DE102011101604A1 - Magnetic field sensor, has vertical hall sensor whose supply voltage terminals are connected with terminals of another vertical hall sensor, where former and latter hall sensors comprise hall voltage taps - Google Patents

Magnetic field sensor, has vertical hall sensor whose supply voltage terminals are connected with terminals of another vertical hall sensor, where former and latter hall sensors comprise hall voltage taps Download PDF

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Abstract

The sensor (10) has a vertical hall sensor (20) comprising terminals (22, 30) that are connected with terminals (42, 50) of another vertical hall sensor (40). Supply voltage terminals (24, 28) of the former hall sensor are connected with terminals (48, 44) of the latter hall sensor. The hall sensors comprise respective hall voltage taps (26, 46) and respective longitudinal axes that are arranged parallel to each other.

Description

Die Erfindung betrifft einen Magnetfeldsensor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a magnetic field sensor according to the preamble of patent claim 1.

Aus der DE 101 50 955 C1 ist ein Magnetfeldsensor bekannt. Der Magnetfeldsensor weist mehrere vertikale Hallsensoren mit jeweils fünf Anschlusskontakten auf. Hierbei sind die bis zu vier Hallsensoren parallel zueinander ausgebildet und die Anschlusskontakte mittels einer zyklischen Vertauschung miteinander verschaltet, um den Offset des Magnetfeldsensors im Vergleich zu dem Offset eines einzelnen Hallsensors zu verringern. Zusätzlich lässt sich der Offset mittels der sogenannten „Spinnig-Current” Methode weiter verringern. Es ist wünschenswert, die aufwändige Anordnung und die Empfindlichkeit der Magnetfeldsensoren zu verbessern.From the DE 101 50 955 C1 a magnetic field sensor is known. The magnetic field sensor has a plurality of vertical Hall sensors with five connection contacts each. Here, the up to four Hall sensors are formed parallel to each other and the connection contacts interconnected by means of a cyclic permutation to reduce the offset of the magnetic field sensor compared to the offset of a single Hall sensor. In addition, the offset can be further reduced by means of the so-called "spinnig-current" method. It is desirable to improve the elaborate arrangement and sensitivity of the magnetic field sensors.

Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Vorrichtung anzugeben, die den Stand der Technik weiterbildet.Against this background, the object of the invention is to provide a device which further develops the prior art.

Die Aufgabe wird durch einen Magnetfeldsensor mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.The object is achieved by a magnetic field sensor having the features of patent claim 1. Advantageous embodiments of the invention are the subject of dependent claims.

Gemäß dem Gegenstand der Erfindung wird ein Magnetfeldsensor bereitgestellt, aufweisend einen ersten Hallsensor mit einem ersten Anschlusskontakt und mit einem zweiten Anschlusskontakt und mit einem dritten Anschlusskontakt und mit einem vierten Anschlusskontakt und mit einem fünften Anschlusskontakt, und einen zweiten Hallsensor mit einem sechsten Anschlusskontakt und mit einem siebten Anschlusskontakt und mit einem achten Anschlusskontakt und mit einem neunten Anschlusskontakt und mit einem zehnten Anschlusskontakt, wobei der erste Anschlusskontakt mit dem fünften Anschlusskontakt und mit dem sechsten Anschlusskontakt und mit dem zehnten Anschlusskontakt verbunden ist, und der zweite Anschlusskontakt mit dem neunten Anschlusskontakt verbunden ist, und der vierte Anschlusskontakt mit dem siebten Anschlusskontakt verbunden ist.According to the subject matter of the invention, a magnetic field sensor is provided, comprising a first Hall sensor with a first connection contact and with a second connection contact and with a third connection contact and with a fourth connection contact and with a fifth connection contact, and a second Hall sensor with a sixth connection contact and with one seventh terminal contact and with an eighth terminal contact and with a ninth terminal contact and with a tenth terminal contact, wherein the first terminal contact with the fifth terminal contact and with the sixth terminal contact and the tenth terminal contact is connected, and the second terminal contact is connected to the ninth terminal contact, and the fourth terminal contact is connected to the seventh terminal contact.

Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es, dass sich durch die erfindungsgemäße Verschaltung die Sensitivität des Magnetfeldsensors erhöhen lässt, d. h. die Hallspannung der beiden zusammen geschalteten Hallsensoren ist gegenüber der Hallspannung eines einzelnen Sensors oder dem Magnetfeldsensor aus der DE 101 50 955 C1 bei einem gegebenen magnetischen Fluss vorzugsweise um einen Faktor von etwa 1.3 erhöht. Es versteht sich, dass die Hallsensoren des Magnetfeldsensors eine stromdurchflossene Fläche aufweisen, wobei der Normalenvektor der Fläche parallel zu der Richtung der die Fläche durchdringenden magnetischen Feldlinien ausgebildet ist. Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, dass sich hinsichtlich der Sensitivität ein Optimum mit der erfindungsgemäßen Zusammenschaltung von genau zwei Hallsensoren ausbildet.An advantage of the device according to the invention is that the sensitivity of the magnetic field sensor can be increased by the interconnection according to the invention, ie the Hall voltage of the two Hall sensors connected together is opposite to the Hall voltage of a single sensor or the magnetic field sensor DE 101 50 955 C1 preferably increased by a factor of about 1.3 for a given magnetic flux. It is understood that the Hall sensors of the magnetic field sensor have a current-carrying surface, wherein the normal vector of the surface is formed parallel to the direction of the surface penetrating magnetic field lines. Investigations by the Applicant have shown that with regard to the sensitivity an optimum with the interconnection according to the invention of exactly two Hall sensors is formed.

In einer Weiterbildung ist der dritte Anschlusskontakt und der achte Anschlusskontakt als Hallspannungsabgriff ausgebildet. Hierbei ist das Vorzeichen der zu messenden Hallspannung von der Richtung des Stromflusses und der Richtung des anliegenden Magnetfeldes und der Dotierung der Halbleiterbereiche, in denen die Hallsensoren ausgebildet sind, abhängig. In einer anderen Weiterbildung sind der zweite Anschlusskontakt und der vierte Anschlusskontakt jeweils als Versorgungsspannungsanschluss ausgebildet. Hierbei ist es bevorzugt, den zweiten oder den vierten Anschlusskontakt mit einem Referenzpotential und den jeweilig anderen Anschlusskontakt mit einem Versorgungsspannungspotential zu verschalten.In a development, the third connection contact and the eighth connection contact are designed as Hall voltage tap. Here, the sign of the Hall voltage to be measured is dependent on the direction of the current flow and the direction of the applied magnetic field and the doping of the semiconductor regions in which the Hall sensors are formed. In another development, the second connection contact and the fourth connection contact are each designed as a supply voltage connection. In this case, it is preferable to connect the second or the fourth connection contact to a reference potential and the respective other connection contact to a supply voltage potential.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist der erste Hallsensor parallel zu dem zweiten Hallsensor angeordnet. Hierbei weist der erste Hallsensor und der zweite Hallsensor jeweils eine Längsachse auf, wobei die Längsachse des ersten Hallsensors parallel zu der Längsachse des zweiten Hallsensors angeordnet ist. Gemäß einer Weiterbildung sind der erste Anschlusskontakt bis einschließlich dem fünften Anschlusskontakt sowie der sechste Anschlusskontakt bis einschließlich dem zehnten Anschlusskontakt jeweils auf einer Geraden angeordnet, Insbesondere ist es bevorzugt, den ersten Hallsensor und den zweiten Hallsensor als vertikale Hallsensoren auszubilden.In a preferred embodiment, the first Hall sensor is arranged parallel to the second Hall sensor. In this case, the first Hall sensor and the second Hall sensor each have a longitudinal axis, wherein the longitudinal axis of the first Hall sensor is arranged parallel to the longitudinal axis of the second Hall sensor. According to a development, the first connection contact up to and including the fifth connection contact and the sixth connection contact up to and including the tenth connection contact are each arranged on a straight line. In particular, it is preferred to design the first Hall sensor and the second Hall sensor as vertical Hall sensors.

Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, dass es zweckmäßig ist, wenn der erste Hallsensor und der zweite Hallsensor auf einem Halbleiterkörper angeordnet sind und auf dem Halbleiterkörper eine integrierte Schaltung ausgebildet ist. Hierdurch lassen sich eine als Teil der integrierten Schaltung ausgebildete, mit dem Magnetfeldsensor in einer Wirkverbindung stehende Ansteuerschaltung, und eine Auswerteschaltung monolithisch integrieren. Es sei angemerkt, dass unter dem Begriff Wirkverbindung unter anderem auch eine elektrische Verbindung zwischen der integrierten Schaltung und dem Magnetfeldsensor verstanden wird. Weiterhin ist es bevorzugt, den ersten Hallsensor und den zweiten Hallsensor und die integrierte Schaltung in einem einzigen gemeinsamen Gehäuse anzuordnen.Investigations by the applicant have shown that it is expedient if the first Hall sensor and the second Hall sensor are arranged on a semiconductor body and an integrated circuit is formed on the semiconductor body. This makes it possible to monolithically integrate a control circuit designed as part of the integrated circuit and operatively connected to the magnetic field sensor, and an evaluation circuit. It should be noted that the term active connection inter alia also an electrical connection between the integrated circuit and the magnetic field sensor is understood. Furthermore, it is preferable to arrange the first Hall sensor and the second Hall sensor and the integrated circuit in a single common housing.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Hierbei werden gleichartige Teile mit identischen Bezeichnungen beschriftet. Die dargestellte Ausführungsformen sind stark schematisiert, d. h. die Abstände und laterale und vertikale Erstreckung sind nicht maßstäblich und weisen, sofern nicht anders angegeben, auch keine ableitbare geometrische Relation zueinander auf. Darin zeigen die:The invention will be explained in more detail with reference to the drawings. Here similar parts are labeled with identical names. The illustrated embodiments are highly schematic, ie the distances and lateral and vertical extent are not to scale and, unless stated otherwise, also have no derivable geometrical relation to one another. In it show:

1 eine schematische Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Ausführungsform eines Magnetfeldsensors, 1 a schematic plan view of an embodiment of a magnetic field sensor according to the invention,

2 einen schematischen Querschnitt entlang einer Linie II der Ausführungsform der 1, 2 a schematic cross section along a line II of the embodiment of the 1 .

3 eine schematische Darstellung des Zusammenhangs zwischen einer Hallspannung und einer anliegenden Versorgungsspannung unter Einfluss eines anliegenden Magnetfeldes für einen n-dotierten Magnetfeldsensor. 3 a schematic representation of the relationship between a Hall voltage and an applied supply voltage under the influence of an applied magnetic field for an n-doped magnetic field sensor.

Die Abbildung der 1 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Magnetfeldsensors 10, aufweisend einen ersten vorzugsweise vertikal ausgebildeten Hallsensor 20, mit einem ersten Anschlusskontakt 22, einem zweiten Anschlusskontakt 24, einem dritten Anschlusskontakt 26, einem vierten Anschlusskontakt 28 und einem fünften Anschusskontakt 30, und einen zweiten vorzugsweise vertikal ausgebildeten Hallsensor 40, mit einem sechsten Anschlusskontakt 42, einem siebten Anschlusskontakt 44, einem achten Anschlusskontakt 46, einem neunten Anschlusskontakt 48 und einem zehnten Anschusskontakt 50. Des Weiteren ist der erste Anschlusskontakt 22 mit dem fünften Anschlusskontakt 30 und mit dem sechsten Anschlusskontakt 42 und mit dem zehnten Anschlusskontakt 50 verbunden, der zweite Anschlusskontakt 24 ist mit dem neunten Anschlusskontakt 48 verbunden und der vierte Anschlusskontakt 28 ist mit dem siebten Anschlusskontakt 44 verbunden. Ferner sind der dritte Anschlusskontakt 26 und der achte Anschlusskontakt 46 als Hallspannungsabgriffe ausgebildet, wobei an dem dritten Anschlusskontakt 26 die Ausgangsspannung VOUT1 und an dem achten Anschlusskontakt 46 die Ausgangsspannung VOUT2 vorliegt. Des Weiteren ist der zweite Anschlusskontakt 24 und der vierte Anschlusskontakt 28 jeweils als Versorgungsspannungsanschluss ausgebildet, wobei an dem Anschlusskontakt 24 die Eingangsspannung VI1 und an dem vierten Anschlusskontakt 28 die Eingangsspannung VI2 anliegt. Es versteht sich, dass entweder die Eingangsspannung VI1 oder die Eingangsspannung VI2 mit einem Referenzpotential, insbesondere mit einem Bezugspotential verschaltet ist.The picture of the 1 shows an embodiment of a magnetic field sensor according to the invention 10 comprising a first preferably vertically formed Hall sensor 20 , with a first connection contact 22 , a second connection contact 24 , a third connection contact 26 , a fourth connection contact 28 and a fifth touch contact 30 , and a second preferably vertically formed Hall sensor 40 , with a sixth connection contact 42 , a seventh connection contact 44 , an eighth connection contact 46 , a ninth connection contact 48 and a tenth contact 50 , Furthermore, the first connection contact 22 with the fifth connection contact 30 and with the sixth terminal contact 42 and with the tenth terminal contact 50 connected, the second connection contact 24 is with the ninth terminal contact 48 connected and the fourth connection contact 28 is with the seventh connection contact 44 connected. Further, the third terminal contact 26 and the eighth terminal contact 46 designed as Hall voltage taps, wherein at the third terminal contact 26 the output voltage VOUT1 and at the eighth terminal contact 46 the output voltage VOUT2 is present. Furthermore, the second connection contact 24 and the fourth terminal contact 28 each formed as a supply voltage terminal, wherein at the terminal contact 24 the input voltage VI1 and at the fourth terminal contact 28 the input voltage VI2 is applied. It is understood that either the input voltage VI1 or the input voltage VI2 is connected to a reference potential, in particular to a reference potential.

Der erste Hallsensor 20 und der zweite Hallsensor 40 sind auf einem Halbleitersubstrat 60 ausgebildet. Der erste Hallsensor 20 und der zweite Hallsensor 40 weisen jeweils eine Längsachse auf, wobei die Längsachsen zueinander parallel angeordnet sind. Insbesondere ist der erste Anschlusskontakt 22 bis einschließlich des fünften Anschlusskontakts 30, sowie der sechste Anschlusskontakt 42 bis einschließlich des zehnten Anschlusskontakts 50 jeweils auf einer Geraden angeordnet.The first Hall sensor 20 and the second Hall sensor 40 are on a semiconductor substrate 60 educated. The first Hall sensor 20 and the second Hall sensor 40 each have a longitudinal axis, wherein the longitudinal axes are arranged parallel to each other. In particular, the first connection contact 22 up to and including the fifth connection contact 30 , as well as the sixth connection contact 42 up to and including the tenth contact 50 each arranged on a straight line.

In der 2 ist ein Querschnitt entlang einer Linie II der erfindungsgemäßen Ausführungsform der 1 dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Ausführungsform abgebildet in der 1 erläutert. Unmittelbar unterhalb des sechsten Anschlusskontaktes 42 bis einschließlich des zehnten Anschlusskontaktes 50 ist jeweils ein hochdotiertes n-Kontaktgebiet ausgebildet, um die einzelnen Anschlusskontakte 42 bis 50 niederohmig an ein niedrig dotiertes n-Wannengebiet 70 anzuschließen. Das n-Wannengebiet 70 ist in dem Halbleiterkörper 60 ausgebildet. Zwischen den einzelnen n-Kontaktgebieten ist jeweils ein Isolationsgebiet 75, vorzugsweise aus Oxid oder einer p+-Diffusion bestehend, ausgebildet. Der Halbleiterkörper 60 ist vorzugsweise als p-Substrat ausgebildet. Vorzugsweise weist das n-Wannengebiet eine Phosphordotierung unterhalb 10e18 N/cm3 auf, während das n-Kontaktgebiet vorzugsweise eine Dotierung oberhalb 10e18 N/cm3 aufweist. Demhingegen weist das p-Substrat eine Bordotierung vorzugsweise unterhalb 10e17 N/cm3 auf.In the 2 is a cross section along a line II of the embodiment of the invention 1 shown. In the following, only the differences from the embodiment are shown in FIG 1 explained. Immediately below the sixth connection contact 42 up to and including the tenth connection contact 50 In each case a highly doped n-contact region is formed around the individual connection contacts 42 to 50 low impedance to a low-doped n-well region 70 to join. The n-well area 70 is in the semiconductor body 60 educated. Between the individual n-contact areas is in each case an isolation area 75 , preferably made of oxide or a p + diffusion formed. The semiconductor body 60 is preferably formed as a p-substrate. The n-well region preferably has a phosphorus doping below 10 e18 N / cm 3 , while the n-type contact region preferably has a doping above 10 e18 N / cm 3 . In contrast, the p-substrate has a boron doping preferably below 10 e 17 N / cm 3 .

Gemäß der dargestellten Ausführungsform in 2 weist die Richtung eines anliegenden Magnetfeldes in eine z-Richtung, d. h. in die Zeichenebene hinein. Bei einer zwischen den Anschlusskontakten 24 und 28 anliegenden Spannungsdifferenz zwischen VI1 und VI2 von ca. 3 Volt, ergibt sich eine Sensitivität des Magnetfeldsensors 10 von bis zu 58 mV/T im Vergleich zu einer Sensitivität von bis zu 43 mV/T für einen einzelnen vertikalen Hallsensor.According to the illustrated embodiment in FIG 2 indicates the direction of an applied magnetic field in a z-direction, ie in the plane of the drawing. At one between the connection contacts 24 and 28 applied voltage difference between VI1 and VI2 of about 3 volts, resulting in a sensitivity of the magnetic field sensor 10 of up to 58 mV / T compared to a sensitivity of up to 43 mV / T for a single vertical Hall sensor.

In der Abbildung der 3a und der 3b ist der Zusammenhang zwischen des Vorzeichens einer anliegenden Eingangsspannung VI = VI1 – VI2 und der Ausgangsspannung VOUT = VOUT1 – VOUT2 dargestellt. Liegt in der 3a an dem zweiten Anschlusskontakt 24 eine höhere Spannung als an dem vierten Anschlusskontakt 28 an, stellt sich entsprechend eine negative Ausgangsspannung VOUT zwischen dem dritten Anschlusskontakt 26 und dem achten Anschlusskontakt 46 ein. Hierbei entspricht die Richtung des Magnetfeldes derjenigen dargestellt in der 2, wobei die Sensoren n-dotiert, d. h. Elektronenleiter sind. Liegt gemäß der Abbildung der 3b eine höhere Spannung an dem vierten Anschlusskontakt 28 als an dem zweiten Anschlusskontakt 24 an, stellt sich entsprechend eine positive Ausgangsspannung VOUT zwischen dem dritten Anschlusskontakt 26 und dem achten Anschlusskontakt 46 ein.In the picture of the 3a and the 3b the relationship between the sign of an applied input voltage VI = VI1 - VI2 and the output voltage VOUT = VOUT1 - VOUT2 is shown. Lies in the 3a at the second terminal contact 24 a higher voltage than at the fourth terminal contact 28 a correspondingly sets a negative output voltage VOUT between the third terminal contact 26 and the eighth connection contact 46 one. Here, the direction of the magnetic field corresponds to that shown in FIG 2 wherein the sensors are n-doped, ie, electron conductors. Is according to the picture of the 3b a higher voltage at the fourth terminal contact 28 as at the second terminal contact 24 accordingly, a positive output voltage VOUT is established between the third terminal contact 26 and the eighth connection contact 46 one.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 10150955 C1 [0002, 0006] DE 10150955 C1 [0002, 0006]

Claims (8)

Magnetfeldsensor (10) aufweisend, – einen ersten Hallsensor (20) mit einem ersten Anschlusskontakt (22) und mit einem zweiten Anschlusskontakt (24) und mit einem dritten Anschlusskontakt (26) und mit einem vierten Anschlusskontakt (28) und mit einem fünften Anschlusskontakt (30), – einen zweiten Hallsensor (40) mit einem sechsten Anschlusskontakt (42) und mit einem siebten Anschlusskontakt (44) und mit einem achten Anschlusskontakt (46) und mit einem neunten Anschlusskontakt (48) und mit einem zehnten Anschlusskontakt (50), dadurch gekennzeichnet, dass der erste Anschlusskontakt (22) mit dem fünften Anschlusskontakt (30) und mit dem sechsten Anschlusskontakt (42) und mit dem zehnten Anschlusskontakt (50) verbunden ist, und der zweite Anschlusskontakt (24) mit dem neunten Anschlusskontakt (48) verbunden ist, und der vierte Anschlusskontakt (28) mit dem siebten Anschlusskontakt (44) verbunden ist.Magnetic field sensor ( 10 ), - a first Hall sensor ( 20 ) with a first connection contact ( 22 ) and with a second connection contact ( 24 ) and with a third connection contact ( 26 ) and with a fourth connection contact ( 28 ) and with a fifth connection contact ( 30 ), - a second Hall sensor ( 40 ) with a sixth connection contact ( 42 ) and with a seventh contact ( 44 ) and with an eighth connection contact ( 46 ) and with a ninth connection contact ( 48 ) and with a tenth connection contact ( 50 ), characterized in that the first connection contact ( 22 ) with the fifth connection contact ( 30 ) and with the sixth connection contact ( 42 ) and with the tenth connection contact ( 50 ), and the second terminal contact ( 24 ) with the ninth connection contact ( 48 ), and the fourth terminal contact ( 28 ) with the seventh contact ( 44 ) connected is. Magnetfeldsensor (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Anschlusskontakt (26) und der achte Anschlusskontakt (46) als Hallspannungsabgriffe ausgebildet sind.Magnetic field sensor ( 10 ) according to claim 1, characterized in that the third connection contact ( 26 ) and the eighth terminal contact ( 46 ) are designed as Hall voltage taps. Magnetfeldsensor (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Anschlusskontakt (24) und der vierte Anschlusskontakt (28) jeweils als Versorgungsspannungsanschlüsse ausgebildet sind.Magnetic field sensor ( 10 ) according to claim 1 or 2, characterized in that the second connection contact ( 24 ) and the fourth connection contact ( 28 ) are each designed as supply voltage connections. Magnetfeldsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hallsensor (20) und der zweite Hallsensor (40) jeweils eine Längsachse aufweisen und die Längsachsen zueinander parallel angeordnet sind.Magnetic field sensor ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the first Hall sensor ( 20 ) and the second Hall sensor ( 40 ) each have a longitudinal axis and the longitudinal axes are arranged parallel to each other. Magnetfeldsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Anschlusskontakt (22) bis einschließlich des fünften Anschlusskontakts (30) und der sechste Anschlusskontakt (42) bis einschließlich des zehnten Anschlusskontakts (50) jeweils auf einer Geraden angeordnet sind.Magnetic field sensor ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the first connection contact ( 22 ) up to and including the fifth terminal ( 30 ) and the sixth connection contact ( 42 ) up to and including the tenth terminal ( 50 ) are each arranged on a straight line. Magnetfeldsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hallsensor (20) und der zweite Hallsensor (40) als vertikale Hallsensoren ausgebildet sind.Magnetic field sensor ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the first Hall sensor ( 20 ) and the second Hall sensor ( 40 ) are designed as vertical Hall sensors. Magnetfeldsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hallsensor (20) und der zweite Hallsensor (40) auf einem Halbleiterkörper angeordnet sind und auf dem Halbleiterkörper eine integrierte Schaltung ausgebildet ist.Magnetic field sensor ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the first Hall sensor ( 20 ) and the second Hall sensor ( 40 ) are arranged on a semiconductor body and on the semiconductor body an integrated circuit is formed. Magnetfeldsensor (10) nach einem Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hallsensor (20) und der zweite Hallsensor (40) und die integrierte Schaltung elektrisch verbunden sind und in einem einzigen gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind.Magnetic field sensor ( 10 ) according to claim 7, characterized in that the first Hall sensor ( 20 ) and the second Hall sensor ( 40 ) and the integrated circuit are electrically connected and arranged in a single common housing.
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