DE102008044098A1 - Sensor arrangement for differential pressure measurement, has micro-mechanical sensor element, where volume between separation membrane and measuring diaphragm is filled by incompressible transmission medium - Google Patents
Sensor arrangement for differential pressure measurement, has micro-mechanical sensor element, where volume between separation membrane and measuring diaphragm is filled by incompressible transmission medium Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008044098A1 DE102008044098A1 DE102008044098A DE102008044098A DE102008044098A1 DE 102008044098 A1 DE102008044098 A1 DE 102008044098A1 DE 102008044098 A DE102008044098 A DE 102008044098A DE 102008044098 A DE102008044098 A DE 102008044098A DE 102008044098 A1 DE102008044098 A1 DE 102008044098A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- membrane
- sensor element
- measuring
- access channel
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0059—Constitution or structural means for controlling the movement not provided for in groups B81B3/0037 - B81B3/0056
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
- G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
- G01L13/025—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
- G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
- G01L9/0045—Diaphragm associated with a buried cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
Description
Stand der TechnikState of the art
Die Erfindung betrifft eine Sensoranordnung zur Differenzdruckerfassung mit einem mikromechanischen Sensorelement. In der Vorderseite des Sensorelements ist mindestens eine Messmembran ausgebildet, die einen Hohlraum im Schichtaufbau des Sensorelements überspannt. Es ist ein erster Druckanschluss vorgesehen, über den die Vorderseite der Messmembran mit einem ersten Messdruck beaufschlagbar ist. Außerdem ist im Sensorelement mindestens ein Zugangskanal zu dem Hohlraum unter der Messmembran ausgebildet, über den die Rückseite der Messmembran mit einem zweiten Messdruck beaufschlagbar ist.The The invention relates to a sensor arrangement for differential pressure detection with a micromechanical sensor element. In the front of the Sensor element is formed at least one measuring membrane, the spans a cavity in the layer structure of the sensor element. It is provided a first pressure port through which the Front of the measuring diaphragm can be acted upon by a first measuring pressure is. In addition, at least one access channel in the sensor element formed to the cavity under the measuring membrane, via the back of the measuring membrane with a second measuring pressure can be acted upon.
Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Sensoranordnung.Of Furthermore, the invention relates to a method for producing a such sensor arrangement.
Es ist bekannt, zur Differenzdruckerfassung mikromechanische Sensorelemente mit einer Membran einzusetzen, die beidseitig mit einem Messdruck beaufschlagt wird. In der Regel ist die Membran in der Vorderseite des Sensorelements ausgebildet. Die rückseitige Druckbeaufschlagung erfolgt meist über einen engen Kanal, der mit bekannten Verfahren der Bulk-Mikromechanik, wie z. B. durch KOH-Ätzen oder Trenchen, in der Rückseite des Sensorelements erzeugt worden ist. Unter extremen Messbedingungen erweist sich dieser enge Kanal häufig als Schwachstelle. In aggressiven partikelhaltigen Messumgebungen setzen sich hier häufig Partikel ab, was die rückseitige Druckbeaufschlagung der Messmembran behindert. Bei entsprechenden Umgebungstemperaturen kann auch eine Vereisung des Kanals auftreten, was zu Messfehlern, einer Fehlfunktion und letztlich sogar zu einem Bruch der Membran führen kann. Um dies zu verhindern, werden derartige Sensorelemente in der Praxis mit einer aufwendigen Rückseitenvergelung versehen.It is known for differential pressure detection micromechanical sensor elements to be used with a membrane which acts on both sides with a measuring pressure becomes. In general, the membrane is in the front of the sensor element educated. The back pressure is applied mostly via a narrow channel, using known methods the bulk micromechanics, such. B. by KOH etching or Trenchen, generated in the back of the sensor element is. Under extreme conditions, this narrow channel proves itself often as a weak spot. In aggressive particle-containing Measuring environments often deposit particles here, which hinders the back pressure of the measuring membrane. At appropriate ambient temperatures can also icing of the channel, resulting in measurement errors, a malfunction and ultimately even lead to a rupture of the membrane. To this, too prevent such sensor elements in practice with a elaborate Rückwärtsvergelung provided.
In
der deutschen Offenlegungsschrift
Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention
Mit der vorliegenden Erfindung wird eine Sensoranordnung zur Differenzdruckerfassung vorgeschlagen, deren beide Druckanschlüsse medienresistent sind, so dass diese Sensoranordnung auch in partikelhaltigen aggressiven Messumgebungen eingesetzt werden kann.With The present invention provides a sensor arrangement for differential pressure detection proposed, the two pressure ports media resistant are so that this sensor array is also in particle-containing aggressive Measuring environments can be used.
Bei einer Sensoranordnung der eingangs genannten Art wird dies dadurch erreicht, dass der Zugangskanal mit einer Trennmembran verschlossen ist, dass das Volumen zwischen der Trennmembran und der Messmembran mit einem inkompressiblen Übertragungsmedium befüllt ist und dass ein zweiter Druckanschluss vorgesehen ist, über den die Trennmembran mit dem zweiten Messdruck beaufschlagbar ist.at a sensor arrangement of the type mentioned this is characterized achieved that the access channel is closed with a separation membrane, that the volume between the separation membrane and the measuring membrane with an incompressible transfer medium filled is and that a second pressure port is provided, over the separation membrane can be acted upon by the second measuring pressure.
Erfindungsgemäß ist zunächst erkannt worden, dass eine zweiseitige Druckbeaufschlagung einer einzigen Messmembran besonders genaue Differenzdruck messungen erlaubt, insbesondere auch bei kleinen Differenzdrücken zwischen sehr hohen Druckpotentialen. Des Weiteren ist erkannt worden, dass die Membranvorderseite materialbedingt und aufgrund ihrer flächigen Ausbildung eine hohe Medienresistenz aufweist, so dass in erster Linie die Medienresistenz des rückseitigen Druckanschlusses zu verbessern ist. Schließlich ist noch erkannt worden dass die Rückseite der Messmembran nicht unbedingt mit dem Messmedium in Kontakt treten muss, um mit dem entsprechenden Messdruck beaufschlagt zu werden. Davon ausgehend wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, den rückseitigen Zugangskanal durch Vorlage einer Trennmembran zu schützen und deren Auslenkungen über ein inkompressibles Übertragungsmedium auf die Rückseite der Messmembran zu übertragen. Insbesondere wird dadurch verhindert, dass der Zugangskanal durch Partikel im Messmedium verstopft wird.According to the invention initially recognized that a two-sided pressurization a single measuring diaphragm very accurate differential pressure measurements allowed, especially for small differential pressures between very high pressure potentials. Furthermore, it has been recognized that the front of the membrane due to the material and because of their flat Training has a high media resistance, so that in the first Line the media resistance of the back pressure port is to be improved. Finally, it has been recognized that the back of the measuring membrane is not necessarily with the measuring medium must come into contact, charged with the appropriate measuring pressure to become. On this basis, the invention proposes the back access channel by presenting a separation membrane and their deflections via an incompressible transmission medium to transfer to the back of the measuring diaphragm. In particular, this prevents the access channel from passing through Particles in the medium to be clogged.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Sensoranordnung umfasst das Sensorelement eine monokristalline Siliziummembran als Messmembran, in die Piezowiderstände zur Signalerfassung integriert sind. Zum einen sind Siliziumoberflächen selbst sehr medienresistent oder einfach mit einer medienresistenten Passivierung, beispielsweise mit Siliziumnitrid, zu versehen. Zum anderen weist monokristallines Silizium eine sehr hohe mechanische Festigkeit auf, was sich günstig auf die mechanischen Eigenschaften der Messmembran auswirkt. In monokristallinem Silizium lassen sich durch entsprechende Dotierung zudem Piezowiderstände mit einem sehr hohen K-Faktor realisieren, was zur Messempfindlichkeit des Sensorelements beiträgt.In an advantageous embodiment of the sensor arrangement according to the invention, the sensor element comprises a monocrystalline silicon membrane as a measuring membrane, in which piezoresistors for signal detection are integrated. On the one hand, silicon surfaces are themselves very media-resistant or simply provided with a media-resistant passivation, for example with silicon nitride. On the other hand, monocrystalline silicon has a very high mechanical strength, which has a favorable effect on the mechanical properties of the measuring membrane. In monocrystalline silicon can be By appropriate doping also piezoresistors with a very high K-factor realize, which contributes to the measurement sensitivity of the sensor element.
Wie bereits erwähnt, ist die Messmembran in der Vorderseite des Sensorelements über einem Hohlraum ausgebildet. Der Zugangskanal zu diesem Hohlraum kann in Bulk-Mikromechanik erzeugt werden. In diesem Fall geht der Zugangskanal von der Rückseite des Sensorelements aus und mündet in dem Hohlraum unter der Messmembran.As already mentioned, the measuring diaphragm is in the front the sensor element is formed over a cavity. Of the Access channel to this cavity can be generated in bulk micromechanics become. In this case, the access channel goes from the back of the sensor element and opens into the cavity below the measuring membrane.
Im Rahmen des erfindungsgemäßen Konzepts wird jedoch bevorzugt ein Sensorelement eingesetzt, dessen Zugangskanal zusammen mit der Messmembran und dem Hohlraum unter der Messmembran in Oberflächenmikromechanik (OMM) gefertigt wurde. Herstellungsbedingt verläuft der Zugangskanal in diesem Fall im wesentlichen parallel zur Vorderseite des Sensorelements und mündet seitlich in den Hohlraum unter der Messmembran. Die Verwendung eines solchen Sensorelements ist in mehrerlei Hinsicht von Vorteil. Zunächst lassen sich in OMM Messmembranen mit nahezu beliebiger Geometrie realisieren, was eine individuelle Auslegung der Messmembran für unterschiedlichste Anwendungen ermöglicht. Des Weiteren bietet die ausschließliche Verwendung von oberflächenmikromechanischen Prozessen bei der Herstellung des Sensorelements einen Kostenvorteil gegenüber Herstellungsverfahren, bei denen auch die Bauteilrückseite prozessiert werden muss. Und schließlich ermöglicht die Anordnung des Zugangskanals – und damit auch der Trennmembran – seitlich von der Messmembran die Realisierung einer besonders stressfreien Verpackung des Sensorelements, was sich positiv auf die Zuverlässigkeit und Messgenauigkeit der erfindungsgemäßen Sensoranordnung auswirkt. Diese Aufbau- und Verbindungstechnik wird nachfolgend noch näher erläutert.in the However, the scope of the inventive concept is preferably used a sensor element whose access channel together with the measuring membrane and the cavity under the measuring membrane in surface micromechanics (OMM) was manufactured. Due to manufacturing reasons, the Access channel in this case substantially parallel to the front of the sensor element and opens laterally into the cavity under the measuring membrane. The use of such a sensor element is beneficial in several ways. Let it go first realize measurement membranes with almost any geometry in OMM, What an individual interpretation of the measuring membrane for a wide variety of Applications allows. Furthermore, the exclusive offers Use of surface micromechanical processes in the production of the sensor element compared to a cost advantage Manufacturing process in which also the back of the component must be processed. And finally possible the arrangement of the access channel - and thus the separation membrane - side from the measuring membrane the realization of a particularly stress-free Packaging of the sensor element, which has a positive impact on reliability and measurement accuracy of the sensor arrangement according to the invention effect. This construction and connection technique is hereafter explained in more detail.
Das Übertragungsmedium der erfindungsgemäßen Sensoranordnung muss inkompressibel sein, um eine Differenzdruckerfassung an der Messmembran zu ermöglichen. Als besonders vorteilhaft erweist sich hierfür die Verwendung eines Öls, insbesondere eines Silikonöls. Damit lassen sich auch sehr feine, in einem Halbleitermaterial ausgebildete Kanäle gut befüllen, die im Falle des Erfindungsgegenstands zumindest einen Teil des Volumens zwischen der Trennmembran und der Messmembran bilden.The transmission medium The sensor arrangement according to the invention must be incompressible be to allow differential pressure detection on the measuring diaphragm. For this purpose, the use proves to be particularly advantageous an oil, in particular a silicone oil. In order to can also be very fine, formed in a semiconductor material channels well, which in the case of the subject invention at least a portion of the volume between the separation membrane and the measuring membrane form.
Wie bereits voranstehend angedeutet, gibt es verschiedene Möglichkeiten für die Anordnung und Realisierung der Trennmembran. Dabei sind neben der Art des Sensorelements, und insbesondere der Anordnung und Ausbildung des Zugangskanals zum Hohlraum unter der Messmembran, auch die Verpackung des Sensorelements und die Realisierung der Druckanschlüsse zu berücksichtigen. Grundsätzlich ist zu unterscheiden zwischen Varianten, bei denen die Trennmembran unabhängig von der Verpackung des Sensorelements realisiert ist, und Varianten, bei denen die Trennmembran mit Hilfe der Verpackung an das Sensorelement angebunden ist.As already indicated above, there are various possibilities for the arrangement and realization of the separation membrane. there are in addition to the nature of the sensor element, and in particular the arrangement and forming the access channel to the cavity below the measuring membrane, also the packaging of the sensor element and the realization of the To take into account pressure connections. in principle is to differentiate between variants in which the separation membrane realized independently of the packaging of the sensor element is, and variants in which the separation membrane with the help of the packaging is connected to the sensor element.
Bei Sensorelementen, deren Zugangskanal über eine Druckanschlussöffnung an eine Oberfläche des Sensorelements angeschlossen ist, kann die Trennmembran in vorteilhafter Weise in einem Kappenwafer ausgebildet sein, der druckdicht über der Druckanschlussöffnung des Zugangskanals montiert ist. Diese Variante ist gleichermaßen geeignet für den Fall, dass der Zugangskanal in Bulk-Mikromechanik erzeugt worden ist und von der Rückseite des Sensorelements ausgeht, wie für den Fall, dass der Zugangskanal in OMM erzeugt und zur Vorderseite des Sensorelements geöffnet worden ist. Die Realisierung der Trennmembran in einem Kappenwafer ist in mehrerlei Hinsicht von Vorteil. So lassen sich beispielsweise in einem Siliziumwafer einfach und kostengünstig Membranen mit sehr guten mechanischen Eigenschaften erzeugen, die zudem besonders medienresistent sind. Ein derartiger Kappenwafer kann einfach durch Bonden druckdicht mit dem Sensorelement verbunden werden. Sowohl diese Montage als auch das Befüllen des Volumens zwischen der Trennmembran und der Messmembran mit dem inkompressiblen Übertragungsmedium kann auf Waferebene, d. h. vor dem Vereinzeln der Sensorelemente erfolgen, was ebenfalls zu einer kostengünstigen Herstellung beiträgt.at Sensor elements whose access channel via a pressure port opening connected to a surface of the sensor element, For example, the separation membrane may advantageously be in a cap wafer be formed, the pressure-tight over the pressure port opening the access channel is mounted. This variant is alike suitable for the case where the access channel is generated in bulk micromechanics and starting from the back of the sensor element, as in the case that the access channel is generated in OMM and opened to the front of the sensor element is. The realization of the separation membrane in a cap wafer is beneficial in several respects. This can be, for example in a silicon wafer easy and inexpensive membranes with very good mechanical properties that are extra special are media-resistant. Such a cap wafer can easily through Bonding pressure-tight to be connected to the sensor element. Either this assembly as well as filling the volume between the separation membrane and the measuring membrane with the incompressible transmission medium can at wafer level, d. H. before the singulation of the sensor elements, which also contributes to a cost-effective production.
Im einfachsten Fall ist die Trennmembran in der Vorderseite des Kappenwafers ausgebildet und überspannt eine Kaverne in der Rückseite des Kappenwafers. Diese Struktur kann kostengünstig mit bekannten Verfahren der Rückseitenprozessierung, beispielsweise durch KOH-Ätzen oder Trenchen, erzeugt werden. Vorteilhafterweise wird ein solcher Kappenwafer dann mit seiner Vorderseite über der Druckanschlussöffnung des Zugangskanals montiert, so dass die Druckbeaufschlagung der Trennmembran über die Kaverne in der Rückseite des Kappenwafers erfolgt. Dadurch kann das Volumen zwischen Trennmembran und Messmembran möglichst klein gehalten werden.in the The simplest case is the separation membrane in the front of the cap wafer trained and spanned a cavern in the back of the cap wafer. This structure can be inexpensive with known Method of back-side processing, for example by KOH etching or trenches are generated. advantageously, For example, such a cap wafer will then overlap with its front side the pressure port opening of the access channel mounted so that the pressurization of the separation membrane over the Cavern in the back of the cap wafer takes place. Thereby The volume between the separation membrane and the measuring membrane can be as high as possible kept small.
In einer besonders vorteilhaften Variante umfasst die erfindungsgemäße Sensoranordnung ein in OMM gefertigtes Sensorelement, in dem auch die Trennmembran ausgebildet ist, und zwar neben der Messmembran in der Vorderseite des Sensorelements. In diesem Fall überspannt die Trennmembran einen zweiten Hohlraum im Schichtaufbau des Sensorelements, der über den Zugangskanal mit dem ersten Hohlraum unter der Messmembran verbunden ist. Das Volumen zwischen der Trennmembran und der Messmembran muss lediglich zum Befüllen mit dem Übertragungsmedium geöffnet werden. Der dafür erforderliche Ätzprozess ist sehr kurz, da sich die Einfüllöffnung nur über die Dicke einer Membran bzw. der Zugangskanalwandung erstreckt. Derartige Sensorelemente lassen sich sehr einfach und kostengünstig mit Standardverfahren der OMM herstellen. Als besonders vorteilhaft erweist sich auch das sehr geringe Volumen zwischen der Trennmembran und der Messmembran dieser Sensorelemente. Das Verhältnis dieses Vorlagevolumens zur Membranfläche ist hier so gering, dass störende Effekte einer temperaturbedingten Volumenänderung des Übertragungsmediums in der Regel vernachlässigt werden können.In a particularly advantageous variant, the sensor arrangement according to the invention comprises a sensor element produced in OMM, in which the separation membrane is also formed, specifically next to the measurement membrane in the front side of the sensor element. In this case, the separation membrane spans a second cavity in the layer structure of the sensor element, which connects via the access channel with the first cavity below the measuring membrane is. The volume between the separation membrane and the measuring membrane must be opened only for filling with the transmission medium. The etching process required for this is very short, since the filling opening extends only over the thickness of a membrane or the access channel wall. Such sensor elements can be produced very simply and inexpensively using standard methods of OMM. Particularly advantageous is also the very small volume between the separation membrane and the measuring membrane of these sensor elements. The ratio of this volume of the template to the membrane surface is so small that disturbing effects of a temperature-induced change in volume of the transmission medium can usually be neglected.
An dieser Stelle sei angemerkt, dass eine Auslenkung der Trennmembran eine Rückstellkraft erzeugt, die über das Übertragungsmedium auf die Messmembran wirkt und ein Störsignal hervorruft. Außerdem wird bei Temperaturschwankungen bedingt durch die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Sensorelement, Trennmembran und Übertragungsmedium ein Druck im Übertragungsmedium aufgebaut, der möglichst vollständig durch eine entsprechende Auslenkung der Trennmembran abgefangen werden sollte, um nicht auf die Messmembran einzuwirken. Je leichter sich die Trennmembran auslenken lässt, um so geringer sind die Druckveränderungen im Übertragungsmedium und um so geringer sind auch die dadurch hervorgerufenen Störsignale an der Messmembran. Druckschwankungen im Übertragungsmedium können zudem durch äußeren mechanischen Stress, wie z. B. durch die Verpackung des Sensorelements, hervorgerufen werden. Auch die dadurch bedingten Messfehler können mit Hilfe einer „laschen” Trennmembran weitgehend reduziert werden.At It should be noted that a deflection of the separation membrane generates a restoring force via the transmission medium acts on the measuring diaphragm and causes a disturbing signal. Furthermore is due to temperature variations due to the different coefficient of thermal expansion of sensor element, separation membrane and transmission medium, a pressure in the transmission medium built as completely as possible by a appropriate deflection of the separation membrane should be intercepted, so as not to interfere with the measuring membrane. The lighter the separation membrane deflect, the lower the pressure changes in the transmission medium and the lower are also the caused by this interference signals to the measuring diaphragm. Pressure fluctuations in the transmission medium can In addition, by external mechanical stress, such. B. caused by the packaging of the sensor element. The resulting measurement errors can help with a "flap" separation membrane largely reduced become.
Eine Möglichkeit zur Realisierung einer dermaßen „laschen” Trennmembran besteht darin, die Trennmembran möglichst groß und dünn auszulegen, d. h. der Durchmesser bzw. die Kantenlänge der Trennmembran sollte deutlich größer und/oder die Dicke der Trennmembran sollte deutlich kleiner sein als die der Messmembran.A Possibility to realize such a "lax" separation membrane consists in the separation membrane as large as possible thin, d. H. the diameter or the edge length the separation membrane should be significantly larger and / or The thickness of the separation membrane should be much smaller than that the measuring membrane.
Von besonderem Vorteil ist es, wenn die Trennmembran in Form einer mikromechanischen Wellmembran ausgebildet ist. Diese spezielle Ausführungsform einer Membran erzeugt besonders wenig Rückstellkräfte und kann deshalb ohne nennenswerte Druckveränderung im Übertragungsmedium ausgelenkt werden. Mikromechanische Wellmembranen lassen sich zudem einfach mit Verfahren der OMM erzeugen, die sich gut in den Herstellungsprozess eines Kappenwafers oder des Sensorelements integrieren lassen.From It is particularly advantageous if the separating membrane in the form of a micromechanical corrugated membrane is trained. This particular embodiment of a Membrane generates very little restoring force and can therefore deflected without significant pressure change in the transmission medium become. Micromechanical corrugated membranes are also easy to handle Produce with OMM procedures that work well in the manufacturing process a cap wafer or the sensor element can be integrated.
Die Medienresistenz der erfindungsgemäßen Sensoranordnung wird in einer vorteilhaften Ausgestaltung dadurch verbessert, dass das Sensorelement zumindest abschnittsweise in ein Moldgehäuse eingebettet wird. Diese Art der Verpackung bietet zwar einen sehr guten Schutz gegen Umwelteinflüsse, kann aber auch mechanische Spannungen in der Messmembran verursachen, beispielsweise bedingt durch die AVT und unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten des Sensorelements und des Moldmaterials.The Media resistance of the sensor arrangement according to the invention is improved in an advantageous embodiment in that the sensor element at least partially into a mold housing is embedded. Although this type of packaging offers a lot good protection against environmental influences, but can also be mechanical Cause stress in the measuring membrane, for example conditionally through the AVT and different thermal expansion coefficients the sensor element and the mold material.
Um derartige mechanische Spannungen in der Messmembran zu vermeiden, wird das Sensorelement in einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Sensoranordnung lediglich einseitig in das Moldgehäuse eingebettet, so dass der Abschnitt des Sensorelements, in dem die Messmembran ausgebildet ist, frei aus dem Moldgehäuse hinausragt oder frei in eine erste Druckanschlussöffnung des Moldgehäuses hineinragt. Diese AVT eignet sich insbesondere für in OMM gefertigte Sensorelemente. Durch die räumliche Entfernung des Montagebereichs vom Membranbereich kann der mechanische Stress gut abgebaut werden.Around to avoid such mechanical stresses in the measuring diaphragm becomes the sensor element in a preferred embodiment the sensor arrangement according to the invention only embedded on one side in the mold housing, leaving the section the sensor element in which the measuring membrane is formed, free protrudes from the mold housing or free in a first Pressure port opening of the mold housing protrudes. This AVT is particularly suitable for OMM Sensor elements. Due to the spatial distance of the mounting area From the membrane area, the mechanical stress can be broken down well.
Eine dritte Variante der erfindungsgemäßen Sensoranordnung nutzt das Moldgehäuse zur Montage der Trennmembran. In diesem Fall weist der Zugangskanal mindestens eine Druckanschlussöffnung in einer Oberfläche des Sensorelements auf. Dabei kann es sich um die Rückseite des Sensorelements handeln, wenn der Zugangskanal in Bulk-Mikromechanik realisiert wurde, oder auch um die Vorderseite des Sensorelements, wenn der Zugangskanal in OMM erzeugt wurde. In jedem Fall ist über der Druckanschlussöffnung des Zugangskanals eine Druckanschlussöffnung im Moldgehäuse ausgebildet, die durch die Trennmembran verschlossen wird. Vorzugsweise besteht die Trennmembran aus einem korrosionsbeständigen Metall, wie z. B. Edelstahl. Die Montage der Trennmembran kann hier einfach durch Kleben oder Löten erfolgen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Trennmembran direkt in die Moldmasse des Moldgehäuses einzubinden.A third variant of the sensor arrangement according to the invention uses the Mold housing for mounting the separation membrane. In In this case, the access channel has at least one pressure connection opening in a surface of the sensor element. It can be around the back of the sensor element when the access channel was realized in bulk micromechanics, or else around the front of the sensor element when the access channel in OMM was generated. In any case, is above the pressure port opening the access channel a pressure port opening in the housing housing formed, which is closed by the separation membrane. Preferably the separation membrane consists of a corrosion resistant Metal, such as. B. stainless steel. The assembly of the separation membrane can here simply by gluing or soldering done. Another possibility consists in the separation membrane directly into the molding compound of the mold housing integrate.
Aus den bereits voranstehend ausführlich erläuterten Gründen, sollte es sich bei der Trennmembran möglichst um eine „lasche” Membran handeln. Deshalb wird auch bei dieser Variante einer erfindungsgemäßen Sensoranordnung bevorzugt eine möglichst große, dünne Membran mit wellenförmiger Ausprägung als Trennmembran verwendet.Out already explained in detail above Reasons, it should be as possible with the separation membrane to act as a "flap" membrane. That's why also in this variant of an inventive Sensor arrangement preferably the largest possible thin membrane with undulating shape used as a separation membrane.
Aus aufbautechnischen Gründen erweist es sich als vorteilhaft, das Sensorelement zusammen mit schaltungstechnischen Mitteln zur Signalauswertung auf einem Träger zu montieren und mit dem Träger in ein Moldgehäuse zu integrieren. Dadurch wird ein sehr robustes medienresistentes Sensormodul zur Differenzdruckerfassung geschaffen.For structural reasons, it proves to be advantageous to mount the sensor element together with circuitry means for signal evaluation on a support and to integrate with the carrier in a mold housing. This is a very robust media-resistant sensor module created for differential pressure detection.
Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings
Wie bereits voranstehend erörtert, gibt es verschiedene Möglichkeiten, die Lehre der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise auszugestalten und weiterzubilden. Dazu wird einerseits auf die den unabhängigen Patentansprüchen 1 und 14 nachgeordneten Patentansprüche verwiesen und andererseits auf die nachfolgende Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Figuren. Im Rahmen der Figurenbeschreibung werden insbesondere auch verschiedenen Varianten des beanspruchten Herstellungsverfahrens erläutert.As already discussed above, there are various ways to design the teaching of the present invention in an advantageous manner and further education. This is on the one hand to the independent Claims 1 and 14 subordinate claims and on the other hand to the following description of several embodiments the invention with reference to the figures. In the context of the description of the figures In particular, different variants of the claimed Production process explained.
Ausführungsformen der Erfindungembodiments the invention
Die
Die
so maskierte Oberfläche wurde einem Ätzprozess
ausgesetzt, bei dem die Druckanschlussöffnung
Über
der Druckanschlussöffnung
Nach
der Montage des Kappenwafers
Das
Sensorelement
Ein
solches Sensormodul
Wie
bereits erwähnt, ist das Sensorelement
Die
Schnittdarstellung der
Die
in
Die
Wie
im Fall des Sensorelements
Die
so maskierte Oberfläche wurde einem Ätzprozess
ausgesetzt, wie in Verbindung mit
Anschließend
wurde das Volumen zwischen der Messmembran
Zur
Herstellung eines Sensormoduls
Die
Vorderseite der Messmembran
Die
Schnittansicht der
Die
Trennmembran
Der
Zugangskanal
Die
Schnittdarstellung der
Die
Auch
die Sensorstruktur des Sensorelements
Die
so maskierte Oberfläche wurde einem Ätzprozess
ausgesetzt, bei dem die gitterförmige Druckanschlussöffnung
Zur
Herstellung einer erfindungsgemäßen Sensoranordnung
in Form des in den
Die
Trennmembran
Im
Gegensatz zu den in den
Nach
der Montage der Trennmembran
Insbesondere
die Schnittansicht der
Bei
der in
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- - DE 102005038443 A1 [0004] - DE 102005038443 A1 [0004]
Claims (22)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008044098A DE102008044098A1 (en) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | Sensor arrangement for differential pressure measurement, has micro-mechanical sensor element, where volume between separation membrane and measuring diaphragm is filled by incompressible transmission medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008044098A DE102008044098A1 (en) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | Sensor arrangement for differential pressure measurement, has micro-mechanical sensor element, where volume between separation membrane and measuring diaphragm is filled by incompressible transmission medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008044098A1 true DE102008044098A1 (en) | 2010-06-02 |
Family
ID=42133835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008044098A Withdrawn DE102008044098A1 (en) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | Sensor arrangement for differential pressure measurement, has micro-mechanical sensor element, where volume between separation membrane and measuring diaphragm is filled by incompressible transmission medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102008044098A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015104076A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor for detecting a pressure of a fluid medium |
WO2019206721A1 (en) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | Robert Bosch Gmbh | Device for sealing two spaces filled with different fluids in a mems sensor assembly |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005038443A1 (en) | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Robert Bosch Gmbh | Sensor arrangement with a substrate and with a housing and method for producing a sensor arrangement |
-
2008
- 2008-11-27 DE DE102008044098A patent/DE102008044098A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005038443A1 (en) | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Robert Bosch Gmbh | Sensor arrangement with a substrate and with a housing and method for producing a sensor arrangement |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015104076A1 (en) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor for detecting a pressure of a fluid medium |
CN105899926A (en) * | 2014-01-08 | 2016-08-24 | 罗伯特·博世有限公司 | Pressure sensor for detecting a pressure of a fluid medium |
US10240993B2 (en) | 2014-01-08 | 2019-03-26 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor for recording a pressure of a fluid medium |
CN105899926B (en) * | 2014-01-08 | 2019-09-03 | 罗伯特·博世有限公司 | For detecting the pressure sensor of the pressure of fluid media (medium) |
WO2019206721A1 (en) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | Robert Bosch Gmbh | Device for sealing two spaces filled with different fluids in a mems sensor assembly |
JP6997344B2 (en) | 2018-04-26 | 2022-01-17 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | A device for sealing two spaces filled with different fluids in a MEMS sensor device. |
US11796060B2 (en) | 2018-04-26 | 2023-10-24 | Robert Bosch Gmbh | Device for sealing two spaces filled with different fluids in a MEMS sensor system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1805101B1 (en) | Method for assembling semiconductor chips, and corresponding semiconductor chip assembly | |
DE102010064120B4 (en) | Component and method for its manufacture | |
DE102014214532B3 (en) | Component with a MEMS component and a cap structure with media connection opening | |
DE102013213071B3 (en) | Manufacturing method for a micromechanical component | |
DE102005004877A1 (en) | Micromechanical component and corresponding manufacturing method | |
WO2002066948A1 (en) | Pressure sensor module | |
DE102006011545A1 (en) | Micromechanical combination unit for use in mobile telephone position-dependent display control, has inertia type and diaphragm type sensor devices formed on front side of substrate, where diaphragm type sensor device has diaphragm | |
DE102007022852A1 (en) | Differential pressure sensor arrangement and corresponding manufacturing method | |
DE102007026445A1 (en) | Micromechanical component and method for producing a micromechanical component | |
CH708708A1 (en) | Measuring element for measuring a pressure and pressure measuring sensor. | |
DE10130375B4 (en) | Differential Pressure Sensor | |
DE102007052364A1 (en) | Pressure sensor arrangement for use in high pressure application e.g. air conditioning system, of motor vehicle, has intermediate carrier with thermal expansion coefficient adapted to thermal expansion coefficients of semiconductor material | |
DE102006022379A1 (en) | Micromechanical pressure transducer for capacitive microelectromechanical system microphone, has substrate-sided cavity forming back volume for movable membrane, and resting at application-specific integrated circuit chip | |
EP2335039B1 (en) | Sensor arrangement, method for operating a sensor arrangement and method for producing a sensor arrangement | |
EP2823274A1 (en) | Micromechanical measuring element | |
EP2823276B1 (en) | Micromechanical measuring element, and method for producing a micromechanical measuring element | |
DE102017220349B3 (en) | Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method | |
DE10313738A1 (en) | Capacitive micro-mechanical sensor for detecting pressure, has separately processed components with semiconductor material, electrodes and a steel membrane | |
DE102008044098A1 (en) | Sensor arrangement for differential pressure measurement, has micro-mechanical sensor element, where volume between separation membrane and measuring diaphragm is filled by incompressible transmission medium | |
WO2019016320A1 (en) | Pressure sensor assembly and method for producing same | |
DE102009045164A1 (en) | Sensor arrangement and method for its production | |
DE102014217152A1 (en) | MEMS component | |
DE102008043271A1 (en) | Sensor arrangement for differential pressure measurement | |
DE10130376B4 (en) | Differential Pressure Sensor | |
DE102014019691B4 (en) | Area-efficient pressure sensing device with an internal circuit component |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |