Die Erfindung betrifft einen kapazitiven Messsensor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung eine Positions-Messeinrichtung sowie eine Positioniervorrichtung mit einem derartigen kapazitiven Messsensor. The invention relates to a capacitive measuring sensor according to the preamble of claim 1. Furthermore, the invention relates to a position-measuring device and a positioning device with such a capacitive measuring sensor.
Kapazitive Messsensoren sind zur Messung mechanischer Größen, wie beispielsweise von Abständen, Füllständen oder Drücken bekannt. Der kapazitive Messsensor bildet einen Kondensator aus, dessen Kapazität von der Messgröße beeinflusst wird, wobei mittels einer Messelektronik die Kapazität des Kondensators und die beeinflussende Messgröße bestimmt werden. Bei Abstands- bzw. Positionsmessungen im Nanometerbereich bzw. Subnanometerbereich liegt die zu messende Kapazität typischerweise im Pikofaradbereich. Kapazitätsänderungen infolge eines sich ändernden Abstandes müssen dementsprechend im Femtofaradbereich gemessen werden. Nachteilig ist, dass bei bekannten kapazitiven Messsensoren die Messgenauigkeit durch Störeinflüsse begrenzt ist. Capacitive measuring sensors are known for measuring mechanical quantities, such as distances, levels or pressures. The capacitive measuring sensor forms a capacitor whose capacitance is influenced by the measured variable, wherein the capacitance of the capacitor and the influencing measured variable are determined by means of measuring electronics. For distance or position measurements in the nanometer range or subnanometer range, the capacitance to be measured is typically in the picofarad range. Capacitance changes due to a changing distance must therefore be measured in the femtofarad range. The disadvantage is that in known capacitive measuring sensors, the measurement accuracy is limited by interference.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, einen kapazitiven Messsensor zu schaffen, der auf einfache Weise eine hohe Messgenauigkeit ermöglicht. The invention is therefore based on the object to provide a capacitive measuring sensor, which enables a high degree of accuracy in a simple manner.
Die Aufgabe wird durch einen kapazitiven Messsensor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Dadurch, dass ein Transistor in dem Messsensor-Gehäuse angeordnet ist, wird das Messsignal bereits am Ort des Entstehens bzw. der Messung verstärkt, so dass das verstärkte Messsignal zu der räumlich entfernt angeordneten Messelektronik übertragen wird. Durch die Übertragung des verstärkten Messsignals wird das Signal-Rausch-Verhältnis verbessert, wodurch die Messgenauigkeit des kapazitiven Messsensors deutlich erhöht wird. Der Transistor ist beispielsweise als Bipolartransistor oder Feldeffekttransistor ausgebildet. Die erste Elektrode wirkt zur Bereitstellung des Messsignals mit einer zweiten Elektrode zusammen, die insbesondere als Messfläche ausgebildet ist.The object is achieved by a capacitive measuring sensor having the features of claim 1. The fact that a transistor is arranged in the measuring sensor housing, the measurement signal is already amplified at the place of origin or the measurement, so that the amplified measurement signal is transmitted to the remote measuring electronics arranged. By transmitting the amplified measurement signal, the signal-to-noise ratio is improved, whereby the measurement accuracy of the capacitive measuring sensor is significantly increased. The transistor is formed for example as a bipolar transistor or field effect transistor. The first electrode cooperates to provide the measurement signal with a second electrode, which is designed in particular as a measuring surface.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 2 gewährleistet ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis. Der Verstärkungsfaktor, mit dem das Messsignal durch den Transistor verstärkt wird, wirkt sich unmittelbar auf das Signal-Rausch-Verhältnis aus. Je größer der Verstärkungsfaktor ist, desto größer ist somit auch die Messgenauigkeit. A capacitive measuring sensor according to claim 2 ensures a high signal-to-noise ratio. The amplification factor with which the measurement signal is amplified by the transistor has an immediate effect on the signal-to-noise ratio. The larger the amplification factor, the greater the measurement accuracy.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 3 gewährleistet eine hohe Messgenauigkeit. Dadurch, dass die störempfindliche Verbindungsleitung zwischen der ersten Elektrode und dem Transistor aufgrund der Anordnung des Transistors in dem Messsensor-Gehäuse äußerst kurz ist, wird das Messsignal unmittelbar am Ort des Entstehens verstärkt. Hierdurch wird ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis gewährleistet. A capacitive measuring sensor according to claim 3 ensures a high measuring accuracy. Due to the fact that the interference-sensitive connecting line between the first electrode and the transistor is extremely short due to the arrangement of the transistor in the measuring sensor housing, the measuring signal is amplified directly at the point of origin. This ensures a high signal-to-noise ratio.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 4 gewährleistet eine hohe Messgenauigkeit. Durch den ohmschen Widerstand ist das Potential der Verbindungsleitung bzw. des Verbindungsknotens zwischen der ersten Elektrode und dem Transistor definiert. Das Bezugspotential kann ein beliebiges, festes und bekanntes Potential sein, wie beispielsweise das Massepotential. Dadurch, dass der ohmsche Widerstand hochohmig gewählt ist, kann die im Messsensor erzeugte Ladung nur langsam über den ohmschen Widerstand abfließen. A capacitive measuring sensor according to claim 4 ensures a high measuring accuracy. The ohmic resistance defines the potential of the connection line or of the connection node between the first electrode and the transistor. The reference potential may be any fixed and known potential, such as the ground potential. Due to the fact that the ohmic resistance is selected with high resistance, the charge generated in the measuring sensor can only flow off slowly via the ohmic resistance.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 5 gewährleistet eine hohe Messgenauigkeit. Durch die Gleichspannungsquelle ist das Potential der Verbindungsleitung bzw. des Verbindungsknotens zwischen der ersten Elektrode und dem Transistor frei wählbar. Hierdurch kann der Transistor statisch in einem für die Messung vorteilhaften Betriebszustand gehalten werden. Insbesondere ist es vorteilhaft, auf diese Weise eine Schwellspannung des Transistors zu überwinden. Dadurch, dass die Gleichspannungsquelle Teil der Messelektronik ist, wird am Ort der Messung kein zusätzlicher Bauraum benötigt. Darüber hinaus erfolgt am Ort der Messung durch die Gleichspannungsquelle kein zusätzlicher Wärmeeintrag.A capacitive measuring sensor according to claim 5 ensures a high measuring accuracy. By the DC voltage source, the potential of the connecting line or the connection node between the first electrode and the transistor is arbitrary. As a result, the transistor can be statically kept in an advantageous operating state for the measurement. In particular, it is advantageous to overcome in this way a threshold voltage of the transistor. Because the DC voltage source is part of the measuring electronics, no additional space is required at the location of the measurement. In addition, no additional heat input takes place at the location of the measurement by the DC voltage source.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 6 gewährleistet auf einfache Weise eine hohe Messgenauigkeit. Durch die Wechselspannungsquelle wird ein Erregersignal erzeugt, auf dessen Basis die Messung erfolgt. Dadurch, dass die Wechselspannungsquelle Teil der Messelektronik ist, wird am Ort der Messung kein zusätzlicher Bauraum benötigt. Weiterhin erfolgt am Ort der Messung durch die Wechselspannungsquelle kein zusätzlicher Wärmeeintrag. Die Impedanzen der Wechselspannungsquelle sowie der Signalleitung bzw. Versorgungsleitung zwischen der Wechselspannungsquelle und der zweiten Elektrode werden vorzugsweise niedrig gewählt, wodurch der Einfluss von Störungen auf die Versorgungsleitung gering ist. Die zweite Elektrode ist beispielsweise als Messfläche ausgebildet. Zur Abstands- bzw. Positionsmessung eines Messobjekts ist diese Messfläche an diesem ausgebildet, beispielsweise durch eine geeignete Beschichtung. A capacitive measuring sensor according to claim 6 ensures a high degree of accuracy in a simple manner. The AC voltage source generates an exciter signal, on the basis of which the measurement takes place. The fact that the AC voltage source is part of the measuring electronics, no additional space is required at the place of measurement. Furthermore, no additional heat input takes place at the location of the measurement by the AC voltage source. The impedances of the AC voltage source and of the signal line or supply line between the AC voltage source and the second electrode are preferably selected to be low, as a result of which the influence of disturbances on the supply line is low. The second electrode is designed, for example, as a measuring surface. For measuring the distance or position of a measuring object, this measuring surface is formed on it, for example by a suitable coating.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 7 gewährleistet in einfacher Weise eine hohe Messgenauigkeit. Die Signalverstärkung ist bei Benutzung eines Feldeffekt-Transistors insbesondere nicht destruktiv. Dadurch, dass der Feldeffekt-Transistor spannungsgesteuert ist, ist dieser verlustarm und dementsprechend zur Integration in das Messsensor-Gehäuse besonders geeignet. Darüber hinaus entspricht der Feldeffekt-Transistor in seinem Aufbau einem Kondensator, wodurch der Feldeffekt-Transistor mit der ersten Elektrode in Form einer integrierten Schaltung ausführbar ist.A capacitive measuring sensor according to claim 7 ensures in a simple manner a high measuring accuracy. The signal amplification is particularly non-destructive when using a field effect transistor. Because the field-effect transistor is voltage-controlled, it is low-loss and accordingly for integration into the measuring sensor Housing particularly suitable. In addition, the field effect transistor in its construction corresponds to a capacitor, whereby the field effect transistor with the first electrode in the form of an integrated circuit is executable.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 8 gewährleistet in gewünschter Weise die Signalverstärkung und die erhöhte Messgenauigkeit.A capacitive measuring sensor according to claim 8 ensures in a desired manner the signal amplification and the increased measuring accuracy.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 9 gewährleistet in Abhängigkeit der Einbaubedingungen eine hohe Messgenauigkeit. Der Source-Anschluss kann einerseits über eine weitere Signalleitung bzw. Messleitung mit der Messelektronik verbunden sein. In der Messelektronik ist die zusätzliche Messleitung insbesondere über einen ohmschen Widerstand mit dem Bezugspotential verbunden. Diese Ausgestaltung ist dann vorteilhaft, wenn im Bereich des Messsensor-Gehäuses kein ausreichend störungsarmes Bezugspotential zur Verfügung steht. Wenn demgegenüber im Bereich des Messsensor-Gehäuses ein ausreichend störungsarmes Bezugspotential zur Verfügung steht, kann der Source-Anschluss unmittelbar im Bereich des Messsensor-Gehäuses mit dem Bezugspotential verbunden werden. Bei einer derartigen Ausgestaltung entfallen die zusätzliche Messleitung und der ohmsche Widerstand in der Messelektronik. A capacitive measuring sensor according to claim 9 ensures a high measuring accuracy depending on the installation conditions. The source terminal can be connected on the one hand via a further signal line or measuring line to the measuring electronics. In the measuring electronics, the additional measuring line is connected in particular via an ohmic resistance to the reference potential. This embodiment is advantageous if there is no sufficiently low-interference reference potential available in the region of the measuring sensor housing. In contrast, if a sufficiently low-interference reference potential is available in the region of the measuring sensor housing, the source terminal can be connected directly to the reference potential in the region of the measuring sensor housing. In such an embodiment eliminates the additional measuring line and the ohmic resistance in the measuring electronics.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 10 gewährleistet einen einfachen Aufbau und eine hohe Messgenauigkeit. A capacitive measuring sensor according to claim 10 ensures a simple construction and a high measuring accuracy.
