DE102012102239B4 - Substrate pick-up method and substrate separation system - Google Patents

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Abstract

Substrataufnahmeverfahren, bei dem ein Substrat (1) von einem eine Mehrzahl an Substraten (1, 2) umfassenden Substratstapel (3) mittels eines Aufnahmeelementes (4) aufgenommen wird, wobei vor und / oder während des Aufnehmens des Substrates (1) vom Substratstapel (3) das Substrat (1) in mechanische Schwingung in seiner Eigenresonanz versetzt wird, indem das Substrat (1), mehrere Substrate (1, 2) des Substratstapels (3) oder der Substratstapel (3) mit einer Eigenfrequenz des Substrates (1) mechanisch angeregt wird, wobei zur mechanischen Anregung:- eine Blasvorrichtung verwendet wird, mittels der ein pulsförmiger Gasstrom auf das Substrat (1), auf mehrere Substrate (1, 2) des Substratstapels (3) oder auf den Substratstapel (3) gerichtet wird oder- ein Schallerzeuger verwendet wird, wobei die mechanische Anregung des Substrates (1) mittels des Schallerzeugers durch den Substratstapel (3) hindurch erfolgt.Substrate pick-up method in which a substrate (1) is picked up by a substrate stack (3) comprising a plurality of substrates (1, 2) by means of a pick-up element (4), wherein before and / or during the pick-up of the substrate (1) from the substrate stack ( 3) the substrate (1) is set into mechanical oscillation in its natural resonance by the substrate (1), several substrates (1, 2) of the substrate stack (3) or the substrate stack (3) mechanically at a natural frequency of the substrate (1) is excited, wherein for mechanical excitation: - a blowing device is used, by means of which a pulsed gas flow is directed onto the substrate (1), onto several substrates (1, 2) of the substrate stack (3) or onto the substrate stack (3) or- a sound generator is used, the mechanical excitation of the substrate (1) taking place through the substrate stack (3) by means of the sound generator.

Description

Die Erfindung betrifft ein Substrataufnahmeverfahren und ein Substrattrennungssystem.The invention relates to a substrate receiving method and a substrate separation system.

Bei der Herstellung moderner Solarzellen müssen von den Produktionsmaschinen Substrate mit zunehmend kleineren Dickenabmessungen gehandhabt werden. Insbesondere wird bei Halbleiterwafern für kristalline oder multikristalline Solarzellen versucht, die Waferdicke immer weiter zu reduzieren, um sowohl Wafer-Material zu sparen, als auch die Effizienz der Solarzellen zu steigern.In the manufacture of modern solar cells, the production machines have to handle substrates with increasingly smaller thickness dimensions. In particular, in the case of semiconductor wafers for crystalline or multicrystalline solar cells, attempts are being made to continue to reduce the wafer thickness in order to save both wafer material and to increase the efficiency of the solar cells.

Die Aufnahme von derart dünnen Substraten stellt besondere Anforderungen an die Greifer der automatisierten Produktionsvorrichtungen. Beispielsweise muss das Greifen dieser Substrate sanft erfolgen, ohne die Substrate übermäßig mechanisch zu belasten. Hier kommen in der Regel mit Saugvorrichtungen ausgestattete Greifer zum Einsatz. Bei der Entnahme eines obersten Substrates aus einem Substratstapel kann es hierbei vorkommen, dass zwei oder mehr Substrate aufgrund von Kräften aneinander haften und gemeinsam vom Greifer aufgenommen werden. Um derartige Probleme zu vermeiden und die Substrate vor dem Greifen voneinander zu trennen, werden üblicherweise Vereinzelungsvorrichtungen eingesetzt, welche die obersten Substrate eines Substratstapels mittels Luftströmung aus einer Luftdüse trennen.The inclusion of such thin substrates places special demands on the grippers of the automated production devices. For example, these substrates must be gripped gently without placing excessive mechanical stress on the substrates. As a rule, grippers equipped with suction devices are used here. When removing an uppermost substrate from a substrate stack, it can happen that two or more substrates adhere to one another due to forces and are picked up jointly by the gripper. In order to avoid such problems and to separate the substrates from one another before gripping, separating devices are usually used which separate the uppermost substrates of a substrate stack by means of an air flow from an air nozzle.

Diese bekannten Vorrichtungen sind jedoch nicht effizient. Sie arbeiten in der Regel mit konstanten Luftströmen oder mit gepulsten Luftströmen mit niedriger Impulsfrequenz. Hierbei können besonders stark aneinander haftende Substrate nicht oder nur mit besonders großen Luftdrücken oder mittels langandauernder Luftstromzufuhr getrennt werden. Darüber hinaus ist bei der in Zukunft angestrebten Dickenreduzierung eine weitere Verringerung der mechanischen Stabilität der Wafer absehbar, so dass eine effizientere und sanftere Substrattrennung notwendig sein wird. Bei derart dünnen Substraten können zudem die Haftkräfte zwischen zwei Substraten vergrößert sein.However, these known devices are not efficient. They usually work with constant air flows or with pulsed air flows with a low pulse frequency. In this case, substrates that adhere particularly strongly to one another cannot be separated or can only be separated with particularly high air pressures or by means of a long-lasting air flow supply. In addition, a further reduction in the mechanical stability of the wafer is foreseeable in the case of the thickness reduction aimed for in the future, so that a more efficient and gentler substrate separation will be necessary. In the case of such thin substrates, the adhesive forces between two substrates can also be increased.

DE 10 2009 039 458 A1 beschreibt weiterhin ein Verfahren zur Vereinzelung von Druckplatten mit je einer leitfähigen Schicht. Es werden mittels einer Magnetspule in den leitfähigen Schichten Wirbelströme angeregt. Diese wiederum erzeugen Magnetfelder, die ein gegenseitiges Abstoßen benachbarter Druckplatten bewirken. DE 10 2009 039 458 A1 also describes a method for separating printing plates, each with a conductive layer. Eddy currents are excited in the conductive layers by means of a magnetic coil. These in turn generate magnetic fields that cause neighboring printing plates to repel each other.

Weiterhin beschreibt DE 10 2005 002 499 A1 ein Verfahren zur Aufnahme plattenförmiger Substrate von einem Stapel mittels eines Bewegungsarms. Wird hierbei eine Doppel- oder Mehrfachaufnahme erkannt, folgt ein Vereinzelungsprozess mithilfe einer am Bewegungsarm angeordneten Rüttlereinheit. Alternativ kann anstelle der Rütteleinheit ein Lautsprecher am Bewegungsarm angeordnet sein.Further describes DE 10 2005 002 499 A1 a method for picking up plate-shaped substrates from a stack by means of a movement arm. If a double or multiple pick-up is detected here, a separation process follows with the help of a vibrator unit arranged on the movement arm. Alternatively, instead of the vibrating unit, a loudspeaker can be arranged on the movement arm.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Substrataufnahmeverfahren und ein Substrattrennungssystem bereitzustellen, welche ein besonders effizientes und trotzdem mechanisch schonendes Trennen und Aufnehmen einzelner Substrate aus einem Substratstapel erlauben.It is the object of the invention to provide a substrate pick-up method and a substrate separation system which allow a particularly efficient and nevertheless mechanically gentle separation and pick-up of individual substrates from a substrate stack.

Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Substrataufnahmeverfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und durch ein Substrattrennungssystem mit den Merkmalen des Anspruchs 9 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen aufgeführt.The object is achieved according to the invention by a substrate receiving method with the features of claim 1 and by a substrate separation system with the features of claim 9. Advantageous further developments of the invention are listed in the subclaims.

Die Erfindung beruht auf der Überlegung, mittels einer Anregung eine dynamische Separation oder Auffächerung der aufeinandergestapelten Substrate zu erzielen, damit ein einzelnes Substrat aus dem Substratstapel mittels eines Aufnahmeelementes entnommen werden kann. Bei einem rein konstanten Gasstrom gemäß bisherigen Vorgehensweisen oder bei Verwendung eines impulsförmigen Luftstroms, bei dem die Impulsfrequenz fern von der Eigenfrequenz der Substrate liegt, erfolgt hingegen eine rein statische Auffächerung.The invention is based on the idea of using an excitation to achieve dynamic separation or fanning of the stacked substrates so that a single substrate can be removed from the substrate stack by means of a receiving element. In the case of a purely constant gas flow according to previous procedures or when using a pulsed air flow in which the pulse frequency is far from the natural frequency of the substrates, a purely static fanning out takes place.

Die Anregung erfolgt derart, dass das oberste Substrat oder mehrere oben aufliegende Substrate in dem Stapel in mechanischen Schwingungen in seiner oder ihrer Eigenresonanz versetzt wird/werden. Dies kann dadurch erfolgen, dass das Substrat mit einer seiner Eigenfrequenzen angeregt wird. Das bedeutet, dass die Anregung selbst in einer Frequenz erfolgt, welche sehr nahe der Eigenfrequenz ist oder mit der Eigenfrequenz im Wesentlichen identisch ist. In einer nicht-erfindungsgemäßen Ausführungsform kann die Anregung auch bei einer anderen Frequenz erfolgen, solange sichergestellt ist, beispielsweise aufgrund der Geometrie der Anordnung, dass dadurch das Substrat in seiner Eigenfrequenz schwingt.The excitation takes place in such a way that the uppermost substrate or a plurality of substrates lying on top of the stack is / are set in mechanical vibrations in its natural resonance. This can be done by exciting the substrate with one of its natural frequencies. This means that the excitation itself takes place at a frequency which is very close to the natural frequency or is essentially identical to the natural frequency. In an embodiment not according to the invention, the excitation can also take place at a different frequency, as long as it is ensured, for example due to the geometry of the arrangement, that the substrate will vibrate at its natural frequency.

Die Eigenfrequenzen des Substrates können experimentell ermittelt und/oder mit nummerischen Verfahren errechnet oder simuliert werden. Aufgrund der geringen Substratstärke kann das Substrat beispielsweise als eine Membran modelliert werden. Bei der Eigenfrequenz handelt es sich um eine Schwingungsfrequenz, bei der das Substrat eine Eigenschwingung ausführt. Da ein Substrat neben der Grundschwingung eine unendliche Anzahl an Oberschwingungen ausführen kann, umfassen die möglichen Eigenfrequenzen entsprechend eine Grundfrequenz und Oberfrequenzen, die idealerweise jeweils vielfache der Grundfrequenz sind, jedoch in der Realität hiervon etwas abweichen können. Vorzugsweise erfolgt die Anregung bei einer Anregungsfrequenz von mindestens 5, 10, 15, 20, 50, 100 oder 150 Hertz.The natural frequencies of the substrate can be determined experimentally and / or calculated or simulated using numerical methods. Due to the low substrate thickness, the substrate can be modeled as a membrane, for example. The natural frequency is an oscillation frequency at which the substrate oscillates naturally. Since a substrate can carry out an infinite number of harmonics in addition to the basic oscillation, the possible natural frequencies accordingly include a basic frequency and upper frequencies, which are ideally in each case a multiple of the basic frequency, but can differ slightly in reality. The excitation preferably takes place at an excitation frequency of at least 5, 10, 15, 20, 50, 100 or 150 Hertz.

Während oder nach dem Erzeugen der mechanischen Schwingungen, vorzugsweise während das Substrat schwingt, wird es mittels des Aufnahmeelementes aufgenommen und vom Stapel separiert. Bei dem Aufnahmeelement handelt es sich um einen Substratgreifer, welcher beispielsweise das Substrat mithilfe einer Vakuumvorrichtung greift.During or after the generation of the mechanical vibrations, preferably while the substrate is vibrating, it is picked up by means of the receiving element and separated from the stack. The receiving element is a substrate gripper which, for example, grips the substrate with the aid of a vacuum device.

Das Substrattrennungssystem, mit dem die Substrataufnahme vorgenommen wird, umfasst somit das Aufnahmeelement und eine Anregungsvorrichtung, welche ausgebildet ist, das Substrat, mehrere Substrate des Substratstapels oder den Substratstapel insgesamt mechanisch mit einer Eigenfrequenz des Substrates anzuregen. Die Anregung kann auch mit einer Eigenfrequenz der mehreren Substrate erfolgen, für den Fall, dass eine Mehrzahl von aneinander liegenden Substraten andere Eigenfrequenzen aufweist, als ein einzelnes Substrat.The substrate separation system with which the substrate is picked up thus comprises the pickup element and an excitation device which is designed to mechanically excite the substrate, several substrates of the substrate stack or the substrate stack as a whole with a natural frequency of the substrate. The excitation can also take place with a natural frequency of the plurality of substrates, in the event that a plurality of substrates lying next to one another have different natural frequencies than a single substrate.

Bei dem Substrat handelt es sich vorzugsweise um einen Halbleiterwafer, auf dem in einem Herstellungsprozess weitere Schichten und Komponenten aufgebracht werden, um eine Halbleitervorrichtung zu erzeugen, insbesondere eine oder mehrere Solarzellen. Es kann sich jedoch auch um ein Halbzeug handeln, also um ein Substrat, auf dem bereits einige Herstellungsschritte vollzogen sind, beispielsweise Abscheideschritte, Ätzschritte und dergleichen, auf dem Weg hin zu einer fertigen Halbleitervorrichtung. Ferner kann es sich bei dem hierin beschriebenen Substrat tatsächlich um eine fertige Halbleitervorrichtung, insbesondere um eine Solarzelle wie eine Wafersolarzelle, handeln, welche beispielsweise aus einem Solarzellenstapel entnommen wird, um ein Solarmodul zu bestücken.The substrate is preferably a semiconductor wafer, on which further layers and components are applied in a manufacturing process in order to produce a semiconductor device, in particular one or more solar cells. However, it can also be a semifinished product, that is to say a substrate on which some manufacturing steps have already been carried out, for example deposition steps, etching steps and the like, on the way to a finished semiconductor device. Furthermore, the substrate described herein can actually be a finished semiconductor device, in particular a solar cell such as a wafer solar cell, which is removed, for example, from a solar cell stack in order to equip a solar module.

Das Substrat wird in mechanische Schwingung versetzt, indem das Substrat, mehrere Substrate des Substratstapels oder der gesamte Substratstapel mit einer Eigenfrequenz des Substrates mechanisch angeregt wird/werden. Zur mechanischen Anregung wird eine Blasvorrichtung, mittels der ein pulsförmiger Gasstrom auf das Substrat, auf mehrere Substrate des Substratstapels oder auf den Substratstapel gerichtet wird, oder ein Schallerzeuger verwendet, wobei die mechanische Anregung des Substrates mittels des Schallerzeugers durch den Substratstapel hindurch erfolgt. Hierbei ist der Schallerzeuger also unterhalb des Substratstapels angeordnet. Die mechanische Anregung kann nicht-erfindungsgemäß beispielsweise mittels eines mechanischen Schwingungserzeugers erfolgen, wie zum Beispiel eines akustischen Wandlers, der mit dem Substratstapel mechanisch oder akustisch gekoppelt ist. In anderen nicht-erfindungsgemäßen Ausführungsformen kann ein mechanischer Aktuator vorgesehen sein, welcher Translations- und/oder Rotationsbewegungen ausführt. Zum Beispiel kann ein Motor, beispielsweise ein Elektromotor, mit einer Unwucht vorgesehen sein, der den Stapel in Schwingung versetzen kann.The substrate is set into mechanical vibration in that the substrate, several substrates of the substrate stack or the entire substrate stack is / are mechanically excited with a natural frequency of the substrate. A blower device is used for mechanical excitation, by means of which a pulse-shaped gas stream is directed onto the substrate, onto several substrates of the substrate stack or onto the substrate stack, or a sound generator, the mechanical excitation of the substrate by means of the sound generator taking place through the substrate stack. In this case, the sound generator is thus arranged below the substrate stack. The mechanical excitation can take place not according to the invention, for example, by means of a mechanical vibration generator, such as an acoustic transducer that is mechanically or acoustically coupled to the substrate stack. In other embodiments not according to the invention, a mechanical actuator can be provided which executes translational and / or rotational movements. For example, a motor, for example an electric motor, can be provided with an imbalance that can set the stack in vibration.

Der pulsförmige Gasstrom kann beispielsweise parallel oder in einem Winkel zu einer Substratoberfläche des Substrates auf einen Substratrandbereich oder eine Substratkante gerichtet werden. Beispielsweise kann der Gasstrom zu der Substratoberfläche einen Winkel von weniger als 45°, weniger als 30° oder weniger als 15° aufweisen.The pulsed gas flow can be directed, for example, parallel to or at an angle to a substrate surface of the substrate onto a substrate edge region or a substrate edge. For example, the gas flow to the substrate surface can have an angle of less than 45 °, less than 30 ° or less than 15 °.

Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform ist vorgesehen, dass zur Anregung eine Blasvorrichtung verwendet wird, welche eine Düse mit einem Schaltelement umfasst, welches mit einem Impulsgeber oder Impulsgenerator verbunden ist. Bei dem Schaltelement kann es sich zum Beispiel um ein Magnetventil handeln.In an expedient embodiment it is provided that a blowing device is used for the excitation which comprises a nozzle with a switching element which is connected to a pulse generator or pulse generator. The switching element can be a solenoid valve, for example.

Als Schallerzeuger wird insbesondere ein Lautsprecher verwendet. Die mechanische Anregung des Substrates mittels des Schallerzeugers erfolgt durch den Substratstapel hindurch. Hierbei ist der Schallerzeuger also unterhalb des Substratstapels angeordnet. Beispielsweise können ein oder mehrere Schallerzeuger oberhalb und/oder seitlich des Substratstapels zusätzlich vorgesehen sein.In particular, a loudspeaker is used as the sound generator. The mechanical excitation of the substrate by means of the sound generator takes place through the substrate stack. In this case, the sound generator is thus arranged below the substrate stack. For example, one or more sound generators can additionally be provided above and / or to the side of the substrate stack.

Vorteilhafterweise ist vorgesehen, dass die mechanische Anregung einen Frequenzbereich durchläuft. Das bedeutet, dass die Frequenz der mechanischen Anregung, und damit auch die Frequenz, mit der die Substrate im Stapel schwingen, zeitlich variiert werden. Diese Vorgehensweise ist dann vorteilhaft, wenn die optimale Anregungs-Frequenz nicht bekannt ist, oder von Substrat zu Substrat leicht variiert. Hierbei kann die Anregungs-Frequenz aufsteigend oder absteigend durchlaufen werden. Das Durchlaufen des Frequenzbereichs kann kontinuierlich oder in diskreten Schritten erfolgen.It is advantageously provided that the mechanical excitation runs through a frequency range. This means that the frequency of the mechanical excitation, and thus also the frequency with which the substrates vibrate in the stack, are varied over time. This procedure is advantageous when the optimal excitation frequency is not known or varies slightly from substrate to substrate. The excitation frequency can be run through in ascending or descending order. The frequency range can be traversed continuously or in discrete steps.

Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung ist vorgesehen, dass mittels des durchlaufenen Frequenzbereichs mehrere mechanische Eigenschwingungen des Substrates angeregt werden. Der durchlaufene Frequenzbereich weist somit zwei oder mehr Eigenfrequenzen des Substrates, zweier oder mehr Substraten oder des Substratstapels auf.According to a preferred embodiment, it is provided that several mechanical natural vibrations of the substrate are excited by means of the frequency range traversed. The frequency range traversed thus has two or more natural frequencies of the substrate, two or more substrates or the substrate stack.

Bevorzugterweise ist vorgesehen, dass der Frequenzbereich Frequenzen von größer als 5, 10, 15, 20, 50, 100 oder 150 Hertz umfasst. Wenn beispielsweise die Grundfrequenz des Substrates etwa 27 Hz und die erste Oberfrequenz 63 Hz sind, kann der Frequenzbereich zwischen 20 Hz und 70 Hz durchlaufen werden, um zwei Eigenschwingungen anzuregen, oder der Frequenzbereich zwischen 20 Hz und 30 Hz kann durchlaufen werden, um eine einzelne Eigenschwingungen anzuregen, nämlich die Grundschwingung.It is preferably provided that the frequency range comprises frequencies greater than 5, 10, 15, 20, 50, 100 or 150 Hertz. If, for example, the base frequency of the substrate is about 27 Hz and the first harmonic frequency is 63 Hz, the frequency range between 20 Hz and 70 Hz can be passed through in order to excite two natural oscillations, or the frequency range between 20 Hz and 30 Hz can be passed through in order to excite a single natural oscillation, namely the fundamental oscillation.

In einer zweckmäßigen Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Substrat, nachdem es in mechanische Schwingung versetzt wurde, mittels eines weiteren Gasstromes von den übrigen Substraten im Stapel getrennt gehalten wird. Der weitere Gasstrom ist vorteilhafterweise konstant, also nicht gepulst. Vorzugsweise handelt es sich um einen konstanten Luftstrom, mit dem das separierte Substrat getrennt gehalten wird. Das getrennt Halten des Substrates mittels eines konstanten Gasstromes hat den Vorteil, dass ein nachfolgendes sicheres Greifen des Substrates mittels eines Greifers, beispielsweise eines vakuumbasierten Greifers erleichtert wird. Denn bei einem konstanten Gasstrom wird auch das Substrat eine definierte, zeitlich konstante Form beibehalten und nicht mehr schwingen, wodurch das Greifen des Substrates erleichtert wird.In an expedient development, it is provided that the substrate, after it has been set into mechanical vibration, is kept separated from the other substrates in the stack by means of a further gas flow. The further gas flow is advantageously constant, that is to say not pulsed. It is preferably a constant flow of air with which the separated substrate is kept separate. Holding the substrate separately by means of a constant gas flow has the advantage that subsequent secure gripping of the substrate by means of a gripper, for example a vacuum-based gripper, is made easier. Because with a constant gas flow, the substrate will also maintain a defined shape that is constant over time and will no longer vibrate, which makes it easier to grasp the substrate.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren erläutert. Hierbei zeigen:

  • 1 ein Substrattrennungssystem mit einem Aufnahmeelement und einer Anregungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform;
  • 2 einige Schritte eines mittels des Systems aus der 1 durchgeführten Substrataufnahmeverfahrens;
  • 3 errechnete Schwingungsformen bei unterschiedlichen Schwingungsfrequenzen für ein mechanisch angeregtes Substrat;
  • 4 eine schematische Seitenansicht auf einen Substratstapel zur Veranschaulichung der Problematik haftender Substrate bei konstanter Anregung (sogenannte Doppelzellen);
  • 5 wie das Problem aus der 4 mittels einer pulsförmigen Anregung gelöst wird;
  • 6 eine schematische Seitenansicht auf einen Substratstapel zur Veranschaulichung der Prozessabfolge bei einem Wechsel zwischen pulsförmiger und konstanter Anregung;
  • 7 eine schematische Seitenansicht auf einen Substratstapel zur Veranschaulichung des Trennungseffektes bei einer Gleichtaktschwingung aneinander haftender Substrate; und
  • 8 eine schematische Seitenansicht auf einen Substratstapel zur Veranschaulichung des Trennungseffektes bei einer Gegentaktschwingung aneinander haftender Substrate.
The invention is explained below on the basis of exemplary embodiments with reference to the figures. Here show:
  • 1 a substrate separation system with a receiving element and an excitation device according to an embodiment;
  • 2 a few steps one by means of the system from the 1 substrate uptake process carried out;
  • 3 Calculated waveforms at different vibration frequencies for a mechanically excited substrate;
  • 4th a schematic side view of a substrate stack to illustrate the problem of adhering substrates with constant excitation (so-called double cells);
  • 5 like the problem from the 4th is released by means of a pulse-shaped excitation;
  • 6th a schematic side view of a substrate stack to illustrate the process sequence with a change between pulsed and constant excitation;
  • 7th a schematic side view of a substrate stack to illustrate the separation effect in a common mode oscillation of adhering substrates; and
  • 8th a schematic side view of a substrate stack to illustrate the separation effect in a push-pull oscillation of substrates adhering to one another.

Die 1 zeigt schematisch ein Substrattrennungssystem mit einem Stapelrahmen 6, in dem ein Stapel 3 aus mehreren Substraten 1, 2 angeordnet ist. Ganz oben auf dem Stapel 3 befindet sich ein Substrat 1, welches mit einem Aufnahmeelement 4 (auch Greifer genannt) angehoben und vom Stapel 3 getrennt werden soll. Das Aufnahmeelement 4 ist in der hier dargestellten Form aus mehreren Saugnäpfen 41 gebildet, welche entlang einer Ebene angeordnet sind. Die Saugnäpfe 41 sind jeweils mit einer Vakuumleitung 42 verbunden. Aufgrund eines Vakuums in der Vakuumleitung 42 wird am jeweiligen Saugnapf 41 ein Unterdruck erzeugt, wodurch sich der Saugnapf 41 am Substrat 1 festsaugen kann.The 1 shows schematically a substrate separation system with a stacking frame 6th in which a stack 3 from several substrates 1 , 2 is arranged. At the top of the pile 3 there is a substrate 1 , which with a receiving element 4th (also called gripper) lifted and off the stack 3 should be separated. The receiving element 4th is in the form shown here from several suction cups 41 formed, which are arranged along a plane. The suction cups 41 are each with a vacuum line 42 connected. Due to a vacuum in the vacuum line 42 is attached to the respective suction cup 41 a negative pressure is created, causing the suction cup 41 on the substrate 1 can suck up.

Zum Anheben des Substrates 1, wird das Aufnahmeelement 4 zu dem Stapel 3 hinabgesenkt, bis die Saugnäpfe 41 mit dem Substrat 1 in Berührung kommen oder zumindest bis die Saugwirkung des Vakuums auf das Substrat 1 groß genug ist, um es anzuheben und gegen die Saugnäpfe 41 zu drücken. Um das Substrat 1 möglichst schonend vom Substratstapel 3, insbesondere von einem weiteren, unterhalb des Substrates 1 liegenden Substrat 2 zu trennen, wird in der hier dargestellten Ausführungsform eine Düse 5 eingesetzt. Mittels der Düse 5 wird ein Gasstrom, insbesondere ein Luftstrom, erzeugt, welcher gegen das Substrat 1 bläst. Hierdurch wird das Substrat 1 mechanisch angeregt und angehoben, und auf diese Weise vom Substratstapel 3 separiert.For lifting the substrate 1 , becomes the receiving element 4th to the pile 3 lowered down until the suction cups 41 with the substrate 1 come into contact or at least until the suction of the vacuum on the substrate 1 is big enough to lift it up and against the suction cups 41 to press. To the substrate 1 As gently as possible from the substrate stack 3 , in particular from another one below the substrate 1 lying substrate 2 to separate, in the embodiment shown here, a nozzle 5 used. Using the nozzle 5 a gas flow, in particular an air flow, is generated, which flows against the substrate 1 blows. This creates the substrate 1 mechanically stimulated and lifted, and in this way from the substrate stack 3 separated.

Nachdem das Substrat 1 mittels des Luftstromes separiert und mittels des Aufnahmeelements 4 vom Stapel 3 entfernt wurde, kommt das weitere Substrat 2 an die Reihe. Hierzu kann beispielsweise die Düse 5 zum weiteren Substrat 2 im Stapel 3 herabgesenkt werden. Stattdessen ist jedoch in der Ausführungsform gemäß 1 ein Stapelheber 7 vorgesehen, auf dem der Stapel 3 ruht, und der nach oben gefahren wird, um den Stapel 3 anzuheben und dadurch das weitere Substrat 2 in Position vor der Düse 5 anzuordnen.After the substrate 1 separated by means of the air flow and by means of the receiving element 4th from the stack 3 removed, the next substrate comes 2 your turn. For this purpose, for example, the nozzle 5 to another substrate 2 in the stack 3 be lowered. Instead, however, in the embodiment according to FIG 1 a pile lifter 7th provided on which the stack 3 rests, and which is driven up to the stack 3 to lift and thereby the further substrate 2 in position in front of the nozzle 5 to arrange.

Die 2 stellt schematisch unterschiedliche Zustände des in der 1 gezeigten Substrattrennungssystems in Seitenansicht dar und dient der Veranschaulichung eines Substrataufnahmeverfahrens. Im Zustand gemäß 2a) ist das Aufnahmeelement 4 mit den Saugnäpfen 41 nahe an das Substrat 1 im Stapel 3 gebracht. Anschließend, oder auch während der Annährung des Aufnahmeelements 4, wird mittels der Düse 5 ein Luftstrom erzeugt, welcher zu einer Separierung des Substrates 1 vom Stapel 3 führt. Dieser Zustand ist in 2b) dargestellt, wobei hier zudem eine Ausführungsform verdeutlicht wird, bei der die Saugnäpfe 41 bereits vor dem Berühren des Substrates 1 zurückgezogen werden, um einen übermäßig abrupten Aufprall des Substrates 1 auf die Saugnäpfe 41 zu vermeiden, was zu einer Beschädigung des Substrates 1 führen könnte.The 2 represents schematically different states of the in the 1 substrate separation system shown in side view and serves to illustrate a substrate receiving method. In the state according to 2a) is the receiving element 4th with the suction cups 41 close to the substrate 1 in the stack 3 brought. Subsequently, or during the approach of the receiving element 4th , is by means of the nozzle 5 an air flow is generated, which leads to a separation of the substrate 1 from the stack 3 leads. This state is in 2 B) shown, whereby an embodiment is also illustrated here in which the suction cups 41 even before touching the substrate 1 withdrawn to avoid an excessively abrupt impact on the substrate 1 on the suction cups 41 to avoid damaging the substrate 1 could lead.

In dem in 2c) dargestellten Zustand ist das Substrat 1 bereits mit den Saugnäpfen 41 in Berührung gekommen und wird durch die Saugwirkung des an den Saugnäpfen 41 anliegenden Vakuums am Aufnahmeelement 4 gehalten. Das Substrat 1 kann nun weg transportiert werden, beispielsweise zu einem nachfolgenden Prozessschritt oder zur Bestückung eines Solarmoduls, falls es sich um eine fertige Solarzelle handelt. Anschließend wird entweder der Stapel 3 angehoben, oder die Düse 5 wird abgesenkt, um das weitere Substrat 2 und die Düse 5 auf gleiche Höhe zu bringen.In the in 2c ) The state shown is the substrate 1 already with the suction cups 41 come into contact and is caused by the suction of the suction cups 41 applied vacuum on the receiving element 4th held. The substrate 1 can now be transported away, for example to a subsequent process step or to equip a solar module, if it is a finished solar cell. Then either the stack 3 raised, or the nozzle 5 is lowered to the further substrate 2 and the nozzle 5 to bring it to the same height.

In der in den 1 und 2 dargestellten Ausführungsformen kann die Düse 5 ausgebildet sein, um sowohl konstante als auch gepulste Gasströme erzeugen zu können. Dies kann mittels eines hier nicht gezeigten Schaltelementes, beispielsweise mittels eines Magnetventils, gesteuert werden. Wird ein gepulster Gasstrom erzeugt, dann kann hierdurch eine gepulste mechanische Anregung erzeugt werden, um das Substrat 1 in mechanische Schwingungen zu versetzen.In the in the 1 and 2 Embodiments shown can be the nozzle 5 be designed to be able to generate both constant and pulsed gas flows. This can be controlled by means of a switching element not shown here, for example by means of a solenoid valve. If a pulsed gas flow is generated, a pulsed mechanical excitation can thereby be generated around the substrate 1 to put into mechanical vibrations.

Bei der mechanischen Schwingung verhält sich das Substrat 2 ähnlich wie eine Membran gleicher Abmessungen. Errechnete zweidimensionale Wellenformen, die sich bei den Eigenfrequenzen einer solchen Membran einstellen, sind in der 3 wiedergegeben. Es handelt sich hierbei um Gitternetzlinien-Darstellungen der Membranform jeweils im Moment einer maximalen Auslenkung aus der Nullebene heraus. Die Grundwellenform ist in der 3a) dargestellt. EF1 bezeichnet die erste Eigenfrequenz, welche in diesem Fall bei 27 Hz (Hertz) liegt; allgemein bezeichnet EFx die x-te Eigenfrequenz. Die 3b) zeigt eine Oberwellenschwingung bei der Eigenfrequenz 63 Hz, wobei es hier zwei unterschiedliche Schwingungsbilder gibt, welche jedoch zueinander spiegelsymmetrisch sind und daher nur eines von ihnen dargestellt wird. Daher werden die 63 Hz auch als Eigenfrequenzen zwei und drei bezeichnet (EF2, EF3). Das gleiche gilt für die Oberwellenschwingung bei den beiden Eigenfrequenzen E7 und E8 von 200 Hz, die in 3f) dargestellt ist. Die 3c), 3d) und 3e) zeigen dementsprechend die Oberwellenschwingungen bei EF4 = 80 Hz, EF5 = 150 Hz und EF6 = 176 Hz.The substrate behaves in the case of mechanical vibration 2 similar to a membrane of the same dimensions. Calculated two-dimensional waveforms that arise at the natural frequencies of such a membrane are in the 3 reproduced. These are grid line representations of the membrane shape in each case at the moment of a maximum deflection out of the zero plane. The basic waveform is in the 3a) shown. EF1 denotes the first natural frequency, which in this case is 27 Hz (Hertz); in general, EFx denotes the xth natural frequency. The 3b) shows a harmonic oscillation at the natural frequency 63 Hz, whereby there are two different oscillation patterns, which, however, are mirror-symmetrical to one another and therefore only one of them is shown. This is why the 63 Hz are also referred to as natural frequencies two and three (EF2, EF3). The same applies to the harmonic oscillation at the two natural frequencies E7 and E8 of 200 Hz, which are shown in 3f) is shown. The 3c ), 3d) and 3e) show the harmonic oscillations at EF4 = 80 Hz, EF5 = 150 Hz and EF6 = 176 Hz.

Wenngleich diese Eigenfrequenzen errechnet werden können, ist es vorteilhaft, wenn die impulsförmige Anregung einen Frequenzbereich durchläuft, um die optimale Anregungsfrequenz experimentell zu ermitteln. Beispielsweise kann es unter Umständen von Vorteil sein, wenn die Anregungsfrequenz nicht ganz mit der Eigenfrequenz des Substrates 1 übereinstimmt, sondern eine Abweichung demgegenüber aufweist. Dies kann den Vorteil haben, dass das Substrat 1 nicht aufgrund einer zu starken Schwingbewegung beschädigt wird.Although these natural frequencies can be calculated, it is advantageous if the pulse-shaped excitation runs through a frequency range in order to determine the optimal excitation frequency experimentally. For example, under certain circumstances it can be advantageous if the excitation frequency does not quite match the natural frequency of the substrate 1 matches, but has a deviation from it. This can have the advantage that the substrate 1 is not damaged due to excessive swinging.

Ferner kann das Substrataufnahmeverfahren derart vorgesehen sein, dass die mechanische Anregung bei jedem Separationsvorgang einen bestimmten Frequenzbereich durchläuft. Denn möglicherweise besitzen die Substrate 1, 2 eines Stapels 3 Eigenfrequenzen mit einer messbaren Frequenzverteilung, so dass die Bestimmung der jeweiligen Eigenfrequenzen zu aufwendig wäre. In diesem Fall kann beispielsweise der durchlaufende Frequenzbereich einige wenige Hertz betragen und um eine errechnete oder anderweitig bestimmte Eigenfrequenz herum angeordnet sein. Vorzugsweise befinden sich in dem durchlaufenen Frequenzbereich sogar zwei oder mehr Eigenfrequenzen eines einzelnen Substrates 1.Furthermore, the substrate receiving method can be provided in such a way that the mechanical excitation passes through a specific frequency range during each separation process. Because possibly the substrates own 1 , 2 of a stack 3 Natural frequencies with a measurable frequency distribution, so that the determination of the respective natural frequencies would be too time-consuming. In this case, for example, the continuous frequency range can be a few Hertz and can be arranged around a calculated or otherwise determined natural frequency. Preferably there are even two or more natural frequencies of a single substrate in the frequency range traversed 1 .

Eine mögliche Problematik, welche bei Anregung des Substrats 1 mittels eines kontinuierlichen Luftstroms auftreten kann, oder bei Anregung mittels eines gepulsten Luftstroms abseits einer Eigenfrequenz des Substrats 1, beispielsweise bei Impulsfrequenzen von wenigen Hertz bis 10 Hz, ist in der 4 veranschaulicht. Hier erreicht der Luftstrom (mittels des Pfeils angedeutet) zwar eine Anhebung des Substrates 1. Es wird jedoch gleichzeitig das weitere Substrat 2 mit angehoben, wobei die beiden Substrate 1, 2 aneinander haften, zum Beispiel aufgrund elektrostatischer Kräfte. Das Aufnahmeelement 4 würde also zwei Substrate 1, 2 gleichzeitig Greifen. Man spricht hier üblicherweise von Doppelsubstraten oder, wenn es sich bei den Substraten 1, 2 um Solarzellen handelt, von Doppelzellen.A possible problem that occurs when the substrate is excited 1 can occur by means of a continuous air flow, or when excited by means of a pulsed air flow away from a natural frequency of the substrate 1 , for example at pulse frequencies of a few Hertz to 10 Hz, is in the 4th illustrated. Here the air flow (indicated by the arrow) does indeed raise the substrate 1 . However, it becomes the further substrate at the same time 2 with raised, the two substrates 1 , 2 stick to each other, for example due to electrostatic forces. The receiving element 4th so would two substrates 1 , 2 gripping at the same time. One usually speaks here of double substrates or, if it is the case with the substrates 1 , 2 solar cells, double cells.

Anders ist die Situation bei einer Anregung mit einem gepulsten Gasstrom, wie in der 5 anhand der geschwungenen Linie über dem Pfeil angedeutet, bei einer Impulsfrequenz, welche nahe einer Eigenfrequenz des Substrates 1 liegt oder mit dieser Eigenfrequenz im Wesentlichen identisch ist. Hier kann aufgrund einer gegensinnigen Schwingbewegung der beiden aneinander haftenden Substrate 1, 2, oder aufgrund einer gegensinnigen Bewegung von aufeinander liegenden Abschnitten dieser Substrate 1, 2, die Haftwirkung überwunden werden.The situation is different with excitation with a pulsed gas flow, as in FIG 5 indicated by the curved line above the arrow, at a pulse frequency which is close to a natural frequency of the substrate 1 or is essentially identical to this natural frequency. Here, due to an opposing oscillating movement of the two substrates adhering to one another 1 , 2 , or due to a movement in opposite directions of sections of these substrates lying on top of one another 1 , 2 , the adhesive effect can be overcome.

Bei einer bevorzugten, anhand der 6 veranschaulichten Ausführungsform des Substrataufnahmeverfahrens wird das Substrat 1 zunächst mittels einer gepulsten Anregung vom Stapel 3 separiert, was in der 6a) dargestellt ist. Anschließend wird das Substrat 1 mittels einer niederfrequenten oder konstanten beziehungsweise kontinuierlichen Anregung über dem Stapel 3 gehalten, was in der 6b) dargestellt ist. Bei einer Anregung mittels eines Gasstroms schwebt also das Substrat 1 in dieser zweiten Phase über dem Stapel 3 und kann mittels des Aufnahmeelementes 4 leichter gegriffen werden.In a preferred, based on the 6th The illustrated embodiment of the substrate uptake process is the substrate 1 initially by means of a pulsed excitation from the stack 3 separates what is in the 6a) is shown. Then the substrate 1 by means of a low-frequency or constant or continuous excitation above the stack 3 kept what's in the 6b) is shown. When excited by means of a gas flow, the substrate floats 1 in this second phase above the pile 3 and can by means of the receiving element 4th be gripped more easily.

Die 7 und 8 verdeutlichen das Wirkprinzip, mittels dessen die Separation von aneinander haftenden Substraten 1, 2 aufgrund einer gepulsten Anregung erfolgt. In der 7 wird der Fall gezeigt, dass die beiden Substrate 1, 2 im Gleichtakt schwingen. Die 7a), 7b) und 7c) zeigen hierbei drei Phasen einer Schwingungsperiode. Während der in 7a) gezeigten Phase bewegen sich die Randbereiche 11 der Substrate 1, 2 nach oben. Aufgrund der Krümmung der Substrate 1, 2 führen die ursprünglich aneinander haftenden Substratoberflächen an der Berührungsfläche 13 der beiden Substrate 1, 2 im Randbereich 11 eine Gegenbewegung relativ zueinander aus. Diese Gegenbewegung entlang der Berührungsfläche 13 ist in den 7 mit Pfeilen verdeutlicht.The 7th and 8th illustrate the operating principle by means of which the separation of substrates that adhere to one another 1 , 2 takes place on the basis of a pulsed excitation. In the 7th the case is shown that the two substrates 1 , 2 swing in unison. The 7a) , 7b) and 7c ) show three phases of an oscillation period. During the in 7a) the phase shown move the edge areas 11 of the substrates 1 , 2 up. Due to the curvature of the substrates 1 , 2 guide the originally adhering substrate surfaces to the contact area 13th of the two substrates 1 , 2 at the edge 11 a countermovement relative to each other. This countermovement along the contact surface 13th is in the 7th illustrated with arrows.

Die 7b) zeigt die Substrate 1, 2 in einer Phase der Schwingung, bei der sie keine Krümmung aufweisen.The 7b) shows the substrates 1 , 2 in a phase of oscillation in which they have no curvature.

In der 7c) ist wiederum eine Schwingungsphase mit einer gegenüber 7a) umgekehrten Krümmung dargestellt. Hier ist die Gegenbewegungen der Substratoberflächen an den Randbereichen 11 entlang der Berührungsfläche 13 entsprechend entgegengesetzt zu der in 7a) gerichtet. Aufgrund der in 7a) und 7c) dargestellten Gegenbewegung entlang der Berührungsfläche 13 kann die Haftreibung zwischen den Substraten 1, 2 überwunden und die Substrate 1, 2 so voneinander separiert werden. Es zeigt sich somit, dass zwar die beiden Substrate 1, 2 in Gleichtakt schwingen, dass sich die Substratoberflächen an den Randbereichen 11 jedoch gegensinnig zueinander bewegen.In the 7c ) is again an oscillation phase with an opposite 7a) inverted curvature shown. Here is the counter-movements of the substrate surfaces at the edge areas 11 along the contact surface 13th correspondingly opposite to that in 7a) directed. Due to the in 7a) and 7c ) shown counter-movement along the contact surface 13th can reduce the static friction between the substrates 1 , 2 overcome and the substrates 1 , 2 so separated from each other. It can thus be seen that the two substrates 1 , 2 vibrate in unison that the substrate surfaces at the edge areas 11 however move in opposite directions to each other.

Der Fall, bei dem die ursprünglich aneinander haftenden Substrate 1, 2 aufgrund der impulsförmigen Anregung im Gegentakt schwingen, ist in der 8 dargestellt. Hierbei werden in 8a) und 8b) jeweils unterschiedliche Phasen einer Schwingungsperiode dargestellt. Während in dem in 8a) dargestellten Augenblick die Randbereiche 11 der Substrate 1, 2 auseinander gedrückt werden und die Substrate 1, 2 im Mittelbereich 12 aneinandergedrückt werden, passiert das Umgekehrte in der in 8b) dargestellten Phase. Hier werden die Substratoberflächen im Mittelbereich 12 voneinander weggedrückt. Insgesamt führt dieser Zyklus zu einer Separation der Substrate 1, 2 voneinander.The case in which the substrates originally adhered to one another 1 , 2 due to the impulsive excitation oscillate in push-pull, is in the 8th shown. Here, in 8a) and 8b) each different phases of an oscillation period shown. While in the in 8a) the moment shown the edge areas 11 of the substrates 1 , 2 are pressed apart and the substrates 1 , 2 in the middle area 12th are pressed together, the opposite happens in the in 8b) illustrated phase. Here the substrate surfaces are in the middle area 12th pushed away from each other. Overall, this cycle leads to a separation of the substrates 1 , 2 from each other.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

11
SubstratSubstrate
1111
RandbereichEdge area
1212th
MittenbereichMiddle area
1313th
BerührungsflächeContact surface
22
weiteres Substratanother substrate
33
Substratstapel Substrate stack
44th
Aufnahmeelement (Greifer)Receiving element (gripper)
4141
SaugnäpfeSuction cups
4242
Vakuumleitungen Vacuum lines
55
Düsejet
66th
StapelrahmenStacking frame
77th
StapelheberPile lifter

Claims (10)

Substrataufnahmeverfahren, bei dem ein Substrat (1) von einem eine Mehrzahl an Substraten (1, 2) umfassenden Substratstapel (3) mittels eines Aufnahmeelementes (4) aufgenommen wird, wobei vor und / oder während des Aufnehmens des Substrates (1) vom Substratstapel (3) das Substrat (1) in mechanische Schwingung in seiner Eigenresonanz versetzt wird, indem das Substrat (1), mehrere Substrate (1, 2) des Substratstapels (3) oder der Substratstapel (3) mit einer Eigenfrequenz des Substrates (1) mechanisch angeregt wird, wobei zur mechanischen Anregung: - eine Blasvorrichtung verwendet wird, mittels der ein pulsförmiger Gasstrom auf das Substrat (1), auf mehrere Substrate (1, 2) des Substratstapels (3) oder auf den Substratstapel (3) gerichtet wird oder - ein Schallerzeuger verwendet wird, wobei die mechanische Anregung des Substrates (1) mittels des Schallerzeugers durch den Substratstapel (3) hindurch erfolgt.Substrate pick-up method in which a substrate (1) is picked up by a substrate stack (3) comprising a plurality of substrates (1, 2) by means of a pick-up element (4), with the substrate (1) being picked up from the substrate stack (4) before and / or during the pick-up. 3) the substrate (1) is set into mechanical oscillation in its natural resonance by the substrate (1), several substrates (1, 2) of the substrate stack (3) or the substrate stack (3) mechanically at a natural frequency of the substrate (1) is excited, whereby for mechanical excitation: - A blowing device is used, by means of which a pulsed gas stream is directed onto the substrate (1), onto several substrates (1, 2) of the substrate stack (3) or onto the substrate stack (3) or - A sound generator is used, the mechanical excitation of the substrate (1) taking place through the substrate stack (3) by means of the sound generator. Substrataufnahmeverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der pulsförmige Gasstrom parallel oder in einem Winkel zu einer Substratoberfläche des Substrates (1) gerichtet wird.Substrate uptake process according to Claim 1 , characterized in that the pulsed gas flow is directed parallel to or at an angle to a substrate surface of the substrate (1). Substrataufnahmeverfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Blasvorrichtung verwendet wird, welche eine Düse (5) mit einem Schaltelement umfasst.Substrate uptake method according to one of the Claims 1 or 2 , characterized in that a blowing device is used which comprises a nozzle (5) with a switching element. Substrataufnahmeverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mechanische Anregung einen Frequenzbereich durchläuft.Substrate uptake method according to one of the Claims 1 to 3 , characterized in that the mechanical excitation runs through a frequency range. Substrataufnahmeverfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass mittels des durchlaufenen Frequenzbereichs mehrere mechanische Eigenschwingungen des Substrates (3) angeregt werden.Substrate uptake process according to Claim 4 , characterized in that several mechanical natural vibrations of the substrate (3) are excited by means of the frequency range traversed. Substrataufnahmeverfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Frequenzbereich Frequenzen von größer als 5, 10, 15, 20, 50, 100 oder 150 Hertz umfasst.Substrate uptake process according to Claim 4 or 5 , characterized in that the frequency range comprises frequencies greater than 5, 10, 15, 20, 50, 100 or 150 Hertz. Substrataufnahmeverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1), nachdem es in mechanische Schwingung versetzt wurde, mittels eines weiteren Gasstromes von den übrigen Substraten (2) im Stapel (3) getrennt gehalten wird.Substrate receiving method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the substrate (1), after it has been set into mechanical vibration, is kept separated from the other substrates (2) in the stack (3) by means of a further gas flow. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Halbleiterwafer ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the substrate is a semiconductor wafer. Substrattrennungssystem mit - einem Aufnahmeelement zum Aufnehmen eines Substrates (1) von einem eine Mehrzahl an Substraten (1, 2) umfassenden Substratstapel (3), - einer Anregungsvorrichtung, welche ausgebildet ist, das Substrat (1), mehrere Substrate (1, 2) des Substratstapels (3) oder den Substratstapel (3) mechanisch mit einer Eigenfrequenz des Substrates (1) anzuregen, wobei die Anregungsvorrichtung - eine Blasvorrichtung ist, die ausgebildet ist, einen pulsförmigen Gasstrom auf das Substrat (1), auf mehrere Substrate (1, 2) des Substratstapels (3) oder auf den Substratstapel (3) zu richten oder - ein Schallerzeuger ist, der ausgebildet ist, die mechanische Anregung des Substrates (1) mittels des Schallerzeugers durch den Substratstapel (3) hindurch erfolgen zu lassen.Substrate separation system with - A receiving element for receiving a substrate (1) from a substrate stack (3) comprising a plurality of substrates (1, 2), - An excitation device which is designed to excite the substrate (1), several substrates (1, 2) of the substrate stack (3) or the substrate stack (3) mechanically with a natural frequency of the substrate (1), the excitation device - is a blowing device which is designed to direct a pulsed gas flow onto the substrate (1), onto several substrates (1, 2) of the substrate stack (3) or onto the substrate stack (3) or - is a sound generator which is designed to allow the mechanical excitation of the substrate (1) to take place through the substrate stack (3) by means of the sound generator. Substrattrennungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Halbleiterwafer ist.Substrate separation system according to Claim 9 , characterized in that the substrate is a semiconductor wafer.
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