DE102014213108B3 - Leistungsmodul mit Fluidkühlung - Google Patents
Leistungsmodul mit Fluidkühlung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102014213108B3 DE102014213108B3 DE102014213108.1A DE102014213108A DE102014213108B3 DE 102014213108 B3 DE102014213108 B3 DE 102014213108B3 DE 102014213108 A DE102014213108 A DE 102014213108A DE 102014213108 B3 DE102014213108 B3 DE 102014213108B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- housing
- power module
- cavity
- medium
- fleece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
- H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul. Das Leistungsmodul weist wenigstens einen Leistungshalbleiter, insbesondere Halbleiterschalter, auf. Das Leistungsmodul weist auch ein Gehäuse auf, welches einen Hohlraum umschließt. Der wenigstens eine Leistungshalbleiter ist in dem von dem Gehäuse umschlossenen Hohlraum angeordnet. Der Hohlraum ist wenigstens teilweise mit einem wärmeleitfähigen Medium gefüllt, wobei das Medium ausgebildet ist, von dem Leistungshalbleiter erzeugte Wärme an das Gehäuse zu übertragen. Erfindungsgemäß weist das Medium des Leistungsmoduls der eingangs genannten Art eine elektrisch isolierende Flüssigkeit und/oder ein Gas auf, wobei das Gehäuse sich in den Hohlraum erstreckende Vorsprungsbereiche, insbesondere Rippen und/oder Stifte aufweist.
Description
- Stand der Technik
- Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul. Das Leistungsmodul weist wenigstens einen Leistungshalbleiter, insbesondere Halbleiterschalter, auf. Das Leistungsmodul weist auch ein Gehäuse auf, welches einen Hohlraum umschließt. Der wenigstens eine Leistungshalbleiter ist in dem von dem Gehäuse umschlossenen Hohlraum angeordnet. Der Hohlraum ist wenigstens teilweise mit einem wärmeleitfähigen Medium gefüllt, wobei das Medium ausgebildet ist, von dem Leistungshalbleiter erzeugte Wärme an das Gehäuse zu übertragen.
- Aus der
DE 3935662 A1 der Anmelderin ist eine elektronische Schaltung bekannt, welche auf einem Substrat angeordnet ist und welche in einem Hohlraum, welcher von einem Gehäuse umschlossen ist, angeordnet ist. Der Hohlraum ist mit einer Kühlflüssigkeit gefüllt, sodass Wärme von dem Schaltungsträger über die Kühlflüssigkeit an das Gehäuse übertragen werden kann. Als Kühlflüssigkeit wird eine Hydrophobe oder nur gering hygroskopische Flüssigkeit vorgeschlagen. - Aus der
JP 2013 033 773 A - Aus der
DE 100 49 397 A1 ist ein flächiger Halbleiter bekannt, welcher mittels einer textilen Metallschicht mit einem Kühlkörper wärmeleitfähig verbunden ist. - Offenbarung der Erfindung
- Erfindungsgemäß weist das Medium des Leistungsmoduls der eingangs genannten Art eine elektrisch isolierende Flüssigkeit und/oder ein Gas auf. Bevorzugt weist das Gehäuse sich in den Hohlraum erstreckende Vorsprungsbereiche, insbesondere Rippen und/oder Stifte auf. Die Vorsprungsbereiche sind bevorzugt ausgebildet, eine wärmeaufnehmende Oberfläche des Gehäuses in den Hohlraum hinein zu formen, oder zusätzlich eine Strömung, insbesondere Konvektionsströmung des Mediums zu führen.
- Mittels der konvektionführenden Rippen kann vorteilhaft eine von dem Leistungshalbleiter erzeugte Verlustwärme gut an das Gehäuse abgegeben werden. Weiter vorteilhaft wird eine dem Medium im Inneren des Gehäuses ausgesetzte Oberfläche durch die Rippen oder Stifte vergrößert, sodass der Wärmeübergang von dem Medium zum Gehäuse hin verbessert ist.
- Die Stifte weisen bevorzugt einen runden oder quadratischen Querschnitt auf. Die Rippen weisen bevorzugt einen rechteckigen oder ovalen Querschnitt auf.
- In einer bevorzugten Ausführungsform weist die elektrisch isolierende Flüssigkeit Pentaerythritester, insbesondere Pentaerythrittetrafettsäureester auf. Vorteilhaft kann so ein Medium einen hohen Flammpunkt, beispielsweise von mehr als 350 Grad Celsius, aufweisen.
- In einer anderen Ausführungsform ist das Medium ein Trimethylolpropanester. Das Medium weist so vorteilhaft einen Flammpunkt von mehr als 300 Grad Celsius auf.
- In einer bevorzugten Ausführungsform weist das Medium neben dem Pentaerythritester, insbesondere Pentaerythrittetrafettsäureester ein Säurebindemittel auf. Das Säurebindemittel ist beispielsweise ein Carbodiimid. So kann vorteilhaft keine Korrosion von dem Medium an den Leistungshalbleiter, insbesondere an elektrischen Anschlüssen oder an weiteren elektronischen Bauteilen des Leistungsmoduls erzeugt werden.
- In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das Medium ein Kältemittel, welches ausgebildet ist, an dem Leistungshalbleiter zu verdampfen und an dem Gehäuse zu kondensieren. So kann vorteilhaft eine Verdampfungsenthalpie des Mediums genutzt werden, um Wärme von dem Leistungshalbleiter abzuführen.
- In einer bevorzugten Ausführungsform weist das Kältemittel Propan und/oder Butan auf. Mittels des Kältemittels Propan und/oder Butan kann vorteilhaft Verlustwärme von dem Leistungshalbleiter abgeführt werden, wobei ein in dem Gehäuse herrschender Druck das Kältemittel bei einer Betriebs-Umgebungstemperatur des Leistungsmoduls flüssig halten kann. Vorteilhaft kann so eine Verdampfungswärme des Propans und/oder Butans zum Wärmetransport der Verlustwärme des Leistungshalbeleiters beitragen. Weiter vorteilhaft ist das Medium Propan oder Butan nicht dielektrisch ausgebildet, so dass Kapazitäten in einer auf dem Substrat angeordneten elektronischen Schaltung nicht nachteilig verändert werden können.
- In einer vorteilhaften Ausführungsform ist das Kältemittel Kohlendioxid. So kann vorteilhaft ein umweltfreundliches Kältemittel bereitgestellt werden, welches im Falle eines Entweichens aus dem Gehäuse nicht brennbar ist und weiter vorteilhaft – im Vergleich zu chlor- und fluorhaltigen Kältemitteln – keine Zerstörung der Ozonschicht der Erde bewirken kann.
- Das Gehäuse ist im Falle des Kältemittels Kohlendioxid ausgebildet, einen Druck des Mediums von wenigstens fünf Megapascal standzuhalten und das Medium in dem Gehäuse einzuschließen.
- In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Leistungshalbleiter mit einem Substrat verbunden. Das Substrat ist beispielsweise ein keramisches Substrat, beispielsweise ein DBC-Substrat (DBC = Direct-Bonded-Copper). So kann vorteilhaft von dem zuvor erwähnten Medium von dem Leistungshalbleiter und zusätzlich von dem Substrat Verlustwärme abgeführt werden, welche beispielsweise von dem Leistungshalbleiter oder von weiteren elektronischen Komponenten, welche mit dem Substrat verbunden sind, erzeugt werden kann. Das keramische Substrat umfasst beispielsweise Aluminiumoxid oder Zirkoniumoxid.
- In einer bevorzugten Ausführungsform ist zwischen dem Leistungshalbleiter und/oder dem Substrat ein Federelement angeordnet. Das Federelement ist bevorzugt durch ein insbesondere elektrisch isolierend ausgebildetes Vlies gebildet. Das Vlies ist federnd ausgebildet. Ein Vlies ist ein Verbund von vielen Fasern, welche bevorzugt als Einzelfaser ausgebildet sind. Bei dem Vlies weisen die Einzelfasern bevorzugt keine gemeinsame Ausrichtung auf und sind durch ihre Unordnung miteinander mechanisch verbunden, insbesondere verkettet und/oder verhakt.
- Anders als zuvor beschrieben können die Einzelfasern jeweils eine gemeinsame Ausrichtung aufweisen und gemeinsam ein Gewebe oder Geflecht bilden.
- Das Vlies ist bevorzugt ein Keramikvlies, ein Polyestervlies oder – insbesondere im Falle einer vorteilhaften oder geforderten elektrischen Leitfähigkeit, beispielsweise im Falle einer Massekontakt-Abschirmung, gebildet durch das Gehäuse
3 – ein Metallvlies. Das Metallvlies ist beispielsweise ein Kupfervlies. So kann vorteilhaft im Falle des Metallvlieses Verlustwärme an das Medium abgegeben werden und eine Wärmeverteilung der Wärme in dem Hohlraum verbessert werden. Weiter vorteilhaft kann im Falle eines Kältemittels als Medium der Vorgang des Verdampfens im Bereich des Vlieses stattfinden, sodass eine mit dem Verdampfen verbundene Volumenexpansion nicht in Zwischenräumen der Elektronik stattfinden kann und so die mit dem Substrat verbundene Elektronik nicht schädigen kann. Vorteilhaft steht das Vlies mit dem Leistungshalbleiter und/oder dem Substrat wenigstens teilweise in einer wärmeleitenden Verbindung. - Weiter vorteilhaft ist das Substrat mit dem Leistungshalbleiter durch ein federnd ausgebildetes Vlies in dem Hohlraum federnd gelagert. So kann der Leistungshalbleiter oder andere elektronische Bauteile, insbesondere Lötverbindungen des Leistungshalbleiters mit dem Substrat, bei einer von außen auf das Leistungsmodul einwirkenden Beschleunigung, einer Erschütterung oder einer Vibration nicht auf das Substrat, den Leistungshalbleiter oder weitere mit dem Substrat verbundene elektronische Komponenten einwirken.
- In einer bevorzugten Ausführungsform weist das Leistungsmodul einen in dem Hohlraum angeordneten, geschlossenzelligen Schaum auf, wobei Kavitäten des Schaums jeweils mit einem Gas gefüllt sind.
- Bevorzugt ist der Schaum durch einen geschlossenzelligen Polyurethanschaum, einen Polyether-Urethanschaum oder ein mikrohohlkugelgefülltes Silikongel gebildet. So kann vorteilhaft im Falle des Mediums als Flüssigkeit eine Wärmeausdehnung der Flüssigkeit kompensiert werden, sodass das Gehäuse nicht platzen kann.
- Das erfindungsgemäße Leistungsmodul ermöglicht ein Verfahren zum Abführen von Verlustwärme von einem Leistungshalbleiter, welcher in einem von einem Gehäuse umschlossenen Hohlraum angeordnet ist. Bei dem Verfahren wird die Verlustwärme von einem eine Flüssigkeit und/oder ein Gas umfassenden in dem Hohlraum gemeinsam mit dem Leistungshalbleiter angeordneten Medium von dem Leistungshalbleiter aufgenommen, wobei das Medium unter Konvektion an das Gehäuse angeformte Vorsprungsbereiche, insbesondere Rippen oder Stifte strömt, und die Wärme wenigstens teilweise an die Vorsprungsbereiche abgibt. So kann der Leistungshalbleiter vorteilhaft von dem Fluid umspült werden, und so besonders effizient Verlustwärme von dem Leistungshalbleiter abgeführt werden.
- Die Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Figuren und weiteren Ausführungsbeispielen erläutert. Weitere vorteilhafte Ausführungsvarianten ergeben sich aus den Merkmalen der Figuren und den Merkmalen der abhängigen Ansprüche.
-
1 zeigt eine Kühlanordnung, bei der ein Leistungshalbleiter zusammen mit einem mit dem Leistungshalbleiter verbundenen Trägersubstrat in einem mit einem Medium, insbesondere Kühlfluid gefüllten Hohlraum angeordnet ist, wobei Verlustwärme von dem Leistungshalbleiter und/oder dem Substrat an das Medium abgegeben werden kann, und die Verlustwärme weiter von dem Medium an ein den Hohlraum umschließendes Gehäuse und dessen in den Hohlraum weisende Rippen abgeführt werden kann. -
1 zeigt eine Kühlanordnung1 . Die Kühlanordnung1 weist ein Leistungsmodul2 auf, welches in diesem Ausführungsbeispiel als Inverter ausgebildet ist. Das Leistungsmodul2 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel ein Gehäuse3 , welches einen Hohlraum5 umschließt. - Das Gehäuse
3 weist einen Deckel6 auf, welcher in diesem Ausführungsbeispiel mit Schraubbolzen7 und8 mit dem Gehäuse3 schraubverbunden ist, sodass der Hohlraum5 , welcher von dem Gehäuse3 umschlossen ist, dicht verschlossen ist. - Der Deckel
6 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine Mehrzahl von sich parallel zueinander, in den Hohlraum5 hinein erstreckende Rippen auf, von denen eine Rippe9 beispielhaft bezeichnet ist. Das Gehäuse3 , insbesondere ein Gehäuseboden4 des Gehäuses3 , weist in diesem Ausführungsbeispiel – wie der Gehäusedeckel6 – eine Mehrzahl von sich parallel zueinander erstreckenden Rippen auf, welche sich in den Hohlraum5 hinein erstrecken und von denen eine Rippe10 beispielhaft bezeichnet ist. - Das Leistungsmodul
2 weist in diesem Ausführungsbeispiel auch Halbleiterschalter auf, von denen zwei Halbleiterschalter12 und13 beispielhaft bezeichnet sind. Die Halbleiterschalter12 und13 sind jeweils über ein Lotmittel33 mit einer elektrisch leitfähigen Schicht, insbesondere Kupferschicht verbunden. - Die Halbleiterschalter
12 und13 bilden in diesem Ausführungsbeispiel zusammen eine Halbleiterschalter-Halbbrücke, welche Bestandteil des Inverters2 sind. - Der Inverter
2 kann noch weitere Halbleiterschalter-Halbbrücken aufweisen, im Falle eines Inverters zum Bestromen einer elektrischen Maschine oder eines Elektromotors kann der Inverter2 für jede Statorspule der elektrischen Maschine eine Halbleiterschalter-Halbbrücke aufweisen. - Die Halbleiterschalter
12 und13 sind jeweils beispielsweise als Feldeffekttransistor, insbesondere als MOS-FET (MOS-FET = Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) ausgebildet. Die Halbleiterschalter12 und13 sind gemeinsam mit einem Substrat14 verbunden, welches in diesem Ausführungsbeispiel als DBC-Substrat (DBC = Direct-Bonded-Copper) ausgebildet ist. Das DBC-Substrat umfasst in diesem Ausführungsbeispiel eine Keramikschicht15 und eine zu der Keramikschicht15 parallel angeordnete Keramikschicht17 , welche – nach Art eines Sandwichs – eine Kupferschicht16 zwischeneinander einschließen. - Die Halbleiterschalter-Halbbrücke, gebildet durch die Halbleiterschalter
12 und13 ist in diesem Ausführungsbeispiel ausgangsseitig über eine Verbindungsleitung18 mit einem Anschlussbolzen19 verbunden. Der Anschlussbolzen19 ist in diesem Ausführungsbeispiel Bestandteil einer – gestrichelt dargestellten – elektrischen Verbindung24 , welche das Leistungsmodul2 mit einer elektrischen Maschine29 verbindet. Die elektrische Maschine29 weist in diesem Ausführungsbeispiel einen Rotor30 und Statorspulen auf, von denen eine Statorspule31 beispielhaft bezeichnet ist. - Das Substrat
14 , welches in dem Hohlraum5 aufgenommen ist, ist in diesem Ausführungsbeispiel mittels vier Federelementen in dem Hohlraum5 federnd gelagert. - Dazu ist ein Federelement
20 und ein Federelement21 zwischen dem Substrat14 und dem Gehäuseboden4 angeordnet, wobei die Federelemente20 und21 von den Rippen wie die Rippe10 gestützt sind. Die Federelemente22 und23 sind zwischen dem Gehäusedeckel6 und dem Substrat14 angeordnet, wobei die Federelemente22 und23 jeweils gegen die Rippen wie die Rippe9 stützen. - Der Hohlraum
5 , insbesondere verbleibende Teile des Hohlraums5 , welche sich zwischen den Rippen9 und den Rippen10 und dem Substrat14 mit den Halbleiterschaltern12 und13 erstrecken, sind beispielsweise mit einem Medium32 , insbesondere einem Kühlfluid wie Pentaerythritester gefüllt. - So kann vorteilhaft Verlustwärme von den Halbleiterschaltern
12 und13 , an das Kühlmedium abgegeben werden und so über das Kühlmedium weiter zu dem Gehäuse3 , insbesondere den als Rippen wie die Rippen9 und10 ausgebildeten Vorsprungsbereichen, geleitet werden. Die Rippen9 und10 können dabei eine Oberfläche des Gehäuses in den Hohlraum5 hinein erweitern oder zusätzlich eine Konvektion des Mediums unterstützen. - Anstelle oder zusätzlich zu den Rippen
9 können als Vorsprungsbereiche in den Hohlraum5 weisende Stifte an das Gehäuse3 angeformt sein. - Die Federelemente
20 ,21 ,22 und23 sind in diesem Ausführungsbeispiel als Vlies ausgebildet. Das Vlies ist beispielsweise ein Kunststoff-Vlies oder ein Keramik-Vlies. Das Kunststoff-Vlies ist beispielsweise ein Vlies, welches Polyamid-Fasern oder Polyimid-Fasern aufweist. - Das Leistungsmodul
2 weist in diesem Ausführungsbeispiel auch ein Expansionselement25 auf, welches in dem Hohlraum5 angeordnet ist. Das Expansionselement25 ist in diesem Ausführungsbeispiel durch einen Schaum, beispielsweise einen Polyurethanschaum oder ein mikrohohlkugelgefülltes Silikongel gebildet. - Das Expansionselement
25 ist ausgebildet, federnd komprimiert zu werden und kann so einen in dem Hohlraum5 ansteigenden Druck, verursacht durch eine Erwärmung des Mediums32 in dem Hohlraum5 , ausgleichen. - Das Expansionselement
25 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine Vielzahl von Kavitäten auf, von denen eine Kavität26 beispielhaft bezeichnet ist. Die Kavitäten wie die Kavität26 sind jeweils mit einem Gas gefüllt. - Das Leistungsmodul
2 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit einem Fluidkanal27 wärmeleitend verbunden. So kann Wärme von dem Leistungsmodul2 über das Gehäuse3 , in diesem Ausführungsbeispiel über den Gehäuseboden4 , an ein von dem Fluidkanal27 geführtes Fluid28 , beispielsweise Kühlwasser, abgeführt werden. - Das Gehäuse
3 , in diesem Ausführungsbeispiel der Gehäuseboden4 , weist in diesem Ausführungsbeispiel nach außen abweisende Rippen auf, welche sich in diesem Ausführungsbeispiel in den Fluidkanal27 hinein erstrecken. Der Fluidkanal27 ist in diesem Ausführungsbeispiel als eine U-förmige Rinne oder Wanne gebildet. Von den Rippen ist eine Rippe11 beispielhaft bezeichnet. - Die von den Halbleiterschaltern
12 und13 erzeugte Verlustwärme kann so zum Teil an das Substrat14 abgegeben werden und zum anderen Teil an das Medium32 , welches in dem Hohlraum5 angeordnet ist und die Halbleiterschalter12 und13 und das Substrat14 umgibt. Die an das Substrat14 abgegebene Verlustwärme kann von dem Substrat14 an das Kühlmedium abgegeben werden. Das Medium32 , insbesondere Kühlmedium kann in dem Hohlraum5 eine Konvektion ausbilden und die Verlustwärme weiter an das Gehäuse3 abgeben. Das Gehäuse3 ist beispielsweise durch ein Aluminiumgehäuse gebildet. - Das zuvor beschriebene Medium
32 , welches in dem Hohlraum5 angeordnet ist und die Halbleiterschalter12 und13 und das Substrat14 umgibt, kann beispielsweise durch ein Kältemittel gebildet sein. Das Kältemittel ist beispielsweise Propan und/oder Butan oder Kohlendioxid.
Claims (9)
- Leistungsmodul (
2 ), mit wenigstens einem Leistungshalbleiter (12 ,13 ) und einem Gehäuse (3 ), wobei wenigstens der Leistungshalbleiter (12 ,13 ) in einem von dem Gehäuse (3 ) umschlossenen Hohlraum (5 ) angeordnet ist, und der Hohlraum (5 ) wenigstens teilweise mit einem wärmeleitfähigen Medium (32 ) gefüllt ist, welches ausgebildet ist, von dem Leistungshalbleiter (12 ,13 ) erzeugte Wärme an das Gehäuse (3 ) zu übertragen, wobei das Medium (32 ) eine elektrisch isolierende Flüssigkeit und/oder Gas aufweist, und das Gehäuse (3 ) sich in den Hohlraum erstreckende Vorsprungsbereiche (9 ,10 ) aufweist, welche ausgebildet sind, eine wärmeaufnehmende Oberfläche des Gehäuses (3 ) in den Hohlraum (5 ) hinein zu formen, wobei der Leistungshalbleiter (12 ,13 ) mit einem Substrat (14 ) verbunden ist, und das Substrat (14 ) mit dem Leistungshalbleiter (12 ,13 ) in dem Hohlraum (5 ) mittels eines federnd ausgebildeten Vlies (20 ,21 ,22 ,23 ) federnd gelagert ist. - Leistungsmodul (
2 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch isolierende Flüssigkeit Pentaerythrittetrafettsäureester umfasst. - Leistungsmodul (
2 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Medium (32 ) ein Kältemittel umfasst, welches ausgebildet ist, an dem Leistungshalbleiter zu verdampfen und an dem Gehäuse zu kondensieren. - Leistungsmodul (
2 ) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Kältemittel Propan und/oder Butan aufweist. - Leistungsmodul (
2 ) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Kältemittel Kohlendioxid ist. - Leistungsmodul (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Vlies ein elektrisch isolierend ausgebildetes Vlies ist. - Leistungsmodul (
2 ) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Vlies ein Keramikvlies ist - Leistungsmodul (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Vlies (20 ,21 ,22 ,23 ) ein Metallvlies ist. - Leistungsmodul (
2 ) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Vlies (20 ,21 ,22 ,23 ) ein Kupfervlies ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014213108.1A DE102014213108B3 (de) | 2014-07-07 | 2014-07-07 | Leistungsmodul mit Fluidkühlung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014213108.1A DE102014213108B3 (de) | 2014-07-07 | 2014-07-07 | Leistungsmodul mit Fluidkühlung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014213108B3 true DE102014213108B3 (de) | 2015-11-05 |
Family
ID=54326241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102014213108.1A Active DE102014213108B3 (de) | 2014-07-07 | 2014-07-07 | Leistungsmodul mit Fluidkühlung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102014213108B3 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019204569A1 (de) * | 2019-04-01 | 2020-10-01 | Bühler Motor GmbH | Elektrischer Antrieb |
DE102019128871A1 (de) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Kühlvorrichtung und Kraftfahrzeug mit einer Kühlvorrichtung |
DE102020105925A1 (de) | 2020-03-05 | 2021-09-09 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Kühlungsanordnung für ein Kraftfahrzeug |
DE102020203025A1 (de) | 2020-03-10 | 2021-09-16 | Atlas Elektronik Gmbh | Vorrichtung zum Abführen von Wärme von einer stoßgelagerten elektrischen Schaltung |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1266244A (fr) * | 1960-08-29 | 1961-07-07 | Sony Corp | Dispositif de refroidissement pour semi-conducteurs |
JPS57103338A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Hitachi Ltd | Boiling cooling device |
EP0644593A2 (de) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Hitachi, Ltd. | Halbleiterbauelementmodul |
DE10049397A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-10-31 | Tech Gmbh Antriebstechnik Und | Aufbau von Leistungshalbleitern mit einer textilen Ausgleichsschicht zum Kühlkörper |
EP2518328A1 (de) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | Carl Freudenberg KG | Druckspeicher und Verwendung eines Druckausgleichskörpers dafür |
JP2013033773A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-02-14 | Bosch Corp | 電子部品用冷却装置 |
US20140131642A1 (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Blended oil compositions useful as dielectric fluid compsotions and methods of preparing same |
-
2014
- 2014-07-07 DE DE102014213108.1A patent/DE102014213108B3/de active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1266244A (fr) * | 1960-08-29 | 1961-07-07 | Sony Corp | Dispositif de refroidissement pour semi-conducteurs |
JPS57103338A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Hitachi Ltd | Boiling cooling device |
EP0644593A2 (de) * | 1993-09-20 | 1995-03-22 | Hitachi, Ltd. | Halbleiterbauelementmodul |
DE10049397A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-10-31 | Tech Gmbh Antriebstechnik Und | Aufbau von Leistungshalbleitern mit einer textilen Ausgleichsschicht zum Kühlkörper |
JP2013033773A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-02-14 | Bosch Corp | 電子部品用冷却装置 |
EP2518328A1 (de) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | Carl Freudenberg KG | Druckspeicher und Verwendung eines Druckausgleichskörpers dafür |
US20140131642A1 (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Blended oil compositions useful as dielectric fluid compsotions and methods of preparing same |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019204569A1 (de) * | 2019-04-01 | 2020-10-01 | Bühler Motor GmbH | Elektrischer Antrieb |
WO2020200374A1 (de) * | 2019-04-01 | 2020-10-08 | Bühler Motor GmbH | Elektrischer antrieb |
DE102019128871A1 (de) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Kühlvorrichtung und Kraftfahrzeug mit einer Kühlvorrichtung |
DE102020105925A1 (de) | 2020-03-05 | 2021-09-09 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Kühlungsanordnung für ein Kraftfahrzeug |
DE102020203025A1 (de) | 2020-03-10 | 2021-09-16 | Atlas Elektronik Gmbh | Vorrichtung zum Abführen von Wärme von einer stoßgelagerten elektrischen Schaltung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102014213108B3 (de) | Leistungsmodul mit Fluidkühlung | |
DE102012000996B4 (de) | Anordnung mit einer Leiterplatte und Bauelementen | |
DE102014214209B4 (de) | Kühlvorrichtung zur zielgerichteten Kühlung von elektronischen und/oder elektrischen Bauelementen, Umrichter mit einer derartigen Kühlvorrichtung sowie Elektro- oder Hybridfahrzeug mit einem derartigen Umrichter | |
DE102007014713B3 (de) | Kühlanordnung, Umrichter und elektrisches Antriebssystem | |
DE112006003812T5 (de) | Kühlvorrichtung | |
EP2555606A1 (de) | Kühlungsanordnung zum Kühlen eines Stromrichtermoduls | |
DE102014208499A1 (de) | Kühlkreislauf mit Bypass-Fließpfad zur Kühlung eines Umrichterinnenraums | |
DE102014012349A1 (de) | Kühlanordnung | |
DE102015218888A1 (de) | Kondensatoranordnung zum Betrieb an einem Gleichspannungskreis | |
EP1709853B1 (de) | Kühleinrichtung für elektrische leistungseinheiten von elektrisch betriebenen fahrzeugen | |
DE102016219213A1 (de) | Leistungselektronik mit direkt und aktiv gekühlter Kondensatoreinheit mittels Wärmerohren | |
DE102011007307A1 (de) | Speichereinheit zum Speichern elektrischer Energie mit einem Kühlelement | |
DE102015224920A1 (de) | Energiespeicher für Kraftfahrzeuge | |
WO2018069174A1 (de) | System mit einem träger und einer elektronik und verfahren zur herstellung eines trägers | |
DE4307902C1 (de) | Kühlbare Einrichtung zur Aufnahme elektrischer Baugruppen | |
DE10331923A1 (de) | Elektronische Schaltung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Sicherungsmittel zum Schutz des Leistungshalbleiterbauelements vor Überhitzung | |
DE102020205236A1 (de) | Leistungswandler | |
WO2009100798A1 (de) | Modulares kühlkonzept | |
DE102008042302A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Kühlen von Wärme erzeugenden elektronischen Bauelementen mit einem Kältemittel | |
DE102018208232A1 (de) | Bauteil mit einer durch ein Einlegeelement optimierten Kühlleistung und Kraftfahrzeug mit zumindest einem Bauteil | |
DE102019134650B4 (de) | Leistungselektronisches System mit einem Gehäuse, einer Kühleinrichtung, einem Leistungshalbleitermodul und einer Kondensatoreinrichtung | |
DE19734270B4 (de) | Luftgekühltes Stromrichtermodul | |
DE102016011023A1 (de) | Motorantriebsvorrichtung einer Werkzeugmaschine mit einer Vielzahl von Schaltelementen | |
DE2704781A1 (de) | Kuehlung von halbleiter-stromrichterelementen | |
DE102013215760A1 (de) | Isolationselement und Schaltanlage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |