DE102008016074B4 - Light-emitting semiconductor device with transparent multi-layer electrodes - Google Patents

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Abstract

Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) mit:
einem Substrat (11, 21);
einer Halbleiterepitaxieschicht (12, 22) auf dem Substrat (11, 21), mit einer von diesem entfernten Außenfläche;
einer ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) auf der Außenfläche der Halbleiterepitaxieschicht (12, 22), mit einer ersten Oberfläche;
einer zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) auf der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301), und mit einer zweiten Oberfläche; und
einer ersten Verbindung (14, 24) auf der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) mit einer dritten Oberfläche;
wobei die Fläche der zweiten Oberfläche kleiner als die der ersten Oberfläche ist und von den optischen und elektrischen Eigenschaften der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) mindestens eine verschieden von denen der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) ist; und
wobei die Fläche der zweiten Oberfläche größer ist als die der dritten Oberfläche,
wobei eine Dicke der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) kleiner als eine Oberflächenrauigkeit der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) ist.

Figure DE102008016074B4_0000
Light-emitting semiconductor component (10, 20) with:
a substrate (11, 21);
a semiconductor epitaxial layer (12, 22) on the substrate (11, 21) having an outer surface remote therefrom;
a first transparent conductive layer (1301, 2301) on the outer surface of the semiconductor epitaxial layer (12, 22), having a first surface;
a second transparent conductive layer (1302, 2302) on the first transparent conductive layer (1301, 2301), and having a second surface; and
a first connection (14, 24) on the second transparent conductive layer (1302, 2302) having a third surface;
wherein the area of the second surface is smaller than that of the first surface and at least one of the optical and electrical properties of the second transparent conductive layer (1302, 2302) is different from those of the first transparent conductive layer (1301, 2301); and
the area of the second surface being greater than that of the third surface,
wherein a thickness of the second transparent conductive layer (1302, 2302) is smaller than a surface roughness of the first transparent conductive layer (1301, 2301).
Figure DE102008016074B4_0000

Description

Technisches Gebiettechnical field

Die Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Bauteil, genauer gesagt, ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil mit transparenten Mehrschichtelektroden.The invention relates to a light-emitting device, more specifically to a semiconductor light-emitting device having transparent multilayer electrodes.

Beschreibung der hintergrundbildenden TechnikDescription of the background art

Beim Konzipieren der Struktur einer Leuchtdiode (LED) bestand ein wichtiger Punkt darin, den Strom von einem Bondkontaktfleck zu einem pn-Übergang gleichmäßig zu verteilen, um eine bessere Lichtemissionseffizienz zu erzielen. Die bekannten Technologien, wie eine Halbleiterfensterschicht, ein transparenter, leitender Oxidfilm sowie eine strukturierte Elektrode, werden bereits dazu genutzt, die Stromausbreitungsfunktion zu fördern.When designing the structure of a light emitting diode (LED), an important point was to evenly distribute the current from a bonding pad to a pn junction to achieve better light emission efficiency. The well-known technologies, such as a semiconductor window layer, a transparent conductive oxide film and a patterned electrode, are already being used to promote the current spreading function.

Bei einer LED der AlGaInP-Reihe wird im Allgemeinen eine GaP-Fensterschicht verwendet. GaP zeigt eine Energiebandlücke (Eg) von 2,26 eV, und es ist für rotes, oranges, gelbes Licht sowie einen Teil des Spektrums grünen Lichts transparent, und es handelt sich um einen Halbleiter mit indirekter Bandlücke, der weniger Licht als ein Halbleiter mit direkter Bandlücke absorbiert. Eine GaP-Schicht ausreichender Dicke, wie von 2 µm - 39 µm, zeigt ein akzeptierbares Stromverteilvermögen, und je dicker die GaP-Fensterschicht ist, desto besser ist das erzielbare Stromverteilvermögen. Jedoch erfordert es viel Zeit, eine dickere Fensterschicht zu züchten und der Durchsatz ist verringert.In an AlGaInP series LED, a GaP window layer is generally used. GaP exhibits an energy band gap (Eg) of 2.26 eV and is transparent to red, orange, yellow light and part of the green light spectrum, and is an indirect band gap semiconductor that emits less light than a direct band gap absorbed. A GaP layer of sufficient thickness, such as from 2 µm - 39 µm, exhibits acceptable current handling capability, and the thicker the GaP window layer, the better the current handling capability that can be achieved. However, it takes much time to grow a thicker window layer and throughput is reduced.

Es werden auch transparente, leitende Oxide, wie ITO, CTO und InO dazu verwendet, das Stromverteilvermögen zu verbessern. Beispielsweise zeigt ITO im Wellenlängenbereich von 500 nm - 800 nm ein Transmissionsvermögen von 90 %, bei einem spezifischen Widerstand von 3 × 10-9 Ω·cm und einem Flächenwiderstand von 10 Ω/□. Allgemein gesagt, kann ein Chip geringer Größe mit einer ITO-Schicht von 0,1 um ~ 1 µm ein akzeptierbares Ergebnis bei der Stromverteilung liefern. Die erforderliche Dicke kann unter Verwendung eines bekannten Herstellverfahrens, wie Sputtern oder Elektronenstrahlverdampfung, innerhalb kurzer Zeit erzeugt werden. Jedoch zeigt ITO ebenfalls einen Mangel bei den Stromverteilerfordernissen, wenn die Fläche des Chips einer Leuchtdiode erhöht wird (beispielsweise Chipgröße ≥ 381 um × 381µm), sowie bei der Entwicklung eines rechteckigen Chips.Transparent conductive oxides such as ITO, CTO and InO are also used to improve current handling capability. For example, ITO shows a transmittance of 90% in the wavelength range from 500 nm to 800 nm, with a specific resistance of 3×10 -9 Ω·cm and a surface resistance of 10 Ω/□. Generally speaking, a small-sized chip with an ITO layer of 0.1 µm ~ 1 µm can provide an acceptable current distribution result. The required thickness can be produced in a short time using a known manufacturing method such as sputtering or electron beam evaporation. However, ITO also shows a lack of power distribution requirements when the area of a light emitting diode chip is increased (e.g. chip size ≥ 381 µm × 381 µm) as well as in the development of a rectangular chip.

Eine strukturierte Elektrode bildet einen anderen Weg, der häufig dazu verwendet wird, das Stromverteilvermögen anzuheben. Bei diesem Verfahren wird, um den Strom von der strukturierten Elektrode zum pn-Übergang gleichmäßig zu verteilen, die Elektrode so ausgebildet, dass sie sich von einer Verbindungsleitung aus nach außen erstreckt, es werden p- und n-Elektroden verkämmt, oder sie werden als Punkte, Gitter oder mit anderen Mustern ausgebildet. Um eine strukturierte Elektrode herzustellen, wird häufig eine Zusatzmenge an Elektrodenmaterial benötigt, um eine größere Fläche der Oberseite der Leuchtdiode zu bedecken. Darüber hinaus ist das bei der strukturierten Elektrode verwendete Material im Allgemeinen ein undurchsichtiges Metall, und demgemäß ist das Lichtemissionsvermögen stark beeinträchtigt.A patterned electrode is another route that is often used to increase current handling capability. In this method, in order to evenly distribute the current from the patterned electrode to the pn junction, the electrode is formed so as to extend outward from a connection line, p and n electrodes are intertwined, or they are formed as Dots, grids or formed with other patterns. In order to produce a structured electrode, an additional amount of electrode material is often required in order to cover a larger area of the top side of the light-emitting diode. In addition, the material used in the patterned electrode is generally an opaque metal, and accordingly the light emissivity is greatly deteriorated.

In der US 2005 / 0 212 002 A1 wird ein lichtemittierender Halbleiter mit verbesserter Effizienz beim Aussenden von Licht beschrieben. Dieser Halbleiter umfasst eine erste leitfähige Halbleiterschicht, eine lichtemittierende Schicht und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht, die in dieser Reihenfolge aufeinander angeordnet sind, wobei Elektroden mit der ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschicht verbunden sind. Die Elektrode, die mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht verbunden ist, umfasst eine untere leitfähige Oxidschicht, eine darauf angeordnete obere leitfähige Oxidschicht und eine darauf angeordnete Metallschicht. Die obere und die untere leitfähige Oxidschicht umfassen ein Oxid, das mindestens ein Element enthält, das aus der Gruppe aus Zink (Zn), Indium (In), Zinn (Sn) und Magnesium (Mg) ausgewählt ist.In the U.S. 2005/0 212 002 A1 a light-emitting semiconductor with improved efficiency in emitting light is described. This semiconductor includes a first conductive semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second conductive semiconductor layer stacked in this order, with electrodes connected to the first and second conductive semiconductor layers. The electrode connected to the second conductive semiconductor layer includes a lower conductive oxide layer, an upper conductive oxide layer disposed thereon, and a metal layer disposed thereon. The upper and lower conductive oxide layers comprise an oxide containing at least one element selected from the group consisting of zinc (Zn), indium (In), tin (Sn), and magnesium (Mg).

In der US 2005 / 0 167 681 A1 sind eine Elektrodenschicht, eine lichtemittierende Vorrichtung mit der Elektrodenschicht und ein Verfahren zur Bildung der Elektrodenschicht beschrieben. Die Elektrodenschicht umfasst eine erste Elektrodenschicht und eine zweite Elektrodenschicht, die übereinander angeordnet sind. Die erste Elektrodenschicht wird aus Indiumoxid gebildet, das durch ein additives Element zugesetzt wird. Außerdem enthält das additive Element mindestens ein Element, das aus der Gruppe bestehend aus Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr und La ausgewählt ist.In the U.S. 2005/0 167 681 A1 describes an electrode layer, a light-emitting device having the electrode layer, and a method of forming the electrode layer. The electrode layer comprises a first electrode layer and a second electrode layer which are arranged one on top of the other. The first electrode layer is formed of indium oxide added by an additive element. In addition, the additive element contains at least one element selected from the group consisting of Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn , Hg, Pr and La is selected.

In der JP 2005 - 322 913 A ist ein optoelektronisches Bauelement beschrieben. In diesem optoelektronischen Bauelement sind eine erste Stromdiffusionsschicht und eine zweite Stromdiffusionsschicht, die an die Halbleiterschicht eines Halbleiterschichtfeldes angrenzen, zwischen dem Halbleiterschichtfeld und seinen Anschlusskontakten angeordnet.In the JP 2005 - 322 913 A an optoelectronic component is described. In this optoelectronic component, a first current diffusion layer and a second current diffusion layer, which adjoin the semiconductor layer of a semiconductor layer array, are arranged between the semiconductor layer array and its connection contacts.

Dokument KR 10 2006 0 089 569 A betrifft insbesondere eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung aus III-Nitrid mit einer Halbleiterschicht aus SiaCbNc und einem lichtemittierenden Element wie SiC, SiN, SiCN, CN.document KR 10 2006 0 089 569 A More particularly, relates to a III-nitride semiconductor light-emitting device having a semiconductor layer of Si a C b N c and a light-emitting element such as SiC, SiN, SiCN, CN.

Die US 2006 / 0 054 921 A1 beschreibt eine lichtemittierende Diode. Diese besteht aus einer p-aktiven AlGalnP Schicht, einer p-leitenden GaAs-Kontaktschicht für die transparente Elektrode und einer transparenten ITO-Elektrode, wobei die Ladungsträgerkonzentration der p-Typ-GaAs-Kontaktschicht auf 1,0 × 1019 cm-3 festgelegt wurde. Dokument JP 2005 - 123 489 A beschreibt ein lichtemittierendes Nitrid-Halbleiterelement mit Nitrid-Halbleitern eines ersten und eines zweiten Leitfähigkeitstyps und mit lichtemittierenden Elektroden, die mit mindestens einem der Nitrid-Halbleiter des ersten und zweiten Leitfähigkeitstyps elektrisch verbunden sind.The U.S. 2006/0 054 921 A1 describes a light emitting diode. This consists of a p-active AlGaInP layer, a p-type GaAs contact layer for the transparent electrode and a transparent ITO electrode, with the carrier concentration of the p-type GaAs contact layer being fixed at 1.0×1019 cm -3 . document JP 2005 - 123 489 A describes a nitride semiconductor light-emitting element having first and second conductivity type nitride semiconductors and having light-emitting electrodes electrically connected to at least one of the first and second conductivity type nitride semiconductors.

Zusammenfassung der OffenbarungSummary of Revelation

Durch diese Anmeldung soll ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil geschaffen werden, das einen Strom so verteilen kann, dass die Lichtemissionseffizienz erhöht ist (technische Aufgabe) .This application aims to create a light-emitting semiconductor device that can distribute a current in such a way that the light-emitting efficiency is increased (technical problem).

Diese Aufgabe wird durch ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil mit den Merkmalen des Hauptanspruchs gelöst.This object is achieved by a light-emitting semiconductor component having the features of the main claim.

Figurenlistecharacter list

  • 1A zeigt einen Querschnitt durch eine Leuchtdiode gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. 1A shows a cross section through a light-emitting diode according to an embodiment of the invention.
  • 1B zeigt eine Draufsicht der Leuchtdiode der 1A. 1B shows a top view of the light-emitting diode of FIG 1A .
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch eine Leuchtdiode gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung. 2 shows a cross section through a light-emitting diode according to another embodiment of the invention.
  • 3A und 3B veranschaulichen Layouts der transparenten, leitenden Schicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. 3A and 3B 12 illustrate layouts of the transparent conductive layer according to an embodiment of the invention.
  • 4A und 4B veranschaulichen Layouts der transparenten, leitenden Schicht gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung. 4A and 4B 12 illustrate layouts of the transparent conductive layer according to another embodiment of the invention.
  • 5 veranschaulicht ein Layout der transparenten, leitenden Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. 5 12 illustrates a layout of the transparent conductive layer according to another embodiment of the invention.

Detaillierte Beschreibung bevorzugter AusführungsformenDetailed description of preferred embodiments

Die Ausführungsformen der Erfindung werden an Hand von Zeichnungen beschrieben. Der in dieser Beschreibung verwendete Begriff „Schicht“ soll eine Einzelschicht oder zwei oder mehr Schichten mit denselben oder verschiedenen Zusammensetzungsmaterialien bedeuten. Die Schichten können direkt oder indirekt verbunden sein.The embodiments of the invention are described with reference to drawings. The term "layer" as used in this specification is intended to mean a single layer or two or more layers of the same or different composition materials. The layers can be connected directly or indirectly.

Erste AusführungsformFirst embodiment

Wie es in der 1A dargestellt ist, verfügt das Licht emittierende Halbleiterbauteil 10 über eine Elektrode 15, ein Substrat 11, eine Halbleiterepitaxieschicht 12, eine erste transparente, leitende Schicht 1301, eine zweite transparente, leitende Schicht 1302 und eine Verbindung 14. Die Halbleiterepitaxieschicht 12 verfügt zumindest über eine Halbleiterschicht 1201 von einem ersten Typ, eine Halbleiterschicht 1203 von einem zweiten Typ sowie eine Lichtemissionsschicht 1202 zwischen diesen. Die Halbleiterschicht 1201 vom ersten Typ und die Halbleiterschicht 1203 vom zweiten Typ zeigen verschiedene Leitfähigkeiten, wobei diese beispielsweise aus mindestens zweien betreffend den p-, den n- und den i-Typ ausgewählt sind. Bei einer Doppelheterostruktur (DH) sind die Energiebandlücken der Halbleiterschicht 1201 vom ersten Typ und der Halbleiterschicht 1203 vom zweiten Typ größer als die der Lichtemissionsschicht 1202. Wenn an die Halbleiterepitaxieschicht 12 eine Vorspannung angelegt wird, rekombinieren Elektronen und Löcher im Bereich der Lichtemissionsschicht und/oder deren Nähe, und dann wird Licht abgestrahlt.Like it in the 1A As shown, the semiconductor light-emitting device 10 has an electrode 15, a substrate 11, a semiconductor epitaxial layer 12, a first transparent conductive layer 1301, a second transparent conductive layer 1302 and an interconnection 14. The semiconductor epitaxial layer 12 has at least one semiconductor layer 1201 of a first type, a semiconductor layer 1203 of a second type, and a light-emitting layer 1202 between them. The first-type semiconductor layer 1201 and the second-type semiconductor layer 1203 show different conductivities, for example, these are selected from at least two of p-type, n-type and i-type. In a double heterostructure (DH), the energy band gaps of the first-type semiconductor layer 1201 and the second-type semiconductor layer 1203 are larger than those of the light-emitting layer 1202. When a bias is applied to the semiconductor epitaxial layer 12, electrons and holes recombine in the region of the light-emitting layer and/or their proximity, and then light is emitted.

Bei der Erfindung werden die erste transparente, leitende Schicht 1301 und die zweite transparente, leitende Schicht 1302 aufeinanderfolgend auf der Halbleiterepitaxieschicht 12 hergestellt. Die erste transparente, leitende Schicht 1301 bedeckt die gesamte Oberfläche der Halbleiterepitaxieschicht 12, oder einen Teil derselben. Die zweite transparente, leitende Schicht 1302 bedeckt einen Teil der Oberfläche der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301, d.h., dass die zweite transparente, leitende Schicht 1302 kleiner als die erste transparente, leitende Schicht 1301 ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind nur zwei Schichten dargestellt, jedoch kann in einer nichterfindungsgemäßen beispielhaften Ausführungsform eine transparente, leitende Schicht mit mehr als zwei Flächenverkleinerungsschichten ausgebildet sein.In the invention, the first transparent conductive layer 1301 and the second transparent conductive layer 1302 are sequentially formed on the semiconductor epitaxial layer 12. FIG. The first transparent conductive layer 1301 covers the entire surface of the semiconductor epitaxial layer 12, or a part thereof. The second transparent conductive layer 1302 covers part of the surface of the first transparent conductive layer 1301, that is, the second transparent conductive layer 1302 is smaller than the first transparent conductive layer 1301. In the present embodiment, only two layers are shown, but in an exemplary embodiment not in accordance with the present invention, a transparent conductive layer may be formed with more than two area reduction layers.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform bestehen die erste transparente, leitende Schicht 1301 und die zweite transparente, leitende Schicht 1302 aus demselben Material, jedoch mit verschiedenen elektrischen und/oder optischen Eigenschaften, oder die Zusammensetzungen oder Anteile von Elementen in den Materialien können voneinander verschieden sein, weswegen der spezifische Widerstand und das Transmissionsvermögen der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 größer sind als diejenigen der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302.In a preferred embodiment, the first transparent conductive layer 1301 and the second transparent conductive layer 1302 are made of the same material but with different electrical and/or optical properties, or the compositions or proportions of elements in the materials may be different from each other, so the resistivity and transmittance of the first transparent conductive layer 1301 are greater than those of the second transparent conductive layer 1302.

Die zweite transparente, leitende Schicht 1302 verfügt über einen effektiven spezifischen Widerstand, der dazu ausreicht, einen Strom zur darunterliegenden ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 mit größerer Fläche zu verteilen. Der Flächenwiderstand oder der spezifische Widerstand der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 ist größer als der der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302. Eine Funktion der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 besteht darin, dafür zu sorgen, dass Strom bei einem geeigneten Transmissionsbereich zur entfernten Verbindung 14 fließt. Unter dieser Voraussetzung können die Materialzusammensetzung, die Dicke und das Layout der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 an die Erfordernisse angepasst werden.The second transparent conductive layer 1302 has an effective resistivity sufficient to carry a current to the to distribute underlying first transparent conductive layer 1301 with a larger area. The sheet resistance or resistivity of the first transparent conductive layer 1301 is greater than that of the second transparent conductive layer 1302. A function of the second transparent conductive layer 1302 is to allow current to flow at an appropriate transmission range to the remote connection 14 flows. With this in mind, the material composition, thickness and layout of the second transparent conductive layer 1302 can be adjusted as required.

Strom fließt durch die Verbindung 14 in die zweite transparente, leitende Schicht 1302, und dann fließt er durch diese in die erste transparente, leitende Schicht 1301, und anschließend fließt er durch diese in die Halbleiterepitaxieschicht 12. Durch die Kombination der zwei transparenten, leitenden Schichten kann der Strom nach außen fließen, und der Stromstaueffekt ist weiter gelindert. Aufgrund einer vollständigen fotoelektrischen Wandlung in der Lichtemissionsschicht 1202 kann ein effizienter Lichtemissionsbereich erzielt werden.Current flows through the interconnection 14 into the second transparent conductive layer 1302, and then flows through it into the first transparent conductive layer 1301, and then flows through it into the semiconductor epitaxial layer 12. By the combination of the two transparent conductive layers the current can flow to the outside, and the current congestion effect is further alleviated. Due to complete photoelectric conversion in the light emitting layer 1202, an efficient light emitting area can be obtained.

Die 1B zeigt eine Draufsicht des Licht emittierenden Halbleiterbauteils 10 der 1A. In der Zeichnung sind die Flächen der Verbindung 14, der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 und der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 zunehmend vergrößert. Bei einer geeigneten Ausbildung der Dicke, des Flächenwiderstands und/oder des spezifischen Widerstands fließt Strom von der Verbindung 14 allmählich nach außen und unten, und er wird in die Lichtemissionsschicht 1202 verteilt.The 1B FIG. 12 shows a plan view of the semiconductor light-emitting device 10 of FIG 1A . In the drawing, the areas of the interconnection 14, the first transparent conductive layer 1301 and the second transparent conductive layer 1302 are progressively increased. With proper design of thickness, sheet resistance, and/or resistivity, current gradually flows outward and downward from interconnection 14 and is distributed into light-emitting layer 1202 .

Bei einer Ausführungsform bestehen sowohl die erste transparente, leitende Schicht 1301 als auch die zweite transparente, leitende Schicht 1302 aus ITO, während sich die Anteile mindestens eines der Elemente In, 0 und Sn in den zwei Schichten auf verschiedenen Werten befinden, oder die zwei ITO-Schichten werden unter verschiedenen Prozessbedingungen hergestellt, wobei beispielsweise die erste transparente, leitende Schicht 1301 durch Sputtern hergestellt wird und die zweite transparente, leitende Schicht 1302 durch Elektronenstrahlverdampfen hergestellt wird, oder umgekehrt. Vorzugsweise wird die erste transparente, leitende Schicht 1301 durch ITO mit einem höheren Transmissionsvermögen, wie über 90 %, 80 %, 70 % oder 60 %, hergestellt, und die zweite transparente, leitende Schicht 1302 wird durch ITO mit einem geringeren Transmissionsvermögen, wie unter 50 %, und einem kleineren spezifischen Widerstand hergestellt. Unter dieser Bedingung kann ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil mit geeignetem optischem und elektrischem Funktionsvermögen (wie den Werten des Transmissionsvermögens und des spezifischen Widerstands) erhalten werden.In one embodiment, both the first transparent conductive layer 1301 and the second transparent conductive layer 1302 are made of ITO, while the proportions of at least one of the elements In, O and Sn are at different values in the two layers, or the two ITO -layers are fabricated under different process conditions, for example the first transparent conductive layer 1301 is fabricated by sputtering and the second transparent conductive layer 1302 is fabricated by e-beam evaporation, or vice versa. Preferably, the first transparent conductive layer 1301 is made by ITO with a higher transmittance, such as above 90%, 80%, 70%, or 60%, and the second transparent conductive layer 1302 is made by ITO with a lower transmittance, such as below 50%, and a smaller specific resistance. Under this condition, a semiconductor light-emitting device having appropriate optical and electrical performances (such as transmittance and resistivity values) can be obtained.

Bei einer Ausführungsform können die erste transparente, leitende Schicht 1301 und die zweite transparente, leitende Schicht 1302 auch aus ITO bzw. einem Metall wie Ni/Au oder Au hergestellt werden. Es ist besser, wenn das Metall eine Dicke zwischen 0,005 µm - 0,2 um aufweist, um eine Unterstützung sowohl für das Transmissionsvermögen als auch den spezifischen Widerstand auf geeignete Werte zu liefern. Bei der erfindungsgemä-ßen Ausführungsform ist die Dicke der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 kleiner als die Oberflächenrauigkeit der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301. Jedoch kann bei nicht erfindungsgemäßen Ausführungsformen die Dicke der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 innerhalb der Herstelltoleranz größer als die Oberflächenrauigkeit der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 sein. Das dünne Metall zeigt einen kleineren spezifischen Widerstand als ITO, weswegen es dazu beitragen kann, den Strom innerhalb der ITO-Schicht zu verteilen, und es blendet eine kleinere Lichtmenge aus.In an embodiment, the first transparent conductive layer 1301 and the second transparent conductive layer 1302 can also be made of ITO or a metal such as Ni/Au or Au. It is better if the metal has a thickness between 0.005 µm - 0.2 µm to provide support for both transmittance and resistivity to suitable values. In the embodiment according to the invention, the thickness of the second transparent conductive layer 1302 is smaller than the surface roughness of the first transparent conductive layer 1301. However, in embodiments not according to the invention, the thickness of the second transparent conductive layer 1302 can be greater than the surface roughness within the manufacturing tolerance of the first transparent conductive layer 1301. The thin metal exhibits a lower resistivity than ITO, so it can help distribute current within the ITO layer and block out a smaller amount of light.

Bei einer Ausführungsform ist betreffend die erste transparente, leitende Schicht 1301 und die zweite transparente, leitende Schicht 1302 ein Teil oder die Gesamtheit mindestens einer dieser Schichten transparent oder verfügt über ein Transmissionsvermögen für Licht von der Lichtemissionsschicht 1202 von 50 % oder mehr, wobei die erste transparente, leitende Schicht 1301 ein höheres Transmissionsvermögen als die zweite transparente, leitende Schicht 1302 aufweist. Eine einzelne transparente, leitende Schicht kann auch aus zwei oder mehr Abschnitten mit verschiedenen Transmissionsvermögen bestehen. Die zweite transparente, leitende Schicht 1302 verfügt über einen niedrigeren spezifischen Widerstand, um ein besseres Stromaufteilvermögen zu erzielen, und sie sollte so wenig wie möglich Licht von der Lichtemissionsschicht 1202 absorbieren. Bei einer anderen nichterfindungsgemäßen beispielhaften Ausführungsform ist die Dicke der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301, die ein höheres Transmissionsvermögen aufweist, größer als die der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302, die einen niedrigeren spezifischen Widerstand zeigt. Jedoch ist das Beispiel nicht auf die oben genannten Fälle beschränkt; die Dickenausbildung der zwei transparenten, leitenden Schichten hängt von der Charakteristik des verwendeten Materials ab.In one embodiment, regarding the first transparent conductive layer 1301 and the second transparent conductive layer 1302, a part or all of at least one of these layers is transparent or has a transmittance of light from the light-emitting layer 1202 of 50% or more, the first transparent conductive layer 1301 has a higher transmittance than second transparent conductive layer 1302. A single transparent conductive layer can also consist of two or more sections with different transmittances. The second transparent conductive layer 1302 has a lower resistivity to achieve better current handling ability and should absorb light from the light emitting layer 1202 as little as possible. In another exemplary embodiment not according to the present invention, the thickness of the first transparent conductive layer 1301, which has higher transmittance, is greater than that of the second transparent conductive layer 1302, which exhibits lower resistivity. However, the example is not limited to the above cases; the thickness of the two transparent conductive layers depends on the characteristics of the material used.

Bei den vorigen Ausführungsformen enthält das Material des Substrats 1, ohne Einschränkung hierauf, SiC, GaAs, AlGaAs, GaAsP, ZnSe, III-Nitrid (z.B. GaN), Saphir, Si und Glas. Die Materialien der Halbleiterschicht 1201 vom ersten Typ und der Halbleiterschicht 1203 vom zweiten Typ enthalten, ohne Einschränkung hierauf, die AlGaInP-Reihe und die Reihe von III-Nitriden. Die Struktur der Lichtemissionsschicht 1202 ist, ohne Einschränkung hierauf, eine einfache Heterostruktur (SH), eine Doppelheterostruktur (DH), eine zweiseitige Doppelheterostruktur (DDH), ein Einzelquantentrog (SQW) oder ein Mehrfachquantentrog (MQW).In the foregoing embodiments, the material of the substrate 1 includes, but is not limited to, SiC, GaAs, AlGaAs, GaAsP, ZnSe, III-nitride (eg, GaN), sapphire, Si, and glass. The materials of the semiconductor layer 1201 of the first type and the semi Second-type conductor layer 1203 includes, but is not limited to, AlGaInP series and III-nitride series. The structure of the light-emitting layer 1202 is, without limitation, a simple heterostructure (SH), a double heterostructure (DH), a bilateral double heterostructure (DDH), a single quantum well (SQW), or a multiple quantum well (MQW).

Das Material der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 enthält, ohne Einschränkung hierauf, ITO, IZO, ZnO, CTO, In2O3, SnO2, MgO, CdO und andere transparente Oxide. Das Material der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 enthält, ohne Einschränkung hierauf, ITO, IZO, ZnO, CTO, In2O3, SnO2, MgO, CdO und andere transparente Oxide. Das Material der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 enthält, ohne Einschränkung hierauf, Au, Ni, Ti, In, Pt, Al, Cr, Rh, Ir, Co, Zr, Hf, V, Nb, eine Legierung oder eine Schichtfolge der oben genannten Materialien sowie ein anderes Metall mit akzeptierbaren optischen und elektrischen Eigenschaften.The material of the first transparent conductive layer 1301 includes, but is not limited to, ITO, IZO, ZnO, CTO, In 2 O 3 , SnO 2 , MgO, CdO, and other transparent oxides. The material of the second transparent conductive layer 1302 includes, but is not limited to, ITO, IZO, ZnO, CTO, In 2 O 3 , SnO 2 , MgO, CdO, and other transparent oxides. The material of the second transparent conductive layer 1302 includes, but is not limited to, Au, Ni, Ti, In, Pt, Al, Cr, Rh, Ir, Co, Zr, Hf, V, Nb, an alloy, or a stack of the above mentioned materials and another metal with acceptable optical and electrical properties.

Zweite AusführungsformSecond embodiment

Gemäß der 2 verfügt das Licht emittierende Halbleiterbauteil 20 gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung über ein Substrat 21, eine Halbleiterepitaxieschicht 22, eine erste transparente, leitende Schicht 2301, eine zweite transparente, leitende Schicht 2302, eine erste Verbindung 24 und eine zweite Verbindung 25, wobei die erste und die zweite Verbindung auf derselben Seite des Substrats 21 positioniert sind. Die Halbleiterepitaxieschicht 22 enthält mindestens eine Halbleiterschicht 2201 von einem ersten Typ, eine Halbleiterschicht 2203 von einem zweiten Typ sowie eine Lichtemissionsschicht 2202 zwischen der Halbleiterschicht 2201 vom ersten Typ und der Halbleiterschicht 2203 vom zweiten Typ.According to the 2 according to another embodiment of the invention, the semiconductor light-emitting device 20 has a substrate 21, a semiconductor epitaxial layer 22, a first transparent conductive layer 2301, a second transparent conductive layer 2302, a first connection 24 and a second connection 25, the first and the second connection are positioned on the same side of the substrate 21 . The semiconductor epitaxial layer 22 includes at least a first-type semiconductor layer 2201 , a second-type semiconductor layer 2203 , and a light-emitting layer 2202 between the first-type semiconductor layer 2201 and the second-type semiconductor layer 2203 .

Bei dieser Ausführungsform fließt ein von der ersten Verbindung 24 injizierter Strom als Erstes in die zweite transparente, leitende Schicht 2302 und dann durch diese in die erste transparente, leitende Schicht 2303, und er fließt weiter durch diese in die Halbleiterepitaxieschicht 22. Mit der Kombination der zwei transparenten, leitenden Schichten kann Strom nach außen flie-ßen, und die Lichtemissionseffizienz ist erhöht.In this embodiment, a current injected from the first interconnection 24 first flows into the second transparent conductive layer 2302 and then through it into the first transparent conductive layer 2303, and further flows through it into the semiconductor epitaxial layer 22. With the combination of two transparent conductive layers, current can flow to the outside, and the light emission efficiency is increased.

Bei dieser Ausführungsform kann betreffend die im Licht emittierenden Halbleiterbauteil 20 verwendeten Materialien um die Beziehung zwischen der ersten transparenten, leitenden Schicht 2301 und der zweiten transparenten, leitenden Schicht 2302 auf die Beschreibung zur ersten Ausführungsform Bezug genommen werden. Ferner können auch hinsichtlich der zweiten Verbindung 25 und der Halbleiterschicht 2201 vom ersten Typ Strukturen und Designprinzipien eingeführt werden, die denen betreffend die erste transparente, leitende Schicht 2301 und die zweite transparente, leitende Schicht 2302 ähnlich sind, um das Stromverteilvermögen zu verbessern.In this embodiment, regarding the materials used in the semiconductor light-emitting device 20 around the relationship between the first transparent conductive layer 2301 and the second transparent conductive layer 2302, the description of the first embodiment can be referred to. Further, also with respect to the second interconnection 25 and the first-type semiconductor layer 2201, structures and design principles similar to those concerning the first transparent conductive layer 2301 and the second transparent conductive layer 2302 can be adopted to improve the current handling ability.

Die erste und die zweite transparente, leitende Schicht können die folgenden Modifizierungen aufweisen.The first and second transparent conductive layers may have the following modifications.

Dritte AusführungsformThird embodiment

Die 3A und 3B zeigen Draufsichten der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 und der zweiten transparenten, leitenden Schicht 1302 des Licht emittierenden Halbleiterbauteils 10. Bei diesen zweiten Ansichten ist die zweite transparente, leitende Schicht 1302 auf der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 ausgebildet, und sie verfügt über eine Fläche, die kleiner als die der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 ist.The 3A and 3B 13 show plan views of the first transparent conductive layer 1301 and the second transparent conductive layer 1302 of the semiconductor light-emitting device 10. In these second views, the second transparent conductive layer 1302 is formed on the first transparent conductive layer 1301 and has a Area smaller than that of the first transparent conductive layer 1301.

Bei der vorliegenden Ausführungsform verfügt die zweite transparente, leitende Schicht 1302 über ein Umgebungssegment 1304 und ein Kreuzsegment 1303. Wie es in der 3A dargestellt ist, verfügt das Umgebungssegment 1304 über zwei kreisförmige Segmente, die die Verbindung 14 umgeben. Das Kreuzsegment 1303 erstreckt sich ausgehend von der Verbindung 14 nach außen und schneidet das erste kreisförmige Segment nahe der Verbindung 14. Diese Segmente sind elektrisch miteinander verbunden, jedoch besteht keine Einschränkung auf eine körperliche Verbindung. Der Strom von der Verbindung 14 fließt durch das Kreuzsegment 1303 und wird dann nach außen in das erste und das zweite kreisförmige Segment aufgeweitet. Der Strom wird weiter in entferntere Bereiche aufgeweitet, nachdem er die zwei kreisförmigen Segmente durchlaufen hat.In the present embodiment, the second transparent conductive layer 1302 has a surrounding segment 1304 and a cross segment 1303. As shown in FIG 3A As shown, the surrounding segment 1304 has two circular segments surrounding the connection 14 . Cross segment 1303 extends outwardly from junction 14 and intersects the first circular segment near junction 14. These segments are electrically connected together, but are not limited to a physical connection. The current from junction 14 flows through the cross segment 1303 and is then flared out into the first and second circular segments. The stream widens further into more distant areas after traversing the two circular segments.

Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht für das Umgebungssegment 1304 und das Kreuzsegment 1303 keine Einschränkung auf die in der Beschreibung beschriebene oder in den Zeichnungen dargestellte Größe. Das Umgebungssegment kann durch Segmente mit Vieleckformen ersetzt werden, wie dreieckig, viereckig, fünfeckig und sechseckig. Wie es in der 3B dargestellt ist, verfügt das Umgebungssegment 1304 über zwei Vierecke. Das Kreuzsegment 1303 kann das Umgebungssegment 1304 schneiden, was jedoch nicht der Fall sein muss. Das Umgebungssegment 1304 kann mit Radialsymmetrie oder zweiseitiger Symmetrie in Bezug auf die Verbindung 14 angeordnet sein. Die Verbindung 14 kann sich auch an jeder beliebigen Position des Umgebungssegments 1304 befinden.In the present embodiment, the surrounding segment 1304 and the cross segment 1303 are not limited to the size described in the specification or shown in the drawings. The surrounding segment can be replaced with segments having polygon shapes such as triangular, square, pentagonal and hexagonal. Like it in the 3B As shown, the surrounding segment 1304 has two quadrilaterals. Cross segment 1303 may intersect surrounding segment 1304, but need not. Surrounding segment 1304 may be arranged with radial symmetry or bilateral symmetry with respect to link 14 . The connection 14 can also be located at any position of the surrounding segment 1304 .

Das Kreuzsegment und das Umgebungssegment müssen über eine vorbestimmte Breite verfügen, um den Strom zu verteilen und nicht zu viel Licht zu absorbieren. Die Breiten des Umgebungssegments 1304 und des Kreuzsegments 1303 betragen jeweils zwischen 0,1 µm und 50 um, vorzugsweise weniger als 20 um. Die Dicken der zwei Segmente hängen von den verwendeten Materialien ab. Bei metallischem Material beträgt die Dicke zwischen 0,001 µm und 1 um, vorzugsweise zwischen 0,005 µm und 0,05 µm, um ein geeignetes Transmissionsvermögen aufrecht zu erhalten. Bei einem transparenten Oxid, z.B. ITO, kann das Segment dicker sein.The cross segment and the surrounding segment must have a predetermined width in order to spread the current and not absorb too much light. The widths of the surrounding segment 1304 and the cross segment 1303 are each between 0.1 µm and 50 µm, preferably less than 20 µm. The thicknesses of the two segments depend on the materials used. For metallic material, the thickness is between 0.001 µm and 1 µm, preferably between 0.005 µm and 0.05 µm in order to maintain suitable transmittance. With a transparent oxide, eg ITO, the segment can be thicker.

Die vorliegende Ausführungsform ist nur durch das Licht emittierende Halbleiterbauteil 10 in der 1A veranschaulicht, ohne dass hierauf eine Einschränkung bestünde. Die oben genannten Anordnungen der transparenten, leitenden Schicht können bei der ersten transparenten, leitenden Schicht 1301 und/oder der zweiten transparenten, leitenden Schicht 2302 des in der 2 dargestellten Licht emittierenden Halbleiterbauteils verwendet werden.The present embodiment is illustrated only by the semiconductor light-emitting device 10 in FIG 1A illustrated without being limited thereto. The above-mentioned arrangements of the transparent conductive layer can be applied to the first transparent conductive layer 1301 and/or the second transparent conductive layer 2302 in FIG 2 illustrated light-emitting semiconductor device can be used.

Vierte AusführungsformFourth embodiment

Wie es in der 4A dargestellt ist, sind auf der ersten transparenten, leitenden Schicht 2301 zwei Stromverteilsegmente 2302a und 2302b positioniert, die sich jeweils in Richtung der zweiten Verbindung 25 nach außen ausgehend von der ersten Verbindung 24 erstrecken. In der Zeichnung sind die Stromverteilsegmente 2302a und 2302b als Kurve, ähnlich einer U-Form, ausgebildet. Jedoch können die Stromverteilsegmente 2302a und 2302b auch als gerade Linie, als Kurve oder als Kombination hiervon ausgebildet sein. Die Stromverteilsegmente 2302a und 2302b liegen vorzugsweise nahe an der Grenze der ersten transparenten, leitenden Schicht 2301, um Strom in einen weiteren Bereich zu verteilen.Like it in the 4A 1, two power spreading segments 2302a and 2302b are positioned on the first transparent conductive layer 2301, each extending outward toward the second interconnection 25 from the first interconnection 24. FIG. In the drawing, the current distribution segments 2302a and 2302b are formed in a curve similar to a U-shape. However, the flow distribution segments 2302a and 2302b may be formed as a straight line, a curve, or a combination thereof. The power spreading segments 2302a and 2302b are preferably close to the boundary of the first transparent conductive layer 2301 to spread power to a wider area.

Die zweite Verbindung 25 befindet sich an der Bodenfläche eines Grabens 26. Die Bodenfläche des Grabens 26 und die erste Verbindung 24 befinden sich jeweils an entgegengesetzten Seiten der Lichtemissionsschicht 2202, um einen elektrischen Pfad zu bilden. Der Graben 26 wird durch Ätzen ausgehend von irgendeiner Position der Halbleiterepitaxieschicht so hergestellt, dass die Tiefe der Lichtemissionsschicht überschritten wird. Der Ätzprozess wird durch chemisches oder physikalisches Ätzen ausgeführt.The second interconnection 25 is on the bottom surface of a trench 26. The bottom surface of the trench 26 and the first interconnection 24 are respectively on opposite sides of the light-emitting layer 2202 to form an electrical path. The trench 26 is formed by etching from any position of the semiconductor epitaxial layer so as to exceed the depth of the light emitting layer. The etching process is performed by chemical or physical etching.

In der 4B ist eine Modifizierung der vorliegenden Ausführungsform dargestellt. Der Graben 25 erstreckt sich in der Richtung der ersten Verbindung 24. Im Graben 26 ist ein Verlängerungssegment 2501 ausgebildet, das sich von der zweiten Verbindung 25 in der Richtung der ersten Verbindung 24 erstreckt. Die Anordnung der Stromverteilsegmente 2302a und 2302b ist in der 4A dargestellt. Der Strom kann durch die Unterstützung des Stromverteilsegments 2501 gleichmäßig in den Bereich zwischen der ersten 24 und der zweiten Verbindung 25 verteilt werden, und demgemäß werden mehrere aktive Lichtemissionszonen eingeführt, und die Lichtemissionseffizienz ist verbessert.In the 4B 1 shows a modification of the present embodiment. The trench 25 extends in the direction of the first connection 24. In the trench 26, an extension segment 2501 extending from the second connection 25 in the direction of the first connection 24 is formed. The arrangement of the power distribution segments 2302a and 2302b is shown in FIG 4A shown. The current can be evenly distributed in the area between the first 24 and the second connection 25 by the support of the current distribution segment 2501, and accordingly, multiple light-emitting active zones are introduced, and the light-emitting efficiency is improved.

Bei der vorliegenden Ausführungsform hängt die Bedeckungsfläche des Segments von der Größe des Licht emittierenden Halbleiterbauteils ab. Der Abstand zwischen den am engsten benachbarten Einzelsegmenten beträgt zwischen 1 µm und 500 µm. Die Segmentdicke beträgt zwischen 0,1 um und 50 µm. Die Dicke des Metallsegments beträgt zwischen 0,001 µm und 1 µm, vorzugsweise zwischen 0,005 µm und 0,05 um; die Dicke des ITO-Segments ist größer, z.B. 0,6 um oder mehr.In the present embodiment, the coverage area of the segment depends on the size of the semiconductor light-emitting device. The distance between the most closely adjacent individual segments is between 1 μm and 500 μm. The segment thickness is between 0.1 µm and 50 µm. The thickness of the metal segment is between 0.001 µm and 1 µm, preferably between 0.005 µm and 0.05 µm; the thickness of the ITO segment is larger, e.g., 0.6 µm or more.

Fünfte AusführungsformFifth embodiment

Wie es in der 5 dargestellt ist, befindet sich das Stromverteilsegment 2302 auf der ersten transparenten, leitenden Schicht 2301, und es erstreckt sich ausgehend von der ersten Verbindung 24 in der Richtung der zweiten Verbindung 25. In der Zeichnung ist das Stromverteilsegment als gerade Linie dargestellt, jedoch kann hier auch eine Kurve, eine Zickzackform oder eine Kombination hiervon verwendet werden. Genauer gesagt, liegt, von oben gesehen, das Licht emittierende Halbleiterbauteil mit einer Rechteckform mit einem Verhältnis der Länge zur Breite von 1,1 - 3, vorzugsweise über 1,5, vor. Betreffend die detaillierte Beschreibung des Grabens 26 kann auf die oben genannten Ausführungsformen Bezug genommen werden.Like it in the 5 As shown, the current spreading segment 2302 is on the first transparent conductive layer 2301 and extends from the first connection 24 in the direction of the second connection 25. In the drawing, the current spreading segment is shown as a straight line, but it can also be used here a curve, a zigzag shape or a combination thereof can be used. More specifically, when viewed from above, the semiconductor light-emitting device is in a rectangular shape having a length-to-width ratio of 1.1 - 3, preferably over 1.5. Regarding the detailed description of the trench 26, reference can be made to the above-mentioned embodiments.

Claims (18)

Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) mit: einem Substrat (11, 21); einer Halbleiterepitaxieschicht (12, 22) auf dem Substrat (11, 21), mit einer von diesem entfernten Außenfläche; einer ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) auf der Außenfläche der Halbleiterepitaxieschicht (12, 22), mit einer ersten Oberfläche; einer zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) auf der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301), und mit einer zweiten Oberfläche; und einer ersten Verbindung (14, 24) auf der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) mit einer dritten Oberfläche; wobei die Fläche der zweiten Oberfläche kleiner als die der ersten Oberfläche ist und von den optischen und elektrischen Eigenschaften der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) mindestens eine verschieden von denen der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) ist; und wobei die Fläche der zweiten Oberfläche größer ist als die der dritten Oberfläche, wobei eine Dicke der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) kleiner als eine Oberflächenrauigkeit der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) ist.A semiconductor light emitting device (10, 20) comprising: a substrate (11, 21); a semiconductor epitaxial layer (12, 22) on the substrate (11, 21) having an outer surface remote therefrom; a first transparent conductive layer (1301, 2301) on the outer surface of the semiconductor epitaxial layer (12, 22), having a first surface; a second transparent conductive layer (1302, 2302) on the first transparent conductive layer (1301, 2301), and having a second surface; and a first connection (14, 24) on the second transparent conductive layer (1302, 2302) having a third surface; the area of the second surface being less than that of the first surface and of the optical and electrical properties of the second transparent conductive layer (1302, 2302) is at least one different from those of the first transparent conductive layer (1301, 2301); and wherein the area of the second surface is larger than that of the third surface, wherein a thickness of the second transparent conductive layer (1302, 2302) is smaller than a surface roughness of the first transparent conductive layer (1301, 2301). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die erste transparente, leitende Schicht (1301, 2301) die gesamte Fläche der Außenfläche der Halbleiterepitaxieschicht (12, 22) überlappt.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the first transparent conductive layer (1301, 2301) overlaps the entire area of the outer surface of the semiconductor epitaxial layer (12, 22). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die erste transparente, leitende Schicht (1301, 2301) ein größeres Transmissionsvermögen für von der Halbleiterepitaxieschicht (12, 22) emittiertes Licht als die zweite transparente, leitende Schicht (1302, 2302) aufweist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the first transparent conductive layer (1301, 2301) has a higher transmittance for light emitted from the semiconductor epitaxial layer (12, 22) than the second transparent conductive layer (1302, 2302). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die Leitfähigkeit der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) kleiner als die der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) ist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the conductivity of the first transparent conductive layer (1301, 2301) is smaller than that of the second transparent conductive layer (1302, 2302). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die Dicke der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) größer als die der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) ist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the thickness of the first transparent conductive layer (1301, 2301) is larger than that of the second transparent conductive layer (1302, 2302). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die zweite transparente, leitende Schicht (1302, 2302) mehrere elektrisch verbundene Segmente (1303, 1304) aufweist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the second transparent conductive layer (1302, 2302) comprises a plurality of electrically connected segments (1303, 1304). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, ferner mit: einem Graben (26), der von einer Oberfläche der Halbleiterepitaxieschicht (12, 22) zu einer Bodenfläche eingesenkt ist, um einen Teil zumindest einer Schicht der Halbleiterepitaxieschicht (12, 22) freizulegen, wobei er sich von einer ersten Seite derselben zur entgegengesetzten zweiten Seite erstreckt; und einer zweiten Verbindung (25) auf dem Graben (26).Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 , further comprising: a trench (26) sunk from a surface of said semiconductor epitaxial layer (12, 22) to a bottom surface to expose a portion of at least one layer of said semiconductor epitaxial layer (12, 22) extending from a first side thereof extends to the opposite second side; and a second connection (25) on the trench (26). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 7, ferner mit einem Verlängerungssegment (2501), das von der zweiten Verbindung (25) nach außen übersteht.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 7 , further comprising an extension segment (2501) projecting outwardly from the second connection (25). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 7, bei dem betreffend die erste transparente, leitende Schicht (1301, 2301) und die zweite transparente, leitende Schicht (1302, 2302) mindestens eine den Graben (26) umgibt.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 7 , in which at least one of the first transparent, conductive layer (1301, 2301) and the second transparent, conductive layer (1302, 2302) surrounds the trench (26). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die Halbleiterepitaxieschicht (12, 22) Folgendes aufweist: eine Halbleiterschicht (1201, 2201) von einem ersten Typ; eine Halbleiterschicht (1203, 2203) von einem zweiten Typ und eine Lichtemissionsschicht (1202, 2202) zwischen der Halbleiterschicht (1201, 2201) vom ersten Typ und der Halbleiterschicht (1203, 2203) vom zweiten Typ.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the semiconductor epitaxial layer (12, 22) comprises: a semiconductor layer (1201, 2201) of a first type; a second type semiconductor layer (1203, 2203); and a light emitting layer (1202, 2202) between the first type semiconductor layer (1201, 2201) and the second type semiconductor layer (1203, 2203). Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem ein Material der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) aus der aus ITO, IZO, ZnO, CTO, In2O3, SnO2, MgO und CdO bestehenden Gruppe ausgewählt ist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein a material of the first transparent conductive layer (1301, 2301) is selected from the group consisting of ITO, IZO, ZnO, CTO, In 2 O 3 , SnO 2 , MgO and CdO. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem ein Material der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) aus der aus ITO, IZO, ZnO, CTO, In2O3, SnO2, MgO und CdO bestehenden Gruppe ausgewählt ist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein a material of the second transparent conductive layer (1302, 2302) is selected from the group consisting of ITO, IZO, ZnO, CTO, In 2 O 3 , SnO 2 , MgO and CdO. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem ein Material der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) aus der aus Al, Au, Cr, In, Ir, Ni, Pd, Pt, Rh, Sn, Ti, Zr, Hf, V, NB und einer Legierung oder einer Schichtfolge der oben genannten Materialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein a material of the second transparent conductive layer (1302, 2302) selected from the group consisting of Al, Au, Cr, In, Ir, Ni, Pd, Pt, Rh, Sn, Ti, Zr, Hf, V, NB and one Alloy or a layer sequence of the above materials group is selected. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem das Flächenverhältnis der zweiten Oberfläche der zweiten transparenten, leitenden Schicht (1302, 2302) zur ersten Oberfläche der ersten transparenten, leitenden Schicht (1301, 2301) nicht größer als ½ ist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the area ratio of the second surface of the second transparent conductive layer (1302, 2302) to the first surface of the first transparent conductive layer (1301, 2301) is not more than ½. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die zweite transparente, leitende Schicht (1302, 2302) eine Metallschicht oder eine Metallschichtfolge ist und sie eine Dicke von 0,001 µm ~ 1 µm aufweist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 , wherein the second transparent conductive layer (1302, 2302) is a metal layer or a stack of metal layers and has a thickness of 0.001 µm ~ 1 µm. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die zweite transparente, leitende Schicht (1302, 2302) ein Segment (1303, 1304) mit einer Breite nicht über 50 µm aufweist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the second transparent conductive layer (1302, 2302) has a segment (1303, 1304) with a width of not more than 50 µm. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die erste transparente, leitende Schicht (1301, 2301) und die zweite transparente, leitende Schicht (1302, 2302) dasselbe Hauptmaterial enthalten.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 wherein the first transparent conductive layer (1301, 2301) and the second transparent conductive layer (1302, 2302) contain the same main material. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, bei dem die Fläche des Licht emittierenden Halbleiterbauteils (10, 20) nicht kleiner als 381 µm × 381 µm ist. 19. Licht emittierendes Halbleiterbauteil (10, 20) nach Anspruch 1, das eine rechteckige Form aufweist.Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 , in which the area of the light-emitting semiconductor device (10, 20) is not smaller than 381 µm × 381 µm. 19. Light-emitting semiconductor component (10, 20). claim 1 , which is rectangular in shape.
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