DE102012105286B4 - Microacoustic device with TCF compensation layer - Google Patents
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Abstract
Mikroakustisches Bauelement- mit einem piezoelektrischen Substrat- mit einer Elektrode zur Anregung einer akustischen Welle- mit einer Kompensationsschicht, die ein anormales thermomechanisches Verhalten aufweist- wobei die Kompensationsschicht glasartiges Material auf der Basis von SiOumfasst, und neben SiOals weiteren Bestandteil Glasbildner und/oder übliche Glaszuschläge umfasst, ausgewählt aus BO, SiO, PO, AsO, SbO, InO, SnO, PbO, LiO, CaO, NaO, KO, MgO, RbO, CsO, SrO, TeO, SeO, MoO, WO, BiO, AlO, BaO, VO und SO- bei dem im Glasnetzwerk der Si-O-Si Winkel gegenüber dem Bindungswinkel von 144° von reinem SiOerhöht ist- bei dem die Kompensationsschicht zumindest einen Dotierstoff in einem Anteil von 0,5 - 8,0 Atom % enthält, ausgewählt aus Bor und Phosphor.A microacoustic device comprising a piezoelectric substrate having an electrode for exciting an acoustic wave and having a compensation layer exhibiting abnormal thermomechanical behavior, the compensation layer comprising SiO-based glassy material and, in addition to SiO, another constituent, glass former and / or common glass aggregate B, SiO, PO, AsO, SbO, InO, SnO, PbO, LiO, CaO, NaO, KO, MgO, RbO, CsO, SrO, TeO, SeO, MoO, WO, BiO, AlO, BaO, selected from VO and SO, in which the Si-O-Si angle in the glass network increases from 144 ° of pure SiO, in which the compensation layer contains at least one dopant in a proportion of 0.5-8.0 atom%, selected from Boron and phosphorus.
Description
Die Erfindung betrifft ein mikroakustisches Bauelement, das eine TCF Kompensationsschicht (TCF = Temperaturkoeffizient der Frequenz) aufweist.The invention relates to a microacoustic component which has a TCF compensation layer (TCF = temperature coefficient of frequency).
Frequenzbestimmte Eigenschaften von mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen wie z.B. SAW-Bauelementen (SAW = surface acoustic wave) zeigen zumeist eine Abhängigkeit von der Temperatur. So liegt beispielsweise der Temperaturkoeffizient der Mittenfrequenz (TCF) von SAW Bauelementen typisch bei z.B. 40 ppm/K. Dies liegt daran, dass bei Temperaturerhöhung in der Regel eine thermische Ausdehnung des Substrats stattfindet, die zu einer Vergrößerung des Elektrodenabstandes bei interdigitalen Wandlerstrukturen führt. Da dieser Abstand die Mittenfrequenz des Wandlers und damit des SAW-Bauelements bestimmt, erhöht sich damit auch die Wellenlänge, wobei sich die Mittenfrequenz erniedrigt. Verbunden mit der thermischen Ausdehnung ist jedoch auch eine Änderung der Schallgeschwindigkeit, da sich mit der thermischen Ausdehnung auch die elastischen Eigenschaften des Piezomaterials ändern. Hinzu kommt, dass die meisten üblicherweise verwendeten piezoelektrischen Wafer-Materialien eine starke Anisotropie zeigen und einen kristallachsenabhängigen Temperaturgang ihrer Eigenschaften aufweisen.Frequency-determined properties of acoustic wave devices, e.g. SAW components (SAW = surface acoustic wave) usually show a dependence on the temperature. For example, the temperature coefficient of the center frequency (TCF) of SAW devices is typically at e.g. 40 ppm / K. This is due to the fact that, when the temperature increases, thermal expansion of the substrate generally takes place, which leads to an increase in the electrode spacing in interdigital transducer structures. Since this distance determines the center frequency of the transducer and thus of the SAW device, so does the wavelength, whereby the center frequency is lowered. However, a change in the speed of sound is also associated with the thermal expansion, since the elastic properties of the piezoelectric material also change with the thermal expansion. In addition, most commonly used piezoelectric wafer materials exhibit strong anisotropy and have a crystal axis-dependent temperature response of their properties.
