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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Spiegels für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie einen entsprechenden Spiegel und eine damit ausgestattete EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zum Betrieb derselben.
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STAND DER TECHNIK
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Zur Herstellung von mikrostrukturierten oder nanostrukturierten Bauteilen in der Mikroelektronik oder Mikrostrukturtechnik werden lithographische Verfahren eingesetzt, bei denen Strukturen eines Retikels verkleinert auf einen entsprechenden Wafer abgebildet werden. Um immer feinere Strukturen erzeugen zu können, wird Licht, also allgemein elektromagnetische Strahlung, mit immer kürzeren Wellenlängen eingesetzt, wie beispielsweise Licht mit Wellenlängen des extrem ultravioletten Wellenlängenspektrums, also mit Wellenlängen, die im Bereich zwischen ca. 5 nm und 20 nm, vorzugsweise bei 11 nm oder 13 nm, liegen.
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Derartige EUV-Projektionsbelichtungsanlagen weisen Beleuchtungs- und Projektionsobjektive auf, die aus Spiegelelementen aufgebaut sind. Da die maximalen Reflektivitäten bei entsprechenden EUV-Spiegeln im Bereich von weniger als 80% liegen, kommt es bei den EUV-Spiegeln bzw. Spiegelelementen darauf an, dass diese eine möglichst glatte Oberfläche mit niedriger Rauheit aufweisen, so dass möglichst wenig Streuverluste auftreten.
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Die Rauheit der Spiegeloberfläche wird meist durch die quadratische Rauheit, also die RMS-Rauheit (root mean squared (RMS roughness)) angegeben, die aus dem Mittel der Quadrate der von einer mittleren Fläche abweichenden Messpunkte über der Oberfläche berechnet wird. Die mittlere Fläche wird hierbei so in der Oberfläche definiert, dass die Summe der Abweichungen bezogen auf die mittlere Fläche minimal ist. Die Rauheit wird über eine bestimmte Messstrecke bestimmt, wobei die Rauheiten entsprechend unterschiedlicher Ortsfrequenzbereiche unterschieden werden können. Die Ortsfrequenz gibt den Kehrwert der räumlichen Periodenlänge an, also in Bezug auf die Rauheit den räumlichen Abstand, mit dem sich die Abweichungen von der mittleren Oberfläche wiederholen. Entsprechend beschreibt die Rauheit mit einer großen Ortsfrequenz Abweichungen von der idealen Oberfläche, die in kurzen Abständen auftreten, während die Rauheit mit kleiner Ortsfrequenz Oberflächenfehler mit großen Abständen zueinander beschreibt.
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Wie in „Mirror substrates for EUV-lithography: progress in metrology and optical fabrication technology", U. Dinger et al., Soft X-Ray and EUV Imaging Systems, hrsg. von Winfried M. Kaiser, Richard H. Stulen, Proceedings of SPIE Vol. 4146 (2000), S. 35–46, beschrieben ist, ist die Oberflächentopographie und Rauheit für EUV-Spiegel im gesamten Ortsfrequenzbereich entsprechend niedrig einzustellen, wobei zur Charakterisierung der Oberflächen das Konzept der Leistungsspektrumsdichte (power spectral density PSD) eingesetzt wird, welches in dem oben bezeichneten Artikel detailliert beschrieben ist und durch Verweis hierin mit aufgenommen ist.
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Da es in der EUV-Mikrolithographie jedoch nicht nur darauf ankommt, dass das verwendete Arbeitslicht möglichst ohne Verluste durch die Spiegelanordnungen reflektiert wird, sondern auch darauf, dass beispielsweise der Feldbereich in einem Beleuchtungssystem homogen ausgeleuchtet wird, ist gemäß der
US 7,800,734 B2 vorgeschlagen worden, einen Spiegel oder ein Spiegelelement innerhalb bestimmter Vorgaben mit einer Streufunktion zu versehen.
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Die Streufunktion wird hierbei durch eine strukturierte bzw. raue Oberfläche erzeugt, die beispielsweise für die streuende Oberfläche eine Rauheit mit einem RMS-Rauheitswert in einen Hochfrequenzbereich eines PSD-Werts von < 1/14 der Wellenlänge des Arbeitslichts aufweist. Allerdings ist in der
US 7,800,734 B2 nicht angegeben, wie ein EUV-Spiegel mit der zusätzlichen Streufunktion hergestellt werden kann.
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OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
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AUFGABE DER ERFINDUNG
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Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines EUV-Spiegels anzugeben, der neben der Funktion, eine Spiegel- bzw. Reflexionsfläche zur Reflexion von einfallendem Arbeitslicht bereitzustellen, zusätzlich eine Streufunktion beispielsweise zur Homogenisierung des Lichts aufweist. Das erfindungsgemäße Verfahren soll einfach durchführbar sein und zuverlässig und reproduzierbar EUV-Spiegel mit den geforderten Eigenschaften bereitstellen. Darüber hinaus soll eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen bi-funktionalen Spiegel und eine Verfahren zu ihrem Betrieb bereitgestellt werden.
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TECHNISCHE LÖSUNG
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Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie einem EUV-Spiegel mit dem Merkmal des Anspruchs 13, EUV-Projektionsbelichtungs-anlagen mit den Merkmalen des Anspruchs 14 sowie einem Verfahren zum Betrieb einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 19. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Die vorgeschlagene technische Lösung beruht auf der Überlegung, dass Phasenübergänge, die im Gefüge eines Werkstoffs vorliegen oder erzeugbar sind, zur Einstellung einer strukturierten Oberfläche mit einer gewünschten Oberflächenrauheit bzw. entsprechenden Strukturgrößen verwendet werden können, wobei unter strukturierter Oberfläche eine definiert raue Oberfläche und umgekehrt verstanden wird. Allerdings wird zur Unterscheidung der für die Streufunktion gewünschten Rauheit von der für die Reflexionseigenschaft des Spiegels unerwünschte Rauheit bei der für die Streufunktion vorgesehenen Oberflächentopographie nachfolgend im Wesentlichen von strukturierter Oberfläche gesprochen. Eine derartige strukturierte Oberfläche darf aber nicht mit Facettenstrukturen verwechselt werden, die ein entsprechender Spiegel zusätzlich aufweisen kann oder in welche ein entsprechendes erfindungsgemäßes Spiegelelement eingebaut sein kann.
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Entsprechend der Erfindung lässt sich ein Spiegel, der sowohl die bei EUV-Spiegeln geforderten Rauheitskennwerte innerhalb der Strukturgrößen der strukturierten Oberfläche aufweist und gleichzeitig eine entsprechende Strukturierung zur definierten Streuung von Licht besitzt, dadurch erzeugen, dass ein Werkstoff mit einem geeigneten Gefüge bereitgestellt wird, wobei Phasenübergänge im Gefüge zur Erzeugung der strukturierten Oberfläche aktiviert werden können. Vor der Erzeugung der strukturierten Oberfläche kann die Oberfläche zur Ausbildung der Reflexionsfläche so geglättet werden, dass sie die für EUV-Spiegel erforderliche Glattheit bzw. Rauheit aufweist, da die Strukturierung der Reflexionsfläche auf Basis des Werkstoffgefüges ohne zusätzliche Einbringung von unerwünschter Rauheit möglich ist. Folglich wird zunächst ein Werkstoff mit einem geeigneten Gefüge bereitgestellt, die Oberfläche zur Ausbildung der Reflexionsfläche in geeigneter Weise geglättet und anschließend die im Werkstoffgefüge vorliegenden Phasenübergänge aktiviert, um eine strukturierte Oberfläche mit gewünschten Strukturgrößen bzw. Rauheitswerten zu erzeugen.
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Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können vor oder nach dem Glättungsschritt zur Einstellung der für EUV-Spiegel erforderlichen Rauheit der Reflexionsfläche eine entsprechende Reflexionsschicht oder ein Reflexionsschichtsystem mit einer Vielzahl von geeigneten Teilschichten aufgebracht werden. Die Reflexionsschicht oder das Reflexionsschichtsystem können weiterhin vor oder nach dem Erzeugen der strukturierten Oberfläche durch Aktivierung der Phasenübergänge im Werkstoffgefüge abgeschieden werden.
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Zumindest als Teil von Reflexionsschichten, insbesondere auch zwischen Substrat und Reflexionsschichten können Polierschichten abgeschieden werden, die beispielsweise durch Nickel-Schichten, Nickel-Phosphor- oder Nickel-Bor-Schichten gebildet sein können. Die Nickel-Phosphor-Schichten können beispielsweise bis zu 11 Gew.-% Phosphor aufweisen und die Schichten können Legierungsschichten mit zusätzlichen Bestandteilen, insbesondere metallischen Komponenten sein. Bei den Nickel-Phosphor- oder Nickel-Bor-Schichten kann es sich auch um entsprechende Dispersionsschichten handeln, wobei ebenfalls zusätzlich weitere Legierungsbestandteile, wie eine oder zwei weitere metallische Komponenten, vorgesehen sein können. Daneben sind Kupfer-Schichten, Quartzglas-Schichten, amorphe oder kristalline Silizium-Schichten, amorphe Silizium-Karbid-Schichten oder auch Indium-Zinnoxyd-Schichten (ITO-Schichten) denkbar, da sich derartige Schichten im Ortsfrequenzbereich zwischen 10 nm bis 1 μm auf Rauheiten mit einem RMS-Wert von 5 Angström oder darunter polieren lassen. Die metallischen Schichten und insbesondere die Nickel-Schichten können hierbei galvanisch oder stromlos abgeschieden werden. Als Reflexionsschichten sind insbesondere Mehrfachschichtsysteme mit abwechselnden Schichten aus Molybdän und Silizium oder Molybdän und Beryllium möglich.
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Die Phasenübergänge des Werkstoffgefüges zur Erzeugung einer strukturierten Oberfläche können durch Korngrenzen, Gleitebenen, eingelagerte Partikel und verschiedene Kristallorientierungen sowie Unterschiede in der chemischen Zusammensetzung verursacht sein. Entsprechend kann die Ausbildung von derartigen Phasenübergängen durch Wärmebehandlung und/oder plastische oder elastische Verformung bewirkt werden. Beispielsweise können durch Wärmebehandlungen entsprechende Ausscheidungen in einem Gefüge erzeugt werden, wobei die Ausscheidungen aufgrund ihrer gegenüber der Umgebung unterschiedlichen chemischen Zusammensetzung, dem sich daraus ergebenden unterschiedlichen Kristallsystem und der Korngrenze Phasenübergänge im Gefüge bereitstellen. Eine plastische oder elastische Verformung kann zu Veränderungen des Kristallgitters, beispielsweise durch Zwillingsbildung, führen, so dass dadurch ebenfalls Phasenübergänge eingeführt werden können.
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Erfindungsgemäß können derartige Phasenübergänge aktiviert werden, um eine strukturierte Oberfläche zu erzeugen. Die Aktivierung kann durch plastische oder elastische Verformung erfolgen. Durch eine Verformung kann es zu einem Gleiten entlang der Korngrenzen oder Gleitebenen kommen, so dass in einer angrenzenden Oberfläche entsprechend der Gleitung Stufen ausgebildet werden, die zu einer Strukturierung entsprechend den Phasenübergängen im Gefüge des Werkstoffs führen.
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Die Aktivierung der Phasenübergänge kann hierbei dauerhaft oder reversibel erfolgen, also beispielsweise bei einer plastischen Verformung eine dauerhafte Strukturierung erzeugen, während bei einer elastischen Verformung die Strukturierung reversibel sein kann.
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Somit kann, ohne direkt einen Materialabtrag oder eine Materialabscheidung an der zu strukturierenden Oberfläche vornehmen zu müssen, durch eine entsprechende Beeinflussung des Gefüges zur Ausbildung von Phasenübergängen und/oder die Aktivierung der erzeugten oder bereits bestehenden Phasenübergängen die Erzeugung einer Oberflächentopografie zur Ausbildung eines Streuelements genutzt werden, bei welchen innerhalb der Strukturgrößen eine vorab eingestellte Oberflächengüte im Hinblick auf die Rauheit erhalten bleibt.
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Die Beeinflussung zur Ausbildung von Phasenübergängen und die Aktivierung der Phasenübergänge zur Ausbildung der strukturierten Oberfläche können gleichzeitig oder nacheinander erfolgen. Beispielsweise kann eine Wärmebehandlung zur Ausbildung von Phasenübergängen und eine gleichzeitige Warmverformung zur Aktivierung der Phasenübergänge in Form einer Gleitbewegung entlang der erzeugten Phasenübergänge durchgeführt werden.
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Die Ausbildung einer strukturierten Oberfläche durch Verformung des Spiegelwerkstoffs kann durch eine Verformung in einer Richtung parallel zur zu strukturierenden Oberfläche erfolgen.
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Bei einem Spiegel mit einer Reflexionsfläche in einer Größe von 5–1000 mm2, insbesondere 30 bis 60 mm2, können Strukturgrößen ≤ 2 mm, insbesondere ≤ 1 mm erzeugt werden, wobei innerhalb der Strukturgrößen für Ortsfrequenzen von 10 nm bis 1 μm ein RMS-Wert von 0,05 nm bis 5 nm, insbesondere 0,1 nm bis 0,5 nm einstellbar ist.
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Bei dem Werkstoff, der ein entsprechendes Gefüge aufweist, kann es sich um einen metallischen Werkstoff handeln, der insbesondere Aluminium oder Kupfer umfasst. So können ausscheidungs- oder dispersionsgehärtete Kupfer- oder Aluminiumlegierungen eingesetzt werden. Kommerziell verfügbare, geeignete Kupferlegierungen werden beispielsweise unter den Bezeichnungen Elmedur X® oder Elmedur HA® von Thyssen Durometall oder unter den Handelsnamen Glidcop® oder Discup® vertrieben, wobei es sich um dispersionsgehärtete Kupferlegierungen handelt, die mit Oxiden, Boriden und/oder Karbiden dispersionsverstärkt sind. Darüber hinaus lassen sich allgemein mit Oxiden, Boriden und/oder Karbiden dispersionsverstärkte oder ausscheidungshärtbare Kupfer- oder Aluminiumlegierungen einsetzen. Geeignet sind Kupferlegierungen mit beispielsweise 0,8 Gew.-% Chrom und 0,08 Gew.-% Zirkon oder Kupfer-Kobalt-Nickel-Beryllium-Legierungen CuCoNiBe mit beispielsweise 1 Gew.-% Cobalt, 1 Gew.-% Nickel, 0,5 Gew.-% Beryllium und Rest Kupfer.
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Derartige Spiegel können in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage im Beleuchtungssystem in oder nahe einer Pupillenebene angeordnet sein, um eine Homogenisierung des Lichtfeldes zu ermöglichen oder bei einer Anordnung in oder nahe einer Feldebene die Spotgröße in einer Pupille zu vergrößern, um so die Belastung in der Pupille zu verringern und die Lebenszeit der dort angeordneten Bauteile zu erhöhen.
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Bei einer reversiblen Aktivierung der Phasenübergänge zur Erzeugung einer strukturierten Oberfläche, beispielsweise durch elastische Verformung, kann beim Betrieb einer entsprechenden EUV-Projektionsbelichtungsanlage die Strukturierung der Oberfläche variiert werden und insbesondere dynamisch eingestellt werden.
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KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
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Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Darstellung in
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1 eine Prinzipskizze einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie;
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2 in den Teilbildern a) bis c) teilweise Querschnitte durch eine Oberfläche eines Spiegels aus der Projektionsbelichtungsanlage aus 1 bei verschiedenen Herstellungsschritten;
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3 in den Teilbildern a) bis d) ein weiteres Ausführungsbeispiel für die Herstellung eines erfindungsgemäßen Spiegels;
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4 in den Teilbildern a) bis c) ein drittes Ausführungsbeispiel für die Herstellung eines erfindungsgemäßen Spiegels; und in
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5 in den Teilbildern a) bis d) ein viertes Ausführungsbeispiel für die Herstellung eines erfindungsgemäßen Spiegels.
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AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der beigefügten Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben wird, ist für einen Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist.
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Die 1 zeigt eine Prinzipskizze einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100, wie sie beispielsweise zur Herstellung von mikroelektronischen Bauteilen eingesetzt werden kann. Die in 1 gezeigte EUV-Lithographievorrichtung 100 weist eine punktförmige Plasmastrahlungsquelle auf. Die Strahlung der Laserquelle 102 wird über eine Kondensorlinse 104 auf geeignetes Material gerichtet, das über die Zufuhr 108 eingeleitet wird und zu einem Plasma 106 angeregt wird. Die vom Plasma 106 emittierte Strahlung wird vom Kollektorspiegel 110 auf den Zwischenfokus Z abgebildet. Durch entsprechende Blenden 111 am Zwischenfokus Z wird gewährleistet, dass keine unerwünschte Streustrahlung auf die nachfolgenden Spiegeln 112, 114, 116, 118, 120 des Beleuchtungssystems der Projektionsbelichtungsanlage 100 trifft. Der Planspiegel 122 dient zur Faltung des Systems, um Bauräume für mechanische und elektronische Komponenten in der Objektebene, in der die Halterung für das Retikel 124 angeordnet ist, zur Verfügung zu stellen. Im Beleuchtungssystem folgen im vorliegenden Beispiel auf den Spiegel 112 ein Feldfacettenspiegel 114 und ein Pupillenfacettenspiegel 116. Der Feldfacettenspiegel 114 dient dazu, eine Vielzahl von Abbildern der Strahlungsquelle der EUV-Lithographievorrichtung in eine Pupillenebene zu projizieren, in der ein zweiter Facettenspiegel angeordnet ist, der als Pupillenfacettenspiegel 116 dient und die Abbilder der Facetten des Feldfacettenspiegels 114 in der Objektebene überlagert, um eine möglichst homogene Ausleuchtung zu ermöglichen.
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Die anschließend an die Facettenspiegel 114, 116 angeordneten Spiegel 118 und 120 dienen im Wesentlichen dazu, das Feld in der Objektebene zu formen. In der Objektebene ist ein strukturiertes Retikel 124 angeordnet, dessen Struktur mittels eines Projektionsobjektivs 128 mit im vorliegenden Beispiel sechs Spiegeln auf das zu belichtende Objekt 130, etwa einen Wafer abgebildet wird. Das Retikel 124 ist in der hier als Scanning-System ausgelegten EUV-Lithographievorrichtung 100 in der eingezeichneten Richtung 126 verfahrbar und wird sukzessive abschnittsweise ausgeleuchtet, um die jeweiligen Strukturen des Retikels 124 mit dem Projektionsobjektiv entsprechend auf beispielsweise einen Wafer 130 zu projizieren.
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Um eine Homogenisierung des Beleuchtungslichts zu erreichen, kann beispielsweise der Spiegel 116 zusätzlich mit einer Streufunktion versehen sein, so dass er in der Art einer Streuscheibe fungiert, also durch entsprechende Strukturierung auf der Oberfläche eine begrenzte Streuung des auftreffenden Lichts ermöglicht, um so eine Vermischung und Homogenisierung des Lichts zu bewirken. Darüber hinaus können auch andere Spiegel, wie beispielsweise der Facettenspiegel 114 mit einer zusätzlichen Streufunktion ausgestattet werden.
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Die 2 bis 5 zeigen Beispiele, wie eine entsprechende Oberfläche eines derartigen Spiegels erzeugt werden kann.
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Die 2 zeigt in Teilbild a) einen Werkstoff 1 mit einem Gefüge 2, welches eine Vielzahl von Kristalliten (Körner) aufweist, die beispielsweise eine mittlere Korngröße im Bereich von einigen zehn oder einigen hundert Mikrometern aufweisen. Die Oberfläche 3 weist eine Rauheit auf, wie sie üblicherweise bei normal bearbeiteten Oberflächen von entsprechenden kristallinen Werkstoffen nach entsprechender Formgebung durch materialabtragende Verfahren, wie z. B. Schleifen oder Polieren, vorliegen.
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Um den Werkstoff 1, der beispielsweise eine Kupfer- oder Aluminiumlegierung sein kann, als Spiegel in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage einsetzen zu können, wird die Oberfläche mit an sich bekannten Verfahren geglättet, so dass eine glatte Spiegeloberfläche 4 vorliegt, die beispielsweise Rauheiten mit RMS-Rauheitswerten von 0,1 nm bis 0,2 nm aufweist. Der entsprechende Werkstoff 1 mit der glatten Reflexionsfläche 4 ist im Teilbild b) der 2 gezeigt. Ein derartig bearbeitetes Bauteil könnte als Spiegel in der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 der 1 eingesetzt werden. Um der Spiegel- bzw. Reflexionsoberfläche 4 erfindungsgemäß die zusätzliche Funktion einer Streuscheibe zu verleihen, wird der Werkstoff 1 beispielsweise in einer Richtung parallel zur Reflexionsoberfläche 4 verformt (gedehnt oder gestaucht), so dass durch die Verformung eine Aufrauhung bzw. Strukturierung der Reflexionsfläche 4 stattfindet und eine strukturierte Oberfläche 5 vorliegt, bei der Strukturen mit einer Strukturgröße 1 und eine Oberflächentopographie mit Strukturhöhen H vorliegt. Durch die plastische oder elastische Verformung des Werkstoffs 1 kommt es durch anisotrope elastische Verzerrung der Kristallgitter bei der elastischen Verformung und/oder unterschiedlichen Aktivierung von Gleitebenen oder Korngrenzengleiten bei der plastischen Verformung zu einem Oberflächenversatz, so dass eine Strukturierung der Oberfläche 5 erfolgt. Die Strukturgröße 1 kann durch Einstellung des Gefüges 2 bestimmt werden, da beispielsweise die Korngröße des Gefüges 2 einen entsprechenden Einfluss auf die Ausbildung der Strukturgröße 1 hat. Die Strukturhöhe H kann durch die Stärke der Verformung eingestellt werden.
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Durch das Gefüge 2 des Werkstoffs 1, welches in Form der Korngrenzen zwischen den Kristalliten Phasenübergänge aufweist, die durch entsprechende Verformung des Werkstoffs 1 aktiviert werden, wird es möglich eine strukturierte Oberfläche 5 zu erzeugen, die die Streufunktion für ein entsprechend hergestelltes Spiegelelement übernimmt, ohne dass die vorher eingestellte Rauheit der Reflexionsfläche 4 im Bereich der Strukturgrößen zerstört wird. Da die Strukturierung der strukturierten Oberfläche 5 lediglich durch eine indirekte Bearbeitung des Werkstoffs 1 ohne direkten Materialabtrag oder Materialabscheidung an der Reflexionsfläche 4 erfolgt, bleibt innerhalb der erzeugten Strukturen, die im vorangegangenen Schritt (s. Teilbild b)) eingestellte Rauheit der Oberfläche 4 erhalten.
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Die 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei der Werkstoff 10 im Ausgangszustand, der im Teilbild a) der 3 gezeigt ist, noch keine erkennbare Phasenübergänge aufweist. Lediglich eine raue Oberfläche 13 im ursprünglich bearbeiteten Zustand ist vorhanden.
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Im nächsten Schritt (Teilbild b) der 3 wird die Oberfläche geglättet, um den Anforderungen für die EUV-Mikrolithografie zu entsprechen. Danach wird im Teilschritt, der in Fig. c) dargestellt ist, der Werkstoff 10 so beeinflusst, dass Phasenübergänge im Gefüge auftreten. Der Werkstoff wird entsprechend mit dem neuen Bezugszeichen 11 bezeichnet. Die Phasenübergänge, die durch Beeinflussung des Werkstoffs 10 im Werkstoff 11 entstanden sind, sind Übergänge von der Werkstoffmatrix 16 zu Ausscheidungen 12, die beispielsweise durch eine entsprechende Wärmebehandlung erzeugt werden können, wenn der Werkstoff 10 durch schnelles Abkühlen in einem übersättigten, metastabilen Zustand war. Nach Erzeugung der Ausscheidungen 12 und somit der Phasenübergänge im Gefüge des Werkstoffs 11 kann der Werkstoff 11 wieder entsprechend verformt werden, so dass beispielsweise durch ein Gleiten entlang den Ausscheidungskorngrenzen eine strukturierte Oberfläche 15 entsteht. Auf diese Weise kann durch Einstellung des Gefüges mit einer bestimmten Anzahl, Verteilung und Größe von Ausscheidungen 12 die zu erzielende Struktur der strukturierten Oberfläche 15 eingestellt werden.
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Die 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei hier ein Werkstoff 20 eingesetzt wird, der in einer Matrix 26 Dispersoide 22 eingelagert hat, beispielsweise ein dispersionsgehärteter Kupferwerkstoff mit Oxiden, die als Dispersoide in der Kupfermatrix eingelagert sind. Ein derartiger Werkstoff 20 wird gemäß Teilbild a) der 4 mit einer Ausgangsoberfläche 23 bereitgestellt, die im nächsten Schritt auf eine glatte Reflexionsfläche 24 geglättet wird, die den Rauheitsanforderungen für die EUV-Mikrolithographie entspricht (s. Teilbild b) der 4).
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Nach der Herstellung der glatten Oberfläche 24 wird der Werkstoff 20 entsprechend wieder verformt, so dass sich durch Gleiten entlang der Korngrenzen zwischen den Dispersoiden und der Matrix 26 eine strukturierte Oberfläche 25 ausbildet, die innerhalb der Strukturen die Rauheit der glatten Oberfläche 24 beibehält.
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Die 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei hier wiederum ein Werkstoff 30 mit einem Gefüge 32 eingesetzt wird, bei dem die Korngrenzen der Kristallite des Gefüges 32 die Phasenübergänge darstellen. Die raue Oberfläche 33 des Ausgangszustands wird bei einem ersten Teilschritt in eine glatte Oberfläche 34 mit einer Rauheit im Bereich von 0,1 bis 0,2 nm RMS durch entsprechende Glättung überführt. Auf diese glatte Oberfläche 34 wird im Teilschritt, der in Teilbild c) der 5 dargestellt ist, eine Reflexionsschicht 36 oder ein Reflexionsschichtsystem mit einer Vielzahl von Teilschichten aufgebracht, welches entsprechend der glatten Oberfläche 34 ebenfalls eine entsprechend glatte Oberfläche aufweist. Darüber hinaus ist es auch möglich, dass die aufgebrachte Reflexionsschicht 36 bzw. das Reflexionsschichtsystem zusätzlich nach dem Aufbringen geglättet wird. Entsprechend kann auch der vorangegangene Glättungsschritt weggelassen werden und die Glättung der Oberfläche der Reflexionsschicht 36 nach dem Aufbringen der Reflexionsschicht 36 alleine erfolgen, wenn beispielsweise als Reflexionsschicht 36 eine Polierschicht aufgebracht wird.
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Ähnlich dem Ausführungsbeispiel der 2 wird der Werkstoff 30 verformt, so dass sich entsprechend des Gefüges 32 eine strukturierte Oberfläche 35 ergibt, die jedoch zusätzlich die Reflexionsschicht 36 oder ein entsprechendes Reflexionsschichtsystem aufweist.
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Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für einen Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen vorgenommen werden, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Insbesondere offenbart die vorliegende Erfindung sämtliche Kombinationen aller vorgestellten Einzelmerkmale.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- US 7800734 B2 [0006, 0007]
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- „Mirror substrates for EUV-lithography: progress in metrology and optical fabrication technology”, U. Dinger et al., Soft X-Ray and EUV Imaging Systems, hrsg. von Winfried M. Kaiser, Richard H. Stulen, Proceedings of SPIE Vol. 4146 (2000), S. 35–46 [0005]
