DE102009021508A1 - Electrode for use in e.g. surface acoustic wave component, has electrode material, where concentration of material within electrode monotonously decreases with increasing distance from surface of electrode - Google Patents

Electrode for use in e.g. surface acoustic wave component, has electrode material, where concentration of material within electrode monotonously decreases with increasing distance from surface of electrode Download PDF

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Abstract

The electrode (El) has an electrode material differing from an electrode metal. The electrode material has a higher diffusion coefficient than the electrode metal, where concentration of the material within the electrode monotonously decreases with increasing distance from a surface of the electrode. The electrode metal is selected from a group consisting of aluminum, copper, silver or gold. An intermediate layer is arranged between the electrode and a substrate (Su) that is made of diamond, silicon, Gallium arsenide, germanium or silicon-germanium composite. An independent claim is also included for a method for manufacturing an electrode.

Description

Die Erfindung betrifft Elektroden mit verbesserter Leistungsfestigkeit, welche beispielsweise in mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen Verwendung finden, sowie Verfahren zur Herstellung.The This invention relates to electrodes having improved performance, which for example in working with acoustic waves components use find, as well as methods of preparation.

SAW (Surface Acoustic Wave) Bauelemente und BAW (Bulk Acoustic Wave) Bauelemente sollen lange Lebensdauern aufweisen. Während ihrer Lebensdauer sollen sie ferner einen geringen Temperaturgang der Frequenz aufweisen, möglichst leistungsfest und möglichst temperaturresistent sein. Die elektroakustischen Eigenschaften solcher Bauelemente sollen sich möglichst wenig ändern.SAW (Surface Acoustic Wave) Components and BAW (Bulk Acoustic Wave) Components should have long lifetimes. While Their life they should also have a low temperature response have the frequency, as powerful as possible and possible be temperature resistant. The electroacoustic properties of such Components should change as little as possible.

Die Eigenschaften von mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen können grob eingeteilt werden in strukturelle Eigenschaften und elektroakustisch funktionelle Eigenschaften. Die elektroakustischen Eigenschaften hängen vom Aufbau der Bauelemente ab: Die elektroakustischen Eigenschaften hängen z. B. vom elektroakustischen Kopplungskoeffizienten ab. Dieser wiederum hängt von der konkreten Ausgestaltung der Schichtlage bzw. des Schichtaufbaus der Bauelemente ab. Die Widerstandsfähigkeit des elektroakustischen Bauelements gegenüber äußeren Einflüssen – wie beaufschlagte Leistung und Umgebungstemperatur etc. – kann durch konstruktive Maßnahmen verbessert werden. Somit hängen strukturelle und elektroakustische Eigenschaften voneinander ab.The Properties of acoustic wave devices can be roughly classified into structural characteristics and electroacoustic functional properties. The electroacoustic Properties depend on the structure of the components: The electroacoustic properties hang z. B. of the electro-acoustic Coupling coefficients. This in turn depends on the concrete embodiment of the layer layer or the layer structure of the components. The resistance of the electroacoustic Component against external influences - such as applied power and ambient temperature etc. - can through constructive measures are improved. Thus hang structural and electroacoustic properties from each other.

Insbesondere Diffusion- und (Elektro-)Migrationseffekte führen zu einer Degradation der Bauelemente. Als Diffusions- und Migrationseffekte werden Effekte bezeichnet, bei denen Atome der Elektrodenschicht durch Phasengrenzen in benachbarte Materialien (wie z. B. Substrat) migrieren/diffundieren. Auf Dauer führt ein solcher Materialfluss zur Verschlechterung der elektroakustischen Eigenschaften und im schlimmsten Fall zum Ausfall des gesamten Bauelements.Especially Diffusion and (electro-) migration effects lead to a Degradation of the components. As diffusion and migration effects are called effects in which atoms of the electrode layer through phase boundaries into adjacent materials (such as substrate) migrate / diffuse. In the long term, such a material flow leads for the deterioration of the electroacoustic properties and in the worst case Case for failure of the entire device.

Ferner sollen mittels akustischen Wellen arbeitende Bauelemente, deren charakteristische Strukturgrößen sich in der Regel im Mikrometerbereich befinden, vor äußeren Umwelteinflüssen geschützt werden.Further to be working by means of acoustic waves components whose characteristic structure sizes are usually in the micrometer range, against external environmental influences to be protected.

Aus der DE 10 320 702 A1 beispielsweise ist ein mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement bekannt, dessen durch Strukturierung von Metallisierungsschichten erzeugte Elektrodenfingerstrukturen durch eine isolierende Oxidationsschicht als Schutzschicht gegen äußere Umwelteinflüsse geschützt sind. Es wird auf die Metallstrukturen der Elektrodenfinger eine weitere Metallschicht aufgebracht und in einem weiteren Verfahrensschritt vollständig in einen elektrisch isolierenden Zustand (das die Schutzschicht ausbildende Oxid) überführt.From the DE 10 320 702 A1 For example, a working surface acoustic wave device is known, the electrode finger structures produced by structuring of metallization layers are protected by an insulating oxidation layer as a protective layer against external environmental influences. A further metal layer is applied to the metal structures of the electrode fingers and, in a further method step, completely converted into an electrically insulating state (the oxide forming the protective layer).

Aus der DE 10 206 369 A1 ist ein weiteres mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement bekannt. Dessen Fingerelektrodenstrukturen umfassen eine Mehrschichtstruktur mit zusätzlichen Zwischenschichten und seitlich oder ganzflächig über der Elektrodenstruktur aufgebrachten Passivierungsschichten. Diese dienen insbesondere zur Vermeidung von Akustomigration der Aluminiumatome der Elektroden, welche einen hohen Diffusionskoeffizienten aufweisen, und zur Vermeidung von Whisker-Bildung.From the DE 10 206 369 A1 is another known with surface acoustic wave device known. Its finger electrode structures comprise a multilayer structure with additional intermediate layers and passivation layers applied laterally or over the entire surface over the electrode structure. These are used in particular to avoid akustomigration of the aluminum atoms of the electrodes, which have a high diffusion coefficient, and to avoid whisker formation.

Prinzipiell nachteilig an allen bekannten zusätzlichen Schichten, welche relativ dick ausgeführt sind und das Elektrodenmaterial vor Migration schützen sollen, ist der negative Einfluss auf den elektroakustischen Kopplungskoeffizienten. Der Kopplungskoeffizient k2 wird durch eine verschlechterte elektroakustische Kopplung der Elektroden an daspiezoelektrische Substrat – z. B. aufgrund der durch die Zwischenschicht bewirkten – vergrößerten Entfernung zwischen Piezoschicht und Elektrodenschicht reduziert. Im Allgemeinen ist dann die Einfügedämpfung von Filterschaltungen, welche auf mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen basieren, erhöht. Zusätzlich nachteilig an isolierenden Zwischenschichten, die innerhalb von Elektroden angeordnet sind, ist die dadurch verminderte Leitfähigkeit der gesamten Elektrode.In principle disadvantageous in all known additional layers which are made relatively thick and which are intended to protect the electrode material from migration is the negative influence on the electroacoustic coupling coefficient. The coupling coefficient k 2 is due to a deteriorated electro-acoustic coupling of the electrodes to the piezoelectric substrate -. B. due to the effect caused by the intermediate layer - increased distance between the piezoelectric layer and the electrode layer. In general, then, the insertion loss of filter circuits based on acoustic wave devices is increased. An additional disadvantage of insulating intermediate layers, which are arranged within electrodes, is the reduced conductivity of the entire electrode as a result.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine auf einfache Weise herstellbare Elektrode anzugeben, die sowohl eine erhöhte Leistungsfestigkeit gegenüber einer hohen Leistungsbeanspruchung als auch eine hohe Lebensdauer aufweist und deren elektroakustischer Kopplungskoeffizient verglichen mit bekannten Elektrodenstrukturen weniger nachteilig beeinträchtigt ist. Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung solcher Elektroden anzugeben.task The present invention is therefore a simple one indicate producible electrode, both an increased Performance against a high power stress as well as having a long life and their electroacoustic Coupling coefficient compared to known electrode structures less adversely affected. Another task exists to provide a method of making such electrodes.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Elektrode nach Anspruch 1 bzw. durch ein in den Ansprüchen genanntes Verfahren gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Elektrode und Verfahren zur Herstellung ergeben sich aus Unteransprüchen.These Object is achieved by an electrode according to claim 1 or by a named in the claims Procedure solved. Advantageous embodiments of the electrode and methods of preparation will become apparent from subclaims.

Die Elektrode der Erfindung umfasst ein Elektrodenmetall und ein vom Elektrodenmetall verschiedenes weiteres Elektrodenmaterial, wobei die Elektrode zu 0,001 bis 20 Atomprozent aus dem weiteren Elektrodenmaterial besteht und wobei das weitere Elektrodenmaterial einen höheren Diffusionskoeffizienten im Elektrodenmetall als das Elektrodenmetall in sich selbst hat. Die Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials innerhalb der Elektrode nimmt mit zunehmender Entfernung von der Oberfläche der Elektrode monoton ab.The Electrode of the invention comprises an electrode metal and a of Electrode metal various other electrode material, wherein the electrode to 0.001 to 20 atomic percent of the further electrode material and wherein the further electrode material has a higher Diffusion coefficients in the electrode metal as the electrode metal has in itself. The concentration of the further electrode material within the electrode increases with increasing distance from the Surface of the electrode monotonously.

Als Oberfläche der Elektrode wird dabei jede Phasengrenze zwischen der Elektrode und einem benachbarten Material – z. B. einem Substrat einer Schutzschicht, der Atmosphäre oder einer weiteren Zwischenschicht – bezeichnet. Die Oberfläche der Elektrode bezeichnet insbesondere alle Seitenflächen der Elektrode sowie alle Ober- und Unterseiten der Elektrode.When Surface of the electrode is thereby every phase boundary between the electrode and an adjacent material -. B. one Substrate of a protective layer, the atmosphere or a another intermediate layer - called. The surface the electrode designates in particular all side surfaces the electrode as well as all upper and lower sides of the electrode.

Es wurde erkannt, dass der – bisher als nachteilig betrachtete – Akustomigrationseffekt, welcher bei bekannten Elektrodenstrukturen zu den oben beschriebenen Nachteilen führt, in vorteilhafter Weise verwendet werden kann, um eine verbesserte Elektrode zu erhalten. Die Atome des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode weisen einen höheren Diffusionskoeffizienten als das Elektrodenmetall der Elektrode auf. Dadurch ist ihre Beweglichkeit gegenüber den Atomen des Elektrodenmetalls erhöht. Der Diffusionskoeffizient ist materialabhängig und ein Maß für die Beweglichkeit bzw. für das Wandervermögen der entsprechenden Atome. Der Effekt der Diffusion/Wanderung der Atome des weiteren Elektrodenmaterials tritt weniger im Inneren der Elektrode als vielmehr im Randbereich nahe der Oberfläche der Elektrode zutage. Insbesondere die Phasengrenzen zwischen der Elektrode und weiteren benachbarten Materialien – oder allgemeiner: an der Oberfläche der Elektrode bzw. in der Nähe der Oberfläche der Elektrode – führt die erhöhte Beweglichkeit der Atome des weiteren Elektrodenmaterials zu einer Akkumulation des weiteren Elektrodenmaterials. Drift-, Migrations- und Diffusionsprozesse führen deshalb zu der Situation, dass die Konzentration der Atome in der Nähe der Oberfläche des weiteren Elektrodenmaterials erhöht ist. Diese erhöhte Konzentration an der Oberfläche, welche in einem bevorzugten Fall zu einer kompletten Umschließung der Elektrode mit dem weiteren Elektrodenmaterial durch eine sehr dünne Schicht führt, stellt praktisch eine Schutzhülle dar, die die Atome des Elektrodenmetalls selbst an einer Diffusion aus der Elektrode heraus hindert. Speziell Korngrenzen zu benachbarten Materialien stellen eine Situation dar, in der sich die Atome des weiteren Elektrodenmaterials vorzugsweise ansammeln und effektiv die Diffusion der Atome des Elektrodenmetalls verhindern. Es handelt sich praktisch um sich selbst passivierende Elektroden, bei denen das weitere Elektrodenmaterial eine intrinsische Schutzfunktion darstellt. Es wird also eine Interfacestabilisierung, d. h. eine Stabilisierung der Oberfläche der Elektrode, erreicht, ohne die Leitfähigkeit im Volumen der Elektrode im Wesentlichen zu verringern. Die Ansammmlung der Atome des weiteren Elektrodenmaterials in der Nähe der Oberfläche führt dabei im Wesentlichen NICHT zu einer Rückdiffusion des weiteren Elektrodenmaterials zurück ins Innere der Elektrode.It It was recognized that the - so far regarded as disadvantageous - Akustomigrationseffekt, which in known electrode structures to those described above Disadvantages leads to be used in an advantageous manner can to get an improved electrode. The atoms of the rest Electrode material in the electrode have a higher Diffusion coefficient as the electrode metal of the electrode. This is their mobility towards the atoms of the Increased electrode metal. The diffusion coefficient is material dependent and a measure of the Agility or for the wandering of the corresponding atoms. The effect of diffusion / migration of the atoms Further, electrode material occurs less inside the electrode than rather, in the edge region near the surface of the electrode to light. In particular, the phase boundaries between the electrode and other adjacent materials - or more generally: on the surface of the electrode or in the vicinity the surface of the electrode - leads the increased mobility of the atoms of the further electrode material to an accumulation of the further electrode material. Drift-, Migration and diffusion processes therefore lead to the Situation that the concentration of atoms near the Surface of the other electrode material increases is. This increased concentration at the surface, which in a preferred case to a complete enclosure the electrode with the other electrode material through a very thin layer leads, practically provides a protective cover representing the atoms of the electrode metal itself at a diffusion out of the electrode. Especially grain boundaries to neighboring ones Materials represent a situation in which the atoms of the preferably accumulate further electrode material and effectively prevent the diffusion of the atoms of the electrode metal. It deals practically self-passivating electrodes in which the further electrode material has an intrinsic protective function represents. Thus, an interface stabilization, i. H. a Stabilization of the surface of the electrode, achieved without the conductivity in the volume of the electrode substantially to reduce. The accumulation of the atoms of the further electrode material near the surface leads in the process essentially NOT to a back diffusion further Electrode material back into the interior of the electrode.

In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nimmt die Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials innerhalb eines Teilvolumens der Elektrode oder in der gesamten Elektrode mit zunehmender Entfernung von der Oberfläche der Elektrode streng monoton ab. In einer solchen Elektrode ist das thermodynamische Gleichgewicht noch nicht vollständig erreicht, da eine komplette Phasenseparation der Elektroden des Elektrodenmetalls und des weiteren Elektrodenmaterials noch nicht stattgefunden hat.In an embodiment of the present invention takes the concentration of the further electrode material within a Partial volume of the electrode or in the entire electrode with increasing Distance from the surface of the electrode strictly monotone from. In such an electrode is the thermodynamic equilibrium not yet fully achieved, as a complete phase separation the electrodes of the electrode metal and the further electrode material has not yet taken place.

Bevorzugt ist es, wenn alle Atome des weiteren Elektrodenmaterials eine aus möglichst wenigen Atomlagen bestehende Schutzhülle um die Elektrode bilden, wobei innerhalb der Elektrode in erster Linie Atome des Elektrodenmetalls anzutreffen sind. Trotzdem stellt die Situation, bei der die Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials nach innen hin abnimmt, eine gegenüber dem Stand der Technikverbesserte Situation dar.Prefers it is when all the atoms of the further electrode material one out as few atomic layers existing protective cover form around the electrode, wherein within the electrode in the first Line atoms of the electrode metal can be found. Anyway the situation where the concentration of the further electrode material decreasing towards the inside, an improvement over the prior art Situation.

Das erste Elektrodenmetall umfasst in einer Ausführungsform ein Metall, das ausgewählt ist aus: Aluminium Al, Kupfer Cu, Silber Ag und Gold Au.The first electrode metal comprises in one embodiment a metal selected from: aluminum Al, copper Cu, silver Ag and gold Au.

In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Elektrode zu 0,1 bis 5 Atomprozent aus dem weiteren Elektrodenmaterial.In In a preferred embodiment, the electrode is made to 0.1 to 5 atomic percent of the further electrode material.

Das weitere Elektrodenmaterial selbst umfasst ein oder mehrere Elemente, die ausgewählt sind aus: Tantal Ta, Ruthenium Ru, Rhodium Rh, Molybdän Mo, Wolfram W, Silizium Si, Zirkon Zr, Chrom Cr, Aluminium Al und Titan Ti.The further electrode material itself comprises one or more elements, which are selected from: Tantalum Ta, Ruthenium Ru, Rhodium Rh, molybdenum Mo, tungsten W, silicon Si, zirconium Zr, chromium Cr, Aluminum Al and Titanium Ti.

In einer Ausführungsform ist die Elektrode auf einem monokristallinen, polykristallinen oder amorphen Substrat angeordnet. Insbesondere kommt eine Elektrode in Betracht, die auf einem isolierenden Substrat angeordnet ist, und in einer speziellen Ausführung auf einem piezoelektrischen Substrat.In In one embodiment, the electrode is on a monocrystalline, arranged polycrystalline or amorphous substrate. In particular, comes an electrode on an insulating substrate is arranged, and in a special execution on a piezoelectric substrate.

In einer Ausführungsform ist die Elektrode Teil eines mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Bauelements (BAW-Bauelement) und auf einem piezoelektrischen Substrat angeordnet.In In one embodiment, the electrode is part of a surface acoustic wave device (BAW device) and disposed on a piezoelectric substrate.

Alternativ – wenn die Elektrode z. B. in einem mit akustischen Volumenwellen arbeitenden Bauelement (BAW-Bauelement) Verwendung finden soll, kommt ein Substrat in Frage, das ausgewählt ist aus: Diamant, Silizium Si, Galliumarsenid GaAs, Germanium Ge und einer Silizium-Germanium-Verbindung (SixGe1-x). x ist dabei eine reelle Zahl > 0 und < 1. Eine Diffusionsstoppschicht, die das weitere Elektrodenmaterial umfasst und die Diffusion von Atomen des Elektrodenmetalls in das Substrat hemmt, ist an der Oberfläche der Elektrode ausgebildet, insbesondere an der zum Substrat weisenden Oberfläche der Elektrode.Alternatively - if the electrode z. B. in a working with bulk acoustic waves device (BAW device) should be used, a substrate is eligible, which is selected from: diamond, silicon Si, gallium arsenide GaAs, germanium Ge and a silicon-germanium compound (Si x Ge 1-x ). x is a real number> 0 and <1. A diffusion stop layer comprising the further electrode material and inhibiting the diffusion of atoms of the electrode metal into the substrate is formed on the surface of the electrode, in particular on the surface of the electrode facing the substrate trode.

Zwischen der Elektrode und dem Substrat kann ferner eine Zwischenschicht, z. B. aus Titan Ti, angeordnet sein, welche die Haftung der Elektrode auf dem Substrat verbessert oder welche die Gitterparameter von Elektrode und Substrat aneinander anpasst.Between the electrode and the substrate may further comprise an intermediate layer, z. B. of titanium Ti, which is the adhesion of the electrode improved substrate or which the grid parameters of electrode and substrate adapts to each other.

Die Elektrode kann auf einem piezoelektrischen Substrat angeordnet sein; sie kann aber auch zwischen zwei Substraten angeordnet sein, von denen mindestens eines piezoelektrisch ist. Ein Anwendungsgebiet, bei dem die Elektrode zwischen zwei Substraten angeordnet ist, von denen mindestens eines piezoelektrisch ist, ist beispielsweise ein Bauelement, welches mit geführten akustischen Oberflächenwellen arbeitet (GBAW: Guided Bulk Acoustic Wave Bauelement). Alternativ kann die Elektrode aber auch in Vertiefungen in der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats angeordnet sein.The Electrode may be disposed on a piezoelectric substrate; but it can also be arranged between two substrates, from which is at least one piezoelectric. A field of application, in which the electrode is arranged between two substrates, from which is at least one piezoelectric is, for example, a Component, which with guided surface acoustic waves works (GBAW: Guided Bulk Acoustic Wave component). alternative However, the electrode can also be in depressions in the surface a piezoelectric substrate may be arranged.

Die Elektrode bzw. die Oberfläche der Elektrode kann zumindest teilweise von einer weiteren Schutzschicht bedeckt sein. Die weitere Schutzschicht kann ein Oxid, Nitrid oder Carbid umfassen.The Electrode or the surface of the electrode can at least partially covered by another protective layer. The others Protective layer may include an oxide, nitride or carbide.

Insbesondere kommt eine weitere Schutzschicht in Frage, deren Schutzmaterial ein Material umfasst, das ausgewählt ist aus: einem Siliziumoxid, z. B. Siliziumdioxid SiO2, Chromoxid, z. B. Chromdioxid CrO2, Aluminiumoxid Al2O3, Siliziumnitrid Si3N4, Siliziumcarbid SiC, Titan-Aluminiumnitrid TiAlN, einem Tantalsiliziumnitrid, z. B. TaSiN, oder weiteren Oxiden wie Hafniumoxid, Zirkonoxid oder ein Zirkon-Hafniumoxid. Oxide, Nitride und Carbide sind chemisch relativ inert, weshalb sie bevorzugt als Schutzmaterial in einer Schutzschicht gegen äußere Umwelteinflüsse zur Anwendung kommen.In particular, another protective layer is suitable whose protective material comprises a material which is selected from: a silicon oxide, for. As silica SiO 2 , chromium oxide, z. Chromium dioxide CrO 2 , alumina Al 2 O 3 , silicon nitride Si 3 N 4 , silicon carbide SiC, titanium aluminum nitride TiAlN, a tantalum silicon nitride, e.g. As TaSiN, or other oxides such as hafnium oxide, zirconium oxide or a zirconium hafnium oxide. Oxides, nitrides and carbides are chemically relatively inert, which is why they are preferably used as a protective material in a protective layer against external environmental influences.

In einer Ausführungsform ist es bevorzugt, wenn zwischen der Elektrode und der weiteren Schutzschicht eine weitere Zwischenschicht angeordnet ist, welche die Haftung der Schutzschicht auf der Elektrode verbessert oder welche die Gitterparameter von Schutzschicht und Elektrode aneinander anpasst.In In one embodiment, it is preferable if between the Electrode and the further protective layer, a further intermediate layer is arranged, which the adhesion of the protective layer on the electrode improved or which the lattice parameters of protective layer and Electrode adapts to each other.

Elektroden, welche beispielsweise Verwendung in BAW- oder SAW-Bauelementen finden können, umfassen im Allgemeinen eine Vielzahl an so genannten Körnern unterschiedlicher Elemente oder Materialien, welche untereinander in physikalischem und elektrischem Kontakt stehen. Diese Körner sind Bereiche mit zumeist einheitlicher Struktur, Ausrichtung und weitgehend homogener Zusammensetzung. Die Korngrößenverteilung gibt die Wahrscheinlichkeit an, mit der Körner einer bestimmten Größe in der Elektrode anzutreffen sind. Als Maß für die Größe dient im Allgemeinen der Durchmesser der Körner.electrodes, which, for example, find use in BAW or SAW components can generally include a variety of so-called Grains of different elements or materials, which stand in physical and electrical contact with each other. These grains are areas with mostly uniform structure, Alignment and largely homogeneous composition. The particle size distribution indicates the probability of having the grains of a particular one Size are found in the electrode. As a measure of the size is generally the diameter the grains.

In einer Ausführungsform der vorliegenden Elektrode besitzt die Korngrößenverteilung ein Maximum bei einer Korngröße zwischen 10 nm und 50 nm, zwischen 50 nm und 1000 nm oder oberhalb von 1000 nm. Jeder der drei Bereiche kann dabei ein ei genes Maximum der Korngrößenverteilung innerhalb des jeweiligen Bereichs aufweisen.In an embodiment of the present electrode the grain size distribution is a maximum at one Grain size between 10 nm and 50 nm, between 50 nm and 1000 nm or above 1000 nm. Each of the three areas can be a egg maximum of the grain size distribution within the respective area.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Elektrode ist die Korngrößenverteilung bimodal ausgeführt. Das heißt, dass die Korngrößenverteilung zwei Maxima aufweist. Ein Maximum der Korngrößenverteilung liegt dann vorzugsweise zwischen 10 nm und 50 nm und ein zweites Maximum der Korngrößenverteilung liegt bevorzugt oberhalb von 1000 nm.In a preferred embodiment of the electrode is the Grain size distribution bimodal executed. This means that the particle size distribution two Having maximums. A maximum of the particle size distribution is then preferably between 10 nm and 50 nm and a second one Maximum of the particle size distribution is preferred above 1000 nm.

Sowohl die mechanische Stabilität als auch elektrische Eigenschaften, wie beispielsweise die Leitfähigkeit, hängen stark von dem Verlauf der Korngrößenverteilung ab. Aneinandergefügte große Körner resultieren, aufgrund der im Vergleich zu ihrem Volumen kleinen Oberfläche, in einer erhöhten Leitfähigkeit, während aneinandergefügte kleine Körner in einem Material größerer Härte resultieren.Either the mechanical stability as well as electrical properties, such as conductivity, depend heavily from the course of the particle size distribution. joined together Large grains result, by comparison to their volume small surface, in an elevated Conductivity while joined together small grains in a material larger Hardness result.

Eine wie oben angegebene bimodale Korngrößenverteilung führt deshalb zu einer Elektrode, welche durch die Häufung von großen Korngrößen eine hohe Leitfähigkeit aufweist und durch das Maximum der Korngrößenverteilung zwischen 10 und 50 nm eine hohe Härte aufweist.A as indicated above bimodal grain size distribution therefore leads to an electrode, which by the accumulation of large grain sizes high conductivity and by the maximum of the particle size distribution between 10 and 50 nm has a high hardness.

Die kleineren Körner besetzen dabei insbesondere die Hohlräume, die zwischen den größeren Körnern bestehen, wodurch einerseits die Dichte und andererseits die elektrische Leitfähigkeit zusätzlich erhöht wird. Da eine Erhöhung der Dichte gleichzeitig eine Vergrößerung der Massenbeaufschlagung, z. B. von SAW-Elektroden, darstellt, kann allein durch diese Maßnahme das Führen von akustischen Wellen an der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats verbessert werden.The smaller grains occupy in particular the cavities, that exist between the larger grains, on the one hand the density and on the other hand the electrical conductivity additionally increased. As an increase the density at the same time an enlargement of the Mass application, z. B. of SAW electrodes represents, can solely by this measure the conduct of acoustic Waves on the surface of a piezoelectric substrate improved become.

Das Kriterium für die Auswahl des weiteren Elektrodenmaterials besteht in dessen Fähigkeit, innerhalb einer Elektrode eines gegebenen Elektrodenmetalls und einer gegebenen Korngrößenverteilung und Körnerzusammensetzung zu diffundieren. Das kann zu der Situation führen, dass als weiteres Elektrodenmaterial ein Material bevorzugt sein kann, welches eine intrinsisch geringere Diffusionsfähigkeit hat als das Elektrodenmetall, welches aber durch eine geschickte Ausformung der Korngrößenverteilung in der Elektrode insgesamt eine hohe Diffusionsfähigkeit aufweist.The Criterion for the selection of the further electrode material consists in its ability to be within an electrode a given electrode metal and a given grain size distribution and grain composition to diffuse. That can be too cause the situation that as another electrode material a material may be preferred which has an intrinsically lower Diffusibility has as the electrode metal, which but by a clever shaping of the particle size distribution in the electrode as a whole a high diffusibility having.

In einer Ausführungsform ist die Dichte der großen Körner im Innern der Elektrode vergrößert, während die Dichte der kleinen Körner im Randbereich der Elektrode vergrößert ist. Als Bezugspunkt der räumlichen Verteilung der großen und kleinen Körner dient dabei diejenige räumliche Verteilung, bei der sowohl große als auch kleine Körner gleichmäßig über das gesamte Volumen verteilt sind.In one embodiment, the density of the large grains inside the electrode is increased, while the density of the small grains in the periphery is increased range of the electrode is increased. The reference point for the spatial distribution of the large and small grains is that spatial distribution in which both large and small grains are distributed uniformly over the entire volume.

Die Atome des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode können eine von ihrer Konzentration in der Elektrode abhängige Überstruktur ausbilden. Überstrukturen, also periodische Anordnungen von räumlich aneinandergereihten Zellen, können die elektrische Leitfähigkeit der Elektrode weiterhin verbessern.The Atoms of the further electrode material in the electrode can a superstructure dependent on its concentration in the electrode form. Superstructures, so periodic arrangements of spatially juxtaposed cells Continue to improve the electrical conductivity of the electrode.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Elektrode in mit BAW, SAW oder GBAW arbeitenden Bauelementen eingesetzt.In an embodiment of the invention is the electrode in used with BAW, SAW or GBAW working components.

Ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Elektrode umfasst die Schritte:

  • – Bereitstellen eines Substrats,
  • – Aufbringen einer Elektrode, die ein Elektrodenmetall und ein weiteres Elektrodenmaterial in einer homogenen Vermischung umfasst, auf dem Substrat oder in Vertiefungen in der Substratoberfläche,
  • – Durchführen von Maßnahmen zur Ausbildung eines Konzentrationsgefälles des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode so, dass die Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials an der Oberfläche der Elektrode am höchsten ist.
A method for producing an electrode according to the invention comprises the steps:
  • Providing a substrate,
  • Applying on the substrate or in depressions in the substrate surface an electrode which comprises an electrode metal and a further electrode material in a homogeneous mixture,
  • Performing measures for forming a concentration gradient of the further electrode material in the electrode such that the concentration of the further electrode material at the surface of the electrode is highest.

Das Aufbringen der Elektrode kann dabei herkömmliche – z. B. lithographische – Strukturierungsschritte umfassen.The Applying the electrode can be conventional -. B. lithographic - structuring steps include.

Eine Ausgestaltung des Verfahrens umfasst die Schritte:

  • – Bereitstellen eines Substrats,
  • – Abscheiden einer Zwischenschicht aus einem weiteren Elektrodenmaterial auf dem Substrat oder in Vertiefungen in der Substratoberfläche
  • – Abscheiden einer das Elektrodenmetall umfassenden Schicht auf der ersten Schicht,
  • – Abscheiden einer weiteren Zwischenschicht aus dem weiteren Elektrodenmaterial auf der freiliegende Oberfläche der Elektrode,
  • – Ausbilden einer zum Elektrodeninneren hin abfallenden Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode.
An embodiment of the method comprises the steps:
  • Providing a substrate,
  • Depositing an intermediate layer of a further electrode material on the substrate or in depressions in the substrate surface
  • Depositing a layer comprising the electrode metal on the first layer,
  • Depositing a further intermediate layer from the further electrode material on the exposed surface of the electrode,
  • - Forming of a falling towards the electrode interior concentration of the further electrode material in the electrode.

In weiteren, nicht explizit genannten Verfahrensschritten können die Zwischenschicht und die weitere Zwischenschicht aus dem weiteren Elektrodenmaterial ebenfalls wie die Elektrode durch entsprechende, bekannte Schritte strukturiert werden.In further, not explicitly mentioned method steps can the intermediate layer and the further intermediate layer from the other Electrode material as well as the electrode by corresponding, well-known steps are structured.

Prinzipiell ist es auch möglich, eine leistungsresistente Elektrode zu erhalten, ohne während der Herstellung Maßnahmen durchzuführen, um ein Konzentrationsgefälle des weiteren Elektrodenmaterials auszubilden, denn der gefundene Effekt – die eigentlich zur Zerstörung des Bauelements führenden Migrationseffekte bildet bei hoher Leistungsbeanspruchung von selbst eine die Elektrode umgebende Schutzschicht des weiteren Elektrodenmaterials aus – führt dazu, dass die Elektrode über einen intrinsischen Schutzmechanismus verfügt. Je nach thermischer Belastung dauert dieses Ausbilden allerdings unterschiedlich lange, sodass es während des Prozesses der Ausbildung zu einer zeitlichen Veränderung der Struktur der Elektrode und damit zu einer Variation bzw. Instabilität der elektroakustischen Eigenschaften kommt. Solche Änderungen der elektroakustischen Eigenschaften sind während des Betriebs unerwünscht, weshalb bevorzugt Maßnahmen zur Ausbildung des Konzentrationsgefälles schon während des Herstellungsprozesses oder unmittelbar nach der Herstellung der Elektroden durchgeführt werden.in principle it is also possible to use a power-resistant electrode to get without during the preparation measures to achieve a concentration gradient of the form further electrode material, because the found effect - the actually leading to the destruction of the device Migration effects forms at high power consumption by itself a protective layer of the further electrode material surrounding the electrode causes the electrode to overflow has an intrinsic protection mechanism. Depending on However, this training takes different thermal stress long, so it during the process of training too a temporal change of the structure of the electrode and thus to a variation or instability of the electro-acoustic Properties is coming. Such changes of the electroacoustic Properties are undesirable during operation, why preferred measures for training the concentration gradient already during the manufacturing process or directly be carried out after the preparation of the electrodes.

So wird in einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens das Konzentrationsgefälle während eines anderen erforderlichen Prozesschrittes erzeugt, in dem die Temperatur höher eingestellt ist als diejenige Temperatur, bei der die Elektrode auf das Substrat aufgebracht wird. Dieser Schritt kann derjenige Prozessschritt sein, in dem beispielsweise die weitere Zwischenschicht oder eine weitere Schutzschicht auf die Elektrode aufgebracht wird.So is in one embodiment of the manufacturing process the concentration gradient during another required process step, in which the temperature is higher is set as the temperature at which the electrode is applied to the substrate. This step can be one Be process step, in which, for example, the further intermediate layer or another protective layer is applied to the electrode.

In einer speziellen Ausführungsform wird das Konzentrationsgefälle während eines Temperprozesses ausgebildet, wobei sich aufgrund des größeren Diffusionskoeffizienten des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode das gewünschte Konzentrationsgefälle ausbildet.In a particular embodiment, the concentration gradient formed during an annealing process, due to the larger diffusion coefficient of the further electrode material in the electrode, the desired concentration gradient formed.

Aus den oben genannten elektroakustischen Gründen ist die aus dem weiteren Elektrodenmaterial bestehende erste und zweite Schicht vorzugsweise dünn. Typische, in Frage kommende Dicken sind: dünner als 1000 nm, dünner als 500 nm, dünner als 100 nm, dünner als 50 nm sowie dünner als 10 nm.Out the above electroacoustic reasons is the the further electrode material existing first and second layer preferably thin. Typical, eligible thicknesses are: thinner than 1000 nm, thinner than 500 nm, thinner than 100 nm, thinner than 50 nm and thinner than 10 nm.

In einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung wird nach dem Abscheiden der Elektrode eine weitere Schutzschicht, welche ein Oxid, ein Nitrid oder ein Carbid umfasst, zumindest teilweise auf die Elektrode aufgebracht.In an embodiment of the method of manufacture after deposition of the electrode, a further protective layer, which an oxide, a nitride or a carbide, at least in part applied to the electrode.

In einer Ausgestaltung dieses Verfahrens umfasst die Schutzschicht ein Schutzmaterial, das ausgewählt ist aus Siliziumdioxid SiO2, Chromdioxid CrO2, Al2O3, Si3N4, SiC, TiAlN, Hafniumoxid, Zirkonoxid, Hafnium-zirkon-oxid und TaSiN. Dieses Schutzmaterial wird auf die freiliegende Oberfläche der Elektrode oder auf die optionale weitere Zwischenschicht aufgebracht.In one embodiment of this method, the protective layer comprises a protective material which is selected from silicon dioxide SiO 2 , chromium dioxide CrO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiC, TiAlN, hafnium oxide, zirconium oxide, hafnium zirconium oxide and TaSiN. This protective material is applied to the exposed surface of the electrode or to the optional further intermediate layer.

Im Folgenden werden exemplarisch zwei Ausführungsformen der Elektrode in schematischen Figuren dargestellt und näher erläutert. Es zeigen:in the Below are exemplified two embodiments of Electrode shown in schematic figures and closer explained. Show it:

1: Die Anordnung einer Elektrode auf einem Substrat, 1 : The arrangement of an electrode on a substrate,

2: Die Anordnung einer Elektrode auf einem Substrat mit weiteren Zwischenschichten und einer Schutzschicht. 2 : The arrangement of an electrode on a substrate with further intermediate layers and a protective layer.

1 illustriert die Anordnung einer erfindungsgemäßen Elektrode El auf einem Substrat SU. Die mit GR bezeichneten Pfeile symbolisieren das Gradientenfeld der Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode El. Da der Gradient die Änderung der Konzentration beschreibt, kann der Gradient auch verschwinden (d. h. die Länge Null haben). Beispielsweise dann, wenn die Konzentration im Zentrum der Elektrode praktisch verschwindet. Dass die Konzentration mit zunehmender Entfernung von der Oberfläche abnimmt, heißt, dass die Gradient – wie in 1 angedeutet – in Richtung der Oberfläche weist. 1 illustrates the arrangement of an electrode according to the invention El on a substrate SU. The arrows designated GR symbolize the gradient field of the concentration of the further electrode material in the electrode El. Since the gradient describes the change in concentration, the gradient may also disappear (ie, have zero length). For example, when the concentration in the center of the electrode practically disappears. The fact that the concentration decreases with increasing distance from the surface means that the gradient - as in 1 indicated - pointing in the direction of the surface.

Die Ausbildung des Konzentrationsgefälles GR resultiert vorzugsweise in der Ausbildung einer Randschicht RL, welche vorzugsweise sehr dünn ist und die gesamte Oberfläche der Elektrode El umschließt. Insbesondere die Phasengrenze zwischen Elektrode El und Substrat SU ist durch ein Gebiet mit erhöhter Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials gegen eine Diffusion des Elektrodenmetalls aus der Elektrode El in das Substrat SU abgedichtet.The Formation of the concentration gradient GR preferably results in the formation of a boundary layer RL, which is preferably very is thin and the entire surface of the electrode El encloses. In particular, the phase boundary between the electrode El and Substrate SU is through an area of increased concentration further electrode material against diffusion of the electrode metal the electrode El sealed in the substrate SU.

2 illustriert die Anordnung einer Elektrode El auf einem Substrat SU, wobei zwischen der Elektrode El und dem Substrat SU eine Zwischenschicht IL1 angeordnet ist. Auf der oberen Seite der Oberfläche der Elektrode El ist eine weitere Zwischenschicht IL2 angeordnet. Die lateralen Abmessungen von Elektrode El und Zwischenschichten IL1, IL2 können übereinstimmen – wie z. B. bei der Elektrode El und der weiteren Zwischenschicht IL2 dargestellt. Dies ist jedoch nicht zwingend. Die lateralen Ausdehnungen der Zwischenschichten müssten nicht übereinstimmen, wie es beispielsweise die Zwischenschicht IL1 demonstriert, die beiderseitig über die lateralen Ränder der Elektrode El herausragt. Elektrode El und eine der Zwischenschichten IL1, IL2 können auch lediglich an einer einzelnen Seite oder an mehreren Seiten der Elektrode El zusammen bündig abschließen. Die Zwischenschicht IL1, die Elektrode El und die weitere Zwischenschicht IL2 sind in dieser Ausführungsform durch eine zusätzliche Schutzschicht APL vollständig abgedeckt. Auch das Substrat Su, von dem nur ein Ausschnitt gezeigt ist, kann durch die zusätzliche Schutzschicht APL – ganz oder zumindest Teilweise – abgedeckt sein. Diese zusätzliche Schutzschicht schützt die Elektrode und gegebenenfalls die eine oder mehrere Zwischenschichten vor äußeren schädlichen Einflüssen wie beispielsweise Chemikalien. 2 illustrates the arrangement of an electrode El on a substrate SU, wherein between the electrode El and the substrate SU, an intermediate layer IL1 is arranged. On the upper side of the surface of the electrode El, a further intermediate layer IL2 is arranged. The lateral dimensions of electrode El and intermediate layers IL1, IL2 may coincide - e.g. B. at the electrode El and the further intermediate layer IL2. However, this is not mandatory. The lateral expansions of the intermediate layers would not have to match, as demonstrated, for example, by the intermediate layer IL1, which protrudes on both sides beyond the lateral edges of the electrode El. Electrode E1 and one of the intermediate layers IL1, IL2 can also terminate flush only on a single side or on several sides of the electrode El. The intermediate layer IL1, the electrode El and the further intermediate layer IL2 are completely covered in this embodiment by an additional protective layer APL. Also, the substrate Su, of which only a section is shown, can be covered by the additional protective layer APL - entirely or at least partially. This additional protective layer protects the electrode and optionally the one or more intermediate layers from external harmful influences such as chemicals.

Eine erfindungsgemäße Elektrode ist nicht auf eines der beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Variationen, welche beispielsweise noch weitere Schichten umfassen oder in welchen die Elektrode noch weitere Elektrodenmetalle oder weitere Elektrodenmaterialien umfasst oder welche auf weiteren, bisher nicht genannten Substraten angeordnet ist, stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele dar.A electrode according to the invention is not on one limited the described embodiments. Variations that include, for example, further layers or in which the electrode further electrode metals or further electrode materials comprises or which on further, previously not mentioned substrates is placed as well Inventive embodiments represents.

Bezugszeichenliste:LIST OF REFERENCE NUMBERS

  • GR:GR:
    Gradient der Konzentration des weiteren Elektroden materialsGradient of concentration further electrode materials
    El:El:
    Elektrodeelectrode
    IL1, IL2:IL1, IL2:
    Zwischenschichtinterlayer
    APL:APL:
    zusätzliche Schutzschichtadditional protective layer
    SU:SU:
    Substratsubstratum
    RL:RL:
    Randschichtboundary layer

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 10320702 A1 [0006] - DE 10320702 A1 [0006]
  • - DE 10206369 A1 [0007] - DE 10206369 A1 [0007]

Claims (24)

Elektrode (El) mit verbesserter Leistungsfestigkeit, umfassend ein Elektrodenmetall und ein vom Elektrodenmetall verschiedenes weiteres Elektrodenmaterial, wobei – die Elektrode (El) zu 0,001 bis 20 Atomprozent aus dem weiteren Elektrodenmaterial besteht, – das weitere Elektrodenmaterial einen höheren Diffusionskoeffizienten im Elektrodenmetall als das Elektrodenmetall in sich selbst hat und – die Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials innerhalb der Elektrode mit zunehmendem Entfernung von der Oberfläche der Elektrode monoton abnimmt.Electrode (El) with improved performance, comprising an electrode metal and a different electrode metal another electrode material, wherein - the electrode (El) to 0.001 to 20 atomic percent of the further electrode material consists, - The other electrode material has a higher Diffusion coefficients in the electrode metal as the electrode metal has in itself and - the concentration of the other Electrode material within the electrode with increasing distance decreases monotonically from the surface of the electrode. Elektrode nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials innerhalb eines Teilvolumens der Elektrode oder in der gesamten Elektrode mit zunehmendem Entfernung von der Oberfläche der Elektrode streng monoton abnimmt.An electrode according to the preceding claim, wherein the concentration of the further electrode material within a Partial volume of the electrode or in the entire electrode with increasing Distance from the surface of the electrode strictly monotone decreases. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die als erstes Elektrodenmetall ein Metall umfasst, das ausgewählt ist aus: Al, Cu, Ag und Au.Electrode according to one of the preceding claims, which comprises as the first electrode metal a metal selected is made of: Al, Cu, Ag and Au. Elektrode nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Elektrode zu 0,1 bis 5 Atomprozent aus dem weiteren Elektrodenmaterial besteht.An electrode according to the preceding claim, wherein the electrode to 0.1 to 5 atomic percent of the further electrode material consists. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die als weiteres Elektrodenmaterial ein oder mehrere Elemente umfasst, die ausgewählt sind aus: Ta, Ru, Rh, Mo, W, Si, Zr, Cr, Al und Ti.Electrode according to one of the preceding claims, which comprises as further electrode material one or more elements, which are selected from: Ta, Ru, Rh, Mo, W, Si, Zr, Cr, Al and Ti. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die auf einem monokristallinen, polykristallinen oder amorphen Substrat (Su) angeordnet ist.Electrode according to one of the preceding claims, those on a monocrystalline, polycrystalline or amorphous substrate (Su) is arranged. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die auf einem Substrat (Su), das ausgewählt ist aus: Diamant, Si, GaAs, Ge und SixGe1-x, angeordnet ist, wobei – x eine reelle Zahl größer 0 und kleiner 1 ist und – eine Diffusionsstoppschicht, die das weitere Elektrodenmaterial umfasst und die Diffusion von Atomen des Elektrodenmetalls in das Substrat hemmt, an der Oberfläche der Elektrode ausgebildet ist.An electrode according to any one of the preceding claims arranged on a substrate (Su) selected from: diamond, Si, GaAs, Ge and Si x Ge 1-x , where -x is a real number greater than 0 and less than 1 and a diffusion stop layer comprising the further electrode material and inhibiting the diffusion of atoms of the electrode metal into the substrate is formed on the surface of the electrode. Elektrode nach dem Ansprüche 6 oder 7, wobei zwischen der Elektrode und dem Substrat eine Zwischenschicht (IL1) angeordnet ist, welche – die Haftung der Elektrode (El) auf dem Substrat (Su)-verbessert oder – die Gitterparameter von Elektrode (El) und Substrat (Su) einander anpasst.An electrode according to claims 6 or 7, wherein between the electrode and the substrate an intermediate layer (IL1) which is arranged - the adhesion of the electrode (El) on the substrate (Su) - improved or - the grid parameters of electrode (El) and substrate (Su) adapts each other. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die angeordnet ist – auf einem piezoelektrischen Substrat (Su), – zwischen zwei Substraten, von denen mindestens eines piezoelektrisch ist, oder – in Vertiefungen in der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrat.Electrode according to one of the preceding claims, which is arranged On a piezoelectric substrate (Su), Between two substrates, of which at least one is piezoelectric, or - in depressions in the Surface of a piezoelectric substrate. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die zumindest teilweise von einer weiteren Schutzschicht (APL) bedeckt ist, welche ein Oxid, Nitrid oder Carbid umfasstElectrode according to one of the preceding claims, at least partially covered by another protective layer (APL) which comprises an oxide, nitride or carbide Elektrode nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die weitere Schutzschicht (APL) Schutzmaterial, das ausgewählt ist aus: SiO2, CrO2, Al2O3, Si3N4, SiC, TiAlN, Hafniumoxid, Zirkonoxid, Hafnium-Zirkon-Oxid und TaSiN, umfasst.An electrode according to the preceding claim, wherein the further protective layer (APL) is a protective material selected from: SiO 2 , CrO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiC, TiAlN, hafnium oxide, zirconium oxide, hafnium zirconium oxide and TaSiN, includes. Elektrode nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei zwischen der Elektrode (El) und der weiteren Schutzschicht (APL) eine weitere Zwischenschicht (IL2) angeordnet ist, welche – die Haftung der weiteren Schutzschicht (APL) auf der Elektrode (El) verbessert oder – die Gitterparameter der weiteren Schutzschicht (APL) und Elektrode (El) einander anpasst.An electrode according to the preceding claim, wherein between the electrode (El) and the further protective layer (APL) another intermediate layer (IL2) is arranged, which - the Adhesion of the further protective layer (APL) on the electrode (El) improved or - the lattice parameters of the others Protective layer (APL) and electrode (El) adapts each other. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Korngrößenverteilung ein Maximum bei einer Korngröße – zwischen 10 nm und 50 nm, oder – zwischen 50 nm und 1000 nm oder – oberhalb von 1000 nm aufweist.Electrode according to one of the preceding claims, wherein the particle size distribution at a maximum a grain size Between 10 nm and 50 nm, or - between 50 nm and 1000 nm or - above of 1000 nm. Elektrode nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Korngrößenverteilung bimodal ist und – ein Maximun der Korngrößenverteilung zwischen 10 nm und 50 nm und – ein Maximum der Korngrößenverteilung oberhalb von 1000 nm aufweist.An electrode according to the preceding claim, wherein the particle size distribution is bimodal and - one Maximun the particle size distribution between 10 nm and 50 nm and - a maximum of the particle size distribution above 1000 nm. Elektrode nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei, in Bezug auf eine räumlich homogene Verteilung, – die Dichte der großen Körner im Innern der Elektrode (El) vergrößert ist, während die Dichte der kleinen Körner im Randbereich der Elektrode (El) vergrößert ist.An electrode according to the preceding claim, wherein in terms of a spatially homogeneous distribution, - the Density of the large grains inside the electrode (El) is increased while the density the small grains in the edge region of the electrode (El) is increased. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Atome des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode (El) von ihrer Konzentration abhängige Überstrukturen ausbilden.Electrode according to one of the preceding claims, wherein the atoms of the further electrode material in the electrode (El) superstructures dependent on their concentration form. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die zur Verwendung in mit BAW, SAW oder GBAW arbeitenden Bauelementen vorgesehen ist.Electrode according to one of the preceding claims, those for use in BAW, SAW or GBAW devices is provided. Verfahren zur Herstellung einer Elektrode eines vorhergehenden Anspruches, umfassend die Schritte: – Bereitstellen eines Substrats (Su), – Aufbringen einer Elektrode (El), die ein Elektrodenmetall und ein weiteres Elektrodenmaterial in einer homogenen Vermischung umfasst, auf dem Substrat (Su) oder in Vertiefungen in der Substratoberfläche, – Durchführen von Maßnahmen zur Ausbildung eines Konzentrationsgefälles des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode (El) so, dass die Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials an der Oberfläche der Elektrode (El) am höchsten ist.Method of making an electrode ei claim 1, comprising the steps of: providing a substrate (Su), depositing an electrode (El) comprising an electrode metal and a further electrode material in a homogeneous mixture, on the substrate (Su) or in depressions in the substrate surface, - Performing measures for forming a concentration gradient of the further electrode material in the electrode (El) so that the concentration of the further electrode material at the surface of the electrode (El) is the highest. Verfahren zur Herstellung einer Elektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 17, umfassend die Schritte: – Bereitstellen eines Substrats (Su), – Abscheiden einer Zwischenschicht (IL1) aus einem weiteren Elektrodenmaterial auf dem Substrat (Su) oder in Vertiefungen in der Substratoberfläche – Abscheiden einer das Elektrodenmetall umfassenden Schicht auf der ersten Schicht, – Abscheiden einer weiteren Zwischenschicht (IL2) aus dem weiteren Elektrodenmaterial auf der freiliegende Oberfläche der Elektrode (El), – Ausbilden einer zum Elektrodeninneren hin abfallenden Konzentration des weiteren Elektrodenmaterials in der Elektrode (El).Process for producing an electrode according to one of claims 1 to 17, comprising the steps: - Provide a substrate (Su), - deposition of an intermediate layer (IL1) from a further electrode material on the substrate (Su) or in depressions in the substrate surface - Separate a layer comprising the electrode metal on the first layer, - Separate a further intermediate layer (IL2) from the further electrode material on the exposed surface of the electrode (El), - Training a concentration decreasing towards the interior of the electrode Electrode material in the electrode (El). Verfahren nach einem der Ansprüche 18 oder 19, wobei das Konzentrationsgefälle während eines Schrittes durchgeführt wird, in dem die Temperatur höher als diejenige Temperatur ist, bei der die Elektrode (El) aufgebracht wird.Method according to one of claims 18 or 19, the concentration gradient during a step is performed, in which the temperature is higher than the temperature at which the electrode (El) is applied becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei ein Temper-Prozess das Konzentrationsgefälle aufgrund der größeren Diffusionskonstante des weiteren Elektrodenmaterials ausbildet.Method according to one of claims 18 to 20, a tempering process due to the concentration gradient the larger diffusion constant further Electrode material forms. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, wobei die Zwischenschicht (IL1) und die weitere Zwischenschicht (IL2) aus dem weiteren Elektrodenmaterial dünner als 1000 nm oder dünner als 500 nm oder dünner als 100 nm oder dünner als 50 nm oder dünner als 10 nm sind.Method according to one of claims 19 to 21, wherein the intermediate layer (IL1) and the further intermediate layer (IL2) from the further electrode material thinner than 1000 nm or thinner than 500 nm or thinner than 100 nm or thinner than 50 nm or thinner than 10 nm are. Verfahren nach einem der vorhergehenden Verfahrensansprüche, wobei nach dem Abscheiden der Elektrode (El) eine weitere Schutzschicht (APL), welche ein Oxid, ein Nitrid oder ein Carbid umfasst, aufgebracht wird.Method according to one of the preceding method claims, wherein after the deposition of the electrode (El), a further protective layer (APL), which comprises an oxide, a nitride or a carbide applied becomes. Verfahren nach dem vorhergehenden Verfahrensanspruch, wobei nach dem Abscheiden der Elektrode (El) eine weitere Schutzschicht (APL), umfassend ein Schutzmaterial, das ausgewählt ist aus: SiO2, CrO2, Al2O3, Si3N4, SiC, TiAlN, Hafniumoxid, Zirkonoxid, Hafnium-Zirkon-Oxid und TaSiN, auf die freiliegende Oberfläche der Elektrode oder auf die weitere Zwischenschicht (IL2) aufgebracht wird.Method according to the preceding method claim, wherein after depositing the electrode (El) a further protective layer (APL) comprising a protective material selected from: SiO 2 , CrO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiC, TiAlN , Hafnium oxide, zirconium oxide, hafnium zirconium oxide and TaSiN, is applied to the exposed surface of the electrode or to the further intermediate layer (IL2).
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