DE102012201885A1 - Elektrisches Leistungsmodul - Google Patents
Elektrisches Leistungsmodul Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012201885A1 DE102012201885A1 DE201210201885 DE102012201885A DE102012201885A1 DE 102012201885 A1 DE102012201885 A1 DE 102012201885A1 DE 201210201885 DE201210201885 DE 201210201885 DE 102012201885 A DE102012201885 A DE 102012201885A DE 102012201885 A1 DE102012201885 A1 DE 102012201885A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- coupling layer
- power module
- control device
- cooling body
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/3754—Coating
- H01L2224/37599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/8485—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
Abstract
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Leistungsmodul (10), einem DCB-Substrat (12), mindestens einem elektronischen Bauelement (14, 16), das mit dem DCB-Substrat (12) elektrisch gekoppelt ist, einem Kühlkörper (30), der mit dem DCB-Substrat (12) fest gekoppelt ist, und einer Ansteuervorrichtung (40), die ausgebildet ist zum Ansteuern des mindestens einen elektronischen Bauelements (14, 16). Die Ansteuervorrichtung (40) und der Kühlkörper (30) sind mittels einer zwischen der Ansteuervorrichtung (40) und dem Kühlkörper (30) angeordneten Kopplungsschicht (50) fest miteinander gekoppelt. Die Kopplungsschicht (50) ist ausgebildet zur elektrischen Isolation der Ansteuervorrichtung (40) von dem Kühlkörper (30) und zur wärmeleitenden Kopplung der Ansteuervorrichtung (40) mit dem Kühlkörper (30).
Description
- Die Erfindung betrifft ein elektrisches Leistungsmodul.
- Elektrische Leistungsmodule können beispielsweise DCB-Substrate („Direktgebundende Kupfer-Substrate“ oder „Direkt bondierte Kupfer-Substrate“, auf Englisch „Direct-Copper-Bonded-Substrat“) aufweisen. Vorzugsweise werden elektronische Bauelemente mit einer Seite flächig auf die DCB-Substrate aufgebracht. Bei DCB-Substraten wird insbesondere eine Kupferfolie auf eine Keramik aufgebracht, vorzugsweise aufgewalzt. Elektrische Leistungsmodule mit DCB-Substraten, auf denen elektronische Bauelemente aufgebracht sind, erfordern eine gute Kühlung, um eine hohe Zuverlässigkeit bei elektrischer und thermischer Beanspruchung insbesondere über eine große Zahl von Betriebszyklen hinweg zu erreichen. Bei derartigen Zyklen können thermische Lastwechsel insbesondere zwischen sehr niedrigen Temperaturen (beispielsweise –40 °C) und sehr hohen Temperaturen (beispielsweise mehr als 100 °C) auftreten.
- Die Aufgabe der Erfindung ist, ein elektrisches Leistungsmodul zu schaffen, das eine lange Lebensdauer hat.
- Die Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale des unabhängigen Patentanspruchs. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
- Gemäß eines ersten Aspekts zeichnet sich die Erfindung aus durch ein elektrisches Leistungsmodul, mit einem DCB-Substrat, mindestens einem elektronischen Bauelement, das mit dem DCB-Substrat elektrisch gekoppelt ist, einem Kühlkörper, der mit dem DCB-Substrat fest gekoppelt ist, und einer Ansteuervorrichtung, die ausgebildet ist zum Ansteuern des mindestens einen elektronischen Bauelements. Die Ansteuervorrichtung und der Kühlkörper sind mittels einer zwischen der Ansteuervorrichtung und dem Kühlkörper angeordneten Kopplungsschicht fest miteinander gekoppelt. Die Kopplungsschicht ist ausgebildet zur elektrischen Isolation der Ansteuervorrichtung von dem Kühlkörper und zur wärmeleitenden Kopplung der Ansteuervorrichtung mit dem Kühlkörper.
- Dies hat den Vorteil, dass eine einfache Kühlung der Ansteuervorrichtung möglich ist. Des Weiteren ist ein flacher Aufbau aus der Ansteuervorrichtung und dem Kühlkörper möglich. Darüber hinaus kann die Ansteuervorrichtung schwingungsarm an dem Kühlkörper angeordnet werden.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die Kopplungsschicht einseitig oder beidseitig klebend ausgebildet. Dies hat den Vorteil, dass eine besonders sichere Kopplung der Kopplungsschicht mit der Ansteuervorrichtung und/oder dem Kühlkörper möglich ist.
- In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist die Kopplungsschicht als Klebefolie ausgebildet. Dies hat den Vorteil, dass eine besonders einfache Kopplung der Kopplungsschicht mit der Ansteuervorrichtung und/oder dem Kühlkörper möglich ist.
- In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die Kopplungsschicht ein Material auf, das ein Polyimid umfasst. Dies hat den Vorteil, dass Polyimid eine gute Wärmeleitung bei guter elektrischer Isolation ermöglicht.
- In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist das mindestens eine elektronische Bauelement auf einer weiteren Seite Kontaktelemente auf, und mindestens ein Stanzgitter ist auf der weiteren Seite des mindestens einen elektronischen Bauelements angeordnet und mit den Kontaktelementen der weiteren Seite des mindestens einen elektronischen Bauelements direkt elektrisch gekoppelt. Dies hat den Vorteil, dass ein niederinduktiver Aufbau des elektrischen Leistungsmoduls möglich ist.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind im Folgenden anhand der schematischen Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1 eine perspektivische Darstellung eines elektrisches Leistungsmoduls, -
2 eine weitere perspektivische, teilweise geschnittene Darstellung des elektrischen Leistungsmoduls, -
3 eine perspektivische Darstellung des elektrischen Leistungsmoduls, -
4 eine weitere perspektivische, teilweise geschnittene Darstellung des elektrischen Leistungsmoduls, -
5 eine weitere perspektivische Darstellung des elektrischen Leistungsmoduls, -
6 eine Darstellung des elektrischen Leistungsmoduls in einer Aufsicht, -
7 eine weitere Darstellung des elektrischen Leistungsmoduls in einer Aufsicht, und -
8 eine weitere Darstellung des elektrischen Leistungsmoduls in einer Aufsicht. - Elemente gleicher Konstruktion oder Funktion sind figurenübergreifend mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
- Die
1 bis8 zeigen ein elektrisches Leistungsmodul10 . Das elektrische Leistungsmodul10 hat ein DCB-Substrat12 (DCB-Substrat). Das DCB-Substrat12 hat elektrische Leiterelemente12a . - Das elektrische Leistungsmodul
10 hat weiter elektronische Bauelemente14 ,16 . Die elektronischen Bauelemente14 ,16 sind vorzugsweise ungehäuste elektronische Bauelemente, insbesondere ungehäuste Leistungsbauelemente oder ungehäuste Leistungshalbleiterbauelemente, an denen insbesondere hohe elektrische Spannungen anliegen können. Dies betrifft insbesondere ungehäuste elektronische Bauelemente der Hochleistungselektronik, insbesondere IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistoren), Dioden und dergleichen. In den Figuren sind insbesondere als IGBT ausgebildete elektronische Bauelemente14 und als Dioden ausgebildete Bauelemente16 gezeigt. Die elektronischen Bauelemente14 ,16 können jedoch in alternativen Ausführungsformen auch weitere bekannte elektronische Bauelemente sein. Die elektronischen Bauelemente14 ,16 sind mit dem DCB-Substrat12 elektrisch gekoppelt. Vorzugsweise sind die elektronischen Bauelemente14 ,16 in Flip-Chip-Technik mit dem DCB-Substrat12 elektrisch gekoppelt. - Das elektrische Leistungsmodul
10 weist weiter Stanzgitter18 auf. Die Stanzgitter18 sind vorzugsweise aus Kupfer oder einem anderen gut elektrisch leitenden Material gebildet oder weisen ein derartiges Material auf. Mittels der Stanzgitter18 ist ein niederinduktiver Aufbau des elektrischen Leistungsmoduls10 möglich. - Wie insbesondere in
2 dargestellt, sind auf einer Seite der elektronischen Bauelemente14 ,16 Kontaktelemente20 angeordnet. Die Stanzgitter18 sind mit den Kontaktelementen20 der elektronischen Bauelemente14 ,16 direkt elektrisch gekoppelt (2 ). Mittels der Stanzgitter18 kann auf einen Modulrahmen, wie er im Fall eines Einsatzes von Bonddrähten zur Kontaktierung der elektronischen Bauelemente14 ,16 erforderlich sein kann, verzichtet werden. Die Stanzgitter18 weisen Befestigungs- und/oder Anschlussstifte22 auf, mittels denen die Stanzgitter18 positioniert und befestigt oder mittels denen elektrische Signale über die Stanzgitter18 übertragen werden können. Die Stanzgitter18 weisen weiter Öffnungen24 auf. - Die Stanzgitter
18 sind mit Stromversorgungsanschlusselementen26 elektrisch gekoppelt. Die Stromversorgungsanschlusselemente26 können beispielsweise als Batterieanschlusselemente ausgebildet sein. Die Stanzgitter18 sind weiter mit Ausgangsanschlusselementen28 elektrisch gekoppelt. Die Ausgangsanschlusselemente28 können beispielsweise als Phasenanschlusselemente für den Betrieb einer elektrischen Maschine ausgebildet sein. - Die Stanzgitter
18 sind vorzugsweise mittels eines Lots, einer Schweißnaht oder eines Klebers mit den Kontaktelementen20 des Bauelements14 ,16 gekoppelt. Damit ist eine besonders einfache und sichere Kontaktierung der Stanzgitter18 mit den Kontaktelementen20 der Bauelemente14 ,16 möglich. - Das elektrische Leistungsmodul
10 , wie es in den3 bis7 dargestellt ist, hat drei DCB-Substrate12 . Das elektrische Leistungsmodul10 weist weiter einen Kühlkörper30 auf. Der Kühlkörper30 ist im Wesentlichen flächig ausgebildet. Der Kühlkörper30 hat eine Ausnehmung32 . Die DCB-Substrate12 und die elektronischen Bauelemente14 ,16 sind in der Ausnehmung32 des Kühlkörpers30 angeordnet. Die DCB-Substrate12 sind direkt mit dem Kühlkörper30 gekoppelt. In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Kühlkörper30 Einlegeelemente34 auf (4 ). Die Einlegeelemente34 sind vorzugsweise einstückig mit dem Kühlkörper30 ausgebildet. Die Einlegeelemente34 weisen vorzugsweise AlSiC auf oder bestehen aus AlSiC. Ein derartiges Einlegeelement34 hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und einen an das DCB-Substrat12 angepassten Ausdehnungskoeffizienten, so dass Wärme besonders gut von dem DCB-Substrat12 abgeführt werden kann. - Das elektrische Leistungsmodul
10 weist eine Ansteuervorrichtung40 auf. Die Ansteuervorrichtung40 ist als Ansteuerplatine ausgebildet. Die als Ansteuerplatine ausgebildete Ansteuervorrichtung40 ist in der Ausnehmung32 des Kühlkörpers30 angeordnet. Die als Ansteuerplatine ausgebildete Ansteuervorrichtung40 hat Ausnehmungen, in denen die DCB-Substrate12 und die elektronischen Bauelemente14 ,16 angeordnet sind. Mittels der Ansteuervorrichtung40 können elektronische Bauelemente, vorzugsweise die mit den DCB-Substraten12 elektrisch gekoppelten elektronischen Bauelemente14 ,16 angesteuert werden. - Zwischen der als Ansteuerplatine ausgebildeten Ansteuervorrichtung
40 und dem im Wesentlichen flächig ausgebildeten Kühlkörper30 ist eine Kopplungsschicht50 angeordnet. Mittels der Kopplungsschicht50 sind die Ansteuervorrichtung40 und der Kühlkörper30 fest miteinander gekoppelt. Mittels der Kopplungsschicht50 kann die Ansteuervorrichtung40 elektrisch von dem Kühlkörper30 isoliert werden. Des Weiteren kann die Ansteuervorrichtung40 mittels der Kopplungsschicht50 mit dem Kühlkörper30 Wärme leitend gekoppelt werden. Damit kann in der Ansteuervorrichtung40 anfallende Wärme über die Kopplungsschicht50 und den Kühlkörper30 abgeführt werden. - Vorzugsweise ist die Kopplungsschicht
50 einseitig oder beidseitig klebend ausgebildet. Bevorzugt ist die Kopplungsschicht50 als Klebefolie ausgebildet. Die Klebefolie wird vorzugsweise blasenfrei auf die Ansteuervorrichtung40 und den Kühlkörper30 aufgebracht. Damit kann die Kopplungsschicht50 in einfacher Weise sowohl auf die als Ansteuerplatine ausgebildete Ansteuervorrichtung40 als auch auf den im Wesentlichen flächig ausgebildeten Kühlkörper30 aufgebracht werden. Damit können die Ansteuervorrichtung40 und der Kühlkörper30 in einfacher Weise fest miteinander gekoppelt werden. Umfasst die Kopplungsschicht50 ein Polyimid oder besteht diese aus einem Polyimid, so kann insbesondere die Kopplungsschicht50 eine gute Wärmeleitung bei guter elektrischer Isolation haben. - Ein Vorteil eines derartigen elektrischen Leistungsmoduls
10 ist insbesondere, dass eine effektive und zuverlässige Kühlung der Ansteuervorrichtung40 über den Kühlkörper30 möglich sein kann. Des Weiteren kann die Ansteuervorrichtung40 schwingungsarm an dem Kühlkörper30 angeordnet sein. Da die Ansteuervorrichtung40 sowie das DCB-Substrat12 und die elektronischen Bauelemente14 ,16 zusammen mit den Stanzgittern18 in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind, kann darüber hinaus ein sehr flacher Aufbau der Ansteuervorrichtung40 mit dem Kühlkörper30 und damit des gesamten elektrischen Leistungsmoduls10 erreicht werden. Die Anordnung der Ansteuervorrichtung40 , des DCB-Substrats12 und der elektronischen Bauelemente14 ,16 zusammen mit den Stanzgittern18 in einer gemeinsamen Ebene ermöglicht außerdem, dass die Anschlüsse zur elektrischen Kopplung des elektrischen Leistungsmoduls10 in einer Ebene angeordnet sein können. - Das elektrische Leistungsmodul
10 weist eine Controller-Platine60 auf. Die Controller-Platine60 weist vorzugsweise einen Prozessor oder mehrere Prozessoren, Logikbausteine, Sicherheitselemente und Sensoren auf. Des Weiteren hat die Controller-Platine60 vorzugsweise einen Gerätestecker64 zur elektrischen Kopplung des elektrischen Leistungsmoduls10 mit anderen elektrischen Vorrichtungen. Die Controller-Platine60 ist mittels Schraubelementen38 mechanisch mit dem Kühlkörper30 gekoppelt (3 bis5 ). Die Schraubelemente38 greifen dabei in entsprechend ausgebildete Öffnungen des Kühlkörpers30 ein. Die Controller-Platine60 ist mittels eines Steckverbinders62 mit der als Steuerplatine ausgebildeten Ansteuervorrichtung40 elektrisch gekoppelt (3 und4 ). - Ein weiterer Vorteil eines derartigen elektrischen Leistungsmoduls
10 ist, dass durch die Anordnung der Ansteuervorrichtung40 , des DCB-Substrats12 und der elektronischen Bauelemente14 ,16 zusammen mit den Stanzgittern18 in einer gemeinsamen Ebene und der Controller-Platine60 in einer weiteren Ebene der Gesamtaufbau des elektrischen Leistungsmoduls10 als Zwei-Ebenen-Lösung ausgebildet sein kann. Damit kann ein besonders flacher Aufbau des elektrischen Leistungsmoduls10 erreicht werden. Damit kann Bauraum eingespart werden. Des Weiteren können durch den flachen Aufbau die Resonanzschwingungen des elektrischen Leistungsmoduls10 klein gehalten werden. - Bezugszeichenliste
-
- 10
- Elektrisches Leistungsmodul
- 12
- DCB-Substrat
- 12a
- elektrische Leiterelemente von
12 - 14
- elektronisches Bauelement (IGBT)
- 16
- elektronisches Bauelement (Diode)
- 18
- Stanzgitter
- 20
- Kontaktelement von
14 ,16 - 22
- Befestigungs-, Anschlussstifte
- 24
- Öffnung in
18 - 26
- Stromversorgungsanschlusselement
- 28
- Ausgangsanschlusselement
- 30
- Kühlkörper
- 32
- Ausnehmung in
30 - 34
- Einlegeelement in
30 - 38
- Schraubelemente
- 40
- Ansteuervorrichtung
- 50
- Kopplungsschicht
- 60
- Controller-Platine
- 62
- Steckverbinder
- 64
- Gerätestecker
Claims (5)
- Elektrisches Leistungsmodul (
10 ), mit – einem DCB-Substrat (12 ), – mindestens einem elektronischen Bauelement (14 ,16 ), das mit dem DCB-Substrat (12 ) elektrisch gekoppelt ist, – einem Kühlkörper (30 ), der mit dem DCB-Substrat (12 ) fest gekoppelt ist, und – einer Ansteuervorrichtung (40 ), die ausgebildet ist zum Ansteuern des mindestens einen elektronischen Bauelements (14 ,16 ), wobei die Ansteuervorrichtung (40 ) und der Kühlkörper (30 ) mittels einer zwischen der Ansteuervorrichtung (40 ) und dem Kühlkörper (30 ) angeordneten Kopplungsschicht (50 ) fest miteinander gekoppelt sind, und die Kopplungsschicht (50 ) ausgebildet ist zur elektrischen Isolation der Ansteuervorrichtung (40 ) von dem Kühlkörper (30 ) und zur wärmeleitenden Kopplung der Ansteuervorrichtung (40 ) mit dem Kühlkörper (30 ). - Elektrisches Leistungsmodul (
10 ) nach Anspruch 1, wobei die Kopplungsschicht (50 ) einseitig oder beidseitig klebend ausgebildet ist. - Elektrisches Leistungsmodul (
10 ) nach Anspruch 2, wobei die Kopplungsschicht (50 ) als Klebefolie ausgebildet ist. - Elektrisches Leistungsmodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kopplungsschicht (50 ) ein Material aufweist, das ein Polyimid umfasst. - Elektrisches Leistungsmodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das mindestens eine elektronische Bauelement (14 ,16 ) Kontaktelemente (20 ) aufweist, und mindestens ein Stanzgitter (18 ) mit den Kontaktelementen (20 ) des mindestens einen elektronischen Bauelements (14 ,16 ) direkt elektrisch gekoppelt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201210201885 DE102012201885A1 (de) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Elektrisches Leistungsmodul |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201210201885 DE102012201885A1 (de) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Elektrisches Leistungsmodul |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012201885A1 true DE102012201885A1 (de) | 2013-08-14 |
Family
ID=48868278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201210201885 Ceased DE102012201885A1 (de) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Elektrisches Leistungsmodul |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102012201885A1 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5942797A (en) * | 1996-04-02 | 1999-08-24 | Fuji Electric Co. Ltd. | Power semiconductor module |
US6442033B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-08-27 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Low-cost 3D flip-chip packaging technology for integrated power electronics modules |
US7708584B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-05-04 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor circuit arrangement |
-
2012
- 2012-02-09 DE DE201210201885 patent/DE102012201885A1/de not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5942797A (en) * | 1996-04-02 | 1999-08-24 | Fuji Electric Co. Ltd. | Power semiconductor module |
US6442033B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-08-27 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Low-cost 3D flip-chip packaging technology for integrated power electronics modules |
US7708584B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-05-04 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor circuit arrangement |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102009002993B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit beabstandeten Schaltungsträgern | |
DE102006012429B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112006002302B4 (de) | Elektrisches system umfassend eine leistungstransistoranordnung, eine stromschiene und eine leiterplattenbaugruppe | |
DE102015118633A1 (de) | Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul | |
DE10393437T5 (de) | Halbleiterbauelementbaugruppe | |
EP2019429A1 (de) | Modul mit einem zwischen zwei Substraten, insbesondere DCB-Keramiksubstraten, elektrisch verbundenen elektronischen Bauelement und dessen Herstellungsverfahren | |
DE102004060935B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE102015108909B4 (de) | Anordnung mehrerer Leistungshalbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben | |
EP3619739B1 (de) | Halbleitermodul | |
EP1672692A1 (de) | Leistungshalbleiter-Modul | |
DE102015115132B4 (de) | Halbleitermodul mit integrierter Stift- oder Rippenkühlstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102011078806B4 (de) | Herstellungsverfahren für ein leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung | |
EP2006910B1 (de) | Leistungselektronikmodul | |
WO2014146830A1 (de) | Leistungsmodul mit mindestens einem leistungsbauelement | |
AT515440B1 (de) | Elektrische Bauteilanordnung | |
DE102012201889A1 (de) | Elektrisches Leistungsmodul und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrischen Leistungsmoduls | |
DE102017218875B4 (de) | Leistungsmodul-Baugruppe | |
DE102014221124A1 (de) | Modul mit zwei Leistungshalbleitern | |
DE102014104013A1 (de) | Leistungshalbleiterbauteil | |
DE102012201885A1 (de) | Elektrisches Leistungsmodul | |
WO2018054638A1 (de) | Elektronische baugruppe, insbesondere eine elektronische leistungsbaugruppe für hybridfahrzeuge oder elektrofahrzeuge | |
WO2021069324A1 (de) | Elektronische baugruppe, insbesondere für elektrofahrzeuge oder hybridfahrzeuge | |
DE102004018471A1 (de) | Leistungshalbleiterschaltung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiterschaltung | |
DE102004042367B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
EP3399549A1 (de) | Halbleitermodul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |