DE102014202196B3 - Printed circuit board and circuit arrangement - Google Patents

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Abstract

Multilagenleiterplatte mit einem potenzialführenden Befestigungsbereich, der zur Entwärmung eines Leistungsbauelements ausgebildet ist.Multi-layer printed circuit board with a potential-carrying mounting area, which is designed for the heat dissipation of a power device.

Description

Die Erfindung betrifft eine Leiterplatte mit einem Entwärmungsbereich für ein Leistungsbauelement, insbesondere einer Lichtquelle, sowie eine Schaltungsanordnung mit einer entsprechenden Leiterplatte nach Gattung der unabhängigen Ansprüche. The invention relates to a printed circuit board with a cooling area for a power component, in particular a light source, and a circuit arrangement with a corresponding circuit board according to the preamble of the independent claims.

Für die Entwärmung von Leistungsbauelementen, insbesondere LED-Lichtquellen, sind eine Vielzahl unterschiedlicher Entwärmungskonzepte bekannt. Die DE 10 2008 016 458 A1 offenbart beispielsweise eine Leiterplatte mit einem Wärmeableitelement, das in einem Durchgangsloch der Leiterplatte angeordnet ist, wobei mindestens eine Strahlungsquelle auf diesem Wärmeableitelement angeordnet ist. Auf der entgegengesetzten Endfläche des Wärmeableitelements schließt sich typischerweise ein Kühlsystem, beispielsweise ein Kühlkörper oder eine Heatpipe an. Ferner offenbart die Schrift eine Anordnung, bei der die zu entwärmenden, elektronischen Bausteine auf wärmeleitenden Kupfer-Durchkontaktierungen (thermal vias) angeordnet sind, die die Wärme auf eine tieferliegende, großflächige Kupfer-Leiterbahn abführen. For the cooling of power components, in particular LED light sources, a variety of different Entwärmungskonzepte are known. The DE 10 2008 016 458 A1 discloses, for example, a printed circuit board having a heat dissipation member disposed in a through hole of the circuit board, at least one radiation source being disposed on this heat dissipation member. On the opposite end surface of the heat dissipation element is typically followed by a cooling system, such as a heat sink or a heat pipe. Furthermore, the document discloses an arrangement in which the electronic components to be heat-treated are arranged on thermally conductive copper vias which dissipate the heat to a deeper, large-area copper conductor.

Aus der EP 2 294 902 B1 ist ein weiteres Kühlsystem für eine LED-Chip-Anordnung bekannt, bei der die Leiterbahnlagen einer Mehrlagenleiterplatte stufenförmig freigelegt und die LEDs auf diesen Stufen angeordnet sind. Durch dieses Vorgehen kann jede LED über eine eigene Leiterbahnebene entwärmt werden. From the EP 2 294 902 B1 Another cooling system for an LED chip arrangement is known in which the conductor layers of a multilayer printed circuit board are exposed in steps and the LEDs are arranged on these steps. As a result of this procedure, each LED can be cooled over its own interconnect level.

Ferner ist aus der US 2010/0033976 A1 ein Modul bekannt, bei dem die Verlustleistung einer LED über eine metallische Einlage an metallische Durchkontaktierungen einer Leiterplatte und darauf folgend an einen Kühlkörper weitergeleitet wird. Eine vergleichbare Entwärmung ist beispielsweise auch in der US 2009/0045432 A1 gezeigt. Furthermore, from the US 2010/0033976 A1 a module is known in which the power loss of an LED via a metallic insert to metallic vias of a circuit board and then passed on to a heat sink. A comparable heat dissipation is for example also in the US 2009/0045432 A1 shown.

Aus den Dokumenten US 6 495 912 B1 und US 2006/0284304 werden Entwärmungskonzepte insbesondere für so genannte Electronic Packages vorgeschlagen, bei denen die Verlustleistung vornehmlich über metallische Durchkontaktierungen an ein Ball Grid Array, Land Grid Array oder Vergleichbaren abgeleitet wird. From the documents US Pat. No. 6,495,912 B1 and US 2006/0284304 In particular, cooling concepts are proposed for so-called electronic packages, in which the power loss is primarily derived via metallic plated-through holes to a ball grid array, land grid array or similar.

