DE102012005492B4 - Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit einer Pulssteuerung - Google Patents
Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit einer Pulssteuerung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012005492B4 DE102012005492B4 DE102012005492.0A DE102012005492A DE102012005492B4 DE 102012005492 B4 DE102012005492 B4 DE 102012005492B4 DE 102012005492 A DE102012005492 A DE 102012005492A DE 102012005492 B4 DE102012005492 B4 DE 102012005492B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- optical
- pump
- pulses
- laser
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/113—Q-switching using intracavity saturable absorbers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/1312—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0627—Construction or shape of active medium the resonator being monolithic, e.g. microlaser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10038—Amplitude control
- H01S3/10046—Pulse repetition rate control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1611—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
- H01S3/1673—YVO4 [YVO]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Passiv gütegeschalteter Mikrochiplaser (1) mit einer Pulssteuerung, bestehend aus einem Resonator mit einem optischen Verstärkermedium (2) und einem sättigbaren Absorber (3) zur Erzeugung kurzer optischer Laserpulse (7) mittels passiver Güteschaltung, mit einer optischen Pumpeinrichtung (8) zum Pumpen des Verstärkungsmediums (2) und mit einem fotoleitenden Schalter (10) zum Empfang der optischen Laserpulse (7) und zur Steuerung der optischen Pumpeinrichtung (8), wobei
a) zur Erzeugung einer gewünschten Repetitionsfrequenz der durch die Güteschaltung bewirkten kurzen optischen Laserpulse (7) das Verstärkermedium (2) mit optischen Pump-Pulsen (P) der gewünschten Repetitionsfrequenz gepumpt wird,
b) und die Dauer jedes Pump-Pulses (P) dadurch beschränkt wird, dass der Pump-Puls (P) unmittelbar nach dem mittels eines fotoleitenden Schalters (10) detektierten einzelnen optischen Laserpulses (7) von einer Elektronik abgeschaltet wird.
a) zur Erzeugung einer gewünschten Repetitionsfrequenz der durch die Güteschaltung bewirkten kurzen optischen Laserpulse (7) das Verstärkermedium (2) mit optischen Pump-Pulsen (P) der gewünschten Repetitionsfrequenz gepumpt wird,
b) und die Dauer jedes Pump-Pulses (P) dadurch beschränkt wird, dass der Pump-Puls (P) unmittelbar nach dem mittels eines fotoleitenden Schalters (10) detektierten einzelnen optischen Laserpulses (7) von einer Elektronik abgeschaltet wird.
Description
- Die Erfindung betrifft einen passiv gütegeschalteten Mikrochiplaser mit einer Pulssteuerung.
- Passiv gütegeschaltete Mikrochiplaser bestehen aus einem optisch gepumpten Laserkristall und einem sättigbaren Absorber (siehe beispielsweise
US 5 394 413 A undUS 2009 / 0 290 605 A1 ). Solche Laser werden vorwiegend mittels Laserdioden gepumpt und erzeugen infolge des Zusammenwirkens von gepumptem Lasermedium und sättigbarem Absorber gepulste Laserstrahlung. Seit langem bekannt sind Mikrochiplaser, die aus einem Nd:YVO4 Laserkristall und einem sättigbaren Absorber aus Cr4+:YVO4 bestehen (siehe Optics Letters, Band 18, Seiten 511-512, 1993 oderUS 6 373 864 B1 ). Typische Pulsdauern solcher Mikrochiplaser liegen im Bereich von 1 ns. Die Pulsdauer wird wesentlich durch die Resonatorlänge des Mikrochiplasers bestimmt, die hauptsächlich durch die Dicke des Laserkristalls und des sättigbaren Absorbers gebildet wird. - Für viele Anwendungen in der Materialbearbeitung oder der Messtechnik werden Laserpulse kurzer Dauer von 100 ps oder weniger bei einstellbaren Repetitionsfrequenzen im Bereich von etwa 10 kHz bis 300 kHz benötigt.
- Um zu kürzeren Resonatorlängen und damit zu kürzeren Pulsdauern zu kommen, wurden Mikrochiplaser mit sättigbarem Absorberspiegel (SAM - saturable absorber mirror) aus Halbleitermaterial entwickelt (siehe Optics Letters, Band 22, Seiten 381-383, 1997, Optics Letters Band 32, Seiten 2115-2117, 2007 und Applied Physics B, Band 97, Seiten 317-320, 2009). Infolge der starken Absorption direkter Halbleiter kann eine sehr dünne Absorberschicht der Dicke von etwa 1 µm verwendet werden. Wegen der Verwendung eines sättigbaren Absorberspiegels arbeitet ein solcher Mikrochiplaser in Reflexion. Dabei wird das Ausgangssignal entgegengesetzt zur Richtung des einfallenden Pumplichts abgestrahlt. In Anlehnung an die bekannten Mikrochiplaser in Transmission kann aber auch ein halbleitender sättigbarer Auskoppelspiegel (SOC - saturable output coupler) zur passiven Güteschaltung eines Mikrochiplasers verwendet werden. Mikrochiplaser mit halbleitendem sättigbaren Absorber und einem Laserkristall von 100 µm Dicke liefern passiv gütegeschaltete Pulse mit kurzen Pulsdauern von etwa 50 ps.
- Mit passiv gütegeschalteten Mikrochiplasern, die mit einem dünnen Laserkristall und einem halbleitenden sättigbaren Absorber arbeiten, können demzufolge die für viele Anwendungen erforderlichen Pulse mit Pulsdauern unter 100 ps erreicht werden.
- Um mit einstellbaren Repetitionsraten Laserpulse erzeugen zu können, wurden auch aktiv gütegeschaltete Mikrochiplaser entwickelt. Bei solchen Lasern wird die Resonatorgüte mittels geeigneter Methoden für die Pulserzeugung kurzzeitig erhöht. Solche Laser sind beispielsweise in den Patentschriften
EP 0 806 065 B1 ,US 5 132 977 A undUS 4 982 405 A beschrieben. Mit diesen Lasern können jedoch keine kurzen Pulse im Bereich von 100 ps erzeugt werden, weil keine entsprechend schnelle Ansteuerelektronik für die aktive Güteschaltung realisiert werden kann. - Ein wesentliches Problem bei passiv gütegeschalteten Lasern stellt jedoch die für die Anwendung erforderliche einstellbare und stabile Repetitionsrate der kurzen Laserpulse dar. Um eine präzise Materialbearbeitung mit Kurzpulslasern zu ermöglichen, muss die Repetitionsrate wenigstens mit einer relativen Genauigkeit von 3 % eingestellt werden können. Die Repetitionsrate der Pulse steigt bei einem passiv gütegeschalteten Laser mit der optischen Pumpleistung und kann demzufolge in einem weiten Bereich durch die Wahl der Pumpleistung eingestellt werden. So lässt sich beispielsweise die Repetitionsrate eines Mikrochiplasers mit einer Laserkristalldicke von 100 µm und einem halbleitenden sättigbaren Absorber durch Variation der optischen Pumpleistung im Bereich von 10 kHz bis 3 MHz einstellen. Jedoch steigt der Jitter der Repetitionsfrequenz umgekehrt proportional zur Repetitionsfrequenz an und erreicht bei 10 kHz eine Frequenzschwankung von 100 %. Die Ursache dieses Frequenzjitters liegt in der Schwankung der Laserschwelle, welche sich insbesondere bei sehr geringen Pumpleistungen stark auf den Beginn des nächsten Laserpulses auswirkt. Aus dem gleichen Grund ist es nicht möglich, sehr geringe Repetitionsraten mit dem Mikrochiplaser zu realisieren.
- Es wurden auch Versuche unternommen, die Repetitionsrate der Laserpulse dadurch stabil vorzugeben, dass der Mikrochiplaser mit kurzen Pulsen einer vorgegebenen Repetitionsrate gepumpt wird. Es zeigte sich aber dabei, dass infolge der hohen Pulsfolgefrequenz des passiv gütegeschalteten Mikrochiplasers die Dauer der Pump-Pulse nicht präzise genug vorgegeben werden kann, um eine definierte Repetitionsrate der Laserpulse zu ermöglichen.
- In der Patentschrift
JP 2001- 185 794 A - Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen passiv gütegeschalteten Mikrochiplaser mit einer Pulssteuerung anzugeben, die eine einstellbare Repetitionsrate der durch die Güteschaltung bewirkten kurzen optischen Laserpulse mit einem geringen Frequenzjitter ermöglicht.
- Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einer Kombination aus einem Mikrochiplaser, einer optischen Pumpeinrichtung zum Pumpen des Verstärkungsmediums und mit einem fotoleitenden Schalter zum Empfang der optischen Pulse und zur Steuerung der optischen Pumpeinrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
- Gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 besteht der Mikrochiplaser aus einem Resonator mit einem optischen Verstärkermedium und einem sättigbaren Absorber zur Erzeugung kurzer optischer Pulse mittels passiver Güteschaltung, einer optischen Pumpeinrichtung zum Pumpen des Verstärkungsmediums und einem fotoleitenden Schalter zum Empfang der optischen Pulse und zur Steuerung der optischen Pumpeinrichtung. Zur Erzeugung einer vorgegebenen Repetitionsfrequenz fR der durch die Güteschaltung bewirkten kurzen optischen Pulse wird das Verstärkermedium mit optischen Pump-Pulsen der Soll-Repetitionsfrequenz fR gepumpt. Die Dauer jedes Pump-Pulses wird dadurch beschränkt, dass der Pump-Puls unmittelbar nach dem Empfang einer bestimmten Anzahl kurzer optischer Laserpulse mittels des vom fotoleitenden Schalter empfangenen Signals von einer Elektronik abgeschaltet wird.
- Durch die erfindungsgemäße Anordnung wird zunächst erreicht, dass die durch die passive Güteschaltung bewirkten Pulse sehr kurz sind. Weiterhin wird durch das gepulste optische Pumpen mit der Soll-Repetitionsfrequenz erreicht, dass auch bei geringen Frequenzen der Jitter der Laserpulse klein bleibt. Durch das Abschalten des Pump-Pulses unmittelbar nach dem Empfang einer bestimmten Anzahl kurzer optischer Pulse wird gewährleistet, dass die Anzahl der passiv gütegeschalteten Pulse während eines Pump-Pulses konstant ist. Der Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung des Problems besteht darin, dass einerseits die durch die passive Güteschaltung erzeugten kurzen Laserpulse genutzt werden und andererseits die durch eine Standardelektronik realisierbare stabile Repetitionsrate der Pulse vorgegeben werden kann. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, dass die Repetitionsrate des Mikrochiplasers mit der Pulssteuerung auf beliebig niedrige Werte gemäß der Anforderung der jeweiligen Anwendung eingestellt werden kann.
- Eine zweckmäßige Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Anordnung besteht gemäß Patentanspruch 1 darin, dass der Pump-Puls jeweils nach dem ersten Laserpuls abgeschaltet wird. Dadurch wird erreicht, dass die Repetitionsfrequenz der Laserpulse gleich der Repetitionsfrequenz der Pump-Pulse ist.
- Eine Entlastung der Pumplichtsteuerung kann gemäß Unteranspruch 2 erreicht werden, indem die optische Pumpeinrichtung zusätzlich zu den Pump-Pulsen mit der Soll-Repetitionsfrequenz fR ein kontinuierliches Pumplicht liefert. Zu diesem Zweck wird die Stromquelle, welche die Laserdiode speist, nicht ein und aus geschaltet, sondern zwischen zwei Stromstärken einer niedrigen, zwischen den Pump-Pulsen, und einer hohen während der Pump-Pulse umgeschaltet. Durch das konstante optische Pumpen kann die Amplitude der optischen Pump-Pulse zur Erzeugung der Laserpulse verringert werden. Dadurch werden die Anforderungen an die elektronische Pulserzeugung reduziert.
- Die Erfindung wird nachfolgend an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
- In den zugehörigen Zeichnungen zeigen die
-
1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Mikrochiplasers mit dem fotoleitenden Schalter und der optischen Pumpeinrichtung, -
2 den zeitlichen Verlauf der vorgegebenen Repetitionsfrequenz, der Laserpulse und der Pump-Pulse für den Fall, dass jeweils drei Laserpulse pro Pump-Puls erzeugt werden und -
3 den zeitlichen Verlauf der vorgegebenen Repetitionsfrequenz, der Laserpulse und der Pump-Pulse für den Fall, dass jeweils ein Laserpuls pro Pump-Puls erzeugt wird. - Der Mikrochiplaser 1 besteht aus einem 100 µm dicken Nd:YVO4 Laserkristall als Verstärkermedium 2 und der sättigbare Absorber 3 besteht aus einem InGaAs Halbleiter mit einem Auskoppelspiegel 4, der einen Auskoppelgrad von 10 % besitzt. Die dem Pumplicht 5 zugewandte Seite des Verstärkermediums 2 ist für das Pumplicht 5 entspiegelt und für die Laserpulse 7 verspiegelt. Die optische Pumpeinrichtung 8 besteht aus einem Diodenlaser mit der Emissionswellenlänge von 808 nm und einer elektronischen Ansteuerung des Diodenlasers. Die Pulsdauer der Laserpulse 7 beträgt etwa 50 ps.
- Erfindungsgemäß wird die optische Pumpeinrichtung 8 von einem externen Referenzsignal R der Repetitionsfrequenz fR angesteuert, so dass der Mikrochiplaser 1 von der optischen Pumpeinrichtung 8 mit Pump-Pulsen P dieser Repetitionsfrequenz fR gepumpt wird. Die Laserpulse 7 verlassen den Mikrochiplaser durch den Auskoppelspiegel 4. Mit einem Strahlteiler 9 werden etwa 5 % des Laserlichts abgetrennt und auf einen optischen Sensor 10 gelenkt, der durch einen fotoleitenden Schalter gebildet wird. Das von dem fotoleitenden Schalter erzeugten elektrischen Signal 11 wird der optischen Pumpeinrichtung 8 zugeführt, dort ausgewertet und nach einer vorgegebenen Pulszahl wird der jeweilige Pump-Puls P abgeschaltet.
- Durch die kontrollierte Abschaltung der Pump-Pulse P wird zuverlässig erreicht, dass die Repetitionsrate der Laserpulse 7 mit der extern vorgegebenen Repetitionsrate übereinstimmt. Da die Repetitionsrate der Pump-Pulse P keiner technischen Beschränkung in Richtung geringer Repetitionsraten unterliegt, können mit dem erfindungsgemäßen Mikrochiplaser auch extern getriggerte Einzelpulse mit der Pulsdauer von 50 ps erzeugt werden.
- In
2 ist der zeitliche Signalverlauf des externen Referenzsignals R mit der vorgegebenen Soll-Repetitionsfrequenz, die zeitliche Abfolge der Laserpulse L sowie der Pump-Pulse P für den Fall dargestellt, dass jeweils drei Laserpulse pro Pump-Puls erzeugt werden. - Der erste Pumpzyklus beginnt, wenn das externe Referenzsignal R von low of high geschaltet und damit der Pump-Puls P gestartet wird. Nach einer gewissen Pumpdauer beginnt der Mikrochiplaser mit einer hohen Repetitionsrate kurze Pulse L von 50 ps Dauer zu emittieren. Der zeitliche Verlauf der Laserpulse L wird vom optischen Sensor 10 registriert, als elektrische Pulse 11 der optischen Pumpeinrichtung 8 zugeführt und gezählt. Nach dem dritten Laserpuls L wird der Pump-Puls P abgeschaltet. Der nächste Pumpzyklus beginnt, wenn das externe Referenzsignal R wieder von low of high schaltet.
- In
3 ist der zeitliche Signalverlauf des externen Referenzsignals R mit der vorgegebenen Soll-Repetitionsfrequenz, die zeitliche Abfolge der Laserpulse L sowie der Pump-Pulse P für den Fall dargestellt, dass jeweils nur ein Laserpuls pro Pump-Puls erzeugt wird. - Der erste Pumpzyklus beginnt, wenn das externe Referenzsignal R von low of high geschaltet und damit der Pump-Puls P gestartet wird. Nach einer gewissen Pumpdauer beginnt der Mikrochiplaser einen kurzen Puls L von 50 ps Dauer zu emittieren. Der zeitliche Verlauf des Laserpulses L wird vom fotoleitenden Schalter 10 registriert, als elektrischer Puls 11 der optischen Pumpeinrichtung 8 zugeführt und der Pump-Puls P abgeschaltet. Der nächste Pumpzyklus beginnt dann, wenn das externe Referenzsignal R wieder von low of high schaltet.
- Der Vorteil des erfindungsgemäßen Aufbaus des passiv gütegeschalteten Mikrochiplasers mit einer Pulssteuerung besteht darin, dass auch geringe Repetitionsraten der durch die passive Güteschaltung bewirkten kurzen optischen Laserpulse mit einem geringen Frequenzjitter durch ein externes Signal erzeugt werden können.
- Die erfindungsgemäße Anordnung kann als Pulslichtquelle mit variabler Repetitionsrate beispielsweise in der Materialbearbeitung, in der nichtlinearen Optik, zur Erzeugung eines Superkontinuums, für zeitaufgelöste Fluoreszenzmessungen und für Laser-Abstandsmessungen eingesetzt werden.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Mikrochiplaser
- 2
- Verstärkermedium
- 3
- sättigbarer Absorber
- 4
- Auskoppelspiegel
- 5
- Pumplicht
- 6
- dichroitischer Spiegel
- 7
- Laserpulse
- 8
- optische Pumpeinrichtung
- 9
- Strahlteiler
- 10
- optischer Sensor
- 11
- elektrische Pulse
- R
- zeitlicher Verlauf des externes Referenzsignals
- L
- zeitlicher Verlauf der Laserpulse
- P
- zeitlicher Verlauf der Pump-Pulse
Claims (2)
- Passiv gütegeschalteter Mikrochiplaser (1) mit einer Pulssteuerung, bestehend aus einem Resonator mit einem optischen Verstärkermedium (2) und einem sättigbaren Absorber (3) zur Erzeugung kurzer optischer Laserpulse (7) mittels passiver Güteschaltung, mit einer optischen Pumpeinrichtung (8) zum Pumpen des Verstärkungsmediums (2) und mit einem fotoleitenden Schalter (10) zum Empfang der optischen Laserpulse (7) und zur Steuerung der optischen Pumpeinrichtung (8), wobei a) zur Erzeugung einer gewünschten Repetitionsfrequenz der durch die Güteschaltung bewirkten kurzen optischen Laserpulse (7) das Verstärkermedium (2) mit optischen Pump-Pulsen (P) der gewünschten Repetitionsfrequenz gepumpt wird, b) und die Dauer jedes Pump-Pulses (P) dadurch beschränkt wird, dass der Pump-Puls (P) unmittelbar nach dem mittels eines fotoleitenden Schalters (10) detektierten einzelnen optischen Laserpulses (7) von einer Elektronik abgeschaltet wird.
- Anordnung nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die optische Pumpeinrichtung (8) zusätzlich zu den Pump-Pulsen (P) mit der gewünschten Repetitionsfrequenz ein kontinuierliches Pumplicht (5) liefert.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012005492.0A DE102012005492B4 (de) | 2012-03-17 | 2012-03-17 | Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit einer Pulssteuerung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012005492.0A DE102012005492B4 (de) | 2012-03-17 | 2012-03-17 | Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit einer Pulssteuerung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012005492A1 DE102012005492A1 (de) | 2013-09-19 |
DE102012005492B4 true DE102012005492B4 (de) | 2023-03-23 |
Family
ID=49043786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012005492.0A Active DE102012005492B4 (de) | 2012-03-17 | 2012-03-17 | Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit einer Pulssteuerung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102012005492B4 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT515789B1 (de) * | 2014-07-07 | 2015-12-15 | Daniel Dr Kopf | Microchip-Laser |
CN104466653A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-03-25 | 中国科学院半导体研究所 | 重复频率可控的被动调q产生激光脉冲的方法 |
CN104466654A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-03-25 | 中国科学院半导体研究所 | 脉冲泵浦被动调q输出单脉冲的激光器 |
GB2539046A (en) * | 2015-06-05 | 2016-12-07 | Thales Holdings Uk Plc | Controlling emission of passive Q-switched laser pulses |
US10804672B2 (en) * | 2016-04-25 | 2020-10-13 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body | Monolithic mode-locked laser |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4982405A (en) | 1989-09-07 | 1991-01-01 | Massachusette Institute Of Technology | Coupled-cavity Q-switched laser |
US5132977A (en) | 1989-09-07 | 1992-07-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Coupled-cavity Q-switched laser |
US5394413A (en) | 1994-02-08 | 1995-02-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Passively Q-switched picosecond microlaser |
EP0806065B1 (de) | 1995-01-24 | 1998-09-23 | Commissariat A L'energie Atomique | Mikrolaser mit aktiver güteschaltung |
JP2001185794A (ja) | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ |
US6373864B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-04-16 | Nanolase S.A. | Sub-nanosecond passively q-switched microchip laser system |
US20090290605A1 (en) | 2006-05-09 | 2009-11-26 | Stepan Essaian | Compact, Efficient and Robust Ultraviolet Solid-State Laser Sources Based on Nonlinear Frequency Conversion in Periodically Poled Materials |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE9702175D0 (sv) * | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Geotronics Ab | A laser |
US20030039274A1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-02-27 | Joseph Neev | Method and apparatus for tissue treatment and modification |
US7843978B2 (en) * | 2005-02-04 | 2010-11-30 | Jds Uniphase Corporation | Passively Q-switched laser with adjustable pulse repetition rate |
-
2012
- 2012-03-17 DE DE102012005492.0A patent/DE102012005492B4/de active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4982405A (en) | 1989-09-07 | 1991-01-01 | Massachusette Institute Of Technology | Coupled-cavity Q-switched laser |
US5132977A (en) | 1989-09-07 | 1992-07-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Coupled-cavity Q-switched laser |
US5394413A (en) | 1994-02-08 | 1995-02-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Passively Q-switched picosecond microlaser |
EP0806065B1 (de) | 1995-01-24 | 1998-09-23 | Commissariat A L'energie Atomique | Mikrolaser mit aktiver güteschaltung |
JP2001185794A (ja) | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ |
US6373864B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-04-16 | Nanolase S.A. | Sub-nanosecond passively q-switched microchip laser system |
US20090290605A1 (en) | 2006-05-09 | 2009-11-26 | Stepan Essaian | Compact, Efficient and Robust Ultraviolet Solid-State Laser Sources Based on Nonlinear Frequency Conversion in Periodically Poled Materials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102012005492A1 (de) | 2013-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102012005492B4 (de) | Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit einer Pulssteuerung | |
DE69823658T2 (de) | Ein laser | |
DE102009042003B4 (de) | Gütegeschalteter Laser | |
DE102009036273B4 (de) | Laser und Verfahren zur Erzeugung gepulster Laserstrahlung | |
DE112016002585T5 (de) | Pulslaservorrichtung | |
DE102015115416B4 (de) | Austastung von Pulsen in Pulslasern für LDI-Massenspektrometer | |
EP3011648B1 (de) | Optoelektronischer oszillator | |
EP2056414B1 (de) | Pulsstabilisierung eines gütegeschalteten Festkörperlasers | |
DE102008025824B4 (de) | Miniaturisierter Laseroszillator-Verstärker | |
WO2002021647A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von radiofrequenzwellen | |
DE102010045184B4 (de) | Verfahren zur optronischen Steuerung einer Laseroszillator-Verstärker-Konfiguration sowie Laserverstärkeranordnung | |
DE102008056096B4 (de) | Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals | |
EP1919043A2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Regelung der Laser-Pulsenergie | |
DE102013114580B4 (de) | Lichtquellenvorrichtung | |
DE102011114975B3 (de) | Passiv gütegeschalteter Mikrochip-Laser mit optischem Verstärker | |
EP2514048B1 (de) | Miniaturisierte laserverstärkeranordnung mit pumpquelle | |
DE102007017591B4 (de) | Laser und Verfahren zur Erzeugung gepulster Laserstrahlung | |
DE3111805A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum erzeugen von vorimpulsfreien, glatten laserstrahlungsimpulsen veraenderbarer impulsdauer | |
WO2003012941A2 (de) | Vorrichtung zur kontrolle der dynamik von lasersystemen | |
DE2105480A1 (de) | Verfahren und Anordnung zur Erzeugung von reproduzierbaren und steilen Laser-Riesenimpulsen | |
DE102018215153A1 (de) | LIDAR-Vorrichtung mit einem regelbaren Festkörperlaser | |
WO2022079078A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum erzeugen einer elektromagnetischen nutzstrahlung | |
DE4311454A1 (de) | Raman-Laser | |
DE102021124471A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer Lichtpulsabfolge | |
DE102016101108A1 (de) | Pulslasersystem und Verfahren zum Betrieb eines Pulslasersystems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R086 | Non-binding declaration of licensing interest | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: BATOP GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: BATOP GMBH, 07745 JENA, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |