DE102008048977B4 - Electronic compact module - Google Patents

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Abstract

Elektronische Kompaktbaugruppe (1) zur Montage auf einer Leiterplatte (8), mit einem Gehäuse (6), in dem ein Transformator (2) und neben dem Transformator (2) ein Transistor (3) angeordnet und mit einer Vergussmasse (4) vergossen sind, wobei der Transformator (2) und der Transistor (3) elektrische Anschlüsse (5) aufweisen, die aus der Vergussmasse (4) herausragen, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (3) eine metallische, zum Transformator (2) gerichtete Kühlfläche (101) aufweist, mit welcher er mit einem Eisenkern des Transformators (2) in wärmeleitender Verbindung steht, wobei er mit der Kühlfläche (101) an dem Eisenkern unmittelbar anliegt oder zwischen der Kühlfläche (10) und dem Eisenkern eine Wärmeleitscheibe (7) angeordnet ist, die an dem Eisenkern und der Kühlfläche (10) unmittelbar anliegt.

Figure DE102008048977B4_0000
Electronic compact assembly (1) for mounting on a printed circuit board (8), with a housing (6) in which a transformer (2) and next to the transformer (2) a transistor (3) and encapsulated with a potting compound (4) in which the transformer (2) and the transistor (3) have electrical connections (5) which protrude from the potting compound (4), characterized in that the transistor (3) has a metallic cooling surface (101) directed towards the transformer (2) ), with which it is in heat-conducting connection with an iron core of the transformer (2), wherein it is in direct contact with the cooling surface (101) on the iron core, or between the cooling surface (10) and the iron core a heat conducting disk (7) is arranged, which is directly adjacent to the iron core and the cooling surface (10).
Figure DE102008048977B4_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Kompaktbaugruppe zur Montage auf einer Leiterplatte, mit einem Gehäuse, in dem ein Transformator angeordnet und vergossen ist.The present invention relates to a compact electronic assembly for mounting on a printed circuit board, comprising a housing in which a transformer is arranged and sealed.

Es ist bekannt, Transformatoren in einem Gehäuse zu vergießen, so dass der Transformator samt Gehäuse auf einer Leiterplatte montiert werden kann. Die Montage erfolgt unabhängig von der Bestückung der Leiterplatte mit anderen elektronischen Komponenten. Häufig werden auf der Leiterplatte auch elektronische Leistungstransistoren eingesetzt, die separat zu dem Transformator montiert werden müssen. Neben diesem separaten Montageschritt ist bei Leistungstransistoren weiterhin eine Maßnahme zur Kühlung desselben vorzunehmen. Das Verbinden des Leistungshalbeiters mit einem entsprechenden Kühlkörper, das beispielsweise durch Verschraubung oder Verklemmung des Transistors mit dem Kühlkörper erfolgt, ist manuell auszuführen und bedingt daher einen separaten Montageschritt. Weiterhin ist zu beachten, dass der Kühlkörper auf der Leiterplatte zusätzlichen Platz benötigt.It is known to shed transformers in a housing, so that the transformer together with the housing can be mounted on a printed circuit board. The assembly is independent of the assembly of the circuit board with other electronic components. Frequently, electronic power transistors are used on the circuit board, which must be mounted separately from the transformer. In addition to this separate assembly step, a measure for the cooling of the same is still to be made for power transistors. Connecting the Leistungshalbeiters with a corresponding heat sink, which takes place for example by screwing or jamming of the transistor to the heat sink, is carried out manually and therefore requires a separate assembly step. It should also be noted that the heat sink on the PCB requires additional space.

Aus der deutschen Offenlegungsschrift DE 2227876 A ist eine Anordnung von Schaltungsteilen als abgeschlossener, steckbarer Baustein bekannt, in dem der überwiegende Teil der Bauelemente einer Horizontal-Ablenk-Endstufe innerhalb eines Bausteingehäuses untergebracht ist, wobei Transformator(en), Leistungstransistor(en) und sonstige Warme erzeugende bzw. zu kühlende Bauelemente und -Elementgruppen auf der Innenseite des zumindest teilweise aus wärmeleitendem Material bestehenden Bausteingehäuses mechanisch angebracht sind und mit diesem in gutem wärmeleitenden Kontakt stehen.From the German patent application DE 2227876 A an arrangement of circuit parts is known as a closed, pluggable module, in which the majority of the components of a horizontal deflection power amplifier is housed within a modular housing, wherein transformer (s), power transistor (s) and other heat generating or cooling components and -element groups are mechanically mounted on the inside of the existing at least partially made of thermally conductive material housing housing and are in good thermally conductive contact with this.

Das deutsche Gebrauchsmuster DE 1892269 U offenbart ein Netzsteckergehäuse mit einem Unterteil aus Metall und einem Oberteil aus Kunststoff, wobei in dem Gehäuse ein Transformator und ein Transistor angeordnet sind und das Unterteil als Wärmeableitung für den Transistor fungiert.The German utility model DE 1892269 U discloses a power plug housing having a bottom of metal and a top of plastic, wherein in the housing, a transformer and a transistor are arranged and the lower part acts as a heat dissipation for the transistor.

Ferner ist aus dem US Patent 2,862,92 A eine elektrische Netzwerkanordnung mit einer Vielzahl elektrischer Komponenten bekannt, die in einem Gehäuse gemeinsam vergossen sind.Furthermore, from the U.S. Patent 2,862,992A an electrical network arrangement with a plurality of electrical components known which are cast together in a housing.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine elektronische Kompaktbaugruppe bereit zu stellen, die die Montage von Transformator und Transistor auf einer Leiterplatte vereinfacht und beschleunigt sowie gleichzeitig eine hohe Montage- und Betriebssicherheit bei gleichzeitig guter Kühlung des Transistors gewährleistet.It is an object of the present invention to provide an electronic compact module that simplifies and accelerates the assembly of transformer and transistor on a printed circuit board and at the same time ensures high installation and reliability while maintaining good cooling of the transistor.

Dies wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen wiedergegeben.This is solved by the features of independent claim 1. Advantageous developments of the invention are given in the dependent claims.

Erfindungsgemäß ist eine elektronische Kompaktbaugruppe zur Montage auf einer Leiterplatte, mit einem Gehäuse, in dem ein Transformator vergossen ist, vorgesehen, wobei in dem Gehäuse zusätzlich ein Transistor neben dem Transformator angeordnet und gemeinsam mit diesem vergossen ist, und die elektrischen Anschlüsse des Transformators und des Transistors aus der Vergussmasse hervorragen.According to the invention, an electronic compact assembly for mounting on a printed circuit board, with a housing in which a transformer is potted, is provided, wherein in the housing additionally a transistor is arranged next to the transformer and molded together with this, and the electrical connections of the transformer and the Protruding transistor from the potting compound.

Durch die Verbindung von Transistor und Transformator in einem Gehäuse, d. h. die Integration eines Transistors zusammen mit einem Transformator in einem Gehäuse, wird eine Baugruppe gebildet, deren Montage in einem Schritt die ursprünglich benötigten Schritte für die jeweilige Montage von Transformator, Transistor und Kühlkörper ersetzt. Ein zusätzlicher Kühlkörper kann durch diese Maßnahme eingespart werden, da die von dem Transistor erzeugte Wärme, von der Vergussmasse aufgenommen werden kann. Durch die Einsparung des Kühlkörpers können zum einen Kosten, zum anderen Platz auf der Leiterplatte eingespart werden. Neben dem zusätzlichen Montageschritt für die Platzierung des Transistors entfällt auch die Verbindung desselben mit dem Kühlkörper, so dass das Verfahren zur Bestückung der Leiterplatte erheblich vereinfacht und beschleunigt werden kann.By connecting transistor and transformer in one housing, i. H. the integration of a transistor together with a transformer in a housing, an assembly is formed, the assembly in one step replaces the originally required steps for the respective assembly of transformer, transistor and heat sink. An additional heat sink can be saved by this measure, since the heat generated by the transistor, can be absorbed by the potting compound. By saving the heat sink can be saved on the one hand costs, on the other hand, space on the circuit board. In addition to the additional installation step for the placement of the transistor and the connection of the same with the heat sink deleted, so that the process for mounting the circuit board can be considerably simplified and accelerated.

Vorzugsweise kann die gesamte Oberfläche des Transistors mit der Vergussmasse umgossen sein, so dass ein perfekter Wärmeübergang zwischen dem Transistor und der Vergussmasse vorliegt, da zwischen Transistor und Vergussmasse kein Luftspalt vorhanden ist, der einen Wärmewiderstand darstellt.Preferably, the entire surface of the transistor can be encapsulated with the potting compound, so that there is a perfect heat transfer between the transistor and the potting compound, since there is no air gap between the transistor and the potting compound, which represents a thermal resistance.

Vorzugsweise können die elektrischen Anschlüsse von Transformator und Transistor durch Kontaktstifte gebildet sein, die parallel zueinander angeordnet sind. Hierdurch wird erreicht, dass die elektrischen Anschlüsse parallel zueinander ausgerichtet aus der Vergussmasse herausragen, so dass eine Leiterplattenmontage problemlos vorgenommen werden kann. Die Kontaktstifte können dann durch auf der Leiterplatte vorhandene Bohrungen der gedruckten Schaltung gesteckt werden, wobei die Bohrungen und die Kontaktstifte anschließend auf einfachem Wege durch Wellenlöten mit entsprechendem Aufbringen von Lötzinn miteinander automatisiert verbunden werden können.Preferably, the electrical connections of transformer and transistor may be formed by contact pins which are arranged parallel to one another. This ensures that the electrical connections aligned parallel to each other protrude from the potting compound, so that a circuit board assembly can be made easily. The pins can then be plugged through existing on the circuit board holes in the printed circuit, the holes and the pins can then be connected to each other automatically by wave soldering with a corresponding application of solder with each other automatically.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Vergussmasse das Gehäuse vollständig ausfüllt. Die elektronische Kompaktbaugruppe bietet damit eine besonders hohe Wärmekapazität für die Aufnahme der vom Transistor erzeugten Abwärme.It is particularly advantageous if the potting compound completely fills the housing. The electronic compact module thus offers a particularly high heat capacity for absorbing the waste heat generated by the transistor.

Erfindungsgemäß kann der Transistor in stehender Bauform ausgeführt werden. In dieser Bauform, die auch als THT Bauform (Through Hole Technology) bezeichnet wird, zu denen beispielsweise die Gehäusetypen TO247, TO220 oder ISOWATT gehören, erstrecken sich drei Anschlussstifte parallel zueinander in einer Ebene liegend von dem flach ausgebildeten Gehäuse weg. Diese Transistorbauform eignet sich besonders zur Integration in dem Gehäuse, da der Transformator im Wesentlichen fast würfelförmig ausgebildet ist und eine flache Gehäuseform lediglich eine geringe Erweiterung des Gehäuses der Kompaktbaugruppe gegenüber der Länge oder der Bereite der Transformatorabmessung bedingt. Eine stehende Bauform des Transistors führt daher zu geringen und platzsparenden Abmessungen der elektronischen Kompaktbaugruppe.According to the invention, the transistor can be designed in a stationary design. In this design, which is also referred to as THT design (through hole technology), which include, for example, the housing types TO247, TO220 or ISOWATT, extending three pins parallel to each other in a plane lying away from the flat housing. This transistor design is particularly suitable for integration in the housing, since the transformer is essentially formed almost cube-shaped and a flat housing shape only a small extension of the housing of the compact assembly relative to the length or the width of the transformer dimension conditional. A stationary design of the transistor therefore leads to small and space-saving dimensions of the electronic compact module.

Gemäß der Erfindung weist der Transistor eine metallische, zum Transformator gerichtete Kühlfläche auf, mit welcher er mit dem Eisenkern des Transformators in wärmeleitender Verbindung steht. Als wärmeleitende Verbindung wird im Sinne der Erfindung eine solche Verbindung verstanden, die eine bessere Wärmeleitfähigkeit als Luft besitzt. Über die metallische Kühlfläche kann die vom Transistor erzeugte Abwärme besonders gut von den elektronisch aktiven Teilen des Transistors abgeführt werden. In besonders vorteilhafter Weise ergibt sich bei der vorliegenden Erfindung, dass bei Anordnung des Transistors neben dem Transformator innerhalb des Gehäuses der elektronischen Kompaktbaugruppe die Abwärme des Transistors von dem Eisenkern des Transformators aufgenommen werden kann.According to the invention, the transistor has a metallic, directed to the transformer cooling surface, with which it is in heat-conducting connection with the iron core of the transformer. As a heat-conducting compound is understood in the context of the invention, such a compound which has a better thermal conductivity than air. Via the metallic cooling surface, the waste heat generated by the transistor can be dissipated particularly well from the electronically active parts of the transistor. In a particularly advantageous manner results in the present invention that when the transistor is arranged next to the transformer within the housing of the electronic compact assembly, the waste heat of the transistor from the iron core of the transformer can be accommodated.

Für eine besonders gute Wärmeübertragung liegt die Kühlfläche des Transistors unmittelbar an dem Eisenkern an. Hierunter ist insbesondere zu verstehen, dass zwischen Transistor und Transformator kein körperlich festes oder fest werdendes Material angeordnet ist. Es kann jedoch vorgesehen sein, dass zur Erzielung eines perfekten Wärmeübergangs zwischen der Kühlfläche und dem Eisenkern eine Wärmeleitpaste angeordnet ist.For a particularly good heat transfer, the cooling surface of the transistor is applied directly to the iron core. This is to be understood in particular that between the transistor and transformer no physically solid or solidifying material is arranged. However, it may be provided that a thermal paste is arranged to achieve a perfect heat transfer between the cooling surface and the iron core.

In einer alternativen Ausführungsvariante ist zwischen dem Transistor und dem Transformator eine wärmeleitende Scheibe angeordnet, die an dem Eisenkern und an der Kühlfläche unmittelbar anliegt. In diesem Fall liegt der Transistor mittelbar an dem Transformator an. In den Wärmeübergängen zwischen Transistor und wärmeleitender Scheibe und/ oder zwischen diesem und dem Transformatorkern kann eine wärmeleitende Paste eingebracht sein, um den Wärmeleitwiderstand von dem Transistor zum Transformator zu verringern.In an alternative embodiment variant, a thermally conductive disc is arranged between the transistor and the transformer and bears directly against the iron core and the cooling surface. In this case, the transistor is indirectly applied to the transformer. In the heat transfer between the transistor and the heat-conducting disc and / or between the latter and the transformer core, a thermally conductive paste may be incorporated to reduce the thermal resistance from the transistor to the transformer.

Vorzugsweise kann der Transistor als Hochleistungstransistor mit einer Betriebsspannung bis zu 1500 V ausgebildet sein. Die feste Anordnung des Transistors innerhalb der elektronischen Baugruppe kann für den Anwender sicherstellen, dass jegliche Isolationsvorschriften eingehalten werden, die er anderenfalls bei der Entwicklung der Leiterplatte mit separater Montage des Hochleistungstransistors beachten müsste. Der notwendige Abstand zwischen den Kontakten des Hochleistungstransistors und anderen elektrischen Kontakten kann daher bereits bei der Herstellung der elektronischen Kompaktbaugruppe berücksichtigt werden, so dass seitens des Anwenders bei der Bestückung der Leiterplatte und deren anschließendem Betrieb eine hohe Betriebssicherheit gewährleistet ist.Preferably, the transistor may be formed as a high-power transistor with an operating voltage up to 1500 V. The fixed location of the transistor within the electronic package can ensure for the user that any isolation requirements are met which otherwise he would have to consider when developing the PCB with separate mounting of the high power transistor. The necessary distance between the contacts of the high-power transistor and other electrical contacts can therefore already be taken into account in the manufacture of the electronic compact module, so that a high reliability is ensured by the user in the assembly of the circuit board and its subsequent operation.

Bei der Verwendung eines Hochleistungstransistors innerhalb der elektronischen Kompaktbaugruppe ist isolationsbedingt ein ausreichend großer Abstand zwischen den elektrischen Kontakten des Transistors und des Transformators vorzusehen. Zur Einhaltung dieses Abstands kann zwischen den beiden Bauteilen eine Scheibe angeordnet werden. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Scheibe die wärmeleitende Scheibe bildet, so dass ein guter Wärmeübergang von der Kühlfläche des Transistors zu dem Eisenkern des Transformators erreicht wird.When using a high-power transistor within the electronic compact assembly insulation is sufficient to provide a sufficiently large distance between the electrical contacts of the transistor and the transformer. To comply with this distance, a disc can be arranged between the two components. It is particularly advantageous if the disk forms the heat-conducting disk, so that a good heat transfer from the cooling surface of the transistor to the iron core of the transformer is achieved.

Alternativ kann ein Transformator verwendet werden, dessen elektrische Anschlussstifte in zwei parallelen Reihen angeordnet sind, die sich in einem Abstand gegenüberstehen, der größer ist als die Breite des Transistors. Die Breite des Transistors entspricht dabei derjenigen Dimension, die die Ebene erfasst, innerhalb derer die elektrischen Anschlüsse des Transistors liegen. In diesem Fall kann der Transistor unmittelbar an dem Transformator anliegen, da die elektrischen Anschlüsse des Transformators und des Transistors von den Gehäusewänden zurückversetzt sind und daher der diagonale Abstand, d.h. die direkte Strecke zwischen den Anschlüssen des Transformators und des Transistors aus Isolationssicht stets groß genug ist.Alternatively, a transformer may be used whose electrical connection pins are arranged in two parallel rows which are spaced apart by a distance greater than the width of the transistor. The width of the transistor corresponds to the dimension that covers the plane within which the electrical connections of the transistor are located. In this case, since the electrical connections of the transformer and the transistor are recessed from the housing walls, and therefore the diagonal distance, i. the direct distance between the terminals of the transformer and the transistor from insulation view is always large enough.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Transformator ein Doppel-E-Kern Transformator ist. Dieser weist einen zweiteiligen Eisenkern auf, wobei jeder Teil im horizontalen Querschnitt E-förmig ausgebildet ist und dadurch ebene Flächen aufweist, an die der Transistor mittelbar oder unmittelbar angelegt werden kann.It is particularly advantageous if the transformer is a double-E core transformer. This has a two-part iron core, wherein each part is formed in the horizontal cross-section E-shaped and thereby has flat surfaces, to which the transistor can be applied directly or indirectly.

Vorzugsweise kann innerhalb des Gehäuses ein Temperatursensor mit vergossen sein, der an dem Transistor zur Erfassung seiner Temperatur anliegt. Hiermit kann die Temperatur der elektronischen Kompaktbaugruppe überwacht werden und eine Deaktivierung derselben im Falle des Erreichens oder Überschreitens einer maximalen Temperaturgrenze erfolgen.Preferably, within the housing, a temperature sensor may be encapsulated, which rests against the transistor for detecting its temperature. Hereby, the temperature of the electronic compact assembly can be monitored and a deactivation of the same in the case of reaching or Exceeding a maximum temperature limit.

Weitere Vorteile der Erfindung sind in der nachfolgenden Beschreibung eines vorteilhaften Ausführungsbeispiels unter Bezugname auf die 1 und 2 erläutert.Further advantages of the invention are in the following description of an advantageous embodiment with reference to the 1 and 2 explained.

Es zeigen:

  • 1: Anordnung von Transformator und Transistor nach dem Stand der Technik
  • 2: Schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Kompaktbaugruppe
Show it:
  • 1 : Arrangement of transformer and transistor according to the prior art
  • 2 : Schematic representation of the compact module according to the invention

1 zeigt eine Leiterplatte 8, auf der ein Transformator 2 und ein Leistungstransistor 3 montiert sind. Der Leistungstransistor 3 ist mit einem Kühlkörper 12 mit Kühlrippen verbunden, wobei der Kühlkörper 12 eine unter einer Vorspannung stehenden Klammer 13 aufweist, mit welcher der Transistor 3 mit seiner zur Leiterplatte 8 gerichteten Kühlfläche 101 gegen den Kühlkörper 12 gedrückt ist. Der Transistor 3 weist eine Kühlfahne 102 auf, die ebenfalls mit dem Kühlkörper 12 in Verbindung steht. Zwischen der Kühlfläche 101 bzw. der Kühlfahne 102 und dem Kühlkörper ist eine Wärmeleitpaste eingebracht, um einen widerstandsarmen Wärmeübergang zu erhalten. 1 shows a circuit board 8th on which a transformer 2 and a power transistor 3 are mounted. The power transistor 3 is with a heat sink 12 connected with cooling fins, wherein the heat sink 12 a biased clip 13 comprising, with which the transistor 3 with his to the circuit board 8th directed cooling surface 101 against the heat sink 12 is pressed. The transistor 3 has a cooling flag 102 on that too with the heat sink 12 communicates. Between the cooling surface 101 or the cooling flag 102 and the heat sink is a thermal paste introduced to obtain a low-resistance heat transfer.

Der Transistor 3 ist als THT-Hochvolt-Leistungshalbleiter ausgebildet, wobei die Anschlusskontakte 5 des Transistors in einem 90° Winkel umgebogen sind.The transistor 3 is designed as a THT high-voltage power semiconductor, wherein the connection contacts 5 of the transistor are bent at a 90 ° angle.

Als Leistungstransistor kann beispielsweise ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) beispielsweise das Model 5N160, oder ein MOSFET (Metal Oxyd Semiconductor Field Effect Transistor) beispielsweise das Model 2SK3746 verwendet werden. Diese weisen eine metallische Kühlfläche auf, so dass eine effiziente Wärmeübertragung von dem Leistungshalbleiter auf den Kühlkörper über diese Kühlfläche erreicht werden kann. Die genannten Modelle sind in verschiedenen stehenden Bauformen erhältlich, beispielsweise in einem TO247 oder TO220 Gehäuse.As a power transistor, for example, an IGBT (insulated gate bipolar transistor), for example, the model 5N160, or a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), for example, the model 2SK3746 can be used. These have a metallic cooling surface, so that an efficient heat transfer from the power semiconductor to the heat sink can be achieved via this cooling surface. The models mentioned are available in various stationary designs, for example in a TO247 or TO220 housing.

2 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführungsvariante der elektronischen Kompaktbaugruppe. Gemäß dieser ist in einem Gehäuse 6 der Transformator 2 und daneben ein in stehender Bauform ausgeführter Transistor 3 angeordnet, wobei der Transformator 2 und der Transistor 3 gemeinsam durch eine Vergussmasse 4 in dem Gehäuse 6 vergossen sind. Als Vergussmasse 4 kann beispielsweise ein Epoxydharz verwendet werden. Insbesondere kann die Vergussmasse 4 wärmeleitend ausgebildet sein. 2 shows an embodiment of the invention of the electronic compact module. According to this is in a housing 6 the transformer 2 and next to it a running in a stationary design transistor 3 arranged, the transformer 2 and the transistor 3 together by a potting compound 4 in the case 6 are shed. As potting compound 4 For example, an epoxy resin can be used. In particular, the potting compound 4 be formed thermally conductive.

Die elektrischen Anschlüsse des Transformators 2 und des Transistors 3 sind als Kontaktstifte 5 ausgebildet, und erstrecken sich parallel zueinander aus der Vergussmasse 4 heraus. Das Gehäuse liegt auf der Leiterplatte 8 auf, wodurch die Vergussmasse 4 einen Abstand zur Leiterplatte 4 einhält. Die Kontaktstifte 5 liegen in montierter Form des elektronischen Kompaktgehäuses 1 in entsprechenden Löchern der Leiterplatte 8 ein, so dass sie von der Unterseite der Leiterplatte 8 durch ein Wellenlötverfahren mit Lötzinn versehen und mit den entsprechenden elektrischen Kontaktflächen auf der Unterseite der Leiterplatte 8 verbunden werden können.The electrical connections of the transformer 2 and the transistor 3 are as contact pins 5 formed, and extend parallel to each other from the potting compound 4 out. The housing is on the circuit board 8th on, causing the potting compound 4 a distance to the PCB 4 comply. The contact pins 5 lie in mounted form of the electronic compact housing 1 in corresponding holes of the circuit board 8th one, leaving it from the bottom of the circuit board 8th provided with solder by a wave soldering process and with the corresponding electrical contact surfaces on the underside of the printed circuit board 8th can be connected.

In 2 ist das Gehäuse 6 vollständig durch die Vergussmasse 4 ausgefüllt. Es kann jedoch vorgesehen sein, das zwischen einer Gehäusewand des Gehäuses 6 und einem der Bauteile ein Abstandshalter angeordnet ist, um die Bauteile innerhalb des Gehäuses für den Gießvorgang zu fixieren.In 2 is the case 6 completely through the potting compound 4 filled. However, it may be provided that between a housing wall of the housing 6 and one of the components, a spacer is arranged to fix the components within the housing for the casting process.

Der Transistor 3 weist eine metallische Kühlfläche 101 auf, die zum Transformator gerichtet ist. In der beispielhaften Ausführungsform gemäß 2 ist zwischen dem Hochleistungstransistor 3 und dem Transformator 2 ein wärmeleitendes Element 7 in Gestalt einer Scheibe angeordnet. Hierdurch wird ein für die Isolation benötigter Abstand zwischen dem Hochleistungstransistor 3 und dem Transformator 2 eingehalten. Die Wärmeleitscheibe 7 ermöglicht einen Wärmeübergang der Abwärme des Hochleistungstransistors 3 über die metallische Kühlfläche 101 auf den Eisenkern des Transformators 2. Die Wärmeleitscheibe 7 kann beispielsweise als Keramikscheibe, alternativ aus einer Glimmerscheibe oder aus einem Wärmeleitgummi gebildet sein, beispielsweise aus einer Silikonscheibe.The transistor 3 has a metallic cooling surface 101 on, which is directed to the transformer. In the exemplary embodiment according to 2 is between the high power transistor 3 and the transformer 2 a heat-conducting element 7 arranged in the form of a disk. This will require a space between the high power transistor required for isolation 3 and the transformer 2 respected. The heat-conducting disc 7 allows heat transfer of the waste heat of the high-power transistor 3 over the metallic cooling surface 101 on the iron core of the transformer 2 , The heat-conducting disc 7 may be formed, for example, as a ceramic disk, alternatively from a mica disk or from a heat-conducting rubber, for example from a silicone disk.

Der Transformator 2 ist in dem Beispiel gemäß 2 nur schematisch dargestellt. Er ist in diesem Ausführungsbeispiel als Doppel-E-Kern Transformator ausgeführt und weist zwei im horizontalen Querschnitt E-förmige Eisenkerne auf, die spiegelbildlich zueinander angeordnet sind. Die beiden E-Kerne liegen derart aneinander an, dass sie drei parallel zueinander angeordnete Schenkel bilden, wobei der mittlere Schenkel einen Wicklungsträger aus Kunststoff trägt, auf dem die Transformatorspulen gewickelt sind. Der Doppel-E-Kern Transformator liegt auf einem nicht dargestellten Kunststoffsockel auf, der elektrische Kontaktstifte 5 aufweist. Die elektrischen Anschlüsse der Transformatorwicklungen sind mit diesen Kontaktstiften 5 verbunden. Die Kontaktstifte sind in zwei parallelen Reihen angeordnet und stehen sich in einem Abstand gegenüber.The transformer 2 is in the example according to 2 shown only schematically. It is designed in this embodiment as a double E-core transformer and has two in horizontal cross-section E-shaped iron cores, which are arranged in mirror image to each other. The two E cores abut one another such that they form three legs arranged parallel to one another, wherein the middle leg carries a plastic winding carrier on which the transformer coils are wound. The double E-core transformer rests on a plastic base, not shown, the electrical contact pins 5 having. The electrical connections of the transformer windings are with these pins 5 connected. The contact pins are arranged in two parallel rows and face each other at a distance.

Der Doppel-E-Kern weist ebene Außenflächen auf, von der eine Außenfläche 14 in 2 näher bezeichnet ist. An diese Außenfläche 14 liegt der Hochleistungstransistor 3 über die Wärmeleitscheibe 7 mittelbar an. Zwischen dem Hochleistungstransistor 3 und der Wärmeleitscheibe 7 sowie zwischen der Wärmeleitscheibe 7 und der Außenfläche 14 kann eine Wärmeleitpaste 9 vorgesehen sein, um den Wärmeleitwert zwischen den Übergängen von Transistor 3 zu Scheibe 7 und zur Fläche 14 zu maximieren.The double E-core has flat outer surfaces, of which an outer surface 14 in 2 is specified in more detail. To this outer surface 14 lies the high-power transistor 3 over the Wärmeleitscheibe 7 indirectly. Between the high power transistor 3 and the Wärmeleitscheibe 7 and between the Wärmeleitscheibe 7 and the outer surface 14 can be a thermal grease 9 be provided to the thermal conductance between the transitions of transistor 3 to disc 7 and to the area 14 to maximize.

An der Kühlfläche 101 bzw. an der Kühlfahne 102 des Hochleistungstransistors 3 liegt ein Temperatursensor 11 zur Erfassung der Temperatur an. Er ist mit samt des Transistors und des Transformators in dem Gehäuse 6 vergossen.At the cooling surface 101 or on the cooling flag 102 of the high power transistor 3 is a temperature sensor 11 for detecting the temperature. He is together with the transistor and the transformer in the housing 6 shed.

Der notwendige Abstand des Transistors 3 zum Transformator 2 kann nach der Isolationsklasse bestimmt werden, die sich wiederum nach der maximalen Spannung am Transistor 3 richtet. Entsprechende Mindestabstandsmaße für Luft- und Kriechstrecken auf gedruckten Schalterplatten können der Norm EN61800-5-1 entnommen werden. Gemäß dieser DIN ist bei einem geringen Verschmutzungsgrad der Leiterplatte und einer Spannung von 1250 V ein Mindestabstand von 4,2 mm zwischen den Anschlussstiften des Transistors 3 und den Kontaktsstiften des Trafos 2 als Luft- bzw. Kriechstrecke vorgesehen. Wird daher beispielsweise der Transistor 3 derart in dem Gehäuse 6 angeordnet, dass seine elektrischen Kontaktstifte 5 in einem Abstand von mehr als 5 mm zu den Kontaktstiften 5 des Transformators 2 angeordnet sind, ist die vorgeschriebene Isolierung bis zu einer Betriebsspannung des Transistors 3 von 1250 V sichergestellt.The necessary distance of the transistor 3 to the transformer 2 can be determined by the insulation class, which in turn is based on the maximum voltage at the transistor 3 directed. Corresponding minimum clearances for clearances and creepage distances on printed circuit boards can be taken from the standard EN61800-5-1. According to this DIN, with a low degree of contamination of the circuit board and a voltage of 1250 V, a minimum distance of 4.2 mm between the pins of the transistor 3 and the contact pins of the transformer 2 provided as air or creepage distance. Therefore, for example, the transistor 3 such in the housing 6 arranged that its electrical contact pins 5 at a distance of more than 5 mm from the contact pins 5 of the transformer 2 are arranged, the prescribed isolation up to an operating voltage of the transistor 3 ensured by 1250V.

Durch die Verwendung eines elektronischen Kontaktbauteils 1, in dem ein Transformator 2 und ein Transistor 3 in einer gemeinsamen Verkapselung integriert und vergossen sind, kann eine einzelne manuelle Bestückung der Leiterplatte 8 durch die separaten Bauteile Transformator 2, Transistor 3 und Kühlkörper 12 vermieden werden. Es ist nur noch ein Montageschritt notwendig, so dass der Bestückungsvorgang vereinfacht und beschleunigt werden kann. Durch das vollständige Umschließen des Transistors 3 mit der Vergussmasse 4 erfolgt weiterhin eine bessere Kühlung des Transistors 3, da zwischen ihm und der Vergussmasse 4 ein perfekter Wärmeübergang erreicht wird. Weiterhin wird durch die Anordnung des Transistors 3 innerhalb des Gehäuses eine sichere Isolation gegenüber dem Transformator 2 und anderen elektronischen Komponenten auf der Leiterplatte 8 gewährleistet. Ferner wird durch die Integration des Transistors 3 innerhalb des Gehäuses 6 gewährleistet, dass eine Verpolung des Transistors 3 vermieden wird, welche bei der manuellen Bestückung nach dem Stand der Technik möglich gewesen ist. Die erfindungsgemäße Zusammenfassung der elektrischen Komponenten Transformator 2 und Leistungshalbleiter 3 zu einer Kompaktbaugruppe 1 ermöglicht daher eine schnelle und einfache Montage und gewährleistet einen elektrisch sicheren Betrieb.By using an electronic contact component 1 in which a transformer 2 and a transistor 3 integrated and encapsulated in a common encapsulation, can be a single manual assembly of the circuit board 8th through the separate components transformer 2 , Transistor 3 and heat sink 12 be avoided. There is only one assembly step necessary so that the assembly process can be simplified and accelerated. By completely enclosing the transistor 3 with the potting compound 4 continues to be a better cooling of the transistor 3 , as between him and the potting compound 4 a perfect heat transfer is achieved. Furthermore, by the arrangement of the transistor 3 inside the housing a safe isolation from the transformer 2 and other electronic components on the circuit board 8th guaranteed. Further, by integrating the transistor 3 inside the case 6 ensures that a reverse polarity of the transistor 3 is avoided, which has been possible in the manual assembly of the prior art. The inventive summary of the electrical components transformer 2 and power semiconductors 3 to a compact module 1 therefore allows a quick and easy installation and ensures an electrically safe operation.

Claims (8)

Elektronische Kompaktbaugruppe (1) zur Montage auf einer Leiterplatte (8), mit einem Gehäuse (6), in dem ein Transformator (2) und neben dem Transformator (2) ein Transistor (3) angeordnet und mit einer Vergussmasse (4) vergossen sind, wobei der Transformator (2) und der Transistor (3) elektrische Anschlüsse (5) aufweisen, die aus der Vergussmasse (4) herausragen, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (3) eine metallische, zum Transformator (2) gerichtete Kühlfläche (101) aufweist, mit welcher er mit einem Eisenkern des Transformators (2) in wärmeleitender Verbindung steht, wobei er mit der Kühlfläche (101) an dem Eisenkern unmittelbar anliegt oder zwischen der Kühlfläche (10) und dem Eisenkern eine Wärmeleitscheibe (7) angeordnet ist, die an dem Eisenkern und der Kühlfläche (10) unmittelbar anliegt.Electronic compact assembly (1) for mounting on a printed circuit board (8), with a housing (6) in which a transformer (2) and next to the transformer (2) a transistor (3) and encapsulated with a potting compound (4) in which the transformer (2) and the transistor (3) have electrical connections (5) which protrude from the potting compound (4), characterized in that the transistor (3) has a metallic cooling surface (101) directed towards the transformer (2) ), with which it is in heat-conducting connection with an iron core of the transformer (2), wherein it is in direct contact with the cooling surface (101) on the iron core, or between the cooling surface (10) and the iron core a heat conducting disk (7) is arranged, which is directly adjacent to the iron core and the cooling surface (10). Elektronische Kompaktbaugruppe (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Anschlüsse (5) durch Kontaktstifte gebildet sind, die parallel zueinander ausgebildet sind.Electronic compact module (1) according to Claim 1 , characterized in that the electrical connections (5) are formed by contact pins, which are formed parallel to each other. Elektronische Kompaktbaugruppe (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergussmasse (4) das Gehäuse (6) vollständig ausfüllt.Electronic compact module (1) according to Claim 1 or 2 , characterized in that the potting compound (4) completely fills the housing (6). Elektronische Kompaktbaugruppe (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (3) in stehender Bauform ausgeführt ist.Electronic compact module (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the transistor (3) is designed in a stationary design. Elektronische Kompaktbaugruppe (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmeleitscheibe (7) aus einer Keramikscheibe, Glimmerscheibe, aus einem Wärmeleitgummi oder aus einer Silikonscheibe gebildet ist.Electronic compact module (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the heat-conducting disk (7) is formed from a ceramic disk, mica disk, a heat-conducting rubber or a silicone disk. Elektronische Kompaktbaugruppe (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (3) ein Hochspannungstransistor ist.Electronic compact module (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the transistor (3) is a high-voltage transistor. Elektronische Kompaktbaugruppe (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Transformator (2) ein Doppel-E-Kern Transformator ist.Electronic compact module (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the transformer (2) is a double-E-core transformer. Elektronische Kompaktbaugruppe (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Gehäuse (6) ein Temperatursensor (11) angeordnet ist, der an dem Transformator (3) anliegt und in dem Gehäuse (6) vergossen ist.Electronic compact module (1) according to one of the preceding claims, characterized in that in the housing (6) a Temperature sensor (11) is arranged, which bears against the transformer (3) and is sealed in the housing (6).
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