DE102013209012A1 - Projection exposure system e.g. EUV projection exposure system for e.g. semiconductor lithography, has shape memory element with martensite start temperature at which transition from martensite state into austenitic state begins - Google Patents
Projection exposure system e.g. EUV projection exposure system for e.g. semiconductor lithography, has shape memory element with martensite start temperature at which transition from martensite state into austenitic state begins Download PDFInfo
- Publication number
- DE102013209012A1 DE102013209012A1 DE201310209012 DE102013209012A DE102013209012A1 DE 102013209012 A1 DE102013209012 A1 DE 102013209012A1 DE 201310209012 DE201310209012 DE 201310209012 DE 102013209012 A DE102013209012 A DE 102013209012A DE 102013209012 A1 DE102013209012 A1 DE 102013209012A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- shape memory
- memory element
- projection exposure
- exposure apparatus
- martensite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
- G02B7/182—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit zwei mittels Kraftschluss miteinander verbundenen Elementen.The invention relates to a projection exposure apparatus for semiconductor lithography with two interconnected by means of adhesion elements.
Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithographie, insbesondere sogenannte EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, bewegen sich in einem höchst anspruchsvollen technischen Umfeld. So werden beispielsweise im Fall der EUV-Projektionsbelichtungsanlagen beschichtete Spiegel zur Abbildung einer Maske, des sogenannten Retikels, auf ein Halbleiterelement, wie zum Beispiel einen Wafer verwendet, wobei die genannten Spiegel hochgenau und möglichst erschütterungsfrei mechanisch gelagert und gleichzeitig thermisch stabil gehalten bzw. gekühlt werden müssen. Zur Einstellung der Beleuchtungsparameter für das Retikel werden in jüngerer Zeit vermehrt sogenannte Facettenspiegel verwendet, die eine Vielzahl von Einzelspiegeln, sogenannten Spiegelfacetten, zeigen. Diese Spiegelfacetten sind dabei in der Regel auf Trägerelementen montiert und in einem gewissen Ausmaß mechanisch manipulier- bzw. bewegbar. Nach dem Stand der Technik werden die Spiegelfacetten auf den Trägerelementen mit klassischen Techniken, wie beispielsweise Klemmen, also kraftschlüssigen Verbindungen oder auch stoffschlüssigen Verbindungen, wie Kleben, Löten oder Schweißen, befestigt.Projection exposure apparatuses for semiconductor lithography, in particular so-called EUV projection exposure apparatuses, operate in a highly demanding technical environment. For example, in the case of the EUV projection exposure systems, coated mirrors are used to image a mask, the so-called reticle, on a semiconductor element, such as a wafer, with the said mirrors being mechanically stored in a highly accurate and vibration-free manner and at the same time being thermally stable or cooled have to. To adjust the illumination parameters for the reticle, more and more so-called facet mirrors are used recently, which show a plurality of individual mirrors, so-called mirror facets. These mirror facets are usually mounted on carrier elements and mechanically manipulable or movable to a certain extent. According to the prior art, the mirror facets on the support elements with classical techniques, such as terminals, so non-positive connections or cohesive connections, such as gluing, soldering or welding, attached.
Für spezielle Anwendungen kann es überdies erforderlich sein, die Spiegelfacetten austauschbar zu fassen und/oder einen hohen Flächendruck zwischen Spiegelfacetten und Trägerelement zur Erhöhung der Wärmeleitung zu schaffen.Moreover, for special applications, it may be necessary to interchangeably grasp the mirror facets and / or to create a high surface pressure between the mirror facets and the carrier element in order to increase the heat conduction.
Daneben besteht oftmals die Restriktion, dass der zur Montage bzw. Demontage von Spiegelfacetten zur Verfügung stehende Bauraum ausgesprochen begrenzt ist. Für wechselbare Spiegelfacetten kann es deswegen eher nachteilig sein, diese beispielsweise mittels Verschrauben auf ihrem jeweiligen Trägerelement zu befestigen, da die Schraubverbindung oftmals nicht so ausgeführt werden kann, dass sie für das Verschrauben mit vertretbarem Aufwand zugänglich ist.In addition, there is often the restriction that the installation space available for mounting or dismounting of mirror facets is extremely limited. For replaceable mirror facets, it may therefore be rather disadvantageous to fix them, for example by means of screwing on their respective support member, since the screw connection often can not be carried out so that it is accessible for screwing with reasonable effort.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine einfache und zuverlässige Fixierung für Elemente von Projektionsbelichtungsanlagen anzugeben, welche eine leichte Wechselbarkeit der Elemente gewährleistet.An object of the present invention is to provide a simple and reliable fixation for elements of projection exposure equipment, which ensures easy changeability of the elements.
Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtungen mit den in den Ansprüchen 1 und 13 aufgeführten Merkmalen gelöst. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Ausführungsformen und Varianten der Erfindung.This object is achieved by the devices having the features listed in
Die erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie weist zwei mittels Kraftschluss miteinander verbundene Elemente auf, wobei der Kraftschluss unter Verwendung eines Formgedächtniselementes erreicht wird.The projection exposure apparatus according to the invention for semiconductor lithography has two elements interconnected by means of frictional connection, the frictional connection being achieved by using a shape memory element.
Mit anderen Worten wird das Formgedächtniselement dazu verwendet, eine zur Verbindung der beiden Elemente erforderliche Kraft aufzubringen.In other words, the shape memory element is used to apply a force required to connect the two elements.
Bei den beiden verbunden Elementen kann es sich prinzipiell um verschiedenste Elemente/Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage handeln.In principle, the two connected elements can be very different elements / components of a projection exposure apparatus.
Dabei kommt die Eigenschaft der Formgedächtnis-Materialien, viel Arbeit pro Volumen verrichten zu können, positiv zum Tragen. Ferner kann das Formgedächtniselement vergleichsweise einfach aufgebaut sein und erweist sich deswegen auch als vergleichsweise robust. Unter einem Formgedächtniselement wird dabei im Wesentlichen ein Element verstanden, welches unter Einwirkung einer äußeren Zustandsänderung, insbesondere einer Temperaturänderung, bei Erreichen eines bestimmten Zustandsparameters, insbesondere einer bestimmten Temperatur, von einem Zustand in einen anderen übergeht. Typischerweise ändert sich dabei die innere Struktur, insbesondere die Kristallstruktur, des Formgedächtniselementes, was oftmals mit einer Ausdehnung des Elementes in eine Richtung bei gleichzeitiger Kontraktion in eine andere Richtung verbunden sein kann. Auch sonstige Änderungen der Form des Formgedächtniselementes sind denkbar, wobei es insbesondere auch möglich ist, dass das Formgedächtniselement lediglich eine Ausdehnung/Kontraktion in einer Richtung ohne gleichzeitige Dimensionsänderung in der anderen Richtung vollzieht. Beispielsweise kann das Formgedächtniselement bei Erwärmung von einer martensitischen Struktur in eine austenitische Struktur übergehen. Der Übergang vollzieht sich dabei jeweils über einen gewissen Temperaturbereich hinweg, beginnend mit einer Starttemperatur und endend mit einer Endtemperatur, bei welcher jeweils eine der beiden Strukturen praktisch vollständig vorliegt. Für ein Zweiwege-Formgedächtniselement kann die Umwandlung im Wesentlichen wie folgt ablaufen: Beginnend bei einer relativ niedrigen Temperatur von ca. 20°C liegt das Formgedächtniselement in einer martensitischen Struktur vor. Mit steigender Temperatur wird die Austenit-Starttemperatur erreicht, bei welcher die Umwandlung in eine austenitische Struktur einsetzt, welche nach einem weiteren Anstieg der Temperatur bei der Austenit-Finishtemperatur vollständig abgeschlossen ist. Das Formgedächtniselement liegt oberhalb der Austenit-Finishtemperatur praktisch vollständig in der austenitischen Struktur vor. Beim Abkühlen des Formgedächtniselementes setzt die Umwandlung von der austenitischen Struktur in die martensitische Struktur bei einer Martensit-Starttemperatur ein, die erheblich unterhalb der Austenit-Starttemperatur liegen kann. Mit Erreichen der Martensit-Finishtemperatur ist die Rückumwandlung in die martensitische Phase völlig abgeschlossen.The property of the shape memory materials, to be able to do a lot of work per volume, has a positive effect. Furthermore, the shape memory element can be constructed relatively simple and therefore proves to be relatively robust. In this case, a shape memory element is essentially understood to mean an element which, under the influence of an external state change, in particular a change in temperature, passes from one state to another when a certain state parameter, in particular a specific temperature, is reached. Typically, this changes the internal structure, in particular the crystal structure, of the shape memory element, which can often be associated with an expansion of the element in one direction while contraction in another direction. Also, other changes in the shape of the shape memory element are conceivable, and it is also possible in particular that the shape memory element performs only an expansion / contraction in one direction without simultaneous dimensional change in the other direction. For example, when heated, the shape memory element may transition from a martensitic structure to an austenitic structure. The transition takes place in each case over a certain temperature range, starting with a start temperature and ending with a final temperature at which each one of the two structures is present almost completely. For a two-way shape memory element, the transformation can proceed essentially as follows: Starting at a relatively low temperature of about 20 ° C, the shape memory element is present in a martensitic structure. As the temperature increases, the austenite start temperature is reached at which the transformation begins in an austenitic structure which is completely completed after a further increase in the temperature at the austenite finish temperature. The shape memory element is present almost completely above the austenite finish temperature in the austenitic structure. As the shape memory element cools, the transformation from the austenitic structure to the martensitic structure continues at a martensite start temperature that can be significantly below the austenite start temperature. Upon attaining the martensite finish temperature, the back conversion to the martensitic phase is complete.
