DE102011004450A1 - Magnetron sputtering device comprises a hollow target and a magnet assembly arranged in the target, where the target and the magnet assembly are held in a holding unit and the magnet assembly is secured at a mechanism - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Magnetronsputtereinrichtung.The invention relates to a magnetron sputtering device.
An sogenannten Rohrmagnetrons werden zylinderförmige Hohltargets verwendet. Solche Hohltargets können beispielsweise einstückig aus Targetmaterial hergestellt sein oder auf der äußeren Oberfläche eines Trägerrohrs als tragendes Element ist eine Schicht aus Targetmaterial angebracht, beispielsweise indem Plattenstreifen von Targetmaterial angenietet oder aufgebondet werden oder eine Schicht von Targetmaterial durch Plasmaspritzen auf das Trägerrohr aufgebracht wird. Ebenso kann ringförmiges Targetmaterial über das Trägerrohr geschoben sein und aufgebondet oder gelötet sein. Dieses Targetmaterial wird im Betrieb des Rohrmagnetrons durch Ionenbeschuss abgetragen und schlägt sich anschließend auf dem zu beschichtenden Substrat, das während des Prozesses in der Nähe des Targets angeordnet oder am Magnetron vorbeibewegt wird, nieder und bildet dort eine Schicht aus.At so-called tubular magnetrons cylindrical hollow targets are used. Such hollow targets may, for example, be made in one piece from target material or a layer of target material is applied to the outer surface of a support tube as a supporting element, for example by riveting or bonding plate strips of target material or applying a layer of target material to the support tube by plasma spraying. Likewise, annular target material may be slid over the support tube and be bonded or soldered. This target material is removed during operation of the tubular magnetron by ion bombardment and then deposits on the substrate to be coated, which is arranged during the process in the vicinity of the target or past the magnetron, down and forms a layer there.
Die Intensität des Ionenbeschusses wird üblicherweise dadurch erhöht, dass das Hohltarget auf (relatives) Katodenpotential gelegt wird und das sich ausbildende Plasma durch eine innerhalb des Hohltargets angeordnete Magnetanordnung auf der äußeren Oberfläche des Hohltargets konzentriert wird. Eine solche Magnetanordnung kann beispielsweise einen Magnetträger mit daran befestigten Permanentmagneten umfassen. Dabei kann das Hohltarget um eine stillstehende Magnetanordnung rotieren, oder die Magnetanordnung rotiert innerhalb des Hohltargets, oder Magnetanordnung und Hohltarget stehen still.The intensity of the ion bombardment is usually increased by placing the hollow target at (relative) cathode potential and concentrating the forming plasma on the outer surface of the hollow target by means of a magnet arrangement arranged inside the hollow target. Such a magnet arrangement may, for example, comprise a magnet carrier with permanent magnets attached thereto. In this case, the hollow target can rotate about a stationary magnet arrangement, or the magnet arrangement rotates within the hollow target, or magnet arrangement and hollow target stand still.
Das Hohltarget und die darin angeordnete Magnetanordnung sind meist einseitig oder beidseitig in einer Halteeinrichtung gehalten, wobei das Hohltarget oder/und die Magnetanordnung drehbar gelagert sein können. Die Halteeinrichtung kann beispielsweise als sogenannter Endblock ausgebildet sein, der an einer Wand oder einem Deckel einer Prozesskammer einer Beschichtungsanlage befestigt sein kann. Die Halteeinrichtung kann gleichzeitig weitere Funktionen erfüllen, beispielsweise das Hohltarget mit Kühlwasser oder/und elektrischer Spannung versorgen oder/und das Hohltarget oder/und die Magnetanordnung rotierend antreiben.The hollow target and the magnet arrangement arranged therein are usually held on one side or on both sides in a holding device, wherein the hollow target and / or the magnet arrangement can be rotatably mounted. The holding device may for example be designed as a so-called end block, which may be attached to a wall or a lid of a process chamber of a coating system. The holding device can simultaneously fulfill other functions, for example, supply the hollow target with cooling water and / or electrical voltage and / or drive the hollow target and / or the magnet assembly in rotation.
Bei Hohltargets mit einem Trägerrohr erfolgt die Befestigung des Targetmaterials auf dem Trägerrohr möglichst so, dass ein optimaler Rundlauf des Hohltargets während des Betriebs der Magnetroneinrichtung, eine optimale Kontaktierung zur Wärmeableitung und eine optimierte Lage über dem Magnetträger in der Längsrichtung des Targets gegeben ist.In hollow targets with a carrier tube, the attachment of the target material on the support tube is possible so that an optimal concentricity of the hollow target is given during operation of the magnetron device, an optimal contact for heat dissipation and an optimized position over the magnetic carrier in the longitudinal direction of the target.
Während des Sputterprozesses wird das Targetmaterial abhängig von der Gestaltung des Magnetfeldes und seiner Positionierung unter dem Targetmaterial, d. h. im Innern des Trägerrohrs, von der Targetoberfläche möglichst symmetrisch emittiert und in der Folge ebenso symmetrisch auf dem zu beschichtenden Substrat abgeschieden.During the sputtering process, the target material becomes dependent upon the design of the magnetic field and its positioning under the target material, i. H. in the interior of the carrier tube, emitted as symmetrically as possible from the target surface and, as a consequence, likewise deposited symmetrically on the substrate to be coated.
Bekannt ist, dass sich das Hohltarget während des Sputterprozesses mit dem Wärmeeintrag aus dem Prozess ausdehnt, wodurch sich die Position des Targetmaterials über der Magnetanordnung verändern kann. Weil das Material des Trägerrohrs oft einen anderen Ausdehnungskoeffizienten als das Targetmaterial hat, dehnen sich Trägerrohr und Targetmaterial bei Erwärmung während des Sputterprozesses unterschiedlich aus. Der Wert dieser Ausdehnung ist je nach eingetragener Wärmemenge und Kühlverhalten nicht vorhersehbar und verändert sich auch mit der Dicke des verbleibenden Targetmaterials.It is known that the hollow target expands during the sputtering process with the heat input from the process, whereby the position of the target material can change over the magnet assembly. Because the material of the support tube often has a coefficient of expansion other than the target material, the support tube and target material expand differently when heated during the sputtering process. The value of this expansion is unpredictable depending on the amount of heat and the cooling behavior and also changes with the thickness of the remaining target material.
Nachteilig bei den bisherigen konstruktiven Lösungen ist, dass durch die beschriebene Asymmetrie während des Sputterprozesses asymmetrische Reste von Targetmaterial auf dem Trägerrohr bestehen bleiben. Dieser Umstand kann zur Folge haben, dass die Abscheidung des abgetragenen Targetmaterials auf dem zu beschichtenden Substrat asymmetrisch ist, was zu einem Prozessergebnis geringer Qualität führt.A disadvantage of the previous design solutions is that remain asymmetric residues of target material on the support tube by the described asymmetry during the sputtering process. This circumstance may result in that the deposition of the ablated target material on the substrate to be coated is asymmetric, resulting in a poor quality process result.
Nachteilig bei den bisherigen konstruktiven Lösungen ist, dass die Position der Magnetanordnung in der Längsrichtung des Trägerrohrs nicht relativ zum Targetmaterial korrigierbar ist, wenn durch das unterschiedliche Ausdehnungsverhalten Relativverschiebungen zwischen Trägerrohr und Magnetanordnung oder Verformungen des Trägerrohrs entstehen.A disadvantage of the previous design solutions that the position of the magnet assembly in the longitudinal direction of the support tube is not correctable relative to the target material, if caused by the different expansion behavior Relativverschiebungen between the carrier tube and magnet assembly or deformations of the support tube.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, bekannte Magnetronsputtereinrichtungen so zu verbessern, dass eine höhere Beschichtungsqualität und eine verbesserte Ausnutzung des Targetmaterials erreicht werden.The invention is based on the object to improve known magnetron sputtering devices so that a higher coating quality and improved utilization of the target material can be achieved.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass bei einer Magnetronsputtereinrichtung, die ein Hohltarget und eine in dem Hohltarget angeordnete Magnetanordnung umfasst, wobei das Hohltarget und die Magnetanordnung zumindest einseitig in einer Halteeinrichtung gehalten sind, die Magnetanordnung an einem Mechanismus befestigt ist, der bei einer Längenänderung des Hohltargets eine Bewegung der Magnetanordnung in der Längsrichtung des Hohltargets verursacht. Vorteilhaft ist es dabei, wenn der Mechanismus so ausgelegt ist, dass er bewirkt, dass die Bewegung der Magnetanordnung in der Längsrichtung des Hohltargets halb so groß ist wie die Längenänderung des Hohltargets.According to the invention, the object is achieved in that in the case of a magnetron sputtering device comprising a hollow target and a magnet arrangement arranged in the hollow target, wherein the hollow target and the magnet arrangement are held at least on one side in a holding device, the magnet arrangement is fastened to a mechanism which, upon a change in length of the hollow target causes movement of the magnet assembly in the longitudinal direction of the hollow target. It is advantageous if the mechanism is designed so that it causes the movement of the magnet assembly in the longitudinal direction of the hollow target is half as large as the change in length of the hollow target.
Ein Grundgedanke der beschriebenen Lösung besteht demnach darin, eine Halterung zu schaffen, die den Magnetträger in der Längsrichtung des Targetmaterials abhängig von der Wärmedehnung des Hohltargets ausrichtet. Als besonders vorteilhaft wird angesehen, wenn die Magnetanordnung mittig zum Targetmaterial ausgerichtet und während des gesamten Sputterprozesses dynamisch in dieser Lage gehalten werden kann.A basic idea of the solution described is therefore to provide a holder which aligns the magnetic carrier in the longitudinal direction of the target material depending on the thermal expansion of the hollow target. It is considered particularly advantageous if the magnet arrangement can be aligned centrally with the target material and held dynamically in this position during the entire sputtering process.
Eine Nachführung, insbesondere eine symmetrische Nachführung des Magnetträgers unter dem Targetmaterial, d. h. im Innern des Trägerrohrs, hat den Vorteil, dass das zur Verfügung stehende Targetmaterial optimal ausgenutzt wird, so dass Targetmaterial und damit Kosten eingespart werden können. Bei einer dynamischen Nachführung des Magnetträgers unter dem Targetmaterial, d. h. eine von der Wärmedehnung des Trägerrohrs abhängige Nachführung (Verschiebung in der Längsrichtung des Trägerrohrs) wird die Prozessstabilität erhöht und ermöglicht so qualitativ höhere Schichten auf dem zu beschichtenden Substrat.A tracking, in particular a symmetrical tracking of the magnetic carrier under the target material, d. H. Inside the support tube, has the advantage that the available target material is optimally utilized, so that target material and thus costs can be saved. In a dynamic tracking of the magnetic carrier under the target material, d. H. a tracking dependent on the thermal expansion of the carrier tube (displacement in the longitudinal direction of the carrier tube) increases the process stability and thus enables qualitatively higher layers on the substrate to be coated.
In einer Ausgestaltung der Erfindung umfasst der Mechanismus ein erstes Stützelement und ein zweites Stützelement, wobei das erste Stützelement sich von einem ersten Ende des Hohltargets zum mittleren Bereich des Hohltargets erstreckt, das zweite Stützelement sich von einem zweiten Ende des Hohltargets zum mittleren Bereich des Hohltargets erstreckt, und das erste Stützelement und das zweite Stützelement im mittleren Bereich des Hohltargets durch ein Proportionalglied miteinander in Wirkverbindung stehen, welches mit der Magnetanordnung verbunden ist.In one embodiment of the invention, the mechanism comprises a first support element and a second support element, wherein the first support element extends from a first end of the hollow target to the central region of the hollow target, the second support element extends from a second end of the hollow target to the central region of the hollow target , And the first support member and the second support member in the central region of the hollow target are in operative connection with each other by a proportional member which is connected to the magnet assembly.
Dabei kann weiter vorgesehen sein, dass das Proportionalglied ein Zahnrad ist, welches an der Magnetanordnung drehbar angebracht ist und in Linearverzahnungen des ersten Stützelements und des zweiten Stützelements eingreift.It can further be provided that the proportional member is a gear which is rotatably mounted on the magnet assembly and engages in linear toothing of the first support member and the second support member.
Das Proportionalglied ist gemäß einer weiteren Ausgestaltung ein Doppelhebel, welcher an der Magnetanordnung drehbar angebracht ist und dessen eines Ende drehbar mit dem ersten Stützelement und dessen anderes Ende drehbar mit dem zweiten Stützelement verbunden ist.The proportional member is according to another embodiment, a double lever which is rotatably mounted on the magnet assembly and whose one end is rotatably connected to the first support member and the other end rotatably connected to the second support member.
In einer Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Magnetanordnung mit dem ersten Stützelement oder/und mit dem zweiten Stützelement durch eine Linearführung verbunden ist.In a further development, it is provided that the magnet arrangement is connected to the first support element and / or to the second support element by a linear guide.
Weiter kann vorgesehen sein, dass das erste Stützelement oder/und das zweite Stützelement durch eine Justiereinrichtung relativ zum Hohltarget verschiebbar ist.It can further be provided that the first support element and / or the second support element is displaceable relative to the hollow target by an adjusting device.
Dabei kann die Justiereinrichtung einen Gewindestift und eine darauf angeordnete Mutter umfassen, wobei eine Drehung der Mutter eine Verschiebung des ersten Stützelements bzw. des zweiten Stützelements relativ zum Hohltarget bewirkt.In this case, the adjusting device comprise a threaded pin and a nut arranged thereon, wherein a rotation of the nut causes a displacement of the first support member and the second support member relative to the hollow target.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigenThe invention will be explained in more detail with reference to embodiments and accompanying drawings. Show
Im ersten Ausführungsbeispiel gemäß
Zu letzterem Zweck ragt von einer Seite des Trägerrohrs
Im Innern des Trägerrohrs
Das erste Stützelement
Das Ausführungsbeispiel gemäß
Eine Weiterbildung zum Ausführungsbeispiel gemäß
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- Hohltargethollow target
- 1111
- Trägerrohrsupport tube
- 1212
- Targetmaterialtarget material
- 1313
- Flansch mit TrägerwelleFlange with carrier shaft
- 22
- Magnetanordnungmagnet assembly
- 33
- Halteeinrichtungholder
- 44
- Mechanismusmechanism
- 4141
- erstes Stützelementfirst support element
- 4242
- zweites Stützelementsecond support element
- 4343
- Proportionalgliedproportional element
- 55
- Justiereinrichtungadjusting
- 5151
- GewindestiftSet screw
- 5252
- Muttermother
- 66
- KühlmittelrohrCoolant pipe
Claims (8)
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
DE201110004450 DE102011004450B4 (en) | 2011-02-21 | 2011-02-21 | magnetron |
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Publications (2)
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DE102011004450B4 DE102011004450B4 (en) | 2012-09-13 |
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE102011004450B4 (en) |
Cited By (2)
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RU2798494C1 (en) * | 2022-12-19 | 2023-06-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ) | Combined target for a planar magnetron and method for its manufacture |
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WO2006007504A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Cardinal Cg Company | Cylindrical target with oscillating magnet from magnetron sputtering |
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2011
- 2011-02-21 DE DE201110004450 patent/DE102011004450B4/en not_active Expired - Fee Related
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|
R081 | Change of applicant/patentee |
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|
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