DE102013108661A1 - Process for structuring and planarizing a layer sequence - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge angegeben, wobei das Verfahren folgende Schritte A bis D umfasst:
In einem Verfahrensschritt A wird eine erste Schicht mit einer ersten Hauptfläche bereitgestellt, in einem darauffolgenden Verfahrensschritt B wird eine strukturierte Maskenschicht auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht aufgebracht, wobei die strukturierte Maskenschicht ein dielektrisches Material umfasst. In einem nächsten Verfahrensschritt C wird eine zweite Schicht von einer der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht sowie auf die erste Schicht aufgebracht, wobei die zweite Schicht eine Metallschicht ist und die zweite Schicht mit der ersten Schicht eine bessere Haftung eingeht als mit der strukturierten Maskenschicht und in einem Verfahrensschritt D wird die zweite Schicht entfernt, wobei sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt.The invention relates to a method for structuring and planarizing a layer sequence, the method comprising the following steps A to D:
In a method step A, a first layer having a first main surface is provided, in a subsequent method step B, a patterned mask layer is applied to the first main surface of the first layer, wherein the patterned mask layer comprises a dielectric material. In a next method step C, a second layer is applied from a side facing away from the first main surface on the patterned mask layer and on the first layer, wherein the second layer is a metal layer and the second layer with the first layer better adhesion than with the structured Mask layer and in a process step D, the second layer is removed, wherein the second layer separates from the patterned mask layer and the second layer remains on the first main surface of the first layer.

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Figure DE102013108661A1_0001

Description

Es wird ein Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge angegeben. A method for structuring and planarizing a layer sequence is given.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge anzugeben. Vorzugsweise zeichnet sich das Verfahren durch eine geringe Komplexität, Alterungsstabilität und Kosteneffizienz aus. One problem to be solved is to specify a method for structuring and planarizing a layer sequence. Preferably, the method is characterized by low complexity, aging stability and cost efficiency.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Schritt A eine erste Schicht mit einer ersten Hauptfläche bereitgestellt. Die erste Schicht kann insbesondere ein elektrisch leitfähiges Material umfassen oder aus einem elektrisch leitfähigem Material bestehen. Beispielsweise kann die erste Schicht ein Metall, einen Metallstapel, ein elektrisch leitfähiges Oxid und/oder eine Halbleiterschichtenfolge umfassen. Ferner umfasst die erste Schicht bevorzugt III-V-Halbleitermaterialien und/oder metallische Spiegelmaterialien. Metallische Spiegelmaterialien sind beispielsweise Au oder Ag. Die erste Hauptfläche der ersten Schicht kann unstrukturiert ausgebildet sein. Die erste Schicht kann insbesondere durchgehend eben ausgebildet sein. Das heißt, dass die erste Hauptfläche der ersten Schicht keine Unterbrechungen, Erhebungen und/oder Ausnehmungen aufweist. In accordance with at least one embodiment of the method, in a step A, a first layer having a first main surface is provided. The first layer may in particular comprise an electrically conductive material or consist of an electrically conductive material. By way of example, the first layer may comprise a metal, a metal stack, an electrically conductive oxide and / or a semiconductor layer sequence. Furthermore, the first layer preferably comprises III-V semiconductor materials and / or metallic mirror materials. Metallic mirror materials are, for example, Au or Ag. The first main surface of the first layer may be unstructured. The first layer may in particular be designed to be flat throughout. This means that the first main surface of the first layer has no interruptions, elevations and / or recesses.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Schritt B eine strukturierte Maskenschicht auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht aufgebracht, wobei die strukturierte Maskenschicht ein dielektrisches Material umfasst. Unter "strukturierter Maskenschicht" versteht man eine Maskenschicht, die derart strukturiert worden ist, dass die erste Hauptfläche der ersten Schicht zumindest stellenweise frei von dem Material der Maskenschicht ist. Die Strukturierung kann beispielsweise durch ein fotolithographisches Verfahren erfolgen.In accordance with at least one embodiment of the method, in a step B, a structured mask layer is applied to the first main area of the first layer, wherein the structured mask layer comprises a dielectric material. By "structured mask layer" is meant a mask layer that has been patterned such that the first major surface of the first layer is at least locally free of the material of the mask layer. The structuring can be done for example by a photolithographic process.

Mit anderen Worten weist die strukturierte Maskenschicht zumindest stellenweise Ausnehmungen auf. Ein Entfernen der Maskenschicht in Bereichen, die nicht durch einen Fotolack bedeckt sind, kann durch chemisches Ätzen erfolgen. Die Ausnehmungen sind beispielsweise in vertikaler Richtung durch die erste Hauptfläche der ersten Schicht und in lateraler Richtung durch zumindest eine Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht begrenzt. Hierbei und im Folgenden verläuft die laterale Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsrichtung der ersten Schicht und die vertikale Richtung quer zu der lateralen Richtung. In other words, the structured mask layer has recesses at least in places. Removal of the mask layer in areas not covered by a photoresist can be done by chemical etching. The recesses are delimited, for example, in the vertical direction by the first main surface of the first layer and in the lateral direction by at least one side surface of the structured mask layer. Here and below, the lateral direction is parallel to a main extension direction of the first layer and the vertical direction is transverse to the lateral direction.

Die strukturierte Maskenschicht weist zumindest stellenweise eine der ersten Hauptfläche abgewandte Hauptseite und eine der Hauptseite abgewandte Rückseite auf. Die Hauptseite und die Rückseite sind durch eine Seitenfläche miteinander verbunden. Die Rückseite grenzt mittelbar oder unmittelbar an die erste Hauptfläche der ersten Schicht an. Beispielsweise kann die strukturierte Maskenschicht mit der ersten Hauptfläche in direktem Kontakt stehen oder mittels einer Haftvermittlungsschicht, beispielsweise ZnO oder Ti, mit der ersten Hauptfläche mittelbar verbunden sein.The structured mask layer has, at least in places, a main side remote from the first main surface and a rear side remote from the main side. The main page and the back are connected by a side surface. The rear side adjoins, directly or indirectly, the first main surface of the first layer. By way of example, the structured mask layer can be in direct contact with the first main surface or can be indirectly connected to the first main surface by means of an adhesion-promoting layer, for example ZnO or Ti.

Die Maskenschicht kann insbesondere durch physikalische oder chemische Abscheideverfahren auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht gebildet werden, zum Beispiel aufdeponiert, aufgesputtert, abgeschieden und/oder aufgewachsen werden.In particular, the mask layer can be formed by physical or chemical deposition methods on the first main surface of the first layer, for example, deposited, sputtered, deposited and / or grown on.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Schritt C eine zweite Schicht von einer der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht sowie auf die erste Schicht aufgebracht. Das Aufbringen der zweiten Schicht von der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht sowie auf die erste Schicht kann insbesondere durch Aufdampfen einer Edelmetallschicht erfolgen. Die zweite Schicht bedeckt jeweils die strukturierte Maskenschicht sowie die erste Schicht vollständig. Das heißt, dass die zweite Schicht auf Bereichen der strukturierten Maskenschicht und Bereichen der ersten Schicht jeweils als durchgehende Schicht ausgebildet sein kann, wobei die jeweiligen Bereiche nicht durch die zweite Schicht miteinander verbunden sein müssen.In accordance with at least one embodiment of the method, in a step C, a second layer is applied to the structured mask layer and to the first layer from a side facing away from the first main surface. The application of the second layer facing away from the first main surface side on the patterned mask layer and on the first layer can be carried out in particular by vapor deposition of a noble metal layer. The second layer completely covers the patterned mask layer as well as the first layer. That is, the second layer may be formed on regions of the patterned mask layer and regions of the first layer, each as a continuous layer, wherein the respective regions need not be interconnected by the second layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die zweite Schicht eine Metallschicht und die zweite Schicht geht mit der ersten Schicht eine bessere Haftung ein als mit der strukturierten Maskenschicht. Das heißt, dass sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht leichter ablöst als von der ersten Schicht. Beispielsweise geht die zweite Schicht mit der ersten Schicht eine stoffschlüssige Verbindung ein, wohingegen die strukturierte Maskenschicht von der zweiten Schicht bedeckt wird. Unter "bedeckt" versteht man im vorliegenden Zusammenhang, dass sich insbesondere kein direkter, nachhaltiger und/oder fester Kontakt zwischen der zweiten Schicht und der strukturierten Maskenschicht ausbildet.In accordance with at least one embodiment of the method, the second layer is a metal layer and the second layer has better adhesion with the first layer than with the patterned mask layer. That is, the second layer peels off the patterned mask layer more easily than the first layer. By way of example, the second layer forms a material connection with the first layer, whereas the structured mask layer is covered by the second layer. By "covered" is meant in the present context that in particular no direct, sustainable and / or firm contact between the second layer and the patterned mask layer is formed.

Stoffschlüssige Verbindungen sind Verbindungen, bei denen jeweilige Verbindungspartner durch atomare oder molekulare Kräfte zusammengehalten werden. Beispielsweise wird nun zwischen dem Material der zweiten Schicht und dem Material der ersten Schicht eine stoffschlüssige Verbindung ausgebildet, nicht aber zwischen der zweiten Schicht und der strukturierten Maskenschicht. Zwischen der zweiten Schicht und der strukturierten Maskenschicht können sich schwache Van-der-Waals-Kräfte ausbilden, die jedoch im vorliegenden Zusammenhang nicht als stoffschlüssige Verbindungen zu verstehen sind.Cohesive compounds are compounds in which respective connection partners are held together by atomic or molecular forces. For example, a cohesive connection is now formed between the material of the second layer and the material of the first layer, but not between the second layer and the patterned mask layer. Weak Van der Waals forces may form between the second layer and the patterned mask layer, but in the present context not to be understood as cohesive connections.

Die zweite Schicht bedeckt und/oder grenzt zumindest stellenweise an die erste Hauptfläche der ersten Schicht und an die Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht an. Die zweite Schicht bedeckt ferner die Hautseite der strukturierten Maskenschicht. Es bilden sich somit Bereiche guter Haftung und Bereiche schlechter Haftung aus.The second layer covers and / or adjoins, at least in places, the first main surface of the first layer and the side surface of the patterned mask layer. The second layer further covers the skin side of the patterned mask layer. Thus, areas of good adhesion and areas of poor adhesion are formed.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einen Schritt D die zweite Schicht entfernt, wobei sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt. Aufgrund der schlechteren Haftung der zweiten Schicht auf der Hauptseite der strukturierten Maskenschicht kann die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht abgelöst, entfernt und/oder abgetrennt werden, wobei kein materialabtragendes, materialschmelzendes und/oder materialverdampfendes Verfahren erforderlich ist. Insbesondere erfolgt das Ablösen der zweiten Schicht von der strukturierten Maskenschicht nicht durch ein CMP-(chemical mechanical polishing)Verfahren. Das Entfernen der zweiten Schicht von der strukturierten Maskenschicht kann insbesondere rückstandsfrei erfolgen. Unter "rückstandsfrei" versteht man, dass nach dem Ablösen die strukturierte Maskenschicht frei von dem Material der zweiten Schicht ist. Die strukturierte Maskenschicht weist insbesondere auf der Hauptseite keine Spuren eines Materialabtrags auf. In accordance with at least one embodiment of the method, in a step D, the second layer is removed, wherein the second layer is detached from the patterned mask layer and the second layer remains on the first main surface of the first layer. Due to the poorer adhesion of the second layer on the main side of the patterned mask layer, the second layer can be detached, removed and / or separated from the patterned mask layer, without the need for a material-removing, material-melting and / or material-evaporating process. In particular, the detachment of the second layer from the patterned mask layer is not effected by a CMP (chemical mechanical polishing) method. The removal of the second layer from the patterned mask layer can be carried out in particular without residue. By "residue-free" is meant that after peeling, the patterned mask layer is free of the second-layer material. The structured mask layer has no traces of material removal, in particular on the main side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Verfahrensschritte A bis D in der hier angegebenen Reihenfolge durchgeführt. In accordance with at least one embodiment of the method, method steps A to D are carried out in the order indicated here.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge umfasst das Verfahren folgende Schritte A bis D: According to at least one embodiment of the method for structuring and planarizing a layer sequence, the method comprises the following steps A to D:

In einem Verfahrensschritt A wird eine erste Schicht mit einer ersten Hauptfläche bereitgestellt, in einem darauffolgenden Verfahrensschritt B wird eine strukturierte Maskenschicht auf die erste Hauptfläche der ersten Schicht aufgebracht, wobei die strukturierte Maskenschicht ein dielektrisches Material umfasst. In einem nächsten Verfahrensschritt C wird eine zweite Schicht von einer der ersten Hauptfläche abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht sowie auf die erste Schicht aufgebracht, wobei die zweite Schicht eine Metallschicht ist und die zweite Schicht mit der ersten Schicht eine bessere Haftung eingeht als mit der strukturierten Maskenschicht. In einem Verfahrensschritt D wird die zweite Schicht entfernt, wobei sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt, wobei die Verfahrensschritte A bis D in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.In a method step A, a first layer having a first main surface is provided, in a subsequent method step B, a patterned mask layer is applied to the first main surface of the first layer, wherein the patterned mask layer comprises a dielectric material. In a next method step C, a second layer is applied from a side facing away from the first main surface on the patterned mask layer and on the first layer, wherein the second layer is a metal layer and the second layer with the first layer better adhesion than with the structured mask layer. In a method step D, the second layer is removed, with the second layer detaching from the patterned mask layer and the second layer remaining on the first main surface of the first layer, the method steps A to D being carried out in the stated order.

Das hier beschriebene Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge macht insbesondere von der Idee Gebrauch, dass zur Strukturierung metallischer Schichten beziehungsweise Schichtenfolgen auf einen Rückätzschritt oder ein Lift-Off-Verfahren unter Verwendung eines Materials einer Maskenschicht, beispielsweise eines Fotolacks, verzichtet werden kann, wenn man Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien ausbildet, die untereinander eine unterschiedlich stark ausgeprägte Haftung eingehen.The method described here for structuring and planarizing a layer sequence makes use in particular of the idea that structuring of metallic layers or layer sequences onto an etch-back step or a lift-off method using a material of a mask layer, for example a photoresist, can be dispensed with if One forms interfaces between different materials that enter into each other a different degrees of pronounced liability.

Überraschenderweise wurde festgestellt, dass insbesondere Edelmetalle schlecht auf dielektrischen Materialien haften, jedoch mit metallischen und/oder halbleitenden Materialien eine gute Haftung eingehen. Ferner wurde festgestellt, dass eine Edelmetallschicht, welche auf eine derartige heterogene Fläche und/oder Struktur ausgebracht wird, Korngrenzen ausbilden. Die Korngrenzen separieren die Bereiche guter Haftung von den Bereichen mit schlechter Haftung. Diese überraschende Feststellung kann zur Strukturierung und Planarisierung von entsprechenden Schichtenfolgen eingesetzt werden. Vorteilhaft ist beispielsweise, dass beim Einsatz des hier beschriebenen Verfahrens zur Planarisierung der Schichtenfolgen auf Material abtragende Prozesse, wie zum Beispiel CMP, verzichtet werden kann. Somit erspart man sich ein aufwendiges Entfernen von Schleifrückständen und die Gefahr einer Kreuzkontamination in der Produktlinie wird minimiert.Surprisingly, it has been found that, in particular, noble metals adhere poorly to dielectric materials, but enter into good adhesion with metallic and / or semiconducting materials. Further, it has been found that a noble metal layer applied to such a heterogeneous surface and / or structure forms grain boundaries. The grain boundaries separate the areas of good adhesion from the areas of poor adhesion. This surprising finding can be used for structuring and planarizing corresponding layer sequences. It is advantageous, for example, that it is possible to dispense with material-removing processes, such as, for example, CMP, when using the method described here for planarizing the layer sequences. This saves the laborious removal of grinding residues and minimizes the risk of cross contamination in the product line.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die erste Schicht eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone auf oder ist als Schicht ausgebildet, die ein Edelmetall oder eine Edelmetalllegierung aufweist. Zu den Edelmetallen gehören insbesondere die Platinmetalle sowie Gold und Silber. Insbesondere kann die erste Schicht auch eine Legierung aus zumindest zwei Edelmetallen, beispielsweise aus Silber und Gold, enthalten. Ferner kann die erste Schicht Spuren eines Nichtedelmetalls, beispielsweise Al, Ti, Cr und/oder Zn als Haftvermittler zum dielektrischen Material, enthalten.In accordance with at least one embodiment of the method, the first layer has a semiconductor layer sequence with an active zone or is formed as a layer comprising a noble metal or a noble metal alloy. The precious metals include in particular the platinum metals and gold and silver. In particular, the first layer may also contain an alloy of at least two precious metals, for example of silver and gold. Furthermore, the first layer may contain traces of a non-noble metal, for example Al, Ti, Cr and / or Zn as adhesion promoter to the dielectric material.

Die Halbleiterschichtenfolge mit der aktiven Zone ist zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet, wobei die aktive Zone zwischen einer p-leitenden und n-leitenden Schicht der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet sein kann. Die Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung kann insbesondere im infraroten, sichtbaren und/oder ultravioletten Spektralbereich liegen. Die Halbleiterschichtenfolge kann insbesondere auf einem Substrat aufgewachsen, abgeschieden und/oder aufgedampft sein. Weitergehend kann bei dieser Ausführungsform die erste Schicht beispielsweise aus einem Edelmetall oder einer Edelmetalllegierung oder die erste Schicht beispielsweise aus einer Halbleiterschichtenfolge bestehen.The semiconductor layer sequence with the active zone is suitable for generating electromagnetic radiation, wherein the active zone may be formed between a p-type and n-type layer of the semiconductor layer sequence. The wavelength of the electromagnetic radiation can be in particular in the infrared, visible and / or ultraviolet spectral range. The semiconductor layer sequence can in particular on a Substrate grown, deposited and / or vapor-deposited. In addition, in this embodiment, the first layer can consist, for example, of a noble metal or of a noble metal alloy, or the first layer, for example, of a semiconductor layer sequence.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Ablösen der zweiten Schicht durch einen Hochdruckwasserstrahl und/oder einen Delaminationsprozess. Bei dem Ablösen mittels Hochdruckwasserstrahl wird beispielsweise die Schichtenfolge von einer der ersten Hauptfläche zugewandten Seite mit einem Wasserstrahl derart bestrahlt, dass sich die zweite Schicht von der strukturierten Maskenschicht ablöst und die zweite Schicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht verbleibt. Für den Delaminationsprozess kann auf die zweite Schicht zumindest stellenweise eine Folie aufgeklebt werden. Die sich auf der strukturierten Maskenschicht befindende zweite Schicht bleibt während einem Abziehen der Folie auf dieser kleben und/oder haften.In accordance with at least one embodiment of the method, the detachment of the second layer takes place by means of a high-pressure water jet and / or a delamination process. In the case of detachment by means of a high-pressure water jet, for example, the layer sequence is irradiated from a side facing the first main surface with a water jet such that the second layer separates from the structured mask layer and the second layer remains on the first main surface of the first layer. For the delamination process, a film can be glued onto the second layer at least in places. The second layer located on the patterned masking layer remains adhered and / or adhered to it during peeling of the film.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens passt sich im Verfahrensschritt C die zweite Schicht konform der strukturierten Maskenschicht an. Das heißt, dass eine der ersten Hauptfläche abgewandte Außenkontur der zweiten Schicht einer Außenkontur der strukturierten Maskenschicht folgt. Beispielswiese bildet die zweite Schicht eine Topographie der strukturierten Maskenschicht nach. Hierbei ist eine Dicke der zweiten Schicht beispielsweise maximal doppelt so dick wie eine Dicke der strukturierten Maskenschicht. Unter dem Begriff "Dicke" versteht man im vorliegenden Zusammenhang die Ausdehnung einer Schicht quer zu der lateralen Richtung. Besonders bevorzugt weisen die zweite Schicht und die strukturierte Maskenschicht die gleiche Dicke auf.In accordance with at least one embodiment of the method, in method step C the second layer conforms conforming to the patterned mask layer. This means that an outer contour of the second layer facing away from the first main surface follows an outer contour of the structured mask layer. For example, the second layer replicates a topography of the patterned mask layer. In this case, a thickness of the second layer is for example at most twice as thick as a thickness of the patterned mask layer. The term "thickness" in the present context means the extension of a layer transversely to the lateral direction. Particularly preferably, the second layer and the patterned mask layer have the same thickness.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die zweite Schicht nicht durchgehend ausgebildet. Das heißt, dass die Bereiche der zweiten Schicht, die auf der ersten strukturierten Maskenschicht angeordnet sind, mit den Bereichen der zweiten Schicht, die mit der ersten Hauptfläche der ersten Schicht in Verbindung steht, nicht oder nur teilweise im direkten Kontakt stehen. Mit anderen Worten wird die strukturierte Maskenschicht von der zweiten Schicht nicht durchgehend überformt.According to at least one embodiment of the method, the second layer is not formed continuously. That is, the regions of the second layer disposed on the first patterned mask layer are not or only partially in direct contact with the regions of the second layer that are in communication with the first major surface of the first layer. In other words, the patterned mask layer is not continuously overmolded by the second layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist ein Bereich der zweiten Schicht, der auf der strukturierten Maskenschicht ausgebildet ist, zu einem Bereich der zweiten Schicht, der auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht ausgebildet ist, an Korngrenzen der zweiten Schicht einen Abstand auf. Die zweite Schicht, die auf der ersten Schicht aufgewachsen ist, weist eine erste Kristallstruktur auf. Die zweite Schicht, die auf der strukturierten Maskenschicht aufgewachsen ist, weist eine zweite Kristallstruktur auf. In Bereichen, wo die erste Kristallstruktur auf die zweite Kristallstruktur der zweiten Schicht trifft, bilden sich Korngrenzen aus, durch die ein Abstand zwischen den Bereichen entsteht. Die Korngrenzen der zweiten Schicht können sich beispielsweise an einer der ersten Hauptfläche abgewandten Kante der strukturierten Maskenschicht befinden.In accordance with at least one embodiment of the method, a region of the second layer, which is formed on the patterned mask layer, at a region of the second layer, which is formed on the first main surface of the first layer, at the grain boundaries of the second layer at a distance. The second layer, which has grown on the first layer, has a first crystal structure. The second layer, which has grown on the patterned mask layer, has a second crystal structure. In regions where the first crystal structure encounters the second crystal structure of the second layer, grain boundaries form, creating a gap between the regions. The grain boundaries of the second layer may be located, for example, on an edge of the patterned mask layer facing away from the first main surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Abstand an den Korngrenzen der zweiten Schicht kleiner als 250 nm. Der Abstand kann insbesondere kleiner als 200 nm, bevorzugt kleiner als 150 nm oder besonders bevorzugt kleiner als 100 nm sein.In accordance with at least one embodiment of the method, the distance at the grain boundaries of the second layer is less than 250 nm. The distance may be, in particular, less than 200 nm, preferably less than 150 nm or particularly preferably less than 100 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens bildet die zweite Schicht mit einer der ersten Hauptfläche abgewandten Seite der strukturierten Maskenschicht eine ebene Fläche aus. Die zweite Schicht schließt bündig mit der Hauptseite der strukturierten Maskenschicht ab, wobei die zweite Schicht die gleiche Dicke wie die strukturierte Maskenschicht aufweist. Die zweite Schicht grenzt des Weiteren zumindest stellenweise an die Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht an.In accordance with at least one embodiment of the method, the second layer forms a planar surface with a side of the structured mask layer facing away from the first main surface. The second layer terminates flush with the major side of the patterned mask layer, the second layer having the same thickness as the patterned masking layer. The second layer further adjoins the side surface of the patterned mask layer at least in places.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt ein Kantenwinkel der strukturierten Maskenschicht an den Korngrenzen der zweiten Schicht zwischen 80° und 90°. Der Kantenwinkel wird durch einen eingeschlossenen Winkel zwischen der Hauptseite und der entsprechenden Seitenfläche der strukturierten Maskenschicht vorgegeben. Bei der Strukturierung der Maskenschicht mittels Fotolithografie und beispielsweise gepufferter Flusssäure bilden sich somit Kanten aus, die insbesondere das konforme Aufwachsen der zweiten Schicht begünstigen. Insbesondere kann der Kantenwinkel 90° betragen.According to at least one embodiment of the method, an edge angle of the patterned mask layer at the grain boundaries of the second layer is between 80 ° and 90 °. The edge angle is dictated by an included angle between the major side and the corresponding side surface of the patterned mask layer. In the structuring of the mask layer by means of photolithography and, for example, buffered hydrofluoric acid, edges are thus formed which in particular favor the conformal growth of the second layer. In particular, the edge angle can be 90 °.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die zweite Schicht eine Edelmetallschicht und enthält vorzugsweise Au, Pt und/oder Ag. Insbesondere bei diesen Edelmetallen konnten überraschenderweise die großen Haftungsunterschiede, wie sie hier beschrieben sind, festgestellt werden. Leicht oxidierende Metalle, wie zum Beispiel Cr, Al, Ti, kommen als Hauptmaterialien für die zweite Schicht weniger in Frage, da diese insbesondere an dem dielektrischen Material gut haften.In accordance with at least one embodiment of the method, the second layer is a noble metal layer and preferably contains Au, Pt and / or Ag. Surprisingly, the large differences in adhesion, as described here, were found especially in these precious metals. Easily oxidizing metals, such as Cr, Al, Ti, are less suitable as the main materials for the second layer, since they adhere well to the dielectric material in particular.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Halbleiterschicht mit der aktiven Zone ein III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial. Das III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial weist wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe, wie beispielsweise B, Al, Ga, In, und ein Element aus der fünften Hauptgruppe, wie beispielsweise N, P, As, auf. Insbesondere umfasst der Begriff "III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial" die Gruppe der binären, ternären oder quaternären Verbindungen, die wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der fünften Hauptgruppe enthalten, beispielsweise Nitrid- und Phosphid-Verbindungshalbleiter. Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem zum Beispiel ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen.In accordance with at least one embodiment of the method, the active zone semiconductor layer comprises a III-V compound semiconductor material. The III-V compound semiconductor material has at least one element of the third main group such as B, Al, Ga, In, and an element of the fifth main group such as N, P, ace, up. In particular, the term "III-V compound semiconductor material" includes the group of binary, ternary or quaternary compounds containing at least one element from the third main group and at least one element from the fifth main group, for example nitride and phosphide compound semiconductors. Such a binary, ternary or quaternary compound may also have, for example, one or more dopants and additional constituents.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens enthält die strukturierte Maskenschicht SiO2, Al2O3, TiN und/oder Si3N4. Auf diesen Materialien haftet die zweite Schicht, welche insbesondere Au, Pt und/oder Ag enthält, besonders schlecht, sodass beispielsweise diese Materialien bevorzugt zur Durchführung des hier beschriebenen Verfahrens eingesetzt werden.According to at least one embodiment of the method, the patterned mask layer contains SiO 2 , Al 2 O 3 , TiN and / or Si 3 N 4 . On these materials, the second layer, which contains in particular Au, Pt and / or Ag, adheres particularly bad, so that, for example, these materials are preferably used for carrying out the method described here.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die strukturierte Maskenschicht auf der ersten Hauptfläche der ersten Schicht eine gitterartige Struktur auf, derart, dass eine Vielzahl von einzelnen Bereichen zueinander in lateraler Richtung einen weiteren Abstand aufweisen. Beispielsweise ist die strukturierte Maskenschicht in Form eines Gitters ausgebildet, wobei das Gitter einzelne Halbleiterchips voneinander beabstandet, so dass entlang der strukturierten Maskenschicht benachbarte Halbleiterchips durchtrennt werden können.In accordance with at least one embodiment of the method, the structured mask layer has a lattice-like structure on the first main surface of the first layer, such that a multiplicity of individual regions have a further distance from one another in the lateral direction. By way of example, the structured mask layer is designed in the form of a grating, wherein the grating spaces individual semiconductor chips from one another so that adjacent semiconductor chips can be cut along the structured mask layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der weitere Abstand zwischen den einzelnen Bereichen kleiner oder gleich 10 µm. Hierbei ist das hier beschriebene Verfahren auch dazu geeignet, Lochkontakte mit einem Durchmesser von kleiner oder gleich 10 µm mit dem hier beschriebenen Verfahren entsprechend zu strukturieren und planarisieren.According to at least one embodiment of the method, the further distance between the individual regions is less than or equal to 10 μm. In this case, the method described here is also suitable for structuring and planarizing hole contacts with a diameter of less than or equal to 10 μm using the method described here.

Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge anhand von Ausführungsbeispielen mit zugehörigen Figuren erläutert. In the following, the method described here for structuring and planarizing a layer sequence will be explained on the basis of exemplary embodiments with associated figures.

Die 1A, 1B, 1C, 1D, 1E zeigen anhand von schematischen Ausführungsbeispielen einzelne Verfahrensschritte eines hier beschriebenen Verfahrens zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge. The 1A . 1B . 1C . 1D . 1E show, with reference to schematic exemplary embodiments, individual method steps of a method described here for structuring and planarizing a layer sequence.

Die 2 zeigt anhand eines Ausführungsbeispiels eine weitere Variante einer Schichtenfolge, die auf Basis der Verfahrensschritte 1A bis 1E hergestellt worden ist.The 2 shows on the basis of an embodiment, a further variant of a layer sequence based on the method steps 1A to 1E has been produced.

Die 3 zeigt eine Durchlichtaufnahme einer Schichtenfolge nach dem Verfahrensschritt C. The 3 shows a transmitted light image of a layer sequence after process step C.

Die 4 zeigt eine REM-Mikroskopieaufnahme einer Schichtenfolge nach dem Verfahrenschritt C. The 4 shows an SEM micrograph of a layer sequence after process step C.

Die 5 zeigt eine Auflichtaufnahme einer Schichtenfolge nach dem Verfahrensschritt D anhand einer gitterartig strukturierten Maskenschicht.The 5 shows a Auflichtaufnahme a layer sequence after step D using a lattice-like patterned mask layer.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not to be considered to scale. Rather, individual elements may be exaggerated in size for better representability and / or better intelligibility.

Die 1A zeigt eine erste Schicht 10, die in der 1A als Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet ist. Die Halbleiterschichtenfolge 30 weist eine erste Hauptfläche 11 auf. Auf der ersten Hauptfläche 11 ist eine Maskenschicht 14 angeordnet. Die Maskenschicht 14 weist eine der ersten Hauptfläche 11 abgewandte Hauptseite 16 und eine der Hauptseite 16 abgewandte Rückseite 17 auf, wobei sich eine gemeinsame Seitenfläche 18 von der Hauptseite 16 zur Rückseite 17 der Maskenschicht 14 erstreckt.The 1A shows a first layer 10 in the 1A as a semiconductor layer sequence 30 is trained. The semiconductor layer sequence 30 has a first major surface 11 on. On the first main surface 11 is a mask layer 14 arranged. The mask layer 14 has one of the first major surface 11 opposite main page 16 and one of the main page 16 opposite rear side 17 on, being a common side surface 18 from the main page 16 to the back 17 the mask layer 14 extends.

Die Maskenschicht 14 kann auf der Hauptfläche 11 mittelbar oder unmittelbar angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Maskenschicht 14 mit der Hauptfläche 11 in direktem Kontakt stehen und die erste Schicht 10 als Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet sein. Auch kann eine Haftvermittlungsschicht, beispielsweise ZnO oder Ti, zwischen der ersten Schicht 10 und der Maskenschicht 14 angeordnet sein und die erste Schicht 10 kann beispielsweise aus Au, einem anderem Edelmetall und/oder einer Edelmetalllegierung bestehen (siehe 2). The mask layer 14 can on the main surface 11 be arranged directly or indirectly. For example, the mask layer 14 with the main surface 11 to be in direct contact and the first shift 10 as a semiconductor layer sequence 30 be educated. An adhesion-promoting layer, for example ZnO or Ti, may also be present between the first layer 10 and the mask layer 14 be arranged and the first layer 10 may for example consist of Au, another precious metal and / or a precious metal alloy (see 2 ).

Die Halbleiterschichtenfolge 30 kann insbesondere ein III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial umfassen und zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet sein. Beispielsweise umfasst die Halbleiterschichtenfolge 30 eine GaN-Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge 30 kann auf einem Substrat 34 aufgewachsen sein. Das Substrat 34 kann Saphir oder SiC umfassen oder aus einem dieser Materialien bestehen. Die elektromagnetische Strahlung wird in einer aktiven Zone 33 produziert, die sich zwischen einer p-leitenden Schicht 31 und einer n-leitenden Schicht 32 der Halbleiterschichtenfolge 30 befindet.The semiconductor layer sequence 30 may in particular comprise a III-V compound semiconductor material and be suitable for generating electromagnetic radiation. By way of example, the semiconductor layer sequence comprises 30 a GaN semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence 30 can on a substrate 34 to have grown up. The substrate 34 may include sapphire or SiC or may be made of any of these materials. The electromagnetic radiation is in an active zone 33 produced between a p-type layer 31 and an n-type layer 32 the semiconductor layer sequence 30 located.

Die 1B zeigt die Maskenschicht 14, die durch eine Fotomaske 1 strukturiert worden ist. Die Fotomaske 1 bedeckt die strukturierte Maskenschicht 15 an nicht freigelegten Bereichen der Halbleiterschichtenfolge 30 und ist auf der Hauptseite 16 ausgebildet. Die strukturierte Maskenschicht 15 weist somit Ausnehmungen 4 auf, die durch die erste Hauptfläche 11 der Hableiterschichtenfolge 30 und den Seitenflächen 18 der strukturierten Maskenschicht 15 begrenzt sein kann.The 1B shows the mask layer 14 passing through a photomask 1 has been structured. The photomask 1 covers the structured mask layer 15 at not exposed areas of the semiconductor layer sequence 30 and is on the main page 16 educated. The structured mask layer 15 has thus recesses 4 on, passing through the first main area 11 the Hableiter Schichtfolge 30 and the side surfaces 18 the structured mask layer 15 may be limited.

In der 1C ist die Fotomaske 1 entfernt. Die strukturierte Maskenschicht 15 weist einen Kantenwinkel 3 auf. Der Kantenwinkel 3 wird durch einen eingeschlossenen Winkel zwischen der Hauptseite 16 und der Seitenfläche 18 der strukturierten Maskenschicht 15 angegeben. Die Ausnehmung 4 weist somit steile Kantenflächen auf, wobei der Kantenwinkel 3 der strukturierten Maskenschicht 15 zwischen 80° und 90° beträgt und vorzugsweise nahe bei 90° liegt.In the 1C is the photomask 1 away. The structured mask layer 15 has an edge angle 3 on. The edge angle 3 is by an enclosed angle between the main page 16 and the side surface 18 the structured mask layer 15 specified. The recess 4 thus has steep edge surfaces, wherein the edge angle 3 the structured mask layer 15 is between 80 ° and 90 °, and preferably close to 90 °.

In der 1D wird eine zweite Schicht 20 von einer der ersten Hauptfläche 11 abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht 15 sowie auf die erste Schicht 10 aufgebracht, wobei die zweite Schicht 20 eine aufgedampfte Silberschicht sein kann. Die zweite Schicht 20 geht mit der ersten Hauptfläche 11 der Halbleiterschichtenfolge 30 eine bessere Haftung ein als mit der Hauptseite 16 der strukturierten Maskenschicht 15. Die zweite Schicht 20 passt sich konform der strukturierten Maskenschicht 15 an, wobei eine Dicke der zweiten Schicht bevorzugt gleich einer Dicke der strukturierten Maskenschicht 15 ist. Bereiche 22 der zweiten Schicht 20, die eine gute Haftung zwischen der zweiten Schicht 20 und der Halbleiterschichtenfolge 30 aufweisen, stehen zu Bereichen 21 der zweiten Schicht 20, die eine schlechte Haftung zwischen der zweiten Schicht 20 und der strukturierten Maskenschicht 15 aufweisen, nicht oder zumindest teilweise nicht im direkten Kontakt. Das heißt, dass die zweite Schicht 20 entlang der ersten Hauptfläche 11 und der Hauptseite 16 nicht durchgehend ausgebildet ist. In der 1D sind Korngrenzen 2 der zweiten Schicht 20 an den Kantenwinkeln 3 ausgebildet. Die Korngrenzen beabstanden den Bereich 22 zu dem Bereich 21. Die zweite Schicht 20 ist nicht durchgehend ausgebildet, was insbesondere auf die sich ausbildenden Korngrenzen 2 der zweiten Schicht 20 zurückzuführen ist. In the 1D becomes a second layer 20 from one of the first main surface 11 facing away from the structured mask layer 15 as well as on the first layer 10 applied, wherein the second layer 20 a vaporized silver layer can be. The second layer 20 goes with the first main surface 11 the semiconductor layer sequence 30 better adhesion than with the main page 16 the structured mask layer 15 , The second layer 20 conforms to the structured mask layer 15 wherein a thickness of the second layer is preferably equal to a thickness of the patterned mask layer 15 is. areas 22 the second layer 20 that has good adhesion between the second layer 20 and the semiconductor layer sequence 30 have, stand to areas 21 the second layer 20 that has poor adhesion between the second layer 20 and the structured mask layer 15 not, or at least partially not in direct contact. That is, the second layer 20 along the first main area 11 and the main page 16 is not formed continuously. In the 1D are grain boundaries 2 the second layer 20 at the edge angles 3 educated. The grain boundaries space the area 22 to the area 21 , The second layer 20 is not continuously formed, which in particular on the forming grain boundaries 2 the second layer 20 is due.

In der 1E ist die zweite Schicht 20 von der Hauptseite 16 der strukturierten Maskenschicht 15, beispielsweise durch Einsatz eines Hochdruckwasserstrahls, entfernt. Die zweite Schicht 20 in dem Bereich 22 verbleibt dabei auf der ersten Hauptfläche 11 der Halbleiterschichtenfolge 30. Die Hauptseite 16 ist frei an einem Material der zweiten Schicht 20 und weist keine Spuren eines Materialabtrags auf.In the 1E is the second layer 20 from the main page 16 the structured mask layer 15 , For example, by using a high-pressure water jet away. The second layer 20 in that area 22 it remains on the first main surface 11 the semiconductor layer sequence 30 , The main page 16 is free on a material of the second layer 20 and has no traces of material removal.

In der 2 ist eine Schichtenfolge gezeigt, die auf den Verfahrensschritten, wie in den 1A bis 1E gezeigt, basiert. In der 2 ist zum Unterschied des in den 1A bis 1E beschriebenen Verfahrens zwischen der Halbleiterschichtenfolge 30 und der strukturierten Maskenschicht 15 die erste Schicht 10 als Edelmetallschicht, zum Beispiel als Goldschicht oder Silberschicht, ausgebildet. Die auf der Goldschicht oder Silberschicht ausgebildete strukturierte Maskenschicht 15 ist mittels einer Haftvermittlungsschicht 40, beispielsweise ZnO oder Ti, mittelbar angeordnet. In the 2 a layer sequence is shown, which is based on the process steps as in the 1A to 1E shown, based. In the 2 is different from in the 1A to 1E described method between the semiconductor layer sequence 30 and the structured mask layer 15 the first layer 10 as a noble metal layer, for example as a gold layer or silver layer formed. The patterned mask layer formed on the gold layer or silver layer 15 is by means of a primer layer 40 , For example, ZnO or Ti, arranged indirectly.

In der 3 ist eine Durchlichtaufnahme gezeigt, nachdem die zweite Schicht 20 entsprechend dem hier beschriebenen Verfahrenschritt C auf die strukturierte Maskenschicht 15 beziehungsweise die erste Schicht 10 oder die Halbleiterschichtenfolge 30 aufgedampft worden ist. In der 3, welche eine Aufsicht auf die hier beschriebene Schichtenfolge zeigt, sind helle Konturlinien ein Hinweis dafür, dass an den Korngrenzen 2 der zweiten Schicht 20 ein Abstand A ausgebildet ist. In der Durchlichtaufnahme tritt durch den Abstand A Licht, das als helle Konturlinie deutlich sichtbar wird. In the 3 is a transmitted light shot after the second layer 20 according to the method step C described here on the patterned mask layer 15 or the first layer 10 or the semiconductor layer sequence 30 has been evaporated. In the 3 , which shows a view of the layer sequence described here, bright contour lines are an indication that at the grain boundaries 2 the second layer 20 a distance A is formed. In the transmitted light exposure passes through the distance A light, which is clearly visible as a bright contour line.

4 zeigt als REM-Aufnahme eine mikroskopische Vergrößerung des in der 3 dargestellten Abstands A entlang der Konturlinien. Die REM-Aufnahme zeigt die Korngrenze 2 der zweiten Schicht 20, die sich wie hier beschrieben zwischen den Bereichen 21 und den Bereichen 22 ausbildet. Wie in der 4 deutlich zu erkennen ist, sind die Bereiche 21 der zweiten Schicht 20, die auf der strukturierten Maskenschicht 15 ausgebildet sind, zu den Bereichen 22 der zweiten Schicht 20, die auf der Hauptfläche 11 der ersten Schicht 10 oder Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet sind, entlang der Korngrenze 2 durch den Abstand A separiert. 4 shows a microscopic enlargement of the in the 3 shown distance A along the contour lines. The SEM image shows the grain boundary 2 the second layer 20 as described here between the areas 21 and the areas 22 formed. Like in the 4 can be clearly seen, are the areas 21 the second layer 20 on the textured mask layer 15 are trained to the areas 22 the second layer 20 on the main surface 11 the first layer 10 or semiconductor layer sequence 30 are formed along the grain boundary 2 separated by the distance A.

In der 5 ist eine strukturierte Maskenschicht 15 gezeigt, wobei diese eine gitterartige Struktur 5 aufweist. Die gitterartige Struktur 5 umfasst eine Vielzahl voneinander in lateraler Richtung durch einen weiteren Abstand S beabstandeter einzelner Bereiche 6. Der weitere Abstand S beträgt zwischen den einzelnen Bereichen 6 kleiner gleich 10 µm. Die hellen Bereiche 22 der 5 zeigen die Bereiche der zweiten Schicht, die auf der Hauptfläche 11 der ersten Schicht 10 beziehungsweise Halbleiterschichtenfolge 30 ausgebildet sind. Die hellen Bereiche 22 sind durch dunkle Gitterstreifen der gitterartigen Struktur 5 in der lateralen Richtung zueinander beabstandet, wobei die dunklen Gitterstreifen die Bereiche 21 darstellen, nachdem die zweite Schicht 20 abgelöst worden ist.In the 5 is a structured mask layer 15 shown, this being a grid-like structure 5 having. The grid-like structure 5 includes a plurality of spaced apart in the lateral direction by a further distance S individual areas 6 , The further distance S is between the individual areas 6 less than 10 microns. The bright areas 22 of the 5 show the areas of the second layer that are on the main surface 11 the first layer 10 or semiconductor layer sequence 30 are formed. The bright areas 22 are by lattice-like structure dark lattice stripes 5 spaced apart in the lateral direction, the dark grid strips forming the regions 21 pose after the second layer 20 has been replaced.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.

Claims (14)

Verfahren zur Strukturierung und Planarisierung einer Schichtenfolge (100) umfassend folgende Schritte: A) Bereitstellen einer ersten Schicht (10) mit einer ersten Hauptfläche (11); B) Aufbringen einer strukturierten Maskenschicht (15) auf die erste Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10), wobei die strukturierte Maskenschicht (15) ein dielektrisches Material umfasst; C) Aufbringen einer zweiten Schicht (20) von einer der ersten Hauptfläche (11) abgewandten Seite auf die strukturierte Maskenschicht (15) sowie auf die erste Schicht (10), wobei die zweite Schicht (20) eine Metallschicht ist und die zweite Schicht (20) mit der ersten Schicht (10) eine bessere Haftung eingeht als mit der strukturierten Maskenschicht (15); D) Entfernen der zweiten Schicht (20), wobei sich die zweite Schicht (20) von der strukturierten Maskenschicht (15) ablöst und die zweite Schicht (20) auf der ersten Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10) verbleibt, wobei die Verfahrensschritte A bis D in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.Method for structuring and planarizing a layer sequence ( 100 ) comprising the following steps: A) providing a first layer ( 10 ) with a first main surface ( 11 ); B) Applying a structured mask layer ( 15 ) on the first main surface ( 11 ) of the first layer ( 10 ), the structured mask layer ( 15 ) comprises a dielectric material; C) applying a second layer ( 20 ) from one of the first major surfaces ( 11 ) on the structured mask layer (FIG. 15 ) as well as the first layer ( 10 ), the second layer ( 20 ) is a metal layer and the second layer ( 20 ) with the first layer ( 10 ) assumes better adhesion than with the structured mask layer ( 15 ); D) removing the second layer ( 20 ), wherein the second layer ( 20 ) from the structured mask layer ( 15 ) and the second layer ( 20 ) on the first main surface ( 11 ) of the first layer ( 10 ) remains, wherein the method steps A to D are carried out in the order given. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die erste Schicht (10) eine Halbleiterschichtenfolge (30) mit einer aktiven Zone aufweist oder als eine Schicht ausgebildet ist, die ein Edelmetall oder eine Edelmetalllegierung aufweist.Method according to Claim 1, in which the first layer ( 10 ) a semiconductor layer sequence ( 30 ) having an active region or formed as a layer comprising a noble metal or a noble metal alloy. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Ablösen der zweiten Schicht (20) durch einen Hochdruckwasserstrahl und/oder einen Delaminationsprozess erfolgt. Method according to one of the preceding claims, in which the detachment of the second layer ( 20 ) by a high-pressure water jet and / or a delamination process. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem sich im Verfahrensschritt C die zweite Schicht (20) konform der strukturierten Maskenschicht (15) anpasst.Method according to one of the preceding claims, in which, in method step C, the second layer ( 20 ) conforming to the structured mask layer ( 15 ) adapts. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die zweite Schicht (20) nicht durchgehend ausgebildet ist.Method according to one of the preceding claims, in which the second layer ( 20 ) is not formed continuously. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem ein Bereich der zweiten Schicht (21), der auf der strukturierten Maskenschicht (15) ausgebildet ist, zu einem Bereich der zweiten Schicht (22), der auf der ersten Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10) in einem von der Maskenschicht unbedeckten Bereich ausgebildet ist, an Korngrenzen (2) der zweiten Schicht (20) einen Abstand (A) aufweist.Method according to one of the preceding claims, in which a region of the second layer ( 21 ) located on the structured mask layer ( 15 ) is formed, to a region of the second layer ( 22 ), on the first main surface ( 11 ) of the first layer ( 10 ) is formed in a region uncovered by the mask layer, at grain boundaries ( 2 ) of the second layer ( 20 ) has a distance (A). Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Abstand (A) kleiner als 250 nm ist.The method of claim 6, wherein the distance (A) is less than 250 nm. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die zweite Schicht (20) mit einer der ersten Hauptfläche (11) abgewandten Seite der strukturierten Maskenschicht (15) eine ebene Fläche ausbildet.Method according to one of the preceding claims, in which the second layer ( 20 ) with one of the first main surface ( 11 ) facing away from the structured mask layer ( 15 ) forms a flat surface. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem ein Kantenwinkel (3) der strukturierten Maskenschicht (15) an den Korngrenzen (2) der zweiten Schicht (20) zwischen 80° und 90° beträgt.Method according to one of the preceding claims, in which an edge angle ( 3 ) of the structured mask layer ( 15 ) at the grain boundaries ( 2 ) of the second layer ( 20 ) is between 80 ° and 90 °. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die zweite Schicht (20) eine Edelmetallschicht ist und vorzugsweise Au, Pt und/oder Ag enthält.Method according to one of the preceding claims, in which the second layer ( 20 ) is a noble metal layer and preferably contains Au, Pt and / or Ag. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (30) mit der aktiven Zone ein III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial umfasst.Method according to one of the preceding claims, in which the semiconductor layer sequence ( 30 ) comprises a III-V compound semiconductor material with the active region. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die strukturierte Maskenschicht (15) SiO2, Al2O3, TiN und/oder Si3N4 enthält.Method according to one of the preceding claims, in which the structured mask layer ( 15 ) SiO 2 , Al 2 O 3 , TiN and / or Si 3 N 4 . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die strukturierte Maskenschicht (15) auf der ersten Hauptfläche (11) der ersten Schicht (10) eine gitterartige Struktur (5) aufweist, derart, dass eine Vielzahl von einzelnen Bereichen (6) zueinander in lateraler Richtung einen weiteren Abstand (S) aufweisen.Method according to one of the preceding claims, in which the structured mask layer ( 15 ) on the first main surface ( 11 ) of the first layer ( 10 ) a grid-like structure ( 5 ) such that a plurality of individual regions ( 6 ) to each other in the lateral direction have a further distance (S). Verfahren nach Anspruch 13, bei dem der weitere Abstand (S) zwischen den einzelnen Bereichen (6) kleiner oder gleich 10 μm ist.Method according to Claim 13, in which the further distance (S) between the individual regions ( 6 ) is less than or equal to 10 microns.
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