DE102010031055B4 - Sensor module and method of manufacturing a sensor module - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls (M) zur Messung von Beschleunigung, Druck oder Magnetfeldern und dergleichen, umfassend die Schritte• Aufbringen eines metallischen Trägerrahmens (2) auf einem temporären Träger (K), wobei der temporäre Träger (K) eine zumindest einseitig klebende, lösbare Folie (K) ist,• Anordnen zumindest eines integrierten Schaltkreises (3a) zumindest mittelbar auf dem temporären Träger (K),• Anordnen zumindest eines mikro-elektromechanischen Elements (3b) zumindest mittelbar auf dem temporären Träger (K),• Kontaktieren zumindest des mikro-elektromechanischen Elements (3b), mit einer Kontaktfläche (1) des metallischen Trägerrahmens (2)• Einhausen (7) zumindest des integrierten Schaltkreises (3a) und des mikro-elektromechanischen Elements (3b) sowie• Kontaktieren zumindest des integrierten Schaltkreises (3a) mittels zumindest einer Umverdrahtungsschicht (8).Method for producing a sensor module (M) for measuring acceleration, pressure or magnetic fields and the like, comprising the steps • applying a metal carrier frame (2) to a temporary carrier (K), the temporary carrier (K) having an at least one-sided adhesive, detachable film (K),• arranging at least one integrated circuit (3a) at least indirectly on the temporary carrier (K),• arranging at least one micro-electromechanical element (3b) at least indirectly on the temporary carrier (K),• contacting at least of the micro-electromechanical element (3b), with a contact surface (1) of the metal support frame (2) • enclosing (7) at least the integrated circuit (3a) and the micro-electromechanical element (3b) and • contacting at least the integrated circuit ( 3a) by means of at least one rewiring layer (8).

Description

Stand der TechnikState of the art

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls zur Messung von Beschleunigung, Druck oder Magnetfeldern und dergleichen sowie ein entsprechendes Sensormodul.The present invention relates to a method for producing a sensor module for measuring acceleration, pressure or magnetic fields and the like, and a corresponding sensor module.

Sensormodule zur Messung von Beschleunigung, Druck oder Magnetfeldern werden unter anderem im Bereich von Kraftfahrzeugen eingesetzt. Als Beschleunigungssensoren wirken diese beispielsweise mit aktiven Federungssystem in Kraftfahrzeugen zusammen. Ein weiteres Einsatzgebiet von Beschleunigungssensoren sind Crashtests, bei dem diese in Dummys eingesetzt werden.Sensor modules for measuring acceleration, pressure or magnetic fields are used, among other things, in motor vehicles. As acceleration sensors, these interact, for example, with active suspension systems in motor vehicles. Another area of application for acceleration sensors are crash tests, in which they are used in dummies.

Aus der EP 1 923 627 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenmoduls bekannt geworden. Dabei wird ein metallischer Trägerstreifen verwendet, an dem mehrere Leuchtdiodenmodule mit Leuchtdioden-Chips angebracht werden können. Der Trägerstreifen weist mehrere parallele Montagestege auf, in die jeweils Montageöffnungen eingebracht sind. Mittels den Montageöffnungen kann der Trägerstreifen in einem Gehäuse montiert werden. Weiterhin sind zwischen den beiden Stegen über dünne Haltearme Trägerelemente gehalten. Auf den Oberflächen der Trägerelemente sind Leuchtdiodenmodule, beispielsweise mittels Löten, aufgebracht. Das Leuchtdiodenmodul umfasst weiter eine Verbindungsplatine, die mit einer Steuereinheit zur Ansteuerung des Leuchtdiodenmoduls verbunden ist.From the EP 1 923 627 A1 a method for producing a light-emitting diode module has become known. In this case, a metallic carrier strip is used, to which several light-emitting diode modules with light-emitting diode chips can be attached. The carrier strip has a plurality of parallel assembly webs, in each of which assembly openings are made. The carrier strip can be mounted in a housing by means of the mounting openings. Furthermore, support elements are held between the two webs via thin holding arms. Light-emitting diode modules are applied to the surfaces of the carrier elements, for example by means of soldering. The light-emitting diode module also includes a connection board, which is connected to a control unit for controlling the light-emitting diode module.

Aus der US 6 100 594 A ist eine Halbleitervorrichtung und ein Herstellungsverfahren für diese Halbleitervorrichtung bekannt, bei dem ein Halbleiterelement auf einer Leiterplatte angeordnet, anschließend Bonkontakte für das Halbleiterelement zwischen der Leiterplatte und dem Halbleiterelement dargestellt sowie anschließend Halbleiterelement und Bonkontakte eingehaust werden. Anschließen erfolgt eine Vereinzelung der so enthaltenen Einheiten sowie auf einer der dem Halbleiterchip angewandten Seite der Leiterplatte eine Anordnung einer elektrischen Kontaktierung.From the U.S. 6,100,594A discloses a semiconductor device and a manufacturing method for the semiconductor device, in which a semiconductor element is arranged on a printed circuit board, then bonding pads for the semiconductor element are formed between the printed circuit board and the semiconductor element, and then semiconductor element and bonding pads are packaged. The units contained in this way are then separated and electrical contacting is arranged on one side of the printed circuit board that is applied to the semiconductor chip.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of Invention

Das Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls zur Messung von Beschleunigung, Druck oder Magnetfeldern und dergleichen, umfasst die Schritte

  • • Aufbringen eines metallischen Trägerrahmens auf einem temporären Träger, wobei der temporäre Träger eine zumindest einseitig klebende, lösbare Folie ist,
  • • Anordnen zumindest eines integrierten Schaltkreises zumindest mittelbar auf dem temporären Träger,
  • • Anordnen zumindest eines mikro-elektromechanischen Elements zumindest mittelbar auf dem temporären Träger,
  • • Kontaktieren zumindest des mikro-elektromechanischen Elements, mit einer Kontaktfläche des metallischen Trägerrahmens
  • • Einhausen zumindest des integrierten Schaltkreises und des mikro-elektromechanischen Elements sowie
  • • Kontaktieren zumindest des integrierten Schaltkreises mittels zumindest einer Umverdrahtungsschicht.
The method for manufacturing a sensor module for measuring acceleration, pressure or magnetic fields and the like comprises the steps
  • • Application of a metallic carrier frame to a temporary carrier, the temporary carrier being a detachable film which is adhesive on at least one side,
  • • arranging at least one integrated circuit at least indirectly on the temporary carrier,
  • • arranging at least one micro-electromechanical element at least indirectly on the temporary carrier,
  • • Contacting at least the micro-electromechanical element with a contact surface of the metallic carrier frame
  • • housing at least the integrated circuit and the micro-electromechanical element and
  • • Contacting at least the integrated circuit by means of at least one rewiring layer.

Das Sensormodul insbesondere hergestellt mit einem Verfahren gemäß zumindest einem der Ansprüche 1-6, umfasst

  • • zumindest die Kontaktfläche des metallischen Trägerrahmens;
  • • zumindest den integrierten Schaltkreis,
  • • zumindest das mikro-elektromechanisches Element,
  • • eine Kontaktierung zur elektrischen Kontaktierung des mikro-elektromechanischen Elements mit zumindest der Kontaktfläche,
  • • die Umverdrahtungsschicht zur Kontaktierung des integrierten Schaltkreises mit zumindest der Kontaktfläche, wobei das mikro-elektromechanische Element auf dem integrierten Schaltkreis angeordnet ist.
The sensor module, in particular manufactured using a method according to at least one of Claims 1-6, comprises
  • • at least the contact surface of the metal support frame;
  • • at least the integrated circuit,
  • • at least the micro-electromechanical element,
  • • a contact for electrical contacting of the micro-electromechanical element with at least the contact surface,
  • • the rewiring layer for contacting the integrated circuit with at least the contact surface, the micro-electromechanical element being arranged on the integrated circuit.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the Invention

Das in Anspruch 1 definierte Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls zur Messung von Beschleunigung, Druck oder Magnetfeldern und dergleichen sowie das entsprechende Sensormodul gemäß dem Anspruch 7 weisen den Vorteil auf, dass sie eine wesentlich höhere Flexibilität bei der Herstellung von Sensormodulen, insbesondere bei der Anordnung von verschiedenen integrierten Schaltungen und mikro-elektromechanischen Elementen ermöglichen. Damit ist beispielsweise auch ein so genanntes Chip-Stacking einfacher möglich, da keine Durchkontaktierungen oder ähnliches hierfür mehr erforderlich sind. Durch die Verwendung von Kontaktflächen, sogenannten Lands, eines metallischen Trägers, auch Leadframe genannt, sind auch beispielsweise dickere Kupfer-Flächen zum Auflöten der integrierten Schaltkreise oder der mikro-elektromechanischen Elemente möglich. Dies erhöht wesentlich die Zuverlässigkeit der jeweiligen Lötverbindung und damit insgesamt des Sensormoduls.The method defined in claim 1 for producing a sensor module for measuring acceleration, pressure or magnetic fields and the like, and the corresponding sensor module according to claim 7 have the advantage that they offer significantly greater flexibility in the production of sensor modules, in particular in the arrangement of various integrated circuits and micro-electromechanical elements. So-called chip stacking, for example, is thus also possible more easily, since through-platings or the like are no longer required for this. Through the use of contact surfaces, so-called lands, of a metallic carrier, also known as a lead frame, thicker copper surfaces are also possible, for example, for soldering on the integrated circuits or the micro-electromechanical elements. This significantly increases the reliability of the respective soldered connection and thus of the sensor module as a whole.

Das Kontaktieren bzw. die Kontaktierung der Kontaktflächen beispielsweise zu einer nächsten Leiterplatte kann dann mittels bekannter und standardisierter Lötverfahren oder Klebeverfahren erfolgen.The contacting or contacting of the contact surfaces, for example to a next printed circuit board, can then take place by means of known and standardized soldering or gluing methods.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird das mikro-elektromechanische Element auf dem integrierten Schaltkreis angeordnet. Der Vorteil hierbei ist, dass somit eine einfache und kostengünstige Festlegung des mikro-elektromechanischen Elementes ermöglicht wird. Gleichzeitig sinkt der Platzbedarf für die Anordnung von integrierten Schaltkreisen und/oder von mikro-elektromechanischen Elementen auf dem temporären Träger.According to a further advantageous development of the invention, the micro-electromechanical element is arranged on the integrated circuit. The advantage here is that it enables the micro-electromechanical element to be fixed in a simple and cost-effective manner. At the same time, the space required for arranging integrated circuits and/or microelectromechanical elements on the temporary carrier is reduced.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird die Umverdrahtungsschicht mittels Jetten, galvanisch oder plasmaunterstütztem Pulverbschuss hergestellt. Der Vorteil hierbei ist, dass einfache und kostengünstige Verfahren verwendet werden können, so dass die Zuverlässigkeit der Kontaktierung mittels der Umverdrahtungsschicht erhöht wird.According to a further advantageous development of the invention, the rewiring layer is produced by means of jetting, galvanic or plasma-enhanced powder blasting. The advantage here is that simple and inexpensive methods can be used, so that the reliability of the contacting by means of the rewiring layer is increased.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung erfolgt das Einhausen mittels Spritzpressen, vorzugsweise Transfermolden oder Sheetmolden. Der Vorteil hierbei ist, dass einfache, kostengünstige und erprobte Verfahren zum Einhausen, also zur Gehäusung oder Verkapselung verwendet werden können, so dass das Sensormodul einfach und zuverlässig hergestellt werden kann.According to a further advantageous development of the invention, housing is carried out by means of transfer molding, preferably transfer molding or sheet molding. The advantage here is that simple, inexpensive and proven methods for enclosing, ie for housing or encapsulation, can be used, so that the sensor module can be manufactured simply and reliably.

Erfindungsgemäß wird der metallische Träger temporär auf zumindest eine einseitig klebende Folie aufgebracht. Der Vorteil hierbei ist, dass keine zusätzliche, permanente Trägerbasis verwendet werden muss und so Material und damit auch Kosten eingespart werden können. Des Weiteren kann die Folie auch wieder einfach und rückstandsfrei entfernt werden, so dass keine zusätzlichen Schritte für eine aufwändige Überarbeitung des metallischen Trägers anfallen. Weiter ist es möglich, sollten doch Rückstände verbleiben, einen Reinigungsschritt durchzuführen.According to the invention, the metallic carrier is temporarily applied to at least one film that is adhesive on one side. The advantage here is that no additional, permanent carrier base has to be used, which means that material and thus costs can be saved. Furthermore, the film can also be removed again easily and without leaving any residue, so that no additional steps are required for a time-consuming reworking of the metal carrier. It is also possible, should residues remain, to carry out a cleaning step.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung werden mehrere Sensormodule auf einem metallischen Trägerstreifenrahmen angeordnet. Der Vorteil hierbei ist, kontinuierlich und schnell mehrere Sensormodule herstellen zu können, was die Herstellungskosten eines einzelnen Sensormoduls wesentlich herabsetzt.According to a further advantageous development of the invention, a plurality of sensor modules are arranged on a metal carrier strip frame. The advantage here is that a number of sensor modules can be produced continuously and quickly, which significantly reduces the production costs of an individual sensor module.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung werden die Sensormodule vereinzelt, insbesondere durch Sägen. Der Vorteil hierbei ist, dass diese damit auf einfache und schnelle Weise vereinzelt werden können und so unmittelbar für eine Weiterverarbeitung und damit auch schneller für einen Einbau in ein Fahrzeug zur Verfügung stehen.According to a further advantageous development of the invention, the sensor modules are separated, in particular by sawing. The advantage here is that they can be separated easily and quickly and are thus immediately available for further processing and thus also more quickly for installation in a vehicle.

Figurenlistecharacter list

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:

  • 1 bis 7 Herstellungsschritte eines Sensormoduls gemäß einer ersten (5a) und einer zweiten Ausführungsform (5b) der vorliegenden Erfindung;
  • 8 einen metallischen Träger mit verschiedenen Ausführungsformen eines Sensormoduls gemäß der ersten und zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; sowie
  • 9 ein Sensormodul gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Embodiments of the invention are shown in the drawing and explained in more detail in the following description. Show it:
  • 1 until 7 Manufacturing steps of a sensor module according to a first ( 5a ) and a second embodiment ( 5b ) of the present invention;
  • 8th a metallic carrier with different embodiments of a sensor module according to the first and second embodiment of the present invention; as well as
  • 9 a sensor module according to a third embodiment of the present invention.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

In den Figuren bezeichnen gleichen Bezugszeichen dieselben beziehungsweise funktionsgleiche Elemente, soweit nichts anderes ausgeführt ist.In the figures, the same reference symbols denote the same or functionally identical elements, unless otherwise stated.

1 bis 7 zeigen Herstellungsschritte eines Sensormoduls gemäß einer ersten (5a) und einer zweiten Ausführungsform (5b) der vorliegenden Erfindung. 1 until 7 show manufacturing steps of a sensor module according to a first ( 5a ) and a second embodiment ( 5b ) of the present invention.

In 1 ist ein Prinzipschaubild eines metallischen Trägerrahmenstreifens beziehungsweise eines so genannten Leadframes 2 gezeigt, der mit Kontaktflächen, sogenannten Lands 1 vorstrukturiert ist. Zu sehen sind von links nach rechts vier nebeneinander angeordnete so genannte Nutzen N, die jeweils mehrere Lands 1 umfassen. Mit jedem Nutzen N können eines oder mehrere Sensormodule M hergestellt werden. Nach einem Vereinzeln gemäß 8 stehen dann mehrere metallische Trägerrahmen 2 mit Lands 1 und Sensormodule M (siehe 8 und 9) mit entsprechenden integrierten Schaltkreisen 3a und mikro-elektromechanischen Elementen 3b, etc. zur Verfügung.In 1 shows a basic diagram of a metallic carrier frame strip or a so-called leadframe 2, which is pre-structured with contact surfaces, so-called lands 1. Four so-called panels N arranged next to one another, each comprising a plurality of lands 1, can be seen from left to right. One or more sensor modules M can be produced with each panel N. After singling according to 8th Then there are several metallic carrier frames 2 with Lands 1 and sensor modules M (see 8th and 9 ) with corresponding integrated circuits 3a and micro-electromechanical elements 3b, etc. are available.

Im Folgenden wird die Herstellung eines einzelnen Sensormoduls M gemäß den 2 - 7 und 9 beschrieben.In the following, the production of a single sensor module M according to the 2 - 7 and 9 described.

In 2 ist eine Klebefolie K gezeigt, die entweder einseitig eine klebende Schicht aufweist, um einen Leadframe 2 aufzukleben oder aber zweiseitig klebend ausgebildet ist, um zusätzlich noch mit einer Trägerbasis T verbunden zu werden. Diese lösbare Klebefolie K dient selbst als temporärer Träger, sollte keine Trägerbasis T angeordnet werden. Wird eine Trägerbasis T verwendet, ist die Klebefolie K dabei auch an der Trägerbasis T lösbar angeordnet. Für die Herstellung des Sensormoduls M wird nun der vorstrukturierte, metallische Trägerrahmen 2 mit den Lands 1 auf die klebende Schicht der Klebefolie K aufgebracht (3). Dabei kann auch die Klebefolie K direkt auf den metallischen Trägerrahmen 2 laminiert werden.In 2 an adhesive film K is shown, which either has an adhesive layer on one side in order to bond a leadframe 2 or is adhesive on both sides in order to be additionally connected to a carrier base T. This detachable adhesive film K itself serves as a temporary carrier if no carrier base T is to be arranged. If a carrier base T is used, the adhesive film K is also arranged on the carrier base T in a detachable manner. For the Production of the sensor module M, the pre-structured, metallic carrier frame 2 with the lands 1 is now applied to the adhesive layer of the adhesive film K ( 3 ). The adhesive film K can also be laminated directly onto the metal carrier frame 2 .

In den folgenden 4 bis 9 wird nun der Träger T nicht mehr dargestellt beziehungsweise eine Herstellung eines Sensormoduls M ohne Trägerbasis T gezeigt. Zwischen die Lands 1, die auf der klebenden Seite der Klebefolie K angeordnet sind, wird nun ein integrierter Schaltkreis 3a, umfassend eine aktive Fläche A1, aufgebracht. Auf der Oberseite dieses integrierten Schaltreises 3a wird mittels einer Klebeverbindung 5, beispielsweise in Form eines Klebefilms, in Form von Pasten oder ähnlichem, ein mikro-elektromechanisches Element 3b, umfassend eine aktive Schicht A2, aufgebracht. Beide aktive Flächen A1, A2 weisen entsprechende Anschlüsse (nicht gezeigt) zur Kontaktierung des jeweiligen integrierten Schaltkreises 3a bzw. mikro-elektromechanischen Elementes 3b auf. Die Klebeverbindung 5 wird anschließend entsprechend ausgehärtet. Selbstverständlich kann anstelle des mikro-elektromechanischen Elementes 3b auch ein weiterer integrierter Schaltkreis angeordnet werden.In the following 4 until 9 the carrier T is no longer shown, or a production of a sensor module M without a carrier base T is shown. An integrated circuit 3a, comprising an active surface A 1 , is now applied between the lands 1, which are arranged on the adhesive side of the adhesive film K. A micro-electromechanical element 3b comprising an active layer A 2 is applied to the upper side of this integrated circuit 3a by means of an adhesive connection 5, for example in the form of an adhesive film, in the form of pastes or the like. Both active areas A 1 , A 2 have corresponding connections (not shown) for contacting the respective integrated circuit 3a or micro-electromechanical element 3b. The adhesive bond 5 is then cured accordingly. A further integrated circuit can of course also be arranged instead of the micro-electromechanical element 3b.

In 5a ist im Gegensatz zur 4 nun das mikro-elektromechanische Element 3b nicht mittelbar auf dem integrierten Schaltkreis 3a mittels einer Klebeverbindung 5 angeordnet, sondern separat auf der Klebefolie K zwischen zwei Lands 1 aufgebracht. Die aktive Fläche A2 des mikro-elektromechanischen Elementes 3b ist dabei mittels Drahtbonden 6 mit den Lands 1 elektrisch verbunden. Der integrierte Schaltkreis 3a ist mit seiner aktiven Fläche A1 auf der Klebefolie K angeordnet. 5b zeigt den entsprechenden Aufbau gemäß 4 des integrierten Schaltkreises 3a und des mikro-elektromechanischen Elementes 3b aufeinander, wobei zusätzlich nun die aktive Fläche A2, genauer deren Anschlüsse, des mikro-elektromechanischen Elementes 3b mittels Drahtbonden 6 mit den Lands 1 zur elektrischen Kontaktierung verbunden ist.In 5a is in contrast to 4 now the micro-electromechanical element 3b is not arranged directly on the integrated circuit 3a by means of an adhesive connection 5, but applied separately to the adhesive film K between two lands 1. The active area A 2 of the micro-electromechanical element 3b is electrically connected to the lands 1 by means of wire bonding 6 . The integrated circuit 3a is arranged on the adhesive film K with its active surface A 1 . 5b shows the corresponding structure according to 4 of the integrated circuit 3a and the micro-electromechanical element 3b on top of one another, with the active surface A 2 , more precisely its connections, of the micro-electromechanical element 3b now also being connected to the lands 1 for electrical contacting by means of wire bonding 6 .

6 zeigt nun einen analogen Aufbau gemäß 5b nach erfolgter Gehäusung, das heißt zumindest die Lands 1, der integrierte Schaltkreis 3a, das mikro-elektromechanische Element 3b sowie die Drahtbonden 6 sind nun in einem Gehäuse 7 angeordnet. Die Klebefolie K ist dabei mit ihrer Oberseite, das heißt auf der Seite, auf der die Lands 1, der integrierte Schaltkreis 3a, etc. angeordnet sind, ebenfalls mit dem Gehäuse 7 lösbar verbunden. 6 now shows an analog structure according to 5b after the housing has taken place, that is to say at least the lands 1, the integrated circuit 3a, the micro-electromechanical element 3b and the wire bonds 6 are now arranged in a housing 7. The top side of the adhesive film K, that is to say on the side on which the land 1, the integrated circuit 3a, etc. are arranged, is likewise detachably connected to the housing 7.

In 7 wird nun die Entfernung der Klebefolie K bei der Anordnung gemäß 6 gezeigt. Die Klebefolie K wird hierzu, angeordnet auf der Unterseite der Lands 1 beziehungsweise des Gehäuses 7, in Richtung R einfach abgezogen. Das Entfernen der Klebefolie K kann dabei gegebenenfalls unter erhöhter Temperatur erfolgen, um das Entfernen der Klebefolie K zu erleichtern. Die so freigelegte Fläche auf der Unterseite des Gehäuses 7 beziehungsweise der Lands 1 kann dann, falls dies notwendig sein sollte, gereinigt werden und gegebenenfalls mittels Plasma aktiviert werden. In einem letzten Schritt kann nun eine Umverdrahtungsschicht 8 (siehe 9) auf der Unterseite Lands 1 beziehungsweise aktiven Fläche A1 des integrierten Schaltkreises 3a angebracht werden, um die aktive Fläche A1, genauer deren Anschlüsse, mit den Lands 1 entsprechend elektrisch zu verbinden. Zusätzlich können an den Lands 1 noch Lotkugeln oder auch Klebepunkte 9 zur Kontaktierung der Lands 1 mit weiteren Kontakten, beispielsweise einer Leiterplatte, erfolgen, insbesondere für den Einsatz mit Quad-Flat No Leads (QFN).In 7 is now the removal of the adhesive film K in the arrangement according to 6 shown. For this purpose, the adhesive film K, arranged on the underside of the Lands 1 or the housing 7, is simply pulled off in the R direction. The removal of the adhesive film K can optionally take place at elevated temperature in order to facilitate the removal of the adhesive film K. The area thus exposed on the underside of the housing 7 or the land 1 can then, if necessary, be cleaned and, if necessary, activated by means of plasma. In a final step, a rewiring layer 8 (see 9 ) are attached to the underside of Lands 1 or active area A 1 of the integrated circuit 3a in order to electrically connect the active area A 1 , more precisely its connections, to the Lands 1 accordingly. In addition, solder balls or adhesive dots 9 can also be attached to the lands 1 for contacting the lands 1 with other contacts, for example a printed circuit board, in particular for use with quad flat no leads (QFN).

8 zeigt schließlich einen entsprechenden metallischen Trägerrahmenstreifen 2 gemäß der 1, nun mit aufgebrachten integrierten Schaltkreisen und mikro-elektromechanischen Elementen 3a1 - 3a6. Auf einem Nutzen N können dabei verschiedene integrierte Schaltkreise angeordnet werden und auch entsprechend unterschiedlich mit einer Umverdrahtungsschicht 8 mit den Lands 1 kontaktiert werden. So sind auf den beiden äußeren Nutzen, also gemäß 8 links und rechts außen, zwei verschiedene integrierte Schaltkreise 3a1, 3a2 angeordnet, die mittels Umverdrahtungsschichten 8 mit verschiedenen Lands 1 elektrisch verbunden sind. Auf dem von links gemäß 8 gezeigten dritten Nutzen ist lediglich ein einzelner integrierter Schaltkreis 3a4 gezeigt, der mittels Umverdrahtungsschichten 8 mit verschiedenen Lands 1 verbunden ist. 8th finally shows a corresponding metal carrier frame strip 2 according to FIG 1 , now with applied integrated circuits and micro-electromechanical elements 3a 1 - 3a 6 . Various integrated circuits can be arranged on a panel N and contacted with the lands 1 in correspondingly different ways using a rewiring layer 8 . So are on the two outer benefits, so according to 8th On the outside left and right, two different integrated circuits 3a 1 , 3a 2 are arranged, which are electrically connected to different lands 1 by means of rewiring layers 8 . On the left according to 8th The third panel shown only shows a single integrated circuit 3a 4 which is connected to different lands 1 by means of redistribution layers 8 .

Weiterhin ist eine gestrichelt eingezeichnete, vertikal verlaufende Linie L1 zwischen zwei in horizontaler Richtung benachbarten Nutzen N in 8 gezeigt. Entlang dieser Linie L1 werden die Nutzen N voneinander getrennt. Anschließend werden einzelne Sensormodule M voneinander getrennt, indem weiter die Nutzen N zersägt werden, so dass die integrierten Schaltkreise 3a1 bis 3a6 und die mit ihnen verbundenen Lands 1 dann ein oder mehrere Sensormodule M bilden: Der zweite Nutzen N von links gemäß 8 kann beispielsweise entlang einer vertikalen Linie L2 zersägt werden, sodass zwei im Wesentlichen gleiche Sensormodule M1, M2 mit jeweiligem integrierten Schaltkreis 3a3 gebildet werden.Furthermore, a dashed, vertically running line L 1 is drawn between two panels N in that are adjacent in the horizontal direction 8th shown. The blanks N are separated from one another along this line L 1 . Individual sensor modules M are then separated from one another by further sawing up the panels N, so that the integrated circuits 3a 1 to 3a 6 and the lands 1 connected to them then form one or more sensor modules M: The second panel N from the left according to 8th can be sawn up along a vertical line L 2 , for example, so that two essentially identical sensor modules M 1 , M 2 with a respective integrated circuit 3a 3 are formed.

Insgesamt ist es also möglich, jeweils mehrere integrierte Schaltkreise auf einem Nutzen anzuordnen, die nach Vereinzelung des jeweiligen Nutzens aus dem Trägerrahmenstreifen nochmals in ein oder mehrere Sensormodule M vereinzelt werden können. Selbstverständlich ist es möglich einen Nutzen auch in horizontaler oder auch in jeder geeigneten anderen Richtung mittels Sägen zu vereinzeln.Overall, it is therefore possible to arrange a plurality of integrated circuits on a panel, which are isolated again into one or more sensor modules M after the respective panel has been isolated from the carrier frame strip can. Of course, it is also possible to separate a panel in a horizontal direction or in any other suitable direction by means of saws.

Anschließend kann jedes Sensormodul M noch hinsichtlich ordnungsgemäßer Funktion getestet werden.Each sensor module M can then be tested for proper functioning.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie nicht darauf beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.Although the present invention has been described above on the basis of preferred exemplary embodiments, it is not limited thereto but can be modified in many different ways.

Claims (7)

Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls (M) zur Messung von Beschleunigung, Druck oder Magnetfeldern und dergleichen, umfassend die Schritte • Aufbringen eines metallischen Trägerrahmens (2) auf einem temporären Träger (K), wobei der temporäre Träger (K) eine zumindest einseitig klebende, lösbare Folie (K) ist, • Anordnen zumindest eines integrierten Schaltkreises (3a) zumindest mittelbar auf dem temporären Träger (K), • Anordnen zumindest eines mikro-elektromechanischen Elements (3b) zumindest mittelbar auf dem temporären Träger (K), • Kontaktieren zumindest des mikro-elektromechanischen Elements (3b), mit einer Kontaktfläche (1) des metallischen Trägerrahmens (2) • Einhausen (7) zumindest des integrierten Schaltkreises (3a) und des mikro-elektromechanischen Elements (3b) sowie • Kontaktieren zumindest des integrierten Schaltkreises (3a) mittels zumindest einer Umverdrahtungsschicht (8).Method for producing a sensor module (M) for measuring acceleration, pressure or magnetic fields and the like, comprising the steps • Application of a metallic support frame (2) to a temporary support (K), the temporary support (K) being a detachable film (K) which is adhesive on at least one side, • arranging at least one integrated circuit (3a) at least indirectly on the temporary carrier (K), • arranging at least one micro-electromechanical element (3b) at least indirectly on the temporary carrier (K), • Contacting at least the micro-electromechanical element (3b) with a contact surface (1) of the metallic carrier frame (2) • Einhausen (7) at least the integrated circuit (3a) and the micro-electromechanical element (3b) and • Contacting at least the integrated circuit (3a) by means of at least one rewiring layer (8). Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das mikro-elektromechanische Element (3b) auf dem integrierten Schaltkreis (3a) angeordnet wird.procedure according to claim 1 , wherein the micro-electromechanical element (3b) on the integrated circuit (3a) is arranged. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Umverdrahtungsschicht (8) mittels Jetten, galvanisch oder mittels plasmaunterstütztem Pulverbeschuss hergestellt wird.Method according to one of the preceding claims, in which the rewiring layer (8) is produced by means of jetting, electroplating or by means of plasma-enhanced powder bombardment. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Einhausen (7) mittels Spritzpressen, vorzugsweise Transfermolden oder Sheetmolden erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the housing (7) takes place by means of transfer molding, preferably transfer molding or sheet molding. Verfahren nach einem der vorghergehenden Ansprüche, wobei mehrere Sensormodule (M) hergestellt werden.Method according to one of the preceding claims, wherein a plurality of sensor modules (M) are produced. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei die Sensormodule (M) vereinzelt werden, insbesondere durch Sägen.procedure according to claim 5 , wherein the sensor modules (M) are separated, in particular by sawing. Sensormodul (M), hergestellt mit einem Verfahren gemäß zumindest einem der Ansprüche 1-6, umfassend • zumindest die Kontaktfläche (1) des metallischen Trägerrahmens (2); • zumindest den integrierten Schaltkreis (3a), • zumindest das mikro-elektromechanisches Element (3b), • eine Kontaktierung zur elektrischen Kontaktierung des mikro-elektromechanischen Elements (3b) mit zumindest der Kontaktfläche (1), • die Umverdrahtungsschicht (8) zur Kontaktierung des integrierten Schaltkreises (3a) mit zumindest der Kontaktfläche (1), wobei das mikro-elektromechanische Element (3b) auf dem integrierten Schaltkreis (3a) angeordnet ist.Sensor module (M), produced with a method according to at least one of Claims 1 - 6 , comprising • at least the contact surface (1) of the metal support frame (2); • at least the integrated circuit (3a), • at least the microelectromechanical element (3b), • a contact for electrical contacting of the microelectromechanical element (3b) with at least the contact surface (1), • the rewiring layer (8) for contacting of the integrated circuit (3a) with at least the contact surface (1), wherein the micro-electromechanical element (3b) is arranged on the integrated circuit (3a).
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6100594A (en) 1998-01-14 2000-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing the same
DE10162676B4 (en) 2001-12-19 2005-06-02 Infineon Technologies Ag Electronic component with a semiconductor chip and a rewiring plate and system carrier for a plurality of electronic components and method for producing the same
EP1923627A1 (en) 2006-11-16 2008-05-21 Robert Bosch Gmbh Integrated control of LED assemblies
DE102009044639A1 (en) 2008-11-26 2010-06-24 Infineon Technologies Ag Component with a semiconductor chip

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001671A (en) * 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
CN1222252A (en) * 1996-04-18 1999-07-07 德塞拉股份有限公司 Methods for mfg. semiconductor package
WO2001036320A2 (en) * 1999-11-15 2001-05-25 Amkor Technology, Inc. Micromachine package
DE10259795A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-08 Siemens Ag Imaging device for installation in the roof area or in the outside mirror of a motor vehicle
EP1913641A1 (en) * 2005-07-28 2008-04-23 Nxp B.V. A package and manufacturing method for a microelectronic component
JP2007142372A (en) * 2005-10-17 2007-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Micro electromechanical equipment, semiconductor device, and method for manufacturing them
JP4559993B2 (en) * 2006-03-29 2010-10-13 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor device
US20090134481A1 (en) * 2007-11-28 2009-05-28 Analog Devices, Inc. Molded Sensor Package and Assembly Method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6100594A (en) 1998-01-14 2000-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing the same
DE10162676B4 (en) 2001-12-19 2005-06-02 Infineon Technologies Ag Electronic component with a semiconductor chip and a rewiring plate and system carrier for a plurality of electronic components and method for producing the same
EP1923627A1 (en) 2006-11-16 2008-05-21 Robert Bosch Gmbh Integrated control of LED assemblies
DE102009044639A1 (en) 2008-11-26 2010-06-24 Infineon Technologies Ag Component with a semiconductor chip

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