 (de) 2012-11-29 2014-06-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlsystem für zumindest eine Systemkomponente eines optischen Systems für EUV-Anwendungen sowie derartige Systemkomponente und derartiges optisches System
WO2014139543A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020204722A1 (de) * 2020-04-15 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102020111976A1 (de) * 2020-05-04 2020-12-24 Asml Netherlands B.V. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
WO2023237282A1 (de) * 2022-06-08 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum betreiben einer projektionsbelichtungsanlage und projektionsbelichtungsanlage

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