Ein kapazitiver Messsensor nach Anspruch 11 gewährleistet ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis in Verbindung mit einem geringen Bedarf an Bauraum. Dadurch, dass der Feldeffekt-Transistor selbst einen Kondensator ausbildet, nämlich zwischen dem Gate-Anschluss und dem Kanal aus Ladungsträgern, der unterhalb des Gate-Anschlusses zwischen dem Source-Anschluss und dem Drain-Anschluss verläuft, dient der Transistor nicht als reiner Signalverstärker, sondern ist integraler Bestandteil des Messsensors, da das zu messende elektrische Feld unmittelbar auf den Kanal unterhalb des Gate-Anschlusses wirkt. Die störempfindliche Verbindungsleitung zwischen der ersten Elektrode und dem Transistor weist aufgrund der Integration eine Länge von weniger als 1 µm auf. Die zu messende Größe bzw. das zu messende elektrische Feld wird durch seinen Einfluss auf die Verstärkung selbst gemessen, wodurch die Störempfindlichkeit auf ein Minimum reduziert wird. Zusätzlich wird der benötige Bauraum minimiert, da die erste Elektrode und der Transistor zu einer Einheit verschmelzen. A capacitive measuring sensor according to claim 11 ensures a high signal-to-noise ratio in conjunction with a small space requirement. The fact that the field effect transistor itself forms a capacitor, namely between the gate terminal and the channel of charge carriers, which extends below the gate terminal between the source terminal and the drain terminal, the transistor is not used as a pure signal amplifier, but is an integral part of the measuring sensor, since the electric field to be measured acts directly on the channel below the gate terminal. The interference-sensitive connection line between the first electrode and the transistor has a length of less than 1 .mu.m due to the integration. The quantity to be measured or the electric field to be measured is measured by its influence on the amplification itself, whereby the susceptibility to interference is reduced to a minimum. In addition, the space required is minimized because the first electrode and the transistor merge into one unit.
Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, eine Positions-Messeinrichtung zu schaffen, die auf einfache Weise eine hohe Genauigkeit bei der Positionsermittlung ermöglicht.The invention is further based on the object to provide a position-measuring device that enables a high degree of accuracy in the position determination in a simple manner.
Diese Aufgabe wird durch eine Positions-Messeinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 12 gelöst. Dadurch, dass der mindestens eine Positions-Messsensor ein Positions-Messsignal und der zugehörige mindestens eine Referenz-Messsensor ein Referenz-Messsignal bereitstellt, können Störeinflüsse, die in dem Positions-Messsignal als Stör-Signal enthalten sind, bestimmt und eliminiert werden. Das berechnete Positions-Signal ist im Wesentlichen von dem Stör-Signal befreit, wodurch die Position eines Messobjekts mit hoher Genauigkeit bestimmt werden kann. Durch den in das Messsensor-Gehäuse integrierten Transistor wird das Messsignal am Ort des Entstehens bzw. der Messung verstärkt, wodurch ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis erzielt wird. Hierdurch werden eine hohe Messgenauigkeit und eine hohe Genauigkeit bei der Positionsermittlung erzielt. Vorzugsweise ist der mindestens eine kapazitive Positions-Messsensor und der mindestens eine kapazitive Referenz-Messsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11 ausgebildet. Der mindestens eine Positions-Messsensor und der mindestens eine kapazitive Referenz-Messsensor sind vorzugsweise baugleich ausgebildet. This object is achieved by a position-measuring device with the features of claim 12. The fact that the at least one position measuring sensor provides a position measuring signal and the associated at least one reference measuring sensor provides a reference measuring signal makes it possible to determine and eliminate disturbing influences which are contained in the position measuring signal as an interference signal. The calculated position signal is substantially freed from the interference signal, whereby the position of a measurement object can be determined with high accuracy. The integrated transistor in the measuring sensor housing amplifies the measuring signal at the point of origin or measurement, which results in a high signal-to-noise ratio. As a result, a high measurement accuracy and a high accuracy in the position detection are achieved. Preferably, the at least one capacitive position measuring sensor and the at least one capacitive reference measuring sensor according to one of claims 1 to 11 are formed. The at least one position measuring sensor and the at least one capacitive reference measuring sensor are preferably of identical construction.
Der Erfindung liegt weiterhin die Aufgabe zugrunde, eine Positioniervorrichtung zu schaffen, die eine hohe Positioniergenauigkeit aufweist.The invention is further based on the object to provide a positioning device which has a high positioning accuracy.
Diese Aufgabe wird durch eine Positioniervorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. Der Aktuator und der mindestens eine kapazitive Messsensor gewährleisten hierbei eine Positioniergenauigkeit im Nanometerbereich bzw. Subnanometerbereich. Der mindestens eine kapazitive Messsensor kann die Position des Messobjekts unmittelbar oder mittelbar an dem Aktuator messen. Der mindestens eine kapazitive Messsensor kann darüber hinaus Teil einer Positions-Messeinrichtung gemäß Anspruch 12 sein. This object is achieved by a positioning device having the features of claim 13. The actuator and the at least one capacitive measuring sensor ensure a positioning accuracy in the nanometer range or subnanometer range. The at least one capacitive measuring sensor can measure the position of the measuring object directly or indirectly on the actuator. The at least one capacitive measuring sensor can furthermore be part of a position measuring device according to claim 12.
Eine Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 14 stellt eine vorteilhafte Anwendung der erfindungsgemäßen Positioniervorrichtung und des mindestens einen kapazitiven Messsensors dar. A projection exposure apparatus according to claim 14 represents an advantageous application of the positioning device according to the invention and of the at least one capacitive measuring sensor.
Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele. Es zeigen:Further features, advantages and details of the invention will become apparent from the following description of several embodiments. Show it:
1 eine schematische Darstellung einer Positioniervorrichtung mit einem zu positionierenden Messobjekt und einer Positions-Messeinrichtung zur Ermittlung der Position des Messobjekts, die Teil einer nicht näher dargestellten Projektionsbelichtungsanlage sind, 1 a schematic representation of a positioning device with a measurement object to be positioned and a position-measuring device for determining the position of the measurement object, which are part of a projection exposure apparatus, not shown,
2 eine schematische Darstellung des prinzipiellen Aufbaus der Positions-Messeinrichtung gemäß 1 mit mindestens einem kapazitiven Positions-Messsensor und mindestens einem kapazitiven Referenz-Messsensor, 2 a schematic representation of the basic structure of the position-measuring device according to 1 with at least one capacitive position measuring sensor and at least one capacitive reference measuring sensor,
3 eine schematische Darstellung einer Positions-Messeinrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, bei dem der Referenz-Messsensor an einem Tragkörper angeordnet ist und das Umgebungsmedium ein Dielektrikum ausbildet, 3 FIG. 2 a schematic representation of a position measuring device according to a first exemplary embodiment, in which the reference measuring sensor is arranged on a carrier body and the surrounding medium forms a dielectric,
4 eine schematische Darstellung einer Positions-Messeinrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, bei dem der mindestens eine Referenz-Messsensor an einem Tragkörper angeordnet ist und dieser ein Dielektrikum ausbildet, 4 FIG. 2 a schematic representation of a position measuring device according to a second exemplary embodiment, in which the at least one reference measuring sensor is arranged on a carrier body and this forms a dielectric,
5 eine schematische Darstellung einer Positions-Messeinrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, bei dem der mindestens eine Referenz-Messsensor an dem Messobjekt angeordnet ist und dieses ein Dielektrikum ausbildet, 5 FIG. 2 a schematic representation of a position-measuring device according to a third exemplary embodiment, in which the at least one reference measuring sensor is arranged on the measuring object and this forms a dielectric,
6 eine schematische Darstellung einer Positions-Messeinrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel, bei dem der mindestens eine Referenz-Messsensor als zusätzlicher Positions-Messsensor bzw. als Differenz-Messsensor eingesetzt ist, 6 FIG. 2 a schematic illustration of a position measuring device according to a fourth exemplary embodiment, in which the at least one reference measuring sensor is used as an additional position measuring sensor or as a differential measuring sensor,
7 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines üblichen kapazitiven Messsensors, 7 a schematic representation of the structure of a conventional capacitive measuring sensor,
8 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines kapazitiven Messsensors gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, 8th a schematic representation of the structure of a capacitive measuring sensor according to a first embodiment,
9 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines kapazitiven Messsensors gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, 9 a schematic representation of the structure of a capacitive measuring sensor according to a second embodiment,
10 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines kapazitiven Messsensors gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, 10 a schematic representation of the structure of a capacitive measuring sensor according to a third embodiment,
11 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines kapazitiven Messsensors gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel, 11 a schematic representation of the structure of a capacitive measuring sensor according to a fourth embodiment,
12 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines kapazitiven Messsensors gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel, 12 1 is a schematic representation of the construction of a capacitive measuring sensor according to a fifth exemplary embodiment,
13 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines kapazitiven Messsensors gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel, und 13 a schematic representation of the structure of a capacitive measuring sensor according to a sixth embodiment, and
14 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines kapazitiven Messsensors gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel. 14 a schematic representation of the structure of a capacitive measuring sensor according to a seventh embodiment.
Eine nicht näher dargestellte Projektionsbelichtungsanlage 1 weist eine Positioniervorrichtung 2 auf, die ein zu positionierendes Messobjekt 3, mindestens einen Aktuator 4 und mindestens eine Positions-Messeinrichtung 5 umfasst. In 1 sind beispielhaft zwei Aktuatoren 4 dargestellt. Die Aktuatoren 4 sind auf einer Basisplatte 6 angeordnet und dienen zur Verlagerung des Messobjekts 3 relativ zu der Basisplatte 6. Das Messobjekt 3 ist beispielsweise – wie in 1 dargestellt ist – eine Platte, die im Nanometerbereich, insbesondere im Subnanometerbereich, für die Funktion der Projektionsbelichtungsanlage exakt positioniert werden muss, beispielsweise durch eine lineare Verschiebung und/oder eine Verkippung und/oder eine Verformung. A non-illustrated projection exposure system 1 has a positioning device 2 on, which is a measuring object to be positioned 3 , at least one actuator 4 and at least one position measuring device 5 includes. In 1 are exemplary two actuators 4 shown. The actuators 4 are on a base plate 6 arranged and serve to relocate the DUT 3 relative to the base plate 6 , The measurement object 3 is for example - as in 1 a plate which must be positioned precisely in the nanometer range, in particular in the subnanometer range, for the function of the projection exposure apparatus, for example by a linear displacement and / or a tilting and / or a deformation.
Zur Ermittlung einer Position x des Messobjekts 3 weist die Positions-Messeinrichtung 5 mindestens einen kapazitiven Positions-Messsensor 7 auf, der einer Recheneinheit 8 ein Positions-Messsignal PM zu dem Messobjekt 3 bereitstellt. Bei der in 1 dargestellten Positioniervorrichtung 2 ist jedem Aktuator 4 ein kapazitiver Positions-Messsensor 7 zugeordnet, der zur Ermittlung einer jeweiligen Position x des Messobjekts 3 dient. Die Recheneinheit 8 umfasst eine Messelektronik 8a sowie eine Signalverarbeitung 8b, die nachfolgend im Detail beschrieben sind.To determine a position x of the DUT 3 indicates the position measuring device 5 at least one capacitive position measuring sensor 7 on, that of a computer 8th a position measurement signal P M to the measurement object 3 provides. At the in 1 shown positioning device 2 is every actuator 4 a capacitive position measuring sensor 7 assigned to determine a respective position x of the measurement object 3 serves. The arithmetic unit 8th includes a measuring electronics 8a as well as signal processing 8b which are described in detail below.
Die kapazitiven Positions-Messsensoren 7 sind baugleich ausgebildet, so dass nachfolgend lediglich einer der kapazitiven Positions-Messsensoren 7 beschrieben ist. Der Positions-Messsensor 7 weist ein Messsensor-Gehäuse 9 auf, in dem zumindest teilweise eine erste Elektrode 10 angeordnet ist. Die erste Elektrode 10 ist über eine Signalleitung 11 mit der Recheneinheit 8 verbunden. Eine zu dem Positions-Messsensor 7 gehörige zweite Elektrode 12 ist als Messfläche an dem Messobjekt 3 ausgebildet. Hierzu ist das Messobjekt 3 gegenüberliegend zu der ersten Elektrode 10 mit einer Beschichtung versehen, wobei die Beschichtung als zweite Elektrode 12 bzw. Messfläche wirkt. Die zweite Elektrode 12 ist über eine Signalleitung 13 mit der Recheneinheit 8 verbunden. The capacitive position measuring sensors 7 are identical in construction, so that subsequently only one of the capacitive position measuring sensors 7 is described. The position measuring sensor 7 has a measuring sensor housing 9 in which at least partially a first electrode 10 is arranged. The first electrode 10 is via a signal line 11 with the arithmetic unit 8th connected. One to the position measuring sensor 7 associated second electrode 12 is as a measuring surface on the measurement object 3 educated. For this the measuring object is 3 opposite to the first electrode 10 provided with a coating, wherein the coating as a second electrode 12 or measuring surface acts. The second electrode 12 is via a signal line 13 with the arithmetic unit 8th connected.
Das Messprinzip des kapazitiven Positions-Messsensors 7 ist grundsätzlich bekannt. Der kapazitive Positions-Messsensor 7 wirkt näherungsweise als Plattenkondensator, dessen Kapazität C von dem Abstand bzw. der Position x der Elektroden 10 und 12 abhängig ist. Dementsprechend stellt der kapazitive Positions-Messsensor 7 der Recheneinheit 8 das Positions-Messsignal PM bereit, das die Position x des Messobjekts 3 charakterisiert. Hierbei setzt sich das Positions-Messsignal PM aus einem Nutz-Signal bzw. dem eigentlichen Positions-Signal P und einem Stör-Signal S zusammen, das infolge von Störeinflüssen dem Positions-Signal P überlagert ist. Dies ist schematisch in 1 veranschaulicht.The measuring principle of the capacitive position measuring sensor 7 is known in principle. The capacitive position measuring sensor 7 acts approximately as a plate capacitor whose capacitance C of the distance or the position x of the electrodes 10 and 12 is dependent. Accordingly, the capacitive position measuring sensor 7 the arithmetic unit 8th the position measurement signal P M ready, the position x of the measurement object 3 characterized. Here, the position measurement signal P M is composed of a useful signal or the actual position signal P and a noise signal S together, which is superimposed on the position signal P as a result of interference. This is schematically in 1 illustrated.
Die Positions-Messeinrichtung 5 weist ferner mindestens einen kapazitiven Referenz-Messsensor 14 auf, der der Recheneinheit 8 ein Referenz-Messsignal RM bereitstellt. Das von dem Referenz-Messsensor 14 der Recheneinheit 8 bereitgestellte Referenz-Messsignal RM setzt sich wiederum aus einem Nutz-Signal bzw. Referenz-Signal R und einem infolge von Störeinflüssen überlagerten Stör-Signal S zusammen. Dies ist in 1 schematisch angedeutet.The position measuring device 5 further comprises at least one capacitive reference measuring sensor 14 on, that of the arithmetic unit 8th provides a reference measurement signal R M. That of the reference measuring sensor 14 the arithmetic unit 8th provided reference measurement signal M R in turn consists of a useful signal or reference signal R and a result of interference superimposed interfering signal S. This is in 1 indicated schematically.
In Abhängigkeit der an die Positioniervorrichtung 2 gestellten Anforderungen kann jedem Positions-Messsensor 7 ein eigener Referenz-Messsensor 14 zugeordnet sein oder mehreren Positions-Messsensoren 7 ein gemeinsamer Referenz-Messsensor 14 zugeordnet sein. Aus dem Referenz-Messsignal RM und dem jeweiligen Positions-Messsignal PM wird für jeden Positions-Messsensor 7 ein Positions-Signal P mittels der Recheneinheit 8 berechnet.Depending on the positioning device 2 Required requirements can be any position measuring sensor 7 a separate reference measuring sensor 14 be assigned or more position measuring sensors 7 a common reference measuring sensor 14 be assigned. From the reference measurement signal R M and the respective position measurement signal P M is for each position measuring sensor 7 a position signal P by means of the arithmetic unit 8th calculated.
Die Referenz-Messsensoren 14 sind baugleich ausgebildet und insbesondere auch baugleich zu den zugehörigen Positions-Messsensoren 7 ausgebildet, so dass nachfolgend lediglich einer der Referenz-Messsensoren 14 beschrieben ist. Der kapazitive Referenz-Messsensor 14 weist ein Messsensor-Gehäuse 15 auf, in dem zumindest teilweise eine erste Elektrode bzw. Referenz-Elektrode 16 angeordnet ist. Eine zu dem Referenz-Messsensor 14 gehörige zweite Elektrode bzw. Referenz-Elektrode 17 ist als Messfläche bzw. Referenz-Messfläche ausgebildet und gegenüberliegend zu der ersten Referenz-Elektrode 16 angeordnet. Die Anordnung der Referenz-Elektrode 16 und Referenz-Messfläche 17 ist nachfolgend im Detail beschrieben. Die erste Referenz-Elektrode 16 ist mittels einer Signalleitung 18 mit der Recheneinheit 8 verbunden. Entsprechend ist die zweite Referenz-Elektrode bzw. Referenz-Messfläche 17 über eine Signalleitung 19 mit der Recheneinheit 8 verbunden. The reference measuring sensors 14 are identical in construction and in particular also identical to the associated position measuring sensors 7 formed so that only one of the reference measuring sensors 14 is described. The capacitive reference measuring sensor 14 has a measuring sensor housing 15 in which at least partially a first electrode or reference electrode 16 is arranged. One to the reference measuring sensor 14 associated second electrode or reference electrode 17 is formed as a measuring surface or reference measuring surface and opposite to the first reference electrode 16 arranged. The arrangement of the reference electrode 16 and reference measuring area 17 is described in detail below. The first reference electrode 16 is by means of a signal line 18 with the arithmetic unit 8th connected. Accordingly, the second reference electrode or reference measuring surface 17 via a signal line 19 with the arithmetic unit 8th connected.
Die Recheneinheit 8 ist zur Ermittlung der Position x des Messobjekts 3 derart ausgebildet, dass aus dem Positions-Messsignal PM und dem zugehörigen Referenz-Messsignal RM sowie einem vordefinierten Referenz-Signal R das Stör-Signal S berechenbar ist, um so das Positions-Messsignal PM zu korrigieren bzw. das darin enthaltene Stör-Signal S zu eliminieren. Die Korrektur des Positions-Messsignals PM beruht hierbei auf der Annahme, dass das Stör-Signal S im Wesentlichen gleichermaßen in dem Positions-Messsignal PM und dem zugehörigen Referenz-Messsignal RM enthalten ist. Diese Annahme trifft umso mehr zu, je mehr der Aufbau, die Einbaubedingungen und die Umgebungsbedingungen des Positions-Messsensors 7 und des zugehörigen Referenz-Messsensors 14 einander entsprechen. The arithmetic unit 8th is to determine the position x of the DUT 3 such that the interference signal S can be calculated from the position measurement signal P M and the associated reference measurement signal R M and a predefined reference signal R so as to correct the position measurement signal P M or the interference contained therein Signal S to eliminate. The correction of the position measurement signal P M is based on the assumption that the interference signal S is substantially equally contained in the position measurement signal P M and the associated reference measurement signal R M. This assumption applies all the more, the more the structure, the installation conditions and the environmental conditions of the position measuring sensor 7 and the associated reference measurement sensor 14 correspond to each other.
Hierzu sind der Positions-Messsensor 7 und der zugehörige Referenz-Messsensor 14 vorzugsweise in einem möglichst geringen Abstand d voneinander angeordnet, so dass die Einbau- und/oder Umgebungsbedingungen einander weitestgehend entsprechen. Der Abstand d beträgt insbesondere höchstens 10 mm, insbesondere höchstens 8 mm, und insbesondere höchstens 6 mm. Ferner bilden die Signalleitungen 11, 13, 18 und 19 weitestgehend ein gemeinsames Signalkabel 20 aus. Die Signalleitungen 11, 13, 18 und 19 bilden insbesondere über mindestens 70 %, insbesondere über mindestens 80 % und insbesondere über mindestens 90 % ihrer gesamten Länge L das gemeinsame Signalkabel 20 aus. Dies ist prinzipiell in 2 veranschaulicht.For this purpose, the position measuring sensor 7 and the associated reference measuring sensor 14 preferably arranged at a minimum distance d from each other, so that the installation and / or environmental conditions largely correspond to each other. The distance d is in particular at most 10 mm, in particular at most 8 mm, and in particular at most 6 mm. Furthermore, the signal lines form 11 . 13 . 18 and 19 as far as possible a common signal cable 20 out. The signal lines 11 . 13 . 18 and 19 form in particular over at least 70%, in particular over at least 80% and in particular over at least 90% of their entire length L the common signal cable 20 out. This is basically in 2 illustrated.
Die Referenz-Elektroden 16, 17 definieren zwischen sich einen Referenz-Abstand DR. Für ein Verhältnis einer mittleren Position DM des Messobjekts 3 zu dem Referenz-Abstand DR gilt insbesondere 0,7 ≤ DM/DR ≤ 1,3, insbesondere 0,8 ≤ DM/DR ≤ 1,3, insbesondere 1,2 ≤ DM/DR ≤ 1,3, und insbesondere 0,9 ≤ DM / DR ≤ 1,1. Hierdurch ist im Wesentlichen gewährleistet, dass die Dicke des Dielektrikums zwischen den Referenz-Elektroden 16, 17 im Wesentlichen der Dicke des Dielektrikums zwischen den Elektroden 10, 12 des Positions-Messsensors 7 entspricht. Der Referenz-Abstand DR ist beispielsweise fest, also die Referenz-Elektroden 16, 17 zueinander nicht verlagerbar.The reference electrodes 16 . 17 define between them a reference distance D R. For a ratio of a mean position D M of the measurement object 3 to the reference distance D R , in particular 0.7 ≦ D M / D R ≦ 1.3, in particular 0.8 ≦ D M / D R ≦ 1.3, in particular 1.2 ≦ D M / D R ≦ 1 , 3, and in particular 0.9 ≦ D M / D R ≦ 1.1. This essentially ensures that the thickness of the dielectric between the reference electrodes 16 . 17 essentially the thickness of the dielectric between the electrodes 10 . 12 of the position measuring sensor 7 equivalent. The reference distance D R is fixed, for example, ie the reference electrodes 16 . 17 not mutually displaceable.
3 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Positions-Messeinrichtung 5, bei dem der Referenz-Messsensor 14 an einem Tragkörper 21 angeordnet ist. Der Tragkörper 21 ist beispielsweise auf der Basisplatte 6 angeordnet. Der Tragkörper 21 ist im Querschnitt als Hohlprofil ausgebildet, wobei die erste Referenz-Elektrode 16 und die zweite Referenz-Elektrode 17 bzw. die Referenz-Messfläche an gegenüberliegenden Innenseiten 22, 23 des Tragkörpers 21 angeordnet sind, so dass zwischen den Referenz-Elektroden 16, 17 das Umgebungsmedium als Dielektrikum angeordnet ist. Der Tragkörper 21 besteht vorzugsweise aus einem Material, das bei einer Temperatur von 20°C einen Wärmeausdehnungskoeffizienten α hat, für den betragsmäßig α ≤ 10·10–8/K, insbesondere α ≤ 8·10–8/K, und insbesondere α ≤ 6·10–8/K gilt. Das Material ist insbesondere ein glaskeramisches Material. Derartige Materialien sind beispielsweise unter den Markenbezeichnungen ZERODUR oder ULE bekannt. 3 shows a first embodiment of the position-measuring device 5 in which the reference measuring sensor 14 on a supporting body 21 is arranged. The supporting body 21 is for example on the base plate 6 arranged. The supporting body 21 is formed in cross section as a hollow profile, wherein the first reference electrode 16 and the second reference electrode 17 or the reference measuring surface on opposite inner sides 22 . 23 of the supporting body 21 are arranged so that between the reference electrodes 16 . 17 the surrounding medium is arranged as a dielectric. The supporting body 21 preferably consists of a material which has a thermal expansion coefficient α at a temperature of 20 ° C, for the amount α ≤ 10 · 10 -8 / K, in particular α ≤ 8 · 10 -8 / K, and in particular α ≤ 6 · 10 -8 / K applies. The material is in particular a glass-ceramic material. Such materials are known, for example, under the trademarks ZERODUR or ULE.
Die zweite Elektrode 12 und die entsprechende zweite Referenz-Elektrode 17 sind beispielsweise als Messflächen ausgebildet, die durch eine Beschichtung hergestellt sind. Die Referenz-Elektroden 16, 17 sind zueinander nicht verlagerbar, so dass der Referenz-Abstand DR sowie das zugehörige Referenz-Signal R konstant sind. Aufgrund des Materials sowie der Ausbildung des Tragkörpers 21 als mechanischer Kurzschlussbügel ist der Referenz-Messsensor 14 driftstabil und reagiert nur äußerst gering auf Temperaturänderungen. Da das Umgebungsmedium bei dem Referenz-Messsensor 14 sowie bei dem Positions-Messsensor 7 als Dielektrikum wirkt, können Umgebungsbedingungen, wie beispielsweise die Luftfeuchtigkeit und/oder der Luftdruck, als Stör-Signal S in dem Positions-Messsignal PM und dem Referenz-Messsignal RM erfasst und anschließend in der Recheneinheit 8 kompensiert werden. Da der Referenz-Messsensor 14 ein konstantes Referenz-Signal R erzeugt, wirkt dieser als passiver Sensor.The second electrode 12 and the corresponding second reference electrode 17 For example, they are designed as measuring surfaces which are produced by a coating. The reference electrodes 16 . 17 are not mutually displaceable, so that the reference distance D R and the associated reference signal R are constant. Due to the material and the design of the support body 21 as a mechanical shorting bar is the reference measuring sensor 14 Drift stable and reacts only very slightly to temperature changes. Since the ambient medium at the reference measuring sensor 14 as well as the position measuring sensor 7 acts as a dielectric, ambient conditions such as humidity and / or air pressure, as interference signal S in the position measurement signal P M and the reference measurement signal R M detected and then in the arithmetic unit 8th be compensated. Because the reference measuring sensor 14 generates a constant reference signal R, this acts as a passive sensor.
4 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Positions-Messeinrichtung 5. Im Unterschied zu dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel ist der Tragkörper 21 als Platte ausgebildet, an deren Außenseiten 24, 25 die Referenz-Elektroden 16, 17 angeordnet sind. Der Tragkörper 21 bildet hierbei ein Dielektrikum für den Referenz-Messsensor 14. Der Tragkörper 21 besteht vorzugsweise entsprechend dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel aus einem Material, das einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten α aufweist. Dadurch, dass die Referenz-Elektroden 16, 17 nicht zueinander verlagerbar sind und der Tragkörper 21 ein Dielektrikum bildet, gehen in das Referenz-Messsignal RM die Umgebungsbedingungen im Wesentlichen nicht ein, so dass insbesondere Störeinflüsse infolge der Signalleitungen 11, 13, 18, 19 und der Messelektronik 8a erfasst und kompensiert werden. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise wird auf das vorangegangene Ausführungsbeispiel verwiesen. 4 shows a second embodiment of the position measuring device according to the invention 5 , In contrast to the previous embodiment, the support body 21 formed as a plate, on the outer sides 24 . 25 the reference electrodes 16 . 17 are arranged. The supporting body 21 forms a dielectric for the reference measuring sensor 14 , The supporting body 21 is preferably according to the preceding embodiment of a material having a low coefficient of thermal expansion α. Because of the reference electrodes 16 . 17 are not mutually displaceable and the support body 21 forms a dielectric, are in the reference measurement signal R M, the ambient conditions substantially not, so that in particular disturbances due to the signal lines 11 . 13 . 18 . 19 and the measuring electronics 8a recorded and compensated. With regard to the further structure and the further operation, reference is made to the preceding embodiment.
5 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Positions-Messeinrichtung 5, bei dem das Messobjekt 3 den Tragkörper 21 bildet. Das Messobjekt 3 ist somit zwischen den Referenz-Elektroden 16, 17 des Referenz-Messsensors 14 angeordnet und bildet für diesen ein Dielektrikum. Die Referenz-Elektroden 16, 17 sind an Außenseiten 24, 25 des Messobjekts 3 angeordnet. Die zweite Referenz-Elektrode 17 ist insbesondere als Referenz-Messfläche ausgebildet, die durch eine Beschichtung hergestellt ist. Die Referenz-Elektrode 17 bzw. die Referenz-Messfläche dient gleichzeitig als zweite Elektrode 12 bzw. Messfläche für den Positions-Messsensor 7. Das Messobjekt 3 besteht vorzugsweise aus einem Material entsprechend den vorangegangenen Ausführungsbeispielen, das einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten α aufweist. Die Positions-Messeinrichtung 5 ist einfach aufgebaut und platzsparend. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. 5 shows a third embodiment of the position measuring device according to the invention 5 in which the measurement object 3 the supporting body 21 forms. The measurement object 3 is thus between the reference electrodes 16 . 17 of the reference measuring sensor 14 arranged and forms a dielectric for this. The reference electrodes 16 . 17 are on outside 24 . 25 of the measurement object 3 arranged. The second reference electrode 17 is in particular designed as a reference measuring surface, which is produced by a coating. The reference electrode 17 or the reference measuring surface serves as a second electrode at the same time 12 or measuring surface for the position measuring sensor 7 , The measurement object 3 preferably consists of a material according to the preceding embodiments, which has a low coefficient of thermal expansion α. The position measuring device 5 is simple and space-saving. With regard to the further structure and further operation, reference is made to the preceding embodiments.
6 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Positions-Messeinrichtung 5. Im Unterschied zu den vorangegangenen Ausführungsbeispielen, bei denen der Referenz-Messsensor 14 als passiver Sensor mit einem konstanten Referenz-Abstand DR betrieben wurde, wird der Referenz-Sensor 14 als aktiver Sensor bzw. Differenz-Sensor betrieben. Der Referenz-Messsensor 14 ist also derart angeordnet, dass sich das Referenz-Messsignal RM bzw. das Referenz-Signal R in Abhängigkeit der Position x des Messobjekts 3 ändert. Hierzu ist der Referenz-Messsensor 14 an einer zu dem Positions-Messsensor 7 gegenüberliegenden Seite des Messobjekts 3 angeordnet. Die zweite Referenz-Elektrode 17 ist an der Außenseite 24 des Messobjekts 3 angeordnet, wohingegen die zweite Elektrode 12 an der Außenseite 25 angeordnet ist. Die zweiten Elektroden 12, 17 sind als Messflächen ausgebildet, die durch eine Beschichtung hergestellt sind. 6 shows a fourth embodiment of the position measuring device according to the invention 5 , In contrast to the preceding embodiments, in which the reference measuring sensor 14 was operated as a passive sensor with a constant reference distance D R, the reference sensor is 14 operated as active sensor or differential sensor. The reference measuring sensor 14 is thus arranged such that the reference measurement signal R M or the reference signal R as a function of the position x of the measurement object 3 changes. For this the reference measuring sensor is 14 at one to the position measuring sensor 7 opposite side of the DUT 3 arranged. The second reference electrode 17 is on the outside 24 of the measurement object 3 whereas the second electrode 12 on the outside 25 is arranged. The second electrodes 12 . 17 are formed as measuring surfaces, which are produced by a coating.
Die erste Elektrode 10 weist zu der zweiten Elektrode 12 einen mittleren Abstand bzw. eine mittlere Position DM auf, die einem mittleren Referenz-Abstand DR entspricht. Durch diese Anordnung ist die Summe der Abstände DM und DR konstant und entspricht im Wesentlichen dem zweifachen Abstand DM bzw. DR. Da aufgrund dieser Anordnung die Summe aus dem Positions-Signal P und dem Referenz-Signal R konstant sein muss, kann hieraus das Stör-Signal S bestimmt und eliminiert werden. Hierdurch können insbesondere Störeinflüsse infolge der Umgebungsbedingungen und Störeinflüsse infolge der Signalleitungen 11, 13, 18, 19 sowie der Messelektronik 8a erfasst und kompensiert werden. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. The first electrode 10 points to the second electrode 12 a mean distance or a middle position D M , which corresponds to a mean reference distance D R. By this arrangement, the sum of the distances D M and D R is constant and substantially equal to twice the distance D M and D R. Since, due to this arrangement, the sum of the position signal P and the reference signal R must be constant, the interference signal S can be determined therefrom and eliminated. As a result, in particular disturbances due to the environmental conditions and interference due to the signal lines 11 . 13 . 18 . 19 as well as the measuring electronics 8a recorded and compensated. With regard to the further structure and further operation, reference is made to the preceding embodiments.
Die Merkmale der erfindungsgemäßen Positions-Messeinrichtung 5, insbesondere der einzelnen Ausführungsbeispiele, können beliebig miteinander kombiniert werden, um Störeinflüsse mittels mindestens eines Referenz-Messsensors 14 zu kompensieren. Insbesondere können durch die erfindungsgemäße Positions-Messeinrichtung 5 Störeinflüsse von Signalkabeln, beispielsweise durch Biegung oder das Routing, Umgebungseinflüsse, wie beispielsweise Temperatur, Feuchtigkeit und/oder Druck, Störeinflüsse infolge von Drift und Rauschen der Messelektronik 8a, Common-Mode-Störungen, Drift durch Veränderungen des Positions-Messsensors 7 über dessen Lebensdauer und/oder Störeinflüsse infolge einer Erwärmung der Messelektronik 8a kompensiert werden. Hierdurch wird die erfindungsgemäße Positions-Messeinrichtung 5 robuster gegenüber Störeinflüssen und weist eine hohe Genauigkeit bei der Positionsermittlung auf. Insbesondere kann die Positions-Messeinrichtung 5 sofort nach dem Einschalten eingesetzt werden. Vorzugsweise entspricht der mindestens eine Referenz-Messsensor 14 im Aufbau sowie im Einbau dem zugehörigen Positions-Messsensor 7. Insbesondere die Messelektronik 8a, die Verkabelung, Stecker, die Anbringung, Ausführung und das Design der Messsensoren 7, 14 sollten entsprechend gewählt werden. Die Kompensation der Störeinflüsse bzw. die Berechnung des Positions-Signals P kann in Echtzeit oder in diskreten Zeitabständen durchgeführt werden. The features of the position measuring device according to the invention 5 , In particular of the individual embodiments, can be combined with each other as desired, to interference by means of at least one reference measuring sensor 14 to compensate. In particular, by the position measuring device according to the invention 5 Interference of signal cables, for example by bending or routing, environmental influences, such as temperature, humidity and / or pressure, interference due to drift and noise of the measuring electronics 8a , Common-mode interference, drift due to changes in the position measuring sensor 7 over its life and / or interference due to heating of the measuring electronics 8a be compensated. As a result, the position measuring device according to the invention 5 more robust against interference and has a high accuracy in the position detection. In particular, the Location measuring equipment 5 be used immediately after switching on. Preferably, the at least one reference measuring sensor corresponds 14 in the construction as well as in the installation of the associated position measuring sensor 7 , In particular, the measuring electronics 8a , the wiring, plugs, the mounting, design and the design of the measuring sensors 7 . 14 should be chosen accordingly. The compensation of the disturbing influences or the calculation of the position signal P can be carried out in real time or at discrete time intervals.
Das berechnete Positions-Signal P wird in der Signalverarbeitung 8b mit einer Soll-Position verglichen. Aus der Regelabweichung erzeugt eine in der Signalverarbeitung 8b implementierte Positions-Regelung ein Stell-Signal U, mit dem der zugehörige Aktuator 4 angesteuert wird, um die Position x des Messobjekts 3 an die gewünschte Soll-Position anzupassen. Um die gewünschte Positioniergenauigkeit im Nanometerbereich bzw. Subnanometerbereich zu erzielen, muss der Aktuator 4 eine entsprechende Positioniergenauigkeit ermöglichen. Die Positioniergenauigkeit des Aktuators 4 beträgt insbesondere mindestens 1,0 nm, insbesondere mindestens 0,5 nm, und insbesondere mindestens 0,1 nm. Entsprechendes gilt für die Messgenauigkeit der Positions-Messeinrichtung 5. Der kapazitive Positions-Messsensor 7 kann entweder direkt die Position des Messobjekts 3 messen oder indirekt eine Position in der Kinematik des zugehörigen Aktuators 4 messen, die gleichermaßen eine Ermittlung der Position des Messobjekts 3 ermöglicht. The calculated position signal P is in the signal processing 8b compared with a desired position. From the control deviation generates one in the signal processing 8b implemented position control an actuating signal U, with which the associated actuator 4 is controlled to the position x of the DUT 3 to adapt to the desired nominal position. In order to achieve the desired positioning accuracy in the nanometer range or subnanometer range, the actuator must 4 allow a corresponding positioning accuracy. The positioning accuracy of the actuator 4 is in particular at least 1.0 nm, in particular at least 0.5 nm, and in particular at least 0.1 nm. The same applies to the measurement accuracy of the position-measuring device 5 , The capacitive position measuring sensor 7 can either directly the position of the DUT 3 measure or indirectly a position in the kinematics of the associated actuator 4 measure, which is equally a determination of the position of the measurement object 3 allows.
Nachfolgend sind verschiedene Ausführungsbeispiele des mindestens einen kapazitiven Positions-Messsensors 7 und/oder des mindestens einen kapazitiven Referenz-Messsensors 14 im Detail beschrieben. Da die nachfolgenden Ausführungen gleichermaßen für den Positions-Messsensor 7 und den Referenz-Messsensor 14 gelten, sind die verschiedenen Ausführungsbeispiele allgemein anhand eines kapazitiven Messsensors 7, 14 erläutert. Zudem wird die Messelektronik 8a, die der Signalverarbeitung 8b das jeweilige Messsignal PM bzw. RM bereitstellt, als Teil des Messsensors 7, 14 betrachtet. Below are various embodiments of the at least one capacitive position measuring sensor 7 and / or the at least one capacitive reference measuring sensor 14 described in detail. As the following explanations are equally for the position measuring sensor 7 and the reference measuring sensor 14 apply, the various embodiments are generally based on a capacitive measuring sensor 7 . 14 explained. In addition, the measuring electronics 8a that the signal processing 8b provides the respective measurement signal P M or R M , as part of the measuring sensor 7 . 14 considered.
7 zeigt den prinzipiellen Aufbau des kapazitiven Messsensors 7, 14, wie dieser üblich ist. Aufgrund einer Limitierung des Bauraums sowie zur Vermeidung eines unerwünschten Wärmeeintrags ist die Messelektronik 8a räumlich entfernt von dem Messsensor-Gehäuse 9, 15 und der darin aufgenommenen ersten Elektrode 10, 16 sowie der zweiten Elektrode 12, 17 angeordnet. Hierzu ist die Messelektronik 8a über die nachfolgend als Messleitung 11, 18 bezeichnete Signalleitung und die zweite Elektrode 12 über die nachfolgend als Versorgungsleitung 13, 19 bezeichnete Signalleitung mit der Messelektronik 8a verbunden. Die Versorgungsleitung 13, 19 ist über eine Wechselspannungsquelle 26 mit einem Bezugspotential 27 verbunden. Die Wechselspannungsquelle 26 erzeugt ein von einer Kapazität C des Messsensors 7, 14 abhängiges Messsignal, das über die Messleitung 11, 18 zu der Messelektronik 8a übertragen wird. Das Messsignal wird mittels eines Transistors 28 vorverstärkt und mittels einer Verstärkerschaltung 29 weiter verstärkt und aufbereitet. Durch ohmsche Widerstände R1 und R2 wird ein Arbeitspunkt des Transistors 28 festgelegt. Ein ohmscher Widerstand R3 verbindet den Transistor 28 eingangsseitig mit dem Bezugspotential 27. Der Verstärkerschaltung 29 ist eine Signalmessung 30 und eine Signalauswertung 31 nachgeordnet, die aus dem verstärkten Messsignal relevante Messgrößen ermitteln, wie beispielsweise die Kapazität C und die zugehörige Position bzw. den zugehörigen Abstand x der Elektroden 10, 12 bzw. 16, 17. Die ermittelten Messgrößen werden der Signalverarbeitung 8b zugeführt, die diese beispielsweise für die Positions-Regelung verwendet. Die Signalauswertung 31 ist in Signalverbindung mit einer Steuerung 32, die die Wechselspannungsquelle 26 bzw. das Erregersignal steuert. Die Messelektronik 8a kann je nach Bedarf analog und/oder digital ausgebildet sein. Entsprechend kann die Signalverarbeitung 8b je nach Bedarf analog und/oder digital ausgebildet sein. 7 shows the basic structure of the capacitive measuring sensor 7 . 14 as is usual. Due to a limitation of the installation space and to avoid an undesirable heat input is the measuring electronics 8a spatially away from the measuring sensor housing 9 . 15 and the first electrode received therein 10 . 16 and the second electrode 12 . 17 arranged. For this purpose, the measuring electronics 8a via the following as measuring line 11 . 18 designated signal line and the second electrode 12 via the following as supply line 13 . 19 designated signal line with the measuring electronics 8a connected. The supply line 13 . 19 is via an AC voltage source 26 with a reference potential 27 connected. The AC voltage source 26 generates one of a capacitance C of the measuring sensor 7 . 14 dependent measurement signal, via the measuring line 11 . 18 to the measuring electronics 8a is transmitted. The measuring signal is by means of a transistor 28 pre-amplified and by means of an amplifier circuit 29 further strengthened and prepared. Ohmic resistances R 1 and R 2 become an operating point of the transistor 28 established. An ohmic resistor R 3 connects the transistor 28 on the input side with the reference potential 27 , The amplifier circuit 29 is a signal measurement 30 and a signal evaluation 31 downstream, determine the relevant measurement variables from the amplified measurement signal, such as the capacitance C and the associated position or the associated distance x of the electrodes 10 . 12 respectively. 16 . 17 , The determined measured variables become the signal processing 8b fed, which uses these, for example, for the position control. The signal evaluation 31 is in signal communication with a controller 32 that the AC source 26 or the excitation signal controls. The measuring electronics 8a can be designed analog and / or digital as needed. Accordingly, the signal processing 8b be designed analog and / or digital as needed.
8 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensors 7, 14. Erfindungsgemäß ist der Transistor 28 zur Verstärkung bzw. Vorverstärkung des Messsignals in dem Messsensor-Gehäuse 9, 15 nahe der ersten Elektrode 10, 16 angeordnet. Der Transistor 28 ist also in das Messsensor-Gehäuse 9, 15 integriert. Der Transistor 28 ist als Feldeffekt-Transistor ausgebildet und weist einen Gate-Anschluss 33, einen Source-Anschluss 34, einen Drain-Anschluss 35 und einen Bulk-Anschluss 36 auf. Der Gate-Anschluss 33 ist über eine Verbindungsleitung 37 mit der ersten Elektrode 10, 16 verbunden. Die Verbindungsleitung 37 ist in dem Messsensor-Gehäuse 9, 15 angeordnet und weist eine Länge von weniger als 100 mm, insbesondere von weniger als 10 mm, und insbesondere von weniger als 1 mm auf. Der Drain-Anschluss 35 ist über die Messleitung 11, 18 mit der Messelektronik 8a und der darin ausgebildeten Verstärkerschaltung 29 verbunden. Der Source-Anschluss 34 ist in dem Messsensor-Gehäuse 9, 15 mit dem Bulk-Anschluss 36 kurzgeschlossen und über eine weitere Messleitung 11’, 18’ mit der Messelektronik 8a verbunden. Die Messleitung 11’, 18’ ist in der Messelektronik 8a über den ohmschen Widerstand R2 mit dem Bezugspotential 27 verbunden. Entsprechend dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel definieren die ohmschen Widerstände R1 und R2 den Arbeitspunkt des nun im Messsensor-Gehäuse 9, 15 angeordneten Transistors 28. Die zweite Elektrode 12, 17 ist entsprechend dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel über die Versorgungsleitung 13, 19 mit der Wechselspannungsquelle 26 und dem Bezugspotential 27 verbunden. Durch den Transistor 28 wird das zu der Verbindungsleitung 37 gehörige Messsignal bereits in dem Messsensor-Gehäuse 9, 15, also nahe der ersten Elektrode 10, 16 vorverstärkt, so dass das Messsignal PM, RM, das über die Messleitung 11, 18 übertragen wird, im Vergleich zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 7 um ein Vielfaches verstärkt ist. Das Messsignal PM, RM ist insbesondere mindestens um den Faktor 10, insbesondere mindestens um den Faktor 20, und insbesondere mindestens um den Faktor 50 verstärkt. Hierdurch fallen Störeinflüsse, die als Stör-Signal S, beispielsweise über die Messleitung 11, 18 in das Messsignal PM, RM eingekoppelt sind, wesentlich weniger ins Gewicht. Anders ausgedrückt, verbessert sich das Signal-Rausch-Verhältnis um den oben erwähnten Faktor. Durch das verbesserte Signal-Rausch-Verhältnis wird die Messgenauigkeit verbessert, was für eine genauere Positionsmessung bzw. Positionsermittlung und/oder für eine Reduktion der technischen Anforderungen an das Signalkabel 20 und/oder die Messelektronik 8a genutzt werden kann. Die Signalleitungen 11, 11’ und 13 bzw. 18, 18’ und 19 sind vorzugsweise gemeinsam in dem Signalkabel 20 zusammengefasst. 8th shows a first embodiment of the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 , According to the invention, the transistor 28 for amplification or preamplification of the measuring signal in the measuring sensor housing 9 . 15 near the first electrode 10 . 16 arranged. The transistor 28 So it is in the measuring sensor housing 9 . 15 integrated. The transistor 28 is designed as a field effect transistor and has a gate terminal 33 , a source connection 34 , a drain connection 35 and a bulk connection 36 on. The gate connection 33 is via a connection line 37 with the first electrode 10 . 16 connected. The connection line 37 is in the measuring sensor housing 9 . 15 arranged and has a length of less than 100 mm, in particular less than 10 mm, and in particular less than 1 mm. The drain connection 35 is over the test lead 11 . 18 with the measuring electronics 8a and the amplifier circuit formed therein 29 connected. The source connection 34 is in the measuring sensor housing 9 . 15 with the bulk connector 36 short-circuited and via another test lead 11 ' . 18 ' with the measuring electronics 8a connected. The measuring line 11 ' . 18 ' is in the measuring electronics 8a via the ohmic resistor R 2 to the reference potential 27 connected. According to the preceding embodiment, the ohmic resistors R 1 and R 2 define the operating point of the now in the measuring sensor housing 9 . 15 arranged transistor 28 , The second electrode 12 . 17 is according to the previous embodiment via the supply line 13 . 19 with the AC voltage source 26 and the reference potential 27 connected. Through the transistor 28 this becomes the connection line 37 associated measuring signal already in the measuring sensor housing 9 . 15 , ie near the first electrode 10 . 16 preamplified, so that the measuring signal P M , R M , via the measuring line 11 . 18 is transmitted, compared to the embodiment according to 7 is amplified many times over. The measurement signal P M , R M is amplified in particular by at least a factor of 10, in particular by at least a factor of 20, and in particular by at least a factor of 50. This causes interference, the interference signal S, for example via the measuring line 11 . 18 in the measurement signal P M , R M are coupled, much less significant. In other words, the signal-to-noise ratio improves by the factor mentioned above. The improved signal-to-noise ratio improves the measurement accuracy, allowing a more accurate position measurement or position determination and / or a reduction in the technical requirements for the signal cable 20 and / or the measuring electronics 8a can be used. The signal lines 11 . 11 ' and 13 respectively. 18 . 18 ' and 19 are preferably together in the signal cable 20 summarized.
Das vorverstärkte Messsignal PM, RM wird in der Verstärkerschaltung 29 nochmals verstärkt und in der Signalauswertung 31 mit dem Erregersignal der Wechselspannungsquelle 26 verglichen, wodurch die gewünschten Messgrößen ermittelt werden. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise des Messsensors 7, 14 und der Positions-Messeinrichtung 5 wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. The pre-amplified measurement signal P M , R M is in the amplifier circuit 29 reinforced again and in the signal evaluation 31 with the excitation signal of the AC voltage source 26 compared, whereby the desired measured variables are determined. With regard to the further construction and the further operation of the measuring sensor 7 . 14 and the position measuring device 5 Reference is made to the preceding embodiments.
9 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensors 7, 14. Im Unterschied zu dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel ist die Verbindungsleitung 37 über den ohmschen Widerstand R3 mit dem Bezugspotential 27 verbunden. Der ohmsche Widerstand R3 ist innerhalb des Messsensor-Gehäuses 9, 15 angeordnet. Das Bezugspotential 27 ist prinzipiell ein beliebiges, festes und bekanntes Potential innerhalb zulässiger Grenzen. Beispielsweise ist das Bezugspotential 27 das Massepotential. Durch den ohmschen Widerstand R3 wird das Potential der Verbindungsleitung 37 definiert. Der Widerstand R3 wird hierzu hochohmig gewählt und beträgt insbesondere mindestens 10 kΩ, insbesondere mindestens 100 kΩ, und insbesondere mindestens 1000 kΩ. Das Bezugspotential 27 muss in der unmittelbaren Umgebung des Messsensor-Gehäuses 9, 15 hinreichend störungsarm zur Verfügung stehen, so dass über das Bezugspotential 27 keine Störungen eingekoppelt werden, die das verbesserte Signal-Rausch-Verhältnis zunichte machen würden. Beispielsweise kann als Bezugspotential 27 das Massepotential gewählt werden, indem der ohmsche Widerstand R3 mit einem elektrisch gut leitenden Metallbauteil verbunden ist. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise des Messsensors 7, 14 und der Positions-Messeinrichtung 5 wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. 9 shows a second embodiment of the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 , In contrast to the previous embodiment, the connection line 37 via the ohmic resistor R 3 to the reference potential 27 connected. The ohmic resistance R 3 is within the measurement sensor housing 9 . 15 arranged. The reference potential 27 is in principle an arbitrary, fixed and known potential within permissible limits. For example, the reference potential 27 the ground potential. By the ohmic resistance R 3 , the potential of the connecting line 37 Are defined. The resistor R 3 is chosen high impedance for this purpose, and is in particular at least 10 kΩ, in particular at least 100 kΩ, and in particular at least 1000 kΩ. The reference potential 27 must be in the immediate vicinity of the measuring sensor housing 9 . 15 are sufficiently trouble-free available, so that the reference potential 27 No interference can be coupled in, which would nullify the improved signal-to-noise ratio. For example, as a reference potential 27 the ground potential can be selected by the ohmic resistor R 3 is connected to a metal component with good electrical conductivity. With regard to the further construction and the further operation of the measuring sensor 7 . 14 and the position measuring device 5 Reference is made to the preceding embodiments.
10 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensors 7, 14. Im Unterschied zu den vorangegangenen Ausführungsbeispielen ist der Source-Anschluss 34 mit dem Bezugspotential 27 verbunden. Die Messleitung 11’, 18’ und der ohmsche Widerstand R2 können hierdurch entfallen. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise des Messsensors 7, 14 und der Positions-Messeinrichtung 5 wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. 10 shows a third embodiment of the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 , In contrast to the preceding embodiments, the source terminal 34 with the reference potential 27 connected. The measuring line 11 ' . 18 ' and the ohmic resistance R 2 can be omitted hereby. With regard to the further construction and the further operation of the measuring sensor 7 . 14 and the position measuring device 5 Reference is made to the preceding embodiments.
11 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensors 7, 14. Im Unterschied zu den vorangegangenen Ausführungsbeispielen bildet der Source-Anschluss 34 und der ohmsche Widerstand R3 einen Knoten aus, der mit dem Bezugspotential 27 verbunden ist. Durch die Verbindung mit dem Bezugspotential 27 kann die Messleitung 11’, 18’ und der ohmsche Widerstand R2 entfallen. Zudem weist die Verbindungsleitung 37 ein definiertes Potential auf. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise des Messsensors 7, 14 und der Positions-Messeinrichtung 5 wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. 11 shows a fourth embodiment of the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 , In contrast to the preceding embodiments, the source terminal forms 34 and the ohmic resistor R 3, a node of the reference potential 27 connected is. By the connection to the reference potential 27 can the measuring line 11 ' . 18 ' and the ohmic resistance R 2 omitted. In addition, the connection line 37 a defined potential. With regard to the further construction and the further operation of the measuring sensor 7 . 14 and the position measuring device 5 Reference is made to the preceding embodiments.
12 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensors 7, 14. Im Unterschied zu den vorangegangenen Ausführungsbeispielen ist die Verbindungsleitung 37 über den ohmschen Widerstand R3 und eine weitere Signalleitung 11’’, 18’’ mit der Messelektronik 8a verbunden. In der Messelektronik 8a ist die Signalleitung 11’’, 18’’ über eine Gleichspannungsquelle 38 mit dem Bezugspotential 27 verbunden. Über die Gleichspannungsquelle 38 ist das Potential der Signalleitung 11’’, 18’’ frei wählbar, wodurch der Transistor 28 statisch in einem für die Messung vorteilhaften Betriebszustand gehalten werden kann. Insbesondere ist es vorteilhaft, auf diese Weise eine Schwellspannung des Transistors 28 statisch zu überwinden. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise des Messsensors 7, 14 und der Positions-Messeinrichtung 5 wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. 12 shows a fifth embodiment of the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 , In contrast to the preceding embodiments, the connection line 37 via the ohmic resistor R 3 and another signal line 11 '' . 18 '' with the measuring electronics 8a connected. In the measuring electronics 8a is the signal line 11 '' . 18 '' via a DC voltage source 38 with the reference potential 27 connected. About the DC voltage source 38 is the potential of the signal line 11 '' . 18 '' freely selectable, causing the transistor 28 can be kept statically in an advantageous operating state for the measurement. In particular, it is advantageous in this way a threshold voltage of the transistor 28 to overcome statically. With regard to the further construction and the further operation of the measuring sensor 7 . 14 and the position measuring device 5 Reference is made to the preceding embodiments.
13 zeigt ein sechstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensors 7, 14. Im Unterschied zu dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel bildet der Source-Anschluss 34 und der ohmsche Widerstand R3 einen Knoten aus, der über die Signalleitung 11’’, 18’’ und die Gleichspannungsquelle 38 mit dem Bezugspotential 27 verbunden. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise des Messsensors 7, 14 und der Positions-Messeinrichtung 5 wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. 13 shows a sixth embodiment of the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 , In contrast to the previous embodiment, the source terminal forms 34 and the ohmic resistor R 3 from a node, via the signal line 11 '' . 18 '' and the DC voltage source 38 with the reference potential 27 connected. With regard to the further construction and the further operation of the measuring sensor 7 . 14 and the position measuring device 5 Reference is made to the preceding embodiments.
14 zeigt ein siebtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensors 7, 14. Im Unterschied zu den vorangegangenen Ausführungsbeispielen, bei denen die erste Elektrode 10, 16 und der Transistor 28 diskrete Bauelemente ausgebildet haben, sind die erste Elektrode 10, 16 und der Feldeffekt-Transistor 28 als integrierte Schaltung ausgebildet. Die erste Elektrode 10, 16 und der Feldeffekt-Transistor 28 sind also mit Methoden des Mikroelektronik-Designs in einem integrierten Schaltkreis implementiert. Bei der Integration wird die Tatsache genutzt, dass der Feldeffekt-Transistor 28 bereits selbst einen Kondensator ausbildet, nämlich zwischen dem Gate-Anschluss 33 bzw. dem Gate-Pol und dem Bulk-Anschluss 36 bzw. dem Bulk-Pol. Dieser Kondensator wird insbesondere durch einen in 14 angedeuteten Kanal 39 unterhalb des Gate-Anschlusses 33 gebildet. Der Feldeffekt-Transistor 28 ist somit nicht lediglich als reiner Signalverstärker anzusehen, sondern ist bei diesem Ausführungsbeispiel integraler Bestandteil des Messsensors 7, 14, da das zu messende elektrische Feld unmittelbar auf den Kanal 39 des Feldeffekt-Transistors 28 wirkt. Vorteilhaft ist insbesondere, dass die potentiell störempfindliche Verbindungsleitung 37 zwischen der ersten Elektrode 10, 16 und dem Gate-Anschluss 33 äußerst kurz ausgebildet ist und eine Länge von weniger als 1 µm aufweist. Das zu messende elektrische Feld wird somit durch seinen Einfluss auf die Verstärkung selbst gemessen, was die Störempfindlichkeit auf ein Minimum reduziert. Zusätzlich wird der benötigte Bauraum erheblich verkleinert, da die erste Elektrode 10, 16 und der Feldeffekt-Transistor 28 zu einer Einheit verschmelzen. Die Integration der ersten Elektrode 10, 16 und des Feldeffekt-Transistors 28 kann prinzipiell auf jedes der vorangegangenen Ausführungsbeispiele angewandt werden. Der jeweilige Schaltplan wird dadurch nicht verändert, lediglich das Layout bzw. der integrierte Aufbau unterscheidet sich von dem diskreten Aufbau. Hinsichtlich des weiteren Aufbaus und der weiteren Funktionsweise des Messsensors 7, 14 und der Positions-Messeinrichtung 5 wird auf die vorangegangenen Ausführungsbeispiele verwiesen. 14 shows a seventh embodiment of the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 , In contrast to the preceding embodiments, in which the first electrode 10 . 16 and the transistor 28 Discrete components have formed, are the first electrode 10 . 16 and the field effect transistor 28 designed as an integrated circuit. The first electrode 10 . 16 and the field effect transistor 28 are thus implemented with methods of microelectronics design in an integrated circuit. The integration uses the fact that the field effect transistor 28 already itself forms a capacitor, namely between the gate terminal 33 or the gate pole and the bulk terminal 36 or the bulk pole. This capacitor is in particular by a in 14 indicated channel 39 below the gate terminal 33 educated. The field effect transistor 28 is therefore not to be regarded merely as a pure signal amplifier, but is in this embodiment an integral part of the measuring sensor 7 . 14 because the electric field to be measured directly on the channel 39 of the field effect transistor 28 acts. It is particularly advantageous that the potentially susceptible connection line 37 between the first electrode 10 . 16 and the gate terminal 33 is extremely short and has a length of less than 1 micron. The electric field to be measured is thus measured by its influence on the gain itself, which reduces the susceptibility to a minimum. In addition, the required space is considerably reduced because the first electrode 10 . 16 and the field effect transistor 28 merge into a single entity. The integration of the first electrode 10 . 16 and the field effect transistor 28 can be applied in principle to any of the preceding embodiments. The respective circuit diagram is not changed, only the layout or the integrated structure differs from the discrete structure. With regard to the further construction and the further operation of the measuring sensor 7 . 14 and the position measuring device 5 Reference is made to the preceding embodiments.
Der erfindungsgemäße kapazitive Messsensor 7, 14 ermöglicht einen vergleichsweise besseren Kompromiss zwischen den beschränkenden Einflussgrößen Bauraum, Wärmeentwicklung und zu erreichender Messgenauigkeit. Mit dem erfindungsgemäßen kapazitiven Messsensor 7, 14 kann die Messgenauigkeit erheblich erhöht werden, ohne dass in der Regel der zur Verfügung stehende Bauraum beeinträchtigt wird und/oder die zusätzliche Wärmeentwicklung infolge des Transistors 28 nachteilig wäre. Die gewonnene Messgenauigkeit kann wahlweise zur Vereinfachung der Messelektronik 8a und/oder des Signalkabels 20 genutzt werden. Durch den Transistor 28 wird das Messsignal bereits am Ort des Entstehens verstärkt, so dass bereits das verstärkte Messsignal PM, RM zu der räumlich entfernt angeordnete Messelektronik 8a übermittelt wird. Hierdurch ist das Signal-Rausch-Verhältnis wesentlich verbessert. The capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 allows a comparatively better compromise between the limiting factors influencing space, heat generation and the measurement accuracy to be achieved. With the capacitive measuring sensor according to the invention 7 . 14 the measurement accuracy can be significantly increased without usually the available space is impaired and / or the additional heat generation due to the transistor 28 would be disadvantageous. The obtained measuring accuracy can optionally be used to simplify the measuring electronics 8a and / or the signal cable 20 be used. Through the transistor 28 the measurement signal is amplified already at the place of origin, so that already the amplified measurement signal P M , R M to the remote measuring electronics arranged 8a is transmitted. As a result, the signal-to-noise ratio is significantly improved.
Der beschriebene kapazitive Messsensor 7, 14 ist grundsätzlich nicht auf die Messung einer Position bzw. eines Abstands begrenzt, sondern kann auch zur Messung anderer mechanischer Größen, wie beispielsweise von Füllständen und Drücken eingesetzt werden. The described capacitive measuring sensor 7 . 14 is basically not limited to the measurement of a position or a distance, but can also be used to measure other mechanical variables, such as levels and pressures.
Bei der beschriebenen Positions-Messeinrichtung 5 bzw. der Positioniervorrichtung 2 wird eine hohe Genauigkeit bei der Positionsermittlung einerseits dadurch erzielt, dass dem mindestens einem Positions-Messsensor 7 ein Referenz-Messsensor 14 zugeordnet ist, so dass Störeinflüsse in dem Positions-Messsignal PM eliminierbar sind. Andererseits wird eine erhöhte Genauigkeit bei der Positionsermittlung dadurch erzielt, dass der Transistor 28 in das jeweilige Messsensor-Gehäuse 9, 15 integriert ist, so dass das Positions-Messsignal PM bzw. das Referenz-Messsignal RM vor der Übertragung zu der Messelektronik 8a bereits verstärkt ist, also ein besseres Signal-Rausch-Verhältnis erzielt wird. Beide Methoden können isoliert oder gemeinsam Anwendung finden. Beispielsweise können der jeweilige Positions-Messsensor 7 und der zugehörige Referenz-Messsensor 14 herkömmlich aufgebaut sein, wie dies in 7 veranschaulicht ist. Die erhöhte Genauigkeit wird in diesem Fall ausschließlich durch das Eliminieren der Störeinflüsse erzielt. Weiterhin kann beispielsweise dem jeweiligen Positions-Messsensor 7 kein Referenz-Messsensor 14 zugeordnet sein, jedoch der Positions-Messsensor 7 mit einem in das Messsensor-Gehäuse 9 integrierten Transistor 28 ausgestattet sein, wie dies in den 8 bis 14 veranschaulicht ist. In diesem Fall wird die erhöhte Genauigkeit ausschließlich durch eine Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses erzielt. Eine optimale Genauigkeit wird jedoch dann erzielt, wenn beide Methoden miteinander kombiniert werden, also dem jeweiligen Positions-Messsensor 7 ein zugehöriger Referenz-Messsensor 14 zugeordnet ist, um Störeinflüsse zu eliminieren, und sowohl der jeweilige Positions-Messsensor 7 als auch der zugehörige Referenz-Messsensor 14 mit einem in das jeweilige Messsensor-Gehäuse 9, 15 integrierten Transistor 28 ausgebildet ist, um das Signal-Rausch-Verhältnis zu verbessern.In the described position measuring device 5 or the positioning device 2 On the one hand, a high accuracy in the position determination is achieved by the at least one position measuring sensor 7 a reference measuring sensor 14 is assigned, so that disturbances in the position measurement signal P M can be eliminated. On the other hand, an increased accuracy in the position detection is achieved in that the transistor 28 into the respective measuring sensor housing 9 . 15 is integrated, so that the position measurement signal P M and the reference measurement signal R M before transmission to the measurement electronics 8a already amplified, so a better signal-to-noise ratio is achieved. Both methods can be isolated or used together. For example, the respective position measuring sensor 7 and the associated reference measuring sensor 14 be built conventionally, as in 7 is illustrated. The increased accuracy is achieved in this case only by eliminating the interference. Furthermore, for example, the respective position measuring sensor 7 no reference measuring sensor 14 be assigned, however, the position measuring sensor 7 with one in the measuring sensor housing 9 integrated transistor 28 be equipped as in the 8th to 14 is illustrated. In this case, the increased accuracy is achieved solely by improving the signal-to-noise ratio. However, optimum accuracy is achieved when both methods are combined, that is the respective position sensor 7 an associated reference measuring sensor 14 is assigned to eliminate interference, and both the respective position measuring sensor 7 as well as the associated reference measuring sensor 14 with one into the respective measuring sensor housing 9 . 15 integrated transistor 28 is designed to improve the signal-to-noise ratio.
