DE102013225410A1

DE102013225410A1 - Laser processing device

Info

Publication number: DE102013225410A1
Application number: DE102013225410.5A
Authority: DE
Inventors: Koichi Shigematsu
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-12-12
Filing date: 2013-12-10
Publication date: 2014-06-12
Anticipated expiration: 2033-12-11
Also published as: DE102013225410B4; JP6013894B2; JP2014113632A

Abstract

Eine Laserbearbeitungsvorrichtung zum Ausführen einer Laserbearbeitung an einer Scheibe, mit einem Substrat, einer Vielzahl an Einheitsmasken, die auf der Vorderseite des Substrats ausgebildet sind, indem eine Reduktionsprojektionsbelichtung mittels eines Steppers an einer Maske ausgeführt wird, und einer Vielzahl an Einrichtungen, die bei jeder Einheitsmaske ausgebildet sind, um so mittels einer Vielzahl an Straßen partitioniert zu sein. Die Laserbearbeitungsvorrichtung weist eine Abbildungseinheit zum Abbilden der laserbearbeiteten Vertiefungen, die mittels einer Laserstrahlanwendungseinheit ausgebildet wurden, und eine Steuerung zum Prüfen der Laserstrahlanwendungseinheit in Abhängigkeit der mittels der Abbildungseinheit abgebildeten laserbearbeiteten Vertiefungen auf. Die Steuerung weist einen Speicher zum Speichern der Koordinatenwerte für die Vielzahl an Einheitsmasken auf, die auf dem Substrat der Scheibe ausgebildet sind. Die Steuerung betätigt die Abbildungseinheit zum Abbilden der laserbearbeiteten Vertiefungen bei den spezifischen Koordinaten von mindestens zwei der Vielzahl an Einheitsmasken, wobei die spezifischen Koordinaten vorher in dem Speicher gespeichert werden. Die Steuerung führt eine Selbstdiagnose der Laserstrahlanwendungseinheit in Abhängigkeit einer Veränderung zwischen den laserbearbeiteten Vertiefungen auf, die bei den mindestens zwei spezifischen Koordinaten abgebildet sind.A laser machining device for performing laser machining on a disk, with a substrate, a plurality of unit masks formed on the front of the substrate by performing reduction projection exposure by means of a stepper on a mask, and a plurality of devices that are provided on each unit mask are formed so as to be partitioned by means of a plurality of roads. The laser processing device has an imaging unit for imaging the laser-machined depressions, which were formed by means of a laser beam application unit, and a controller for checking the laser beam application unit as a function of the laser-machined depressions imaged by means of the imaging unit. The controller has a memory for storing the coordinate values for the plurality of unit masks that are formed on the substrate of the disk. The controller operates the imaging unit to image the laser machined wells at the specific coordinates of at least two of the plurality of unit masks, the specific coordinates being previously stored in the memory. The control system performs a self-diagnosis of the laser beam application unit as a function of a change between the laser-machined depressions, which are shown in the at least two specific coordinates.

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Laserbearbeitungsvorrichtung zum Ausführen einer Laserbearbeitung an einem Werkstück wie einer Halbleiterscheibe.The present invention relates to a laser processing apparatus for performing laser processing on a workpiece such as a semiconductor wafer.

Beschreibung des Stands der TechnikDescription of the Related Art

In einem Halbleitereinrichtungsherstellungsverfahren werden eine Vielzahl an sich kreuzenden Unterteilungslinien, Straßen genannt, auf der Vorderseite einer im Wesentlichen scheibenförmigen Halbleiterscheibe ausgebildet, um dadurch eine Vielzahl an Bereichen zu partitionieren, bei denen eine Vielzahl an Einrichtungen wie IC´s und LSIs jeweils ausgebildet werden. Die Halbleiterscheibe wird entlang der Straßen geschnitten, um dadurch die Bereiche, bei denen die Einrichtungen ausgebildet werden, zu unterteilen, so dass eine Vielzahl an individuellen Halbleiterchips erzeugt werden. Als ein Verfahren zum Unterteilen einer Scheibe wie einer Halbleiterscheibe und einer optischen Einrichtungsscheibe entlang der Straßen wurde ein Verfahren zum Anwenden eines Pulslaserstrahls auf die Scheibe entlang der Straßen vorgeschlagen, um dadurch die laserbearbeiteten Vertiefungen mittels Ablation zu bilden, wodurch die Scheibe entlang der Straßen unterteilt wird.In a semiconductor device manufacturing method, a plurality of intersecting dividing lines, called streets, are formed on the front side of a substantially disk-shaped semiconductor wafer to thereby partition a plurality of regions in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are respectively formed. The semiconductor wafer is cut along the streets to thereby divide the areas where the devices are formed so that a plurality of individual semiconductor chips are formed. As a method for dividing a disk such as a semiconductor wafer and an optical device disk along the streets, a method of applying a pulse laser beam to the disk along the streets has been proposed to thereby ablate the laser-processed pits, thereby dividing the disk along the streets ,

Eine solche Laserbearbeitung wird unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung ausgeführt, die ein Werkstückhaltemittel zum Halten eines Werkstücks, ein Laserstrahlanwendungsmittel zum Anwenden eines Laserstrahls auf das mittels des Werkstückhaltemittels gehaltenen Werkstücks, ein Vorschubmittel zum relativen Bewegen des Werkstückhaltemittels und des Laserstrahlanwendungsmittels in einer Vorschubeinrichtung, und ein Verschiebungsmittel zum Bewegen des Werkstückhaltemittels und des Laserstrahlanwendungsmittels in einer Verschiebungsrichtung („index direction“), senkrecht zu der Vorschubrichtung, auf. Das Laserstrahlanwendungsmittel ist aufgebaut aus einem Laserstrahloszillationsmittel zum Oszillieren eines Laserstrahls, einem Fokussiermittel zum Fokussieren des Laserstrahls, der durch das Laserstrahloszillationsmittel oszilliert wird, und zum Anwenden dieses fokussierten Laserstrahls auf das mittels des Werkstückhaltemittels gehaltenen Werkstücks, und einem optischen System, wie ein zwischen dem Laserstrahloszillationsmittel und dem Fokussiermittel bereitgestellten Leistungsanpassungsmittel zum Anpassen der Leistung des mittels des Laserstrahloszillationsmittels oszillierten Laserstrahls (siehe zum Beispiel japanisches Patent Nummer 2006-253432 ).Such a laser processing is carried out by using a laser machining apparatus including a workpiece holding means for holding a workpiece, a laser beam applying means for applying a laser beam to the workpiece held by the workpiece holding means, feed means for relatively moving the workpiece holding means and the laser beam applying means in a feed means, and a displacement means Moving the workpiece holding means and the laser beam applying means in an index direction perpendicular to the feed direction. The laser beam applying means is composed of a laser beam oscillation means for oscillating a laser beam, a focusing means for focusing the laser beam oscillated by the laser beam oscillation means, and applying this focused laser beam to the workpiece held by the workpiece holding means, and an optical system such as one between the laser beam oscillation means and power adjusting means provided to the focusing means for adjusting the power of the laser beam oscillated by the laser beam oscillation means (see, for example, FIG Japanese Patent Number 2006-253432 ).

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Das optische System, welches das Laserstrahlanwendungsmittel der Laserbearbeitungsvorrichtung bildet, ist im Laufe der Zeit einer Verschlechterung unterworfen. Die Verschlechterung des optischen Systems, welches das Laserstrahlanwendungsmittel bildet, kann jedoch nicht erfasst werden, was zu einer Reduktion in der Verarbeitungsqualität des Werkstücks führt.The optical system constituting the laser beam applying means of the laser processing apparatus is deteriorated with the passage of time. However, the deterioration of the optical system constituting the laser beam applying means can not be detected, resulting in a reduction in the processing quality of the workpiece.

Beispielsweise in dem Fall, in dem sich das Laserstrahloszillationsmittel, welches einen Laserstrahloszillator aufweist, verschlechtert hat, kann die Verarbeitungsqualität des Werkstücks aufrechterhalten werden, indem das Leistungsanpassungsmittel vorsichtig gesteuert wird, um dadurch die Leistung des Mittel des Laserstrahloszillators oszillierten Laserstrahls anzupassen.For example, in the case where the laser beam oscillating means having a laser beam oscillator has deteriorated, the processing quality of the workpiece can be maintained by carefully controlling the power adjusting means to thereby adjust the power of the center of the laser oscillating laser beam oscillator.

Der Grad der Verschlechterung kann jedoch nicht erkannt werden, so dass nicht ermittelt werden kann, ob die vorsichtige Steuerung des Leistungsanpassungsmittels fortgesetzt werden sollte, oder ob der Laserstrahloszillator ersetzt werden sollte. Dementsprechend wird die Verarbeitung des Werkstücks fortgesetzt, ohne dass dieses Problem bewältigt wird, was zu einer Reduktion in der Verarbeitungsqualität des Werkstücks führt.However, the degree of degradation can not be detected, so that it can not be determined whether the cautious control of the power adjustment means should be continued or whether the laser beam oscillator should be replaced. Accordingly, the processing of the workpiece is continued without coping with this problem, resulting in a reduction in the processing quality of the workpiece.

Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, welche eine Selbstdiagnose der Verschlechterung etc. des Laserstrahlanwendungsmittels ausführen kann.Therefore, it is an object of the present invention to provide a laser processing apparatus which can perform self-diagnosis of deterioration etc. of the laser beam applying means.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitgestellt, zum Ausführen einer Laserbearbeitung an einer Scheibe bzw. einem Wafer mit einem Substrat, wobei eine Vielzahl an Einheitsmasken auf der Vorderseite des Substrats ausgebildet sind, indem mittels eines Steppers eine Reduktionsprojektionsbelichtung auf eine Maske angewandt wird, und eine Vielzahl an Einrichtungen bei jeder Einheitsmaske ausgebildet sind, um so mittels einer Vielzahl an Straßen partitioniert zu sein, wobei die Laserbearbeitungsvorrichtung ein Werkstückhaltemittel zum Halten der Scheibe als ein Werkstück aufweist; ein Laserstrahlanwendungsmittel zum Anwenden eines Laserstrahls auf die durch das Werkstückhaltemittel gehaltene Scheibe; ein X-Richtung-Bewegungsmittel zum relativen Bewegen des Werkstückhaltemittels und des Laserstrahlanwendungsmittels in einer X-Richtung, zum Ausführen einer Vorschubbetätigung; ein Y-Richtung-Bewegungsmittel zum Bewegen des Werkstückhaltemittels und des Laserstrahlanwendungsmittels in einer Y-Richtung, senkrecht zu der X-Richtung, zum Ausführen einer Verschiebungsbetätigung („index operation“); ein Abbildungsmittel zum Abbilden einer Vielzahl an laserbearbeiteten Vertiefungen, die mittels des Laserstrahlanwendungsmittels entlang der Straßen auf der Scheibe ausgebildet wurden; und einem Steuermittel zum Erstellen einer Diagnose für das Laserstrahlanwendungsmittel in Abhängigkeit der laserbearbeiteten Vertiefungen, die mittels des Abbildungsmittel abgebildet sind; wobei das Steuermittel einen Speicher zum Speicher zum Speichern der Koordinatenwerte für die Vielzahl an Einheitsmasken, die auf dem Substrat der Scheibe ausgebildet sind, aufweist; wobei das Steuermittel das Abbildungsmittel zum Abbilden der laserbearbeiteten Vertiefungen bei den spezifischen Koordinaten von mindestens zwei der Vielzahl an Einheitsmasken betätigt, wobei die spezifischen Koordinaten vorher in dem Speicher gespeichert werden; wobei das Steuermittel eine Selbstdiagnose des Laserstrahlanwendungsmittels in Abhängigkeit einer Veränderung zwischen den laserbearbeiteten Vertiefungen, die bei den mindestens zwei spezifischen Koordinaten abgebildet sind, ausführt; wobei das Steuermittel eine Anzeigeeinrichtung zum Anzeigen des Ergebnisses der Selbstdiagnose betätigt. Vorzugsweise schließt die Veränderung zwischen den laserbearbeiten Vertiefungen eine Veränderung in der Breite jeder laserbearbeiteten Vertiefung ein.According to one aspect of the present invention, there is provided a laser processing apparatus for performing laser processing on a wafer with a substrate, wherein a plurality of unit masks are formed on the front surface of the substrate by applying a reduction projection exposure to a mask by means of a stepper and a plurality of devices are formed on each unit mask so as to be partitioned by a plurality of streets, the laser processing apparatus having workpiece holding means for holding the disc as a workpiece; a laser beam applying means for applying a laser beam to the disk held by the workpiece holding means; X direction moving means for relatively moving the workpiece holding means and the laser beam applying means in an X direction to perform a feed operation; Y direction moving means for moving the workpiece holding means and the laser beam applying means in a Y direction perpendicular to the X direction to perform an index operation; one Imaging means for imaging a plurality of laser processed pits formed along the streets on the disk by the laser beam application means; and control means for making a diagnosis to the laser beam applying means in response to the laser processed pits imaged by the imaging means; wherein the control means comprises a memory for storing the coordinate values for the plurality of unit masks formed on the substrate of the disk; wherein the control means actuates the imaging means to image the laser processed pits at the specific coordinates of at least two of the plurality of unit masks, the specific coordinates being previously stored in the memory; wherein the control means performs a self-diagnosis of the laser beam application means in response to a change between the laser-processed pits imaged at the at least two specific coordinates; wherein the control means operates a display means for displaying the result of the self-diagnosis. Preferably, the change between the laser-processed pits includes a change in the width of each laser-processed pit.

Wie vorstehend beschrieben, weist die Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung das Laserstrahlanwendungsmittel zum Anwenden eines Laserstrahls auf die mittels des Werkstückhaltemittels gehaltene Scheibe auf, das Abbildungsmittel zum Abbilden der laserbearbeiteten Vertiefung, die mittels des Laserstrahlanwendungsmittels entlang der Straßen auf der Scheibe ausgebildet sind, und das Steuermittel zum Prüfen des Laserstrahlanwendungsmittels in Abhängigkeit des laserbearbeiteten Vertiefungen, die mittels des Abbildungsmittels abgebildet wurden. Das Steuermittel weist einen Speicher zum Speichern der Koordinatenwerte für die Vielzahl an Einheitsmasken auf, die auf dem Substrat der Scheibe ausgebildet sind. Das Steuermittel betätigt das Abbildungsmittel zum Abbilden der laserbearbeiteten Vertiefung bei den spezifischen Koordinaten von mindestens zwei der Vielzahl an Einheitsmasken, wobei die spezifischen Koordinaten vorher in dem Speicher gespeichert sind. Das Steuermittel führt eine Selbstdiagnose des Laserstrahlanwendungsmittels in Abhängigkeit einer Veränderung zwischen den laserbearbeiteten Vertiefungen durch, die bei dem mindestens zwei spezifischen Koordinaten abgebildet sind. Das Steuermittel betätigt ferner die Anzeigeeinrichtung zum Anzeigen des Ergebnisses dieser Selbstdiagnose. Dementsprechend können Variationen in der Verarbeitung gemäß der Einrichtung eliminiert werden, und die Verschlechterung etc. des Laserstrahlanwendungsmittels kann genau erfasst werden. Im Ergebnis kann die Verarbeitungsqualität durch vorsichtiges Anpassen der Leistung des Laserstrahls oder durch Ersetzen eines Laserstrahloszillators, der in dem Laserstrahlanwendungsmittel erhalten ist, aufrechterhalten werden.As described above, the laser processing apparatus according to the present invention comprises the laser beam applying means for applying a laser beam to the disk held by the workpiece holding means, the imaging means for imaging the laser processed pit formed by the laser beam applying means along the streets on the disk, and the control means for inspecting the laser beam application means in response to the laser processed recesses imaged by the imaging means. The control means has a memory for storing the coordinate values for the plurality of unit masks formed on the substrate of the disk. The control means operates the imaging means for imaging the laser-processed pit at the specific coordinates of at least two of the plurality of unit masks, the specific coordinates being previously stored in the memory. The control means performs self-diagnosis of the laser beam application means in response to a change between the laser-processed pits mapped at the at least two specific coordinates. The control means further operates the display means for displaying the result of this self-diagnosis. Accordingly, variations in the processing according to the device can be eliminated, and the deterioration etc. of the laser beam applying means can be accurately detected. As a result, the processing quality can be maintained by carefully adjusting the power of the laser beam or by replacing a laser beam oscillator obtained in the laser beam applying means.

Das vorstehende und weitere Ziele, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung, und die Weise der Realisierung werden genauer ersichtlich werden, und die Erfindung selbst wird besser zu verstehen sein, anhand einer Studie der folgenden Beschreibung und der beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, welche eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.The foregoing and other objects, features and advantages of the present invention, and manner of realization, will become more apparent, and the invention itself will be better understood by a study of the following description and the appended claims, with reference to the accompanying drawings which show a preferred embodiment of the invention.

Kurze Beschreibung der FigurenBrief description of the figures

1 ist eine Perspektivansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; 1 Fig. 10 is a perspective view of a laser processing apparatus according to the present invention;

2 ist ein Blockschaltbild, das die Konfiguration eines Laserstrahlanwendungsmittels zeigt, das in der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung enthalten ist; 2 FIG. 15 is a block diagram showing the configuration of a laser beam applying means disclosed in the present invention 1 shown laser processing device is included;

3 ist ein Blockschaltbild, das die Konfiguration eines Steuermittels zeigt, das in der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung enthalten ist; 3 FIG. 15 is a block diagram showing the configuration of a control means included in the in 1 shown laser processing device is included;

4 ist eine Perspektivansicht einer Halbleiterscheibe als ein Werkstück zeigt; 4 Fig. 12 is a perspective view of a semiconductor wafer as a workpiece;

5 ist ein Grundriss der in 4 gezeigten Halbleiterscheibe in dem Zustand, in dem die Scheibe an einer von einem ringförmigen Rahmen getragenen Vereinzelungsfolie („dicing tape“) befestigt ist; 5 is a floor plan of in 4 in the state where the disc is attached to a dicing tape carried by an annular frame;

6A ist ein Grundriss, der die Beziehung zwischen der in 4 gezeigten Halbleiterscheibe und Koordinaten zeigt, in dem Zustand, in dem die Scheibe bei einer vorgegebenen Position auf einem Spanntisch, als ein in der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung enthaltenes Werkstückhaltemittel, gehalten wird; 6A is a floor plan that shows the relationship between the in 4 shown in the state in which the disc at a predetermined position on a clamping table, as shown in the in 1 shown workpiece holding means, is held;

6B ist ein Grundriss, ähnlich zu 6A, der den Zustand zeigt, der durch 90° Drehung der in 6A gezeigten Halbleiterscheibe erreicht wird; 6B is a floor plan, similar to 6A showing the condition caused by 90 ° rotation of the in 6A achieved semiconductor wafer is achieved;

7A bis 7C sind Ansichten zum Illustrieren eines Ausbildungsschritts für eine laserbearbeite Vertiefung, der mittels der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung auszuführen ist; und 7A to 7C are views for illustrating a training step for a laser-machining well, which are using the in 1 to be executed shown laser processing apparatus; and

8 ist ein Grundriss einer laserbearbeiteten Vertiefung, die auf einer Anzeigeeinrichtung angezeigt wird, durch einen laserbearbeiteten Vertiefungsüberprüfungsschritt, der mittels der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung auszuführen ist. 8th FIG. 12 is a plan view of a laser-processed pit displayed on a display device by a laser-processed pit check step performed by means of the method of FIG 1 to be executed laser processing apparatus is executed.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten AusführungsformenDetailed Description of the Preferred Embodiments

Eine bevorzugte Ausführungsform der Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben werden. 1 ist eine Perspektivansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die in 1 gezeigte Laserbearbeitungsvorrichtung 1 weist eine stationäre Basis 2, einen Spanntischmechanismus 3 zum Halten einer Scheibe als ein Werkstück auf, wobei der Spanntischmechanismus 3 so auf der stationären Basis 2 bereitgestellt ist, dass er in einer Zuführrichtung (X-Richtung), die durch einen Pfeil X gezeigt ist, bewegbar ist, wobei ein Laserstrahlanwendungseinheitsstützmechanismus 4 so auf der stationären Basis 2 bereitgestellt ist, dass er in einer Verschiebungsrichtung (Y-Richtung) („index direction“), die durch einen Pfeil Y gezeigt ist, senkrecht zu der X-Richtung, bewegbar ist, und wobei eine Laserstrahlanwendungseinheit 5 so auf dem Laserstrahlanwendungseinheitsstützmechanismus 4 bereitgestellt ist, dass sie in einer Brennpunktanpassungsrichtung (Z-Richtung), die durch einen Pfeil Z gezeigt ist, bewegbar ist.A preferred embodiment of the laser processing apparatus according to the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 Fig. 10 is a perspective view of a laser processing apparatus 1 according to a preferred embodiment of the present invention. In the 1 shown laser processing device 1 has a stationary base 2 , a clamping table mechanism 3 for holding a disc as a workpiece, wherein the clamping table mechanism 3 so on the stationary basis 2 is provided to be movable in a feeding direction (X direction) shown by an arrow X, wherein a laser beam application unit supporting mechanism 4 so on the stationary basis 2 is provided to be movable in a shift direction (Y direction) (index direction) shown by an arrow Y perpendicular to the X direction, and a laser beam application unit 5 so on the laser beam application unit support mechanism 4 is provided to be movable in a focus adjustment direction (Z direction) shown by an arrow Z.

Der Spanntischmechanismus 3 weist ein Paar an Führungsschienen 31 auf, das sie sich parallel zueinander in der X-Richtung erstrecken, einen ersten Gleitblock 32, der so auf den Führungsschienen 31 bereitgestellt ist, dass er in der X-Richtung bewegbar ist, einen zweiten Gleitblock 33, der auf dem ersten Gleitblock 32 so bereitgestellt ist, dass er in der Y-Richtung bewegbar ist, einen Abdeckungstisch 35, der durch ein auf dem zweiten Gleitblock 33 stehendes zylindrisches Element 34 abgestützt ist, und einen Spanntisch 36 als ein Werkstückhaltemittel. Der Spanntisch 36 weist eine Vakuumspanneinrichtung 361 auf, die aus einem porösen Material ausgebildet ist. Ein Werkstück, wie eine plattenförmige Halbleiterscheibe, ist dazu ausgebildet, mittels (nicht gezeigten) Betätigungsansaugmitteln unter Saugwirkung auf dem Spanntisch 361 gehalten zu werden. Der Spanntisch 36 ist mittels eines (nicht gezeigten) Pulsmotors, der in dem zylindrischen Element 34 bereitgestellt ist, drehbar. Ferner ist ein Spanntisch 36 mit Halterungen 362 zum Befestigen eines hiernach zu beschreibenden ringförmigen Rahmens versehen.The clamping table mechanism 3 has a pair of guide rails 31 in that they extend parallel to each other in the X direction, a first sliding block 32 , so on the guide rails 31 is provided that it is movable in the X direction, a second sliding block 33 on the first slide block 32 is provided so as to be movable in the Y direction, a cover table 35 by one on the second sliding block 33 standing cylindrical element 34 supported, and a chuck table 36 as a workpiece holding means. The clamping table 36 has a vacuum clamping device 361 on, which is formed of a porous material. A workpiece, such as a plate-shaped semiconductor wafer, is adapted to be suction-actuated on the chuck table by means of actuating suction means (not shown) 361 to be held. The clamping table 36 is by means of a (not shown) pulse motor, which in the cylindrical element 34 is provided, rotatable. There is also a chuck table 36 with brackets 362 for fixing an annular frame to be described hereinafter.

Die untere Fläche des ersten Gleitblocks 32 ist mit einem Paar an geführten Vertiefungen 321 zum gleitenden Eingriff mit dem Paar an vorstehend erwähnten Führungsschienen 31 ausgebildet. Ein Paar an Führungsschienen 322 ist auf der oberen Fläche des ersten Gleitblocks 32 so bereitgestellt, dass sie sich parallel zueinander in der Y-Richtung erstrecken. Dementsprechend ist der erste Gleitblock 32 in der X-Richtung entlang der Führungsschienen 31 mittels des gleitenden Eingriffs der geführten Vertiefung 321 mit den Führungsschienen 31 bewegbar. Der Spanntischmechanismus 3 weist ferner X-Richtung-Bewegungsmittel 37 zum in der X-Richtung entlang der Führungsschiene 31 Bewegen des ersten Gleitblocks 32 auf. Das X-Richtung-Bewegungsmittel 37 weist einen sich parallel zu den Führungsschienen 31 erstreckenden Außengewindestab 371 auf, so dass er dazwischengeschaltet ist, und einen Pulsmotor 372 als eine Antriebsquelle zum Drehantrieb des Außengewindestabs 371. Der Außengewindestab 371 ist an einem seiner Enden drehbar an einem Lagerblock 373 abgestützt, der an der stationären Basis 2 befestigt ist, und ist an seinem anderen Ende mit der Ausgangswelle des Pulsmotors 372 verbunden, so dass er das Drehmoment desselben aufnimmt. Der Außengewindestab 371 steht mit einer Durchgangsbohrung mit Gewinde in Eingriff, die in einem (nicht gezeigten) Innengewindeblock ausgebildet ist, der von einer unteren Fläche des ersten Gleitblocks 32 bei einem zentralen Ausschnitt desselben hervorsteht. Dementsprechend wird der erste Gleitblock 32 in der X-Richtung entlang der Führungsschiene 31 bewegt, indem der Pulsmotor 372 betätigt wird, um den Außengewindestabe 371 normal oder umgekehrt zu drehen.The lower surface of the first sliding block 32 is with a pair of guided wells 321 for sliding engagement with the pair of guide rails mentioned above 31 educated. A pair of guide rails 322 is on the upper surface of the first sliding block 32 provided so as to extend parallel to each other in the Y direction. Accordingly, the first sliding block 32 in the X direction along the guide rails 31 by means of the sliding engagement of the guided recess 321 with the guide rails 31 movable. The clamping table mechanism 3 also has X-direction moving means 37 for in the X direction along the guide rail 31 Move the first slide block 32 on. The X-direction moving means 37 has a parallel to the guide rails 31 extending outer threaded rod 371 on, so that he is interposed, and a pulse motor 372 as a drive source for rotary driving the male threaded rod 371 , The external threaded rod 371 is rotatably mounted on a bearing block at one of its ends 373 supported at the stationary base 2 is attached, and is at its other end to the output shaft of the pulse motor 372 connected so that it receives the torque of the same. The external threaded rod 371 engages with a threaded through-hole formed in an internally threaded block (not shown) received from a lower surface of the first sliding block 32 at a central section of the same protrudes. Accordingly, the first sliding block becomes 32 in the X direction along the guide rail 31 moved by the pulse motor 372 is pressed to the outer threaded hub 371 normal or reverse.

Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 weist ein X-Positionserfassungsmittel 374 zum Erfassen des Vorschubbetrags oder X-Position des Spanntischs 36 auf. Das X-Positionserfassungsmittel 374 weist eine lineare Skala 374a auf, die sich entlang einer der Führungsschienen 31 erstreckt, und einen Lesekopf 374b, der auf dem ersten Gleitblock 32 vorgesehen ist, und gemeinsam mit dem ersten Gleitblock 32 entlang der linearen Skala 372a bewegbar ist. Der Lesekopf 374b des X-Postionserfassungsmittels 374 übermittelt ein Pulssignal von einem Puls pro 1 µm bei dieser bevorzugten Ausführungsform zu einem Steuermittel, welches hiernach beschrieben wird. Das Steuermittel zählt die Anzahl an Pulsen als die Pulssignaleingabe des Lesekopfs 374b, um dadurch den Vorschubbetrag oder X-Position des Spanntischs 36 zu erfassen. In dem Fall, in dem der Pulsmotor 372 als die Antriebsquelle für das X-Positionsbewegungsmittel 37 eingesetzt wird, wie bei dieser bevorzugten Ausführungsform, kann die Anzahl an Pulsen als eine Antriebssignalausgabe von dem Steuermittel an dem Pulsmotor 372 mittels des Steuermittels gezählt werden, um dadurch den Vorschubbetrag oder X-Position des Spanntischs 36 zu erfassen.The laser processing device 1 has an X position detection means 374 for detecting the feed amount or X position of the chuck table 36 on. The X position detection means 374 has a linear scale 374a on, extending along one of the guide rails 31 extends, and a reading head 374b on the first slide block 32 is provided, and together with the first sliding block 32 along the linear scale 372a is movable. The reading head 374b of the X-position detection means 374 transmits a pulse signal of one pulse per 1 μm in this preferred embodiment to a control means which will be described hereinafter. The control means counts the number of pulses as the pulse signal input of the read head 374b to thereby adjust the feed amount or X position of the chuck table 36 capture. In the case where the pulse motor 372 as the drive source for the X-position moving means 37 As in this preferred embodiment, the number of pulses may be used as a drive signal output from the control means on the pulse motor 372 be counted by the control means, thereby the feed amount or X-position of the clamping table 36 capture.

Die untere Fläche des zweiten Gleitblocks 33 ist mit einem Paar an geführten Vertiefungen 331 zum gleitenden Eingriff mit dem Paar an Führungsschienen 322, die auf der oberen Fläche des ersten Gleitblocks 32 bereitgestellt sind, wie vorstehend erwähnt, ausgebildet. Dementsprechend ist der zweite Gleitblock 33 in der Y-Richtung entlang der Führungsschienen 322 bewegbar, mittels des gleitenden Eingriffs der geführten Vertiefung 331 mit den Führungsschienen 322. Der Spanntischmechanismus 3 weist ferner erste Y-Richtung-Bewegungsmittel 38 zum entlang der Führungsschiene 322 in der Y-Richtung Bewegen des zweiten Gleitblocks 33 auf. Das erste Y-Richtung-Bewegungsmittel 38 weist einen Außengewindestabe 381 auf, der sich parallel zu den Führungsschienen 322 erstreckt, sodass er dazwischen zwischengeschaltet ist, und einen Pulsmotor 382 als eine Antriebsquelle zum Drehantrieb des Außengewindestabs 381. Der Außengewindestab 381 ist an seinem einen Ende drehbar an einem Lagerblock 383 abgestützt, der an der Oberfläche des ersten Gleitblocks 32 befestigt ist, und ist an einem anderen Ende mit der Ausgangswelle des Pulsmotors 382 verbunden, um so das Drehmoment desselben aufzunehmen. Der Außengewindestab 381 steht mit einer Durchgangsbohrung mit Gewinde in Eingriff, die in einem (nicht gezeigten) Innengewindeblock ausgebildet ist, der von der unteren Fläche des zweiten Gleitblocks 33 bei einem zentralen Abschnitt desselben hervorsteht. Denentsprechend wird der zweite Gleitblock 33 in der Y-Richtung entlang der Führungsschienen 322 bewegt, indem der Pulsmotor 382 betätigt wird, um den Außengewindestab 381 normal oder umgekehrt zu drehen.The lower surface of the second sliding block 33 is with a pair of guided wells 331 for sliding engagement with the pair of guide rails 322 on the upper surface of the first sliding block 32 provided as mentioned above. Accordingly, the second sliding block 33 in the Y direction along the guide rails 322 movable, by means of the sliding engagement of the guided recess 331 with the guide rails 322 , The clamping table mechanism 3 also has first Y-direction moving means 38 along the guide rail 322 in the Y direction, moving the second slide block 33 on. The first Y-direction moving means 38 has an external threaded hub 381 on, which is parallel to the guide rails 322 extends so that it is interposed between, and a pulse motor 382 as a drive source for rotary driving the male threaded rod 381 , The external threaded rod 381 is rotatable at one end to a bearing block 383 supported on the surface of the first sliding block 32 is attached, and is at another end to the output shaft of the pulse motor 382 connected so as to absorb the torque thereof. The external threaded rod 381 engages with a threaded through-hole formed in a female screw block (not shown) extending from the lower surface of the second sliding block 33 protrudes at a central portion thereof. Correspondingly, the second sliding block becomes 33 in the Y direction along the guide rails 322 moved by the pulse motor 382 is pressed to the outer threaded rod 381 normal or reverse.

Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 weist ein Y-Positionserfassungsmittel 384 zum Erfassen des Verschiebungsbetrags („index amount“) oder Y-Position des Spanntischs 36 auf. Das Y-Positionserfassungsmittel 384 weist eine lineare Skala 384a auf, die sich entlang der Führungsschienen 322 erstreckt, und einen Lesekopf 384b, der an dem zweiten Gleitblock 33 bereitgestellt ist, und entlang der linearen Skala 384a bewegbar ist, gemeinsam mit dem zweiten Gleitblock 33. Der Lesekopf 384b des Y-Positionserfassungsmittels 384 überträgt ein Pulssignal von einem Puls pro 1µm bei dieser bevorzugten Ausführungsform an das Steuermittel. Das Steuermittel zählt die Anzahl an Pulsen als die Pulssignaleingabe von dem Lesekopf 384b, um dadurch den Verschiebungsbetrag oder Y-Position des Spanntischs 36 zu erfassen. In dem Fall, in dem der Pulsmotor 382 als die Antriebsquelle für das erste Y-Richtungsbewegungsmittel 38 verwendet wird, wie bei dieser bevorzugten Ausführungsform, kann die Anzahl an Pulsen als eine Antriebssignalausgabe von dem Steuermittel an dem Pulsmotor 382 mittels des Steuermittels gezählt werden, um dadurch den Verschiebungsbetrag oder Y-Position des Spanntischs 36 zu erfassen.The laser processing device 1 has a Y-position detecting means 384 for detecting the shift amount ("index amount") or Y position of the chuck table 36 on. The Y-position detecting means 384 has a linear scale 384a on, extending along the guide rails 322 extends, and a reading head 384b that on the second sliding block 33 is provided, and along the linear scale 384a is movable, together with the second sliding block 33 , The reading head 384b of the Y position detection means 384 transmits a pulse signal of one pulse per 1 μm in this preferred embodiment to the control means. The control means counts the number of pulses as the pulse signal input from the read head 384b to thereby adjust the shift amount or Y position of the chuck table 36 capture. In the case where the pulse motor 382 as the drive source for the first Y-direction moving means 38 As in this preferred embodiment, the number of pulses may be used as a drive signal output from the control means on the pulse motor 382 are counted by the control means to thereby determine the shift amount or Y position of the chuck table 36 capture.

Der Laserstrahlanwendungseinheitsstützmechanismus 4 weist ein Paar von Führungsschienen 41 auf, die auf der stationären Basis 2 so bereitgestellt sind, dass sie sich parallel zueinander in der Y-Richtung erstrecken, und eine bewegliche Stützbasis 43, die auf den Führungsschienen 41 so bereitgestellt ist, dass sie in der Y-Richtung bewegbar ist. Die bewegliche Stützbasis 42 ist aus einem horizontalen Abschnitt 421, der auf den Führungsschienen 41 gleitbar abgestützt ist, und einem vertikalen Abschnitt 422 aufgebaut, der sich von der oberen Fläche des horizontalen Abschnitts 421 vertikal nach oben erstreckt. Ferner ist ein Paar an Führungsschienen 423 auf einer Seitenfläche des vertikalen Abschnitts 422 so bereitgestellt, dass sie sich parallel zueinander in der Z-Richtung erstrecken. Der Laserstrahlanwendungseinheitsstützmechanismus 4 weist ferner zweite Y-Richtung-Bewegungsmittel 43 zum Bewegen der beweglichen Stützbasis 42 in der Y-Richtung entlang der Führungsschienen 41 auf. Das zweite Y-Richtung-Bewegungsmittel 42 weist einen Außengewindestab 431 auf, der sich parallel zu den Führungsschienen 41 erstreckt, um so dazwischen zwischengeschaltet zu sein, und einen Pulsmotor 432 als eine Antriebsquelle zum Drehantrieb des Außengewindestabs 431. Der Außengewindestab 431 ist an einem seiner Enden an einem (nicht gezeigten) Lagerblock drehbar abgestützt, der an der stationären Basis 2 befestigt ist, und ist an seinem anderen Ende mit der Ausgangswelle des Pulsmotors 432 verbunden, um so das Drehmoment desselben aufzunehmen. Der Außengewindestab 431 steht mit einer Durchgangsbohrung mit Gewinde in Eingriff, die in einem (nicht gezeigten) Innengewindeblock ausgebildet ist, der von der unteren Fläche des horizontalen Abschnitts 421 an einem Zentralabschnitt derselben hervorsteht. Dementsprechend wird die bewegliche Stützbasis 42 in der Y-Richtung entlang der Führungsschiene 41 bewegt, indem der Pulsmotor 432 betätigt wird, um den Außengewindestab 431 normal oder umgekehrt zu drehen.The laser beam application unit support mechanism 4 has a pair of guide rails 41 on that on the stationary basis 2 are provided so as to extend parallel to each other in the Y direction, and a movable support base 43 on the guide rails 41 is provided so as to be movable in the Y direction. The mobile support base 42 is from a horizontal section 421 on the guide rails 41 slidably supported, and a vertical section 422 built up from the top surface of the horizontal section 421 extends vertically upwards. Further, a pair of guide rails 423 on a side surface of the vertical section 422 provided so as to extend parallel to each other in the Z direction. The laser beam application unit support mechanism 4 also has second Y-direction moving means 43 for moving the movable support base 42 in the Y direction along the guide rails 41 on. The second Y-direction moving means 42 has an external threaded rod 431 on, which is parallel to the guide rails 41 extends so as to be interposed therebetween, and a pulse motor 432 as a drive source for rotary driving the male threaded rod 431 , The external threaded rod 431 is rotatably supported at one of its ends on a bearing block (not shown) mounted on the stationary base 2 is attached, and is at its other end to the output shaft of the pulse motor 432 connected so as to absorb the torque thereof. The external threaded rod 431 is engaged with a threaded through-hole formed in an internally threaded block (not shown) from the lower surface of the horizontal portion 421 protrudes at a central portion thereof. Accordingly, the movable support base becomes 42 in the Y direction along the guide rail 41 moved by the pulse motor 432 is pressed to the outer threaded rod 431 normal or reverse.

Die Laserstrahlanwendungseinheit 5 weist einen Einheitshalter 51 und ein Laserstrahlanwendungsmittel 52 auf, das an dem Einheitshalter 51 angebracht ist. Der Einheitshalter 51 ist mit einem Paar an geführten Vertiefungen 511 zum gleitenden Eingriff mit dem Paar an Führungsschienen 423 ausgebildet, das an dem vertikalen Abschnitt 422 bereitgestellt ist. Dementsprechend ist der Einheitshalter 51 an der beweglichen Stützbasis 42 abgestützt, um so in der Z-Richtung mittels des gleitenden Eingriffs der geführten Vertiefung 511 mit den Führungsschienen 423 bewegbar zu sein.The laser beam application unit 5 has a unit holder 51 and a laser beam applying means 52 on top of the unit holder 51 is appropriate. The unit holder 51 is with a pair of guided wells 511 for sliding engagement with the pair of guide rails 423 formed on the vertical section 422 is provided. Accordingly, the unit holder 51 on the mobile support base 42 supported so as to be in the Z direction by means of the sliding engagement of the guided recess 511 with the guide rails 423 to be movable.

Die Laserstrahlanwendungseinheit 5 weist ferner ein Brennpunktanpassungsmittel 53 zum entlang der Führungsschiene 423 in der Z-Richtung Bewegen des Einheitshalters 51 auf. Das Brennpunktanpassungsmittel 53 weist einen (nicht gezeigten) Außengewindestab auf, der sich parallel zu den Führungsschienen 423 erstreckt, um so dazwischen zwischengeschaltet zu sein, und einen Pulsmotor 532 als eine Antriebsquelle zum Drehantrieb dieses Außengewindestabs. Dementsprechend werden der Einheitshalter 51 und das Laserstrahlanwendungsmittel 52 in der Z-Richtung entlang der Führungsschienen 423 bewegt, indem der Pulsmotor 532 betätigt wird, um diesen Außengewindestab, der nicht gezeigt ist, normal oder umgekehrt zu drehen. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird das Laserstrahlanwendungsmittel 52, wenn der Pulsmotor 532 normal betätigt wird, nach oben bewegt, wohingegen das Laserstrahlanwendungsmittel 52, wenn der Pulsmotor 532 umgekehrt betätigt wird, nach unten bewegt wird.The laser beam application unit 5 also has a focus adjusting means 53 along the guide rail 423 in the Z direction Moving the unit holder 51 on. The focus adjusting means 53 has an externally threaded rod (not shown) that is parallel to the guide rails 423 extends so as to be interposed therebetween, and a pulse motor 532 as a drive source for rotary driving this external threaded rod. Accordingly, the unit holder 51 and the laser beam applying means 52 in the Z direction along the guide rails 423 moved by the pulse motor 532 is operated to rotate this outer threaded rod, which is not shown, normal or vice versa. In this preferred embodiment, the laser beam application means becomes 52 when the pulse motor 532 is normally operated, moved upwards, whereas the laser beam application means 52 when the pulse motor 532 is operated in reverse, is moved down.

Das Laserstrahlanwendungsmittel 52 weist ein zylindrisches Gehäuse 521 auf, das an dem Einheitshalter 51 befestigt ist, um sich in einer im Wesentlichen horizontalen Richtung zu erstrecken. Die Konfiguration des Laserstrahlanwendungsmittel 52 wird nun unter Bezugnahme auf 2 beschrieben werden. Das Laserstrahlanwendungsmittel 52 weist ein Pulslaserstrahloszillationsmittel 522, das in dem Gehäuse 521 bereitgestellt ist, Leistungsanpassungsmittel 523 zum Anpassen der Leistung eines Pulslaserstrahls, der durch das Pulslaserstrahloszillationsmittel 522 oszilliert, und ein Fokussiermittel 524 auf, zum Anwenden des Pulslaserstrahls, der mittels des Leistungsanpassungsmittels 523 in seiner Leistung angepasst ist, auf ein Werkstück W, das auf der Haltefläche des Spanntischs 36 gehalten wird.The laser beam applicator 52 has a cylindrical housing 521 on top of the unit holder 51 is fixed to extend in a substantially horizontal direction. The configuration of the laser beam applicator 52 will now be referring to 2 to be discribed. The laser beam applicator 52 has a pulse laser beam oscillation means 522 that in the case 521 is provided, performance adjustment means 523 for adjusting the power of a pulse laser beam emitted by the pulsed laser beam oscillation means 522 oscillates, and a focusing agent 524 on, for applying the pulse laser beam, by means of the power adjustment means 523 in its performance is adapted to a workpiece W, which is on the holding surface of the clamping table 36 is held.

Das Pulslaserstrahloszillationsmittel 522 ist aus einem Pulslaserstrahloszillator 522a zum Oszillieren eines Pulslaserstrahls, und einem Folgefrequenzeinstellmittel 522b aufgebaut, zum Festlegen der Folgefrequenz des Pulslaserstrahls, der mittels des Pulslaserstrahloszillators 522a zu oszillieren ist. Das Laseranpassungsmittel 523 dient, um die Leistung des Pulslaserstrahls, der mittels des Pulslaserstrahloszillationsmittels oszilliert wird, auf eine vorgegebene Leistung anzupassen. Der Pulslaserstrahloszillator 522a und das Folgefrequenzeinstellmittel 522b des Pulslaserstrahloszillationsmittels 522 und des Leistungsanpassungsmittels 523 werden mittels des hiernach beschriebenen (nicht gezeigten) Steuermittels gesteuert.The pulsed laser beam oscillation means 522 is from a pulsed laser beam oscillator 522a for oscillating a pulse laser beam, and a repetition frequency setting means 522b designed to set the repetition frequency of the pulse laser beam, by means of the pulse laser beam oscillator 522a to oscillate. The laser adaptation means 523 is used to adjust the power of the pulse laser beam, which is oscillated by the Pulslaserstrahloszillationsmittels to a predetermined power. The pulsed laser beam oscillator 522a and the repetition rate setting means 522b of the pulsed laser beam oscillation means 522 and the performance adjustment tool 523 are controlled by the control means (not shown) described hereinafter.

Das Fokussiermittel 524 weist einen Richtungsänderungsspiegel 524a zum Verändern der Ausbreitungsrichtung des Pulslaserstrahls, der mittels des Pulslaserstrahloszillationsmittel 522 oszilliert wird, und als nächstes hinsichtlich einer Leistung mittels des Leistungsanpassungsmittel 523 angepasst wird, in Richtung der Haltefläche des Spanntischs 36 auf, und eine Fokussierlinse 524b zum Fokussieren des Pulslaserstrahls, der in seiner Ausbreitungsrichtung mittels des Richtungsänderungsspiegels 524a verändert wurde und zum Anwenden dieses Pulslaserstrahls auf das Werkstück W, das auf dem Spanntisch 36 gehalten wird. Wie in 1 gezeigt, ist das Fokussiermittel 524 auf dem Vorderende des Gehäuses 521 angebracht.The focuser 524 has a direction change mirror 524a for changing the direction of propagation of the pulse laser beam, by means of the Pulslaserstrahloszillationsmittel 522 is oscillated, and next in terms of power by means of the power adjustment means 523 is adjusted, in the direction of the holding surface of the clamping table 36 on, and a focusing lens 524b for focusing the pulse laser beam, in its propagation direction by means of the direction change mirror 524a was changed and to apply this pulse laser beam to the workpiece W, on the clamping table 36 is held. As in 1 shown is the focusing agent 524 on the front end of the case 521 appropriate.

Erneut auf 1 Bezug nehmend, weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 eine Anzeigeeinrichtung 6 auf, die an dem vorderen Endabschnitt des Gehäuses 521 bereitgestellt ist, zum Erfassen eines Zielbereichs des mittels des Laserstrahlanwendungsmittels 52 mit laserzubearbeitenden Werkstücks. Die Anzeigeeinrichtung 6 weist ein optisches System, wie ein Mikroskop und eine Abbildungseinrichtung (CCD), auf. Eine Abbildungssignalausgabe von der Anzeigeeinrichtung 6 wird an ein Steuermittel 7 übertragen (siehe 3).Up again 1 Referring to Fig. 1, the laser processing apparatus 1 a display device 6 on, at the front end portion of the housing 521 for detecting a target area of the laser beam applying means 52 with laser-machining workpiece. The display device 6 has an optical system such as a microscope and an imaging device (CCD). An image signal output from the display device 6 is sent to a control means 7 transferred (see 3 ).

Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1 weist das in 3 gezeigte Steuermittel 7 auf. Das Steuermittel 7 ist mittels einer Computers konfiguriert worden, und es weist einen Prozessor (CPU) 71 zum Ausführen von Betriebsverarbeitung gemäß einem Steuerprogramm auf, einen Festspeicher (ROM) 72, zum vorherigen Speichern des Steuerprogramms, und einen Direktzugriffspeicher (RAM) 73 zum Speichern von Daten bezüglich des Designwerts für das Werkstück, den Ergebnissen von Berechnungen, etc. einen Zähler 74, eine Eingabeschnittstelle 75, und eine Ausgabeschnittstelle 76. Erfassungssignale von dem X-Positionserfassungsmittel 374, dem Y-Positionserfassungsmittel 384 und der Anzeigeeinrichtung 6 werden in die Eingabeschnittstelle 75 des Steuermittels 7 eingegeben. Zusätzlich dazu wird auch ein Eingangssignal von dem Eingangsmittel 77 in die Eingangsschnittstelle 75 eingegeben. Andererseits werden Steuersignale von der Ausgangsschnittstelle 76 des Steuermittels 7 an den Pulsmotor 372 ausgegeben, an den Pulsmotor 382, den Pulsmotor 432, den Pulsmotor 532, den Pulslaserstrahloszillator 522a, das Folgefrequenzeinstellmittel 522b und das Leistungsanpassungsmittel 523 des Laserstrahlanwendungsmittel 52. Zusätzlich dazu wird auch ein Abbildungssignal von der Ausgangsschnittstelle 76 an eine Anzeigeeinrichtung 70 ausgegeben.The laser processing device 1 has the in 3 shown control means 7 on. The control means 7 has been configured by means of a computer, and it has a processor (CPU) 71 for executing operation processing according to a control program on, a read-only memory (ROM) 72 , to save the control program in advance, and a random access memory (RAM) 73 for storing data on the design value for the workpiece, the results of calculations, etc., a counter 74 , an input interface 75 , and an output interface 76 , Detection signals from the X-position detection means 374 , the Y-position detecting means 384 and the display device 6 be in the input interface 75 of the tax money 7 entered. In addition, an input signal from the input means also becomes 77 into the input interface 75 entered. On the other hand, control signals are from the output interface 76 of the tax money 7 to the pulse motor 372 output to the pulse motor 382 , the pulse motor 432 , the pulse motor 532 , the pulse laser oscillator 522a , the repetition frequency setting means 522b and the performance adjustment means 523 of the laser beam applicator 52 , In addition, an imaging signal from the output interface also becomes 76 to a display device 70 output.

