DE102011051145A1 - White LED for use as backlight source for LCD, has negative electrode formed on exposed portion of n-type gallium nitride layer and electrically connected to negative terminal of power source - Google Patents

White LED for use as backlight source for LCD, has negative electrode formed on exposed portion of n-type gallium nitride layer and electrically connected to negative terminal of power source Download PDF

Info

Publication number
DE102011051145A1
DE102011051145A1 DE102011051145A DE102011051145A DE102011051145A1 DE 102011051145 A1 DE102011051145 A1 DE 102011051145A1 DE 102011051145 A DE102011051145 A DE 102011051145A DE 102011051145 A DE102011051145 A DE 102011051145A DE 102011051145 A1 DE102011051145 A1 DE 102011051145A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
gallium nitride
type gallium
transparent conductive
terbium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102011051145A
Other languages
German (de)
Inventor
Qing-Hua Wang
Lung-Chien Chen
Tsung-Yu Hsieh
Ching-Ho Tien
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE102011051145A priority Critical patent/DE102011051145A1/en
Publication of DE102011051145A1 publication Critical patent/DE102011051145A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Abstract

The white LED has a terbium-doped indium oxide layer (70) formed on a transparent conductive layer (60). A positive electrode (90) is formed on the terbium-doped indium oxide layer, where the positive electrode contacts with the transparent conductive layer. The positive electrode is electrically connected to a positive terminal of a power source. A negative electrode (80) is formed on an exposed portion of an n-type gallium nitride layer (30) and electrically connected to a negative terminal of the power source.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine lichtemittierende Diode und insbesondere eine GaN-basierte weißes Licht emittierende Diode (LED), die eine transparente leitfähige Terbium-dotierte Indiumoxid-Schicht (In2O3:Tb) mit Photolumineszenz-Eigenschaften aufweist.The present invention generally relates to a light-emitting diode, and more particularly, to a GaN-based white light emitting diode (LED) having a transparent terbium-doped indium oxide (In 2 O 3 : Tb) conductive layer having photoluminescent characteristics.

Lichtemittierende Dioden (LEDs) für die Nutzung bei speziellen und allgemeinen Beleuchtungsanwendungen entwickeln sich kontinuierlich immer weiter. Bei einer LED können die Elektronen und Löcher benachbart zu einem p-n-Übergang rekombinieren, so dass Licht emittiert wird, wenn ein Vorwärts-Vorspannungsstrom fließt. Da die Wellenlänge des emittierten Lichtes und somit seine Farbe von den Energielücken der Materialien abhängen, kann das gewünschte sichtbare Licht durch Veränderungen der Energielücke zwischen verschiedenen Halbleitermaterialien, die den p-n-Übergang bilden, emittiert werden.Light emitting diodes (LEDs) for use in special and general lighting applications are constantly evolving. For an LED, the electrons and holes may recombine adjacent to a p-n junction, so that light is emitted when a forward bias current flows. Since the wavelength of the emitted light, and thus its color, depends on the energy gaps of the materials, the desired visible light can be emitted by changing the energy gap between different semiconductor materials forming the p-n junction.

UV-Licht aus einer LED-Lichtquelle kann mittels Phosphor, der einem transparenten Harz beigefügt ist, in sichtbares Licht umgewandelt werden. Transparentes Harz bringt jedoch den Nachteil mit sich, dass es altert, wodurch sich die optische Qualität des von der LED emittierten Lichtes verschlechtert. Aus diesem Grund besteht ein Bedarf daran, eine weißes Licht emittierende Diode bereitzustellen, die eine photolumineszente Schicht aufweist, um die optische Qualität des von einer LED emittieren Lichtes zu verbessern, wenn diese über einen langen Zeitraum verwendet wird.UV light from an LED light source can be converted to visible light using phosphorus attached to a transparent resin. However, transparent resin has the disadvantage that it ages, which deteriorates the optical quality of the light emitted from the LED. For this reason, there is a need to provide a white light-emitting diode having a photoluminescent layer to improve the optical quality of the light emitted from an LED when used for a long period of time.

Dementsprechend ist es Ziel der vorliegenden Erfindung, eine weiße LED bereitzustellen, die eine photolumineszente Schicht aufweist, um die oben dargelegten Probleme des Standes der Technik zu beseitigen.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a white LED having a photoluminescent layer to overcome the above-described problems of the prior art.

Um das obengenannte Ziel zu erreichen, stellt die vorliegende Erfindung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung eine eine photolumineszente Schicht aufweisende weiße LED bereit, die aufweist: ein Saphirsubstrat, eine Galliumnitrid-Pufferschicht, eine n-Typ-Galliumnitrid-Schicht, einen Aluminium-Galliumnitrid-Mehrquantentopf, eine p-Typ-Galliumnitrid-Schicht, eine transparente leitfähige Schicht, eine Terbium-dotierte Indiumoxid-Schicht (In2O3:Tb) als photolumineszente Schicht, eine negative Elektrode und eine positive Elektrode, wobei die Galliumnitrid-Pufferschicht, die n-Typ-Galliumnitrid-Schicht, der Aluminium-Galliumnitrid-Mehrquantentopf, die p-Typ-Galliumnitrid-Schicht, die transparente leitfähige Schicht und die Terbium-dotierte Indiumoxid-Schicht aufeinanderfolgend auf dem Saphirsubstrat ausgebildet sind und die negative Elektrode auf einem freiliegenden Abschnitt der n-Typ-Galliumnitrid-Schicht ausgebildet und elektrisch mit dem Minuspol V– der Stromquelle verbunden ist, und die positive Elektrode auf der Terbium-dotierten Indiumoxid-Schicht ausgebildet ist und durch die Terbium-dotierte Indiumoxid-Schicht hindurchverläuft, so dass ermöglicht wird, dass sie die transparente leitfähigen Schicht kontaktiert, wobei die positive Elektrode elektrisch mit dem Pluspol V+ der Stromquelle verbunden ist.In order to achieve the above object, according to one embodiment of the invention, the present invention provides a photoluminescent-type white LED comprising: a sapphire substrate, a gallium nitride buffer layer, an n-type gallium nitride layer, an aluminum gallium nitride A quantum well, a p-type gallium nitride layer, a transparent conductive layer, a terbium-doped indium oxide layer (In 2 O 3 : Tb) as a photoluminescent layer, a negative electrode and a positive electrode, wherein the gallium nitride buffer layer, the n-type gallium nitride layer, the aluminum gallium nitride multi-quantum well, the p-type gallium nitride layer, the transparent conductive layer and the terbium-doped indium oxide layer are sequentially formed on the sapphire substrate and the negative electrode on an exposed portion formed the n-type gallium nitride layer and electrically connected to the negative terminal V of the power source and the positive electrode is formed on the terbium-doped indium oxide layer and passes through the terbium-doped indium oxide layer so as to be allowed to contact the transparent conductive layer, the positive electrode electrically connected to the positive pole V + the power source is connected.

Von der positiven Elektrode fließt elektrischer Strom durch die transparente leitfähige Schicht, die p-Typ-Galliumnitrid-Schicht, den Aluminium-Galliumnitrid-Mehrquantentopf und die n-Typ-Galliumnitrid-Schicht zu der negativen Elektrode. Über Strahlungsrekombination von Elektronen und Löchern in dem Aluminium-Galliumnitrid-Mehrquantentopf wird elektrischer Strom direkt in Licht umgewandelt. Das emittierte Licht durchquert die p-Typ-Galliumnitrid-Schicht, die transparente leitfähige Schicht und die Terbium-dotierte Indiumoxid-Schicht mit den Photolumineszenz-Eigenschaften, in der das Licht in sichtbares weißes Licht umgewandelt wird, wobei das weiße Licht anschließend von der LED nach außen emittiert wird.From the positive electrode, electric current flows through the transparent conductive layer, the p-type gallium nitride layer, the aluminum gallium nitride multi-quantum well, and the n-type gallium nitride layer to the negative electrode. Radiation recombination of electrons and holes in the aluminum gallium nitride multi-quantum well converts electrical current directly into light. The emitted light traverses the p-type gallium nitride layer, the transparent conductive layer, and the terbium-doped indium oxide layer having the photoluminescence properties, in which the light is converted to visible white light, the white light subsequently being emitted from the LED is emitted to the outside.

Somit wird ohne die Verwendung von Phosphor in einem transparenten Harz UV-Licht in weißes Licht umgewandelt, wenn die eine photolumineszente Schicht aufweisende weiße LED gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Dementsprechend können die Probleme des Alterns des bei einer LED verwendeten transparenten Harzes beseitigt werden.Thus, without the use of phosphorus in a transparent resin, UV light is converted into white light when the photoluminescent layer white LED according to the present invention is used. Accordingly, the problems of aging of the transparent resin used in an LED can be eliminated.

Die obigen sowie weitere Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden ausführlichen Beschreibung unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen deutlich.The above and other objects, features, aspects and advantages of the present invention will become more apparent in the following detailed description made with reference to the accompanying drawings.

In den Zeichnungen zeigen:In the drawings show:

1 eine schematische Ansicht der Struktur der eine photolumineszente Schicht aufweisenden weißen LED gemäß der vorliegenden Erfindung, 1 a schematic view of the structure of a photoluminescent layer having white LED according to the present invention,

2 die temperaturabhängigen Photolumineszenz-Spektren der die photolumineszente Schicht aufweisenden weißen LED gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 2 the temperature-dependent photoluminescence spectra of the photoluminescent layer-comprising white LED according to an embodiment of the present invention,

3 die temperaturabhängigen Photolumineszenz-Spektren der die photolumineszente Schicht aufweisenden weißen LED gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 3 the temperature-dependent photoluminescence spectra of the photoluminescent layer-comprising white LED according to another embodiment of the present invention,

4 die Elektrolumineszenz-Spektren der weißen LED ohne die photolumineszente Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 4 the electroluminescence spectra of the white LED without the photoluminescent layer according to an embodiment of the present invention,

5 die Elektrolumineszenz-Spektren der weißen LED mit der photolumineszenten Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 5 the electroluminescence spectra of the white LED with the photoluminescent layer according to an embodiment of the present invention,

6 die Elektrolumineszenz-Spektren der weißen LED ohne die photolumineszente Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 6 the electroluminescence spectra of the white LED without the photoluminescent layer according to another embodiment of the present invention, and

7 die Elektrolumineszenz-Spektren der weißen LED mit der photolumineszenten Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 the electroluminescence spectra of the white LED with the photoluminescent layer according to another embodiment of the present invention.

Aus 1 ist eine schematische Ansicht der Struktur einer eine photolumineszente Schicht aufweisenden weißen LED gemäß der vorliegenden Erfindung ersichtlich. Unter Bezugnahme auf die 1 weist die eine photolumineszente Schicht aufweisende weiße LED gemäß der vorliegenden Erfindung auf: ein Saphirsubstrat 10, eine Galliumnitrid(GaN)-Pufferschicht 20, eine n-Typ-Galliumnitrid-(n-GaN)Schicht 30, einen Aluminium-Galliumnitrid-(AlGaN)Mehrquantentopf (MQW) 40, eine p-Typ-Galliumnitrid-(p-GaN)Schicht 50, eine transparente leitfähige Schicht 60, eine Terbium-dotierte Indiumoxid-(In2O3:Tb)-Schicht 70 als photolumineszente Schicht, eine negative Elektrode 80 und eine positive Elektrode 90.Out 1 Fig. 12 is a schematic view of the structure of a white light emitting device having a photoluminescent layer according to the present invention. With reference to the 1 comprises the photoluminescent layer white LED according to the present invention: a sapphire substrate 10 , a gallium nitride (GaN) buffer layer 20 , an n-type gallium nitride (n-GaN) layer 30 , an Aluminum Gallium Nitride (AlGaN) Multi-Quantum Pot (MQW) 40 , a p-type gallium nitride (p-GaN) layer 50 , a transparent conductive layer 60 , a terbium-doped indium oxide (In 2 O 3 : Tb) layer 70 as a photoluminescent layer, a negative electrode 80 and a positive electrode 90 ,

Die GaN-Pufferschicht 20, die n-GaN-Schicht 30, der AlGaN-Mehrquantentopf 40, die p-GaN-Schicht 50, die transparente leitfähige Schicht 60 und die In2O3:Tb-Schicht 70 sind aufeinanderfolgend auf dem Saphirsubstrat 10 ausgebildet. Ein Abschnitt der n-GaN-Schicht 30 ist freigelegt, und eine negative Elektrode 80 ist auf dem freigelegten Abschnitt der n-GaN-Schicht 30 ausgebildet. Die negative Elektrode 80 ist elektrisch mit dem Minuspol V– der Stromquelle verbunden. Die positive Elektrode 90 ist auf der In2O3:Tb-Schicht 70 ausgebildet und elektrisch mit dem Pluspol V+ der Stromquelle verbunden. Die In2O3-Schicht 70 weist ein Durchgangsloch auf, das bis zu der transparenten leitfähigen Schicht 60 reicht, und die positive Elektrode 90 verläuft durch das Durchgangsloch, so dass ermöglicht wird, dass sie die transparente leitfähige Schicht 60 kontaktiert.The GaN buffer layer 20 , the n-GaN layer 30 , the AlGaN multi-quantum pot 40 , the p-GaN layer 50 , the transparent conductive layer 60 and the In 2 O 3 : Tb layer 70 are consecutive on the sapphire substrate 10 educated. A section of the n-GaN layer 30 is exposed, and a negative electrode 80 is on the exposed portion of the n-GaN layer 30 educated. The negative electrode 80 is electrically connected to the negative terminal V- of the power source. The positive electrode 90 is on the In 2 O 3 : Tb layer 70 formed and electrically connected to the positive terminal V + of the power source. The In 2 O 3 layer 70 has a through hole that extends to the transparent conductive layer 60 ranges, and the positive electrode 90 passes through the through hole so as to allow it to be the transparent conductive layer 60 contacted.

Der AlGaN-Mehrquantentopf 40 ist als Folge eines wiederholten und abwechselnden Stapelns von AlGaN-Quantentopfschichten mit unterschiedlichen Energielücken ausgebildet. Die Strahlungsrekombination von Elektronen und Löchern findet hauptsächlich im Mehrquantentopf 40 statt. Die Lichtstärke des Mehrquantentopfes 40 wird durch relativ geringe Energielücken aufweisende AlGaN-Quantentopfschichten erhöht.The AlGaN multi-quantum pot 40 is formed as a result of repeated and alternating stacking of AlGaN quantum well layers with different energy gaps. The radiation recombination of electrons and holes mainly takes place in the multi-quantum well 40 instead of. The light intensity of the multi-quantum well 40 is increased by relatively small energy gap AlGaN quantum well layers.

Von der positiven Elektrode 90 fließt elektrischer Strom durch die transparente leitfähige Schicht 60, die p-GaN-Schicht 50, den AlGaN-Mehrquantentopf 40 und die n-GaN-Schicht 30 zu der negativen Elektrode 80. Der elektrische Strom wird über Strahlungsrekombination von Elektronen und Löchern in dem AlGaN-Mehrquantentopf 40 direkt in Licht umgewandelt. Das Licht durchquert nacheinander die p-GaN-Schicht 50, die transparente leitfähige Schicht 60 und die In2O3:Tb-Schicht 70, in der das erzeugte Licht in weißes Licht umgewandelt wird, wobei das weiße Licht anschließend nach außen emittiert wird, um eine Beleuchtung bereitzustellen.From the positive electrode 90 electric current flows through the transparent conductive layer 60 , the p-GaN layer 50 , the AlGaN multi-quantum pot 40 and the n-GaN layer 30 to the negative electrode 80 , The electric current is generated by radiation recombination of electrons and holes in the AlGaN multi-quantum well 40 converted directly into light. The light passes through the p-type GaN layer in succession 50 , the transparent conductive layer 60 and the In 2 O 3 : Tb layer 70 in that the generated light is converted to white light, the white light then being emitted to the outside to provide illumination.

Die In2O3:Tb-(TIO)-Schicht 70 ist transparent, und das Gewichtsverhältnis zwischen In2O3 und Tb beträgt 95:5 bis 5:95. Die In2O3:Tb-Schicht 70 wird auf der transparenten leitfähigen Schicht 60 zum Beispiel mittels eines RF-reaktiven Magnetron-Sputterverfahrens ausgebildet.The In 2 O 3 : Tb (TIO) layer 70 is transparent, and the weight ratio between In 2 O 3 and Tb is 95: 5 to 5:95. The In 2 O 3 : Tb layer 70 is on the transparent conductive layer 60 formed for example by means of an RF-reactive magnetron sputtering process.

Aus 2 sind die temperaturabhängigen Photolumineszenz-Spektren der die photolumineszente Schicht aufweisenden weißen LED gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ersichtlich, wobei das Gewichtsverhältnis zwischen In2O3 und Tb 90:10 beträgt und die Temperatur von 10 K bis 300 K variiert wird. 3 zeigt die temperaturabhängigen Photolumineszenz-Spektren der die photolumineszente Schicht aufweisenden weißen LED gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei das Gewichtsverhältnis zwischen In2O3 und Tb 80:20 beträgt und die Temperatur von 10 K bis 300 K variiert wird. 2 zeigt ein Lumineszenzband mit einem breiten Peak bei etwa 575 nm, und 3 zeigt ein Lumineszenzband mit einem breiten Peak bei ungefähr 565 nm.Out 2 For example, the temperature-dependent photoluminescence spectra of the photoluminescent-layer white LED according to an embodiment of the present invention can be seen wherein the weight ratio between In 2 O 3 and Tb is 90:10 and the temperature is varied from 10K to 300K. 3 shows the temperature-dependent photoluminescence spectra of the photoluminescent layer having white LED according to another embodiment of the present invention, wherein the weight ratio between In 2 O 3 and Tb is 80:20 and the temperature of 10 K to 300 K is varied. 2 shows a luminescent band with a broad peak at about 575 nm, and 3 shows a luminescent band with a broad peak at about 565 nm.

Aus 4 und 5 sind Elektrolumineszenz-Spektren für die weiße LED mit bzw. ohne photolumineszente Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ersichtlich, wobei das Gewichtsverhältnis zwischen In2O3 und TB 90:10 beträgt und die Stromversorgung 100 mA beträgt. Unter Bezugnahme auf die 4 werden die 385 nm UV-Licht von der weißen LED ohne die photolumineszente Schicht gemäß der vorliegenden Erfindung emittiert. Unter Bezugnahme auf die 5 sind die Molekülorbital-Übergänge von d-Orbital zu f-Orbital bei 450 nm bis 700 nm gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt.Out 4 and 5 For example, electroluminescence spectra are seen for the white LED with and without the photoluminescent layer according to an embodiment of the present invention, wherein the weight ratio between In 2 O 3 and TB is 90:10 and the power supply is 100 mA. With reference to the 4 For example, the 385 nm UV light is emitted from the white LED without the photoluminescent layer according to the present invention. With reference to the 5 For example, molecular orbital transitions from d orbital to f orbital at 450 nm to 700 nm are shown according to one embodiment of the present invention.

6 und 7 zeigen Elektrolumineszenz-Spektren für die weiße LED mit bzw. ohne die photolumineszente Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei das Gewichtsverhältnis zwischen In2O3 und Tb 80:20 beträgt und die Stromversorgung 100 mA beträgt. Unter Bezugnahme auf die 6 werden die 385 nm UV-Licht von der weißen LED ohne die photolumineszente Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung emittiert. Unter Bezugnahme auf die 7 sind die Molekülorbital-Übergänge von d-Orbital zu f-Orbital bei 450 nm bis 700 nm gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt, Aus 2 bis 7 ist ersichtlich, dass von der eine photolumineszente Schicht aufweisenden weißen LED gemäß der vorliegenden Erfindung weißes Licht emittiert werden kann. Somit kann die eine photolumineszente Schicht aufweisende weiße LED gemäß der vorliegenden Erfindung als Hinterleuchtungsquelle für Flüssigkristallanzeigen oder für allgemeine Beleuchtungsanwendungen verwendet werden. 6 and 7 show electroluminescence spectra for the white LED with and without the photoluminescent layer according to another embodiment of the present invention, wherein the weight ratio between In 2 O 3 and Tb is 80:20 and the power supply is 100 mA. With reference to the 6 For example, the 385 nm UV light is emitted from the white LED without the photoluminescent layer according to another embodiment of the present invention. With reference to the 7 For example, the molecular orbital transitions from d orbital to f orbital at 450 nm to 700 nm are shown according to another embodiment of the present invention, Aus 2 to 7 It can be seen that white light can be emitted from the white LED having a photoluminescent layer according to the present invention. Thus, the photoluminescent-layer white LED according to the present invention can be used as a backlight source for liquid crystal displays or general lighting applications.

Der Fachmann auf dem Gebiet wird erkennen, dass zahlreiche Modifizierungen und Variationen der vorliegenden Erfindung möglich sind, ohne dabei den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen. Somit soll die vorliegende Erfindung auch derartige Modifizierungen und Variationen der Erfindung beinhalten, sofern sie im Schutzbereich der angehängten Ansprüche enthalten sind.Those skilled in the art will recognize that numerous modifications and variations of the present invention are possible without departing from the scope of the present invention. Thus, the present invention is intended to include such modifications and variations of the invention, insofar as they come within the scope of the appended claims.

Claims (4)

Weißes Licht emittierende Diode, die eine photolumineszente Schicht aufweist, aufweisend: ein Saphirsubstrat, eine Galliumnitrid-Pufferschicht, die auf dem Saphirsubstrat ausgebildet ist, eine n-Typ-Galliumnitrid-Schicht, die auf der Galliumnitrid-Pufferschicht ausgebildet ist, einen Aluminium-Galliumnitrid-Mehrquantentopf, der auf der n-Typ-Galliumnitrid-Schicht ausgebildet ist, wobei ein Abschnitt der n-Typ-Galliumnitrid-Schicht freigelegt ist, eine p-Typ-Galliumnitrid-Schicht, die auf dem Aluminium-Galliumnitrid-Mehrquantentopf ausgebildet ist, eine transparente leitfähige Schicht, die auf der p-Typ-Galliumnitrid-Schicht ausgebildet ist, eine Terbium-dotierte Indiumoxid-(In2O3:Tb)-Schicht als photolumineszente Schicht, die auf der transparenten leitfähigen Schicht ausgebildet ist, wobei die Terbium-dotierte Indiumoxid-Schicht ein Durchgangsloch aufweist, das bis zu der transparenten leitfähigen Schicht reicht, eine positive Elektrode, die auf der Terbium-dotierten Indiumoxid-Schicht ausgebildet ist, wobei die positive Elektrode durch das Durchgangsloch hindurchverläuft und die transparente leitfähige Schicht kontaktiert, wobei die positive Elektrode elektrisch mit einem Pluspol einer Stromquelle verbunden ist, und eine negative Elektrode, die auf dem freiliegenden Abschnitt der n-Typ-Galliumnitrid-Schicht ausgebildet ist, wobei die negative Elektrode elektrisch mit einem Minuspol der Stromquelle verbunden ist.A white light emitting diode having a photoluminescent layer, comprising: a sapphire substrate, a gallium nitride buffer layer formed on the sapphire substrate, an n-type gallium nitride layer formed on the gallium nitride buffer layer, an aluminum gallium nitride Multi-quantum well formed on the n-type gallium nitride layer, wherein a portion of the n-type gallium nitride layer is exposed, a p-type gallium nitride layer formed on the aluminum gallium nitride multi-quantum well, a transparent conductive layer formed on the p-type gallium nitride layer, a terbium-doped indium oxide (In 2 O 3 : Tb) layer as a photoluminescent layer formed on the transparent conductive layer, wherein the terbium doped indium oxide layer has a through hole reaching to the transparent conductive layer, a positive electrode formed on the terbium-doped indium oxide Layer, wherein the positive electrode passes through the via hole and contacts the transparent conductive layer, the positive electrode being electrically connected to a positive pole of a current source, and a negative electrode lying on the exposed portion of the n-type gallium nitride layer. Layer is formed, wherein the negative electrode is electrically connected to a negative pole of the power source. Weißes Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, wobei das Gewichtsverhältnis zwischen In2O3 und Tb in der Terbium-dotierten Indiumoxid-(In2O3:Tb)-Schicht 95:5 bis 5:95 beträgt.The white light emitting diode according to claim 1, wherein the weight ratio between In 2 O 3 and Tb in the terbium-doped indium oxide (In 2 O 3 : Tb) layer is 95: 5 to 5:95. Weißes Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, wobei die Terbium-dotierte Indiumoxid-Schicht mittels eines RF-reaktiven Magnetron-Sputterverfahrens auf der transparenten leitfähigen Schicht ausgebildet wird.The white light emitting diode according to claim 1, wherein the terbium-doped indium oxide layer is formed on the transparent conductive layer by an RF-reactive magnetron sputtering method. Weißes Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, wobei der Aluminium-Galliumnitrid-Mehrquantentopf als Folge eines wiederholten und abwechselnden Stapelns von Aluminium-Galliumnitrid-Quantentopfschichten mit unterschiedlichen Energielücken ausgebildet wird.The white light emitting diode according to claim 1, wherein the aluminum gallium nitride multi-quantum well is formed as a result of repeatedly and alternately stacking aluminum gallium nitride quantum well layers having different energy gaps.
DE102011051145A 2011-06-17 2011-06-17 White LED for use as backlight source for LCD, has negative electrode formed on exposed portion of n-type gallium nitride layer and electrically connected to negative terminal of power source Withdrawn DE102011051145A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011051145A DE102011051145A1 (en) 2011-06-17 2011-06-17 White LED for use as backlight source for LCD, has negative electrode formed on exposed portion of n-type gallium nitride layer and electrically connected to negative terminal of power source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011051145A DE102011051145A1 (en) 2011-06-17 2011-06-17 White LED for use as backlight source for LCD, has negative electrode formed on exposed portion of n-type gallium nitride layer and electrically connected to negative terminal of power source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102011051145A1 true DE102011051145A1 (en) 2012-12-20

Family

ID=47228170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011051145A Withdrawn DE102011051145A1 (en) 2011-06-17 2011-06-17 White LED for use as backlight source for LCD, has negative electrode formed on exposed portion of n-type gallium nitride layer and electrically connected to negative terminal of power source

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011051145A1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070159067A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Hyo Chul Yun Light-emitting diode device generating light of multi-wavelengths
US7259400B1 (en) * 2001-11-19 2007-08-21 Nanocrystal Lighting Corporation Nanocomposite photonic structures for solid state lighting
US20090140272A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Solid-state light source

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7259400B1 (en) * 2001-11-19 2007-08-21 Nanocrystal Lighting Corporation Nanocomposite photonic structures for solid state lighting
US20070159067A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Hyo Chul Yun Light-emitting diode device generating light of multi-wavelengths
US20090140272A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Solid-state light source

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008021572B4 (en) Solid-state lamp and luminaire with it
US9219201B1 (en) Blue light emitting devices that include phosphor-converted blue light emitting diodes
KR101580739B1 (en) Light emitting device
DE112015005448B4 (en) Semiconductor layer sequence for generating visible light and light-emitting diode
DE102012106143A1 (en) Nitride semiconductor light-emitting device
DE102012108763B4 (en) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND LIGHT SOURCE WITH THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
CN105405946B (en) LED crystal particle and its manufacturing method
US20150155460A1 (en) Light-emitting apparatus
JP2002050798A (en) While led lamp
DE102013108782A1 (en) Light-emitting device, e.g., back light module for LCD, has carrier which is arranged to carry first light-emitting unit in which difference between first dominant wavelength and second dominant wavelength is five to thirty nanometers
DE102010031237A1 (en) Optoelectronic component
CN102201510A (en) Semiconductor device
DE102013109781A1 (en) Light-emitting semiconductor device
CN108604622A (en) Light-emitting component and light-emitting element package including light-emitting component
Tao et al. Hybrid cyan nitride/red phosphors white light-emitting diodes with micro-hole structures
WO2016104023A1 (en) Light-emission device
DE102011051145A1 (en) White LED for use as backlight source for LCD, has negative electrode formed on exposed portion of n-type gallium nitride layer and electrically connected to negative terminal of power source
DE102015105693A1 (en) Radiation-emitting semiconductor component
DE102013112498B4 (en) Lighting devices of light emitting diodes and their operating methods
DE102016100723B4 (en) optoelectronic component
Sparavigna Light-emitting diodes in the solid-state lighting systems
Wang Electrically Injected Hybrid III-Nitride/Organic White LEDs with Non-Radiative Energy
CN104157762A (en) Fluorescent-powder-free white-light LED and fluorescent-powder-free white-light LED light-emitting module
WO2020212318A1 (en) Optoelectronic component having a luminescence conversion layer
US20120305887A1 (en) White light emitting diode having photoluminescent layer

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20150101