DE102011082688B4 - FET relay and test module for testing electrically controllable circuit breakers - Google Patents

FET relay and test module for testing electrically controllable circuit breakers Download PDF

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Abstract

FET-Relais mit einem Optokoppler (30) als Steuerschaltung und einer FET-Schaltstufe (40) als Lastschaltung, welche zwei FET-Schalttransistoren (42, 44) umfasst, wobei der Optokoppler (30) eine Koppelstufe (32) aufweist, welche in Abhängigkeit von einem an der Koppelstufe (32) anliegenden Steuersignal (US) einen Ausgangstreiber (34) zur Ansteuerung der FET-Schaltstufe (40) ansteuert, gekennzeichnet durch einen Energiespeicher (ES1) zur Energieversorgung des Ausgangstreibers (34) des Optokopplers (30), welcher zur Reduzierung der Einschaltzeiten Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren (42, 44) der FET-Schaltstufe (40) über den als Gegentaktendstufe ausgeführten Ausgangstreiber (34) schnell auflädt, wobei der als Gegentaktendstufe ausgeführte Ausgangstreiber (34) des Optokopplers (30) die Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren (42, 44) der FET-Schaltstufe (40) schnell entlädt.

Figure DE102011082688B4_0000
FET relay having an optocoupler (30) as a control circuit and a FET switching stage (40) as a load circuit, which comprises two FET switching transistors (42, 44), wherein the optocoupler (30) has a coupling stage (32), which in dependence from an on the coupling stage (32) applied control signal (U S ) an output driver (34) for driving the FET switching stage (40) drives, characterized by an energy store (E S1 ) for powering the output driver (34) of the optocoupler (30) which, in order to reduce the turn-on times, quickly charges gate capacitances of the FET switching transistors (42, 44) of the FET switching stage (40) via the output driver (34) designed as a push-pull output stage, the output driver (34) of the opto-coupler (30) designed as a push-pull output stage ) quickly discharges the gate capacitances of the FET switching transistors (42, 44) of the FET switching stage (40).
Figure DE102011082688B4_0000

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht aus von einem FET-Relais nach der Gattung des unabhängigen Patentanspruchs 1 und von einem Testmodul zum Prüfen von elektrisch steuerbaren Leistungsschaltern, welche insbesondere zur Ansteuerung von Personenschutzmitteln verwendet werden, nach der Gattung des unabhängigen Patentanspruchs 6.The invention relates to a FET relay according to the preamble of independent claim 1 and of a test module for testing electrically controllable circuit breakers, which are used in particular for the control of personal protection means, according to the preamble of independent claim 6.

Die Besonderheit der Ansteuerung von Zündkreisen in Personenschutzmitteln liegt in der Bestromung von kleinen ohmschen Lasten in den Zündelementen über längere Kabeldistanzen und den damit verbundenen physikalischen Anforderungen. Derzeit werden separate Funktionsmodule zum Testen bzw. Überprüfen der Zündkreise für Personenschutzmittel wie beispielsweise Airbags verwendet. Hierbei bilden die Funktionsmodule beispielsweise einen ohmschen Widerstandsdraht eines konventionellen Zündelements durch eine über Relais geschaltete Widerstandsdekade mit einer hohen Verlustleistung nach. Zudem können über Relais Kurzschlüsse zu wählbaren Bezugspotentialen, Zündkreisunterbrechungen usw. nachgebildet werden. Außerdem kann ein eingestellter Widerstand der Dekade als Messwiderstand zur Zündstrommessung verwendet werden. Des Weiteren kann der Wert des eingestellten Widerstands über eine entsprechende Ausgabeeinheit angezeigt bzw. ausgegeben werden.The peculiarity of the control of ignition circuits in personal protection devices lies in the energization of small ohmic loads in the ignition elements over longer cable distances and the associated physical requirements. Currently, separate functional modules are used to test or check the ignition circuits for personal protective equipment such as airbags. In this case, the function modules simulate, for example, an ohmic resistance wire of a conventional ignition element by means of a resistor decade connected via relays with a high power loss. In addition, short-circuits to selectable reference potentials, ignition circuit breaks, etc. can be emulated via relays. In addition, a set resistance of the decade can be used as a measuring resistor for ignition current measurement. Furthermore, the value of the set resistance can be displayed or output via a corresponding output unit.

In der Offenlegungsschrift DE 10 2007 044 345 A1 werden beispielsweise eine Schaltung und ein Verfahren zum Prüfen elektrisch steuerbaren Leistungsschaltern für ein Ansteuern von Personenschutzmittel beschrieben. Für die Prüfung wird ein Zündelement dadurch nachgebildet, dass ein Widerstandswert dieser Nachbildung durch eine entsprechende Ansteuerung der Nachbildungsbaugruppe verändert werden kann. Dadurch kann das dynamische Verhalten eines Zündelements während der Bestromung zur Ansteuerung der Personenschutzmittel nachgebildet werden. Als elektrisch steuerbare Leistungsschalter werden verschiedene Transistortypen wie Bipolar- und/oder Feldeffekttransistoren (FET) oder andere Bauelemente wie Thyristoren, Triacs, IGBT oder so genannte Solid-State-Relais vorgeschlagen, welche die erforderlichen Ströme zur Bestromung der Personenschutzmittel verkraften können. Die verwendeten Bauteile sollen einen sehr niedrigen Durchlasswiederstand im Bereich von wenigen Milli-Ohm (mΩ) aufweisen. Zur potentialfreien Ansteuerung der Leistungsschalter werden Logikgatter, programmierbare Bausteine, Funktionsgeneratoren, Mikrocontroller und Optokoppler vorgeschlagen. Bei der beschriebenen Anwendung weisen aktive und passive Schaltzustände eine Zeitdauer im Bereich von 100µs +/- 80µs bzw. 200µs +/- 50µs auf. Kürzere Phasen im Bereich sind nicht vorgesehen.In the published application DE 10 2007 044 345 A1 For example, a circuit and a method for testing electrically controllable circuit breakers for controlling personal protection means are described. For the test, an ignition element is simulated in that a resistance value of this simulation can be changed by correspondingly controlling the simulation module. As a result, the dynamic behavior of an ignition element during energization can be simulated to control the personal protection means. Various transistor types such as bipolar and / or field effect transistors (FET) or other components such as thyristors, triacs, IGBT or so-called solid state relays are proposed as electrically controllable circuit breakers, which can withstand the currents required to energize the personal protection means. The components used should have a very low forward resistance in the range of a few milli-ohms (mΩ). Logic gates, programmable modules, function generators, microcontrollers and optocouplers are proposed for floating control of the circuit breakers. In the application described, active and passive switching states have a time duration in the range from 100µs +/- 80µs or 200µs +/- 50µs. Shorter phases in the area are not planned.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Das erfindungsgemäße FET-Relais mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, dass Einschaltzeiten und/oder Ausschaltzeiten unter einer Mikrosekunde realisiert werden können. Durch den speziellen Aufbau des erfindungsgemäßen FET-Relais ist es zudem möglich, Wechselspannungslasten zu schalten. Durch die Auswahl eines geeigneten Optokopplers, welcher die Gate-Kapazitäten der Endstufentransistoren schnell aufladen kann, ist es möglich, Ströme im zweistelligen Amperebereich bei einem gleichzeitig sehr niederen Einschaltwiderstand von ca. 15 mΩ und sehr kurzen Einschaltzeiten und/oder Ausschaltzeiten im Bereich von unter 1 µs darzustellen. Der Optokoppler dient zur Potentialtrennung zwischen einem Steuerkreis und einem Lastkreis. Durch die Potentialtrennung von Lastkreis und Steuerkreis ist es ebenso wie bei elektromechanischen Relais oder Solid-State Relais möglich, mehrere FET-Relais in beliebiger Kombination anzuordnen.The FET relay according to the invention with the features of independent claim 1 has the advantage that turn-on and / or turn-off can be realized under a microsecond. Due to the special structure of the FET relay according to the invention, it is also possible to switch AC voltage loads. By selecting a suitable optocoupler, which can quickly charge the gate capacitances of the output stage transistors, it is possible currents in the two-digit ampere with a very low on-resistance of about 15 mΩ and very short turn-on and / or turn-off times in the range of less than 1 μs represent. The optocoupler is used for potential separation between a control circuit and a load circuit. The potential separation of the load circuit and control circuit makes it possible, just as with electromechanical relays or solid-state relays, to arrange several FET relays in any combination.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können in vorteilhafter Weise elektromechanische Relais und/oder Halbleiter-Relais (Solid-State-Relais) ersetzen, um extrem kurze Unterbrechungen und/oder niederohmige Kurzschlüsse an beliebigen elektrisch steuerbaren Leistungsschaltern nachbilden zu können, welche insbesondere für Personenschutzmittel verwendet werden. Zudem ermöglicht das erfindungsgemäße FET-Relais eine höhere Messgenauigkeit durch reproduzierbare, alterungsstabile und niedrige Schalterübergangswiderstände sowie reproduzierbare Schaltzeiten im Gegensatz zu herkömmlichen Schaltrelais, welche variierende Prellzeiten und eine alterungsbedingte Varianz der Schalterübergangswiderstände aufweisen. Des Weiteren ergibt sich durch das erfindungsgemäße FET-Relais ein verringerter Energiebedarf durch die Reduzierung der Relaisstellströme.Embodiments of the present invention can advantageously replace electromechanical relays and / or semiconductor relays (solid-state relays) in order to be able to emulate extremely short interruptions and / or low-resistance short circuits on any electrically controllable circuit breakers, which are used in particular for personal protection devices. In addition, the FET relay according to the invention enables a higher measurement accuracy through reproducible, aging-stable and low switch transition resistances as well as reproducible switching times in contrast to conventional switching relays, which have varying bounce times and an age-related variance of the switch contact resistances. Furthermore, the FET relay according to the invention results in a reduced energy requirement due to the reduction in the relay control currents.

Der Grundgedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass ein Energiespeicher eingesetzt wird, um die Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren der FET-Schaltstufe über den Ausgangstreiber schnell aufladen zu können, um die kurzen Einschaltzeiten realisieren zu können. Gleichzeitig ist der Ausgangstreiber als Gegentaktendstufe ausgeführt, um die Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren der FET-Schaltstufe zur Reduzierung der Ausschaltzeiten schnell entladen zu können.The basic idea of the present invention is that an energy store is used in order to be able to charge the gate capacitances of the FET switching transistors of the FET switching stage quickly via the output driver in order to be able to implement the short switch-on times. At the same time, the output driver is designed as a push-pull output stage in order to be able to quickly discharge the gate capacitances of the FET switching transistors of the FET switching stage in order to reduce the switch-off times.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen ein FET-Relais zur Verfügung, welches einen Optokoppler als Steuerschaltung und einen FET-Schaltstufe als Lastschaltung aufweist, welche zwei FET-Schalttransistoren umfasst. Der Optokoppler weist eine Koppelstufe auf, welche in Abhängigkeit von einem an der Koppelstufe anliegenden Steuersignal einen Ausgangstreiber zur Ansteuerung der FET-Schaltstufe ansteuert. Erfindungsgemäß ist ein Energiespeicher zur Energieversorgung des Ausgangstreibers des Optokopplers vorhanden, welcher zur Reduzierung der Einschaltzeiten Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren der FET-Schaltstufe über den als Gegentaktendstufe ausgeführten Ausgangstreiber schnell auflädt, wobei der als Gegentaktendstufe ausgeführte Ausgangstreiber des Optokopplers die Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren der FET-Schaltstufe zur Reduzierung der Ausschaltzeiten schnell entlädt. Die FET-Schalttransistoren können als N-Kanal-Feldeffekttransistoren oder P-Kanal-Feldeffekttransistoren ausgeführt werden, sind aber aufgrund der Leistungsklasse vorzugsweise als N-Kanal-Feldeffekttransistoren ausgeführt.Embodiments of the present invention provide a FET relay having an optical coupler as a control circuit and a FET switching circuit as a load circuit comprises two FET switching transistors. The optocoupler has a coupling stage, which activates an output driver for driving the FET switching stage as a function of a control signal applied to the coupling stage. According to the invention, an energy storage device for powering the output driver of the opto-coupler is present, which rapidly charges gate capacitances of the FET switching transistors of the FET switching stage via the output driver designed as a push-pull output driver in order to reduce the switch-on times, wherein the push-pull output driver of the optocoupler executes the gate capacitances of the FET switching transistor FET switching stage quickly discharges to reduce the turn-off. The FET switching transistors may be implemented as N-channel field-effect transistors or P-channel field-effect transistors, but are preferably designed as N-channel field-effect transistors due to the power class.

Vorzugsweise können Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zur Überprüfung der LV124-Spezifikation für Zündschaltkreise von Personenschutzmitteln verwendet werden.Preferably, embodiments of the present invention may be used to verify the LV124 specification for personal security ignition circuitry.

Ausführungsformen des erfindungsgemäßen FET-Relais können beispielsweise in einem Testmodul zum Prüfen von elektrisch steuerbaren Leistungsschaltern eingesetzt werden, welche insbesondere zum Ansteuern von Personenschutzmittel verwendet werden. Ein solches Testmodul umfasst eine Auswerte- und Steuereinheit, eine Messeinheit und eine Nachbildungsbaugruppe. Hierbei steuert die Auswerte- und Steuereinheit die Nachbildungsbaugruppe in Abhängigkeit von Ausgaben der Messeinheit und von Prüfvorgaben an, um bestimmte elektrische Eigenschaften an Testanschlüssen der Nachbildungsbaugruppe einzustellen. Die Nachbildungsbaugruppe umfasst mindestens ein erfindungsgemäßes FET-Relais zum Einstellen der elektrischen Eigenschaften an den Testanschlüssen. Durch die Auswerte- und Steuereinheit, die vorzugsweise als Mikrokontroller ausgeführt ist, ergibt sich in vorteilhafter Weise eine Funktionserweiterung in der Steuerung des Testmoduls für die Überprüfung von verschiedenen Zündkreisen für Personenschutzmittel. Zudem kann sich die Möglichkeit zur Mehrfachnutzung von Hardware-Schaltungen für unterschiedliche Funktionen durch eine entsprechende Konfigurierung und Parametrierung ergeben. Des Weiteren kann sich eine Verlagerung komplexer Funktionalität von einer übergeordneten Testsoftware auf die Low-Level Ebene im Testmodul ergeben. Dies ermöglicht eine Vereinfachung der Softwarepflege. Außerdem können neue Testfunktionen eingeführt und dadurch eine höhere Testtiefe bei der Überprüfung der Personenschutzmittel erreicht werden.Embodiments of the FET relay according to the invention can be used for example in a test module for testing electrically controllable circuit breakers, which are used in particular for driving personal protection means. Such a test module comprises an evaluation and control unit, a measurement unit and a replica assembly. In this case, the evaluation and control unit controls the replica assembly in response to outputs of the measurement unit and test specifications to set certain electrical properties at test leads of the replica assembly. The replica assembly comprises at least one FET relay according to the invention for adjusting the electrical properties at the test connections. By the evaluation and control unit, which is preferably designed as a microcontroller, results in an advantageous manner a functional extension in the control of the test module for the review of different ignition circuits for personal protection. In addition, the possibility of multiple use of hardware circuits for different functions can result from a corresponding configuration and parameterization. Furthermore, a shift of complex functionality from a higher-level test software to the low-level level in the test module may result. This allows a simplification of software maintenance. In addition, new test functions can be introduced and thus a higher test depth can be achieved when checking the personal protection equipment.

So kann beispielsweise eine beliebige Anzahl von erfindungsgemäßen FET-Relais als Schaltelemente in einer Hochlastwiderstandesdekade verwendet werden, um eine schnelle Widerstandsänderungen vornehmen zu können.Thus, for example, any number of FET relays according to the invention can be used as switching elements in a high-load resistor decade in order to be able to make rapid changes in resistance.

Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen und Weiterbildungen sind vorteilhafte Verbesserungen des im unabhängigen Patentanspruch 1 angegebenen FET-Relais und des im unabhängigen Patentanspruch 6 angegebenen Testmoduls möglich.The measures and refinements recited in the dependent claims advantageous improvements of the independent claim 1 specified FET relay and the test module specified in the independent claim 6 are possible.

Besonders vorteilhaft ist, dass Ausgabeanschlüsse des FET-Relais polungsunabhängig mit einer Lastschaltung verbunden werden können. Zu diesem Zweck werden die Source-Anschlüsse der beiden FET-Schalttransistoren mit einander verbunden und stellen ein gemeinsames Bezugspotential zur Verfügung, wobei die Gate-Anschlüsse der beiden FET-Schalttransistoren mit einander verbunden und zeitgleich vom Ausgangstreiber angesteuert werden, und wobei die Drain-Anschlüsse der beiden FET-Schalttransistoren jeweils einen Ausgabeanschluss des FET-Relais bilden. Daher kann die Lastkreis-Versorgungsspannung in vorteilhafter Weise umgepolt werden. Zudem können auch Wechselspannungslasten geschaltet werden.It is particularly advantageous that output terminals of the FET relay can be connected to a load circuit independent of polarity. For this purpose, the source terminals of the two FET switching transistors are connected to each other and provide a common reference potential, wherein the gate terminals of the two FET switching transistors are connected to each other and simultaneously driven by the output driver, and wherein the drain terminals the two FET switching transistors each form an output terminal of the FET relay. Therefore, the load circuit supply voltage can be reversed in an advantageous manner. In addition, AC loads can also be switched.

In vorteilhafter Ausgestaltung des erfindungsgemäßen FET-Relais können der Energiespeicher und/oder der Optokoppler und/oder die FET-Schaltstufe so dimensioniert werden, dass am Ausgang des FET-Relais bei einem Einschaltpuls die Einschaltzeitverzögerung im Bereich von 250 bis 350ns liegt, und die Ausschaltzeitverzögerung im Bereich von 450 bis 550ns liegt, und die Anstiegszeit im Bereich von 80 bis 120ns liegt, und die Abfallzeit im Bereich von 70 bis 90ns liegt. Zudem können der Energiespeicher und/oder der Optokoppler und/oder die FET-Schaltstufe so dimensioniert werden, dass am Ausgang des FET-Relais bei einem Ausschaltpuls die Einschaltzeitverzögerung und die Ausschaltzeitverzögerung im Bereich von 450 bis 550ns liegen, und die Anstiegszeit im Bereich von 80 bis 120ns liegt, und die Abfallzeit im Bereich von 70 bis 90ns liegt.In an advantageous embodiment of the FET relay according to the invention, the energy storage and / or the optocoupler and / or the FET switching stage can be dimensioned so that at the output of the FET relay at a switch-on the on-time delay is in the range of 250 to 350ns, and the turn-off delay is in the range of 450 to 550ns, and the rise time is in the range of 80 to 120ns, and the fall time is in the range of 70 to 90ns. In addition, the energy storage and / or the optocoupler and / or the FET switching stage can be dimensioned so that at the output of the FET relay at an off pulse, the on-time delay and the off-time delay in the range of 450 to 550ns, and the rise time in the range of 80 to 120ns, and the fall time is in the range of 70 to 90ns.

In vorteilhafter Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Testmoduls kann jedes FET-Relais mit einem Pulsgenerator zu einer Schalteinheit zusammengefasst werden, wobei der Pulsgenerator in Abhängigkeit von einem Steuersignal eine Steuerspannung mit einem vorgegebenen zeitlichen Verlauf zur Ansteuerung des FET-Relais erzeugt. Hierbei gibt der Pulsgenerator die gewünschte Pulsform aus. Zusätzlich kann der Pulsgenerator eine Verstärkerstufe umfassen, um die erforderliche Ansteuerleistung zu minimieren. Des Weiteren können Vorwiderstände mit entsprechenden Dimensionierungen vorgesehen werden, um das FET-Relais auch mit anderen Spannungspegeln ansteuern zu können.In an advantageous embodiment of the test module according to the invention, each FET relay can be combined with a pulse generator to form a switching unit, the pulse generator generating a control voltage as a function of a control signal with a predetermined time profile for actuating the FET relay. The pulse generator outputs the desired pulse shape. In addition, the pulse generator can comprise an amplifier stage in order to minimize the required drive power. Series resistors with appropriate dimensions can also be provided in order to be able to control the FET relay with other voltage levels.

In weiterer vorteilhafter Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Testmoduls kann eine erste Schalteinheit einen vorgegebenen Nachbildungswiderstand überbrücken oder in einen Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen des Testmoduls einschleifen oder den Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen des Testmoduls auftrennen. Eine zweite Schalteinheit kann einen minimalen Widerstandswert oder einen maximalen Widerstandswert in einen Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen einschleifen, wobei der minimale Widerstand einem Drain-Source-Widerstand der FET-Schalttransistoren im leitenden Zustand entspricht, und wobei der maximale Widerstand einem Drain-Source-Widerstand der FET-Schalttransistoren im sperrenden Zustand entspricht. Eine dritte Schalteinheit kann einen ersten Testanschluss mit einem ersten Bezugspotential verbinden und/oder eine vierte Schalteinheit kann den ersten Testanschluss mit einem zweiten Bezugspotential verbinden und/oder eine fünfte Schalteinheit kann einen zweiten Testanschluss mit einem dritten Bezugspotential verbinden und/oder eine sechste Schalteinheit kann den zweiten Testanschluss mit einem vierten Bezugspotential verbinden. Durch die verschiedenen Schalteinheiten können in vorteilhafter Weise die realen Eigenschaften von Zündkreisen für Personenschutzmittel nachgebildet werden. So kann beispielsweise eine abgleichbare Hochlastwiderstandsdekade zur Nachbildung von Widerständen in Airbag-Zündkreisen dargestellt werden und/oder konfigurierbare Einschaltzeitspannen und/oder Ausschaltzeitspannen zur Verfügung gestellt werden, welche über Zeit- oder Spannungskriterien einstellbar sind, um ein reales Verhalten von Airbag-Zündkreisen nachbilden zu können. Außerdem können Kurzschlüsse bzw. Nebenschlüsse der Ausgabeanschlüsse zu verschiedenen Potentialen realisiert werden. Zur Nachbildung von Prellverhalten und Wackelkontakten können Unterbrechungen mit einstellbarer zeitlicher Dauer vorgegeben werden.In a further advantageous embodiment of the test module according to the invention, a first switching unit can bridge a predetermined simulation resistor or loop into a signal path between the two test connections of the test module or disconnect the signal path between the two test connections of the test module. A second switching unit can insert a minimum resistance value or a maximum resistance value in a signal path between the two test connections, the minimum resistance corresponding to a drain-source resistance of the FET switching transistors in the conductive state, and the maximum resistance corresponding to a drain-source resistance corresponds to the FET switching transistors in the blocking state. A third switching unit can connect a first test connection to a first reference potential and / or a fourth switching unit can connect the first test connection to a second reference potential and / or a fifth switching unit can connect a second test connection to a third reference potential and / or a sixth switching unit can Connect the second test connection to a fourth reference potential. The various switching units can be used to advantageously simulate the real properties of ignition circuits for personal protection devices. For example, an adjustable high-load resistance decade can be displayed to simulate resistances in airbag ignition circuits and / or configurable switch-on times and / or switch-off times can be made available, which can be set using time or voltage criteria in order to be able to simulate real behavior of airbag ignition circuits , In addition, short circuits or shunts of the output connections to different potentials can be realized. Interruptions with an adjustable duration can be specified to simulate bounce behavior and loose contacts.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen Komponenten bzw. Elemente, die gleiche bzw. analoge Funktionen ausführen.Embodiments of the invention are illustrated in the drawings and are explained in more detail in the following description. In the drawings, like reference numerals designate components that perform the same or analog functions.

Figurenlistelist of figures

  • 1 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Testmoduls zum Prüfen von elektrischen Leistungsschaltern zur Ansteuerung von Personenschutzmitteln in einem Kraftfahrzeug, welche mindestens ein erfindungsgemäßes FET-Relais aufweist. 1 shows a schematic block diagram of an embodiment of a test module for testing electrical circuit breakers for controlling personal protection devices in a motor vehicle, which has at least one FET relay according to the invention.
  • 2 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels einer Nachbildungsbaugruppe, welche mindestens ein erfindungsgemäßes FET-Relais aufweist, für das Testmodul aus 1. 2 shows a schematic block diagram of an embodiment of a replica assembly having at least one inventive FET relay for the test module 1 ,
  • 3 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels einer Schalteinheit, welche mindestens ein erfindungsgemäßes FET-Relais aufweist, für die Nachbildungsbaugruppe aus 2. 3 shows a schematic block diagram of an embodiment of a switching unit, which has at least one FET relay according to the invention, for the replica assembly 2 ,
  • 4 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Pulsgenerators für die Schalteinheit aus 3 zur Erzeugung einer Ansteuerspannung für das FET-Relais. 4 shows a schematic block diagram of an embodiment of a pulse generator for the switching unit 3 for generating a drive voltage for the FET relay.
  • 5 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines DC/DC Wandlers für die Schalteinheit aus 3 zur Erzeugung einer zweiten Versorgungsspannung für das FET-Relais. 5 shows a schematic block diagram of an embodiment of a DC / DC converter for the switching unit 3 for generating a second supply voltage for the FET relay.
  • 6 bis 11 zeigen Kennlinien von Steuerspannungsverläufen am Eingang des FET-Relais aus 3 und korrespondierenden Messspannungsverläufen am Ausgang des FET-Relais aus 3. 6 to 11 show characteristics of control voltage curves at the input of the FET relay 3 and corresponding measuring voltage curves at the output of the FET relay 3 ,

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

Wie aus 1 ersichtlich ist, umfasst das dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Testmoduls 1 zum Prüfen von elektrisch steuerbaren Leistungsschaltern, welche zum Ansteuern von Personenschutzmittel verwendet werden, eine Auswerte- und Steuereinheit 3, eine Messeinheit 5 und eine Nachbildungsbaugruppe 10. Hierbei steuert die Auswerte- und Steuereinheit 3 die Nachbildungsbaugruppe 10 in Abhängigkeit von Ausgaben der Messeinheit 5 und von Prüfvorgaben an, um bestimmte elektrische Eigenschaften an Testanschlüssen HS, LS der Nachbildungsbaugruppe 10 einzustellen. Die beiden Testanschlüsse HS, LS sind mit entsprechenden Anschlüssen der zu überprüfenden Leistungsschalter verbunden.How out 1 can be seen includes the illustrated embodiment of a test module according to the invention 1 for testing electrically controllable circuit breakers, which are used for driving personal protection means, an evaluation and control unit 3 , a measurement unit 5 and a replica assembly 10 , This is controlled by the evaluation and control unit 3 the replica assembly 10 depending on outputs of the measuring unit 5 and from test specifications to determine certain electrical properties at test terminals HS, LS of the replica assembly 10 adjust. The two test connections HS, LS are connected to corresponding terminals of the circuit breaker to be tested.

Wie aus 1 weiter ersichtlich ist, kommunizieren die einzelnen Komponenten des Testmoduls 1 über ein gemeinsames Bussystems 2. Zudem sind eine Eingabeeinheit 7 und eine Ausgabeeinheit 9 als Mensch-Maschinen-Schnittstelle vorgesehen, um eine Bedienung des Testmoduls 1 und eine Ausgabe der Testergebnisse zu ermöglichen. Des Weiteren umfasst das Testmodul 1 eine TTL-Ausgabeeinheit 4, welche bei Bedarf ein digitales TTL-Ausgangssignal als Triggersignal für Folgefunktionen zur Verfügung stellt. Das Triggersignal ist vorzugsweise mit einer Startflanke eines Zündpulses für ein Personenschutzmittel synchronisiert.How out 1 it can also be seen that the individual components of the test module communicate 1 via a common bus system 2 , There is also an input unit 7 and an output unit 9 provided as a human-machine interface to operate the test module 1 and to enable the test results to be output. The test module also includes 1 a TTL output unit 4 , which provides a digital TTL output signal as a trigger signal for subsequent functions if required. The trigger signal is preferably synchronized with a starting edge of an ignition pulse for a personal protection device.

Wie aus 2 ersichtlich ist, umfasst die Nachbildungsbaugruppe 10 mehrere Schalteinheiten 12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2, um reale Eigenschaften von Zündkreisen für Personenschutzmittel nachzubilden und um die an den Testanschlüssen HS und LS angeschlossene zu testende Steuerschaltung zu überprüfen. In 2 wurde aus Gründen der Übersichtlichkeit auf die Darstellung der Leitungen zur Übertragung von Steuersignalen S1 für die Schalteinheiten 12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2 verzichtet. Jede der Schalteinheiten 12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2 wird jedoch über mindestens ein Steuersignal S1 von der Auswerte- und Steuereinheit 3 angesteuert, wobei die Auswerte- und Steuereinheit 3 zur Übertragung der Steuersignale S1 vorzugsweise das Bussystem 2 verwendet. Zudem weist das Testmodul zwei Messanschlüsse M1, M2 auf, zwischen denen ein Messwiderstand 5.1 bzw. Messshunt eingeschleift werden kann, welchen die Messeinheit 5 verwendet, um einen aktuellen Stromfluss zwischen den beiden Testanschlüssen HS, LS zu messen. Soll kein Stromfluss gemessen werden, dann können die Messanschlüsse M1, M2 über eine Kurzschlussbrücke 5.2 mit einander verbunden werden. How out 2 can be seen, includes the replica assembly 10 several switching units 12.0 . 12.1 . 12.n . 14.1 . 14.2 . 15 . 16.1 . 16.2 to simulate real properties of ignition circuits for personal protection devices and to check the control circuit to be tested connected to the test connections HS and LS. In 2 was for the sake of clarity on the representation of the lines for the transmission of control signals S1 for the switching units 12.0 . 12.1 . 12.n . 14.1 . 14.2 . 15 . 16.1 . 16.2 waived. Each of the switching units 12.0 . 12.1 . 12.n . 14.1 . 14.2 . 15 . 16.1 . 16.2 however, has at least one control signal S1 from the evaluation and control unit 3 controlled, the evaluation and control unit 3 for the transmission of the control signals S1 preferably the bus system 2 used. The test module also has two measuring connections M1 . M2 on between which a measuring resistor 5.1 or measuring shunt can be looped in, which the measuring unit 5 used to measure a current flow between the two test connections HS, LS. If no current flow is to be measured, the measuring connections can be made M1 . M2 over a short circuit bridge 5.2 to be connected with each other.

Wie aus 3 ersichtlich ist, umfassen die Schalteinheiten 12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2 jeweils einen Pulsgenerator 50 und ein FET-Relais 20. Der jeweilige Pulsgenerator 50 wird mit einer ersten Versorgungsspannung UV1 versorgt und ist mit einem ersten Massepotential GND1 verbunden. Zudem wird der jeweilige Pulsgenerator 50 von der Auswerte- und Steuereinheit 3 über das Steuersignal S1 angesteuert und erzeugt eine Steuerspannung US mit einem vorgegebenen zeitlichen Verlauf zur Ansteuerung des korrespondierenden FET-Relais 20. Das jeweilige FET-Relais 20 umfasst einen Optokoppler 30 als Steuerschaltung und eine FET-Schaltstufe 40 als Lastschaltung, welche zwei FET-Schalttransistoren 42, 44 umfasst. Das jeweilige FET-Relais 20 wird mit einer zweiten Versorgungsspannung UV2 versorgt und ist mit einem zweiten Massepotential GND2 verbunden. Der Optokoppler 30 weist eine Koppelstufe 32 auf, welche in Abhängigkeit von der an der Koppelstufe 32 anliegenden Steuerspannung US einen Ausgangstreiber 34 zur Ansteuerung der FET-Schaltstufe 40 ansteuert. How out 3 can be seen, include the switching units 12.0 . 12.1 . 12.n . 14.1 . 14.2 . 15 . 16.1 . 16.2 one pulse generator each 50 and a FET relay 20 , The respective pulse generator 50 comes with a first supply voltage U V1 is supplied and connected to a first ground potential GND1. In addition, the respective pulse generator 50 from the evaluation and control unit 3 via the control signal S1 controlled and generates a control voltage U S with a predetermined time course for controlling the corresponding FET relay 20 , The respective FET relay 20 includes an optocoupler 30 as a control circuit and a FET switching stage 40 as a load circuit, which two FET switching transistors 42 . 44 includes. The respective FET relay 20 comes with a second supply voltage U V2 is supplied and is connected to a second ground potential GND2. The optocoupler 30 has a coupling stage 32 on, which depends on the at the coupling stage 32 applied control voltage U S an output driver 34 for controlling the FET switching stage 40 controls.

Erfindungsgemäß ist ein Energiespeicher ES1 zur Energieversorgung des Ausgangstreibers 34 des Optokopplers 30 vorgesehen, welcher zur Reduzierung der Einschaltzeiten Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren 42, 44 der FET-Schaltstufe 40 über den Ausgangstreiber 34 schnell auflädt. Zusätzlich ist der, Ausgangstreiber 34 des Optokopplers 30 als Gegentaktendstufe ausgeführt, um eine schnelle Entladung der Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren 42, 44 der FET-Schaltstufe 40 zur Reduzierung der Ausschaltzeiten sicherzustellen. Als Energiespeicher ES1 wird vorzugsweise ein Keramikkondensator verwendet, welcher ein schnelles Umladen der Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren 42, 44 ermöglicht. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind die FET-Schalttransistoren 42, 44 als N-Kanal-Feldeffekttransistoren ausgeführt.According to the invention, an energy store ES1 is used to supply energy to the output driver 34 of the optocoupler 30 provided that to reduce the turn-on gate capacitances of the FET switching transistors 42 . 44 the FET switching stage 40 via the output driver 34 charges quickly. In addition, is the, output driver 34 of the optocoupler 30 designed as a push-pull output stage to rapidly discharge the gate capacitances of the FET switching transistors 42 . 44 the FET switching stage 40 to reduce switch-off times. A ceramic capacitor is preferably used as the energy store ES1, which rapidly recharges the gate capacitances of the FET switching transistors 42 . 44 allows. In the illustrated embodiment, the FET switching transistors 42 . 44 designed as N-channel field effect transistors.

Der Optokoppler 30 dient zur Potentialtrennung zwischen der Steuerschaltung und der Lastschaltung. Durch die Potentialtrennung von Lastkreis und Steuerkreis ist es ebenso wie bei elektromechanischen Relais oder Solid-State Relais möglich, mehrere FET-Relais 20 in beliebiger Kombination anzuordnen.The optocoupler 30 is used for electrical isolation between the control circuit and the load circuit. Due to the potential separation of the load circuit and control circuit, as with electromechanical relays or solid-state relays, several FET relays are possible 20 to be arranged in any combination.

Um einen polungsunabhängigen Anschluss einer beliebigen Lastschaltung UL an den Ausgabenschlüssen E1, E2 der jeweiligen Schaltstufe zu ermöglichen, sind die beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 auf die in 3 dargestellte Weise mit einander verschaltet.To a polungsunabhängigen connection of any load circuit U L at the output terminals E1 . E2 allow the respective switching stage, the two FET switching transistors 42 . 44 on the in 3 manner shown interconnected with each other.

Wie aus 3 weiter ersichtlich ist, sind die Source-Anschlüsse S der beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 mit einander verbunden und stellen ein gemeinsames Bezugspotential, hier ein zweites Massepotential GND2, zur Verfügung. Zudem sind die Gate-Anschlüsse G der beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 mit einander verbunden und werden zeitgleich vom als Gegentaktendstufe ausgeführten Ausgangstreiber 34 des Optokopplers 30 angesteuert. Des Weiteren bilden die Drain-Anschlüsse D der beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 jeweils einen Ausgabeanschluss E1, E2 des FET-Relais 20. Im dargestellten Ausführungsbeispiel bildet der Drain-Anschluss D des ersten Schalttransistors 42 den ersten Ausgabeanschluss E1 des FET-Relais 20, und der Drain-Anschluss D des zweiten Schalttransistors 44 bildet den zweiten Ausgabeanschluss E2 des FET-Relais 20. Durch die beschriebene Verschaltung der beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 kann die Lastkreis-Versorgungsspannung UL in vorteilhafter Weise umgepolt werden. Zudem können auch Wechselspannungslasten geschaltet werden. Über den dargestellten Messwiderstand RM kann die in den Kennliniendiagrammen gemäß 7, 9, 11 dargestellte Messspannung UM gemessen werden, welche das Schaltverhalten der FET-Schalttransistoren 42, 44 in Abhängigkeit von verschiedenen in 6, 8, 10 dargestellten zeitlichen Verläufen der Steuerspannung US zeigt.How out 3 can also be seen, are the source connections S of the two FET switching transistors 42 . 44 connected to each other and represent a common reference potential, here a second ground potential GND2 , to disposal. In addition, the gate connections G of the two FET switching transistors 42 . 44 connected to each other and are simultaneously from the output driver designed as a push-pull output stage 34 of the optocoupler 30 driven. Furthermore, the drain connections D form the two FET switching transistors 42 . 44 one output port each E1 . E2 of the FET relay 20 , In the exemplary embodiment shown, the drain terminal D forms the first switching transistor 42 the first output port E1 of the FET relay 20 , and the drain terminal D of the second switching transistor 44 forms the second output port E2 of the FET relay 20 , Through the described connection of the two FET switching transistors 42 . 44 the load circuit supply voltage U L can be reversed in an advantageous manner. AC loads can also be switched. About the measuring resistor shown R M can according to the in the characteristic diagrams 7 . 9 . 11 shown measuring voltage U M be measured, which the switching behavior of the FET switching transistors 42 . 44 depending on different in 6 . 8th . 10 time curves of the control voltage shown U S shows.

Wie aus 6 und 7 ersichtlich ist, sind der Energiespeicher ES1 und/oder der Optokoppler 30, insbesondere der als Gegentaktendstufe ausgeführte Ausgangstreiber 34 des Optokopplers 30, und/oder die FET-Schaltstufe 40 vorzugsweise so dimensioniert, dass am Ausgang E1, E2 der jeweiligen Schalteinheit 12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2 über dem Messwiderstand RM bei einem Einschaltpuls die Einschaltzeitverzögerung im Bereich von 250 bis 350ns liegt, und die Ausschaltzeitverzögerung im Bereich von 450 bis 550ns liegt, und die Anstiegszeit im Bereich von 80 bis 120ns liegt, und die Abfallzeit im Bereich von 70 bis 90ns liegt.How out 6 and 7 can be seen are the energy storage E S1 and / or the optocoupler 30 , in particular the output driver designed as a push-pull output stage 34 of the optocoupler 30 , and / or the FET switching stage 40 preferably dimensioned so that at the exit E1 . E2 of the respective switching unit 12.0 . 12.1 . 12.n . 14.1 . 14.2 . 15 . 16.1 . 16.2 over the measuring resistor R M at a On pulse, the on time delay is in the range of 250 to 350ns, and the off time delay is in the range of 450 to 550ns, and the rise time is in the range of 80 to 120ns, and the fall time is in the range of 70 to 90ns.

Wie aus 8 bis 11 ersichtlich ist, sind der Energiespeicher ES1 und/oder der Optokoppler 30, insbesondere der als Gegentaktendstufe ausgeführte Ausgangstreiber 34 des Optokopplers 30, und/oder die FET-Schaltstufe 40 so dimensioniert, dass am Ausgang E1, E2 der jeweiligen Schalteinheit 12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2 über dem Messwiderstand RM bei einem Ausschaltpuls die Einschaltzeitverzögerung und die Ausschaltzeitverzögerung im Bereich von 450 bis 550ns liegen, und die Anstiegszeit im Bereich von 80 bis 120ns liegt, und die Abfallzeit im Bereich von 70 bis 90ns liegt.How out 8th to 11 can be seen are the energy storage E S1 and / or the optocoupler 30 , in particular the output driver designed as a push-pull output stage 34 of the optocoupler 30 , and / or the FET switching stage 40 dimensioned so that at the exit E1 . E2 of the respective switching unit 12.0 . 12.1 . 12.n . 14.1 . 14.2 . 15 . 16.1 . 16.2 above the measuring resistor R M for a switch-off pulse, the switch-on time delay and the switch-off time delay are in the range from 450 to 550 ns, and the rise time is in the range from 80 to 120 ns, and the fall time is in the range from 70 to 90 ns.

Wie aus 2 weiter ersichtlich ist, bilden mehre Schalteinheiten von denen beispielhaft drei Schalteinheiten 12.0, 12.1, 12.n dargestellt sind, mit korrespondierenden Widerständen R1, Rn eine abgleichbare Hochlastwiderstandsdekade zur Nachbildung von Widerständen, welche entsprechende Widerstände von Zündkreisen darstellen können. Über die Schalteinheit 12.0 kann ein offener Signalpfad bzw. der maximale Widerstand der Hochlastwiderstandsdekade zwischen den beiden Testanschlüssen HS, LS dargestellt werden, wobei der maximale Widerstand dem Drain-Source-Widerstand der FET-Schalttransistoren 42, 44 der Schalteinheit 12.0 im sperrenden Zustand entspricht. Über die anderen Schalteinheiten 12.1 bis 12.n kann jeweils ein korrespondierender vorgegebener Nachbildungswiderstand R1 , Rn überbrückt bzw. kurzgeschlossen oder in den Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen HS, LS eingeschleift werden. In Abhängigkeit von der anliegenden Steuerspannung US sind die beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 angesteuert bzw. durchgeschaltet, und die Ausgabenschlüsse E1, E2 werden über die Drain-Source-Strecken der beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 kurzgeschlossen, so dass der korrespondierende Nachbildungswiderstand R1, Rn überbrückt ist. Alternativ sind die beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 in Abhängigkeit von der Steuerspannung US gesperrt bzw. geöffnet, so dass ein Stromfluss über die Drain-Source-Strecken der beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 gesperrt ist, und der korrespondierende Nachbildungswiderstand R1, Rn in den Strompfad zwischen den Testanschlüssen HS, LS eingeschleift ist. Auf diese Weise kann die Hochlastwiderstandsdekade in Abhängigkeit von den verwendeten Nachbildungswiderständen R1 bis Rn einen beliebig einstellbaren Widerstandsbereich und eine Unterbrechung darstellen.How out 2 can be seen, form several switching units of which by way of example three switching units 12.0 . 12.1 . 12.n are shown, with corresponding resistors R 1, R n a tunable high-voltage resistor decade to emulate resistors, which can represent corresponding resistors of ignition circuits. About the switching unit 12.0 For example, an open signal path or the maximum resistance of the high-load resistance decade between the two test connections HS, LS can be represented, the maximum resistance being the drain-source resistance of the FET switching transistors 42 . 44 the switching unit 12.0 in the blocking state corresponds. About the other switching units 12.1 to 12.n can each have a corresponding predetermined replica resistance R 1 . R n bridged or short-circuited or looped into the signal path between the two test terminals HS, LS. Depending on the applied control voltage U S are the two FET switching transistors 42 . 44 activated or switched through, and the output statements E1 . E2 are via the drain-source paths of the two FET switching transistors 42 . 44 short circuited, so that the corresponding tracking resistor R 1, R n is bridged. Alternatively, the two FET switching transistors 42 . 44 depending on the control voltage U S locked or opened, so that a current flow through the drain-source paths of the two FET switching transistors 42 . 44 is locked, and the corresponding tracking resistor R 1, R n into the current path between the test connections HS, LS is looped. In this way, the high-load resistance decade can be dependent on the replica resistors used R 1 to R n represent an arbitrarily adjustable resistance range and an interruption.

Zur Darstellung eines minimalen Widerstandswertes bzw. eines Kurzschlusses zwischen den beiden Testanschlüssen HS, LS wird eine weitere Schalteinheit 15 verwendet, welche einen minimalen Widerstandswert oder einen maximalen Widerstandswert in den Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen HS, LS einschleift. Der minimale Widerstand entspricht einem Drain-Source-Widerstand der FET-Schalttransistoren 42, 44 im leitenden Zustand. Der maximale Widerstand entspricht einem Drain-Source-Widerstand der FET-Schalttransistoren 42, 44 im sperrenden Zustand, wobei zur Darstellung der Unterbrechung bzw. des maximalen Widerstands die erste Schalteinheit 12.0 der Hochlastwiderstandsdekade gleichzeitig geöffnet ist.A further switching unit is used to represent a minimum resistance value or a short circuit between the two test connections HS, LS 15 used, which inserts a minimum resistance value or a maximum resistance value into the signal path between the two test connections HS, LS. The minimum resistance corresponds to a drain-source resistance of the FET switching transistors 42 . 44 in the conductive state. The maximum resistance corresponds to a drain-source resistance of the FET switching transistors 42 . 44 in the blocking state, the first switching unit representing the interruption or the maximum resistance 12.0 the high-load decade is open at the same time.

Über eine weitere Schalteinheit 14.1 kann der erste Testanschluss HS mit einem ersten Bezugspotential B1 verbunden werden. Eine weitere Schalteinheit 14.2 wird verwendet, um den ersten Testanschluss HS mit einem zweiten Bezugspotential GND2, hier mit dem zweiten Massepotential zu verbinden. Anlog wird eine weitere Schalteinheit 16.1 verwendet, um den zweiten Testanschluss LS mit einem dritten Bezugspotential B2 zu verbinden. Eine weitere Schalteinheit 16.2 kann den zweiten Testanschluss LS mit einem vierten Bezugspotential GND2, hier mit dem zweiten Massepotential verbinden.Via another switching unit 14.1 can the first test connection HS with a first reference potential B1 get connected. Another switching unit 14.2 is used to connect the first test connection HS to a second reference potential GND2, here to the second ground potential. Another switching unit becomes analog 16.1 used the second test terminal LS with a third reference potential B2 connect to. Another switching unit 16.2 can connect the second test connection LS to a fourth reference potential GND2, here to the second ground potential.

Durch die verschiedenen Schalteinheiten 12.0 bis 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2 können in vorteilhafter Weise die realen Eigenschaften von Zündkreisen für Personenschutzmittel nachgebildet werden. So kann die abgleichbare Hochlastwiderstandsdekade 12.0 bis 12.n zur Nachbildung von Widerständen in Airbag-Zündkreisen verwendet werden. Des Weiteren können über die Schalteinheit 15 konfigurierbare Einschaltzeitspannen und/oder Ausschaltzeitspannen erzeugt und zur Verfügung gestellt werden, welche über Zeit- oder Spannungskriterien einstellbar sind, um ein reales Verhalten von Airbag-Zündkreisen nachbilden zu können. Außerdem können über die Schalteinheiten 14.1, 14.2, 16.1, 16.2 Kurzschlüsse bzw. Nebenschlüsse der Ausgabeanschlüsse bzw. Testanschlüsse HS, LS zu verschiedenen Potentialen B1, B2, GND2 realisiert werden. Zur Nachbildung von Prellverhalten und Wackelkontakten können über die Schalteinheit 15 und die Hochlastwiderstandsdekade 12.0 bis 12.n Unterbrechungen und einstellbare Widerstände mit einstellbarer zeitlicher Dauer vorgegeben werden.Through the different switching units 12.0 to 12.n . 14.1 . 14.2 . 15 . 16.1 . 16.2 can be emulated in an advantageous manner, the real properties of ignition circuits for personal protective equipment. So can the tunable high-load resistor decade 12.0 to 12.n used to simulate resistors in airbag ignition circuits. Furthermore, via the switching unit 15 configurable switch-on periods and / or switch-off periods can be generated and made available, which can be set via time or voltage criteria in order to be able to simulate a real behavior of airbag ignition circuits. Besides, about the switching units 14.1 . 14.2 . 16.1 . 16.2 Short circuits or shunts of the output connections or test connections HS, LS to different potentials B1 . B2 , GND2 be realized. To simulate bounce and loose contacts can via the switching unit 15 and the high-voltage resistance decade 12.0 to 12.n Interrupts and adjustable resistors with adjustable time duration can be specified.

Wie aus 4 weiter ersichtlich ist, umfasst der Pulsgenerator 50, einen Signalgenerator 52 und eine Verstärkerstufe 54. Der Signalgenerator 52 erzeugt in Reaktion auf das Steuersignal S1 eine Pulsform mit einem entsprechenden zeitlichen Verlauf. Die Verstärkerstufe, welche einen Transistor TB , einen Widerstand RB und einen Kondensator CB umfasst, minimiert die erforderliche Ansteuerleistung und verkürzt die Anstiegs- bzw. Abfallflanken der erzeugten Steuerspannung US . Durch eine entsprechende Dimensionierung eines Vorwiderstandes RV kann die Amplitude der Steuerspannung US variiert werden und das FET-Relais 20 auch mit anderen Spannungspegeln angesteuert werden. Der Vorwiderstandes RV ist zwischen dem Anschluss der ersten Versorgungsspannung UV1 und einem ersten Ausgabeanschluss des Pulsgenerators 50 eingeschleift, welcher mit einem korrespondierenden ersten Eingabeanschluss des FET-Relais 20 verbunden ist. Ein Ausgang der Verstärkerstufe 54 ist mit einem zweiten Ausgabeanschluss des Pulsgenerators 50 verbunden, welcher mit einem korrespondierenden zweiten Eingabeanschluss des FET-Relais 20 verbunden ist.How out 4 can also be seen, includes the pulse generator 50 , a signal generator 52 and an amplifier stage 54 , The signal generator 52 generated in response to the control signal S1 a pulse shape with a corresponding time course. The amplifier stage, which is a transistor T B , a resistance R B and a capacitor C B includes, minimizes the required drive power and shortens the rising or falling edges of the generated control voltage U S , By dimensioning a series resistor accordingly R V can control the amplitude of the control voltage U S can be varied and the FET relay 20 can also be controlled with other voltage levels. The series resistor R V is between the connection of the first supply voltage U V1 and a first output terminal of the pulse generator 50 looped in, which with a corresponding first input connection of the FET relay 20 connected is. An output of the amplifier stage 54 is with a second output connector of the pulse generator 50 connected, which with a corresponding second input terminal of the FET relay 20 connected is.

Wie aus 5 ersichtlich ist, wird für jedes FET-Relais 20 ein DC/DC Wandler 60 verwendet, um aus der ersten Versorgungsspannung UV1 die höhere zweite Versorgungsspannung UV2 zur Versorgung des FET-Relais 20 zu erzeugen. Hierbei dienen die Kondensatoren ES1 und ES2 als Energiespeicher. Der Kondensator ES1 dient als Energiespeicher, um die Gate-Kapazitäten der beiden FET-Schalttransistoren 42, 44 schnell aufladen zu können, um die kurzen Schaltzeiten realisieren zu können.How out 5 can be seen for each FET relay 20 a DC / DC converter 60 used to from the first supply voltage U V1 the higher second supply voltage U V2 to supply the FET relay 20 to create. The capacitors are used here E S1 and E S2 as energy storage. The condenser E S1 serves as an energy store to the gate capacitances of the two FET switching transistors 42 . 44 to be able to charge quickly in order to be able to implement the short switching times.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können elektromechanische Relais oder Halbleiter-Relais (Solid-State-Relais) ersetzen und extrem kurze Unterbrechungen oder niederohmige Kurzschlüsse im einstelligen Mikrosekundenbereich an zu überprüfenden Steuergeräten nachbilden, welche in der LV124-Spezifikation zur Überprüfung von Personenschutzsystemen vorgeschrieben werden. Mit elektromechanischen Relais oder bekannten Halbleiter-Relais können zurzeit nur Schaltzeiten im dreistelligen Mikrosekundenbereich realisiert werden. Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ermöglichen in vorteilhafter Weise, dass die Vorgaben in der LV124 Spezifikation zum Überprüfen von Personenschutzmitteln erfüllt werden können, in welcher beispielsweise Unterbrechungen von Steuergerätepins bis in den einstelligen Mikrosekundenbereich gefordert werden. Mit Ausführungsformen des erfindungsmäßigen FET-Relais ist es möglich, Schaltzeiten unter einer Mikrosekunde zu realisieren. Durch den speziellen Aufbau ist es zudem möglich, Wechselspannungslasten zu schalten. Durch die Auswahl eines geeigneten Optokopplers, welcher die Gate-Kapazitäten der Endstufentransistoren schnell aufladen kann, ist es möglich, Ströme im zweistelligen Amperebereich mit sehr kurzen Einschaltzeiten, welche kleiner als eine Mikrosekunde sind, darzustellen. Gleichzeigt können sehr niedrige Einschaltwiderstände im Bereich von ca. 15 mΩ zur Verfügung gestellt werden. Durch die Potentialtrennung von Lastschaltung und Steuerschaltung ist es ebenso wie bei elektromechanischen Relais oder Solid-State Relais möglich, mehrere FET-Relais in beliebiger Kombination anzuordnen.Embodiments of the present invention can replace electromechanical relays or semiconductor relays (solid-state relays) and emulate extremely short interruptions or low-resistance short-circuits in the single-digit microsecond range on control devices to be checked, which are prescribed in the LV124 specification for checking personal protection systems. With electromechanical relays or known semiconductor relays, switching times in the three-digit microsecond range can currently only be achieved. Embodiments of the present invention advantageously enable the requirements in the LV124 specification for checking personal protection means to be met, in which, for example, interruptions in control unit pins are required down to the single-digit microsecond range. With embodiments of the FET relay according to the invention, it is possible to implement switching times under one microsecond. The special design also makes it possible to switch AC loads. By selecting a suitable optocoupler that can quickly charge the gate capacitors of the output stage transistors, it is possible to display currents in the two-digit amp range with very short switch-on times, which are less than one microsecond. At the same time, very low switch-on resistances in the range of approx. 15 mΩ can be made available. Due to the potential separation of the load circuit and the control circuit, just as with electromechanical relays or solid-state relays, it is possible to arrange several FET relays in any combination.

Claims (10)

FET-Relais mit einem Optokoppler (30) als Steuerschaltung und einer FET-Schaltstufe (40) als Lastschaltung, welche zwei FET-Schalttransistoren (42, 44) umfasst, wobei der Optokoppler (30) eine Koppelstufe (32) aufweist, welche in Abhängigkeit von einem an der Koppelstufe (32) anliegenden Steuersignal (US) einen Ausgangstreiber (34) zur Ansteuerung der FET-Schaltstufe (40) ansteuert, gekennzeichnet durch einen Energiespeicher (ES1) zur Energieversorgung des Ausgangstreibers (34) des Optokopplers (30), welcher zur Reduzierung der Einschaltzeiten Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren (42, 44) der FET-Schaltstufe (40) über den als Gegentaktendstufe ausgeführten Ausgangstreiber (34) schnell auflädt, wobei der als Gegentaktendstufe ausgeführte Ausgangstreiber (34) des Optokopplers (30) die Gate-Kapazitäten der FET-Schalttransistoren (42, 44) der FET-Schaltstufe (40) schnell entlädt.FET relay having an optocoupler (30) as a control circuit and a FET switching stage (40) as a load circuit, which comprises two FET switching transistors (42, 44), wherein the optocoupler (30) has a coupling stage (32), which in dependence from an on the coupling stage (32) applied control signal (U S ) an output driver (34) for driving the FET switching stage (40) drives, characterized by an energy store (E S1 ) for powering the output driver (34) of the optocoupler (30) which, in order to reduce the turn-on times, quickly charges gate capacitances of the FET switching transistors (42, 44) of the FET switching stage (40) via the output driver (34) designed as a push-pull output stage, the output driver (34) of the opto-coupler (30) designed as a push-pull output stage ) quickly discharges the gate capacitances of the FET switching transistors (42, 44) of the FET switching stage (40). FET-Relais nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die FET-Schalttransistoren (42, 44) als N-Kanal-Feldeffekttransistoren oder P-Kanal-Feldeffekttransistoren ausgeführt sind.FET relay after Claim 1 , characterized in that the FET switching transistors (42, 44) are designed as N-channel field effect transistors or P-channel field effect transistors. FET-Relais nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Source-Anschlüsse (S) der beiden FET-Schalttransistoren (42, 44) mit einander verbunden sind und ein gemeinsames Bezugspotential zur Verfügung stellen, wobei die Gate-Anschlüsse (G) der beiden FET-Schalttransistoren (42, 44) mit einander verbunden sind und zeitgleich vom Ausgangstreiber (34) ansteuerbar sind, und wobei die Drain-Anschlüsse (D) der beiden FET-Schalttransistoren (42, 44) jeweils einen Ausgabeanschluss (E1, E2) des FET-Relais (20) bilden, welche polungsunabhängig mit einer Lastschaltung verbindbar sind.FET relay after Claim 1 or 2 characterized in that the source connections (S) of the two FET switching transistors (42, 44) are connected to one another and provide a common reference potential, the gate connections (G) of the two FET switching transistors (42, 44) 44) are connected to one another and can be controlled simultaneously by the output driver (34), and the drain connections (D) of the two FET switching transistors (42, 44) each have an output connection (E1, E2) of the FET relay (20) form which can be connected to a load circuit regardless of polarity. FET-Relais nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Energiespeicher (ES1) und/oder der Optokoppler (30) und/oder die FET-Schaltstufe (40) so dimensioniert sind, dass am Ausgang (E1, E2) bei einem Einschaltpuls die Einschaltzeitverzögerung im Bereich von 250 bis 350ns liegt, und die Ausschaltzeitverzögerung im Bereich von 450 bis 550ns liegt, und die Anstiegszeit im Bereich von 80 bis 120ns liegt, und die Abfallzeit im Bereich von 70 bis 90ns liegt.FET relay according to one of Claims 1 to 3 , characterized in that the energy store (E S1 ) and / or the optocoupler (30) and / or the FET switching stage (40) are dimensioned such that at the output (E1, E2) at a switch-on the turn-on delay in the range of 250 to 350ns, and the turn-off time delay is in the range of 450 to 550ns, and the rise time is in the range of 80 to 120ns, and the fall time is in the range of 70 to 90ns. FET-Relais nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Energiespeicher (ES1) und/oder der Optokoppler (30) und/oder die FET-Schaltstufe (40) so dimensioniert sind, dass am Ausgang bei einem Ausschaltpuls die Einschaltzeitverzögerung (E1, E2) und die Ausschaltzeitverzögerung im Bereich von 450 bis 550ns liegen, und die Anstiegszeit im Bereich von 80 bis 120ns liegt, und die Abfallzeit im Bereich von 70 bis 90ns liegt.FET relay according to one of Claims 1 to 4 , characterized in that the energy store (E S1 ) and / or the optocoupler (30) and / or the FET switching stage (40) are dimensioned such that at the output at a turn-off, the turn-on delay (E1, E2) and the turn-off delay in Range are from 450 to 550ns, and the rise time is in the range of 80 to 120ns, and the fall time is in the range of 70 to 90ns. Testmodul zum Prüfen von elektrisch steuerbaren Leistungsschaltern mit einer Auswerte- und Steuereinheit (3), einer Messeinheit (5) und einer Nachbildungsbaugruppe (10), wobei die Auswerte- und Steuereinheit (3) die Nachbildungsbaugruppe (10) in Abhängigkeit von Ausgaben der Messeinheit (5) und von Prüfvorgaben ansteuert, um bestimmte elektrische Eigenschaften an Testanschlüssen (HS, LS) der Nachbildungsbaugruppe (10) einzustellen, dadurch gekennzeichnet, dass die Nachbildungsbaugruppe (10) zum Einstellen der elektrischen Eigenschaften an den Testanschlüssen (HS, LS) mindestens ein FET-Relais (20) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 umfasst. Test module for testing electrically controllable circuit breakers with an evaluation and control unit (3), a measuring unit (5) and a replica assembly (10), wherein the evaluation and control unit (3) the replica assembly (10) in response to outputs of the measuring unit ( 5) and controls to set certain electrical characteristics at test leads (HS, LS) of the replica assembly (10), characterized in that the replica assembly (10) for adjusting the electrical characteristics at the test leads (HS, LS) comprises at least one FET Relay (20) according to one of Claims 1 to 5 includes. Testmodul nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass jedes FET-Relais (20) mit einem Pulsgenerator (50) zu einer Schalteinheit (12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2) zusammengefasst ist, wobei der Pulsgenerator (50) in Abhängigkeit von einem Steuersignal (S1) eine Steuerspannung (US) mit einem vorgegebenen zeitlichen Verlauf zur Ansteuerung des FET-Relais (20) erzeugt.Test module after Claim 6 , characterized in that each FET relay (20) is combined with a pulse generator (50) to form a switching unit (12.0, 12.1, 12.n, 14.1, 14.2, 15, 16.1, 16.2), the pulse generator (50) in Depending on a control signal (S1), a control voltage (U S ) is generated with a predetermined time profile for controlling the FET relay (20). Testmodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Schalteinheit (12.0, 12.1, 12.n) einen vorgegebenen Nachbildungswiderstand (R1, Rn) überbrückt oder in einen Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen (HS, LS) einschleift oder den Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen (HS, LS) auftrennt.Test module after Claim 7 , characterized in that a first switching unit (12.0, 12.1, 12.n) bridges a predetermined simulation resistor (R 1 , R n ) or loops into a signal path between the two test connections (HS, LS) or the signal path between the two test connections ( HS, LS). Testmodul nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Schalteinheit (15) einen minimalen Widerstandswert oder einen maximalen Widerstandswert in einen Signalpfad zwischen den beiden Testanschlüssen (HS, LS) einschleift, wobei der minimale Widerstand einem Drain-Source-Widerstand der FET-Schalttransistoren (42, 44) im leitenden Zustand entspricht, und wobei der maximale Widerstand einem Drain-Source-Widerstand der FET-Schalttransistoren (42, 44) im sperrenden Zustand entspricht.Test module after Claim 7 or 8th , characterized in that a second switching unit (15) introduces a minimum resistance value or a maximum resistance value into a signal path between the two test terminals (HS, LS), the minimum resistance being a drain-source resistance of the FET switching transistors (42, 44 ) in the conductive state, and wherein the maximum resistance corresponds to a drain-source resistance of the FET switching transistors (42, 44) in the blocking state. Testmodul nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine dritte Schalteinheit (14.1) einen ersten Testanschluss (HS) mit einem ersten Bezugspotential (B1) verbindet und/oder eine vierte Schalteinheit (14.2) den ersten Testanschluss (HS) mit einem zweiten Bezugspotential (GND2) verbindet und/oder eine fünfte Schalteinheit (16.1) einen zweiten Testanschluss (LS) mit einem dritten Bezugspotential (B1) verbindet und/oder eine sechste Schalteinheit (16.2) den zweiten Testanschluss (LS) mit einem vierten Bezugspotential (GND2) verbindet.Test module according to one of the Claims 7 to 9 , characterized in that a third switching unit (14.1) connects a first test connection (HS) to a first reference potential (B1) and / or a fourth switching unit (14.2) connects the first test connection (HS) to a second reference potential (GND2) and / or a fifth switching unit (16.1) connects a second test connection (LS) to a third reference potential (B1) and / or a sixth switching unit (16.2) connects the second test connection (LS) to a fourth reference potential (GND2).
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