DE102012106641B4 - Sensor chip and method for its production - Google Patents

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Abstract

Sensorchip mit einer auf einem Keramikträger (2) aufgebrachten Funktionsschicht, wobei der Keramikträger (2) aus einem nicht ätzfähigen Material besteht und mit einer ätzfähigen Trägerplatte (1) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass – der Keramikträger (2) durch Flammspritzen oder ein Plasmaspritzverfahren auf der ätzbaren Trägerplatte (1) aufgebracht ist, – die Trägerplatte (1) einen zur Erzeugung einer geringen thermischen Leitfähigkeit an ihrer dem Keramikträger (2) gegenüberliegenden Seite durch Ätzen ausgewählter Stellen dienenden, geschwächten Bereich (1.2) aufweist und – Keramikträger (2) und Trägerplatte (1) formschlüssige Elemente (1.1, 2.1) aufweisen, wobei die formschlüssigen Elemente (1.1, 2.1) aus ausschließlich zur Lagesicherung angebrachten Befestigungsvertiefungen (1.1) in der Trägerplatte (1) und zu den Befestigungsvertiefungen (1.1) korrespondierenden Formelementen (2.1) des Keramikträgers (2) bestehen und – wobei die Funktionsschicht eine hohe thermische Isolation aufweist und dauerhaft im gesamten Betriebstemperaturbereich elastisch vorgespannt ist.Sensor chip with a functional layer applied to a ceramic carrier (2), wherein the ceramic carrier (2) consists of a non-etchable material and is connected to an etchable carrier plate (1), characterized in that - the ceramic carrier (2) by flame spraying or a plasma spraying process on the etchable carrier plate (1) is applied, - the carrier plate (1) has a weakened region (1.2) serving to produce a low thermal conductivity on its opposite side of the ceramic carrier (2) by etching selected locations, and - ceramic carrier (2) and carrier plate (1) form-fitting elements (1.1, 2.1), wherein the positive elements (1.1, 2.1) attached exclusively for securing position mounting recesses (1.1) in the support plate (1) and to the mounting recesses (1.1) corresponding form elements (2.1) of the ceramic carrier (2) and - the Funktionssch Not having a high thermal insulation and is permanently biased elastically throughout the operating temperature range.

Description

Die Erfindung betrifft einen Sensorchip mit einer auf einem Keramikträger aufgebrachten Funktionsschicht und ein Verfahren zu seiner Herstellung. The invention relates to a sensor chip with a functional layer applied to a ceramic carrier and a method for its production.

In vielen messtechnischen Anwendungsgebieten werden Sensoren mit Funktionsschichten aus Metalloxiden, metallischen Widerstandsschichten, elektrisch leitfähigen Polymeren oder auch Elektrodenstrukturen aus meist edlen Metallen versehen. Da diese Schichten in sehr vielen Fällen mit aggressiven Umgebungsbedingungen in Kontakt kommen und auch sehr hohen Temperaturen ausgesetzt werden, sind nur spezielle Materialien verwendbar. In many metrological applications, sensors are provided with functional layers of metal oxides, metallic resistance layers, electrically conductive polymers or even electrode structures of mostly precious metals. Since these layers in very many cases come into contact with aggressive environmental conditions and are also exposed to very high temperatures, only special materials can be used.

Viele dieser Sensoren, die durch Oberflächen- oder Bulkreaktionen mit den umgebenden Medien in Kontakt treten, werden zum beschleunigten Ablauf der gewünschten Prozesse elektrisch beheizt. Hierbei treten üblicherweise Temperaturen zwischen 150°C und 450°C auf. Es sind auch messtechnische Verfahren bekannt, bei denen durch forciert eingebrachte Temperaturpulse im Sensor Effekte erzeugt werden, durch die das erzeugte Messsignal optimiert werden kann. Man nutzt solche Pulse ebenfalls zur Selbstkalibrierung von Sensoren, da damit sensorspezifische Parameter ermittelt werden können. Many of these sensors, which come into contact with the surrounding media through surface or bulk reactions, are electrically heated to accelerate the desired processes. Here usually temperatures between 150 ° C and 450 ° C occur. There are also metrological methods are known in which effects are introduced by forced introduced temperature pulses in the sensor, through which the generated measurement signal can be optimized. Such pulses are also used for self-calibration of sensors, as this sensor-specific parameters can be determined.

Infolge von Temperaturänderungen treten hohe mechanische Belastungen an den Bauelementen auf. Dabei soll der Energieeinsatz, der für das Erreichen der gewünschten Arbeitstemperatur benötigt wird, möglichst gering sein. Es ist aber nicht möglich, einerseits eine hohe thermische Isolation der beheizten Sensorschichten gegenüber dem Gesamtsensor zu gewährleisten und andererseits schnelle Temperaturwechsel in der Funktionsschicht zu erzeugen, was jedoch zur Vermeidung von unerwünschten Artefakten notwendig wäre. As a result of temperature changes, high mechanical loads occur on the components. In this case, the energy required to reach the desired working temperature should be as low as possible. However, it is not possible, on the one hand to ensure a high thermal insulation of the heated sensor layers relative to the entire sensor and on the other hand to produce rapid temperature changes in the functional layer, but this would be necessary to avoid unwanted artifacts.

Dazu müssen sehr große Temperaturgardienten mit Temperaturwechseln von mehreren 10 Kelvin pro Sekunde dauerstabil realisiert werden. For this purpose, very large temperature gauges with temperature changes of several tens of Kelvin per second have to be permanently realized.

In DE 42 05 207 A1 ist eine Anordnung zur Erfassung von Gas- oder Flüssigkeitsströmungen beschrieben. Hierzu sind auf einer Membran Widerstandselemente als Sensoren angebracht. Die Membran ist an einem Stützkörper angeordnet, der mit einer Öffnung versehen ist, um die Beweglichkeit der Membran zu ermöglichen und den Zugang der zu erfassenden Flüssigkeiten oder Gase zur Membran zu gewährleisten. In einer besonderen Ausführungsform sind als Detektoren Thermosäulen vorgesehen, die das Signal-Rausch-Verhältnis verbessern. In DE 42 05 207 A1 an arrangement for detecting gas or liquid flows is described. For this purpose, resistance elements are mounted as sensors on a membrane. The membrane is arranged on a supporting body which is provided with an opening to allow the mobility of the membrane and to ensure the access of the liquids or gases to be detected to the membrane. In a particular embodiment, thermopiles are provided as detectors, which improve the signal-to-noise ratio.

Ferner ist aus WO 2007/045113 A1 ein Verbund eines Dünnfilms und eines Glaskeramischen Substrats bekannt, wobei das Glassubstrat mit Löchern oder Kanälen versehen sein kann. Das Glaskeramische Substrat kann als fotostrukturierbares Glassubstrat ausgebildet sein, aus dem ausgewählte Regionen aufgelöst werden. Furthermore, it is off WO 2007/045113 A1 a composite of a thin film and a glass-ceramic substrate is known, wherein the glass substrate may be provided with holes or channels. The glass ceramic substrate may be formed as a photoimageable glass substrate from which selected regions are dissolved.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs genannten Art und ein Verfahren zu ihrer Herstellung zu schaffen, wobei sowohl eine hohe thermische Isolation der Funktionsschichten gegenüber dem Gesamtsensorchip gewährleistet, als auch schnelle Temperaturwechsel ermöglicht werden. The invention has for its object to provide an arrangement of the type mentioned above and a method for their preparation, both ensures a high thermal insulation of the functional layers relative to the entire sensor chip, as well as rapid temperature changes are possible.

Kanälen versehen sein kann. Das Glaskeramische Substrat kann als Anspruch 1 genannten Merkmalen und mit einem Verfahren mit den in Anspruch 7 genannten Merkmalen. Channels can be provided. The glass-ceramic substrate may be mentioned as claim 1 features and with a method with the features mentioned in claim 7.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche. Advantageous embodiments of the invention are the subject of the dependent claims.

Die erfindungsgemäße Anordnung ist für den Einsatz in energieoptimierten Sensoren oder Sensorbauteilen geeignet. The arrangement according to the invention is suitable for use in energy-optimized sensors or sensor components.

Die Anordnung enthält einen Keramikträger, der aus einem nicht oder schlecht ätzfähigen Material besteht und mit einer Trägerplatte verbunden ist. Als Trägerplatte kann eine ätzbare Glasplatte oder eine strukturierbare Polymerkeramik verwendet werden. Die Verbindungsstelle ist mit einer Struktur versehen, die eine formschlüssige Sicherung der Verbindung bewirkt. Gleichzeitig wird durch den Fertigungsprozess sichergestellt, dass die Schicht dauerhaft und im gesamten Betriebstemperaturbereich elastisch so vorgespannt ist, dass beim Aufheizen die Längenausdehnung nicht zur Durchbiegung führt. Zusätzlich können am Keramikträger und an der Trägerplatte formschlüssige Elemente angebracht sein, die zur Lagesicherung dienen. Die Trägerplatte weist an ihrer dem Keramikträger gegenüberliegenden Seite durch einen Ätzprozess erzeugte Ausnehmungen und eine geringe thermische Leitfähigkeit auf. The assembly includes a ceramic carrier made of a non-or poorly etchable material and connected to a carrier plate. As the carrier plate, an etchable glass plate or a structurable polymer ceramic can be used. The connection point is provided with a structure which effects a positive securing of the connection. At the same time, the manufacturing process ensures that the layer is permanently elastically pretensioned in the entire operating temperature range so that the longitudinal expansion does not lead to bending during heating. In addition, positive-locking elements can be attached to the ceramic carrier and to the support plate, which serve to secure the position. The support plate has on its opposite side of the ceramic support by recesses produced by an etching process and a low thermal conductivity.

Es werden Materialien unterschiedlicher Längenausdehnung so miteinander verbunden, dass ein definierter Wärmestrom im Sensorträger realisiert wird. Mit dem Verfahren werden stabile, bei hohen Temperaturen schmelzende Schichten mit hoher Wärmeleitfähigkeit auf Schichten, die bei niedrigeren Temperaturen schmelzen und niedrigere Wärmeleitfähigkeit aufweisen, aufgebracht. Damit werden Anordnungen mit geringer und definierter Wärmekapazität geschaffen.  Materials of different linear expansion are interconnected so that a defined heat flow is realized in the sensor carrier. The process applies stable, high temperature, high thermal conductivity layers to layers that melt at lower temperatures and have lower thermal conductivity. This creates arrangements with low and defined heat capacity.

Die Anordnung ermöglicht es, sensitive Schichten zu erzeugen, die bei hohen Betriebstemperaturen mit minimalem Energieaufwand betrieben werden können und eine hohe Langzeitstabilität, auch hinsichtlich Verformung und Strukturveränderung, aufweisen. The arrangement makes it possible to produce sensitive layers which can be operated at high operating temperatures with minimal expenditure of energy and a high long-term stability, also with regard to deformation and structural change.

Eine vorteilhafte Ausführung entsteht dadurch, dass die formschlüssigen Elemente aus Befestigungsvertiefungen in der Trägerplatte und zu diesen Befestigungsvertiefungen korrespondierende Formelemente des Keramikträgers bestehen. An advantageous embodiment results from the fact that the positive elements consist of fastening recesses in the support plate and corresponding to this mounting recesses form elements of the ceramic carrier.

Der Keramikträger besteht vorteilhaft aus einer Schicht, die im Wesentlichen aus Al2O3 oder MgO oder ZrO oder Mischungen von diesen besteht. The ceramic carrier advantageously consists of a layer consisting essentially of Al 2 O 3 or MgO or ZrO or mixtures of these.

Bei dem Verfahren zur Herstellung des Sensorchips wird zunächst eine Sensorplattform hergestellt. Unter einer Sensorplattform wird eine Anordnung verstanden, welche eine Mehrzahl von Bereichen enthält, aus denen Einzelsensoren gefertigt werden. Zur Herstellung wird auf einem Trägerelement, welches aus einem ätzfähigen Glas besteht und eine strukturierte Oberfläche aufweist, eine der strukturierten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche des Trägerelements durch ein Ätzverfahren so behandelt, dass in bestimmten Bereichen Ausnehmungen erzeugt werden. In the method for producing the sensor chip, a sensor platform is first produced. A sensor platform is understood to mean an arrangement which contains a plurality of regions from which individual sensors are manufactured. For the production, on a carrier element, which consists of an etchable glass and has a structured surface, a surface of the carrier element opposite the structured surface is treated by an etching process in such a way that recesses are produced in certain regions.

Das Aufbringen der Keramikschicht mittels Spritzverfahren erfolgt durch Flammspritzen oder Plasmaspritzen. Es sind aber auch Plattierungsverfahren möglich. Hierbei werden dünne keramikhaltige Folien aufgesintert. Es werden sowohl dünne Keramikfolien mit Glas beschichtet, als auch umgekehrt. Es kann zur Herstellung von sehr dünner Membran auch eine Al2O3-Schicht auf einen entfernbaren Träger (z. B. Aluminium) aufgebracht werden, die über ein Übertragungsverfahren auf eine Glasplatte mittels Glaslot appliziert wird und ausschließlich eingebrannt wird. Es besteht auch die Möglichkeit, dass eine aufgebrachte Schicht durch geeignete Verfahren aus einer niederschmelzenden Variante, z. B. durch Kristallisieren, in eine hochschmelzende Variante überführt wird. The application of the ceramic layer by means of spraying is carried out by flame spraying or plasma spraying. However, plating methods are also possible. Here, thin ceramic-containing films are sintered. Both thin ceramic films are coated with glass, and vice versa. It is also possible to apply an Al 2 O 3 layer to a removable support (eg aluminum) for the production of a very thin membrane, which is applied to a glass plate by means of a glass soldering method and is baked exclusively. There is also the possibility that an applied layer by suitable methods from a low-melting variant, for. B. by crystallization, is converted into a refractory variant.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Folgenden anhand von Zeichnungen näher erläutert. An embodiment of the invention will be explained in more detail below with reference to drawings.

Darin zeigen: Show:

1 eine Glasplatte im Ausgangszustand, 1 a glass plate in the initial state,

2 die Glasplatte mit Befestigungsvertiefungen, 2 the glass plate with fixing recesses,

3 die Glasplatte mit aufgebrachter Halbleiterschicht, 3 the glass plate with applied semiconductor layer,

4 die Glasplatte mit geschwächtem Bereich, 4 the glass plate with weakened area,

5 die Anordnung mit aufgebrachten Funktionsschichten, 5 the arrangement with applied functional layers,

6 die Anordnung mit Trennfugen im Nutzen, 6 the arrangement with joints in the use,

7 ein Einzelchip mit angebondeten Anschlussdrähten, 7 a single chip with bonded leads,

8 eine Anordnung, bei der ein Einzelchip durch vier Stege mit der Glasplatte verbunden ist
und 8th an arrangement in which a single chip is connected by four webs with the glass plate
and

9 eine Anordnung, bei der ein Einzelchip durch sechs Stege mit der Glasplatte verbunden ist. 9 an arrangement in which a single chip is connected by six webs with the glass plate.

Einander entsprechende Teile sind in allen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Corresponding parts are provided in all figures with the same reference numerals.

In 1 ist eine ätzbare Glasplatte 1 dargestellt. Diese bildet den Ausgangspunkt für die vorgesehene Behandlung. In 1 is an etchable glass plate 1 shown. This forms the starting point for the intended treatment.

Wie aus 2 ersichtlich ist, werden zunächst in die Glasplatte 1 Strukturen eingearbeitet. Im dargestellten Beispiel sind Befestigungsvertiefungen 1.1 eingebracht. Die Befestigungsvertiefungen 1.1 können entweder an den Randbereichen der Glasplatte 1 oder an den späteren Enden der entstehenden Einzelchips 7 angeordnet werden. How out 2 it can be seen, first in the glass plate 1 Structures incorporated. In the example shown are fastening recesses 1.1 brought in. The fastening recesses 1.1 can either be on the edges of the glass plate 1 or at the later ends of the resulting individual chips 7 to be ordered.

3 zeigt eine Anordnung, bei der auf die Glasplatte 1 eine Keramikschicht 2 aufgebracht ist. Mit Hilfe von z. B. Flammspritz- oder Plasmaspritzverfahren werden keramische Materialien, welche durch ein Ätzmedium nicht angegriffen werden, z. B. Al2O3, MgO oder ZrO, auf einen ätzbaren Glasträgerkörper flächig aufgebracht. Die Glasplatte 1 weist eine strukturierte Oberflächenform auf, so dass beim Aufbringungsvorgang eine formschlüssige Sicherung der beiden Schichten erreicht und die Haftfestigkeit der Materialien gewährleistet wird, so dass die Verbindung mechanischen Belastungen standhält und eine Zerstörung der Verbindung bei wechselnden thermischen Beanspruchungen verhindert wird. Im dargestellten Fall ist die Keramikschicht 2 mittels Vertiefungen 2.1 in ihrer Position gesichert. 3 shows an arrangement in which on the glass plate 1 a ceramic layer 2 is applied. With the help of z. As flame spraying or plasma spraying are ceramic materials which are not attacked by an etching medium, for. B. Al 2 O 3 , MgO or ZrO, applied to an etchable glass carrier body surface. The glass plate 1 has a structured surface shape, so that during the application process a positive securing of the two layers achieved and the adhesion of the materials is ensured, so that the compound withstands mechanical stresses and destruction of the compound is prevented by changing thermal stresses. In the case shown, the ceramic layer 2 by means of depressions 2.1 secured in their position.

In 4 weist die Anordnung an der Unterseite der Glasplatte 1 einen geschwächten Bereich 1.2, der durch Ätzen ausgewählter Stellen der Unterseite der Glasplatte 1 erzeugt wurde, auf, so dass definierte thermische Kapazitäten und Wärmeflüsse erreicht werden können. In 4 indicates the arrangement at the bottom of the glass plate 1 a weakened area 1.2 By etching selected locations of the bottom of the glass plate 1 was generated, so that defined thermal capacities and heat flows can be achieved.

Bei dem in 5 erläuterten, anschließend erreichten Zustand wurde auf die Keramikschicht 2 eine Funktionsschicht aufgebracht. Die Funktionsschicht besteht aus Elektroden 3 und einer sensitiven Halbleiterschicht 4, die für die Detektion verschiedener Materialien oder Zustände geeignet ist. Bevorzugtes Anwendungsgebiet ist der Einsatz an Gassensoren. Auf die Keramikschicht 2 können Platinelektroden aufgebracht werden. At the in 5 explained, then reached state was on the ceramic layer 2 applied a functional layer. The functional layer consists of electrodes 3 and a sensitive semiconductor layer 4 which is suitable for the detection of various materials or conditions. Preferred field of application is the use of gas sensors. On the ceramic layer 2 Platinum electrodes can be applied.

Die Vereinzelung der Chips ist aus 6 ersichtlich. Hierzu werden durch Laserschneiden oder Wafersägen Trennfugen 5 eingebracht. The singulation of the chips is over 6 seen. For this purpose, by laser cutting or wafer sawing joints 5 brought in.

7 zeigt einen nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellten Einzelchip 7, nachdem an den Elektroden 3 Bonddrähte 6 zur elektrischen Verbindung des Chips angebracht wurden. 7 shows a manufactured according to the method described above single chip 7 after the electrodes 3 Bond wires 6 for electrical connection of the chip were attached.

In den 8 und 9 sind Anordnungen dargestellt, bei denen ein Einzelchip 7 durch Stege 8 mit der Glasplatte 1 verbunden ist. Über die Stege 8 können auch die elektrischen Anschlüsse vom Einzelchip 7 zu Kontaktflächen 9, welche am Rand der Glasplatte 1 angeordnet sind, geführt werden. In the 8th and 9 are shown arrangements in which a single chip 7 through bars 8th with the glass plate 1 connected is. About the bridges 8th can also use the electrical connections from the single chip 7 to contact surfaces 9 , which are on the edge of the glass plate 1 are arranged to be guided.

Bei der in 8 gezeigten Ausführung ist der Einzelchip 7 mit vier Stegen 8 mit der Glasplatte verbunden, während bei der in 9 gezeigten Ausführung sechs Stege 8 verwendet werden. At the in 8th shown embodiment is the single chip 7 with four bars 8th connected to the glass plate while at the in 9 shown embodiment six webs 8th be used.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1 1
Trägerplatte support plate
1.1 1.1
Befestigungsvertiefung mounting recess
1.2 1.2
geschwächter Bereich weakened area
2 2
Keramikschicht ceramic layer
2.2 2.2
Formelement der Keramikschicht Form element of the ceramic layer
3 3
Elektroden electrodes
4 4
sensitive Halbleiterschicht sensitive semiconductor layer
5 5
Trennfuge parting line
6 6
Bonddraht bonding wire
7 7
Einzelchip Single chip
8 8th
Steg web
9 9
Kontaktfläche contact area

Claims (10)

Sensorchip mit einer auf einem Keramikträger (2) aufgebrachten Funktionsschicht, wobei der Keramikträger (2) aus einem nicht ätzfähigen Material besteht und mit einer ätzfähigen Trägerplatte (1) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass – der Keramikträger (2) durch Flammspritzen oder ein Plasmaspritzverfahren auf der ätzbaren Trägerplatte (1) aufgebracht ist, – die Trägerplatte (1) einen zur Erzeugung einer geringen thermischen Leitfähigkeit an ihrer dem Keramikträger (2) gegenüberliegenden Seite durch Ätzen ausgewählter Stellen dienenden, geschwächten Bereich (1.2) aufweist und – Keramikträger (2) und Trägerplatte (1) formschlüssige Elemente (1.1, 2.1) aufweisen, wobei die formschlüssigen Elemente (1.1, 2.1) aus ausschließlich zur Lagesicherung angebrachten Befestigungsvertiefungen (1.1) in der Trägerplatte (1) und zu den Befestigungsvertiefungen (1.1) korrespondierenden Formelementen (2.1) des Keramikträgers (2) bestehen und – wobei die Funktionsschicht eine hohe thermische Isolation aufweist und dauerhaft im gesamten Betriebstemperaturbereich elastisch vorgespannt ist. Sensor chip with one on a ceramic carrier ( 2 ) applied functional layer, wherein the ceramic carrier ( 2 ) consists of a non-etchable material and with an etchable support plate ( 1 ), characterized in that - the ceramic carrier ( 2 ) by flame spraying or a plasma spraying process on the etchable carrier plate ( 1 ) is applied, - the carrier plate ( 1 ) one for generating a low thermal conductivity at its the ceramic carrier ( 2 ) opposite side by etching selected areas serving weakened area ( 1.2 ) and - ceramic carrier ( 2 ) and support plate ( 1 ) positive-locking elements ( 1.1 . 2.1 ), wherein the positive-locking elements ( 1.1 . 2.1 ) made of exclusively for securing position mounting recesses ( 1.1 ) in the carrier plate ( 1 ) and to the fastening recesses ( 1.1 ) corresponding form elements ( 2.1 ) of the ceramic carrier ( 2 ) and - wherein the functional layer has a high thermal insulation and is permanently elastically biased in the entire operating temperature range. Sensorchip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (1) eine ätzbare Glasplatte ist. Sensor chip according to claim 1, characterized in that the carrier plate ( 1 ) is an etchable glass plate. Sensorchip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (1) eine strukturierbare Polymerkeramikplatte ist. Sensor chip according to claim 1, characterized in that the carrier plate ( 1 ) is a structurable polymer ceramic plate. Sensorchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Funktionsschicht aus Elektroden (3) und einer sensitiven Halbleiterschicht (4) besteht. Sensor chip according to one of the preceding claims, characterized in that the functional layer of electrodes ( 3 ) and a sensitive semiconductor layer ( 4 ) consists. Sensorchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Keramikschicht (2) zum überwiegenden Teil aus Al2O3 oder MgO oder ZrO besteht. Sensor chip according to one of the preceding claims, characterized in that the ceramic layer ( 2 ) consists predominantly of Al 2 O 3 or MgO or ZrO. Sensorchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikträger (2) mit der Trägerplatte (1) und der Funktionsschicht in Form eines Einzelchips (7) ausgebildet ist, welcher durch Stege (8) mit der Trägerplatte (1) verbunden ist. Sensor chip according to one of the preceding claims, characterized in that the ceramic carrier ( 2 ) with the carrier plate ( 1 ) and the functional layer in the form of a single chip ( 7 ) is formed, which by webs ( 8th ) with the carrier plate ( 1 ) connected is. Verfahren zur Herstellung eines Sensorchips mit einer auf einem Keramikträger (2) aufgebrachten Funktionsschicht, wobei eine Sensorplattform hergestellt wird, indem auf einem Trägerelement, welches aus einem ätzfähigen Glas besteht, eine strukturierte Oberfläche erzeugt wird, danach eine Keramikschicht (2) aufgebracht wird und danach an der der Keramikschicht (2) gegenüberliegenden Seite des Trägerelements durch ein Ätzverfahren Bereiche mit Ausnehmungen erzeugt werden und aus der Sensorplattform Einzelsensoren hergestellt werden. Method for producing a sensor chip with one on a ceramic carrier ( 2 ), wherein a sensor platform is produced by a structured surface is produced on a support element, which consists of an etchable glass, then a ceramic layer ( 2 ) is applied and then at the ceramic layer ( 2 ) opposite side of the support element by means of an etching process areas are created with recesses and are made of the sensor platform individual sensors. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Keramikschicht (2) mittels Flammspritzen oder Plasmaspritzen erfolgt. A method according to claim 7, characterized in that the application of the ceramic layer ( 2 ) by means of flame spraying or plasma spraying. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Keramikschicht (2) mittels Plattierungsverfahren erfolgt. A method according to claim 7, characterized in that the application of the ceramic layer ( 2 ) by plating. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Keramikschicht (2) aufgebracht wird, die anschließend in eine hochschmelzende Form überführt wird. Method according to claim 7, characterized in that a ceramic layer ( 2 ) is applied, which is then converted into a refractory form.
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DE4205207A1 (en) * 1992-02-20 1993-08-26 Siemens Ag Gas or liquid flowmeter - has sensor element radially symmetrical w.r.t. centre point in hollow chamber with inlet and outlets
WO2007045113A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-26 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich Thin-film composite and a glass ceramic substrate used in a miniaturised electrochemical device

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