DE102008040758B4 - Micromechanical structures and methods for producing micromechanical structures - Google Patents

Micromechanical structures and methods for producing micromechanical structures

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DE102008040758B4
DE102008040758B4 DE200810040758 DE102008040758A DE102008040758B4 DE 102008040758 B4 DE102008040758 B4 DE 102008040758B4 DE 200810040758 DE200810040758 DE 200810040758 DE 102008040758 A DE102008040758 A DE 102008040758A DE 102008040758 B4 DE102008040758 B4 DE 102008040758B4
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bridge
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Volker Schmitz
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    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00095Interconnects

Abstract

Mikromechanische Struktur (1) mit einem Substrat (2), einer mikromechanischen Funktionsschicht (3) und einem Leitelement (4), wobei das Substrat (2) eine Haupterstreckungsebene (100) aufweist, wobei das Leitelement (4) entlang einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) im Wesentlichen zwischen dem Substrat (2) und der mikromechanischen Funktionsschicht (3) angeordnet ist und sich im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene (100) erstreckt, wobei das Leitelement (4) ein am Substrat (2) befestigtes erstes Befestigungselement (41) und ein am Substrat (2) befestigtes zweites Befestigungselement (42) aufweist und wobei das Leitelement (4) ferner ein Brückenelement (43) aufweist, welches sowohl mit dem ersten Befestigungselement (41), als auch mit dem zweiten Befestigungselement (42) verbunden ist, wobei das Brückenelement (43) zwischen dem ersten Befestigungselement (41) und dem zweiten Befestigungselement (42) einen freigestellten Brückenbereich (43') aufweist, da Micromechanical structure (1) comprising a substrate (2), a micromechanical functional layer (3) and a guide element (4), wherein the substrate (2) has a main extension plane (100), wherein the guide element (4) along a direction perpendicular to the main plane (100) is disposed substantially between the substrate (2) and the micromechanical functional layer (3) and extending substantially to the main plane (100) extending in parallel, fixed the guide element (4) on the substrate (2) first fastening element (41) and the substrate (2) fixed to a second fastening element (42), and wherein the guide element (4) further comprises a bridge element (43) which is connected to both the first fastening element (41), and with the second fastening element (42) wherein the bridge member (43) between the first fastening element (41) and the second fastening element (42) having an exempt bridge portion (43 ') as durch gekennzeichnet, dass in einer ersten Richtung (101) parallel zur Haupterstreckungsebene (100) das erste und/oder das zweite Befestigungselement (41, 42) jeweils breiter als das Brückenelement (43) senkrecht zu einer Haupterstreckungsrichtung (43'') des Brückenelements (43) sind. by in that in a first direction (101) parallel to the main plane (100), the first and / or the second fastening element (41, 42) are each wider than the bridge element (43) perpendicular to a main extension direction (43 '') of the bridge element ( 43).

Description

  • Stand der Technik State of the art
  • Die Erfindung geht aus von einer mikromechanischen Struktur nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. The invention is based on a micromechanical structure according to the preamble of claim 1.
  • Solche mikromechanischen Strukturen sind allgemein bekannt. Such micromechanical structures are generally known. Beispielsweise ist aus der Druckschrift For example, from the publication DE 195 37 814 A1 DE 195 37 814 A1 ein ein Sensor, beispielsweise ein Beschleunigungs- und Drehratensensor, mit einem Substrat, einer mikromechanischen Funktionsschicht und einer Leitschicht in Form einer Polysiliziumschicht bekannt, wobei die Leitschicht zwischen der mikromechanischen Funktionsschicht und dem Substrat angeordnet ist und in einzelne voneinander elektrisch isolierte Bereiche unterteilt ist, die als Leiterbahnen oder vertikal liegende Flächenelektroden fungieren. a a sensor such as an acceleration and angular rate sensor, known with a substrate, a micromechanical functional layer and a conductive layer in the form of a polysilicon layer, the conductive layer between the micromechanical functional layer and the substrate is arranged, and is divided into individual mutually electrically insulated regions act as conductors or vertically facing surface electrodes. Ferner geht aus der Druckschrift It is also clear from the document DE 195 37 814 A1 DE 195 37 814 A1 ein ein Verfahren zur Herstellung derartiger Sensoren hervor, wobei auf das Substrat eine erste Isolationsschicht aus thermischen Oxid aufgewachsen und anschließend auf die Isolationsschicht die Leitschicht in Form der Polysiliziumschicht abgeschieden wird, welche nachfolgend vorzugsweise dotiert und/oder strukturiert wird. a process for producing such sensors produced, wherein grown on the substrate, a first insulating layer of thermal oxide, and then the conductive layer is deposited to form the polysilicon layer on the insulating layer which is subsequently preferably doped and / or structured is. Auf der Isolationsschicht und der Leitschicht wird nachfolgend eine zweite Isolationsschicht abgeschieden und strukturiert, wobei auf die mikromechanische Funktionsschicht eine strukturierte Metallschicht aufgebracht wird. On the insulating layer and the conductive layer a second insulation layer is subsequently deposited and patterned, a patterned metal layer is applied to the micromechanical functional layer. In nachfolgenden Schritten werden die mikromechanische Funktionsschicht zur Erzeugung beweglicher Elemente und die erste und die zweite Isolationsschicht zur Entfernung der ersten und der zweiten Isolationsschicht aus dem Bereich der beweglichen Elemente geätzt. In subsequent steps, the micromechanical functional layer for forming movable members and the first and the second insulation layer to remove the first and the second insulating layer from the portion of the movable elements are etched. Nachteilig an diesem Verfahren ist, dass in dem Ätzvorgang die erste und die zweite Isolationsschicht nicht nur im Bereich der beweglichen Elemente, sondern auch unterhalb der Leitschicht, im Bereich von mechanischen Verankerungen und Bondpads geätzt werden. A disadvantage of this method is that the first and the second insulation layer not only in the area of ​​the movable elements, but also below the conductive layer, in the range of mechanical anchors and bonding pads are etched in the etching process. Dadurch ist eine Anlagerung von Schmutzpartikeln, wie sie insbesondere beim Sägen in Form von Sägeschlamm gebildet werden, möglich, wodurch die Gefahr von elektrischen Nebenschlüssen entsteht. As a result, an accumulation of dirt particles as they are formed particularly during the sawing in the form of saw slurry, it is possible, whereby the risk of electrical shunts created. Ferner ist zur Vermeidung einer vollständigen Unterätzung der Leitschicht eine vergleichsweise breite Ausbildung der Leitschicht notwendig, wodurch der Platzbedarf zur Kontaktierung der mikromechanischen Funktionsschicht vergleichsweise groß ist. Furthermore, in order to avoid a complete undercutting of the conductive layer a relatively broad education of the conductive layer is necessary, so that the space required for contacting the micromechanical functional layer is comparatively large. Desweiteren besteht aufgrund der Unterätzung beim Aufschlagen der funktionalen Sensorstruktur auf die Leitschicht die Gefahr, dass durch Abbrechen der unterätzten Leitschicht Partikel erzeugt werden, wodurch die Funktionalität des Sensors beeinträchtigt wird. Furthermore, due to the undercut of the functional upon impact sensor structure on the conductive layer is a danger that are generated by breaking the undercut conductive particles, whereby the functionality of the sensor is impaired.
  • Aus der Druckschrift From document DE 42 41 045 C1 DE 42 41 045 C1 ist ferner ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silizium bekannt, wobei Gräben in einer Siliziumschicht mit vergleichsweise hohem Aspektverhältnis hergestellt werden. is also a method for anisotropic etching of silicon known, trenches in a silicon layer are made with relatively high aspect ratio.
  • Aus der Druckschrift From document DE 43 17 174 A1 DE 43 17 174 A1 ist ferner ein Verfahren zur Herstellung von Verbundsystemen mit mindestens zwei Schichten bekannt, wobei die Herstellung einer Oxidschicht hervorgeht. is also a process for producing composite systems having at least two layers known, the production of an oxide layer can be seen.
  • Die Druckschrift The publication US2007/0190680 A1 US2007 / 0190680 A1 offenbart eine mikromechanische Struktur mit einem Substrat, einer mikromechanischen Funktionsschicht und einem Leitelement, wobei das Substrat eine Haupterstreckungsebene aufweist, wobei das Leitelement entlang einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene im Wesentlichen zwischen dem Substrat und der mikromechanischen Funktionsschicht angeordnet ist und sich im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei das Leitelement ein am Substrat befestigtes erstes Befestigungselement und ein am Substrat befestigtes zweites Befestigungselement aufweist und wobei das Leitelement ferner ein Brückenelement aufweist, welches sowohl mit dem ersten Befestigungselement, als auch mit dem zweiten Befestigungselement verbunden ist, wobei das Brückenelement zwischen dem ersten Befestigungselement und dem zweiten Befestigungselement einen freigestellten Brückenbereich aufweist. discloses a micromechanical structure comprising a substrate having a micromechanical functional layer and a conductive element, wherein the substrate has a main extension plane, wherein the guide element along a direction perpendicular to the main extension plane is substantially between the substrate and the micromechanical functional layer and extending substantially parallel to the main plane wherein the guide member comprises a fixed to the substrate first fastening member and a fastened to the substrate second fastening member and wherein the guide element further comprises a bridge element which is connected to both the first fastening element and with the second fastening element, said bridge element between the first fastening element and the second fixing member has an exempt bridge area. Die Druckschrift The publication US2007/0018761 A1 US2007 / 0018761 A1 offenbart eine mikromechanische Struktur, umfassend ein Substrat, eine mikromechanische Funktionsschicht, eine erste Leitschicht und eine zweite Leitschicht, wobei das Substrat einer Haupterstreckungsebene aufweist die erste und die zweite Leitschicht sind in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene im Wesentlichen zwischen der mikromechanischen Funktionsschicht und dem Substrat angeordnet. discloses a micromechanical structure comprising a substrate, a micromechanical functional layer, a first conductive layer and a second conductive layer, wherein the substrate is a main extension plane having the first and the second conductive layer are arranged in a direction perpendicular to the main extension plane is substantially between the micromechanical functional layer and the substrate , Die erste Leitschicht überlappt die zweite Leitschicht senkrecht zur Haupterstreckungsebene zumindest teilweise. The first conductive layer overlaps the second conductive layer perpendicular to the main extension plane, at least partially. Die erste Leitschicht umgibt die zweite Leitschicht senkrecht und parallel zur Haupterstreckungsebene zumindest teilweise. The first conductive layer surrounding the second conductive layer perpendicular and parallel to the main extension plane, at least partially.
  • Offenbarung der Erfindung Disclosure of the Invention
  • Die erfindungsgemäßen mikromechanischen Strukturen und die erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung der mikromechanischen Strukturen gemäß den nebengeordneten Ansprüche haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass zwischen dem Substrat und der mikromechanischen Funktionsschicht eine höhere Anzahl von Leiterbahnen und/oder von zur Haupterstreckungsebene parallelen Flächenelektroden auf geringerem Bauraum realisierbar sind, so dass der benötigte Platzbedarf zur Kontaktierung der mikromechanischen Funktionsschicht und/oder zur Realisierung von Flächenelektroden reduziert wird. The micromechanical structures of the invention and methods of the invention for the production of the micromechanical structures according to the independent claims have the advantage over the prior art, the advantage that between the substrate and the micromechanical functional layer has a higher number of tracks and / or parallel to the main plane surface electrodes on smaller packaging can be realized, so that the required space for contacting the micromechanical functional layer and / or for the realization of surface electrodes is reduced. Besonders vorteilhaft ist somit Waferfläche einsparbar, so dass die Herstellungskosten für die erfindungsgemäßen mikromechanischen Strukturen deutlich geringer sind. Thus, the wafer surface is einsparbar particularly advantageous so that the manufacturing costs for the inventive micromechanical structures are significantly lower. Dies wird bei der mikromechanische Struktur gemäß Anspruch 1 dadurch erreicht, dass das erste Leitelement lediglich im Bereich des ersten und des zweiten Befestigungselements derart breit ausgeführt wird, dass keine vollständige Unterätzung des Leitelements im Bereich des ersten und des zweiten Befestigungselements entsteht und somit das Leitelement über das erste und das zweite Befestigungselement mechanisch stabil mit dem Substrat verbunden ist. This is achieved in the micromechanical structure according to claim 1 characterized in that the first guide element is carried out only in the area of ​​the first and the second fastening element so wide that complete undercutting of the leading element arises in the region of the first and the second fastening element and thus the guide element via is the first and the second fastening element mechanically stable connected to the substrate. Das Brückenelement wird über das erste und zweite Befestigungselement am Substrat Brückenelement wird über das erste und zweite Befestigungselement am Substrat fixiert, so dass das Brückenelement zur Minimierung des benötigten Bauraum derart schmal ausgeführt wird, dass das Brückenelement einen freigestellten Brückenbereich aufweist, welcher vollständig unterätzt ist und senkrecht zur Hauterstreckungsebene keine Verbindung zum Substrat aufweist und vom Substrat beabstandet ist. The bridge member is over the first and second fastening element on the substrate bridge element is fixed through the first and second fastening element to the substrate, so that the bridge element to minimize the required installation space is carried out so narrow that the bridge element has an exempt bridge portion which is completely undercut and having perpendicular to the extension plane of skin no connection to the substrate and is spaced apart from the substrate. Die Reduzierung des benötigten Platzbedarf zur elektrischen Kontaktierung wird bei der mikromechanischen Struktur gemäß Anspruch 6 hingegen dadurch erreicht, dass eine zweite Leitschicht die erste Leitschicht zumindest teilweise senkrecht zur Haupterstreckungsebene überlappt, so dass beispielsweise zwischen der ersten Leitschicht und dem Substrat eine Mehrzahl von parallel zur Haupterstreckungsebene nebeneinander angeordneten und voneinander elektrisch isolierten zweiten Leitschichten zur Kontaktierung der mikromechanischen Funktionsschicht angeordnet sind, wobei aufgrund der deutlich breiteren ersten Leitschicht keine Unterätzung der zweiten Leitschichten entsteht, so dass trotz der vergleichsweise schmalen Ausführung der zweiten Leitschichten die zweiten Leitschichten mechanisch stabil mit dem Substrat verbunden sind. The reduction of the space required for the electrical contact is achieved at the micromechanical structure according to claim 6, however, in that a second conductive layer at least partially overlaps the first conductive layer perpendicular to the main plane of extension, so that for example between the first conductive layer and the substrate a plurality of parallel to the main plane arranged side by side and mutually electrically isolated second conductive layers for contacting the micromechanical functional layer are arranged, due to the significantly wider first conductive layer no under-etching of the second conductive layers is formed so that, despite the relatively narrow configuration of the second conductive layers of said second conductive layers are mechanically stable connected to the substrate , Der Begriff Isolationsschicht im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst Opferschichten, Schutzschichten und/oder Isolationsschichten zur elektrischen, mechanischen und/oder thermischen Isolation. The term insulating layer according to the present invention comprises the sacrificial layers, protective layers and / or insulating layers for electrical, mechanical and / or thermal insulation.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen zu entnehmen. Advantageous embodiments and further developments of the invention are in the dependent claims, and the description with reference to refer to the drawings.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene zwischen dem ersten Befestigungselement und dem Substrat und/oder zwischen dem zweiten Befestigungselement und dem Substrat zumindest teilweise eine erste Isolationsschicht angeordnet ist, wobei entlang der Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene zwischen dem Brückenelement und dem Substrat die erste Isolationsschicht weggeätzt ist. According to a preferred development, it is provided that a first insulation layer is disposed in a direction perpendicular to the main plane between the first fastening element and the substrate and / or between the second fastening element and the substrate at least partially, wherein along the direction perpendicular to the main plane between the bridge member and the substrate, the first insulation layer is etched away. Besonders vorteilhaft sind somit das erste und das zweite Befestigungselement mit dem Substrat über die erste Isolationsschicht mechanisch belastbar verbunden und vorzugsweise gleichzeitig elektrisch von dem Substrat isoliert, so dass ein Kurzschluss zwischen dem Leitelement und dem Substrat verhindert wird. the first and the second fastening element to the substrate through the first insulating layer are therefore particularly advantageous for mechanical loads connected, and preferably at the same time electrically isolated from the substrate, so that a short circuit between the guide element and the substrate is prevented.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass in einer ersten Richtung parallel zur Haupterstreckungsebene das erste und/oder das zweite Befestigungselement jeweils breiter als das Brückenelement, senkrecht einer Haupterstreckungsrichtung des Brückenelements, sind. According to the invention it is provided that in a first direction, the first and / or the second fastening element of a main extension direction of the bridge element are parallel to the main extension plane of each wider than the bridge member perpendicularly. Besonders vorteilhaft dient die Breite des ersten und des zweiten Befestigungselements parallel zur ersten Richtung zur Erzeugung von nicht unterätzten und vergleichsweise stabilen Verankerungspunkten des Leitelements, während die Breite des Brückenelements parallel zur zweiten Richtung, insbesondere entlang der Haupterstreckungsrichtung, zur Überbrückung einer möglichst großen Fläche dienen, so dass der zu leitende elektrische Strom über eine vergleichsweise große Strecke geleitet wird. Particularly advantageously, the width of the first and the second fastening element is parallel to the first direction to generate non-undercut and comparatively stable anchoring points of the guide element, while the width of the bridge element are parallel to the second direction, in particular along the main extension direction, to bridge a large area as possible, so that the electric current to be passed is passed over a comparatively large distance. Darüberhinaus wird somit parallel zur ersten Richtung eine parallele Anordnung einer Vielzahl von Brückenelementen auf einer vergleichsweise geringen Waferfläche möglich, wobei die jeweils dazugehörigen ersten und zweiten Befestigungselemente der Vielzahl von Brückenelemente parallel zur zweiten Richtung zueinander versetzt angeordnet sind, so dass die benötigte Waferfläche weiter reduziert wird und die Leiterbahndichte weiter erhöht wird. Furthermore, a parallel arrangement of a plurality of bridge elements on a comparatively small wafer area is thus possible parallel to the first direction, wherein the respective associated first and second mounting elements of the plurality of bridge elements offset in parallel to the second direction to each other are arranged so that the wafer area required is further reduced and the conductor track density is further increased.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Brückenelement zwischen dem ersten und dem zweiten Befestigungselement insbesondere parallel zur Haupterstreckungsrichtung u-förmig, mäanderförmig und/oder schlangenlinienförmig verlaufend vorgesehen ist. According to a further preferred embodiment it is provided that the bridge member between the first and the second fastening element, in particular to the main extension direction parallel U-shaped, meander-shaped and / or serpentine is provided extending. Besonders vorteilhaft ist das Brückenelement zwischen dem ersten und dem zweiten Befestigungselement nicht geradlinig angeordnet, so dass ein ”Durchhängen” des Brückenelements (senkrecht zur Haupterstreckungsebene) im Wesentlichen unterdrückt wird. Particularly advantageously, the bridge member between the first and the second fastening element is not arranged in a straight line, so that a "sagging" of the bridge element (perpendicular to the main extension plane) is substantially suppressed. Dies wird durch die u-förmige, mäanderförmige und/oder schlangenlinienförmige Ausbildung des Brückenelements insbesondere dann verhindert, wenn die Brückenelemente nicht unter Zugspannung, sondern unter Druckspannung stehen, da somit ein Relaxieren der Druckspannung in einer zur Haupterstreckungsebene parallelen Ebene ermöglicht wird. This is then prevented by the U-shaped, meander-shaped and / or serpentine-shaped design of the bridge element, in particular when the bridge elements are not under tension, but under compression, therefore since a relaxation of the compressive stress is made possible in a direction parallel to the main extension plane.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Brückenelement senkrecht zur Haupterstreckungsebene eine Mehrzahl von Schichten umfasst, wobei die Mehrzahl von Schichten bevorzugt unterschiedliche Materialien umfassen und wobei die Mehrzahl von Schichten besonders bevorzugt unterschiedliche mechanische Spannungen, insbesondere Zug- und/oder Druckspannungen aufweisen, so dass in vorteilhafter Weise Spannungen in dem Leitelement von der mikromechanischen Funktionsschicht entkoppelbar sind, wobei vorzugsweise Druck- oder Zugspannungen in dem Brückenelement durch eine Kombination von Schichten mit Zugspannungen und Schichten mit Druckspannungen kompensiert werden. According to a further preferred embodiment it is provided that the bridge element to the main plane comprises vertically a plurality of layers, wherein the plurality of layers preferably comprise different materials, and wherein the plurality of layers more preferably have different mechanical stresses, especially tensile and / or compressive stresses, so that stresses in the guide element of the micromechanical functional layer are decoupled in an advantageous way, preferably using compressive or tensile stresses to be compensated in the bridge member by a combination of layers having tensile stress and compressive stress layers.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist eine mikromechanische Struktur mit einem Substrat, einer mikromechanischen Funktionsschicht, einer ersten Leitschicht und einer zweiten Leitschicht, wobei das Substrat eine Haupterstreckungsebene aufweist und wobei sowohl die erste Leitschicht, als auch die zweite Leitschicht senkrecht zur Haupterstreckungsebene im Wesentlichen zwischen der mikromechanischen Funktionsschicht und dem Substrat angeordnet sind und wobei ferner die erste Leitschicht die zweite Leitschicht senkrecht zur Haupterstreckungsebene zumindest teilweise überlappt. An advantageous development of the present invention is a micro-mechanical structure comprising a substrate, a micromechanical functional layer, a first conductive layer and a second conductive layer, wherein the substrate has a main extension plane, and wherein both the first conductive layer and the second conductive layer perpendicular to the main plane of extension is substantially between the micromechanical functional layer and the substrate are arranged, and further wherein the first conductive layer, the second conductive layer at least partially overlaps perpendicular to the main extension plane. Wie oben bereits ausführlich diskutiert ist somit eine deutliche Reduzierung der benötigten Waferfläche zur Kontaktierung der mikromechanischen Funktionsschicht möglich. As discussed in detail above, a significant reduction of the required wafer surface for contacting the micromechanical functional layer is possible. Ferner werden besonders vorteilhaft durch die Überlappung der ersten mit der zweiten Leitschicht Leiterbahnkreuzungen zwischen der mikromechanischen Funktionsschicht und dem Substrat ermöglicht. Further, particularly advantageous possible by the overlap of the first conductive layer with the second conductor crossings between the micromechanical functional layer and the substrate. Weiterhin ist es möglich Flächenelektroden mit reduziertem Platzbedarf zu realisieren. It is also possible to realize surface electrodes with reduced space requirements.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die erste Leitschicht zumindest teilweise von der zweiten Leitschicht elektrisch isoliert und/oder dass die erste Leitschicht zumindest teilweise mit der zweiten Leitschicht elektrisch leitfähig verbunden ist und/oder dass die erste und/oder die zweite Leitschicht jeweils mit dem Substrat und/oder der mikromechanischen Funktionsschicht elektrisch leitfähig verbunden sind. According to a preferred development, it is provided that the first conductive layer at least partially electrically insulated from the second conductive layer and / or that the first conductive layer is at least partially electrically conductively connected to the second conductive layer and / or that the first and / or second conductive layer in each case with the substrate and / or the micromechanical functional layer are electrically conductively connected. Besonders vorteilhaft sind somit beliebige Leiterbahnführungen und Leiterbahnkreuzungen, sowie die elektrische Kontaktierung der ersten oder zweiten Leitschicht mittels der mikromechanischen Funktionsschicht und/oder die elektrische Kontaktierung des Substrats mittels der ersten und/oder zweiten Leitschicht realisierbar. Thus, any conductor guides and conductor crossings, as well as electrical contacting of the first or second conductive layer by means of the micromechanical functional layer and / or the electrical contacting of the substrate by the first and / or second conductive layer are particularly advantageous realizable.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass zwischen der ersten Leitschicht und dem Substrat die zweite Leitschicht angeordnet ist und/oder dass die erste und/oder die zweite Leitschicht eine Mehrzahl voneinander elektrisch isolierter erster Leiterbahnen und/oder Flächenelektroden im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene umfasst, so dass besonders vorteilhaft in der zweiten Leitschicht eine Vielzahl von Leiterbahnen mit einer vergleichsweise hohen Leiterbahndichte realisierbar sind. According to a further preferred embodiment provides that the second conductive layer is disposed between the first conductive layer and the substrate and / or that the first and / or second conductive layer a plurality of spaced electrically insulated first conductor tracks and / or surface electrodes comprising substantially parallel to the main plane so that in the second conductive layer, a plurality of conductor tracks having a comparatively high conductor track density are particularly advantageous realizable.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die erste Leitschicht die zweite Leitschicht senkrecht und/oder parallel zur Haupterstreckungsebene zumindest teilweise umgibt, so dass besonders vorteilhaft eine elektromagnetische Abschirmung der zweiten Leitschicht durch die erste Leitschicht vorzugsweise zusammen mit dem Substrat ermöglicht wird. According to a further preferred embodiment it is provided that the first conductive layer surrounding the second conductive layer perpendicularly and / or parallel to the main extension plane, at least partially, so that particularly advantageous an electromagnetic shield of the second conductive layer through the first conductive layer is preferably enables together with the substrate.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass lediglich die erste Leitschicht unterätzte Bereiche aufweist, so dass eine vergleichsweise schmale Ausbildung der zweiten Leitschicht ermöglicht wird, ohne das unterätzte und dadurch mechanisch instabile Bereiche in der zweiten Leitschicht erzeugt werden. According to a further preferred embodiment it is provided that only the first conductive layer has undercut areas, so that a comparatively narrow formation of the second conductive layer is made possible without the undercut and thereby mechanically unstable regions are generated in the second conductive layer.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements, wobei in einem ersten Herstellungsschritt das Substrat bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt eine Isolationsschicht auf dem Substrat angeordnet wird, wobei in einem dritten Herstellungsschritt eine Leitschicht zur Bildung des Leitelements auf dem Substrat angeordnet wird, wobei in einem vierten Herstellungsschritt die Isolationsschicht derart geätzt wird, dass in der Leitschicht ein freigestellter Brückenbereich zur Bildung des Brückenelement erzeugt wird und wobei in einem fünften Herstellungsschritt vorzugsweise eine mikromechanische Funktionsschicht abgeschieden und insbesondere strukturiert wird, so dass besonders vorteilhaft während des vierten Herstellungsschrittes die Brückenelemente unterätzt werden, während die Befestigungselement nicht oder nur teilweise unterätzt werden und zur Befestigung der Brückenelemente dienen. Another object of the present invention is a process for producing a micromechanical component, wherein the substrate is provided in a first manufacturing step, wherein an insulating layer on the substrate is disposed in a second manufacturing step, wherein in a third manufacturing step, a conductive layer for forming the guide element on is placed the substrate, wherein the insulating layer is etched in such a way in a fourth production step, that in the conductive layer a freely bridge portion is generated to form the bridge element and wherein preferably a micromechanical functional layer is deposited and in particular structured in a fifth manufacturing step, so that particularly advantageous during the fourth manufacturing step, the bridge elements are undercut, while the fastening member can not or only partly underetched and serve for fastening of the bridge elements.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur, wobei in einem ersten Herstellungsschritt das Substrat bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt auf dem Substrat eine erste Isolationsschicht angeordnet wird, wobei in einem sechsten Herstellungsschritt auf der ersten Isolationsschicht die zweite Leitschicht angeordnet wird, wobei in einem siebten Herstellungsschritt auf der zweiten Leitschicht eine zweite Isolationsschicht angeordnet wird und wobei in einem achten Herstellungsschritt auf der zweiten Isolationsschicht die erste Leitschicht angeordnet wird, so dass besonders bevorzugt zwischen der ersten Leitschicht und dem Substrat die zweite Leitschicht insbesondere mit einer vergleichsweise hohen Leiterbahndichte angeordnet ist. Another object of the present invention is a method for manufacturing a micromechanical structure, wherein the substrate is provided in a first manufacturing step, a first insulation layer is disposed in a second manufacturing step on the substrate, wherein in a sixth manufacturing step on the first insulation layer, the second conductive layer is arranged, wherein a second insulating layer is in a seventh manufacturing step on the second conductive layer, and wherein the first conductive layer is placed in an eighth manufacturing step on the second insulating layer such that preferably between the first conductive layer and the substrate, the second conductive layer, in particular with is arranged a relatively high conductor density.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass im sechsten Herstellungsschritt die zweite Leitschicht und/oder im achten Herstellungsschritt die erste Leitschicht strukturiert wird und/oder dass in einem neunten Herstellungsschritt die erste und/oder die zweite Isolationsschicht geätzt wird und/oder dass in einem fünften Herstellungsschritt die mikromechanische Funktionsschicht abgeschieden und insbesondere strukturiert wird. According to a preferred further development, that the second conductive layer and / or in the eighth manufacturing step in the sixth manufacturing step patterned the first conductive layer and / or that in a ninth manufacturing step, the first and / or the second insulating layer is etched and / or in that fifth in a manufacturing step, the micromechanical functional layer is deposited and is structured in particular. Besonders vorteilhaft wird die zweite Leitschicht im neunten Herstellungsschritt vorzugsweise nicht unterätzt, so dass im sechsten Herstellungsschritt vergleichsweise schmale Leiterbahnen in der zweiten Leitschicht ausbildbar sind, so dass eine vergleichsweise hohe Leiterbahndichte in der zweiten Leitschicht realisierbar ist. Particularly advantageously, the second conductive layer preferably is not undercut in the ninth manufacturing step, so that comparatively narrow conductive paths are formable in the sixth manufacturing step in the second conductive layer, so that a comparatively high conductor track density can be realized in the second conductive layer.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the drawings and explained in detail in the following description.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen Brief Description of Drawings
  • Es zeigen Show it
  • 1 1 eine schematische Seitenansicht einer ersten Vorläuferstruktur zur Herstellung einer Sensoranordnung gemäß dem Stand der Technik, is a schematic side view of a first precursor structure for producing a sensor arrangement according to the prior art,
  • 2 2 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß dem Stand der Technik, is a schematic side view of a sensor arrangement according to the prior art,
  • 3 3 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, is a schematic side view of a sensor assembly according to a first embodiment of the present invention,
  • 4a 4a und and 4b 4b eine schematische Aufsicht und einer schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, a schematic plan view and a schematic side view of a sensor assembly according to a second embodiment of the present invention,
  • 5 5 eine schematische Aufsicht einer Sensoranordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, a schematic plan view of a sensor assembly according to a third embodiment of the present invention,
  • 6 6 eine schematische Aufsicht einer Sensoranordnung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, a schematic plan view of a sensor assembly according to a fourth embodiment of the present invention,
  • 7 7 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, is a schematic side view of a sensor assembly according to a fifth embodiment of the present invention,
  • 8 8th eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, is a schematic side view of a sensor assembly according to a sixth embodiment of the present invention,
  • 9 9 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, is a schematic side view of a sensor assembly according to a seventh embodiment of the present invention,
  • 10a 10a und and 10b 10b schematische Seitenansichten von Sensoranordnungen gemäß einer achten und einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, are schematic side views of sensor arrays in accordance with an eighth and a ninth embodiment of the present invention,
  • 11 11 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und is a schematic side view of a sensor assembly according to a tenth embodiment of the present invention, and
  • 12a 12a und and 12b 12b schematische Seitenansichten von Sensoranordnungen gemäß einer elften und einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. are schematic side views of sensor arrays in accordance with an eleventh and a twelfth embodiment of the present invention.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung Embodiments of the present invention
  • In den Figuren sind gleiche Teile stets mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal benannt bzw. erwähnt. In the figures, identical parts are always provided with the same reference numerals and will therefore only once usually named or mentioned.
  • In In 1 1 ist eine schematische Seitenansicht einer ersten Vorläuferstruktur zur Herstellung einer Sensoranordnung is a schematic side view of a first precursor structure for producing a sensor arrangement 2 2 gemäß dem Stand der Technik dargestellt, wobei zunächst auf einem Siliziumsubstrat prepared according to the prior art, wherein firstly on a silicon substrate 1 1 eine erste Isolationsschicht a first insulation layer 7 7 aus thermischen Oxid of thermal oxide 2 2 aufgewachsen wird. is grown. Auf die erste Isolationsschicht On the first insulation layer 7 7 wird eine vergleichsweise dünne Leitschicht is a relatively thin conductive layer 4 4 beispielsweise in Form einer hochdotierten Polysiliziumschicht abgeschieden. deposited, for example in the form of a highly doped polysilicon layer. Diese wird nachfolgend aus der Gasphase (POCl3) dotiert und über einen fotographischen Prozess strukturiert. This is referred to from the gas phase (POCl3) is doped and structured by a photographic process. Die vergrabene Polysiliziumschicht ist somit in einzelne gegeneinander isolierte Leiterbereiche The buried polysilicon layer is therefore in individual mutually insulated conductor areas 104 104 , . 105 105 unterteilt, die als Leiterbahnen oder parallel zu einer Haupterstreckungsebene divided, as conductor tracks or parallel to a main plane of extension 100 100 des Substrats of the substrate 1 1 vertikal liegenden Flächenelektroden fungieren. act vertically lying surface electrodes. In einem nachfolgenden Schritt wird eine zweite Isolationsschicht In a subsequent step, a second insulation layer 8 8th abgeschieden, welche ein aus der Gasphase erzeugtes Oxid umfasst. deposited, which comprises a signal generated from the gas phase oxide. In einem fotolithographischen Prozess erfolgt eine Strukturierung der zweiten Isolationsschicht B. Dadurch werden Kontaktlöcher In a photolithographic process patterning the second insulating layer takes place as a result, contact holes 50 50 in die zweite Isolationsschicht in the second insulating layer 8 8th eingebracht, welche durch die Leitschicht introduced, represented by the conductive layer 3 3 kontaktiert werden. be contacted. In einem weiteren Prozessschritt erfolgen dann die Abscheidung, Planarisierung und Dotierung einer mikromechanischen Funktionsschicht the deposition, planarization, and doping take place in a further process step of a micromechanical functional layer 3 3 beispielsweise in Form einer vergleichsweise dicken polykristallinen Siliziumschicht. For example, in the form of a comparatively thick polycrystalline silicon layer. Die Abscheidung erfolgt vorzugsweise in einem Epitaxiereaktor. The deposition is preferably carried out in an epitaxy reactor. Auf die mikromechanische Funktionsschicht On the micromechanical functional layer 9 9 wird eine strukturierte Metallschicht is a patterned metal layer 10 10 aufgebracht und in einem weiteren Prozessschritt die mikromechanische Funktionsschicht and applied in a further process step the micromechanical functional layer 3 3 strukturiert, wobei auf der Oberseite der mikromechanischen Funktionsschicht structured, on top of the micromechanical functional layer 3 3 eine Fotomaske, welche zudem auch einen Schutz der Metallschicht a photomask, which in addition also provide protection of the metal layer 10 10 in einem nachfolgenden Ätzvorgang umfasst, aufgebracht wird und anschließend an definierten Stellen geöffnet wird. included in a subsequent etching, is applied and is then opened at defined locations. Durch die Öffnungen an den definierten Stellen der Fotomaske erfolgt in einem weiteren Prozessschritt eine Plasmaätzung der mikromechanischen Funktionsschicht Through the openings at the defined locations of the photomask plasma etching the micromechanical functional layer takes place in a further process step 3 3 , wobei in der mikromechanischen Funktionsschicht Wherein in the micromechanical functional layer 3 3 Gräben trenches 11 11 mit einem vergleichsweise hohem Aspektverhältnis und erzeugt werden. with a comparatively high aspect ratio and are generated. Die Gräben the trenches 11 11 erstrecken sich von der Oberseite der mikromechanischen Funktionsschicht extending from the upper surface of the micromechanical functional layer 3 3 senkrecht zur Haupterstreckungsebene perpendicular to the main plane 100 100 bis zur zweiten Isolationsschicht to the second insulating layer 8 8th , wodurch die mikromechanische Funktionsschicht Whereby the micromechanical functional layer 3 3 in einzelne, zumindest teilweise elektrisch voneinander isolierte Bereiche in individual, at least partially electrically isolated areas 12 12 , . 13 13 unterteilt wird. is divided.
  • In In 2 2 ist eine schematische zweite Seitenansicht einer Sensoranordnung is a schematic second side view of a sensor arrangement 1 1 gemäß dem Stand der Technik dargestellt, wobei die Sensoranordnung prepared according to the prior art, wherein the sensor arrangement 1 1 gemäß dem Stand der Technik identisch der ersten Vorläuferstruktur dargestellt in according to the prior art, identical to the first precursor structure shown in 1 1 ist, wobei in einem anschließenden Prozessschritt durch die Gräben , wherein in a subsequent process step by the trenches 11 11 hindurch die teilweise Entfernung der ersten und der zweiten Isolationsschicht through the partial removal of the first and the second insulating layer 7 7 , . 8 8th durchgeführt wird, wodurch bewegliche Elemente is performed, thereby moving elements 51 51 in der mikromechanischen Funktionsschicht in the micromechanical functional layer 3 3 erzeugt werden. be generated. Das Entfernen der ersten und der zweiten Isolationsschicht Removing the first and the second insulating layer 7 7 , . 8 8th erfolgt vorzugsweise mittels eines Dampfätzverfahrens mit flusssäurehaltigen Medien. is preferably carried out by means of a Dampfätzverfahrens with hydrofluoric acid-containing media.
  • In In 3 3 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung is a schematic side view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die Sensoranordnung according to a first embodiment of the present invention, wherein the sensor arrangement 1 1 der in in 2 2 dargestellten Sensoranordnung Sensor array shown 1 1 gemäß dem Stand der Technik entspricht, wobei im Unterschied zu corresponds according to the state of the art to which the difference 2 2 nach einem Bereitstellen des Substrats following provision of the substrate 2 2 in einem ersten Herstellungsschritt und der Anordnung der ersten Isolationsschicht in a first manufacturing step, and the arrangement of the first insulation layer 7 7 auf dem Substrat on the substrate 2 2 in einem zweiten Herstellungsschritt auf der ersten Isolationsschicht in a second manufacturing step on the first insulating layer 7 7 die Leitschicht the conductive layer 4 4 in Form eines Leitelements in the form of a guide element 4 4 in einem dritten Herstellungsschritt aufgebracht und vorzugsweise derart strukturiert wird, dass in einem späteren vierten Herstellungsschritt zum Ätzen wenigstens der ersten Isolationsschicht is applied in a third manufacturing step and preferably structured such that in a subsequent fourth manufacturing step of etching at least the first insulation layer 7 7 erste und zweite Befestigungselemente first and second fixing elements 41 41 , . 42 42 und Brückenelemente and bridge 43 43 in dem Leitelement in the guide element 4 4 ausgebildet werden. be formed. Die ersten und zweiten Befestigungselemente The first and second fastening elements 41 41 , . 42 42 dienen zur Befestigung der Brückenelemente used to secure the bridge elements 43 43 am Substrat to the substrate 2 2 und sind zur Vermeidung einer vollständigen Unterätzung im dritten Herstellungsschritt vergleichsweise breit und insbesondere rund parallel zur Haupterstreckungsebene and to avoid a full-etching in the third manufacturing step, a comparatively wide and in particular approximately parallel to the main plane 100 100 ausgeführt, während die Brückenelemente performed while the bridging elements 43 43 im vierten Herstellungsschritt durch eine vollständige Unterätzung freigestellte Brückenbereiche in the fourth production step by a complete undercut exempted bridge portions 43' 43 ' aufweisen. respectively. Die Brückenbereiche The bridge areas 43' 43 ' sind somit vergleichsweise schmal ausführbar, da keine unmittelbare Anbindung der Brückenbereiche are thus relatively narrow feasible, as no direct connection of the bridge areas 43 43 an das Substrat to the substrate 2 2 notwendig sind und die Brückenbereiche are necessary and the bridge areas 43 43 somit lediglich zur Leitung eines elektrischen Stroms fungieren. thus only serve for guiding an electric current. In weiteren oben bereits erwähnten Prozessschritten, welche insbesondere vor dem vierten Herstellungsschritt durchgeführt werden, wird in einem siebten Herstellungsschritt auf dem ersten Leitelement In further process steps already mentioned above, which are performed in particular before the fourth manufacturing step, is in a seventh manufacturing step on the first guide element 4 4 die zweite Isolationsschicht the second insulating layer 8 8th abgeschieden, in einem fünften Herstellungsschritt auf der zweiten Isolationsschicht deposited in a fifth manufacturing step on the second insulating layer 8 8th die mikromechanische Funktionsschicht the micromechanical functional layer 3 3 abgeschieden und strukturiert und in einem weiteren Herstellungsschritt eine Metallschicht deposited and patterned, and in a further production step a metal layer 10 10 auf der mikromechanische Funktionsschicht on the micromechanical functional layer 3 3 angeordnet. arranged. Im vierten Herstellungsschritt wird insbesondere vor dem Ätzen der ersten Isolationsschicht In the fourth manufacturing step, especially before etching the first insulation layer 7 7 die mikromechanische Funktionsschicht the micromechanical functional layer 3 3 zur Erzeugung der Gräben to produce the trenches 11 11 geätzt und anschließend die zweite Isolationsschicht etched, and then the second insulation layer 8 8th zur Erzeugung der beweglichen Elemente for the generation of the movable elements 51 51 in der mikromechanischen Funktionsschicht in the micromechanical functional layer 3 3 geätzt. etched.
  • In den In the 4a 4a und and 4b 4b sind eine schematische Aufsicht und einer schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung are a schematic plan view and a schematic side view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die zweite Ausführungsform im Wesentlichen identisch der ersten Ausführungsform dargestellt in in accordance with a second embodiment of the present invention, the second embodiment is substantially identical to the first embodiment shown in 3 3 ist, wobei anhand der , wherein on the basis of 4a 4a die parallel zur Haupterstreckungsebene parallel to the main plane 100 100 kreisrunde Ausbildung der ersten und der zweiten Befestigungselemente circular formation of the first and second fastening elements 41 41 , . 42 42 zu sehen ist, während die Brückenelemente can be seen, while the bridge elements 43 43 vergleichsweise schmal und gegenüber den ersten und den zweiten Befestigungselementen and relatively narrow compared to the first and second fastening elements 41 41 , . 42 42 langgestreckt ausgebildet sind, so dass die Brückenelemente are elongated, so that the bridge elements 43 43 durch vollständige Unterätzung im vierten Herstellungsschritt im Gegensatz zu den ersten und zweiten Befestigungselementen by completely undercut the fourth production step, unlike the first and second fasteners 41 41 , . 42 42 einen freigestellten Brückenbereich an exempt bridge area 43' 43 ' aufweisen. respectively. Aus der From the 4a 4a geht ferner hervor, dass in einer ersten Richtung also points out that in a first direction 101 101 parallel zur Haupterstreckungsebene parallel to the main plane 100 100 das erste und das zweite Befestigungselement the first and the second fastening member 41 41 , . 42 42 jeweils breiter als das Brückenelement each wider than the bridge element 43 43 senkrecht zu seiner Haupterstreckungsrichtung perpendicular to its main direction of extension 43'' 43 '' des Brückenelement the bridge element 43 43 , dh insbesondere senkrecht zur Längsrichtung des Brückenelements , That is in particular perpendicular to the longitudinal direction of the bridge element 43 43 , sind und dass in einer zur ersten Richtung , And that in a first direction 101 101 senkrechten zweiten Richtung second direction perpendicular 102 102 parallel zur Haupterstreckungsebene parallel to the main plane 100 100 das Brückenelement the bridge element 43 43 insbesondere entlang der Haupterstreckungsrichtung in particular along the main direction of extension 43'' 43 '' erheblich breiter jeweils als das erste und das zweite Befestigungselement considerably wider than each of the first and the second fastening member 41 41 , . 42 42 ist. is. In In 4b 4b ist die Seitenansicht der Sensoranordnung is the side view of the sensor assembly 1 1 gemäß der zweiten Ausführungsform dargestellt, wobei die ersten und zweiten Befestigungselemente shown in the second embodiment, wherein the first and second fastening elements 41 41 , . 42 42 über die erste Isolationsschicht on the first insulation layer 7 7 mit dem Substrat to the substrate 2 2 mechanisch verbunden sind, während die Brückenelemente are mechanically connected, while the bridging elements 43 43 senkrecht zur Haupterstreckungsebene perpendicular to the main plane 100 100 von dem Substrat of the substrate 2 2 beabstandet und somit auch freigestellt sind. are spaced and thus exempt.
  • In In 5 5 eine schematische Aufsicht einer Sensoranordnung a schematic plan view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, dargestellt, wobei die dritte Ausführungsform eine Vielzahl von Sensoranordnungen Represented according to a third embodiment of the present invention, said third embodiment, a plurality of sensor arrays 1 1 gemäß der zweiten Ausführungsform illustriert in according to the second embodiment illustrated in 4 4 umfasst, so dass eine Vielzahl voneinander elektrisch isolierter Leiterbahnen , such that a plurality of mutually electrically insulated conductor tracks 80 80 , . 80' 80 ' , . 80'' 80 '' nebeneinander angeordnet sind, welche jeweils eine Mehrzahl von ersten und zweiten Befestigungselementen are arranged side by side, each having a plurality of first and second fixing elements 41 41 , . 42 42 und von Brückenelementen and of bridge elements 43 43 aufweisen und derart versetzt zueinander angeordnet sind, dass die benachbarten Brückenelement are include and offset relative to one another such that the adjacent bridge element 43 43 der Mehrzahl von Leiterbahnen the plurality of conductor tracks 80 80 . , 80' 80 ' , . 80'' 80 '' jeweils vergleichsweise nah zueinander angeordnet sind und somit eine vergleichsweise hohe Leiterbahnendichte auf dem Substrat each relatively close to each other are arranged, and thus a comparatively high conductor density on the substrate 2 2 erzeugt wird. is produced.
  • In In 6 6 eine schematische Aufsicht einer Sensoranordnung a schematic plan view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die vierte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der dritten Ausführungsform dargestellt in in accordance with a fourth embodiment of the present invention, the fourth embodiment is substantially identical to the third embodiment shown in 5 5 ist, wobei die Vielzahl von Leiterbahnen , wherein the plurality of conductive traces 80 80 , . 80' 80 ' , . 80'' 80 '' jedoch ineinander verschachtelt angeordnet sind und die Brückenelemente however, are arranged inside each other and nested bridge elements 43 43 jeweils zwischen den ersten und zweiten Befestigungselementen respectively between the first and second fixing elements 41 41 , . 42 42 der Vielzahl von Leiterbahnen the plurality of wirings 80 80 , . 80' 80 ' , . 80'' 80 '' u-förmig bzw. mäanderförmig ausgebildet sind, so dass beispielsweise Druckspannungen in den Brückenelementen are u-shaped or meandering fashion, so that, for example, compressive stresses in the bridge elements 43 43 nicht zu einem Durchhängen der Brückenelemente not to a sagging of the bridge elements 43 43 in Richtung des Substrats in the direction of the substrate 2 2 führen. to lead.
  • In In 7 7 ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung is a schematic side view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die fünfte Ausführungsform identische der zweiten Ausführungsform dargestellt in in accordance with a fifth embodiment of the present invention, the fifth embodiment identical to the second embodiment shown in 3 3 ist, wobei das Brückenelemente , said bridge elements 43 43 senkrecht zur Haupterstreckungsebene perpendicular to the main plane 100 100 eine Mehrzahl von Schichten a plurality of layers 44 44 umfasst, wobei die verschiedenen Schichten , wherein the various layers 44' 44 ' der Mehrzahl von Schichten the plurality of layers 44 44 unterschiedliche Materialien mit unterschiedlichen internen mechanischen Spannungen aufweisen. have different materials having different internal stresses. Insbesondere sind in der Mehrzahl von Schichten In particular, in the plurality of layers 44 44 abwechselnd Schichten alternating layers 44' 44 ' mit Druckspannung und Schichten with compressive stress and layers 44' 44 ' mit Zugspannung übereinander geschichtet, um die Spannung zu kompensieren und vorzugsweise nicht auf das erste und das zweite Befestigungselement layered over each other with tensile stress, to compensate for the voltage, and preferably not to the first and the second fastening member 41 41 , . 42 42 zu übertragen. transferred to.
  • In In 8 8th ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung is a schematic side view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die Sensoranordnung in accordance with a sixth embodiment of the present invention, wherein the sensor arrangement 1 1 der in in 2 2 dargestellten Sensoranordnung Sensor array shown 1 1 gemäß dem Stand der Technik entspricht, wobei im Unterschied zu corresponds according to the state of the art to which the difference 2 2 nach einem Bereitstellen des Substrats following provision of the substrate 2 2 im ersten Herstellungsschritt und der Anordnung der ersten Isolationsschicht in the first production step, and the arrangement of the first insulation layer 7 7 auf dem Substrat on the substrate 2 2 im zweiten Herstellungsschritt in einem sechsten Herstellungsschritt auf der ersten Isolationsschicht in the second manufacturing step, in a sixth manufacturing step on the first insulating layer 7 7 eine zweite Leitschicht a second conductive layer 6 6 angeordnet und strukturiert wird. is disposed and structured. In einem siebten Herstellungsschritt wird auf der zweiten Leitschicht In a seventh manufacturing step on the second conductive layer 6 6 eine zweite Isolationsschicht a second insulating layer 8 8th und in einem achten Herstellungsschritt auf der zweiten Isolationsschicht and in an eighth manufacturing step on the second insulating layer 8 8th eine erste Leitschicht a first conductive layer 5 5 angeordnet und/oder strukturiert. arranged and / or structured. Die mikromechanische Funktionsschicht The micromechanical functional layer 3 3 wird in einem nachfolgenden fünften Herstellungsschritt abgeschieden und in einem vierten Herstellungsschritt zur Bildung der Graben is deposited in a subsequent fifth manufacturing step and in a fourth production step for forming the trench 11 11 geätzt. etched. Durch die Gräben By the trenches 11 11 hindurch wird in einem neunten Herstellungsschritt die erste und die zweite Isolationsschicht passing in a ninth manufacturing step, the first and the second insulation layer 7 7 , . 8 8th geätzt, so dass in der mikromechanischen Funktionsschicht etched so that in the micromechanical functional layer 3 3 die beweglichen Elemente the movable elements 51 51 entstehen. arise. Die erste Leitschicht The first conductive layer 6 6 überlappt zumindest teilweise die zweite Leitschicht overlaps at least partially the second conductive layer 5 5 senkrecht zur Haupterstreckungsebene perpendicular to the main plane 100 100 , so dass zwischen der ersten Leitschicht So that between the first conductive layer 5 5 und dem Substrat and the substrate 2 2 die zweite Leitschicht the second conductive layer 6 6 in Form einer Mehrzahl von voneinander elektrisch isolierten Leiterbahnen electrically isolated in the form of a plurality of spaced conductor tracks 6' 6 ' angeordnet sind und somit die Leiterbahndichte vergleichsweise groß ist, da aufgrund der Anordnung der ersten Leitschicht are arranged, and thus the conductor track density is comparatively large, as a result of the arrangement of the first conductive layer 5 5 oberhalb der zweiten Leitschicht above the second conductive layer 6 6 bzw. oberhalb der Leiterbahnen or above the conductor tracks 6' 6 ' eine Unterätzung der Leiterbahnen an under-etching of the conductor tracks 6' 6 ' verhindert wird und somit die Leiterbahnen is prevented and the conductor tracks 6' 6 ' im Vergleich zur ersten Leitschicht compared to the first conductive layer 5 5 vergleichsweise schmal ausführbar sind. are relatively narrow executable. Im Bereich der Metallschicht In the area of ​​the metal layer 10 10 ist die erste Leitschicht is the first conductive layer 5 5 mit der zweiten Leitschicht with the second conductive layer 6 6 elektrisch leitfähig verbunden. an electrically conductive manner.
  • In In 9 9 ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung is a schematic side view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die siebte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der sechsten Ausführungsform illustriert in in accordance with a seventh embodiment of the present invention, the seventh embodiment is substantially identical to the sixth embodiment illustrated in 8 8th ist, wobei innerhalb der ersten Leitschicht , wherein within the first conductive layer 5 5 elektrisch voneinander isolierte weitere Leiterbahnen electrically insulated from each other conductor tracks 5' 5 ' ausgebildet sind und wobei Leiterbahnen are formed, and wherein printed conductors 6' 6 ' mit weiteren Leiterbahnen with further conductor tracks 5' 5 ' elektrisch leitfähig verbunden sind, so dass insbesondere Leiterbahnkreuzungen zwischen der mikromechanischen Funktionsschicht are electrically conductively connected, so that in particular conductor crossings between the micromechanical functional layer 3 3 und dem Substrat and the substrate 2 2 realisiert werden. will be realized.
  • In den In the 10a 10a und and 10b 10b sind schematische Seitenansichten von Sensoranordnungen are schematic side views of sensor assemblies 1 1 gemäß einer achten und einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die achte und die neunte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der siebten Ausführungsform dargestellt in in accordance with an eighth and a ninth embodiment of the present invention, the eighth and the ninth embodiment is substantially identical to the seventh embodiment shown in 9 9 ist, wobei die Leiterbahnen , wherein the conductor tracks 6' 6 ' und die weiteren Leiterbahnen and the further conductor tracks 5' 5 ' zu sich gegenseitig überlappenden Flächenelektroden ausgebildet sind. are formed to mutually overlapping surface electrodes.
  • In In 11 11 ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung is a schematic side view of a sensor arrangement 1 1 gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die zehnte Ausführungsform identisch der sechsten Ausführungsform illustriert in in accordance with a tenth embodiment of the present invention, the tenth embodiment is identical to the sixth embodiment illustrated in 8 8th ist, wobei die erste Leitschicht , wherein the first conductive layer 5 5 die Leiterbahnen the conductor tracks 6 6 nicht nur senkrecht zur Haupterstreckungsebene not only perpendicularly to the main plane 100 100 , sondern auch parallel zur Haupterstreckungsebene But also parallel to the main plane 100 100 vollständig überlappt. completely overlapped. Ferner ist die erste Leitschicht Further, the first conductive layer 5 5 elektrisch leitfähig mit dem Substrat electrically conductive with the substrate 2 2 verbunden, so dass die erste Leitschicht connected so that the first conductive layer 5 5 zusammen mit dem Substrat together with the substrate 2 2 die Leiterbahnen the conductor tracks 6' 6 ' in einer Ebene in a plane 110 110 senkrecht zur Haupterstreckungsebene perpendicular to the main plane 100 100 vollständig umgeben. completely surrounded. Auf diese Weise ist eine elektromagnetische Abschirmung der Leiterbahnen In this manner, an electromagnetic shield of the conductor tracks 6' 6 ' mittels der ersten Leitschicht by means of the first conductive layer 5 5 realisierbar. realizable.
  • In In 12a 12a und and 12b 12b sind schematische Seitenansichten von Sensoranordnungen are schematic side views of sensor assemblies 1 1 gemäß einer elften und einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die zweite Isolationsschicht in accordance with an eleventh and a twelfth embodiment of the present invention, wherein the second insulating layer 8 8th zwischen den Leiterbahnen between the conductor tracks 6' 6 ' und der ersten Leitschicht and the first conductive layer 5 5 ein Material mit geringerer Ätzrate insbesondere als die erste Isolationsschicht a material having a lower etching rate than the first insulation layer, in particular 7 7 umfasst, so dass teilweise unterätze Leiterbahnen , such that partial conductor paths unterätze 6' 6 ' über Bereiche der zweiten Isolationsschicht on portions of the second insulating layer 8 8th mit der ersten Leitschicht with the first conductive layer 5 5 und/oder weitere Leiterbahnen and / or further conductor tracks 5' 5 ' elektrisch leitfähig mit der zweiten Leitschicht electrically conductive with the second conductive layer 6 6 verbunden sind. are connected.

Claims (12)

  1. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) mit einem Substrat ( ) (With a substrate 2 2 ), einer mikromechanischen Funktionsschicht ( (), Of a micromechanical functional layer 3 3 ) und einem Leitelement ( ) And a guide element ( 4 4 ), wobei das Substrat ( ), Wherein the substrate ( 2 2 ) eine Haupterstreckungsebene ( ) Has a main extension plane ( 100 100 ) aufweist, wobei das Leitelement ( ), Wherein the guide element ( 4 4 ) entlang einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene ( ) Along a direction perpendicular (to the main plane 100 100 ) im Wesentlichen zwischen dem Substrat ( ) Substantially between the substrate ( 2 2 ) und der mikromechanischen Funktionsschicht ( ) And the micromechanical functional layer ( 3 3 ) angeordnet ist und sich im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene ( ) And extending substantially (parallel to the main plane 100 100 ) erstreckt, wobei das Leitelement ( ), Said the guide element ( 4 4 ) ein am Substrat ( ) A (the substrate 2 2 ) befestigtes erstes Befestigungselement ( ) Fixed to the first fastener ( 41 41 ) und ein am Substrat ( ) And the substrate ( 2 2 ) befestigtes zweites Befestigungselement ( ) Fixed to the second fixing element ( 42 42 ) aufweist und wobei das Leitelement ( ), And wherein the guide element ( 4 4 ) ferner ein Brückenelement ( ) Further comprises a bridge member ( 43 43 ) aufweist, welches sowohl mit dem ersten Befestigungselement ( ) Which (which both the first fastening element 41 41 ), als auch mit dem zweiten Befestigungselement ( (), And with the second fastening member 42 42 ) verbunden ist, wobei das Brückenelement ( is connected), said bridge element ( 43 43 ) zwischen dem ersten Befestigungselement ( ) (Between the first attachment member 41 41 ) und dem zweiten Befestigungselement ( ) And the second fastening element ( 42 42 ) einen freigestellten Brückenbereich ( ) An exempt bridge area ( 43' 43 ' ) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass in einer ersten Richtung ( ), Characterized in that (in a first direction 101 101 ) parallel zur Haupterstreckungsebene ( ) (Parallel to the main plane 100 100 ) das erste und/oder das zweite Befestigungselement ( ), The first and / or second fastening element ( 41 41 , . 42 42 ) jeweils breiter als das Brückenelement ( ) Each wider than the bridge element ( 43 43 ) senkrecht zu einer Haupterstreckungsrichtung ( ) Perpendicular (to a main extension direction 43'' 43 '' ) des Brückenelements ( () Of the bridge element 43 43 ) sind. ) are.
  2. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene ( ) According to claim 1, characterized in that the perpendicular (in a direction to the main plane 100 100 ) zwischen dem ersten Befestigungselement ( ) (Between the first attachment member 41 41 ) und dem Substrat ( ) And the substrate ( 2 2 ) und/oder zwischen dem zweiten Befestigungselement ( ) And / or (between the second fastening member 42 42 ) und dem Substrat ( ) And the substrate ( 2 2 ) zumindest teilweise eine erste Isolationsschicht ( ) At least partially a first insulating layer ( 7 7 ) angeordnet ist, wobei entlang der Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene ( is disposed), said vertically (along the direction to the main plane 100 100 ) zwischen dem Brückenelement ( ) (Between the bridge element 43 43 ) und dem Substrat ( ) And the substrate ( 2 2 ) die erste Isolationsschicht ( ) The first insulation layer ( 7 7 ) weggeätzt ist. ) Is etched away.
  3. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Brückenelement ( ) According to one of the preceding claims, characterized in that the bridge element ( 43 43 ) zwischen dem ersten und dem zweiten Befestigungselement ( ) (Between the first and the second fastening member 41 41 , . 42 42 ) insbesondere parallel zur Haupterstreckungsrichtung ( ), In particular (parallel to the main extension direction 43'' 43 '' ) u-förmig, mäanderförmig und/oder schlangenlinienförmig verlaufend vorgesehen ist. is) u-shaped, meander-shaped and / or serpentine provided extending.
  4. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Brückenelement ( ) According to one of the preceding claims, characterized in that the bridge element ( 43 43 ) senkrecht zur Haupterstreckungsebene ( ) Perpendicular (to the main plane 100 100 ) eine Mehrzahl von Schichten ( ) A plurality of layers ( 44 44 ) umfasst, wobei die Mehrzahl von Schichten ( ), Wherein the plurality (of layers 44 44 ) bevorzugt unterschiedliche Materialien umfassen und wobei die Mehrzahl von Schichten ( ) Preferably comprise different materials, and wherein the plurality (of layers 44 44 ) besonders bevorzugt unterschiedliche mechanische Spannungen, insbesondere Zug- und/oder Druckspannungen aufweisen. ) More preferably have different mechanical stresses, especially tensile and / or compressive stresses.
  5. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einem Substrat ( ) According to one of the preceding claims, (with a substrate 2 2 ), einer mikromechanischen Funktionsschicht ( (), Of a micromechanical functional layer 3 3 ), einer ersten Leitschicht ( (), A first conductive layer 5 5 ) und einer zweiten Leitschicht ( ) And a second conductive layer ( 6 6 ), wobei das Substrat ( ), Wherein the substrate ( 2 2 ) eine Haupterstreckungsebene ( ) Has a main extension plane ( 100 100 ) aufweist und wobei sowohl die erste Leitschicht ( ), And wherein both the first conductive layer ( 5 5 ), als auch die zweite Leitschicht ( ), And the second conductive layer ( 6 6 ) in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene ( ) In a direction perpendicular (to the main plane 100 100 ) im Wesentlichen zwischen der mikromechanischen Funktionsschicht ( ) Substantially between the micromechanical functional layer ( 3 3 ) und dem Substrat ( ) And the substrate ( 2 2 ) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leitschicht ( ) Are arranged, characterized in that the first conductive layer ( 5 5 ) die zweite Leitschicht ( ) Said second conductive layer ( 6 6 ) senkrecht zur Haupterstreckungsebene ( ) Perpendicular (to the main plane 100 100 ) zumindest teilweise überlappt. ) At least partially overlaps.
  6. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leitschicht ( ) According to claim 5, characterized in that the first conductive layer ( 5 5 ) zumindest teilweise von der zweiten Leitschicht ( ) At least partially (from the second conductive layer 6 6 ) elektrisch isoliert und/oder dass die erste Leitschicht ( ) Electrically insulated and / or that the first conductive layer ( 5 5 ) zumindest teilweise mit der zweiten Leitschicht ( ) At least partially (with the second conductive layer 6 6 ) elektrisch leitfähig verbunden ist und/oder dass die erste und/oder die zweite Leitschicht ( ) Is electrically conductively connected and / or that the first and / or second conductive layer ( 5 5 , . 6 6 ) jeweils mit dem Substrat ( ) Respectively (with the substrate 2 2 ) und/oder der mikromechanischen Funktionsschicht ( (), And / or micromechanical functional layer 3 3 ) elektrisch leitfähig verbunden sind. ) Are electrically conductively connected.
  7. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der ersten Leitschicht ( ) According to one of claims 5 or 6, characterized in that (between the first conductive layer 5 5 ) und dem Substrat ( ) And the substrate ( 2 2 ) die zweite Leitschicht ( ) Said second conductive layer ( 6 6 ) angeordnet ist und/oder dass die erste und/oder die zweite Leitschicht ( ) And / or that the first and / or second conductive layer ( 5 5 , . 6 6 ) eine Mehrzahl voneinander elektrisch isolierter erster Leiterbahnen ( ) A plurality of spaced electrically insulated first conductor tracks ( 6' 6 ' ) und/oder Flächenelektroden im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene ( ) And / or surface electrodes are substantially (parallel to the main plane 100 100 ) umfasst. ) Includes.
  8. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leitschicht ( ) According to one of claims 5 to 7, characterized in that the first conductive layer ( 5 5 ) die zweite Leitschicht ( ) Said second conductive layer ( 6 6 ) senkrecht und/oder parallel zur Haupterstreckungsebene ( ) Perpendicular and / or parallel (to the main plane 100 100 ) zumindest teilweise umgibt. ) At least partially surrounds.
  9. Mikromechanische Struktur ( Micromechanical structure ( 1 1 ) nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass lediglich die erste Leitschicht ( ) According to one of claims 5 to 7, characterized in that only the first conductive layer ( 5 5 ) oder die zweite Leitschicht ( ) Or the second conductive layer ( 6 6 ) unterätzte Bereiche ( ) Under-etched areas ( 5' 5 ' ) aufweist. ) having.
  10. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei in einem ersten Herstellungsschritt das Substrat ( A process for producing a micromechanical component according to one of claims 1 to 4, wherein the substrate (in a first manufacturing step 2 2 ) bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt eine erste Isolationsschicht ( is provided), a first insulation layer (in a second manufacturing step 7 7 ) auf dem Substrat ( ) On the substrate ( 2 2 ) angeordnet wird, wobei in einem dritten Herstellungsschritt eine Leitschicht zur Bildung des ein am Substrat ( ) Is arranged, wherein a conductive layer to form the A (in a third manufacturing step, the substrate 2 2 ) befestigtes erstes Befestigungselement ( ) Fixed to the first fastener ( 41 41 ) aufweisendes und ein am Substrat ( ) Exhibiting and the substrate ( 2 2 ) befestigtes zweites Befestigungselement ( ) Fixed to the second fixing element ( 42 42 ) aufweisendes und ein Brückenelement ( ) And exhibiting a bridge element ( 43 43 ) aufweisendes Leitelements ( ) Exhibiting baffle ( 4 4 ) auf dem Substrat ( ) On the substrate ( 2 2 ) angeordnet wird, wobei in einem vierten Herstellungsschritt die erste Isolationsschicht ( ) Is arranged, wherein the first insulation layer (in a fourth production step 7 7 ) derart geätzt wird, dass in dem Leitelement ( ) Is etched in such a way that (in the guide element 4 4 ) ein freigestellter Brückenbereich ( ) A freely bridge area ( 43' 43 ' ) zur Bildung des Brückenelements ( ) (For the formation of said bridge member 43 43 ) erzeugt wird und wobei in einem fünften Herstellungsschritt eine mikromechanische Funktionsschicht ( ) Is generated, and wherein a micromechanical functional layer (in a fifth manufacturing step 3 3 ) abgeschieden und strukturiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass in einer ersten Richtung ( ) Is deposited and patterned, characterized in that (in a first direction 101 101 ) parallel zur Haupterstreckungsebene ( ) (Parallel to the main plane 100 100 ) das erste und/oder das zweite Befestigungselement ( ), The first and / or second fastening element ( 41 41 , . 42 42 ) jeweils breiter als das Brückenelement ( ) Each wider than the bridge element ( 43 43 ) senkrecht zu einer Haupterstreckungsrichtung ( ) Perpendicular (to a main extension direction 43'' 43 '' ) des Brückenelements ( () Of the bridge element 43 43 ) ausgebildet werden. ) be formed.
  11. Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur ( A process for producing a micromechanical structure ( 1 1 ) nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei in einem ersten Herstellungsschritt das Substrat ( ) According to one of claims 5 to 9, wherein the substrate (in a first manufacturing step 2 2 ) bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt auf dem Substrat ( is provided), where (in a second manufacturing step on the substrate 2 2 ) eine erste Isolationsschicht ( ) A first insulating layer ( 7 7 ) angeordnet wird, wobei in einem sechsten Herstellungsschritt auf der ersten Isolationsschicht ( ) Is placed, where (in a sixth manufacturing step on the first insulating layer 7 7 ) die zweite Leitschicht ( ) Said second conductive layer ( 6 6 ) angeordnet wird, wobei in einem siebten Herstellungsschritt auf der zweiten Leitschicht ( ) Is placed, where (in a seventh manufacturing step on the second conductive layer 6 6 ) eine zweite Isolationsschicht ( ) A second insulating layer ( 8 8th ) angeordnet wird und wobei in einem achten Herstellungsschritt auf der zweiten Isolationsschicht ( ) Is placed and which (in an eighth manufacturing step on the second insulating layer 8 8th ) die erste Leitschicht ( ) The first conductive layer ( 6 6 ) angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die mikromechanische Struktur ( ) Is placed, characterized in that the micromechanical structure ( 1 1 ) derart ausgebildet wird, dass die erste Leitschicht ( ) Is formed such that the first conductive layer ( 5 5 ) die zweite Leitschicht ( ) Said second conductive layer ( 6 6 ) senkrecht und parallel zur Haupterstreckungsebene ( ) Perpendicular and parallel (to the main plane 100 100 ) zumindest teilweise umgibt. ) At least partially surrounds.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass im sechsten Herstellungsschritt die zweite Leitschicht ( A method according to claim 11, characterized in that in the sixth manufacturing step (the second conductive layer 6 6 ) und/oder im achten Herstellungsschritt die erste Leitschicht ( ) And / or the eighth manufacturing step, the first conductive layer ( 5 5 ) strukturiert wird und/oder dass in einem neunten Herstellungsschritt die erste und/oder die zweite Isolationsschicht ( ) Is structured and / or that the first and / or second insulating layer (in a ninth manufacturing step 7 7 , . 8 8th ) geätzt wird und/oder dass in einem fünften Herstellungsschritt die mikromechanische Funktionsschicht ( ) Is etched and / or in that in a fifth manufacturing step, the micromechanical functional layer ( 3 3 ) abgeschieden und insbesondere strukturiert wird. ) Is deposited and structured, in particular.
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