DE102007062053A1 - Apparatus for detecting heat radiation with a pyroelectric detector array, method of making and using the apparatus - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001931 thermography Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGLFSNZWRYADFC-UHFFFAOYSA-N chembl2334586 Chemical compound C1CCC2=CN=C(N)N=C2C2=C1NC1=CC=C(C#CC(C)(O)C)C=C12 DGLFSNZWRYADFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung mit einem Substrat mit eineäche angeordneten pyroelektrischen Detektorelement in Dünnschichtbauweise mit einer der Substratoberfläche zugewandten unteren Elektrodenschicht, einer der Substratoberfläche abgewandten oberen Elektrodenschicht und einer zwischen den Elektrodenschichten angeordneten pyroelektrisch aktiven Schicht, mindestens einem auf der Substratoberfläche neben dem pyroelektrischen Detektorelement angeordneten weiteren pyroelektrischen Detektorelement in Dünnschichtbauweise mit einer der Substratoberfläche zugewandten weiteren unteren Elektrodenschicht, einer der Substratoberfläche abgewandten weiteren oberen Elektrodenschicht und einer zwischen den weiteren Elektrodenschichten angeordneten weiteren pyroelektrisch aktiven Schicht, wobei die unteren Elektrodenschichten der Detektorelemente elektrisch voneinander isoliert sind und die pyroelektrisch aktiven Schichten der Detektorelemente von einer zusammenhängenden Keramikschicht gebildet sind. Daneben wird ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer Substratoberfläche, b) Anordnen der unteren Elektrodenschicht und Anordnen der weiteren unteren Elektrodenschicht auf der Substratoberfläche, so dass die unteren Elektrodenschichten elektrisch voneinander isoliert sind, c) ...The invention relates to a device for detecting thermal radiation with a substrate having a pyroelectric detector element arranged in a thin layer construction with a lower electrode layer facing the substrate surface, an upper electrode layer facing away from the substrate surface and a pyroelectric active layer disposed between the electrode layers, at least one on the substrate surface next to the pyroelectric detector element arranged further pyroelectric detector element in thin layer construction with a substrate surface facing further lower electrode layer, a substrate surface remote from the further upper electrode layer and disposed between the further electrode layers further pyroelectric active layer, wherein the lower electrode layers of the detector elements are electrically isolated from each other and the pyroelectric active Layers of the detector elements of egg ner contiguous ceramic layer are formed. In addition, a method for producing the device for detecting thermal radiation is specified with the following method steps: a) providing a substrate with a substrate surface, b) arranging the lower electrode layer and arranging the further lower electrode layer on the substrate surface so that the lower electrode layers are electrically insulated from one another are, c) ...
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung. Neben der Vorrichtung werden ein Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung und eine Verwendung der Vorrichtung angegeben.The The invention relates to a device for detecting heat radiation. In addition to the device, a method for producing the device and a use of the device specified.
Eine
Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung ist beispielsweise
aus
Das pyroelektrische Detektorelement ist auf einer Substratoberfläche eines Substrats (Detektorelement-Träger) aus Silizium aufgebracht. Zwischen dem Detektorelement und dem Substrat ist eine Isolationsschicht zur elektrischen und thermischen Isolierung des Detektorelements und des Substrats voneinander angeordnet. Die Isolationsschicht verfügt dabei über einen evakuierten Hohlraum, der sich über eine Grundfläche des Detektorelements hinweg erstreckt, eine Stützschicht des Hohlraums und eine Abdeckung der Stützschicht und des Hohlraums. Die Stützschicht besteht aus Polysilizium. Die Abdeckung ist aus einem Bor-Phosphor-Silikat-Glas (BPSG). Zum Auslesen, Verarbeiten und/oder Weiterleiten eines aufgrund von Wärmestrahlung vom Detektorelement erzeugten elektrischen Signals ist im Substrat ein Ausleseschaltkreis integriert. Der Ausleseschaltkreis ist durch die CMOS (Complementary Metalloxide Semiconductors)-Technik realisiert.The pyroelectric detector element is on a substrate surface of a substrate (detector element carrier) made of silicon. Between the detector element and the substrate is an insulating layer for the electrical and thermal insulation of the detector element and the substrate from each other. The insulation layer has an evacuated cavity, extending over a base of the detector element extends, a supporting layer of the cavity and a cover the support layer and the cavity. The support layer consists of polysilicon. The cover is made of Boron Phosphorus Silicate Glass (BPSG). For reading, processing and / or forwarding a due to Heat radiation generated by the detector element electrical Signal is integrated in the substrate a readout circuit. The readout circuit is through the CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) technique realized.
Eine
damit vergleichbare Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung
ist aus der
Bei den bekannten Vorrichtungen kann eine Vielzahl von Detektorelementen vorhanden sein (Detektorelement-Array). Um eine möglichst hohe örtliche Auflösung zu erhalten, werden die Detektorelemente möglichst nah aneinander angeordnet. Je näher aber die Detektorelemente aneinander angeordnet sind, desto höher ist die Wahrscheinlichkeit für ein thermisches „Übersprechen". Die erwünschte hohe Auflösung geht verloren. Daher sind die Detektorelemente thermisch komplett voneinander getrennt. Dies ist im Herstellverfahren sehr aufwändig, da die Detektorelemente separat aufgebaut werden müssen. Alternativ dazu werden die Detektorelemente nach dem Herstellen der Schichten voneinander separiert.at The known devices can be a plurality of detector elements be present (detector element array). To one as possible To obtain high spatial resolution, the Detector elements arranged as close to each other. ever closer but the detector elements are arranged together, the higher the probability for one thermal "crosstalk." The desired high Resolution is lost. Therefore, the detector elements thermally completely separated. This is in the manufacturing process very complex, since the detector elements are constructed separately Need to become. Alternatively, the detector elements become separated from each other after making the layers.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine kompakte Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung anzugeben, die im Vergleich zum Stand der Technik leicht herstellbar ist.task The invention is a compact device for the detection of Specify thermal radiation, compared to the state of Technology is easy to produce.
Zur Lösung der Aufgabe wird eine Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung mit einem Substrat mit einer Substratoberfläche, einem auf der Substratoberfläche angeordneten pyroelektrischen Detektorelement in Dünnschichtbauweise mit einer der Substratoberfläche zugewandten unteren Elektrodenschicht, einer der Substratoberfläche abgewandten oberen Elektrodenschicht und einer zwischen den Elektrodenschichten angeordneten pyroelektrisch aktiven Schicht, mindestens einem auf der Substratoberfläche neben dem pyroelektrischem Detektorelement angeordneten weiteren pyroelektrischem Detektorelement in Dünnschichtbauweise mit einer der Substratoberfläche zugewandten weiteren unteren Elektrodenschicht, einer der Substratoberfläche abgewandten weiteren oberen Elektrodenschicht und einer zwischen den weiteren Elektrodenschichten angeordneten weiteren pyroelektrisch aktiven Schicht angegeben, wobei die unteren Elektrodenschichten der Detektorelemente elektrisch von einander isoliert sind und die pyroelektrisch aktiven Schichten der Detektorelemente von einer zusammenhängenden Keramikschicht gebildet sind.to Solution of the problem is a device for detection thermal radiation with a substrate having a substrate surface, a pyroelectric detector element arranged on the substrate surface in thin-film construction with one of the substrate surface facing lower electrode layer, one of the substrate surface remote upper electrode layer and one between the electrode layers arranged pyroelectric active layer, at least one on the substrate surface arranged next to the pyroelectric detector element another pyroelectric detector element in thin-film construction with a lower surface facing the substrate surface Electrode layer, facing away from the substrate surface another upper electrode layer and one between the other Electrode layers arranged further pyroelectric active layer indicated, wherein the lower electrode layers of the detector elements are electrically isolated from each other and the pyroelectric active layers the detector elements of a continuous ceramic layer are formed.
Zur Lösung der Aufgabe wird auch ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung mit folgenden Verfahrensschritten angegeben:
- a) Bereitstellen eines Substrats mit einer Substratoberfläche,
- b) Anordnen der unteren Elektrodenschicht und Anordnen der weiteren unteren Elektrodenschicht auf der Substratoberfläche, so dass die unteren Elektrodenschichten elektrisch voneinander isoliert sind,
- c) Anordnen der zusammenhängenden Keramikschicht auf den unteren Elektrodenschichten und
- d) Anordnen der oberen Elektrodenschichten auf der Keramikschicht.
- a) providing a substrate having a substrate surface,
- b) arranging the lower electrode layer and arranging the further lower electrode layer on the substrate surface so that the lower electrode layers are electrically insulated from each other,
- c) arranging the continuous ceramic layer on the lower electrode layers and
- d) arranging the upper electrode layers on the ceramic layer.
Vorzugsweise wird zum Anordnen der unteren Elektrodenschichten, der Keramikschicht und/oder der oberen Elektrodenschicht ein Gasphasenabscheide-Verfahren durchgeführt wird. Das Gasphasenabscheide-Verfahren ist insbesondere aus der Gruppe PVD (Physical Vapour Deposition) und/oder CVD (Chemical Vapour Deposition) ausgewählt. Als PVD-Verfahren kommt beispielsweise ein Bedampfungsverfahren oder Sputtern in Frage. Für die unteren Elektrodenschichten wird beispielsweise zunächst eine zusammenhängende Metallschicht abgeschieden. Zur Trennung der unteren Elektrodenschichten werden anschließend Gräben in die zusammenhängende Metallschicht eingebracht.Preferably, for disposing the lower electrode layers, the ceramic layer and / or the upper electrode layer, a vapor deposition method is performed. The gas phase deposition method is particularly selected from the group PVD (Physical Vapor Deposition) and / or CVD (Chemical Vapor Deposition). As a PVD method, for example, a sputtering or sputtering in question. For example, a coherent metal layer is first deposited for the lower electrode layers. In order to separate the lower electrode layers, trenches are subsequently introduced into the continuous metal layer.
Die zu detektierende Wärmestrahlung weist eine Wellenlänge von über 1 μm auf. Vorzugsweise ist die Wellenlänge aus dem Bereich von 5 bis 15 μm ausgewählt. Das pyroelektrische Detektorelement besteht aus einer pyroelektrischen Schicht mit einem pyroelektrisch sensitiven Material und beidseitig angebrachten Elektrodenschichten. Das pyroelektrisch sensitive Material ist beispielsweise eine Keramik wie Lithiumniobat (LiNbO3). Vorzugsweise ist das pyroelektrisch sensitive Material Blei-Zirkonat-Titanat mit Perowskit-Struktur. Als Elektrodenmaterial der Elektrodenschichten kommt beispielsweise Platin oder eine Platinlegierung in Frage. Das Detektorelement und/oder das weitere Detektorelement verfügen beispielsweise über eine rechteckige Grundfläche mit einer Kantenlänge von 10 μm bis 200 μm. Niedrigere Kantenlängen, beispielsweise 5 μm oder auch höhere Kantenlängen von bis zu 400 μm sind ebenfalls denkbar. Ein Element-Mittenabstand (Pitch) beträgt 20 μm bis 400 μm. Größere Abstände sind auch denkbar. Dabei kann eine Vielzahl von pyroelektrischen Detektorelementen auf der Substratoberfläche nebeneinander angeordnet sein.The heat radiation to be detected has a wavelength of more than 1 μm. Preferably, the wavelength is selected in the range of 5 to 15 μm. The pyroelectric detector element consists of a pyroelectric layer with a pyroelectric sensitive material and electrode layers attached on both sides. The pyroelectric sensitive material is, for example, a ceramic such as lithium niobate (LiNbO 3 ). Preferably, the pyroelectric sensitive material is lead zirconate titanate having a perovskite structure. As electrode material of the electrode layers, for example, platinum or a platinum alloy in question. The detector element and / or the further detector element have, for example, a rectangular base area with an edge length of 10 μm to 200 μm. Lower edge lengths, for example 5 μm or even higher edge lengths of up to 400 μm are also conceivable. An element pitch is 20 μm to 400 μm. Greater distances are also conceivable. In this case, a multiplicity of pyroelectric detector elements can be arranged next to one another on the substrate surface.
Die grundlegende Idee der Erfindung besteht darin, von einer strukturierten unteren Elektrodenschicht auszugehen. Auf die strukturierte untere Elektrodenschicht wird die zusammenhängende Keramikschicht aufgebracht. Abschließend werden die oberen Elektrodenschichten aufgetragen. Aufgrund der der Strukturierung der unteren Elektrodenschicht werden separat ansteuerbare, pyroelektrische Detektorelemente erhalten. Die Keramikschicht wird nach dem ihrem Auftragen nicht strukturiert. Eine sich daraus ergebende (geringe) thermische Kopplung der resultierenden Detektorelemente über die Keramikschicht hinweg wird in Kauf genommen. Da die Keramikschicht im Nachgang nicht bearbeitet werden muss, beispielsweise durch Erzeugen von Gräben, vereinfacht sich das Herstellverfahren drastisch.The basic idea of the invention is that of a structured lower electrode layer go out. On the structured lower electrode layer the continuous ceramic layer is applied. Finally the upper electrode layers are applied. Due to the the structuring of the lower electrode layer become separate controllable, pyroelectric detector elements obtained. The ceramic layer is not structured after its application. A result resulting (low) thermal coupling of the resulting detector elements via the ceramic layer is accepted. Because the ceramic layer subsequently does not need to be edited, for example by generating of trenches, the manufacturing process simplifies drastically.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung ist das Substrat ein Siliziumsubstrat, auf dem eine Membran aufgebracht ist, die die Substratoberfläche bildet, auf der die Detektorelemente angeordnet sind. Die Membran besteht aus einer Membranschicht oder aus mehreren Membranschichten. Dabei kann eine Vielzahl von anorganischen oder organischen Materialien eingesetzt werden.According to one special embodiment, the substrate is a silicon substrate, on which a membrane is applied, which is the substrate surface forms, on which the detector elements are arranged. The membrane consists of a membrane layer or of several membrane layers. It can be a variety of inorganic or organic materials be used.
Beispielsweise ist die Membranschicht aus Siliziumdioxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (Si3N4). Der besondere Vorteil an Schichten aus diesen Materialien liegt in der elektrischen und thermischen Isolationswirkung der Materialien. Diese Materialien fungieren als elektrischer und thermischer Isolator.For example, the membrane layer is made of silicon dioxide (SiO 2 ) or silicon nitride (Si 3 N 4 ). The particular advantage of layers of these materials lies in the electrical and thermal insulation effect of the materials. These materials act as electrical and thermal insulators.
Die oberen Elektrodenschichten sind wegen einer möglichst niedrigen Wärmekapazität vorzugweise dünn. In einer besonderen Ausgestaltung weisen daher die oberen Elektrodenschichten eine Schichtdicke aus dem Bereich von 2 nm bis 10 nm auf. Größere Schichtdicken sind ebenfalls denkbar.The Upper electrode layers are because of the lowest possible Heat capacity preferably thin. In a special embodiment therefore have the upper electrode layers a layer thickness in the range of 2 nm to 10 nm. larger Layer thicknesses are also conceivable.
Die oberen Elektrodenschichten können elektrisch voneinander isoliert sein. Im Zusammenhang mit kleinen Schichtdicken ist ein Separieren der oberen Elektrodenschichten nicht sehr aufwändig. Denkbar ist aber auch, dass die oberen Elektrodenschichten nicht elektrisch voneinander isoliert, also elektrisch miteinander verbunden sind. In einer besonderen Ausgestaltung sind daher die oberen Elektrodenschichten von einer zusammenhängenden Metallschicht gebildet. Insbesondere bei den oben angegebenen kleinen Schichtdicken findet kaum eine thermische Kopplung zwischen den Detektorelementen statt. Da die untere Elektrodenschicht und die weitere untere Elektrodenschicht elektrisch voneinander isoliert sind, werden trotz der zusammenhängenden Metallschicht für die oberen Elektrodenschichten unabhängig voneinander über die unteren Elektrodenschichten ansteuerbare Detektorelemente erhalten.The Upper electrode layers can be electrically separated from each other be isolated. In connection with small layer thicknesses is a Separating the upper electrode layers is not very expensive. Conceivable but is also that the upper electrode layers not electrically isolated from each other, that are electrically connected to each other. In a particular embodiment, therefore, the upper electrode layers formed by a continuous metal layer. Especially hardly any is found at the above given small layer thicknesses thermal coupling between the detector elements instead. Because the lower electrode layer and the further lower electrode layer are electrically isolated from each other, despite the related Metal layer for the upper electrode layers independent controllable from each other via the lower electrode layers Detector elements obtained.
Aufgrund der Trennung der unteren Elektrodenschichten findet nahezu keine thermische Kopplung zwischen den Elektrodenschichten statt. Daher können die unteren Elektrodenschichten hinsichtlich des Aufbringens der Keramikschicht optimiert werden und beispielsweise – im Vergleich zu den oberen Elektrodenschichten – relativ dick sein. In einer besonderen Ausgestaltung weisen daher die unteren Elektrodenschichten eine aus dem Bereich von 40 nm bis 100 nm ausgewählte Schichtdicke auf. Größere oder kleinere Schichtdicken sind auch denkbar. Die Schichtdicken der unteren Elektrodenschicht und der weiteren unteren Elektrodenschicht sind bevorzug annähernd gleich. Sie können aber auch unterschiedlich sein.by virtue of The separation of the lower electrode layers is almost nonexistent thermal coupling between the electrode layers instead. Therefore, you can the lower electrode layers with respect to the application of the Ceramic layer can be optimized and, for example - im Comparison to the upper electrode layers - relatively thick be. In a particular embodiment, therefore, the lower electrode layers a layer thickness selected from the range of 40 nm to 100 nm on. Larger or smaller layer thicknesses are also conceivable. The layer thicknesses of the lower electrode layer and the further lower electrode layer are approximate equal. But they can also be different.
In einer besonderen Ausgestaltung weist die untere Elektrodenschicht Platin auf, vorzugsweise Platin mit einer 111-Orientierung bezüglich der Substratoberfläche. Vorzugsweise weist die Keramikschicht PZT auf. Bei passenden Schichtdicken der unteren Elektrodenschichten aus Platin und bei einer passenden Temperierung des Substrats während des Aufbringens auf den Elektrodenschichten bildet sich dann die Keramikschicht bzw. die pyroelektrisch aktive Schicht mit dem pyroelektrisch sensitiven Material. Im Fall von Blei-Zirkonat-Titanat beträgt die Temperatur des Substrats während des Auftragens, beispielsweise durch Sputtern, 450°C bis 600°C.In a particular embodiment, the lower electrode layer comprises platinum, preferably platinum with a 111 orientation with respect to the substrate surface. The ceramic layer preferably has PZT. With suitable layer thicknesses of the lower electrode layers made of platinum and with a suitable temperature control of the substrate during application to the electrode layers, the ceramic layer or the pyroelectrically active layer with the pyroelectric-sensitive Ma then forms TERIAL. In the case of lead zirconate titanate, the temperature of the substrate during application, for example by sputtering, is 450 ° C to 600 ° C.
Generell und insbesondere im Fall des Abscheidens von Blei-Zirkonat-Titanat auf Platin wird während des Anordnens der Keramikschicht das Substrat und die unteren Elektrodenschichten gleichmäßig temperiert, so dass im Substrat und in den unteren Elektrodenschichten im Wesentlichen kein Temperaturgradient auftritt. Das Substrat und die Elektrodenschichten weisen während des Aufbringens im Wesentlichen eine gleiche Temperatur auf. Dabei können Unterschiede von bis zu 2% toleriert werden. Es hat sich gezeigt, dass sich gerade im Fall der Abscheidung des PZTs auf Platin geringe bis gar keine Temperaturunterschiede positiv auf die Bildung des ferroelektrischen und damit pyroelektrisch aktiven PZTs mit Perowskit-Struktur auswirken. Zumindest bildet sich auf den unteren Elektrodenschichten jeweils PZT mit Perowskit-Struktur aus. Zwischen den unteren Elektrodenschichten treten andere Phasen auf, beispielsweise eine nicht ferroelektrische Pyrochlor-Phase. Diese zusätzlichen Phasen bleiben aber weitgehend auf die Zwischenräume zwischen den unteren Elektrodenschichten beschränkt.As a general rule and especially in the case of the deposition of lead zirconate titanate on platinum becomes while placing the ceramic layer the substrate and the lower electrode layers uniform tempered, so that in the substrate and in the lower electrode layers essentially no temperature gradient occurs. The substrate and the electrode layers are facing during application essentially a same temperature. It can Differences of up to 2% can be tolerated. It has shown, that in the case of deposition of the PZT on platinum is low to no temperature differences positive on the formation of the ferroelectric and thus pyroelectrically active PZTs with perovskite structure impact. At least forms on the lower electrode layers, respectively PZT with perovskite structure out. Between the lower electrode layers occur other phases, such as a non-ferroelectric pyrochlore phase. These additional phases remain largely on the Spaces between the lower electrode layers limited.
Zum gleichmäßigen Temperieren wird gemäß einer besonderen Ausgestaltung ein Substrat mit mindestens einer Absorberschicht zur Absorption von Temperier-Wärmestrahlung verwendet, die auf einer der Substratoberfläche abgewandten Seite des Substrats angeordnet und mit dem Substrat Wärme leitend verbunden ist, und zum Temperieren des Substrats die Absorberschicht mit Temperier-Wärmestrahlung bestrahlt wird. Die von der Absorberschicht aufgenommene Wärme wird mittels Wärmeleitung auf das Substrat und damit auf die unteren Elektrodenschichten übertragen. Das Substrat wird gleichmäßig erwärmt. Es tritt nahezu kein Temperaturunterschied auf.To the uniform tempering is according to a special embodiment, a substrate with at least one absorber layer used for the absorption of tempering heat radiation, the on a side facing away from the substrate surface of the substrate and conducting heat with the substrate is connected, and for tempering the substrate, the absorber layer is irradiated with tempering heat radiation. The of the Absorber layer absorbed heat is by means of heat conduction transferred to the substrate and thus to the lower electrode layers. The substrate is heated evenly. There is almost no difference in temperature.
Als Absorber-Material eignen sich Materialien, die die Temperier-Wärmestrahlung sehr gut absorbieren. Hierbei geht es um die Ausbildung einer möglichst homogenen Absorberschicht mit stabiler Absorption. Das Material wird hinsichtlich der Prozessbedingungen ausgewählt. Bei niedrigen Temperaturen und in Abwesenheit von Sauerstoff beim Abscheiden der Keramik könnte beispielsweise Aluminium als Absorber-Metall eingesetzt werden. Im Fall von einer reaktiven Abscheidung von PZT ist aber Sauerstoff zugegen. Darüber hinaus sind Temperaturen von über 400°C notwendig. Unter diesen Bedingungen eignet sich insbesondere Platin. Gemäß einer besonderen Ausgestaltung wird daher eine Absorberschicht mit Platin verwendet.When Absorber material are materials that use the tempering heat radiation absorb very well. This is about the training of a possible homogeneous absorber layer with stable absorption. The material is selected in terms of process conditions. at low temperatures and in the absence of oxygen during deposition For example, the ceramic could be aluminum as an absorber metal be used. In the case of a reactive deposition of PZT but oxygen is present. In addition, temperatures are of over 400 ° C necessary. In these conditions Platinum is particularly suitable. According to a special Embodiment therefore an absorber layer is used with platinum.
Die Absorberschicht kann nach dem Aufbringen der Keramikschicht auf der Substratoberfläche am Substrat verbleiben. Die Absorberschicht wird aber bevorzugt nach dem Aufbringen der Keramikschicht entfernt. Damit ist ausgeschlossen, dass die zu detektierende Wärmestrahlung von der Rückseite des Substrats her über die Absorberschicht eingekoppelt wird.The Absorber layer can after applying the ceramic layer on the substrate surface remain on the substrate. The absorber layer but is preferably removed after the application of the ceramic layer. This excludes that the heat radiation to be detected from the back of the substrate over the absorber layer is coupled.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die Vorrichtung als Bewegungsmelder, als Präsenzmelder und/oder als Wärmebildkamera verwendet. Für die Wärmebildkamera ist die Vorrichtung mit einer Vielzahl von Detektorelementen, beispielsweise 240 × 320 Detektorelemente (QVGA-Standard) und mehr ausgestattet.According to one Another aspect of the invention is the device as a motion detector, as a presence detector and / or as a thermal imaging camera used. For the thermal imager the device is with a plurality of detector elements, for example 240 × 320 Detector elements (QVGA standard) and more equipped.
Zusammenfassend sind folgende Vorteile der Erfindung hervorzuheben:
- – Durch die Bildung der zusammenhängenden Keramikschicht ist das Herstellverfahren erheblich vereinfacht.
- – Die Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung ist kompakt.
- – Eine Übersprechwahrscheinlichkeit zwischen benachbarten Detektorelementen ist gering. Gleichzeitig bleibt aber die Sensitivität (Empfindlichkeit) der einzelnen Detektorelemente erhalten.
- - Due to the formation of the continuous ceramic layer, the manufacturing process is considerably simplified.
- - The device for detecting heat radiation is compact.
- - A crosstalk probability between adjacent detector elements is low. At the same time, however, the sensitivity (sensitivity) of the individual detector elements is maintained.
Anhand eines Ausführungsbeispiels und der dazugehörigen Figuren wird im Folgenden die Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung vorgestellt. Die Figuren sind schematisch und stellen keine maßstabsgetreuen Abbildungen dar.Based an embodiment and the associated Figures will be the device for detecting heat radiation in the following presented. The figures are schematic and not to scale Illustrations
Die
Vorrichtung
Die
Detektorelemente
Die
Membran
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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- - DE 10004216 A1 [0002] - DE 10004216 A1 [0002]
- - DE 19525071 A1 [0004] DE 19525071 A1 [0004]
Claims (14)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE200710062053 DE102007062053B4 (en) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | Method for producing a device for detecting heat radiation |
| PCT/EP2008/010903 WO2009083181A1 (en) | 2007-12-21 | 2008-12-19 | Device for the detection of heat radiation having a pyroelectric detector array, method for the production thereof, and use of the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE200710062053 DE102007062053B4 (en) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | Method for producing a device for detecting heat radiation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102007062053A1 true DE102007062053A1 (en) | 2009-07-02 |
| DE102007062053B4 DE102007062053B4 (en) | 2012-01-19 |
Family
ID=40460037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE200710062053 Expired - Fee Related DE102007062053B4 (en) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | Method for producing a device for detecting heat radiation |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102007062053B4 (en) |
| WO (1) | WO2009083181A1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014003315A1 (en) | 2013-10-17 | 2015-05-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Apparatus and method for converting thermal energy into chemical energy and from chemical energy to electrical energy with chemical storage |
| DE102014003815A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Apparatus and method for energy and material conversion by means of pyroelectric materials for the production of fission products |
| DE102014010885B4 (en) | 2014-07-18 | 2019-12-05 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for converting thermal energy into electrical energy |
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-
2007
- 2007-12-21 DE DE200710062053 patent/DE102007062053B4/en not_active Expired - Fee Related
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2008
- 2008-12-19 WO PCT/EP2008/010903 patent/WO2009083181A1/en active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102007062053B4 (en) | 2012-01-19 |
| WO2009083181A1 (en) | 2009-07-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
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|
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: MEWBURN ELLIS LLP, DE |
|
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