Nun wird ein Verfahren zum unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 Ausbilden einer laserbearbeiteten Vertiefung auf einer Scheibe, als ein Werkstück, beschrieben werden. 4 ist eine Perspektivansicht einer Halbleiterscheibe 10 als ein Werkstück. Die Halbleiterscheibe 10, die in 4 gezeigt ist, ist aus einem Siliziumsubstrat ausgebildet, beispielsweise mit einer Dicke von 200 µm. Eine Vielzahl an Einheitsmasken („unit reticles“) 100 sind auf der Vorderseite 10a des Siliziumsubstrats ausgebildet, welches die Halbleiterscheibe 10 bildet, unter Anwendung von Reduktionsprojektionsbelichtung auf eine Maske mittels eines Steppers als ein Reduktionsprojektionsausrichter, und eine Vielzahl an Einrichtungen 101 werden durch jede Einheitsmaske 100 gebildet, sodass sie durch eine Vielzahl an ersten Straßen 102 und eine Vielzahl an zweiten Straßen 103, senkrecht zu den ersten Straßen 102, partitioniert sind. Bei dieser Beschreibung und den Ansprüchen ist jede Einheitsmaske als ein Bereich definiert, der durch Verwendung einer einzelnen Maske zum Ausführen einer Reduktionsprojektionsberichtung mittels eines Steppers ermittelt wird. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist jede Einheitsmaske 100 aus sechs Einrichtungen 101 aufgebaut, die mittels der Vielzahl an ersten Straßen 102 und der Vielzahl an zweiten Straßen partitioniert sind. Wie in 5 gezeigt, ist die Rückseite der in 4 gezeigten Halbleiterscheibe 10 an einer Vereinzelungsfolie T befestigt, die an einem ringförmigen Rahmen F gehalten ist (Scheibenbefestigungsschritt). Dementsprechend ist die Vorderseite 10a der an der Vereinzelungsfolie T befestigten Halbleiterscheibe 10 nach oben orientiert.Now, a method of using the laser processing apparatus 1 Forming a laser-processed depression on a disc, as a workpiece to be described. 4 is a perspective view of a semiconductor wafer 10 as a workpiece. The semiconductor wafer 10 , in the 4 is shown is formed of a silicon substrate, for example, with a thickness of 200 microns. A variety of unit reticles 100 are on the front 10a of the silicon substrate which forms the semiconductor wafer 10 using reduction projection exposure on a mask by means of a stepper as a reduction projection aligner, and a plurality of means 101 be through each unit mask 100 formed so that they pass through a multitude of first roads 102 and a variety of second ones streets 103 , perpendicular to the first streets 102 , are partitioned. In this specification and claims, each unit mask is defined as an area determined by using a single mask to perform a reduction projection report by a stepper. In this preferred embodiment, each unit mask is 100 from six facilities 101 built by means of the multitude of first roads 102 and the plurality of second streets are partitioned. As in 5 shown is the back of the in 4 shown semiconductor wafer 10 attached to a dicing tape T held on an annular frame F (disk mounting step). Accordingly, the front is 10a the attached to the separating film T semiconductor wafer 10 oriented upwards.

Nach der Durchführung des vorstehend erwähnten Scheibenbefestigungsschritts wird die mittels der Vereinzelungsfolie T an dem ringförmigen Rahmen F gehaltene Halbleiterscheibe 10 auf dem Spanntisch 36 der in 1 gezeigten Laserbearbeitungvorrichtung 1 platziert, in dem Zustand, in dem die Vereinzelungsfolie T mit der oberen Fläche des Spanntischs 36 in Kontakt gelangt. Danach wird das Ansaugmittel betätigt, um die Halbleiterscheibe 10 mittels der Vereinzelungsfolie T unter Ansaugwirkung auf dem Spanntisch 36 zuhalten (Scheibenhalteschritt). Dementsprechend wird die Halbleiterscheibe 10 in dem Zustand, in dem die Vorderseite 10a der Scheibe 10 gegen oben orientiert ist, auf dem Spanntisch 36 gehalten. Ferner wird der ringförmige Rahmen F durch die Halterung 362 befestigt.After performing the above-mentioned wafer mounting step, the semiconductor wafer held by the dicing film T on the annular frame F becomes 10 on the chuck table 36 the in 1 shown laser processing device 1 placed, in the state in which the separating film T with the upper surface of the clamping table 36 got in contact. Thereafter, the suction means is actuated to the semiconductor wafer 10 by means of the separating film T under suction on the clamping table 36 shut (slice holding step). Accordingly, the semiconductor wafer 10 in the state where the front 10a the disc 10 oriented towards the top, on the table 36 held. Further, the annular frame F by the holder 362 attached.

Nach der Durchführung des vorstehend erwähnten Scheibenhalteschritts wird das X-Richtungsbewegungsmittel 37 betätigt, um den Spanntisch 36, welcher die Halbleiterscheibe 10 hält, in eine Position direkt unterhalb der Anzeigeeinrichtung 6 zu bewegen. In dem Zustand, in dem der Spanntisch 36 direkt unterhalb der Anzeigeeinrichtung 6 positioniert ist, wird eine Ausrichtungsbetätigung mittels der Anzeigeeinrichtung 6 und des Steuermittels 7 durchgeführt, um ein Zielbereich der mit Laser zu verarbeitenden Halbleiterscheibe 10 zu erfassen. Spezifischer führen die Anzeigeeinrichtung 6 und das Steuermittel 7 eine Bildverarbeitung wie „Pattern-Matching“ durch, um die Ausrichtung der ersten Straßen 102 der Halbleiterscheibe 10 und des Fokussiermittels 524 des Laserstrahlanwendungsmittels 52 zum Anwenden des Laserstrahls entlang der ersten Straßen 102 auszurichten, wodurch die Ausrichtung einer Laserstrahlanwendungsposition ausgeführt wird. Diese Ausrichtungsbetätigung wird für die zweiten Straßen 102, senkrecht zu den ersten Straßen 102, die auf der Halbleiterscheibe 10 ausgebildet sind, in ähnlicher Weise ausgeführt.After performing the above-mentioned disk holding step, the X-direction moving means becomes 37 pressed to the clamping table 36 which the semiconductor wafer 10 holds, in a position directly below the display device 6 to move. In the state in which the chuck table 36 directly below the display 6 is positioned, an alignment operation by means of the display device 6 and the control agent 7 performed to a target area of the laser-processed semiconductor wafer 10 capture. More specific lead the display device 6 and the control means 7 an image processing such as "pattern matching" to the alignment of the first streets 102 the semiconductor wafer 10 and the focusing agent 524 of the laser beam applicator 52 for applying the laser beam along the first roads 102 aligning, thereby aligning a laser beam application position. This alignment operation will be for the second roads 102 , perpendicular to the first streets 102 on the semiconductor wafer 10 are formed, executed in a similar manner.

Bei der vorstehend erwähnten Ausrichtungsbetätigung wird die auf dem Spanntisch 36 gehaltene Halbleiterscheibe in die in 6A gezeigte Koordinatenposition gebracht. 6B zeigt einen Zustand, der durch 90° Drehung des Spanntischs 36, das heißt, der Halbleiterscheibe 10 aus dem in 6A gezeigten Zustand, erreicht wird.In the above-mentioned alignment operation, that on the chuck table becomes 36 held semiconductor wafer in the in 6A shown coordinate position brought. 6B shows a condition caused by 90 ° rotation of the clamping table 36 that is, the semiconductor wafer 10 from the in 6A shown state is achieved.

In dem Zustand, in dem die Halbleiterscheibe 10 in die in 6A und 6B gezeigten Koordinatenposition gebracht ist, werden die Designkoordinatenwerte für die mehreren Einheitsmasken 100 vorher in dem Direktzugriffsspeicher (RAM) 73 des Steuermittels 7 gespeichert. In dem in 6A gezeigten Zustand werden eine Vielzahl an spezifischen Koordinaten A1, A2 und A3 der ersten Straßen 102 bei denselben X-Koordinatenposition für die Einheitsmasken 100 vorher ausgewählt und in dem Direktzugriffspeicher (RAM) 73 gespeichert. Ähnlich dazu werden in dem Zustand, der in 6B gezeigt ist, eine Vielzahl an spezifischen Koordinaten B1, B2 und B3 der zweiten Straßen 103 bei denselben X-Koordinatenpositionen für die Einheitsmasken 100 vorher ausgewählt und in dem Direktzugriffspeicher (RAM) 73 gespeichert. Die Vielzahl an spezifischen Koordinaten A1, A2 und A3 der ersten Straßen und der Vielzahl an spezifischen Koordinaten B1, B2 und B3 der zweiten Straßen 103 werden aus dem folgenden Grund vorher ausgewählt. Dieser liegt darin, dass die Vielzahl an Einrichtungen 101, die in jeder Einheitsmaske 101 enthalten sind, Eigenarten aufweisen und nicht immer identisch sind. Daher werden die Straßen, welche die Einrichtung mit denselben Eigenarten partitionieren, spezifiziert, und dadurch bei der Verarbeitung Variationen in Folge von unterschiedlichen Eigenarten zu eliminieren.In the state in which the semiconductor wafer 10 in the in 6A and 6B shown coordinate position, the design coordinate values for the multiple unit masks 100 previously in random access memory (RAM) 73 of the tax money 7 saved. In the in 6A shown state, a plurality of specific coordinates A1, A2 and A3 of the first roads 102 at the same X coordinate position for the unit masks 100 previously selected and in Random Access Memory (RAM) 73 saved. Similarly, in the state that is in 6B is shown, a plurality of specific coordinates B1, B2 and B3 of the second roads 103 at the same X coordinate positions for the unit masks 100 previously selected and in Random Access Memory (RAM) 73 saved. The plurality of specific coordinates A1, A2 and A3 of the first roads and the plurality of specific coordinates B1, B2 and B3 of the second roads 103 are selected beforehand for the following reason. This is because of the multitude of facilities 101 that in every unit mask 101 contained, have peculiarities and are not always identical. Therefore, the roads which partition the device with the same characteristics are specified, thereby eliminating variations in processing due to different peculiarities.

Bei dieser bevorzugten Ausführungsform werden die Designkoordinatenwerte für die Vielzahl an Einheitsmasken 100 in der Halbleiterscheibe 10 vorher in den Direktzugriffspeicher (RAM) 73 des Steuermittels 7 gespeichert. Ferner werden auch die Vielzahl an spezifischen Koordinaten A1, A2 und A3 der ersten Straßen 102 und die Vielzahl an spezifischen Koordinaten B1, B2 und B3 der zweiten Straßen 103 vorher in dem Direktzugriffspeicher (RAM) 73 des Steuermittels 7 gespeichert. Als eine Abwandlung kann ein Betätiger die Vielzahl an Einheitsmasken 100 in der Halbleiterscheibe 10, die auf dem Spanntisch 36 gehalten wird, erfassen und die spezifischen Koordinaten von der Eingangsschnittstelle 77 eingeben.In this preferred embodiment, the design coordinate values for the plurality of unit masks become 100 in the semiconductor wafer 10 before in random access memory (RAM) 73 of the tax money 7 saved. Further, the plurality of specific coordinates A1, A2 and A3 of the first roads also become 102 and the plurality of specific coordinates B1, B2 and B3 of the second roads 103 previously in random access memory (RAM) 73 of the tax money 7 saved. As a modification, an operator may masks the plurality of unit masks 100 in the semiconductor wafer 10 on the chuck table 36 is held, capture and the specific coordinates of the input interface 77 enter.

Nachdem, wie vorstehend erwähnt, der Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde, wird der Spanntisch 36 bewegt, um die unterste erste Straße 102, wie in 6A zu betrachten ist, direkt unterhalb des Fokussiermittels 524 des Laserstrahlanwendungsmittels 52 zu positionieren. Danach wird, wie in 7A gezeigt, ein Ende (linkes Ende, wenn in 7A betrachtet) der ersten Straße 102 direkt unterhalb des Fokussiermittels 524 positioniert. Danach wird der Brennpunkt P des Pulslaserstrahls, der mittels des Fokussiermittels 524 anzuwenden ist, in der Nähe der Vorderseite 10a (obere Fläche) der Halbleiterscheibe 10 festgelegt.After the alignment step has been performed as mentioned above, the chuck table becomes 36 moves to the bottom first street 102 , as in 6A to be considered, directly below the focusing means 524 of the laser beam applicator 52 to position. After that, as in 7A shown an end (left end when in 7A considered) the first road 102 directly below the focusing agent 524 positioned. Thereafter, the focal point P of the pulse laser beam by means of the focusing 524 apply, near the front 10a (upper surface) of the semiconductor wafer 10 established.

Danach wird das Laserstrahlanwendungsmittel 52 betätigt, um den gepulsten Laserstrahl durch das Fokussiermittel 524 anzuwenden, und das X-Richtung-Bewegungsmittel 37 wird betätigt, um den Spanntisch in der Richtung, die durch einen Pfeil X1 in 7A gezeigt ist, mit einer vorgegebenen Vorschubgeschwindigkeit zu bewegen. Wenn das andere Ende (rechtes Ende, wenn in 7B betrachtet) dieser ersten Straße 102 die Position direkt unterhalb des Fokussiermittels 524 des Laserstrahlanwendungmittels 52 erreicht, wie in 7B gezeigt, wird die Anwendung des Pulslaserstrahls gestoppt, und die Bewegung des Spanntischs 36 wird ebenfalls gestoppt (Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Vertiefung). Im Ergebnis wird eine laserbearbeitete Vertiefung 110 entlang dieser ersten Straße 102 auf der Halbleiterscheibe 10 ausgebildet, wie in 7B und 7C gezeigt.Thereafter, the laser beam applying means 52 operated to the pulsed laser beam through the focusing means 524 apply, and the X-direction moving means 37 is actuated to move the chuck table in the direction indicated by an arrow X1 in 7A is shown to move at a predetermined feed rate. If the other end (right end, if in 7B considered) this first street 102 the position directly below the focusing means 524 of laser beam application means 52 achieved as in 7B shown, the application of the pulse laser beam is stopped, and the movement of the clamping table 36 is also stopped (training step for a laser-processed recess). The result is a laser-machined recess 110 along this first street 102 on the semiconductor wafer 10 trained as in 7B and 7C shown.

Der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Vertiefung, der vorstehend erwähnt wurde, wird beispielsweise unter den folgenden Bearbeitungsbedingungen ausgeführt.

Lichtquelle: LD-gepumpter Festkörperlaser (Nd:YAG)
Wellenlänge: 355 nm
Folgefrequenz: 100 kHz
Durchschnittsleistung: 3 W
Brennpunktdurchmesser: 10 µm
Arbeitsvorschubgeschwindigkeit: 100 mm/s

The laser working recess formation step mentioned above is carried out, for example, under the following machining conditions.

Light source: LD pumped solid state laser (Nd: YAG)
Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Average power: 3 W
Focal point diameter: 10 μm
Working feed speed: 100 mm / s

Nachdem der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang der untersten ersten Straße 102 der Halbleiterscheibe 10, wie in 6A zu betrachten ist, durchgeführt worden ist, wird das erste Y-Richtung-Bewegungsmittel 38 betätigt, um den Spanntisch 36 um den Abstand der ersten Straßen 102 in der Y-Richtung zu bewegen, wodurch die zweitunterste erste Straße 102, wie in 6A zu betrachten ist, direkt unterhalb des Fokussiermittels 524 des Laserstrahlanwendungsmittel 52 positioniert wird. Danach wird der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Vertiefung entlang dieser zweituntersten ersten Straße 102 ausgeführt.After the laser working recess formation step along the lowest first street 102 the semiconductor wafer 10 , as in 6A is considered the first Y-direction moving means 38 pressed to the clamping table 36 around the distance of the first roads 102 moving in the Y direction, making the second-lowest first road 102 , as in 6A to be considered, directly below the focusing means 524 of the laser beam applicator 52 is positioned. Thereafter, the laser processed recess forming step is made along this second lowest first street 102 executed.

Nachdem der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Vertiefung entlang der zweituntersten ersten Straße 102, wie in 6a zu betrachten ist, durchgeführt wurde, wird das X-Richtungsbewegungsmittel 37 betätigt, um die spezifische Koordinate A1 der Halbleiterscheibe 10, die auf dem Spanntisch 36 gehalten wird, direkt unterhalb der Anzeigeeinrichtung 6 zu positionieren. In diesem Zustand betätigt das Steuermittel 7 die Anzeigeeinrichtung 6, um die laserbearbeitete Vertiefung 110, die entlang der ersten Straße 102 ausgebildet ist, die bei der spezifischen Koordinate A1 angeordnet ist, abzubilden, und die Anzeigeeinrichtung 6 überträgt ein so erzeugtes Abbildungssignal an das Steuermittel 7. Danach ermittelt das Steuermittel 7 die Breite der laserverarbeiteten Vertiefung 107 gemäß dem Abbildungssignal, das von der Anzeigeeinrichtung 6 übertragen wurde, und betätigt dann die Anzeigeeinrichtung 70 zum Anzeigen der laserverarbeiteten Vertiefung 110 und ihrer Breite LA1, wie in 8 gezeigt. Ferner wird die Breite LA1 der laserverarbeiteten Vertiefung 110 bei der spezifischen Koordinate A1 in dem Direktzugriffspeicher (RAM) 73 gespeichert (Laserverarbeitungsvertiefungsüberprüfungsschritt).After the laser-processed depression formation step along the second lowest first street 102 , as in 6a becomes the X-directional moving means 37 pressed to the specific coordinate A1 of the semiconductor wafer 10 on the chuck table 36 is held, directly below the display device 6 to position. In this state, the control means operates 7 the display device 6 to the laser-processed depression 110 that go along the first street 102 is formed, which is arranged at the specific coordinate A1, image, and the display device 6 transmits an image signal thus generated to the control means 7 , Thereafter, the control means determines 7 the width of the laser processed well 107 in accordance with the imaging signal supplied by the display device 6 has been transmitted, and then actuates the display device 70 to display the laser processed well 110 and their latitude LA1, as in 8th shown. Further, the width LA1 of the laser processed pit becomes 110 at the specific coordinate A1 in random access memory (RAM) 73 stored (laser processing pit check step).

Danach wird der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang der drittuntersten ersten Straße 102, wie in 6A zu sehen ist, und sukzessive in Richtung der obersten ersten Straße 102, wie in 6A zu sehen ist, ausgeführt. Nach dem Ausführen des Ausbildungsschritts für eine laserbearbeite Vertiefung entlang der ersten Straße 102, die bei der spezifischen Koordinate A2 angeordnet ist, wird die spezifische Koordinate A2 der Halbleiterscheibe 10 direkt unterhalb des Abbildungsmittels 6 positioniert, um den Laserbearbeitungsvertiefungsüberprüfungsschritt auszuführen, wobei die laserbearbeitete Vertiefung 110 und ihre Breite LA2 bei der spezifischen Koordinate A2 auf der Anzeigeeinrichtung 70 angezeigt werden, und die Breite LA2 in dem Direktzugriffsspeicher (RAM) 73 gespeichert wird. In dem Fall, in dem die Breite LA1 der laserbearbeiteten Vertiefung 110 bei der spezifischen Koordinate A1 beispielsweise 10µm beträgt, und die Breite LA2 der laserbearbeiteten Vertiefung 110 bei der spezifischen Koordinate A2 ebenfalls 10 µm beträgt, tritt bei dieser laserbearbeiteten Vertiefung 110 keine Veränderung auf, und das Steuermittel 7 ermittelt, dass sich kein der Komponenten des Laserstrahlanwendungsmittels 250 verschlechtert hat. Danach wird der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung sukzessiv in Richtung der obersten ersten Straße 102 ausgeführt. Nachdem der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang der ersten Straße 102, die bei der spezifischen Koordinate A3 angeordnet ist, ausgeführt wurde, wird die spezifische Koordinate A3 der Halbleiterscheibe 10 direkt unterhalb der Anzeigeeinrichtung 6 positioniert, um den Laserbearbeitungsvertiefungsüberprüfungsschritt auszuführen, wobei die laserbearbeitete Vertiefung 110 und ihre Breite LA3 bei der spezifischen Koordinate A3 auf der Anzeigeeinrichtung 70 angezeigt werden, und die Breite LA3 in dem Direktzugriffspeicher (RAM) 73 gespeichert wird. In dem Fall, in dem die Breite LA3 der laserbearbeiteten Vertiefung 110 bei der spezifischen Koordinate A3 zum Beispiel 9 µm beträgt, tritt bei dieser laserbearbeiteten Vertiefung 110 eine Veränderung auf, und das Steuermittel 7 ermittelt, dass sich das Laserstrahlanwendungsmittel 62 verschlechtert hat (Selbstdiagnoseschritt). Dementsprechend steuert das Steuermittel 7 das Leistungsanpassungsmittel 523 des Laserstrahlanwendungsmittels 52 so, dass die Leistung des Pulslaserstrahls beispielsweise 3.2 W wird, und zeigt das Ergebnis dieser Diagnose ebenfalls auf der Anzeigeeinrichtung 70 an. Danach wird der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang der obersten ersten Straße 102, wie in 6A gezeigt, in dem Zustand durchgeführt, in dem die Leistung des Pulslaserstrahls auf 3.2 W angepasst ist, mittels des Leistungsanpassungsmittels 523 des Laserstrahlanwendungsmittels 52.Thereafter, the laser working recess forming step is made along the third lowest first street 102 , as in 6A can be seen, and gradually in the direction of the top first street 102 , as in 6A can be seen, executed. After executing the laser working recess forming step along the first street 102 , which is located at the specific coordinate A2, becomes the specific coordinate A2 of the semiconductor wafer 10 directly below the imaging means 6 positioned to perform the laser processing pit verification step, wherein the laser processed pit 110 and its width LA2 at the specific coordinate A2 on the display device 70 and the width LA2 in random access memory (RAM) 73 is stored. In the case where the width LA1 of the laser processed recess 110 for example, at the specific coordinate A1 is 10 μm, and the width LA2 of the laser-processed pit 110 at the specific coordinate A2 is also 10 microns, occurs in this laser-processed depression 110 no change on, and the tax means 7 determines that none of the components of the laser beam applicator 250 has worsened. Thereafter, the laser working groove forming step successively moves toward the uppermost first road 102 executed. After the training step for a laser-working recess along the first street 102 , which has been performed at the specific coordinate A3, becomes the specific coordinate A3 of the semiconductor wafer 10 directly below the display 6 positioned to perform the laser processing pit verification step, wherein the laser processed pit 110 and its width LA3 at the specific coordinate A3 on the display 70 and the width LA3 in random access memory (RAM) 73 is stored. In the case where the width LA3 of the laser processed recess 110 at the specific coordinate A3, for example, 9 μm, occurs in this laser-processed recess 110 a change, and that control means 7 determines that the laser beam application means 62 has deteriorated (self-diagnostic step). Accordingly, the control means controls 7 the performance adjustment means 523 of the laser beam applicator 52 such that the power of the pulse laser beam becomes, for example, 3.2 W, and also shows the result of this diagnosis on the display device 70 at. Thereafter, the laser working recess forming step is made along the uppermost first street 102 , as in 6A shown performed in the state in which the power of the pulse laser beam is adjusted to 3.2 W, by means of the power adjustment means 523 of the laser beam applicator 52 ,

Nachdem, wie vorstehend erwähnt, der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang von allen der ersten Straßen 102 durchgeführt wurde, wird der Spanntisch 36 um 90° rotiert, um den in 6B gezeigten Zustand zu erreichen und dann den Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang den zweiten Straßen 103 auszuführen. Insbesondere werden, nachdem der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang den zweiten Straßen 103, die bei den spezifischen Koordinaten B1, B2 und B3 angeordnet sind, durchgeführt wurde, der Laserbearbeitungsvertiefungsüberprüfungsschritt und der Selbstdiagnoseschritt, wie in dem vorstehend erwähnten Fall, der ersten Straßen 102 ausgeführt. In dem Fall, dass die Differenz zwischen der vorherigen Breite der laserbearbeiteten Vertiefung 110 bei der vorherigen spezifischen Koordinate und die vorliegende Breite der laserbearbeiteten Vertiefung 110 bei der vorliegenden spezifischen Koordinate beispielsweise 20 % oder mehr der vorherigen Breite in dem Laserbearbeitungsvertiefungsüberprüfungsschritt und dem Selbstdiagnoseschritt beträgt, ermittelt das Steuermittel 7, dass sich der Pulslaserstrahloszillator 522a des Laserstrahlanwendungsmittels 52 verschlechtert hat, sodass er das Ende seiner Lebensdauer erreicht hat, und gibt das Ergebnis dieser Diagnose auf der Anzeigeeinrichtung 70 aus.After, as mentioned above, the laser working recess forming step along all of the first streets 102 was carried out, the clamping table 36 rotated by 90 ° to the in 6B reached state and then the training step for a laser-working recess along the second streets 103 perform. In particular, after the laser working recess forming step, along the second streets 103 performed at the specific coordinates B1, B2, and B3, the laser processing pit checking step, and the self-diagnostic step, as in the above-mentioned case, the first roads 102 executed. In the case that the difference between the previous width of the laser processed recess 110 at the previous specific coordinate and the present width of the laser processed pit 110 For example, if the present specific coordinate is 20% or more of the previous width in the laser processing pit check step and the self-diagnostic step, the controller determines 7 in that the pulse laser oscillator 522a of the laser beam applicator 52 has deteriorated so that it has reached the end of its life, and gives the result of this diagnosis on the display device 70 out.

Bei der vorstehenden bevorzugten Ausführungsform werden die spezifischen Koordinaten A1, A2 und A3 der ersten Straßen 102 und die spezifischen Koordinaten B1, B2 und B3 der zweiten Straßen 103 bei denselben X-Koordinatenposition für die Einheitsmasken 100 vorher in dem Direktzugriffspeicher (RAM) 73 gespeichert. Ferner wird jedes Mal, wenn der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeite Vertiefung entlang der ersten Straßen 102, die bei den spezifischen Koordinaten A1, A2 und A3 angeordnet sind, und entlang der zweiten Straßen 103, die bei den spezifischen Koordinaten B1, B2 und B3 angeordnet sind, durchgeführt wird, der Zustand (zum Beispiel Breite) der laserbearbeiteten Vertiefung 110, die bei jeder spezifischen Koordinate ausgebildet wurde, ermittelt, so dass die Verschlechterung etc. des Laserstrahlanwendungsmittels 52 genau ermittelt werden kann.In the above preferred embodiment, the specific coordinates A1, A2 and A3 of the first roads become 102 and the specific coordinates B1, B2 and B3 of the second roads 103 at the same X coordinate position for the unit masks 100 previously in random access memory (RAM) 73 saved. Further, every time the laser working recess formation step is taken along the first streets 102 located at the specific coordinates A1, A2 and A3 and along the second roads 103 performed at the specific coordinates B1, B2 and B3, the state (for example, width) of the laser-processed pit is performed 110 determined at each specific coordinate, so that the deterioration etc. of the laser beam applying means 52 can be determined exactly.

Während bei der vorstehenden bevorzugten Ausführungsform die Verschlechterung des Laserstrahlanwendungsmittels 52 durch eine Abnahme in der Breite der laserbearbeiteten Vertiefung 110, die bei jeder spezifischen Koordinate ausgebildet wird, ermittelt wird, kann eine Abnahme von um die laserbearbeitete Vertiefung 110 verstreuten Schmutz als eine Veränderung in der laserbearbeiteten Vertiefung 110 erfasst werden, indem die Abnahme des Laserstrahlanwendungsmittels 52 ermittelt wird.While in the above preferred embodiment, the deterioration of the laser beam applying means 52 by a decrease in the width of the laser processed recess 110 , which is determined at each specific coordinate, can be a decrease of around the laser-processed pit 110 scattered dirt as a change in the laser-processed depression 110 be detected by the decrease of the laser beam application means 52 is determined.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutz der Erfindung wird durch die beiliegenden Ansprüche definiert, und alle Veränderungen und Modifikationen, die in den Äquivalenzbereich des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, gelten dementsprechend auch als von der Erfindung umfasst.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiment described above. The protection of the invention is defined by the appended claims, and all changes and modifications that fall within the equivalent range of the scope of the claims are accordingly also considered to be embraced by the invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

JP 2006-253432 [0003]

Claims

A laser processing apparatus for performing laser processing on a wafer having a substrate, wherein a plurality of unit masks are formed on a front side of the substrate by stepping on a mask using a reduction projection exposure, and a plurality of means are formed by each unit mask so as to form a unit Be partitioned plurality of streets, wherein the laser processing apparatus comprises: a workpiece holding means for holding the wafer as a workpiece; a laser beam applying means for applying a laser beam to the wafer held by the workpiece holding means; X direction moving means for relatively moving the workpiece holding means and the laser beam applying means in an X direction to perform a feed operation; a Y-direction moving means for moving the workpiece holding means and the laser beam applying means in a Y direction perpendicular to the X direction to perform a shifting operation; an imaging means for imaging a plurality of laser processed pits formed on the wafer by the laser beam applying means along the streets; and a control means for inspecting the laser beam applying means in response to the laser processed recesses imaged by the imaging means; wherein the control means comprises a memory for storing the coordinate values for the plurality of unit masks formed on the substrate of the wafer; wherein the control means actuates the imaging means to image the laser processed pits at the specific coordinates of at least two of the plurality of unit masks, the specific coordinates being previously stored in the memory; the control means performing a self-diagnosis of the laser beam application means in response to a change between the laser processed pits mapped at the at least two specific coordinates; wherein the control means operates a display means for displaying the result of the self-diagnosis.

The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the change between the laser-processed pits comprises a change in the width of each laser-processed pit.