DE102015121074A1

DE102015121074A1 - SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH LIGHTING LAYER

Info

Publication number: DE102015121074A1
Application number: DE102015121074.6A
Authority: DE
Inventors: David Racz; Ulrich Streppel; Markus Pindl; Martin Brandl
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2015-12-03
Filing date: 2015-12-03
Publication date: 2017-06-08
Also published as: WO2017093248A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip, der ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet ist, wobei wenigstens über einer Abstrahlseite des Halbleiterchips eine Konverterschicht angeordnet ist, wobei die Konverterschicht ausgebildet ist, wenigstens einen Teil der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung in der Wellenlänge zu verschieben, wobei auf der Konverterschicht eine Lichtleiterschicht angeordnet ist, wobei auf der Lichtleiterschicht eine erste Schicht angeordnet ist, wobei die Lichtleiterschicht die Strahlung in seitlicher Richtung weg vom Halbleiterchip führt.The invention relates to a semiconductor device having a semiconductor chip, which is designed to generate electromagnetic radiation, wherein the semiconductor chip is arranged on a carrier, wherein at least over a radiation side of the semiconductor chip, a converter layer is arranged, wherein the converter layer is formed, at least a part shift the radiation generated by the semiconductor chip in the wavelength, wherein on the converter layer, a light guide layer is disposed, wherein on the light guide layer, a first layer is disposed, wherein the light guide layer, the radiation in the lateral direction away from the semiconductor chip.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil gemäß Patentanspruch 1.The invention relates to a semiconductor device according to claim 1.

Aus DE 10 2012 102 114 A1 ist ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil bekannt, wobei auf einem Träger ein Halbleiterchip angeordnet ist, wobei über dem Halbleiterchip ein reflektierendes Element angeordnet ist, wobei zwischen dem reflektierenden Element und dem Halbleiterchip und seitlich des Halbleiterchips eine strahlungsdurchlässige Umhüllung vorgesehen ist. Weiterhin ist auf dem Träger ein zweites reflektierendes Element angeordnet, wobei das erste und das zweite reflektierende Element die Strahlung des Halbleiterchips in die Umhüllung zurückreflektieren, und wobei das Halbleiterbauteil seitliche Strahlungsaustrittsflächen aufweist.Out DE 10 2012 102 114 A1 a radiation-emitting semiconductor component is known, wherein a semiconductor chip is arranged on a carrier, wherein a reflective element is arranged above the semiconductor chip, wherein a radiation-permeable enclosure is provided between the reflective element and the semiconductor chip and laterally of the semiconductor chip. Furthermore, a second reflective element is arranged on the carrier, wherein the first and the second reflective element reflect the radiation of the semiconductor chip back into the enclosure, and wherein the semiconductor device has lateral radiation exit surfaces.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip mit einer seitlichen Abstrahlrichtung bereitzustellen.The object of the invention is to provide an improved semiconductor device with a semiconductor chip with a lateral emission direction.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Halbleiterbauteil gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.The object of the invention is achieved by the semiconductor device according to claim 1. Further embodiments are given in the dependent claims.

Ein Vorteil des beschriebenen Halbleiterbauteils besteht darin, dass eine Konverterschicht vorgesehen ist, wobei die Konverterschicht wenigstens einen Teil der vom Halbleiterchip abgegebenen elektromagnetischen Strahlung in der Wellenlänge verschiebt. Somit wird ein Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip bereitgestellt, das eine elektromagnetische Strahlung bereitstellt, deren Wellenlänge sich von der der Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung des Halbleiterchips unterscheidet. Weiterhin kann mithilfe der Konverterschicht eine verbesserte Lichteinkopplung zwischen dem Halbleiterchip und der Lichtleiterschicht erreicht werden.An advantage of the described semiconductor component is that a converter layer is provided, wherein the converter layer shifts in wavelength at least part of the electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip. Thus, a semiconductor device is provided with a semiconductor chip, which provides an electromagnetic radiation whose wavelength differs from that of the wavelength of the electromagnetic radiation of the semiconductor chip. Furthermore, with the aid of the converter layer, improved light coupling between the semiconductor chip and the optical waveguide layer can be achieved.

In einer Ausführungsform ist die Konverterschicht wenigstens bis zu einer Seitenfläche des Halbleiterbauteils geführt. Dadurch kann eine verbesserte seitliche Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung erreicht werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die Konverterschicht an zwei oder alle Seitenflächen des Halbleiterbauteils angrenzen. Somit wird ein einfacher Aufbau und an mehreren Seitenflächen eine verbesserte Abstrahlung erreicht.In one embodiment, the converter layer is guided at least as far as a side surface of the semiconductor device. As a result, an improved lateral radiation of the electromagnetic radiation can be achieved. Depending on the selected embodiment, the converter layer may adjoin two or all side surfaces of the semiconductor device. Thus, a simple construction and at several side surfaces improved radiation is achieved.

In einer weiteren Ausführungsform ist die Konverterschicht seitlich neben dem Halbleiterchip auf dem Träger angeordnet. Eine Oberseite der Konverterschicht ist wenigstens auf der Höhe der Oberseite des Halbleiterchips angeordnet. Die Konverterschicht kann direkt auf dem Träger angeordnet sein. Zudem können weitere Schichten zwischen dem Träger und der Konverterschicht vorgesehen sein. Weiterhin kann die Konverterschicht in Teilbereichen des Trägers oder über dem ganzen Träger angeordnet sein. Auch mit dieser Ausführungsform wird eine verbesserte seitliche Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung erreicht.In a further embodiment, the converter layer is arranged laterally next to the semiconductor chip on the carrier. An upper side of the converter layer is arranged at least at the level of the upper side of the semiconductor chip. The converter layer can be arranged directly on the carrier. In addition, further layers may be provided between the carrier and the converter layer. Furthermore, the converter layer can be arranged in partial regions of the carrier or over the entire carrier. With this embodiment, an improved lateral radiation of the electromagnetic radiation is achieved.

In einer weiteren Ausführungsform ist neben dem Halbleiterchip eine zweite Schicht auf dem Träger angeordnet, wobei die zweite Schicht insbesondere eine Oberseite aufweist, die im Wesentlichen auf einer Höhe der Oberseite des Halbleiterchips angeordnet ist. Die zweite Schicht kann direkt auf dem Träger angeordnet sein. Zudem können weitere Schichten zwischen dem Träger und der zweiten Schicht vorgesehen sein. Weiterhin kann die zweite Schicht auf einem Teil des Trägers oder auf dem Bereich des Trägers angeordnet sein, der nicht vom Halbleiterchip abgedeckt wird.In a further embodiment, a second layer is arranged on the carrier in addition to the semiconductor chip, wherein the second layer has in particular an upper side, which is arranged substantially at a level of the upper side of the semiconductor chip. The second layer can be arranged directly on the carrier. In addition, further layers may be provided between the carrier and the second layer. Furthermore, the second layer can be arranged on a part of the carrier or on the region of the carrier which is not covered by the semiconductor chip.

In einer weiteren Ausführungsform ist die Konverterschicht nur auf einer Oberseite des Halbleiterchips angeordnet. Zudem weist bei dieser Ausführungsform die zweite Schicht eine Oberseite auf, die im Bereich der Oberseite der Konverterschicht angeordnet ist.In a further embodiment, the converter layer is arranged only on an upper side of the semiconductor chip. In addition, in this embodiment, the second layer has an upper side, which is arranged in the region of the upper side of the converter layer.

In einer weiteren Ausführungsform weist die Konverterschicht wenigstens teilweise eine abgerundete Oberseite auf. Die abgerundete Oberseite kann eine gewünschte Richtung der Führung der elektromagnetischen Strahlung vorgeben. Zudem kann mithilfe der abgerundeten Oberseite eine Verbesserung der Homogenität der Wellenlänge der Strahlung erreicht werden.In a further embodiment, the converter layer at least partially has a rounded upper side. The rounded top may provide a desired direction of guidance of the electromagnetic radiation. In addition, the rounded top can improve the homogeneity of the wavelength of the radiation.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform weist die Oberseite der Konverterschicht eine teilkugelförmige, insbesondere eine halbkugelförmige Form auf. Weiterhin kann die Oberseite der Konverterschicht eine asphärische oder eine toroidische Form, insbesondere eine teiltoroidische Form aufweisen. Weiterhin kann die Konverterschicht in Form einer Freiformlinse, insbesondere in Form einer quadrantensymmetrischen Freiformlinse ausgebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform weist die Oberseite der Konverterschicht in Bezug auf eine Mitte des Halbleiterchips 3 eine rotationssymmetrische Form auf.Depending on the selected embodiment, the upper side of the converter layer has a part-spherical, in particular a hemispherical shape. Furthermore, the upper side of the converter layer may have an aspheric or a toroidal shape, in particular a teiloroidische shape. Furthermore, the converter layer can be designed in the form of a free-form lens, in particular in the form of a quadrant-symmetrical free-form lens. Depending on the chosen embodiment, the top of the converter layer is relative to a center of the semiconductor chip 3 a rotationally symmetrical shape.

In einer weiteren Ausführungsform ist die Form der Konverterschicht, insbesondere die Oberseite der Konverterschicht in der Weise ausgebildet, dass eine von dem Halbleiterchip abgegebene elektromagnetische Strahlung unabhängig von einem Abstrahlwinkel Wegstrecken durch die Konverterschicht aufweist, die sich weniger als 20 %, insbesondere weniger als 10 %, bevorzugt weniger als 5% unterscheiden. Auf diese Weise wird eine weitere Verbesserung der Homogenisierung der Wellenlänge der Strahlung erreicht. Insbesondere können dadurch unabhängig vom Abstrahlwinkel annähernd gleiche Wellenlängen und damit eine annähernd gleiche Mischfarbe der elektromagnetischen Strahlung erreicht werden.In a further embodiment, the shape of the converter layer, in particular the upper side of the converter layer, is formed in such a way that an electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip has paths through the converter layer which are less than 20%, in particular less than 10%, independently of a radiation angle. , preferably less than 5%. That way, one becomes further improvement of the homogenization of the wavelength of the radiation achieved. In particular, thereby approximately the same wavelengths and thus an approximately identical mixed color of the electromagnetic radiation can be achieved independently of the emission angle.

In einer weiteren Ausführungsform weist die Konverterschicht im Bereich oberhalb des Halbleiterchips eine abgerundete Oberseite auf, wobei die Konverterschicht seitlich des Halbleiterchips eine plane Oberseite aufweist. Dadurch kann eine weitere verbesserte Lichtführung in der Lichtleiterschicht erreicht werden.In a further embodiment, the converter layer has a rounded upper side in the region above the semiconductor chip, wherein the converter layer has a planar upper side laterally of the semiconductor chip. As a result, a further improved light guidance in the light guide layer can be achieved.

In einer weiteren Ausführungsform weist die erste Schicht einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als ein Brechungsindex der Lichtleiterschicht. Dadurch wird die Lichtleiterfunktion der Lichtleiterschicht verbessert.In a further embodiment, the first layer has a refractive index which is smaller than a refractive index of the optical waveguide layer. As a result, the optical fiber function of the optical fiber layer is improved.

In einer weiteren Ausführungsform ist die erste Schicht ausgebildet, um die Strahlung wenigstens teilweise zurück in die Lichtleiterschicht zu streuen und/oder zu reflektieren. Auch dadurch kann eine weitere Verbesserung der Lichtleitung in der Lichtleiterschicht erreicht werden.In a further embodiment, the first layer is formed to at least partially scatter and / or reflect the radiation back into the light guide layer. This also makes it possible to achieve a further improvement in the light conduction in the light guide layer.

In einer weiteren Ausführungsform weist die zweite Schicht einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als der Brechungsindex der Lichtleiterschicht. Zudem kann die zweite Schicht ausgebildet sein, um die Strahlung wenigstens teilweise zurück in die Lichtleiterschicht zu streuen und/oder zu reflektieren. Auch dadurch kann die Lichtleiterfunktion der Lichtleiterschicht verbessert werden.In a further embodiment, the second layer has a refractive index which is smaller than the refractive index of the optical waveguide layer. In addition, the second layer may be formed to at least partially scatter and / or reflect the radiation back into the light guide layer. Also, the optical fiber function of the optical fiber layer can be improved thereby.

