DE102010028187A1

DE102010028187A1 - Verfahren zur Herstellung einer Metal-Wrap-Through-Solarzelle sowie eine nach diesem Verfahren hergestellte Metal-Wrap-Through-Solarzelle

Info

Publication number: DE102010028187A1
Application number: DE102010028187A
Authority: DE
Inventors: Hans-Joachim Krokoszinski
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Solarworld Industries Thueringen De GmbH
Priority date: 2010-04-26
Filing date: 2010-04-26
Publication date: 2011-10-27
Also published as: WO2011134691A3; WO2011134691A2; EP2564433A2

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Metal-Wrap-Through-Solarzelle aus einem p-dotierten oder n-dotierten Silizium-Substrat (1), das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche (2) und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche (3) aufweist, aufgezeigt, folgende Schritte umfassend: Aufbringen einer Dünnschicht (5), die im Wesentlichen Aluminium umfasst, auf die zweite Hauptoberfläche (3), Entfernen der Aluminium-Dünnschicht (5) von Teilen der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Bildung von Lochbereichen (9) mit einem ersten Durchmesser (d1), in denen das Silizium-Substrat (1) freiliegt, Aufbringen und Trocknen einer dielektrischen, glasbildenden Paste (11) auf die Aluminium-Dünnschicht (5) zum Abdeckender Dünnschicht (5) und von Teilen des Silizium-Substrats (1), wodurch die Lochbereiche (9) auf einen zweiten Durchmesser (d2) verkleinert werden, Bilden von Durchkontaktierungslöchern (10) durch das SiliziumSubstrat (1) in den Lochbereichen (9), insbesondere mittels eines Lasers (13), Erhitzen und/oder Sintern der Paste (11) auf der zweiten Hauptoberfläche (3), insbesondere bei Temperaturen über ca. 577°C, zur Erzeugung einer Aluminium-Dotierschicht (6) in der zweiten Hauptoberfläche (3), und Entfernen der bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Glasschicht (12) und einer bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Aluminium-Silizium-Eutetikumsschicht von der zweiten Hauptoberfläche (3), wodurch die Aluminium-Dotierschicht (6) freigelegt wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metal-Wrap-Through-Solarzelle und eine nach diesem Verfahren hergestellte Metal-Wrap-Through-Solarzelle.
Stand der Technik
Silizium-Solarzellen, auch Metal-Wrap-Through(MWT)-Zellen, werden bisher mit einer ganzflächig siebgedruckten Metallisierung zur Verspiegelung und zur Stromsammlung auf der Rückseite versehen. Diese Rückseitenmetallisierung besteht in der Regel aus Aluminium-basierter Dickschichtpaste, die großflächig zwischen den über die Rückseite verteilten Silber-basierten Lötflächen der Basis aufgedruckt wird und dabei die Lötflächen der rückseitigen Emitterbereiche, die durch lasergebohrte mit Silber gefüllte Löcher (Vias) mit den bzw. dem vorderseitigen Metallkontaktschienen/Fingergrid verbunden sind, mit einem Abstand von ca. 0,5 mm–0,7 mm ausspart (siehe F. Clement, IEEE Conference, Philadelphia (USA), Juni 2009). Beim Sintern oberhalb von 800°C legiert das Aluminium durch Bildung des niederschmelzenden (577°C) AlSi-Eutektikums und Rekristallisation an die Halbleiteroberfläche an und kompensiert dabei die vorhandene n⁺-Dotierung aus der vorher rundum erfolgten. Phosphordiffusion zu einer stark p-dotierten (p⁺-)Dotierung über (siehe F. Huster, 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 6–10 June 2005, Barcelona, Spain). Da bisher die Basisdotierung p ist, bildet die Aluminiumdotierte rekristallisierte Oberflächenschicht ein p⁺-BSF (Back Surface Field) mit einem p⁺p-Übergang (sogenannter high-low-Übergang).
Anschließend muss in der Lücke zwischen Emitterlötflächen und der sie umgebenden gesinterten Aluminiumschicht eine „Kantenisolation” durchgeführt werden. In der Regel wird dafür ein Lasergraben hergestellt (siehe F. Clement, IEEE Conference, Philadelphia (USA), June 2009).
Bei einem anderen Verfahren besteht die MWT-Zelle aus n-dotiertem Material. Der rückseitige p⁺-Emitter wird dabei über Aluminium-Diffusion erzeugt. Der Nachteil dieser Dotierungsmethode besteht in der für die Diffusion von Aluminium in Silizium notwendigen hohen Temperatur von 1100°C ± 50°C, weil dabei (u. a. durch die Bildung von Aluminium-Sauerstoff-Komplexen) die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger (Löcher) der n-Siliziumwafer stark einbricht.
Auch die Alternative für Aluminium-Diffusion, die Bor-Diffusion, findet bei relativ hohen Temperaturen statt. Sie ist daher wegen des hohen thermischen Budgets und der damit verbundenen Kosten und Risiken ebenfalls nachteilig.
Nachteilig an den bisher bekannten Verfahren ist, dass die gedruckte Aluminium-Pastenschicht ca. 40 μm (nach dem Sintern) dick sein muss, um hinreichend tiefe Legierungsbildung bzw. Aluminium-Dotiertiefe zu erhalten. Aufgrund des Bimetalleffekts zwischen ihr und dem Siliziumwafer führt eine Verringerung der Waferdicke unter die bisher typischen 180 μm zu einer nicht mehr tolerierbaren Waferverbiegung (sogenanntem Bow). Durch die nötige Dicke des Siliziumwafers und der daher benötigten Menge an Silizium entstehen hohe Kosten für die Solarzelle.
Die Siebdruckmetallisierung der Rückseite hat einen nicht perfekten Reflexionsfaktor von nur 65% für die langwelligen Anteile des Sonnenlichts, die bis zur Rückseite durchdringen. Eine wirksamere Verspiegelung von > 90% würde die optische Weglänge des einfallenden Lichts und damit die Generation von Elektron-Loch-Paaren (d. h. den Strom) im Innern der Zelle erhöhen. Damit wird ein deutlicher Wirkungsgradgewinn erzielbar.
Eine metallische Oberfläche, sowohl die eines Emitters als auch die eines Back-Surface-Fields (BSF), hat trotz der Feldpassivierung durch Hochdotierung eine große Ladungsträger-Rekombinationsgeschwindigkeit. Um eine bessere Passivierung der Aluminium-dotierten Oberfläche der Rückseite zu ermöglichen, müssen die als Dotierquelle benötigte dicke Aluminium-Siebdruckschicht und die zwischen ihr und der Halbleiteroberfläche entstandene AlSi-Eutektikumsschicht abgeätzt werden. Dazu ist aufgrund der Dicke der abzuätzenden Schichten bei den vorbekannten Verfahren eine große Menge Salzsäure nötig, was ein großes Entsorgungsproblem darstellt.
Darüber hinaus muss ein Lasergraben die rückseitigen Emitterlötflächen umgeben, um die rückseitigen Emitterlötflächen von den sie umgebenden Aluminiumflächen zu isolieren. Wenn die rückseitigen Emitterlötflächen die Form langer Busbars haben, entsteht dadurch das Risiko von mechanischer Schwächung durch sogenannte „Sollbruchstellen”, die die Bruchrate deutlich erhöht.
Offenbarung der Erfindung
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Metal-Wrap-Through-Solarzelle aus einem p-dotierten oder n-dotierten und sägeschadengeätzen Silizium-Substrat, das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche aufweist, folgende Schritte umfassend: Aufbringen einer Dünnschicht, die im Wesentlichen Aluminium umfasst, auf die zweite Hauptoberfläche, Entfernen der Aluminium-Dünnschicht von Teilen der zweiten Hauptoberfläche zur Bildung von Lochbereichen mit einem ersten Durchmesser (d1), in denen das Silizium-Substrat freiliegt, Aufbringen und Trocknen einer dielektrischen, glasbildenden Paste auf die Aluminium-Dünnschicht zum Abdecken der Dünnschicht und von Teilendes Silizium-Substrats in den Lochbereichen, wodurch die Lochbereiche auf einen zweiten Durchmesser (d2) verkleinert werden, Bilden von Durchkontaktierungslöchern durch das Silizium-Substrat in den Lochbereichen, insbesondere mittels eines Lasers, Erhitzen und/oder Sintern der Paste auf der zweiten Hauptoberfläche, insbesondere bei Temperaturen über 800°C, zur Erzeugung einer Aluminium-Dotierschicht in der zweiten Hauptoberfläche bei gleichzeitigem Dotieren der ersten Hauptoberfläche mit Phosphor, und Entfernen der bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Glasschicht und einer bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Aluminium-Silizium-Eutetikumsschicht von der zweiten Hauptoberfläche, wodurch die Aluminium-Dotierschicht freigelegt wird.
Vorteilhaft hieran ist, dass auf technisch einfache Art und Weise eine Metal-Wrap-Through-Solarzelle mit einer Aluminium-Dotierschicht auf der zweiten Hauptoberfläche hergestellt wird. Zudem ist vorteilhaft, dass die Aluminiumschicht in direktem Kontakt zur zweiten Hauptoberfläche aufgebracht wird, dadurch kann beim Aufschmelzen am eutektischen Punkt die gesamte Schichtmenge an Aluminium unmittelbar, d. h. unverzögert bzw. unbehindert, zur Schmelzenbildung verbraucht werden. Zudem ist durch die Strukturierung der Aluminiumschicht, d. h. die Freilegung von Umgebungsbereichen der Durchkontaktierungslöcher, sichergestellt, dass die n+-Dotierung nicht die p+-Dotierung überkompensieren muss, wenn diese Bereiche mit anderer Polarität dotiert werden. Darüber hinaus wird durch die Abdeckung der Aluminiumschicht mit einer Glaspaste bzw. Glasschicht sichergestellt, dass beim Aufschmelzen des Aluminium-Silizium-Eutektikums im Wesentlichen an keiner Stelle die Schmelze offenlegt und somit auch bei einer senkrechten Position in einem Hochtemperaturofen die Eutektikumsschicht nicht zu Tropfen zusammenläuft, verspritzt oder oxidiert. Dadurch, dass die Glasabdeckung nur vorübergehend benötigt wird, kann sie deutlich dünner ausgeführt sein. Zudem führt die Glasabdeckung aufgrund ihres geringeren Ausdehnungskoeffizienten, der dem Silizium ähnlich ist, weitgehend zu keiner Verbiegung des Silizium-Substrats. Hierdurch steigt der Wirkungsgrad der Solarzelle und die Dicke des Silizium-Substrats kann deutlich reduziert werden, was erhebliche Kosten einspart. Zudem kann auf Isolationsgräben um die Durchkontaktierungslöcher verzichtet werden, was die Stabilität des Silizium-Substrats deutlich erhöht.
Das Erhitzen und/oder Sintern kann bei einer Temperatur von mindestens 800°C ablaufen. Hierdurch wird sichergestellt, dass die Aluminiumdotierung zusammen mit der Phosphordotierung der ersten Hauptoberfläche abläuft.
Bei dem Verfahren kann die Paste mittels Drucken, insbesondere mittels Siebdruck, aufgebracht werden. Hierdurch werden die Kosten des Verfahrens weiter gesenkt. Zum anderen können so die Bereiche um die später zu bohrenden Durchkontaktierungslöcher mit einem zweiten Durchmesser d2 frei gelassen werden.
