DE102014205001A1 - Process for the preparation of trichlorosilane - Google Patents
Process for the preparation of trichlorosilane Download PDFInfo
- Publication number
- DE102014205001A1 DE102014205001A1 DE102014205001.4A DE102014205001A DE102014205001A1 DE 102014205001 A1 DE102014205001 A1 DE 102014205001A1 DE 102014205001 A DE102014205001 A DE 102014205001A DE 102014205001 A1 DE102014205001 A1 DE 102014205001A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- hydrogen
- ppmw
- reaction
- vol
- equal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von TCS durch Umsetzung eines Eduktgases enthaltend STC und Wasserstoff bei einer Temperatur von größer oder gleich 900° C, wobei ein Produktgas enthaltend TC S entsteht, dadurch gekennzeichnet, dass während der Umsetzung wenigstens eine kohlenstoffhaltige Verbindung im Eduktgas vorhanden ist, wobei ein Volumenanteil der kohlenstoffhaltigen Verbindungen bezogen auf einen Normvolumenstrom an Wasserstoff 10 vol.-ppm bis 10 vol.-% beträgt, wobei nach Kondensation von Silananteilen im Produktgas gegenüber einer Umsetzung des Eduktgases enthaltend STC und Wasserstoff ohne Zugabe einer kohlenstoffhaltigen Verbindung zum Eduktgas maximal 200 ppmw an zusätzlichen Organochlorsilanen im erhaltenen Produktgemisch enthalten sind.The invention relates to a process for the preparation of TCS by reacting a reactant gas containing STC and hydrogen at a temperature of greater than or equal to 900 ° C, wherein a product gas containing TC S is formed, characterized in that during the reaction at least one carbon-containing compound present in the educt gas is, wherein a volume fraction of the carbonaceous compounds based on a standard volume flow of hydrogen 10 vol.-ppm to 10 vol .-%, wherein after condensation of silane in the product gas over a reaction of the educt gas containing STC and hydrogen without addition of a carbon-containing compound to the educt gas a maximum of 200 ppmw of additional organochlorosilanes are contained in the resulting product mixture.
Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan. The invention relates to a process for the preparation of trichlorosilane.
Trichlorsilan (TCS) wird zur Herstellung von polykristallinem Silicium verwendet. Trichlorosilane (TCS) is used to make polycrystalline silicon.
Die Herstellung von TCS erfolgt üblicherweise in einem Wirbelbettverfahren aus metallurgischem Silicium und Chlorwasserstoff. Um hochreines TCS zu erzeugen, erfolgt anschließend eine Destillation. Dabei fällt als Nebenprodukt auch Siliciumtetrachlorid (STC) an. The production of TCS is usually carried out in a fluidized bed process of metallurgical silicon and hydrogen chloride. In order to produce high-purity TCS, followed by a distillation. As a by-product, silicon tetrachloride (STC) is also produced.
Die größte Menge an STC fällt bei der Abscheidung von polykristallinem Silicium an. The largest amount of STC occurs in the deposition of polycrystalline silicon.
Polykristallines Silicium wird beispielweise mittels des Siemens-Prozesses erzeugt. Dabei wird polykristallines Silicium in einem Reaktor an erhitzten Dünnstäben abgeschieden. Als Prozessgas wird als Silicium enthaltende Komponente ein Halogensilan wie TCS in Anwesenheit von Wasserstoff verwendet. Bei der Umsetzung von TCS (Disproportionierung) in abgeschiedenes Silicium entstehen große Mengen an STC. Polycrystalline silicon is produced, for example, by means of the Siemens process. This polycrystalline silicon is deposited in a reactor on heated thin rods. As the process gas, the silicon-containing component used is a halosilane such as TCS in the presence of hydrogen. The conversion of TCS (disproportionation) into deposited silicon produces large amounts of STC.
Aus STC kann beispielsweise durch Reaktion mit Wasserstoff und Sauerstoff bei hohen Temperaturen in Brennkammern hoch disperse Kieselsäure produziert werden. From STC, for example, by reaction with hydrogen and oxygen at high temperatures in combustion chambers highly disperse silica can be produced.
Die wirtschaftlich interessanteste Verwendung von STC ist jedoch die Konvertierung zu TCS. Diese erfolgt durch Reaktion von STC mit Wasserstoff in TCS und Chlorwasserstoff. Dadurch ist es möglich, aus dem bei der Abscheidung entstehenden Nebenprodukt STC wieder TCS zu erzeugen und jenes TCS wieder dem Abscheideprozess zuzuführen, um elementares Silicium zu erzeugen. However, the most economically interesting use of STC is the conversion to TCS. This is done by reaction of STC with hydrogen in TCS and hydrogen chloride. This makes it possible to generate again TCS from the by-product STC formed during the deposition and to recycle that TCS to the deposition process in order to produce elemental silicon.
Es sind zwei Verfahren zur Konvertierung bekannt: Das erste Verfahren, die sogenannte Niedertemperaturkonvertierung, wird in Anwesenheit eines oder mehrerer Katalysatoren durchgeführt. Allerdings kann die Anwesenheit von Katalysatoren (z.B. Cu) die Reinheit des TCS und damit des daraus abgeschiedenen Siliciums negativ beeinflussen. Ein zweites Verfahren, die sogenannte Hochtemperaturkonvertierung, ist ein endothermer Prozess, wobei die Bildung der Produkte gleichgewichtslimitiert ist. There are two methods of conversion known: The first method, the so-called low-temperature conversion, is carried out in the presence of one or more catalysts. However, the presence of catalysts (e.g., Cu) can adversely affect the purity of the TCS and hence the silicon deposited therefrom. A second method, the so-called high-temperature conversion, is an endothermic process with the formation of products being equilibrium-limited.
Um überhaupt zu einer signifikanten TCS-Erzeugung zu gelangen, müssen im Reaktor sehr hohe Temperaturen angewendet werden (≥ 900° C). In order to achieve significant TCS production at all, very high temperatures must be used in the reactor (≥ 900 ° C).
So beschreibt
Für diese Hochtemperaturverfahren wurde zunächst vor allem Graphit als Konstruktionswerkstoff eingesetzt, aufgrund der vorteilhaften mechanischen und chemischen Eigenschaften. For these high-temperature processes, graphite was first used as the construction material because of its advantageous mechanical and chemical properties.
Allerdings zeigte
Auch
In
Auch
SiC beschichtete kohlenstoffbasierte Materialien haben allerdings den Nachteil, dass mit der Zeit Wasserstoff und/oder Chlorsilane die SiC-Schicht durchdringen und zur Schädigung des Graphits bzw. der kohlenstoffbasierten Konstruktionsmaterialien führen können. However, SiC-coated carbon-based materials have the disadvantage that, over time, hydrogen and / or chlorosilanes can penetrate the SiC layer and lead to damage to the graphite or the carbon-based construction materials.
Daher werden in
In
In
Im Stand der Technik ist bekannt, dass bei einer Hydrierung von Chlorsilanen bei hohen Reaktortemperaturen, bei denen mit einem chemischen Angriff der Reaktionsgase (z.B. TCS, HCl, H2, STC) zu rechnen ist, keramische Materialien oder Graphit, ggf. mit SiC beschichtet, Quarzglas oder SiC eingesetzt werden sollten. It is known in the prior art that in the case of hydrogenation of chlorosilanes at high reactor temperatures at which a chemical attack of the reaction gases (eg TCS, HCl, H 2, STC) is to be expected, ceramic materials or graphite, optionally coated with SiC, Quartz glass or SiC should be used.
Jedoch unterliegen auch diese Materialien bei Temperaturen ab 900° C, bei welchen die Konvertierung mit besonders hohen Ausbeuten verläuft, der Korrosion, wodurch die Standzeiten der Reaktoren stark reduziert werden. However, these materials are subject to corrosion at temperatures above 900 ° C, in which the conversion proceeds with very high yields, which greatly reduces the service life of the reactors.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung von TCS mittels thermischer Hydrierung eines Eduktgases enthaltend STC zur Verfügung zu stellen, welches eine hohe TCS-Ausbeute mit einer im Vergleich zum Stand der Technik erhöhten Wirtschaftlichkeit ermöglicht, indem gleichzeitig die Korrosion des Reaktormaterials vermindert wird. The object of the present invention is to provide a process for the production of TCS by means of thermal hydrogenation of a reactant gas containing STC, which enables a high yield of TCS with an increased cost-efficiency compared to the prior art, by simultaneously reducing the corrosion of the reactor material becomes.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung von TCS durch Umsetzung eines Eduktgases enthaltend STC und Wasserstoff bei einer Temperatur von größer oder gleich 900° C, wobei ein Produktg as enthaltend TCS entsteht, dadurch gekennzeichnet, dass während der Umsetzung wenigstens eine kohlenstoffhaltige Verbindung im Eduktgas vorhanden ist, wobei ein Volumenanteil der kohlenstoffhaltigen Verbindungen bezogen auf einen Normvolumenstrom an Wasserstoff 10 vol.-ppm bis 10 vol.-% beträgt, wobei nach Kondensation von Silananteilen im Produktgas gegenüber einer Umsetzung des Eduktgases enthaltend STC und Wasserstoff ohne Zugabe einer kohlenstoffhaltigen Verbindung zum Eduktgas maximal 200 ppmw an zusätzlichen Organochlorsilanen im erhaltenen Produktgemisch enthalten sind. The object is achieved by a method for the production of TCS by reacting a reactant gas comprising STC and hydrogen at a temperature of greater than or equal to 900 ° C, wherein a Produktg as containing TCS arises, characterized in that during the reaction at least one carbon-containing compound in the Reactant gas is present, wherein a volume fraction of the carbonaceous compounds based on a standard volume flow of hydrogen 10 vol.-ppm to 10 vol .-%, wherein after condensation of silane in the product gas over a reaction of the educt gas containing STC and hydrogen without the addition of a carbonaceous compound to the reactant gas a maximum of 200 ppmw of additional organochlorosilanes are contained in the resulting product mixture.
Bei der Umsetzung ergibt sich ein Produktgas enthaltend TCS, Organohalogensilane, nicht umgesetzte STC und Wasserstoff sowie HCl. Bei der Kondensation werden Silananteile und Wasserstoff / HCl getrennt. Es ergibt sich ein Kondensat enthaltend Chlorsilane und Organochlorsilane, wobei gegenüber einer Umsetzung des Eduktgases enthaltend STC und Wasserstoff ohne Zugabe einer kohlenstoffhaltigen Verbindung zum Eduktgas maximal 200 ppmw an zusätzlichen Organochlorsilanen im Produktgemisch (Kondensat) enthalten sind. The reaction results in a product gas containing TCS, organohalosilanes, unreacted STC and hydrogen, as well as HCl. In the condensation, silane components and hydrogen / HCl are separated. The result is a condensate containing chlorosilanes and organochlorosilanes, wherein compared to a reaction of the educt gas containing STC and hydrogen without addition of a carbon-containing compound to the educt gas a maximum of 200 ppmw of additional organochlorosilanes in the product mixture (condensate) are included.
Die Erfindung sieht eine Konvertierung von STC bei einer hohen Temperatur vor, bei der ein definierter Volumenanteil an einer kohlenstoffhaltigen Verbindung vorliegt. The invention provides for a conversion of STC at a high temperature at which there is a defined volume fraction of a carbon-containing compound.
Die kohlenstoffhaltige Verbindung kann gasförmig sein. Bevorzugt wird eine kohlenstoffhaltige Verbindung verwendet, welche bei Temperaturen von ≤ 200° C im gasförmigen Aggregatzustand vorliegt. Es kann sich aber auch um Kohlenstoff in feinverteilter partikulärer Form z.B. um Kohlenstoffnanopartikel handeln. Auch ist es bevorzugt Kohlenstoff sowohl in gasförmiger als auch in Partikelform zuzugeben. The carbonaceous compound may be gaseous. Preference is given to using a carbon-containing compound which is present at temperatures of ≦ 200 ° C. in the gaseous state of matter. However, it may also be carbon in finely divided particulate form, e.g. to act on carbon nanoparticles. It is also preferable to add carbon both in gaseous and in particulate form.
Wesentlich für das Gelingen der Erfindung ist es, den Anteil kohlenstoffhaltiger Verunreinigungen im Kondensat nicht signifikant zu erhöhen. Daher werden bevorzugt solche kohlenstoffhaltigen Verbindungen eingesetzt, welche nicht zur Bildung neuer Verunreinigungen im Produkt führen (sondern bereits im Produktgemisch ohne Zusätze enthalten wären) und besonders bevorzugt solche, welche sich leicht wieder vom Zielprodukt abtrennen lassen. Essential for the success of the invention is not to increase the proportion of carbonaceous impurities in the condensate significantly. Therefore, it is preferred to use those carbon-containing compounds which do not lead to the formation of new impurities in the product (but would already be present in the product mixture without additives), and particularly preferably those which can easily be separated again from the target product.
Vorzugweise wird die wenigstens eine kohlenstoffhaltige Verbindung ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus lineare, verzweigte und zyklische Alkane und Organochlorsilane. Preferably, the at least one carbon-containing compound is selected from the group consisting of linear, branched and cyclic alkanes and organochlorosilanes.
Besonders bevorzugt ist der Einsatz von linearen Alkanen oder OCS. Particularly preferred is the use of linear alkanes or OCS.
Eine bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens sieht vor, dass die kohlenstoffhaltige Verbindung MTCS oder MDCS enthält. A preferred embodiment of the method provides that the carbon-containing compound contains MTCS or MDCS.
Ganz besonders bevorzugt ist der Einsatz von Methan. Very particularly preferred is the use of methane.
Weiterhin ist es bevorzugt, Methan und ein Organochlorsilan einsusetzen. Furthermore, it is preferred to use methane and an organochlorosilane.
Der Volumenanteil der kohlenstoffhaltige Verbindungen (bezogen auf den Normvolumenstrom an Wasserstoff) von 10 vol.-ppm bis 10 vol.-%, bevorzugt 50 vol.-ppm bis 5 vol.-%, besonders bevorzugt von 100 vol.-ppm bis 1 vol.-% (= 10000 vol.-ppm). Ganz besonders bevorzugt ist ein Volumenanteil von 500 vol.-ppm–7500 vol.-ppm. The volume fraction of the carbonaceous compounds (based on the standard volume flow of hydrogen) from 10 vol. Ppm to 10 vol.%, Preferably 50 vol. Ppm to 5 vol.%, Particularly preferably from 100 vol. Ppm to 1 vol % (= 10000 vol. Ppm). Very particular preference is given to a volume fraction of 500 ppm by volume to 7500 ppm by volume.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beträgt der Massenanteil von Kohlenstoff bezogen auf den Massenstrom an Wasserstoff und kohlenstoffhaltiger Verbindung (gemeint ist hier der Summenmassenstrom aus Wasserstoff und der kohlenstoffhaltigen Verbindung) 60 bis 350.000 ppmw. Vorzugweise beträgt der Massenanteil von Kohlenstoff bezogen auf den Massenstrom an Wasserstoff und kohlenstoffhaltiger Verbindung 300 bis 220.000 ppmw, besonders bevorzugt 600 bis 56.000 ppmw und ganz besonders bevorzugt 3000–42.500 ppmw (ppmw = part per million by weight). In a preferred embodiment of the invention, the mass fraction of carbon based on the mass flow of hydrogen and carbon-containing compound (meaning here the total mass flow of hydrogen and the carbon-containing compound) is 60 to 350,000 ppmw. Preferably, the mass fraction of carbon based on the mass flow of hydrogen and carbonaceous compound is 300 to 220,000 ppmw, more preferably 600 to 56,000 ppmw and most preferably 3000-42,500 ppmw (ppmw = part per million by weight).
Vorzugweise sind im Produktgemisch im Vergleich zu dem bei einer Umsetzung von STC und Wasserstoff, bei der keine zusätzlichen kohlenstoffhaltigen Verbindungen zugeführt werden, entstehenden Produktgemisch weniger als 50 ppmw, besonders bevorzugt weniger als 10 ppmw an zusätzlichen Organochlorsilanen enthalten. Preferably, in the product mixture in comparison to the resulting in a reaction of STC and hydrogen, in which no additional carbonaceous compounds are supplied, resulting product mixture contains less than 50 ppmw, more preferably less than 10 ppmw of additional organochlorosilanes.
Vorzugweise enthält das bei der erfindungsgemäßen Umsetzung und Kondensation der Silananteile entstehende Produktgemisch maximal 500 ppmw, bevorzugt 200 ppmw, besonders bevorzugt maximal 100 ppmw, ganz besonders bevorzugt maximal 50 ppmw an Organochlorsilanen. Preferably, the product mixture formed during the reaction and condensation of the silane components according to the invention contains a maximum of 500 ppmw, preferably 200 ppmw, more preferably at most 100 ppmw, most preferably at most 50 ppmw of organochlorosilanes.
In einer bevorzugten Ausführungsform erfolgt das Verfahren in einer Vorrichtung, welche komplett aus SiC oder SiC-beschichteten Materialien oder SiC-Verbundmaterialien besteht. Besonders bevorzugt wird eine Vorrichtung komplett aus SiC eingesetzt. In a preferred embodiment, the process takes place in a device which consists entirely of SiC or SiC-coated materials or SiC composite materials. Particularly preferred is a device made entirely of SiC.
Vorzugweise sieht die Vorrichtung einen Wärmetauscher vor, der Eduktgas nach dem Gegenstromprinzip durch Produktgas erwärmt. Zudem sieht die Vorrichtung vorzugweise einen Reaktor mit einer Reaktionszone vor, in der Eduktgas enthaltend STC, Wasserstoff und die kohlenstoffhaltige Verbindung eingebracht wird, wobei die Reaktionszone durch eine außerhalb der Reaktionszone befindliche Heizung erwärmt wird. Reaktor und Wärmetauscher bilden vorzugweise ein einzelnes, gasdichtes Werkstück, wobei das Werkstück aus einem oder mehreren keramischen Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, Graphit, mit SiC beschichtetem Graphit und Quarzglas besteht. Preferably, the device provides a heat exchanger, the reactant gas heated by the countercurrent principle by product gas. In addition, the apparatus preferably provides a reactor having a reaction zone in which reactant gas containing STC, hydrogen and the carbonaceous compound is introduced, the reaction zone being heated by a heater located outside the reaction zone. The reactor and heat exchanger preferably form a single, gas-tight workpiece, wherein the workpiece consists of one or more ceramic materials selected from the group consisting of silicon carbide, silicon nitride, graphite, coated with SiC graphite and quartz glass.
Die Vorrichtung umfasst vorzugweise Kanäle oder Kapillaren, wobei in einem Teil der Kapillaren oder Kanäle nur Produktgas und in dem anderen Teil nur Eduktgas fließt. Die Kapillaren können auch in Form eines Rohrbündelwärmetauschers angeordnet werden. In diesem Fall fließt ein Gasstrom durch die Rohre (Kapillaren), während der andere Gasstrom um die Rohre fließt. The device preferably comprises channels or capillaries, with only product gas flowing in one part of the capillaries or channels and only educt gas in the other part. The capillaries can also be arranged in the form of a shell-and-tube heat exchanger. In this case, one gas flow flows through the tubes (capillaries) while the other gas flow flows around the tubes.
Vorzugweise hat das Gas in der Reaktionszone (unter der Reaktionszone ist derjenige Bereich zu verstehen, in welchem die Temperatur konstant ist (+–50 ° C) eine kurze hydrodynamische Verweildauer größer oder gleich 0,1 ms und kleiner oder gleich 250 ms, bevorzugt größer oder gleich 0,2 ms und kleiner oder gleich 100 ms, besonders bevorzugt größer oder gleich 0,3 ms und kleiner oder gleich 10 ms, ganz besonders bevorzugt größer oder gleich 0,4 ms und kleiner oder gleich 2 ms beträgt. Preferably, the gas in the reaction zone (under the reaction zone is the region in which the temperature is constant (+ -50 ° C) a short hydrodynamic residence time greater than or equal to 0.1 ms and less than or equal to 250 ms, preferably greater or equal to 0.2 ms and less than or equal to 100 ms, more preferably greater than or equal to 0.3 ms and less than or equal to 10 ms, very particularly preferably greater than or equal to 0.4 ms and less than or equal to 2 ms.
Es ist vorteilhaft, wenn das entstehende Produktgas enthaltend TCS abgekühlt wird, unter der Maßgabe, dass innerhalb von 0,1–35 ms auf eine Temperatur von 700–900° Cabgekühlt wird. It is advantageous if the resulting product gas containing TCS is cooled, provided that it is cooled to a temperature of 700-900 ° C. within 0.1-35 ms.
Überraschenderweise kann durch den Zusatz der kohlenstoffhaltigen Verbindung das Ausmaß der Korrosion in Vorrichtungen aus Kohlenstoff- und Graphitmaterialien, Kohlenstofffaser-Verbundmaterialien, SiC-beschichteten Kohlenstofffaser-Verbundmaterialien, SiC-basierten Materialien (beinhaltet ist aber nicht beschränkt auf: CMC (ceramic matrix composite,), keramisches SiC, CVD-SiC) stark herabgesetzt werden, ohne den Anteil an OCS im Kondensat signifikant zu erhöhen. Surprisingly, by the addition of the carbonaceous compound, the extent of corrosion in devices made of carbon and graphite materials, carbon fiber composites, SiC coated carbon fiber composites, SiC based materials (including but not limited to: CMC (ceramic matrix composite)). , ceramic SiC, CVD-SiC) can be greatly reduced without significantly increasing the proportion of OCS in the condensate.
Besonders bevorzugt wird das Verfahren so umgesetzt, dass die Zusätze der kohlenstoffhaltigen Verbindung keinen Einfluss auf den Anteil an gebildetem TCS zeigen (Änderung kleiner als 0,5 Gew.-% im Kondensat). Particularly preferably, the method is implemented so that the additives of the carbonaceous compound have no influence on the proportion of TCS formed (change less than 0.5 wt .-% in the condensate).
Die Erfindung ermöglicht es, die Stabilität des Reaktormaterials (und damit die Standzeit des Reaktors) bei hohen Temperaturen signifikant, nämlich um mindestens 10%, zu verlängern, wodurch hohe Gleichgewichtsumsätze bei langen Standzeiten und hoher Produktqualität eine erhöhte Wirtschaftlichkeit des Verfahrens ermöglichen. The invention makes it possible to significantly increase the stability of the reactor material (and thus the service life of the reactor) at high temperatures, namely by at least 10%, whereby high equilibrium conversions combined with long service life and high product quality enable increased economy of the process.
In einer weiteren besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird die Hydrierung von STC in einem Stoffverbund durchgeführt. Hierbei kann der zur Hydrierung eingesetzte Wasserstoff aus einem anderen Verfahren stammen, beispielsweise aber nicht beschränkt auf Wasserstoff aus der Synthese von TCS ausgehend von Silicium. In a further particularly preferred embodiment of the process, the hydrogenation of STC is carried out in a composite. Here, the hydrogen used for the hydrogenation can come from another process, for example but not limited to hydrogen from the synthesis of TCS starting from silicon.
Vorzugweise ist die erforderliche kohlenstoffhaltige Verbindung ganz oder teilweise in Form von Methan in einem Stoffverbund bereits im Kreislauf-Wasserstoff und/oder in Form von Organochlorsilanen bereits im Kreislauf-STC enthalten. Preferably, the required carbonaceous compound is already contained in the circulation STC wholly or partly in the form of methane in a composite already in the cycle hydrogen and / or in the form of organochlorosilanes.
STC-haltige Nebenströme können bei der Herstellung von TCS aus metallurgischem Silicium anfallen. Signifikante Mengen an STC als Nebenprodukt können auch bei der Abscheidung von polykristallinem Silicium aus TCS in einem Siemens-Reaktor anfallen. STC aus solchen Nebenströmen kann nach Aufarbeitung mittels Kondensation und nachfolgender Destillation dem Stoffverbund, insbesondere der Konvertierung zu TCS, zugeführt werden (Kreislauf-STC). STC-containing secondary streams can be produced during the production of TCS from metallurgical silicon. Significant amounts of by-product STC can also be found in the deposition of polycrystalline silicon from TCS in a Siemens reactor attack. STC from such secondary streams, after workup by condensation and subsequent distillation of the composite, in particular the conversion to TCS, are fed (circuit STC).
Als weiteres Nebenprodukt entsteht bei der Herstellung von TCS aus metallurgischem Silicium Wasserstoff, der mittels nachfolgender Kondensation abgetrennt und der Konvertierung im Verbundverfahren als Edukt zugeführt werden kann. Bei der Abscheidung von polykristallinem Silicium aus TCS in einem Siemens-Reaktor fällt nicht umgesetzter Wasserstoff an. Auch dieser kann nach Kondensation dem Stoffverbund (Kreislauf-Wasserstoff) zugeführt werden. As a further by-product is formed in the production of TCS from metallurgical silicon hydrogen, which can be separated by subsequent condensation and the conversion in the composite process can be supplied as starting material. The deposition of polycrystalline silicon from TCS in a Siemens reactor produces unreacted hydrogen. This can also be supplied to the composite (circulation hydrogen) after condensation.
Die Erfindung wird bevorzugt bei Verfahren unter erhöhtem Druck eingesetzt, bevorzugt bei einem Auslassdruck von größer oder gleich 5 bar, besonders bevorzugt bei einem Auslassdruck von größer oder gleich 6 bar, ganz besonders bevorzugt bei einem Auslassdruck von größer oder gleich 10 bar. The invention is preferably used in processes under elevated pressure, preferably at an outlet pressure of greater than or equal to 5 bar, more preferably at an outlet pressure greater than or equal to 6 bar, most preferably at an outlet pressure of greater than or equal to 10 bar.
Die Reaktionstemperatur beträgt vorzugweise größer oder gleich 1000° C, besonders bevorzugt größer oder gleich 1200° C und ganz beso nders bevorzugt größer oder gleich 1300° C. The reaction temperature is preferably greater than or equal to 1000 ° C., particularly preferably greater than or equal to 1200 ° C., and very particularly preferably greater than or equal to 1300 ° C.
Es kommt zu keiner Abscheidung von Feststoffen und/oder Flüssigkeiten im Reaktor. Insbesondere kommt es zu keiner SiC-Abscheidung. Damit kann ausgeschlossen werden, dass es zum Verstopfen von z.B. Wärmetauschern kommen kann. There is no separation of solids and / or liquids in the reactor. In particular, there is no SiC deposition. Thus, it can be ruled out that it may cause clogging of e.g. Heat exchangers can come.
Beispiel und Vergleichsbeispiel Die Korrosion an SiC-Reaktoren äußert sich in einer Reduktion des Druckverlustes über die Reaktoren (Vergrößerung des hydraulischen Durchmessers). Dieser lässt sich messen. Example and Comparative Example The corrosion on SiC reactors manifests itself in a reduction in the pressure loss across the reactors (increase in the hydraulic diameter). This can be measured.
Zusätzlich wurden Röntgentomographien an den SiC-Reaktoren durchgeführt, welche die Korrosion im Reaktor eindeutig belegen können. In addition, X-ray tomographs were performed on the SiC reactors, which can clearly prove the corrosion in the reactor.
Bei Beispiel und Vergleichsbeispiel erfolgte jeweils eine Konvertierung bei 1325° C, wobei die gleichen Mengen an STC und Wasserstoff aus dem Stoffkreislauf eingespeist wurden. In each case, a conversion was carried out at 1325 ° C. in the example and comparative example, with the same amounts of STC and hydrogen being fed from the material cycle.
Vergleichsbeispiel Comparative example
Die Konvertierung wurde bei 1325° C in einem SiC-R eaktor durchgeführt, in den eine Mischung aus 676 Nml/h STC und 264 Nl/h (Nl: Normliter) Wasserstoff eingespeist wurde. The conversion was carried out at 1325 ° C in a SiC reactor in which a mixture of 676 Nml / h STC and 264 Nl / h (Nl: standard liters) of hydrogen was fed.
Es wurde ohne weitere Zusätze wie Methan gearbeitet. It was worked without further additives such as methane.
Über eine Betriebsdauer von 48 h kam es zu einer Reduktion des Druckverlustes um 11,0 %, der Anteil an MCS im Kondensat betrug etwa 5 Gew.-ppm. Over a period of operation of 48 hours, the pressure loss was reduced by 11.0% and the MCS content in the condensate was about 5 ppm by weight.
Beispiel example
Die Konvertierung wurde bei 1325° C in einem SiC-R eaktor durchgeführt, in den eine Mischung aus 676 Nml/h STC und 264 Nl/h (Nl: Normliter) Wasserstoff eingespeist wurde. The conversion was carried out at 1325 ° C in a SiC reactor in which a mixture of 676 Nml / h STC and 264 Nl / h (Nl: standard liters) of hydrogen was fed.
Es wurde ein Zusatz von 1500 vol.-ppm (bezogen auf den Wasserstoffnormvolumenstrom) Methan mit in den Reaktor geführt. An addition of 1500 ppm by volume (based on the hydrogen standard volume flow) of methane was fed into the reactor.
Über eine Betriebsdauer von 340 h kam es zu einer Reduktion des Druckverlustes um 0,8 %, der Anteil an MCS im Kondensat betrug etwa 7 Gew.-ppm. Over a service life of 340 h, the pressure loss was reduced by 0.8%, and the MCS content in the condensate was about 7 ppm by weight.
Gegenüber dem Vergleichsbeispiel kam es somit nur zu einer Erhöhung des MCS-Anteils im Produktgas von nur etwa 2 Gew.-ppm. Compared to the comparative example, there was thus only an increase in the MCS content in the product gas of only about 2 ppm by weight.
Auch nach 7-facher Betriebsdauer (340 h gg. 48 h) ist keine merkliche Reduktion des Druckverlustes feststellbar, was den Effekt der Methan-Zugabe zum Eduktgas untermauert.Even after a 7-fold operating time (340 h vs. 48 h), no noticeable reduction in the pressure loss can be detected, which underpins the effect of adding methane to the educt gas.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- US 3933985 A [0010] US 3,933,985 A [0010]
- EP 0294047 A1 [0012] EP 0294047 A1 [0012]
- EP 1454670 B1 [0013] EP 1454670 B1 [0013]
- EP 2000434 A2 [0014] EP 2000434 A2 [0014]
- EP 2008969 A1 [0015] EP 2008969 A1 [0015]
- EP 2014618 A1 [0015] EP 2014618 A1 [0015]
- EP 1454670 A1 [0017] EP 1454670 A1 [0017]
- US 3250322 A [0018] US 3250322 A [0018]
- DE 4317905 A1 [0019] DE 4317905 A1 [0019]
- EP 1775263 B1 [0020] EP 1775263 B1 [0020]
- DE 102009047234 A1 [0021] DE 102009047234 A1 [0021]
- DE 102011005643 A1 [0022] DE 102011005643 A1 [0022]
- CH 430905 A [0023] CH 430905 A [0023]
- DE 102011005647 A1 [0024] DE 102011005647 A1 [0024]
- DE 102011002436 A1 [0025] DE 102011002436 A1 [0025]
- DE 19949936 A1 [0028] DE 19949936 A1 [0028]
Claims (14)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014205001.4A DE102014205001A1 (en) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | Process for the preparation of trichlorosilane |
PCT/EP2015/055138 WO2015140027A1 (en) | 2014-03-18 | 2015-03-12 | Method for producing trichlorosilane |
TW104108573A TW201536798A (en) | 2014-03-18 | 2015-03-18 | Process for preparing trichlorosilane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014205001.4A DE102014205001A1 (en) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | Process for the preparation of trichlorosilane |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014205001A1 true DE102014205001A1 (en) | 2015-09-24 |
Family
ID=52682708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102014205001.4A Withdrawn DE102014205001A1 (en) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | Process for the preparation of trichlorosilane |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102014205001A1 (en) |
TW (1) | TW201536798A (en) |
WO (1) | WO2015140027A1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109963645B (en) | 2016-11-23 | 2022-03-11 | 瓦克化学股份公司 | Method for hydrogenating silicon tetrachloride |
WO2019068335A1 (en) * | 2017-10-05 | 2019-04-11 | Wacker Chemie Ag | Method for producing chlorosilanes |
KR102607348B1 (en) * | 2018-12-18 | 2023-11-29 | 와커 헤미 아게 | How to make chlorosilane |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3250322A (en) | 1964-02-07 | 1966-05-10 | Texas Instruments Inc | Corrosive fluid heat exchanger |
CH430905A (en) | 1962-07-13 | 1967-02-28 | Siemens Planiawerke Ag | Silicon carbide high temperature heating element and process for its manufacture |
US3933985A (en) | 1971-09-24 | 1976-01-20 | Motorola, Inc. | Process for production of polycrystalline silicon |
EP0294047A1 (en) | 1987-05-14 | 1988-12-07 | Dow Corning Corporation | Minimizing carbon content of semiconductor materials |
DE4317905A1 (en) | 1992-06-01 | 1993-12-02 | Hemlock Semiconductor Corp | Durable reactor for high temp. hydrogeneration of chloro-silane cpds. - consists of carbon@ fibre composite coated with silicon carbide, pref. with heating element of same material insulated with silicon nitride |
DE19949936A1 (en) | 1999-10-16 | 2001-04-19 | Gerd Walter | Protection of construction parts of graphite and carbon materials on introduction into hydrogen atmosphere at above a specified temperature comprises mixing the hydrogen with an equal weight of methane |
EP1454670A1 (en) | 2003-03-03 | 2004-09-08 | Hemlock Semiconductor Corporation | Apparatus for contacting gases at high temperature |
EP2000434A2 (en) | 2006-10-31 | 2008-12-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
EP2008969A1 (en) | 2006-10-31 | 2008-12-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
EP2014618A1 (en) | 2006-10-31 | 2009-01-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
EP1775263B1 (en) | 2005-09-29 | 2010-06-30 | Wacker Chemie AG | Process and apparatus for the hydrogenation of chlorosilanes |
DE102009047234A1 (en) | 2009-11-27 | 2010-08-19 | Wacker Chemie Ag | Conversion of tetrachlorosilane with hydrogen and methane at a specific temperature to produce methylchlorosilanes and trichlorosilanes |
DE102011002436A1 (en) | 2011-01-04 | 2012-07-05 | Evonik Degussa Gmbh | Hydrogenation of organochlorosilanes and silicon tetrachloride |
DE102011005643A1 (en) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Evonik Degussa Gmbh | Reactor concept for the conversion of organochlorosilanes and silicon tetrachloride to hydrogen-containing chlorosilanes |
DE102011005647A1 (en) | 2011-03-16 | 2012-10-04 | Evonik Degussa Gmbh | Composite process for the conversion of STC-containing and OCS-containing side streams to hydrogen-containing chlorosilanes |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422088A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-06 | Hemlock Semiconductor Corporation | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane |
-
2014
- 2014-03-18 DE DE102014205001.4A patent/DE102014205001A1/en not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-03-12 WO PCT/EP2015/055138 patent/WO2015140027A1/en active Application Filing
- 2015-03-18 TW TW104108573A patent/TW201536798A/en unknown
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH430905A (en) | 1962-07-13 | 1967-02-28 | Siemens Planiawerke Ag | Silicon carbide high temperature heating element and process for its manufacture |
US3250322A (en) | 1964-02-07 | 1966-05-10 | Texas Instruments Inc | Corrosive fluid heat exchanger |
US3933985A (en) | 1971-09-24 | 1976-01-20 | Motorola, Inc. | Process for production of polycrystalline silicon |
EP0294047A1 (en) | 1987-05-14 | 1988-12-07 | Dow Corning Corporation | Minimizing carbon content of semiconductor materials |
DE4317905A1 (en) | 1992-06-01 | 1993-12-02 | Hemlock Semiconductor Corp | Durable reactor for high temp. hydrogeneration of chloro-silane cpds. - consists of carbon@ fibre composite coated with silicon carbide, pref. with heating element of same material insulated with silicon nitride |
DE19949936A1 (en) | 1999-10-16 | 2001-04-19 | Gerd Walter | Protection of construction parts of graphite and carbon materials on introduction into hydrogen atmosphere at above a specified temperature comprises mixing the hydrogen with an equal weight of methane |
EP1454670A1 (en) | 2003-03-03 | 2004-09-08 | Hemlock Semiconductor Corporation | Apparatus for contacting gases at high temperature |
EP1454670B1 (en) | 2003-03-03 | 2008-05-14 | Hemlock Semiconductor Corporation | Trichlorosilane production in apparatus comprising SiC parts |
EP1775263B1 (en) | 2005-09-29 | 2010-06-30 | Wacker Chemie AG | Process and apparatus for the hydrogenation of chlorosilanes |
EP2000434A2 (en) | 2006-10-31 | 2008-12-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
EP2014618A1 (en) | 2006-10-31 | 2009-01-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
EP2008969A1 (en) | 2006-10-31 | 2008-12-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
DE102009047234A1 (en) | 2009-11-27 | 2010-08-19 | Wacker Chemie Ag | Conversion of tetrachlorosilane with hydrogen and methane at a specific temperature to produce methylchlorosilanes and trichlorosilanes |
DE102011002436A1 (en) | 2011-01-04 | 2012-07-05 | Evonik Degussa Gmbh | Hydrogenation of organochlorosilanes and silicon tetrachloride |
DE102011005643A1 (en) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Evonik Degussa Gmbh | Reactor concept for the conversion of organochlorosilanes and silicon tetrachloride to hydrogen-containing chlorosilanes |
DE102011005647A1 (en) | 2011-03-16 | 2012-10-04 | Evonik Degussa Gmbh | Composite process for the conversion of STC-containing and OCS-containing side streams to hydrogen-containing chlorosilanes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015140027A1 (en) | 2015-09-24 |
TW201536798A (en) | 2015-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1775263B1 (en) | Process and apparatus for the hydrogenation of chlorosilanes | |
EP2121522B1 (en) | Method for producing higher germanes | |
DE102015210762A1 (en) | Process for the treatment of chlorosilanes or chlorosilane mixtures contaminated with carbon compounds | |
WO2012123159A1 (en) | Combined method for the production of hydrogen-containing chlorosilanes | |
WO2015197498A1 (en) | Fluidized bed reactor and method for producing polycrystalline silicon granules | |
EP2661415A1 (en) | Hydrogenation of organochlorosilanes and silicon tetrachloride | |
WO2011085896A2 (en) | Flow tube reactor for converting silicon tetrachloride to trichlorosilane | |
DE102008000052A1 (en) | Method of depositing polycrystalline silicon | |
DE102011005643A1 (en) | Reactor concept for the conversion of organochlorosilanes and silicon tetrachloride to hydrogen-containing chlorosilanes | |
EP3288894B1 (en) | Fluidized bed reactor and method for producing polycrystalline silicon granulate | |
EP2603455A1 (en) | Use of a reactor having an integrated heat exchanger in a method for hydrodechlorinating silicon tetrachloride | |
DE102014205001A1 (en) | Process for the preparation of trichlorosilane | |
WO2011085900A1 (en) | Catalytic systems for continuous conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane | |
JP6586405B2 (en) | Trichlorosilane purification system and method for producing polycrystalline silicon | |
DE112008002299T5 (en) | Process for the preparation of trichlorosilane | |
EP0973781B1 (en) | Sililalkylboranes, oligo or polyborocarbosilazanes and silicon carbonitrides ceramics | |
DE102009046121A1 (en) | Process for the preparation of organosilanes | |
DE19817680A1 (en) | Silicon boronitride ceramic powder is produced | |
EP3075707A1 (en) | Method for the hydrogenation of silicon tetrachloride to trichlorosilane by a gas mixture of hydrogen and hydrogen chloride | |
DE102014007766A1 (en) | Process for the plasma-chemical preparation of halogenated oligosilanes from tetrachlorosilane | |
DE102009047234A1 (en) | Conversion of tetrachlorosilane with hydrogen and methane at a specific temperature to produce methylchlorosilanes and trichlorosilanes | |
SU398550A1 (en) | METHOD OF OBTAINING ARYLCHLOROSILANES | |
DE3017832A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING TRIMETHYL CHLORINE SILANE | |
DE102012218741A1 (en) | Process for the hydrogenation of silicon tetrachloride in trichlorosilane | |
WO2009147028A1 (en) | Method for converting silicon tetrachloride or mixtures of silicon tetrachloride and dichlorosilane using methane |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |