DE102012105286A1

DE102012105286A1 - Microacoustic device with TCF compensation layer

Info

Publication number: DE102012105286A1
Application number: DE102012105286A
Authority: DE
Inventors: Matthias Honal; Günter Scheinbacher; Ulrich Knauer
Original assignee: Epcos AG
Current assignee: SnapTrack Inc
Priority date: 2012-06-18
Filing date: 2012-06-18
Publication date: 2013-12-19
Anticipated expiration: 2032-06-19
Also published as: WO2013189631A1; DE102012105286B4

Abstract

Es wird ein mikroakustisches Bauelement vorgeschlagen, das ein piezoelektrisches Substrat, eine Elektrode zur Anregung einer akustischen Welle und eine Kompensationsschicht, die ein anormales thermomechanisches Verhalten aufweist, umfasst. Als Kompensationsschicht wird ein glasartiges Material auf der Basis von SiO2 vorgeschlagen, bei dem im Glasnetzwerk der Si-O-Si Winkel gegenüber dem Bindungswinkel von 144° von reinem SiO2 erhöht ist.A micro-acoustic device is proposed that comprises a piezoelectric substrate, an acoustic wave excitation electrode, and a compensation layer exhibiting abnormal thermomechanical behavior. As a compensation layer, a glassy material based on SiO 2 is proposed, in which the Si-O-Si angle in the glass network is increased in relation to the bond angle of 144 ° of pure SiO 2.

Description

Die Erfindung betrifft ein mikroakustisches Bauelement, das eine TCF Kompensationsschicht (TCF = Temperaturkoeffizient der Frequenz) aufweist.The invention relates to a microacoustic component which has a TCF compensation layer (TCF = temperature coefficient of frequency).

Frequenzbestimmte Eigenschaften von mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen wie z.B. SAW-Bauelementen (SAW = surface acoustic wave) zeigen zumeist eine Abhängigkeit von der Temperatur. So liegt beispielsweise der Temperaturkoeffizient der Mittenfrequenz (TCF) von SAW Bauelementen typisch bei z.B. 40 ppm/K. Dies liegt daran, dass bei Temperaturerhöhung in der Regel eine thermische Ausdehnung des Substrats stattfindet, die zu einer Vergrößerung des Elektrodenabstandes bei interdigitalen Wandlerstrukturen führt. Da dieser Abstand die Mittenfrequenz des Wandlers und damit des SAW-Bauelements bestimmt, erhöht sich damit auch die Wellenlänge, wobei sich die Mittenfrequenz erniedrigt. Verbunden mit der thermischen Ausdehnung ist jedoch auch eine Änderung der Schallgeschwindigkeit, da sich mit der thermischen Ausdehnung auch die elastischen Eigenschaften des Piezomaterials ändern. Hinzu kommt, dass die meisten üblicherweise verwendeten piezoelektrischen Wafer-Materialien eine starke Anisotropie zeigen und einen kristallachsenabhängigen Temperaturgang ihrer Eigenschaften aufweisen. Frequency-determined properties of acoustic wave devices, e.g. SAW components (SAW = surface acoustic wave) usually show a dependence on the temperature. For example, the temperature coefficient of the center frequency (TCF) of SAW devices is typically at e.g. 40 ppm / K. This is due to the fact that, when the temperature increases, thermal expansion of the substrate generally takes place, which leads to an increase in the electrode spacing in interdigital transducer structures. Since this distance determines the center frequency of the transducer and thus of the SAW device, so does the wavelength, whereby the center frequency is lowered. However, a change in the speed of sound is also associated with the thermal expansion, since the elastic properties of the piezoelectric material also change with the thermal expansion. In addition, most commonly used piezoelectric wafer materials exhibit strong anisotropy and have a crystal axis-dependent temperature response of their properties.

In dem US Patent 7,589,452 B1 wird ein mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement vorgeschlagen, welches verschiedene Maßnahmen zur Absenkung des Temperaturgangs (TK Kompensation) insbesondere der Resonanzfrequenz kombiniert. Das Bauelement weist auf der Oberseite elektrisch leitende Bauelementstrukturen und auf der Unterseite eine Kompensationsschicht auf, die mechanisch fest so mit dem Substrat verbunden ist, dass eine mechanische Verspannung entsteht, oder sich bei Temperaturänderung aufbaut. Über den Bauelementstrukturen ist eine relativ dicke SiO₂-Schicht angeordnet. Nachteilig an dieser Lösung ist, dass die erforderliche Reflektivität der Elektroden nur mit schweren Elektroden erhalten wird. In der SiO₂ Schicht findet zudem eine schlechte Wellenleitung statt, so dass die maximal erreichbare TK Kompensation limitiert ist. Dies ist insbesondere für SAW Bauelemente unbefriedigend und für einige Anwendungen unzureichend. Darüber hinaus sind die bekannten Maßnahmen zur TK Kompensation mit teils unakzeptablen Verlusten bei Kopplung, Bandbreite und Dämpfung verbunden.By doing U.S. Patent 7,589,452 B1 a working with acoustic waves component is proposed, which combines various measures to lower the temperature response (TK compensation) in particular the resonant frequency. The component has electrically conductive component structures on the upper side and a compensation layer on the underside, which is mechanically firmly connected to the substrate in such a way that a mechanical stress arises or builds up when the temperature changes. Above the component structures, a relatively thick SiO ₂ layer is arranged. A disadvantage of this solution is that the required reflectivity of the electrodes is obtained only with heavy electrodes. In the SiO ₂ layer there is also a bad waveguide, so that the maximum achievable TC compensation is limited. This is unsatisfactory especially for SAW devices and insufficient for some applications. In addition, the known measures for TC compensation are associated with partly unacceptable losses in coupling, bandwidth and attenuation.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein mikroakustisches Bauelement anzugeben, das eine verbesserte Kompensation für den Temperaturkoeffizienten TCF der Frequenz (TK Kompensation) aufweist.The object of the present invention is to specify a microacoustic component which has an improved compensation for the temperature coefficient TCF of the frequency (TC compensation).

Es wird ein mikroakustisches Bauelement vorgeschlagen, das ein piezoelektrisches Substrat, eine Elektrode zur Anregung einer akustischen Welle und eine Kompensationsschicht, die ein anormales thermomechanisches Verhalten aufweist, umfasst. Als Kompensationsschicht wird ein glasartiges Material auf der Basis von SiO₂ vorgeschlagen, bei dem im Glasnetzwerk der Si-O-Si Winkel gegenüber dem Bindungswinkel von 144° von reinem SiO₂ erhöht ist.A micro-acoustic device is proposed that comprises a piezoelectric substrate, an acoustic wave excitation electrode, and a compensation layer exhibiting abnormal thermomechanical behavior. As the compensation layer, a glassy material based on SiO _{2 is} proposed, in which the Si-O-Si angle in the glass network is increased relative to the bond angle of 144 ° of pure SiO ₂ .

Unter einem piezoelektrischen Substrat wird hier ein Substrat verstanden, das zumindest eine piezoelektrische Schicht als Funktionsschicht zur Anregung von akustischen Wellen umfasst. Für ein SAW Bauelement ist das piezoelektrische Substrat üblicherweise ein Einkristall eines piezoelektrischen Materials.In this case, a piezoelectric substrate is understood as meaning a substrate which comprises at least one piezoelectric layer as a functional layer for exciting acoustic waves. For a SAW device, the piezoelectric substrate is usually a single crystal of a piezoelectric material.

Es hat sich gezeigt, dass die TK Kompensation in dem Bauelement, das üblicherweise einen negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz aufweist, mit einer solchen Kompensationsschicht, die einen verbesserten (höheren) negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz aufweist, verbessert werden kann gegenüber einem Bauelement mit einer Kompensationsschicht aus reinem SiO₂. Das Bauelement zeigt somit einen verringerten oder sogar einen vollständig kompensierten Temperaturgang der Frequenz.It has been found that the TC compensation in the device, which usually has a negative temperature coefficient of frequency, can be improved with such a compensation layer having an improved (higher) negative temperature coefficient of frequency compared to a device with a compensation layer of pure SiO ₂ . The device thus exhibits a reduced or even a fully compensated temperature response of the frequency.

Die positive Wirkung der SiO₂-Schicht besteht darin, dass sie den gewünschten positiven Temperaturkoeffizienten der akustischen Verzögerung aufweist, während die piezoelektrischen Substrate üblicherweise negativen Temperaturkoeffizienten der akustischen Verzögerung zeigen. Die SAW-Geschwindigkeit ist in der SiO₂-Schicht kleiner als beispielsweise in LT. Daher verläuft die Welle vorzugsweise an der Grenzflächen zwischen SiO₂-Schicht und Substrat.The positive effect of the SiO ₂ layer is that it has the desired positive temperature coefficient of acoustic deceleration, while the piezoelectric substrates usually exhibit negative temperature coefficients of acoustic deceleration. The SAW velocity is smaller in the SiO ₂ layer than in LT, for example. Therefore, the wave preferably proceeds at the interface between the SiO ₂ layer and the substrate.

Als weiterer Vorteil dieser Maßnahme ergibt sich, dass das SiO₂ als gutes Dielektrikum eine hohe Durchbruchsfestigkeit von ca. 1 MV/mm² aufweist. Die ESD-Festigkeit ist somit erhöht. Dies liegt auch an der "Verrundung" der Fingerkanten durch die darüber aufgebrachte Schicht. Außerdem ist die Dielektrizitätskonstante von SiO₂ mit 3,9 ca. 4 mal so groß wie die von Luft, was die Durchschlagsfestigkeit weiter erhöht. Darüber hinaus wirkt die harte SiO₂-Schicht auch als Partikelschutz, beispielsweise gegen einen Kurzschluss, der von Metallpartikeln aus einem Produktionsverfahren herrühren kann.Another advantage of this measure is that the SiO _{2 has} a high dielectric strength of about 1 MV / mm ² as a good dielectric. The ESD strength is thus increased. This is also due to the "rounding" of the finger edges by the layer applied over it. In addition, the dielectric constant of SiO ₂ at 3.9 is about 4 times that of air, which further increases the dielectric strength. In addition, the hard SiO ₂ layer also acts as a particle protection, for example against a short circuit, which may result from metal particles from a production process.

Mit glasartigem SiO₂, das einen erhöhten Bindungswinkel aufweist, werden diese Effekte nun nochmals verbessert. Es ist nun sogar erstmals möglich, eine Überkompensation des Temperaturgangs im Bauelement zu bewirken, so dass das erfindungsgemäße Bauelement einen vom Vorzeichen her umgekehrten Temperaturkoeffizienten aufweist.With glassy SiO ₂ , which has an increased bond angle, these effects are now further improved. It is now even possible for the first time to cause an overcompensation of the temperature variation in the component, so that the inventive component has a reversed from the sign temperature coefficient.

Eine direkte Beobachtung des Si-O-Si Bindungswinkels im SiO₂ der Kompensationsschicht ist über IR Spektroskopie möglich. Als Maß für die Abweichung des Bindungswinkels können in der FT IR Spektroskopie, die ω3 Bande und die ω4 Bande herangezogen werden, die bei reinem, mittels PECVD abgeschiedenem SiO₂ bei ca. 815^–1 cm bzw. bei ca. 1055 cm^–1 liegen. Weicht der Bindungswinkel aus seiner „natürlichen“ Lage in reinem SiO₂ nun im dotierten Material ab und wird größer, so verschiebt sich die ω3 Bande hin zu kleineren Wellenzahlen, die ω4 Bande dagegen hin zu größeren Wellenzahlen.A direct observation of the Si-O-Si bond angle in the SiO _{2 of} the compensation layer is possible via IR spectroscopy. As a measure of the deviation of the bond angle, the FTIR spectroscopy, the ω3 band and the ω4 band can be used, which in the case of pure SiO ₂ deposited by means of PECVD are approximately 815 ^-1 cm or approximately 1055 cm ^-1 , If the bond angle deviates from its "natural" position in pure SiO ₂ in the doped material and becomes larger, the ω3 band shifts toward smaller wavenumbers, whereas the ω4 band shifts toward larger wavenumbers.

Die Kompensationsschicht kann neben dem SiO₂ in einer Ausführung als weiteren Bestandteil Glasbildner und/oder übliche Glaszuschläge umfassen, die ausgewählt sind aus B₂O₃, SiO₂, P₂O₅, As₂O₃, Sb₂O₃, In₂O₃, Sn₂O₃, PbO₂, Li₂O, CaO, Na₂O, K₂O, MgO, Rb₂O, Cs₂O, SrO, TeO₂, SeO₂, MoO₂, WO₃, BiO₃, Al₂O₃, BaO, V₂O und SO₃. Diese Zuschläge verändern zwar nicht unbedingt den Bindungswinkel, können aber die thermomechanischen glasartigen Eigenschaften der Kompensationsschicht weiter verbessern. In addition to the SiO ₂ in one embodiment, the compensation layer may comprise, as a further constituent, glass formers and / or customary glass aggregates selected from B ₂ O ₃ , SiO ₂ , P ₂ O ₅ , As ₂ O ₃ , Sb ₂ O ₃ , In ₂ O ₃ , Sn ₂ O ₃ , PbO ₂ , Li ₂ O, CaO, Na ₂ O, K ₂ O, MgO, Rb ₂ O, Cs ₂ O, SrO, TeO ₂ , SeO ₂ , MoO ₂ , WO ₃ , BiO ₃ , Al ₂ O ₃ , BaO, V ₂ O and SO ₃ . Although these additions do not necessarily change the bond angle, they can further improve the thermomechanical glassy properties of the compensation layer.

Eine wirksame Aufweitung des Si-O-Si Bindungswinkels gelingt in einer Ausführung sicher mittels einer Dotierung, wobei als diesbezüglich wirksame Dotierstoffe Bor, Phosphor, Fluor oder zusätzliche OH Gruppen im SiO₂ enthalten sein können. Solche Dotierstoffe sind auch als netzwerkwandelnde Dotierstoffe bekannt. Durch deren Einbau in die Glasstruktur des SiO₂ wird das regelmäßige Quarzgitter gestört bzw. unterbrochen. Die Wirkung bzgl. der Aufweitung des genannten Bindungswinkels und der Temperaturkompensation erhöht sich dabei mit zunehmender Dotierstoffkonzentration. An effective expansion of the Si-O-Si bond angle succeeds in one embodiment certainly by means of a doping, wherein as effective dopants boron, phosphorus, fluorine or additional OH groups may be contained in the SiO ₂ . Such dopants are also known as network-converting dopants. By incorporating them into the glass structure of the SiO ₂ , the regular quartz lattice is disturbed or interrupted. The effect with respect to the widening of the mentioned bond angle and the temperature compensation increases with increasing dopant concentration.

In einer Ausführung weist die Kompensationsschicht im SiO₂ zumindest einen Dotierstoff in einem Anteil von 0,5–8,0 Atom % enthält, ausgewählt aus Bor und Phosphor. Das gegebenenfalls mit weiteren Zuschlägen erhaltene Glas kann auch Bor- oder Phosphor-Silikatglas bezeichnet werden.In one embodiment, the compensation layer in SiO _{2 contains} at least one dopant in a proportion of 0.5-8.0 atom%, selected from boron and phosphorus. The glass optionally obtained with further additions may also be called borosilicate or phosphosilicate glass.

In einer Ausführungsform weist die Kompensationsschicht eine relative Dicke von 5–30% bezogen auf die Wellenlänge des Bauelements bei Mittenfrequenz auf. Diese Schichtdicke ist in der Regel ausreichend, eine vollständige Kompensation des Temperaturgangs des Bauelements zu erzielen.In one embodiment, the compensation layer has a relative thickness of 5-30% with respect to the wavelength of the device at center frequency. This layer thickness is usually sufficient to achieve a complete compensation of the temperature coefficient of the device.

In einer Ausführung ist das Bauelement als SAW Bauelement ausgebildet und weist eine als Interdigitalelektrode ausgebildete Elektrode auf, die auf dem Substrat, z.B. zwischen der Kompensationsschicht und dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist.In one embodiment, the device is formed as a SAW device and has an electrode formed as an interdigital electrode, which is mounted on the substrate, e.g. is disposed between the compensation layer and the piezoelectric substrate.

In einer Ausführungsform ist die Kompensationsschicht konform abgeschieden. Dadurch wird in dem SAW Bauelement die Reflektivität pro Elektrodenfinger der Interdigitalelektrode erhöht. Dies liegt daran, dass nun auch die Oberfläche der SiO₂-Schicht eine Topographie aufweist, die zumindest teilweise der Topographie der Elektrodenfinger folgt und damit eine eigene Reflektivität besitzt, bzw. die Gesamtreflektivität erhöht. In one embodiment, the compensation layer is conformally deposited. As a result, the reflectivity per electrode finger of the interdigital electrode is increased in the SAW component. This is because now also the surface of the SiO ₂ layer has a topography that at least partially follows the topography of the electrode fingers and thus has its own reflectivity, or increases the overall reflectivity.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann die Topographie auf der Oberfläche der SiO₂-Schicht durch nachträgliche Strukturierung und andere Maßnahmen gestaltet und mit einem Raster von fingerartigen Erhebungen strukturiert werden. Dabei können die Periode, die relative Fingerbreite, die Kantenwinkel bzw. die Kantenform der Erhebungen an der Oberfläche der SiO₂-Schicht/Kompensationsschicht variiert werden. Die Erhebungen können mit der Struktur der Elektrodenfinger übereinstimmen oder von dieser in den oben genannten Punkten abweichen. In a further embodiment of the invention, the topography on the surface of the SiO ₂ layer can be designed by subsequent structuring and other measures and structured with a grid of finger-like elevations. In this case, the period, the relative finger width, the edge angle or the edge shape of the elevations on the surface of the SiO ₂ layer / compensation layer can be varied. The elevations may coincide with the structure of the electrode fingers or deviate from this in the above-mentioned points.

Es wurde auch gefunden, dass über eine Variation des Kantenwinkels der Elektrodenfinger selbst eine verbesserte Schichtabscheidung der Kompensationsschicht und insbesondere eine bessere Kantenbedeckung möglich ist. Während bekannte Kompensationsschicht aus SiO₂ ab einer bestimmten Schichtdicke stark zu Rissen neigen, wird einem von 90° abweichenden Kantenwinkel der Metallisierung und damit einer diesem Kantenwinkel folgenden Topographie der Kompensationsschicht entgegengewirkt und so Risse vermieden. Eine Kompensationsschicht über Bauelementstrukturen mit schrägen und beispielsweise 75° geneigten Kantenwinkeln weist deutlich weniger Risse auf als eine Schicht gleicher Dicke mit üblichen Kantenwinkeln von 90°. Alternativ kann mit einem Kantenwinkel der Metallisierung kleiner 90° die Schichtdicke der Kompensationsschicht erhöht und die Kompensation des TCF verbessert werden, ohne dass dabei verstärkt Risse auftreten. Allgemein neigt aber glasartiges SiO₂ weniger zur Rissbildung.It has also been found that a variation of the edge angle of the electrode fingers itself an improved layer deposition of the compensation layer and in particular a better edge coverage is possible. While known compensation layer of SiO ₂ tend strongly from a certain layer thickness to cracks, a deviating from 90 ° edge angle of the metallization and thus a corner angle following this topography of the compensation layer is counteracted and thus cracks avoided. A compensation layer over component structures with oblique and, for example, 75 ° inclined edge angles has significantly fewer cracks than a layer of the same thickness with conventional edge angles of 90 °. Alternatively, with an edge angle of the metallization smaller than 90 °, the layer thickness of the compensation layer can be increased and the compensation of the TCF can be improved without causing increased cracks. Generally, glassy SiO _{2 is} less prone to cracking.

In einer Ausführung ist über der Kompensationsschicht eine trimmbare Schicht angeordnet. Diese ermöglicht es, die Schichtdicke durch Schichtdickenabtrag die von der Schichtdicke abhängigen Eigenschaften des Bauelements in einem bestimmten Rahmen nachzuregulieren, bzw. zu trimmen. Eine solche trimmbare Schicht kann z.B. Siliciumnitrid umfassen. Dieses ist kontrolliert aufbringbar und lässt sich selektiv gegen SiO₂ ätzen. Der Trimmprozess kann dabei auf Waferlevel gleichmäßig für den gesamten Wafer, in dem die Bauelemente ausgebildet sind, durchgeführt werden. Es ist aber auch möglich, Trimmprozesse ortsselektiv durchzuführen, um Inhomogenitäten innerhalb eines Wafers auszugleichen. Inhomogenitäten können aber auch von Wafer zu Wafer oder von Charge zu Charge auftreten und in einem Trimmprozess ausgeglichen werden, für den das Aufbringen der trimmbaren Schicht über oder direkt auf der Kompensationsschicht Voraussetzung ist. Zur Feststellung von Inhomogenitäten oder Abweichungen gegenüber den gewünschten Sollwerten können ausgewählte Bauelemente direkt auf dem Wafer getestet werden.In one embodiment, a trimmable layer is disposed over the compensation layer. This makes it possible to readjust the layer thickness by Schichtdickenabtrag the dependent on the layer thickness properties of the device in a certain frame, or to trim. Such a trimmable layer may comprise, for example, silicon nitride. This can be applied in a controlled manner and can be etched selectively against SiO ₂ . The trimming process can be carried out uniformly at wafer level for the entire wafer in which the components are formed. It is also it is possible to perform trimming processes in a location-selective manner in order to compensate for inhomogeneities within a wafer. However, inhomogeneities can also occur from wafer to wafer or from batch to batch and can be compensated for in a trimming process, for which the application of the trimmable layer over or directly on the compensation layer is a prerequisite. In order to detect inhomogeneities or deviations from the desired nominal values, selected components can be tested directly on the wafer.

In einer Ausführung umfasst die Elektrode Kupfer. Vorzugsweise besteht die Elektrode überwiegend bis vollständig aus Kupfer. Kupfer ist relativ schwer gegenüber Aluminium . Eine Kupferelektrode weist daher einen größeren Unterschied in der akustischen Dichte zwischen Elektrode und Material der Kompensationsschicht auf. Eine Cu Elektrode wird daher auch von einer akustischen Welle im Bauelement besser „gesehen“ und die Reflektivität ist dadurch erhöht.In one embodiment, the electrode comprises copper. Preferably, the electrode consists predominantly to completely of copper. Copper is relatively heavy against aluminum. A copper electrode therefore has a larger difference in the acoustic density between the electrode and the material of the compensation layer. A Cu electrode is therefore also better "seen" by an acoustic wave in the component and the reflectivity is thereby increased.

Der Aufbau der Elektrode kann als unterste Schicht eine Haftvermittlerschicht aufweisen, die eine innigere Haftung der Elektrode auf dem Substrat erlaubt. Solche Haftvermittlerschichten können Ti, Cr, Ta, Titanoxid Chromoxid, Tantaloxid oder Aluminiumoxid umfassen. The structure of the electrode may have, as the lowermost layer, an adhesion promoter layer which allows a more intimate adhesion of the electrode to the substrate. Such adhesion promoter layers may comprise Ti, Cr, Ta, titanium oxide, chromium oxide, tantalum oxide or aluminum oxide.

Über der Haftvermittlerschicht kann eine das Wachstum beschleunigende Schicht oder ein Bufferschicht angeordnet sein, die ein orientiertes Aufwachsen der Elektrode ermöglicht bzw. unterstützt. Over the primer layer may be disposed a growth accelerating layer or a buffer layer which enables or supports an oriented growth of the electrode.

Weiterhin kann eine Diffusionsbarriere über oder unter der Haftvermittlerschicht aufgebracht sein, die eine mögliche Diffusion von Metall aus der Elektrode ins Substrat und/oder von Sauerstoff aus dem Material des Substrats in die Elektrode verhindert.Furthermore, a diffusion barrier can be applied above or below the adhesion promoter layer, which prevents possible diffusion of metal from the electrode into the substrate and / or oxygen from the material of the substrate into the electrode.

Als Deckschicht über der Elektrode kann noch eine Passivierungsschicht oder alternativ weitere Haftvermittlerschicht aufgebracht sein. Eine Passivierungsschicht kann die chemisch/oxidative Beständigkeit der Elektrode erhöhen. Solche Passivierungsschichten können aus anorganischen Dielektrika ausgewählt sein, insbesondere aus der Gruppe der Oxide, Silizide, Nitride und Carbide. Eine weitere Haftvermittlerschicht kann die Haftung zwischen Elektrode und Kompensationsschicht verbessern.As a cover layer over the electrode, a passivation layer or alternatively further adhesion promoter layer can be applied. A passivation layer can increase the chemical / oxidative stability of the electrode. Such passivation layers may be selected from inorganic dielectrics, in particular from the group of oxides, silicides, nitrides and carbides. Another adhesion promoter layer can improve the adhesion between the electrode and the compensation layer.

In einer Ausführung ist das Bauelement ein auf einem Substrat angeordneter BAW Resonator (BAW = bulk acoustic wave), bei dem die Kompensationsschicht zwischen Substrat und einer Elektrode, insbesondere der Bodenelektrode des Resonators angeordnet ist.In one embodiment, the component is a BAW resonator (BAW = bulk acoustic wave) arranged on a substrate, in which the compensation layer is arranged between the substrate and an electrode, in particular the bottom electrode of the resonator.

In einer Ausführung ist die Kompensationsschicht Teil eines GBAW Bauelements (GBAW = guided bulk acoustic wave) und ist über dem mit der Elektrode versehenen piezoelektrischen Substrat angeordnet ist. Dort kann die Kompensationsschicht als Wellenleiterschicht des GBAW Bauelements wirken.In one embodiment, the compensation layer is part of a GBAW (guided bulk acoustic wave) device and is disposed over the piezoelectric substrate provided with the electrode. There, the compensation layer can act as a waveguide layer of the GBAW device.

In einer weiteren Ausführung umfasst das Bauelement ein erstes und ein zweites Filter. Im erstes Filter ist der Temperaturgang der Mittenfrequenz durch eine entsprechend eingestellte Kompensationsschicht negativ und somit überkompensiert. Das zweite Filter ist elektrisch mit dem ersten Filter verschaltet und weist einen positiven Temperaturgang der Mittenfrequenz auf. Die Verschaltung von erstem und zweitem Filter erfolgt so, dass im Bauelement insgesamt eine vollständige Kompensation des Temperaturgangs der Mittenfrequenz erreicht ist.In a further embodiment, the component comprises a first and a second filter. In the first filter, the temperature response of the center frequency is negatively and thus overcompensated by an appropriately set compensation layer. The second filter is electrically connected to the first filter and has a positive temperature response of the center frequency. The interconnection of the first and second filters is carried out in such a way that a complete compensation of the temperature response of the center frequency is achieved in the component as a whole.

Die Erfindung hat den Vorteil, dass das vorgeschlagene neue Material für die Kompensationsschicht mittels herkömmlicher schon bisher für die Herstellung von mikroakustischen Bauelementen verwendeter Verfahren hergestellt werden kann und sich somit problemlos in den bekannten Herstellungsprozess einbinden lässt. The invention has the advantage that the proposed new material for the compensation layer can be produced by means of conventional methods already used hitherto for the production of microacoustic components and can thus be incorporated without problems into the known production process.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen schematischen Figuren näher erläutert. Die Figuren dienen allein dem Verständnis der Erfindung und sind nicht maßstabsgetreu ausgeführt. Ihnen können daher weder absolute noch relative Maßangaben entnommen werden. In the following the invention will be explained in more detail by means of exemplary embodiments and the associated schematic figures. The figures are solely for the understanding of the invention and are not executed to scale. Therefore neither absolute nor relative measurements can be taken from them.

1A zeigt ein SAW-Bauelement mit einer Kompensationsschicht, 1A shows a SAW device with a compensation layer,

1B zeigt eine Variante eines SAW-Bauelements, 1B shows a variant of a SAW device,

1C zeigt einen BAW-Resonator mit einer Kompensationsschicht, 1C shows a BAW resonator with a compensation layer,

1D zeigt ein GBAW-Bauelement mit einer erfindungsgemäßen Kompensationsschicht als Wellenleiterschicht, 1D shows a GBAW device with a compensation layer according to the invention as a waveguide layer,

1E zeigt eine Variante eines GBAW-Bauelements mit einer Kompensationsschicht, 1E shows a variant of a GBAW device with a compensation layer,

2 zeigt ein SAW-Bauelement mit einer strukturierten Kompensationsschicht, 2 shows a SAW device with a structured compensation layer,

3 zeigt IR Absorptionsbanden unterschiedlicher als Kompensationsschicht eingesetzter Materialien, 3 shows IR absorption bands of different materials used as compensation layer,

4 zeigt in einem Diagramm die Veränderung des des Temperaturkoeffizienten TCF der Frequenz in Abhängigkeit vom Dotierstoffgehalt in der Kompensationsschicht, hier vom Phosphorgehalt. 4 shows in a diagram the change of the temperature coefficient TCF of Frequency depending on the dopant content in the compensation layer, here the phosphorus content.

1A zeigt in schematischer Darstellung die einfachste Ausführung der Erfindung anhand eines SAW-Bauelements. Auf einem piezoelektrischen Substrat SU ist als Elektrode EL zumindest eine metallische Interdigitalelektrode aufgebracht. Diese umfasst als Hauptbestandteil vorzugsweise ein Metall, welches schwerer als Aluminium ist, insbesondere Kupfer. Die relative Metallisierungshöhe der Elektrode beträgt vorzugsweise zwischen 4 und 10 %. 1A shows a schematic representation of the simplest embodiment of the invention with reference to a SAW device. At least one metallic interdigital electrode is applied as the electrode EL on a piezoelectric substrate SU. This preferably comprises as main component a metal which is heavier than aluminum, in particular copper. The relative metallization height of the electrode is preferably between 4 and 10%.

Auf der gesamten Oberfläche, also über der Elektrode EL1 und den dazwischen liegenden Bereichen des Substrats SU ist eine Kompensationsschicht KL so aufgebracht, dass sich eine plane und zur Oberfläche des Substrats SU parallele Oberfläche ergibt. On the entire surface, that is above the electrode EL1 and the regions of the substrate SU lying therebetween, a compensation layer KL is applied in such a way that a planar surface results which is parallel to the surface of the substrate SU.

Die Kompensationsschicht KL umfasst ein glasartiges Material auf der Basis von SiO₂, welches insbesondere durch geeignete Dotierstoffe und/oder Zuschläge einen Si-O-Si-Bindungswinkel aufweist, der gegenüber dem normalen Si-O-Si-Bindungswinkel von 144° in reinem SiO₂ erhöht ist. The compensation layer KL comprises a glassy material based on SiO ₂ , which has a Si-O-Si bond angle, in particular by suitable dopants and / or additives, which is above the normal Si-O-Si bond angle of 144 ° in pure SiO _{2 is} increased.

Mit der Kompensationsschicht gelingt es den aufgrund der für das „nackte“ SAW Bauelement verwendeten Materialien negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz zu kompensieren.The compensation layer makes it possible to compensate for the negative temperature coefficients of the frequency due to the materials used for the "bare" SAW device.

Die dazu erforderliche relative Dicke (bezogen auf die in der Kompensationsschicht ausbreitungsfähige akustische Welle) der Kompensationsschicht KL beträgt zwischen 15 und 45 %.The relative thickness required for this (based on the acoustic wave propagatable in the compensation layer) of the compensation layer KL is between 15 and 45%.

1B zeigt eine Variante eines SAW-Bauelements, bei dem die erfindungsgemäße Kompensationsschicht KL auf der der Elektrode EL1 gegenüberliegenden Oberfläche des piezoelektrischen Substrats SU angeordnet ist. Für Elektrodenmaterial und Dicke sowie für Material der Kompensationsschicht und dessen Schichtdicke gelten die gleichen Einschränkungen wie in Verbindung mit 1A erwähnt. 1B shows a variant of a SAW device, in which the compensation layer KL according to the invention is arranged on the opposite surface of the electrode EL1 of the piezoelectric substrate SU. For electrode material and thickness as well as material of the compensation layer and its layer thickness, the same restrictions apply as in connection with 1A mentioned.

1C zeigt in schematischer Darstellung einen BAW-Resonator mit einer erfindungsgemäßen Kompensationsschicht KL. Der BAW-Resonator besteht aus einem piezoelektrischen Substrat SU, welches zwischen einer ersten Elektrode EL1 und einer zweiten Elektrode EL2 eingebettet ist. Die Kompensationsschicht KL ist vorzugsweise zwischen dem Substrat SU und der zweiten Elektrode EL2 angeordnet. 1C shows a schematic representation of a BAW resonator with a compensation layer KL according to the invention. The BAW resonator consists of a piezoelectric substrate SU which is embedded between a first electrode EL1 and a second electrode EL2. The compensation layer KL is preferably arranged between the substrate SU and the second electrode EL2.

Die Schichtdicke der Kompensationsschicht wird so gewählt, dass zum Einen die gewünschte Mittenfrequenz des BAW-Resonators getroffen wird und dass zum Anderen die Temperaturkompensation in einem gewünschten Ausmaß erfolgt, wobei insbesondere eine vollständige Kompensation angestrebt wird. The layer thickness of the compensation layer is chosen so that, on the one hand, the desired center frequency of the BAW resonator is hit and, on the other hand, the temperature compensation takes place to a desired extent, in particular a complete compensation is sought.

Ansonsten weist der BAW-Resonator einen herkömmlich bekannten Aufbau auf. Das Substrat, hier der piezoelektrische Reonatorkörper kann Materialen wie Zinkoxid oder Aluminiumnitrid oder eine PZT-Keramik umfassen. Vorzugsweise ist zumindest eine der metallischen Elektroden EL1, EL2 aus einem Metall, welches schwerer als Aluminium und beispielsweise aus der Gruppe Platin, Molybdän, Wolfram und Tantal ausgewählt ist.Otherwise, the BAW resonator has a conventionally known construction. The substrate, here the piezoelectric resonator body may comprise materials such as zinc oxide or aluminum nitride or a PZT ceramic. Preferably, at least one of the metallic electrodes EL1, EL2 is made of a metal which is heavier than aluminum and for example selected from the group of platinum, molybdenum, tungsten and tantalum.

Der BAW-Resonator kann entweder beiderseits gegen Luft schwingen, kann auf einer Membran angeordnet sein oder kann fest auf einem Trägersubstrat aufliegen, wobei dann vorzugsweise ein akustischer Spiegel zwischen der unteren Elektrode EL2 und dem Trägermaterial angeordnet ist, um die akustische Energie der Welle innerhalb des Resonators zu halten. The BAW resonator can either oscillate against air on both sides, can be arranged on a membrane or can rest firmly on a carrier substrate, in which case preferably an acoustic mirror is arranged between the lower electrode EL2 and the carrier material in order to reduce the acoustic energy of the wave within the Resonator to hold.

1D zeigt ein GBAW-Bauelement (GBAW = guided bulk acoustic wave) mit einer erfindungsgemäßen Kompensationsschicht KL. Das GBAW-Bauelement umfasst ein Substrat SU, welches zumindest eine piezoelektrische Schicht aufweist. Direkt über dem SU ist eine erste Elektrode EL1 angeordnet, die beispielsweise als Interdigitalelektrode ausgebildet ist. Darüber ist eine Kompensationsschicht KL angeordnet, die im GBAW-Bauelement als Wellenleiterschicht dient. Über der Kompensationsschicht KL ist eine Mantelschicht ML angeordnet, die so ausgewählt ist, dass die Wellenausbreitungsgeschwindigkeit in der Mantelschicht ML größer ist als in der Kompensationsschicht KL. Vorzugsweise ist die Mantelschicht ein Dielektrikum. Die Mantelschicht kann auch ein auf die Kompensationsschicht aufgebondeter Mantelwafer sein. 1D shows a GBAW device (GBAW = guided bulk acoustic wave) with a compensation layer KL according to the invention. The GBAW device comprises a substrate SU, which has at least one piezoelectric layer. Directly above the SU, a first electrode EL1 is arranged, which is formed for example as an interdigital electrode. In addition, a compensation layer KL is arranged, which serves as waveguide layer in the GBAW device. Above the compensation layer KL, a cladding layer ML is arranged, which is selected so that the wave propagation velocity in the cladding layer ML is greater than in the compensation layer KL. Preferably, the cladding layer is a dielectric. The cladding layer may also be a cladding wafer bonded onto the compensation layer.

Die Dicke der Kompensationsschicht KL beträgt zwischen 0,1 und 1,0 Wellenlängen. The thickness of the compensation layer KL is between 0.1 and 1.0 wavelengths.

Als Elektrodenmaterial können die für SAW-Bauelemente bekannten und insbesondere die oben angeführten schweren Metalle eingesetzt werden. Die Elektrode EL kann neben metallischen Teilschichten weitere Teilschichten umfassen, ausgewählt aus Haftvermittlerschicht, Diffusionsbarriereschicht und Passivierungsschicht. As electrode material, the SAW components known and in particular the above-mentioned heavy metals can be used. The electrode EL can comprise, in addition to metallic sublayers, further sublayers selected from the adhesion promoter layer, the diffusion barrier layer and the passivation layer.

1E zeigt eine weitere Ausführungsform eines GBAW-Bauelements mit einer erfindungsgemäßen als Wellenleiter dienenden Kompensationsschicht KL. Eine erste Elektrode EL1 ist direkt auf einem piezoelektrischen Substrat SU ausgebildet und weist zum Beispiel eine Interdigitalstruktur auf. Über der Kompensationsschicht KL ist eine zweite Elektrode EL2 Als ganzflächig aufgebrachte Schicht angeordnet, die die Gegenelektrode zur ersten Elektrode EL1 darstellt. 1E shows a further embodiment of a GBAW device with an inventive serving as a waveguide compensation layer KL. A first electrode EL1 is formed directly on a piezoelectric substrate SU and has, for example, an interdigital structure. Over the compensation layer KL is a second Electrode EL2 Arranged as a layer applied over the whole area, which represents the counter electrode to the first electrode EL1.

2 zeigt ein weiteres SAW-Bauelement mit einer erfindungsgemäßen Kompensationsschicht KL. Im Unterschied zu dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist jede Kompensationsschicht KL nicht planarisiert, sondern strukturiert. Die Topografie der Kompensationsschicht KL folgt dabei der Struktur der Elektrodenfinger und bildet Vertiefungen zwischen den Elektrodenfingern aus. Die Strukturierung kann durch oberflächenkonforme Erzeugung der Kompensationsschicht KL erzeugt sein. Möglich ist es jedoch auch, die Struktur nachträglich zu erzeugen und dabei gezielt zu gestalten. Die Struktur der Kompensationsschicht KL kann die Reflexion an den Strukturkanten der erste Elektrode EL1 verbessern, beziehungsweise weitere Reflektionskanten zur Verfügung stellen. Da die Reflexion an den Kanten der ersten Elektrode EL1, die mit der Kompensationsschicht KL abgedeckt sind, gegenüber einer nicht abgedeckten Elektrode reduziert ist, wird so dieser negative Effet der Abdeckung teilweise kompensiert. 2 shows a further SAW device with a compensation layer KL according to the invention. Unlike the in 1 illustrated embodiment, each compensation layer KL is not planarized, but structured. The topography of the compensation layer KL follows the structure of the electrode fingers and forms recesses between the electrode fingers. The structuring can be produced by surface-conforming generation of the compensation layer KL. However, it is also possible to subsequently create the structure and to design it in a targeted manner. The structure of the compensation layer KL can improve the reflection at the structural edges of the first electrode EL1, or provide further reflection edges. Since the reflection at the edges of the first electrode EL1 covered with the compensation layer KL is reduced with respect to an uncovered electrode, this negative effect of the cover is partially compensated.

3 zeigt eine Möglichkeit zur Charakterisierung von erfindungsgemäßen SiO₂-Schichten, die die Temperaturkompensation verbessern. In einem Diagramm ist ausschnittsweise das FT IR-Spektrum unterschiedlicher SiO₂-Materialien dargestellt, wobei insbesondere die stark ausgeprägte Omega 4-Bande (ω4-Bande) bei cirka 1100 cm^–1 betrachtet wird. Es sind vier Messkurven dargestellt, in der gemäß einem Vergleichsversuch V0 das IR-Spektrum eines herkömmlichen in einem Standard PECVD-Prozess abgeschiedenen reinen SiO₂ darstellt. Die Kurve entsprechend dem Versuch V1 ist mit einem erfindungsgemäßen SiO₂-Material vermessen, welches 2 Atom% Bor und 2 Atom% Phosphor als Dotierung aufweist. Die Kurve gemäß dem Versuch V2 ist mit einem erfindungsgemäßen SiO₂-Material vermessen, welches mit 3,9 Atom% Bor und 4,9 Atom% Phosphor dotiert ist. Die Kurve entsprechend dem Versuch V3 entspricht einem erfindungsgemäß mit 4 Atom% Phosphor dotiertem SiO₂-Material. 3 shows a possibility for the characterization of SiO ₂ layers according to the invention, which improve the temperature compensation. In a diagram, the FT IR spectrum of different SiO ₂ materials is shown in detail, whereby in particular the strongly pronounced omega 4 band (ω4 band) at about 1100 cm ^{-1 is} considered. Four measurement curves are shown in which, according to a comparative experiment, V0 represents the IR spectrum of a conventional pure SiO ₂ deposited in a standard PECVD process. The curve according to experiment V1 is measured using an SiO ₂ material according to the invention which has 2 atomic% boron and 2 atomic% phosphorus as doping. The curve according to experiment V2 is measured with an SiO ₂ material according to the invention, which is doped with 3.9 atom% boron and 4.9 atom% phosphorus. The curve corresponding to experiment V3 corresponds to an SiO ₂ material doped according to the invention with 4 atomic% phosphorus.

Es zeigt sich, dass das Material des Vergleichsversuchs V0 seine Omega 4-Bande bei der niedrigsten Wellenzahl von 1055 cm^–1 aufzeigt. Das erste Ausführungsbeispiel V1 zeigt seine Omega 4-Bande bei 1084 cm^–1. Das zweite Ausführungsbeispiel V2 zeigt seine Omega 4-Bande bei 1092 cm^–1, ebenso wie das dritte Ausführungsbeispiel V3. It can be seen that the material of the comparative experiment V0 shows its omega 4 band at the lowest wavenumber of 1055 cm ^-1 . The first embodiment V1 shows its omega 4 band at 1084 cm ^-1 . The second embodiment V2 shows its omega 4 band at 1092 cm ^-1 , as does the third embodiment V3.

Die in diesem Ausschnitt des Spektrums Omega 3-Bande zeigt ebenfalls eine Verschiebung, die gegenüber dem Grundwert des Vergleichsbeispiels V0 bei 814 cm^–1 über 808 cm^–1 (V1) bis 812 cm^–1 (V2 beziehungsweise V3) verschoben ist. Da angenommen wird, dass die Verschiebung der Omega 4-Bande proportional zur Aufweitung des Si-O-Si-Bindungswinkels erfolgt, stellt die absolute Verschiebung im FT IR-Spektrum gemäß 3 ein Maß für die Qualität der jeweiligen Dotierung im Hinblick auf den gewünschten Erfolg dar. Von den gewählten Ausführungsbeispielen beziehungsweise den diesen Ausführungsbeispielen zugrundeliegenden Dotierungen sind diesbezüglich V2 und V3 am besten geeignet. Es wird nicht ausgeschlossenen, dass mit anderen Dotierungen oder/oder anderen Dotierstoffgehalten noch bessere Ergebnisse bezüglich der gewünschten TK Kompensation erhalten werden könnenThe omega 3 band in this section of the spectrum also shows a shift that is shifted from 808 cm ^-1 (V1) to 812 cm ^-1 (V2 and V3, respectively) over the baseline value of Comparative Example V0 at 814 cm ^-1 . Since it is assumed that the omega 4 band shift is proportional to the Si-O-Si bond angle broadening, the absolute shift in the FT IR spectrum is in accordance with 3 a measure of the quality of the respective doping with regard to the desired success. Of the selected embodiments or the underlying these embodiments doping V2 and V3 are best suited in this regard. It is not excluded that even better results with respect to the desired TC compensation can be obtained with other dopants and / or other dopant contents

Zur Überprüfung dieser Aussage wird in 4 beispielhaft der gemessene Temperaturkoeffizient TCF der Frequenz in Abhängigkeit vom Gehalt einer Phosphordotierung der Kompensationsschicht KL anhand eines ausgewählten SAW Bauelements gemäß 1 dargestellt. Auf der Ordinate ist der TCF als dimensionslose Zahl dargestellt. Die Abszisse gibt den P Gehalt der SiO₂ Schicht in Prozent an.To verify this statement is in 4 by way of example the measured temperature coefficient TCF of the frequency as a function of the content of a phosphorus doping of the compensation layer KL on the basis of a selected SAW component according to FIG 1 shown. The ordinate represents the TCF as a dimensionless number. The abscissa indicates the P content of the SiO ₂ layer in percent.

Es zeigt sich, dass der Temperaturkoeffizient TCF hier im gewählten Beispiel bei ca. 6 % Phosphorgehalt eine vollständige Kompensation erfährt, bei weiter steigenden Phosphorgehalten deutlich überkompensiert wird und danach in eine Sättigung übergeht. It can be seen that the temperature coefficient TCF here in the example chosen at about 6% phosphorus content, a complete compensation undergoes significantly overcompensated at further increasing phosphorus contents and then goes into a saturation.

Der erforderlich Dotierstoffgehalt für eine vollständige Kompensation (TCF = 0) ist natürlich noch von weiteren Parametern, insbesondere der Schichtdicke der Kompensationsschicht oder von den im Bauelement verwendeten Materialien abhängig. Of course, the required dopant content for complete compensation (TCF = 0) depends on further parameters, in particular the layer thickness of the compensation layer or on the materials used in the component.

Mit anderen Dotierstoffen oder Dotierstoffkombinationen sind ähnliche gegebenenfalls leicht abweichende Ergebnisse zu erwarten. With other dopants or dopant combinations, similar, possibly slightly different, results are to be expected.

Die Erfindung ist nicht auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung beliebige Kombinationen der als erfindungsgemäß dargestellten Merkmale und dies in unterschiedlichsten Bauelementen, zu denen alle Arten mikroakustischer Bauelemente gerechnet werden können. The invention is not limited to the exemplary embodiments illustrated in the figures. Rather, the invention encompasses any combination of the features illustrated according to the invention and this in a variety of components to which all types of micro-acoustic components can be expected.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

SU

piezoelectric substrate

EL1, EL2

electrode

KL

compensation layer

V0

reference example

V1, V2, V3

embodiments

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

US 7589452 B1 [0003]

Claims

Microacoustic device - comprising a piezoelectric substrate - having an electrode for exciting an acoustic wave - having a compensation layer exhibiting an abnormal thermomechanical behavior - the compensation layer comprising SiO ₂ based glassy material, in which the Si-O Si angle is increased over the bond angle of 144 ° of pure SiO ₂ .

Component according to Claim 1, in which the compensation layer comprises SiO ₂ as further constituent glass former and / or customary glass aggregates selected from B ₂ O ₃ , SiO ₂ , P ₂ O ₅ , As ₂ O ₃ , Sb ₂ O ₃ , In ₂ O ₃ , Sn ₂ O ₃ , PbO ₂ , Li ₂ O, CaO, Na ₂ O, K ₂ O, MgO, Rb ₂ O, Cs ₂ O, SrO, TeO ₂ , SeO ₂ , MoO ₂ , WO ₃ , BiO ₃ , Al ₂ O ₃ , BaO, V ₂ O and SO ₃ .

A device according to claim 1 or 2, wherein the compensation layer contains SiO ₂ and at least one dopant in an amount of 0.5-8.0 at% selected from boron and phosphorus.

Component according to one of claims 1-3, wherein the glassy material of the compensation layer in the IR spectrum by a ω4 band in the range between 1060 cm and 1100 cm is characterized.

A device according to any one of claims 1-4, wherein the compensation layer has a thickness of 5-30% with respect to the wavelength of the device at center frequency.

Component according to one of claims 1-5, designed as a SAW component, in which the electrode formed as an interdigital electrode between the compensation layer and the piezoelectric substrate is arranged.

Component according to Claim 6, in which a trimmable layer is arranged above the compensation layer.

The device of claim 7, wherein the trimmable layer comprises silicon nitride.

Component according to one of claims 1-8, wherein the electrode comprises Cu as the main component.

Component according to one of claims 1-9, wherein the device is arranged on a substrate BAW resonator, wherein the compensation layer between the substrate and a bottom electrode of the resonator is arranged.

The device of any one of claims 1-10, wherein the compensation layer is part of a GBAW device and disposed over the substrate provided with the electrode.

Component according to one of claims 1-11, comprising A first filter in which the temperature response of the center frequency is negatively and thus overcompensated by an appropriately set waveguide layer, and A second filter electrically connected to the first filter, wherein: The second filter has a positive temperature characteristic of the center frequency, - The interconnection of the first and second filter is carried out so that the component has a total total compensation of the temperature coefficient of the center frequency.