DE102015200989A1 - Connecting arrangement between a carrier element and an electronic circuit component and circuit carrier - Google Patents

Connecting arrangement between a carrier element and an electronic circuit component and circuit carrier Download PDF

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Michael Guyenot
Timo Herberholz
Christiane Frueh
Andreas Fix
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Verbindungsanordnung (30) zwischen einem Trägerelement (10) und einem elektronischen Schaltungsbauteil (1; 1a), insbesondere einem IC, wobei das Trägerelement (10) einen aus mehreren Schichten bestehenden, sandwichartigen Aufbau aufweist, wobei in einer Zwischenschicht (13) des Trägerelements (10) eine Kavität (20) zur Aufnahme des Schaltungsbauteils (1; 1a) ausgebildet ist, wobei das Schaltungsbauteil (1; 1a) an zumindest einer Seite mittels einer Lötverbindung (40; 40a) mit einer elektrisch leitenden Schicht (12) des Trägerelements (10) verbunden ist, und wobei die Lötverbindung (40; 40a) zumindest durch ein Lot (37) zwischen der elektrisch leitenden Schicht (12) des Trägerelements (10) und dem Schaltungsbauteil (1; 1a) ausgebildet ist. Erfindungsgemäß ist es vorgesehen, dass die Kavität (20) in der Zwischenschicht (13) des Trägerelements (10) wenigstens eine Erweiterung (25a bis 25f) aufweist, die einen Raum zur Aufnahme für das Lot (37) vor dem Ausbilden der Lötverbindung (40; 40a) ausbildet.The invention relates to a connection arrangement (30) between a carrier element (10) and an electronic circuit component (1; 1a), in particular an IC, wherein the carrier element (10) has a multilayer, sandwich-type construction, wherein in an intermediate layer (13 1a) is formed on at least one side by means of a solder connection (40; 40a) with an electrically conductive layer (12) of the carrier element (10) ), wherein the solder connection (40; 40a) is formed at least by a solder (37) between the electrically conductive layer (12) of the carrier element (10) and the circuit component (1; According to the invention, it is provided that the cavity (20) in the intermediate layer (13) of the carrier element (10) has at least one extension (25a to 25f) which has a space for receiving the solder (37) prior to forming the solder joint (40 40a).

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung betrifft eine Verbindungsanordnung zwischen einem Trägerelement und einem elektronischen Schaltungsbauteil, insbesondere einem IC, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung einen Schaltungsträger mit einem Trägerelement sowie einem innerhalb des Trägerelements in einer Kavität angeordneten Schaltungsbauteil, wobei der Schaltungsträger eine erfindungsgemäße Verbindungsanordnung aufweist, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsanordnung.The invention relates to a connection arrangement between a carrier element and an electronic circuit component, in particular an IC, according to the preamble of claim 1. Further, the invention relates to a circuit carrier with a support member and a disposed within the support member in a cavity circuit component, wherein the circuit carrier a connection arrangement according to the invention and a method for producing a connection arrangement.

Eine Verbindungsanordnung zwischen einem Trägerelement und einem elektronischen Schaltungsbauteil nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist 2durch die Firma Schweizer Systems unter der Bezeichnung P Pack® bekannt geworden. Die bekannte Verbindungsanordnung weist ein aus mehreren Schichten bestehendes Trägerelement auf, wobei die einzelnen Schichten in sandwichartiger Anordnung übereinander angeordnet sind. Insbesondere weist das Trägerelement in einer Zwischenschicht eine Kavität zur Aufnahme eines Schaltungsbauteils in Form eines ICs o.ä. auf. Die Form der Kavität ist derart der Form des Schaltungsbauteils bzw. des ICs angepasst, dass zwischen der Kavität und dem Schaltungsbauteil ein umlaufender Spalt ausgebildet ist. Sowohl die Unterseite des Schaltungsbauteils als auch die Oberseite des Schaltungsbauteils sind elektrisch mit dem Trägerelement kontaktiert bzw. verbunden. Hierzu dienen ober- und unterhalb der Zwischenschicht im Bereich der Kavität angeordnete, insbesondere aus Kupfer bestehende, elektrisch leitende Schichten. Während die eine, eine der Unterseite des Schaltungsbauteils zugeordnete elektrisch leitende Schicht über eine (konventionelle) Lötverbindung mit dem Schaltungsbauteil verbunden ist, sind in der Oberseite des Schaltungsbauteils zugeordneten elektrisch leitenden Schicht Durchgangsbohrungen ausgebildet, die mit Kupfer ausgefüllt entsprechende Kontaktierungsbereiche an der Oberseite des Schaltungsbauteils kontaktieren. Neben den angesprochenen beiden elektrisch leitenden Schichten und der Zwischenschicht weist das Trägerelement darüber hinaus weitere, insbesondere elektrisch nichtleitende Schichten auf. Eine derartige Ausbildung eines ein Trägerelement sowie wenigstens ein Schaltungsbauteil aufweisenden Schaltungsträgers lässt sich in Analogie zur Leiterplattentechnologie herstellen bzw. verarbeiten, wobei das Schaltungsbauteil innerhalb des Trägerelements einlaminiert ist. Einzelheiten bezüglich der Ausbildung der Lötverbindung zwischen der Unterseite des Schaltungsbauteils und der dieser zugeordneten elektrisch leitenden Schicht des Trägerelements sind nicht bekannt. A connection arrangement between a carrier element and an electronic circuit component according to the preamble of claim 1 2 has become known by the company Schweizer Systems under the name P Pack ® . The known connection arrangement has a carrier element consisting of several layers, wherein the individual layers are arranged one above the other in a sandwich-like arrangement. In particular, the carrier element in an intermediate layer has a cavity for receiving a circuit component in the form of an IC or the like. on. The shape of the cavity is adapted to the shape of the circuit component or the IC such that a circumferential gap is formed between the cavity and the circuit component. Both the underside of the circuit component and the top of the circuit component are electrically contacted or connected to the carrier element. Serve for this purpose, above and below the intermediate layer in the region of the cavity arranged, in particular consisting of copper, electrically conductive layers. While the one, one of the underside of the circuit component associated electrically conductive layer is connected via a (conventional) solder connection to the circuit component, in the upper side of the circuit component associated electrically conductive layer through holes are formed which contact filled with copper corresponding contacting areas on the top of the circuit component , In addition to the two electrically conductive layers mentioned above and the intermediate layer, the carrier element moreover has further, in particular electrically non-conductive layers. Such a construction of a circuit carrier having a carrier element and at least one circuit component can be produced or processed analogously to printed circuit board technology, the circuit component being laminated inside the carrier element. Details regarding the formation of the solder joint between the underside of the circuit component and the associated electrically conductive layer of the carrier element are not known.

Darüber hinaus ist es aus der DE 10 2013 218 423 A1 der Anmelderin bekannt, neben einer Lotschicht zur elektrischen Verbindung eines Schaltungsbauteils mit einem Trägerelement, beispielsweise einer Leiterplatte, eine zusätzliche, Metallpartikel enthaltende Schicht zu verwenden. Wesentlich bei der zuletzt genannten, die Metallpartikel enthaltenden Schicht ist es, dass diese zur Ausbildung einer Lötverbindung einer Wärmebehandlung unterzogen wird, wobei die Metallpartikel unter Ausbildung von Hohlräumen bzw. Poren zunächst versintern. Während der weiteren Wärmebehandlung und einer damit einhergehenden Temperaturerhöhung verflüssigt sich das Lot der Lotschicht und dringt in die Hohlräume bzw. Poren der die Metallpartikel aufweisenden Schicht ein. Das aus der genannten Schrift bekannte Verfahren ermöglicht die Ausbildung qualitativ hochwertiger Lötverbindungen. In addition, it is from the DE 10 2013 218 423 A1 The applicant is known, in addition to a solder layer for electrically connecting a circuit component with a carrier element, for example a printed circuit board, to use an additional, metal particle-containing layer. It is essential in the case of the last-mentioned layer containing the metal particles that they undergo a heat treatment to form a solder joint, the metal particles initially sintering to form voids or pores. During the further heat treatment and a concomitant increase in temperature, the solder liquefies the solder layer and penetrates into the cavities or pores of the metal particles having layer. The method known from the cited document allows the formation of high quality solder joints.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Ausgehend von dem dargestellten Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Verbindungsanordnung zwischen einem Trägerelement und einem elektronischen Schaltungsbauteil nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 derart weiterzubilden, dass eine qualitativ hochwertige Lötverbindung ausgebildet wird. Insbesondere soll eine fertigungstechnisch vorteilhafte Ausgestaltung der Lötverbindung mit einer Bereitstellung genügend großer Anteile von Lot, auch bei relativ großflächigen Schaltungsbauteilen ermöglicht werden. Based on the illustrated prior art, the invention has the object, a connection arrangement between a support member and an electronic circuit component according to the preamble of claim 1 such that a high-quality solder joint is formed. In particular, a manufacturing technology advantageous embodiment of the solder joint with a provision of sufficiently large amounts of solder to be made possible even with relatively large-scale circuit components.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Verbindungsanordnung zwischen einem Trägerelement und einem elektronischen Schaltungsbauteil mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 dadurch gelöst, dass die Kavität in der Zwischenschicht des Trägerelements wenigstens eine Erweiterung aufweist, die ein Depot für das Lot vor dem Ausbilden der Lötverbindung ausbildet.This object is achieved in a connection arrangement between a support member and an electronic circuit component with the characterizing features of claim 1, characterized in that the cavity in the intermediate layer of the support member has at least one extension that forms a depot for the solder prior to forming the solder joint.

Mit anderen Worten gesagt bedeutet dies, dass die ansonsten beim Stand der Technik vorhandene Kavität, die ausschließlich an die Form des Schaltungsbauteils angepasst ist, um einen beispielsweise möglichst gleichmäßigen Spalt zwischen der Kavität und dem Schaltungsbauteil zu erzielen, erfindungsgemäß an wenigstens einer Stelle erweitert ist, um damit die Anordnung eines für Lötverbindung erforderlichen Lotes in Form eines Depots zu ermöglichen. Das wiederum bedeutet, dass das zur Ausbildung der Lötverbindung vorgesehene Lot sich zumindest im Wesentlichen vor dem Ausbilden der Lötverbindung innerhalb der Erweiterung bzw. im Depot befindet und erst während der Ausbildung der Lötverbindung, welche üblicherweise durch eine Wärmebehandlung erfolgt, in deren Verlauf sich das Lot verflüssigt, in Wirkverbindung mit der elektrisch leitenden Schicht des Trägerelements sowie der entsprechenden Gegenschicht bzw. den entsprechenden zu kontaktierenden Bereichen des Schaltungsbauteils gelangt. Das Ein- bzw. Vordringen des Lotes aus dem Depot bzw. der Erweiterung in den Zwischenraum zwischen der elektrisch leitenden Schicht und dem Schaltungsbauteil erfolgt dabei durch Kapillareffekte.In other words, this means that the cavity otherwise present in the state of the art, which is adapted exclusively to the shape of the circuit component in order to achieve, for example, a gap that is as uniform as possible between the cavity and the circuit component, is widened according to the invention in at least one place, in order to allow the arrangement of a solder required for soldering in the form of a depot. This in turn means that the provided for forming the solder joint solder is at least substantially prior to forming the solder joint within the extension or in the depot and only during the formation of the solder joint, which usually takes place by a heat treatment in the course of which the solder liquefied, in operative connection with the electrically conductive layer of the carrier element and the corresponding counter layer or the corresponding to be contacted areas of the circuit component passes. The entry or advance of the solder from the depot or the extension into the intermediate space between the electrically conductive layer and the circuit component is effected by capillary effects.

Die erfindungsgemäße Verbindungsanordnung ermöglicht es insbesondere, durch eine entsprechende Ausgestaltung bzw. Dimensionierung der Erweiterung das zur Ausbildung der Lötverbindung vorgesehene bzw. erforderliche Lot lediglich punktuell anzuordnen. Insbesondere wird es dadurch ermöglicht, dass während der Fertigung bzw. Montage des Schaltungsbauteils innerhalb der Kavität und dem darauffolgenden Überdecken der Kavität mit wenigstens einer weiteren Schicht durch das Schaltungsbauteil innerhalb der Kavität kein Überstehen des Schaltungsbauteils über die Zwischenschicht hinaus erfolgt. Mit anderen Worten gesagt bedeutet dies, dass es die erfindungsgemäße Verbindungsanordnung ermöglicht, dass das Schaltungsbauteil unmittelbar nach dem Platzieren in der Kavität mit den entsprechenden weiteren Schichten überdeckt werden kann, wobei die entsprechenden Schichten unmittelbar auf der Zwischenschicht aufliegen können. Eine Erhöhung der Bauhöhe des Schaltungsbauteils innerhalb der Kavität durch eine vorhergehende Platzierung von Lot im Zwischenbereich zwischen der elektrisch leitenden Schicht und dem Schaltungsbauteil erfolgt erfindungsgemäß nicht. The connection arrangement according to the invention makes it possible, in particular, to arrange the spot provided or required for the formation of the solder connection only selectively by means of a corresponding configuration or dimensioning of the extension. In particular, it is thereby made possible that during the production or assembly of the circuit component within the cavity and the subsequent covering of the cavity with at least one further layer by the circuit component within the cavity, no protrusion of the circuit component beyond the intermediate layer takes place. In other words, this means that the connection arrangement according to the invention makes it possible for the circuit component to be covered with the corresponding further layers immediately after placing in the cavity, wherein the corresponding layers can rest directly on the intermediate layer. An increase in the overall height of the circuit component within the cavity by a prior placement of solder in the intermediate region between the electrically conductive layer and the circuit component does not occur according to the invention.

Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Verbindungsanordnung zwischen einem Trägerelement und einem elektronischen Schaltungsbauteil sind in den Unteransprüchen aufgeführt. In den Rahmen der Erfindung fallen sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in den Ansprüchen, der Beschreibung und/oder den Figuren offenbarten Merkmalen.Advantageous developments of the connection arrangement according to the invention between a carrier element and an electronic circuit component are listed in the subclaims. All combinations of at least two of the features disclosed in the claims, the description and / or the figures fall within the scope of the invention.

Die zur Ausbildung des Depots für das Lot vorgesehene Erweiterung sollte bezüglich ihrer Fläche möglichst klein ausgebildet sein. Darüber hinaus ist eine möglichst einfache Fertigung bzw. Ausbildung der Erweiterung wünschenswert. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Verbindungsanordnung ist es daher vorgesehen, dass die wenigstens eine Erweiterung über die gesamte Höhe der Zwischenschicht ausgebildet ist. Eine derartige Ausbildung der Erweiterung wird beispielsweise durch eine über die gesamte Höhe der Zwischenschicht ausgebildete Ausfräsung mittels eines entsprechenden Trenn- bzw. Fräswerkzeuges erzielt. Dadurch, dass die gesamte Höhe der Zwischenschicht zur Ausbildung der Erweiterung ausgenützt wird, ist die für die Erweiterung benötigte Fläche, bezogen auf eine bestimmte Menge des Lotes, minimiert. The envisaged for the formation of the depot for the solder extension should be made as small as possible in terms of their area. In addition, the simplest possible production or training of the extension is desirable. In a preferred embodiment of the connection arrangement, it is therefore provided that the at least one extension is formed over the entire height of the intermediate layer. Such a design of the extension is achieved, for example, by means of a cutout formed over the entire height of the intermediate layer by means of a corresponding cutting or milling tool. The fact that the entire height of the intermediate layer is utilized to form the extension, the area required for the expansion, based on a certain amount of solder, is minimized.

Grundsätzlich sind unterschiedlichste Anordnungen der wenigstens einen Erweiterung denkbar. In einer bevorzugten ersten Variante der Anordnung der wenigstens einen Erweiterung ist es vorgesehen, dass die Kavität (zur Aufnahme des Schaltungsbauteils) ebenfalls über die gesamte Höhe der Zwischenschicht ausgebildet ist und eine zumindest im Wesentlichen rechteckförmige Form aufweist, wobei zwischen der Kavität und dem Schaltungsbauteil ein umlaufender Spalt ausgebildet ist, und dass die wenigstens eine Erweiterung in einem Eckbereich der Kavität angeordnet ist. In principle, very different arrangements of the at least one extension are conceivable. In a preferred first variant of the arrangement of the at least one extension, it is provided that the cavity (for receiving the circuit component) is likewise formed over the entire height of the intermediate layer and has an at least substantially rectangular shape, wherein between the cavity and the circuit component circumferential gap is formed, and that the at least one extension is arranged in a corner region of the cavity.

In bevorzugter alternativer Ausgestaltung der wenigstens einen Erweiterung ist es vorgesehen, dass die Kavität über die gesamte Höhe der Zwischenschicht ausgebildet ist und eine zumindest im Wesentlichen rechteckförmige Form aufweist, wobei zwischen der Kavität und dem Schaltungsbauteil ein umlaufender Spalt ausgebildet ist, und dass die wenigstens eine Erweiterung an einer Seitenkante der Kavität angeordnet ist. Bevorzugt wird dabei diejenige Seitenkante der Kavität verwendet, die die größere Länge aufweist. Dadurch lässt sich die Erstreckung der Erweiterung in einer von der Kavität wegweisenden Richtung minimieren. In a preferred alternative embodiment of the at least one extension, it is provided that the cavity is formed over the entire height of the intermediate layer and has an at least substantially rectangular shape, wherein between the cavity and the circuit component, a circumferential gap is formed, and that the at least one Extension is arranged on a side edge of the cavity. Preferably, that side edge of the cavity is used which has the greater length. As a result, the extension of the extension in a direction away from the cavity direction can be minimized.

Weiterhin ist es bei den gerade beschriebenen Anordnungen der Erweiterungen von Vorteil, wenn die wenigstens eine Erweiterung eine Symmetrieachse aufweist, die in einem Winkel von 45° und 135° von Seitenkanten im Eckbereich der Kavität oder rechtwinklig zur einer Seitenkante der Kavität angeordnet ist. Furthermore, it is in the arrangements of the extensions just described advantageous if the at least one extension has an axis of symmetry which is arranged at an angle of 45 ° and 135 ° of side edges in the corner region of the cavity or at right angles to a side edge of the cavity.

Um es zu ermöglichen, dass das Lot beim Ausbilden der Lötverbindung gleichmäßig bzw. von verschiedenen Seiten in den Überdeckungsbereich zwischen der elektrisch leitenden Schicht und dem Schaltungsbauteil vordringen kann, ist es vorgesehen, dass zwei oder vier Kavitäten vorhanden sind, die symmetrisch zu einer Symmetrieachse der Kavität angeordnet sind. Eine derartige Anordnung ermöglicht es insbesondere, dass das Lot beispielsweise bis zur Mitte des Schaltungsbauteils aus den einzelnen Erweiterungen jeweils denselben Weg zurückzulegen hat. Dadurch wird insbesondere auch eine gleichmäßige Verteilung des Lotes im Überdeckungsbereich mit dem Schaltungsbauteil ermöglicht. Jedoch liegt es auch im Rahmen der Erfindung, beispielsweise eine oder drei Kavitäten vorzusehen.In order to enable the solder to uniformly penetrate into the overlapping area between the electrically conductive layer and the circuit component during the formation of the solder joint, it is provided that there are two or four cavities which are symmetrical to an axis of symmetry Cavity are arranged. Such an arrangement makes it possible, in particular, for the solder, for example, to travel the same way out of the individual extensions up to the middle of the circuit component. As a result, in particular a uniform distribution of the solder in the overlapping area with the circuit component is made possible. However, it is also within the scope of the invention, for example, to provide one or three cavities.

In einer ersten konkreten Ausgestaltung der Lötverbindung kann es vorgesehen sein, dass das Schaltungsbauteil auf der der elektrisch leitenden Schicht des Trägerelements zugewandten Seite eine Metallisierung aufweist, und dass das Lot die Metallisierung und die elektrisch leitende Schicht des Trägerelements miteinander verbindet. Eine derartige Anordnung ermöglicht es insbesondere, an sich bekannte bzw. konventionelle, Metallisierungen aufweisende Schaltungsbauteile zu verwenden.In a first concrete embodiment of the solder joint, it may be provided that the circuit component has a metallization on the side facing the electrically conductive layer of the carrier element, and that the solder interconnects the metallization and the electrically conductive layer of the carrier element. Such an arrangement makes it possible in particular, per se to use known or conventional metallization having circuit components.

In alternativer Ausgestaltung der Verbindungsanordnung kann es jedoch auch vorgesehen sein, dass zwischen dem Schaltungsbauteil und der elektrisch leitenden Schicht des Trägerelements eine weitere, Metallpartikel aufweisende Schicht angeordnet ist, wobei die Metallpartikel aufweisende Schicht dazu ausgebildet ist, nach einer Wärmebehandlung zu versintern. In an alternative embodiment of the connection arrangement, however, provision may also be made for a further layer comprising metal particles to be arranged between the circuit component and the electrically conductive layer of the carrier element, the layer having the metal particles being designed to sinter after a heat treatment.

In besonders bevorzugter Weiterbildung der zuletzt genannten Variante der Verbindungsanordnung ist es vorgesehen, dass die Metallpartikel aufweisende Schicht zusätzlich ein zinnbasiertes Weichlot enthält. Eine derartige Ausgestaltung erhöht bei der Wärmebehandlung, bei der das Lot sowohl in der Erweiterung als auch in der die Metallpartikel enthaltenden Schicht verflüssigt wird, die Infiltrationstiefe sowie die Infiltrationsgeschwindigkeit des Lotes in die beim Versinterungsprozess entstandenen Poren bzw. Hohlräume, so dass eine qualitativ besonders hochwertige, an ihrer Oberfläche besonders glatte bzw. porenfreie Lötverbindung erzielbar ist. In a particularly preferred development of the last-mentioned variant of the connection arrangement, it is provided that the layer comprising metal particles additionally contains a tin-based solder. Such a configuration increases in the heat treatment, in which the solder is liquefied both in the extension and in the layer containing the metal particles, the depth of infiltration and the rate of infiltration of the solder into the pores or cavities formed in the sintering process, so that a particularly high quality , on its surface particularly smooth or pore-free solder joint can be achieved.

Eine weitere, fertigungstechnisch vorteilhafte Ausgestaltung der Verbindungsanordnung bei Verwendung einer Metallpartikel enthaltenden weiteren Schicht sieht vor, dass die Metallpartikel aufweisende Schicht aus wenigstens einem vorgefertigten Element ausgebildet ist. Ein derartiges, vorgefertigtes Element ist dabei insbesondere als starres bzw. festes Element ausgebildet, das mittels einer geeigneten Handhabungseinrichtung, beispielsweise mittels einer sogenannten „Pick and Place“-Einrichtung, an die dafür vorgesehene Stelle im Bereich der elektrisch leitenden Schicht des Trägerelements positioniert werden kann. Insbesondere wird dadurch, beispielsweise im Gegensatz zu einem üblichen Druckverfahren, die bei Verwendung von pastenartigen Substanzen auf die elektrisch leitende Schicht verwendet werden, ein wesentlich vereinfachtes Handling erzielt, da die elektrisch leitende Schicht im Bereich der Kavität von der Zwischenschicht umgeben ist und dadurch ein Drucken im Bereich der Kavität relativ schwierig ist. A further production-advantageous embodiment of the connection arrangement when using a metal layer containing further layer provides that the metal particles having layer is formed from at least one prefabricated element. Such a prefabricated element is in particular designed as a rigid or solid element which can be positioned by means of a suitable handling device, for example by means of a so-called "pick and place" device, to the space provided for this purpose in the region of the electrically conductive layer of the carrier element , In particular, a considerably simplified handling is thereby achieved, for example in contrast to a customary printing process which is used when using pasty substances on the electrically conductive layer, since the electrically conductive layer in the area of the cavity is surrounded by the intermediate layer and thereby printing is relatively difficult in the area of the cavity.

Um in fertigungstechnisch bevorzugter Ausgestaltung die einzelnen Schichten des Trägerelements miteinander verbinden zu können, bevor die Lötverbindung an dem Schaltungsbauteil und der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet ist, ist es vorgesehen, dass die Dicke der Zwischenschicht zumindest im Wesentlichen der Dicke des Schaltungsbauteils und dem Lot sowie ggf. der weiteren, die Metallpartikel enthaltenden Schicht entspricht.In order to be able to connect the individual layers of the carrier element to each other before the solder connection is formed on the circuit component and the electrically conductive layer in manufacturing technology preferred embodiment, it is provided that the thickness of the intermediate layer at least substantially the thickness of the circuit component and the solder and possibly of the further metal-containing layer.

Zuletzt umfasst die Erfindung auch einen Schaltungsträger mit einem Trägerelement sowie einem innerhalb des Trägerelements in einer Kavität angeordneten Schaltungsbauteil, wobei der Schaltungsträger eine erfindungsgemäße Verbindungsanordnung aufweist, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsanordnung. Ein derartiger Schaltungsträger bzw. das Herstellungsverfahren weisen ebenfalls die oben beschriebenen Vorteile auf.Finally, the invention also includes a circuit carrier having a carrier element and a circuit component arranged within the carrier element in a cavity, the circuit carrier having a connection arrangement according to the invention, and a method for producing a connection arrangement. Such a circuit carrier or the manufacturing method also have the advantages described above.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnung.Further advantages, features and details of the invention will become apparent from the following description of preferred embodiments and from the drawing.

Diese zeigt in:This shows in:

1 einen Querschnitt durch einen Teilbereich eines Schaltungsträgers, bei dem eine erfindungsgemäße Verbindungsanordnung ausgebildet ist, 1 a cross section through a portion of a circuit substrate, in which a connection arrangement according to the invention is formed,

2 einen gegenüber 1 modifizierten Schaltungsträger unter Verwendung einer Metallpartikel aufweisenden Schicht zwischen einem Schaltungsbauteil und einer elektrisch leitenden Schicht, ebenfalls im Querschnitt, 2 one opposite 1 modified circuit carrier using a metal particle layer between a circuit component and an electrically conductive layer, also in cross section,

3 in Draufsicht den Bereich einer Zwischenschicht eines Trägerelements bei dem Schaltungsträger gemäß 1 oder 2 bei einer ersten erfindungsgemäßen Ausgestaltung von Erweiterungen zur Aufnahme von Lot und 3 in plan view, the region of an intermediate layer of a carrier element in the circuit carrier according to 1 or 2 in a first embodiment of extensions according to the invention for receiving solder and

4 eine gegenüber 3 abgewandelte Ausführungsform der Erweiterungen im Bereich der Zwischenschicht, ebenfalls in vereinfachter Draufsicht. 4 one opposite 3 modified embodiment of the extensions in the region of the intermediate layer, also in a simplified plan view.

Gleiche Elemente bzw. Elemente mit gleicher Funktion sind in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffern versehen.The same elements or elements with the same function are provided in the figures with the same reference numerals.

In der 1 ist ein Schaltungsträger 100 stark vereinfacht und bereichsweise dargestellt, wie er beispielsweise Bestandteil einer Steuereinrichtung oder Schalteinrichtung in einem Elektro- bzw. Hybridfahrzeug o.ä. sein kann. Der Schaltungsträger 100 umfasst ein Trägerelement 10 mit wenigstens einem, innerhalb des Trägerelements 10 angeordneten elektronischen Schaltungsbauteil 1, beispielsweise einem IC, einem Asics o.ä., vorzugsweise in Form eines Chips. Das Trägerelement 10 weist einen sandwichartigen Aufbau auf. Dieser umfasst beispielhaft, und nicht einschränkend, eine erste isolierende Schicht 11, eine erste elektrisch leitende Schicht 12, beispielsweise aus Kupfer bestehend, eine Zwischenschicht 13, eine zweite elektrisch leitende Schicht 14, ebenfalls beispielhaft aus Kupfer bestehend, sowie eine die zweite elektrisch leitende Schicht 14 überdeckende zweite elektrisch isolierende Schicht 15. In the 1 is a circuit carrier 100 greatly simplified and partially represented, as he example, part of a control device or switching device in an electric or hybrid vehicle o.ä. can be. The circuit carrier 100 comprises a carrier element 10 with at least one, within the carrier element 10 arranged electronic circuit component 1 For example, an IC, an Asics or the like, preferably in the form of a chip. The carrier element 10 has a sandwich-like construction. This includes, by way of example and not limitation, a first insulating layer 11 , a first electrically conductive layer 12 For example, consisting of copper, an intermediate layer 13 , a second electrically conductive layer 14 , also exemplified by copper, as well as a second electrically conductive layer 14 overlapping second electrically insulating layer 15 ,

In der Zwischenschicht 13 ist eine Kavität 20 zur Aufnahme des Schaltungsbauteils 1 ausgebildet. Die Kavität 20 ist vorzugsweise über die gesamte Höhe bzw. Dicke der Zwischenschicht 13 ausgebildet, beispielsweise durch eine Ausfräsung, einen Stanzvorgang o.ä. Die Geometrie, d.h. der äußere Umriss der Kavität 20 ist derart an dem Umriss bzw. die Gestalt des Schaltungsbauteils 1 angepasst, dass entsprechend der Darstellung der 3 und 4 zwischen der Kavität 20 und dem Schaltungsbauteil 1, mit Ausnahme von im weiteren Verlauf noch beschriebenen Erweiterungen 25a bis 25f, ein zumindest nahezu gleichmäßig großer Spalt 21 ausgebildet ist, wenn sich das Schaltungsbauteil 1 innerhalb der Kavität 20 an seiner Sollposition befindet. Darüber hinaus ist die Dicke der Zwischenschicht 13 derart bemessen, dass bei einem innerhalb der Kavität 20 angeordneten Schaltungsbauteil 1 die Oberseite des Schaltungsbauteils 1 auf der der zweiten elektrisch leitenden Schicht 14 zugewandten Seite die Zwischenschicht 13 in der Höhe nicht überragt.In the interlayer 13 is a cavity 20 for receiving the circuit component 1 educated. The cavity 20 is preferably over the entire height or thickness of the intermediate layer 13 formed, for example, by a cutout, a punching process, or the like. The geometry, ie the outer contour of the cavity 20 is so on the outline or the shape of the circuit component 1 adapted that according to the representation of 3 and 4 between the cavity 20 and the circuit component 1 , with the exception of extensions described later 25a to 25f , an at least almost uniformly large gap 21 is formed when the circuit component 1 inside the cavity 20 is at its desired position. In addition, the thickness of the intermediate layer 13 such that at one within the cavity 20 arranged circuit component 1 the top of the circuit component 1 on the second electrically conductive layer 14 facing side, the intermediate layer 13 not taller in height.

Das Schaltungsbauteil 1 weist bei dem in der 1 dargestellten Schaltungsträger 100 auf der der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 zugewandten Seite eine Metallisierung 22 mit einer Dicke von beispielhaft zwischen 1µm und 10µm auf. Auf der der Metallisierung 22 gegenüberliegenden Oberseite des Schaltungsbauteils 1 ist dieses über in der zweiten elektrisch leitenden Schicht 14 ausgebildete Durchgangsöffnungen 26, die während des Fertigungsprozesses mit Kupfer 27 befüllt werden, elektrisch leitend kontaktiert bzw. verbunden. Zusätzlich ist zwischen dem Schaltungsbauteil 1 und der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 eine erfindungsgemäße Verbindungsanordnung 30 ausgebildet. The circuit component 1 points in the in the 1 illustrated circuit carrier 100 on the first electrically conductive layer 12 facing side of a metallization 22 with a thickness of exemplarily between 1μm and 10μm. On the metallization 22 opposite top of the circuit component 1 this is over in the second electrically conductive layer 14 trained through holes 26 that during the manufacturing process with copper 27 be filled, electrically conductively contacted or connected. In addition, there is between the circuit component 1 and the first electrically conductive layer 12 a connection arrangement according to the invention 30 educated.

Die erfindungsgemäße Verbindungsanordnung 30 umfasst bei dem in der 3 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel vier, in den jeweiligen Eckbereichen der ansonsten zumindest im Wesentlichen eine rechteckförmige Grundfläche aufweisenden Kavität 20 angeordnete Erweiterungen 25a bis 25d, deren Form jeweils identisch ausgebildet ist. Die Erweiterungen 25a bis 25d weisen jeweils eine Symmetrieachse 31 auf, die um einen Winkel α von 45° sowie um einen Winkel ß von 135° zu den jeweiligen Seitenkanten 32, 33 der Kavität 20 angeordnet sind. Mit anderen Worten gesagt bedeutet dies, dass die Erweiterungen 25a bis 25d in Art von Diagonalen von der Kavität 20 wegweisen. The connection arrangement according to the invention 30 includes in the in the 3 illustrated first embodiment four, in the respective corner regions of the otherwise at least substantially a rectangular base surface having cavity 20 arranged extensions 25a to 25d whose shape is identical in each case. The extensions 25a to 25d each have an axis of symmetry 31 on, by an angle α of 45 ° and by an angle ß of 135 ° to the respective side edges 32 . 33 the cavity 20 are arranged. In other words, this means that the extensions 25a to 25d in kind of diagonals from the cavity 20 face away.

Die Erweiterungen 25a bis 25d weisen beispielhaft einen jeweils in etwa in Draufsicht rechteckförmigen ersten Bereich 34 auf, an den sich auf der der Kavität 20 abgewandten Seite ein in etwa kreisförmiger zweiter Bereich 35 anschließt. Die Erweiterungen 25a bis 25d sind darüber hinaus symmetrisch zu einer Symmetrieachse 41 der Kavität 20 angeordnet. Die Erweiterungen 25a bis 25d bilden jeweils ein Depot zur Aufnahme eines Lotes 37 aus. Das Lot 37 dient der elektrischen Verbindung zwischen dem Schaltungsbauteil 1 und der ersten elektrisch leitenden Schicht 12. Zur Ausbildung einer Lötverbindung 40 durch das Lot 37 wird während der Fertigung des Schaltungsbauteils 100 dieses einer Wärmebehandlung unterzogen, bei der das in den Erweiterungen 25a bis 25d bevorratete Lot 37 verflüssigt wird und durch Kapillarwirkung in den Spalt zwischen dem Schaltungsbauteil 1 und der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 eindringt und dort die Lötverbindung 40 ausbildet.The extensions 25a to 25d By way of example, they have a first area, which is rectangular in each case in a plan view 34 on, at the bottom of the cavity 20 opposite side a roughly circular second area 35 followed. The extensions 25a to 25d are also symmetrical to an axis of symmetry 41 the cavity 20 arranged. The extensions 25a to 25d each form a depot for receiving a solder 37 out. The lot 37 serves the electrical connection between the circuit component 1 and the first electrically conductive layer 12 , To form a solder joint 40 through the lot 37 is during the manufacture of the circuit component 100 this undergoes a heat treatment, in which the extensions 25a to 25d stocked Lot 37 is liquefied and by capillary action in the gap between the circuit component 1 and the first electrically conductive layer 12 penetrates and there the solder joint 40 formed.

In der 4 sind zwei Erweiterungen 25e, 25f in Form von Halbovalen bzw. Halbkreisen vorgesehen, die ebenfalls symmetrisch zu einer Symmetrieachse 41 der Kavität 20 angeordnet sind und sich im Bereich der längeren Seitenkanten 33 befinden.In the 4 are two extensions 25e . 25f provided in the form of half-oval or semicircles, which are also symmetrical to an axis of symmetry 41 the cavity 20 are arranged and in the range of the longer side edges 33 are located.

Der in der 2 dargestellte Schaltungsträger 100 unterscheidet sich von dem in der 1 dargestellten Schaltungsträger 100 dadurch, dass zwischen dem Schaltungsbauteil 1a und der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 eine weitere Schicht 42 angeordnet ist. Darüber hinaus kann je nach Anwendungsfall ggf. auf die bei dem Schaltungsbauteil 1 vorgesehene Metallisierung 22 verzichtet werden. Die weitere Schicht 42 enthält Metallpartikel und Zusatzstoffe. Bei den Metallpartikeln handelt es sich insbesondere, jedoch nicht einschränkend, um Partikel aus Kupfer, Bronze, Nickel, Zink, Messing o.ä., mit einer Partikelgröße zwischen 1µm und 50µm. Ferner sind auch Metallpartikel aus Eisen, Titan und deren Legierungen denkbar. Die Schichtdicke der weiteren Schicht 42 beträgt typischerweise zwischen 10µm und 150µm. Bei den Zusatzstoffen in der weiteren Schicht 42 handelt es sich insbesondere um Flussmittel, jedoch können auch andere Zusatzstoffe alternativ oder ergänzend verwendet werden. Insbesondere kann es vorgesehen sein, dass das Material der weiteren Schicht 42 zusätzlich ein zinnbasiertes Weichlot enthält. Der Anteil des zinnbasierten Weichlots an der weiteren Schicht 42 beträgt zwischen 1Gew.-% und 40Gew.-%, vorzugsweise zwischen 5Gew.-% und 15Gew.-%. Das zinnbasierte Weichlot in der weiteren Schicht 42 ist beispielsweise aus der Gruppe SnCu, SnAgCu, SnBi, SnSb, SnIn oder SnZn oder einer Mischung der angegebenen Weichlote ausgewählt. The Indian 2 illustrated circuit carrier 100 is different from that in the 1 illustrated circuit carrier 100 in that between the circuit component 1a and the first electrically conductive layer 12 another layer 42 is arranged. In addition, depending on the application, if necessary, in the case of the circuit component 1 planned metallization 22 be waived. The further layer 42 contains metal particles and additives. The metal particles are in particular, but not limited to particles of copper, bronze, nickel, zinc, brass or the like, with a particle size between 1 .mu.m and 50 .mu.m. Furthermore, metal particles of iron, titanium and their alloys are conceivable. The layer thickness of the further layer 42 is typically between 10μm and 150μm. For the additives in the further layer 42 in particular, they are fluxes, but other additives may alternatively or additionally be used. In particular, it may be provided that the material of the further layer 42 additionally contains a tin-based solder. The proportion of tin-based soft solder on the further layer 42 is between 1% by weight and 40% by weight, preferably between 5% by weight and 15% by weight. The tin-based soft solder in the further layer 42 is selected, for example, from the group SnCu, SnAgCu, SnBi, SnSb, SnIn or SnZn or a mixture of the specified soft solders.

Bei der Ausbildung der Lötverbindung 40a bei dem Schaltungsträger 100 gemäß der 2 erfolgt während der Wärmebehandlung des Schaltungsträgers 100 zunächst eine Versinterung der Metallpartikel in der weiteren Schicht 42 unter Ausbildung von Poren bzw. Hohlräumen. Bei der weiteren Erwärmung bzw. während der weiteren Wärmebehandlung erfolgt sowohl ein Aufschmelzen des Weichlotes in dem Material der weiteren Schicht 42, als auch des Lotes 37 in den Erweiterungen 25a bis 25f. Dabei dringt das Material des Lots 37, in Analogie zur Ausführungsform gemäß der 1, durch Kapillarwirkung in die noch vorhandenen, bisher durch das Weichlot aus dem Material der weiteren Schicht 42 noch nicht gefüllten Poren bzw. Hohlräume ein und verschließt diese. In the formation of the solder joint 40a at the circuit carrier 100 according to the 2 takes place during the heat treatment of the circuit carrier 100 first a sintering of the metal particles in the further layer 42 under formation of pores or cavities. During the further heating or during the further heat treatment both the melting of the soft solder takes place in the material of the further layer 42 , as well as the solder 37 in the extensions 25a to 25f , It penetrates the material of the lot 37 , in analogy to the embodiment according to the 1 , By capillary action in the remaining, so far by the soft solder of the material of the other layer 42 not yet filled pores or cavities and closes them.

Die weitere Schicht 42 kann sowohl in Form einer Paste, als auch bevorzugt in Form von vorgefertigten Elementen auf der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 angeordnet werden. Letztere vorgefertigte Elemente sind als feste, getrocknete Elemente beispielsweise mittels einer sogenannten „Pick and Place“-Einrichtung leicht handelbar und in die Kavität 20 einführbar sowie an den dafür vorgesehenen Stellen auf der elektrisch leitenden Schicht 12 positionierbar. The further layer 42 can both in the form of a paste, and preferably in the form of prefabricated elements on the first electrically conductive layer 12 to be ordered. The latter prefabricated elements are readily tradable as solid, dried elements, for example by means of a so-called "pick and place" device, and into the cavity 20 insertable as well as at the designated locations on the electrically conductive layer 12 positionable.

Die soweit beschriebene Verbindungsanordnung 30 bzw. der Schaltungsträger 100 können in vielfältiger Art und Weise abgewandelt bzw. modifiziert werden, ohne vom Erfindungsgedanken abzuweichen.The connection arrangement described so far 30 or the circuit carrier 100 can be modified or modified in many ways without departing from the spirit of the invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102013218423 A1 [0003] DE 102013218423 A1 [0003]

Claims (13)

Verbindungsanordnung (30) zwischen einem Trägerelement (10) und einem elektronischen Schaltungsbauteil (1; 1a), insbesondere einem IC, wobei das Trägerelement (10) einen aus mehreren Schichten bestehenden, sandwichartigen Aufbau aufweist, wobei in einer Zwischenschicht (13) des Trägerelements (10) eine Kavität (20) zur Aufnahme des Schaltungsbauteils (1; 1a) ausgebildet ist, wobei das Schaltungsbauteil (1; 1a) an zumindest einer Seite mittels einer Lötverbindung (40; 40a) mit einer elektrisch leitenden Schicht (12) des Trägerelements (10) verbunden ist, und wobei die Lötverbindung (40; 40a) zumindest durch ein Lot (37) zwischen der elektrisch leitenden Schicht (12) des Trägerelements (10) und dem Schaltungsbauteil (1; 1a) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (20) in der Zwischenschicht (13) des Trägerelements (10) wenigstens eine Erweiterung (25a bis 25f) aufweist, die einen Raum zur Aufnahme für das Lot (37) vor dem Ausbilden der Lötverbindung (40; 40a) ausbildet. Connection arrangement ( 30 ) between a carrier element ( 10 ) and an electronic circuit component ( 1 ; 1a ), in particular an IC, wherein the carrier element ( 10 ) has a multilayer, sandwich-like construction, wherein in an intermediate layer ( 13 ) of the carrier element ( 10 ) a cavity ( 20 ) for receiving the circuit component ( 1 ; 1a ), wherein the circuit component ( 1 ; 1a ) on at least one side by means of a soldered connection ( 40 ; 40a ) with an electrically conductive layer ( 12 ) of the carrier element ( 10 ) and wherein the solder joint ( 40 ; 40a ) at least by a Lot ( 37 ) between the electrically conductive layer ( 12 ) of the carrier element ( 10 ) and the circuit component ( 1 ; 1a ), characterized in that the cavity ( 20 ) in the intermediate layer ( 13 ) of the carrier element ( 10 ) at least one extension ( 25a to 25f ) having a space for receiving the solder ( 37 ) before forming the solder joint ( 40 ; 40a ) trains. Verbindungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Erweiterung (25a bis 25f) über die gesamte Höhe der Zwischenschicht (13) ausgebildet ist.Connecting arrangement according to claim 1, characterized in that the at least one extension ( 25a to 25f ) over the entire height of the intermediate layer ( 13 ) is trained. Verbindungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (20) über die gesamte Höhe der Zwischenschicht (13) ausgebildet ist und eine zumindest im Wesentlichen rechteckförmige Form aufweist, wobei zwischen der Kavität (20) und dem Schaltungsbauteil (1; 1a) ein umlaufender Spalt (21) ausgebildet ist, und dass die wenigstens eine Erweiterung (25a bis 25d) in einem Eckbereich der Kavität (20) angeordnet ist. Connecting arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the cavity ( 20 ) over the entire height of the intermediate layer ( 13 ) is formed and has an at least substantially rectangular shape, wherein between the cavity ( 20 ) and the circuit component ( 1 ; 1a ) a circumferential gap ( 21 ), and that the at least one extension ( 25a to 25d ) in a corner region of the cavity ( 20 ) is arranged. Verbindungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (20) über die gesamte Höhe der Zwischenschicht (13) ausgebildet ist und eine zumindest im Wesentlichen rechteckförmige Form aufweist, wobei zwischen der Kavität (20) und dem Schaltungsbauteil (1; 1a) ein umlaufender Spalt (21) ausgebildet ist, und dass die wenigstens eine Erweiterung (25e, 25f) im Bereich einer Seitenkante (33) der Kavität (20) angeordnet ist.Connecting arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the cavity ( 20 ) over the entire height of the intermediate layer ( 13 ) is formed and has an at least substantially rectangular shape, wherein between the cavity ( 20 ) and the circuit component ( 1 ; 1a ) a circumferential gap ( 21 ), and that the at least one extension ( 25e . 25f ) in the region of a side edge ( 33 ) of the cavity ( 20 ) is arranged. Verbindungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Erweiterung (25a bis 25f) eine Symmetrieachse (31) aufweist, die in einem Winkel (α, β) von 45° und 135° von Seitenkanten (32, 33) im Eckbereich der Kavität (20) oder rechtwinklig zu einer Seitenkante (33) der Kavität (20) angeordnet ist.Connecting arrangement according to claim 3 or 4, characterized in that the at least one extension ( 25a to 25f ) an axis of symmetry ( 31 ) which at an angle (α, β) of 45 ° and 135 ° of side edges ( 32 . 33 ) in the corner region of the cavity ( 20 ) or at right angles to a side edge ( 33 ) of the cavity ( 20 ) is arranged. Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwei oder vier Kavitäten (20) vorgesehen sind, die symmetrisch zu einer Symmetrieachse (41) der Kavität (20) angeordnet sind. Connecting arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that two or four cavities ( 20 ) are provided, which are symmetrical to an axis of symmetry ( 41 ) of the cavity ( 20 ) are arranged. Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Schaltungsbauteil (1) auf der der elektrisch leitenden Schicht (12) des Trägerelements (10) zugewandten Seite eine Metallisierung (22) aufweist, und dass das Lot (37) die Metallisierung (22) und die elektrisch leitende Schicht (12) des Trägerelements (10) miteinander verbindet.Connecting arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the circuit component ( 1 ) on the electrically conductive layer ( 12 ) of the carrier element ( 10 ) facing side a metallization ( 22 ), and that the solder ( 37 ) the metallization ( 22 ) and the electrically conductive layer ( 12 ) of the carrier element ( 10 ) connects to each other. Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Schaltungsbauteil (1a) und der elektrisch leitenden Schicht (12) des Trägerelements (10) eine weitere, Metallpartikel aufweisende Schicht (42) angeordnet ist, wobei die Metallpartikel aufweisende Schicht (42) dazu ausgebildet ist, nach einer Wärmebehandlung zu versintern.Connecting arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that between the circuit component ( 1a ) and the electrically conductive layer ( 12 ) of the carrier element ( 10 ) another metal-particle-containing layer ( 42 ), wherein the layer comprising metal particles ( 42 ) is adapted to sinter after a heat treatment. Verbindungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallpartikel aufweisende Schicht (42) zusätzlich ein zinnbasiertes Weichlot enthält.Connecting arrangement according to claim 8, characterized in that the metal particles having layer ( 42 ) additionally contains a tin-based soft solder. Verbindungsanordnung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallpartikel aufweisende Schicht (42) aus wenigstens einem vorgefertigten Element ausgebildet ist.Connecting arrangement according to claim 8 or 9, characterized in that the metal particles having layer ( 42 ) is formed of at least one prefabricated element. Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Zwischenschicht (13) zumindest im Wesentlichen der Dicke des Schaltungsbauteils (1; 1a) und dem Lot (37) sowie ggf. der weiteren Schicht (42) entspricht.Connecting arrangement according to one of claims 1 to 10, characterized in that the thickness of the intermediate layer ( 13 ) at least substantially the thickness of the circuit component ( 1 ; 1a ) and the lot ( 37 ) and possibly the further layer ( 42 ) corresponds. Schaltungsträger (100), mit einem Trägerelement (10) sowie einem innerhalb des Trägerelements (10) in einer Kavität (20) angeordneten Schaltungsbauteil (1; 1a), wobei der Schaltungsträger (100) eine Verbindungsanordnung (30) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.Circuit carrier ( 100 ), with a carrier element ( 10 ) as well as within the carrier element ( 10 ) in a cavity ( 20 ) arranged circuit component ( 1 ; 1a ), wherein the circuit carrier ( 100 ) a connection arrangement ( 30 ) according to one of claims 1 to 11. Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsanordnung (30) zwischen einem Trägerelement (10) und einem elektronischen Schaltungsbauteil (1; 1a), insbesondere einer Verbindungsanordnung (30) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass in eine Erweiterung (25a bis 25f) einer Kavität (20) einer Zwischenschicht (13) des Trägerelements (10) vor dem Ausbilden einer Lötverbindung (40; 40a) zwischen einer elektrisch leitenden Schicht (12) des Trägerelements (10) und dem elektronischen Schaltungsbauteil (1; 1a) Lot (37) eingebracht wird.Method for producing a connection arrangement ( 30 ) between a carrier element ( 10 ) and an electronic circuit component ( 1 ; 1a ), in particular a connection arrangement ( 30 ) according to one of claims 1 to 11, characterized in that in an extension ( 25a to 25f ) of a cavity ( 20 ) an intermediate layer ( 13 ) of the carrier element ( 10 ) before forming a solder joint ( 40 ; 40a ) between an electrically conductive layer ( 12 ) of the carrier element ( 10 ) and the electronic circuit component ( 1 ; 1a ) Lot ( 37 ) is introduced.
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