Für bestimmte Anwendungen ist eine Leiterplatte jedoch nicht nur im Hinblick der Entwärmung der Leistungsbauelemente zu optimieren, sondern auch auf eine elektromagnetische Verträglichkeit der gesamten Schaltung zu achten. Insbesondere besteht bei hochfrequent modulierten Lichtquellen die Gefahr, dass bei einer ungünstigen Stromführung größere elektromagnetische Abstrahlungen auftreten können und die Signalintegrität entsprechend leidet. Hochfrequente Modulationen werden insbesondere für Lichtlaufzeitkameras benötigt, wie sie beispielsweise als PMD-Kameras aus den Anmeldungen EP 1 777 747 oder auch DE 197 04 496 bekannt sind. For certain applications, however, a circuit board is not only to be optimized with regard to the heat dissipation of the power components, but also to pay attention to an electromagnetic compatibility of the entire circuit. In particular, in the case of high-frequency modulated light sources there is the danger that, given an unfavorable current conduction, larger electromagnetic emissions can occur and the signal integrity suffers correspondingly. High-frequency modulations are required in particular for light-time cameras, as they are, for example, as PMD cameras from the applications EP 1 777 747 or DE 197 04 496 are known.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Entwärmung von Bauelementen insbesondere Lichtquellen zu verbessern. The object of the invention is to improve the cooling of components, in particular light sources.

Die Aufgabe wird in vorteilhafter Weise durch die erfindungsgemäße Leiterplatte und einer entsprechenden Schaltungsanordnung gelöst. The object is achieved in an advantageous manner by the circuit board according to the invention and a corresponding circuit arrangement.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. The invention will be explained in more detail by means of embodiments with reference to the drawings.

Es zeigen: Show it:

1 eine Draufsicht auf ein LED-Bauelement, 1 a top view of an LED device,

2 eine Seitenansicht eines LED-Bauelements gemäß 1, 2 a side view of an LED device according to 1 .

3 eine perspektivische Unteransicht eines LED-Bauelements gemäß 1, 3 a perspective bottom view of an LED device according to 1 .

4 eine erfindungsgemäße Leiterplatte mit einem LED-Bauelement, 4 a printed circuit board according to the invention with an LED component,

5 eine erste Lage der Leiterplatte gemäß 4, 5 a first layer of the circuit board according to 4 .

6 eine zweite Lage der Leiterplatte gemäß 4, 6 a second layer of the circuit board according to 4 .

7 eine dritte Lage der Leiterplatte gemäß 4, 7 a third layer of the circuit board according to 4 .

8 eine vierte Lage der Leiterplatte gemäß 4. 8th a fourth layer of the circuit board according to 4 ,

Bei der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen bezeichnen gleiche Bezugszeichen, gleiche oder vergleichbare Komponenten. In the following description of the preferred embodiments, like reference numerals designate like or similar components.

1 zeigt eine Lichtquelle und hier speziell ein LED-Bauelement 200 in einem Kunststoffgehäuse. Eine Leuchtdiode 250 ist zentral im Kunststoffgehäuse angeordnet, wobei über einen Bonddraht die LED-Kathode mit einem nach außen führenden Anschlusskontakt 280 verbunden ist. Auf der entgegengesetzten Seite wird der Anodenkontakt über einen Anschlusskontakt nach außen geführt. Ferner weist das Kunststoffgehäuse mehrere Zentrieröffnungen 210 auf, in die beispielsweise eine Optik eingebracht werden kann. 1 shows a light source and here especially a LED device 200 in a plastic housing. A light-emitting diode 250 is centrally located in the plastic housing, wherein via a bonding wire, the LED cathode with a leading outward terminal contact 280 connected is. On the opposite side of the anode contact is led via a connection contact to the outside. Furthermore, the plastic housing has a plurality of centering openings 210 on, for example, in the optics can be introduced.

2 zeigt eine Seitenansicht des LED-Bauelements gemäß 1. Die LED 250 ist im dargestellten Fall auf einer metallischen Wärmesenke 270 angeordnet, die zudem mit dem Anodenanschlusskontakt 280 verbunden ist. Selbstverständlich sind auch Wärmesenken 270 denkbar, die keine elektrische Verbindung zum Anodenkontakt der LED 250 haben. 2 shows a side view of the LED device according to 1 , The LED 250 is in the case shown on a metallic heat sink 270 arranged, in addition to the anode terminal contact 280 connected is. Of course, also heat sinks 270 conceivable that no electrical connection to the anode contact of the LED 250 to have.

3 zeigt eine perspektivische Unteransicht des LED-Bauelements gemäß 1. Die Wärmesenke 270 ist hierbei als kreisförmiges, metallisches Element nach außen geführt. 3 shows a perspective bottom view of the LED device according to 1 , The heat sink 270 is guided here as a circular, metallic element to the outside.

4 zeigt eine erfindungsgemäße mehrlagige Leiterplatte 100 mit vier Leiterbahnebenen L1, 2...4. Die erste Leiterbahnebene L1 dient zur Platzierung von Bauelementen und Stromführung die zweite Leiterbahnebene zur Stromrückführung. Die dritte und vierte Leiterbahnebene dienen vornehmlich zur elektrischen Abschirmung, sind aber nicht auf diesen Anwendungszweck beschränkt. Zwischen der ersten und zweiten und dritten und vierten Leiterbahnebene befindet sich eine Zwischenschicht 103 und zwischen der zweiten und dritten Leiterbahnlage eine elektrisch isolierende Kernschicht 105. Zwischen- und Kernschicht 103, 105 bestehen typischerweise aus dem bekannten FR4-Material, es sind jedoch selbstverständlich auch andere Materialen oder Materialkombinationen denkbar. 4 shows a multilayer printed circuit board according to the invention 100 with four tracks L1, 2 ... 4. The first interconnect level L1 is used for placement of components and power management, the second interconnect level for current feedback. The third and fourth interconnect levels are primarily for electrical shielding, but are not limited to this application. Between the first and second and third and fourth interconnect level is an intermediate layer 103 and between the second and third interconnect layers an electrically insulating core layer 105 , Intermediate and core layer 103 . 105 typically consist of the known FR4 material, but of course, other materials or combinations of materials are conceivable.

Im dargestellten Fall ist die Wärmesenke 270 des LED-Bauelements 200 auf einer ersten Leiterbahn 111, die auch das Anodenpotenzial führt, in einem Befestigungsbereich dieser Leiterbahn 111 angeordnet. Die Bauelemente werden typischerweise in einem SMT-Prozess mittels Reflow Löttechnik bestückt. In the case shown, the heat sink 270 of the LED device 200 on a first track 111 , which also carries the anode potential, in a mounting area of this trace 111 arranged. The components are typically populated in an SMT process using reflow soldering technology.

Im Befestigungsbereich der ersten Leiterbahn 111 der ersten Lage L1 führen mehrere wärmeleitfähige Durchkontaktierungen 150 die Wärme auf eine Leiterbahn 132 der dritten Leiterbahnebene L3 ab. Von dort aus wird die Wärme über Wärmeleitung an eine Leiterbahn der vierten Leiterbahnebene L4 weitergeführt, wobei im Anschluss der vierten Leiterbahnebene eine weitere Wärmesenke bzw. Kühlkörper angeordnet sein kann. Die vierte Leiterbahnebene kann ggf. auch weggelassen werden, so dass als letzte Ebene das Material der elektrisch isolierenden Zwischenschicht 103 verbleibt. Je nach Einbausituation kann ggf. auch auf diese Zwischenschicht 103 verzichtet werden. In the attachment area of the first track 111 the first location L1 lead several thermally conductive vias 150 the heat on a track 132 the third interconnect level L3. From there, the heat is continued via heat conduction to a conductor track of the fourth interconnect level L4, wherein in the connection of the fourth interconnect level, a further heat sink or heat sink can be arranged. If appropriate, the fourth interconnect level can also be omitted, so that the last level is the material of the electrically insulating intermediate layer 103 remains. Depending on the installation situation may possibly also on this intermediate layer 103 be waived.

Die Leiterbahnanordnung ist dergestalt, dass der Strom I zum Betreiben des LED-Bauelements 200 über die erste Leiterbahn 111 der ersten Lage L1 an die Anode A der LED 200 herangeführt wird. Hiernach wird der Strom kathodenseitig über die zweite Leiterbahn 112 und über elektrische Durchkontaktierungen 160 auf eine Leiterbahn der zweiten Leiterbahnebene L2 und dort entgegen der Eingangsstromrichtung weiter geführt. Die Details des Aufbaus sind in den nachfolgenden Figuren im Einzelnen dargestellt. The track arrangement is such that the current I for operating the LED device 200 over the first track 111 the first layer L1 to the anode A of the LED 200 is introduced. Thereafter, the current on the cathode side via the second conductor 112 and via electrical feedthroughs 160 on a conductor track of the second conductor track level L2 and there against the input current direction continued. The details of the structure are shown in detail in the following figures.

5 zeigt die Leiterbahnstruktur der ersten Leiterbahnlage L1. Die Anordnung des LED-Bauelements 200 ist mit gestrichelter Linie angedeutet. Die erste Leiterbahn 111, die im dargestellten Fall das Anodenpotenzial führt, weist neben der üblichen Leiterbahnstruktur einen verbreiterten Befestigungsbereich für die Wärmesenke 270 des LED-Bauelements 200 auf. Die wärmeleitfähigen Durchkontaktierungen 150 sind nur in zwei Randbereichen des Befestigungsbereiches angeordnet, sodass ein länglicher Bereich in axialer Richtung der Anschlusskontakte 280 des zu montierenden LED-Bauelements 200 frei von thermischen Durchkontaktierungen 150 bleibt. Die zweite Leiterbahn 112 dient zur elektrischen Kontaktierung des Kathoden-Anschluss K und weist ferner elektrische Durchkontaktierungen 160 zur darunterliegenden zweiten Leiterbahnebene L2 auf. 5 shows the interconnect structure of the first interconnect layer L1. The arrangement of the LED device 200 is indicated by a dashed line. The first trace 111 , which leads in the illustrated case, the anode potential, in addition to the usual trace structure has a widened mounting area for the heat sink 270 of the LED device 200 on. The thermally conductive vias 150 are arranged only in two edge regions of the attachment area, so that an elongated area in the axial direction of the connection contacts 280 of the LED component to be mounted 200 free of thermal vias 150 remains. The second track 112 serves for electrical contacting of the cathode terminal K and also has electrical feedthroughs 160 to the underlying second interconnect level L2.

6 zeigt die Draufsicht der zweiten Leiterbahnebene L2. Die elektrische Durchkontaktierung 160 führt auf einen ersten Leiterbahnbereich 121, der im Wesentlichen vollflächig die zweite Leiterbahnebene L2 umfasst. Über die elektrischen Durchkontaktierungen 160 ist diese Leiterbahnebene L2 mit dem Kathodenpotenzial der ersten Leiterbahnebene L1 verbunden. Die thermischen Durchkontaktierungen 150 befinden sich in einem zweiten Leiterbahnbereich 122 der elektrisch von der ersten Leiterbahn isoliert ist. Ggf. kann auch auf diesen zweiten Leiterbahnbereich 122 verzichtet und der gesamte unmittelbare Bereich um die Durchkontaktierungen 150 elektrisch isolierend ausgebildet sein. Ferner ist es vorgesehen, dass die erste Leiterbahn 121 zwischen den beiden Randbereichen der wärmeleitfähigen Durchkontaktierungen 150 geführt wird, sodass der zurückgeleitete Strom im Wesentlichen unterhalb des Befestigungsbereichs der ersten Leiterbahnebene L1 und entgegengesetzt der hinführenden Stromrichtung verläuft. Durch diese Übereinanderlagerung der beiden Stromrichtungen werden vorteilhaft elektromagnetische Abstrahlungen reduziert und die Signalintegrität bewahrt. 6 shows the top view of the second interconnect level L2. The electrical feedthrough 160 leads to a first track area 121 which substantially comprises the entire conductor track level L2 L2. About the electrical feedthroughs 160 this interconnect level L2 is connected to the cathode potential of the first interconnect level L1. The thermal vias 150 are in a second track area 122 which is electrically isolated from the first conductor. Possibly. can also on this second trace area 122 omitted and the entire immediate area around the vias 150 be formed electrically insulating. Furthermore, it is provided that the first conductor track 121 between the two edge regions of the thermally conductive vias 150 is guided so that the returned current is substantially below the mounting region of the first conductor track level L1 and opposite to the leading current direction. This superposition of the two current directions advantageous electromagnetic emissions are reduced and the signal integrity preserved.

7 zeigt die dritte Leiterbahnebene L3, bei der die thermischen Durchkontaktierungen 150 auf einen zweiten Leiterbahnbereich 132 dieser Ebene L3 geführt und mit diesem zumindest thermisch verbunden sind. Vorzugsweise ist der zweite Leiterbahnbereich 132 flächig ausgeführt und gegebenenfalls über einen Isolierbereich 133 von einem ersten Leiterbahnbereich 131 dieser Ebene L3 elektrisch getrennt. Gegebenenfalls ist es auch denkbar, dass die komplette Leiterbahnebene L3 als ein zusammenhängender Leiterbahnbereich ausgebildet und mit den wärmeleitfähigen Durchkontaktierungen 150 verbunden ist, um so eine größere wärmeemittierende Fläche zu bilden. 7 shows the third interconnect L3, in which the thermal vias 150 on a second conductor track area 132 run this level L3 and connected to this at least thermally. Preferably, the second conductor track area 132 executed flat and optionally over an insulating area 133 from a first track area 131 electrically separated from this level L3. Optionally, it is also conceivable that the complete interconnect level L3 formed as a continuous interconnect region and with the thermally conductive vias 150 is connected so as to form a larger heat-emitting surface.

Die Leiterbahnebene L4 ist im dargestellten Beispiel gemäß 8 vollflächig metallisiert. Je nach Anwendungsfall kann jedoch wie zuvor beschrieben diese vierte Lage L4 entfallen. The conductor track level L4 is in the example shown according to 8th metallized all over. Depending on the application, however, as described above, this fourth layer L4 can be dispensed with.

Selbstverständlich ist das vorgeschlagene Entwärmungskonzept nicht nur für Lichtquellen, sondern auch für andere Bauelemente insbesondere Leistungsbauelemente geeignet. Of course, the proposed Entwärmungskonzept is suitable not only for light sources, but also for other components, in particular power components.

Bei Bauelementen, deren Wärmesenke kein elektrisches Potential führt kann der Befestigungsbereich ggf. auch potenzialfrei ausgebildet sein. In the case of components whose heat sink does not carry any electrical potential, the fastening region can possibly also be designed to be potential-free.

Des Weiteren ist es auch denkbar, mehrere Lichtquellen seriell oder parallel auf einer Leiterplatte mit dem vorgestellten Entwärmungskonzept anzuordnen. Furthermore, it is also conceivable to arrange a plurality of light sources serially or in parallel on a printed circuit board with the presented Entwärmungskonzept.

Ferner können in weiteren Bereichen der Leiterplatte 100 auch weitere elektrische Bauelemente angeordnet und insbesondere weitere Schaltungen realisiert sein. Furthermore, in other areas of the circuit board 100 Also arranged further electrical components and in particular be implemented further circuits.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
Multilagenleiterplatte, Leiterplatte  Multilayer printed circuit board, printed circuit board
103103
Zwischenisolierschicht  interlayer
105105
Kernisolierschicht  Kernisolierschicht
111111
erste Leiterbahn in Lage 1  first trace in position 1
112112
zweite Leiterbahn in Lage 1  second conductor in position 1
121121
erste Leiterbahn in Lage 2  first trace in position 2
122122
zweite Leiterbahn in Lage 2  second conductor in position 2
123123
Isolierbereich in Lage 2  Insulating area in position 2
131131
erste Leiterbahn in Lage 3  first trace in position 3
132132
zweite Leiterbahn in Lage 3  second trace in position 3
133133
Isolierbereich in Lage 3  Insulating area in position 3
141141
Leiterbahnfläche in Lage 4  Trace area in layer 4
150150
thermische Vias, wärmeleitfähige Durchkontaktierungen  thermal vias, thermally conductive vias
160160
Microvias, elektrische Durchkontaktierungen  Microvias, electrical vias
200200
Lichtquellenträger, LED-Träger  Light source carrier, LED carrier
210210
Zentrieröffnungen,  centering,
250250
Lichtquelle, LED,  Light source, LED,
270270
Wärmesenke  heat sink
280280
Anschlusskontakte  terminals
AA
Anode  anode
KK
Kathode  cathode
L1, 2, 3, 4L1, 2, 3, 4
erste, zweite, dritte, vierte Leiterbahnlage, -ebene first, second, third, fourth interconnect layer, plane

Claims (4)

Leiterplatte (100) für ein Leistungsbauelement (200) mit mindestens drei Leiterbahnebenen (L1, 2, 3, 4), wobei zwischen einer ersten und zweiten Leiterbahnebene (L1, L2) eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (103) und zwischen der zweiten und dritten Leiterbahnebene (L2, L3) eine elektrisch isolierende Kernschicht (105) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Leiterbahnebene (L1) eine erste und zweite Leiterbahn (111, 112) zur elektrischen Kontaktierung des Leistungsbauelements (200) angeordnet sind, wobei die erste Leiterbahn (111) zudem einen elektrisch leitfähigen Befestigungsbereich für das Leistungsbauelement (200) aufweist, und dieser Befestigungsbereich über mehrere wärmeleitfähige Durchkontaktierungen (150) mit einer Leiterbahn (132) der dritten Leiterbahnebene (L3) verbunden ist, und dass die zweite Leiterbahn (112) über elektrische Durchkontaktierungen (160) mit einer ersten Leiterbahn (121) der zweiten Leiterbahnebene (L2) elektrisch verbunden ist, wobei mindestens ein Teilbereich dieser ersten Leiterbahn (121) unterhalb des Befestigungsbereichs der ersten Leiterbahn (111) der ersten Leiterbahnebene (L1) und zwischen den wärmeleitfähigen Durchkontaktierungen (150) geführt wird, ohne mit diesen Durchkontaktierungen (150) in elektrischer Verbindung zu stehen.Printed circuit board ( 100 ) for a power device ( 200 ) with at least three interconnect levels (L1, 2, 3, 4), wherein between an interconnect level (L1, L2) an electrically insulating intermediate layer ( 103 ) and between the second and third interconnect levels (L2, L3) an electrically insulating core layer ( 105 ) is arranged, characterized in that on the first conductor track plane (L1) a first and second conductor track ( 111 . 112 ) for electrically contacting the power component ( 200 ) are arranged, wherein the first conductor track ( 111 ) also an electrically conductive mounting area for the power device ( 200 ), and this attachment area via a plurality of thermally conductive vias ( 150 ) with a conductor track ( 132 ) is connected to the third interconnect level (L3), and that the second interconnect ( 112 ) via electrical feedthroughs ( 160 ) with a first conductor track ( 121 ) of the second interconnect level (L2) is electrically connected, wherein at least a portion of this first interconnect ( 121 ) below the mounting area of the first track ( 111 ) of the first interconnect level (L1) and between the thermally conductive vias ( 150 ) is performed without these vias ( 150 ) to be in electrical connection. Schaltungsanordnung mit einer Leiterplatte (100) nach Anspruch 1 zum Betreiben eines Leistungsbauelements (200), bei der das Leistungsbauelement (200) mindestens zwei Anschlusskontakte (280) und eine metallische Wärmesenke (270) aufweist, wobei ein erster Anschlusskontakt (280, A) und die metallische Wärmesenke (270) mit einer ersten Leiterbahn (111) und ein zweiter Anschlusskontakt (280, K) mit einer zweiten Leiterbahn (112) der ersten Leiterbahnebene (L1) verbunden sind.Circuit arrangement with a printed circuit board ( 100 ) according to claim 1 for operating a power device ( 200 ), in which the power component ( 200 ) at least two connection contacts ( 280 ) and a metallic heat sink ( 270 ), wherein a first terminal contact ( 280 , A) and the metallic heat sink ( 270 ) with a first conductor track ( 111 ) and a second connection contact ( 280 , K) with a second conductor track ( 112 ) of the first interconnect level (L1) are connected. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, bei der das Leistungsbauelement (200) als Lichtquelle ausgebildet ist.Circuit arrangement according to Claim 2, in which the power component ( 200 ) is designed as a light source. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, bei der das Leistungsbauelement (200) als LED-Lichtquelle ausgebildet ist.Circuit arrangement according to Claim 3, in which the power component ( 200 ) is designed as an LED light source.
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