In dem
Aus Matsuda, S. et al. „Investigation of SiO2 Film Properties for Zero Tem-perature Coefficient of Frequency SAW Devices“ ist ein Zusammenhang zwischen den Abscheidebedingungen einer SiO2 umfassenden TCF Kompensationsschicht und dem TCF beschrieben.From Matsuda, S. et al. "Investigation of SiO 2 Film Properties for Zero Temperature Coefficient of Frequency SAW Devices" describes a relationship between the deposition conditions of a SiO 2- containing TCF compensation layer and the TCF.
Aus der
Aus Matsuda, S. et al.: „Application of Fluorine Doped SiO2 Films for Temperature Compensated SAW Devices“ ist es bekannt, mit F dotiertes SiO2 zur TCF-Kompensation zu verwenden.From Matsuda, S. et al .: "Application of Fluorine Doped SiO 2 Films for Temperature Compensated SAW Devices" it is known to use F doped SiO 2 for TCF compensation.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein mikroakustisches Bauelement anzugeben, das eine verbesserte Kompensation für den Temperaturkoeffizienten TCF der Frequenz (TK Kompensation) aufweist.The object of the present invention is to specify a microacoustic component which has an improved compensation for the temperature coefficient TCF of the frequency (TC compensation).
Es wird ein mikroakustisches Bauelement vorgeschlagen, das ein piezoelektrisches Substrat, eine Elektrode zur Anregung einer akustischen Welle und eine Kompensationsschicht, die ein anormales thermomechanisches Verhalten aufweist, umfasst. Als Kompensationsschicht wird ein glasartiges Material auf der Basis von SiO2 vorgeschlagen, bei dem im Glasnetzwerk der Si-O-Si Winkel gegenüber dem Bindungswinkel von 144° von reinem SiO2 erhöht ist.A micro-acoustic device is proposed that comprises a piezoelectric substrate, an acoustic wave excitation electrode, and a compensation layer exhibiting abnormal thermomechanical behavior. As the compensation layer, a glassy material based on SiO 2 is proposed, in which the Si-O-Si angle in the glass network is increased relative to the bond angle of 144 ° of pure SiO 2 .
Unter einem piezoelektrischen Substrat wird hier ein Substrat verstanden, das zumindest eine piezoelektrische Schicht als Funktionsschicht zur Anregung von akustischen Wellen umfasst. Für ein SAW Bauelement ist das piezoelektrische Substrat üblicherweise ein Einkristall eines piezoelektrischen Materials.In this case, a piezoelectric substrate is understood as meaning a substrate which comprises at least one piezoelectric layer as a functional layer for exciting acoustic waves. For a SAW device, the piezoelectric substrate is usually a single crystal of a piezoelectric material.
Es hat sich gezeigt, dass die TK Kompensation in dem Bauelement, das üblicherweise einen negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz aufweist, mit einer solchen Kompensationsschicht, die einen verbesserten (höheren) negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz aufweist, verbessert werden kann gegenüber einem Bauelement mit einer Kompensationsschicht aus reinem SiO2. Das Bauelement zeigt somit einen verringerten oder sogar einen vollständig kompensierten Temperaturgang der Frequenz.It has been found that the TC compensation in the device, which usually has a negative temperature coefficient of frequency, can be improved with such a compensation layer having an improved (higher) negative temperature coefficient of frequency compared to a device with a compensation layer of pure SiO 2 . The device thus exhibits a reduced or even a fully compensated temperature response of the frequency.
Die positive Wirkung der SiO2-Schicht besteht darin, dass sie den gewünschten positiven Temperaturkoeffizienten der akustischen Verzögerung aufweist, während die piezoelektrischen Substrate üblicherweise negativen Temperaturkoeffizienten der akustischen Verzögerung zeigen. Die SAW-Geschwindigkeit ist in der SiO2-Schicht kleiner als beispielsweise in LT. Daher verläuft die Welle vorzugsweise an der Grenzflächen zwischen SiO2-Schicht und Substrat.The positive effect of the SiO 2 layer is that it has the desired positive temperature coefficient of acoustic deceleration, while the piezoelectric substrates usually exhibit negative temperature coefficients of acoustic deceleration. The SAW velocity is smaller in the SiO 2 layer than in LT, for example. Therefore, the wave preferably proceeds at the interface between the SiO 2 layer and the substrate.
Als weiterer Vorteil dieser Maßnahme ergibt sich, dass das SiO2 als gutes Dielektrikum eine hohe Durchbruchsfestigkeit von ca. 1 MV/mm2 aufweist. Die ESD-Festigkeit ist somit erhöht. Dies liegt auch an der „Verrundung“ der Fingerkanten durch die darüber aufgebrachte Schicht. Außerdem ist die Dielektrizitätskonstante von SiO2 mit 3,9 ca. 4 mal so groß wie die von Luft, was die Durchschlagsfestigkeit weiter erhöht. Darüber hinaus wirkt die harte SiO2-Schicht auch als Partikelschutz, beispielsweise gegen einen Kurzschluss, der von Metallpartikeln aus einem Produktionsverfahren herrühren kann. Another advantage of this measure is that the SiO 2 has a high dielectric strength of about 1 MV / mm 2 as a good dielectric. The ESD strength is thus increased. This is also due to the "rounding" of the finger edges by the layer applied over it. In addition, the dielectric constant of SiO 2 at 3.9 is about 4 times that of air, which further increases the dielectric strength. In addition, the hard SiO 2 layer also acts as a particle protection, for example against a short circuit, which may result from metal particles from a production process.
Mit glasartigem SiO2, das einen erhöhten Bindungswinkel aufweist, werden diese Effekte nun nochmals verbessert. Es ist nun sogar erstmals möglich, eine Überkompensation des Temperaturgangs im Bauelement zu bewirken, so dass das erfindungsgemäße Bauelement einen vom Vorzeichen her umgekehrten Temperaturkoeffizienten aufweist.With glassy SiO 2 , which has an increased bond angle, these effects are now further improved. It is now even possible for the first time to cause overcompensation of the temperature variation in the component, so that the component according to the invention has a temperature coefficient which is reversed from the sign.
Eine direkte Beobachtung des Si-O-Si Bindungswinkels im SiO2 der Kompensationsschicht ist über IR Spektroskopie möglich. Als Maß für die Abweichung des Bindungswinkels können in der FT IR Spektroskopie, die ω3 Bande und die ω4 Bande herangezogen werden, die bei reinem, mittels PECVD abgeschiedenem SiO2 bei ca. 815 cm-1 bzw. bei ca. 1055 cm-1 liegen. Weicht der Bindungswinkel aus seiner „natürlichen“ Lage in reinem SiO2 nun im dotierten Material ab und wird größer, so verschiebt sich die ω3 Bande hin zu kleineren Wellenzahlen, die ω4 Bande dagegen hin zu größeren Wellenzahlen.A direct observation of the Si-O-Si bond angle in the SiO 2 of the compensation layer is possible via IR spectroscopy. As a measure of the deviation of the bond angle spectroscopy, ω3 and ω4 band band can be used in the FT IR, which are the case of pure, deposited by means of PECVD SiO 2 at about 815 cm -1 and at about 1055 cm -1 , If the bond angle deviates from its "natural" position in pure SiO 2 in the doped material and becomes larger, the ω3 band shifts toward smaller wavenumbers, whereas the ω4 band shifts toward larger wavenumbers.
Die Kompensationsschicht enthält neben dem SiO2 als weiteren Bestandteil Glasbildner und/oder übliche Glaszuschläge umfassen, die ausgewählt sind aus B2O3, SiO2, P2O5, As2O3, Sb2O3, In2O3, Sn2O3, PbO2, Li2O, CaO, Na2O, K2O, MgO, Rb2O, Cs2O, SrO, TeO2, SeO2, MoO2, WO3, BiO3, Al2O3, BaO, V2O und SO3. Diese Zuschläge verändern zwar nicht unbedingt den Bindungswinkel, können aber die thermomechanischen glasartigen Eigenschaften der Kompensationsschicht weiter verbessern.The compensation layer contains in addition to the SiO 2 as a further constituent glass formers and / or conventional glass aggregates, which are selected from B 2 O 3, SiO 2, P 2 O 5, As 2 O 3, Sb 2 O 3, In 2 O 3, Sn 2 O 3 , PbO 2 , Li 2 O, CaO, Na 2 O, K 2 O, MgO, Rb 2 O, Cs 2 O, SrO, TeO 2 , SeO 2 , MoO 2 , WO 3 , BiO 3 , Al 2 O 3, BaO, V 2 O and SO 3. Although these additions do not necessarily change the bond angle, they can further improve the thermomechanical glassy properties of the compensation layer.
Eine wirksame Aufweitung des Si-O-Si Bindungswinkels gelingt in einer Ausführung sicher mittels einer Dotierung, wobei als diesbezüglich wirksame Dotierstoffe Bor, Phosphor, Fluor oder zusätzliche OH Gruppen im SiO2 enthalten sein können. Solche Dotierstoffe sind auch als netzwerkwandelnde Dotierstoffe bekannt. Durch deren Einbau in die Glasstruktur des SiO2 wird das regelmäßige Quarzgitter gestört bzw. unterbrochen. Die Wirkung bzgl. der Aufweitung des genannten Bindungswinkels und der Temperaturkompensation erhöht sich dabei mit zunehmender Dotierstoffkonzentration.An effective expansion of the Si-O-Si bond angle succeeds in one embodiment certainly by means of a doping, wherein as effective dopants boron, phosphorus, fluorine or additional OH groups may be contained in the SiO 2 . Such dopants are also known as network-converting dopants. By incorporating them into the glass structure of the SiO 2 , the regular quartz lattice is disturbed or interrupted. The effect with respect to the widening of the mentioned bond angle and the temperature compensation increases with increasing dopant concentration.
Die Kompensationsschicht weist im SiO2 zumindest einen Dotierstoff in einem Anteil von 0,5 - 8,0 Atom % auf, ausgewählt aus Bor und Phosphor. Das gegebenenfalls mit weiteren Zuschlägen erhaltene Glas kann auch Bor- oder Phosphor-Silikatglas bezeichnet werden.The compensation layer has in the SiO 2 at least one dopant in a proportion of 0.5 to 8.0 atom%, selected from boron and phosphorus. The glass optionally obtained with further additions may also be called borosilicate or phosphosilicate glass.
In einer Ausführungsform weist die Kompensationsschicht eine relative Dicke von 5-30% bezogen auf die Wellenlänge des Bauelements bei Mittenfrequenz auf. Diese Schichtdicke ist in der Regel ausreichend, eine vollständige Kompensation des Temperaturgangs des Bauelements zu erzielen.In one embodiment, the compensation layer has a relative thickness of 5-30% with respect to the wavelength of the device at center frequency. This layer thickness is usually sufficient to achieve a complete compensation of the temperature coefficient of the device.
In einer Ausführung ist das Bauelement als SAW Bauelement ausgebildet und weist eine als Interdigitalelektrode ausgebildete Elektrode auf, die auf dem Substrat, z.B. zwischen der Kompensationsschicht und dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist.In one embodiment, the device is formed as a SAW device and has an electrode formed as an interdigital electrode, which is mounted on the substrate, e.g. is disposed between the compensation layer and the piezoelectric substrate.
In einer Ausführungsform ist die Kompensationsschicht konform abgeschieden. Dadurch wird in dem SAW Bauelement die Reflektivität pro Elektrodenfinger der Interdigitalelektrode erhöht. Dies liegt daran, dass nun auch die Oberfläche der SiO2-Schicht eine Topographie aufweist, die zumindest teilweise der Topographie der Elektrodenfinger folgt und damit eine eigene Reflektivität besitzt, bzw. die Gesamtreflektivität erhöht.In one embodiment, the compensation layer is conformally deposited. As a result, the reflectivity per electrode finger of the interdigital electrode is increased in the SAW component. This is because now also the surface of the SiO 2 layer has a topography that at least partially follows the topography of the electrode fingers and thus has its own reflectivity, or increases the overall reflectivity.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann die Topographie auf der Oberfläche der SiO2-Schicht durch nachträgliche Strukturierung und andere Maßnahmen gestaltet und mit einem Raster von fingerartigen Erhebungen strukturiert werden. Dabei können die Periode, die relative Fingerbreite, die Kantenwinkel bzw. die Kantenform der Erhebungen an der Oberfläche der SiO2-Schicht/Kompensationsschicht variiert werden. Die Erhebungen können mit der Struktur der Elektrodenfinger übereinstimmen oder von dieser in den oben genannten Punkten abweichen.In a further embodiment of the invention, the topography on the surface of the SiO 2 layer can be designed by subsequent structuring and other measures and structured with a grid of finger-like elevations. In this case, the period the relative finger width, the edge angle or the edge shape of the bumps on the surface of the SiO 2 layer can / compensation layer can be varied. The elevations may coincide with the structure of the electrode fingers or deviate from this in the above-mentioned points.
Es wurde auch gefunden, dass über eine Variation des Kantenwinkels der Elektrodenfinger selbst eine verbesserte Schichtabscheidung der Kompensationsschicht und insbesondere eine bessere Kantenbedeckung möglich ist. Während bekannte Kompensationsschicht aus SiO2 ab einer bestimmten Schichtdicke stark zu Rissen neigen, wird einem von 90° abweichenden Kantenwinkel der Metallisierung und damit einer diesem Kantenwinkel folgenden Topographie der Kompensationsschicht entgegengewirkt und so Risse vermieden. Eine Kompensationsschicht über Bauelementstrukturen mit schrägen und beispielsweise 75° geneigten Kantenwinkeln weist deutlich weniger Risse auf als eine Schicht gleicher Dicke mit üblichen Kantenwinkeln von 90°. Alternativ kann mit einem Kantenwinkel der Metallisierung kleiner 90° die Schichtdicke der Kompensationsschicht erhöht und die Kompensation des TCF verbessert werden, ohne dass dabei verstärkt Risse auftreten. Allgemein neigt aber glasartiges SiO2 weniger zur Rissbildung.It has also been found that a variation of the edge angle of the electrode fingers itself an improved layer deposition of the compensation layer and in particular a better edge coverage is possible. While known compensation layer of SiO 2 tend strongly from a certain layer thickness to cracks, a deviating from 90 ° edge angle of the metallization and thus a corner angle following this topography of the compensation layer is counteracted and thus cracks avoided. A compensation layer over component structures with oblique and, for example, 75 ° inclined edge angles has significantly fewer cracks than a layer of the same thickness with conventional edge angles of 90 °. Alternatively, with an edge angle of Metallization smaller than 90 ° increases the layer thickness of the compensation layer and the compensation of the TCF can be improved without causing increased cracks. Generally, glassy SiO 2 is less prone to cracking.
In einer Ausführung ist über der Kompensationsschicht eine trimmbare Schicht angeordnet. Diese ermöglicht es, die Schichtdicke durch Schichtdickenabtrag die von der Schichtdicke abhängigen Eigenschaften des Bauelements in einem bestimmten Rahmen nachzuregulieren, bzw. zu trimmen. Eine solche trimmbare Schicht kann z.B. Siliciumnitrid umfassen. Dieses ist kontrolliert aufbringbar und lässt sich selektiv gegen SiO2 ätzen. Der Trimmprozess kann dabei auf Waferlevel gleichmäßig für den gesamten Wafer, in dem die Bauelemente ausgebildet sind, durchgeführt werden. Es ist aber auch möglich, Trimmprozesse ortsselektiv durchzuführen, um Inhomogenitäten innerhalb eines Wafers auszugleichen. Inhomogenitäten können aber auch von Wafer zu Wafer oder von Charge zu Charge auftreten und in einem Trimmprozess ausgeglichen werden, für den das Aufbringen der trimmbaren Schicht über oder direkt auf der Kompensationsschicht Voraussetzung ist. Zur Feststellung von Inhomogenitäten oder Abweichungen gegenüber den gewünschten Sollwerten können ausgewählte Bauelemente direkt auf dem Wafer getestet werden.In one embodiment, a trimmable layer is disposed over the compensation layer. This makes it possible to readjust the layer thickness by Schichtdickenabtrag the dependent on the layer thickness properties of the device in a certain frame, or to trim. Such a trimmable layer may comprise, for example, silicon nitride. This can be applied in a controlled manner and can be etched selectively against SiO 2 . The trimming process can be carried out uniformly at wafer level for the entire wafer in which the components are formed. However, it is also possible to carry out location-selective trim processes in order to compensate for inhomogeneities within a wafer. However, inhomogeneities can also occur from wafer to wafer or from batch to batch and can be compensated for in a trimming process, for which the application of the trimmable layer over or directly on the compensation layer is a prerequisite. In order to detect inhomogeneities or deviations from the desired nominal values, selected components can be tested directly on the wafer.
In einer Ausführung umfasst die Elektrode Kupfer. Vorzugsweise besteht die Elektrode überwiegend bis vollständig aus Kupfer. Kupfer ist relativ schwer gegenüber Aluminium . Eine Kupferelektrode weist daher einen größeren Unterschied in der akustischen Dichte zwischen Elektrode und Material der Kompensationsschicht auf. Eine Cu Elektrode wird daher auch von einer akustischen Welle im Bauelement besser „gesehen“ und die Reflektivität ist dadurch erhöht.In one embodiment, the electrode comprises copper. Preferably, the electrode consists predominantly to completely of copper. Copper is relatively heavy against aluminum. A copper electrode therefore has a larger difference in the acoustic density between the electrode and the material of the compensation layer. A Cu electrode is therefore also better "seen" by an acoustic wave in the component and the reflectivity is thereby increased.
Der Aufbau der Elektrode kann als unterste Schicht eine Haftvermittlerschicht aufweisen, die eine innigere Haftung der Elektrode auf dem Substrat erlaubt. Solche Haftvermittlerschichten können Ti, Cr, Ta, Titanoxid Chromoxid, Tantaloxid oder Aluminiumoxid umfassen.The structure of the electrode may have, as the lowermost layer, an adhesion promoter layer which allows a more intimate adhesion of the electrode to the substrate. Such adhesion promoter layers may comprise Ti, Cr, Ta, titanium oxide, chromium oxide, tantalum oxide or aluminum oxide.
Über der Haftvermittlerschicht kann eine das Wachstum beschleunigende Schicht oder ein Bufferschicht angeordnet sein, die ein orientiertes Aufwachsen der Elektrode ermöglicht bzw. unterstützt.Over the primer layer may be disposed a growth accelerating layer or a buffer layer which enables or supports an oriented growth of the electrode.
Weiterhin kann eine Diffusionsbarriere über oder unter der Haftvermittlerschicht aufgebracht sein, die eine mögliche Diffusion von Metall aus der Elektrode ins Substrat und/oder von Sauerstoff aus dem Material des Substrats in die Elektrode verhindert.Furthermore, a diffusion barrier can be applied above or below the adhesion promoter layer, which prevents possible diffusion of metal from the electrode into the substrate and / or oxygen from the material of the substrate into the electrode.
Als Deckschicht über der Elektrode kann noch eine Passivierungsschicht oder alternativ weitere Haftvermittlerschicht aufgebracht sein. Eine Passivierungsschicht kann die chemisch/oxidative Beständigkeit der Elektrode erhöhen. Solche Passivierungsschichten können aus anorganischen Dielektrika ausgewählt sein, insbesondere aus der Gruppe der Oxide, Silizide, Nitride und Carbide. Eine weitere Haftvermittlerschicht kann die Haftung zwischen Elektrode und Kompensationsschicht verbessern.As a cover layer over the electrode, a passivation layer or alternatively further adhesion promoter layer can be applied. A passivation layer can increase the chemical / oxidative stability of the electrode. Such passivation layers may be selected from inorganic dielectrics, in particular from the group of oxides, silicides, nitrides and carbides. Another adhesion promoter layer can improve the adhesion between the electrode and the compensation layer.
In einer Ausführung ist das Bauelement ein auf einem Substrat angeordneter BAW Resonator (BAW = bulk acoustic wave), bei dem die Kompensationsschicht zwischen Substrat und einer Elektrode, insbesondere der Bodenelektrode des Resonators angeordnet ist.In one embodiment, the component is a BAW resonator (BAW = bulk acoustic wave) arranged on a substrate, in which the compensation layer is arranged between the substrate and an electrode, in particular the bottom electrode of the resonator.
In einer Ausführung ist die Kompensationsschicht Teil eines GBAW Bauelements (GBAW = guided bulk acoustic wave) und ist über dem mit der Elektrode versehenen piezoelektrischen Substrat angeordnet ist. Dort kann die Kompensationsschicht als Wellenleiterschicht des GBAW Bauelements wirken.In one embodiment, the compensation layer is part of a GBAW (guided bulk acoustic wave) device and is disposed over the piezoelectric substrate provided with the electrode. There, the compensation layer can act as a waveguide layer of the GBAW device.
In einer weiteren Ausführung umfasst das Bauelement ein erstes und ein zweites Filter. Im erstes Filter ist der Temperaturgang der Mittenfrequenz durch eine entsprechend eingestellte Kompensationsschicht negativ und somit überkompensiert. Das zweite Filter ist elektrisch mit dem ersten Filter verschaltet und weist einen positiven Temperaturgang der Mittenfrequenz auf. Die Verschaltung von erstem und zweitem Filter erfolgt so, dass im Bauelement insgesamt eine vollständige Kompensation des Temperaturgangs der Mittenfrequenz erreicht ist.In a further embodiment, the component comprises a first and a second filter. In the first filter, the temperature response of the center frequency is negatively and thus overcompensated by an appropriately set compensation layer. The second filter is electrically connected to the first filter and has a positive temperature response of the center frequency. The interconnection of the first and second filters is carried out in such a way that a complete compensation of the temperature response of the center frequency is achieved in the component as a whole.
Die Erfindung hat den Vorteil, dass das vorgeschlagene neue Material für die Kompensationsschicht mittels herkömmlicher schon bisher für die Herstellung von mikroakustischen Bauelementen verwendeter Verfahren hergestellt werden kann und sich somit problemlos in den bekannten Herstellungsprozess einbinden lässt.The invention has the advantage that the proposed new material for the compensation layer can be produced by means of conventional methods already used hitherto for the production of microacoustic components and can thus be incorporated without problems into the known production process.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen schematischen Figuren näher erläutert. Die Figuren dienen allein dem Verständnis der Erfindung und sind nicht maßstabsgetreu ausgeführt. Ihnen können daher weder absolute noch relative Maßangaben entnommen werden.
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1A zeigt ein SAW-Bauelement mit einer Kompensationsschicht, -
1B zeigt eine Variante eines SAW-Bauelements, -
1C zeigt einen BAW-Resonator mit einer Kompensationsschicht, -
1D zeigt ein GBAW-Bauelement mit einer erfindungsgemäßen Kompensationsschicht als Wellenleiterschicht, -
1E zeigt eine Variante eines GBAW-Bauelements mit einer Kompensationsschicht, -
2 zeigt ein SAW-Bauelement mit einer strukturierten Kompensationsschicht, -
3 zeigt IR Absorptionsbanden unterschiedlicher als Kompensationsschicht eingesetzter Materialien, -
4 zeigt in einem Diagramm die Veränderung des des Temperaturkoeffizienten TCF der Frequenz in Abhängigkeit vom Dotierstoffgehalt in der Kompensationsschicht, hier vom Phosphorgehalt.
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1A shows a SAW device with a compensation layer, -
1B shows a variant of a SAW device, -
1C shows a BAW resonator with a compensation layer, -
1D shows a GBAW device with a compensation layer according to the invention as a waveguide layer, -
1E shows a variant of a GBAW device with a compensation layer, -
2 shows a SAW device with a structured compensation layer, -
3 shows IR absorption bands of different materials used as compensation layer, -
4 shows in a diagram the change of the temperature coefficient TCF of the frequency as a function of the dopant content in the compensation layer, here the phosphorus content.
Auf der gesamten Oberfläche, also über der Elektrode
Die Kompensationsschicht
Mit der Kompensationsschicht gelingt es den aufgrund der für das „nackte“ SAW Bauelement verwendeten Materialien negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz zu kompensieren.The compensation layer makes it possible to compensate for the negative temperature coefficients of the frequency due to the materials used for the "bare" SAW device.
Die dazu erforderliche relative Dicke (bezogen auf die in der Kompensationsschicht ausbreitungsfähige akustische Welle) der Kompensationsschicht
Die Schichtdicke der Kompensationsschicht wird so gewählt, dass zum Einen die gewünschte Mittenfrequenz des BAW-Resonators getroffen wird und dass zum Anderen die Temperaturkompensation in einem gewünschten Ausmaß erfolgt, wobei insbesondere eine vollständige Kompensation angestrebt wird.The layer thickness of the compensation layer is chosen so that, on the one hand, the desired center frequency of the BAW resonator is hit and, on the other hand, the temperature compensation takes place to a desired extent, in particular a complete compensation is sought.
Ansonsten weist der BAW-Resonator einen herkömmlich bekannten Aufbau auf. Das Substrat, hier der piezoelektrische Reonatorkörper kann Materialen wie Zinkoxid oder Aluminiumnitrid oder eine PZT-Keramik umfassen. Vorzugsweise ist zumindest eine der metallischen Elektroden
Der BAW-Resonator kann entweder beiderseits gegen Luft schwingen, kann auf einer Membran angeordnet sein oder kann fest auf einem Trägersubstrat aufliegen, wobei dann vorzugsweise ein akustischer Spiegel zwischen der unteren Elektrode
Die Dicke der Kompensationsschicht
Als Elektrodenmaterial können die für SAW-Bauelemente bekannten und insbesondere die oben angeführten schweren Metalle eingesetzt werden. Die Elektrode EL kann neben metallischen Teilschichten weitere Teilschichten umfassen, ausgewählt aus Haftvermittlerschicht, Diffusionsbarriereschicht und Passivierungsschicht. As electrode material, the SAW components known and in particular the above-mentioned heavy metals can be used. The electrode EL can comprise, in addition to metallic sublayers, further sublayers selected from the adhesion promoter layer, the diffusion barrier layer and the passivation layer.
Es zeigt sich, dass das Material des Vergleichsversuchs
Die in diesem Ausschnitt des Spektrums Omega 3-Bande zeigt ebenfalls eine Verschiebung, die gegenüber dem Grundwert des Vergleichsbeispiels
Zur Überprüfung dieser Aussage wird in
Es zeigt sich, dass der Temperaturkoeffizient TCF hier im gewählten Beispiel bei ca. 6 % Phosphorgehalt eine vollständige Kompensation erfährt, bei weiter steigenden Phosphorgehalten deutlich überkompensiert wird und danach in eine Sättigung übergeht.It can be seen that the temperature coefficient TCF here in the example chosen at about 6% phosphorus content, a complete compensation undergoes significantly overcompensated at further increasing phosphorus contents and then goes into a saturation.
Der erforderlich Dotierstoffgehalt für eine vollständige Kompensation (TCF = 0) ist natürlich noch von weiteren Parametern, insbesondere der Schichtdicke der Kompensationsschicht oder von den im Bauelement verwendeten Materialien abhängig.Of course, the required dopant content for complete compensation (TCF = 0) depends on further parameters, in particular the layer thickness of the compensation layer or on the materials used in the component.
Mit anderen Dotierstoffen oder Dotierstoffkombinationen sind ähnliche gegebenenfalls leicht abweichende Ergebnisse zu erwarten.With other dopants or dopant combinations, similar, possibly slightly different, results are to be expected.
Die Erfindung ist nicht auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung beliebige Kombinationen der als erfindungsgemäß dargestellten Merkmale und dies in unterschiedlichsten Bauelementen, zu denen alle Arten mikroakustischer Bauelemente gerechnet werden können.The invention is not limited to the exemplary embodiments illustrated in the figures. Rather, the invention encompasses any combination of the features illustrated according to the invention and this in a variety of components to which all types of micro-acoustic components can be expected.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- SUSU
- piezoelektrisches Substratpiezoelectric substrate
- EL1, EL2EL1, EL2
- Elektrodeelectrode
- KLKL
- Kompensationsschichtcompensation layer
- V0V0
- Referenzbeispielreference example
- V1, V2, V3V1, V2, V3
- Ausführungsbeispieleembodiments
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