DE102015202575A1 - Device for processing a substrate - Google Patents

Device for processing a substrate Download PDF

Info

Publication number
DE102015202575A1
DE102015202575A1 DE102015202575.6A DE102015202575A DE102015202575A1 DE 102015202575 A1 DE102015202575 A1 DE 102015202575A1 DE 102015202575 A DE102015202575 A DE 102015202575A DE 102015202575 A1 DE102015202575 A1 DE 102015202575A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
laser
contraption
vacuum chamber
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102015202575.6A
Other languages
German (de)
Inventor
Frank Reichenbach
Jochen Reinmuth
Philip Kappe
Juergen Butz
Jens Frey
Mawuli Ametowobla
Julia Amthor
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102015202575.6A priority Critical patent/DE102015202575A1/en
Priority to ATA50065/2016A priority patent/AT516786B1/en
Priority to TW105103716A priority patent/TWI703677B/en
Priority to CN201610082140.7A priority patent/CN105895555B/en
Publication of DE102015202575A1 publication Critical patent/DE102015202575A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02035—Shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/1224—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/047—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work moving work to adjust its position between soldering, welding or cutting steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/00492—Processes for surface micromachining not provided for in groups B81C1/0046 - B81C1/00484
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
    • H01L21/786—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0111—Bulk micromachining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2900/00—Apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of microstructural devices or systems

Abstract

Vorrichtung (100) zum Bearbeiten eines Substrats, aufweisend: – wenigstens eine Vakuumkammer (10), in der ein definierter Gasdruck einstellbar ist; – eine Heizeinrichtung zum Ausheizen des Substrats; und – eine außerhalb der Vakuumkammer (10) angeordnete Lasereinrichtung (20), wobei die Lasereinrichtung (20) relativ zum Substrat bewegbar ist, wobei mittels der Lasereinrichtung (20) wenigstens eine Kaverne des in der Vakuumkammer (10) anordenbaren Substrats durch Aufschmelzen von Substratmaterial verschließbar ist.Apparatus (100) for processing a substrate, comprising: - at least one vacuum chamber (10) in which a defined gas pressure is adjustable; A heating device for heating the substrate; and - a laser device (20) arranged outside the vacuum chamber (10), wherein the laser device (20) is movable relative to the substrate, wherein by means of the laser device (20) at least one cavity of the substrate which can be arranged in the vacuum chamber (10) is melted by substrate material is closable.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats.The invention relates to a device for processing a substrate.

Stand der TechnikState of the art

Im Stand der Technik sind Laserbearbeitungsanlagen bekannt, bei denen ein zu bearbeitendes Substrat während der Bearbeitung mit gewünschten Gasen in einem offenen System gespült wird. Das Spülen mit Gasen kann der Kühlung des Substrats oder dem Abtransport von Prozessprodukten dienen.In the prior art laser processing systems are known in which a substrate to be processed is rinsed during processing with desired gases in an open system. Flushing with gases may serve to cool the substrate or remove process products.

DE 42 38 826 C1 offenbart eine Vorrichtung zum Bestrahlen eines Substrats mit einem Zweikammersystem, wobei ein Si-Substrat unter Ultrahochvakuum getempert wird. Eine Laserquelle ist dabei außerhalb der Vorrichtung angeordnet, das zu bearbeitende Si-Substrat befindet sich in einer ersten Vakuumkammer, bewegliche Spiegel zur Veränderung einer Position von Laserstrahlung relativ zum Si-Substrat befinden sich in einer zweiten Vakuumkammer. Durch zwei Fenster hindurch trifft Laserstrahlung von extern auf das in der ersten Vakuumkammer angeordnete Si-Substrat. DE 42 38 826 C1 discloses an apparatus for irradiating a substrate with a two-chamber system wherein an Si substrate is annealed under ultrahigh vacuum. A laser source is arranged outside the device, the Si substrate to be processed is located in a first vacuum chamber, movable mirrors for changing a position of laser radiation relative to the Si substrate are located in a second vacuum chamber. Through two windows, laser radiation impinges externally on the Si substrate arranged in the first vacuum chamber.

Für die Herstellung von Dünnfilmtransistoren (TFT) ist die Verwendung von Laseraufschmelzen bekannt. In TFTs bildet polykristallines Silizium die aktive Schicht, die durch Aufheizen und Kristallisieren einer amorphen Siliziumschicht als Ausgangsmaterial gebildet wird. Aufgrund der Verwendung von Glas als Substratmaterial mit niedrigem Schmelzpunkt sind Methoden mit einer niedrigen Temperaturbelastung des Substrats wie Laseraufschmelzen bevorzugt.For the fabrication of thin film transistors (TFTs), the use of laser fuses is known. In TFTs, polycrystalline silicon forms the active layer formed by heating and crystallizing an amorphous silicon layer as the starting material. Because of the use of glass as the low melting point substrate material, low temperature stress methods of the substrate such as laser reflow are preferred.

In US 6 797 651 B2 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Laseraufschmelzen von Silizium zur Herstellung polykristalliner Siliziumschichten mit glatten Oberflächen beschrieben. Dazu wird das Laseraufschmelzen in einer Vakuumkammer unter einem Druck zwischen 1,3 × 103 Pa und 1,3 Pa durchgeführt. Dadurch lassen sich polykristalline Siliziumschichten mit geringer Oberflächenrauigkeit erzeugen. In der Vorrichtung wird fokussiertes Laserlicht durch ein Kammerfenster auf ein Objekt innerhalb der Kammer gerichtet. Die Kammer enthält eine Inertgas-Zuführung, eine Pumpe zur Vakuumerzeugung und eine Druckkontrolle, um den genannten Druckbereich zu regeln. Die verwendeten Inertgase werden aus der Gruppe Stickstoff (N2), Argon und Neon ausgewählt.In US Pat. No. 6,797,651 B2 For example, a method and apparatus for laser reflowing silicon for producing smooth surface polycrystalline silicon layers is described. For this purpose, the laser melting is carried out in a vacuum chamber under a pressure between 1.3 × 10 3 Pa and 1.3 Pa. As a result, polycrystalline silicon layers with a low surface roughness can be produced. In the apparatus, focused laser light is directed through a chamber window at an object within the chamber. The chamber contains an inert gas supply, a vacuum generating pump and a pressure control to control the said pressure range. The inert gases used are selected from the group nitrogen (N 2 ), argon and neon.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats bereitzustellen.It is an object of the present invention to provide an improved apparatus for processing a substrate.

Die Aufgabe wird gemäß einem ersten Aspekt gelöst mit einer Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats, aufweisend:

  • – wenigstens eine Vakuumkammer, in der ein definierter Gasdruck einstellbar ist;
  • – eine Heizeinrichtung zum Ausheizen des Substrats; und
  • – eine außerhalb der Vakuumkammer angeordnete Lasereinrichtung, wobei die Lasereinrichtung relativ zum Substrat bewegbar ist, wobei mittels der Lasereinrichtung wenigstens eine Kaverne des in der Vakuumkammer anordenbaren Substrats durch Aufschmelzen von Substratmaterial verschließbar ist.
The object is achieved according to a first aspect with a device for processing a substrate, comprising:
  • - At least one vacuum chamber in which a defined gas pressure is adjustable;
  • A heating device for heating the substrate; and
  • - A arranged outside the vacuum chamber laser device, wherein the laser device is movable relative to the substrate, wherein by means of the laser device at least one cavern of the substrate can be arranged in the vacuum chamber by melting substrate material is closed.

Auf diese Weise wird eine Kombination aus einer heizbaren Vakuumprozesskammer mit einer Laserbearbeitungseinrichtung bereitgestellt, mittels der ein hermetisches Verschließen von Zugangsöffnungen in dem Substrat unter einem genau definierten Umgebungsdruck ermöglicht ist. Dadurch sind MEMS-Elemente mit genau definierten Kaverneninnendrücken herstellbar.In this way, a combination of a heatable vacuum processing chamber with a laser processing device is provided, by means of which a hermetic sealing of access openings in the substrate under a precisely defined ambient pressure is made possible. As a result, MEMS elements can be produced with precisely defined cavity internal pressures.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Vorrichtung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.Advantageous developments of the device are the subject of the dependent claims.

Eine vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Heizeinrichtung in der Vakuumkammer angeordnet ist. Auf diese Weise kann eine platzsparende Kombination aus Vakuumkammer und Heizeinrichtung bereitgestellt werden. An advantageous development of the device is characterized in that the heating device is arranged in the vacuum chamber. In this way, a space-saving combination of vacuum chamber and heater can be provided.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Heizeinrichtung in einer separaten Heizkammer angeordnet ist. Auf diese Weise kann mehr Heizleistung bereitgestellt werden, wobei dadurch gegebenenfalls eine größere Anzahl von Substraten ausgeheizt werden kann.A further advantageous development of the device is characterized in that the heating device is arranged in a separate heating chamber. In this way, more heating power can be provided, thereby optionally a larger number of substrates can be baked.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass mittels der Heizeinrichtung ein Substrat oder mehrere Substrate zugleich ausheizbar sind. Auf diese Weise ist eine effiziente und zeitsparende Bearbeitung der Substrate ermöglicht.A further advantageous development of the device is characterized in that by means of the heating device, one or more substrates are bakeable at the same time. In this way, an efficient and time-saving processing of the substrates is possible.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass sie ferner eine Halteeinrichtung zum Halten des Substrats aufweist. Auf diese Weise kann eine hohe Justage- bzw. Positionierungsgenauigkeit des Substrats relativ zur Lasereinrichtung realisiert werden.A further advantageous development of the device is characterized in that it further comprises a holding device for holding the substrate. In this way, a high adjustment or positioning accuracy of the substrate can be realized relative to the laser device.

Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Vorrichtung zeichnen sich dadurch aus, dass die Halteeinrichtung als eine mechanische Halteeinrichtung, eine Vakuum-Halteeinrichtung oder eine elektrostatische Halteeinrichtung ausgebildet ist. Auf diese Weise werden unterschiedliche technische Möglichkeiten für die Halteeinrichtung bereitgestellt, mit denen unterschiedliche Fixierungskonzepte für das Substrat realisierbar sind.Further advantageous developments of the device are characterized in that the holding device as a mechanical holding device, a vacuum holding device or a Electrostatic holding device is formed. In this way, different technical possibilities for the holding device are provided with which different fixing concepts for the substrate can be realized.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung sieht vor, dass die Lasereinrichtung als ein Laser im nahen Infrarotbereich ausgestaltet ist. Dadurch wird eine effiziente Möglichkeit zum Laseraufschmelzen von Substratmaterial zum Zwecke des Verschließens von Zugangsöffnungen in Kavernen bereitgestellt.A further advantageous development of the device provides that the laser device is designed as a laser in the near infrared range. This provides an efficient way of laser-fusing substrate material for the purpose of closing access openings in caverns.

Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Vorrichtung sehen vor, dass die Lasereinrichtung als ein gepulster Laser oder als ein Dauerstrich-Laser ausgestaltet ist. Dadurch ist das Verfahren des Verschließens von Kavernen von MEMS-Elementen vorteilhaft mit unterschiedlichen Typen von Lasern durchführbar.Further advantageous developments of the device provide that the laser device is designed as a pulsed laser or as a continuous wave laser. As a result, the method of closing caverns of MEMS elements is advantageously feasible with different types of lasers.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass ein Wellenlängenbereich der Lasereinrichtung vorzugsweise zwischen ca. 1000 nm und ca. 1100 nm, noch mehr bevorzugt zwischen ca. 1060 nm und ca. 1080 nm liegt.A further advantageous development of the device is characterized in that a wavelength range of the laser device is preferably between about 1000 nm and about 1100 nm, more preferably between about 1060 nm and about 1080 nm.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass sie weiterhin eine Kühleinrichtung zum Kühlen des Substrats aufweist. Dadurch kann eine zur Laserbearbeitung optimierte definierte Temperatur des Substrats realisiert werden. Ein Verschließen der Kavernen bei unterschiedlichen definierten Temperaturen ist dadurch ermöglicht.A further advantageous development of the device is characterized in that it further comprises a cooling device for cooling the substrate. As a result, a defined temperature of the substrate optimized for laser processing can be realized. Closing the caverns at different defined temperatures is thereby made possible.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass sie weiterhin eine Transfereinrichtung aufweist, mittels der das Substrat zwischen den verschiedenen Einrichtungen transferierbar ist. Dadurch ist ein automatisiertes, örtliches Verlagern des Substrats zwischen einzelnen Einrichtungen und Kammern der Vorrichtung unterstützt, wodurch eine effiziente Fertigung von MEMS-Elementen aus dem Substrat unterstützt ist.A further advantageous development of the device is characterized in that it further comprises a transfer device, by means of which the substrate can be transferred between the various devices. This assists in automated localized displacement of the substrate between individual devices and chambers of the device, thereby promoting efficient fabrication of MEMS elements from the substrate.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass das Substratmaterial Silizium ist.A further advantageous development of the device is characterized in that the substrate material is silicon.

Die Erfindung wird nachfolgend mit weiteren Merkmalen und Vorteilen anhand von mehreren Figuren im Detail beschrieben. Dabei bilden alle beschriebenen Merkmale, unabhängig von ihrer Darstellung in der Beschreibung und in den Figuren, sowie unabhängig von ihrer Rückbeziehung in den Patentansprüchen den Gegenstand der Erfindung. Gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente haben gleiche Bezugszeichen.The invention will be described below with further features and advantages with reference to several figures in detail. In this case, all the features described, regardless of their representation in the description and in the figures, as well as regardless of their relationship in the claims the subject of the invention. Same or functionally identical elements have the same reference numerals.

In den Figuren zeigt:In the figures shows:

1 eine Querschnittsansicht einer Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats; 1 a cross-sectional view of an apparatus for processing a substrate;

2 eine Querschnittsansicht einer weiteren Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats; 2 a cross-sectional view of another device for processing a substrate;

3 eine Querschnittsansicht einer weiteren Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats; 3 a cross-sectional view of another device for processing a substrate;

4 eine Draufsicht einer weiteren Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats; und 4 a top view of another device for processing a substrate; and

5 einen prinzipiellen Ablauf eines Verfahrens zum Bearbeiten eines Substrats. 5 a basic sequence of a method for processing a substrate.

Beschreibung von AusführungsformenDescription of embodiments

Ein mikromechanisches Bauelement (MEMS-Element) kann ein erstes mikromechanisches Sensorelement (z.B. einen Drehratensensor) und ein zweites mikromechanisches Sensorelement (z.B. einen Beschleunigungssensor) umfassen. Mittels Bondmaterial kann ein Kappenelement in Form eines vorzugsweise aus Silizium ausgebildeten Kappenwafers gebildet sein, das zusammen mit dem MEMS-Element eine Bondverbindung realisiert. Über dem ersten Sensorelement kann eine Kaverne ausgebildet sein, in der ein definierter Innendruck eingeschlossen ist. Für einen Drehratensensor mit hoher Güte ist dafür ein sehr niedriger Innendruck erforderlich.A micromechanical device (MEMS) may comprise a first micromechanical sensor element (e.g., a yaw rate sensor) and a second micromechanical sensor element (e.g., an acceleration sensor). Bonding material may be used to form a cap element in the form of a cap wafer, preferably made of silicon, which realizes a bond connection together with the MEMS element. A cavern can be formed above the first sensor element, in which a defined internal pressure is enclosed. For a high-quality rotation rate sensor, a very low internal pressure is required for this.

Auch über dem zweiten Sensorelement kann eine Kaverne angeordnet sein, in der ein definierter Druck eingeschlossen ist. Die beiden genannten Sensorelemente können unter dem gemeinsamen Kappenelement räumlich voneinander getrennt angeordnet sein und realisieren auf diese Art und Weise ein kostengünstiges, platzsparendes mikromechanisches Bauelement mit einem Drehratensensor und einem Beschleunigungssensor.Also above the second sensor element, a cavern can be arranged, in which a defined pressure is included. The two mentioned sensor elements can be arranged spatially separated from each other under the common cap element and realize in this way a cost-effective, space-saving micromechanical component with a yaw rate sensor and an acceleration sensor.

Mit der Erfindung wird eine Vorrichtung vorgeschlagen, mit der eines der genannten mikromechanischen Bauelemente aus einem Substrat gefertigt werden kann.With the invention, a device is proposed, with which one of said micromechanical components can be manufactured from a substrate.

1 zeigt eine Querschnittsansicht einer ersten Ausführungsform einer Vorrichtung 100 zum Bearbeiten eines Substrats zum Herstellen eines MEMS-Elements. Die Vorrichtung 100 umfasst eine Vakuumkammer 10 mit einem optischen, auf die Wellenlänge einer Lasereinrichtung 20 abgestimmtes Fenster 13, durch das die extern angeordnete Lasereinrichtung 20 in die Vakuumkammer 10 fokussiert einstrahlen kann und dadurch ein Aufschmelzen von Substratmaterial (z.B. Silizium, Glas) bewirkt, wodurch eine Zugangsöffnung in eine Kaverne des Substrats verschließbar ist. Das Aufschmelzen des Siliziums erfolgt vorteilhaft bei einem Druck von kleiner als ca. 100 Pa. Die Lasereinrichtung 20 kann als ein gepulster Laser oder als ein Dauerstrich-Laser (CW-Laser) im nahen Infrarotbereich ausgebildet sein. 1 shows a cross-sectional view of a first embodiment of a device 100 for working a substrate to make a MEMS element. The device 100 includes a vacuum chamber 10 with an optical, to the wavelength of a laser device 20 matched window 13 , by which the externally arranged laser device 20 in the vacuum chamber 10 focussed can radiate thereby causing a melting of substrate material (eg, silicon, glass), whereby an access opening can be closed in a cavern of the substrate. The melting of the silicon is advantageously carried out at a pressure of less than about 100 Pa. The laser device 20 may be formed as a pulsed laser or as a CW laser in the near infrared region.

In der Vakuumkammer 10 ist ferner eine Halteeinrichtung 30 angeordnet, mittels der das Substrat (nicht dargestellt) gehalten bzw. fixiert werden kann. Mittels der Halteeinrichtung 30 kann ferner eine Verbiegung des Substrats (engl. waferbow) kompensiert werden. Die Halteeinrichtung 30 kann zum Beispiel ein elektrostatisches, mechanisches oder Vakuum-Clamping realisieren. Eine erste Positioniereinrichtung 31 ist für das Substrat vorgesehen, um eine Position und eine Ausrichtung des Substrats relativ zu einem Koordinatensystem der Vorrichtung 100 einzustellen.In the vacuum chamber 10 is also a holding device 30 arranged, by means of which the substrate (not shown) can be held or fixed. By means of the holding device 30 Furthermore, a bending of the substrate (English waferbow) can be compensated. The holding device 30 can realize, for example, electrostatic, mechanical or vacuum clamping. A first positioning device 31 is provided for the substrate to provide a position and orientation of the substrate relative to a coordinate system of the device 100 adjust.

Das Substrat kann zu diesem Zweck über einen x/y-Tisch unter einer stationären Laseroptik verfahrbar und mit einer Positionierungsgenauigkeit im Bereich von +/–10µm und weniger relativ zur Lasereinrichtung 20 positionierbar sein. Alternativ kann der Laserstrahl der Lasereinrichtung 20 mithilfe einer Scanoptik (nicht dargestellt) über das Substrat geführt werden. Alternativ kann der Laserstrahl der Lasereinrichtung 20 auch mithilfe von verfahrbaren Spiegeln (nicht dargestellt) über das fixierte Substrat verfahren werden („Fliegende Optik“). Die Justage des Laserstrahls der Lasereinrichtung 20 relativ zum Substrat kann alternativ über eine Kamera mit Bildverarbeitung (nicht dargestellt) erfolgen.For this purpose, the substrate can be moved over an x / y stage under a stationary laser optic and with a positioning accuracy in the range of +/- 10 μm and less relative to the laser device 20 be positionable. Alternatively, the laser beam of the laser device 20 be guided over the substrate by means of a scanning optics (not shown). Alternatively, the laser beam of the laser device 20 also be moved over the fixed substrate by means of movable mirrors (not shown) ("flying optics"). The adjustment of the laser beam of the laser device 20 relative to the substrate may alternatively be done via a camera with image processing (not shown).

Für eine höhere Positioniergenauigkeit bei gleichzeitig hoher Verfahrgeschwindigkeit kann eine Kombination von x/y-Tisch bzw. Drehtisch und einer Scanoptik vorgesehen sein.For a higher positioning accuracy with a simultaneously high traversing speed, a combination of x / y table or turntable and a scanning optics can be provided.

In der Vakuumkammer 10 können ein Vakuumanschluss 11 und ein Gasanschluss 12 zum Einstellen eines definierten Drucks innerhalb der Vakuumkammer 10 vorgesehen sein. Ferner kann die Vakuumkammer 10 eine Vakuumsperre 14 umfassen, die ein vakuumtaugliches Be- und Entladen der Vakuumkammer 10 erlaubt.In the vacuum chamber 10 can have a vacuum connection 11 and a gas connection 12 for setting a defined pressure within the vacuum chamber 10 be provided. Furthermore, the vacuum chamber 10 a vacuum lock 14 include a vacuum suitable loading and unloading of the vacuum chamber 10 allowed.

Die Halteeinrichtung 30 ist zum Ausheizen des Substrats mittels einer Heizeinrichtung (nicht dargestellt) heizbar, vorzugsweise in einem Bereich von ca. 100°C bis ca. 500°C und vorzugsweise geregelt. Mittels der beheizbaren Halteeinrichtung 30 kann das Substratmaterial vor dem Laserverschlussprozess ausgeheizt bzw. ausgetrocknet bzw. ausgedampft werden. Auf diese Weise kann das Substrat in definierter Weise vorbehandelt werden, wodurch nach dem Verschließen ein definierter Innendruck gut beibehalten werden kann. Zu diesem Zweck kann es auch günstig sein, dass die Vakuumkammer 10 belüftet und abgepumpt wird (engl. pump-and-purge Prozess), damit auf diese Weise ein verbesserter Reinigungsprozess des Substratmaterials unterstützt ist. The holding device 30 is for heating the substrate by means of a heater (not shown) heated, preferably in a range of about 100 ° C to about 500 ° C and preferably regulated. By means of the heatable holding device 30 For example, the substrate material may be baked or dried before the laser sealing process. In this way, the substrate can be pretreated in a defined manner, whereby after closing a defined internal pressure can be well maintained. For this purpose it may also be favorable that the vacuum chamber 10 is vented and pumped (English pump-and-purge process), so that in this way an improved cleaning process of the substrate material is supported.

Zum Verschließen der Zugangsöffnungen in die Kavernen wird das Silizium des mikromechanischen Bauelements örtlich begrenzt aufgeschmolzen. Für das Aufschmelzen des Siliziums kann vorzugsweise ein Dauerstrich-Laser (CW-Laser) im nahen Infrarotbereich vorgesehen sein. Günstig ist es, zum Verschließen der Zugangsöffnungen unter einer definierten Atmosphäre einen IR-Laser (Infrarot-Laser) mit einer Wellenlänge von ca. > 500 nm zu verwenden. Die Infrarotstrahlung derartiger Laser dringt besonders tief in das Siliziumsubstrat ein und ermöglicht dadurch einen besonders tiefen und zuverlässigen Verschluss der Zugangsöffnungen.To close the access openings in the caverns, the silicon of the micromechanical device is melted locally limited. For the melting of the silicon, a continuous wave laser (CW laser) in the near infrared range may preferably be provided. It is advantageous to use an IR laser (infrared laser) with a wavelength of about> 500 nm to close the access openings under a defined atmosphere. The infrared radiation of such lasers penetrates particularly deep into the silicon substrate and thereby enables a particularly deep and reliable closure of the access openings.

Weiterhin kann es günstig sein, als Lasereinrichtung 20 einen gepulsten Laser mit einer Pulslänge von weniger als ca. 100 µs mit einer gemittelten Leistung über Puls- und Pausezeiten von weniger als 60 kW vorzusehen, um die thermische Belastung der MEMS-Strukturen vorteilhaft möglichst gering zu halten.Furthermore, it may be favorable as a laser device 20 Provide a pulsed laser with a pulse length of less than about 100 microseconds with an average power over pulse and pause times of less than 60 kW in order to keep the thermal load of the MEMS structures advantageously as low as possible.

Optional kann die Vorrichtung 100 eine weitere Laserkammer (nicht dargestellt) aufweisen, in der die Zugänge zu den MEMS-Kavernen mittels Laserbohren erzeugt werden (nicht dargestellt).Optionally, the device 100 a further laser chamber (not shown), in which the accesses to the MEMS caverns are produced by means of laser drilling (not shown).

2 zeigt eine weitere Variante einer Vorrichtung 100 zum Bearbeiten eines Substrats. In diesem Fall umfasst die Lasereinrichtung 20 eine zweite Positioniereinrichtung 21 für die Lasereinrichtung 20, mittels der die Lasereinrichtung 20 relativ zum Substrat in der Vakuumkammer 10 positioniert werden kann. In diesem Fall ist eine Positioniereinrichtung 31 für die Halteeinrichtung 30 nicht erforderlich. 2 shows a further variant of a device 100 for editing a substrate. In this case, the laser device comprises 20 a second positioning device 21 for the laser device 20 , by means of which the laser device 20 relative to the substrate in the vacuum chamber 10 can be positioned. In this case, a positioning device 31 for the holding device 30 not mandatory.

Es kann ferner günstig sein, mehr als eine MEMS-Struktur in mindestens zwei hermetisch getrennten Kavernen anzulegen und wenigstens eine der Kavernen mit einem Laserpuls der Lasereinrichtung 20 zu verschließen. In den Kavernen können unterschiedliche Drücke eingestellt werden. Entweder kann dabei in der ersten Kaverne der Druckeinschluss durch das Bondverfahren definiert werden und in der zweiten Kaverne durch den Laserverschluss-Prozess. Alternativ können die unterschiedlichen Innendrücke in den Kavernen jeweils durch einen Laserverschluss realisiert werden. Günstiger Weise sind in den beiden getrennten Kavernen mindestens jeweils ein Beschleunigungssensor oder ein Drehratensensor oder ein Magnetfeldsensor oder ein Drucksensor angeordnet.It can also be favorable to apply more than one MEMS structure in at least two hermetically separated caverns and at least one of the caverns to a laser pulse of the laser device 20 to close. Different pressures can be set in the caverns. Either the pressure confinement in the first cavern can be defined by the bonding process and in the second cavern by the laser closure process. Alternatively, the different internal pressures in the caverns can each be realized by a laser shutter. Conveniently, at least one respective acceleration sensor or a yaw rate sensor or a magnetic field sensor or a pressure sensor are arranged in the two separate caverns.

Optional können für die Vorrichtung 100 eine vorgeschaltete, separate Heizkammer 50 und ein Transport der MEMS-Bauelemente unter definierter Atmosphäre bzw. Vakuumbedingungen vorgesehen sein. Durch die genaue Druckregelung und die Anschlussmöglichkeit verschiedener Gase an die Vakuumkammer 10 können auf einem MEMS-Chip mit verschiedenen, voneinander getrennten Kavernen unterschiedliche Kaverneninnendrücke und Gasatmosphären eingestellt werden. Durch das mit der separaten Heizkammer 50 ermöglichte zusätzliche Ausheizen des MEMS-Elements vor dem Verschließen kann eine Druckerhöhung nach Verschluss durch Ausgasen noch besser vermieden werden. Optionally, for the device 100 an upstream, separate heating chamber 50 and a transport of the MEMS devices under a defined atmosphere or vacuum conditions may be provided. Due to the precise pressure control and the possibility of connecting different gases to the vacuum chamber 10 can be set on a MEMS chip with different, separate caverns different Caverneninnendrücke and gas atmospheres. By that with the separate heating chamber 50 allows additional annealing of the MEMS element before sealing, an increase in pressure after closure by outgassing can be even better avoided.

Ein weiterer Vorteil der separaten Heizkammer 50 ist, dass der Gesamtdurchsatz der Maschine erhöht wird. Durch die Vakuumsperren 14 zwischen den Kammern 10, 50 und 70 können die verschiedenen Prozessanforderungen der Kammern 10, 50 und 70 (z.B. Temperatur-, Zeit-, Druckparameter) getrennt eingestellt und geregelt werden. Another advantage of the separate heating chamber 50 is that the overall throughput of the machine is increased. Through the vacuum locks 14 between the chambers 10 . 50 and 70 can the different process requirements of the chambers 10 . 50 and 70 (eg temperature, time, pressure parameters) are set and controlled separately.

3 zeigt eine Querschnittsansicht einer derart abgewandelten Vorrichtung 100. Die vorgeschaltete, separate Heizkammer 50 kann ein oder mehrere Substrate aufnehmen, wobei das Ausheizen unter Vakuum, unter einer definierten Atmosphäre oder durch Abpump- und Belüftungs-Zyklen (engl. pump and purge) erfolgen kann. Die vorgeschaltete Heizkammer 50 kann ebenfalls einen Vakuumanschluss 11 und einen Gasanschluss 12 zum Einstellen einer definierten Atmosphäre innerhalb der Heizkammer 50 aufweisen. 3 shows a cross-sectional view of such a modified device 100 , The upstream, separate heating chamber 50 can accommodate one or more substrates, wherein the annealing can be done under vacuum, under a defined atmosphere or by pumping and purge cycles. The upstream heating chamber 50 can also have a vacuum connection 11 and a gas connection 12 for setting a defined atmosphere within the heating chamber 50 exhibit.

Die Heizkammer 50 dient vor allem dazu, ein gezieltes Ausgasen der Oberflächen des Substrats zu ermöglichen, um adsorbierte Spezies von der Oberfläche des Substrats unter Einwirkung von Temperatur und mit Hilfe von Prozessgasen zu entfernen. Dies ist erforderlich, um einen stabilen Innendruck über eine Lebensdauer des mikromechanischen Bauelements zu erreichen. In diesem Fall ist ein Transfer des Substrats von der Heizkammer 50 zur Vakuumkammer 10 unter Vakuum (oder Inertgas) zu gewährleisten. Zu diesem Zweck ist eine zusätzliche Transfereinrichtung 60 vorgesehen.The heating chamber 50 above all serves to allow a targeted outgassing of the surfaces of the substrate to remove adsorbed species from the surface of the substrate under the action of temperature and with the aid of process gases. This is necessary to achieve a stable internal pressure over a lifetime of the micromechanical device. In this case, a transfer of the substrate from the heating chamber 50 to the vacuum chamber 10 under vacuum (or inert gas). For this purpose, there is an additional transfer device 60 intended.

Optional kann die Vorrichtung 100 eine Kühlkammer 70 aufweisen, um das Substrat nach dem Ausheizen auf Bearbeitungstemperatur (engl. handling temperature) abzukühlen. Mittels der Kühlkammer 70 kann das Substrat auf diese Weise auf eine definierte Temperatur gebracht werden, um anschließend in der Vakuumkammer 10 per Laseraufschmelzen verschlossen zu werden.Optionally, the device 100 a cooling chamber 70 to cool the substrate after being heated to handling temperature. By means of the cooling chamber 70 In this way, the substrate can be brought to a defined temperature in order subsequently to be in the vacuum chamber 10 to be closed by laser melting.

Die Anlage kann bei Vorhandensein von mehreren Kammern eine automatisiert betreibbare Transfereinrichtung 60 aufweisen, die mit einem Substrat-Handhaber 61 (engl. substrate handler) zum Transferieren des Substrats zwischen den verschiedenen Kammern der Vorrichtung 100 ausgebildet sein kann.In the presence of a plurality of chambers, the system can be an automated transfer device 60 exhibit that with a substrate handler 61 (Substrate handler) for transferring the substrate between the various chambers of the device 100 can be trained.

4 zeigt eine Draufsicht über eine derartig abgewandelte Vorrichtung 100. Erkennbar ist eine zentral angeordnete Transfereinrichtung 60, mittels der das Substrat in die und zwischen den einzelnen Kammern 10, 50, 70 verlagerbar ist. Zwischen der Transfereinrichtung 60 und den Kammern 10, 50 und 70 kann jeweils eine Vakuumsperre 14 vorgesehen sein. 4 shows a plan view of such a modified device 100 , Recognizable is a centrally located transfer device 60 , by means of which the substrate in and between the individual chambers 10 . 50 . 70 is relocatable. Between the transfer device 60 and the chambers 10 . 50 and 70 can each have a vacuum lock 14 be provided.

4 zeigt prinzipiell einen Ablauf eines Verfahrens zum Betreiben der Vorrichtung 100. 4 shows in principle a sequence of a method for operating the device 100 ,

In einem ersten Schritt 200 wird ein Beladen des Substrats in die Vakuumkammer 10 vorgenommen.In a first step 200 is a loading of the substrate in the vacuum chamber 10 performed.

In einem Schritt 210 erfolgt eine Einstellung eines Vakuums innerhalb der Vakuumkammer 10.In one step 210 an adjustment of a vacuum occurs within the vacuum chamber 10 ,

In einem Schritt 220 wird ein Ausrichten des Substrats gegenüber der Lasereinrichtung 20 durchgeführt.In one step 220 is an alignment of the substrate relative to the laser device 20 carried out.

In einem Schritt 230 erfolgt eine Positionierung einer Zugangsöffnung einer Kaverne eines MEMS-Elementes relativ zur Lasereinrichtung 20.In one step 230 Positioning of an access opening of a cavern of a MEMS element relative to the laser device 20 ,

In einem Schritt 240 erfolgt eine Bearbeitung des Substrats mit der Lasereinrichtung 20 zum Zwecke eines Verschließens von Zugangsöffnungen in Kavernen des Substrats.In one step 240 a processing of the substrate with the laser device takes place 20 for the purpose of closing access openings in caverns of the substrate.

In einem Schritt 250 wird ein Entladen des Substrats aus der Vakuumkammer 10 der Vorrichtung 100 vorgenommen.In one step 250 will unload the substrate from the vacuum chamber 10 the device 100 performed.

Die Schritte 230 und 240 können gegebenenfalls mehrfach hintereinander durchgeführt werden, bis alle Kavernen auf dem Substrat verschlossen sind, was durch einen rückwärts gerichteten Pfeil angedeutet ist.The steps 230 and 240 may optionally be performed several times in succession until all caverns are closed on the substrate, which is indicated by a backward arrow.

Es versteht sich von selbst, dass eine Vielzahl von Abwandlungen des Verfahrens denkbar ist, wobei die einzelnen Bearbeitungsschritte und deren Abfolgen in den einzelnen Kammern je nach Anforderung geeignet angepasst werden.It goes without saying that a variety of modifications of the method is conceivable, the individual processing steps and their sequences in the individual chambers are suitably adapted as required.

Zusammenfassend wird mit der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung bereitgestellt, mit dem es vorteilhaft möglich ist, eine Herstellung von MEMS Elementen durch ein Verschließen einer Zugangsöffnung in eine Kaverne mittels eines Laserstrahls bereitzustellen. Durch eine Kombination einer heizbaren Vakuumprozesskammer mit einem Laser kann auf diese Weise eine effiziente Fertigung der genannten Bauelemente durchgeführt werden.In summary, the present invention provides a device with which it is advantageously possible to provide a production of MEMS elements by closing an access opening in a cavern by means of a laser beam. By combining a heatable vacuum process chamber with a laser can In this way, an efficient production of said components can be performed.

Obwohl die erfindungsgemäße Vorrichtung vorgehend anhand von konkreten Ausführungsbeispielen offenbart wurde, ist sie keineswegs darauf beschränkt. Der Fachmann wird somit erkennen, dass die Vorrichtung in einer Vielzahl von Abwandlungen realisierbar ist, die vorgehend nicht oder nur teilweise offenbart sind. Er wird die beschriebenen Merkmale somit in geeigneter Weise abändern oder miteinander kombinieren können, ohne vom Kern der Erfindung abzuweichen.Although the device according to the invention has been disclosed above by means of specific embodiments, it is by no means limited thereto. The person skilled in the art will thus recognize that the device can be implemented in a large number of modifications which are not or only partially disclosed previously. He will thus be able to suitably modify or combine the features described without departing from the essence of the invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 4238826 C1 [0003] DE 4238826 C1 [0003]
  • US 6797651 B2 [0005] US Pat. No. 6,797,651 B2 [0005]

Claims (9)

Vorrichtung (100) zum Bearbeiten eines Substrats, aufweisend: – wenigstens eine Vakuumkammer (10), in der ein definierter Gasdruck einstellbar ist; – eine Heizeinrichtung zum Ausheizen des Substrats; und – eine außerhalb der Vakuumkammer (10) angeordnete Lasereinrichtung (20), wobei die Lasereinrichtung (20) relativ zum Substrat bewegbar ist, wobei mittels der Lasereinrichtung (20) wenigstens eine Kaverne des in der Vakuumkammer (10) anordenbaren Substrats durch Aufschmelzen von Substratmaterial verschließbar ist.Contraption ( 100 ) for processing a substrate, comprising: - at least one vacuum chamber ( 10 ), in which a defined gas pressure is adjustable; A heating device for heating the substrate; and - one outside the vacuum chamber ( 10 ) arranged laser device ( 20 ), wherein the laser device ( 20 ) is movable relative to the substrate, wherein by means of the laser device ( 20 ) at least one cavern of the in the vacuum chamber ( 10 ) can be closed by melting of substrate material closable substrate. Vorrichtung (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung in der Vakuumkammer (10) angeordnet ist.Contraption ( 100 ) according to claim 1, characterized in that the heating device in the vacuum chamber ( 10 ) is arranged. Vorrichtung (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizeinrichtung in einer separaten Heizkammer (50) angeordnet ist. Vorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mittels der Heizeinrichtung ein Substrat oder mehrere Substrate zugleich ausheizbar sind.Contraption ( 100 ) according to claim 1, characterized in that the heating device in a separate heating chamber ( 50 ) is arranged. Contraption ( 100 ) according to one of claims 1 to 3, characterized in that by means of the heating means, a substrate or a plurality of substrates are bakeable at the same time. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend eine Halteeinrichtung (30) zum Halten des Substrats.Contraption ( 100 ) according to one of the preceding claims, further comprising a holding device ( 30 ) for holding the substrate. Vorrichtung (100) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Halteeinrichtung (30) als eine mechanische Halteeinrichtung, eine Vakuum-Halteeinrichtung oder eine elektrostatische Halteeinrichtung ausgebildet ist.Contraption ( 100 ) according to claim 5, characterized in that the holding device ( 30 ) is formed as a mechanical holding device, a vacuum holding device or an electrostatic holding device. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lasereinrichtung (20) als ein Laser im nahen IR-Bereich ausgestaltet ist. Contraption ( 100 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the laser device ( 20 ) is designed as a laser in the near IR range. Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin aufweisend eine Kühleinrichtung (70) zum Kühlen des Substrats.Contraption ( 100 ) according to one of the preceding claims, further comprising a cooling device ( 70 ) for cooling the substrate. Vorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 3 bis 8, weiterhin aufweisend eine Transfereinrichtung (60), mittels der das Substrat zwischen den verschiedenen Einrichtungen (10, 50, 70) unter definierter Atmosphäre transferierbar ist.Contraption ( 100 ) according to one of claims 3 to 8, further comprising a transfer device ( 60 ), by means of which the substrate between the various devices ( 10 . 50 . 70 ) is transferable under a defined atmosphere. Verwendung der Vorrichtung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements aus dem Substrat.Use of the device ( 100 ) according to one of the preceding claims for producing a micromechanical device from the substrate.
DE102015202575.6A 2015-02-12 2015-02-12 Device for processing a substrate Pending DE102015202575A1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015202575.6A DE102015202575A1 (en) 2015-02-12 2015-02-12 Device for processing a substrate
ATA50065/2016A AT516786B1 (en) 2015-02-12 2016-02-04 Device for processing a substrate
TW105103716A TWI703677B (en) 2015-02-12 2016-02-04 Vorrichtung zum bearbeiten eines substrats
CN201610082140.7A CN105895555B (en) 2015-02-12 2016-02-05 Apparatus for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015202575.6A DE102015202575A1 (en) 2015-02-12 2015-02-12 Device for processing a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015202575A1 true DE102015202575A1 (en) 2016-08-18

Family

ID=56551981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015202575.6A Pending DE102015202575A1 (en) 2015-02-12 2015-02-12 Device for processing a substrate

Country Status (4)

Country Link
CN (1) CN105895555B (en)
AT (1) AT516786B1 (en)
DE (1) DE102015202575A1 (en)
TW (1) TWI703677B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085537B (en) * 2019-04-15 2021-09-24 东莞市中镓半导体科技有限公司 Temperature-controllable device for high-temperature laser ablation
TWI794589B (en) * 2020-02-21 2023-03-01 海納光電股份有限公司 Device and method for processing hard and brittle plates in high temperature environment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4238826C1 (en) 1992-11-17 1994-04-28 Microlas Lasersystem Gmbh Traversing beam high vacuum irradiation chamber - having minimal area beam inlet window and internal beam location device
US6797651B2 (en) 2001-02-22 2004-09-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing polycrystalline semiconductor layers and thin-film transistors and laser annealing apparatus

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3573811B2 (en) * 1994-12-19 2004-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Irradiation method of linear laser light
JP2001023918A (en) * 1999-07-08 2001-01-26 Nec Corp Semiconductor thin-film forming apparatus
US6762072B2 (en) * 2002-03-06 2004-07-13 Robert Bosch Gmbh SI wafer-cap wafer bonding method using local laser energy, device produced by the method, and system used in the method
US20050189621A1 (en) * 2002-12-02 2005-09-01 Cheung Kin P. Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
GB0510873D0 (en) * 2005-05-27 2005-07-06 Univ Heriot Watt Laser assisted bonding of surfaces
KR100740462B1 (en) * 2005-09-15 2007-07-18 주식회사 비에스이 Directional silicon condenser microphone
US7599048B2 (en) * 2007-02-09 2009-10-06 Wafermasters, Inc. Optical emission spectroscopy process monitoring and material characterization
KR100859689B1 (en) * 2007-03-27 2008-09-23 삼성에스디아이 주식회사 Laser annealing apparatus and method for laser annealing
CN101301993A (en) * 2007-05-11 2008-11-12 北京大学 MEMS device vacuum encapsulation method
NL1036460A1 (en) * 2008-02-20 2009-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN102530844B (en) * 2012-02-03 2015-02-18 厦门大学 Microcomponent vacuum packaging method
JP2015084348A (en) * 2012-02-13 2015-04-30 長州産業株式会社 Photovoltaic element and method for manufacturing the same
TWI582837B (en) * 2012-06-11 2017-05-11 應用材料股份有限公司 Melt depth determination using infrared interferometric technique in pulsed laser annealing
CN103521919B (en) * 2013-10-15 2016-06-22 江苏大学 A kind of method realizing underwater laser welding and laser peening and combination unit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4238826C1 (en) 1992-11-17 1994-04-28 Microlas Lasersystem Gmbh Traversing beam high vacuum irradiation chamber - having minimal area beam inlet window and internal beam location device
US6797651B2 (en) 2001-02-22 2004-09-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing polycrystalline semiconductor layers and thin-film transistors and laser annealing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN105895555A (en) 2016-08-24
AT516786B1 (en) 2021-05-15
AT516786A2 (en) 2016-08-15
TW201705370A (en) 2017-02-01
AT516786A3 (en) 2021-01-15
CN105895555B (en) 2021-09-07
TWI703677B (en) 2020-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3024616B1 (en) Method and device for separating a flat workpiece into multiple parts
EP3055098B1 (en) Wafer production method
DE102014202801A1 (en) Method for producing a micromechanical component
EP3103135B1 (en) Method and device for bonding substrates
DE102004038339B4 (en) Wafer processing method
DE102009037299A1 (en) Device and treatment chamber for the thermal treatment of substrates
AT516786B1 (en) Device for processing a substrate
WO2011104232A1 (en) Method and device for rapidly heating and cooling a substrate and immediately subsequently coating the same under vacuum
EP3466650A1 (en) Device for additive production of three-dimensional objects
DE102016200497A1 (en) Method for producing a micromechanical component
DE102015004603A1 (en) Combined wafer fabrication process with laser treatment and temperature-induced stresses
DE102015224500A1 (en) Laser shutter with optimized intensity distribution
DE19539392A1 (en) Fluxless soldering esp. flip-chip bonding apparatus
DE102009050680B4 (en) Method and apparatus for crystallizing an amorphous semiconductor layer with a laser beam
EP2857177A1 (en) Method for layered construction of a three-dimensional component and device for performing the method
DE102015224483A1 (en) Targeted control of the absorption behavior during laser resealing
EP3459656A1 (en) Method and device for additive production of a component
EP0410401A1 (en) Method for coating a surface of a substrate
DE102009031233A1 (en) Device to structure thin-film solar cell module, where structural lines are introduced in module parallel to its transverse edges in rectangular form by laser, includes loading- and unloading station, processing station, and optical device
DE102018200791A1 (en) Process for making a hermetically sealed chamber and coating with an anti-relaxation coating
WO2023078528A1 (en) Method and device for compensating distortion
EP1060151B1 (en) Method for producing one or several crystallized ceramic thin layers and component with such a layer
DE102015224480A1 (en) Laser Reseal with Voltage Compensation Layer
DE102021205679A1 (en) Process for producing microstructures on a diamond crystal
DE102022201365A1 (en) wafer dicing film

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication