DE102011080409A1

DE102011080409A1 - Method for removing layer of extreme UV (EUV) radiation reflecting multilayer coating portion of EUV mirror, involves introducing hydrogen into silicon-containing layer of coating portion to separate layers of coating portion

Info

Publication number: DE102011080409A1
Application number: DE201110080409
Authority: DE
Inventors: Peter Huber; Dirk Heinrich Ehm
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2011-08-04
Filing date: 2011-08-04
Publication date: 2012-12-06

Abstract

The method involves introducing hydrogen into a silicon-containing layer (4b) of EUV radiation reflecting multilayer coating portion (3) for separating several layers of the coating portion. The coating portion is applied on a substrate (2) and an inert interlayer (4c) is provided into multilayer coating portion. The gas and gas plasma activated hydrogen is incorporated in the form of hydrogen ions, hydrogen molecule ions and hydrogen radicals in an excited electronic state.

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Schichten einer EUV-Strahlung reflektierenden Mehrlagen-Beschichtung von einem Substrat eines EUV-Spiegels. In EUV-Lithographieanlagen werden reflektierende optische Elemente in Form von so genannten EUV-Spiegeln verwendet, die zur Reflexion von EUV-Strahlung (mit Wellenlängen unter 50 nm, insbesondere bei ca. 13,5 nm) ausgebildet sind. Zu diesem Zweck ist auf einem Substrat, welches typischer Weise aus einem Material mit einem sehr geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten („coefficient of thermal expansion”, CTE) von typischer Weise weniger als 100 ppb/K bei 22°C besteht, eine Mehrlagen-Beschichtung aufgebracht.The invention relates to a method for removing layers of an EUV radiation-reflecting multilayer coating from a substrate of an EUV mirror. In EUV lithography systems, reflective optical elements in the form of so-called EUV mirrors are used which are designed to reflect EUV radiation (with wavelengths below 50 nm, in particular at approximately 13.5 nm). To this end, a multilayer coating is applied to a substrate, which is typically made of a material having a very low coefficient of thermal expansion (CTE), typically less than 100 ppb / K at 22 ° C ,

Die auf die Oberfläche des Substrats aufgebrachte Mehrlagen-Beschichtung weist in der Regel eine Mehrzahl von alternierenden Schichten auf, die aus Molybdän und Silizium bestehen bzw. diese Materialien enthalten. Die Schichtdicken der einzelnen Schichten sind hierbei so aufeinander abgestimmt, dass die Reflektivität bei der Betriebswellenlänge von ca. 13,5 nm möglichst groß ist. Auf der Oberseite der Mehrlagen-Beschichtung ist typischer Weise mindestens eine Deckschicht als Kontaminationsschutz und/oder als Oxidationsschutz angebracht. Im Sinne dieser Anmeldung wird unter einem EUV-Spiegel auch eine reflektive EUV-Maske verstanden, bei der auf die reflektive Mehrlagen-Beschichtung eine strukturierte Absorberschicht aufgebracht ist.The multi-layer coating applied to the surface of the substrate generally has a plurality of alternating layers which consist of molybdenum and silicon or contain these materials. The layer thicknesses of the individual layers are matched to one another such that the reflectivity at the operating wavelength of about 13.5 nm is as large as possible. On the upper side of the multilayer coating, at least one covering layer is typically applied as contamination protection and / or as oxidation protection. For the purposes of this application, an EUV mirror is also understood to mean a reflective EUV mask in which a structured absorber layer is applied to the reflective multilayer coating.

Als Substratmaterialien werden in der Regel dotierte Silikatgläser, z. B. mit Titandioxid dotiertes Silikatglas, das z. B. von der Fa. Corning, Inc. unter dem Handelsnamen ULE^® (Ultra Low Expansion glass) vertrieben wird, oder Glaskeramiken, wie sie z. B. unter den Handelsnamen Zerodur^® von der Fa. Schott AG bzw. unter dem Handelsnamen Clearceram^® von der Fa. Ohara Inc. angeboten werden, verwendet. Die Oberfläche des Substrats, auf das die Mehrlagen-Beschichtung aufgebracht wird, benötigt hierbei eine hohe Glattheit, d. h. eine Oberflächenrauheit, die in der Regel bei weniger als 0,5 oder bevorzugt kleiner 0,2 nm rms in einem Ortsfrequenzbereich zwischen 1 mm und 100 mm liegt.As substrate materials usually doped silicate glasses, z. B. doped with titanium dioxide silicate glass z. B. from the company. Corning, Inc. under the trade name ULE ^® (Ultra Low Expansion glass) is sold, or glass-ceramics, as z. B. under the trade name Zerodur ^® from the company. Schott AG or under the trade name Clearceram ^® from the company Ohara Inc. are used. The surface of the substrate, to which the multilayer coating is applied, in this case requires a high smoothness, ie a surface roughness, which is generally less than 0.5 or preferably less than 0.2 nm rms in a spatial frequency range between 1 mm and 100 mm is located.

In bestimmten Fällen kann es erforderlich sein, eine auf ein solches Substrat aufgebrachte Mehrlagen-Beschichtung wieder vom Substrat zu entfernen, z. B. wenn die optische Performance der aufgebrachten Beschichtung von der Zielvorgabe abweicht. Eine derartige Abweichung lässt sich meistens erst nach erfolgter Beschichtung feststellen, etwa bei einer Messung der Reflektivität. Auch können Mehrlagen-Beschichtungen, die zu Testzwecken aufgebracht werden, um den Beschichtungsprozess zu optimieren, wieder vom Substrat entfernt werden, um nachfolgend eine Mehrlagen-Beschichtung mit optimalen Beschichtungsparametern aufzubringen.In certain cases, it may be necessary to remove a deposited on such a substrate multilayer coating back from the substrate, for. B. if the optical performance of the applied coating deviates from the target. Such a deviation can usually only be determined after the coating has taken place, for example when the reflectivity is measured. Also, multi-layer coatings, which are applied for test purposes to optimize the coating process, can be removed from the substrate again to subsequently apply a multilayer coating with optimum coating parameters.

Ein bekanntes Verfahren, eine Mehrlagen-Beschichtung von einem Substrat zu entfernen, besteht darin, die Mehrlagen-Beschichtung mechanisch zu behandeln, d. h. abzupolieren. Allerdings führt der Prozess des Abpolierens dazu, dass die Oberfläche des Substrats, auf das die Mehrlagen-Beschichtung aufgebracht wird, ihre hohe Politurqualität bzw. Glattheit verliert. Ein Abpolieren der Mehrlagen-Beschichtung erfordert daher eine aufwändige, langwierige und teure Nachpolitur, um an der Oberfläche des Substrats wieder die erforderliche hohe Politurqualität bzw. Glattheit zu erhalten, die für das nachfolgende Aufbringen einer neuen Mehrlagen-Beschichtung benötigt wird. Darüberhinaus existieren Spiegelgeometrien, die sich prinzipiell nicht mehr mechanisch abpolieren lassen, etwa weil die Politur unmittelbar an einer Kante des Bauteils erfolgen müsste. Diese Substrate lassen sich nach einer Fehlbeschichtung somit nicht mehr verwenden.One known method of removing a multilayer coating from a substrate is to mechanically treat the multilayer coating, i. H. abzupolieren. However, the process of abrading causes the surface of the substrate to which the multilayer coating is applied to lose its high polish quality or smoothness. Abpolieren the multilayer coating therefore requires a complex, lengthy and expensive Nachpolitur to get back to the surface of the substrate the required high polish quality or smoothness, which is required for the subsequent application of a new multilayer coating. In addition, there are mirror geometries, which in principle can no longer be polished off mechanically, for example because the polish would have to take place directly at one edge of the component. These substrates can therefore no longer be used after a faulty coating.

Aufgabe der ErfindungObject of the invention

Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zum Entfernen von Schichten einer Mehrlagen-Beschichtung von einem Substrat eines EUV-Spiegels anzugeben.The object of the invention is to specify an improved method for removing layers of a multilayer coating from a substrate of an EUV mirror.

Gegenstand der ErfindungSubject of the invention

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Entfernen von Schichten einer EUV-Strahlung reflektierenden Mehrlagen-Beschichtung von einem Substrat eines EUV-Spiegels, umfassend: a) Einbringen von Wasserstoff in mindestens eine Silizium enthaltende Schicht der Beschichtung zum Ablösen der mindestens einen, bevorzugt mehrerer Schichten der Beschichtung.This object is achieved by a method for removing layers of an EUV radiation-reflecting multilayer coating from a substrate of an EUV mirror, comprising: a) introducing hydrogen into at least one silicon-containing layer of the coating to detach the at least one, preferably several Layers of the coating.

Die Erfinder haben erkannt, dass durch die Einbringung von Wasserstoff-Atomen bzw. Wasserstoff-Molekülen in Silizium enthaltende Schichten der Mehrlagen-Beschichtung sich diese Schichten gemeinsam mit weiteren, zwischen den Silizium-Schichten angeordneten Schichten vom Substrat bzw. von den darunter liegenden Schichten der Mehrlagen-Beschichtung ablösen lassen (Delamination). Hierbei wird ausgenützt, dass der in die Silizium enthaltende Schichten implantierte Wasserstoff die Silizium-Bindungen der Schicht angreift und gleichzeitig eine mechanische Spannung aufbaut, so dass sich Blasen bilden, vgl. den Artikel „Hydrogen blistering of silicon: Progress in fundamental understanding”, von B. Terreault, physica status solidi (a) 204, No. 7, 2129–2184 (2007) . Bei geeigneter Einstellung der Prozessbedingungen kann eine solche Blasenbildung zu einer Schichtablösung der gesamten Silizium-Schicht sowie darüber liegender Schichten führen.The inventors have recognized that by introducing hydrogen atoms or hydrogen molecules into layers of the multilayer coating containing silicon, these layers, together with further layers arranged between the silicon layers, form the substrate or the underlying layers of the layers Remove multi-layer coating (delamination). It is exploited here that the hydrogen implanted in the silicon-containing layers attacks the silicon bonds of the layer and at the same time builds up a mechanical stress so that bubbles form, cf. the article "Hydrogen blistering of silicon: progress in fundamental understanding", by B. Terreault, physica status solidi (a) 204, no. 7, 2129-2184 (2007) , With proper adjustment of the process conditions, such blistering can delaminate the entire Silicon layer and overlying layers lead.

In einer Variante umfasst das Verfahren: Wiederholen von Schritt a), bis die Mehrlagen-Beschichtung bis zum Substrat oder bis zu einer für Wasserstoff inerten Zwischenschicht abgelöst ist. Durch die Einbringung von Wasserstoff in mehrere Silizium enthaltende Schichten können bis zur Eindringtiefe des Wasserstoffs in die Beschichtung mehrere Schichten auf einmal vom Substrat abgelöst werden. Dieser Prozess der Ablösung kann mehrmals hintereinander durchgeführt werden, bis die gesamte Mehrlagen-Beschichtung abgelöst ist oder bis eine inerte Zwischenschicht erreicht wird. Es versteht sich, dass bei einer Eindringtiefe des Wasserstoffs, welche der Dicke der Beschichtung entspricht, sich gegebenenfalls alle Schichten der Mehrlagen-Beschichtung auf einmal abtragen lassen. Derart hohe Eindringtiefen lassen sich in der Praxis aber nur schwer realisieren, so dass für gewöhnlich mehrere Schritte der Wasserstoffbehandlung notwendig sind, um alle Schichten abzutragen. Das in einem Schritt der Wasserstoffbehandlung abgelöste Schichtmaterial verbleibt typischer Weise zumindest teilweise auf der Oberfläche der Rest-Beschichtung und sollte vor einem nachfolgenden Schritt der Wasserstoffbehandlung von dort entfernt werden (z. B. Wegblasen mit Gasstrom, Nassreinigung, Ultraschallreinigung etc.). Alternativ oder zusätzlich ist es auch möglich, den EUV-Spiegel mit der Mehrlagen-Beschichtung nach unten zu lagern, so dass das abgelöste Schichtmaterial durch Schwerkraftwirkung entfernt wird.In a variant, the method comprises repeating step a) until the multilayer coating has peeled off to the substrate or to a hydrogen-inert intermediate layer. By introducing hydrogen into a plurality of silicon-containing layers, several layers can be detached from the substrate at once, until the penetration of hydrogen into the coating. This delamination process can be performed several times in succession until the entire multilayer coating has peeled off or until an inert intermediate layer is achieved. It is understood that at a penetration depth of the hydrogen, which corresponds to the thickness of the coating, optionally all layers of the multilayer coating can be removed at once. However, such high penetration depths are difficult to realize in practice, so that usually several steps of hydrotreating are necessary to remove all layers. The layered material released in a step of hydrotreating typically remains at least partially on the surface of the residual coating and should be removed therefrom prior to a subsequent hydrotreating step (eg, gas bubble blowing, wet cleaning, ultrasonic cleaning, etc.). Alternatively or additionally, it is also possible to store the EUV mirror with the multilayer coating downwards, so that the detached layer material is removed by gravity.

Beim Ablösen der Mehrlagen-Beschichtung auf die oben beschriebene Weise bleibt die Oberflächengüte bzw. die Politurqualität der Substratoberfläche weitestgehend erhalten, so dass nur noch geringe Korrekturen erforderlich sind, bevor erneut eine Mehrlagen-Beschichtung auf das Substrat aufgebracht werden kann. Entsprechendes gilt auch, wenn die Mehrlagen-Beschichtung nur bis zu einer inerten Stopp- bzw. Zwischenschicht abgetragen wird. Das Vorsehen einer solchen Zwischenschicht ist beispielsweise günstig, falls das Substrat durch die Wasserstoffbehandlung chemisch verändert wird. Das Material und die Dicke der Zwischenschicht können hierbei so gewählt werden, dass diese eine hohe Stabilität gegenüber der Behandlung mit Wasserstoff aufweist (d. h. chemisch inert ist) und auch nach der Wasserstoffbehandlung eine möglichst glatte Oberfläche aufweist. Es versteht sich, dass die inerte Zwischenschicht kein Silizium enthalten sollte.When detaching the multilayer coating in the manner described above, the surface quality or the polish quality of the substrate surface remains largely intact, so that only small corrections are required before again a multi-layer coating can be applied to the substrate. The same applies if the multilayer coating is removed only up to an inert stop or intermediate layer. The provision of such an intermediate layer is favorable, for example, if the substrate is chemically modified by the hydrotreatment. The material and the thickness of the intermediate layer can in this case be selected such that it has a high stability with respect to the treatment with hydrogen (ie is chemically inert) and also has the smoothest possible surface after the hydrogen treatment. It is understood that the inert intermediate layer should not contain silicon.

In einer Ausführungsform wird zum Einbringen von Wasserstoff die Oberseite der Beschichtung einem Wasserstoff enthaltenden Gas oder Gasplasma ausgesetzt. Es hat sich für das Einbringen von Wasserstoff als günstig erwiesen, die gesamte Beschichtung bzw. zumindest deren Oberseite einem Wasserstoff enthaltenden Gas oder Gasplasma auszusetzen, wobei die Bedingungen bei der Behandlung der Beschichtung durch den Wasserstoff so eingestellt werden sollten, dass der Wasserstoff in die Mehrlagen-Beschichtung, genauer gesagt in mindestens eine Silizium-Schicht, eindringen kann, so dass diese Schicht sowie darüber liegende Schichten abgelöst werden können.In one embodiment, to introduce hydrogen, the top of the coating is exposed to a hydrogen-containing gas or gas plasma. It has proved favorable for the introduction of hydrogen to expose the entire coating or at least its upper side to a gas or gas plasma containing hydrogen, wherein the conditions in the treatment of the coating by the hydrogen should be adjusted so that the hydrogen in the multilayers Coating, more precisely in at least one silicon layer, can penetrate, so that this layer and overlying layers can be peeled off.

In einer Ausführungsform enthält das Gas oder Gasplasma aktivierten Wasserstoff, insbesondere in Form von Wasserstoff-Ionen (H⁺), Wasserstoffmolekül-Ionen (H₂ ⁺), Wasserstoff-Radikalen (H•) und/oder Wasserstoff in einem angeregten Elektronenzustand (H^*). Die Verwendung von aktiviertem Wasserstoff erleichtert das Eindringen in die Mehrlagen-Beschichtung. Auch kann Wasserstoff, welcher nicht im elektrisch neutralen Zustand vorliegt, durch die Verwendung von elektrischen Feldern beschleunigt werden, um gegebenenfalls die Eindringtiefe des Wasserstoffs in die Mehrlagen-Beschichtung zu erhöhen. Die Aktivierung kann beispielsweise an molekularem Wasserstoff vorgenommen werden, indem dieser mit schnellen Elektronen angeregt wird.In one embodiment, the gas or gas plasma contains activated hydrogen, in particular in the form of hydrogen ions (H ⁺ ), hydrogen molecule ions (H ₂ ⁺ ), hydrogen radicals (H •) and / or hydrogen in an excited electronic state (H ^* ). The use of activated hydrogen facilitates penetration into the multilayer coating. Also, hydrogen, which is not in the electrically neutral state, can be accelerated by the use of electric fields to optionally increase the penetration depth of the hydrogen in the multilayer coating. The activation can be carried out, for example, on molecular hydrogen by exciting it with fast electrons.

Insbesondere kann das Wasserstoff enthaltende Gas in Form eines typischer Weise von einer Gasdüse erzeugten Gasstrahls auf die Oberfläche aufgebracht werden. Der Wasserstoff kann hierbei beispielsweise in der Gasdüse selbst aktiviert werden, indem dieser Elektronen ausgesetzt wird, die durch Thermoemission aus einem Heizdraht freigesetzt und in einem elektrischen Feld beschleunigt werden, wie dies z. B. in der WO 2009/059614 A1 der Anmelderin beschrieben ist.In particular, the hydrogen-containing gas may be applied to the surface in the form of a gas jet typically generated by a gas nozzle. The hydrogen can be activated for example in the gas nozzle itself by this is exposed to electrons, which are released by thermo emission from a heating wire and accelerated in an electric field, as z. B. in the WO 2009/059614 A1 the applicant is described.

In einer Ausführungsform kann ein Winkel, unter dem der Gasstrahl auf die Oberfläche auftrifft und/oder eine Position, an welcher der Gasstrahl auf die Oberfläche auftrifft, in Abhängigkeit von einem ortsabhängigen Fortschritt beim Ablösen der mindestens einen Schicht gewählt werden. Da die Schichtablösung typischer Weise durch lokale Blasenbildung erfolgt, ist das Ablöseverhalten der Schichten lokal unterschiedlich, d. h. es können sich trotz einer über die gesamte Oberfläche der Beschichtung erfolgenden homogenen Wasserstoff-Behandlung in einem Teilbereich der Oberfläche bereits Blasen bilden, während dies in einem anderen Teilbereich nicht der Fall ist. Um diese Bereiche gesondert zu behandeln, kann der Winkel, welchen die Gasdüse im Bezug auf die Oberfläche aufweist, geeignet eingestellt bzw. variiert werden. Dies gilt ebenfalls für die Position, an welcher der Gasstrahl auf der Oberfläche der Mehrlagen-Beschichtung auftrifft. Diese kann während des Ablösevorganges gezielt in diejenigen Teilbereiche verbracht werden, in denen sich noch keine Blasen gebildet haben. Um den Fortschritt beim Ablösen der Schichten zu beobachten, kann die Oberfläche der Mehrlagen-Beschichtung z. B. mit einer Kamera überwacht werden.In one embodiment, an angle at which the gas jet impinges on the surface and / or a position at which the gas jet strikes the surface may be selected depending on a location-dependent progress in peeling the at least one layer. Since the delamination typically occurs by local blistering, the peel behavior of the layers is locally different, ie bubbles may form in one part of the surface despite a homogeneous hydrogen treatment over the entire surface of the coating, while in another part not the case. In order to treat these areas separately, the angle which the gas nozzle has with respect to the surface can be suitably adjusted or varied. This also applies to the position at which the gas jet impinges on the surface of the multilayer coating. This can be spent during the detachment process targeted in those areas in which no bubbles have formed. In order to observe the progress in the detachment of the layers, the Surface of the multilayer coating z. B. be monitored with a camera.

Bei der hier vorliegenden Anwendung hat es sich als günstig herausgestellt, eine Flussrate des Gasstrahls zu wählen, die bei mehr als 10¹³ at/cm²s, bevorzugt bei mehr als 10¹⁴ at/cm²s liegt, um eine schnelle Ablösung der Schichten zu erreichen.In the present application, it has proved to be favorable to choose a flow rate of the gas jet which is more than 10 ¹³ at / cm ² s, preferably more than 10 ¹⁴ at / cm ² s, to a rapid separation of the layers to reach.

Bei einer weiteren Ausführungsform liegt die kinetische Energie des Wasserstoffs bzw. der Wasserstoff-Teilchen (egal ob ionisiert, aktiviert, neutral, atomar, molekular) beim Auftreffen auf die Beschichtung bei mehr als 300 eV, bevorzugt bei mehr als 500 eV, insbesondere bei mehr als 800 eV. Solche kinetischen Energien können beispielsweise erzeugt werden, wenn der Wasserstoff als Gasstrom auf die Oberfläche aufgebracht wird, wobei die (ionisierten bzw. aktivierten) Wasserstoff-Teilchen ggf. zusätzlich in einem elektrischen Feld beschleunigt werden. Solche kinetischen Energien können auch erzeugt werden, indem die beschichtete Oberfläche des EUV-Spiegels einem Wasserstoffplasma ausgesetzt wird und ggf. zur Anregung des Plasmas eine elektrische Spannung zwischen eine Elektrode und die beschichtete Oberfläche angelegt wird. Solche kinetischen Energien können außerdem erzeugt werden, indem geladene Teilchen beschleunigt werden und nachfolgend durch Ladungsaustausch, etwa mit einer Elektronenquelle, neutralisiert werden.In another embodiment, the kinetic energy of the hydrogen or hydrogen particles (whether ionized, activated, neutral, atomic, molecular) is more than 300 eV, preferably more than 500 eV, especially more upon impact with the coating as 800 eV. Such kinetic energies can be generated, for example, if the hydrogen is applied as a gas stream to the surface, wherein the (ionized or activated) hydrogen particles are optionally additionally accelerated in an electric field. Such kinetic energies can also be generated by exposing the coated surface of the EUV mirror to a hydrogen plasma and optionally applying an electrical voltage between an electrode and the coated surface to excite the plasma. Such kinetic energies can also be generated by accelerating charged particles and subsequently neutralizing them by charge exchange, such as with an electron source.

Die hohe kinetische Energie ermöglicht eine große Eindringtiefe des Wasserstoffs in die Beschichtung. Es versteht sich, dass die kinetische Energie des Wasserstoffs in dem Gasstrahl oder aus dem Plasma z. B. vom Abstand der Gasdüse von der Beschichtung, vom Winkel, unter dem der Gasstrahl auf die Oberfläche auftrifft, der Plasmadichte, der Plasmatemperatur, der Biasspannung etc. abhängig ist, wobei die Eindringtiefe maximal ist, wenn der Gasstrahl in Richtung der Flächennormale der Oberfläche ausgerichtet ist. Selbstverständlich kann die kinetische Energie des Wasserstoffs in dem Gasstrahl auch durch den Gasdruck eines mit der Gasdüse in Verbindung stehenden Gasreservoirs bzw. den Öffnungsdurchmesser der Gasdüse beeinflusst werden. Die Eindringtiefe des Wasserstoffs bei den oben beschriebenen kinetischen Energien liegt hierbei typischer Weise bei ca. 10 Nanometern oder darüber, je nach kinetischer Energie des Wasserstoffs.The high kinetic energy allows a large penetration of hydrogen into the coating. It is understood that the kinetic energy of hydrogen in the gas jet or from the plasma z. B. the distance of the gas nozzle from the coating, the angle at which the gas jet impinges on the surface, the plasma density, the plasma temperature, the bias voltage, etc. depends, the penetration depth is maximum, when the gas jet in the direction of the surface normal of the surface is aligned. Of course, the kinetic energy of the hydrogen in the gas jet can also be influenced by the gas pressure of a gas reservoir communicating with the gas nozzle or the opening diameter of the gas nozzle. The penetration depth of the hydrogen at the kinetic energies described above is typically about 10 nanometers or more, depending on the kinetic energy of the hydrogen.

In einer weiteren Ausführungsform ist der EUV-Spiegel zum Ablösen der mindestens einer Schicht in einer Wasserstoff-Atmosphäre mit einem Wasserstoff-Partialdruck von mehr als 0,01 mbar, bevorzugt von mehr als 0,1 mbar, insbesondere von mehr als 1 mbar eingebracht. Auch durch das Einbringen des EUV-Spiegels in eine Umgebung, in welcher ein hoher Wasserstoff-Partialdruck herrscht, kann der Wasserstoff in die Schichten der Mehrlagen-Beschichtung eindringen, wobei eine Eindringtiefe erreicht werden kann, die für das Eindringen in eine Silizium enthaltende Schicht und damit für eine Schichtablösung ausreichend ist. Insbesondere kann in der Wasserstoff-Atmosphäre ein Wasserstoff-Plasma erzeugt werden, z. B. indem eine Spannung zwischen die Mehrlagen-Beschichtung und eine Elektrode angelegt wird. Das Plasma kann auch auf andere Weise angeregt werden, z. B. durch Strahlungsanregung, durch magnetische Anregung, durch Mikrowellenstrahlung etc.In a further embodiment, the EUV mirror is introduced for detaching the at least one layer in a hydrogen atmosphere having a hydrogen partial pressure of more than 0.01 mbar, preferably of more than 0.1 mbar, in particular of more than 1 mbar. Also, by introducing the EUV mirror into an environment in which there is a high hydrogen partial pressure, the hydrogen can penetrate into the layers of the multilayer coating, whereby a penetration depth can be achieved, which is suitable for penetration into a silicon-containing layer and so that it is sufficient for a delamination. In particular, in the hydrogen atmosphere, a hydrogen plasma can be generated, for. By applying a voltage between the multilayer coating and an electrode. The plasma can also be excited in other ways, for. B. by radiation excitation, by magnetic excitation, by microwave radiation, etc.

In einer Ausführungsform ist der EUV-Spiegel beim Ablösen in seiner Fassung aufgenommen. Da der Prozess der Ablösung der Spiegelschichten lokal auf der Substratoberfläche erfolgen kann, ist es nicht erforderlich, den EUV-Spiegel aus seiner Fassung zu lösen. Im Gegensatz dazu ist es beim Abpolieren der Beschichtung in der Regel erforderlich, den EUV-Spiegel aus seiner Fassung zu nehmen und geeignet einzuspannen.In one embodiment, the EUV level is included in the peeling in its version. Since the process of detachment of the mirror layers can occur locally on the substrate surface, it is not necessary to release the EUV mirror from its version. In contrast, when polishing the coating, it is usually necessary to take the EUV mirror out of its socket and clamp it properly.

In einer Ausführungsform wird der EUV-Spiegel zum Ablösen der mindestens einen Schicht auf eine Temperatur zwischen ca. 30°C und 200°C, bevorzugt zwischen 50°C und 100°C aufgeheizt. Obgleich eine Delamination der Schichten der EUV-Beschichtung auch bei Raumtemperatur erfolgen kann, hat es sich als günstig erwiesen, den EUV-Spiegel auf Temperaturen aufzuheizen, die bevorzugt innerhalb der oben angegebenen Temperaturbereiche liegen.In one embodiment, the EUV mirror is heated to detach the at least one layer to a temperature between about 30 ° C and 200 ° C, preferably between 50 ° C and 100 ° C. Although a delamination of the layers of the EUV coating can also take place at room temperature, it has proven to be advantageous to heat the EUV level to temperatures which are preferably within the above-indicated temperature ranges.

In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren zusätzlich: Polieren der Oberfläche des Substrats nach dem vollständigen Ablösen der Mehrlagen-Beschichtung. Wie bereits weiter oben dargestellt wurde, kann es ggf. erforderlich sein, nach dem Ablösen der gesamten Mehrlagen-Beschichtung die Substratoberfläche zu polieren, um die gewünschte Oberflächenqualität bzw. die gewünschte Glattheit der Oberfläche zu erhalten. Da die nach dem Ablösen der Mehrlagen-Beschichtung erhaltene Oberflächenqualität in der Regel bereits sehr gut ist, erfordert ein solcher ggf. erforderlicher Polierschritt jedoch einen wesentlich geringeren Aufwand als dies beim Entfernen der Mehrlagen-Beschichtung durch ausschließlich mechanisches Abpolieren der Fall ist. Darüberhinaus muss bei der obigen mechanischen Nachpolitur nur eine geringe Materialmenge abgetragen werden, sodass die Geometrie der Substratoberfläche besser erhalten bleibt als bei einem reinen mechanischen Abpolierschritt, wodurch sich die Wahrscheinlichkeit für die Wiederverwendbarkeit des Spiegelsubstrats erhöht.In a further embodiment, the method additionally comprises: polishing the surface of the substrate after complete detachment of the multilayer coating. As previously discussed, it may be necessary to polish the substrate surface after peeling off the entire multilayer coating to obtain the desired surface finish or surface smoothness. Since the surface quality obtained after detachment of the multilayer coating is usually already very good, however, such an optionally required polishing step requires significantly less effort than is the case when removing the multilayer coating by exclusively mechanical polishing. Moreover, in the above mechanical post-polishing only a small amount of material must be removed, so that the geometry of the substrate surface is better preserved than in a pure mechanical Abpolierschritt, thereby increasing the likelihood of reusability of the mirror substrate.

In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren zusätzlich in einem Schritt a) vorausgehenden Schritt: Aufbringen der EUV-Strahlung reflektierenden Mehrlagen-Beschichtung auf das Substrat, wobei mindestens eine für den Wasserstoff inerte Zwischenschicht in die Mehrlagen-Beschichtung eingebracht wird. Soll die EUV-Mehrlagen-Beschichtung nicht komplett bis auf das Substrat entfernt werden, etwa weil sich das Substrat unter der Wasserstoffbehandlung verändern würde, so kann der Ablöseprozess auch in einer anderen, beliebigen Tiefe des Mehrschichtsystems gestoppt werden. Zu diesem Zweck kann beim Aufbringen des Mehrfach-Schichtsystems in besagter Tiefe eine Zusatz- bzw. Zwischenschicht eingebracht werden, wobei Material und Dicke der Zwischenschicht so gewählt werden, dass diese eine hohe Stabilität gegen die Wasserstoffbehandlung aufweist, so dass nach der Wasserstoffbehandlung eine möglichst glatte Oberfläche verbleibt. Die Wasserstoffeinwirkung kann dann über einen sehr langen Zeitraum erfolgen, wodurch ein vollständiger Abtrag der Schichten oberhalb der inerten Zwischenschicht (Ätzstoppschicht) möglich ist. Für die inerte Zwischenschicht haben sich insbesondere metallische Materialien als günstig erwiesen, z. B. Molybdän (Mo), Ruthenium (Ru), Platin (Pt) oder Aluminium (Al).In a further embodiment, the method additionally comprises in a step a) the preceding step: applying the EUV radiation-reflecting multilayer coating to the substrate, wherein at least one of the hydrogen inert intermediate layer is introduced into the multilayer coating. If the EUV multilayer coating is not completely removed down to the substrate, for example because the substrate would change under hydrotreating, then the detachment process can also be stopped in another, arbitrary depth of the multilayer system. For this purpose, when applying the multiple layer system in said depth an additional or intermediate layer can be introduced, wherein the material and thickness of the intermediate layer are chosen so that it has a high stability against the hydrogen treatment, so that after the hydrotreating as smooth as possible Surface remains. The hydrogen action can then take place over a very long period of time, whereby a complete removal of the layers above the inert intermediate layer (etch stop layer) is possible. For the inert intermediate layer, in particular metallic materials have proven to be favorable, for. As molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), platinum (Pt) or aluminum (Al).

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.Further features and advantages of the invention will become apparent from the following description of embodiments of the invention, with reference to the figures of the drawing, which show details essential to the invention, and from the claims. The individual features can be realized individually for themselves or for several in any combination in a variant of the invention.

Zeichnungdrawing

Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigtEmbodiments are illustrated in the schematic drawing and will be explained in the following description. It shows

1a eine schematische Darstellung eines EUV-Spiegels mit einer Mehrlagen-Beschichtung, welche einem Gasstrahl mit aktiviertem Wasserstoff ausgesetzt wird, 1a a schematic representation of an EUV mirror with a multilayer coating, which is exposed to a gas jet with activated hydrogen,

1b eine schematische Darstellung eines EUV-Spiegels in einer Wasserstoff-Umgebung, 1b a schematic representation of an EUV mirror in a hydrogen environment,

2 eine schematische Darstellung der Schichtablösung durch Blasenbildung an der Mehrlagen-Beschichtung der 1a, b, sowie 2 a schematic representation of the delamination by blistering on the multilayer coating of 1a , b, as well

3 eine schematische Darstellung eines Substrats des EUV-Spiegels nach der vollständigen Ablösung der Mehrlagen-Beschichtung. 3 a schematic representation of a substrate of the EUV mirror after complete replacement of the multilayer coating.

In 1a ist schematisch ein EUV-Spiegel 1 gezeigt, bei dem auf einem Substrat 2, welches z. B. aus ULE^® oder Zerodur^® bestehen kann, eine Mehrlagen-Beschichtung 3 aufgebracht ist. Die Mehrlagen-Beschichtung 3 umfasst eine Mehrzahl von alternierenden Schichten 4a, 4b aus Molybdän und Silizium, deren Schichtdicken so gewählt sind, dass die Mehrlagen-Beschichtung 3 eine möglichst große Reflektivität für EUV-Strahlung (mit einer Wellenlänge von ca. 13,5 nm) erzeugt.In 1a is schematically an EUV level 1 shown in which on a substrate 2 which z. B. ULE ^® or Zerodur ^{® may} consist of a multilayer coating 3 is applied. The multilayer coating 3 includes a plurality of alternating layers 4a . 4b made of molybdenum and silicon, whose layer thicknesses are chosen so that the multilayer coating 3 the greatest possible reflectivity for EUV radiation (with a wavelength of about 13.5 nm) generated.

Die Mehrlagen-Beschichtung 3 weist auch eine Deckschicht 5 z. B. aus Ruthenium auf, um die darunter liegenden Schichten 4a, 4b vor Oxidation zu schützen. Es versteht sich, dass auch eine oder mehrere (nicht gezeigte) funktionale Zwischenschichten in der Mehrlagen-Beschichtung 3 vorgesehen sein können, welche z. B. als Diffusionsbarrieren oder zur Reduzierung der Schichtspannungen dienen können.The multilayer coating 3 also has a topcoat 5 z. As ruthenium, to the underlying layers 4a . 4b to protect against oxidation. It is understood that one or more functional intermediate layers (not shown) in the multilayer coating 3 may be provided, which z. B. can serve as diffusion barriers or to reduce the layer stresses.

Um die Beschichtung 3 vom Substrat 2 abzulösen, wird der in einer Fassung 7 gehaltene EUV-Spiegel 1 einem Wasserstoff-Gasstrahl 8 ausgesetzt, welcher aus einer Gasdüse 9 austritt. Ein Winkel α, welchen der Gasstrahl 8 mit der Oberseite 3a des EUV-Spiegels 1 einschließt, kann mit Hilfe einer durch einen Doppelpfeil angedeuteten Verschwenkeinrichtung eingestellt werden. Die Gasdüse 9 kann auch mit Hilfe von herkömmlichen Linearantrieben in drei Raumrichtungen (X, Y, Z) verschoben werden, um einen Abstand zur Oberseite 3a der Mehrlagen-Beschichtung 3 bzw. eine gewünschte Position P an der Oberseite 3a der Mehrlagen-Beschichtung 3 anfahren zu können. Um das Verfahren der Ablösung zu beschleunigen, liegt eine Flussrate des Gasstrahls 8 typischer Weise bei mehr als ca. 10¹³ at/cm²s, ggf. bei mehr als 10¹⁴ at/cm²s.To the coating 3 from the substrate 2 is replaced in one version 7 held EUV levels 1 a hydrogen gas jet 8th exposed, which from a gas nozzle 9 exit. An angle α, which the gas jet 8th with the top 3a the EUV mirror 1 can be adjusted by means of a swivel indicated by a double arrow. The gas nozzle 9 can also be displaced in three spatial directions (X, Y, Z) with the help of conventional linear actuators at a distance from the top 3a the multilayer coating 3 or a desired position P at the top 3a the multilayer coating 3 to be able to approach. To accelerate the process of separation, there is a flow rate of the gas jet 8th typically at more than about 10 ¹³ at / cm ² s, possibly at more than 10 ¹⁴ at / cm ² s.

Im vorliegenden Beispiel handelt es sich bei dem Gasstrahl 8 um aktivierten Wasserstoff H, der in der Gasdüse 9 aus molekularem Wasserstoff H₂ erzeugt wird. Hierzu wird der molekulare Wasserstoff H₂ mit beschleunigten Elektronen beschossen, so dass beim Austritt aus der Gasdüse 9 aktivierter Wasserstoff H erzeugt wird, der z. B. in Form von atomarem Wasserstoff, Wasserstoff-Ionen, Wasserstoffmolekül-Ionen, Wasserstoff-Radikalen und/oder Wasserstoff in einem angeregten Elektronenzustand vorliegen kann.In the present example, the gas jet 8th around activated hydrogen H, which is in the gas nozzle 9 is generated from molecular hydrogen H ₂ . For this purpose, the molecular hydrogen H _{2 is} bombarded with accelerated electrons, so that upon exiting the gas nozzle 9 activated hydrogen H is generated, the z. B. in the form of atomic hydrogen, hydrogen ions, hydrogen molecule ions, hydrogen radicals and / or hydrogen may be present in an excited electron state.

Der aktivierte Wasserstoff H dringt in die Beschichtung 3, genauer gesagt in eine Silizium enthaltende Schichten 4b ein und greift dort die Silizium-Bindungen an. Mechanische Spannungen führen im Zusammenspiel mit Gasbildung zu Blasenbildung und schließlich zu einer Delamination der Silizium enthaltenden Schicht 4b sowie der darüber liegenden Schichten 4a, 5, wie dies in 2 gezeigt ist.The activated hydrogen H penetrates into the coating 3 More specifically, in a silicon-containing layers 4b and attacks there the silicon bonds. Mechanical stresses in combination with gas formation lead to bubble formation and finally to a delamination of the silicon-containing layer 4b and the layers above 4a . 5 like this in 2 is shown.

Um durch die Deckschicht 5 und die Molybdän enthaltende Schicht 4a zur Silizium enthaltenden Schicht 4b durchzudringen, ist es erforderlich, dass der Wasserstoff H zumindest eine Eindringtiefe D aufweist, welche typischer Weise im Bereich von ca. 10 nm oder darüber liegt. Um den Prozess des Ablösens der Beschichtung 3 vom Substrat 2 zu beschleunigen, ist es günstig, wenn die Eindringtiefe D möglichst groß ist, so dass der Wasserstoff H in mehrere Silizium enthaltende Schichten 4b eindringen kann, um eine gleichzeitige Ablösung einer großen Anzahl von Schichten 4a, 4b in einem einzigen Ablöseschritt zu ermöglichen.To go through the top layer 5 and the molybdenum-containing layer 4a to the silicon-containing layer 4b It is necessary for the hydrogen H to have at least one penetration depth D which is typically in the range of about 10 nm or more. To the process of peeling off the coating 3 from the substrate 2 to accelerate, it is advantageous if the penetration depth D is as large as possible, so that the hydrogen H in several silicon-containing layers 4b can penetrate to a simultaneous detachment of a large number of layers 4a . 4b in a single detachment step.

Um dies zu erreichen, sollte die kinetische Energie des aktivierten Wasserstoffs H beim Auftreffen auf die Beschichtung 3 bei mehr als 300 eV, bevorzugt bei mehr als 500 eV, insbesondere bei mehr als 800 eV liegen. Derart hohe kinetische Energien können durch eine geeignete Dimensionierung der Gasdüse 9 bzw. deren Düsenöffnung und/oder durch Einstellen des Drucks eines (nicht gezeigten) Gas-Reservoirs erreicht werden, in dem der molekulare Wasserstoff H₂ gelagert wird, bevor er über eine (nicht gezeigte) Zuführungsleitung der Gasdüse 9 zugeführt wird. Alternativ oder zusätzlich können die aktivierten bzw. ionisierten Wasserstoff-Teilchen H in einem elektomagnetischen, speziell in einem (statischen) elektrischen Feld beschleunigt werden.To achieve this, the kinetic energy of the activated hydrogen should H when hitting the coating 3 at more than 300 eV, preferably at more than 500 eV, in particular at more than 800 eV. Such high kinetic energies can be achieved by suitable dimensioning of the gas nozzle 9 or the nozzle opening thereof and / or by adjusting the pressure of a gas reservoir (not shown) in which the molecular hydrogen H _{2 is} stored, before it via a (not shown) supply line of the gas nozzle 9 is supplied. Alternatively or additionally, the activated or ionized hydrogen particles H can be accelerated in an electromagnetic, especially in a (static) electric field.

Wie in 2 zu erkennen ist, verläuft der Ablöseprozess der Beschichtung nicht homogen, d. h. in manchen Teilbereichen der Beschichtung 3 ist dieser weiter fortgeschritten als in anderen. Um die Schichtablösung zu beschleunigen, ist es daher günstig, nach einer ersten, homogenen Wasserstoff-Behandlung den aktivierten Wasserstoff H gezielt auf die Teilbereiche der Oberfläche 3a der Beschichtung 3 zu richten, in denen der Ablösevorgang weniger weit fortgeschritten ist bzw. in dem sich noch keine Blasen gebildet haben. Wie in 2 gezeigt ist, kann hierzu mittels einer Kamera 11 die Oberseite 3 der Beschichtung beobachtet und anhand des Kamerabildes können diejenigen Bereiche, in denen sich noch keine Blasen gebildet haben, identifiziert werden. Die Gasdüse 9 kann dann gezielt auf diejenigen Teilbereiche gerichtet werden, in denen sich noch keine Blasen gebildet haben, und zwar indem der Winkel α und/oder die Position P des Gasstrahls 8 geeignet eingestellt werden. Zu diesem Zweck kann eine nicht gezeigte Steuer- bzw. Regeleinrichtung mit der Gasdüse 9 bzw. mit der Kamera 10 in signaltechnischer Verbindung stehen.As in 2 can be seen, the removal process of the coating is not homogeneous, ie in some areas of the coating 3 this is more advanced than in others. In order to accelerate the delamination, it is therefore advantageous, after a first, homogeneous hydrogen treatment, to activate the activated hydrogen H specifically for the subregions of the surface 3a the coating 3 in which the detachment process is less advanced or in which bubbles have not yet formed. As in 2 is shown, this can by means of a camera 11 the top 3 the coating observed and on the basis of the camera image, those areas in which no bubbles have formed, can be identified. The gas nozzle 9 can then be targeted to those sections in which no bubbles have formed, namely by the angle α and / or the position P of the gas jet 8th be adjusted appropriately. For this purpose, a control device, not shown, with the gas nozzle 9 or with the camera 10 in signal communication.

Nach dem vollständigen Ablösen mehrerer Schichten 4a, 4b, 5 können deren ggf. auf der Oberfläche verbleibenden Reste von der Beschichtung 3 entfernt werden, z. B. indem diese mittels des Gasstrahls 9 oder eines weiteren (nicht gezeigten) Inert-Gasstrahls weggeblasen werden, bevor in einem weiteren Schritt eine Behandlung des noch verbliebenen Teils der Beschichtung 3 erfolgen kann. Bei dem in 2 gezeigten Beispiel wird das Ablösen von Schichten 4a, 4b, 5 bei der Eindringtiefe D an einer inerten Zwischenschicht 4c gestoppt, d. h. an einer Schicht, welche für die Wasserstoffbehandlung weitgehend stabil ist. Im vorliegenden Beispiel besteht die Zwischenschicht 4c aus einem metallischen Material, z. B. aus Molybdän, Ruthenium, Platin oder Aluminium. Auf die Oberfläche der Zwischenschicht 4c können (ggf. nach einem Glättungs- bzw. Polierschritt) zusätzliche Schichten einer Mehrlagen-Beschichtung aufgebracht werden.After completely peeling off several layers 4a . 4b . 5 can their possibly remaining on the surface residues of the coating 3 be removed, for. B. by this by means of the gas jet 9 or another inert gas jet (not shown), before, in a further step, treating the remaining portion of the coating 3 can be done. At the in 2 the example shown is the detachment of layers 4a . 4b . 5 at the penetration depth D on an inert intermediate layer 4c stopped, ie on a layer which is largely stable for the treatment of hydrogen. In the present example, the intermediate layer exists 4c from a metallic material, e.g. As molybdenum, ruthenium, platinum or aluminum. On the surface of the intermediate layer 4c can (optionally after a smoothing or polishing step) additional layers of a multilayer coating are applied.

Eine andere Möglichkeit, um Wasserstoff in mindestens eine Silizium enthaltende Schicht 4b der Mehrlagen-Beschichtung 3 einzubringen ist in 1b gezeigt. Dort ist der EUV-Spiegel 1 zum Ablösen von mindestens einer Silizium enthaltenden Schicht 4b in einer Wasserstoff-Atmosphäre 11 mit molekularem Wasserstoff H₂ mit einem Wasserstoff-Partialdruck p von mehr als 0,01 mbar, günstiger Weise von mehr als 0,1 mbar, insbesondere von mehr als 1 mbar eingebracht. Hierbei hat es sich als günstig erwiesen, wenn die Temperatur T des Substrats 2 des EUV-Spiegels 1 in der Wasserstoff-Atmosphäre 11 zwischen ca. 30°C und 200°C, bevorzugt zwischen 50°C und 100°C liegt, einerseits um die kinetische Energie des Wasserstoffs H₂ zu erhöhen, andererseits um den Prozess der Ablösung innerhalb der Silizium enthaltenden Schicht 4b zu verbessern.Another way to get hydrogen in at least one silicon-containing layer 4b the multilayer coating 3 to bring in is 1b shown. There is the EUV mirror 1 for detaching at least one silicon-containing layer 4b in a hydrogen atmosphere 11 introduced with molecular hydrogen H ₂ with a hydrogen partial pressure p of more than 0.01 mbar, more favorably of more than 0.1 mbar, in particular of more than 1 mbar. It has proved to be favorable when the temperature T of the substrate 2 the EUV mirror 1 in the hydrogen atmosphere 11 between about 30 ° C and 200 ° C, preferably between 50 ° C and 100 ° C, on the one hand to increase the kinetic energy of hydrogen H ₂ , on the other hand to the process of detachment within the silicon-containing layer 4b to improve.

Es versteht sich, dass bei der in 1b gezeigten Behandlung der Mehrlagen-Beschichtung 3 der in der Wasserstoff-Atmosphäre 11 vorhandene molekulare Wasserstoff H₂ auch aktiviert werden kann. Ebenso kann auch die in 1a gezeigte Behandlung der Mehrlagen-Beschichtung 3 bei erhöhten Temperaturen und/oder in einer Wasserstoff-Atmosphäre mit hohen Wasserstoff-Partialdrücken vorgenommen werden. Auch hat es sich als günstig erwiesen, für die Behandlung der Mehrlagen-Beschichtung 3 ein Wasserstoff-Plasma in der Wasserstoff-Atmosphäre 11 zu erzeugen. Zur Anregung des Plasmas kann beispielsweise ein Plasma-Generator mit einer Elektrode 12 in die Wasserstoff-Atmosphäre 11 eingebracht werden, wobei zwischen die Elektrode 12 und der Mehrlagen-Beschichtung 3 eine Spannung V angelegt wird, um ein elektrisches Feld zu erzeugen. Die elektrische Kontaktierung erfolgt hierbei günstiger Weise am Rand der Mehrlagen-Beschichtung. Es versteht sich, dass die Spannung V sowie weitere Parameter des Plasmas (Plasmatemperatur, Plasmadichte, etc.) so gewählt werden sollten, dass das Einbringen von Wasserstoff H in die Mehrlagen-Beschichtung 3 begünstigt wird.It is understood that at the in 1b shown treatment of the multilayer coating 3 in the hydrogen atmosphere 11 existing molecular hydrogen H _{2 can} also be activated. Likewise, the in 1a shown treatment of the multilayer coating 3 be carried out at elevated temperatures and / or in a hydrogen atmosphere with high hydrogen partial pressures. Also, it has proven to be beneficial for the treatment of multilayer coating 3 a hydrogen plasma in the hydrogen atmosphere 11 to create. For excitation of the plasma, for example, a plasma generator with an electrode 12 in the hydrogen atmosphere 11 are introduced, wherein between the electrode 12 and the multilayer coating 3 a voltage V is applied to generate an electric field. The electrical contacting takes place in a favorable manner at the edge of the multilayer coating. It is understood that the voltage V and other parameters of the plasma (plasma temperature, plasma density, etc.) should be selected so that the introduction of hydrogen H in the multilayer coating 3 is favored.

3 zeigt das Substrat 2 nach dem vollständigen Ablösen der Mehrlagen-Beschichtung. Sofern dessen Oberfläche 2a nicht die gewünschte Oberflächengüte aufweist, die typischer Weise bei weniger als 0,5 oder bevorzugt kleiner 0,2 nm rms in einem Ortsfrequenzbereich zwischen 1 mm und 100 mm liegen sollte, kann die Oberfläche 2a in einem (nicht gezeigten) mechanischen Politurschritt geglättet werden. Da das Entfernen der Mehrlagen-Beschichtung 3 durch Ablösen der Schichten 4a, 4b, 5 jedoch nur einen geringen Einfluss auf die Oberflächenrauhigkeit des Substrats 2 hat, ist eine solche Nachpolitur nur in Ausnahmefällen erforderlich, d. h. auf das Substrat 2 kann nach dem Ablösen der Mehrlagen-Beschichtung 3 in der Regel unmittelbar eine neue Mehrlagen-Beschichtung aufgebracht werden. 3 shows the substrate 2 after complete detachment of the multilayer coating. Unless its surface 2a does not have the desired surface finish, which should typically be less than 0.5 or preferably less than 0.2 nm rms in a spatial frequency range between 1 mm and 100 mm, the surface may be 2a be smoothed in a mechanical polishing step (not shown). Because removing the multilayer coating 3 by detaching the layers 4a . 4b . 5 however only a small influence on the surface roughness of the substrate 2 has such post-polishing is required only in exceptional cases, ie on the substrate 2 can after peeling off the multilayer coating 3 usually a new multilayer coating can be applied directly.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

WO 2009/059614 A1 [0013]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

"Hydrogen blistering of silicon: progress in fundamental understanding", by B. Terreault, physica status solidi (a) 204, no. 7, 2129-2184 (2007) [0008]

Claims

Method for removing layers ( 4a . 4b . 5 ) of an EUV radiation-reflecting multilayer coating ( 3 ) from a substrate ( 2 ) of an EUV mirror ( 1 ), comprising: a) introducing hydrogen (H) into at least one silicon-containing layer ( 4b ) of the coating ( 3 ) for detaching the at least one, preferably a plurality of layers ( 4a . 4b . 5 ) of the coating ( 3 ).

The method of claim 1, further comprising: repeating step a) until the multilayer coating ( 3 ) to the substrate ( 2 ) or to an intermediate layer which is inert for the hydrogen (H) ( 4c ) is replaced.

Method according to Claim 1 or 2, in which the upper side (for introducing hydrogen) is ( 3a ) of the coating ( 3 ) is exposed to a hydrogen-containing gas or gas plasma.

The method of claim 3, wherein the gas or gas plasma contains activated hydrogen (H), in particular in the form of hydrogen ions, hydrogen molecule ions, hydrogen radicals and / or hydrogen in an excited electron state.

Method according to one of claims 3 or 4, in which the gas containing hydrogen (H) is in the form of a gas jet ( 8th ) on the surface ( 3a ) is applied.

Method according to Claim 5, in which an angle (α) below which the gas jet ( 8th ) on the surface ( 3a ) and / or a position (P) at which the gas jet ( 8th ) on the surface ( 3a ), depending on a location-dependent progress in detachment of the at least one layer ( 4b ) to get voted.

Method according to one of claims 5 or 6, wherein a flow rate of the gas jet ( 6 ) is more than 10 ¹³ at / cm ² s, preferably more than 10 ¹⁴ at / cm ² s.

Method according to one of Claims 3 to 7, in which the kinetic energy of the hydrogen (H) when it strikes the coating ( 3 ) at more than 300 eV, preferably at more than 500 eV, in particular at more than 800 eV.

Method according to one of Claims 3 to 8, in which the EUV level ( 1 ) for detaching the at least one layer ( 4a . 4b . 5 ) is introduced in a hydrogen atmosphere (H ₂ ) having a hydrogen partial pressure of more than 0.01 mbar, preferably of more than 0.1 mbar, in particular of more than 1 mbar.

Method according to one of the preceding claims, in which the EUV level ( 1 ) when detaching the at least one layer ( 4a . 4b . 5 ) in one version ( 7 ) is recorded.

Method according to one of the preceding claims, in which the EUV level ( 1 ) for detaching the at least one layer ( 4a . 4b . 5 ) is heated to a temperature between about 30 ° C and 200 ° C, preferably between 50 ° C and 100 ° C.

Method according to one of the preceding claims, further comprising: polishing the surface ( 2a ) of the substrate ( 2 ) after complete removal of the coating ( 3 ).

Method according to one of the preceding claims, further comprising: in a step a) preceding step: applying the EUV radiation-reflecting multilayer coating ( 3 ) on the substrate ( 2 ), wherein at least one inert intermediate layer ( 4c ) in the multilayer coating ( 3 ) is introduced.