DE102008049671A1 - Method for operating chip card controller, particularly radio frequency identification controller involves controlling leakage flow reduction device depending on field strength of power supply - Google Patents

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Abstract

The method involves controlling leakage flow reduction device (2) depending on field strength (3) of power supply to chip card controller (1). The leakage flow reduction device is controlled by body biasing voltage (4) and virtual ground Voltage (5).

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Reduktion von Leckströmen, wie es beispielsweise in Chipkarten-Kontrollern verwendet werden kann, mittels bereitgestellter Energie.The The present invention relates to a method of reduction of leakage currents, such as in smart card controllers can be used by means of energy provided.

Eine Reduktion bzw. Minimierung von Leckströmen in Integrierten Schaltungen ist notwendig, um eine Leistungsaufnahme so gering wie möglich zu halten. Durch diese Maßnahme wird unter anderem eine Erhöhung der Temperatur des Chipkarten-Controllers minimiert. Ein Leistungsverbrauch durch Leckströme kann dabei dadurch reduziert werden, indem man in der Literatur bekannte Techniken wie „Body-Biasing” anwendet. Dabei wird ein Potential am Source-Anschluss eines Transistors angehoben, wobei die Bulk-Spannung weiterhin auf einem Bezugs- bzw. Massepotential verbleibt. Der Leistungsverbrauch durch Leckströme kann den gesamten Leistungsverbrauch eines Systems erheblich beeinflussen und somit beispielsweise die Lebensdauer von Batterien in mobilen Geräten bestimmen.A Reduction or minimization of leakage currents in integrated circuits Circuits is necessary to power consumption as low as possible to keep. This measure is under another increase in the temperature of the chip card controller minimized. Power consumption due to leakage currents can thereby reduced by being known in the literature Apply techniques such as body-biasing. It will raised a potential at the source terminal of a transistor, wherein the bulk voltage remains at a reference or ground potential remains. The power consumption due to leakage currents can significantly affect the overall power consumption of a system and thus, for example, the life of batteries in mobile Determine devices.

Eine weitere Möglichkeit zur Reduktion von Leckströmen besteht darin, einen so genannten „Virtual Ground” bzw. ein virtuelles Massepotential zu verwenden, wenn sich der Chipkarten-Kontroller im Sleep-Modus, d. h. ein Zugriff findet nicht statt, befindet. Typischerweise sind integrierte Schaltungen zwischen ein Versorgungspotential und ein Bezugspotential bzw. Massepotential geschaltet. Wird in beispielsweise einem Sleep-Modus auf die integrierte Schaltung nicht zugegriffen, wird ein fest eingestelltes virtuelles Massepotential verwendet, welches betragsmäßig zwischen dem Massepotenti al und dem Versorgungspotential liegt. Dadurch ergeben sich durch die niedrigere Differenz der Potentiale geringere Leckströme der Transistoren einer integrierten Schaltung und die Data Retention Time, die Zeit in der der Chipkarten-Kontroller funktioniert, wird verlängert.A further possibility for the reduction of leakage currents consists of a so-called "virtual ground" to use a virtual ground potential when the chip card controller in sleep mode, d. H. an access does not take place. Typically, integrated circuits are between a supply potential and a reference potential or ground potential connected. Is in for example, a sleep mode on the integrated circuit is not is accessed, becomes a fixed virtual ground potential used, which amounts in amount between the Massepotenti al and the supply potential. This results from the lower difference of potentials lower leakage currents the transistors of an integrated circuit and the data retention Time, the time in which the chip card controller works extended.

Bisher wurde der Leckstrom nur in dezidierten Betriebsmodi des Chipkarten-Kontrollers verringert. Der Chipkarten-Kontroller kann hierbei nicht dynamisch auf Änderungen der Energieversorgung während eines Betriebsmodus reagieren, beispielsweise im „Operations-Modus”. Insbesondere bei RF-versorgten Chipkarten-Kontroller können „Energielücken” auftreten, die im Standard ISO14443 Typ A spezifiziert sind. In diesen „Energielücken” muss der verbrauchte Strom, insbesondere bei Hohen Temperaturen vor allem der Leckstrom, von den sogenannten Stützkapazitäten geliefert werden.So far, the leakage current has been reduced only in dedicated operating modes of the smart card controller. The smart card controller can not react dynamically to changes in the power supply during an operating mode, for example, in "operation mode". Especially with RF-powered chip card controllers "energy gaps" can occur that in the standard ISO14443 type A are specified. In these "energy gaps", the electricity consumed, especially at high temperatures, especially the leakage current, must be supplied by the so-called support capacities.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Chipkarten-Kontroller bereitzustellen, dessen Energieverbrauch in den Betriebs-Modi anpassbar ist.Of the The present invention is therefore based on the object, a chip card controller whose energy consumption is adaptable in the operating modes is.

Diese Aufgabe wird durch die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche 1 und 9 gelöst. Die abhängigen Ansprüche beschreiben jeweils vorteilhafte Ausprägungen der vorliegenden Erfindung.These Task is by the objects of the independent Claims 1 and 9 solved. The dependent ones Claims describe advantageous characteristics in each case of the present invention.

In einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers mit Leckstromreduktionseinrichtung wird die Leckstromreduktionseinrichtung in Abhängigkeit einer Feldstärke zur Energieversorgung des Chipcard-Kontrollers gesteuert.In a method according to the invention for operating a smart card controller with leakage current reduction device the leakage current reduction device is dependent a field strength for power supply of the chipcard controller controlled.

In einem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers ist die Leckstromreduktionseinrichtung mittels Steuerung einer Body Biasing Spannung steuerbar.In A method for operating a smart card controller is the Leakage current reduction device by controlling a body biasing voltage controllable.

In einem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers ist die Leckstromreduktionseinrichtung mittels Steuerung einer Virtual Ground Spannung steuerbar.In A method for operating a smart card controller is the Leakage reduction device by controlling a virtual ground Voltage controllable.

In einem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers ist der Leckstrom des Chipkarten-Kontrollers mittels der Leckstromreduktionseinrichtung vor einer erwarteten Änderung der Feldstärke mittels Steuerung der Versorgungsspannung durch Hardwareprogramme einstellbar.In A method for operating a smart card controller is the Leakage current of the chip card controller by means of the leakage current reduction device before an expected change in field strength using Control of the supply voltage adjustable by hardware programs.

In einem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers ist der Leckstrom des Chipkarten-Kontrollers mittels der Leckstromreduktionseinrichtung vor einer erwarteten Änderung der Feldstärke mittels Steuerung der Versorgungsspannung durch ein Softwareprogramm einstellbar.In A method for operating a smart card controller is the Leakage current of the chip card controller by means of the leakage current reduction device before an expected change in field strength using Control of the supply voltage adjustable by a software program.

In einem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers wird durch die Reduktion des Leckstromes die Data Retention Time verlängert. Die Data Retention Time ist ein Maß für die Funktionsdauer eines Chipkarten-Kontrollers.In a method for operating a smart card controller is the data retention time is extended by reducing the leakage current. The Data Retention Time is a measure of the duration of the function a chip card controller.

In einem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers ist der Chipkarten-Kontroller ein RFID Kontroller.In A method for operating a smart card controller is the Chip card controller an RFID controller.

In einem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers ist der Chipkarten-Kontroller ein kontaktbasierter Chipkarten-Kontroller.In A method for operating a smart card controller is the Smart Card Controller is a contact based smart card controller.

Ein Chipkarten-Kontroller ist geeignet zur Verwendung in dem Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers.One Smart card controller is suitable for use in the method to operate a smart card controller.

1 zeigt schematisch einen Chipkarten-Kontroller mit Leckstromreduktionseinrichtung. 1 schematically shows a smart card controller with leakage current reduction device.

2 zeigt die Verlängerung der Data Retention Zeit in Abhängigkeit der Versorgungsspannung. 2 shows the extension of the data retention time as a function of the supply voltage.

3 zeigt die Verlängerung der Data Retention Zeit in Abhängigkeit der Body Biasing Spannung und der Virtual Ground Spannung. 3 shows the extension of the data retention time as a function of the body bias voltage and the virtual ground voltage.

Die Leckstromreduktionseinrichtung 2 der 1 ist geeignet zum Steuern einer Bezugsspannung 4, 5 und weist einen ersten Eingang 6 für die Versorgungsspannung, einen zweiten Eingang für ein Referenzspannung Vref, einen Anschluss 7 für die in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung 3 zu regelnde Bezugsspannung 4, 5 und einen Anschluss 8 für eine zweite Bezugsspannung, bzw. für ein Massepotential. Die Leckstromreducktionseinrichtung 2 ist also an ihrem ersten Eingang 6 mit der Versorgungsspannung 3 verbunden, an ihrem zweiten Eingang mit der Referenzspannung, an ihrem Ausgang 7 mit der ersten Bezugsspannung 4, 5 und mit dem Anschluss 8 ist die Leckstromreduktionseinrichtung 2 mit dem Massepotential verbunden. Die 1 skizziert schematisch einen Aufbau eines Verfahrens zum Betreiben der Leckstromreduktionseinrichtung, welche die erste Bezugsspannung bzw. das virtuelle Massepotential 4, 5 in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung 3 steuert. Die Leckstromreduktionseinrichtung 2 zum Steuern der ersten Bezugsspannung 4, 5 steuert die erste Bezugsspannung 4, 5 so, dass stets eine Datenerhaltung in dem Chipkarten-Kontroller 1 garantiert werden kann. An dieser Stelle sei noch darauf hingewiesen, dass die Leckstromredukttionseinrichtung 2 auf verschiedene Arten realisiert werden kann. Im allgemeinen weist die Leckstromreduktionseinrichtung 2 einen Regelkreis auf, der die ertse Bezugsspannung 4, 5 in Abhängigkeit der (schwankenden) Versorgungsspannung steuert. Die Referenzspannung Vref am Eingang der Leckstromreduktionseinrichtung 2 kann beispielsweise durch eine sogenannte Bandgag-Schaltung realisiert werden. Simulationen zeigen, dass mittels der in 1 gezeigten Leckstromreduktionseinrichtung 2 eine verlängerte Funktionsweise der Chipkarten-Controllers 1 gewährleistet werden kann.The leakage current reduction device 2 of the 1 is suitable for controlling a reference voltage 4 . 5 and has a first entrance 6 for the supply voltage, a second input for a reference voltage Vref, a connection 7 for depending on the supply voltage 3 to be regulated reference voltage 4 . 5 and a connection 8th for a second reference voltage, or for a ground potential. The leakage current reduction device 2 So it's at her first entrance 6 with the supply voltage 3 connected, at its second input to the reference voltage, at its output 7 with the first reference voltage 4 . 5 and with the connection 8th is the leakage current reduction device 2 connected to the ground potential. The 1 schematically outlines a structure of a method for operating the leakage current reduction device, which the first reference voltage or the virtual ground potential 4 . 5 depending on the supply voltage 3 controls. The leakage current reduction device 2 for controlling the first reference voltage 4 . 5 controls the first reference voltage 4 . 5 so that always a data preservation in the smart card controller 1 can be guaranteed. At this point, it should be noted that the leakage current reduction device 2 can be realized in different ways. In general, the leakage current reduction device 2 a control circuit, which is the ertse reference voltage 4 . 5 depending on the (fluctuating) supply voltage controls. The reference voltage Vref at the input of the leakage current reduction device 2 can be realized for example by a so-called bandgag circuit. Simulations show that by means of in 1 shown leakage current reduction device 2 an extended functionality of the chip card controller 1 can be guaranteed.

2 zeigt ein Diagramm bei der die Data Retention Time in Abhängigkeit der Versorgungsspannung Vdd und der Body Biasing Spannung Vbs dargestellt ist. Dabei ist die Body Biasing Spannung Vbs 100, 200, 300, 400 für unterschiedliche Spannungen (0 V, 0.2 V, 0.4 V und 0.6 V) in dem Diagramm eingetragen. Der Verlauf der Body Biasing Spannung zeigt klar, dass die Data Retention Zeit durch die Reduktion der Body Biasing Spannung Vsb zunimmt. 2 zeigt somit deutlich, dass mittels der erfindungsgemäßen Leckstromreducktionseinrichtung 2 sich der Leckstrom des Chipkarten-Kontrollers 1 verringert und somit die Data Retention Zeit ansteigt. 2 shows a diagram in which the data retention time as a function of the supply voltage Vdd and the body bias voltage Vbs is shown. The Body Biasing voltage is Vbs 100 . 200 . 300 . 400 for different voltages (0 V, 0.2 V, 0.4 V and 0.6 V) entered in the diagram. The course of the body biasing voltage clearly shows that the data retention time increases due to the reduction of the body biasing voltage Vsb. 2 thus clearly shows that by means of Leckstromreducktionseinrichtung invention 2 the leakage current of the chip card controller 1 decreases and thus increases the data retention time.

3 zeigt ein 3-D Diagramm, in dem die Data Retention Time gegen die Body Biasing Spannung Vbs und die Virtual Ground Spannung Vvg bei hoher Temperatur aufgetragen ist. Auch aus der 3 ist klar zu entnehmen, dass sich mittels der erfindungsgemäßen Leckstromreduktionseinrichtung 2 sowohl bei geeigneter Änderung der Body Biasing Spannung Vbs, als auch bei geeigneter Änderung der Virtual Ground Spannung Vvg die Data Retention Time erheblich verlängern lässt. Eine verlängerung der Data Retention Time ist aber gleichbedeutend mit einer Reduktion des Leckstromes durch die Leckstromreduktionseinrichtung 2. 3 shows a 3-D diagram in which the data retention time is plotted against the body bias voltage Vbs and the virtual ground voltage Vvg at high temperature. Also from the 3 It can be clearly seen that by means of the leakage current reduction device according to the invention 2 both with a suitable change of the body bias voltage Vbs, as well as with a suitable change of the virtual ground voltage Vvg the data retention time can be extended considerably. An extension of the data retention time, however, is synonymous with a reduction of the leakage current through the leakage current reduction device 2 ,

11
Chipkarten-KontrollerSmart card controller
22
LeckstromreduktionseinrichtungLeakage current reduction device
33
Feldstärke, Versorgungsspannung VddField strength Supply voltage Vdd
44
Body Biasing Spannung Vbsbody Biasing voltage Vbs
55
Virtual Ground Spannung VvgVirtual Ground voltage Vvg
66
Erster Eingangfirst entrance
77
Zweiter Eingangsecond entrance
88th
Masse AnschlussDimensions connection
100, 200, 300, 400100 200, 300, 400
Verlauf der Body Biasing Spannungcourse the body biasing tension

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • - ISO14443 Typ A [0004] - ISO14443 Type A [0004]

Claims (9)

Verfahren zum Betreiben eines Chipkarten-Kontrollers (1) mit Leckstromreduktionseinrichtung (2), bei welchem Verfahren die Leckstromreduktionseinrichtung (2) in Abhängigkeit einer Feldstärke (3) zur Energieversorgung des Chipcard-Kontrollers (1) gesteuert wird.Method for operating a chip card controller ( 1 ) with leakage current reduction device ( 2 ), in which method the leakage current reduction device ( 2 ) in dependence of a field strength ( 3 ) for the power supply of the chipcard controller ( 1 ) is controlled. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Leckstromreduktionseinrichtung (2) mittels Steuerung einer Body Biasing Spannung (4) steuerbar ist.Method according to claim 1, wherein the leakage current reduction device ( 2 ) by controlling a body biasing voltage ( 4 ) is controllable. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Leckstromreduktionseinrichtung mittels Steuerung einer Virtual Ground Spannung (5) steuerbar ist.Method according to claim 1, wherein the leakage current reduction device is controlled by means of a control of a virtual ground voltage ( 5 ) is controllable. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Leckstrom des Chipkarten-Kontrollers (1) mittels der Leckstromreduktionseinrichtung (2) vor einer erwarteten Änderung der Feldstärke (3) mittels Steuerung der Versorgungsspannung durch Hardwareprogramme einstellbar ist.Method according to one of the preceding claims, wherein a leakage current of the chip card controller ( 1 ) by means of the leakage current reduction device ( 2 ) before an expected change in field strength ( 3 ) is adjustable by means of hardware programs by controlling the supply voltage. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Leckstrom des Chipkarten-Kontrollers (1) mittels der Leckstromreduktionseinrichtung (2) vor einer erwarteten Änderung der Feldstärke (3) mittels Steuerung der Versorgungsspannung durch ein Softwareprogramm einstellbar ist.Method according to one of the preceding claims, wherein a leakage current of the chip card controller ( 1 ) by means of the leakage current reduction device ( 2 ) before an expected change in field strength ( 3 ) is adjustable by controlling the supply voltage by a software program. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei durch die Reduktion des Leckstromes die Data Retention Time verlängert wird.Method according to one of the preceding claims, whereby the data retention time is reduced by reducing the leakage current is extended. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Chipkarten-Kontroller (1) ein RFID Kontroller ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the chip card controller ( 1 ) is an RFID controller. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Chipkarten-Kontroller (1) ein kontaktbasierter Chipkarten-Kontroller (1) ist.Method according to one of claims 1 to 6, wherein the chip card controller ( 1 ) a contact-based chip card controller ( 1 ). Chipkarten-Kontroller (1) zur Verwendung in dem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.Chip card controller ( 1 ) for use in the process according to any one of the preceding claims.
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