Dabei kann die Martensit-Starttemperatur insbesondere bei ca. 20°C liegen, wohingegen ca. –5°C eine vorteilhafte Wahl für die Martensit-Finishtemperatur darstellt.In particular, the martensite start temperature may be about 20 ° C, whereas about -5 ° C is an advantageous choice for the martensite finish temperature.
Wählt man den Bereich für die Austenit-Starttemperatur und die Austenit-Finishtemperatur im Intervall zwischen ca. 20°C und ca. 120°C, ergibt sich eine besonders gute Anwendbarkeit des Zweiwege-Effektes:
Zunächst wird das Formgedächtniselement in der martensitischen Struktur an der gewünschten Stelle positioniert. Eine nachfolgende Erwärmung des Formgedächtniselementes über die Austenit-Finishtemperatur hinaus führt dann zur gewünschten Strukturänderung des Formgedächtniselementes und damit zu der gewünschten kraftschlüssigen Verbindung. Ein nachfolgendes Abkühlen des Formgedächtniselementes bleibt so lange für den Kraftschluss unschädlich, wie sich das Formgedächtniselement bei einer Temperatur befindet, die höher ist als die Martensit-Starttemperatur von ca. 20°C, da erst dann der Übergang zur martensitischen Struktur erfolgen kann. Unter normalen Betriebsbedingungen einer Projektionsbelichtungsanlage wird diese Temperatur jedoch nicht unterschritten werden, so dass eine unerwünschte Rückumwandlung des Formgedächtniselementes praktisch ausgeschlossen ist; vielmehr ist zum Lockern der kraftschlüssigen Verbindung ein gezieltes Kühlen des Formgedächtniselementes erforderlich.Selecting the range for the austenite start temperature and the austenite finish temperature in the interval between about 20 ° C and about 120 ° C, results in a particularly good applicability of the two-way effect:
First, the shape memory element in the martensitic structure is positioned at the desired location. A subsequent heating of the shape memory element beyond the austenite finish temperature then leads to the desired structural change of the shape memory element and thus to the desired frictional connection. A subsequent cooling of the shape memory element remains harmless for the adhesion as long as the shape memory element is at a temperature which is higher than the martensite start temperature of about 20 ° C, since only then can the transition to the martensitic structure take place. However, under normal operating conditions of a projection exposure apparatus, this temperature will not be undershot, so that an undesired reverse transformation of the shape memory element is virtually precluded; rather, a targeted cooling of the shape memory element is required to loosen the frictional connection.
Selbstverständlich sind je nach Anwendungsfall auch andere Temperaturbereiche als die oben angegebenen denkbar.Of course, depending on the application, other temperature ranges than those given above are conceivable.
Eine Vorspannkraft zur Erleichterung einer ersten Vorjustage der beiden zu fügenden Partner, also beispielsweise der Spiegelfacette und des Trägerelements kann grundsätzlich dadurch erreicht werden, dass die Eigenelastizität der am Fügevorgang beteiligten Elemente genutzt wird und/oder zusätzliche elastische Elemente verwendet werden. So kann beispielsweise das Formgedächtniselement in der Weise ausgebildet sein, dass es zu Beginn des Einsetzens locker entlang der Fügeflächen gleitet. Die Fügeflächen selbst können dann in der Weise mit Steigungen versehen sein, dass beim Erreichen der gewünschten Endposition der Fügepartner eine geringe elastische Deformation eines oder mehrerer der beteiligten Fügepartner bewirkt wird, durch welche die gewünschte Vorspannkraft aufgebracht wird. Ebenso ist es denkbar, zusätzliche elastische Elemente wie beispielsweise Blattfedern o. ä. vorzusehen, durch welche die Vorspannkraft aufgebracht wird.A biasing force for facilitating a first pre-adjustment of the two partners to be joined, for example the mirror facet and the carrier element can basically be achieved by utilizing the inherent elasticity of the elements involved in the joining process and / or by using additional elastic elements. Thus, for example, the shape memory element may be formed in such a way that it slips loosely along the joining surfaces at the beginning of insertion. The joining surfaces themselves can then be provided with gradients in such a way that upon reaching the desired end position of the joining partners a slight elastic deformation of one or more of the joining partners involved is effected, through which the desired biasing force is applied. It is also conceivable to provide additional elastic elements such as leaf springs o. Ä., By which the biasing force is applied.
Dabei kann das Formgedächtniselement im austenitischen Zustand in mindestens einer Raumrichtung eine größere Ausdehnung besitzen als im martensitischen Zustand. Daneben ist auch der Fall denkbar, dass das Formgedächtniselement im austenitischen Zustand in mindestens einer Raumrichtung eine geringere Ausdehnung besitzt als im martensitischen Zustand.In this case, the shape memory element in the austenitic state can have a greater extent in at least one spatial direction than in the martensitic state. In addition, the case is conceivable that the shape memory element in the austenitic state in at least one spatial direction has a smaller extent than in the martensitic state.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung kann es sich bei einem der beiden Elemente um eine Feldfacette eines Facettenspiegels handeln, bei dem zweiten der beiden Elemente kann es sich um einen Trägerkörper, insbesondere ein sogenanntes Flexgelenk, handeln. Unter einem Flexgelenk ist ein monolithisches, in mindestens einem Freiheitsgrad, bevorzugt in zwei Rotationsfreiheitsgraden schaltbares bzw. bewegbares Element zu verstehen, mit welchem eine sogenannte Kinematik zum Bewegen bzw. Beschalten der Facettenoptik realisiert werden kann.In an advantageous embodiment of the invention, one of the two elements may be a field facet of a facet mirror, the second of the two elements may be a carrier body, in particular a so-called flex joint. A flex joint is to be understood as meaning a monolithic element which can be switched or moved in at least one degree of freedom, preferably in two rotational degrees of freedom, with which a so-called kinematics for moving or interconnecting the facet optics can be realized.
Das Formgedächtniselement kann beispielsweise polykristallines NiTi enthalten, auch andere Legierungen sind je nach Anwendung denkbar.The shape memory element may contain, for example polycrystalline NiTi, and other alloys are conceivable depending on the application.
Dadurch dass das Formgedächtniselement den Kraftschluss zwischen den beiden Elementen unter Verwendung einer Kinematik, insbesondere eines Hebels, bewirkt, wird es möglich, ausgehend von identischen Formgedächtniselementen, jeweils an unterschiedliche Anwendungsfälle angepasste Stellwege bzw. Stellkräfte zu realisieren.Because the shape memory element brings about the frictional connection between the two elements using kinematics, in particular a lever, it becomes possible, starting from identical shape memory elements, to realize adjusting paths or actuating forces which are respectively adapted to different applications.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wirkt auf die am Kraftschluss beteiligten Flächen ein Anpressdruck von mehr als 10 MPa, bevorzugt mehr als 12 MPa, insbesondere ca. 15 MPa. Die genannten Drücke betreffen vorwiegend Fälle, in denen mindestens eines der beiden am Kraftschluss beteiligten Elemente thermisch hoch belastet ist, so dass über die Grenzfläche große Wärmemengen abgeführt werden müssen. Für Fälle ohne besondere thermische Anforderungen sind auch Anpressdrücke von weniger als 10 MPa denkbar.In an advantageous embodiment of the invention acts on the areas involved in adhesion a contact pressure of more than 10 MPa, preferably more than 12 MPa, in particular about 15 MPa. The pressures mentioned mainly relate to cases in which at least one of the two elements involved in adhesion is subject to high thermal loads, so that large quantities of heat have to be dissipated via the interface. For cases without special thermal requirements and contact pressures of less than 10 MPa are conceivable.
Eine erfindungsgemäße optische Baugruppe umfasst einen Trägerkörper und eine mit dem Trägerkörper verbundene Spiegelfacette, wobei die Spiegelfacette und der Trägerkörper miteinander mittels eines Formgedächtniselementes verbunden sind. Dabei kann die optische Baugruppe beispielsweise für den Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie vorgesehen sein, insbesondere als Bestandteil eines Facettenspiegels.An optical assembly according to the invention comprises a carrier body and a mirror facet connected to the carrier body, the mirror facet and the carrier body being connected to one another by means of a shape memory element. In this case, the optical assembly can be provided, for example, for use in a projection exposure apparatus for semiconductor lithography, in particular as part of a facet mirror.
Die Spiegelfacette und der Trägerkörper können miteinander mittels Zugankern verbunden sein, wobei die Zuganker in Ausnehmungen in der Spiegelfacette eingreifen und wobei ein Anpressen der Spiegelfacette an den Trägerkörper mittels des Formgedächtniselementes erreicht werden kann. The mirror facet and the carrier body can be connected to each other by means of tie rods, wherein the tie rods engage in recesses in the mirror facet and wherein a pressing of the mirror facet to the carrier body can be achieved by means of the shape memory element.
Insbesondere können die Spiegelfacette und der Trägerkörper miteinander mittels des selbst monolithisch als Zuganker ausgeführten Formgedächtniselementes verbunden sein.In particular, the mirror facet and the carrier body can be connected to one another by means of the shape memory element itself, which is monolithically designed as a tie rod.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:The invention will be explained in more detail with reference to the drawing. Show it:
Diese Biegung kann beispielsweise durch ein Einfügewerkzeug, die Verwendung von Bimetallelementen oder auch mittels eines Formgedächtniswerkstoffs erreicht werden. Nach der Vorjustage werden dann die genannten Endstücke
Selbstverständlich ist auch eine vereinfachte Ausführung des oberen Teils des Zugankers
Eine Alternative hierzu ist in der
Eine mittels der Lichtquelle erzeugte EUV-Strahlung
Nach dem Feldfacettenspiegel
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310209012 DE102013209012A1 (en) | 2013-05-15 | 2013-05-15 | Projection exposure system e.g. EUV projection exposure system for e.g. semiconductor lithography, has shape memory element with martensite start temperature at which transition from martensite state into austenitic state begins |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310209012 DE102013209012A1 (en) | 2013-05-15 | 2013-05-15 | Projection exposure system e.g. EUV projection exposure system for e.g. semiconductor lithography, has shape memory element with martensite start temperature at which transition from martensite state into austenitic state begins |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013209012A1 true DE102013209012A1 (en) | 2014-05-28 |
Family
ID=50679161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201310209012 Ceased DE102013209012A1 (en) | 2013-05-15 | 2013-05-15 | Projection exposure system e.g. EUV projection exposure system for e.g. semiconductor lithography, has shape memory element with martensite start temperature at which transition from martensite state into austenitic state begins |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102013209012A1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014215159A1 (en) | 2014-08-01 | 2014-09-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | TRANSPORT SECURITY FOR AN OPTICAL SYSTEM WITH FORM MEMORY ACTUATORS |
WO2016041573A1 (en) * | 2014-09-15 | 2016-03-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Connection arrangement for the non-positive connection of ceramic components |
DE102015221921A1 (en) * | 2015-11-09 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facet device with a shape memory alloy actuator, method for manufacturing and lithographic system |
WO2017080855A1 (en) * | 2015-11-09 | 2017-05-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Assembly for a lithography system, and lithography system |
DE102019132796B3 (en) * | 2019-12-03 | 2021-04-01 | Baden-Württemberg Stiftung Ggmbh | Adaptive mirror element |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4206792A1 (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-09 | Diehl Gmbh & Co | Deformable mirror e.g. for focussing laser beam - has fixing collar of shape-memory alloy, attached by radial forces at one temp. and released at other temp. |
US20050030653A1 (en) * | 2002-02-09 | 2005-02-10 | Hubert Holderer | Facet mirror having a number of mirror facets |
DE102009013126A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical imaging device for use in high vacuum chamber of micro lithography i.e. extreme UV lithography, has reset element arranged between supporting structure and component to work against presettable force and displacement |
-
2013
- 2013-05-15 DE DE201310209012 patent/DE102013209012A1/en not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4206792A1 (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-09 | Diehl Gmbh & Co | Deformable mirror e.g. for focussing laser beam - has fixing collar of shape-memory alloy, attached by radial forces at one temp. and released at other temp. |
US20050030653A1 (en) * | 2002-02-09 | 2005-02-10 | Hubert Holderer | Facet mirror having a number of mirror facets |
DE102009013126A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical imaging device for use in high vacuum chamber of micro lithography i.e. extreme UV lithography, has reset element arranged between supporting structure and component to work against presettable force and displacement |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014215159A1 (en) | 2014-08-01 | 2014-09-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | TRANSPORT SECURITY FOR AN OPTICAL SYSTEM WITH FORM MEMORY ACTUATORS |
WO2016041573A1 (en) * | 2014-09-15 | 2016-03-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Connection arrangement for the non-positive connection of ceramic components |
US10571813B2 (en) | 2014-09-15 | 2020-02-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Connection arrangement for a force-fit connection between ceramic components |
DE102015221921A1 (en) * | 2015-11-09 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facet device with a shape memory alloy actuator, method for manufacturing and lithographic system |
WO2017080855A1 (en) * | 2015-11-09 | 2017-05-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Assembly for a lithography system, and lithography system |
DE102019132796B3 (en) * | 2019-12-03 | 2021-04-01 | Baden-Württemberg Stiftung Ggmbh | Adaptive mirror element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102013209012A1 (en) | Projection exposure system e.g. EUV projection exposure system for e.g. semiconductor lithography, has shape memory element with martensite start temperature at which transition from martensite state into austenitic state begins | |
EP1472562B1 (en) | Multi-faceted mirror | |
DE102014215159A1 (en) | TRANSPORT SECURITY FOR AN OPTICAL SYSTEM WITH FORM MEMORY ACTUATORS | |
DE102009013126A1 (en) | Optical imaging device for use in high vacuum chamber of micro lithography i.e. extreme UV lithography, has reset element arranged between supporting structure and component to work against presettable force and displacement | |
DE102013215169A1 (en) | OPTICAL DEVICE AND LITHOGRAPHY SYSTEM | |
DE102011114123A1 (en) | Optical element alignment system and method therefor | |
DE102009037135A1 (en) | Holding device for an optical element | |
DE102016219054A1 (en) | Actuator with shape memory element | |
DE102008034285A1 (en) | Actuator for the high-precision positioning or manipulation of components and projection exposure apparatus for microlithography | |
DE102004018656A1 (en) | Optical element | |
DE102013223017A1 (en) | Optical module | |
EP3296787A1 (en) | Optical module with tiltable optical surfaces | |
WO2015120977A1 (en) | Bearing element and system for mounting an optical element | |
DE102011087389A1 (en) | Variable stopper for optic element e.g. mirror used in projection exposure system, has stopper element that is provided to limit movement path of optical element | |
DE102007063305A1 (en) | Optical device with a spring device with a range of constant spring force | |
DE102005062401A1 (en) | Mirror`s imaging characteristics variation device for projection exposure system, has actuators formed such that changeable forces are introduced in mirror by variation in temperature, where forces lead to deformation of mirror surface | |
DE102015221921A1 (en) | Facet device with a shape memory alloy actuator, method for manufacturing and lithographic system | |
WO2003050586A2 (en) | Mirror facet and facetted mirror | |
DE102012200733A1 (en) | Mirror assembly for optical system e.g. microlithographic projection exposure apparatus, has radiator whose sections are designed in such way that relative contribution of sections compensate to temperature-induced deformation | |
EP4031766A1 (en) | Thermal actuator arrangement having improved reset time | |
DE102012200732A1 (en) | Mirror assembly for optical system of microlithography projection exposure apparatus used for manufacture of LCD, has fixing elements and solid-portion joints that are arranged on opposite sides of carrier | |
DE102018216964A1 (en) | Actuator device for aligning an element, projection exposure system for semiconductor lithography and method for aligning an element | |
EP2915754B1 (en) | Device for holding and orientating a payload component, in particular a spaceborne component | |
DE102013204305A1 (en) | Arrangement for the actuation of at least one element in an optical system | |
EP2784369B1 (en) | Articulated arm |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R230 | Request for early publication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final | ||
R003 | Refusal decision now final |
Effective date: 20150217 |