DE102013207502A1 - Optical system for wafer and mask inspection plant, has polarizing elements which are designed such that polarization distribution set to micro-structured element is not changed by changing operating wavelength - Google Patents

Optical system for wafer and mask inspection plant, has polarizing elements which are designed such that polarization distribution set to micro-structured element is not changed by changing operating wavelength Download PDF

Info

Publication number
DE102013207502A1
DE102013207502A1 DE102013207502.2A DE102013207502A DE102013207502A1 DE 102013207502 A1 DE102013207502 A1 DE 102013207502A1 DE 102013207502 A DE102013207502 A DE 102013207502A DE 102013207502 A1 DE102013207502 A1 DE 102013207502A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
polarization
optical system
operating wavelength
microstructured
change
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102013207502.2A
Other languages
German (de)
Inventor
Ingo Sänger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102013207502.2A priority Critical patent/DE102013207502A1/en
Publication of DE102013207502A1 publication Critical patent/DE102013207502A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

The optical system has a lighting device (140) for illuminating the micro-structured element (103). The polarizing elements (110a-110d) are provided for setting polarization distribution at the micro-structured element. The detection device (104) is used for detecting the partial light beam (S102c) reflected from the micro-structured element. The polarization elements are unchanged during the change of the operating wavelength, and are designed such that the set polarization distribution is not changed by changing the operating wavelength. An independent claim is included for method for inspecting micro-structured element.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die Erfindung betrifft ein optisches System, insbesondere für eine Wafer- oder Maskeninspektionsanlage.The invention relates to an optical system, in particular for a wafer or mask inspection system.

Die mit Waferinspektionsanlagen untersuchten mikrostrukturierten Bauelemente – beispielsweise integrierter Halbleiterschaltkreise oder LCD-Displays – werden mit Mikrolithographieanlagen hergestellt. Diese Mikrolithographieanlagen werden beispielsweise mit Licht im VUV-Wellenlängenbereich, beispielsweise bei 193 nm, betrieben. Zur Herstellung dieser mikrostrukturierten Bauelemente wird mittels einer Beleuchtungseinrichtung eine mikrostrukturierte Maske (Retikel) beleuchtet. Diese Maskenstruktur wird mithilfe eines Projektionsobjektives auf ein Substrat (Wafer), welches eine photosensitive Beschichtung aufweist, abgebildet. Nachfolgend wird der belichtete Wafer chemisch weiterprozessiert, um die Mikrostrukturierung der belichteten photosensitiven Beschichtung auf den Wafer zu übertragen.The microstructured components investigated with wafer inspection systems-for example semiconductor integrated circuits or LCD displays-are manufactured using microlithography systems. These microlithography systems are operated, for example, with light in the VUV wavelength range, for example at 193 nm. To produce these microstructured components, a microstructured mask (reticle) is illuminated by means of a lighting device. This mask structure is imaged by means of a projection objective onto a substrate (wafer) which has a photosensitive coating. Subsequently, the exposed wafer is further processed chemically to transfer the microstructure of the exposed photosensitive coating to the wafer.

Wafer- oder Maskeninspektionsanlagen werden zur Untersuchung dieser Wafer oder Masken, d. h. mikrostrukturierten Elementen, auf Defekte, Verunreinigungen usw. verwendet. Diese Untersuchung kann auch mit mehr als nur einer Wellenlänge durchgeführt werden, beispielsweise bei Wellenlängen in dem Bereich von 150 nm bis 800 nm. Dies hat den Vorteil, dass aufgrund der Wellenlängenabhängigkeit, beispielsweise der Auflösung, aus den Untersuchungen mit unterschiedlichen Wellenlängen unterschiedliche und zusätzliche Informationen über die Qualität des zu untersuchenden mikrostrukturierten Elementes gewonnen werden. Dazu wird zuerst eine Messung mit einer ersten Wellenlänge durchgeführt. Nachfolgend wird mindestens eine zweite Messung mit mindestens einer zweiten Wellenlänge durchgeführt. Um den Betrieb der Inspektionsanlage effizient zu gestalten, muss die Schaltzeit hin zu einer anderen Wellenlänge des eingestrahlten Lichtes so gering wie möglich sein, idealerweise ≤ 10 ms oder ≤ 1 ms. Zudem kann es eine Anforderung an die Inspektionsanlage sein, dass Untersuchungen mit unterschiedlichen Polarisations-verteilungen durchgeführt werden können. Nachteilig ist, dass Polarisationselemente in der Regel eine sehr ausgeprägte Wellenlängenabhängigkeit bezüglich ihrer Polarisationseigenschaften und ihrer Transmission aufweisen.Wafer or mask inspection equipment is used to inspect these wafers or masks, i. H. microstructured elements, for defects, impurities, etc. used. This investigation can also be carried out with more than one wavelength, for example at wavelengths in the range of 150 nm to 800 nm. This has the advantage that due to the wavelength dependence, for example the resolution, different and additional information from the investigations with different wavelengths on the quality of the microstructured element to be investigated. For this purpose, a measurement with a first wavelength is first performed. Subsequently, at least one second measurement is carried out with at least one second wavelength. To make the operation of the inspection facility efficient, the switching time to another wavelength of the irradiated light must be as low as possible, ideally ≤ 10 ms or ≤ 1 ms. In addition, it may be a requirement of the inspection system that investigations with different polarization distributions can be carried out. The disadvantage is that polarization elements usually have a very pronounced wavelength dependence with respect to their polarization properties and their transmission.

Stand der TechnikState of the art

Aus der DE 10 2012 200 373 A1 ist ein optisches System für eine Waferinspektionsanlage bekannt, bei dem Polarisationsmanipulatoren aus Doppelkeilanordnungen oder Pockelszellen verwendet werden. Die mit der Wellenlängenänderung während des Betriebes einhergehenden Änderungen der jeweils bereitgestellten polarisationsbeeinflussenden Wirkung wird durch die Polarisationsmanipulatoren kompensiert.From the DE 10 2012 200 373 A1 For example, an optical system for a wafer inspection system is known in which polarization manipulators of double wedge arrangements or Pockels cells are used. The changes in the respectively provided polarization-influencing effect associated with the wavelength change during operation are compensated by the polarization manipulators.

Aus der EP 1 582 894 81 ist ein Lithographiesystem bekannt, das eine Anordnung von Drahtelementen, die für einen weiten Bereich des UV-Spektrums zugeschnitten sind, beinhaltet.From the EP 1 582 894 81 For example, a lithography system is known which involves an array of wire elements tailored for a wide range of the UV spectrum.

Aus der DE 10 2012 206 151 ist ein optisches System, insbesondere eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung, die wenigstens einen Drahtgitterpolarisator aufweist, bekannt, welche eine Einstellung unterschiedlicher Polarisationsverteilungen ermöglicht.From the DE 10 2012 206 151 is an optical system, in particular a microlithographic projection exposure apparatus, with a polarization-influencing optical arrangement which has at least one wire grid polarizer, which enables adjustment of different polarization distributions.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches System zur polarisationsabhängigen Inspektion eines mikrostrukturierten Elementes bereitzustellen, welches einen möglichst schnellen Wechsel der Betriebswellenlänge während des Betriebes ermöglicht. Dazu zog der Fachmann bisher – zur Anpassung an die mit einer Wellenlängenänderung während des Betriebes einhergehende Änderungen der jeweils bereitgestellten polarisationsbeeinflussenden Wirkung – Polarisationsmanipulatoren in Erwägung. Diese Polarisationsmanipulatoren erfordern jedoch nicht verschwindende Schaltzeiten, während welcher das optische System nicht genutzt werden kann. Zudem wird für solche Polarisationsmanipulatoren eine Steuereinrichtung benötigt, was die Nachteile von zusätzlichen Kosten sowie zusätzlich benötigtem Bauraum hat.It is an object of the present invention to provide an optical system for polarization-dependent inspection of a microstructured element, which allows the fastest possible change of the operating wavelength during operation. To this end, the person skilled in the art has considered polarization manipulators, in order to adapt to the changes in the respectively provided polarization-influencing effect which accompany a change in wavelength during operation. However, these polarization manipulators do not require vanishing switching times during which the optical system can not be used. In addition, a control device is required for such polarization manipulators, which has the disadvantages of additional costs and additionally required installation space.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass nicht nur eine Reduktion, sondern sogar eine vollständige Vermeidung dieser Schaltzeit zur Manipulation der Polarisationselemente möglich ist, wenn Polarisationselemente verwendet werden, die bei den verwendeten Betriebswellenlängen jeweils dieselbe oder zumindest eine im Rahmen der Genauigkeitsanforderungen an die Polarisationsverteilung sehr ähnliche polarisationsbeeinflussende Wirkung auf den Polarisationszustand aufweisen.According to the invention, it has been recognized that not only a reduction, but even a complete avoidance of this switching time for manipulating the polarization elements is possible if polarization elements are used which have the same or at least one polarization-influencing effect very similar to the polarization distribution at the operating wavelengths used to the polarization state.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein optisches System zur Inspektion eines mikrostrukturierten Elementes

  • – mit einer Lichtquelleneinrichtung, mit der von einer ersten Betriebswellenlänge zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge gewechselt werden kann,
  • – mit einer Beleuchtungsvorrichtung zur Beleuchtung des mikrostrukturierten Elementes,
  • – und mit mindestens einem Polarisationselement zur Einstellung einer Polarisationsverteilung am mikrostrukturierten Element,
  • – mit einer Detektionsvorrichtung zur Detektion eines vom mikrostrukturierten Element beeinflussten Lichtes,
wobei
  • – das mindestens eine Polarisationselement während des Wechsels der Betriebswellenlänge unverändert bleibt und dass das mindestens eine Polarisationselement derart ausgestaltet ist, dass die damit eingestellte Polarisationsverteilung nicht durch den Wechsel der Betriebswellenlänge geändert wird,
gelöst.According to the invention, this object is achieved by an optical system for inspecting a microstructured element
  • With a light source device, with which it is possible to change from a first operating wavelength to at least a second operating wavelength,
  • With a lighting device for illuminating the microstructured element,
  • And at least one polarization element for setting a polarization distribution on the microstructured element,
  • With a detection device for detecting a light influenced by the microstructured element,
in which
  • The at least one polarization element remains unchanged during the change of the operating wavelength and that the at least one polarization element is designed such that the polarization distribution set therewith is not changed by the change of the operating wavelength,
solved.

Eine „nicht” durch den Wechsel der Betriebswellenlänge geänderte Polarisationsverteilung liegt im Sinne der Anmeldung vor, wenn die Messgenauigkeit der Inspektionsanalge durch die Polarisation nicht negativ beeinflusst wird.A "not" changed by the change of the operating wavelength polarization distribution is within the meaning of the application, if the measurement accuracy of the inspection is not adversely affected by the polarization.

Einen weiteren Vorteil des erfindungsgemäßen optischen Systems stellt die Wellenlängenunabhängigkeit bezüglich des Toleranzbandes der eingestellten Betriebswellenlänge dar. So weist die eingestellte Betriebswellenlänge typischerweise ein Toleranzband auf, beispielsweise in der Größe von 5–20 nm, d. h. die Betriebswellenlänge kann beispielsweise 400 nm +/– 20 nm bei einem Toleranzband von 40 nm betragen. Selbst innerhalb dieses verglichen mit dem Einstellbereich der Betriebswellenlänge von beispielsweise 150 nm bis 800 nm sehr engen Toleranzbandes zeigen viele herkömmliche Polarisationsmanipulatoren wie beispielsweise Doppelkeilanordnungen oder Pockelszellen bereits eine starke und somit störende Wellenlängenabhängigkeit der Polarisationseinstellung auf, welche bei dem erfindungsgemäßen optischen System nicht auftritt.Another advantage of the optical system according to the invention is the wavelength independence with respect to the tolerance band of the adjusted operating wavelength. Thus, the adjusted operating wavelength typically has a tolerance band, for example, in the size of 5-20 nm, d. H. the operating wavelength can be, for example, 400 nm +/- 20 nm with a tolerance band of 40 nm. Even within this very narrow tolerance band compared with the operating wavelength adjustment range of, for example, 150 nm to 800 nm, many conventional polarization manipulators such as double wedge assemblies or Pockels cells already exhibit a strong and thus disturbing wavelength dependency of the polarization adjustment, which does not occur in the optical system of the present invention.

Gemäß einer Ausführungsform ist das mindestens eine Polarisationselement ein Drahtgitterpolarisator. Hierbei wird vorteilhafterweise ausgenutzt, dass Drahtgitterpolarisatoren für einen weiteren Wellenlängenbereich als herkömmliche Polarisatoren verwendet werden können. Zudem können Drahtgitterpolarisatoren sehr dünn (im mm-Bereich) ausgestaltet sein, was den Vorteil gegenüber der Verwendung von aus dem Stand der Technik bekannten Manipulatoren wie beispielsweise Pockelszellen oder gegeneinander verschiebbaren optisch aktiven Doppelkeilen zur Erzielung einer wellenlängenunabhängigen Polarisationseinstellung hat, dass die Polarisationselemente aufgrund dieser geringen Dicke auch in sehr begrenztem Bauraum, insbesondere im Bereich einer Pupillenebene zwischen den Optiken einer Beleuchtungsvorrichtung, angeordnet werden können. Eine Pupillenebene ist eine zur Feldebene, in der das zu untersuchende mikrostrukturierte Element angeordnet ist, Fourier-konjugierte Ebene.According to one embodiment, the at least one polarization element is a wire grid polarizer. In this case, it is advantageously utilized that wire grid polarizers can be used for a further wavelength range than conventional polarizers. In addition, Drahtgitterpolarisatoren very thin (in the mm range) be designed, which has the advantage over the use of known from the prior art manipulators such as Pockels cells or mutually displaceable optically active double wedges to achieve a wavelength-independent polarization setting that the polarization elements due to this small Thickness can also be arranged in a very limited installation space, in particular in the region of a pupil plane between the optics of a lighting device. A pupil plane is one to the field plane in which the microstructured element to be examined is arranged, Fourier-conjugate plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das mindestens eine Polarisationselement ein Brewsterpolarisator. Hierbei wird ausgenutzt, dass sich der Brechungsindex vieler Materialien nur langsam mit der Wellenlänge ändert und in diesem Fall der vom Brechungsindex abhängige Brewsterwinkel ebenfalls nur eine geringe Abhängigkeit von der Wellenlänge aufweist. Insbesondere mit einer geeigneten breitbandigen, beispielsweise dielektrischen Beschichtung kann die Wellenlängenabhängigkeit des Brewsterpolarisators weiter reduziert werden. Daher sind Brewsterpolarisatoren ebenfalls zur Polarisationseinstellung bei verschiedenen Wellenlängen geeignet.According to a further embodiment, the at least one polarization element is a Brewster polarizer. This exploits the fact that the refractive index of many materials changes only slowly with the wavelength and, in this case, the refractive index-dependent Brewster angle also has only a small dependence on the wavelength. In particular, with a suitable broadband, such as dielectric coating, the wavelength dependence of Brewsterpolarisators can be further reduced. Therefore, Brewster polarizers are also suitable for polarization adjustment at different wavelengths.

Gemäß einer Ausführungsform ist das mindestens eine Polarisationselement in einer Pupillenebene der Beleuchtungsvorrichtung zur Beleuchtung des mikrostrukturierten Elementes angeordnet, wodurch eine über die Pupille variierende Polarisationseinstellung ermöglicht wird. Ein weiterer Vorteil, insbesondere der Drahtgitterpolarisatoren ist hier, dass die in der Pupillenebene abhängig von der optischen Auslegung der Inspektionsanlage auftretenden Winkelverteilungen nur eine geringe Auswirkung auf die mit dem Drahtgitterpolarisator in der Pupillenebene eingestellte Polarisationsverteilung haben, da sich durch die Winkelverteilung des eingestrahlten Lichtes in der Pupillenebene nur die effektive Gitterperiode des Drahtgitterpolarisators geringfügig ändert, was nur einen geringen Einfluss auf dessen Eigenschaft als Polarisator hat.According to one embodiment, the at least one polarization element is arranged in a pupil plane of the illumination device for illuminating the microstructured element, thereby allowing a polarization adjustment that varies across the pupil. A further advantage, in particular of the wire grid polarizers, is that the angular distributions occurring in the pupil plane, depending on the optical design of the inspection system, have only a small effect on the polarization distribution set in the pupil plane with the wire grid polarizer, since the angular distribution of the incident light in the pupil plane Pupil plane only slightly changes the effective grating period of the wireframe polarizer, which has little effect on its polarizer property.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Wechsel von einer ersten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS1, wobei der Parameter IPS den Quotienten der Intensität des Lichtes mit dem einzustellenden Polarisationszustand und der Gesamtintensität darstellt, zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS2 die Änderung der Polarisationsverteilung

Figure DE102013207502A1_0002
insbesondere < 2%, insbesondere < 0.1% beträgt. Dies trägt der Tatsache Rechnung, dass selbst bei weitestgehend wellenlängenunabhängigen Polarisationselementen noch eine sehr geringe Abhängigkeit der Polarisationseigenschaften von der Wellenlänge vorliegen kann. Außerdem stellt sich die Frage nach der Genauigkeit der Einstellung der Polarisationsverteilung spätestens bei Betrachtung der endlichen Messgenauigkeit von Polarisationsmesssystemen sowie bei der Auslegung bzw. Budgetierung einer Inspektionsanlage. Bleibt die Änderung der Polarisationsverteilung im Rahmen dieser Toleranzen, so ergibt sich keine negative Beeinflussung der Messgenauigkeit der Inspektionsanlage durch die Polarisationsänderung bei Änderung der Wellenlänge.According to one embodiment, the optical system is characterized in that when changing from a first operating wavelength with a polarization parameter IPS 1 , wherein the parameter IPS represents the quotient of the intensity of the light with the polarization state to be set and the total intensity, at least one second operating wavelength Polarization parameter IPS 2 the change of the polarization distribution
Figure DE102013207502A1_0002
in particular <2%, in particular <0.1%. This takes into account the fact that even with largely wavelength-independent polarization elements still a very small dependence of the polarization properties of the wavelength can be present. In addition, the question of the accuracy of the setting of the polarization distribution at the latest when considering the finite measurement accuracy of Polarization measuring systems and in the design or budgeting of an inspection system. If the change in the polarization distribution remains within the scope of these tolerances, there is no negative effect on the measurement accuracy of the inspection system due to the change in polarization when the wavelength changes.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das optische System einen Strahlteiler. Dieser Strahlteiler ermöglicht es vorteilhafterweise, das mikrostrukturierte Element senkrecht zu beleuchten und das von dem durch Beugung oder Reflektion von dem mikrostrukturierten Element beeinflusste Licht unter demselben Strahlengang von dem einfallenden Licht zu trennen und zu detektieren. Eine solche Untersuchung des mikrostrukturierten Elementes in Reflexionsgeometrie ist insbesondere bei Wafern notwendig. Bei in der Lithographie in Transmission betriebenen Masken ist dagegen prinzipiell auch eine Untersuchung in Transmission denkbar.According to one embodiment, the optical system comprises a beam splitter. This beam splitter advantageously makes it possible to illuminate the microstructured element vertically and to separate and detect the light influenced by diffraction or reflection from the microstructured element under the same beam path from the incident light. Such a study of the microstructured element in reflection geometry is necessary in particular for wafers. On the other hand, in the case of masks operated in lithography in transmission, an examination in transmission is conceivable in principle.

Gemäß einer Ausführungsform ist die mit dem mindestens einen Polarisationselement eingestellte Polarisationsverteilung in einer Pupillenebene rotationssymmetrisch, insbesondere tangential- oder radial-elektrisch. Das hat den Vorteil, dass eine Einstellung dergleichen Polarisationsverteilung bei der Inspektion des mikrostrukturierten Elementes möglich ist, wie bei der lithographischen Herstellung von Halbleiterbauelementen üblich.According to one embodiment, the polarization distribution set with the at least one polarization element is rotationally symmetrical in a pupil plane, in particular tangentially or radially-electrically. This has the advantage that an adjustment of the same polarization distribution during the inspection of the microstructured element is possible, as usual in the lithographic production of semiconductor devices.

Gemäß einer Ausführungsform emittiert die Lichtquelleneinrichtung zirkular polarisiertes oder unpolarisiertes Licht. Dies hat den Vorteil, dass mit dem mindestens eine Polarisationselement beliebige Polarisationsverteilungen erzeugt werden können. Im Gegensatz dazu wäre beispielsweise die Erzeugung von x-polarisiertem Licht aus von der Lichtquelleneinrichtung y-polarisiert emittiertem Licht mit nur einem Polarisator prinzipiell nicht möglich. Zudem würde eine starke Abhängigkeit der Intensität der Strahlung hinter dem Polarisator von der Polarisationsrichtung des Polarisators vorliegen.According to one embodiment, the light source device emits circularly polarized or unpolarized light. This has the advantage that with the at least one polarization element arbitrary polarization distributions can be generated. In contrast to this, for example, the generation of x-polarized light from light emitted by the light source device y-polarized light with only one polarizer would not be possible in principle. In addition, there would be a strong dependence of the intensity of the radiation behind the polarizer on the polarization direction of the polarizer.

