DE102011079451A1 - Optical arrangement, particularly projection exposure system for extreme ultraviolet lithography, has optical element with reflective coating, which has cover layer, on whose surface oxidic impurities are present - Google Patents
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Abstract
Description
Hintergrund der ErfindungBackground of the invention
Die Erfindung betrifft eine optische Anordnung, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie, sowie ein Verfahren zum Entfernen von oxidischen Verunreinigungen von optischen Elementen.The invention relates to an optical arrangement, in particular a projection exposure apparatus for EUV lithography, and to a method for removing oxidic contaminants from optical elements.
Bei optischen Anordnungen wie z. B. EUV-Lithographievorrichtungen/Projektionsbelichtungsanlagen werden als optische Elemente typischerweise reflektive Elemente eingesetzt, da bei den im Belichtungsbetrieb verwendeten Wellenlängen, die typischer Weise zwischen 5 nm und 20 nm liegen, keine optischen Materialien mit einer hinreichend großen Transmission bekannt sind. Die bei Wellenlängen im EUV-Bereich verwendeten optischen Elemente weisen ein Substrat und eine auf das Substrat aufgebrachte reflektierende Beschichtung mit einer Mehrzahl von Schichten auf.In optical arrangements such. B. EUV lithography devices / projection exposure systems are typically used as optical elements reflective elements, since at the wavelengths used in the exposure mode, which are typically between 5 nm and 20 nm, no optical materials with a sufficiently large transmission are known. The optical elements used at wavelengths in the EUV range comprise a substrate and a reflective coating having a plurality of layers applied to the substrate.
Eine solche Mehrlagen-Beschichtung besteht in der Regel aus alternierenden Schichten aus Materialien mit hohem und niedrigem Brechungsindex, z. B. alternierenden Schichten aus Molybdän und Silizium, deren Schichtdicken so aufeinander abgestimmt sind, dass die Beschichtung ihre optische Funktion erfüllt und eine hohe Reflektivität gewährleistet ist. Das Mehrfachschicht-System weist typischer Weise eine Deckschicht auf, welche die darunter liegenden Schichten z. B. vor Oxidation schützen soll und welche in der Regel aus einem metallischen Material besteht, z. B. aus Ruthenium, Rhodium oder Palladium.Such a multilayer coating typically consists of alternating layers of high and low refractive index materials, e.g. B. alternating layers of molybdenum and silicon whose layer thicknesses are coordinated so that the coating performs its optical function and a high reflectivity is ensured. The multi-layer system typically has a cover layer covering the underlying layers e.g. B. should protect against oxidation and which usually consists of a metallic material, for. B. of ruthenium, rhodium or palladium.
Durch die EUV-Strahlung, die im Belichtungsbetrieb auf die optischen Elemente eingestrahlt wird, kann sich in der Restgasatmosphäre, in welcher die optischen Elemente betrieben werden, aktivierter (atomarer) Sauerstoff bilden, welcher an der Oberfläche der Deckschicht adsorbiert wird und dort zu oxidativen Schäden („oxidative damage”) bzw. zu oxidischen Verunreinigungen führt. Insbesondere wenn die oxidischen Verunreinigungen tief in die Mehrlagen-Beschichtung eindringen, ist eine solche Schädigung nicht mit Hilfe von herkömmlichen in-situ Reinigungsmethoden, z. B. durch aktivierten bzw. atomaren Wasserstoff zu korrigieren. Weiterhin besteht bei herkömmlichen Reinigungsmethoden das Problem, dass diese in der Regel nicht lokal durchgeführt werden können, sondern vielmehr eine in der Regel kontinuierliche Verteilung der Reinigungsrate über die zu reinigende Oberfläche aufweisen, wohingegen die Kontaminationsprofile mit den Beleuchtungsprofilen der optischen Elemente korreliert sind. Hinzu kommt, dass bei der Verwendung von atomarem Wasserstoff zur Reinigung ein durch den Wasserstoff induzierter Ausgasungseffekt an in der Restgasatmosphäre vorhandenen Komponenten auftreten kann, welcher ggf. dazu führt, dass sich an der zu reinigenden Oberfläche metallische Ablagerungen bilden, die zu einer erheblichen Verminderung der Reflektivität führen können.The EUV radiation, which is irradiated onto the optical elements in the exposure mode, can in the residual gas atmosphere in which the optical elements are operated form activated (atomic) oxygen, which is adsorbed on the surface of the cover layer and there to oxidative damage ("Oxidative damage") or leads to oxidic impurities. In particular, if the oxide contaminants penetrate deep into the multilayer coating, such damage is not with the help of conventional in-situ cleaning methods, eg. B. corrected by activated or atomic hydrogen. Furthermore, there is the problem with conventional cleaning methods that they can not usually be performed locally, but rather have a generally continuous distribution of the cleaning rate over the surface to be cleaned, whereas the contamination profiles are correlated with the illumination profiles of the optical elements. In addition, when using atomic hydrogen for cleaning, a hydrogen-induced outgassing effect on components present in the residual gas atmosphere can occur, which possibly leads to the formation of metallic deposits on the surface to be cleaned, which leads to a considerable reduction of the Reflectivity.
Aus der
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Die
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Aufgabe der ErfindungObject of the invention
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, eine optische Anordnung mit verminderten oxidischen Verunreinigungen an der optischen Oberfläche mindestens eines optischen Elements bereitzustellen.An object of the invention is to provide an optical arrangement with reduced oxide contaminants on the optical surface of at least one optical element.
Gegenstand der ErfindungSubject of the invention
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine optische Anordnung, umfassend: mindestens ein optisches Element mit einer reflektierenden Beschichtung, welche eine Deckschicht aufweist, an deren Oberfläche oxidische Verunreinigungen vorhanden sind, eine Gaszuführungseinrichtung zum Zuführen eines reduzierenden Gases zu der Oberfläche, sowie eine Bestrahlungseinrichtung zum Einstrahlen von Strahlungspulsen auf die Oberfläche, wobei eine Wellenlänge der Strahlungspulse in Abhängigkeit vom Material der Deckschicht gewählt ist. Die Wellenlänge ist hierbei typischer Weise so gewählt bzw. festgelegt, dass eine Reaktionsrate der an der Oberfläche der Deckschicht vorhandenen oxidischen Verunreinigungen bzw. Partikel mit dem reduzierenden Gas im Bereich einer Auftreffstelle der Strahlungspulse auf die Oberfläche (gegenüber der Reaktionsrate am Rest der Oberfläche) erhöht ist.This object is achieved by an optical arrangement comprising: at least one optical element having a reflective coating, which has a cover layer on the surface of which oxide contaminants are present, a gas supply device for supplying a reducing gas to the surface, and an irradiation device for irradiating Radiation pulses to the surface, wherein a wavelength of the radiation pulses is selected depending on the material of the cover layer. The wavelength is typically selected or set such that a reaction rate of the oxidic impurities or particles present on the surface of the cover layer increases with the reducing gas in the region of impact of the radiation pulses on the surface (compared to the reaction rate at the remainder of the surface) is.
Die Erfinder haben erkannt, dass die Rekationsrate des reduzierenden Gases mit den oxidischen Verunreinigungen in einem Bereich der Oberfläche erhöht werden kann, an dem gepulste (Laser-)strahlung auf die Oberfläche auftrifft. Dies setzt allerdings voraus, dass die Laserpulse eine geeignete Energie bzw. Wellenlänge aufweisen, bei welcher die chemische Reaktion des reduzierenden Gases mit den oxidischen Verunreinigungen begünstigt wird. Da die chemische Reaktion an der Oberfläche der Deckschicht auftritt, hat das Material der Oberfläche bzw. der Deckschicht einen Einfluss auf die chemische Reaktion, beispielsweise weil die Oberfläche eine katalytische Wirkung besitzt, so dass die für die Bestrahlung zu wählende Wellenlänge vom Material der Deckschicht abhängt. Es versteht sich, dass die Wahl einer Wellenlänge, bei der die Reaktion begünstigt wird, zusätzlich von der Art des reduzierenden Gases abhängen kann. Bei den oxidischen Verunreinigungen handelt es sich typischer Weise um an der Oberfläche adsorbierten (atomaren) Sauerstoff.The inventors have recognized that the rate of reaction of the reducing gas with the oxide contaminants may be increased in a region of the surface where pulsed (laser) radiation impinges on the surface. However, this presupposes that the laser pulses have a suitable energy or wavelength at which the chemical reaction of the reducing gas with the oxidic impurities is favored. Since the chemical reaction occurs on the surface of the cover layer, the material of the surface or the cover layer has an influence on the chemical reaction, for example because the surface has a catalytic effect, so that the wavelength to be selected for the irradiation depends on the material of the cover layer , It is understood that the choice of a wavelength at which the reaction is favored may additionally depend on the nature of the reducing gas. The oxidic impurities are typically adsorbed on the surface (atomic) oxygen.
Beim Material der Deckschicht handelt es sich typischer Weise um ein metallisches Material, beispielsweise Ruthenium, Rhodium, Palladium, Platin, Iridium, Niobium, Vanadium, Chrom, Zink oder Zinn. Metallische Deckschichten können durch den in der Restgasatmosphäre vorhandenen und durch die EUV-Strahlung ggf. aktivierten Sauerstoff oxidiert werden. Es versteht sich, dass gegebenenfalls auch nichtmetallische Materialien als Deckschicht verwendet werden können, beispielsweise Materialien, welche Silizium und/oder Kohlenstoff und/oder Stickstoff und/oder Bor enthalten.The material of the cover layer is typically a metallic material, for example ruthenium, rhodium, palladium, platinum, iridium, niobium, vanadium, chromium, zinc or tin. Metallic cover layers can be oxidized by the oxygen present in the residual gas atmosphere and possibly activated by the EUV radiation. It is understood that non-metallic materials may also be used as the cover layer, for example materials containing silicon and / or carbon and / or nitrogen and / or boron.
Als reduzierende Gase bzw. als Bestandteile des reduzierenden Gases haben sich Kohlenmonoxid und Wasserstoff, insbesondere aktivierter Wasserstoff, sowie wasserstoffhaltige Verbindungen als günstig herausgestellt. Insbesondere Kohlenmonoxid stellt ein stark reduzierendes Gas dar, welches mit den oxidischen Verunreinigungen an der Oberfläche der Deckschicht reagiert, wenn eine Bestrahlung mit Laserpulsen geeigneter Wellenlänge erfolgt. Hierbei kann das Deckschicht-Material an der Oberfläche, an welcher die chemische Reaktion erfolgt, gegebenenfalls als Katalysator wirken. Unter aktiviertem Wasserstoff wird im Sinne dieser Anmeldung Wasserstoff verstanden, der nicht in molekularer Form vorliegt, d. h. insbesondere Wasserstoff-Radikale H•, Wasserstoff-Ionen (H+ oder H2 +) oder Wasserstoff (H*) in einem angeregten Elektronenzustand.As reducing gases or as components of the reducing gas, carbon monoxide and hydrogen, in particular activated hydrogen, as well as hydrogen-containing compounds as favorable. In particular, carbon monoxide is a highly reducing gas that reacts with the oxide contaminants on the surface of the topcoat when irradiated with laser pulses of appropriate wavelength. In this case, the cover layer material may optionally act as a catalyst on the surface at which the chemical reaction takes place. For the purposes of this application, activated hydrogen is understood as meaning hydrogen which is not present in molecular form, ie in particular hydrogen radicals H, hydrogen ions (H + or H 2 + ) or hydrogen (H *) in an excited electronic state.
Die Bestrahlungseinrichtung weist in einer Ausführungsform eine Strahlungsquelle zur Erzeugung von Strahlungspulsen mit einer Wellenlänge im infraroten Wellenlängenbereich auf. Strahlungspulse mit einer solchen Wellenlänge haben sich insbesondere als günstig erwiesen, um an einer metallischen Ruthenium-Schicht adsorbierten (atomaren) Sauerstoff mit an der Oberfläche adsorbiertem Kohlenmonoxid in Kohlendioxid umzuwandeln, vgl. den Artikel
Zur Erzeugung der Strahlungspulse weist die Bestrahlungseinrichtung typischer Weise einen Laser als Strahlungsquelle auf. Ein (gepulster) Laser ermöglicht es, Laserpulse mit Pulslängen im Piko- oder Femtosekundenbereich zu erzeugen, die für die vorliegenden Anwendungen besonders vorteilhaft sind, da durch den Pulsbetrieb verhindert werden kann, dass das Material der Deckschicht in dem bestrahlten Bereich zumindest teilweise aufgeschmolzen wird. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wenn die Strahlungspulse fokussiert, d. h. in einen eng umgrenzten Bereich (Auftreffort) an der Oberfläche eingestrahlt werden.To generate the radiation pulses, the irradiation device typically has a laser as the radiation source. A (pulsed) laser makes it possible to generate laser pulses with pulse lengths in the picosecond or femtosecond range, which are particularly advantageous for the present applications, since the pulsed operation can prevent the material of the cover layer in the irradiated region from being at least partially melted. This is particularly advantageous when the radiation pulses are focused, i. H. into a narrowly defined area (place of impact) at the surface.
In einer Weiterbildung ist die Bestrahlungseinrichtung ausgebildet, eine Auftreffstelle der Strahlungspulse auf der Oberfläche zu variieren. Die Strahlungspulse werden typischer Weise lokal auf die Oberfläche eingestrahlt, und zwar in einen jeweiligen Bereich der Oberfläche, an dem oxidische Verunreinigungen vorhanden sind. Hierbei kann es sich z. B. um Bereiche handeln, an denen die auf die Oberfläche treffende EUV-Strahlung eine hohe Intensität aufweist. Die Bestrahlungseinrichtung kann geeignete Bewegungseinrichtungen, insbesondere mit translatorischen oder rotatorischen Antrieben umfassen, um z. B. die Strahlquelle zu verschieben oder zu verschwenken und auf diese Weise die Auftreffstelle auf der Oberfläche zu variieren. Es versteht sich, dass zur Lokalisation der oxidischen Verunreinigungen an der Oberfläche ggf. eine Inspektionseinrichtung, z. B. eine ortsauflösende Kamera oder dergleichen, in der optischen Anordnung vorgesehen werden kann.In a development, the irradiation device is designed to vary a point of impact of the radiation pulses on the surface. The radiation pulses are typically radiated locally onto the surface, into a respective area of the surface where oxide contaminants are present. This may be z. B. to act areas where the impacting on the surface EUV radiation has a high intensity. The irradiation device may comprise suitable movement devices, in particular with translatory or rotary drives, in order to produce, for example, B. to move the beam source or to pivot and in this way to vary the point of impact on the surface. It is understood that for the localization of the oxide contaminants on the surface, if necessary, an inspection device, for. As a spatially resolving camera or the like, can be provided in the optical arrangement.
Bei einer weiteren Ausführungsform umfasst die Bearbeitungseinrichtung eine Optik zur Aufweitung, Fokussierung und/oder zur Umlenkung der Strahlungspulse. Die elektromagnetische Strahlung, die z. B. von einem Laser erzeugt wird, kann über herkömmliche Linsen oder Spiegel umgelenkt, aufgeweitet oder fokussiert werden. Die Aufweitung/Fokussierung ist günstig, um die Größe der Auftreffstelle der Strahlung auf der Oberfläche einzustellen, da die Erhöhung der Reaktionsrate sich um die Auftreffstelle herum konzentriert. Durch die Umlenkung z. B. mittels eines (Scanner-)spiegels ist es auf einfache Weise möglich, die Strahlungspulse in den gewünschten, zu reinigenden Oberflächenbereich einzustrahlen. Bei der Verwendung von zwei Scannerspiegeln oder einem Scannerspiegel mit zwei Rotationsfreiheitsgraden zur Strahlumlenkung kann beispielsweise bei fest stehender Strahlungsquelle typischer Weise jeder Ort an der Oberfläche der Deckschicht mit den Strahlungspulsen abgerastert werden. Es versteht sich, dass je nach verwendeter Wellenlänge der Strahlungspulse ggf. auch optische Fasern zur Führung der (Laser-)Strahlung verwendet werden können.In a further embodiment, the processing device comprises an optical system for widening, focusing and / or for deflecting the radiation pulses. The electromagnetic radiation z. B. generated by a laser, can be deflected over conventional lenses or mirrors, widened or focused. The expansion / focusing is beneficial to adjust the size of the impact of the radiation on the surface as the increase in the reaction rate concentrates around the point of impact. By the deflection z. B. by means of a (scanner) mirror, it is easily possible to irradiate the radiation pulses in the desired surface area to be cleaned. When using two scanner mirrors or a scanner mirror with two rotational degrees of freedom for beam deflection, it is typically possible to scan each location on the surface of the cover layer with the radiation pulses when the radiation source is stationary. It is understood that, depending on the wavelength of the radiation pulses used, if appropriate, optical fibers can also be used to guide the (laser) radiation.
In einer Ausführungsform weist die Gaszuführungseinrichtung einen Gaseinlass zum Einleiten des reduzierenden Gases in ein Gehäuse auf, in dem das optische Element angeordnet ist. Der Gaseinlass kann beispielsweise an einem Gehäuse eines Projektionssystems, eines Beleuchtungssystems oder eines Strahlerzeugungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage vorgesehen sein und die dort vorhandene Restgasatmosphäre mit einem Gasreservoir verbinden. Hierbei hat es sich als günstig erwiesen, wenn durch den (ggf. gesteuerten) Gaseinlass bzw. eine entsprechend dimensionierte Zufuhrleitung in der Restgasatmosphäre ein Partialdruck des reduzierenden Gases von typischer Weise zwischen ca. 1 × 10–3 mbar und 5 × 10–2 mbar, gegebenenfalls auch > 5 × 10–2 mbar erzeugt wird.In one embodiment, the gas supply device has a gas inlet for introducing the reducing gas into a housing in which the optical element is arranged. The gas inlet may, for example, be provided on a housing of a projection system, an illumination system or a beam generation system of a projection exposure apparatus and connect the residual gas atmosphere present there to a gas reservoir. In this case, it has proved to be advantageous if a partial pressure of the reducing gas of typically between about 1 × 10 -3 mbar and 5 × 10 -2 mbar is achieved by the (optionally controlled) gas inlet or a correspondingly dimensioned supply line in the residual gas atmosphere , If appropriate,> 5 × 10 -2 mbar is generated.
Alternativ oder zusätzlich kann die Gaszuführungseinrichtung mindestens eine Gasdüse zum Zuführen des reduzierenden Gases in einem Gasstrom auf die Oberfläche aufweisen. Der Gasstrom wird typischer Weise unter einem Winkel zur Oberfläche ausgerichtet und trifft im Bereich der Auftreffstelle der Strahlungspulse auf die Oberfläche auf. Der Gasstrom kann neben dem reduzierenden Gas bzw. neben den reduzierenden Gasbestandteilen, welche die chemische Reaktion mit den oxidischen Verunreinigungen eingehen, gegebenenfalls noch weitere Gasbestandteile aufweisen, z. B. Inertgase.Alternatively or additionally, the gas supply device may comprise at least one gas nozzle for supplying the reducing gas in a gas stream have on the surface. The gas stream is typically oriented at an angle to the surface and impinges on the surface at the point of impact of the radiation pulses. The gas stream may, in addition to the reducing gas or in addition to the reducing gas constituents, which undergo the chemical reaction with the oxidic impurities, optionally further gas constituents, for. B. inert gases.
Bei einer Weiterbildung ist die Gaszuführungseinrichtung zur Zuführung des Gasstroms zur Oberfläche mit einer Flussrate zwischen 1 und 100 mbar l/s ausgebildet. Es hat sich herausgestellt, dass bei derartigen Flussraten die Effektivität der Behandlung der Oberfläche besonders groß ist.In a further development, the gas supply device for supplying the gas flow to the surface with a flow rate between 1 and 100 mbar l / s is formed. It has been found that at such flow rates the surface treatment efficiency is particularly high.
Bei einer weiteren Ausführungsform weisen die Strahlungspulse an der Oberfläche eine Energiedichte zwischen 1 μJ/mm2 und 10 mJ/mm2 auf. Bei derartigen Energiedichten kann einerseits eine effektive Erhöhung der Reaktionsrate an der Oberfläche der Deckschicht erfolgen und andererseits kann sichergestellt werden, dass die Oberfläche durch die Strahlungspulse nicht geschädigt, insbesondere nicht lokal aufgeschmolzen wird.In a further embodiment, the radiation pulses at the surface have an energy density between 1 μJ / mm 2 and 10 mJ / mm 2 . With such energy densities, on the one hand an effective increase of the reaction rate on the surface of the cover layer can take place and on the other hand it can be ensured that the surface is not damaged by the radiation pulses, in particular not locally melted.
In einer Ausführungsform weist die reflektierende Beschichtung eine Mehrzahl von Einzelschichten zur Reflexion von EUV-Strahlung auf. Die Einzelschichten bestehen aus unterschiedlichen Materialien, die so gewählt sind, dass die Reflektivität des optischen Elements bei einer Wellenlänge im EUV-Bereich maximal ist, welche der Betriebswellenlänge der optischen Anordnung entspricht.In one embodiment, the reflective coating comprises a plurality of individual layers for reflection of EUV radiation. The individual layers are made of different materials, which are chosen so that the reflectivity of the optical element at a wavelength in the EUV range is maximum, which corresponds to the operating wavelength of the optical arrangement.
In einer Ausführungsform ist die optische Anordnung als Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, ausgebildet. Die oxidischen Verunreinigungen an den optischen Elementen der Projektionsbelichtungsanlage können in-situ vorgenommen werden, d. h. es ist nicht erforderlich, die optischen Elemente für die Oberflächen-Behandlung aus der Projektionsbelichtungsanlage zu entfernen. Gegebenenfalls kann die Behandlung der Oberfläche auch während des Belichtungsbetriebs stattfinden. Es versteht sich, dass auch andere optische Anordnungen, beispielsweise Vorrichtungen zur Inspektion von Wafern und/oder Masken auf die oben beschriebene Weise ausgebildet werden können, um an den dort vorgesehenen optischen Elementen eine effektive Reinigung vornehmen zu können.In one embodiment, the optical arrangement is designed as a projection exposure apparatus for microlithography, in particular for EUV lithography. The oxidic impurities on the optical elements of the projection exposure apparatus can be made in-situ, i. H. it is not necessary to remove the optical elements for the surface treatment from the projection exposure apparatus. Optionally, the treatment of the surface may also take place during the exposure operation. It goes without saying that other optical arrangements, for example devices for inspecting wafers and / or masks, can also be formed in the manner described above, in order to be able to perform effective cleaning on the optical elements provided there.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Entfernen von oxidischen Verunreinigungen von einer Oberfläche einer Deckschicht einer reflektierenden Beschichtung eines optischen Elements, umfassend: Zuführen eines reduzierenden Gases zu der Oberfläche, sowie Einstrahlen von Strahlungspulsen auf die Oberfläche, wobei eine Wellenlänge der Strahlungspulse in Abhängigkeit vom Material der Deckschicht gewählt wird. Wie weiter oben beschrieben wird die Wellenlänge hierbei typischer Weise so gewählt, dass eine Reaktionsrate der an der Oberfläche vorhandenen oxidischen Verunreinigungen mit dem reduzierenden Gas im Bereich einer Auftreffstelle der Strahlungspulse auf die Oberfläche (gegenüber der Reaktionsrate am Rest der Oberfläche) erhöht ist.The invention also relates to a method of removing oxide contaminants from a surface of a cover layer of a reflective coating of an optical element, comprising: supplying a reducing gas to the surface, and irradiating radiation pulses to the surface, wherein a wavelength of the radiation pulses is dependent on the material the cover layer is selected. As described above, the wavelength is typically chosen such that a reaction rate of the oxidic impurities present on the surface with the reducing gas is increased in the region of impact of the radiation pulses on the surface (compared to the reaction rate at the remainder of the surface).
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.Further features and advantages of the invention will become apparent from the following description of embodiments of the invention, with reference to the figures of the drawing, which show details essential to the invention, and from the claims. The individual features can be realized individually for themselves or for several in any combination in a variant of the invention.
Zeichnungdrawing
Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigtEmbodiments are illustrated in the schematic drawing and will be explained in the following description. It shows
In
Die im Strahlerzeugungssystem
Die reflektiven optischen Elemente
Um oxidische Verunreinigungen bzw. Partikel von den Oberflächen der optischen Elemente
Durch die Zuführung von Kohlenmonoxid sollen oxidische Verunreinigungen von den Oberflächen der optischen Elemente
Das optische Element
Auf das Substrat
Die reflektive Beschichtung
Das optische Element
Durch in der Restgasatmosphäre vorhandenen, durch die EUV-Strahlung
Um diese oxidischen Verunreinigungen von der Oberfläche
Die Strahlungspulse
Die Strahlungspulse
Um dies zu erreichen ist es erforderlich, die Photonen-Energie bzw. die Wellenlänge λs der Strahlungspulse
Wie in
Bei den Strahlungspulsen
Es versteht sich, dass die Bestrahlungseinrichtung
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