DE102013226273B4 - Leistungsverstärkereinrichtung für eine Magnetresonanzeinrichtung und Magnetresonanzeinrichtung - Google Patents

Leistungsverstärkereinrichtung für eine Magnetresonanzeinrichtung und Magnetresonanzeinrichtung Download PDF

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Abstract

Leistungsverstärkereinrichtung (1) für eine Magnetresonanzeinrichtung (17), umfassend eine Leiterplatte (5) mit wenigstens einem Leistungsverstärkermodul (2) und wenigstens einer gekoppelte, auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte (5) angeordnete Leiterbahnen (6) umfassenden Elektronikstruktur und eine zur Kühlung sich beim Betrieb erwärmender Bauelemente auf der Leiterplatte (5) ausgebildete, zu einer Seite an die Leiterplatte (5) anschließende Kühlplatte (7), dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlplatte (7) im Bereich der an der zu der Kühlplatte (7) gewandten Seite der Leiterplatte (5) angeordneten Leiterbahn (6) der Elektronikstruktur eine dem Verlauf der Leiterbahn (6) folgende, zu dieser gewandte Vertiefung (9) aufweist, wobei die Kühlplatte (7) wenigstens teilweise entlang des Randes der Vertiefung (9) elektrisch leitend mit einer auf Masse liegenden elektrisch leitenden, flächigen Rückseitenbeschichtung (10) der Leiterplatte (5) durch ein Verbindungsmittel verbunden ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Leistungsverstärkereinrichtung für eine Magnetresonanzeinrichtung, umfassend eine Leiterplatte mit wenigstens einem Leistungsverstärkermodul und wenigstens einer gekoppelte, auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte angeordnete Leiterbahnen umfassenden Elektronikstruktur und eine zur Kühlung sich beim Betrieb erwärmender Bauelemente auf der Leiterplatte ausgebildete, zu einer Seite an die Leiterplatte anschließende Kühlplatte. Daneben betrifft die Erfindung eine Magnetresonanzeinrichtung.
  • In Magnetresonanzeinrichtungen des Standes der Technik werden bereits Leistungsverstärkereinrichtungen eingesetzt, nachdem im Rahmen des Bildgebungsprozesses über eine Sendeantenne ausgerichtete Kernspins eines Untersuchungsobjekts angeregt werden sollen. Zum Betrieb dieser Sendeantenne werden hohe Leistungen benötigt, die von einer Leistungsverstärkereinrichtung, die üblicherweise in einer Sendeeinheit der Magnetresonanzeinrichtung verbaut ist, zur Verfügung gestellt werden.
  • Bekannte Leistungsverstärkereinrichtungen arbeiten häufig mit wenigstens einem Leistungsverstärkermodul, welches wiederum wenigstens ein Leistungselektronik-Bauelement aufweist. Dabei sollen möglichst viele Bauelemente und/oder Leiterstrukturen auf einer gemeinsamen Leiterplatte realisiert werden. Es sind Leistungsverstärkereinrichtungen bekannt, die mehrere Verstärkermodule aufweisen, beispielsweise vier Verstärkermodule, die jeweils eine Ausgangsleistung von 5 bis 8 kW erzeugen können, so dass in Kombination eine Leistung von beispielsweise 30 kW erreicht werden kann. Die Leistungsverstärkermodule, die eine Endstufe darstellen, können mithin auch als Endstufenmodule bezeichnet werden. Üblich ist es, Gegentakt-Endstufen zu verwenden, die nach dem Push-Pull-Prinzip mit symmetrischen Eingangssignalen arbeiten. Aufgrund der Höhe der Leistungen, die mit der Leistungsverstärkereinrichtung erzeugt werden sollen, benötigen die in den Leistungsverstärkermodulen als Leistungselektronik-Bauelemente verwendeten Transistoren Kühlung. Hierzu ist es bekannt, unterhalb der bereits erwähnten Leiterplatte (auch PCB - Printed Circuit Board) eine Kühlplatte, beispielsweise aus Kupfer, anzuordnen, durch die, zu kühlende Positionen ablaufend, Kühlmittelkanäle geführt sind.
  • In diesem Zusammenhang werden häufig auch Elektronikstrukturen (Leiterstrukturen) verwendet, die ihre Funktion durch die Wechselwirkung zwischen Leiterbahnen erfüllen, die auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte angeordnet sind. Im Beispiel der Verstärkermodule, die im Push-Pull-Betrieb, mithin als Gegentakt-Endstufe, arbeiten, wird jeweils einer gleichen Menge von Transistoren eine Phase eines symmetrischen Eingangssignals zugeordnet. Das bedeutet, eine erste Gruppe von Transistoren (die auch nur einen Transistor umfassen kann) erhält ein 0°-Signal, während die andere Gruppe von Transistoren (die wiederum nur einen Transistor umfassen kann) ein gegenphasiges 180°-Signal erhält. Die Drain-Ausgänge der Transistor-Bauelemente werden in einer ersten Leiterbahn zusammengeführt, die mit in der zweiten Leiterbahn in induktivem Austausch steht, so dass sich durch induktive Kopplung das verstärkte Ausgangssignal erzeugen lässt. Ein konkretes Beispiel solcher auf induktiver (also auf einem Magnetfeld beruhender) Kopplung basierender Elektronikstrukturen ist ein Balun, wobei derartige Elektronikstrukturen auch zur Erzeugung der Eingangssignale für die Transistor-Bauteilelemente verwendet werden können.
  • Beispiele für derartige bekannte Leistungsverstärkereinheiten lassen sich der DE 10 2011 006 061 A1 oder der DE 10 2011 088 028 B3 entnehmen.
  • Ein besonderes Problem ist die Realisierung dieser Elektronikstrukturen, bei der auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte angeordnete Leiterbahnen miteinander wechselwirken sollen. Während es grundsätzlich denkbar ist, derartige Elektronikstrukturen außerhalb der Leiterplatte durch Koaxialkabel oder dergleichen zu realisieren, werden hierfür meist signifikante Kabellängen benötigt, für die der Bauraum nicht zur Verfügung steht. Hauptsächlich problematisch ist, dass für die korrekte, gewünschte Kopplung der Leiterbahnen ein mit Luft oder einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante nahe von Luft benötigt wird. Dies ist nicht möglich, wenn unmittelbar das Metall einer Kühlplatte an einer Seite der Leiterplatte anschließt. Daher werden im Stand der Technik häufig äußerst komplexe Realisierungen verfolgt, die beispielsweise unter Einsatz von Ferriten arbeiten oder geteilte Kühlplatten verwenden, die mechanisch ungünstig zu handhaben sind. Insbesondere ist es häufig gewünscht, dass der für die induktive beziehungsweise magnetische Wechselwirkung zwischen den Leiterbahnen erforderliche Freiraum von auf Masse liegendem leitendem Material umschlossen ist, weshalb für einen suboptimalen, komplexen und schwierigen Herstellungsprozess vorgeschlagen wurde, Leiterplatten an die Kühlplatten zu bonden.
  • Bevorzugt wären jedoch unabhängig von der Leiterplatte zu betrachtende Kühlplatten, die beispielsweise durch Verschraubung oder dergleichen mit der Leiterplatte verbunden werden können.
  • DE 10 2010 032 078 A1 betrifft eine Leistungselektronik-Baueinheit für eine Magnetresonanzeinrichtung und eine Magnetresonanzeinrichtung, wobei in einem Gehäuse eine Leiterplatte angeordnet ist, die eine wenigstens 1 mm dicke Rückseitenlage, insbesondere aus Kupfer, aufweist. Ferner ist eine als Teil des Gehäuses ausgebildete und/oder das Gehäuse stabilisierende Kühlplatte vorhanden, die einen Kontakt des Kühlmittels unmittelbar mit der Rückseitenlage erlaubt. Ferner kann vorgesehen sein, dass die Rückseitenlage wenigstens eine zur Leiterplatte hin gebildete Kavität zur Feldführung aufweist. Die Leistungselektronik-Baueinheit kann ferner eine Kühlplatte aufweisen.
  • DE 10 2010 032 077 A1 offenbart einen Leistungsverstärker für eine Magnetresonanzeinrichtung, aufweisend einen Balun zur Asymmetrisierung eines Summensignals. Auch dort wird vorgeschlagen, eine dickere Rückseitensage zu verwenden, in der Kavitäten zur Feldführung vorgesehen sind. Die Rückseitenlage kann zudem Wärme an eine gekoppelte Kühleinrichtung oder ein Kühlmedium, beispielsweise Luft, abführen.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die Realisierung von induktiv wechselwirkende Leiterbahnen umfassenden Elektronikstrukturen in Leistungsverstärkereinrichtungen mit einer Leiterplatte und einer Kühlplatte zu vereinfachen.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einer Leistungsverstärkereinrichtung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen, dass die Kühlplatte im Bereich der an der zu der Kühlplatte gewandten Seite der Leiterplatte angeordneten Leiterbahn der Elektronikstruktur eine dem Verlauf der Leiterbahn folgende, zu dieser gewandte Vertiefung aufweist, wobei die Kühlplatte wenigstens teilweise entlang des Randes der Vertiefung elektrisch leitend mit einer auf Masse liegenden elektrisch leitenden, flächigen Rückseitenbeschichtung der Leiterplatte durch ein Verbindungsmittel verbunden ist.
  • Die Erfindung schlägt mithin vor, die nicht an die Leiterplatte angebondete Kühlplatte auf die elektronische Ausgestaltung der Leiterplatte anzupassen, so dass ein besonders hoher Grad an mechanischer Integration durch zu den Leiterbahnen korrespondierende Hohlräume auf der Kühlplatte ermöglicht wird. Die Hohlräume, die für induktiv gekoppelte Resonatoren, Baluns und/oder sonstige Elektronikstrukturen mit induktiv gekoppelten Leiterbahnen benötigt werden, bilden mithin einen Teil der Kühlerplatte, beispielsweise als eine dem Verlauf der der Kühlplatte zugewandten Leiterbahn der Elektronenstruktur folgende Vertiefung in der Kühlplatte. Der elektrische Teil der Elektronikstruktur ist weiterhin auf der Leiterplatte angeordnet, so dass mithin eine Abstimmung zwischen der Leiterplatte und der Kühlerplatte erfolgt. Insbesondere lässt sich die Leiterplatte somit kostengünstig herstellen, da keinerlei Bedarf für eine teure, kupfer-gebondete Leiterplatte mehr besteht. Die Kühlplatte und die Leiterplatte lassen sich im Rahmen der vorliegenden Erfindung also als zwar getrennte, dennoch aber aufeinander angepasste Komponenten realisieren, so dass eine vorteilhafte Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung vorsieht, dass die Kühlplatte über wenigstens ein Befestigungsmittel, insbesondere durch Verschrauben, an der Leiterplatte befestigt ist.
  • Mit der auf die Elektronik der Leiterplatte abgestimmten Kühlplatte entfällt somit die Notwendigkeit für die im Stand der Technik bislang verwendeten komplexen Lösungen, insbesondere die Verwendung von Ferriten oder kupfer-gebondeten Leiterplatten.
  • Die Erfindung sieht vor, dass die Kühlplatte wenigstens teilweise entlang des Randes der Vertiefung elektrisch leitend mit einer auf Masse liegenden elektrisch leitenden, flächigen Rückseitenbeschichtung der Leiterplatte durch ein Verbindungsmittel verbunden ist. Auf diese Weise ist mithin eine gute elektrische Verbindung zwischen der häufig vorhandenen Rückseitenmetallisierung der Leiterplatte, die auf Masse liegt, und der üblicherweise aus Metall bestehenden Kühlplatte, die folglich elektrisch leitend ist, gegeben. Somit bildet sich gemeinsam mit der Vertiefung (Kavität) in der Kühlplatte ein ideal für die induktive Kopplung der Leiterbahnen geeigneter Freiraum, der beispielsweise luftgefüllt sein kann.
  • In diesem Zusammenhang sieht eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung vor, dass das Verbindungsmittel ein elastisches elektrisch leitendes Material, insbesondere ein leitendes Elastomer, ist, welches zwischen der Kühlplatte und der Leiterplatte pressgehaltert ist. Besonders bieten sich hierfür ohnehin im Handel erhältliche, elektrisch leitfähige Elastomer-Dichtungen an, die um die Vertiefung herum geführt werden können und bei der Verbindung der Leiterplatte und der Kühlplatte pressgehaltert werden und somit eine hervorragende elektrische Verbindung zwischen der Rückseite der Leiterplatte und der elektrisch leitfähigen Kühlplatte bilden. Beispielsweise sind Siliziummaterialien bekannt, die eine Silber-Oberfläche aufweisen, um eine derartige Dichtung zu realisieren. Eine andere Möglichkeit ist die Verwendung von Indiumfolie. Derartige Materialien sind beispielsweise auch als „conductive elastomer gaskets“ bekannt.
  • Es kann auch vorkommen, dass die Elektronikstrukturen selbst über die Leiterbahnen Wärme abgeben, mithin dort Verluste auftreten. Dies kann insbesondere dann, wenn große Leistungen über die gekoppelten Leiterbahnen transportiert werden sollen, auftreten. In diesem Zusammenhang sieht eine besonders zweckmäßige Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung vor, dass bei einer im Betrieb Wärme abgebende Elektronikstruktur die Vertiefung wenigstens teilweise, bevorzugt vollständig, durch ein wärmeleitendes Material gefüllt ist. Insbesondere bietet sich hier ein festes, wärmeleitendes Elastomer an, wobei auch Wärmeleitpasten durchaus denkbar sind. Wesentlich ist, dass das Material eine niedrige Dielektrizitätskonstante aufweist, die nahe an der von Luft liegt, beispielsweise also < 5, bevorzugt < 3 ist. Auf diese Weise werden die für die Kopplung notwendigen Eigenschaften der Vertiefung praktisch nicht geändert (wobei das Material selbstverständlich nicht leitend ist), jedoch wird eine hervorragende Wärmeableitung von der Elektronikstruktur in die Kühlplatte ermöglicht.
  • Wie bereits dargelegt wurde, sind verschiedene Arten von Elektronikstrukturen mit zwei induktiv gekoppelten Leiterbahnen denkbar. Typische Beispiele hierfür sind Balun und/oder ein über ein Magnetfeld gekoppelter Resonator. Grundsätzlich sind auch weitere derartige Elektronikstrukturen denkbar, die zweckmäßig in einer Leistungsverstärkereinrichtung eingesetzt werden können.
  • In zweckmäßiger Ausgestaltung kann die Kühlplatte aus Aluminium und/oder aus Kupfer bestehen. Beide Materialien weisen hervorragende Wärmeleiteigenschaften aus, und sind gut verfügbar und mit bekannten Verfahren verarbeitbar.
  • Die Kühlplatte kann im Bereich wenigstens eines sich erwärmenden Bauelements einen Kühlkanal aufweisen. Die hauptsächlichen sich im Betrieb erwärmenden Bauelemente sind bei einer Leistungsverstärkereinrichtung die Transistoren der Leistungsverstärkermodule, für welche es beispielsweise bekannt ist, Aussparungen in der Leiterplatte vorzusehen, um die Transistoren näher an der Kühlplatte positionieren zu können. Zweckmäßig können zu diesen Transistoren beziehungsweise sonstigen sich im Betrieb erwärmenden Bauelementen Kühlkanäle durch die Kühlplatte geführt werden. Ist die Kühlplatte, was bevorzugt ist, aus Aluminium ausgebildet, so kann diese zweckmäßigerweise aus Kupfer geformte Kühlkanäle aufweisen.
  • Neben der Leistungsverstärkereinrichtung betrifft die Erfindung auch eine Magnetresonanzeinrichtung, umfassend eine Leistungsverstärkereinrichtung der erfindungsgemäßen Art. Der grundsätzliche Aufbau von Magnetresonanzeinrichtungen ist im Stand der Technik bereits ausführlich bekannt und muss hier nicht näher dargelegt werden. Die Leistungsverstärkereinrichtung kann Teil einer Sendeeinheit der Magnetresonanzeinrichtung bilden. Sämtliche Ausführungen zur erfindungsgemäßen Leistungsverstärkereinrichtung lassen sich analog auf die erfindungsgemäße Magnetresonanzeinrichtung übertragen, mit welcher dieselben Vorteile erhalten werden können.
  • Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen sowie anhand der Zeichnung. Dabei zeigen:
    • 1 eine Prinzipskizze einer erfindungsgemäßen Leistungsverstärkereinrichtung,
    • 2 einen Teilquerschnitt durch die Leistungsverstärkereinrichtung im Bereich einer Elektronikstruktur mit gekoppelten Leiterbahnen, und
    • 3 eine erfindungsgemäße Magnetresonanzeinrichtung.
  • 1 zeigt eine Prinzipskizze einer erfindungsgemäßen Leistungsverstärkereinrichtung 1. Diese umfasst vorliegend vier Leistungsverstärkermodule 2, die hier schematisch als Funktionsblöcke gezeigt sind. Jedes der Leistungsverstärkermodule 2 erzeugt einen Teil der Gesamtleistung, wobei alle Leistungsverstärkermodule in einem Gehäuse 3 angeordnet sind. Die Ausgangssignale der Verstärkermodule 2 werden vorliegend über einen Balun 4 als auf gegenüberliegenden Seiten einer Leiterplatte angeordnete, induktiv gekoppelte Leiterbahnen umfassende Elektronikstruktur zusammengeführt.
  • Zur konkreten Ausgestaltung der Verstärkermodule 2 existieren mehrere Möglichkeiten, die im Stand der Technik weitgehend bekannt sind und hier nicht näher dargelegt werden sollen. Beispielsweise sind Endstufen-Verstärkermodule denkbar, bei denen als Leistungselektronik-Bauelemente Transistoren verwendet werden, beispielsweise 16 Transistoren, deren Drain-Ausgangssignale über den Balun 4 zu dem Gesamt-Ausgangssignal kombiniert werden. Es sind jedoch selbstverständlich auch andere Ausgestaltungen denkbar, wobei es auf die konkrete Ausgestaltung und Verschaltung der Leistungsverstärkermodule 2 vorliegend nicht ankommt.
  • 2 zeigt nun näher einen Teilschnitt durch das Innere der Leistungsverstärkereinrichtung 1 im Bereich des Balun 4, der vorliegend zwei auf gegenüberliegenden Seiten einer Leiterplatte 5 angeordnete, miteinander induktiv gekoppelte Leiterbahnen 6 umfasst. Über hier nicht näher dargestellte Befestigungsmittel ist die Leiterplatte 5 mit einer Kühlplatte 7 verbunden. Um einen Hohlraum 8 für die induktive Kopplung durch das magnetische Feld zur Verfügung zu stellen, weist die Kühlplatte 7 im Bereich der der Kühlplatte 7 zugewandten Leiterbahn 6, dem Verlauf der Leiterbahn 6 folgend, eine Vertiefung 9 auf. Eine gute elektrisch leitende Verbindung mit einer leitfähigen Rückseitenlage 10 der Leiterplatte 5 wird durch ein elektrisch leitendes Elastomer 11 als Verbindungsmittel geschaffen, welches vorliegend durch eine elektrisch leitfähige Elastomerdichtung, die zwischen den durch das Befestigungsmittel verbundenen Platten 5, 7 pressgehaltert ist, zur Verfügung gestellt. Dabei kann es sich um ein SiliziumMaterial, beispielsweise Silikon, handeln, welches mit Silber beschichtet ist.
  • Im Bereich eines Leistungsverstärkermoduls 2 ist beispielhaft für einen Transistor 12 gezeigt, dass die Leiterplatte 5 durchbrochen ist. Der Transistor 12 ist ein sich beim Betrieb erwärmendes Leistungselektronik-Bauelement, welches über ein hervorragend wärmeleitendes Verbindungselement 13, das im Durchbruch angeordnet ist, direkt mit der Kühlplatte 7 verbunden wird, und zwar an einer Stelle, an der ein Kühlkanal 14 verläuft. Dieser Kühlkanal 14 ist aus Kupfer 15 geformt, das in die grundsätzlich aus Aluminium bestehende Kühlplatte 7 eingesetzt ist. Durch den Kühlkanal 14 kann eine Kühlflüssigkeit, beispielsweise Wasser, geführt werden, an welche die Abwärme des Transistors 12 durch das Verbindungselement 13 und das Kupfer 15 weitergegeben wird.
  • Dabei sei an dieser Stelle angemerkt, dass auch der Balun 4 gegebenenfalls Abwärme erzeugt, so dass vorgesehen sein kann, zum besseren Abtransport dieser Wärme den Hohlraum 8 nicht als luftgefüllt vorzusehen, sondern ein gut wärmeleitendes Material, beispielsweise ein Elastomer mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante, dort einzufüllen, was als optionale Ausgestaltung in 2 nur teilweise in Form des Materials 16 angedeutet ist. Dabei handelt es sich vorliegend um ein festes, jedoch elastisches Elastomer, das ebenso durch Zusammenpressen zwischen der Leiterplatte 5 und der Kühlplatte 7 eine gute thermische Ankopplung an die Leiterbahnen 6 ermöglicht.
  • 3 zeigt schließlich eine Prinzipskizze einer erfindungsgemäßen Magnetresonanzeinrichtung 17, die in bekannter Art und Weise eine unter anderem die Spulen zur Erzeugung des Hauptmagnetfelds umfassende Hauptmagneteinheit 18 mit einer Patientenaufnahme 19 umfasst. Außen an der Hauptmagneteinheit 18 ist ersichtlich eine Sendeeinheit 20 mit einem Gehäuse 21 angeordnet, die die erfindungsgemäße Leistungsverstärkereinrichtung 1 enthält.
  • Weitere Komponenten der Magnetresonanzeinrichtung 17 sind im Stand der Technik weitgehend bekannt und müssen hier nicht näher dargelegt werden.
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.

Claims (7)

  1. Leistungsverstärkereinrichtung (1) für eine Magnetresonanzeinrichtung (17), umfassend eine Leiterplatte (5) mit wenigstens einem Leistungsverstärkermodul (2) und wenigstens einer gekoppelte, auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte (5) angeordnete Leiterbahnen (6) umfassenden Elektronikstruktur und eine zur Kühlung sich beim Betrieb erwärmender Bauelemente auf der Leiterplatte (5) ausgebildete, zu einer Seite an die Leiterplatte (5) anschließende Kühlplatte (7), dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlplatte (7) im Bereich der an der zu der Kühlplatte (7) gewandten Seite der Leiterplatte (5) angeordneten Leiterbahn (6) der Elektronikstruktur eine dem Verlauf der Leiterbahn (6) folgende, zu dieser gewandte Vertiefung (9) aufweist, wobei die Kühlplatte (7) wenigstens teilweise entlang des Randes der Vertiefung (9) elektrisch leitend mit einer auf Masse liegenden elektrisch leitenden, flächigen Rückseitenbeschichtung (10) der Leiterplatte (5) durch ein Verbindungsmittel verbunden ist.
  2. Leistungsverstärkereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungsmittel ein elastisches elektrisch leitendes Material, insbesondere ein elektrisch leitendes Elastomer (11), ist, welches zwischen der Kühlplatte (7) und der Leiterplatte (5) pressgehaltert ist.
  3. Leistungsverstärkereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlplatte (7) über wenigstens ein Befestigungsmittel, insbesondere durch Verschrauben, an der Leiterplatte (5) befestigt ist.
  4. Leistungsverstärkereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer im Betrieb Wärme abgebenden Elektronikstruktur die Vertiefung (19) wenigstens teilweise, bevorzugt vollständig, durch ein wärmeleitendes Material (16) gefüllt ist.
  5. Leistungsverstärkereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronikstruktur ein Balun (4) und/oder ein über ein Magnetfeld gekoppelter Resonator ist.
  6. Leistungsverstärkereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlplatte (7) aus Aluminium und/oder aus Kupfer besteht.
  7. Magnetresonanzeinrichtung (17), umfassend eine Leistungsverstärkereinrichtung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche.
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