In einer weiteren Ausführungsform weist die Konverterschicht einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als der Brechungsindex der Lichtleiterschicht.In a further embodiment, the converter layer has a refractive index which is smaller than the refractive index of the optical waveguide layer.

In einer weiteren Ausführungsform ist der Brechungsindex der Lichtleiterschicht im Bereich von 1,5 oder größer und der Brechungsindex der Konverterschicht und/oder der ersten Schicht und/oder der zweiten Schicht ist kleiner als 1,45. Mit diesen Brechungsindizes wird eine effiziente Einkopplung der elektromagnetischen Strahlung in die Lichtleiterschicht erreicht und zudem eine effiziente Führung der Strahlung in der Lichtleiterschicht zu seitlichen Abstrahlbereichen ermöglicht.In another embodiment, the refractive index of the optical fiber layer is in the range of 1.5 or greater and the refractive index of the converter layer and / or the first layer and / or the second layer is less than 1.45. With these refractive indices, an efficient coupling of the electromagnetic radiation into the optical waveguide layer is achieved and, moreover, an efficient guidance of the radiation in the optical waveguide layer to lateral emission regions is made possible.

Die erste und/oder die zweite Schicht können in einer Ausführungsform ein Matrixmaterial mit Streupartikeln und/oder Reflexionspartikeln, insbesondere Partikel aus Titandioxid aufweisen.In one embodiment, the first and / or the second layer may comprise a matrix material with scattering particles and / or reflection particles, in particular particles of titanium dioxide.

Im Folgenden werden die Halbleiterbauteile anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren näher erläutert. Es zeigenThe semiconductor components will be explained in more detail below on the basis of exemplary embodiments and figures. Show it

1 eine erste Ausführungsform eines Halbleiterbauteils mit einer durchgehenden Konverterschicht, 1 A first embodiment of a semiconductor device with a continuous converter layer,

2 eine zweite Ausführungsform des Halbleiterbauteils mit einer durchgehenden Konverterschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, 2 a second embodiment of the semiconductor device with a continuous converter layer, which is arranged on the substrate,

3 eine dritte Ausführungsform des Halbleiterbauteils mit einer zweiten Schicht, die an eine Lichtleiterschicht angrenzt, 3 a third embodiment of the semiconductor device with a second layer adjacent to a light guide layer,

4 eine weitere Ausführungsform des Halbleiterbauteils mit einer zweiten an die Lichtleiterschicht angrenzenden Schicht, 4 a further embodiment of the semiconductor device with a second adjacent to the light guide layer layer,

5 eine weitere Ausführungsform des Halbleiterbauteils mit einer teilweise abgerundeten Konverterschicht, 5 a further embodiment of the semiconductor device with a partially rounded converter layer,

6 eine weitere Ausführungsform eines Halbleiterbauteils mit einer abgerundeten Konverterschicht oberhalb des Halbleiterchips, 6 a further embodiment of a semiconductor device with a rounded converter layer above the semiconductor chip,

7 eine dritte Ausführungsform des Halbleiterbauteils mit einer abgerundeten Konverterschicht, und 7 a third embodiment of the semiconductor device with a rounded converter layer, and

8 in einer schematischen Darstellung eine vierte Ausführungsform des Halbleiterbauteils mit einer wenigstens in eine Richtung auf eine Seitenfläche abnehmenden Lichtleiterschicht. 8th in a schematic representation of a fourth embodiment of the semiconductor device with a at least in one direction on a side surface decreasing light guide layer.

1 zeigt in einer schematischen Seitenansicht ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauteils, das einen Träger 2 aufweist. Der Träger 2 kann zum Beispiel eine quadratische oder rechteckförmige Grundfläche aufweisen. Der Träger 2 kann in Form eines Substrates beispielsweise aus einem Halbleitermaterial oder in Form einer Keramik beispielsweise aus Saphir bestehen oder in Form einer Leiterplatte (PCB) oder in Form eines Premoldkörpers mit eingemoldeten Leiterbahnen ausgebildet sein. Auf dem Träger 2 ist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel mittig ein Halbleiterchip 3 angeordnet. Der Halbleiterchip 3 kann in Form eines volumenemittierenden Halbleiterchips oder in Form eines oberflächenemittierenden Halbleiterchips ausgebildet sein. Bei einem volumenemittierenden Halbleiterchip wird die vom Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung über eine Oberseite, eine Unterseite und die Seitenflächen des Halbleiterchips abgestrahlt. Der Halbleiterchip kann beispielsweise auf einem strahlungsdurchlässigen Saphiraufwachssubstrat ausgebildet sein. Bei einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip wird die vom Halbleiterchip 3 erzeugte elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen über eine Oberseite 4 des Halbleiterchips 3 ausgesendet. In der dargestellten Ausführungsform nimmt der Halbleiterchip 3 nur einen Teil der Oberfläche des Trägers 2 ein. 1 shows a schematic side view of an embodiment of a semiconductor device, which is a carrier 2 having. The carrier 2 may for example have a square or rectangular base. The carrier 2 may be in the form of a substrate, for example, of a semiconductor material or in the form of a ceramic, for example made of sapphire, or in the form of a printed circuit board (PCB) or in the form of a premold body with molded-on conductor tracks. On the carrier 2 is in the illustrated embodiment, the center of a semiconductor chip 3 arranged. The semiconductor chip 3 may be in the form of a volume-emitting semiconductor chip or in the form of a surface-emitting semiconductor chip. In a volume-emitting semiconductor chip, the electromagnetic radiation generated by the semiconductor chip is emitted via an upper side, a lower side and the side surfaces of the semiconductor chip. The semiconductor chip may, for example, be formed on a radiation-transmissive sapphire growth substrate. In the case of a surface-emitting semiconductor chip, that of the semiconductor chip 3 generated electromagnetic radiation substantially over an upper surface 4 of the semiconductor chip 3 sent out. In the illustrated embodiment takes the semiconductor chip 3 only part of the surface of the carrier 2 one.

Der Halbleiterchip 3 kann eine rechteckförmige, quadratische oder auch andere Formen der Grundfläche aufweisen. Neben dem Halbleiterchip 3 ist auf dem Träger 2 eine zweite Schicht 5 angeordnet. Die zweite Schicht 5 bedeckt die Bereiche der Grundfläche des Trägers 2, die nicht vom Halbleiterchip abgedeckt werden. Die zweite Schicht 5 reicht in dem dargestellten Ausführungsbeispiel bis an eine Höhe der Oberseite 4 des Halbleiterchips 3. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann eine Oberseite 6 der zweiten Schicht 5 oberhalb der Oberseite 4 des Halbleiterchips 3 oder etwas unterhalb der Oberseite 4 des Halbleiterchips 3 angeordnet sein. Zudem können anstelle von einer zweiten Schicht auch mehrere zweite Schichten auf dem Träger angeordnet sein. The semiconductor chip 3 may have a rectangular, square or other shapes of the base. In addition to the semiconductor chip 3 is on the carrier 2 a second layer 5 arranged. The second layer 5 covers the areas of the base of the carrier 2 that are not covered by the semiconductor chip. The second layer 5 extends in the illustrated embodiment to a height of the top 4 of the semiconductor chip 3 , Depending on the chosen embodiment, an upper side 6 the second layer 5 above the top 4 of the semiconductor chip 3 or something below the top 4 of the semiconductor chip 3 be arranged. In addition, instead of a second layer, a plurality of second layers may also be arranged on the carrier.

Auf der Oberseite 4 des Halbleiterchips 3 und auf der Oberseite 6 der zweiten Schicht 5 ist eine Konverterschicht 7 angeordnet. Die Konverterschicht 7 ist ausgebildet, um wenigstens einen Teil der elektromagnetischen Strahlung des Halbleiterchips 3 in der Wellenlänge zu verschieben. Dazu weist die Konverterschicht 7 beispielsweise ein lumineszierendes Material, insbesondere Phosphor, auf. Beispielsweise kann der Halbleiterchip 3 blaues Licht erzeugen, das von der Konverterschicht 7 wenigstens teilweise in ein Licht mit größerer Wellenlänge konvertiert wird. Somit kann insgesamt weißes Mischlicht vom Halbleiterbauteil abgestrahlt werden. Weiterhin ist es möglich, abhängig von der Wellenlänge der vom Halbleiterchip 3 emittierten elektromagnetischen Strahlung und dem Aufbau der Konverterschicht auch Licht mit unterschiedlichen Mischfarben vom Halbleiterbauteil 1 zu erzeugen.On the top 4 of the semiconductor chip 3 and on the top 6 the second layer 5 is a converter layer 7 arranged. The converter layer 7 is formed to at least a part of the electromagnetic radiation of the semiconductor chip 3 to shift in wavelength. For this purpose, the converter layer 7 For example, a luminescent material, in particular phosphorus. For example, the semiconductor chip 3 generate blue light from the converter layer 7 is at least partially converted into a light with a longer wavelength. Thus, a total white mixed light can be emitted from the semiconductor device. Furthermore, it is possible, depending on the wavelength of the semiconductor chip 3 emitted electromagnetic radiation and the structure of the converter layer and light with different mixed colors from the semiconductor device 1 to create.

In dem dargestellten Ausführungsbeispiel erstreckt sich die Konverterschicht 7 über die gesamte Grundfläche des Trägers 2 und grenzt an die Seitenflächen 8, 9 des Halbleiterbauteils 1. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die Konverterschicht 7 auch nur in einem Bereich der Grundfläche des Trägers angeordnet sein und beispielsweise ausgehend von dem Halbleiterchip 3 nur an eine erste Seitenfläche 8 des Halbleiterbauteils 1 angrenzen.In the illustrated embodiment, the converter layer extends 7 over the entire footprint of the wearer 2 and adjoins the side surfaces 8th . 9 of the semiconductor device 1 , Depending on the chosen embodiment, the converter layer 7 be arranged only in a region of the base of the carrier and, for example, starting from the semiconductor chip 3 only on a first side surface 8th of the semiconductor device 1 adjoin.

Auf der Konverterschicht 7 ist eine Lichtleiterschicht 10 angeordnet. Die Lichtleiterschicht 10 ist aus einem lichtdurchlässigen Material gebildet, das keine Verschiebung der Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung bewirkt. Beispielsweise kann als lichtdurchlässiges Material für die Ausbildung der Lichtleiterschicht 10 Silikon, insbesondere Klarsilikon, verwendet werden. Die Lichtleiterschicht 10 erstreckt sich in dem dargestellten Ausführungsbeispiel über die gesamte Grundfläche des Trägers 2. Somit grenzt die Lichtleiterschicht 10 an alle Seitenflächen 8, 9 des Halbleiterbauteils 1. On the converter layer 7 is a light guide layer 10 arranged. The light guide layer 10 is made of a translucent material that does not cause a shift in the wavelength of the electromagnetic radiation. For example, as a translucent material for the formation of the light guide layer 10 Silicone, in particular clear silicone, are used. The light guide layer 10 extends in the illustrated embodiment over the entire base of the carrier 2 , Thus, the light guide layer is adjacent 10 on all sides 8th . 9 of the semiconductor device 1 ,

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die Lichtleiterschicht 10 auch nur in einem Teilbereich der Grundfläche des Trägers angeordnet sein und ausgehend vom Halbleiterchip 3 beispielsweise nur an die erste Seitenfläche 8 angrenzen. Auf der Lichtleiterschicht 10 ist eine erste Schicht 11 angeordnet. Die erste Schicht 11 ist ausgebildet, um die lichtleitende Funktion der Lichtleiterschicht 10 zu unterstützen. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die erste Schicht 11 einen kleineren Brechungsindex als die Lichtleiterschicht 10 aufweisen. Zudem kann die erste Schicht 11 zusätzlich oder anstelle des kleineren Brechungsindizes auch als streuende und/oder als reflektierende Schicht ausgebildet sein. Dazu kann die erste Schicht 11 ein Matrixmaterial, beispielsweise Silikon und Streupartikel oder Reflexionspartikel aufweisen. Die Streupartikel oder Reflexionspartikel können beispielsweise aus Titandioxid oder auch aus anderen Materialien wie zum Beispiel Bariumsulfat, Aluminiumoxid, Zirkoniumdioxid, Metallfluorid, Siliziumoxid oder Zinkoxid bestehen.Depending on the selected embodiment, the light guide layer 10 be arranged only in a portion of the base of the carrier and starting from the semiconductor chip 3 For example, only on the first side surface 8th adjoin. On the light guide layer 10 is a first layer 11 arranged. The first shift 11 is formed to the light-conducting function of the light guide layer 10 to support. Depending on the chosen embodiment, the first layer 11 a smaller refractive index than the light guide layer 10 exhibit. In addition, the first layer 11 additionally or instead of the smaller refractive indices, it can also be embodied as a scattering and / or as a reflecting layer. This can be the first layer 11 a matrix material, for example silicone and scattering particles or reflection particles. The scattering particles or reflection particles may for example consist of titanium dioxide or else of other materials such as, for example, barium sulfate, aluminum oxide, zirconium dioxide, metal fluoride, silicon oxide or zinc oxide.

Weiterhin kann die Konverterschicht 7 ausgebildet sein, um die lichtleitende Funktion der Lichtleiterschicht 10 zu unterstützen. Dazu weist die Konverterschicht 7 einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als der Brechungsindex der Lichtleiterschicht. Beispielsweise kann der Brechungsindex der Konverterschicht und der ersten Schicht 11 im Bereich von 1,45 oder kleiner liegen. Zudem kann der Brechungsindex der Lichtleiterschicht im Bereich von 1,5 oder größer liegen. Die zweite Schicht 5 kann ebenfalls als streuende oder reflektierende Schicht ausgebildet sein und entsprechend der ersten Schicht 11 ein Matrixmaterial mit streuenden oder reflektierenden Partikeln aufweisen. Furthermore, the converter layer 7 be formed to the light-conducting function of the light guide layer 10 to support. For this purpose, the converter layer 7 a refractive index which is smaller than the refractive index of the optical fiber layer. For example, the refractive index of the converter layer and the first layer 11 in the range of 1.45 or less. In addition, the refractive index of the optical fiber layer may be in the range of 1.5 or greater. The second layer 5 may also be formed as a scattering or reflective layer and according to the first layer 11 have a matrix material with scattering or reflective particles.

Die Lichtleiterschicht 10 und die angrenzenden Schichten sind in der Weise ausgebildet, dass die vom Halbleiterchip 3 erzeugte elektromagnetische Strahlung über die Konverterschicht 7 in die Lichtleiterschicht 10 eingekoppelt wird und in der Lichtleiterschicht 10 seitlich über wenigstens eine Seitenfläche, insbesondere über alle Seitenflächen des Halbleiterbauteils 1 abgegeben wird. Aufgrund der gewählten Brechungsindizes der Lichtleiterschicht 10 und der an die Lichtleiterschicht 10 angrenzenden Schichten und/oder der streuenden Funktion der ersten Schicht 11 wird eine verbesserte Lichtleitung in der Lichtleiterschicht 10 erreicht.The light guide layer 10 and the adjacent layers are formed in such a way that from the semiconductor chip 3 generated electromagnetic radiation via the converter layer 7 in the light guide layer 10 is coupled and in the light guide layer 10 laterally over at least one side surface, in particular over all side surfaces of the semiconductor device 1 is delivered. Due to the selected refractive indices of the light guide layer 10 and the to the light guide layer 10 adjacent layers and / or the scattering function of the first layer 11 becomes an improved light pipe in the optical fiber layer 10 reached.

2 zeigt eine Ausführungsform eines Halbleiterbauteils 1, die im Wesentlichen der Ausführungsform der 1 entspricht, wobei jedoch bei dieser Ausführungsform auf die zweite Schicht 5 verzichtet wurde und die Konverterschicht 7 auch Seitenflächen des Halbleiterchips 3 bedeckt. Zudem bedeckt die Konverterschicht 7 die Bereiche der Grundfläche des Trägers 2, die nicht vom Halbleiterchip 3 abgedeckt sind. Somit weist die Konverterschicht 7 über ihre laterale Ausdehnung eine unterschiedliche Dicke auf. Bei dieser Ausführungsform ist auf die reflektierende und streuende Funktion der zweiten Schicht 5 zugunsten eines einfacheren Aufbaus verzichtet worden. 2 shows an embodiment of a semiconductor device 1 , which is essentially the embodiment of the 1 but in this embodiment, the second layer 5 was omitted and the converter layer 7 also Side surfaces of the semiconductor chip 3 covered. In addition, the converter layer covers 7 the areas of the base of the carrier 2 that are not from the semiconductor chip 3 are covered. Thus, the converter layer 7 have a different thickness over their lateral extent. In this embodiment, the reflective and scattering function of the second layer is 5 dispensed with in favor of a simpler structure.

3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Halbleiterbauteils 1, die im Wesentlichen gemäß der 1 ausgebildet ist, wobei jedoch die Konverterschicht 7 im Wesentlichen nur auf oder über der Oberseite 4 des Halbleiterchips 3 angeordnet ist. Die laterale Ausdehnung der Konverterschicht 7 kann bis zu 10% größer oder kleiner als die laterale Ausdehnung der Oberseite 4 des Halbleiterchips 3 sein. Die zweite Schicht 5 weist eine Oberseite 6 auf, die im Wesentlichen auf der Höhe der Oberseite 4 des Halbleiterchips 3 angeordnet ist. Zudem bedeckt die Lichtleiterschicht 10 Seitenflächen der Konverterschicht 7 und reicht bis zu der Oberseite 6 der zweiten Schicht 5. Somit wird bei dieser Ausführungsform die lichtleitende Funktion der Lichtleiterschicht 10 im Wesentlichen durch die an die Lichtleiterschicht 10 angrenzende erste und zweite Schicht 11, 5 unterstützt. Die zweite Schicht 5 weist in dieser Ausführungsform eine streuende und/oder eine reflektierende Funktion auf und/oder die zweite Schicht 5 weist einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als der Brechungsindex der Lichtleiterschicht 10. 3 shows a further embodiment of a semiconductor device 1 which are essentially in accordance with the 1 is formed, but wherein the converter layer 7 essentially just on or over the top 4 of the semiconductor chip 3 is arranged. The lateral extent of the converter layer 7 may be up to 10% larger or smaller than the lateral extent of the top 4 of the semiconductor chip 3 be. The second layer 5 has a top 6 at that, essentially at the height of the top 4 of the semiconductor chip 3 is arranged. In addition, the light guide layer covers 10 Side surfaces of the converter layer 7 and reaches up to the top 6 the second layer 5 , Thus, in this embodiment, the photoconductive function of the optical fiber layer 10 essentially through the to the light guide layer 10 adjacent first and second layer 11 . 5 supported. The second layer 5 has in this embodiment, a scattering and / or a reflective function and / or the second layer 5 has a refractive index that is less than the refractive index of the optical fiber layer 10 ,

4 zeigt eine weitere Ausführungsform des Halbleiterbauteils 1, die im Wesentlichen der Ausführungsform der 3 entspricht, wobei jedoch im Gegensatz zur 3 die Oberseite 6 der zweiten Schicht 5 auf der Höhe der Oberseite 12 der Konverterschicht 7 angeordnet ist. Bevorzugt in den Bereichen, in denen die zweite Schicht 5 und die Lichtleiterschicht 10 direkt aneinandergrenzen, kann die Dicke der Lichtleiterschicht 10 mit ihrer lateralen Ausdehnung variieren und somit insbesondere nicht konstant sein. Beispielsweise kann die Dicke der Lichtleiterschicht 10 am äußersten Rand bis zu 50% geringer sein als die Dicke der Lichtleiterschicht 10 in dem Bereich, in dem die Lichtleiterschicht 10 direkt an die Konverterschicht 7 angrenzt. Diese Ausführungsform ist schematisch in 4 dargestellt, wobei bei dieser Ausführung die gestrichelte Linie die Grenze zwischen der Lichtleiterschicht 10 und der zweiten Schicht 11 darstellt. Abhängig von der gewählten Ausführung kann auch die Schichtdicke der ersten Schicht 5 variieren, insbesondere nach außen zunehmen, um die gewünschte Änderung der Schichtdicke der Lichtleiterschicht, insbesondere die Abnahme der Schichtdicke nach außen darzustellen. 4 shows a further embodiment of the semiconductor device 1 , which is essentially the embodiment of the 3 but in contrast to 3 the top 6 the second layer 5 at the height of the top 12 the converter layer 7 is arranged. Preferably in the areas where the second layer 5 and the light guide layer 10 directly adjoin one another, the thickness of the light guide layer 10 vary with their lateral extent and thus in particular not be constant. For example, the thickness of the light guide layer 10 at the outermost edge be up to 50% less than the thickness of the light guide layer 10 in the area in which the light guide layer 10 directly to the converter layer 7 borders. This embodiment is schematically illustrated in FIG 4 In this embodiment, the dashed line represents the boundary between the light guide layer 10 and the second layer 11 represents. Depending on the chosen design, the layer thickness of the first layer can also be used 5 vary, in particular increase outward to represent the desired change in the layer thickness of the light guide layer, in particular the decrease in the layer thickness to the outside.

5 zeigt eine weitere Ausführungsform, die im Wesentlichen gemäß der Ausführungsform der 1 ausgebildet ist, wobei jedoch bei dieser Ausführungsform die Konverterschicht 7 im Bereich des Halbleiterchips 3 in einem ersten Bereich 13 eine Oberseite 12 aufweist, die abgerundet ausgebildet ist. Die Oberseite 12 kann lateral größer sein als der Halbleiterchip 3, also einen Bereich abdecken, der größer ist als die Grundfläche des Halbleiterchips 3 ist. Die Oberseite 12 kann teilkugelförmig, insbesondere halbkugelförmig, ausgebildet sein. Weiterhin kann die Oberseite 12 teilellipsenförmig, insbesondere halbellipsenförmig, ausgebildet sein. Weiterhin kann die Oberseite 12 der Konverterschicht 7 im Bereich oberhalb des Halbleiterchips 3 auch andere abgerundete oder teilabgerundete Flächen, insbesondere Teilflächen, aufweisen. Weiterhin kann die Oberseite 12 der Konverterschicht 7 eine asphärische oder eine toroidische Form, insbesondere eine teiltoroidische Form aufweisen. Weiterhin kann die Konverterschicht als Freiformlinse, insbesondere in Form einer quadrantensymmetrischen Freiformlinse ausgebildet sein. 5 shows a further embodiment, which substantially according to the embodiment of the 1 is formed, however, in this embodiment, the converter layer 7 in the area of the semiconductor chip 3 in a first area 13 a top 12 has, which is rounded. The top 12 can be laterally larger than the semiconductor chip 3 , So cover an area that is larger than the base area of the semiconductor chip 3 is. The top 12 may be part-spherical, in particular hemispherical, formed. Furthermore, the top can 12 teilellipsenförmig, in particular halbellipsenförmig be formed. Furthermore, the top can 12 the converter layer 7 in the area above the semiconductor chip 3 also have other rounded or partially rounded surfaces, in particular partial surfaces. Furthermore, the top can 12 the converter layer 7 an aspheric or a toroidal shape, in particular a teiloroidische shape. Furthermore, the converter layer can be designed as a freeform lens, in particular in the form of a quadrant-symmetrical freeform lens.

Weiterhin geht die Oberseite 12 von dem ersten Bereich 13, der im Bereich oberhalb des Halbleiterchips 3 angeordnet ist, in einen zweiten Bereich 14 über, der seitlich des Halbleiterchips 3 angeordnet ist. Der erste Bereich 13 kann größer sein als die Oberfläche des Halbleiterchips 3. Im zweiten Bereich 14 weist die Konverterschicht 7 im Wesentlichen eine ebene, plane Oberseite auf. Abhängig von der gewählten Ausführungsform ist der erste Bereich 13 der Oberseite 12 der Konverterschicht 7 in der Weise ausgebildet, dass eine von dem Halbleiterchip 3 abgegebene elektromagnetische Strahlung unabhängig von einem Abstrahlwinkel Wegstrecken durch die Konverterschicht im ersten Bereich 13 aufweist, die sich weniger als 20 %, insbesondere weniger als 10 % unterscheiden. Auf diese Weise wird eine Homogenität der Wellenlänge, das heißt eine Homogenität der Farbe der elektromagnetischen Strahlung, unabhängig vom Abstrahlwinkel verbessert. In 5 sind schematisch zwei Abstrahlrichtungen mit verschiedenen Abstrahlwinkeln dargestellt. Der Halbleiterchip 3 strahlt in alle möglichen Abstrahlrichtungen ab. Eine erste Abstrahlrichtung 15 ist mit einem Abstrahlwinkel von 90 Grad dargestellt. Zudem ist eine zweite Abstrahlrichtung 16 mit einem Abstrahlwinkel von 30 Grad dargestellt. Für beide Abstrahlwinkel unterscheiden sich die Wegstrecken durch die Konverterschicht 7 um weniger als 20 %, insbesondere um weniger als 10 %.Continues the top 12 from the first area 13 in the area above the semiconductor chip 3 is arranged in a second area 14 over, the side of the semiconductor chip 3 is arranged. The first area 13 may be larger than the surface of the semiconductor chip 3 , In the second area 14 has the converter layer 7 essentially a flat, flat top. Depending on the chosen embodiment, the first area is 13 the top 12 the converter layer 7 formed in such a way that one of the semiconductor chip 3 emitted electromagnetic radiation regardless of a radiation angle paths through the converter layer in the first region 13 which differ less than 20%, in particular less than 10%. In this way, a homogeneity of the wavelength, that is a homogeneity of the color of the electromagnetic radiation, regardless of the angle of emission is improved. In 5 schematically two emission directions are shown with different angles of emission. The semiconductor chip 3 radiates in all possible directions of radiation. A first emission direction 15 is shown with a beam angle of 90 degrees. In addition, a second emission direction 16 shown with a beam angle of 30 degrees. For both beam angles, the distances differ by the converter layer 7 less than 20%, in particular less than 10%.

6 zeigt eine Ausführungsform, die im Wesentlichen der Ausführungsform der 5 entspricht, wobei jedoch die Konverterschicht 7 nur einen ersten Bereich 13 aufweist, der oberhalb des Halbleiterchips 3 angeordnet ist. In dieser Ausführungsform ist die Konverterschicht 7 im Wesentlichen auf den Bereich oberhalb des Halbleiterchips 3 begrenzt, kann aber auch über ihn hinausragen. Seitlich des Halbleiterchips 3 grenzt die Lichtleiterschicht 10 direkt an die zweite Schicht 5 an. Die Konverterschicht 7 weist im Bereich des Halbleiterchips 3 eine Oberseite 12 aufweist, die abgerundet ausgebildet ist. Die Oberseite 12 kann teilkugelförmig, insbesondere halbkugelförmig, ausgebildet sein. Weiterhin kann die Oberseite 12 teilellipsenförmig, insbesondere halbellipsenförmig, ausgebildet sein. Weiterhin kann die Oberseite 12 der Konverterschicht 7 im Bereich oberhalb des Halbleiterchips 3 auch andere abgerundete oder teilabgerundete Flächen, insbesondere Teilflächen, aufweisen. Weiterhin kann die Oberseite 12 der Konverterschicht 7 eine asphärische oder eine toroidische Form, insbesondere eine teiltoroidische Form aufweisen. Weiterhin kann die Konverterschicht als Freiformlinse, insbesondere in Form einer quadrantensymmetrischen Freiformlinse ausgebildet sein. 6 shows an embodiment which is substantially the embodiment of the 5 corresponds, but wherein the converter layer 7 only a first area 13 which is above the semiconductor chip 3 is arranged. In this embodiment, the converter layer 7 essentially to the area above the semiconductor chip 3 limited, but can also extend beyond him. Side of the Semiconductor chips 3 adjoins the light guide layer 10 directly to the second layer 5 at. The converter layer 7 points in the area of the semiconductor chip 3 a top 12 has, which is rounded. The top 12 may be part-spherical, in particular hemispherical, formed. Furthermore, the top can 12 teilellipsenförmig, in particular halbellipsenförmig be formed. Furthermore, the top can 12 the converter layer 7 in the area above the semiconductor chip 3 also have other rounded or partially rounded surfaces, in particular partial surfaces. Furthermore, the top can 12 the converter layer 7 an aspheric or a toroidal shape, in particular a teiloroidische shape. Furthermore, the converter layer can be designed as a freeform lens, in particular in the form of a quadrant-symmetrical freeform lens.

7 zeigt eine Ausführungsform, die im Wesentlichen der Ausführungsform der 5 entspricht, wobei jedoch bei dieser Ausführungsform auf die zweite Schicht 5 verzichtet wurde und die Konverterschicht 7 sich bis zum Träger 2 erstreckt. 7 shows an embodiment which is substantially the embodiment of the 5 but in this embodiment, the second layer 5 was omitted and the converter layer 7 up to the carrier 2 extends.

8 zeigt in einer schematischen Darstellung eine weitere Ausführungsform, bei der die Schichtdicke der Lichtleiterschicht 10 ausgehend von einem Bereich des Halbeiterchips 3, insbesondere von einer Mitte des Halbleiterchips 3 wenigstens in Richtung auf eine Seitenfläche 8, 9, insbesondere in Richtung auf alle Seitenflächen des Halbleiterbauteils 1 abnimmt. Die schichtdicke der Lichtleiterschicht kann stetig oder in Stufen in Richtung auf eine Seitenfläche 8, 9 des Halbleiterbauteils 1 abnehmen. Auf diese Weise wird eine bessere Durchmischung und Homogenisierung der vom Halbleiterchip 3 abgegebenen elektromagnetischen Strahlung erreicht. Diese Ausführungsform der Lichtleiterschicht 10 kann für alle bisher beschriebenen Ausführungsform des Halbleiterbauteils 1 eingesetzt werden. Zudem ist eine weitere Ausführungsform in 8 dargestellt, bei der die Grenze zwischen der zweiten Schicht 11 und der Lichtleiterschicht 10 als gestrichelte Linie dargestellt ist. 8th shows a schematic representation of another embodiment in which the layer thickness of the light guide layer 10 starting from an area of the semiconductor chip 3 , in particular from a center of the semiconductor chip 3 at least in the direction of a side surface 8th . 9 , in particular in the direction of all side surfaces of the semiconductor device 1 decreases. The layer thickness of the light guide layer can be continuous or in steps in the direction of a side surface 8th . 9 of the semiconductor device 1 lose weight. In this way, a better mixing and homogenization of the semiconductor chip 3 achieved emitted electromagnetic radiation. This embodiment of the light guide layer 10 can for all previously described embodiment of the semiconductor device 1 be used. In addition, another embodiment is in 8th shown where the boundary between the second layer 11 and the light guide layer 10 is shown as a dashed line.

Die in den Figuren dargestellten schematischen Ansichten zeigen einen Querschnitt durch eine Mitte des Halbleiterbauteils, wobei das Halbleiterbauteil in Bezug auf eine Mittenachse symmetrisch ausgebildet ist.The schematic views shown in the figures show a cross section through a center of the semiconductor device, wherein the semiconductor device is formed symmetrically with respect to a center axis.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11: Halbleiterbauteil Semiconductor device
22: Träger carrier
33: Halbleiterchip Semiconductor chip
44: Oberseite Halbleiterchip Top side semiconductor chip
55: zweite Schicht second layer
66: Oberseite zweite Schicht Top second layer
77: Konverterschicht converter layer
88th: erste Seitenfläche first side surface
99: zweite Seitenfläche second side surface
1010: Lichtleiterschicht Light guide layer
1111: erste Schicht first shift
1212: Oberseite Konverterschicht Top converter layer
1313: erster Bereich Oberseite first area top
1414: zweiter Bereich Oberseite second area top
1515: erste Abstrahlrichtung first emission direction
1616: zweite Abstrahlrichtung second emission direction

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

DE 102012102114 A1 [0002]

Claims

Semiconductor device ( 1 ) with a semiconductor chip ( 3 ), which is designed to generate electromagnetic radiation, wherein the semiconductor chip is mounted on a carrier ( 2 ) is arranged, wherein at least over a radiating side ( 4 ) of the semiconductor chip ( 3 ) a converter layer ( 7 ), wherein the converter layer ( 7 ) is formed, at least a portion of the semiconductor chip ( 3 ) in the wavelength, wherein on the converter layer ( 7 ) a light guide layer ( 10 ) is arranged, wherein on the light guide layer ( 10 ) a first layer ( 11 ), wherein the optical waveguide layer, the radiation in the lateral direction away from the semiconductor chip ( 3 ) leads.

Semiconductor component according to claim 1, wherein the converter layer ( 7 ) to at least one side surface ( 8th . 9 ) of the semiconductor device ( 1 ), wherein in particular the converter layer ( 7 ) to all side surfaces ( 8th . 9 ) of the semiconductor device ( 1 ), the first layer ( 11 ) is guided to at least one side surface of the semiconductor device, and wherein in particular the first layer ( 11 ) is guided to all side surfaces of the semiconductor device.

Semiconductor component according to claim 2, wherein the converter layer ( 7 ) on the support ( 2 ) side of the semiconductor chip ( 3 ), wherein the converter layer ( 7 ) an upper side ( 12 ), which above a top ( 4 ) of the semiconductor chip ( 3 ) is arranged.

Semiconductor component according to one of claims 1 or 2, wherein laterally next to the semiconductor chip ( 3 ) a second layer ( 5 ) on the support ( 3 ), the second layer ( 5 ) in particular a top side ( 6 ) substantially at a height of the upper side ( 4 ) of the semiconductor chip ( 3 ) is arranged.

Semiconductor component according to claim 4, wherein the converter layer ( 7 ) on a top side ( 4 ) of the semiconductor chip ( 3 ), the second layer ( 5 ) an upper side ( 6 ), which in the region of the top ( 12 ) of the converter layer ( 7 ) is arranged.

Semiconductor component according to one of the preceding claims, wherein the converter layer ( 7 ) at least partially a rounded top ( 12 ), wherein the upper side ( 12 ) of the converter layer is formed in particular partially spherical.

Semiconductor component according to Claim 6, in which the upper side ( 12 ) of the converter layer ( 7 ) is formed in such a way that of the semiconductor chip ( 3 ) emitted electromagnetic radiation regardless of a radiation angle distances through the converter layer ( 7 ), which differ less than 20%, especially less than 10%.

Semiconductor component according to one of claims 6 or 7, wherein the converter layer ( 7 ) in the area ( 13 ) above the semiconductor chip ( 3 ) the rounded surface ( 12 ), and wherein the converter layer ( 7 ) side of the semiconductor chip ( 3 ) a flat surface ( 12 ) having.

Semiconductor component according to one of the preceding claims, wherein the converter layer ( 7 ) has a refractive index which is smaller than the refractive index of the optical waveguide layer ( 10 ).

Semiconductor component according to one of the preceding claims, wherein the first layer ( 11 ) has a refractive index which is smaller than a refractive index of the optical waveguide layer ( 10 ).

Semiconductor component according to one of the preceding claims, wherein the first layer ( 11 ) is formed to at least partially return the radiation back into the optical waveguide layer ( 10 ) to scatter and / or reflect.

Semiconductor component according to one of claims 4 to 11, wherein the second layer ( 5 ) has a refractive index which is smaller than the refractive index of the optical waveguide layer ( 10 ).

Semiconductor component according to one of the preceding claims, wherein the second layer ( 5 ) is formed to at least partially return the radiation back into the optical waveguide layer ( 10 ) to scatter and / or reflect.

Semiconductor component according to one of the preceding claims, wherein the refractive index of the optical waveguide layer ( 10 ) is in the range of 1.5 or greater, and wherein the refractive index of the converter layer ( 7 ) and / or the first layer ( 11 ) and / or the second layer ( 5 ) is less than 1.45.

Semiconductor component according to one of the preceding claims, wherein the first layer and / or the second layer comprises a matrix material and scattering particles or reflection particles, in particular particles of TiO ₂ .