DE102014210857A1 - Bauteil mit zwei Halbleiter-Bauelementen, zwischen denen mindestens zwei hermetisch dichte Kavernen mit unterschiedlichen Innendrücken ausgebildet sind, und Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauteils - Google Patents

Bauteil mit zwei Halbleiter-Bauelementen, zwischen denen mindestens zwei hermetisch dichte Kavernen mit unterschiedlichen Innendrücken ausgebildet sind, und Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauteils Download PDF

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Abstract

Zur gezielten Beeinflussung des Innendrucks innerhalb einer Kaverne (2) zwischen zwei Bauelementen (10, 20) eines Bauteils (100) wird vorgeschlagen, ein Gettermaterial (25) oder ein ausgasende Material in einer zusätzlichen Kaverne (3) zwischen den beiden Bauelementen (10, 20) anzuordnen. Nach dem Bondprozess, in dem die beiden Bauelemente (10, 20) miteinander verbunden werden, soll diese zusätzliche Kaverne (3) noch über eine Anschlussöffnung (33) mit der Kavernen (2) verbunden sein. Das Gettermaterial (25) bzw. das ausgasende Material wird dann aktiviert, so dass Gase in der zusätzlichen Kaverne (3) und der angeschlossenen Kaverne (2) gebunden werden bzw. eine Ausgasung erfolgt. Erst wenn sich in der angeschlossenen Kaverne (2) der angestrebte Innendruck eingestellt hat, wird die Anschlussöffnung (33) zu der zusätzlichen Kaverne (2) verschlossen. Auf diese Weise wird das Gettermaterial (25) bzw. das ausgasende Material lediglich zur Einstellung eines definierten Innendrucks verwendet, hat aber im laufenden Betrieb des Bauteils (100) keinen Einfluss mehr auf den Innendruck innerhalb der Kaverne (2).

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Bauteil mit mindestens zwei Halbleiter-Bauelementen, die über mindestens eine strukturierte Verbindungsschicht miteinander verbunden sind, wobei zwischen diesen beiden Bauelementen mindestens zwei hermetisch dicht abgeschlossene Kavernen ausgebildet sind, in denen unterschiedliche definierte Innendrücke herrschen. Zumindest eine dieser Kavernen ist über einen umlaufenden Bondrahmen in der Verbindungsschicht abgeschlossen.
  • Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauteils.
  • Ein wichtiges Anwendungsbeispiel für die hier in Rede stehenden Bauteile sind sogenannte IMUs (Inertial Measurement Units) mit einem MEMS(microelectromechanical system)-Bauelement, das sowohl eine Drehratensensorkomponente als auch eine Beschleunigungssensorkomponente umfasst. Die beiden Sensorkomponenten sind im Schichtaufbau des MEMS-Bauelements ausgebildet und nebeneinander angeordnet. Sie werden mit Hilfe des zweiten Bauelements verkappt, um die Sensorstrukturen zu schützen und definierte Druckverhältnisse für den jeweiligen Sensorbetrieb zu gewährleisten. Da Drehratensensoren und Beschleunigungssensoren üblicherweise bei unterschiedlichen Umgebungsdrücken betrieben werden, ist im zweiten Bauelement für jede Sensorstruktur eine eigene Kappenstrukturen vorgesehen. Bei Drehratensensoren wird ein Teil der Sensorstruktur resonant angetrieben. Um die Dämpfung der Sensorstruktur möglichst gering zu halten, wird im Hohlraum eines Drehratensensorelements ein möglichst niedriger Innendruck von ca. 1mbar eingestellt. Der Drehratensensor kann dann schon mit einer relativ kleinen Anregungsspannung betrieben werden. Im Unterschied dazu soll die Sensorstruktur eines Beschleunigungssensors möglichst nicht zu Schwingungen angeregt werden. Beschleunigungssensoren werden deshalb bei einem deutlich höheren Innendruck von typischerweise 500mbar betrieben.
  • Der Innendruck, der sich innerhalb einer Kaverne zwischen zwei durch Bonden verbundenen Bauelementen einstellt, ist vom Umgebungsdruck abhängig, bei dem der Bondprozess durchgeführt wird. Deshalb erfordert die Realisierung von Kavernen mit unterschiedlichem Innendruck für die einzelnen Sensorkomponenten eines MEMS-Bauelements besondere Maßnahmen, wenn die beiden Sensorkomponenten mit nur einem weiteren Bauelement und in einem einzigen Bondschritt verkappt werden sollen.
  • Mit dieser Problematik beschäftigt sich die US 2012/0326248 A1 . In dieser Druckschrift wird unter anderem vorgeschlagen, eine der zu verbindenden Bauelementoberflächen im Bereich einer Kaverne mit einem Gettermaterial oder einem ausgasenden Material zu versehen, das bei entsprechender Temperaturbehandlung eine definierte Gasmenge bindet bzw. abgibt. Dadurch soll eine gezielte Erniedrigung bzw. Erhöhung des Innendrucks in der Kaverne bewirkt werden.
  • Diese Vorgehensweise ist in mehrerlei Hinsicht problematisch. So hat sich in der Praxis gezeigt, dass sich der Innendruck in einer solchen Kaverne häufig auch noch nach dem Sensorabgleich verändert, da das Gettermaterial nachgettert bzw. das ausgasende Material weiter ausgast. Dies führt letztlich zu einer Verfälschung der Messergebnisse. Aber auch die mikromechanische Sensorfunktion wird häufig durch die Fremdmaterialien in der Kaverne gestört. So treten insbesondere in Getterschichten immer wieder Materialbrüche auf. Dies führt zum Abbrechen von einzelnen Partikeln, die sich in oder an der Sensorstruktur festsetzen und deren Beweglichkeit beeinträchtigen.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Mit der vorliegenden Erfindung wird die bekannte Verwendung von Gettermaterialien und ausgasenden Materialien zur gezielten Beeinflussung des Innendrucks innerhalb einer Kaverne zwischen zwei Bauelementen dahingehend weiterentwickelt, dass diese Materialien lediglich zur Einstellung eines definierten Innendrucks verwendet werden, im laufenden Betrieb des Bauteils aber keinen Einfluss mehr auf den Innendruck innerhalb der Kaverne haben.
  • Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, dass das Gettermaterial bzw. das ausgasende Material in einer zusätzlichen Kaverne zwischen den beiden Bauelementen angeordnet wird, wobei diese zusätzliche Kaverne nach dem Bondprozess noch über eine Anschlussöffnung mit mindestens einer der abzuschließenden Kavernen verbunden ist. Das Gettermaterial bzw. das ausgasende Material wird nach dem Herstellen der Bondverbindung aktiviert, so dass Gase in der zusätzlichen Kaverne und der angeschlossenen Kaverne gebunden werden bzw. eine Ausgasung erfolgt. Erst wenn sich in der angeschlossenen Kaverne der angestrebte Innendruck eingestellt hat, wird die Anschlussöffnung zu der zusätzlichen Kaverne verschlossen, und zwar bevorzugt in einem Laserschweißverfahren.
  • Demnach ist also mindestens eine der Kavernen des erfindungsgemäßen Bauteils über einen umlaufenden Bondrahmen in der Verbindungsschicht zwischen den beiden Bauelementen abgeschlossen, während mindestens eine andere Kaverne des erfindungsgemäßen Bauteils zumindest bereichsweise über eine Schweißverbindung zwischen den beiden Bauelementen abgeschlossen ist.
  • Gemäße dem beanspruchten Herstellungsverfahren wird zusätzlich zu den mindestens zwei Kavernen, die zwischen den beiden Bauelementen eingeschlossen werden sollen, mindestens eine weitere Kaverne vorgesehen, beispielsweise indem in zumindest einer der beiden zu verbindenden Bauelement- bzw. Waferoberflächen eine zusätzliche Kavernenausnehmung erzeugt wird. Zumindest eine der beiden zu verbindenden Oberflächen wird dann im Bereich dieser zusätzlichen Kaverne mit einem Gettermaterial oder einem ausgasenden Material versehen. Außerdem wird die Verbindungsschicht so strukturiert, dass nach dem Bondprozess zumindest eine Kaverne hermetisch dicht abgeschlossen ist und zwischen der zusätzlichen Kaverne und mindestens einer weiteren abzuschließenden Kavernen mindestens eine Anschlussöffnung als Druckverbindung besteht. Nach dem Herstellen der Bondverbindung wird das Gettermaterial bzw. das ausgasende Material aktiviert, so dass Gase in der zusätzlichen Kaverne und der angeschlossenen Kaverne gebunden werden bzw. eine Ausgasung erfolgt. Erst wenn sich in der angeschlossenen Kaverne der angestrebte Innendruck eingestellt hat, wird die Anschlussöffnung verschlossen.
  • Diese erfindungsgemäße Vorgehensweise ermöglicht die Realisierung von mehreren hermetisch dicht zwischen zwei Bauelementen eingeschlossenen Kavernen mit unterschiedlichen definierten Innendrücken. Der Innendruck, der sich nach dem Bondprozess zum Verbinden der beiden Bauelemente innerhalb der Kavernen eingestellt hat, wird in mindestens einer der Kavernen mit Hilfe eines Gettermaterials oder eines ausgasenden Materials definiert erniedrigt bzw. erhöht, wobei dieses Material aber nicht in der Kaverne selbst angeordnet ist, sondern in einer zusätzlichen Kaverne. Diese ist über eine Anschlussöffnung an die zu beeinflussende Kaverne angebunden. Der so eingestellte Innendruck wird dann „eingefroren“, indem die zusätzliche Kaverne mit dem Gettermaterial bzw. dem ausgasenden Material abgekoppelt wird. Dazu wird die Anschlussöffnung verschlossen. Auf diese Weise wird nicht nur verhindert, dass sich der Innendruck in einer Kaverne durch unkontrolliertes Nachgettern oder Ausgasen nachträglich verändert, sondern auch, dass Partikel des Fremdmaterials, d.h. des Gettermaterials oder des ausgasenden Materials, die Bauteilfunktionen beeinträchtigen.
  • Wie bereits erwähnt, wird die Anschlussöffnung bevorzugt in einem Laserschweißverfahren mit einem Infrarotlaser verschlossen. Da Halbleitermaterialien, wie z.B. Silizium, für Licht im Infrarotbereich transparent sind, kann ein Infrarot-Laserstrahl einfach durch das Halbleitermaterial hindurch im Bereich der Verbindungsfläche zwischen den beiden Halbleiter-Bauelementen fokussiert werden. Dadurch kann das Halbleitermaterial an dieser Stelle angeschmolzen werden, aber auch eine metallische Beschichtung der Bauelementoberfläche. Damit kann die hermetisch dichte Schweißverbindung also zwischen den Halbleitermaterialien der beiden zu verbindenden Bauelementoberflächen hergestellt werden oder auch zwischen dem Halbleitermaterial der einen zu verbindenden Bauelementoberfläche und einer metallischen Beschichtung auf der anderen Bauelementoberfläche. Wenn die beiden Bauelemente durch eutektisches Bonden miteinander verbunden werden, kann einfach eine der beiden Bondschichten als metallische Beschichtung für das Laserschweißen verwendet werden. Dazu müssen die beiden Bondschichten lediglich im Bereich der Anschlussöffnung in geeigneter Weise strukturiert werden.
  • In der Regel sind in der Oberfläche des einen Bauelements mikromechanische Strukturen und/oder elektronische Schaltungselemente ausgebildet, die verkappt werden sollen. Dazu wird die Oberfläche des anderen Bauteils oftmals strukturiert, um Kappenausnehmungen für die einzelnen Funktionselemente auszubilden. Vorteilhafterweise wird dabei auch einfach mindestens eine Vertiefung als zusätzliche Kavernenausnehmung erzeugt. Diese kann eine andere Tiefe haben als die Kavernenausnehmungen. Wenn das Gettermaterial bzw. das ausgasende Material auf die strukturierte Kappenunterseite aufgebracht werden soll, erweist es sich als vorteilhaft, die Vertiefung für die zusätzliche Kaverne nicht zu tief auszubilden, da das Material dann mit Standardverfahren abgeschieden und strukturiert werden kann.
  • Je nach Anordnung kann die zusätzliche hermetisch dicht abgeschlossene Kaverne mit dem Gettermaterial im Aufbau des erfindungsgemäßen Bauteils verbleiben oder auch aus dem Aufbau herausgelöst werden. In der Regel werden solche Bauteile nämlich im Waferverbund hergestellt. Dazu werden die beiden Bauelemente jeweils im Waferverbund gefertigt, die Bondverbindung zwischen den beiden Bauelementen wird im Waferverbund erzeugt und auch das nachträgliche Verschließen der Anschlussöffnung erfolgt im Waferverbund. Wenn die mindestens eine zusätzliche Kaverne im Randbereich des Bauteils angeordnet wird, kann sie beim Vereinzeln des Bauteils einfach abgetrennt werden. Dies erweist sich insbesondere im Hinblick auf eine möglichst weitgehende Miniaturisierung der Bauteile als besonders vorteilhaft, da so keine Chipfläche für die zusätzliche Kaverne vorgehalten werden muss.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Wie bereits voranstehend erörtert, gibt es verschiedene Möglichkeiten, die vorliegende Erfindung in vorteilhafter Weise auszugestalten und weiterzubilden. Dazu wird einerseits auf die den unabhängigen Patentansprüchen nachgeordneten Patentansprüche verwiesen und andererseits auf die nachfolgende Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand der Figuren.
  • 1a zeigt eine schematische Schnittdarstellungen des MEMS-Bauelements 10 und des Kappen-Bauelements 20 eines erfindungsgemäßen Bauteils 100 nach dem Bondschritt und
  • 1b zeigt eine schematische Schnittdarstellungen dieses Bauteils 100 beim Laserschweißen zum Verschluss der Anschlussöffnung.
  • Ausführungsbeispiel der Erfindung
  • Die 1a und 1b veranschaulichen das erfindungsgemäße Verbindungskonzept, mit dem sich mehrere Kavernen mit unterschiedlichen definierten Innendrücken zwischen zwei Bauelementen eines Bauteils hermetisch dicht abschließen lassen.
  • Das in den 1a und 1b dargestellte Bauteil 100 umfasst ein MEMS-Bauelement 10, in dessen Schichtaufbau zwei voneinander unabhängige mikromechanische Strukturen 11 und 12 ausgebildet sind. Dabei kann es sich beispielsweise um Sensorstrukturen, wie eine Beschleunigungssensorstruktur und eines Drehratensensorstruktur, handeln oder auch um mikromechanische Aktorstrukturen. Die beiden mikromechanischen Strukturen 11 und 12 sind jedenfalls nebeneinander angeordnet und durch eine Rahmenstruktur 13 im Schichtaufbau auch räumlich voneinander getrennt. Auf dem Schichtaufbau des MEMS-Bauelements 10 ist ein zweites Bauelement 20 montiert, das als Kappe für beide mikromechanische Strukturen 11 und 12 fungiert. Dazu sind in der Kappenunterseite zwei Kappenausnehmungen 21 und 22 ausgebildet, die entsprechend den mikromechanischen Strukturen 11 und 12 des MEMS-Bauelements 10 dimensioniert und angeordnet sind. Zwischen diesen beiden Kappenausnehmungen 21 und 22 befindet sich eine weitere zusätzliche Vertiefung 23 auf der Kappenunterseite, in der hier ein Gettermaterial 25 abgeschieden wurde. Die Vertiefung mit diesem Gettermaterial 25 ist über der MEMS-Rahmenstruktur 13 positioniert ist. Angemerkt sei hier, dass an Stelle des Gettermaterials auch ein ausgasendes Material in der Vertiefung 23 angeordnet werden könnte.
  • 1a zeigt das Bauteil 100, nachdem das Kappen-Bauelement 20 in einem Bondprozess auf der strukturierten Oberfläche des MEMS-Bauelements 10 montiert worden ist. Die Verbindung zwischen dem MEMS-Bauelement 10 und dem Kappen-Bauelement 20 wurde im hier dargestellten Ausführungsbeispiel über eine Verbindungsschicht 30, beispielsweise aus Glaslot, hergestellt. Aus dieser Verbindungsschicht 30 wurde eine Bondrahmenstruktur herausstrukturiert, die einen umlaufend geschlossenen Bondrahmen 31 für die mikromechanische Struktur 11 und die Kavernenausnehmung 21 umfasst und die entsprechende Kaverne 1 zwischen dem MEMS-Bauelement 10 und dem Kappenbauelement 20 hermetisch dicht abschließt. Die Bondrahmenstruktur umfasst auch einen Bondrahmen 32 für die mikromechanische Struktur 12 und die Kavernenausnehmung 22, der allerdings nicht umlaufend geschlossen ist. Deshalb besteht eine Druckverbindung zwischen der entsprechenden Kaverne 2 und einer weiteren Kaverne 3, die zwischen der MEMS-Rahmenstruktur 13 und der Kappen-Vertiefung 23 eingeschlossen ist. Insgesamt ist die Bondrahmenstruktur so ausgelegt, dass die Kavernen 2 und 3 zusammen hermetisch dicht abgeschlossen sind und nur über eine Anschlussöffnung 33 in der Bondrahmenstruktur miteinander verbunden sind. Diese Anschlussöffnung 33 muss eine Druckverbindung zwischen den beiden Kavernen 2 und 3 gewährleisten. Dazu kann sie punktförmig sein oder sie kann sich auch über eine größere Fläche erstrecken. Zudem können auch mehrere Anschlussöffnungen vorgesehen sein. Die Bondverbindung zwischen den beiden Bauelementen 10 und 20 kann alternativ auch durch eutektisches, Thermokompressions- oder ein beliebiges anderes Bondverfahren hergestellt werden. In diesem Fall werden beide zu verbindenden Bauelementoberflächen mit strukturierten Bondschichten versehen, die dann während des Bondprozesses eine eutektische Verbindung eingehen.
  • Der in der Kaverne 1 herrschende Innendruck p0 entspricht im Wesentlichen dem Umgebungsdruck, der für den Bondprozess gewählt wurde. In den Kavernen 2 und 3 herrscht ein deutlich niedrigerer Innendruck p1. Dies ist darauf zurückzuführen, dass das Gettermaterial 25 nach dem Herstellen der Bondverbindung aktiviert wurde, so dass es eine definierte Gasmenge innerhalb der Kavernen 2 und 3 gebunden hat. Dazu wurde das Gettermaterial 25 gezielt erhitzt, beispielsweise mit Hilfe eines Infrarotlasers. Der Einsatz eines Infrarotlasers ermöglicht eine lokal begrenzte Erhitzung des Bauteils 100 lediglich im Bereich des Gettermaterials, so dass hitzeempfindliche Bauteilkomponenten, wie z.B. Schaltungskomponenten oder die organische Beschichtung einer mikromechanischen Struktur geschont werden.
  • Nachdem sich der angestrebte Innendruck p1 in den beiden Kavernen 2 und 3 eingestellt hat, wird die Kaverne 3 mit dem Gettermaterial 25 von der Kaverne 2 abgetrennt, indem die Anschlussöffnung 33 verschlossen wird. Dies ist in 1b dargestellt. Der Verschluss 35 wird hier mit Hilfe eines Infrarotlasers 40 durch Schweißen erzeugt. Dazu wird der Infrarotlaserstrahl durch das Halbleitermaterial des Kappen-Bauelements 20 auf den Bereich der Anschlussöffnung 33 fokussiert. Dadurch wird das Halbleitermaterial der beiden Bauelementoberflächen in diesem Bereich lokal begrenzt so weit aufgeschmolzen, dass es sich verbindet und die beiden Kavernen 2 und 3 getrennt voneinander hermetisch dicht abgeschlossen werden. In beiden Kavernen 2 und 3 herrscht jetzt der Innendruck p1. Da die Kaverne 2 frei von Gettermaterial ist, kann sich der Innendruck p1 hier auch nicht mehr durch Nachgettern oder unkontrolliertes Ausgasen verändern.
  • Das voranstehend beschriebene Ausführungsbeispiel veranschaulicht, dass der Druck innerhalb einer Kaverne, die in einem Bondprozess zwischen zwei Bauteilen hermetisch dicht abgeschlossen wird, zum einen vom Umgebungsdruck während des Bondprozesses abhängt, zum anderen aber auch davon, ob ein Gettermaterial oder ein ausgasendes Material mit in die Kaverne eingeschlossen wird. Dabei hängt die Menge des gebundenen bzw. freigesetzten Gases von der Größe der absorbierenden oder ausgasenden Oberfläche ab und ist eine Funktion der Temperatur. Demnach kann der Innendruck in einer Kaverne durch die Wahl des Gettermaterials bzw. des ausgasenden Materials, die Größe der absorbierenden bzw. ausgasenden Oberfläche und den Temperaturverlauf nach Abschluss der Kaverne beeinflusst werden, wobei auch das Kavernenvolumen berücksichtigt werden muss. Auf diese Weise kann der Innendruck jeder einzelnen Kaverne individuell eingestellt werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2012/0326248 A1 [0005]

Claims (10)

  1. Bauteil (100) mit mindestens zwei Halbleiter-Bauelementen(10, 20), die über mindestens eine strukturierte Verbindungsschicht (30) miteinander verbunden sind, wobei zwischen diesen beiden Bauelementen (10, 20) mindestens zwei hermetisch dicht abgeschlossene Kavernen (1, 2) ausgebildet sind, in denen unterschiedliche definierte Innendrücke herrschen, wobei mindestens eine der Kavernen (1) über einen umlaufenden Bondrahmen (31) in der Verbindungsschicht (30) abgeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine andere Kaverne (2) zumindest bereichsweise über eine Schweißverbindung (35) zwischen den beiden Bauelementen (10, 20) abgeschlossen ist.
  2. Bauteil (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an der Schweißverbindung (35) das Halbleitermaterial mindestens eines der beiden Bauelemente (10, 20) beteiligt ist.
  3. Bauteil einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass an der Schweißverbindung eine metallische Beschichtung mindestens eines der beiden Bauelemente beteiligt ist.
  4. Bauteil (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schweißverbindung (35) eine Anschlussöffnung (33) zu einer zusätzlichen hermetisch dicht abgeschlossenen Kavernen (3) zwischen den beiden Bauelementen (10, 20) verschließt und dass in dieser zusätzlichen Kaverne (3) ein Gettermaterial (25) oder ein ausgasendes Material angeordnet ist.
  5. Verfahren zum Herstellen eines Bauteils (100) mit mindestens zwei Halbleiter-Bauelementen(10, 20), die so miteinander verbunden sind, dass zwischen diesen beiden Bauelementen (10, 20) mindestens zwei hermetisch dicht abgeschlossene Kavernen (1, 2) ausgebildet sind, in denen unterschiedliche definierte Innendrücke herrschen, • bei dem zumindest eine der beiden zu verbindenden Bauelementoberflächen mit mindestens einer strukturierten Verbindungsschicht (30) versehen wird, und • bei dem dann über die strukturierte Verbindungsschicht (30) eine Bondverbindung zwischen den beiden Bauelementen (10, 20) hergestellt wird, wobei zumindest eine der beiden Kavernen (1, 2) bei einem vorgegebenen Umgebungsdruck hermetisch dicht abgeschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, • dass mindestens eine zusätzliche Kaverne (3) vorgesehen wird und mindestens eine der beiden zu verbindenden Oberflächen im Bereich dieser zusätzlichen Kaverne (3) mit einem Gettermaterial (25) oder einem ausgasenden Material versehen wird, • dass zumindest die Verbindungsschicht (30) so strukturiert wird, dass nach dem Bondprozess zwischen dieser zusätzlichen Kaverne (3) und mindestens einer Kaverne (2) mindestens eine Anschlussöffnung (33) als Druckverbindung besteht, • dass das Gettermaterial (25) oder das ausgasende Material nach dem Herstellen der Bondverbindung aktiviert wird, so dass Gase in der zusätzlichen Kaverne (3) und der angeschlossenen Kaverne (2) gebunden werden bzw. eine Ausgasung erfolgt, und • dass die Anschlussöffnung (33) dann nachträglich verschlossen wird, wenn sich in der angeschlossenen Kaverne (2) der angestrebte Innendruck eingestellt hat.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussöffnung (33) in einem Laserschweißverfahren verschlossen wird, insbesondere mit Hilfe eines Infrarotlasers (40).
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Laserschweißverfahren eine hermetisch dichte Schweißverbindung (35) zwischen den Halbleitermaterialien der beiden zu verbindenden Bauelementoberflächen hergestellt wird, indem diese angeschmolzen werden.
  8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine eutektische Bondverbindung zwischen den beiden Bauelementen hergestellt wird und dazu auf beide zu verbindenden Bauelementoberflächen jeweils mindestens eine Bondschicht aufgebracht und strukturiert wird, und dass bei dem Laserschweißverfahren eine hermetisch dichte Schweißverbindung zwischen dem Halbleitermaterial der einen zu verbindenden Bauelementoberfläche und dem Bondmaterial auf der anderen Bauelementoberfläche hergestellt wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der beiden zu verbindenden Oberflächen strukturiert wird, um Ausnehmungen (21, 22, 23) für die mindestens zwei Kavernen (1, 2) und/oder die mindestens eine zusätzliche Kaverne (3) zu erzeugen.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die beiden Bauelemente jeweils im Waferverbund gefertigt werden, die Bondverbindung zwischen den beiden Bauelementen im Waferverbund erzeugt wird und auch das nachträgliche Verschließen der Anschlussöffnung im Waferverbund erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine zusätzliche Kaverne im Randbereich des Bauteils angeordnet wird, so dass sie beim Vereinzeln des Bauteils abgetrennt wird.
DE102014210857.8A 2014-06-06 2014-06-06 Bauteil mit zwei Halbleiter-Bauelementen, zwischen denen mindestens zwei hermetisch dichte Kavernen mit unterschiedlichen Innendrücken ausgebildet sind, und Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauteils Withdrawn DE102014210857A1 (de)

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