DE102011015263B4 - Apparatus and method for treating substrates - Google Patents

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Abstract

Vorrichtung (1) zum Behandeln von Substraten (2), die folgendes aufweist: ein Gehäuse (3), das eine Prozesskammer (8) umgibt; wenigstens eine Substrataufnahme (10) in dem Gehäuse (3); eine rohrförmige, erste Mikrowellenelektrode (30) zum Erzeugen eines Plasmas, wobei eine Rohrachse der ersten Mikrowellenelektrode (30) auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; eine Bewegungseinheit, welche die erste Mikrowellenelektrode (30) trägt und geeignet, ist die erste Mikrowellenelektrode (30) so zu bewegen, dass die Rohrachse die Substrataufnahme (10) überstreicht; eine erste Gasführung (42) mit einem ersten Auslass, der sich in die erste Mikrowellenelektrode (30) öffnet und auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; eine zweite Gasführung (40), die die erste Gasführung (42) wenigstens teilweise umgibt und einen zweiten Auslass aufweist, der koaxial zum ersten Auslass ausgerichtet ist, wobei die erste und zweite Gasführung (42, 40) mit der Bewegungseinheit verbunden sind, um gemeinsam mit der ersten Mikrowellenelektrode (30) bewegt zu werden, und wobei die erste und zweite Gasführung (42, 40) mit unterschiedlichen Gasquellen verbindbar sind; und wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50), wobei die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) und/oder die Substrataufnahme (10) bewegbar sind, um ein auf der Substrataufnahme (10) befindliches Substrat (2) in einem Wirkbereich der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode (50) oder außerhalb des Wirkbereichs anzuordnen.Device (1) for treating substrates (2), comprising: a housing (3) which surrounds a process chamber (8); at least one substrate receptacle (10) in the housing (3); a tubular, first microwave electrode (30) for generating a plasma, a tube axis of the first microwave electrode (30) being directed towards the substrate receptacle (10); a movement unit which carries the first microwave electrode (30) and is suitable for moving the first microwave electrode (30) such that the tube axis sweeps over the substrate holder (10); a first gas guide (42) with a first outlet which opens into the first microwave electrode (30) and is directed towards the substrate holder (10); a second gas guide (40) that at least partially surrounds the first gas guide (42) and has a second outlet that is aligned coaxially with the first outlet, the first and second gas guides (42, 40) being connected to the moving unit to collectively to be moved with the first microwave electrode (30) and wherein the first and second gas guides (42, 40) can be connected to different gas sources; and at least one second microwave electrode (50), the at least one second microwave electrode (50) and / or the substrate holder (10) being movable around a substrate (2) located on the substrate holder (10) in an effective range of the at least one second microwave electrode (50) or outside the effective range.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere unter Einbeziehung eines Mikrowellenplasmas.The present invention relates to an apparatus and a method for treating substrates, in particular involving a microwave plasma.

In der Halbleitertechnologie sowie der Mikro- und Nanosensorik ist es bekannt, epitaktische Schichten aus unterschiedlichen Materialien auf Substraten abzuscheiden. Dies sollte möglichst bei niedriger Temperatur erfolgen, um die Eigenschaften des Grundsubstrats, auf dem die epitaktische Schicht abgeschieden werden soll, nicht zu beeinträchtigen. Die Substrate unterliegen üblicherweise bestimmten Temperaturbeschränkungen hinsichtlich der Temperaturbelastung, der ein Substrat ausgesetzt werden darf, ohne dass sich wesentliche Eigenschaftsänderungen des Substrats ergeben.In semiconductor technology as well as micro- and nano-sensors it is known to deposit epitaxial layers of different materials on substrates. This should preferably be done at low temperature in order not to affect the properties of the base substrate on which the epitaxial layer is to be deposited. The substrates are usually subject to certain temperature limitations with regard to the temperature load to which a substrate may be exposed without significant changes in the properties of the substrate.

Trotz dieser Temperaturbeschränkungen sind in der Vergangenheit unterschiedliche epitaktische Schichtbildungsprozesse bei erhöhten Temperaturen vorgeschlagen worden. Diese sind jedoch bei immer kleiner werdenden Strukturen auf Halbleitern, und insbesondere im Bereich der Mikro- und Nanosensorik problematisch, da die Strukturen durch die hohen Temperaturen erheblich beeinflusst werden können.Despite these temperature limitations, various epitaxial layering processes at elevated temperatures have been proposed in the past. However, these are problematic with ever smaller structures on semiconductors, and in particular in the field of micro- and nano-sensors, since the structures can be significantly influenced by the high temperatures.

Darüber hinaus ist es vor einem epitaktischen Schichtaufbau zweckmäßig, Oxide von der jeweiligen Substratoberfläche zu entfernen. Bei einem hierfür eingesetzten Verfahren wird das Substrat auf ungefähr 1000°C in einer Wasserstoffatmosphäre erhitzt, wodurch sich die Oxidreste von der Substratoberfläche lösen. Solche hohen Temperaturen sind jedoch wiederum, wie oben erwähnt, für die Substrateigenschaften problematisch.In addition, it is expedient to remove oxides from the respective substrate surface before an epitaxial layer structure. In a process used for this purpose, the substrate is heated to about 1000 ° C in a hydrogen atmosphere, whereby the oxide residues dissolve from the substrate surface. However, such high temperatures, as mentioned above, are again problematic for the substrate properties.

Ausgehend von dem beschriebenen Stand der Technik hinsichtlich der epitaktischen Schichtbildung sowie der Reinigung von Substraten, liegt der vorliegenden Erfindung daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten vorzusehen, die bzw. das wenigstens eines der vorgenannten Probleme überwindet.Based on the described prior art with regard to the epitaxial layer formation and the cleaning of substrates, the present invention is therefore based on the object to provide an apparatus and a method for treating substrates, which overcomes at least one of the aforementioned problems.

Die DE 199 25 790 A1 zeigt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Bearbeiten von Oberflächen eines Substrats mittels eines Plasmaprozesses. Zur Erzeugung eines Plasmastrahls ist eine rohrförmige Mikrowellenelektrode mit konzentrischen Gasführungen vorgesehen. Ferner ist eine bewegliche Substrataufnahme zum Streichen des Plasmastrahls über das Substrat vorgesehen. Eine ähnliche Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmastrahls mit einer bewegbaren Substrataufnahme ist auch aus der EP 0 710 054 A1 bekannt. Die DE 10 2007 046 214 A1 und die DE 199 58 474 A1 zeigen weitere Vorrichtungen und Verfahren zum Erzeugen von Plasmastrahlen zur Oberflächenbehandlung von Substraten.The DE 199 25 790 A1 shows a method and an apparatus for processing surfaces of a substrate by means of a plasma process. To generate a plasma jet, a tubular microwave electrode with concentric gas guides is provided. Furthermore, a movable substrate receptacle is provided for striking the plasma jet over the substrate. A similar device for generating a plasma jet with a movable substrate receptacle is also known from EP 0 710 054 A1 known. The DE 10 2007 046 214 A1 and the DE 199 58 474 A1 show other devices and methods for generating plasma jets for surface treatment of substrates.

Die US 2004 00 11 466 A1 zeigt eine Plasma-Behandlungsvorrichtung mit stabförmigen HF-Antennen, die sich in eine Prozesskammer hineinerstrecken und die mit einer mit Spannung beaufschlagten Substrataufnahme zusammenarbeiten, um ein Plasma oberhalb der Substrataufnahme zu bilden. Ferner sind bewegliche Tuner für die HF-Antennen gezeigt, die zum Einstellen von Plasmabedingungen in der Prozesskammer dienen.The US 2004 00 11 466 A1 shows a plasma processing apparatus having rod-shaped RF antennas extending into a process chamber and cooperating with a stressed substrate receptacle to form a plasma above the substrate receptacle. Also shown are movable tuners for the RF antennas that are used to adjust plasma conditions in the process chamber.

Die DE 10 2006 002 758 A1 zeigt ein Verfahren und eine Vorrichtung zur selektiven Entfernung von siliziumhaltigen Kontaminationen auf optischen Oberflächen mittels eines fluorhaltigen Plasmastrahls. In der DE 11 2007 002 218 T5 ist ferner eine Bedampfungsvorrichtung gezeigt, bei der über einen Bedampfungskopf sowohl ein Dampf eines Filmbildungsmaterials als auch ein Reinigungsgas in eine Prozesskammer einleitbar sind. Als Reinigungsgas ist unter anderem ein Fluorradikale enthaltendes Gas genannt, das in einer Reinigungsgaserzeugungseinheit mit einem Plasma aktiviert werden kann bevor es über den Bedampfungskopf zur Reinigung der Prozesskammer in diese eingeleitet wird.The DE 10 2006 002 758 A1 shows a method and apparatus for the selective removal of silicon-containing contaminants on optical surfaces by means of a fluorine-containing plasma jet. In the DE 11 2007 002 218 T5 Furthermore, a vapor deposition apparatus is shown in which both a vapor of a film-forming material and a cleaning gas can be introduced into a process chamber via a vapor deposition head. As a cleaning gas, inter alia, a fluorine radical-containing gas is called, which can be activated in a cleaning gas generating unit with a plasma before it is introduced via the Bedampfungskopf for cleaning the process chamber in this.

Aus der JP 2003 218 099 A ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats mit einem Plasmastrahl vorgesehen. Der Plasmastrahl wird erzeugt, indem ein Plasmastrahl zwischen Gegenelektroden hindurch geleitet wird. Während der Behandlung wird der Plasmastrahl unter einem Winkel zwischen 0 und 70° auf das Substrat gerichtet und das Substrat durch den Strahl hindurch bewegt. Der Strahl kann auch durch zwei senkrecht zueinander stehende Teilstrahlen gebildet werden.From the JP 2003 218 099 A For example, a method and apparatus for treating a substrate with a plasma jet is provided. The plasma jet is generated by passing a plasma jet between counterelectrodes. During the treatment, the plasma jet is directed onto the substrate at an angle between 0 and 70 ° and the substrate is moved through the beam. The beam can also be formed by two mutually perpendicular partial beams.

Erfindungsgemäß sind Vorrichtungen zum Behandeln von Substraten nach Anspruch 1 und 2 sowie ein Verfahren zum Behandeln von Substraten nach Anspruch 17 vorgesehen.According to the invention devices for treating substrates according to claim 1 and 2 and a method for treating substrates according to claim 17 are provided.

Die Vorrichtung zum Behandeln von Substraten weist ein Gehäuse auf, das eine Prozesskammer umgibt, sowie wenigstens eine Substrataufnahme in dem Gehäuse. Ferner ist eine rohrförmige, erste Mikrowellenelektrode zum Erzeugen eines Plasmas vorgesehen, wobei die Rohrachse auf die Substrataufnahme gerichtet ist, sowie eine Bewegungseinheit, welche die erste Mikrowellenelektrode oder die Substrataufnahme trägt und geeignet ist die erste Mikrowellenelektrode oder die Substrataufnahme so zu bewegen, dass die Rohrachse die Substrataufnahme überstreicht. Darüber hinaus weist die Vorrichtung eine erste Gasführung mit einem ersten Auslass auf, der sich in die erste Mikrowellenelektrode öffnet und der auf die Substrataufnahme gerichtet ist und eine zweite Gasführung, die die erste Gasführung wenigstens teilweise umgibt und einen zweiten Auslass aufweist, der koaxial zum ersten Auslass ausgerichtet ist. Wenn die Bewegungseinheit mit der ersten Mikrowellenelektrode verbunden ist, dann sind auch die erste und zweite Gasführung mit der Bewegungseinheit verbunden, um gemeinsam mit der ersten Mikrowellenelektrode bewegt zu werden. Die erste und zweite Gasführung sind mit unterschiedlichen Gasquellen beaufschlagbar. Ferner weist die Vorrichtung wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode auf, wobei die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode und/oder die Substrataufnahme bewegbar ist/sind, um ein auf der Substrataufnahme befindliches Substrat in einem Wirkbereich der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode oder außerhalb des Wirkbereichs anzuordnen. Eine solche Vorrichtung ist in der Lage, innerhalb der ersten Mikrowellenelektrode ein Plasma zu erzeugen, durch das zwei unterschiedliche Gasströme in koaxialer Ausrichtung zueinander hindurchgeleitet werden können, um beispielsweise einen Prozessgasstrahl aus Radikalen und Prekursorn, insbesondere einen Prozessgasstrahl aus Wasserstoff- oder Deuteriumradikalen und Prekursorgasen, wie beispielsweise SiH4, GeH4, PH3, B2H6, AsH3, Dichlorsilan, Trichlorsilan, NH3 und ähnlichen zu bilden. Dieser Radikalenstrahl mit Prekursorgasen ist geeignet für eine epitaktische Schichtbildung auf einem Substrat, und zwar selbst bei niedrigen Temperaturen von beispielsweise 400°C, im Vergleich zu Hochtemperaturabscheidungsprozessen.The device for treating substrates has a housing which surrounds a process chamber and at least one substrate receptacle in the housing. Further, a tubular, first microwave electrode for generating a plasma is provided, wherein the tube axis is directed to the substrate holder, and a moving unit which carries the first microwave electrode or the substrate holder and is adapted to move the first microwave electrode or the substrate holder so that the tube axis sweeps over the substrate holder. In addition, the device has a first gas guide with a first outlet which opens into the first microwave electrode and which is directed onto the substrate holder and a second gas guide, which is the first At least partially surrounds the gas guide and having a second outlet, which is aligned coaxially with the first outlet. When the moving unit is connected to the first microwave electrode, the first and second gas guides are also connected to the moving unit so as to be moved together with the first microwave electrode. The first and second gas guide can be acted upon by different gas sources. Furthermore, the device has at least one second microwave electrode, wherein the at least one second microwave electrode and / or the substrate holder is / is movable in order to arrange a substrate located on the substrate holder in an effective range of the at least one second microwave electrode or outside the effective range. Such a device is able to generate within the first microwave electrode a plasma through which two different gas streams can be passed in coaxial alignment with each other, for example a process gas jet of radicals and precursor, in particular a process gas jet of hydrogen or deuterium radicals and precursor gases, such as SiH 4 , GeH 4 , PH 3 , B 2 H 6 , AsH 3 , dichlorosilane, trichlorosilane, NH 3 and the like. This precursor gas radical beam is capable of epitaxial film formation on a substrate, even at low temperatures of, for example, 400 ° C, as compared to high temperature deposition processes.

Da solche Prozesse üblicherweise im Unterdruck stattfinden, ist es von Vorteil, die Prozesskammer innerhalb des Gehäuses möglichst klein zu halten. Daher weist das Gehäuse bei einer Ausführungsform der Erfindung eine Durchgangsöffnung in einer Gehäusewand auf und die erste Mikrowellenelektrode ist derart außerhalb des Gehäuses angeordnet, dass die Rohrachse durch die Durchgangsöffnung hindurch auf die Substrataufnahme gerichtet ist. Eine Abdichtung zur Umgebung wird durch eine Balgeneinheit, insbesondere in der Form eines Federbalgs vorgesehen, die sich zwischen der Gehäusewand und der ersten Mikrowellenelektrode bzw. der die erste Mikrowellenelektrode tragenden Bewegungseinheit erstreckt. Hierdurch kann die Prozesskammer bzw. der Prozessraum klein gehalten werden, da die Bewegung der ersten Mikrowellenelektrode außerhalb der eigentlichen Prozesskammer stattfinden kann.Since such processes usually take place under reduced pressure, it is advantageous to keep the process chamber within the housing as small as possible. Therefore, in one embodiment of the invention, the housing has a passage opening in a housing wall, and the first microwave electrode is arranged outside the housing such that the tube axis is directed through the passage opening onto the substrate receptacle. A seal to the environment is provided by a bellows unit, in particular in the form of a bellows, which extends between the housing wall and the first microwave electrode or the movement unit carrying the first microwave electrode. As a result, the process chamber or the process chamber can be kept small, since the movement of the first microwave electrode can take place outside the actual process chamber.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode zwischen einer Einsatzposition oberhalb der Substrataufnahme und einer Ruheposition beabstandet zur Substrataufnahme bewegbar. Die zweite Mikrowellenelektrode ist in ihrer Position oberhalb der Substrataufnahme geeignet, ein Mikrowellenplasma in der Nähe der Scheibe zu erzeugen, und zwar insbesondere ein hochdichtes Wasserstoffplasma (mit hoher Ionendichte), das geeignet ist Oxidreste von der Substratoberfläche zu entfernen. Dies ist wiederum auch bei niedrigeren Temperaturen von beispielsweise 400°C, was üblicherweise als ein akzeptabler Temperaturbereich angesehen wird, möglich. Vorzugsweise sind Mittel vorgesehen, um die zweite Mikrowellenelektrode gegenüber einer Prozessgasatmosphäre in der Prozesskammer zu isolieren, wenn sie sich in der Ruheposition befindet. Die während einer epitaktischen Schichtbildung verwendeten Prozessgase könnten ansonsten auch eine Abscheidung auf der zweiten Mikrowellenelektrode bewirken, welche deren Einsatzfähigkeit beeinträchtigen können.In one embodiment of the invention, the at least one second microwave electrode is movable between an insertion position above the substrate receptacle and a rest position spaced from the substrate receiving. The second microwave electrode, in position above the substrate receptacle, is capable of generating a microwave plasma near the disc, in particular a high density (high ion density) hydrogen plasma capable of removing oxide residues from the substrate surface. This in turn is also possible at lower temperatures, for example 400 ° C, which is usually considered to be an acceptable temperature range. Preferably, means are provided to isolate the second microwave electrode from a process gas atmosphere in the process chamber when in the rest position. Otherwise, the process gases used during an epitaxial layer formation could otherwise cause deposition on the second microwave electrode, which may impair their usefulness.

Bei einer Ausführungsform ist die zweite Mikrowellenelektrode und/oder die Substrataufnahme relativ zum anderen Element derart bewegbar, dass ein auf der Substrataufnahme befindliches Substrat aus dem Bereich der zweiten Mikrowellenelektrode in den Bereich der ersten Mikrowellenelektrode gelangen kann. Hierbei kann die zweite Mikrowellenelektrode beispielsweise wiederum zum Erzeugen eines Mikrowellenplasmas im Bereich der Substratoberfläche eingesetzt werden, um Oxid von der Oberfläche zu entfernen. Anschließend kann das derart vom Oxid befreite Substrat in den Bereich der ersten Mikrowellenelektrode gebracht werden, um einen epitaktischen Schichtbildungsprozess durchzuführen und zwar über eine Relativbewegung zwischen der Substrataufnahme und den Mikrowellenelektroden. Dadurch, dass die Einflussbereiche der zweiten Mikrowellenelektrode und der ersten Mikrowellenelektrode getrennt sind, ist eine Beschichtung der zweiten Mikrowellenelektrode in einem solchen Fall nicht zu befürchten. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Substrataufnahme derart ausgebildet, dass sie eine Relativbewegung zu den Mikrowellenelektroden ausführen kann, um die oben beschriebene Relativbewegung vorsehen zu können. Die Mikrowellenelektroden können in diesem Fall stationär sein, oder sie können gegebenenfalls eine Hubbewegung relativ zur Substratauflage vorsehen. Vorzugsweise sind mehrere zweite Mikrowellenelektroden vorgesehen, die mit unterschiedlichen Abständen zur Substrataufnahme, insbesondere in Bewegungsrichtung der Substrataufnahme kleiner werdenden Abständen hierzu angeordnet sind.In one embodiment, the second microwave electrode and / or the substrate holder is movable relative to the other element such that a substrate located on the substrate holder can pass from the region of the second microwave electrode into the region of the first microwave electrode. In this case, for example, the second microwave electrode can again be used to generate a microwave plasma in the region of the substrate surface in order to remove oxide from the surface. Subsequently, the substrate thus freed from the oxide can be brought into the region of the first microwave electrode in order to carry out an epitaxial layer formation process via a relative movement between the substrate receptacle and the microwave electrodes. Because the areas of influence of the second microwave electrode and the first microwave electrode are separated, a coating of the second microwave electrode in such a case is not to be feared. In a preferred embodiment of the invention, the substrate holder is designed such that it can perform a relative movement to the microwave electrodes in order to provide the above-described relative movement can. The microwave electrodes may be stationary in this case, or they may optionally provide a lifting movement relative to the substrate support. Preferably, a plurality of second microwave electrodes are provided, which are arranged at different distances to the substrate holder, in particular in the direction of movement of the substrate receiving decreasing distances thereto.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist die zweite Mikrowellenelektrode eine stabförmige Mikrowellenelektrode mit einem Innenleiter und einem koaxial hierzu angeordneten Außenleiter, die ein Mikrowelleneinspeisungsende und ein freies Ende aufweisen. Der Außenleiter besitzt einen Rohrbereich, der den Innenleiter über einen benachbart zum Mikrowelleneinspeisungsende liegenden Teilbereich entlang seiner Längsachse vollständig umschließt, sowie einen Öffnungsbereich, der in Richtung des freien Endes des Außenleiters eine größer werdende Öffnung vorsieht. Eine solche Mikrowellenelektrode erlaubt die Ausbildung eines gleichmäßigen Plasmas oberhalb eines zu behandelnden Substrats.According to one embodiment of the invention, the second microwave electrode is a rod-shaped microwave electrode having an inner conductor and an outer conductor arranged coaxially therewith, which have a microwave feed end and a free end. The outer conductor has a tube region which completely encloses the inner conductor along a longitudinal axis along a partial region adjacent to the microwave feed end, and an opening region which extends in the direction of the free end of the outer conductor provides a larger opening. Such a microwave electrode allows the formation of a uniform plasma above a substrate to be treated.

Dabei wird die Öffnung im Öffnungsbereich des Außenleiters vorzugsweise stetig und/oder stufig größer. Insbesondere ist es dabei auch möglich, dass sich stetige Bereiche und stufige Bereiche abwechseln. Der Wellenwiderstand steigt in der Öffnung an, wodurch eine Plasmazündung erschwert wird. Daher ist bei einer Ausführungsform der Erfindung eine Plasmazündvorrichtung, insbesondere ein linearer Hertzscher Oszillator für die zweite Mikrowellenelektrode vorgesehen. Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Vorrichtung zum Verändern eines Abstands zwischen der Substrataufnahme und der ersten Mikrowellenelektrode und/oder der zweiten Mikrowellenelektrode vorgesehen. Diese kann beispielsweise eine Hubvorrichtung für die Substrataufnahme umfassen.In this case, the opening in the opening region of the outer conductor preferably becomes steadily and / or stepwise larger. In particular, it is also possible for continuous areas and stepped areas to alternate. The characteristic impedance increases in the opening, whereby a plasma ignition is difficult. Therefore, in one embodiment of the invention, a plasma ignition device, in particular a linear Hertzian oscillator for the second microwave electrode is provided. In one embodiment of the invention, a device is provided for varying a distance between the substrate receptacle and the first microwave electrode and / or the second microwave electrode. This may include, for example, a lifting device for the substrate holder.

Vorteilhafterweise ist auch wenigstens ein Hub-, Linear-, Schwenk- und/oder Drehbewegungsmechanismus für die Substrataufnahme vorgesehen, der eine entsprechende Bewegung bezüglich der ersten Mikrowellenelektrode oder der zweiten Mikrowellenelektrode bewirkt, um eine jeweilige Prozesshomogenisierung zu erreichen. Alternativ oder auch zusätzlich kann auch wenigstens ein entsprechender Mechanismus für die erste und/oder die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode vorgesehen sein.Advantageously, at least one lifting, linear, pivoting and / or rotational movement mechanism for the substrate holder is provided, which causes a corresponding movement with respect to the first microwave electrode or the second microwave electrode in order to achieve a respective process homogenization. Alternatively or additionally, at least one corresponding mechanism may be provided for the first and / or the at least one second microwave electrode.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sieht die Bewegungseinheit eine kardanische Lagerung der ersten Mikrowellenelektrode vor, wodurch eine gleichförmige Überstreichung einer Substratoberfläche ermöglicht wird. Diese kann insbesondere auch durch eine Rotation der Substrataufnahme gefördert werden. Insbesondere kann aber auch die Substrataufnahme kardansich gelagert sein, wodurch ebenfalls eine gleichförmige Überstreichung einer Substratoberfläche durch die erste Mikrowellenelektrode unter einstellbarem Winkel ermöglicht wird.According to one embodiment of the invention, the moving unit provides a gimbal mounting of the first microwave electrode, thereby enabling a uniform sweep of a substrate surface. This can be promoted in particular by a rotation of the substrate holder. In particular, however, the substrate receptacle can also be mounted cardan-like, which likewise enables a uniform sweep of a substrate surface through the first microwave electrode at an adjustable angle.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung weist die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode einen stabförmigen Innenleiter auf, der wenigstens teilweise radial von einem Außenleiter umgeben ist, der eine Öffnung zum Auskoppeln von Mikrowellen aufweist, die sich über wenigstens die gesamte Breite oder den Durchmesser eines zu behandelnden Substrats erstreckt.In one embodiment of the invention, the at least one second microwave electrode has a rod-shaped inner conductor which is at least partially radially surrounded by an outer conductor having an opening for coupling out microwaves, which extends over at least the entire width or the diameter of a substrate to be treated ,

Bei dem Verfahren zum Behandeln von Substraten wird ein Strahl eines Wasserstoff und/oder Deuterium enthaltenden Gases durch ein erstes, von einer ersten Mikrowellenelektrode erzeugtes Mikrowellenplasma, das vom zum behandelnden Substrat beabstandet ist, geleitet, um einen Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen zu bilden, der auf das zu behandelnde Substrat gerichtet ist. Ferner wird ein Strahl aus aus Prekusorgasen derart durch das Mikrowellenplasma geleitet, dass der Strahl aus Prekursorgasen von dem Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen umgeben ist, und sie einen gemeinsamen Prozessstrahl bilden, der auf das zu behandelnde Substrat gerichtet ist. Dieser Prozessstrahl wird über das zu behandelnde Substrat gestrichen, um eine epitaktische Schicht auf dem Substrat abzuscheiden, wobei das Überstreichen durch eine entsprechende Relativbewegung zwischen einer ersten Mikrowellenelektrode, die das erste Plasma erzeugt, und einer Substratauflage, auf dem sich das Substrat befindet, bewirkt wird. Vor dem Leiten von Prekursorgasen durch das erste Mikrowellenplasma wird ein zweites Mikrowellenplasma mittels wenigstens einer zweiten Mikrowellenelektrode, insbesondere ein Wasserstoff- und/oder Deuteriumplasma, benachbart zum behandelnden Substrat erzeugt, um hierüber Oxid von der Substratoberfläche zu entfernen.In the method of treating substrates, a jet of hydrogen and / or deuterium-containing gas is passed through a first microwave plasma generated by a first microwave electrode spaced from the substrate to be treated to produce a beam of hydrogen and / or deuterium radicals form, which is directed to the substrate to be treated. Further, a beam of precursor gases is passed through the microwave plasma such that the beam of precursor gases is surrounded by the beam of hydrogen and / or deuterium radicals and they form a common process beam directed at the substrate to be treated. This process beam is swept over the substrate to be treated to deposit an epitaxial layer on the substrate, wherein the sweeping is effected by a corresponding relative movement between a first microwave electrode which generates the first plasma and a substrate support on which the substrate is located , Before passing precursor gases through the first microwave plasma, a second microwave plasma is generated by means of at least one second microwave electrode, in particular a hydrogen and / or deuterium plasma, adjacent to the substrate to be treated in order to remove oxide therefrom from the substrate surface.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung wird die Mikrowellenelektrode, die das erste Plasma erzeugt gemeinsam mit Gaseinleitungsdüsen für Wasserstoff und/oder Deuterium enthaltendes Gas und Prekursorgasen bewegt. Das beschriebene Verfahren ermöglicht einen epitaktischen Schichtaufbau durch die Kombination eines Strahls aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen mit einem Strahl aus Prekursorgasen selbst bei niedrigen Temperaturen im Bereich von 400°C. Für den epiktaktischen Schichtaufbau kann das Substrat in geeigneter Weise auf die erforderliche Temperatur aufgeheizt werden. Eine solche Aufheizung des Substrats kann beispielsweise über eine Widerstandsheizung der Substrataufnahme und/oder auch über eine direkte Aufheizung des Substrats und/oder der Substrataufnahme mittels elektromagnetischer Strahlung, wie beispielsweise einer Heizlampe, erfolgen.In one embodiment of the invention, the microwave electrode generating the first plasma is moved together with gas introduction nozzles for hydrogen and / or deuterium-containing gas and precursor gases. The described method enables an epitaxial layer construction by combining a beam of hydrogen and / or deuterium radicals with a beam of precursor gases even at low temperatures in the range of 400 ° C. For the epicactic layer structure, the substrate can be suitably heated to the required temperature. Such heating of the substrate can be effected, for example, by resistance heating of the substrate receptacle and / or by direct heating of the substrate and / or substrate reception by means of electromagnetic radiation, such as a heating lamp.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird vor dem Leiten von Prekursorgasen durch das erste Mikrowellenplasma nur der Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen über das zu behandelnde Substrat bewegt, um es zu reinigen und/oder zu passivieren.According to one embodiment of the invention, prior to passing precursor gases through the first microwave plasma, only the beam of hydrogen and / or deuterium radicals is moved over the substrate to be treated to purify and / or passivate it.

Das obige Verfahren wird bevorzugt in einer Prozesskammer ausgeführt. Zusätzlich kann daher ein Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer vorgesehen sein, bei dem ein Strahl eines Fluor enthaltenden Gases, insbesondere NF3-Gas durch ein Mikrowellenplasma geleitet wird, um einen Strahl aus Fluorradikalen zu bilden, wobei der Strahl aus Fluorradikalen in die zu reinigende Prozesskammer gerichtet ist, wobei dieser Strahl aus Fluorradikalen über zu reinigende Bereiche der Prozesskammer bewegt wird. Hierdurch lässt sich auf einfache Weise mit derselben Vorrichtung, die zuvor auch für den epitaktischen Schichtaufbau eingesetzt wird, eine einfache Reinigung der Prozesskammer erreichen. Nach dem Überstreichen des Strahls aus Fluorradikalen über zu reinigende Bereiche der Prozesskammer kann ein Strahl aus Wasserstoff und/oder Deuterium enthaltendem Gas durch das Mikrowellenplasma geleitet werden, um einen Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen zu bilden, wobei der Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen in die Prozesskammer gerichtet ist, und über die zu reinigenden Bereiche der Prozesskammer bewegt wird. Hierdurch kann die Prozesskammer für nachfolgende epitaktische Schichtbildungsprozesse vorbereitet bzw. konditioniert werden. Nach einer solchen Reinigung der Prozesskammer kann sich vorteilhaft das zuvor beschriebene Verfahren zum Behandeln von Substraten anschließen.The above method is preferably carried out in a process chamber. In addition, therefore, a method of cleaning a process chamber may be provided in which a jet of fluorine-containing gas, in particular NF 3 gas, is passed through a microwave plasma to form a jet of fluorine radicals, the jet of fluorine radicals into the process chamber to be cleaned is directed, this jet of fluorine radicals over to be cleaned areas of the process chamber is moved. This can be easily with the same device, which is previously used for the epitaxial layer construction, achieve a simple cleaning of the process chamber. After sweeping the beam of fluorine radicals over regions of the process chamber to be cleaned, a jet of hydrogen and / or deuterium-containing gas can be passed through the microwave plasma to form a beam of hydrogen and / or deuterium radicals, the beam of hydrogen and / or deuterium radicals / or deuterium radicals is directed into the process chamber, and is moved over the areas to be cleaned of the process chamber. As a result, the process chamber can be prepared or conditioned for subsequent epitaxial layer formation processes. After such a cleaning of the process chamber may advantageously be followed by the method described above for the treatment of substrates.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt:The invention will be explained in more detail with reference to the drawings. In the drawings shows:

1 eine schematische Schnittansicht durch eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten; 1 a schematic sectional view through an apparatus for treating substrates;

2 eine schematische Schnittansicht durch die Vorrichtung gemäß 1, bei der eine Mikrowellenelektrode in einer anderen Position gezeigt ist; 2 a schematic sectional view through the device according to 1 in which a microwave electrode is shown in a different position;

3 eine schematische Schnittansicht durch eine alternative Vorrichtung zum Behandeln von Substraten; und three a schematic sectional view through an alternative device for treating substrates; and

4a–4c eine schematische Schnittansicht einer Vorrichtung ähnlich der 1 und 2, während unterschiedlicher Prozessabläufe. 4a - 4c a schematic sectional view of an apparatus similar to the 1 and 2 , during different process flows.

Die in der nachfolgenden Beschreibung verwendeten relativen Begriffe, wie ”z. B.”, ”links”, ”rechts”, ”über” und ”unter” beziehen sich auf die Zeichnungen und sollen die Anmeldung in keiner Weise einschränken, auch wenn sie bevorzugte Anordnungen zeigen können.The relative terms used in the following description, such as "z. B. "," left "," right "," above "and" below "refer to the drawings and are not intended to limit the application in any way, even though they may show preferred arrangements.

Die 1 und 2 zeigen jeweils schematische Schnittansichten durch eine Vorrichtung 1 zum Behandeln eines Substrats 2, wobei unterschiedliche Komponenten in unterschiedlichen Positionen dargestellt sind.The 1 and 2 each show schematic sectional views through a device 1 for treating a substrate 2 , wherein different components are shown in different positions.

Die Vorrichtung 1 besitzt ein nur im Umriss angedeutetes Vakuumgehäuse 3, eine erste Mikrowellenplasmaanordnung 5 sowie eine zweite Mikrowellenplasmaanordnung 7.The device 1 has a vacuum housing indicated only in outline three , a first microwave plasma arrangement 5 and a second microwave plasma assembly 7 ,

Das Vakuumgehäuse 3 definiert eine Prozesskammer 8 im Inneren, in der eine Substrataufnahme 10 angeordnet ist. Die Substrataufnahme 10 besteht aus einer plattenförmigen Auflage 12 sowie einem sich senkrecht hierzu erstreckenden Tragelement 14. Die Auflage 12 ist in bekannter Art und Weise aufgebaut, um ein Substrat 2 in geeigneter Weise darauf aufzunehmen. Das Tragelement 14 trägt die Auflage und ist in bekannter Art und Weise auch in abgedichteter Weise aus dem Vakuumgehäuse herausgeführt. Das Tragelement 14 steht mit einem externen, nicht näher dargestellten Hub- und oder Drehmechanismus in Verbindung, wie durch die Pfeile A und B in den 1 und 2 angedeutet ist.The vacuum housing three defines a process chamber 8th inside, in a substrate holder 10 is arranged. The substrate holder 10 consists of a plate-shaped support 12 and a perpendicularly extending support element 14 , The edition 12 is constructed in a known manner to a substrate 2 in a suitable way. The support element 14 carries the support and is led out in a known manner in a sealed manner from the vacuum housing. The support element 14 is connected to an external, not shown lifting and or rotating mechanism in combination, as indicated by the arrows A and B in the 1 and 2 is indicated.

Unterhalb der Substrataufnahme 10 ist eine Vielzahl von Heizlampen 16 zum Heizen der Substrataufnahme 10 bzw. eines darauf befindlichen Substrats 2 vorgesehen. Wenn die Substrataufnahme, insbesondere die Auflage 12 aus einem für die Strahlung der Heizlampen transparenten Material besteht, kann das Substrat 2 direkt aufgeheizt werden, sofern dies erwünscht ist. Wenn die Substrataufnahme hingegen für die Heizstrahlung der Heizlampen 16 nicht transparent ist, wird ein Substrat 2 über eine entsprechende Erwärmung der Auflage 12 auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt. Alternativ ist es auch möglich, statt der Heizlampen eine Widerstandsheizung im Bereich der Auflage 12 vorzusehen. Insbesondere könnte zum Beispiel eine Platte vorgesehen sein, die mehrere gegebenenfalls separat ansteuerbare Heizzonen aufweist. Eine solche Platte könnte beispielsweise in geeigneter Weise aus AlN (Aluminiumnitrid) oder einem anderen geeigneten Material bestehen, das die Plasmaprozesse in der Prozesskammer nicht negativ beeinflusst. Diese Platte könnte selbst die Auflage bilden, oder eng benachbart hierzu angeordnet sein. Die Platte selbst könnte über einen geeigneten Mechanismus sowohl vertikal bewegt als auch rotiert werden, um eine homogene Aufheizung eines Substrats vorzusehen. Eine solche Platte kann gegenüber einer Aufheizung mittels Heizlampen den Vorteil haben, dass die Platte primär eine Wärmeleitung vorsieht, während die Heizlampen eine Strahlungserwärmung vorsehen, die gegebenenfalls durch eine während des Prozesses auftretende Beschichtung der Heizlampen/oder des Substrats beeinträchtigt werden kann.Below the substrate holder 10 is a variety of heating lamps 16 for heating the substrate holder 10 or a substrate located thereon 2 intended. If the substrate holder, especially the support 12 consists of a transparent material for the radiation of the heating lamps, the substrate 2 be heated directly, if desired. If the substrate recording, however, for the heating radiation of the heating lamps 16 is not transparent, becomes a substrate 2 over a corresponding warming of the edition 12 heated to a predetermined temperature. Alternatively, it is also possible, instead of the heating lamps, a resistance heating in the region of the support 12 provided. In particular, for example, a plate could be provided which has a plurality of optionally separately controllable heating zones. For example, such a plate could suitably consist of AlN (aluminum nitride) or other suitable material that does not adversely affect the plasma processes in the process chamber. This plate could itself form the support, or be arranged closely adjacent thereto. The plate itself could be both vertically moved and rotated by a suitable mechanism to provide homogeneous heating of a substrate. Such a plate may have the advantage over heating by means of heating lamps, that the plate primarily provides heat conduction, while the heating lamps provide radiation heating, which may be affected by a occurring during the process coating of the heating lamps / or the substrate.

Das Vakuumgehäuse 3 steht in geeigneter Weise mit einer Unterdruckquelle in Verbindung, um die Prozesskammer 8 entlüften zu können. Darüber hinaus ist in dem Vakuumgehäuse 3 eine nicht näher dargestellte Schleuse zum Be- und Entladen vom Substrat 2 vorgesehen. In der oberen Wand des Vakuumgehäuses 3 ist ferner eine Öffnung 20 vorgesehen, die über ein Türelement 21 verschließbar ist. Das Türelement 21 ist innerhalb der Prozesskammer 8 verschiebbar gelagert, wie durch den Doppelpfeil C dargestellt ist. Das Türelement 21 ist in den 1 und 2 in einer geöffneten Position dargestellt, kann aber auch in eine geschlossene Position bewegt werden, um die Öffnung 20 zu schließen.The vacuum housing three is suitably connected to a source of negative pressure to the process chamber 8th be able to vent. In addition, in the vacuum housing three a lock not shown for loading and unloading from the substrate 2 intended. In the upper wall of the vacuum housing three is also an opening 20 provided by a door element 21 is closable. The door element 21 is inside the process chamber 8th slidably mounted, as shown by the double arrow C. The door element 21 is in the 1 and 2 can be displayed in an open position but also be moved to a closed position to the opening 20 close.

In einer Seitenwand des Vakuumgehäuses 3 ist eine zweite Öffnung 23 vorgesehen, die über ein entsprechendes Türelement 24 verschließbar ist. Das Türelement 24 ist in der Darstellung gemäß 1 in einer geschlossenen Position und in der Darstellung gemäß 2 in einer geöffneten Position.In a side wall of the vacuum housing three is a second opening 23 provided, which has a corresponding door element 24 is closable. The door element 24 is in the illustration according to 1 in a closed position and in the illustration according to 2 in an open position.

Die erste Mikrowellenplasmaanordnung 5 besteht aus einer rohrförmigen Mikrowellenelektrode 30, einem Mikrowellengenerator 31 zum Einspeisen von Mikrowellen in die Mikrowellenelektrode 30, einer Trag- und Bewegungseinheit 34 sowie einer Gaseinleitungseinheit 36. Die rohrförmige Mikrowellenelektrode 30 besitzt in bekannter Weise einen rohrförmigen Körper aus elektrisch leitendem Material, der eine nicht näher dargestellte Mikrowelleneinspeisungsöffnung aufweist, über die Mikrowellen vom Mikrowellengenerator 31 eingespeist werden können. Die Rohrachse der Mikrowellenelektrode, die bei D gezeigt ist, ist bezüglich der Oberfläche der Substratauflage 12 geneigt, wie in den 1 und 2 deutlich zu erkennen ist. Die Rohrachse ist dabei jedoch auf die Auflage 12, und insbesondere ein darauf befindliches Substrat gerichtet.The first microwave plasma arrangement 5 consists of a tubular microwave electrode 30 , a microwave generator 31 for feeding microwaves into the microwave electrode 30 , a carrying and moving unit 34 and a gas introduction unit 36 , The tubular microwave electrode 30 has in a known manner a tubular body of electrically conductive material having a microwave feed opening, not shown, via the microwaves from the microwave generator 31 can be fed. The tube axis of the microwave electrode shown at D is relative to the surface of the substrate support 12 inclined, as in the 1 and 2 is clearly visible. The tube axis is, however, on the edition 12 , and in particular a substrate located thereon.

Die Trag- und Bewegungseinheit 34 besitzt ein Gehäuse zum Tragen der Mikrowellenelektrode 30, des Mikrowellengenerators 31, sowie einem Teil der Gaseinleitungseinheit 36, wie nachfolgend näher erläutert wird. Das Gehäuse steht mit einem nicht näher dargestellten Bewegungsmechanismus in Verbindung, der geeignet ist das Gehäuse in einer geeigneten Weise zu bewegen, und insbesondere eine Rotation um die Rotationsachse E vorzusehen. Wie zu erkennen ist, steht die Rotationsachse E senkrecht zur Substratauflage 12 und ist bezüglich der Rohrachse D abgewinkelt. Dabei soll die Bewegung des Bewegungsmechanismus ein Überstreichen der Rohrachse D über die Substratauflage 12 bewirken, wie der Fachmann erkennen kann. Alternativ könnte aber auch die Mikrowellenplasmaanordnung 5 stationär ausgebildet sein und die Auflage 12 über einen entsprechenden Mechanismus, der über den oben genannten Hub- und/oder Drehmechanismus hinausgeht, so bewegbar sein, dass sie relativ zur Mikrowellenplasmaanordnung 5 so bewegt wird, dass die Rohrachse D die Auflage überstreicht. Dies kann beispielsweise durch eine kardanische Befestigung und Bewegung der Auflage 12 bewirkt werden oder auch einen Mechanismus, der neben einer Drehbewegung eine Seitenbewegung der Auflage 12 bewirkt.The carrying and moving unit 34 has a housing for supporting the microwave electrode 30 , the microwave generator 31 , as well as a part of the gas introduction unit 36 , as explained in more detail below. The housing communicates with a motion mechanism, not shown in detail, which is adapted to move the housing in a suitable manner, and in particular to provide a rotation about the axis of rotation E. As can be seen, the axis of rotation E is perpendicular to the substrate support 12 and is angled with respect to the tube axis D. In this case, the movement of the movement mechanism is a sweeping of the tube axis D on the substrate support 12 effect, as the skilled person can recognize. Alternatively, however, the microwave plasma arrangement could also be used 5 be formed stationary and the edition 12 be movable by a corresponding mechanism, which goes beyond the above-mentioned lifting and / or rotating mechanism, relative to the microwave plasma arrangement 5 is moved so that the tube axis D sweeps the edition. This can be achieved, for example, by a gimbal fastening and movement of the support 12 be caused or even a mechanism, in addition to a rotational movement, a lateral movement of the support 12 causes.

Die Gaseinleitungseinheit 36 besteht aus einem Außenrohr 40 und einem Innenrohr 42, die koaxial zueinander angeordnet sind. Darüber hinaus sind das Außenrohr und das Innenrohr auch koaxial zur Mikrowellenelektrode 30 ausgerichtet, so dass die Rohrachse D auch mit den jeweiligen Längsachsen des Außenrohrs 40 bzw. des Innenrohrs 42 zusammenfällt.The gas inlet unit 36 consists of an outer tube 40 and an inner tube 42 which are arranged coaxially with each other. In addition, the outer tube and the inner tube are also coaxial with the microwave electrode 30 aligned, so that the tube axis D also with the respective longitudinal axes of the outer tube 40 or the inner tube 42 coincides.

Das Innenrohr und das Außenrohr sind in geeigneter Weise mit unterschiedlichen Prozessgasen beaufschlagbar, wie nachfolgend noch näher erläutert wird.The inner tube and the outer tube can be acted upon in a suitable manner with different process gases, as will be explained in more detail below.

Zwischen der Trag- und Bewegungseinheit 34 und der oberen Wand des Vakuumgehäuses 3 ist eine flexible Abdichteinheit 44, beispielsweise in Form eines Federbalgens, vorgesehen, um auch bei geöffnetem Türelement 21 einen Unterdruck innerhalb des Prozessraums 8 erzeugen zu können.Between the carrying and moving unit 34 and the upper wall of the vacuum housing three is a flexible sealing unit 44 , For example in the form of a bellows, provided to open the door element 21 a negative pressure within the process space 8th to be able to produce.

Die zweite Mikrowellenplasmaanordnung 2 besteht im Wesentlichen aus einer stabförmigen Mikrowellenelektrode 50. Die Mikrowellenelektrode 50 ist insbesondere des Typs, wie er in der DE 10 2008 036 766 A1 beschrieben ist, deren Inhalt hier durch Bezugnahme aufgenommen ist. Insbesondere besitzt die Mikrowellenelektrode 50 einen nicht näher dargestellten Innenleiter und einen koaxial hierzu angeordneten Außenleiter, die ein Mikrowelleneinspeisungsende und ein freies Ende aufweisen. Der Außenleiter besitzt einen Rohrbereich, der den Innenleiter über einen benachbart zur Mikrowelleneinspeisungsende liegenden Teilbereich entlang seiner Längsachse vollständig umschließt, sowie einen Öffnungsbereich, der in Richtung des freien Endes des Außenleiters eine größer werdende Öffnung vorsieht. Insbesondere ist eine stetig oder auch stufig größer werdende Öffnung vorgesehen, wobei ein im Wesentlichen stetig ansteigender Wellenwiderstand (wave impedance) gebildet wird. Ferner ist insbesondere an dem freien Ende des Innenleiters eine Plasmazündvorrichtung, beispielsweise in Form eines linearen Hertzschen Oszillators vorgesehen.The second microwave plasma arrangement 2 consists essentially of a rod-shaped microwave electrode 50 , The microwave electrode 50 is in particular of the type as in the DE 10 2008 036 766 A1 is described, the contents of which are incorporated herein by reference. In particular, the microwave electrode has 50 an inner conductor, not shown, and a coaxially arranged outer conductor, which have a microwave feed end and a free end. The outer conductor has a tube region which completely surrounds the inner conductor along a partial region adjacent to the microwave feed end along its longitudinal axis, as well as an opening region which provides an enlarging opening in the direction of the free end of the outer conductor. In particular, a continuously or stepwise increasing opening is provided, wherein a substantially steadily increasing wave impedance (wave impedance) is formed. Furthermore, a plasma ignition device, for example in the form of a linear Hertzian oscillator, is provided in particular at the free end of the inner conductor.

Die Mikrowellenelektrode 50 ist von einer flexiblen Abdichteinheit umgeben, wie beispielsweise einem Faltenbalg 52. Die Mikrowellenelektrode 50 ist über einen nicht näher dargestellten Bewegungsmechanismus zwischen einer Ruheposition außerhalb des Vakuumgehäuses 3 und einer Arbeitsposition innerhalb des Vakuumgehäuses 3 bewegbar. Dabei besitzt der Faltenbalg 52 die Funktion, eine Abdichtung in der Prozesskammer 8 gegenüber der Umgebung vorzusehen, wenn die Mikrowellenelektrode 50 in die Prozesskammer 8 hinein bewegt ist, wie in 2 dargestellt ist. Dabei wird die Mikrowellenelektrode 50 über die Öffnung 23 bei geöffnetem Türelement 24 in die Prozesskammer 8 hineingeschoben. Wie in 2 zu erkennen ist, ist die Mikrowellenelektrode 50 in ihrer Arbeitsposition benachbart zur Substrataufnahme 10 bzw. einem darauf aufgenommenen Substrat 2 angeordnet, um im Bereich der Oberfläche des Substrats 2 ein hochdichtes Mikrowellenplasma erzeugen zu können.The microwave electrode 50 is surrounded by a flexible sealing unit, such as a bellows 52 , The microwave electrode 50 is via a non-illustrated movement mechanism between a rest position outside of the vacuum housing three and a working position within the vacuum housing three movable. It has the bellows 52 the function, a seal in the process chamber 8th provide to the environment when the microwave electrode 50 in the process chamber 8th is moved into, as in 2 is shown. In this case, the microwave electrode 50 over the opening 23 with the door open 24 in the process chamber 8th pushed. As in 2 can be seen, is the microwave electrode 50 in their working position adjacent to the substrate holder 10 or a substrate received thereon 2 arranged to be in the area of the surface of the substrate 2 to produce a high-density microwave plasma.

3 zeigt eine alternative Ausführungsform einer Vorrichtung 1 zum Behandeln von Substraten, wobei ähnlich wie in 1 dieselben Bezugszeichen verwendet werden, sofern gleiche oder identische Elemente vorgesehen sind. Die Vorrichtung 1 besitzt wiederum ein nur im Umriss dargestelltes Vakuumgehäuse 3, sowie erste und zweite Mikrowellenplasmaanordnungen 5 und 7. Das Vakuumgehäuse 3 definiert wiederum eine Prozesskammer 8, in der eine Substrataufnahme 10 wenigstens teilweise angeordnet ist. Die Substrataufnahme 10 besteht im Wesentlichen aus einem Endlostransportband 60, das über eine Vielzahl von Umlenk- oder Transportrollen 62 umlaufend geführt ist. Die normale Umlaufrichtung für eine Behandlung des Substrats 2 ist dabei im Uhrzeigersinn, es ist aber auch möglich, das Transportband gegen den Uhrzeigersinn umlaufend zu bewegen. Dabei ist ein umliegendes Transporttrum des Transportbandes 60 derart angeordnet, dass es sich geradlinig durch die Prozesskammer 8 hindurcherstreckt. Somit wird ein Substrat 2 von links nach rechts durch die Prozesskammer 8 hindurchbewegt. Die Rückführung des Transportbandes 60 erfolgt außerhalb der Prozesskammer 8, um dort beispielsweise Kühl- oder Reinigungsprozesse an dem Transportband vornehmen zu können. Das Transportband 60 besteht aus einem für elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen transparenten Material. Das Transportband 60 sollte möglichst vollständig innerhalb des Vakuumbereichs angeordnet sein, kann aber auch bei einer geeigneten Anordnung wenigstens teilweise außerhalb des Vakuumbereichs liegen. Statt eines Transportbandes 60 kann die Substrataufnahme 10 auch einen anderen Transportmechanismus, wie beispielsweise Transportrollen oder auch eine Magnet- und/oder Luftkissenführung vorsehen. Insbesondere ist auch ein Transportmechanismus denkbar, der neben einer Linear- oder Schwingbewegung durch die Prozesskammer 8 hindurch einen Rotations- und/oder auch eine Hubbewegung durchführen kann. three shows an alternative embodiment of a device 1 for treating substrates, similar to 1 the same reference numerals are used, provided identical or identical elements are provided. The device 1 again has a vacuum housing shown only in outline three , and first and second microwave plasma arrays 5 and 7 , The vacuum housing three in turn defines a process chamber 8th in which a substrate holder 10 at least partially arranged. The substrate holder 10 consists essentially of an endless conveyor belt 60 that has a variety of deflection or transport rollers 62 is guided circumferentially. The normal direction of circulation for a treatment of the substrate 2 is clockwise, but it is also possible to move the conveyor belt in a counterclockwise direction. Here is a surrounding Transporttrum the conveyor belt 60 arranged so that it is rectilinear through the process chamber 8th extends. Thus, a substrate becomes 2 from left to right through the process chamber 8th moved through. The return of the conveyor belt 60 takes place outside the process chamber 8th in order to be able to carry out, for example, cooling or cleaning processes on the conveyor belt there. The conveyor belt 60 consists of a material substantially transparent to electromagnetic radiation. The conveyor belt 60 should be arranged as completely as possible within the vacuum region, but may also be at least partially outside the vacuum range even with a suitable arrangement. Instead of a conveyor belt 60 can be the substrate uptake 10 also provide another transport mechanism, such as transport rollers or a magnetic and / or air cushion guide. In particular, a transport mechanism is conceivable, in addition to a linear or oscillatory movement through the process chamber 8th through a rotational and / or a stroke can perform.

Das Vakuumgehäuse 3 weist wiederum eine Öffnung 20 auf, die über ein Türelement 21 verschließbar ist.The vacuum housing three again has an opening 20 on that over a door element 21 is closable.

Benachbart zu der Öffnung 20 ist wiederum die erste Mikrowellenplasmaanordnung 5 vorgesehen, die im Wesentlichen in der gleichen Art und Weise aufgebaut sein kann, wie die erste Mikrowellenplasmaanordnung 5 gemäß der 1 und 2.Adjacent to the opening 20 is again the first microwave plasma arrangement 5 provided, which may be constructed in substantially the same manner as the first microwave plasma arrangement 5 according to the 1 and 2 ,

Innerhalb der Prozesskammer 8 sind wiederum Heizlampen 16 zum Erwärmen eines auf der Substrataufnahme 10 aufgenommenen Substrats 2 vorgesehen. Ferner sind zwei Pyrometer 70 zur Temperaturerfassung dargestellt. Anstelle der Heizlampen 16 können auch bei dieser Ausführungsform andere Heizeinrichtungen verwendet werden, wie zum Beispiel ein Widerstandsheizer, der im Transportband 60 selbst integriert ist, oder ein Widerstandsheizer der zum Beispiel eng beabstandet unterhalb des oberen Trums des Transportbandes 60 angeordnet sein kann.Within the process chamber 8th are again heating lamps 16 for heating one on the substrate holder 10 recorded substrate 2 intended. There are also two pyrometers 70 shown for temperature detection. Instead of the heating lamps 16 Also in this embodiment, other heating means may be used, such as a resistance heater, in the conveyor belt 60 itself integrated, or a resistance heater, for example closely spaced below the upper run of the conveyor belt 60 can be arranged.

Die zweite Mikrowellenplasmaanordnung 7 ist bei der Ausführungsform gemäß 3 als eine stationäre Mikrowellenplasmaanordnung 7 vorgesehen, und besteht aus einer Vielzahl von Mikrowellenelektroden 50, die des zuvor beschriebenen Typs sein können. Die Mikrowellenelektroden 50 erstrecken sich jeweils quer über einen Transportweg des Transportbandes 60 hinweg, und sind geeignet oberhalb dieses Transportweges ein hochdichtes Mikrowellenplasma zu erzeugen. Wie in 3 zu erkennen ist, besitzt das Vakuumgehäuse im Bereich der zweiten Mikrowellenplasmaanordnung 7 einen schrägen oberen Wandabschnitt, um eine schräge und eine ebene Anordnung der Mikrowellenelektroden 50 vorsehen zu können. Insbesondere sind die Mikrowellenelektroden 50 derart angeordnet, dass sie von einem Eingangsbereich des Vakuumgeäuses 3 her weiter von der Substrataufnahme 10 beabstandet sind und zum Inneren des Vakuumgehäuses 3 dann immer näher an die Substrataufnahme 10 heran angeordnet sind. Hierdurch ergibt sich eine schräge Anordnung aus hier 4 Mikrowellenelektroden, wobei natürlich auch eine andere Anzahl von schräg angeordneten Mikrowellenelektroden 50 vorgesehen sein kann. Ab der vierten Mikrowellenelektrode wird die Anordnung dann flach, d. h. sie sind im gleichen Abstand zur Substrataufnahme angeordnet. Obwohl in der Figur sowohl eine schräge und eine hierzu angrenzende flache Anordnung der Mikrowellenelektroden vorgesehen ist, kann auch nur eine schräge oder nur eine flache Anordnung vorgesehen sein.The second microwave plasma arrangement 7 is in the embodiment according to three as a stationary microwave plasma assembly 7 provided, and consists of a plurality of microwave electrodes 50 , which may be of the type described above. The microwave electrodes 50 each extend across a transport path of the conveyor belt 60 and are capable of generating a high density microwave plasma above this transport path. As in three can be seen, has the vacuum housing in the region of the second microwave plasma arrangement 7 an oblique upper wall portion to an oblique and a planar arrangement of the microwave electrodes 50 to be able to provide. In particular, the microwave electrodes 50 arranged so as to be from an entrance area of the vacuum casing three forth from the substrate holder 10 are spaced and the interior of the vacuum housing three then closer to the substrate holder 10 are arranged close. This results in an oblique arrangement of 4 microwave electrodes here, whereby, of course, a different number of obliquely arranged microwave electrodes 50 can be provided. From the fourth microwave electrode, the arrangement is then flat, ie they are arranged at the same distance from the substrate holder. Although both an oblique and an adjacent flat arrangement of the microwave electrodes is provided in the figure, only an oblique or only a flat arrangement may be provided.

In der Prozesskammer 8 ist ferner eine Trennwand 72 vorgesehen, welche die Einwirkungsbereiche der ersten und zweiten Mikrowellenplasmaanordnungen voneinander trennt. Hierbei ist keine vollständige Trennung vorgesehen, da die Behandlungsbereiche innerhalb desselben Vakuumgehäuses 3 vorgesehen sind. Jedoch kann durch die Trennwand 72 eine gewisse Trennung der jeweiligen Prozessbereiche erreicht werden.In the process chamber 8th is also a partition 72 which separates the areas of action of the first and second microwave plasma arrays from each other. In this case, no complete separation is provided because the treatment areas within the same vacuum housing three are provided. However, through the partition wall 72 a certain separation of the respective process areas are achieved.

Der Betrieb der Vorrichtung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die 4a bis 4c näher näher erläutert.The operation of the device will be described below with reference to FIGS 4a to 4c explained in more detail.

Die in den 4a bis c dargestellte Vorrichtung 1 ist im Wesentlichen in derselben Art und Weise aufgebaut, wie die Vorrichtung 1 gemäß den 1 und 2, wobei jedoch noch eine zusätzliche Vakuumlüftungsöffnung 75 dargestellt ist, sowie ein Vakuumentlüftungspfeil F.The in the 4a to c shown device 1 is constructed in substantially the same way as the device 1 according to the 1 and 2 but with an additional vacuum vent 75 is shown, as well as a vacuum ventilation arrow F.

4a zeigt die Mikrowellenelektrode 50, wie sie in die Prozesskammer 8 hinein bewegt ist, und sich oberhalb eines auf der Substrataufnahme 10 befindlichen Substrats 2 befindet. Die Öffnung 23 in der Vakuumkammer 3 ist geöffnet, und die Prozesskammer 8 ist gegenüber der Umgebung durch den Faltenbalg 52 abgedichtet. In gleicher Weise ist auch die Öffnung 20 in dem Vakuumgehäuse 3 geöffnet, und die Prozesskammer 8 ist über die Abdichteinheit 44 zur Umgebung hin abgedichtet. 4a shows the microwave electrode 50 as they enter the process chamber 8th is moved in, and above one on the substrate holder 10 located substrate 2 located. The opening 23 in the vacuum chamber three is open, and the process chamber 8th is opposite the environment through the bellows 52 sealed. In the same way is the opening 20 in the vacuum housing three opened, and the process chamber 8th is about the sealing unit 44 sealed to the environment.

Die rohrförmige Mikrowellenelektrode 30 wird mit Mikrowellen beaufschlagt und es wird ein Plasma innerhalb der Mikrowellenelektrode 30 gebildet. Durch dieses Plasma wird über die Gaseinleitungseinheit 36, und zwar insbesondere über das Außenrohr 40 ein Strahl eines Wasserstoff- und/oder Deuterium enthaltenden Gases durch das Plasma hindurchgeleitet, um einen Strahl 82 aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen zu erzeugen, der auf das Substrat 2 gerichtet ist. Der Strahl 82 wird durch eine entsprechende Bewegung der Mikrowellenelektrode 30 über das Substrat hinweg gestrichen, um dieses zu reinigen und/oder mit Wasserstoff und/oder Deuterium zu passivieren. Der Strahl kann auch über Teile der Prozesskammer hinweg streichen, um diese zu reinigen.The tubular microwave electrode 30 is applied with microwaves and it becomes a plasma within the microwave electrode 30 educated. Through this plasma is via the gas inlet unit 36 , in particular on the outer tube 40 a jet of hydrogen and / or deuterium-containing gas passed through the plasma to form a jet 82 from hydrogen and / or deuterium radicals that are generated on the substrate 2 is directed. The beam 82 is due to a corresponding movement of the microwave electrode 30 painted over the substrate to purify it and / or to passivate it with hydrogen and / or deuterium. The jet may also sweep over portions of the process chamber to clean them.

Gleichzeitig oder auch anschließend wird durch die Mikrowellenelektrode 50 ein hochdichtes Wasserstoff- und/oder Deuteriumplasma 84 oberhalb des Substrats 2 erzeugt. Dieses dient dazu, Oxide auf der Oberfläche des Substrats 2 zu entfernen.At the same time or subsequently by the microwave electrode 50 a high density hydrogen and / or deuterium plasma 84 above the substrate 2 generated. This serves to oxides on the surface of the substrate 2 to remove.

Anschließend wird die Mikrowellenelektrode 50 in die Ruheposition verfahren, wie in 4b zu erkennen ist, und die Öffnung 23 in der Seitenwand des Vakuumgehäuses 3 wird durch das Türelement 24 verschlossen. (Bei der Ausführungsform gemäß 3 würde das Wasserstoff- und/oder Deuteriumplasma im Bereich der Mikrowellenelektroden 50 erzeugt, unter denen ein Substrat hindurch geführt wird, bevor es in den Bereich der durch die Mikrowellenelektrode 30 erzeugten Radikalenstrahlen gelangt). Währenddessen oder auch anschließend kann die Prozesskammer mit einen Spülgas, wie zum Beispiel Wasserstoff und/oder Deuterium gespült werden.Subsequently, the microwave electrode 50 moved to the rest position, as in 4b to recognize, and the opening 23 in the side wall of the vacuum housing three is through the door element 24 locked. (In the embodiment according to three would the hydrogen and / or deuterium plasma in the range of microwave electrodes 50 under which a substrate is passed through before it enters the area through the microwave electrode 30 generated radical rays passes). Meanwhile or subsequently, the process chamber may be purged with a purge gas, such as hydrogen and / or deuterium.

In der Mikrowellenelektrode 30 wird weiterhin ein Mikrowellenplasma erzeugt, und es wird über das Außenrohr 40 ein Strom eines Wasserstoff und/oder Deuterium enthaltenden Gases durch das Plasma durchgeleitet, um weiterhin einen Strahl 82 aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen auf das Substrat 2 zu richten. Gleichzeitig wird über das Innenrohr 42 eine Prekursorgasströmung durch das Plasma hindurchgeleitet, beispielsweise aus einem Prekursorgas wie SiH4, GeH4, PH3, B2H6, AsH3. Hinter dem Plasma wird somit ein Strahl 86 aus Prekursorgasen gebildet, der von dem Strahl 82 aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen umgeben ist. Gemeinsam bilden diese beiden Strahlen einen Gesamtprozessstrahl, der durch entsprechende Bewegung der Trag- und Bewegungseinheit 34 über das Substrat gestrichen wird. Hierdurch wird ein epitaktischer Schichtaufbau auf dem Substrat 2 ermöglicht. Das Substrat 2 kann während dieses und des vorhergehenden Prozessschrittes auf eine gewünschte Temperatur, beispielsweise im Bereich von 400°C erhitzt sein.In the microwave electrode 30 continues to produce a microwave plasma, and it is on the outer tube 40 passing a stream of hydrogen and / or deuterium-containing gas through the plasma to further form a jet 82 from hydrogen and / or deuterium radicals on the substrate 2 to judge. At the same time, over the inner tube 42 a Prekursorgasströmung passed through the plasma, for example, from a Prekursorgas such as SiH 4 , GeH 4 , PH 3 , B 2 H 6 , AsH 3 . Behind the plasma is thus a ray 86 formed from precursor gases, that of the beam 82 is surrounded by hydrogen and / or deuterium radicals. Together, these two beams form a total process beam, which is created by appropriate movement of the support and movement unit 34 is painted over the substrate. This results in an epitaxial layer structure on the substrate 2 allows. The substrate 2 may be heated to a desired temperature, for example in the range of 400 ° C during this and the previous process step.

Anschließend wird das so beschichtete Substrat aus der Prozesskammer 8 entnommen.Subsequently, the thus coated substrate from the process chamber 8th taken.

4c zeigt einen Reinigungsschritt, der nach bzw. vor einem zuvor beschriebenen Abscheidungsprozess durchgeführt werden kann, gegebenenfalls gefolgt von einer Spülung der Prozesskammer mit Wasserstoff oder Deuterium. Bei der Reinigung wird wiederum in der Mikrowellenelektrode 30 ein Mikrowellenplasma erzeugt. Durch dieses Mikrowellenplasma wird ein Strahl eines Fluor enthaltenden Gases, wie beispielweise NF3 hindurchgeleitet, um einen Strahl 88 aus Fluorradikalen zu erzeugen, der auf die Substrataufnahme 10 gerichtet ist. Der Strahl 88 kann durch eine entsprechende Bewegung der Trag- und Bewegungseinheit 34 über die Substrataufnahme und zu reinigende Bereiche der Prozesskammer 8 gestrichen werden. 4c FIG. 12 shows a cleaning step that may be performed after a previously described deposition process, optionally followed by a purge of the process chamber with hydrogen or deuterium. When cleaning is again in the microwave electrode 30 generates a microwave plasma. Through this microwave plasma, a jet of fluorine-containing gas, such as NF 3 , is passed around a beam 88 to generate from fluorine radicals, which on the substrate uptake 10 is directed. The beam 88 can by a corresponding movement of the support and movement unit 34 via the substrate holder and areas of the process chamber to be cleaned 8th be deleted.

Hierdurch kann eine Reinigung der Substrataufnahme und der Prozesskammer 8 ermöglicht werden.This allows a cleaning of the substrate holder and the process chamber 8th be enabled.

Während der ganzen Zeit wird über die nicht näher dargestellte Unterdruckquelle die Gasatmosphäre innerhalb der Prozesskammer 8 abgesaugt, wie durch den Pfeil F dargestellt.During the entire time, the gas atmosphere is within the process chamber via the vacuum source, not shown 8th sucked off, as shown by the arrow F.

Nach einer solchen Behandlung mit einem Strahl 88 aus Fluorradikalen, kann anschließend nochmals ein Strahl 82 aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen erzeugt und über die Substrataufnahme 10 und Teilbereiche der Prozesskammer 8 geleitet werden, um diese zu konditionieren.After such treatment with a beam 88 from fluorine radicals, can then again a beam 82 generated from hydrogen and / or deuterium radicals and the substrate uptake 10 and sections of the process chamber 8th be routed to condition it.

Die Erfindung wurde zuvor anhand bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung beschrieben, ohne auf die konkret dargestellten Ausführungsformen beschränkt zu sein.The invention has been described above with reference to preferred embodiments of the invention, without being limited to the specific embodiments shown.

Claims (21)

Vorrichtung (1) zum Behandeln von Substraten (2), die folgendes aufweist: ein Gehäuse (3), das eine Prozesskammer (8) umgibt; wenigstens eine Substrataufnahme (10) in dem Gehäuse (3); eine rohrförmige, erste Mikrowellenelektrode (30) zum Erzeugen eines Plasmas, wobei eine Rohrachse der ersten Mikrowellenelektrode (30) auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; eine Bewegungseinheit, welche die erste Mikrowellenelektrode (30) trägt und geeignet, ist die erste Mikrowellenelektrode (30) so zu bewegen, dass die Rohrachse die Substrataufnahme (10) überstreicht; eine erste Gasführung (42) mit einem ersten Auslass, der sich in die erste Mikrowellenelektrode (30) öffnet und auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; eine zweite Gasführung (40), die die erste Gasführung (42) wenigstens teilweise umgibt und einen zweiten Auslass aufweist, der koaxial zum ersten Auslass ausgerichtet ist, wobei die erste und zweite Gasführung (42, 40) mit der Bewegungseinheit verbunden sind, um gemeinsam mit der ersten Mikrowellenelektrode (30) bewegt zu werden, und wobei die erste und zweite Gasführung (42, 40) mit unterschiedlichen Gasquellen verbindbar sind; und wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50), wobei die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) und/oder die Substrataufnahme (10) bewegbar sind, um ein auf der Substrataufnahme (10) befindliches Substrat (2) in einem Wirkbereich der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode (50) oder außerhalb des Wirkbereichs anzuordnen.Contraption ( 1 ) for treating substrates ( 2 ) comprising: a housing ( three ), which has a process chamber ( 8th ) surrounds; at least one substrate receptacle ( 10 ) in the housing ( three ); a tubular, first microwave electrode ( 30 ) for generating a plasma, wherein a tube axis of the first microwave electrode ( 30 ) on the substrate receptacle ( 10 ) is directed; a movement unit which the first microwave electrode ( 30 ) and suitable, the first microwave electrode ( 30 ) so that the tube axis the substrate receiving ( 10 ) passes over; a first gas guide ( 42 ) having a first outlet extending into the first microwave electrode ( 30 ) opens and onto the substrate holder ( 10 ) is directed; a second gas guide ( 40 ), which is the first gas guide ( 42 ) at least partially surrounds and has a second outlet which is aligned coaxially with the first outlet, wherein the first and second gas guide ( 42 . 40 ) are connected to the movement unit in order, together with the first microwave electrode ( 30 ) and wherein the first and second gas guides ( 42 . 40 ) are connectable to different gas sources; and at least one second microwave electrode ( 50 ), wherein the at least one second microwave electrode ( 50 ) and / or the substrate receptacle ( 10 ) are movable to one on the substrate receptacle ( 10 ) substrate ( 2 ) in an effective range of the at least one second microwave electrode ( 50 ) or outside the effective range. Vorrichtung (1) zum Behandeln von Substraten (2), die folgendes aufweist: ein Gehäuse (3), das eine Prozesskammer (8) umgibt; wenigstens eine Substrataufnahme (10) in dem Gehäuse (3); eine rohrförmige, erste Mikrowellenelektrode (30) zum Erzeugen eines Plasmas, wobei eine Rohrachse der ersten Mikrowellenelektrode (30) auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; eine Bewegungseinheit, welche die Substrataufnahme (10) trägt und geeignet ist, die Substrataufnahme (10) so zu bewegen, dass die Rohrachse der ersten Mikrowellenelektrode (30) die Substrataufnahme (10) überstreicht; eine erste Gasführung (42) mit einem ersten Auslass, der sich in die erste Mikrowellenelektrode öffnet und auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist; und eine zweite Gasführung (40), die die erste Gasführung (42) wenigstens teilweise umgibt und einen zweiten Auslass aufweist, der koaxial zum ersten Auslass ausgerichtet ist, wobei die erste und zweite Gasführung (42, 40) mit unterschiedlichen Gasquellen verbindbar sind; und wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50), wobei die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) und/oder die Substrataufnahme (10) bewegbar sind, um ein auf der Substrataufnahme (10) befindliches Substrat (2) in einem Wirkbereich der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode (50) oder außerhalb des Wirkbereichs anzuordnen.Contraption ( 1 ) for treating substrates ( 2 ) comprising: a housing ( three ), which has a process chamber ( 8th ) surrounds; at least one substrate receptacle ( 10 ) in the housing ( three ); a tubular, first microwave electrode ( 30 ) for generating a plasma, wherein a tube axis of the first microwave electrode ( 30 ) on the substrate receptacle ( 10 ) is directed; a movement unit which holds the substrate ( 10 ) and is suitable, the substrate receptacle ( 10 ) so that the tube axis of the first microwave electrode ( 30 ) the substrate receptacle ( 10 ) passes over; a first gas guide ( 42 ) with a first outlet which opens into the first microwave electrode and onto the substrate receiver ( 10 ) is directed; and a second gas guide ( 40 ), which is the first gas guide ( 42 ) at least partially surrounds and has a second outlet which is aligned coaxially with the first outlet, wherein the first and second gas guide ( 42 . 40 ) are connectable to different gas sources; and at least one second microwave electrode ( 50 ), wherein the at least one second microwave electrode ( 50 ) and / or the substrate receptacle ( 10 ) are movable to one on the substrate receptacle ( 10 ) substrate ( 2 ) in an effective range of the at least one second microwave electrode ( 50 ) or outside the effective range. Vorrichtung (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (3) eine Durchgangsöffnung (20) in einer Gehäusewand aufweist, dass die erste (30) Mikrowellenelektrode derart außerhalb des Gehäuses (3) angeordnet ist, dass die Rohrachse durch die Durchgangsöffnung (20) hindurch auf die Substrataufnahme (10) gerichtet ist und dass eine Balgeneinheit (44), insbesondere in der Form eines Federbalgs, vorgesehen ist, die sich zwischen der Gehäusewand und der ersten Mikrowellenelektrode (30) oder gegebenenfalls der die erste Mikrowellenelektrode (30) tragenden Bewegungseinheit erstreckt, um die Prozesskammer (8) gegenüber der Umgebung abzudichten.Contraption ( 1 ) according to claim 1 or 2, characterized in that the housing ( three ) a passage opening ( 20 ) in a housing wall, that the first ( 30 ) Microwave electrode so outside of the housing ( three ) is arranged, that the tube axis through the passage opening ( 20 ) through to the substrate receptacle ( 10 ) and that a bellows unit ( 44 ), in particular in the form of a bellows, which is located between the housing wall and the first microwave electrode ( 30 ) or optionally the first microwave electrode ( 30 ) carrying the movement unit to the process chamber ( 8th ) to seal against the environment. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) zwischen einer Einsatzposition oberhalb der Substrataufnahme (10) und einer Ruheposition beabstandet zur Substrataufnahme (10) bewegbar ist.Contraption ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the at least one second microwave electrode ( 50 ) between an insertion position above the substrate receptacle ( 10 ) and a rest position spaced from the substrate receiving ( 10 ) is movable. Vorrichtung (1) nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch Mittel (24) zum Isolieren der zweiten Mikrowellenelektrode (50) gegenüber einer Prozessgasatmosphäre in der Prozesskammer (8), wenn sie sich in der Ruheposition befindet.Contraption ( 1 ) according to claim 4, characterized by means ( 24 ) for isolating the second microwave electrode ( 50 ) with respect to a process gas atmosphere in the process chamber ( 8th ) when it is in the rest position. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Substrataufnahme (10) und/oder die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) und die erste Mikrowellenelektrode (30) bewegbar ist/sind, um ein auf der Substrataufnahme (10) befindliches Substrat (2) aus einem Wirkbereich der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode (50) in einen Wirkbereich der ersten Mikrowellenelektrode (30) zu bewegen.Contraption ( 1 ) according to one of claims 1 to 3, wherein the substrate receptacle ( 10 ) and / or the at least one second microwave electrode ( 50 ) and the first microwave electrode ( 30 ) is / are movable to a on the substrate receptacle ( 10 ) substrate ( 2 ) from an effective range of the at least one second microwave electrode ( 50 ) into an effective range of the first microwave electrode ( 30 ) to move. Vorrichtung (1) nach Anspruch 6, wobei die Substrataufnahme (10) bewegbar ist, um ein darauf befindliches Substrat (2) unter der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode (50) hindurch in den Wirkbereich der ersten Mikrowellenelektrode (30) zu bewegen.Contraption ( 1 ) according to claim 6, wherein the substrate receptacle ( 10 ) is movable around a substrate ( 2 ) under the at least one second microwave electrode ( 50 ) into the effective range of the first microwave electrode ( 30 ) to move. Vorrichtung (1) nach Anspruch 6 oder 7, wobei die Substrataufnahme (10) linear bewegbar ist.Contraption ( 1 ) according to claim 6 or 7, wherein the substrate receptacle ( 10 ) is linearly movable. Vorrichtung (1) nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von zweiten Mikrowellenelektroden (50) vorgesehen ist, die wenigstens teilweise mit unterschiedlichen Abständen, insbesondere in Bewegungsrichtung der Substrataufnahme (10) kleiner werden Abständen zur Substrataufnahme (10) angeordnet sind.Contraption ( 1 ) according to claim 7 or 8, characterized in that a plurality of second microwave electrodes ( 50 ) is provided which at least partially with different distances, in particular in the direction of movement of the substrate receiving ( 10 ) become smaller distances to the substrate intake ( 10 ) are arranged. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) eine stabförmige Mikrowellenelektrode (50) ist, mit einem Innenleiter und einem koaxial hierzu angeordneten Außenleiter, die eine Mikrowelleneinspeisungsende und ein freies Ende aufweisen, wobei der Außenleiter einen Rohrbereich, der den Innenleiter über einen benachbart zum Mikrowelleneinspeisungsende liegenden Teilbereich entlang seiner Längsachse vollständig umschließt, sowie einen Öffnungsbereich aufweist, der in Richtung des freien Endes des Außenleiters eine größer werdende Öffnung vorsieht.Contraption ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one second microwave electrode ( 50 ) a rod-shaped microwave electrode ( 50 ), with an inner conductor and an outer conductor arranged coaxially therewith, which have a microwave feed end and a free end, wherein the outer conductor has a tube region which extends over the inner conductor a partial area adjacent to the microwave feed end completely encloses along its longitudinal axis, and has an opening area, which provides an opening which becomes larger in the direction of the free end of the outer conductor. Vorrichtung (1) nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine stetig und/oder stufig größer werdende Öffnung im Öffnungsbereich des Außenleiters.Contraption ( 1 ) according to claim 10, characterized by a steadily and / or stepwise increasing opening in the opening region of the outer conductor. Vorrichtung (1) nach Anspruch 10 oder 11, gekennzeichnet durch eine Plasmazündvorrichtung, insbesondere einen linearen Hertzschen Oszillator für die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50).Contraption ( 1 ) according to claim 10 or 11, characterized by a plasma ignition device, in particular a linear Hertzian oscillator for the at least one second microwave electrode ( 50 ). Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zum Verändern eines Abstandes zwischen der Substrataufnahme und der ersten Mikrowellenelektrode (30) und/oder der wenigstens einen zweiten Mikrowellenelektrode (50).Contraption ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized by a device for changing a distance between the substrate receptacle and the first microwave electrode ( 30 ) and / or the at least one second microwave electrode ( 50 ). Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens einen Hub-, Linear-, Schwenk- und/oder Drehbewegungsmechanismus für die Substrataufnahme (10), die erste Mikrowellenelektrode (30) und/oder die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50).Contraption ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized by at least one lifting, linear, pivoting and / or rotational movement mechanism for the substrate receiving ( 10 ), the first microwave electrode ( 30 ) and / or the at least one second microwave electrode ( 50 ). Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegungseinheit die erste Mikrowellenelektrode (30) und/oder die Substrataufnahme (10) kardanisch lagert.Contraption ( 1 ) according to any one of the preceding claims, characterized in that the movement unit comprises the first microwave electrode ( 30 ) and / or the substrate receptacle ( 10 ) gimbaled. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine zweite Mikrowellenelektrode (50) einen stabförmigen Innenleiter aufweist, der wenigstens teilweise radial von einem Außenleiter umgeben ist, der eine Öffnung zum Auskoppeln von Mikrowellen aufweist, die sich über wenigstens die gesamte Breite oder den Durchmesser eines zu behandelnden Substrats (2) erstreckt.Contraption ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one second microwave electrode ( 50 ) has a rod-shaped inner conductor which is at least partially radially surrounded by an outer conductor having an opening for coupling out microwaves extending over at least the entire width or the diameter of a substrate to be treated ( 2 ). Verfahren zum Behandeln von Substraten (2), mit folgenden Schritten: Leiten eines Strahls eines Wasserstoff- und/oder Deuterium enthaltenden Gases durch ein erstes, von einer ersten Mikrowellenelektrode (30) erzeugtes Mikrowellenplasma, das vom zu behandelnden Substrat beabstandet ist, um einen Strahl (82) aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen zu bilden, wobei der Strahl (82) aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen auf das zu behandelnde Substrat (2) gerichtet ist; Leiten eines Strahls (86) aus Prekursorgasen durch das erste Mikrowellenplasma derart, dass der Strahl (86) aus Prekursorgasen von dem Strahl (82) aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen umgeben ist, und sie einen gemeinsamen Prozessstrahl bilden, der auf das zu behandelnde Substrat (2) gerichtet ist, Überstreichen des Prozessstrahls über das zu behandelnde Substrat (2) zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf dem Substrat (2), wobei das Überstreichen durch eine entsprechende Bewegung der ersten Mikrowellenelektrode (30) und von Gaseinleitungsdüsen für das Wasserstoff- und/oder Deuterium enthaltende Gas und die Prekursorgase bewirkt wird, Erzeugen eines zweiten Mikrowellenplasma mittels wenigstens einer zweiten Mikrowellenelektrode (50) benachbart zum zu behandelnden Substrat (2), um Oxid von der Substratoberfläche zu entfernen, und zwar vor dem Leiten von Prekursorgasen durch das erste Mikrowellenplasma.Process for treating substrates ( 2 ), comprising the following steps: passing a jet of hydrogen and / or deuterium-containing gas through a first, from a first microwave electrode ( 30 ) generated microwave plasma, which is spaced from the substrate to be treated to a beam ( 82 ) from hydrogen and / or deuterium radicals, the jet ( 82 ) of hydrogen and / or deuterium radicals on the substrate to be treated ( 2 ) is directed; Passing a beam ( 86 ) from precursor gases through the first microwave plasma such that the beam ( 86 ) from precursor gases from the jet ( 82 ) is surrounded by hydrogen and / or deuterium radicals, and they form a common process beam which is incident on the substrate to be treated ( 2 ), sweeping the process beam over the substrate to be treated ( 2 ) for depositing an epitaxial layer on the substrate ( 2 ), wherein the sweeping by a corresponding movement of the first microwave electrode ( 30 ) and gas inlet nozzles for the hydrogen and / or deuterium-containing gas and the Prekursorgase is effected, generating a second microwave plasma by means of at least one second microwave electrode ( 50 ) adjacent to the substrate to be treated ( 2 ) to remove oxide from the substrate surface prior to passing precursor gases through the first microwave plasma. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Leiten von Prekursorgasen durch das erste Mikrowellenplasma nur der Strahl (82) aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen über das zu behandelnde Substrat (2) bewegt wird, um es zu reinigen.A method according to claim 17, characterized in that prior to passing precursor gases through the first microwave plasma only the beam ( 82 ) of hydrogen and / or deuterium radicals over the substrate to be treated ( 2 ) is moved to clean it. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahl (82) aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen über das zu behandelnde Substrat (2) bewegt wird nachdem das zweite Mikrowellenplasma benachbart zum zu behandelnden Substrat (2) erzeugt wurde.Method according to claim 18, characterized in that the beam ( 82 ) of hydrogen and / or deuterium radicals over the substrate to be treated ( 2 ) is moved after the second microwave plasma adjacent to the substrate to be treated ( 2 ) was generated. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei das Verfahren in einer Prozesskammer durchgeführt wird, und zum Reinigen der Prozesskammer (8) ferner folgende Schritte aufweist: Leiten eines Strahls (88) eines Fluor enthaltenden Gases, insbesondere NF3-Gas, durch ein NF3-Gas durch ein von einer ersten Mikrowellenelektrode (30) erzeugtes Mikrowellenplasma, um einen Strahl aus Fluorradikalen zu bilden, wobei der Strahl aus Fluorradikalen in die zu reinigende Prozesskammer (8) gerichtet ist; Überstreichen des Stahls (88) aus Fluorradikalen über zu reinigende Bereiche der Prozesskammer (8), wobei das Überstreichen durch eine entsprechende Bewegung der ersten Mikrowellenelektrode (30) und von Gaseinleitungsdüsen für das Fluor enthaltende Gas bewirkt wird.Method according to one of claims 17 to 19, wherein the method is carried out in a process chamber, and for cleaning the process chamber ( 8th ) further comprises the steps of: directing a beam ( 88 ) of a fluorine-containing gas, in particular NF 3 gas, by a NF 3 gas by a first microwave electrode ( 30 ) to form a beam of fluorine radicals, wherein the beam of fluorine radicals in the process chamber to be cleaned ( 8th ) is directed; Painting the steel ( 88 ) from fluorine radicals over to be cleaned areas of the process chamber ( 8th ), wherein the sweeping by a corresponding movement of the first microwave electrode ( 30 ) and gas introduction nozzles for the fluorine-containing gas is effected. Verfahren nach Anspruch 20, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte, die dem Überstreichen des Stahls (88) aus Fluorradikalen über zu reinigende Bereiche der Prozesskammer (8) folgen: Leiten eines Strahls aus Wasserstoffatomen/-molekülen durch das Mikrowellenplasma, um einen Strahl (82) aus Wasserstoffradikalen zu bilden, wobei der Strahl (82) aus Wasserstoffradikalen in die Prozesskammer (8) gerichtet ist; Überstreichen des Stahls (82) aus Wasserstoffradikalen über zu reinigende Bereiche der Prozesskammer (8), wobei das Überstreichen durch eine entsprechende Bewegung der ersten Mikrowellenelektrode (30) und von Gaseinleitungsdüsen für den Strahl aus Wasserstoffatomen/molekülen bewirkt wird.Process according to Claim 20, characterized by the following steps, which are used to coat the steel ( 88 ) from fluorine radicals over to be cleaned areas of the process chamber ( 8th ): passing a beam of hydrogen atoms / molecules through the microwave plasma to form a beam ( 82 ) from hydrogen radicals, the jet ( 82 ) from hydrogen radicals into the process chamber ( 8th ) is directed; Painting the steel ( 82 ) from hydrogen radicals over to be cleaned areas of the process chamber ( 8th ), wherein the sweeping by a corresponding movement of the first microwave electrode ( 30 ) and gas introduction nozzles for the beam of hydrogen atoms / molecules is effected.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012002129A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Hq-Dielectrics Gmbh Method for exposing set of plated-through holes in silicon substrate, involves controlling removal rate of semiconductor material in portion of side of substrate by gas flow, where removal rate is produced by gas flow
US20200321186A1 (en) * 2019-04-02 2020-10-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for angled etching

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710054A1 (en) * 1994-10-26 1996-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma torch and method for generating plasma
DE19925790A1 (en) * 1999-06-05 2000-12-07 Inst Oberflaechenmodifizierung High rate processing of material surfaces especially in optical applications, microelectronics or in microsystems comprises using a plasma beam source
DE19958474A1 (en) * 1999-12-04 2001-06-21 Bosch Gmbh Robert Process for producing functional layers with a plasma beam source
JP2003218099A (en) * 2002-01-21 2003-07-31 Sekisui Chem Co Ltd Method and system for discharge plasma processing
US20040011466A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
DE102006002758A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-19 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Selective removal process for silicium contamination involves directing cold plasma jet containing fluorine onto surface being cleaned
DE102007046214A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-09 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Plasma treatment device for microcomponent, has nozzle contact unit in effective connection with plasma jet such that upper part of unit is arranged directly at counter electrode and lower part is formed by container that is opened upwards
DE112007002218T5 (en) * 2006-09-29 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd. Steaming apparatus and method for its operation
DE102008036766A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Alexander Dr. Gschwandtner Apparatus and method for generating dielectric layers in microwave plasma

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4883686A (en) * 1988-05-26 1989-11-28 Energy Conversion Devices, Inc. Method for the high rate plasma deposition of high quality material
US6029602A (en) * 1997-04-22 2000-02-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for efficient and compact remote microwave plasma generation
US20040173316A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Carr Jeffrey W. Apparatus and method using a microwave source for reactive atom plasma processing
JP4489680B2 (en) * 2005-10-03 2010-06-23 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー Microwave plasma generation method and apparatus
CN101331594B (en) * 2006-06-22 2012-03-28 里巴贝鲁株式会社 Processing device, processing method, and plasma source
DE102009036766A1 (en) 2009-08-08 2011-02-10 Daimler Ag Vehicle i.e. passenger car, has crash detection device formed with auxiliary brake device in cooperative manner such that active chassis is controlled and braking action of vehicle is increased during detection of unavoidable collision

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710054A1 (en) * 1994-10-26 1996-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma torch and method for generating plasma
DE19925790A1 (en) * 1999-06-05 2000-12-07 Inst Oberflaechenmodifizierung High rate processing of material surfaces especially in optical applications, microelectronics or in microsystems comprises using a plasma beam source
DE19958474A1 (en) * 1999-12-04 2001-06-21 Bosch Gmbh Robert Process for producing functional layers with a plasma beam source
JP2003218099A (en) * 2002-01-21 2003-07-31 Sekisui Chem Co Ltd Method and system for discharge plasma processing
US20040011466A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
DE102006002758A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-19 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Selective removal process for silicium contamination involves directing cold plasma jet containing fluorine onto surface being cleaned
DE112007002218T5 (en) * 2006-09-29 2009-09-24 Tokyo Electron Ltd. Steaming apparatus and method for its operation
DE102007046214A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-09 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Plasma treatment device for microcomponent, has nozzle contact unit in effective connection with plasma jet such that upper part of unit is arranged directly at counter electrode and lower part is formed by container that is opened upwards
DE102008036766A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Alexander Dr. Gschwandtner Apparatus and method for generating dielectric layers in microwave plasma

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