DE102012100285B4 - Solarzellen Rückseitenstruktur - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229930091051 Arenine Natural products 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Solarzelle, aufweisend einen Halbleiterwafer (1) mit einer Rückseitenoberfläche und einer auf der Rückseitenoberfläche angeordneten Rückseitenelektrodenstruktur (2), wobei die Rückseitenelektrodenstruktur (2) einen ersten Lötkontakt (2.1) mit einer ersten Lötkontaktfläche, einen zweiten Lötkontakt (2.2) mit einer zweiten Lötkontaktfläche und eine Rückseitenmetallisierung (3) aufweist, die über die Hälfte der Rückseitenoberfläche bedeckt, wobei die Lötkontakte (2.1, 2.2) aus einem anderen Material als die Rückseitenmetallisierung bestehen, wobei von dem ersten Lötkontakt (2.1) zu dem zweiten Lötkontakt (2.2) ein elektrisch leitender Verbindungskanal (4) entlang einer Erstreckungsrichtung (E) verläuft, der den ersten Lötkontakt (2.1) mit dem zweiten Lötkontakt (2.2) elektrisch kontaktiert und auf der Rückseitenoberfläche des Halbleiterwafers eine Leitkanalfläche bedeckt, wobei die Leitkanalfläche kleiner ist als die erste Lötkontaktfläche und/oder die Leitkanalfläche kleiner ist als die zweite Lötkontaktfläche.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Solarzelle aufweisend einen Halbleiterwafer mit einer Rückseitenoberfläche und einer auf der Rückseitenoberfläche angeordneten Rückseitenelektrodenstruktur, wobei die Rückseitenelektrodenstruktur einen ersten Lötkontakt mit einer ersten Lötkontaktfläche, einen zweiten Lötkontakt mit einer zweiten Lötkontaktfläche und eine Rückseitenmetallisierung aufweist. Die Rückseitenmetallisierung bedeckt über die Hälfte der Rückseitenoberfläche.
- Der Grundbestandteil einer solchen kristallinen Solarzelle ist ein Halbleiterwafer. Hierbei handelt es sich um eine flache Scheibe eines Halbleitermaterials, beispielsweise Silizium, mit einer Dicke von ca. 80 bis 200 Mikrometern. Der Halbleiterwafer ist üblicherweise quadratisch oder mit abgeschrägten Ecken (pseudosquare) geformt und weist eine Kantenlänge von 10,16 bis 15,24 cm (4 bis 6 Zoll) auf.
- Bei einer derart beidseitig kontaktierten kristallinen Solarzelle ist die Frontseitenelektrodenstruktur üblicherweise als Gitter aufgebaut, welches mittels Siebdruckverfahren unter Einsatz einer silberhaltigen Siebdruck-Metallpaste aufgedruckt wird. Hierbei ist ein Kompromiss zwischen großflächigem elektrischem Kontakt und damit geringem Serienwiderstand sowie andererseits einer möglichst geringen Abschattung zu wählen.
- Auf der lichtabgewandten Seite spielt die Abschattung keine Rolle. Aus der
DE 10 2011 055 143 A1 ist beispielsweise eine Solarzelle bekannt, bei der eine Lötkontakte aufweisende Rückseitenelektrodenstruktur mindestens 6%, 10%, 20% oder 50% und weniger als 95% der Rückseitenoberfläche bedeckt und der Rest Freibereiche darstellen, in denen die Rückseitenelektrodenstruktur eine Passivierungsschicht oder den Halbleiterwafer nicht bedeckt.US 2011/0 197 964 A1 - Nachteilig hierbei ist, dass für derartige Lötkontaktflächen eine große Menge an Silberpaste benötigt wird. Da Silber in der Solarzellenproduktion einen hohen Kostenfaktor darstellt sowie als Schwermetall bei der Entsorgung alter Solarmodule eine kritische Komponente ist, ist man bestrebt, die verwendete Silbermenge möglichst gering zu halten.
- Ein Lösungsansatz hierzu ist es, die rückseitigen Lötkontaktflächen nicht als durchgängigen Busbar auszubilden, sondern stattdessen den Busbar zwischen den Lötpunkten zu unterbrechen. Es entsteht somit eine Mehrzahl von Kontaktinseln, sogenannte Pads, an welchen der elektrische Zellverbinder mit der lichtabgewandten Seite verlötet werden kann. Weiterhin sind Busbars variierender Dicke aus der
DE 10 2010 002 521 A1 bekannt. - Nachteilig an dieser Lösung ist, dass sie sehr anfällig für Fertigungsfehler ist. Ist ein Lötpunkt zwischen Zellverbinder und Pad durch einen technischen Fehler nur unzureichend ausgebildet, so ist die Stromleitfähigkeit in diesem Kontakt stark vermindert. Während jedoch beim durchgängigen Busbar der Strom über den hoch leitfähigen Silberbusbar ohne merkliche Verluste an den nächstliegenden Kontaktpunkt weitergeleitet wird, so ist dies hier nicht möglich. Die aus Aluminium aufgebauten Anteile der Rückseitenelektrodenstruktur haben einen deutlich höheren elektrischen Widerstand als die aus Silber aufgebauten Busbar-Bereiche. Der zusätzliche Weg zum nächsten Zellverbinder-Kontaktpunkt bewirkt für den Strom eine signifikante Erhöhung des elektrischen Widerstands der Zelle und damit eine Reduktion des Wirkungsgrads der Solarzelle.
- Ein Ansatz, die Aluminium- bzw. Silbermenge in einer Rückseitenelektrode zu verringern, ist, ein leitfähiges Oxid wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid als Rückseitenelektrode zu verwenden. Dies ist beispielsweise aus der
WO 2007/106 756 A2 - Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Rückseitenstruktur zu zeigen, welche einerseits einen möglichst geringen Silberverbrauch, andererseits hinsichtlich eines möglichst geringen Serienwiderstandes nach dem Verlöten mit Zellverbindern eine hohe Zuverlässigkeit bei der automatisierten Verarbeitung garantiert.
- Diese Aufgabe wird durch eine Solarzelle mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass von dem ersten Lötkontakt zu dem zweiten Lötkontakt ein elektrisch leitender Verbindungskanal entlang einer Erstreckungsrichtung verläuft, der den ersten Lötkontakt mit dem zweiten Lötkontakt elektrisch kontaktiert und auf der Rückseitenoberfläche des Halbleiterwafers eine Leitkanalfläche bedeckt, wobei die Leitkanalfläche kleiner ist als die erste Lötkontaktfläche und/oder die Leitkanalfläche kleiner ist als die zweite Lötkontaktfläche.
- Erreicht wird dies beispielsweise dadurch, dass die als Pads ausgebildeten Lötkontakte durch schmale Streifen verbunden sind. Diese streifenförmigen Leitkanäle werden dabei so dimensioniert, dass einerseits eine gute Leitfähigkeit gewahrt bleibt, andererseits der Materialverbrauch an Silberpaste so gering wie möglich gehalten wird.
- Ein weiterer Vorteil gegenüber Pads ohne Verbindungskanälen ist die größere Kontaktfläche zwischen Silber- und Aluminiumpaste.
- Eine bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass der erste Lötkontakt erste Kontaktabmessungen, der zweite Lötkontakt zweite Kontaktabmessungen und der Verbindungskanal quer zur Erstreckungsrichtung eine Kanalbreite aufweist, wobei die Kanalbreite entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als die kleinste der ersten Kontaktabmessungen und/oder die Kanalbreite entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als die kleinste der zweiten Kontaktabmessungen. Abhängig von der Geometrie der als Lötpads ausgeformten Lötkontakte ergeben sich deren Kontaktabmessungen. Sind die Lötpads quadratisch oder rechteckig aufgebaut liegen Kontaktabmessungen in Form einer Länge und einer Breite vor. Sind die Lötpads rund oder oval bzw. sternförmig, so sind damit Kontaktabmessungen in Form eines oder mehrerer Durchmesser impliziert.
- Dies bedeutet, dass die Leitkanäle schmaler ausgebildet sind als die Längsrichtung der Lötpads. Damit kann gegenüber einem durchgängigen Busbar mit konstanter Breite eine Einsparung der Silberpaste erreicht werden,
- Eine weitere bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbreite entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als 75% der kleinsten der ersten Kontaktabmessungen und/oder die Kanalbreite entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als 75% der kleinsten der zweiten Kontaktabmessungen.
- Eine weitere bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbreite entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als 50% der kleinsten der ersten Kontaktabmessungen und/oder die Kanalbreite entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als 50% der kleinsten der zweiten Kontaktabmessungen.
- Eine weitere bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbreite im Bereich von 0,1 bis 1 mm, bevorzugt im Bereich von 0,2 bis 0,8 mm und besonders bevorzugt im Bereich von 0,3 bis 0,5 mm liegt.
- Eine besonders bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Lötkontakte und der Verbindungskanal aus dem gleichen Material bestehen.
- Bevorzugtes Material ist hierbei eine silberhaltige Paste, die mittels Siebdruck auf die Halbleiterrückseite aufgebracht wird. Somit können Lötkontakte und Verbindungskanäle in einem Arbeitsschritt aufgebracht werden, was den Fertigungsaufwand reduziert.
- Eine weitere besonders bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass über die Hälfte der Leitkanalfläche mit der leitfähigen Rückseitenmetallisierung bedeckt ist.
- Durch diese Überdeckung ergibt sich eine große Kontaktfläche, welche den Serienwiderstand der Solarzelle reduziert und sich damit positiv auf den Wirkungsgrad auswirkt.
- Eine weitere besonders bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass vom ersten Lötkontakt zum zweiten Lötkontakt eine Mehrzahl von Verbindungskanälen verläuft.
- Eine Mehrzahl von Verbindungskanälen erhöht zwar den Verbrauch an silberhaltiger Leitpaste, verringert jedoch den Serienwiderstand der Rückseitenelektrodenstruktur. Zudem wird die Rückseitenelektrodenstruktur durch die erhöhte Redundanz weniger anfällig gegen Fertigungsfehler.
- Eine weitere besonders bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Verbindungskanälen eine Fläche umschließen, die größer ist als die erste Lötkontaktfläche und/oder größer ist als die zweite Lötkontaktfläche.
- Vorteilhaft ist hier die Redundanz der Verbindungskanäle. Die größere umschlossene Fläche erlaubt, dass Lötbändchen später so zu positionieren, dass es nicht auf den Verbindungskanälen aufliegt. Somit ist eine schlechtere Kontaktierung aufgrund der Unebenheiten des Verbindungskanals ausgeschlossen.
- Eine weitere besonders bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Solarzelle eine Vielzahl von Lötkontakten mit identischen Lötkontaktflächen aufweist, wobei zwischen benachbarten Lötkontakten ein oder mehrere Verbindungskanäle verlaufen.
- Die Erfindung wird nachfolgend exemplarisch anhand zweier in den
1 und2 gezeigter Ausführungsbeispiele erläutert. -
1 zeigt eine Rückseite einer quadratischen Solarzelle. Die Erstreckungsrichtung E der Solarzelle verläuft vom unteren Rand der Abbildung nach oben hin, was durch einen Pfeil am linken Rand verdeutlicht wird. - Der flächenmäßig größte Teil der Solarzellenrückseite ist mit einer insbesondere aus einer Aluminiumschicht aufgebauten Rückseitenmetallisierung
3 bedeckt. Diese Rückseitenmetallisierung ist grafisch nicht hervorgehoben, so dass dieser Bereich weiß verbleibt. Als Öffnungen innerhalb der Rückseitenmetallisierung3 befinden sich neun Lötkontakte (2 ,2.1 ,2.2 ) in drei Reihen zu je drei Lötkontakten. Die Lötkontakte sind hierbei als gleich große langgestreckte Rechtecke mit der Breite B1 und der Länge L1 dargestellt. Da sie beispielsweise mit einer silberhaltigen Paste aufgebaut sind und somit aus einem anderen Material als die Rückseitenmetallisierung bestehen, sind die Lötkontakte (2 ,2.1 ,2.2 ) in schwarzer Farbe dargestellt. Um die Übersichtlichkeit zu wahren, ist nur eine Auswahl der Lötkontakte mit Bezugszeichen versehen. - In der linken sowie mittleren Spalte der Lötkontakte ist jeweils ein Lötkontakt mit dem darüberliegenden durch zwei Verbindungskanäle
4 verbunden. Diese Verbindungskanäle4 sind aus dem gleichen Material aufgebaut wie die Lötkontakte selbst und kontaktieren die benachbarten Lötkontakte elektrisch. Die Verbindungskanäle4 verlaufen dabei bogenförmig nach außen gewölbt und überbrücken die Länge L2 zwischen den Lötkontakten. Sie sind durch eine gestrichelte Linie dargestellt, da sie von der Rückseitenmetallisierung3 bedeckt sind. -
2 zeigt die gleiche Solarzellenrückseite mit neun Pads wie in1 . Gleiche Bauelemente sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. Zur Vermeidung von Wiederholungen wird auf die vorangehend gemachten Ausführungen verwiesen. Jedoch verlaufen bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel die Verbindungskanäle4 nicht entlang der Erstreckungsrichtung E, sondern senkrecht dazu. In der Abbildung demnach horizontal mit der eingezeichneten Länge L2. Zudem verläuft jeweils zwischen zwei benachbarten Lötkontakten2 genau ein Verbindungskanal4 . Auch hier sind die Verbindungskanäle durch eine gestrichelte Linie dargestellt, da sie ebenfalls von der Rückseitenmetallisierung3 überdeckt sind. Die Verbindungskanäle4 weisen alle entlang der Erstreckungsrichtung E betrachtet die eingezeichnete Breite B2 auf. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Halbleiterwafer
- 2
- Rückseitenelektrodenstruktur
- 2.1
- Erster Lötkontakt
- 2.2.
- Zweiter Lötkontakt
- 3
- Rückseitenmetallisierung
- 4
- Verbindungskanal
- L1
- Länge des Lötkontakts in Erstreckungsrichtung E
- B1
- Breite des Lötkontakts quer zur Erstreckungsrichtung E
- L2
- Länge des Verbindungskanals
- B2
- Breite des Verbindungskanals
- E
- Erstreckungsrichtung
Claims (10)
- Solarzelle, aufweisend einen Halbleiterwafer (
1 ) mit einer Rückseitenoberfläche und einer auf der Rückseitenoberfläche angeordneten Rückseitenelektrodenstruktur (2 ), wobei die Rückseitenelektrodenstruktur (2 ) einen ersten Lötkontakt (2.1 ) mit einer ersten Lötkontaktfläche, einen zweiten Lötkontakt (2.2 ) mit einer zweiten Lötkontaktfläche und eine Rückseitenmetallisierung (3 ) aufweist, die über die Hälfte der Rückseitenoberfläche bedeckt, wobei die Lötkontakte (2.1 ,2.2 ) aus einem anderen Material als die Rückseitenmetallisierung bestehen, wobei von dem ersten Lötkontakt (2.1 ) zu dem zweiten Lötkontakt (2.2 ) ein elektrisch leitender Verbindungskanal (4 ) entlang einer Erstreckungsrichtung (E) verläuft, der den ersten Lötkontakt (2.1 ) mit dem zweiten Lötkontakt (2.2 ) elektrisch kontaktiert und auf der Rückseitenoberfläche des Halbleiterwafers eine Leitkanalfläche bedeckt, wobei die Leitkanalfläche kleiner ist als die erste Lötkontaktfläche und/oder die Leitkanalfläche kleiner ist als die zweite Lötkontaktfläche. - Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Lötkontakt (
2.1 ) erste Kontaktabmessungen (L1, B1), der zweite Lötkontakt (2.2 ) zweite Kontaktabmessungen (L1, B1) und der Verbindungskanal (4 ) quer zur Erstreckungsrichtung (E) eine Kanalbreite (B2) aufweist, wobei die Kanalbreite (B2) entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als die kleinste der ersten Kontaktabmessungen (L1, B1) und/oder die Kanalbreite (B2) entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als die kleinste der zweiten Kontaktabmessungen (L1, B1). - Solarzelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbreite (B2) entlang der Erstreckungsrichtung (E) kleiner ist als 75% der kleinsten der ersten Kontaktabmessungen (L1, B1) und/oder die Kanalbreite (B2) entlang der Erstreckungsrichtung kleiner ist als 75% der kleinsten der zweiten Kontaktabmessungen (L1, B1).
- Solarzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbreite (B2) entlang der Erstreckungsrichtung (E) kleiner ist als 50% der kleinsten der ersten Kontaktabmessungen (L1, B1) und/oder die Kanalbreite (B2) entlang der Erstreckungsrichtung (E) kleiner ist als 50% der kleinsten der zweiten Kontaktabmessungen (L1, B1).
- Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalbreite (B2) im Bereich von 0,1 bis 1 mm liegt.
- Solarzelle gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötkontakte (
2 ) und der Verbindungskanal (4 ) aus dem gleichen Material bestehen. - Solarzelle gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass über die Hälfte der Leitkanalfläche (
4 ) mit der leitfähigen Rückseitenmetallisierung (3 ) bedeckt ist. - Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vom ersten Lötkontakt (
2.1 ) zum zweiten Lötkontakt (2.2 ) eine Mehrzahl von Verbindungskanälen (4 ) verläuft. - Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Verbindungskanälen (
4 ) eine Fläche umschließen, die größer ist als die erste Lötkontaktfläche und/oder größer ist als die zweite Lötkontaktfläche. - Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Solarzelle eine Vielzahl von Lötkontakten (
2 ) mit identischen Lötkontaktflächen aufweist, wobei zwischen benachbarten Lötkontakten (2 ) ein oder mehrere Verbindungskanäle (4 ) verlaufen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012100285.1A DE102012100285B4 (de) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | Solarzellen Rückseitenstruktur |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012100285.1A DE102012100285B4 (de) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | Solarzellen Rückseitenstruktur |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012100285A1 DE102012100285A1 (de) | 2013-07-18 |
DE102012100285B4 true DE102012100285B4 (de) | 2017-07-20 |
Family
ID=48693143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012100285.1A Active DE102012100285B4 (de) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | Solarzellen Rückseitenstruktur |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102012100285B4 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|
DE102012100285A1 (de) | 2013-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |