DE102014211643A1 - A carrier module for a semiconductor device, a carrier module manufacturing method, and a method for mounting a semiconductor device to a carrier module - Google Patents

A carrier module for a semiconductor device, a carrier module manufacturing method, and a method for mounting a semiconductor device to a carrier module Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Trägermodul (10) für ein Halbleiterbauteil (12) mit einer feste Trägerstruktur (18), mindestens einer Metallisierung (26) und mindestens einer elastisch oder plastisch verformbaren Masse (20), welche auf eine Trägerfläche (22) der festen Trägerstruktur (18) aufgebracht ist und eine von der festen Trägerstruktur (18) abgewandte Kontaktierseite (24) aufweist, welche zumindest teilweise mit der mindestens einen Metallisierung (26) bedeckt ist, wobei das Halbleiterbauteil (12) so gegen die mindestens eine Metallisierung (26) auf der Kontaktierseite (24) und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) drückbar ist, dass die mindestens eine Metallisierung (26) auf der Kontaktierseite (24) und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) verformbar sind, wodurch das Halbleiterbauteil (12) in mindestens eine Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur (18) bringbar ist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein Trägermodul (10) und ein Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterbauteils (12) an einem Trägermodul (10).The invention relates to a carrier module (10) for a semiconductor component (12) having a solid support structure (18), at least one metallization (26) and at least one elastically or plastically deformable mass (20) resting on a support surface (22) of the solid support structure (18) is applied and has a contact side (24) facing away from the fixed carrier structure (18) which is at least partially covered by the at least one metallization (26), the semiconductor device (12) thus being pressed against the at least one metallization (26). on the contacting side (24) and the at least one elastically or plastically deformable mass (20) can be pressed, that the at least one metallization (26) on the contacting side (24) and the at least one elastically or plastically deformable mass (20) are deformable, whereby the semiconductor device (12) in at least one mounting position with respect to the fixed support structure (18) can be brought. Furthermore, the invention relates to a manufacturing method for a carrier module (10) and a method for attaching a semiconductor device (12) to a carrier module (10).

Figure DE102014211643A1_0001
Figure DE102014211643A1_0001

Description

Die Erfindung betrifft ein Trägermodul für ein Halbleiterbauteil. Ebenso betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein Trägermodul zum Befestigen eines Halbleiterbauteils. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterbauteils an einem Trägermodul.The invention relates to a carrier module for a semiconductor device. The invention likewise relates to a production method for a carrier module for fastening a semiconductor component. Furthermore, the invention relates to a method for fastening a semiconductor device to a carrier module.

Stand der TechnikState of the art

Herkömmlicherweise erfolgt das Befestigen eines Halbleiterbauteils an einem Trägermodul über eine Bondverbindung. Beispielsweise sind in der DE 10 2012 213 566 A1 ein Verfahren zum Herstellen eines Bondpads zum Thermokompressionsbonden und ein entsprechendes Bondpad beschrieben.Conventionally, attaching a semiconductor device to a carrier module is via a bond connection. For example, in the DE 10 2012 213 566 A1 a method for producing a bonding pad for thermocompression bonding and a corresponding bonding pad described.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die Erfindung schafft ein Trägermodul für ein Halbleiterbauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 1, eine Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 10, ein Herstellungsverfahren für ein Trägermodul zum Befestigen eines Halbleiterbauteils mit den Merkmalen des Anspruchs 11 und ein Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterbauteils an einem Trägermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 12.The invention provides a carrier module for a semiconductor device having the features of claim 1, a semiconductor device having the features of claim 10, a manufacturing method for a carrier module for fixing a semiconductor device having the features of claim 11 and a method for attaching a semiconductor device to a carrier module the features of claim 12.

Vorteile der Erfindung Advantages of the invention

Die vorliegende Erfindung schafft einfach ausführbare Möglichkeiten zum Befestigen eines Halbleiterbauteils an einem Trägermodul. Außerdem ist mittels der vorliegenden Erfindung das Halbleiterbauteil nicht nur in einem sicheren Halt an dem Trägermodul befestigbar, sondern kann auch jederzeit auf einfache Weise wieder von dem Trägermodul abgenommen werden. Insbesondere gegenüber herkömmlichen Bond- und Klebeverbindungen weist die vorliegende Erfindung somit den Vorteil auf, dass das Halbleiterbauteil auf einfache Weise und beschädigungsfrei von dem Trägermodul abnehmbar ist. Während herkömmliche Bond- und Klebeverbindungen lediglich für ein einmaliges Befestigen eines Halbleiterbauteils an dem gleichen Trägermodul ausgelegt sind, erlaubt die vorliegende Erfindung ein Anbringen von mehreren Halbleiterbauteilen nacheinander an dem Trägermodul unter Nutzung der gleichen mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse. Die vorliegende Erfindung erleichtert deshalb eine Reparatur eines an dem Trägermodul befestigten fehlerhaften Halbleiterbauteils, bzw. ein Austauschen des an dem Trägermodul befestigten fehlerhaften Halbleiterbauteils.The present invention provides easily executable ways of attaching a semiconductor device to a carrier module. In addition, by means of the present invention, the semiconductor component can not only be secured in a secure hold on the carrier module, but can also be easily removed from the carrier module at any time. In particular, compared to conventional bonding and adhesive bonds, the present invention thus has the advantage that the semiconductor device is removable from the carrier module in a simple manner and without damage. While conventional bond and adhesive bonds are designed for one-time attachment of a semiconductor device to the same carrier module, the present invention allows attachment of multiple semiconductor devices one after another to the carrier module using the same at least one elastically or plastically deformable mass. Therefore, the present invention facilitates repair of a defective semiconductor device attached to the carrier module, or replacement of the defective semiconductor device mounted on the carrier module.

Wie unten genauer ausgeführt wird, schafft die vorliegende Erfindung auch einfach ausführbare Möglichkeiten zum Kühlen des an dem Trägermodul befestigten Halbleiterbauteils. Des Weiteren trägt die vorliegende Erfindung auch vorteilhaft zur Vermeidung von Parasitäten an dem auf dem Trägermodul aufgebrachten Halbleiterbauteil bei. Die vorliegende Erfindung ermöglicht somit eine risikofreiere und schonendere Nutzung des an dem Trägermodul befestigten Halbleiterbauteils.As will be explained in greater detail below, the present invention also provides easily executable means for cooling the semiconductor device attached to the carrier module. Furthermore, the present invention also advantageously contributes to the avoidance of parasites on the semiconductor component applied to the carrier module. The present invention thus enables a risk-free and gentler use of the semiconductor component attached to the carrier module.

In einer vorteilhaften Ausführungsform des Trägermoduls für ein Halbleiterbauteil mit mindestens einem leitfähigen Außenbereich liegt mindestens ein elektrischer Kontakt zwischen der mindestens einen Metallisierung auf der Kontaktseite der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse und dem mindestens einen leitfähigen Außenbereich des in der mindestens eine Befestigungsstellung gehaltenen Halbleiterbauteils vor. Die vorliegende Erfindung schafft somit auch einfach ausführbare Möglichkeiten zum elektrischen Anbinden des Halbleiterbauteils an das jeweilige Trägermodul. Ein Transfer eines elektrischen Signals (z.B. eines elektrischen Steuer- und/oder Sensorsignals) zwischen dem Halbleiterbauteil und dem benachbarten Trägermodul und/oder eine Stromversorgung des Halbleiterbauteils über das jeweilige Trägermodul sind somit verlässlich sicherstellbar.In an advantageous embodiment of the carrier module for a semiconductor component having at least one conductive outer region, there is at least one electrical contact between the at least one metallization on the contact side of the at least one elastically or plastically deformable mass and the at least one conductive outer region of the semiconductor component held in the at least one attachment position , The present invention thus also provides easily executable possibilities for electrically connecting the semiconductor component to the respective carrier module. A transfer of an electrical signal (for example an electrical control and / or sensor signal) between the semiconductor component and the adjacent carrier module and / or a power supply of the semiconductor component via the respective carrier module can thus be reliably ensured.

Beispielsweise kann die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse mindestens eine plastisch verformbare Masse sein, mittels welcher das Halbleiterbauteil in der mindestens einen Befestigungsstellung haltbar ist. Insbesondere kann das Halbleiterbauteil so tief in die mindestens eine plastisch verformbare Masse hineindrückbar sein, dass ausreichend große Benetzungsfläche des Halbleiterbauteils mit der mindestens einen plastisch verformbaren Masse und/oder der mindestens einen Metallisierung vorliegt, an welcher eine Haftreibungskraft einen festen Halt des Halbleiterbauteils an der festen Trägerstruktur sicherstellt. Unter der mindestens einen plastisch verformbaren Masse kann insbesondere mindestens eine Masse verstanden werden, welche aus einer Ausgangsform mittels einer plastischen Verformung in eine erste Zwischenform überführbar ist, aus welcher sie (z.B. mittels einer weiteren plastischen Verformung) eine zweite Zwischenform überführbar ist. Durch ein Hineindrücken des Halbleiterbauteils kann die mindestens eine Masse somit so verformbar sein, dass das Halbleiterbauteil auch wieder mittels einer relativ geringen Zugkraft aus der mindestens einen Masse herausziehbar ist. Vorteilhafterweise kann unter der mindestens einen plastisch verformbaren Masse auch mindestens eine Masse verstanden werden, welcher mittels mehrerer nacheinander ausgeführter plastischer Verformungen immer wieder umformbar ist.For example, the at least one elastically or plastically deformable mass may be at least one plastically deformable mass by means of which the semiconductor component can be preserved in the at least one fastening position. In particular, the semiconductor component can be pushed into the at least one plastically deformable mass so deeply that there is sufficiently large wetting surface of the semiconductor component with the at least one plastically deformable mass and / or the at least one metallization to which a static friction force holds the semiconductor component firmly against the solid Carrier structure ensures. The at least one plastically deformable mass may in particular be understood to mean at least one mass which can be converted from an initial shape by means of a plastic deformation into a first intermediate form from which it can be converted (for example by means of a further plastic deformation) into a second intermediate form. By pushing the semiconductor component in, the at least one mass can thus be deformable so that the semiconductor component can also be withdrawn from the at least one mass by means of a relatively low tensile force. Advantageously, the at least one plastically deformable mass may also be understood as meaning at least one mass which is repeatedly deformable by means of a plurality of successive plastic deformations.

Als Alternative dazu kann die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse mindestens eine elastisch verformbare Masse sein. Auch mittels der mindestens einen elastisch verformbaren Masse ist eine reversible Befestigung des Halbleiterbauteils an dem Trägermodul realisierbar.Alternatively, the at least one elastically or plastically deformable mass may be at least one elastically deformable mass. Also by means of at least one elastically deformable Mass is a reversible attachment of the semiconductor device to the carrier module feasible.

In einer Weiterbildung kann zusätzlich zu der mindestens einen elastisch verformbaren Masse noch mindestens eine plastisch verformbare Zusatzmasse an dem Trägermodul aufgebracht sein. Beispielsweise kann die mindestens eine plastisch verformbare Zusatzmasse die mindestens eine elastisch verformbare Masse zumindest teilweise abdecken, bzw. von der mindestens einen elastisch verformbaren Masse zumindest teilweise abgedeckt sein.In one development, in addition to the at least one elastically deformable mass, at least one plastically deformable additional mass may also be applied to the carrier module. For example, the at least one plastically deformable additional mass at least partially cover the at least one elastically deformable mass, or at least partially covered by the at least one elastically deformable mass.

In einer anderen Weiterbildung kann zusätzlich zu der mindestens einen plastisch verformbaren Masse noch mindestens eine elastisch verformbare Zusatzmasse an dem Trägermodul aufgebracht sein. Auch in diesem Fall kann die mindestens eine elastisch verformbare Zusatzmasse die mindestens eine plastisch verformbare Masse zumindest teilweise abdecken, bzw. von der mindestens einen plastisch verformbaren Masse zumindest teilweise abgedeckt sein.In another development, at least one elastically deformable additional mass may be applied to the carrier module in addition to the at least one plastically deformable mass. In this case too, the at least one elastically deformable additional mass can at least partially cover the at least one plastically deformable mass, or be at least partially covered by the at least one plastically deformable mass.

Insbesondere kann die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse Silikon, Polydimethylsiloxan, Perfluorkautschuk und/oder Chloropren-Kautschuk umfassen. Somit ist eine Vielzahl von kostengünstigen und einfach abscheidbaren Materialien als die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse verwendbar. In particular, the at least one elastically or plastically deformable mass may comprise silicone, polydimethylsiloxane, perfluororubber and / or chloroprene rubber. Thus, a variety of inexpensive and easily depositable materials than the at least one elastically or plastically deformable mass can be used.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist mindestens eine Klemmeinrichtung derart an der festen Trägerstruktur angeordnet, dass das Halbleiterbauteil mittels der mindestens einen Klemmeinrichtung in der mindestens einen Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur festklemmbar ist. Insbesondere sofern die mindestens eine elastisch verformbare Masse auf der Trägerfläche der festen Trägerstruktur abgeschieden ist, kann mittels der mindestens einen Klemmeinrichtung für einen festen Halt des Halbleiterbauteils an der festen Trägerstruktur gesorgt werden. Außerdem kann auch wenn die mindestens eine plastisch verformbare Masse auf der Trägerfläche vorliegt, mindestens eine Klemmeinrichtung zur Verbesserung des Halts des Halbleiterbauteils an der festen Trägerstruktur genutzt werden. Eine Vielzahl von kostengünstigen Klemmeinrichtungen kann zur Realisierung des festen Halts des Halbleiterbauteils an der festen Trägerstruktur verwendet werden.In a further advantageous embodiment, at least one clamping device is arranged on the fixed support structure such that the semiconductor component can be clamped by means of the at least one clamping device in the at least one fastening position with respect to the fixed support structure. In particular if the at least one elastically deformable mass is deposited on the carrier surface of the solid support structure, the at least one clamping device can provide a firm hold of the semiconductor component to the solid support structure. In addition, even if the at least one plastically deformable mass is present on the carrier surface, at least one clamping device can be used to improve the hold of the semiconductor component on the solid carrier structure. A variety of low cost clamps may be used to realize the fixed support of the semiconductor device to the solid support structure.

Vorzugsweise ist eine Abdeckeinrichtung als die mindestens eine Klemmeinrichtung derart an der festen Trägerstruktur angeordnet, dass das Halbleiterbauteil in der mindestens einen Befestigungsstellung zwischen der festen Trägerstruktur und der Abdeckeinrichtung festklemmbar ist. Mittels einer Überdachung des Halbleiterbauteils durch die Abdeckeinrichtung kann nicht nur ein verlässlicher Halt des Halbleiterbauteils, sondern auch ein Schutz des Halbleiterbauteils vor Verschmutzungen und/oder vor einem Eindringen von Flüssigkeiten sichergestellt werden.Preferably, a covering device is arranged as the at least one clamping device on the fixed carrier structure such that the semiconductor component can be clamped in the at least one fastening position between the fixed carrier structure and the covering device. By means of a covering of the semiconductor component by the covering device, not only a reliable hold of the semiconductor component, but also a protection of the semiconductor component from soiling and / or from ingress of liquids can be ensured.

In einer vorteilhaften Weiterbildung umfasst die Abdeckeinrichtung eine feste Abdeckstruktur und mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse, welche auf eine zu der festen Trägerstruktur ausrichtbare oder ausgerichtete Seite der festen Abdeckstruktur aufgebracht ist. Die Ausstattung der Abdeckeinrichtung mit mindestens einer weiteren elastisch oder plastisch verformbaren Masse reduziert ein Beschädigungsrisiko des Halbleiterbauteils beim Festklemmen zwischen der festen Trägerstruktur und der Abdeckeinrichtung.In an advantageous development, the covering device comprises a fixed covering structure and at least one further elastically or plastically deformable mass, which is applied to a side of the fixed covering structure which can be aligned or aligned with the solid support structure. The equipment of the covering device with at least one further elastically or plastically deformable mass reduces the risk of damage to the semiconductor component when clamping between the fixed support structure and the covering device.

Außerdem kann die Abdeckeinrichtung mit der festen Trägerstruktur über ein Scharnier verbunden sein. In diesem Fall kann das Halbleiterbauteil mittels eines Einrastens der Abdeckeinrichtung in der mindestens einen Befestigungsstellung zwischen der festen Trägerstruktur und der Abdeckeinrichtung festklemmbar sein. Bei dieser Vorgehensweise kann der beidseitig auf das Halbleiterbauteil ausgeübte Druck leicht so niedrig gehalten werden, dass keine Beschädigung des Halbleiterbauteils in Kauf zu nehmen ist. In addition, the cover may be connected to the fixed support structure via a hinge. In this case, the semiconductor device can be clamped by means of a latching of the covering device in the at least one fastening position between the fixed support structure and the covering device. In this approach, the pressure exerted on both sides of the semiconductor device pressure can easily be kept so low that no damage to the semiconductor device is to be accepted.

Die vorausgehend ausgeführten Vorteile sind auch bei einer Halbleitervorrichtung mit einem derartigen Trägermodul und dem an dem Trägermodul befestigten Halbleiterbauteil gewährleistet.The above-mentioned advantages are also ensured in a semiconductor device having such a carrier module and the semiconductor device attached to the carrier module.

Auch ein Ausführen des entsprechenden Herstellungsverfahrens für ein Trägermodul zum Befestigen eines Halbleiterbauteils realisiert die oben ausgeführten Vorteile. Das Herstellungsverfahren ist gemäß den oben erläuterten Ausführungsformen des Trägermoduls weiterbildbar. Also, carrying out the corresponding manufacturing method of a carrier module for mounting a semiconductor device realizes the advantages set forth above. The manufacturing method can be further developed in accordance with the embodiments of the carrier module explained above.

Des Weiteren sind die oben beschriebenen Vorteile auch realisierbar durch ein Ausführen des korrespondierenden Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterbauteils an einem Trägermodul. Bezüglich einer Weiterbildung des Verfahrens wird auf die oberen Erläuterungen zu den verschiedenen Ausführungsformen des Trägermoduls hingewiesen.Furthermore, the advantages described above can also be realized by carrying out the corresponding method for fastening a semiconductor device to a carrier module. With respect to a development of the method, reference is made to the above explanations of the various embodiments of the carrier module.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:Further features and advantages of the present invention will be explained below with reference to the figures. Show it:

1a und 1b schematische Darstellungen einer Ausführungsform des Trägermoduls; 1a and 1b schematic representations of an embodiment of the carrier module;

2 ein Flussdiagramm zum Erläutern einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens; und 2 a flowchart for explaining an embodiment of the manufacturing method; and

3 ein Flussdiagramm zum Erläutern einer Ausführungsform des Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterbauteils an einem Trägermodul. 3 a flowchart for explaining an embodiment of the method for attaching a semiconductor device to a carrier module.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

1a und 1b zeigen schematische Darstellungen einer Ausführungsform des Trägermoduls. 1a and 1b show schematic representations of an embodiment of the carrier module.

Das in 1a und 1b schematisch wiedergegebene Trägermodul 10 ist zum Anbringen/Befestigen eines Halbleiterbauteils 12 an dem Trägermodul 10 ausgelegt. Unter dem an dem Trägermodul 10 befestigbaren Halbleiterbauteil 12 kann beispielsweise ein Halbleitersubstrat oder ein Halbleiterchip verstanden werden. Die Ausbildbarkeit des Halbleiterbauteils 12 ist nicht auf ein bestimmtes Halbleitermaterial, wie beispielsweise auf Silizium, beschränkt. Außerdem kann an dem Halbleiterbauteil 12 mindestens ein leitfähiger Außenbereich 14a und 14b, wie beispielsweise mindestens ein (nicht skizzierter) leitfähiger Außenkontakt 14a und/oder mindestens ein Pad 14b, mindestens eine Dotierung 16, mindestens eine vergrabene Leiterbahn und/oder mindestens eine mechanisch verstellbare Struktur ausgebildet sein. Somit ist eine Vielzahl von verschieden ausgebildeten Halbleitereinrichtungen als das jeweilige Halbleiterbauteil 12 verwendbar. Insbesondere kann das Halbleiterbauteil 12 eine Sensoreinrichtung und/oder eine Elektronikeinrichtung (power device) sein, welche, wie nachfolgend beschrieben, an einer Sensorvorrichtung und/oder an einem Elektronikmodul (power modul) als dem Trägermodul 10 befestigbar ist. This in 1a and 1b schematically reproduced carrier module 10 is for attaching / fixing a semiconductor device 12 on the carrier module 10 designed. Under the on the carrier module 10 fastenable semiconductor device 12 For example, a semiconductor substrate or a semiconductor chip can be understood. The formability of the semiconductor device 12 is not limited to any particular semiconductor material, such as silicon. In addition, on the semiconductor device 12 at least one conductive outdoor area 14a and 14b , such as at least one (not shown) conductive external contact 14a and / or at least one pad 14b , at least one doping 16 , at least one buried conductor track and / or at least one mechanically adjustable structure. Thus, a plurality of differently configured semiconductor devices than the respective semiconductor device 12 usable. In particular, the semiconductor device 12 a sensor device and / or an electronic device (power device), which, as described below, to a sensor device and / or to an electronic module (power module) as the carrier module 10 is fastened.

Das Trägermodul 10 umfasst eine feste Trägerstruktur 18, welche beispielsweise ein Rahmenbauteil 18 sein kann. Mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 ist auf einer ersten Trägerfläche 22 der festen Trägerstruktur 18 aufgebracht. Die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 weist eine von der festen Trägerstruktur 18 abgewandte erste Kontaktierseite 24 auf, welche zumindest teilweise mit mindestens einer Metallisierung 26 bedeckt ist.The carrier module 10 includes a solid support structure 18 which, for example, a frame member 18 can be. At least one elastically or plastically deformable mass 20 is on a first support surface 22 the solid support structure 18 applied. The at least one elastically or plastically deformable mass 20 has one of the solid support structure 18 remote first contacting side 24 which at least partially with at least one metallization 26 is covered.

1a zeigt das Trägermodul 10 und das Halbleiterbauteil 12 vor einem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12 an dem Trägermodul 10. In 1a liegt noch kein (mechanischer) Kontakt zwischen dem Trägermodul 10 und dem Halbleiterbauteil 12 vor. Demgegenüber ist in 1b ein Zustand des Trägermoduls 10 schematisch wiedergegeben, in welchem mittels einer auf das Trägermodul 10 und/oder das Halbleiterbauteil 12 ausgeübten Kraft/Druckkraft 28 das Halbleiterbauteil 12 in einen (mechanischen) Kontakt mit dem Trägermodul 10 gebracht wird. 1a shows the carrier module 10 and the semiconductor device 12 before attaching / fixing the semiconductor device 12 on the carrier module 10 , In 1a there is still no (mechanical) contact between the carrier module 10 and the semiconductor device 12 in front. In contrast, in 1b a state of the carrier module 10 schematically reproduced, in which by means of a on the carrier module 10 and / or the semiconductor device 12 applied force / pressure force 28 the semiconductor device 12 in a (mechanical) contact with the carrier module 10 is brought.

Das Halbleiterbauteil 12 ist (mittels der Kraft/Druckkraft 28) so gegen die mindestens eine Metallisierung 26 auf der ersten Kontaktierseite 24 und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 drückbar, dass die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 und die mindestens eine Metallisierung 26 auf der ersten Kontaktierseite 24 verformbar sind. Auf diese Weise ist das Halbleiterbauteil 12 in mindestens eine Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur 18 bringbar. Vorzugsweise ist unter der mindestens einen Befestigungsstellung des Halbleiterbauteils 12 in Bezug zu der festen Trägerstruktur 18 eine Lage des Halbleiterbauteils 12 zu verstehen, in welcher ein fester Halt des Halbleiterbauteils 12 an dem Trägermodul 10 gewährleistet ist. Ein unerwünschtes Wegfallen des Halbleiterbauteils 12 aus der mindestens einen Befestigungsstellung ist damit kaum zu befürchten.The semiconductor device 12 is (by means of the force / pressure force 28 ) so against the at least one metallization 26 on the first contacting side 24 and the at least one elastically or plastically deformable mass 20 depressible, that the at least one elastically or plastically deformable mass 20 and the at least one metallization 26 on the first contacting side 24 are deformable. In this way, the semiconductor device is 12 in at least one mounting position with respect to the fixed support structure 18 brought. Preferably, under the at least one attachment position of the semiconductor device 12 in relation to the solid support structure 18 a layer of the semiconductor device 12 to understand in which a firm hold of the semiconductor device 12 on the carrier module 10 is guaranteed. An unwanted dropping of the semiconductor device 12 From the at least one attachment position is thus hardly to be feared.

Aufgrund der vorteilhaften Verformbarkeit der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 ist gewährleistet, dass das Halbleiterbauteil 12 (trotz der Kraft/Druckkraft 28) beschädigungsfrei in die mindestens eine Befestigungsstellung bringbar ist. Gleichzeitig kann das Halbleiterbauteil 12 gezielt aus seiner mindestens einen Befestigungsstellung wieder entfernt werden. Das Trägermodul 10 erlaubt somit eine reversible Anbringung/Befestigung des Halbleiterbauteils 12 an dem Trägermodul 10. Beispielsweise kann das Halbleiterbauteil 12 nach dem Anbringen/Befestigen an dem Trägermodul 10 überprüft werden. Sofern bei der Überprüfung des Halbleiterbauteils 12 Funktionsmängel an diesem festgestellt werden, kann das bereits an dem Trägermodul 10 befestigte Halbleiterbauteil 12 leicht entfernt und repariert oder durch ein neues Halbleiterbauteil 12 ersetzt werden.Due to the advantageous deformability of the at least one elastically or plastically deformable mass 20 ensures that the semiconductor device 12 (despite the force / pressure force 28 ) damage-free in the at least one fastening position can be brought. At the same time, the semiconductor device 12 be selectively removed from its at least one mounting position again. The carrier module 10 thus allows a reversible attachment / attachment of the semiconductor device 12 on the carrier module 10 , For example, the semiconductor device 12 after attachment / attachment to the carrier module 10 be checked. Unless in the review of the semiconductor device 12 Functional defects can be detected at this, that can already be done on the carrier module 10 attached semiconductor device 12 easily removed and repaired or by a new semiconductor device 12 be replaced.

Sofern das Halbleiterbauteil 12 mit dem mindestens einen leitfähigen Außenbereich 14a (auf einer zu der mindestens einen Metallisierung 26 ausgerichteten/ausrichtbaren ersten Kontaktträgerseite 30) ausgebildet ist, kann außerdem mindestens ein elektrischer Kontakt zwischen der mindestens einen Metallisierung 26 auf der Kontaktseite 24 der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 und dem mindestens einen leitfähigen Außenbereich 14a (auf der ersten Kontaktträgerseite 30) des in der mindestens einen Befestigungsstellung gehaltenen Halbleiterbauteils 12 vorliegen. Das Aufbringen der mindestens einen Metallisierung 26 auf der ersten Kontaktierseite 24 der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 erleichtert somit eine Kontaktierung des mindestens einen leitfähigen Außenbereichs 14a (auf der ersten Kontaktträgerseite 30) des Halbleiterbauteils 12 von außen, ohne ein Entfernen/Austauschen des an dem Trägermodul 10 befestigten Halbleiterbauteils 12 zu erschweren.If the semiconductor device 12 with the at least one conductive outdoor area 14a (on one to the at least one metallization 26 aligned / alignable first contact carrier side 30 ), in addition, at least one electrical contact between the at least one metallization 26 on the contact page 24 the at least one elastically or plastically deformable mass 20 and the at least one conductive outdoor area 14a (on the first contact carrier side 30 ) of the semiconductor component held in the at least one fastening position 12 available. The application of the at least one metallization 26 on the first contacting side 24 the at least one elastically or plastically deformable mass 20 thus facilitates contacting the at least one conductive outer region 14a (on the first contact carrier side 30 ) of the semiconductor device 12 from outside without removing / replacing the on the carrier module 10 attached semiconductor device 12 to complicate.

Vorzugsweise ist mindestens eine durch die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 und/oder die feste Trägerstruktur 18 verlaufende Durchkontaktierung 32, welche an der mindestens einen Metallisierung 26a mündet, an dem Trägermodul 10 ausgebildet. Eine Kontaktierung des mindestens einen elektrischen Kontakts 14a (auf der ersten Kontaktträgerseite 30) des Halbleiterbauteils 12 kann somit auch leicht von einer von der ersten Trägerfläche 22 weg gerichteten Außenseite 34 der festen Trägerstruktur 18 aus erfolgen. Als Alternative oder als Ergänzung zu der mindestens einen Durchkontaktierung 32 können auch mindestens ein Kühlkanal, mindestens eine (für Hochfrequenzen geeignete) Mikrostrip-Leitung (microstrip-line) und/oder mindestens eine Topologie zur Vermeidung von Parasitäten in der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 und/oder in der festen Trägerstruktur 18 ausgebildet sein. Das an dem Trägermodul 10 befestigte Halbleiterbauteil 12 ist somit auf einfache Weise und verlässlich vor einer unerwünschten Erwärmung und vor einem Auftreten von Parasitäten schützbar.Preferably, at least one through the at least one elastically or plastically deformable mass 20 and / or the solid support structure 18 extending via 32 , which at the at least one metallization 26a opens at the carrier module 10 educated. A contacting of the at least one electrical contact 14a (on the first contact carrier side 30 ) of the semiconductor device 12 can thus easily from one of the first support surface 22 away outside 34 the solid support structure 18 out. As an alternative or as a supplement to the at least one via 32 can also be at least one cooling channel, at least one (suitable for high frequencies) microstrip line (microstrip-line) and / or at least one topology to avoid parasites in the at least one elastically or plastically deformable mass 20 and / or in the solid support structure 18 be educated. The on the carrier module 10 attached semiconductor device 12 is thus easily and reliably protectable against undesired heating and against the occurrence of parasites.

Die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 kann beispielsweise mindestens eine plastisch verformbare Masse 20 sein. Das Halbleiterbauteil 12 ist somit zumindest teilweise in die mindestens eine plastisch verformbare Masse 20 hineindrückbar, wonach die mindestens eine plastisch verformbare Masse 20 in ihrer neuen Form verbleibt. Mittels einer Haftreibung zwischen der mindestens einen plastisch verformbaren Masse 20 (bzw. der die erste Kontaktierseite 24 zumindest teilweise abdeckenden mindestens einen Metallisierung) und der mindestens einen davon kontaktierten Fläche des Halbleiterbauteils 12 ist deshalb automatisch ein verlässlicher Halt des Halbleiterbauteils 12 an dem Trägermodul 10 gewährleistbar. Auf diese Weise ist das Halbleiterbauteil 12 verlässlich in der mindestens einen Befestigungsstellung haltbar, wobei gleichzeitig das Halbleiterbauteil 12 mittels einer vergleichsweise geringen Kraft wieder aus der mindestens einen plastisch verformbaren Masse 20 entfernbar ist. The at least one elastically or plastically deformable mass 20 For example, at least one plastically deformable mass 20 be. The semiconductor device 12 is thus at least partially in the at least one plastically deformable mass 20 hineindrückbar, after which the at least one plastically deformable mass 20 remains in its new form. By means of a static friction between the at least one plastically deformable mass 20 (or the first Kontaktierseite 24 at least partially covering at least one metallization) and the at least one contacted surface thereof of the semiconductor device 12 is therefore automatically a reliable hold of the semiconductor device 12 on the carrier module 10 gewährleistbar. In this way, the semiconductor device is 12 reliably in the at least one attachment position durable, wherein at the same time the semiconductor device 12 by means of a comparatively small force again from the at least one plastically deformable mass 20 is removable.

Alternativ kann die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 auch mindestens eine elastisch verformbare Masse 20 sein. Auch bei einer Verwendung der mindestens einen elastisch verformbaren Masse 20 ist das Halbleiterbauteil 12 während des Anbringens/Befestigens an dem Trägermodul 10 (trotz der Kraft/Druckkraft 28) vor Beschädigungen geschützt. Auch während eines Transports oder eines Betriebs des Trägermoduls 10 mit dem daran angebrachten/befestigten Halbleiterbauteil 12 kann die mindestens eine elastisch verformbare Masse 20 als Puffer das Halbleiterbauteil 12 schützen. Außerdem kann die mindestens eine elastisch verformbare Masse 20 nach einem Entfernen des Halbleiterbauteils 12 automatisch wieder ihre (vor dem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12 vorliegende) Ausgangsform einnehmen.Alternatively, the at least one elastically or plastically deformable mass 20 also at least one elastically deformable mass 20 be. Even when using the at least one elastically deformable mass 20 is the semiconductor device 12 during attachment to the carrier module 10 (despite the force / pressure force 28 ) protected from damage. Also during transport or operation of the carrier module 10 with the attached / attached semiconductor device 12 can the at least one elastically deformable mass 20 as a buffer, the semiconductor device 12 protect. In addition, the at least one elastically deformable mass 20 after removal of the semiconductor device 12 automatically restore their (before attaching / attaching the semiconductor device 12 present) take initial form.

Vor dem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12 kann eine (senkrecht zur ersten Trägerfläche 22 ausgerichtete) erste maximale Schichtdicke der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 größer als ein Viertel einer (senkrecht zur ersten Trägerfläche 22 ausgerichteten) Dicke des an dem Trägermodul 10 angebrachten Halbleiterbauteils 12 sein. Z.B. kann die (senkrecht zur ersten Trägerfläche 22 ausgerichtete) erste maximale Schichtdicke der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 vor dem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12 größer als ein Drittel der Dicke des Halbleiterbauteils 12, insbesondere größer als eine Hälfte der Dicke des Halbleiterbauteils 12, sein. Speziell kann die (senkrecht zur ersten Trägerfläche 22 ausgerichtete) erste maximale Schichtdicke der mindestens einen elastischen oder plastisch verformbaren Masse 20 (vor dem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12) die (senkrecht zur ersten Trägerfläche 22 ausgerichtete) Dicke des an dem Trägermodul 10 angebrachten Halbleiterbauteils 12 übersteigen. In allen hier beschriebenen Möglichkeiten können zumindest Teilbereiche des Halbleiterbauteils 12 verlässlich vor Verschmutzungen und/oder einem Eindringen von Flüssigkeiten geschützt werden.Before attaching / fixing the semiconductor device 12 can a (perpendicular to the first support surface 22 oriented) first maximum layer thickness of the at least one elastically or plastically deformable mass 20 greater than a quarter of a (perpendicular to the first support surface 22 aligned) thickness of the carrier module 10 attached semiconductor device 12 be. For example, the (perpendicular to the first support surface 22 oriented) first maximum layer thickness of the at least one elastically or plastically deformable mass 20 before attaching / fixing the semiconductor device 12 greater than one third of the thickness of the semiconductor device 12 , in particular greater than one half of the thickness of the semiconductor device 12 , be. Specifically, the (perpendicular to the first support surface 22 aligned) first maximum layer thickness of the at least one elastic or plastically deformable mass 20 (before attaching / fixing the semiconductor device 12 ) the (perpendicular to the first support surface 22 aligned) thickness of the carrier module 10 attached semiconductor device 12 exceed. In all possibilities described here, at least partial regions of the semiconductor component 12 be reliably protected against contamination and / or ingress of liquids.

Die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 kann beispielsweise Silikon, Polydimethylsiloxan (PDMS), Perfluorkautschuk (Perfluorelastomer, FFKM oder FFPM), wie insbesondere Kalrez, und/oder Chloropren-Kautschuk (Polychloroplen oder Chlorbutadien-Kautschuk), speziell Neopren, umfassen. Somit kann eine Vielzahl von leicht aufbringbaren und kostengünstigen Materialien als die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 eingesetzt werden. Es wird jedoch darauf hingewiesen, dass die hier genannten Beispiele für die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 nur beispielhaft zu interpretieren sind. Damit kann auch eine Vielzahl anderer elastisch oder plastisch verformbarer Polymermaterialien, speziell eine Vielzahl anderer elastisch oder plastisch verformbarer Kautschuke, alleine oder zusammen mit anderen Materialien als die mindestens eine elastische oder plastisch verformbare Masse 20 verwendbar sein.The at least one elastically or plastically deformable mass 20 For example, silicone, polydimethylsiloxane (PDMS), perfluororubber (perfluoroelastomer, FFKM or FFPM), especially Kalrez, and / or chloroprene rubber (polychloroprene or chlorobutadiene rubber), especially neoprene, may be included. Thus, a variety of easily applied and inexpensive materials than the at least one elastically or plastically deformable mass 20 be used. It should be noted, however, that the examples given here for the at least one elastically or plastically deformable mass 20 only to be interpreted as an example. Thus, a variety of other elastically or plastically deformable polymer materials, especially a variety of other elastically or plastically deformable rubbers, alone or together with other materials than the at least one elastic or plastically deformable mass 20 be usable.

In einer vorteilhaften Weiterbildung kann eine thermische Leitfähigkeit der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 mittels mindestens eines darin eingebetteten Materials gesteigert oder reduziert sein. Beispielsweise können Diamant-Polymer-Komposite in der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 zum Steigern von deren thermischer Leitfähigkeit eingebettet sein. Ebenso können auch andere Materialien zum Steigern von deren thermischer Leitfähigkeit der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 beigegeben sein. Alternativ kann die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 auch mindestens ein Material umfassen, welches ihre Fähigkeit als thermischer Isolator verbessert. Entsprechend können auch mikrofluidische Strukturen/Architekturen zum Steigern oder Reduzieren ihrer thermischen Leitfähigkeit in der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 ausgebildet sein. Eine unerwünschte Erwärmung oder ein nicht-gewolltes Abkühlen des Halbleiterbauteils 12 sind somit leicht und kostengünstig verhinderbar. In an advantageous development, a thermal conductivity of the at least one elastically or plastically deformable mass 20 be increased or reduced by means of at least one embedded material. For example, you can Diamond-polymer composites in the at least one elastically or plastically deformable mass 20 be embedded to increase their thermal conductivity. Likewise, other materials for increasing their thermal conductivity of the at least one elastically or plastically deformable mass 20 be added. Alternatively, the at least one elastically or plastically deformable mass 20 also comprise at least one material which improves its ability as a thermal insulator. Accordingly, microfluidic structures / architectures can also be used to increase or reduce their thermal conductivity in the at least one elastically or plastically deformable mass 20 be educated. An undesirable heating or unintentional cooling of the semiconductor device 12 are thus easy and inexpensive preventable.

In einer möglichen Weiterbildung des Trägermoduls 10 ist mindestens eine Klemmeinrichtung derart an der festen Trägerstruktur 18 angeordnet, dass das Halbleiterbauteil 12 mittels der mindestens einen Klemmeinrichtung in der mindestens einen Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur 18 festklemmbar ist. Somit ist das Halbleiterbauteil 12, selbst wenn die mindestens eine elastisch verformbare Masse 20 auf der ersten Trägerfläche 22 aufgebracht ist, verlässlich in der mindestens einen Befestigungsstellung haltbar.In a possible development of the carrier module 10 is at least one clamping device on the fixed support structure 18 arranged that the semiconductor device 12 by means of the at least one clamping device in the at least one fastening position with respect to the fixed support structure 18 can be clamped. Thus, the semiconductor device is 12 even if the at least one elastically deformable mass 20 on the first support surface 22 is applied, reliably in the at least one mounting position durable.

In der Ausführungsform der 1a und 1b weist das Trägermodul 10 eine Abdeckeinrichtung 36 als die mindestens eine Klemmeinrichtung auf. Die Abdeckeinrichtung 36 ist derart an der festen Trägerstruktur 18 angeordnet, dass das Halbleiterbauteil 12 in der mindestens einen Befestigungsstellung zwischen der festen Trägerstruktur 18 und der Abdeckeinrichtung 36 festklemmbar ist. Man kann dies auch damit umschreiben, dass mittels der Abdeckeinrichtung 36 das in der mindestens einen Befestigungsstellung vorliegende Halbleiterbauteil 12 abdeckbar/überdachbar ist.In the embodiment of the 1a and 1b has the carrier module 10 a covering device 36 as the at least one clamping device. The cover 36 is so on the solid support structure 18 arranged that the semiconductor device 12 in the at least one attachment position between the fixed support structure 18 and the cover 36 can be clamped. One can also rewrite this by means of the covering device 36 the present in the at least one mounting position semiconductor device 12 can be covered / roofed.

Speziell weist in der Ausführungsform der 1a und 1b die Abdeckeinrichtung 36 eine feste Abdeckstruktur 38 und mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse 40, welche auf eine zu der festen Trägerstruktur 18 ausrichtbare oder ausgerichtete zweite Trägerfläche 42 der festen Abdeckstruktur 38 aufgebracht ist, auf. Bezüglich der als die mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse 40 verwendbaren Materialien wird auf die oberen Ausführungen verwiesen.Specifically, in the embodiment of the 1a and 1b the cover device 36 a solid cover structure 38 and at least one further elastically or plastically deformable mass 40 pointing to the solid support structure 18 alignable or aligned second support surface 42 the solid cover structure 38 is up, up. Regarding than the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 suitable materials are referred to the above.

Somit kann auch die mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse 40 das Halbleiterbauteil 12 während seiner Abdeckung/Überdachung vor Beschädigungen durch eine darauf ausgeübte Kraft/Druckkraft 28 schützen. Auch während eines Transports oder eines Betriebs des Trägermoduls 10 mit dem daran angebrachten/befestigten Halbleiterbauteil 12 schützt die mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 das Halbleiterbauteil 12. Beispielsweise kann die mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse 40 als mindestens eine weitere elastisch verformbare Masse 40 so deformierbar sein, dass während der Abdeckung/Überdachung, des Transports oder des Betriebs auf das Halbleiterbauteil 12 ausgeübte Drücke/Kräfte mittels einer Verformung der mindestens einen weiteren elastisch verformbaren Masse 40 absorbiert werden. Sofern die mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse 40 mindestens eine weitere plastisch verformbare Masse 40 ist, kann auch zwischen der weiteren plastisch verformbaren Masse 40 (bzw. mindestens einer darauf aufgebrachten weiteren Metallisierung 46) und dem zumindest teilweise darin eingedrückten Halbleiterbauteil 12 eine Haftreibungskraft wirken, mittels welcher der Halt des Halbleiterbauteils 12 an dem Trägermodul 10 verbesserbar ist. Thus, also the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 the semiconductor device 12 during its covering / roofing from damage due to an applied force / pressure force 28 protect. Also during transport or operation of the carrier module 10 with the attached / attached semiconductor device 12 protects the at least one further elastically or plastically deformable mass 20 the semiconductor device 12 , For example, the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 as at least one further elastically deformable mass 40 be deformable so that during the cover / roofing, the transport or the operation on the semiconductor device 12 exerted pressures / forces by means of a deformation of the at least one further elastically deformable mass 40 be absorbed. If the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 at least one more plastically deformable mass 40 is, can also between the other plastically deformable mass 40 (or at least one further metallization applied thereto 46 ) and the at least partially depressed semiconductor device 12 act a static friction, by means of which the hold of the semiconductor device 12 on the carrier module 10 is improvable.

In einer vorteilhaften Ausführungsform können vor dem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12 die (senkrecht zur ersten Trägerfläche 22 ausgerichtete) erste maximale Schichtdicke der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 und eine (senkrecht zur zweiten Trägerfläche 42 ausgerichtete) zweite maximale Schichtdicke der mindestens einen weiteren elastisch oder plastisch verformbaren Masse 40 so festgelegt sein, dass eine Summe der maximalen Schichtdicken größer als ein Viertel einer (senkrecht zu den Trägerflächen 22 und 42 ausgerichteten) Dicke des an dem Trägermodul 10 angebrachten Halbleiterbauteils 12 ist. Die Summe der maximalen Schichtdicken der Massen 20 und 40 kann auch größer als ein Drittel der Dicke des Halbleiterbauteils 12, insbesondere größer als eine Hälfte der Dicke des Halbleiterbauteils 12, sein. Dies gewährleistet eine gute Pufferwirkung der Massen 20 und 40.In an advantageous embodiment, prior to attachment / attachment of the semiconductor device 12 the (perpendicular to the first support surface 22 oriented) first maximum layer thickness of the at least one elastically or plastically deformable mass 20 and a (perpendicular to the second support surface 42 oriented) second maximum layer thickness of the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 be set so that a sum of the maximum layer thicknesses greater than a quarter of a (perpendicular to the support surfaces 22 and 42 aligned) thickness of the carrier module 10 attached semiconductor device 12 is. The sum of the maximum layer thicknesses of the masses 20 and 40 can also be greater than one third of the thickness of the semiconductor device 12 , in particular greater than one half of the thickness of the semiconductor device 12 , be. This ensures a good buffering effect of the masses 20 and 40 ,

Speziell können vor dem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12 die (senkrecht zur ersten Trägerfläche 22 ausgerichtete) erste maximale Schichtdicke der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 und die (senkrecht zur zweiten Trägerfläche 42 ausgerichtete) zweite maximale Schichtdicke der mindestens einen weiteren elastisch oder plastisch verformbaren Masse 40 so festgelegt sein, dass die Summe der maximalen Schichtdicken der Massen 20 und 40 die (senkrecht zu den Trägerflächen 22 und 42 ausgerichtete )Dicke des an dem Trägermodul 10 angebrachten Halbleiterbauteils 12 übersteigt. Das an dem Trägermodul 10 befestigte Halbleiterbauteil 12 kann somit vollständig von den Massen 20 und 40 umschlossen sein. Dies gewährleistet auch einen verbesserten Schutz des Halbleiterbauteils 12 vor Verschmutzungen und/oder einem Eindringen von Flüssigkeiten.Specifically, prior to mounting / mounting the semiconductor device 12 the (perpendicular to the first support surface 22 oriented) first maximum layer thickness of the at least one elastically or plastically deformable mass 20 and the (perpendicular to the second support surface 42 oriented) second maximum layer thickness of the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 be set so that the sum of the maximum layer thicknesses of the masses 20 and 40 the (perpendicular to the support surfaces 22 and 42 aligned) thickness of the carrier module 10 attached semiconductor device 12 exceeds. The on the carrier module 10 attached semiconductor device 12 can thus completely from the masses 20 and 40 be enclosed. This also ensures improved protection of the semiconductor device 12 against contamination and / or penetration of liquids.

In der Ausführungsform der 1a und 1b ist das Trägermodul 10 zangenartig ausgebildet. Dazu kann beispielsweise die Abdeckeinrichtung 36 (insbesondere die feste Abdeckstruktur 38) mit der festen Trägerstruktur 18 über ein Scharnier verbunden sein. Das Scharnier kann über einen Einrastmechanismus verfügen, so dass das Halbleiterbauteil 12 mittels eines Einrastens der Abdeckeinrichtung 36 (bzw. der festen Abdeckstruktur 38) in der mindestens einen Befestigungsstellung zwischen der festen Trägerstruktur 18 und der Abdeckeinrichtung 36 festklemmbar ist. Es wird allerdings darauf hingewiesen, dass die hier gemachten Ausführungen zu der zangenartigen Ausbildung des Trägermoduls 10 nur beispielhaft zu verstehen sind.In the embodiment of the 1a and 1b is the carrier module 10 formed like a pliers. For this purpose, for example, the covering 36 (In particular, the fixed cover structure 38 ) with the solid support structure 18 be connected via a hinge. The hinge may have a latching mechanism so that the semiconductor device 12 by means of a latching of the covering device 36 (or the fixed cover structure 38 ) in the at least one attachment position between the fixed support structure 18 and the cover 36 can be clamped. It should be noted, however, that the statements made here to the pliers-like design of the carrier module 10 only to be understood as an example.

Auch bei einer von der zangenartigen Ausbildung des Trägermoduls 10 abweichenden Ausführungsform ist mittels einer einseitig oder zweiseitig aufgebrachten Druckkraft 28 ein Press-Packaging des Halbleiterbauteils 12 ohne eine Beschädigung von diesem ausführbar. Selbst signifikante Drücke nahe an dem Halbleiterbauteil 12 können mittels der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse 20 und 40 absorbiert werden.Even with one of the pincers of the carrier module 10 deviating embodiment is by means of a one-sided or two-sided applied compressive force 28 a press-packaging of the semiconductor device 12 without damage from this executable. Even significant pressures close to the semiconductor device 12 can by means of at least one elastically or plastically deformable mass 20 and 40 be absorbed.

Vorzugsweise liegt auch an einer von der festen Abdeckstruktur 38 weg gerichteten zweiten Kontaktierseite 44 der mindestens einen weiteren elastisch oder plastisch verformbaren Masse 40 mindestens eine Metallabscheidung 46 vor. Somit kann auch zwischen der mindestens einen Metallabscheidung 46 auf der zweiten Kontaktierseite 44 und dem mindestens einen leitfähigen Außenbereich 14b (auf einer zu der festen Abdeckstruktur 38 ausgerichteten/ausrichtbaren zweiten Kontaktträgerseite 50 des Halbleiterbauteils 12) mindestens ein elektrischer Kontakt realisierbar sein. Die in den 1a und 1b gezeigte Ausbildung des Trägermoduls 10 erlaubt somit eine beidseitige Kontaktierung des Halbleiterbauteils 12. Auch durch die feste Abdeckstruktur 38 und/oder die mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse 40 kann mindestens eine Durchkontaktierung 48 verlaufen, welche an der mindestens einen Metallabscheidung 46 auf der zweiten Kontaktierseite 42 mündet. Das Halbleiterbauteil 12 ist somit selbst ausgehend von einer von der ersten Trägerfläche 42 weg gerichteten Außenseite 52 der festen Abdeckstruktur 38 aus kontaktierbar. Preferably also lies on one of the fixed cover structure 38 directed away second Kontaktierseite 44 the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 at least one metal deposit 46 in front. Thus, also between the at least one metal deposit 46 on the second contacting side 44 and the at least one conductive outdoor area 14b (on one to the fixed cover structure 38 aligned / alignable second contact carrier side 50 of the semiconductor device 12 ) at least one electrical contact can be realized. The in the 1a and 1b shown embodiment of the carrier module 10 thus allows a two-sided contacting of the semiconductor device 12 , Also by the solid cover structure 38 and / or the at least one further elastically or plastically deformable mass 40 can at least one via 48 run, which at the at least one metal deposit 46 on the second contacting side 42 empties. The semiconductor device 12 is thus itself starting from one of the first support surface 42 away outside 52 the solid cover structure 38 out of contactable.

Beispielsweise kann eine Kontrollelektronik 54 an der Außenseite 52 angeordnet sein/werden, mittels welcher eine Funktionsfähigkeit des Halbleiterbauteils 12 untersuchbar ist. Sofern dabei keine zufriedenstellenden Resultate feststellbar sind, kann das Halbleiterbauteil 12 trotz der bereits erfolgten Anbringung/Befestigung an dem Trägermodul 10 schnell entfernt/ausgetauscht werden.For example, a control electronics 54 on the outside 52 be arranged, by means of which a functionality of the semiconductor device 12 is investigatable. If satisfactory results can not be determined, the semiconductor device can 12 despite the already made attachment / attachment to the carrier module 10 be quickly removed / replaced.

Die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse 20 und 40 kann in ihrer Ausgangsform (d.h. vor dem Anbringen/Befestigen des Halbleiterbauteils 12) mindestens eine daran ausgebildete Aussparung 56 oder mindestens eine (nicht skizzierte) Kavität aufweisen. Mittels derartiger Ausbildungen der mindestens einen Masse 20 und 40 kann deren Verformbarkeit zusätzlich verbessert werden.The at least one elastically or plastically deformable mass 20 and 40 may in its original form (ie before attaching / fixing the semiconductor device 12 ) at least one recess formed thereon 56 or at least one (not outlined) cavity. By means of such configurations of at least one mass 20 and 40 its deformability can be further improved.

Die oben beschriebenen Vorteile des Trägermoduls 10 sind auch bei einer Halbleitervorrichtung gewährleistet, welche das Trägermodul 10 und daran befestigte Halbleiterbauteil 12 umfasst.The advantages of the carrier module described above 10 are also ensured in a semiconductor device, which the carrier module 10 and semiconductor device attached thereto 12 includes.

2 zeigt ein Flussdiagramm zum Erläutern einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens. 2 shows a flowchart for explaining an embodiment of the manufacturing method.

Mittels des nachfolgend beschriebenen Herstellungsverfahrens kann beispielsweise das vorausgehend erläuterte Trägermodul hergestellt werden. Es wird jedoch darauf hingewiesen, dass die Ausführbarkeit des Herstellungsverfahrens nicht auf einer Produktion derartiger Trägermodule limitiert ist. By means of the manufacturing method described below, for example, the carrier module explained above can be produced. It should be noted, however, that the feasibility of the manufacturing process is not limited to the production of such carrier modules.

Das Herstellungsverfahren umfasst zumindest die Verfahrensschritte S1 und S2. In einem Verfahrensschritt S1 wird mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse auf einer Trägerfläche einer festen Trägerstruktur des späteren Trägermoduls aufgebracht. Die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse kann auch auf mehrere Trägerflächen des späteren Trägermoduls, insbesondere auf zwei zueinander ausrichtbare Trägerflächen eines später zangenartigen Trägermoduls, aufgebracht werden. Das Aufbringen der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse kann beispielsweise durch ein Aufgießen eines flüssigen Ausgangsmaterials erfolgen. Bezüglich des als die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse verwendbaren Materials wird auf die oberen Beschreibungen verwiesen.The manufacturing method comprises at least the method steps S1 and S2. In a method step S1, at least one elastically or plastically deformable mass is applied to a carrier surface of a solid carrier structure of the subsequent carrier module. The at least one elastically or plastically deformable mass can also be applied to a plurality of carrier surfaces of the later carrier module, in particular to two mutually alignable carrier surfaces of a later pincer-like carrier module. The application of the at least one elastically or plastically deformable mass can take place, for example, by pouring on a liquid starting material. With respect to the material usable as the at least one elastically or plastically deformable mass, reference is made to the above descriptions.

In einem Verfahrensschritt S2 wird eine von der festen Trägerstruktur abgewandte Kontaktierseite der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse zumindest teilweise mit mindestens einer Metallisierung abgedeckt. Dies geschieht derart, dass das Halbleiterbauteil später gegen die mindestens eine Metallisierung und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (der fertig hergestellten Trägerstruktur) drückbar ist. Dabei sind die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse und die mindestens eine Metallisierung verformbar, wodurch das Halbleiterbauteil in mindestens eine Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur bringbar ist. Die mindestens eine Metallisierung kann lithographisch strukturiert oder selektiv abgeschieden sein. Insbesondere sind selektive galvanische Prozesse zum Bilden der mindestens einen Metallisierung nutzbar. In a method step S2, a contact side of the at least one elastically or plastically deformable mass facing away from the solid support structure is at least partially covered with at least one metallization. This is done in such a way that the semiconductor component can be pressed against the at least one metallization and the at least one elastically or plastically deformable mass (the finished manufactured support structure) later. In this case, the at least one elastically or plastically deformable mass and the at least one metallization are deformable, whereby the semiconductor component can be brought into at least one fastening position with respect to the solid support structure. The at least one metallization may be lithographically patterned or selectively deposited. In particular, selective galvanic processes can be used to form the at least one metallization.

3 zeigt ein Flussdiagramm zum Erläutern einer Ausführungsform des Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterbauteils an einem Trägermodul. 3 FIG. 12 is a flowchart for explaining an embodiment of the method of attaching a semiconductor device to a carrier module. FIG.

Es wird darauf hingewiesen, dass das im Weiteren beschriebene Verfahren nicht nur unter Verwendung des oben erläuterten Trägermoduls ausführbar ist. Stattdessen ist eine Vielzahl anders ausgebildeter Trägermodule ebenfalls für die Durchführung des Verfahrens geeignet.It should be noted that the method described below can be carried out not only using the carrier module explained above. Instead, a variety of differently designed carrier modules is also suitable for carrying out the method.

Das Verfahren ist mittels des Verfahrensschritts S10 einfach ausführbar. In dem Verfahrensschritt S10 wird das Halbleiterbauteil gegen mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse, welche auf eine Trägerfläche einer festen Trägerstruktur des Trägermoduls aufgebracht ist, und gegen mindestens eine Metallisierung, welche eine von der festen Trägerstruktur abgewandte Kontaktierseite der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse zumindest teilweise bedeckt, gedrückt. Dies geschieht in einer Bewegung, welche in eine Richtung von der mindestens einen Metallisierung zu der festen Trägerstruktur ausgerichtet ist, derart, dass die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse und die mindestens eine Metallisierung verformt werden. Auf diese Weise wird das Halbleiterbauteil in mindestens eine Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur gebracht. Damit realisiert auch der Verfahrensschritt S10 die oben schon beschriebenen Vorteile.The method is easily executable by means of the method step S10. In method step S10, the semiconductor component is subjected to at least one elastically or plastically deformable mass, which is applied to a carrier surface of a solid carrier structure of the carrier module, and to at least one metallization, which is a contacting side of the at least one elastically or plastically deformable mass facing away from the solid carrier structure at least partially covered, pressed. This is done in a movement which is oriented in one direction from the at least one metallization to the solid support structure, such that the at least one elastically or plastically deformable mass and the at least one metallization are deformed. In this way, the semiconductor device is brought into at least one attachment position with respect to the fixed support structure. Thus, the method step S10 also realizes the advantages already described above.

Das Drücken des Halbleiterbauteils gegen die mindestens eine Metallisierung und gegen die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse kann über ein schweres Gewicht erfolgen. Ebenso kann auch eine Schraubbewegung oder eine Klemmbewegung zu diesem Zweck genutzt werden. Die hier aufgezählten Beispiele sind außerdem nicht limitierend.The pressing of the semiconductor device against the at least one metallization and against the at least one elastically or plastically deformable mass can take place via a heavy weight. Likewise, a screwing or clamping movement can be used for this purpose. The examples listed here are also not limiting.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102012213566 A1 [0002] DE 102012213566 A1 [0002]

Claims (12)

Trägermodul (10) für ein Halbleiterbauteil (12) mit: einer festen Trägerstruktur (18); und mindestens einer Metallisierung (26); gekennzeichnet durch mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20), welche auf eine Trägerfläche (22) der festen Trägerstruktur (18) aufgebracht ist und welche eine von der festen Trägerstruktur (18) abgewandte Kontaktierseite (24) aufweist, welche zumindest teilweise mit der mindestens einen Metallisierung (26) bedeckt ist; wobei das Halbleiterbauteil (12) so gegen die mindestens eine Metallisierung (26) auf der Kontaktierseite (24) und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) drückbar ist, dass die mindestens eine Metallisierung (26) auf der Kontaktierseite (24) und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) verformbar sind, wodurch das Halbleiterbauteil (12) in mindestens eine Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur (18) bringbar ist.Carrier module ( 10 ) for a semiconductor device ( 12 ) comprising: a solid support structure ( 18 ); and at least one metallization ( 26 ); characterized by at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ), which on a support surface ( 22 ) of the solid support structure ( 18 ) and which one of the solid support structure ( 18 ) facing away Kontaktierseite ( 24 ), which at least partially with the at least one metallization ( 26 ) is covered; wherein the semiconductor device ( 12 ) so against the at least one metallization ( 26 ) on the contacting side ( 24 ) and the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) is depressible, that the at least one metallization ( 26 ) on the contacting side ( 24 ) and the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) are deformable, whereby the semiconductor device ( 12 ) in at least one fastening position with respect to the fixed support structure ( 18 ) can be brought. Trägermodul (10) nach Anspruch 1 für ein Halbleiterbauteil (12) mit mindestens einem leitfähigen Außenbereich (14a, 14b), wobei mindestens ein elektrischer Kontakt zwischen der mindestens einen Metallisierung (26) auf der Kontaktierseite (24) der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse (20) und dem mindestens einen leitfähigen Außenbereich (14a, 14b) des in der mindestens eine Befestigungsstellung gehaltenen Halbleiterbauteils (12) vorliegt.Carrier module ( 10 ) according to claim 1 for a semiconductor device ( 12 ) with at least one conductive outer area ( 14a . 14b ), wherein at least one electrical contact between the at least one metallization ( 26 ) on the contacting side ( 24 ) of the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) and the at least one conductive outdoor area ( 14a . 14b ) held in the at least one attachment position semiconductor device ( 12 ) is present. Trägermodul (10) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) mindestens eine plastisch verformbare Masse ist, mittels welcher das Halbleiterbauteil (12) in der mindestens einen Befestigungsstellung haltbar ist.Carrier module ( 10 ) according to claim 1 or 2, wherein the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) is at least one plastically deformable mass, by means of which the semiconductor device ( 12 ) in the at least one attachment position is durable. Trägermodul (10) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) mindestens eine elastisch verformbare Masse ist.Carrier module ( 10 ) according to claim 1 or 2, wherein the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) is at least one elastically deformable mass. Trägermodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) Silikon, Polydimethylsiloxan, Perfluorkautschuk und/oder Chloropren-Kautschuk umfasst.Carrier module ( 10 ) according to one of the preceding claims, wherein the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) Silicone, polydimethylsiloxane, perfluororubber and / or chloroprene rubber. Trägermodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens eine Klemmeinrichtung derart an der festen Trägerstruktur (18) angeordnet ist, dass das Halbleiterbauteil (12) mittels der mindestens einen Klemmeinrichtung (18) in der mindestens einen Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur (18) festklemmbar ist.Carrier module ( 10 ) according to one of the preceding claims, wherein at least one clamping device on the fixed support structure ( 18 ) is arranged such that the semiconductor device ( 12 ) by means of the at least one clamping device ( 18 ) in the at least one fastening position with respect to the fixed support structure ( 18 ) is clamped. Trägermodul (10) nach Anspruch 6, wobei eine Abdeckeinrichtung (36) als die mindestens eine Klemmeinrichtung derart an der festen Trägerstruktur (18) angeordnet ist, dass das Halbleiterbauteil (12) in der mindestens einen Befestigungsstellung zwischen der festen Trägerstruktur (18) und der Abdeckeinrichtung (36) festklemmbar ist.Carrier module ( 10 ) according to claim 6, wherein a covering device ( 36 ) as the at least one clamping device on the fixed support structure ( 18 ) is arranged such that the semiconductor device ( 12 ) in the at least one fastening position between the solid support structure ( 18 ) and the covering device ( 36 ) is clamped. Trägermodul (10) nach Anspruch 7, wobei die Abdeckeinrichtung (36) eine feste Abdeckstruktur (38) und mindestens eine weitere elastisch oder plastisch verformbare Masse (40), welche auf eine zu der festen Trägerstruktur (18) ausrichtbare oder ausgerichtete Seite (42) der festen Abdeckstruktur (38) aufgebracht ist, umfasst. Carrier module ( 10 ) according to claim 7, wherein the covering device ( 36 ) a fixed cover structure ( 38 ) and at least one further elastically or plastically deformable mass ( 40 ) pointing towards the solid support structure ( 18 ) Alignable or oriented page ( 42 ) of the solid cover structure ( 38 ) is applied. Trägermodul (10) nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Abdeckeinrichtung (36) mit der festen Trägerstruktur (18) über ein Scharnier verbunden ist, und wobei das Halbleiterbauteil (12) mittels eines Einrastens der Abdeckeinrichtung (36) in der mindestens einen Befestigungsstellung zwischen der festen Trägerstruktur (18) und der Abdeckeinrichtung (36) festklemmbar ist.Carrier module ( 10 ) according to claim 7 or 8, wherein the covering device ( 36 ) with the solid support structure ( 18 ) is connected via a hinge, and wherein the semiconductor device ( 12 ) by means of a latching of the covering device ( 36 ) in the at least one fastening position between the solid support structure ( 18 ) and the covering device ( 36 ) is clamped. Halbleitervorrichtung mit einem Trägermodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche und dem an dem Trägermodul (10) befestigten Halbleiterbauteil (12).Semiconductor device with a carrier module ( 10 ) according to one of the preceding claims and that on the carrier module ( 10 ) attached semiconductor device ( 12 ). Herstellungsverfahren für ein Trägermodul (10) zum Befestigen eines Halbleiterbauteils (12) mit den Schritten: Aufbringen mindestens einer elastisch oder plastisch verformbaren Masse (20) auf einer Trägerfläche (22) einer festen Trägerstruktur (18) des späteren Trägermoduls (10); und Abdecken einer von der festen Trägerstruktur (18) abgewandten Kontaktierseite (24) der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse (20) zumindest teilweise mit mindestens einer Metallisierung (26) so, dass das Halbleiterbauteil (12) so gegen die mindestens eine Metallisierung (26) und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) drückbar ist, dass die mindestens eine Metallisierung (26) und die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) verformbar sind, wodurch das Halbleiterbauteil (12) in mindestens eine Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur (18) bringbar ist (S2).Manufacturing Method for a Carrier Module ( 10 ) for fixing a semiconductor device ( 12 ) comprising the steps of applying at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) on a support surface ( 22 ) a solid support structure ( 18 ) of the later carrier module ( 10 ); and covering one of the solid support structure ( 18 ) facing away Kontaktierseite ( 24 ) of the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) at least partially with at least one metallization ( 26 ) such that the semiconductor device ( 12 ) so against the at least one metallization ( 26 ) and the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) is depressible, that the at least one metallization ( 26 ) and the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) are deformable, whereby the semiconductor device ( 12 ) in at least one fastening position with respect to the fixed support structure ( 18 ) can be brought (S2). Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterbauteils (12) an einem Trägermodul (10) mit dem Schritt: Drücken des Halbleiterbauteils (12) gegen mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20), welche auf eine Trägerfläche (22) einer festen Trägerstruktur (18) des Trägermoduls (10) aufgebracht ist, und gegen mindestens eine Metallisierung (26), welche eine von der festen Trägerstruktur (18) abgewandte Kontaktierseite (24) der mindestens einen elastisch oder plastisch verformbaren Masse (20) zumindest teilweise bedeckt, derart, dass die mindestens eine elastisch oder plastisch verformbare Masse (20) und die mindestens eine Metallisierung (26) verformt werden, wodurch das Halbleiterbauteil (12) in mindestens eine Befestigungsstellung in Bezug zu der festen Trägerstruktur (10) gebracht wird (S10).Method for fastening a semiconductor component ( 12 ) on a carrier module ( 10 ) with the step: pressing the semiconductor device ( 12 ) against at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ), which on a support surface ( 22 ) a solid support structure ( 18 ) of the carrier module ( 10 ) is applied, and against at least one metallization ( 26 ), one of the solid support structure ( 18 ) facing away Kontaktierseite ( 24 ) of the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) at least partially covered, such that the at least one elastically or plastically deformable mass ( 20 ) and the at least one metallization ( 26 ), whereby the semiconductor device ( 12 ) in at least one fastening position with respect to the fixed support structure ( 10 ) is brought (S10).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012213566A1 (en) 2012-08-01 2014-02-06 Robert Bosch Gmbh Method for producing a bonding pad for thermocompression bonding and bonding pad

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