Bei einer Ausführungsform des Verfahrens werden ferner vor dem Aufbringen der Paste auf die zweite Hauptoberfläche eine dünne dielektrische Schicht, insbesondere ein Oxid und/oder ein Nitrid umfassend, auf die Aluminium-Dünnschicht zur Vermeidung einer Oxidation des Aluminiums der Aluminium-Dünnschicht an Luft aufgebracht, und Teile der dielektrischen Schicht von der zweiten Hauptoberfläche zur Bildung der Lochbereiche mit dem ersten Durchmesser (d1) entfernt. Hierdurch wird sichergestellt, dass die Aluminium-Dünnschicht nicht oxidiert, was sich negativ auf die Erzeugung eines Aluminium-Eutektikums bzw. der Aluminiumdotierschicht auswirken könnte.
Bei dem Verfahren werden ferner nach dem Bohren der Löcher mittels Laser und vor dem Entfernen der Glasschicht die erste Hauptoberfläche, die Wände der Durchkontaktierungslöcher und die Lochbereiche anisotrop geätzt, insbesondere mit Kaliumhydroxid und Isopropanol, zur Bildung einer Texturierung. Die Texturierung erlaubt eine verbesserte Einkopplung des einfallenden Sonnenlichts und damit einen höheren Wirkungsgrad und ein leichteres Aufbringen von weiteren Schichten.
Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden ferner die erste Hauptoberfläche durch Diffusion von Phosphor und durch Eintreiben des Phosphors während des Erhitzens und/oder des Sinterns der glasbildenden Paste zur Erzeugung einer Phosphordotierschicht in der ersten Hauptoberfläche dotiert und eine durch die Dotierung und anschließendem Eintreiben entstandene Phosphorsilikatglasschicht entfernt. Vorteilhaft hieran ist, dass auf technisch einfache Art und Weise eine Phosphordotierschicht in der ersten Hauptoberfläche erzeugt wird. Da während der Phosphordiffusion die glasbildende Paste gesintert wird, wird ein zusätzlicher Temperaturschritt eingespart.
Bei dem Verfahren kann ferner nach dem Entfernen der Phosphorsilikatglasschicht eine Passivierungsschicht und/oder Antireflexionsschicht, insbesondere SiN oder SiN/SiO₂ umfassend, auf die erste Hauptoberfläche aufgebracht werden. Vorteilhaft hieran ist, dass durch eine Antireflexionsschicht weniger Licht reflektiert wird und durch eine Passivierungsschicht die Rekombination von Ladungsträgern sowie das Eindringen von Fremdatomen vermindert wird. Beides erhöht den Wirkungsgrad der Solarzelle bzw. verlängert die Lebensdauer der Solarzelle.
Bei einer Ausführungsform des Verfahren wird ferner nach dem Freilegen der Aluminium-Dotierschicht auf die Wände der Durchkontaktierungslöcher und die Lochbereiche der zweiten Hauptoberfläche zur Herstellung einer Metallschicht eine silberhaltige Paste mittels Siebdruck aufgebracht und getrocknet. Hierdurch wird technisch einfach eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche hergestellt.
Bei einer weiteren Ausführungsform werden ferner nach dem Aufbringen und Trocknen der silberhaltigen Paste zur Herstellung von Metallkontaktbahnen eine Metallpaste auf die erste Hauptoberfläche aufgebracht, wobei die Metallpaste Kontakt zu einem oder mehreren Durchkontaktierungslöchern hat, und die Metallpaste auf der ersten Hauptoberfläche und die silberhaltige Paste in den Durchkontaktierungslöchern und in den Lochbereichen der zweiten Hauptoberfläche zusammen gesintert und/oder erhitzt. Ein Vorteil hiervon ist, dass technisch einfach Metallkontaktbahnen auf der ersten Hauptoberfläche gebildet werden und durch das gemeinsame Sintern und/oder Erhitzen der Metallpaste auf der ersten Hauptoberfläche und der silberhaltigen Paste ein zusätzlicher Schritt eingespart wird.
Die Metallpaste kann mittels Siebdruck-, Aerosoldruck- oder Dispensverfahren aufgebracht werden. Durch dieses kostengünstige Verfahren zum Aufbringen der Metallpaste wird eine gleichmäßige Dicke der Metallpaste über die gesamte erste Hauptoberfläche sichergestellt.
Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden ferner nach dem Freilegen der Aluminium-Dotierschicht eine Passivierungsschicht auf die zweite Hauptoberfläche aufgebracht und Teile der Passivierungsschicht von der zweiten Hauptoberfläche zum Erzeugen von lokalen Öffnungen zur Kontaktierung des Silizium-Substrats und zum Erzeugen der Lochbereiche um die Durchkontaktierungslöcher mit einem dritten Durchmesser (d3), der einen Wert zwischen d1 und d2 aufweist, entfernt, insbesondere mittels Ätzen oder Laserablation. Die Passivierungsschicht und die Aluminiumschicht bilden einen deutlich besseren Infrarotlichtspiegel als die poröse Al-Schicht gemäß dem Stand der Technik. Dadurch wird ein höherer Stromertrag der Solarzelle erreicht.
Bei dem Verfahren können ferner nach dem Entfernen von Teilen der Passivierungsschicht eine weitere Aluminiumschicht und optional eine Nickelschicht auf die zweite Hauptoberfläche zum Kontaktieren des Silizium-Substrats in den Lochbereichen der zweiten Hauptoberfläche aufgebracht werden, insbesondere durch Sputtern oder Aufdampfen, und Teile der weiteren Aluminiumschicht und optionalen Nickelschicht von der zweiten Hauptoberfläche zur Freilegung der Lochbereiche um die Durchkontaktierungslöcher mit dem ersten Durchmesser (d1) entfernt werden, insbesondere durch Ätzen. Durch die Passivierungsschicht wird die Rekombination von Ladungsträgern vermindert, wodurch der Wirkungsgrad der Solarzelle erhöht wird. Vorteilhaft hieran ist auch, dass auf technisch einfache Art und Weise die zweite Hauptoberfläche des Silizium-Substrats durch die weitere Aluminiumschicht kontaktiert wird. Darüber hinaus kann die Leerlaufspannung erhöht werden. Durch die optionale Nickelschicht wird das Aufbringen weiterer Schichten auf die zweite Hauptoberfläche wesentlich erleichtert.
Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden ferner nach dem Freilegen der Aluminium-Dotierschicht eine dünne, dielektrische Schicht auf die zweite Hauptoberfläche aufgebracht, Teile der dielektrischen Schicht von der zweiten Hauptoberfläche zur Freilegung von Lochbereichen mit dem dritten Durchmesser (d3) um die Durchkontaktierungslöcher und zur Bildung von Lötkontaktflächenöffnungen mit einem vierten Durchmesser (d4) entfernt, und eine Metalllegierung, insbesondere Nickel, Silber, Kupfer und/oder Zinn umfassend, auf die Metallkontaktbahnen der ersten Hauptoberfläche und die Lötkontaktflächenöffnungen der zweiten Hauptoberfläche zur Verstärkung der Metallkontaktbahnen und/oder Lötkontaktflächenöffnungen galvanisch und/oder chemisch aufgebracht. Hierdurch werden auf technisch einfache Art und Weisen Lötkontaktflächenöffnungen hergestellt, die durch Löten einfach kontaktiert werden können, um die zweite Hauptoberfläche des Silizium-Substrats elektrisch zu kontaktieren.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ebenfalls eine Metal-Wrap-Through-Solarzelle aus einem p-dotierten oder n-dotierten Silizium-Substrat, das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche aufweist, mit Durchkontaktierungslöchern durch das Silizium-Substrat zur Verbindung der zweiten Hauptoberfläche mit der ersten Hauptoberfläche, wobei die zweite Hauptoberfläche eine Aluminiumdotierschicht aufweist und das Silizium-Substrat eine Dicke von weniger als ca. 200 μm, insbesondere weniger als ca. 180 μm, aufweist. Vorteilhaft an dieser Metal-Wrap-Through-Solarzelle ist, dass aufgrund der geringen Dicke weniger Silizium für das Silizium-Substrat benötigt wird, was Kosten einspart.
Zeichnungen
Weitere Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung werden durch die Zeichnungen veranschaulicht und in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Dabei ist zu beachten, dass die Zeichnungen nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken. Es zeigen:
1–19 Querschnittsansichten eines Silizium-Substrats nach verschiedenen Schritten eines erfindungsgemäßen Verfahrens.
Bei der nachfolgenden Beschreibung werden für gleiche und gleich wirkende Teile dieselben Bezugsziffern verwendet.
1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Silizium-Substrats 1. Das Silizium-Substrat 1 ist n-dotiert oder p-dotiert. Das Silizium-Substrat 1 weist eine erste Hauptoberfläche 2 auf, die im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dient, und eine zweite Hauptoberfläche 3, die als Rückseite im Gebrauchszustand dient. Das Silizium 4 des Silizium-Substrats 1 kann monokristallin oder multikristallin sein. Die Oberflächen sind bereits sägeschadengeätzt.
In einem ersten Verfahrensschritt wird eine möglichst reine, dünne Aluminiumschicht 5 auf die zweite Hauptoberfläche 3 aufgebracht. Unter einer möglichst reinen Aluminiumschicht ist eine Schicht zu verstehen, die im Wesentlichen nur Aluminium umfasst. Das Aufbringen kann beispielsweise durch Aufdampfen, oder Sputtern geschehen. Die Aluminium-Dünnschicht 5 deckt die zweite Hauptoberfläche 3 im Wesentlichen ab bis zu einem möglichst geringen Abstand zu der Kante des Silizium-Substrats 1. Der Abstand zur Kante des Silizium-Substrats 1 kann auch gleich Null betragen. Die Schichtdicke der Aluminium-Dünnschicht 5 wird hinsichtlich der in einem späteren Verfahrensschritt beim Sintern bzw. Erhitzen hergestellten Tiefe einer Aluminium-Dotierschicht 6 gewählt. Die Aluminium-Dotierschicht 6 dient je nach Dotierung des Silizium-Substrats 1 als Emitter bzw. als Back-Surface-Field. Die Tiefe bzw. Dicke der in einem späteren Verfahrensschritt hergestellten Aluminium-Dotierschicht 6 beträgt vorzugsweise zwischen 1 μm und 10 μm.
2 zeigt eine Querschnittsansicht des Silizium-Substrats 1 nach einem weiteren, optionalen Verfahrensschritt, in dem eine dünne dielektrische Schicht 7 auf die Aluminium-Dünnschicht 5 aufgebracht wird, um eine Oxidation des Aluminiums an Luft zu vermeiden. Die dünne dielektrische Schicht 7 kann in derselben Aufdampf- oder Sputter-Anlage aufgebracht werden, in der die Aluminium-Dünnschicht 5 aufgebracht wird. Die dünne dielektrische Schicht 7 umfasst vorzugsweise ein Oxid und/oder Nitrid.
3 zeigt das Silizium-Substrat 1 nach einem weiteren Verfahrensschritt. Eine Maskierungsschicht 8 wird auf die zweite Hauptoberfläche 3 des Silizium-Substrats 1 aufgebracht, welche Lochbereiche 9 mit einem ersten Durchmesser (d1) freilässt, in dem in einem späteren Verfahrensschritt die Durchkontaktierungslöcher 10 der Metal-Wrap-Through-Solarzelle gebildet werden sollen. Nun werden mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren der Schichtstrukturierung, wie z. B. Ätzpastendruck, maskierte nasschemische Ätzung oder maskierte Trockenätzung, Teile der dünnen dielektrischen Schicht 7 entfernt, so dass die Aluminium-Dünnschicht 5 in den von der Maskierungsschicht 8 freigelassenen Bereichen 9 freiliegt. In diesen freigelegten Lochbereichen 9 werden später die Durchkontaktierungslöcher 10 bzw. Vias der Metal-Wrap-Through(MWT)-Zelle sowie die sie umgebenden Lötflächen gebildet. Der Durchmesser dieser Lochbereiche 9 beträgt nach diesem Schritt d1.
Im nächsten Verfahrensschritt wird die Aluminium-Dünnschicht 5 in den Lochbereichen 9 weggeätzt (siehe 4), wodurch das Silizium 4 des Silizium-Substrats 1 in den Lochbereichen 9 freiliegt, und anschließend die Maskierungsschicht 8 von der zweiten Hauptoberfläche 3 wieder entfernt. Alternativ kann, wenn die optionale dünne dielektrische Schicht 7 aufgebracht und mit Laserablation geöffnet wird, die Maskierungsschicht 8 vor diesem Verfahrensschritt weggelassen werden, da die dielektrische Schicht 7 die Aluminium-Dünnschicht 5 während des Ätzvorgangs schützt bzw. maskiert. Nun liegen an einer oder mehreren Stellen der zweiten Hauptoberfläche 3 das Silizium 4 des Silizium-Substrat 1 in einem Bereich mit dem ersten Durchmesser (d1) frei.
Das Silizium-Substrat 1 nach einem weiteren Verfahrensschritt ist 5 gezeigt. In diesem Verfahrensschritt wird eine dielektrische, glasbildende Paste 11 auf die Aluminium-Dünnschicht 7 und Teile des Siliziums 4 des Silizium-Substrats 1 in den Lochbereichen 9 aufgebracht, so dass die Breite der Lochbereiche 9 von der ersten Breite drauf die eine Breite (d2) verkleinert wird, wobei d2 nur wenig kleiner als d1 ist. Dieses Aufbringen geschieht vorzugsweise mittels Siebdruck. Diese Abdeckung der Aluminium-Dünnschicht 5 durch eine dielektrische, glasbildende Paste 11 ist nur vorübergehend während des Verfahrens und wird in einem späteren Verfahrensschritt nach der Dotierung der zweiten Hauptoberfläche 3 wieder entfernt. Daher kann ihre Dicke möglichst dünn gewählt werden, vorzugsweise zwischen 10 μm bis 12 μm. Aufgrund der geringeren Dicke wird weniger Säure benötigt, um die in einem späteren Verfahrensschritt aus der Paste 11 entstehende Glasschicht 12 wieder aufzulösen bzw. zu entfernen.
Somit ist die Belastung des Ätzbades, in der Regel Flusssäure, mit aufzulösendem Material wenigstens ein Faktor 4 geringer als die Belastung des Salzsäurebads bei der Entfernung einer 40 μm dicken Siebdruck-Aluminiumschicht gemäß den vorbekannten Verfahren.
Im nächsten Verfahrensschritt werden mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren Durchkontaktierungslöcher 10 im Silizium-Substrat 1 erzeugt. Vorzugsweise beträgt die Anzahl der Löcher 60 bis 100 Löcher pro Silizium-Substrat 1. Die Durchkontaktierungslöcher 10 verbinden die zweite Hauptoberfläche 3 des Silizium-Substrats 1 mit der ersten Hauptoberfläche 2. Bevorzugt werden die Durchkontaktierungslöcher 9 durch Beschuss mit einem Laserstrahl 13 von der zweiten Hauptoberfläche 3 hergestellt. Vorzugsweise liegt der Durchmesser der Durchkontaktierungslöcher 10 zwischen 70 μm und 120 μm und der Durchmesser ist am Eintritt auf der zweiten Hauptoberfläche 3 etwas größer als am Austritt auf der ersten Hauptoberfläche 2. Dieser Verfahrensschritt ist in 6 gezeigt.
7 zeigt eine Querschnittsansicht des Silizium-Substrats 1 nach einem weiteren Verfahrensschritt, bei dem eine Texturierung geätzt wird. Die erfindungsgemäße Glasschicht 12 bzw. Glaspaste 11 der zweiten Hauptoberfläche 3 schützt die zweite Hauptoberfläche 3 im Wesentlichen vor der Ätzung mit Ausnahme der die Durchkontaktierungslöcher 10 umgebenden Lochbereiche 9. Somit erfolgt die Texturierung auf der ersten Hauptoberfläche 3, in den Durchkontaktierungslöchern 10 bzw. Wänden der Durchkontaktierungslöcher 10 und in den Lochbereichen 9 mit dem zweiten Durchmesser (d2) auf der zweiten Hauptoberfläche 3.
8 zeigt den Schritt des Phosphor-Dotierens. Bei diesem Verfahrensschritt erfolgt eine standardmäßige Phosphordiffusion mit anschließendem Eintreibschritt. Die Phosphordiffusion wird bevorzugt mit POCl₃ 14 bewerkstelligt. Beim Eintreibschritt, der oberhalb von 800°C abläuft, wird das Phosphor in das Silizium-Substrat 1 eingetrieben und gleichzeitig bilden unter der Glasschicht 12 der zweiten Hauptoberfläche 3 die Aluminium-Dünnschicht 5 und das Silizium 4 an der zweiten Hauptoberfläche 3 eine flüssige eutektische AlSi-Phase. Die Dicke der flüssigen Schicht hängt zu jedem Zeitpunkt von der gerade herrschenden Temperatur und Dicke der Aluminium-Dünnschicht 5 ab. Bei der Abkühlung nach der Diffusion des Phosphors und anschließendem Eintreibschritt oberhalb von 800°C rekristallisiert unterhalb der eutektischen Temperatur (ca. 577°C) die Aluminium-dotierte Kristallschicht von innen nach außen zu einer p⁺-Schicht. Diese p⁺-Schicht stellt bei einem n-dotierten Silizium-Substrat den Emitter, und bei einem p-dotierten Silizium-Substrat das Back-Surface-Field dar. Anschließend erstarrt die restliche eutektische Schmelze in Form der Randphasen des Phasendiagramms zur AlSi-Schicht mit körnigem Gefüge. Vorzugsweise beträgt die Temperatur währen des Eintreibschrittes weniger als 900°C. Bei der Phosphor-Dotierung wird hauptsächlich eine Phosphordotierschicht 15 in der ersten Hauptoberfläche 2, den Wänden der Durchkontaktierungslöcher 10 und den freigelegten Lochbereichen 9 der zweiten Hauptoberfläche 3 gebildet. Alternativ kann auch die Glaspaste 11 in einem von der Phosphordotierung unabhängigem Schritt erhitzt bzw. gesintert werden, vorzugsweise bei Temperaturen über 800°C und/oder unterhalb von 900°C, wodurch durch die oben beschriebenen Vorgänge unterhalb der Glasschicht 12 ebenfalls eine Aluminium-Dotierschicht 6 in der zweiten Hauptoberfläche 3 entsteht.
Nach der (gleichzeitigen) Dotierung der ersten Hauptoberfläche 2 mit Phosphor und der zweiten Hauptoberfläche 3 mit Aluminium können nun alle Schichten oberhalb dieser Dotierungsschichten 15, 6 auf der ersten Hauptoberfläche 2 und der zweiten Hauptoberfläche 3 entfernt werden. Dazu werden zunächst mit Flusssäure die dielektrischen Schichten, d. h. die beim Eintreibschritt entstandene Phosphorsilikatglasschicht und die aus der glasbildenden Paste 11 entstandene Glasschicht 12, und dann mit einer geeigneten Säure oder Lauge die AlSi-Restschichten abgeätzt. Das Silizium-Substrat 1 nach diesem Verfahrensschritt ist in 9 gezeigt. Das Silizium-Substrat 1 weist zwei sogenannte p⁺ – n⁺-Lücken 16 auf jeweils zwischen der Aluminium-Dotierschicht 6 der zweiten Hauptoberfläche 3 und dem Teil der zweiten Hauptoberfläche 3, das eine Phosphordotierschicht aufweist.
10 zeigt eine Querschnittsansicht des Silizium-Substrats 1 nach einem weiteren Verfahrensschritt. Bei diesem Verfahrensschritt wird eine Passivierungsschicht und/oder Antireflexionsschicht (ARC) 17 auf die erste Hauptoberfläche 2 aufgebracht. Bei diesem Aufbringen wird die eine Passivierungsschicht und/oder Antireflexionsschicht 17 auch zum Teil auf die Wände der Durchkontaktierungslöcher 10 aufgebracht. Obwohl die Wände der Durchkontaktierungslöcher 10 und die rückseitigen Lochbereiche 9 mit Phosphor dotiert wurden, werden sie bei den Standardprozessen für eine Abscheidung der Passivierungsschicht und/oder Antireflexionsschicht 17 wie beispielsweise Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) nur unvollkommen mit der Passivierungsschicht und/oder Antireflexionsschicht 17 bzw. einer Antireflexionsschichtfolge bedeckt. Daher wird für die Metallisierung der Durchkontaktierungslöcher 10 im nächsten Verfahrensschritt eine spezielle silberhaltige Paste gewählt, die n⁺-Oberflächen gut kontaktiert, allerdings den pn-Übergang in p-dotierten Materialien aber nicht durchdringt (sogenanntes Shunting). In n-dotierten Silizium-Substraten ist das Problem geringer, da hier nur ein n⁺ – n-Übergang vorliegt, der nicht geshuntet werden kann.
11 zeigt das Silizium-Substrat 1 nach diesem Verfahrensschritt, bei dem durch Drucken, Einsaugen und Trocknen der silberhaltigen Paste eine Metallisierung der Wände der Durchkontaktierungslöcher 10 und der rückseitigen Lochbereiche 9 hergestellt wurde, d. h. eine Metallschicht 18 auf diese aufgebracht wurde.
Anschließend wird mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren, wie z. B. Siebdruck, Aerosoldruck, Dispensing, eine Metallpaste, vorzugsweise eine Silberpaste auf die erste Hauptoberfläche 2 aufgebracht. Diese Metallpaste bildet Metallkontaktbahnen 19, sogenannte schmale Finger. Alle Metallkontaktbahnen 19 bzw. Finger haben Kontakt zu mehreren der mit einer Metallschicht 18 versehenen Durchkontaktierungslöcher 10, damit der Strom zu den Kontakten auf der zweiten Hauptoberfläche 3 geleitet wird. Anschließend wird die Metallpaste der ersten Hauptoberfläche 2 zusammen mit der Silberpaste der zweiten Hauptoberfläche 3 gleichzeitig gesintert, beispielsweise in einem Ofenprozess. Das Silizium-Substrat 1 nach diesem Verfahrensschritt ist in 12 gezeigt.
13 zeigt das Silizium-Substrat 1 nach einem weiteren Verfahrensschritt, bei dem eine für p⁺-Dotierung geeignete Passivierungsschicht 20 vorzugsweise mittels PECVD-Verfahren auf die zweite Hauptoberfläche 3 aufgebracht wurde. Dies geschieht beispielsweise nach einer kurzen Behandlung mit Fluorwasserstoff HF, dem sogenannten HF-Dip. Anschließend wird diese Passivierungsschicht 20 mit einem der bekannten Verfahren (Laserablation, Ätzpaste, maskiertes nasschemisches Ätzen oder Ionenätzen) an vielen Stellen 21 der zweiten Hauptoberfläche 3 lokal geöffnet, d. h. eine so genannte PERC-Struktur wird vorbereitet. Dabei werden auch die Lochbereiche 9 um die Durchkontaktierungslöcher 10 herum mit dem dritten Durchmesser (d3) geöffnet, der zwischen d1 und d2 liegt. Dies ist in 14 gezeigt.
Anschließend wird die gesamte zweite Hauptoberfläche 3 mit einer hinreichend dicken weiteren Aluminiumschicht 22 bedeckt. Das Aufbringen dieser weiteren Aluminiumschicht 22 kann beispielsweise durch ein PVD-Verfahren, z. B. Sputtern oder Aufdampfen, geschehen. Die weitere Aluminiumschicht 22 berührt in den freigelegten Lochbereichen 9 der Passivierungsschicht 20 die zweite Hauptoberfläche 3 des Silizium-Substrats 1 direkt und liegt in allen anderen Bereichen der zweiten Hauptoberfläche 3 auf der Passivierungsschicht 20 auf. Dies ist in 15 gezeigt. Vorteilhafterweise wird in derselben PVD-Anlage eine dünne nickelhaltige Schicht auf die weitere Aluminiumschicht 22 abgeschieden, um auf dieser in den Busbar-/Sammelschienenbereichen oder Lötkontaktflächenbereichen in einem späteren Verfahrensschritt durch einen chemischen und/oder galvanischen Prozess eine lötfähige Schicht abscheiden zu können bzw. dies zu erleichtern.
16 zeigt eine Querschnittsansicht des Silizium-Substrats 1 nach einem weiteren maskierten Ätzprozess. Eine Maskierungsschicht 8 wurde auf die zweite Hauptoberfläche 3 aufgebracht, die einen Bereich mit dem ersten Durchmesser (d1) um die Durchkontaktierungslöcher 10 freilässt. Beim Ätzen wird ein Lochbereich 9 mit dem ersten Durchmesser (d1) um jedes Durchkontaktierungsloch 10 von der weiteren Aluminiumschicht 22 und der optionalen Nickelschicht befreit. Der erste Durchmesser (d1) entspricht der Öffnungsbreite in der Aluminium-Dotierschicht 6 der zweiten Hauptoberfläche 3.
Um die Verstärkung, d. h. die Abscheidung von lötfähigen Schichten, auf die Lötkontaktflächenbereiche einzuschränken, wird in einem weiteren Verfahrensschritt eine dünne dielektrische Schicht 23 auf die gesamte zweite Hauptoberfläche 3 abgeschieden (siehe 17) und anschließend Teile der dünnen dielektrischen Schicht 23 entfernt, um Lötkontaktflächenbereiche 24 mit dem vierten Durchmesser (d4) und Lochbereiche 9 der Breite d3 bzw. mit dem dritten Durchmesser (d3) um die Durchkontaktierungslöcher 10 herzustellen. Dies kann mit einem der bekannten Verfahren, wie z. B. Laserablation, Ätzpaste, maskiertem nasschemischen Ätzen oder Ionenätzen, geschehen. In 18a bzw. 18b ist gezeigt, dass eine Maskierungsschicht 8 auf die zweite Hauptoberfläche aufgebracht wurde, die Lochbereiche 9 mit dem dritten Durchmesser (d3) um die Durchkontaktierungslöcher 10 bzw. Lötkontaktbereiche 24 mit dem vierten Durchmesser (d4) freilässt. Nach dem Entfernen der dünnen dielektrischen Schicht 7 wird die Maskierungsschicht 8 wieder entfernt.
Abschließend werden in einem galvanischen oder chemischen Abscheidprozess die Metallkontaktbahnen 19 bzw. Finger auf der ersten Hauptoberfläche 2 und die Lötkontaktflächen 24 beider Polaritäten auf der zweiten Hauptoberfläche 3 mit je einer lötfähigen Schichtfolge 25 bzw. 26 verstärkt (siehe 19). Die lötfähigen Schichtfolgen umfassen bevorzugt eine geeignete Kombination der Metalle Nickel, Silber, Kupfer und Zinn.
An dieser Stelle sei darauf hin hingewiesen, dass alle oben beschriebenen Schritte des Verfahrens für sich alleine gesehen und in jeder Kombination, insbesondere die in den Zeichnungen dargestellten Details, als erfindungswesentlich beansprucht werden. Abänderungen hiervon sind dem Fachmann geläufig.
Im Übrigen ist die Ausführung der Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Beispiele und hervorgehobenen Aspekte beschränk, sondern lediglich durch den Schutzbereich der anhängenden Patentansprüche.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

F. Clement, IEEE Conference, Philadelphia (USA), Juni 2009 [0002]
F. Huster, 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 6–10 June 2005, Barcelona, Spain [0002]
F. Clement, IEEE Conference, Philadelphia (USA), June 2009 [0003]

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Metal-Wrap-Through-Solarzelle aus einem p-dotierten oder n-dotierten und sägeschadengeätzen Silizium-Substrat (1), das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche (2) und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche (3) aufweist, folgende Schritte umfassend: – Aufbringen einer Dünnschicht (5), die im Wesentlichen Aluminium umfasst, auf die zweite Hauptoberfläche (3), – Entfernen der Aluminium-Dünnschicht (5) von Teilen der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Bildung von Lochbereichen (9) mit einem ersten Durchmesser (d1), in denen das Silizium-Substrat (1) freiliegt, – Aufbringen und Trocknen einer dielektrischen, glasbildenden Paste (11) auf die Aluminium-Dünnschicht (5) zum Abdecken der Dünnschicht (5) und von Teilen des Silizium-Substrats (1) in den Lochbereichen (9), wodurch die Lochbereiche (9) auf einen zweiten Durchmesser (d2) verkleinert werden, – Bilden von Durchkontaktierungslöchern (10) durch das Silizium-Substrat (1) in den Lochbereichen (9), insbesondere mittels eines Lasers (13), – Erhitzen und/oder Sintern der Paste (11) auf der zweiten Hauptoberfläche (3), insbesondere bei Temperaturen über ca. 577°C, zur Erzeugung einer Aluminium-Dotierschicht (6) in der zweiten Hauptoberfläche (3), und – Entfernen der bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Glasschicht (12) und einer bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Aluminium-Silizium-Eutetikumsschicht von der zweiten Hauptoberfläche (3), wodurch die Aluminium-Dotierschicht (6) freigelegt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Erhitzen und/oder Sintern bei einer Temperatur von mindestens 800°C abläuft.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Paste (11) mittels Drucken, insbesondere mittels Siebdruck, aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ferner vor dem Aufbringen der Paste (11) auf die zweite Hauptoberfläche (3) – eine dünne dielektrische Schicht (7), insbesondere ein Oxid und/oder ein Nitrid umfassend, auf die Aluminium-Dünnschicht (5) zur Vermeidung einer Oxidation des Aluminiums der Aluminium-Dünnschicht (5) an Luft aufgebracht wird, und – Teile der dielektrischen Schicht (7) von der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Bildung der Lochbereiche (9) mit dem ersten Durchmesser (d1) entfernt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ferner vor dem Entfernen der Glasschicht die erste Hauptoberfläche (2), Wände der Durchkontaktierungslöcher (10) und die Lochbereiche (9) geätzt werden, insbesondere mit Kaliumhydroxid und Isopropanol, zur Bildung einer Texturierung.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ferner – die erste Hauptoberfläche (2) durch Diffusion von Phosphor und durch Eintreiben des Phosphors während des Erhitzens und/oder des Sinterns der glasbildenden Paste (11) zur Erzeugung einer Phosphordotierschicht (15) in der ersten Hauptoberfläche (2) dotiert wird und – eine durch die Dotierung und anschließendem Eintreiben entstandene Phosphorsilikatglasschicht entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei ferner nach dem Entfernen der Phosphorsilikatglasschicht eine Passivierungsschicht und/oder Antireflexionsschicht (17), insbesondere SiN oder SiN/SiO₂ umfassend, auf die erste Hauptoberfläche (2) aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ferner nach dem Freilegen der Aluminium-Dotierschicht (6) auf die Wände der Durchkontaktierungslöcher (10) und die Lochbereiche (9) der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Herstellung einer Metallschicht (18) eine silberhaltige Paste mittels Siebdruck aufgebracht und getrocknet wird.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei ferner nach dem Aufbringen und Trocknen der silberhaltigen Paste – zur Herstellung von Metallkontaktbahnen eine Metallpaste (19) auf die erste Hauptoberfläche (2) aufgebracht wird, wobei die Metallpaste Kontakt zu einem oder mehreren Durchkontaktierungslöchern (10) hat, und – die Metallpaste (19) auf der ersten Hauptoberfläche (2) und die silberhaltige Paste in den Durchkontaktierungslöchern (10) und in den Lochbereichen (9) der zweiten Hauptoberfläche (3) zusammen gesintert und/oder erhitzt werden.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Metallpaste (19) mittels Siebdruck-, Aerosoldruck- oder Dispensverfahren aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ferner nach dem Freilegen der Aluminium-Dotierschicht (6) – eine Passivierungsschicht (20) auf die zweite Hauptoberfläche (3) aufgebracht wird und – Teile der Passivierungsschicht (20) von der zweiten Hauptoberfläche (3) zum Erzeugen von lokalen Öffnungen (21) zur Kontaktierung des Siliziums-Substrats (1) und zum Erzeugen der Lochbereiche (9) um die Durchkontaktierungslöcher (10) mit einem dritten Durchmesser (d3), der einen Wert zwischen d1 und d2 aufweist, entfernt werden, insbesondere mittels Ätzen oder Laserablation.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei ferner nach dem Entfernen von Teilen der Passivierungsschicht – eine weitere Aluminiumschicht (22) und optional eine Nickelschicht auf die zweite Hauptoberfläche (3) zum Kontaktieren des Silizium-Substrats (1) in den Lochbereichen (9) der zweiten Hauptoberfläche (3) aufgebracht wird, insbesondere durch Sputtern oder Aufdampfen, und – Teile der weiteren Aluminiumschicht (22) und optionalen Nickelschicht von der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Freilegung der Lochbereiche (9) um die Durchkontaktierungslöcher (10) mit dem ersten Durchmesser (d1) entfernt wird, insbesondere durch Ätzen.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ferner nach dem Freilegen der Aluminium-Dotierschicht (6) – eine dünne dielektrische Schicht (7) auf die zweite Hauptoberfläche (3) aufgebracht wird, – Teile der dielektrischen Schicht (7) von der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Freilegung von Lochbereichen (9) mit dem dritten Durchmesser (d3) um die Durchkontaktierungslöcher (10) und zur Bildung von Lötkontaktflächenöffnungen (24) mit einem vierten Durchmesser (d4) entfernt werden und – eine Metalllegierung, insbesondere Nickel, Silber, Kupfer und/oder Zinn umfassend, auf die Metallkontaktbahnen (19) der ersten Hauptoberfläche (2) und die Lötkontaktflächenöffnungen (24) der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Verstärkung der Metallkontaktbahnen (19) und/oder Lötkontaktflächenöffnungen (24) galvanisch und/oder chemisch aufgebracht wird.
Metal-Wrap-Through-Solarzelle aus einem p-dotierten oder n-dotierten Silizium-Substrat (1), das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche (2) und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche (3) aufweist, mit Durchkontaktierungslöchern (10) durch das Silizium-Substrat (1) zur Verbindung der zweiten Hauptoberfläche (3) mit der ersten Hauptoberfläche (2), wobei die zweite Hauptoberfläche (3) eine Aluminiumdotierschicht (6) aufweist und das Silizium-Substrat (1) eine Dicke von weniger als ca. 200 μm aufweist.
Metal-Wrap-Through-Solarzelle nach Anspruch 14, wobei eine Passivierungsschicht (20), die auf der Aluminiumdotierschicht (6) angeordnet ist, mit Öffnungen (9) und eine auf der Passivierungsschicht (20) angeordnete weitere Aluminiumschicht (22) zum Kontaktieren der Aluminium-Dotierschicht (6) in den Öffnungen (9) vorgesehen sind.
Metal-Wrap-Through-Solarzelle nach Anspruch 14 oder 15, wobei eine nickelhaltige Metallschicht und eine Isolierschicht (7) auf der weiteren Aluminiumschicht (22) angeordnet sind, wobei die Isolierschicht (7) in Lochbereichen (9) mit einem Durchmesser d3 und in den Lötkontaktbereichen (24) mit einem Durchmesser d4 entfernt ist, und wobei diese Bereiche mit einer in einem chemischen oder galvanischen Verfahren gebildeten lötfähigen Schicht oder Schichtfolge belegt sind.