Gemäß einer Ausführungsform emittiert die Lichtquelleneinrichtung bei mindestens einer Betriebswellenlänge linear polarisiertes Licht und das mindestens eine Polarisationselement ist ein Hanle-Depolarisator, wie er beispielsweise aus der DE 10 2006 031 807 A1 bekannt ist, zur wellenlängenunabhängigen Depolarisation. Dies hat den bereits beschriebenen Vorteil, dass trotz Verwendung einer Lichtquellenvorrichtung, welche polarisiertes Licht emittiert, aus dem durch den Hanle-Depolarisator erzeugten unpolarisierten Licht mit einem weiteren Polarisationselement beliebige Polarisationsverteilungen erzeugt werden können.In accordance with one embodiment, the light source device emits linearly polarized light at at least one operating wavelength, and the at least one polarization element is a Hanle depolarizer, as described, for example, in US Pat DE 10 2006 031 807 A1 is known, for wavelength-independent depolarization. This has the advantage already described that despite the use of a light source device which emits polarized light, arbitrary polarization distributions can be generated from the unpolarized light generated by the Hanle depolarizer with a further polarization element.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Schaltzeit beim Wechsel der Betriebswellenlänge ≤ 10 ms. Eine schnelle Schaltbarkeit ist eine der grundlegenden Voraussetzungen für den wirtschaftlich effizienten Betrieb einer Inspektionsanlage. Durch die Verwendung wellenlängenunabhängiger Polarisationselemente muss erfindungsgemäß keine zusätzliche Schaltzeit aufgrund der Polarisationseinstellung berücksichtigt werden.According to one embodiment, the switching time when changing the operating wavelength is ≤ 10 ms. Fast switchability is one of the basic requirements for the economically efficient operation of an inspection system. Due to the use of wavelength-independent polarization elements, according to the invention, no additional switching time due to the polarization adjustment must be taken into account.

Gemäß einer Ausführungsform werden mindestens zwei Betriebswellenlängen im Bereich von 150 nm bis 800 nm genutzt zwischen denen geschaltet wird.According to one embodiment, at least two operating wavelengths in the range of 150 nm to 800 nm are used between which is switched.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System eine Masken- oder Waferinspektionsanlage und das zu untersuchende mikrostrukturierte Element entsprechend eine Maske oder ein Wafer.According to one embodiment, the optical system is a mask or wafer inspection system and the microstructured element to be examined corresponding to a mask or a wafer.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das optische System eine Wechselvorrichtung zum Wechsel des mindestens einen Polarisationselementes. Dies ist insbesondere dann sinnvoll, wenn verschiedene Polarisationsverteilungen zur Inspektion verwendet werden. Ein solcher Wechsel der Polarisationselemente bezweckt lediglich eine Änderung der eingestellten Polarisationsverteilung und ist völlig unabhängig von einem Betriebswellenlängenwechsel möglich.According to one embodiment, the optical system comprises a changing device for changing the at least one polarization element. This is particularly useful when different polarization distributions are used for inspection. Such a change of the polarization elements only aims to change the set polarization distribution and is completely independent of an operating wavelength change possible.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst die Wechselvorrichtung mindestens zwei Polarisationselemente, die zueinander orthogonale Polarisationsverteilungen erzeugen. Der Vorteil der zueinander orthogonalen Polarisationsverteilungen besteht darin, dass bei diesen Untersuchungen komplementäre Informationen aus diesen beiden Messungen gewonnen werden können. Mit geeigneten Auswerte-Verfahren kann dann eine umfassendere Aussage über die Qualität des untersuchten mikrostrukturierten Elementes getroffen werden.According to one embodiment, the changing device comprises at least two polarization elements which generate mutually orthogonal polarization distributions. The advantage of mutually orthogonal polarization distributions is that in these studies complementary information can be obtained from these two measurements. With suitable evaluation methods, a more comprehensive statement can then be made about the quality of the microstructured element investigated.

Gemäß einer Ausführungsform sind die zueinander orthogonalen Polarisationsverteilungen x-polarisiert und y-polarisiert oder tangential und radial polarisiert. Wie bereits erwähnt, kann es ein Ziel sein, bei der Untersuchung des strukturierten Elementes ähnliche Bedingungen, d. h. auch ähnliche Polarisationsverteilungen, wie sie beim Betrieb der Lithographieanlage vorliegen, einzustellen. Typische Polarisationsverteilungen stellen beispielsweise x-, y-, tangential-elektrisch oder radial-elektrische Polarisationsverteilungen dar. Auch weitere Polarisationsverteilungen wie gemischt radial-tangential-elektrische oder gemischt tangential-radial-elektrische Polarisationsverteilungen, wie beispielsweise aus der DE 10 2009 055 184 B4 bekannt, oder quasi-tangentiale Polarisationsverteilungen, wie aus der DE 10 2011 003 035 A1 bekannt, oder Freiformpolarisationsverteilungen, wie aus der DE 10 2010 029 339 A1 bekannt, können mit dem erfindungsgemäßen System eingestellt werden. Die Erfindung ist nicht auf die oben genannten beispielhaften Polarisationsverteilungen beschränkt, sondern es sind alle in der Lithographie üblichen Polarisationsverteilungen prinzipiell mit dem erfindungsgemäßen optischen System einstellbar.According to one embodiment, the mutually orthogonal polarization distributions are x-polarized and y-polarized or tangentially and radially polarized. As already mentioned, it can be an objective to set similar conditions in the investigation of the structured element, ie also similar polarization distributions as are present during the operation of the lithography system. Typical polarization distributions represent, for example, x-, y-, tangential-electrical or radial-electrical polarization distributions. Also, other polarization distributions such as mixed radial-tangential-electrical or mixed tangential-radial-electrical polarization distributions, such as from DE 10 2009 055 184 B4 known, or quasi-tangential polarization distributions, as shown in DE 10 2011 003 035 A1 known, or free-form polarization distributions, as from the DE 10 2010 029 339 A1 known, can with the be adjusted system according to the invention. The invention is not limited to the above-mentioned exemplary polarization distributions, but all polarization distributions customary in lithography can in principle be adjusted with the optical system according to the invention.

Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Inspektion mikrostrukturierter Elemente mit folgenden Schritten:

  • – Untersuchung des mikrostrukturierten Elements mit einer ersten Betriebswellenlänge, wobei mindestens ein Polarisationselement zur Polarisationseinstellung im Strahlengang angeordnet ist,
  • – Wechsel der Betriebswellenlänge zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge,
  • – Untersuchung des mikrostrukturierten Elements mit der zweiten Betriebswellenlänge, wobei das mindestens eine Polarisationselement zur Polarisationseinstellung unverändert im Strahlengang angeordnet bleibt und die eingestellte Polarisationsverteilung nicht durch den Wechsel der Betriebswellenlänge geändert wird.
The invention further relates to a method for inspecting microstructured elements with the following steps:
  • Examination of the microstructured element with a first operating wavelength, wherein at least one polarization element is arranged for polarization adjustment in the beam path,
  • Change of the operating wavelength to at least a second operating wavelength,
  • - Examination of the microstructured element with the second operating wavelength, wherein the at least one polarization element for polarization adjustment remains unchanged in the beam path and the set polarization distribution is not changed by the change of the operating wavelength.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention will be explained in more detail below with reference to the embodiments illustrated in the accompanying drawings.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Darstellung des erfindungsgemäßen optischen Systems einer Inspektionsanlage mit anordenbaren Polarisationselementen 110a, b, c, d zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Prinzips anhand unterschiedlicher Ausführungsformen; und 1 a schematic representation of the optical system according to the invention an inspection system with arrangeable polarization elements 110a , b, c, d for explaining the principle according to the invention by means of different embodiments; and

2 eine schematische Darstellung des erfindungsgemäßen optischen Systems einer Inspektionsanlage zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Prinzips mit exemplarisch nur einem Polarisationselement 210 in einer Pupillenebene; und 2 a schematic representation of the optical system of an inspection system according to the invention for explaining the principle of the invention with only one polarization element by way of example 210 in a pupil plane; and

3 eine schematische Darstellung der Funktionsweise eines erfindungsgemäßen Drahtgitterpolarisators; und 3 a schematic representation of the operation of a Drahtgitterpolarisators invention; and

4 eine schematische Darstellung der Funktionsweise eines erfindungsgemäßes Brewsterpolarisators; und 4 a schematic representation of the operation of a Brewsterpolarisators invention; and

5 eine schematische Darstellung der Abhängigkeit des Reflexionsgrades eines Brewsterpolarisators vom Einfallswinkel; und 5 a schematic representation of the dependence of the reflectance of a Brewsterpolarisators on the angle of incidence; and

6 eine schematische Darstellungen verschiedener Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Drahtgitterpolarisatoren. 6 a schematic representations of various embodiments of the Drahtgitterpolarisatoren invention.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS

1 zeigt schematisch und stark vereinfacht den Aufbau eines optischen Systems einer Inspektionsanlage 150 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Inspektionsanlage 150 besteht aus einer Lichtquelleneinrichtung 100 zur Erzeugung von Licht mit einer ersten Betriebswellenlänge, wobei die Möglichkeit besteht, während einer sehr kurzen Schaltzeit, beispielsweise von 10 ms, zu einer zweiten Betriebswellenlänge zu wechseln. Die kurze Schaltzeit ist notwendig, damit die Inspektionsanlage wirtschaftlich betrieben werden kann und die unproduktiven Zeiten möglichst gering gehalten werden. Da während der Inspektion das strukturierte Element 103 abgerastert wird, d. h. viele Einzelmessungen an verschiedenen Orten auf dem mikrostrukturierten Element durchgeführt werden, ergeben sich viele Schaltzyklen mit sehr vielen Wellenlängenwechseln, wodurch sich eine zu lange Schaltzeit für den Wellenlängenwechsel auf die Produktivität der Anlage negativ auswirkt. Die Polarisation des von der Lichtquelleneinrichtung 100 emittierten Lichtes kann wahlweise linear polarisiert, zirkular polarisiert oder unpolarisiert sein. Zur gezielten polarisationsabhängigen Inspektion des mikrostrukturierten Elementes 103 kann mindestens ein Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, 110b, 110c oder 110d, im Folgenden mit 110a, b, c, d bezeichnet, an den in 1 dargestellten Positionen angeordnet werden. Das mindestens eine Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d kann beispielsweise ein wellenlängenunabhängiger Hanle-Depolarisator, ein wellenlängenunabhängiger Drahtgitterpolarisator oder ein wellenlängenunabhängiger Brewsterpolarisator sein. Erfindungsgemäß kann auch eine Kombination aus einem Hanle-Depolarisator, beispielsweise als Polarisationselement 110a, und einem Drahtgitterpolarisator, beispielsweise als Polarisationselement 110b verwendet werden. Eine weitere nur beispielhaft genannte Kombination kann aus einem Hanle-Depolarisator und einem Brewsterpolarisator, die beispielsweise gemeinsam das Polarisationselement 110a bilden, bestehen. Strahlformende Optiken einer Beleuchtungsvorrichtung sowie Komponenten einer abbildenden Optik sind aus Gründen der Übersichtlichkeit in der 1 nicht dargestellt. Der von der Lichtquelleneinrichtung 100 emittierte Strahl kann durch einen Umlenkspiegel 101 auf eine strahlteilende Optik 102, welche in einer Ausführungsform einen nichtpolarisierenden Strahlteiler umfasst, gelenkt werden. Der auf diese strahlteilende Optik 102 einfallende Strahl S102a wird in die beiden Teilstrahlen S102b und S102d aufgespalten. Der Teilstrahl S102d trifft auf eine Detektionsvorrichtung 104. Mittels dieser Detektionsvorrichtung 104 welche den Teilstrahl S102d detektiert, kann beispielsweise eine Intensitätsnormierung durchgeführt werden, wodurch beispielsweise zeitliche oder auch örtliche Schwankungen der Laserintensität berücksichtigt werden können. Der Teilstrahl S102b wird in Richtung des mikrostrukturierten Elementes 103 abgelenkt. Das auf das mikrostrukturierte Element 103 einfallende Licht des Teilstrahles S102b wird von dem mikrostrukturiertem Element 103 beispielsweise durch Reflektion oder Beugung beeinflusst und dadurch wieder in Richtung des strahlteilenden Elementes 102 abgelenkt. Ein Teil dieses abgelenkten Lichtes tritt durch das strahlteilende Element hindurch und trifft als Teilstrahl S102c auf die Detektionsvorrichtung 104. In einer Ausführungsform ist das von der Lichtquelleneinrichtung 100 emittierte Licht zirkular polarisiert oder unpolarisiert. In diesen Fällen ist das mindestens eine Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d beispielsweise ein Drahtgitterpolarisator oder ein Brewsterpolarisator und erzeugt eine lineare Polarisation. In einer weiteren Ausführungsform emittiert die Lichtquelleneinrichtung 100 linear polarisiertes Licht. In diesem Fall kann es vorteilhaft sein, wenn das zuerst durchstrahlte Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d, insbesondere ein erstes Polarisationselement 110a, ein Hanle-Depolarisator ist. Dieser Hanle-Depolarisator besteht aus mindestens einem doppelbrechendem Keil, welcher eine variierende Polarisationsverteilung über den Strahlquerschnitt in Richtung des Keilverlaufes erzeugt. Diese variierende Polarisationsverteilung führt bei der weiteren Lichtmischung in der Beleuchtungsvorrichtung dazu, dass die verschiedenen Polarisationszustände inkohärent zu unpolarisiertem Licht überlagert werden. Die vorteilhafte Wellenlängenunabhängigkeit des Hanle-Depolarisators 110a resultiert daraus, dass sich die Polarisationsverteilung hinter dem doppelbrechenden Keil des Hanle-Depolarisators zwar mit der Wellenlänge ändert, die Lichtmischung im nachfolgenden Beleuchtungssystem der Inspektionsanlage jedoch wieder zu einer (inkohärenten) Überlagerung der verschiedenen (teilweise orthogonalen) Polarisationszustände zu vollständig unpolarisiertem Licht erfolgt. Dieses mittels des Hanle-Depolarisators 110a unpolarisierte Licht kann dann wiederum durch ein weiteres Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d, insbesondere 110b, c, d, wie beispielsweise einen Drahtgitterpolarisator oder einen Brewsterpolarisator polarisiert werden, wobei diese Polarisationselemente aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d dem Depolarisator im Strahlengang nachfolgend angeordnet sind. Diese Polarisationselemente 110a, b, c oder d können in den Teilstrahlen S102a, S102b, S102c oder S102d angeordnet sein. Eine weitere Ausführungsform umfasst einen Hanle-Depolarisator 110a, der aus zwei gegenläufigen Doppelkeilen besteht. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass beim Einführen dieses Depolarisators in den Strahlengang kein unerwünschter Strahlwinkel eingeführt wird, sondern nur ein sehr geringer Strahlversatz. 1 shows schematically and greatly simplified the structure of an optical system of an inspection system 150 according to an embodiment of the invention. The inspection system 150 consists of a light source device 100 for generating light having a first operating wavelength, wherein it is possible to change to a second operating wavelength during a very short switching time, for example from 10 ms. The short switching time is necessary so that the inspection system can be operated economically and the unproductive times are kept as low as possible. Because during the inspection the structured element 103 is scanned, ie many individual measurements are performed at different locations on the microstructured element, many switching cycles with very many wavelength changes, resulting in a too long switching time for the wavelength change on the productivity of the system has a negative effect. The polarization of the light source device 100 emitted light may optionally be linearly polarized, circularly polarized or unpolarized. For targeted polarization-dependent inspection of the microstructured element 103 can at least one polarization element from the list of polarization elements 110a . 110b . 110c or 110d , below with 110a , b, c, d, to the in 1 arranged positions are arranged. The at least one polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d may be, for example, a wavelength independent Hanle depolarizer, a wavelength independent wireframe polarizer or a wavelength independent Brewster polarizer. According to the invention, a combination of a Hanle depolarizer, for example as a polarization element 110a , and a wireframe polarizer, for example as a polarization element 110b be used. A further example only combination may consist of a Hanle depolarizer and a Brewsterpolarisator, for example, together the polarization element 110a form, exist. Beam-forming optics of a lighting device and components of an imaging optics are in the interests of clarity in the 1 not shown. The of the light source device 100 emitted beam can through a deflecting mirror 101 on a beam splitting optics 102 which in one embodiment comprises a non-polarizing beam splitter. The beam splitting optics 102 incident beam S102a is split into the two sub-beams S102b and S102d. The partial beam S102d encounters a detection device 104 , By means of this detection device 104 which detects the sub-beam S102d, for example, an intensity normalization can be performed, whereby For example, temporal or local fluctuations in the laser intensity can be considered. The partial beam S102b is in the direction of the microstructured element 103 distracted. That on the microstructured element 103 incident light of sub-beam S102b is from the microstructured element 103 for example, influenced by reflection or diffraction and thereby again in the direction of the beam-splitting element 102 distracted. Part of this deflected light passes through the beam-splitting element and impinges on the detection device as partial beam S102c 104 , In one embodiment, this is by the light source device 100 emitted light circularly polarized or unpolarized. In these cases, the at least one polarization element is from the list of polarization elements 110a , b, c, d, for example, a wire grid polarizer or a Brewster polarizer and generates a linear polarization. In a further embodiment, the light source device emits 100 linearly polarized light. In this case, it may be advantageous if the first irradiated polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d, in particular a first polarization element 110a , which is a Hanle depolarizer. This Hanle depolarizer consists of at least one birefringent wedge, which generates a varying polarization distribution over the beam cross section in the direction of the wedge profile. This varying polarization distribution results in the further light mixing in the illumination device that the different polarization states are incoherently superimposed to unpolarized light. The advantageous wavelength independence of the Hanle Depolarizer 110a results from the fact that although the polarization distribution behind the birefringent wedge of the Hanle depolarizer changes with the wavelength, the light mixture in the subsequent illumination system of the inspection system again leads to an (incoherent) superposition of the different (partially orthogonal) polarization states to completely unpolarized light. This by means of the Hanle Depolarizer 110a Unpolarized light can then turn through another polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d, in particular 110b , c, d, such as a wire grid polarizer or a Brewster polarizer are polarized, these polarization elements from the list of polarization elements 110a , b, c, d are arranged downstream of the depolarizer in the beam path. These polarization elements 110a , b, c or d may be arranged in the sub-beams S102a, S102b, S102c or S102d. Another embodiment includes a Hanle depolarizer 110a which consists of two opposing double wedges. This embodiment has the advantage that when introducing this depolarizer in the beam path no unwanted beam angle is introduced, but only a very small beam offset.

Beispielsweise kann im Betrieb der Inspektionsanlage eine erste Messung bei einer ersten Betriebswellenlänge von z. B. 200 nm (mit einem Toleranzband von z. B. ±10 nm) durchgeführt werden, wobei mindestens ein Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d im Strahlengang angeordnet ist. Nach dieser ersten Messung kann nach Umschalten auf eine zweite Betriebswellenlänge von z. B. 600 nm (mit einem Toleranzband von z. B. ±5 nm) eine zweite Messung durchgeführt werden, wobei weiterhin mindestens ein erstes Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d im Strahlengang angeordnet bleibt. Dabei bewirkt das Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d bei beiden verwendeten Betriebswellenlängen dieselbe Polarisationswirkung, d. h. die Polarisationsverteilung ändert sich nicht. Aus beiden Messungen werden dann Informationen, die sich gegenseitig ergänzen, über die Strukturen auf dem mikrostrukturierten Element 103 gewonnen. Analog zu dem zuvor beschriebenen Prinzip unter Verwendung von zwei Betriebswellenlängen ist auch die Verwendung mindestens einer weiteren Betriebswellenlänge während der Inspektion möglich.For example, during operation of the inspection system, a first measurement at a first operating wavelength of z. B. 200 nm (with a tolerance band of, for example, ± 10 nm) are performed, wherein at least one polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d is arranged in the beam path. After this first measurement, after switching to a second operating wavelength of z. B. 600 nm (with a tolerance band of, for example, ± 5 nm), a second measurement can be performed, further comprising at least one first polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d remains arranged in the beam path. The polarization element causes this from the list of polarization elements 110a , b, c, d at both operating wavelengths used the same polarization effect, ie the polarization distribution does not change. From both measurements, information that complements one another is then transmitted through the structures on the microstructured element 103 won. Analogous to the previously described principle using two operating wavelengths, the use of at least one further operating wavelength during the inspection is also possible.

Zusammenfassend zeigt die Ausführungsform ein optisches System zur Inspektion eines mikrostrukturierten Elementes 103 mit einer Lichtquelleneinrichtung 101, mit der von einer ersten Betriebswellenlänge zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge gewechselt werden kann, mit einer Beleuchtungsvorrichtung zur Beleuchtung des mikrostrukturierten Elementes, und mit dem mindestens einen Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d zur Einstellung einer Polarisationsverteilung am mikrostrukturierten Element 103, mit einer Detektionsvorrichtung 104 zur Detektion eines vom mikrostrukturierten Element 103 beeinflussten Lichtes, wobei das mindestens eine Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d während des Wechsels der Betriebswellenlänge unverändert bleibt, und dass das mindestens eine Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d derart ausgestaltet ist, dass die damit eingestellte Polarisationsverteilung nicht durch den Wechsel der Betriebswellenlänge geändert wird.In summary, the embodiment shows an optical system for inspecting a microstructured element 103 with a light source device 101 with which can be changed from a first operating wavelength to at least a second operating wavelength, with a lighting device for illuminating the microstructured element, and with the at least one polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d for adjusting a polarization distribution on the microstructured element 103 , with a detection device 104 for detecting a microstructured element 103 influenced light, wherein the at least one polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d remains unchanged during the change of the operating wavelength, and that the at least one polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d is designed such that the polarization distribution set with it is not changed by the change of the operating wavelength.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Wechselvorrichtung 130 zum Wechseln mindestens eines der Polarisationselemente aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d vorgesehen. Nur beispielhaft ist eine solche Wechselvorrichtung 130 in 1 dargestellt. Dazu kann beispielsweise eine Vorrichtung, welche das Einfahren und das Herausziehen des mindestens einen Polarisationselementes aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d in beziehungsweise aus dem Strahlengang ermöglicht, ein Revolver zum Einschwenken des gewünschten Polarisationselementes oder ein Linearaktuator mit entlang einer Richtung angeordneter Polarisationselemente 110a, b, c, d, die entlang dieser Linearrichtung im Strahlengang verschoben werden können, verwendet werden.According to another embodiment, a changing device 130 for changing at least one of the polarization elements from the list of polarization elements 110a , b, c, d provided. Only by way of example is such a change device 130 in 1 shown. For this purpose, for example, a device which the retraction and extraction of the at least one polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d in or out of the beam path, a revolver for Pivoting in of the desired polarization element or a linear actuator with polarization elements arranged along one direction 110a , b, c, d, which can be displaced along this linear direction in the beam path.

Auf diese Weise kann mindestens ein Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d selektiv im optischen Strahlengang positioniert werden.In this way, at least one polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d are selectively positioned in the optical path.

2 stellt ähnlich zu 1 eine Inspektionsanlage 250 mit einer Lichtquelleneinrichtung 200, einem Umlenkspiegel 201 sowie einem strahlteilendem Element 202 dar. Zur Detektion dient eine Detektionsvorrichtung 204. Im Gegensatz zur 1 ist in 2 exemplarisch nur ein Polarisationselement 210 dargestellt. Eine Beleuchtungsvorrichtung 240 ist lediglich gestrichelt angedeutet. Die Besonderheit ist hier, dass sich das Polarisationselement 210 in einer Pupillenebene 270 der Beleuchtungsvorrichtung 240 befindet. Dies hat den Vorteil, dass – wie nachfolgend beschrieben – eine pupillenabhängige Polarisationseinstellung ermöglicht wird. Damit kann – ähnlich zur Lithographie – eine winkelabhängige Polarisationsverteilung des auf das mikrostrukturierte Element 203 einfallenden Lichtes erzeugt werden. Das mikrostrukturierte Element 203 ist hierbei in einer Feldebene angeordnet. Feld- und Pupillenebene befinden sich in einer Fourier-konjugierten Beziehung zueinander. Damit können zur Untersuchung des mikrostrukturierten Elementes 203 ähnliche Bedingungen wie bei der Belichtung in der Lithographie üblich eingestellt werden. Das ist insbesondere vorteilhaft, wenn das mikrostrukturierte Element 203 beispielsweise eine Maske oder ein Wafer ist, da dann mögliche Defekte an diesen mikrostrukturierten Elementen besonders gut untersucht werden können und besonders gute Vorhersagen auf die Wirkung dieser Defekte in der Lithographie möglich sind. 2 similarly 1 an inspection facility 250 with a light source device 200 , a deflecting mirror 201 and a beam splitting element 202 For detection, a detection device is used 204 , In contrast to 1 is in 2 exemplarily only one polarization element 210 shown. A lighting device 240 is only indicated by dashed lines. The peculiarity here is that the polarization element 210 in a pupil plane 270 the lighting device 240 located. This has the advantage that - as described below - a pupil-dependent polarization adjustment is made possible. This can - similar to lithography - an angle-dependent polarization distribution of the microstructured element 203 incident light are generated. The microstructured element 203 is arranged here in a field level. The field and pupil planes are in a Fourier-conjugate relationship. This allows to study the microstructured element 203 conditions similar to those used in lithography are set. This is particularly advantageous when the microstructured element 203 For example, a mask or a wafer, since then possible defects on these microstructured elements can be particularly well studied and particularly good predictions on the effect of these defects in lithography are possible.

Eine weitere vorteilhafte Ausführung stellt ein optisches System mit einem Polarisationselement 110a im Strahlengang S102a, welches ein Hanle-Depolarisator zur Depolarisation ist, dadurch erweitert, dass ein zusätzliches Polarisationselement 210 im Strahlengang S202b in einer Pupillenebene 270 zur pupillenabhängigen Polarisationseinstellung angeordnet ist, dar.A further advantageous embodiment provides an optical system with a polarization element 110a in the beam path S102a, which is a Hanle depolarizer for depolarization, thereby expanding that an additional polarization element 210 in the beam path S202b in a pupil plane 270 is arranged for pupil-dependent polarization adjustment, is.

Die Güte der mit den Polarisationselementen 110a, b, c, d, 210 eingestellten Polarisationsverteilung wird mit einem Polarisationsparameter IPS (Intensity in Preferred State) beschrieben. Dieser Polarisationsparameter IPS ist gegeben durch den Quotienten der Intensität des Lichtes mit dem einzustellenden, gewünschten Polarisationszustand zu der Gesamtintensität des entsprechenden Strahles. Dieser Parameter ist aus der Lithographie bekannt und eignet sich zur Beschreibung der Qualität des Polarisationszustandes. Bei einer Inspektionsanlage, welche einen Betrieb mit mindestens zwei Betriebswellenlängen ermöglicht, sind sowohl die Änderung des Polarisationsparameters IPS1 bei einer ersten Wellenlänge zu einem Polarisationsparameter IPS2 bei einer zweiten Betriebswellenlänge als auch deren absolute Werte IPS1 und IPS2 relevant. Die Änderung der Polarisationsverteilung kann durch die Kontrastbeschreibung

Figure DE102013207502A1_0003
quantifiziert werden. Diese Änderung der Polarisationsverteilung
Figure DE102013207502A1_0004
sollte weniger als 5% insbesondere weniger als 2% und insbesondere weniger als 0.1% betragen, um zu verhindern, dass sich die Änderung negativ auf die Messgenauigkeit auswirkt.The quality of the polarization elements 110a , b, c, d, 210 set polarization distribution is described with a polarization parameter IPS (Intensity in Preferred State). This polarization parameter IPS is given by the quotient of the intensity of the light with the desired, desired polarization state to be set to the total intensity of the corresponding beam. This parameter is known from lithography and is suitable for describing the quality of the polarization state. In an inspection system which allows operation with at least two operating wavelengths, both the change of the polarization parameter IPS 1 at a first wavelength to a polarization parameter IPS 2 at a second operating wavelength as well as their absolute values IPS 1 and IPS 2 are relevant. The change in the polarization distribution can be explained by the contrast description
Figure DE102013207502A1_0003
be quantified. This change in the polarization distribution
Figure DE102013207502A1_0004
should be less than 5%, in particular less than 2%, and in particular less than 0.1%, in order to prevent the change from having a negative effect on the measurement accuracy.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Wechselvorrichtung wie bereits vorab beschrieben zum Wechseln des Polarisationselementes 210 vorgesehen.According to a further embodiment, a changing device as already described above for changing the polarization element 210 intended.

Die strahlteilende Optik 102, 202 kann aus einem Strahlteilerwürfel wie in 1 und 2 angedeutet oder aus einem halbdurchlässigem Spiegel bestehen.The beam splitting optics 102 . 202 can be from a beam splitter cube as in 1 and 2 indicated or consist of a semi-transparent mirror.

In einer Ausführungsform ist mindestens eines der Polarisationselemente 110a, b, c, d, 210 ein Drahtgitterpolarisator 310, wie in 3 schematisch dargestellt. Dieser Drahtgitterpolarisator 310 besteht aus einem transparenten Substrat, auf dem elektrisch leitende Bereiche (beispielsweise aus einem leitenden Material wie Cu, Au, etc.), insbesondere Drähte, in Form einer periodischen Gitterstruktur aufgebracht sind. Das Substrat kann nur beispielhaft eine Dicke d von wenigen mm aufweisen. Eine solch dünne Ausgestaltung der Polarisationselemente 110a, b, c, d, 210 hat den Vorteil gegenüber der Verwendung von aus dem Stand der Technik bekannten Manipulatoren wie beispielsweise Pockelszellen oder gegeneinander verschiebbaren optisch aktiven Doppelkeilen zur Erzielung einer wellenlängenunabhängigen Polarisationseinstellung, dass die Polarisationselemente 110a, b, c, d, 210 aufgrund dieser geringen Dicke auch in sehr begrenztem Bauraum, insbesondere im Bereich der Pupillenebene 270 zwischen den Optiken der Beleuchtungsvorrichtung 240, angeordnet werden können.In one embodiment, at least one of the polarization elements 110a , b, c, d, 210 a wireframe polarizer 310 , as in 3 shown schematically. This wireframe polarizer 310 consists of a transparent substrate on which electrically conductive regions (for example of a conductive material such as Cu, Au, etc.), in particular wires, are applied in the form of a periodic lattice structure. By way of example only, the substrate may have a thickness d of a few mm. Such a thin design of the polarization elements 110a , b, c, d, 210 has the advantage over the use of known from the prior art manipulators such as Pockels cells or mutually displaceable optically active double wedges to achieve a wavelength-independent polarization setting that the polarization elements 110a , b, c, d, 210 due to this small thickness in a very limited space, especially in the pupil plane 270 between the optics of the lighting device 240 , can be arranged.

Die in der 3 dargestellten Drähte weisen eine Dicke d auf, die kleiner als die Betriebswellenlängen, welche in 3 beispielsweise mit λ1 und λ2 bezeichnet sind, ist. Die Dicke d der Drähte kann z. B. in der Größenordnung von 20 nm bis 200 nm liegen. Unter dieser Bedingung wirkt der Drahtgitterpolarisator 310 für alle Betriebswellenlängen als Polarisator. Die Güte des Polarisators wird weiterhin durch den Abstand der leitenden Drähte bestimmt. Sind die Drähte eng angeordnet, ist die Güte des Polarisators sehr hoch. Die Transmission dagegen sinkt mit steigender Dichte der Drähte. Aufgrund dieser gegenläufigen Abhängigkeiten ist bei der speziellen Auslegung ein geeigneter Kompromiss zwischen Transmission und Polarisationseigenschaft zu wählen.The in the 3 shown wires have a thickness d, which is smaller than that Operating wavelengths which are in 3 are denoted by λ 1 and λ 2 , for example. The thickness d of the wires may, for. B. in the order of 20 nm to 200 nm. Under this condition, the wireframe polarizer acts 310 for all operating wavelengths as a polarizer. The quality of the polarizer is further determined by the distance of the conductive wires. If the wires are tight, the quality of the polarizer is very high. In contrast, the transmission decreases with increasing density of the wires. Because of these contradictory dependencies, a suitable compromise between transmission and polarization property must be chosen for the special design.

Die Strahlausbreitungsrichtung liegt hier beispielhaft parallel zur z-Achse und die Drahtgitterstruktur ist nur beispielhaft parallel zur y-Achse dargestellt. Trifft nun Licht auf den Drahtgitterpolarisator 310, so wird der Anteil des Lichts mit einer Polarisationsrichtung parallel zur Drahtrichtung (beispielsweise wie in 3 gezeigt parallel zu y) stark abgeschwächt, da dieser Anteil die Elektronen in den Drähten zu Schwingungen entlang der Drahtrichtung anregt. In diesem Fall führen zwei Mechanismen zur Abschwächung der Intensität des transmittieren Lichtes. Zum einen wird durch dissipative Prozesse (wie beispielsweise Stöße der Elektronen untereinander sowie mit Atomen des Materiales) Energie der schwingenden Elektronen absorbiert, wodurch sich das Drahtgitter erwärmen kann, weshalb es vorteilhaft ist, dass eine Ausführungsform eine Vorrichtung zum Abtransport dieser Wärme umfasst. Zum anderen wirken diese Drahtelemente wie ein Herzscher Dipol, der in alle Raumrichtungen isotrop abstrahlt. Somit ist die Transmission bei parallel zur Drahtrichtung orientierter Polarisationsrichtung stark reduziert. Der Anteil des Lichts, welcher eine Polarisation senkrecht zu den Drahtelementen besitzt (wie in 3 parallel zu x), kann aufgrund der geringen Dicke d der Drahtelemente (d < Betriebswellenlängen) keine Elektronen zu Schwingungen anregen, und es kann somit keine Energie absorbiert werden. Daher ist das durch den Drahtgitterpolarisator transmittierte Licht senkrecht zu den Drahtelementen polarisiert. Im Allgemeinen liegen die Drähte in der x-y-Ebene und somit senkrecht zur Strahlausbreitungsrichtung z.The beam propagation direction is here, for example, parallel to the z-axis and the wire grid structure is shown only as an example parallel to the y-axis. Now light hits the wireframe polarizer 310 , the proportion of the light having a polarization direction becomes parallel to the wire direction (for example, as in FIG 3 shown parallel to y), since this component excites the electrons in the wires to vibrate along the wire direction. In this case, two mechanisms lead to the attenuation of the intensity of the transmitted light. On the one hand, dissipative processes (such as collisions of the electrons with one another and with atoms of the material) absorb energy of the vibrating electrons, which can heat the wireframe, for which reason it is advantageous that one embodiment comprises a device for removing this heat. On the other hand, these wire elements act like a Herzscher dipole, which radiates isotropically in all spatial directions. Thus, the transmission is greatly reduced in parallel to the wire direction oriented polarization direction. The proportion of light having a polarization perpendicular to the wire elements (as in FIG 3 parallel to x), due to the small thickness d of the wire elements (d <operating wavelengths) can not stimulate electrons to vibrate, and thus no energy can be absorbed. Therefore, the light transmitted through the wire grid polarizer is polarized perpendicular to the wire elements. In general, the wires lie in the xy plane and thus perpendicular to the beam propagation direction z.

Die Herstellung des Drahtgitterpolarisators kann lithographisch erfolgen. Dabei sind vielseitige Anordnungen der Drahtelemente zur Erzeugung von Polarisationsverteilungen denkbar. Im Zusammenhang mit 6 werden einige besonders vorteilhafte Anordnungen gezeigt.The production of the Drahtgitterpolarisators can be done lithographically. In this case, versatile arrangements of the wire elements for generating polarization distributions are conceivable. In connection with 6 some particularly advantageous arrangements are shown.

In einer weiteren Ausführungsform ist mindestens ein Polarisationselement aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d oder 210 ein in 4 schematisch dargestellter Brewsterpolarisator 410. Dieser Brewsterpolarisator 410 weist unterschiedliche Reflexionskoeffizienten abhängig von der Polarisation des einfallenden Lichtes auf. Diese Reflexionskoeffizienten können mittels der Fresnelschen Formeln berechnet werden. Dabei sind neben dem Einfallswinkel α und der Polarisation auch die wellenlängenabhängigen Brechungsindizes n(λ) relevant. Bei vielen Materialien variiert der Brechungsindex in dem relevanten Wellenlängenbereich von 150 nm bis 600 nm jedoch nur geringfügig. Daher variiert ebenfalls der in der Zeichnung dargestellte Brewsterwinkel αB,1 bei einer ersten Betriebswellenlänge beziehungsweise αB,2 bei einer zweiten Betriebswellenlänge nur geringfügig. Beispielsweise beträgt der Brechungsindex von kristallinem Quarz bei 800 nm n = 1.54, wodurch sich ein Brewsterwinkel von 57° ergibt, bei 400 nm n = 1.56, wodurch sich ein Brewsterwinkel von 57° ergibt, und bei 200 nm n = 1.65, wodurch sich ein Brewsterwinkel von 59° ergibt. Aus diesem Grund wirkt der Brewsterpolarisator 410 für die hier verwendeten Wellenlängenbereiche aufgrund der ähnlichen Brewsterwinkel für verschiedene Wellenlängen gleich. Fällt das Licht unter dem Brewsterwinkel ein, so wird nur die Komponente, die s-polarisiert ist, reflektiert. Hierbei bedeutet s-polarisiert, dass die Polarisationsrichtung senkrecht zur Einfallsebene orientiert ist. Die p-polarisierte Komponente, die parallel zur Einfallsebene polarisiert ist, dringt dagegen in den Brewsterpolarisator 410 ein und kann entweder durch den Brewsterpolarisator 410 hindurchlaufen oder in diesem absorbiert werden.In a further embodiment, at least one polarization element is from the list of polarization elements 110a , b, c, d or 210 a in 4 schematically illustrated Brewster polarizer 410 , This Brewster polarizer 410 has different reflection coefficients depending on the polarization of the incident light. These reflection coefficients can be calculated by means of Fresnel's formulas. In addition to the angle of incidence α and the polarization, the wavelength-dependent refractive indices n (λ) are also relevant here. For many materials, however, the refractive index varies only slightly in the relevant wavelength range from 150 nm to 600 nm. Therefore, the Brewster angle α B shown in the drawing, 1 is also varied at a first operating wavelength or α at a second operating wavelength B, 2 only slightly. For example, the refractive index of crystalline quartz at 800 nm is n = 1.54, giving a Brewster angle of 57 °, at 400 nm n = 1.56, giving a Brewster angle of 57 °, and at 200 nm n = 1.65, resulting in a Brewster angle of 59 ° results. For this reason, the Brewster polarizer acts 410 for the wavelength ranges used here, because of the similar Brewster angles for different wavelengths. If the light falls below the Brewster angle, only the component that is s-polarized is reflected. Here, s-polarized means that the polarization direction is oriented perpendicular to the plane of incidence. In contrast, the p-polarized component, which is polarized parallel to the plane of incidence, penetrates into the Brewster polarizer 410 and can either by the Brewster polarizer 410 pass through or be absorbed in this.

Der Brewsterpolarisator 410 kann beispielsweise aus einem Substrat (beispielsweise Quarzglas oder kristallines Quarz) bestehen, welches optional eine spezielle polarisierende Beschichtung aufweisen kann. Insbesondere kann durch eine geeignete breitbandige, beispielsweise dielektrische, Beschichtung die Wellenlängenabhängigkeit des Brewsterpolarisators 410 weiter reduziert werden.The Brewster polarizer 410 may for example consist of a substrate (for example, quartz glass or crystalline quartz), which may optionally have a special polarizing coating. In particular, by a suitable broadband, such as dielectric, coating, the wavelength dependence of the Brewsterpolarisators 410 be further reduced.

Die Abhängigkeit des Reflexionsgrades, welcher auf der Ordinatenachse dargestellt ist, vom Einfallswinkel in Grad, welcher auf der Abszissenachse dargestellt ist, für s- und p polarisiertes Licht ist in 5 dargestellt. Der Abhängigkeit des Reflexionsgrades für s-polarisiertes Licht 514 ist gepunktet, die Abhängigkeit des Reflexionsgrades für p-polarisiertes Licht 516 gestrichelt dargestellt. Exemplarisch wurde hier eine Berechnung des Reflexionsgrades mit Hilfe der Fresnelschen Formeln für einen Übergang zwischen Luft und Quarzglas mit einem Brechungsindex von n = 1,56 (bei einer exemplarischen Betriebswellenlänge von 193 nm) berechnet. 5 zeigt deutlich, dass der Brewsterpolarisator 410 für einen weiten Einfallswinkelbereich von 45° bis über 60° polarisierend wirkt, wobei der Brewsterwinkel 512 und die damit beste Polarisationswirkung in diesem Beispiel bei etwa 57° vorliegt. Als Materialien für den Brewsterpolarisator 410 können sich beispielsweise Quarzglas, kristallines Quarz oder Kalziumfluorit eignen. Aufgrund der nur geringen Variation des Brechungsindex mit der Betriebswellenlänge, kann der Brewsterpolarisator 410 entsprechend für einen weiten Wellenlängen und Winkelbereich eingesetzt werden.The dependence of the reflectance, shown on the ordinate axis, on the angle of incidence in degrees, which is shown on the abscissa axis, for s and p polarized light is in 5 shown. The dependence of the reflectance on s-polarized light 514 is dotted, the dependence of the reflectance for p-polarized light 516 shown in dashed lines. By way of example, a calculation of the reflectance using the Fresnel formulas for a transition between air and quartz glass with a refractive index of n = 1.56 (for an exemplary operating wavelength of 193 nm) was calculated here. 5 clearly shows that the Brewster polarizer 410 for a wide angle of incidence range from 45 ° to over 60 ° polarizing acts, the Brewster angle 512 and thus the best polarization effect in this example is about 57 °. As materials for the Brewsterpolarisator 410 For example, quartz glass, crystalline quartz or calcium fluorite can be used suitable. Due to the small variation of the refractive index with the operating wavelength, the Brewster polarizer 410 be used accordingly for a wide wavelengths and angles.

6 zeigt zwei mögliche Ausführungsbeispiele eines Drahtgitterpolarisators 610, die analog der Ausführungsform gemäß 2 in einer Pupillenebene 270 angeordnet sind. In der 6a ist ein Drahtgitterpolarisator 610 dargestellt, bei dem die leitenden Drähte 670 radialsymmetrisch angeordnet sind. Trifft unpolarisiertes Licht auf diesen pupillenabhängigen Drahtgitterpolarisator 610, so ist die Polarisation vektoriell in Beiträge parallel zur Drahtrichtung und in einem Beitrag senkrecht zur Drahtrichtung zu zerlegen. Der Anteil des Lichts mit einer Polarisationsrichtung parallel zur Drahtrichtung wird dabei nach dem oben beschriebenen Prinzip stark abgeschwächt. Folglich ist bei einem solchen Drahtgitterpolarisator 610 mit radial ausgerichteten Drähten die Polarisation des transmittierten Lichtes transversal elektrisch. 6b stellt dagegen ein Drahtgitterpolarisator 710 dar, bei dem die Drähte 770 rotationssymmetrisch und damit ringförmig angeordnet sind. Analog zur Beschreibung von 6a ergibt sich hier eine radialelektrische Polarisation des transmittierten Lichtes. 6 shows two possible embodiments of a Drahtgitterpolarisators 610 , analogous to the embodiment according to 2 in a pupil plane 270 are arranged. In the 6a is a wireframe polarizer 610 shown in which the conductive wires 670 are arranged radially symmetrically. Says unpolarized light on this pupil-dependent Drahtgitterpolarisator 610 , the polarization vectorially is to be divided into contributions parallel to the wire direction and in a contribution perpendicular to the wire direction. The proportion of light with a polarization direction parallel to the wire direction is greatly attenuated according to the principle described above. Consequently, in such a wireframe polarizer 610 with radially aligned wires the polarization of the transmitted light transversely electrically. 6b on the other hand puts a wireframe polarizer 710 in which the wires 770 are rotationally symmetrical and thus arranged annularly. Analogous to the description of 6a This results in a radial electrical polarization of the transmitted light.

Damit sind in 6 zwei Polarisationselemente 610, 710 gezeigt, die zueinander orthogonale Polarisationsverteilungen erzeugen. Analog zu den dargestellten zueinander orthogonalen tangentialen und radialen Polarisationsverteilung sind auch zwei Polarisationselemente denkbar, die beispielsweise eine x- und eine y-polarisierte Polarisationsverteilung erzeugen, wobei diese beiden Polarisationselemente beispielsweise zwei Drahtgitterpolarisatoren mit entsprechend in y- und in x-Richtung verlaufende Drähte aufweisen. Dabei bezeichnen die x- und die y-Richtung zwei zueinander orthogonale Polarisationsrichtungen, welche insbesondere bezogen auf die Strukturrichtungen des mikrostrukturierten Elementes 103 parallel oder senkrecht zu dieser Strukturrichtung sein können. Besonders vorteilhaft kann es sein, diese Polarisationselemente 110a, b, c, d, 210, 610, 710 mittels einer Wechselvorrichtung zum Wechsel der Polarisationsverteilung auszuführen, da bei einer Untersuchung des mikrostrukturierten Elements mit zwei unterschiedlichen, bevorzugt orthogonalen Polarisationsrichtungen zusätzliche Informationen gewonnen werden können.This is in 6 two polarization elements 610 . 710 shown producing mutually orthogonal polarization distributions. Analogous to the illustrated mutually orthogonal tangential and radial polarization distribution and two polarization elements are conceivable, for example, produce an x- and a y-polarized polarization distribution, these two polarization elements, for example, two Drahtgitterpolarisatoren with correspondingly extending in the y- and x-direction wires. In this case, the x- and y-direction denote two mutually orthogonal polarization directions, which in particular relate to the structural directions of the microstructured element 103 may be parallel or perpendicular to this structure direction. It may be particularly advantageous, these polarization elements 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 be carried out by means of a changing device for changing the polarization distribution, since in an investigation of the microstructured element with two different, preferably orthogonal polarization directions additional information can be obtained.

Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Verwendung von Drahtgitterpolarisatoren 310 oder Brewsterpolarisatoren 410 als Ausführungsbeispiele eines Polarisationselementes aus der Liste der Polarisationselemente 110a, b, c, d, 210 beschränkt, so dass grundsätzlich auch andere Polarisationselemente, welche sich für eine wellenlängenunabhängige Polarisationseinstellung eignen, verwendet werden können.However, the invention is not limited to the use of wireframe polarizers 310 or Brewster polarizers 410 as embodiments of a polarization element from the list of polarization elements 110a , b, c, d, 210 limited, so that in principle also other polarization elements, which are suitable for a wavelength-independent polarization adjustment can be used.

Mit der vorhergehend beschriebenen Inspektionsanlage kann ein Verfahren zur Inspektion mikrostrukturierter Elemente 103, 203 durchgeführt werden. Dieses Verfahren umfasst das Bereitstellen des zu untersuchenden mikrostrukturierten Elements 103, 203, welches eine Mikrostrukturierung aufweist, das Bereitstellen eines vorhergehend beschriebenen optischen Systems, sowie die Untersuchung der Mikrostrukturierung mit Hilfe des optischen Systems.With the inspection facility described above, a method for inspecting microstructured elements 103 . 203 be performed. This method comprises providing the microstructured element to be examined 103 . 203 which has a microstructuring, the provision of a previously described optical system, as well as the investigation of the microstructuring by means of the optical system.

Ferner kann das Verfahren zur Inspektion mikrostrukturierter Elemente (103, 203) folgende Schritte umfassen:

  • – Untersuchung des mikrostrukturierten Elements (103, 203) mit einer ersten Betriebswellenlänge, wobei mindestens ein Polarisationselement (110a, b, c, d, 210, 610, 710) zur Polarisationseinstellung im Strahlengang angeordnet ist,
  • – Wechsel der Betriebswellenlänge zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge,
  • – Untersuchung des mikrostrukturierten Elements (103, 203) mit der zweiten Betriebswellenlänge, wobei das mindestens eine Polarisationselement (110a, b, c, d, 210, 610, 710) zur Polarisationseinstellung unverändert im Strahlengang angeordnet bleibt und die eingestellte Polarisationsverteilung nicht durch den Wechsel der Betriebswellenlänge geändert wird.
Furthermore, the method for inspecting microstructured elements ( 103 . 203 ) include the following steps:
  • - examination of the microstructured element ( 103 . 203 ) having a first operating wavelength, wherein at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) is arranged for polarization adjustment in the beam path,
  • Change of the operating wavelength to at least a second operating wavelength,
  • - examination of the microstructured element ( 103 . 203 ) with the second operating wavelength, wherein the at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) remains set unchanged in the beam path for polarization adjustment and the set polarization distribution is not changed by the change of the operating wavelength.

Die Untersuchung des mikrostrukturierten Elements (103, 203) kann scannend erfolgen.Examination of the microstructured element ( 103 . 203 ) can be done by scanning.

In einer Ausführungsform des Verfahrens führt der Wechsel von der ersten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS1, wobei der Parameter IPS den Quotienten der Intensität des Lichtes mit dem einzustellenden Polarisationszustand und der Gesamtintensität darstellt, zu der zweiten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS2 zu einer Änderung der Polarisationsverteilung

Figure DE102013207502A1_0005
welche < 5%, insbesondere < 2% und insbesondere < 0.1% beträgt.In one embodiment of the process of switching from the first operating wavelength with a polarization parameters IPS 1 leads, wherein the parameter IPS the quotient of the intensity of the light with the adjusted polarization state and the total intensity is, to the second operating wavelength with a polarization parameters IPS 2 to a change in the polarization distribution
Figure DE102013207502A1_0005
which is <5%, in particular <2% and in particular <0.1%.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100, 200100, 200
LichtquelleneinrichtungLight source means
101, 201101, 201
Umlenkspiegeldeflecting
102, 202102, 202
strahlteilende Optikbeam splitting optics
103, 203103, 203
mikrostrukturiertes Elementmicrostructured element
104, 204 104, 204
Detektionsvorrichtungdetection device
110a, b, c, d, 210110a, b, c, d, 210
Polarisationselementepolarization elements
130130
Wechselvorrichtungchanging device
140, 240140, 240
Beleuchtungsvorrichtunglighting device
150, 250150, 250
Inspektionsanlageinspection system
S102a, b, c, d, S202bS102a, b, c, d, S202b
Teilstrahlenpartial beams
270270
Pupillenebenepupil plane
310310
Drahtgitterpolarisatorwire grid
410410
BrewsterpolarisatorBrewsterpolarisator
512512
BrewsterwinkelBrewster angle
514514
s-polarisierter Reflexionsgrads-polarized reflectance
516516
p-polarisierter Reflexionsgradp-polarized reflectance
610, 710610, 710
Drahtgitterpolarisator (Pupillenebene)Wireframe polarizer (pupil plane)
670, 770670, 770
DrahtgitterstrukturWire mesh structure
680, 780680, 780
Polarisationsrichtungpolarization direction

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102012200373 A1 [0004] DE 102012200373 A1 [0004]
  • EP 158289481 [0005] EP 158289481 [0005]
  • DE 102012206151 [0006] DE 102012206151 [0006]
  • DE 102006031807 A1 [0019] DE 102006031807 A1 [0019]
  • DE 102009055184 B4 [0025] DE 102009055184 B4 [0025]
  • DE 102011003035 A1 [0025] DE 102011003035 A1 [0025]
  • DE 102010029339 A1 [0025] DE 102010029339 A1 [0025]

Claims (18)

Optisches System zur Inspektion eines mikrostrukturierten Elementes (103, 203) – mit einer Lichtquelleneinrichtung (101, 201), mit der von einer ersten Betriebswellenlänge zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge gewechselt werden kann, – mit einer Beleuchtungsvorrichtung (140, 240) zur Beleuchtung des mikrostrukturierten Elementes (103, 203), – und mit mindestens einem Polarisationselement (110a, b, c, d, 210, 610, 710) zur Einstellung einer Polarisationsverteilung am mikrostrukturierten Element (103, 203), – mit einer Detektionsvorrichtung (104, 204) zur Detektion eines vom mikrostrukturierten Element (103, 203) beeinflussten Lichtes, dadurch gekennzeichnet, dass – mindestens ein Polarisationselement (110a, b, c, d, 210, 610, 710) während des Wechsels der Betriebswellenlänge unverändert bleibt, und dass dieses Polarisationselement (110a, b, c, d, 210, 610, 710) derart ausgestaltet ist, dass die damit eingestellte Polarisationsverteilung nicht durch den Wechsel der Betriebswellenlänge geändert wird.Optical system for inspecting a microstructured element ( 103 . 203 ) - with a light source device ( 101 . 201 ), with which it is possible to change from a first operating wavelength to at least a second operating wavelength, with a lighting device ( 140 . 240 ) for illuminating the microstructured element ( 103 . 203 ), - and with at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) for adjusting a polarization distribution on the microstructured element ( 103 . 203 ), - with a detection device ( 104 . 204 ) for detecting a microstructured element ( 103 . 203 ) influenced light, characterized in that - at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) remains unchanged during the change of the operating wavelength, and that this polarization element ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) is configured such that the polarization distribution thus set is not changed by the change of the operating wavelength. Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das ein Polarisationselement (110a, b, c, d, 210) einen Drahtgitterpolarisator (310, 610, 710) umfasst.Optical system according to claim 1, characterized in that the one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 ) a wireframe polarizer ( 310 . 610 . 710 ). Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Polarisationselement (110a, b, c, d, 210) einen Brewsterpolarisator (410) umfasst.Optical system according to claim 1, characterized in that at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 ) a Brewster polarizer ( 410 ). Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Polarisationselement (210) in einer Pupillenebene (270) der Beleuchtungsvorrichtung (140, 240) zur Beleuchtung des mikrostrukturierten Elementes (103, 203) angeordnet ist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that at least one polarization element ( 210 ) in a pupil plane ( 270 ) of the lighting device ( 140 . 240 ) for illuminating the microstructured element ( 103 . 203 ) is arranged. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Wechsel von einer ersten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS1, wobei der Parameter IPS den Quotienten der Intensität des Lichtes mit dem einzustellenden Polarisationszustand und der Gesamtintensität darstellt, zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS2 – die Änderung der Polarisationsverteilung
Figure DE102013207502A1_0006
beträgt.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that with a change of a first operating wavelength with a polarization parameters IPS 1, wherein the parameter IPS represents the quotient of the intensity of the light with the adjusted polarization state and the total intensity of at least a second operating wavelength with a polarization parameter IPS 2 - the change of the polarization distribution
Figure DE102013207502A1_0006
is. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System eine strahlteilende Optik (102, 202) aufweist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the optical system has a beam splitting optical system ( 102 . 202 ) having. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Polarisationsverteilung in einer Pupillenebene (270) rotationssymmetrisch, insbesondere tangential- oder radial-elektrisch, ist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the polarization distribution in a pupil plane ( 270 ) is rotationally symmetrical, in particular tangential or radial-electrical. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelleneinrichtung (100, 200) zirkular polarisiertes oder unpolarisiertes Licht emittiert.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the light source device ( 100 . 200 ) emits circularly polarized or unpolarized light. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelleneinrichtung (100, 200) bei mindestens einer Betriebswellenlänge linear polarisiertes Licht emittiert und mindestens ein Polarisationselement (110a, b, c, d, 210) einen Hanle-Depolarisator zur wellenlängenunabhängigen Depolarisation umfasst.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the light source device ( 100 . 200 ) emitted linearly polarized light at at least one operating wavelength and at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 ) comprises a Hanle depolarizer for wavelength-independent depolarization. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltzeit beim Wechsel der Betriebswellenlänge ≤ 10 ms ist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the switching time when changing the operating wavelength is ≤ 10 ms. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Betriebswellenlängen im Bereich von 150 nm bis 800 nm liegen.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the at least two operating wavelengths are in the range of 150 nm to 800 nm. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System eine Wechselvorrichtung (130) zum Wechsel von mindestens einem der der Polarisationselemente (110a, b, c, d, 210, 610, 710) aufweist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the optical system comprises a changing device ( 130 ) for changing at least one of the polarization elements ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) having. Optisches System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Wechselvorrichtung (130) derart ausgestaltet ist, dass mindestens zwei Polarisationselemente (110a, b, c, d, 210, 610, 710) wechselbar sind, die zueinander orthogonale Polarisationsverteilungen erzeugen.Optical system according to claim 13, characterized in that the changing device ( 130 ) is configured such that at least two polarization elements ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ), which generate mutually orthogonal polarization distributions. Optisches System nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die zueinander orthogonalen Polarisationsverteilungen x-polarisiert und y-polarisiert sind.An optical system according to claim 14, characterized in that the mutually orthogonal polarization distributions are x-polarized and y-polarized. Optisches System nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die zueinander orthogonalen Polarisationsverteilungen tangential und radial polarisiert sind.Optical system according to claim 14, characterized in that the mutually orthogonal polarization distributions are tangentially and radially polarized. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System eine Masken- oder Waferinspektionsanlage und das zu untersuchende mikrostrukturierte Element (103, 203) entsprechend eine Maske oder ein Wafer ist. Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the optical system comprises a mask or wafer inspection system and the microstructured element ( 103 . 203 ) is a mask or a wafer accordingly. Verfahren zur Inspektion mikrostrukturierter Elemente (103, 203) mit folgenden Schritten: – Untersuchung des mikrostrukturierten Elements (103, 203) mit einer ersten Betriebswellenlänge, wobei mindestens ein Polarisationselement (110a, b, c, d, 210, 610, 710) zur Polarisationseinstellung im Strahlengang angeordnet ist, – Wechsel der Betriebswellenlänge zu mindestens einer zweiten Betriebswellenlänge, – Untersuchung des mikrostrukturierten Elements (103, 203) mit der zweiten Betriebswellenlänge, wobei das mindestens eine Polarisationselement (110a, b, c, d, 210, 610, 710) zur Polarisationseinstellung unverändert im Strahlengang angeordnet bleibt und die eingestellte Polarisationsverteilung nicht durch den Wechsel der Betriebswellenlänge geändert wird.Method of inspecting microstructured elements ( 103 . 203 ) comprising the following steps: - examination of the microstructured element ( 103 . 203 ) having a first operating wavelength, wherein at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) for polarization adjustment in the beam path, - change of the operating wavelength to at least a second operating wavelength, - examination of the microstructured element ( 103 . 203 ) with the second operating wavelength, wherein the at least one polarization element ( 110a , b, c, d, 210 . 610 . 710 ) remains set unchanged in the beam path for polarization adjustment and the set polarization distribution is not changed by the change of the operating wavelength. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Wechsel von der ersten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS1, wobei der Parameter IPS den Quotienten der Intensität des Lichtes mit dem einzustellenden Polarisationszustand und der Gesamtintensität darstellt, zu der zweiten Betriebswellenlänge mit einem Polarisationsparameter IPS2 die Änderung der Polarisationsverteilung
Figure DE102013207502A1_0007
beträgt.A method according to claim 16, characterized in that when changing from the first operating wavelength with a polarization parameter IPS 1 , the parameter IPS representing the quotient of the intensity of the light with the polarization state to be set and the total intensity, to the second operating wavelength with a polarization parameter IPS 2 the change of the polarization distribution
Figure DE102013207502A1_0007
is.
DE102013207502.2A 2013-04-25 2013-04-25 Optical system for wafer and mask inspection plant, has polarizing elements which are designed such that polarization distribution set to micro-structured element is not changed by changing operating wavelength Withdrawn DE102013207502A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013207502.2A DE102013207502A1 (en) 2013-04-25 2013-04-25 Optical system for wafer and mask inspection plant, has polarizing elements which are designed such that polarization distribution set to micro-structured element is not changed by changing operating wavelength

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013207502.2A DE102013207502A1 (en) 2013-04-25 2013-04-25 Optical system for wafer and mask inspection plant, has polarizing elements which are designed such that polarization distribution set to micro-structured element is not changed by changing operating wavelength

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013207502A1 true DE102013207502A1 (en) 2014-05-15

Family

ID=50556001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013207502.2A Withdrawn DE102013207502A1 (en) 2013-04-25 2013-04-25 Optical system for wafer and mask inspection plant, has polarizing elements which are designed such that polarization distribution set to micro-structured element is not changed by changing operating wavelength

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102013207502A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085211A (en) * 2014-10-24 2016-05-19 信越化学工業株式会社 Defect dimension evaluation method of photomask blank, selection method thereof and manufacturing method thereof

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19649856A1 (en) * 1996-12-02 1998-06-04 Gsaenger Optoelektronik Gmbh Large area light polarising sheet
EP1582894A1 (en) 2004-03-31 2005-10-05 ASML Holding N.V. Patterned grid element polarizer
DE102006031807A1 (en) 2005-07-12 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Lighting device for microlithographic projection exposure system, has depolarizing system to effect polarization direction variation such that light mixer produces light without preferred direction, and including plates of crystal material
DE102011003035A1 (en) 2010-02-08 2011-08-11 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Polarization-influencing optical arrangement, as well as optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE202011102876U1 (en) * 2011-04-07 2011-10-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metallstreifenpolarisator
DE102009055184B4 (en) 2009-12-22 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular a microlithographic projection exposure apparatus
DE102010029339A1 (en) 2010-05-27 2011-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102012200373A1 (en) 2012-01-12 2013-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for wafer inspection system, has polarization manipulator enabling variation of polarization state of partial beam independent of another partial beam, and beam-deflecting element provided in optical path of partial beams
DE102012206151A1 (en) 2012-04-16 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for microlithographic projection exposure system utilized for manufacturing e.g. LCD, has screen polarizer converting linear polarization distribution with polarization direction of bundle into mixed polarization distribution

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19649856A1 (en) * 1996-12-02 1998-06-04 Gsaenger Optoelektronik Gmbh Large area light polarising sheet
EP1582894A1 (en) 2004-03-31 2005-10-05 ASML Holding N.V. Patterned grid element polarizer
DE102006031807A1 (en) 2005-07-12 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Lighting device for microlithographic projection exposure system, has depolarizing system to effect polarization direction variation such that light mixer produces light without preferred direction, and including plates of crystal material
DE102009055184B4 (en) 2009-12-22 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular a microlithographic projection exposure apparatus
DE102011003035A1 (en) 2010-02-08 2011-08-11 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Polarization-influencing optical arrangement, as well as optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102010029339A1 (en) 2010-05-27 2011-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE202011102876U1 (en) * 2011-04-07 2011-10-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metallstreifenpolarisator
DE102012200373A1 (en) 2012-01-12 2013-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for wafer inspection system, has polarization manipulator enabling variation of polarization state of partial beam independent of another partial beam, and beam-deflecting element provided in optical path of partial beams
DE102012206151A1 (en) 2012-04-16 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for microlithographic projection exposure system utilized for manufacturing e.g. LCD, has screen polarizer converting linear polarization distribution with polarization direction of bundle into mixed polarization distribution

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085211A (en) * 2014-10-24 2016-05-19 信越化学工業株式会社 Defect dimension evaluation method of photomask blank, selection method thereof and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1615062B1 (en) Microscopic imaging system and procedure for the emulation of a high aperture imaging system, in particular for mask inspection
DE102009015393B3 (en) Measuring method and measuring system for measuring birefringence
DE10124474A1 (en) Microlithographic exposure involves compensating path difference by controlled variation of first and/or second optical paths; image plane difference is essentially independent of incident angle
DE102006038643A1 (en) Microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102017115262B4 (en) Method for characterizing a mask for microlithography
EP1932061A1 (en) Device and method for influencing polarisation distribution in an optical system, in particular in a microlithography exposure system
DE102012205181B4 (en) Measuring device for measuring a lighting property
WO2020015954A1 (en) Method and device for characterizing the surface shape of an optical element
DE102012100311B4 (en) A method and apparatus for calibrating the wavefront error of a computer generated hologram for optical surface inspection
DE102013107976B4 (en) Position determination of structures on a mask for microlithography
DE102018202639A1 (en) Method for determining a structure-independent contribution of a lithography mask to a fluctuation of the line width
WO2006131517A2 (en) Illuminating device of a microlithographic projection exposure system
DE102011086328A1 (en) Mirror used to guide illumination and imaging light in EUV projection lithography
WO2021073821A1 (en) Method and device for characterizing the surface shape of an optical element
DE102018202637B4 (en) Method for determining a focus position of a lithography mask and metrology system for carrying out such a method
DE102018202635B4 (en) Method for determining an imaging error contribution of an imaging optics for the measurement of lithographic masks
DE102013207502A1 (en) Optical system for wafer and mask inspection plant, has polarizing elements which are designed such that polarization distribution set to micro-structured element is not changed by changing operating wavelength
EP2041625B1 (en) Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
EP3123247B1 (en) Measuring device for determining a polarisation parameter
DE102007038056B4 (en) Method for determining a polarization-optical property of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013202278A1 (en) Optical system of microlithography projection exposure apparatus used for manufacturing e.g. LCD, has optical element that is arranged, such that incident angle of element of electromagnetic radiation is set to predetermined range
DE102006059435A1 (en) Microscope for position-resolved measurement of especially lithography mask has source of electromagnetic radiation of defined radiation, optical system that applies radiation to structure to be measured, forms image on detector
DE10360581A1 (en) Pre adjustment process for projection system for EUV lithography for microelectronics or microscopy uses pre adjusting wavelength differing from final wavelength
DE102019206648B4 (en) Method for approximating imaging properties of an optical production system to those of an optical measuring system and metrology system therefor
DE102016211993B4 (en) Arrangement and method for measuring a degree of polarization and wavelength-selective polarizer

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R120 Application withdrawn or ip right abandoned

Effective date: 20140528