DE102008034577A1 - Current measuring arrangement, has electrically conductive flat diamagnetic or paramagnetic shielding element lying with respect to sensor arrangement and comprising surface partially covers measuring circuit of sensor arrangement - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Strommessanordnung, umfassend eine in einer ersten Ebene angeordnete Lastleitungsbahn und eine in einer zweiten, zur ersten Ebene parallelen Ebene angeordnete Senscranordnung mit einer Messschaltung, wobei zur Isolierung zwischen den beiden Ebenen ein Isolierwerkstoff angeordnet ist.The The invention relates to a current measuring arrangement comprising one in one first level arranged load line track and one in a second, to first level parallel plane arranged Senscranordnung with a Measuring circuit, being used for insulation between the two levels Insulating material is arranged.
Solche Anordnungen sind weitgehend bekannt. Magnetwiderstandssensoren, insbesondere GMR-Sensoren (giant magneto resistance), werden als eine Alternative zu Hallsensoren immer bekannter. Solche Magnetwiderstandssensoren erlauben einen einfacheren Systemaufbau, eine größere Störsicherheit und ein geringes Rauschen. Insbesondere ist es bekannt, eine Sensoranordnung mit einer analogen Messschaltung und gegebenenfalls auch digitalen Elementen (FPGA, DSP) auf der Rückseite einer nicht leitenden Platte aus Isolierwerkstoff anzubringen, wobei der Lastkreis, insbesondere in einer U-Form, auf der Vorderseite an der rückseitig angeordneten Sensoranordnung vorbeigeführt wird. Die Sensoranordnung kann im Rahmen eines sogenannten „back end”-Prozesses im Rahmen eines CMOS-Prozesses, der die analoge Messchaltung und gegebenenfalls digitale Anteile realisiert, aufgebracht werden und benötigt somit keine zusätzliche Fläche.Such Arrangements are widely known. Magnetoresistance sensors, In particular, GMR sensors (giant magneto resistance), as an alternative to Hall sensors increasingly well-known. Such magnetoresistive sensors allow a simpler system structure, greater immunity to interference and low Noise. In particular, it is known to use a sensor arrangement an analog measuring circuit and possibly also digital elements (FPGA, DSP) on the back a non-conductive plate made of insulating material, wherein the load circuit, in particular in a U-shape, on the front at the back arranged sensor arrangement is passed. The sensor arrangement can be part of a so-called "backend" process in the context of a CMOS process, the analog measuring circuit and possibly digital components realized, applied and thus requires no additional area.
Es ergibt sich dabei somit ein Aufbau, bei dem die Lastleitungsbahn in einer ersten Ebene liegt, die Sensoranordnung aber in einer zweiten, zur ersten Ebene parallelen Ebene. Beide sind auf dem sie trennenden Isolierwerkstoff angeordnet.It This results in a structure in which the load line in a first plane, but the sensor arrangement in a second, to the first level parallel plane. Both are on the divide Insulating material arranged.
Im Rahmen der Optimierung des Messprozesses verkomplizieren sich die Sensoranordnungen zunehmend. So werden für viele Anwendungen in der Stromsensorik jeweils vier magnetoresistive Elemente zu einer Wheatstone-Brücke verschaltet, um genauere, von Temperaturschwankungen, Fremdfeldern und dergleichen unabhängige Messungen zu erreichen. Um eine Temperaturdrift des Offsets zu vermeiden, wird neben einem temperaturkompensierten GMR-Stapel auch eine Verbindung zwischen den magnetoresistiven Stapeln (häufig „metal interconect” genannt) mit geringem ohmschen Widerstand bzw. hoher Paargenauigkeit entsprechender Widerstände benötigt.in the The optimization of the measurement process complicates the Sensor arrangements increasingly. So for many applications in the Current sensors each interconnected four magnetoresistive elements to form a Wheatstone bridge, to more precise, of temperature fluctuations, foreign fields and the like independent To achieve measurements. In order to avoid a temperature drift of the offset, In addition to a temperature-compensated GMR stack is also a connection between the magnetoresistive stacks (often called "metal interconect") needed with low resistance or high pair accuracy corresponding resistors.
Um diese Vorteile erreichen zu können, können die Leiterbahnen der Sensoranordnung nicht beliebig schmal ausgeführt werden. Es entstehen dabei, insbesondere durch die Leiterbahnen, die Kontaktstellen der Brückenabgriffe und die Versorgungszuführungen, Flächen, die bei dem geschilderten Aufbau in zwei Ebenen in räumlicher Nähe zur Lastleitungsbahn angeordnet sein müssen. Dadurch entsteht jedoch eine relativ hohe kapazitive Kopplung zwischen der Lastleitungsbahn (Primärkreis) und der Sensoranordnung (Sekundärkreis). Bei schnell veränderlichen Spannungen zwischen Primärkreis und Sekundärkreis, beispielsweise bei einer Spannungsänderungsrate (auch Flankensteilheit oder slew rate) von 1 kV/μs oder mehr, kommt es zu Messungenauigkeiten bei der Strommessung. Dann werden als Ausgangssignal beispielsweise eines Filters Spannungen erhalten, beispielsweise im Bereich von 900 mV, die deutlich höher sind als das Nutzsignal der Sensoranordnung, das etwa bei 20 mV für AMR-Sensoren (basierend auf dem anisotropen magnetoresistiven Effekt) bzw. bei 100 mV bei GMR-Sensoren liegt. Ab einer bestimmten Rate der Spannungsveränderung (slew rate) ist demnach keine Messung mit der Strommessanordnung mehr möglich, darunter kommt es zu deutlichen Messfehlern. Werden gar auch die digitalen Komponenten des Sensors gemeinsam mit der analogen Messschaltung auf dem Isolierwerkstoff, also dem Schaltungsträger, aufgebracht (häufig als hybrides System oder SoC, system an carrier, bezeichnet) so entstehen zusätzliche Flächen, die die kapazitive Kopplung noch erhöhen, so dass sich die Verhältnisse zwischen Signal und Störung weiter verschlechtern.Around to be able to achieve these benefits can the tracks of the sensor array are not made arbitrarily narrow. It arise, in particular by the conductor tracks, the contact points the bridge taps and the supply supplies, surfaces, in the described construction in two levels in spatial Close to Load line must be arranged. This, however, creates a relatively high capacitive coupling between the load line track (Primary circuit) and the sensor arrangement (secondary circuit). At fast changing Voltages between primary circuit and secondary circuit, for example, at a voltage change rate (also edge steepness or slew rate) of 1 kV / μs or more, it comes to measuring inaccuracies in the current measurement. Then, as the output of, for example, a filter, voltages obtained, for example, in the range of 900 mV, which are significantly higher as the payload of the sensor array, which is about 20 mV for AMR sensors (based on the anisotropic magnetoresistive effect) or at 100 mV for GMR sensors. From a certain rate of voltage change (slew rate) is therefore no measurement with the current measuring arrangement more is possible, underneath it comes to significant measurement errors. Will be even the digital components of the sensor together with the analog measuring circuit on the insulating material, so the circuit carrier applied (often as hybrid system or SoC, system to carrier) additional surfaces, which increase the capacitive coupling, so that the conditions between signal and fault continue to worsen.
Zur Lösung dieser Problematik ist es bekannt, möglichst kleine und gleiche Flächen im Layout zu verwenden, so dass die eingekoppelten Zusatzspannungen durch kapazitive Kopplung minimiert werden. Allerdings ist dabei nachteilhaft, dass kleine Flächen hohe Widerstände der Verbindungsleitungen und damit hohe Temperaturkoeffizienten des Offsets bedingen, was bei Temperaturschwankungen wieder zu Messfehlern führt. Das Konzept, möglichst gleiche Koppelkapazitäten durch möglichst gleiche Flächen zu erzielen, ist durch Fertigungstoleranzen beschränkt und löst insbesondere nicht das Problem des Gleichtaktanteils (common mode) der Störeinkopplung, der den nachgeschalteten Verstärker oder A/D-Wandler übersteuern kann.to solution This problem is known as small and the same surfaces to use in the layout, so that the coupled-in additional voltages be minimized by capacitive coupling. However, it is there disadvantageous that small areas high resistance the connecting lines and thus high temperature coefficient of Offsets cause, what with temperature fluctuations again to measurement errors leads. The concept, if possible same coupling capacities by as much as possible surfaces to achieve is limited by manufacturing tolerances and triggers in particular not the problem of the common mode component of the interference coupling, the downstream amplifier or override A / D converter can.
Weiterhin wurde kürzlich vorgeschlagen, bei AMR-Stromsensoren eine Elektrokeramik als Schaltungsträger, also als Isolierwerkstoff, zu verwenden, die durch eine niedrige relative Permittivität (Dielektrizitätskonstante) die kapazitive Kopplung reduziert. Aus Versuchen hat sich ergeben, dass darüber hinaus dennoch teilweise erhebliche Fehlmessungen auftreten, wenn große slew rates erreicht werden. Gerade solche erhöhten Flankensteilheiten sind jedoch durch die in den letzten Jahren entwickelten leistungselektronischen Schalter zu erwarten, die Ein- und Ausschaltvorgänge in immer kürzeren Zeiten realisieren (beispielsweise seien der „fast recovery insulated gate bipolar transistor” oder auch schnelle „superjunction-Feldeffekttransistoren” genannt).Farther was recently proposed in AMR current sensors an electroceramic circuit carrier, ie as an insulating material, to be used by a low relative permittivity (Dielectric constant) reduces the capacitive coupling. Experiments have shown that about it In addition, in some cases considerable erroneous measurements occur when size slew rates can be achieved. Just such increased edge steepnesses are however, by the electronic power developed in recent years Switch to expect the on and off operations in ever shorter times realize (for example, the "fast recovery insulated gate bipolar transistor "or also called fast "superjunction field effect transistors").
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Strommessanordnung anzugeben, die auch bei höherer Flankensteilheit (slew rate) noch verlässliche Messungen erlaubt.The invention is therefore the task The reason is to specify a current measuring arrangement which allows reliable measurements even at higher slew rate.
Zur Lösung dieses Problems ist bei einer Strommessanordnung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen, dass in einer dritten, zwischen der ersten und der zweiten Ebene liegenden Ebene wenigstens ein elektrisch von der Lastleitungsbahn isoliertes, auf einem bezüglich der Sensoranordnung im Wesentlichen konstanten Potential liegendes leitendes dia- oder paramagnetisches flächiges Abschirmelement vorgesehen ist, dessen Fläche wenigstens teilweise die Messschaltung der Sensoranordnung überdeckt.to solution This problem is in a current measuring arrangement of the aforementioned Art provided according to the invention, that in a third, between the first and the second level lying at least one electrically from the load line track isolated, on a re the sensor arrangement lying substantially constant potential conducting dia- or paramagnetic surface Shielding element is provided, the surface of which at least partially Measuring circuit of the sensor arrangement covers.
Durch die erfindungsgemäß vorgesehene zusätzliche para- oder diamagnetische Schicht, die das Abschirmelement bildet, kann die kapazitive Kopplung zwischen dem Primärkreis, also der Lastleitungsbahn, und dem Sekundärkreis, also der Sensoranordnung, deutlich abgesenkt werden, wenn das elektrische Potential, auf dem das Abschirmelement liegt, gegenüber der Versorgung des Signalkreises zeitlich konstant ist. Dabei ist es insbesondere vorteilhaft, wenn die analoge Messschaltung durch das Abschirmelement im Wesentlichen vollständig überdeckt ist. Wird ein hybrides System verwendet, umfasst also die Sensoranordnung auch einen digitalen Anteil, beispielsweise einen A/D-Wandler, Verstärker und Filter, so kann vorgesehen sein, dass auch der digitale Anteil zumindest teilweise von dem Abschirmelement überdeckt ist. Vorzugsweise sollte der gesamte Überlapp zwischen Sensoranordnung und Lastleitungsbahn durch das Abschirmelement überdeckt sein. Bei richtiger Auslegung des Abschirmelements, siehe dazu im Weiteren, kann ein Durchtreten der elektrischen Feldanteile, die von dem durch die Lastleitungsbahn strömenden Strom erzeugt werden, weitgehend verhindert werden, während das – durch die Messschaltung zu messende – Magnetfeld praktisch ungehindert durchtritt. Somit ist eine von der kapazitiven Kopplung auch für höhere slew rates fast ungestörte Strommessung möglich. In Versuchen zur vorliegenden Erfindung wurden durch die erfindungsgemäß vorgeschlagene kapazitive Schirmmaßnahme in Gestalt des Abschirmelements Reduzierungen der Störeinkopplungen um ca. den Faktor 10.000 festgestellt. Vorteilhafterweise wird also die Empfindlichkeit der Sensoranordnung gegen Spannungspulse seitens der Lastleitungsbahn sehr deutlich reduziert.By the invention provided additional para- or diamagnetic layer forming the shielding element, can the capacitive coupling between the primary circuit, ie the load line, and the secondary circuit, So the sensor assembly, be lowered significantly when the electric Potential, on which the shielding element is located opposite to Supply of the signal circuit is constant in time. That's it Particularly advantageous if the analog measuring circuit by the Shielding element is substantially completely covered. Becomes a hybrid Used system, so the sensor array also includes a digital portion, For example, an A / D converter, amplifier and filter, it can be provided be that the digital share at least partially of the Shielding element covered is. Preferably, the entire overlap between the sensor assembly and load line track to be covered by the shielding. If you are right Design of the shielding, see below, a can Passing through the electrical field components of the through the load line track flowing Electricity generated can be largely prevented while that - by the Measuring circuit to be measured - magnetic field passes practically unhindered. Thus, one of the capacitive Coupling also for higher Slew rates almost undisturbed Current measurement possible. In experiments to the present invention were proposed by the present invention Capacitive screen measure in the form of the shielding element reductions of the interference couplings detected by about the factor 10,000. Advantageously, then the sensitivity of the sensor arrangement against voltage pulses from the side the load line significantly reduced.
Bei der optimalen Ausgestaltung des Abschirmelements, also hinsichtlich der Abmessungen und der Materialwahl, ist zu beachten, dass möglichst bis hin zu einer gewünschten Grenzfre quenz (die eine Änderungsrate wiedergibt) die elektrischen Felder, die durch den Laststrom erzeugt werden, möglichst abgeschirmt werden sollen, während das Magnetfeld nicht zu stark abgedämpft werden darf. Mit anderen Worten muss für eine betrags- und phasenrichtige Messung des Stromes bis zur beabsichtigten Grenzfrequenz die Ausgestaltung des Abschirmelements so gewählt werden, dass die Transmission des Magnetfeldanteils der durch den Laststrom erzeugten elektromagnetischen Welle groß genug bleibt.at the optimal configuration of the shielding, so in terms the dimensions and the choice of materials, it should be noted that as far as possible to a desired Grenzfre quenz (the one rate of change represents) the electric fields generated by the load current be, if possible while being shielded the magnetic field must not be damped too much. With others Words must be for a magnitude and in-phase measurement of the current up to the intended cutoff frequency the design of the shielding be chosen so that the transmission the magnetic field component of the electromagnetic generated by the load current Wave big enough remains.
Dazu kann erfindungsgemäß vorgesehen sein, dass die Dicke des Abschirmelements abhängig von dem Material des Abschirmelements, einer Grenzfrequenz, bis zu der die Strommessanordnung nutzbar sein soll, und einer maximalen Dämpfung für Magnetfeldanteile eines von einem durch die Lastleitungsbahn fließenden Strom erzeugten Feldes bestimmt ist. Über grundsätzlich bekannte physikalische Zusammenhänge lässt sich ein Zusammenhang zwischen der Dicke des Abschirmelements und der dadurch bewirkten Dämpfung der Magnetfeldanteile ermitteln. So kann vorgesehen sein, dass die Dicke des Abschirmelements nach der Formel bestimmt ist, wobei d die Dicke des Abschirmelementes ist, D die Dämpfung, fg die Grenzfrequenz, μ0 die magnetische Konstante, μ die relative Permeabilität des Abschirmelements und σ den spezifischen elektrischen Leitwert der Schicht bezeichnet. Für ein Abschirmelement aus Kupfer ergibt sich beispielsweise eine ideale Dicke von etwa 35 μm, um bei einer Grenzfrequenz von 100 kHz die Dämpfung auf ca. 1,5 dB zu begrenzen.For this purpose, it can be provided according to the invention that the thickness of the shielding element is determined by the material of the shielding element, a cutoff frequency up to which the current measuring arrangement is to be usable, and a maximum attenuation for magnetic field components of a field generated by a current flowing through the load line track. By way of basically known physical relationships, it is possible to determine a relationship between the thickness of the shielding element and the attenuation of the magnetic field components caused thereby. Thus, it can be provided that the thickness of the shielding element according to the formula where d is the thickness of the shielding element, D is the attenuation, f g is the cutoff frequency, μ 0 is the magnetic constant, μ is the relative permeability of the shielding element, and σ is the specific electrical conductivity of the layer. For a shielding element made of copper, for example, an ideal thickness of about 35 μm results, in order to limit the attenuation to about 1.5 dB at a limit frequency of 100 kHz.
Allgemein kann das Abschirmelement aus einem Metall, vorzugsweise aus Kupfer, bestehen. Jedoch sind auch andere Metalle denkbar, beispielsweise können Gold, Aluminium oder Silber verwendet werden. Kupfer bietet den Vorteil, relativ günstig und leicht zu verarbeiten zu sein, während keine zu großen Dicken benötigt werden, wie beispielsweise bei Aluminium.Generally the shielding element may be made of a metal, preferably of copper, consist. However, other metals are conceivable, for example can Gold, aluminum or silver can be used. Copper offers the Advantage, relatively cheap and easy to work while not too big Thickness needed such as aluminum.
Alternativ zur Verwendung eines metallischen Abschirmelements kann auch vorgesehen sein, dass das Abschirmelement aus einer leitenden Keramik besteht. Auch leitende Kunststoffe, beispielsweise PDOT, oder Leitkohlenstoffe sind denkbar.alternative for use of a metallic shielding element can also be provided the shielding element consists of a conductive ceramic. Also conductive plastics, such as PDOT, or conductive carbons are conceivable.
Wie bereits dargelegt, ist das Abschirmelement an ein im Vergleich zum Versorgungspotential der Sensoranordnung konstantes Potential angeschlossen. Dazu kann vorgesehen sein, dass das Abschirmelement an das Versorgungspotential der Sensoranordnung selber oder an Masse angeschlossen ist. Dabei ist ein Anschluss an Masse vorzuziehen. Um eine möglichst effektive Schirmung der kapazitiven Kopplung zwischen der Lastleitungsbahn und der Sensoranordnung zu erreichen, sollten dabei die Stützkondensatoren entsprechend groß und die Versorgungsleitungen entsprechend niederohmig dimensioniert werden.As already stated, the shielding element is connected to a constant potential compared to the supply potential of the sensor arrangement. For this purpose, it may be provided that the shielding element is connected to the supply potential of the sensor arrangement itself or to ground. In this case, a connection to ground is preferable. To ensure the most effective possible shielding of the capacitive coupling between the load line track and to achieve the sensor arrangement, the support capacitors should be correspondingly large and the supply lines are dimensioned correspondingly low impedance.
Um zu verhindern, dass der eigentliche Signalbezugspunkt durch die Verschiebungsströme, die durch lastseitige Potentialsprünge verursacht werden, belastet wird, kann zudem vorgesehen sein, dass der Potentialanschluss des Abschirmelements über eine Spannungsfolgerschaltung oder eine „ground force”-Schaltung erfolgt. Diese vorteilhafte Ausgestaltung bei bipolarer Versorgung vermeidet indirekte Einflüsse der Spannungspulse durch Potentialschwankungen. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die Dynamik der Spannungsfolgerschaltung deutlich höher, insbesondere um einen Faktor 10–100, als die bereits erwähnte Grenzfrequenz ist, bis zu der die Strommessanordnung verlässliche Messwerte liefern soll.Around to prevent the actual signal reference point from passing through Displacement currents, which are caused by load-side potential jumps charged In addition, it can be provided that the potential connection of the Shielding over a voltage follower circuit or a ground force circuit takes place. This advantageous embodiment avoids bipolar supply indirect influences the voltage pulses due to potential fluctuations. In particular, can be provided that the dynamics of the voltage follower circuit clearly higher, especially by a factor of 10-100, as the already mentioned Cutoff frequency is up to the current measuring arrangement reliable readings should deliver.
Mit besonderem Vorteil kann vorgesehen sein, dass das Abschirmelement wenigstens eine Aussparung aufweist. Durch eine solche „Teilperforation” des Abschirmelements wird eine effektiv kleinere Dicke erreicht, insbesondere treten jedoch weniger Wirbelströme auf, die wiederum die Ursache für Messungenauigkeiten bieten könnten. Zudem wird durch die verrin gerte Fläche weniger zusätzliche Kapazität in die Gesamtanordnung eingeführt. Die Größe der Aussparungen ist dabei so zu wählen, dass die Verschiebungsdichte des elektrischen Feldes auf Höhe der zweiten Ebene dennoch gegen 0 geht. Dazu kann insbesondere vorgesehen sein, dass eine maximale Ausmessung der Aussparung kleiner ist als der kürzeste Abstand zwischen dem Abschirmelement und der Sensoranordnung. Allerdings kann die Größe der wenigstens einen Aussparung auch deutlich kleiner als dieser kürzeste Abstand sein.With particular advantage can be provided that the shielding has at least one recess. By such a "partial perforation" of the shielding an effectively smaller thickness is achieved, in particular occur but less eddy currents which, in turn, is the cause of measurement inaccuracies could offer. In addition, the reduced surface less additional capacity introduced into the overall arrangement. The size of the recesses is to choose so that the shift density of the electric field at the level of the second Level still goes to 0. This may be provided in particular that a maximum dimension of the recess is smaller than that shortest Distance between the shielding element and the sensor arrangement. Indeed can be the size of at least a recess also significantly smaller than this shortest distance be.
Alternativ oder zusätzlich zu der wenigsten einen Aussparung im Abschirmelement kann vorgesehen sein, dass mehrere beabstandete, insbesondere streifenförmige Abschirmelemente vorgesehen sind. Dadurch erhöht sich allerdings der zusätzliche Bedarf an niederohmigen Leitungsbahnen zur Anbindung der einzelnen Abschirmelemente an das entsprechende Potential. Wirbelströme werden jedoch weiter reduziert. Analog zum Fall der Aussparungen kann auch in diesem Fall vorgesehen sein, dass ein maximaler Abstand zwischen den Abschirmelementen kleiner ist als der kürzeste Abstand zwischen einem Abschirmelement und der Sensoranordnung.alternative or additionally at least one recess in the shielding element can be provided be that a plurality of spaced, in particular strip-shaped shielding are provided. This increases However, the additional needs on low-impedance conductor tracks for connecting the individual shielding elements to the corresponding potential. Eddy currents, however, are further reduced. Analogous to the case of the recesses can also be provided in this case be that a maximum distance between the shielding elements is smaller than the shortest Distance between a shielding element and the sensor arrangement.
Als Isolierwerkstoff kann ein Leiterplattenwerkstoff und/oder eine Keramik gewählt werden. Die Keramik bietet wegen ihrer besseren Temperatureigenschaften und ihrer niedrigen Dielektrizitätskonstante Vorteile.When Insulating material may be a printed circuit board material and / or a ceramic chosen become. The ceramic offers because of their better temperature properties and their low dielectric constant Advantages.
Zur Einbindung des Abschirmelements in die Strommessanordnung kann ferner vorgesehen sein, dass das Abschirmelement in einer Mehrlagenleiterplatte eingebettet ist. Verfahren zur Herstellung von Mehrlagenleiterplatten sind weithin bekannt, so dass auf diese Weise eine günstige Möglichkeit geschaffen wird, die erfindungsgemäße Strommessanordnung herzustellen.to Integration of the shielding element in the current measuring arrangement may further be provided that the shielding in a multi-layer printed circuit board is embedded. Method for producing multilayer printed circuit boards are well known, so in this way a cheap option is created to produce the current measuring arrangement according to the invention.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen sowie anhand der Zeichnungen. Dabei zeigen:Further Advantages and details of the present invention will become apparent from the embodiments described below and based on the drawings. Showing:
Die
Sensoranordnung
Der genaue Aufbau einer solchen Sensoranordnung, beispielsweise als Wheatstone-Brücke mit Verbindungsleitungen, sowie die GMR-Stapelstrukturen sind im Stand der Technik bekannt und sollen daher hier nicht näher ausgeführt werden. Das der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Konzept lässt sich auf alle magnetfeldbasierten Messungen anwenden, beispielsweise also auch bei AMR-Sensoren.The exact structure of such a sensor arrangement, for example as a Wheatstone bridge with Connecting lines, as well as the GMR stacking structures are known in the art and therefore should not be further detailed here. The concept on which the present invention is based can be applied to all magnetic-field-based measurements, that is to say also to AMR sensors.
Die
Sensoranordnung
Um
diese kapazitiven Einkopplungen weitgehend zu verhindern, ist erfindungsgemäß in einer
dritten, zwischen der ersten und der zweiten Ebene liegenden Ebene,
vorliegend also innerhalb des Schaltungsträgers
Wie
aus den
Die
Dicke des Abschirmelements
In
Alternative
Ausgestaltungen für
Abschirmelemente
Das
in
Selbstverständlich ist
es grundsätzlich
auch möglich,
die Ausgestaltung nach
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |