DE102008030334A1 - Method for contactless measurement of high current in conductor in converter utilized for e.g. hybrid drive in motor vehicle, involves measuring sensors, directly supplying measuring signals and determining current flowing through conductor - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur beührungslosen Messung hoher Ströme gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1. Daneben bezieht sich die Erfindung auch auf einen zugehörigen Hochstromsensor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 11.The The invention relates to a method for contactless Measurement of high currents according to the preamble of claim 1. In addition, the invention also relates to an associated high current sensor according to the Preamble of claim 11.
Zur
berührungslosen Messung hoher Ströme existieren
bereits vom Stand der Technik unterschiedlichste Vorschläge,
bei denen Magnetfeldsensoren und weitere Hilfsmittel um den stromführenden
Leiter angeordnet sind, um über eine Magnetfelderfassung
eine indirekte Messung des Stromes ermöglichen, ohne dass äußere
magnetische Störfelder zu einer erheblichen Fehlmessung
führen:
Aus der
From the
Mit
der
In
der
Aus
der
Beim Stand der Technik bewirkt das vom Strom im Stromleiter verursachte magnetische Nutzfeld eine ohmsche Widerstandsänderung, die als Strom-Messsignal herangezogen und ausgewertet wird.At the The prior art causes the caused by the current in the conductor magnetic field of use an ohmic resistance change, which is used as a current measurement signal and evaluated.
GMR(Giant Magneto Resistance)- sowie TMR(Tunnel Magneto Resistance)-Sensoren sind in der Anwendung für die Sensorik vorbekannt. Insbesondere solche Spinvalve-basierte GMR- und/oder TMR-Sensoren stellen in der Magnetfeld basierten Positions-, Geschwindigkeits-, Drehzahl-, Feld- oder auch Stromsensorik eine Alternative zu Hallsensoren dar. Vor allem im Bereich der Positions- und Stromsensorik sind während der letzten Jahre verstärkt MR-basierte Sensoren in den Markt eingeführt worden. Die Hauptvorteile, im Vergleich zu Hall-Sensoren, liegen im einfacheren Systemaufbau, der größeren Störsicherheit bedingt durch die Möglichkeit eines Designs mit stark reduzierter Fremdfeldempfindlichkeit und dem geringeren Rauschen. Es bieten sich bei MR-basierten Sensoren voll integrierte Lösungen an, da die MR-Elemente als Backendprozess (im Rahmen eines CMOS-Prozesses) aufgebracht werden können und damit keine zusätzliche Chipfläche beanspruchen. Für viele Anwendungen vor allem in der Positions-, Drehzahl- und Stromsensorik werden jeweils vier MR-Elemente zu einer so ge nannten Wheatstone-Brücke verschaltet, um eine genauere, von Temperaturschwankungen, unabhängigere Messung zu erreichen.GMR (Giant Magneto Resistance) - as well as TMR (Tunnel Magneto Resistance) sensors are already known in the application for the sensors. Especially such spinvalve-based GMR and / or TMR sensors are available in the magnetic field based position, speed, speed, Field or current sensor is an alternative to Hall sensors. Especially in the field of position and current sensors are during the In recent years, MR-based sensors in the market been introduced. The main advantages, compared to Hall sensors, lie in the simpler system structure, the larger Noise immunity due to the possibility of a Designs with greatly reduced extraneous field sensitivity and the lower Noise. Fully integrated MR-based sensors are available Solutions because the MR elements are used as the backend process (in the Frame of a CMOS process) can be applied and therefore do not require additional chip area. For many applications, especially in the position, speed and current sensors are each four MR elements to a so-called Wheatstone bridge interconnects to a more accurate, of temperature fluctuations, to achieve more independent measurement.
Bisher sind für die galvanisch getrennte DC-Strommessung vor allem zwei Grundprinzipien bekannt. Das erste gebräuchlichste Prinzip besteht aus einem Flusskonzentrator, der den stromdurchflossenen Leiter umgibt und einem Hallsensor, der sich in einem Luftspalt des Flusskreises befindet (sog. LEM-Wandler). Das zweite Prinzip besteht aus einem MR-Sensor (häufig Vollbrücke), der das Magnetfeld eines Stromes, der über einen U-förmigen Leiter fließt, auswertet.So far are for the galvanic isolated DC current measurement above all Two basic principles known. The first most common Principle consists of a flux concentrator, the current flowing through Head surrounds and a Hall sensor, located in an air gap the circuit is located (so-called LEM converter). The second principle consists of an MR sensor (often full bridge), the magnetic field of a current flowing through a U-shaped Ladder flows, evaluates.
Das erste Prinzip erfordert einen sehr großen Materialaufwand für den Flusskreis und ist im „open loop”-Betrieb sehr ungenau. Der „closed loop”-Betrieb ist vor allem bei hohen Strömen > 500 A mit sehr viel Verlustleistung auf der DC-Seite (Signalseite) von bis zu 50 W bei 10 kA Primärstrom verbunden.The first principle requires a very large amount of material for the river circuit and is in the "open loop" mode very unprecise. The "closed loop" operation is in progress especially at high currents> 500 A with very high power dissipation on the DC side (signal side) of up to 50 W connected at 10 kA primary current.
Das zweite Prinzip ist nach bisherigem Kenntnisstand dagegen nur für Ströme bis maximal 400 A geeignet, da Selbsterwärmungseffekte, Störfelder oder dgl. auftreten. Eine hohe Genauigkeit kann auch beim zweiten Prinzip (bei MR-Sensoren) bisher nur mit den Mitteln einer sog. „closed loop”-Schaltung erreicht werden. Durch den „closed loop”-Betrieb steigt aber die Verlustleistung des Sensors quadratisch mit dem Strom an. Deshalb gestaltet sich bei allen „closed loop”-Sensoren bei Strömen größer 1 kA die Versorgung der Signalseite sehr aufwändig und teuer. Da bisher auf dem Gebiet der hochgenauen GMR-Stromsensorik, aber auch bei „open loop”-Sensoren sehr große Fortschritte erzielt wurden, insbesondere bezüglich des Hystereseeinflusses und des Temperaturganges, werden neue Sensorkonzepte möglich, die eine genaue robuste und zugleich Ressourcen schonende Messung von Strömen zwischen 400 A und 10 kA ermöglicht.By contrast, the second principle is suitable only for currents up to a maximum of 400 A, since self-heating effects, interference fields or the like occur. A high accuracy can be achieved even with the second principle (in MR sensors) so far only with the means of a so-called "closed loop" circuit the. Due to the "closed loop" operation, however, the power loss of the sensor increases quadratically with the current. Therefore, for all "closed loop" sensors at currents greater than 1 kA, the supply of the signal side is very complex and expensive. Since so far in the field of high-precision GMR current sensors, but also in "open loop" sensors very great progress has been made, especially with regard to the hysteresis and the temperature response, new sensor concepts are possible, the exact robust and resource-saving measurement of currents between 400 A and 10 kA.
Angestrebt werden MR-Sensoranordnungen mit zugehörigen Auswerteverfahren, die eine energieeffiziente Messung von Strö men zwischen 400 A und 10 kA ohne Flusskonzentrator (Flusskreises) ermöglicht. Prinzipiell ist sowohl ein „open-loop” als auch ein „closed-loop”-Betrieb möglich, jedoch sollte der Schwerpunkt auf dem „open loop”-Berieb liegen. Auch sind die MR-Sensoren vorteilhafterweise GMR-Sensoren, um eine hohe Genauigkeit und Robustheit zu gewährleisten.The aim are MR sensor arrangements with associated evaluation methods, the one energy-efficient measurement of currents between 400 A and 10 kA without flux concentrator (flux circle). in principle is both an "open-loop" and a "closed-loop" operation possible, however, should focus on the "open loop "operator lie. The MR sensors are also advantageous GMR sensors to ensure high accuracy and robustness.
Solche Stromsensoren können in Umrichtern für Mittelspannung oder zur Batterieüberwachung für Hybridantriebe oder Elektroantrieben im Kfz Anwendung finden. Auch Umrichter für Schiffe, Bahnantriebe oder Windkraftanlagen bewegen sich in diesem Strombereich.Such Current sensors can be used in converters for medium voltage or for battery monitoring for hybrid drives or electric drives in the motor vehicle application. Also inverter for Ships, trains or wind turbines move in this Current range.
Bisher gibt es kommerziell nur MR-Sensoren mit U-Leiteranordnung zur Differenzfelderzeugung, die mit hoher Genauigkeit (±1% Fehler bei Raumtemperatur) Ströme bis maximal 150 A messen. Die technisch sinnvolle Obergrenze für das U-Turn-Prinzip liegt bei ca. 400 A nach (FEM-Simulation). Eine hohe Genauigkeit kann auch hier bei MR-Sensoren nur mit den Mitteln einer sog. „closed loop”-Schaltung erreicht werden, weshalb bei Sensoren für Ströme größer 1 kA die Versorgung der Signalseite sehr aufwändig und teuer ist. Bisher wurden die hohen Kosten für Erzeugung der DC-Leistung und für Entwärmung hingenommen. Auch fiel wegen der niedrigen Rohstoff- und Energiepreise der hohe Materialbedarf bis zu 10 kg NiFe bisher bei den Kosten nicht ins Gewicht.So far there are commercially only MR sensors with U-conductor arrangement for difference field generation, with high accuracy (± 1% error at room temperature) Measure currents up to 150 A max. The technically meaningful Upper limit for the U-turn principle is about 400 A after (FEM simulation). High accuracy can also be achieved with MR sensors only by the means of a so-called "closed loop" circuit be reached, which is why sensors for currents greater than 1 kA the supply of the signal side very consuming and expensive. So far, the high cost for generation of DC power and for heat dissipation tolerated. Also fell because of low commodity and energy prices the high material requirement up to 10 kg NiFe so far at the costs not in the weight.
Von Letzterem ausgehend und unter Berücksichtigung des eingangs genannten Standes der Technik ist es Aufgabe der Erfindung, ein vereinfachtes Verfahren zur Messung hoher Ströme bei hoher Störunterdrückung anzugeben und einen zugehörigen Hochstromsensor zu schaffen.From The latter, taking into account the beginning mentioned prior art, it is an object of the invention, a simplified method for measuring high currents at high Indicate interference suppression and an associated To provide high current sensor.
Die Aufgabe wird bezüglich des Verfahrens durch die Maßnahmen des Patentanspruches 1 und bezüglich der Vorrichtung durch die Merkmale des Patentanspruches 11 gelöst. Weiterbildungen des Verfahrens und der zugehörigen Vorrichtung sind in den jeweils abhängigen Ansprüchen angegeben.The Task will be with respect to the procedure by the measures of claim 1 and with respect to the device the features of claim 11 solved. further developments of the method and the associated device are in the respective dependent claims.
Gegenstand der Erfindung ist es, das Durchflutungsgesetz in geeigneter Weise zur Strommessung zu nutzen und den Strom in Näherung speziell durch eine Diskretisierung mit wenigen einzelnen GMR-/TMR-Magnetfeldelementen mit uniaxialer Anisotropie zu messen. Dabei können derartige Spinvalve-basierte Magnetfeldselemente gruppenweise als Voll- oder als Halbbrücken geschaltet sein. Vorteilhafterweise ergeben sich dadurch beachtliche Verbesserungen insbesondere bezüglich der Störunabhängigkeit von Fremdfeldern und der Temperaturabhängigkeit des neuen erfindungsgemäß beanspruchten Hochstromsensors, wobei Ströme von etwa 400 A bis ca. 10 kA ohne weiteres messbar sind.object The invention is the law of flooding in a suitable manner to use for current measurement and the current in approximation specifically by discretization with a few single GMR / TMR magnetic field elements with uniaxial anisotropy. In this case, such Spinvalve-based magnetic field elements in groups as full or be switched as half bridges. Advantageously result This results in considerable improvements, especially with regard to the interference independence of external fields and the Temperature dependence of the new claimed according to the invention High current sensor, with currents of about 400 A to about 10 can not be measured easily.
Mit der Erfindung werden die Kosten gegenüber vom Stand der Technik bekannten Einrichtungen vermindert, da nur eine begrenzte Anzahl gleicher Spinvalve-basierter Magnetfeldelemente benötigt wird. Insgesamt wird der gesamte Systemaufbau des Hochstromsensors vereinfacht und es ergeben sich auch zusätzliche Vereinfachungen im numerischen Auswertungsverfahren.With the invention, the cost compared to the state of Technology known facilities diminished, since only a limited Number of equal spinvalve-based magnetic field elements needed becomes. Overall, the entire system design of the high current sensor simplified and there are also additional simplifications in the numerical evaluation process.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Figurenbeschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung in Verbindung mit den Patentansprüchen.Further Details and advantages of the invention will become apparent from the following Description of the figures of exemplary embodiments with reference to FIG Drawing in conjunction with the claims.
Es zeigen jeweils in schematischer DarstellungIt each show in a schematic representation
In den Figuren werden gleiche Teile mit gleichen oder sich entsprechenden Bezugszeichen bezeichnet. Die Figuren werden nachfolgend teilweise gemeinsam beschrieben.In The figures will be the same parts with the same or corresponding Reference numeral. The figures will become partial below described together.
Zunächst wird auf allgemeine Grundlagen eingegangen: Es gilt das allgemeine Durchflutungsgesetz: First of all, general principles are discussed: The general Flood Law applies:
Bei
hoher Leitfähigkeit des verwendeten Leitermaterials und
einer Dynamik, die maximal im MHz Bereich liegt, gilt für
die Leiteranordnung der weiter unten im Einzelnen beschriebenen
Damit
gilt in Integraler Form mit Satz von Stokes:
wobei die Symbole
folgende Bedeutung haben:
- J:
- Stromdichte
- D:
- Dielektrische Verschiebungsdichte
- H:
- magnetische Feldstärke
- F:
- Allgemeine Flache
- K:
- Die Fläche F berandete geschlossene Kurve
- n:
- Anzahl der Messpunkte
- Hi T:
- Tangentialkomponente des magnetischen Feldes an die Kurve K
- Δsi:
- exakter oder angenäherter Streckenabschnitt im i-ten Intervall auf der Kurve K
- Ui B:
- Brückenspannung des i-ten MR-Elements im i-ten Intervall auf der Kurve K.
where the symbols have the following meaning:
- J:
- current density
- D:
- Dielectric shift density
- H:
- magnetic field strength
- F:
- General area
- K:
- The surface F bounded closed curve
- n:
- Number of measuring points
- H i T :
- Tangential component of the magnetic field to the curve K
- Δs i :
- exact or approximate stretch in the i-th interval on the curve K
- U i B :
- Bridge voltage of the i-th MR element in the i-th interval on the curve K.
Aus
Gl. (1) und Gl. (2) ergeben sich folgende Schlussfolgerungen: Zur
Strommessung muss entsprechend
Wichtig für die Festlegung der Kurvenform ist insbesondere, dass unter allen erdenklichen Betriebszuständen möglichst alle Sensoren in ihrer sensitiven Richtung immer eine ähnliche magnetische Feldstärke sehen und dass keine punktuelle Übersteuerung von Einzelelementen, d. h. außerhalb ihres linearen Bereiches, z. B. in Sättigung, das Ergebnis verfälscht.Important in particular for determining the curve shape is that as possible under all imaginable operating conditions all sensors are always similar in their sensitive direction see magnetic field strength and that no punctual override of individual elements, d. H. outside of their linear range, z. B. in saturation, the result falsified.
Bei
einer einfachen Zylindersymmetrie eines geraden langgestreckten
Leiters entsprechend
Aus
In
Im
Falle des Leiters
Die Magnetfeld-Elemente sind sog. Spinvalve-basierte Magnetfeldelemente, insbesondere sog. GMRs (Giant Magneto Resistan tance), die sich durch eine hohe Richtungsselektivität der Magnetfeldmessung auszeichnen.The Magnetic field elements are so-called spinvalve-based magnetic field elements, in particular so-called GMRs (Giant Magneto Resistance), which are characterized by characterize a high directional selectivity of the magnetic field measurement.
In
Bei
der in
In
In
In
Aus
Neben
der relativ geringen Zahl notwendiger Einzelsensoren ist die Empfindlichkeit
bezüglich Störfelder von benachbarten Leiterbahnen
durch die richtungsselektive Feldmessung stark herabgesetzt.
In
Aus
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- - DE 2543134 A1 [0002] - DE 2543134 A1 [0002]
- - DD 255214 A1 [0003] - DD 255214 A1 [0003]
- - DE 3517095 [0003] - DE 3517095 [0003]
- - DE 60026952 T2 [0004] - DE 60026952 T2 [0004]
- - DE 602004005750 T2 [0004] - DE 602004005750 T2 [0004]
- - DE 3929452 A1 [0005] - DE 3929452 A1 [0005]
Claims (19)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008030334.8A DE102008030334B4 (en) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | Method for low-interference non-contact measurement of high currents and associated high-current sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008030334.8A DE102008030334B4 (en) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | Method for low-interference non-contact measurement of high currents and associated high-current sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008030334A1 true DE102008030334A1 (en) | 2010-01-07 |
DE102008030334B4 DE102008030334B4 (en) | 2018-02-01 |
Family
ID=41396570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008030334.8A Expired - Fee Related DE102008030334B4 (en) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | Method for low-interference non-contact measurement of high currents and associated high-current sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102008030334B4 (en) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202010008832U1 (en) | 2010-10-19 | 2012-01-20 | Z-Wave Europe Gmbh | Device for detecting the electrical power, in particular the active power and / or the electrical work of a consumer |
EP2827156A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-21 | Yokogawa Electric Corporation | Current sensor |
EP2821798A4 (en) * | 2012-02-28 | 2015-12-02 | Alps Green Devices Co Ltd | Current sensor |
DE102015100924B3 (en) * | 2015-01-22 | 2016-06-02 | Sensitec Gmbh | Magnetic field sensor device for measuring the current through a current-carrying conductor |
US9529060B2 (en) | 2014-01-09 | 2016-12-27 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
US9812637B2 (en) | 2015-06-05 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
EP2546661A4 (en) * | 2010-03-12 | 2017-12-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Current measurement device |
EP3543715A1 (en) * | 2018-03-22 | 2019-09-25 | ABB Schweiz AG | A device for measuring electric current |
US10620279B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-04-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
US11022661B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-06-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
JP2021525358A (en) * | 2018-03-23 | 2021-09-24 | アナログ・ディヴァイシス・インターナショナル・アンリミテッド・カンパニー | Non-contact current measurement using magnetic sensor |
DE102020206528A1 (en) | 2020-05-26 | 2021-12-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Circumferentially evenly distributed magnetic field sensor arrangement for measuring a magnetic field of a conductor of an electric current |
DE102020206527A1 (en) | 2020-05-26 | 2021-12-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Projection distribution of magnetic field sensors for measuring a magnetic field of a conductor of an electric current |
US11719771B1 (en) | 2022-06-02 | 2023-08-08 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2543134A1 (en) | 1975-09-26 | 1977-04-07 | Siemens Ag | HIGH VOLTAGE MAGNETO-OPTIC CURRENT TRANSDUCER |
DE3517095A1 (en) | 1984-05-31 | 1986-01-09 | VEB Meßtechnik Mellenbach Betrieb des Kombinates VEB Elektro-Apparate-Werke Berlin-Treptow "Friedrich Ebert", DDR 6428 Mellenbach-Glasbach | Arrangement in the form of a magnetoresistive transducer for measuring line currents |
DD255214A1 (en) | 1986-12-18 | 1988-03-23 | Inst Prueffeld Elekt | METHOD FOR THE TOOL-FREE MEASUREMENT OF HIGH-ENGINE, IN PARTICULAR IN ELECTRIC ENERGY PLANTS |
DE3929452A1 (en) | 1989-09-05 | 1991-03-07 | Asea Brown Boveri | Potential-less current measurer suitable for monitoring and protection - comprises magnetic field ring sensor with substrate having central opening for current conductor |
DE60026952T2 (en) | 1999-02-17 | 2006-11-30 | Abb Control | current sensor |
DE602004005750T2 (en) | 2003-12-08 | 2007-12-27 | Abb Entrelec | Current sensor with reduced sensitivity to magnetic fields |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4434417A1 (en) * | 1994-09-26 | 1996-03-28 | Lust Antriebstechnik Gmbh | Measuring arrangement for measuring an electrical current |
US7164263B2 (en) * | 2004-01-16 | 2007-01-16 | Fieldmetrics, Inc. | Current sensor |
DE102006021774B4 (en) * | 2005-06-23 | 2014-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Current sensor for galvanically isolated current measurement |
-
2008
- 2008-06-30 DE DE102008030334.8A patent/DE102008030334B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2543134A1 (en) | 1975-09-26 | 1977-04-07 | Siemens Ag | HIGH VOLTAGE MAGNETO-OPTIC CURRENT TRANSDUCER |
DE3517095A1 (en) | 1984-05-31 | 1986-01-09 | VEB Meßtechnik Mellenbach Betrieb des Kombinates VEB Elektro-Apparate-Werke Berlin-Treptow "Friedrich Ebert", DDR 6428 Mellenbach-Glasbach | Arrangement in the form of a magnetoresistive transducer for measuring line currents |
DD255214A1 (en) | 1986-12-18 | 1988-03-23 | Inst Prueffeld Elekt | METHOD FOR THE TOOL-FREE MEASUREMENT OF HIGH-ENGINE, IN PARTICULAR IN ELECTRIC ENERGY PLANTS |
DE3929452A1 (en) | 1989-09-05 | 1991-03-07 | Asea Brown Boveri | Potential-less current measurer suitable for monitoring and protection - comprises magnetic field ring sensor with substrate having central opening for current conductor |
DE60026952T2 (en) | 1999-02-17 | 2006-11-30 | Abb Control | current sensor |
DE602004005750T2 (en) | 2003-12-08 | 2007-12-27 | Abb Entrelec | Current sensor with reduced sensitivity to magnetic fields |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2546661A4 (en) * | 2010-03-12 | 2017-12-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Current measurement device |
DE202010008832U1 (en) | 2010-10-19 | 2012-01-20 | Z-Wave Europe Gmbh | Device for detecting the electrical power, in particular the active power and / or the electrical work of a consumer |
EP2821798A4 (en) * | 2012-02-28 | 2015-12-02 | Alps Green Devices Co Ltd | Current sensor |
EP2827156A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-21 | Yokogawa Electric Corporation | Current sensor |
US9922673B2 (en) | 2014-01-09 | 2018-03-20 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
US9529060B2 (en) | 2014-01-09 | 2016-12-27 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
US9804234B2 (en) | 2014-01-09 | 2017-10-31 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with an improved seed layer to promote an improved response to magnetic fields |
US10347277B2 (en) | 2014-01-09 | 2019-07-09 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
DE102015100924B3 (en) * | 2015-01-22 | 2016-06-02 | Sensitec Gmbh | Magnetic field sensor device for measuring the current through a current-carrying conductor |
US9812637B2 (en) | 2015-06-05 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields |
US11002807B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-05-11 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
US11022661B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-06-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
US10620279B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-04-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistance element with increased operational range |
EP3543715A1 (en) * | 2018-03-22 | 2019-09-25 | ABB Schweiz AG | A device for measuring electric current |
CN110297119A (en) * | 2018-03-22 | 2019-10-01 | Abb瑞士股份有限公司 | For measuring the device of electric current |
CN110297119B (en) * | 2018-03-22 | 2023-11-17 | Abb瑞士股份有限公司 | device for measuring current |
JP2021525358A (en) * | 2018-03-23 | 2021-09-24 | アナログ・ディヴァイシス・インターナショナル・アンリミテッド・カンパニー | Non-contact current measurement using magnetic sensor |
JP7170741B2 (en) | 2018-03-23 | 2022-11-14 | アナログ・ディヴァイシス・インターナショナル・アンリミテッド・カンパニー | Contactless current measurement using magnetic sensors |
DE102020206528A1 (en) | 2020-05-26 | 2021-12-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Circumferentially evenly distributed magnetic field sensor arrangement for measuring a magnetic field of a conductor of an electric current |
DE102020206527A1 (en) | 2020-05-26 | 2021-12-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Projection distribution of magnetic field sensors for measuring a magnetic field of a conductor of an electric current |
US11719771B1 (en) | 2022-06-02 | 2023-08-08 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008030334B4 (en) | 2018-02-01 |
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