DE102007052663A1 - Micromechanical device, short process for manufacturing MEMS devices - Google Patents

Micromechanical device, short process for manufacturing MEMS devices Download PDF

Info

Publication number
DE102007052663A1
DE102007052663A1 DE200710052663 DE102007052663A DE102007052663A1 DE 102007052663 A1 DE102007052663 A1 DE 102007052663A1 DE 200710052663 DE200710052663 DE 200710052663 DE 102007052663 A DE102007052663 A DE 102007052663A DE 102007052663 A1 DE102007052663 A1 DE 102007052663A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier substrate
trench structure
semiconductor material
method step
formation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200710052663
Other languages
German (de)
Inventor
Axel Grosse
Volker Schmitz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE200710052663 priority Critical patent/DE102007052663A1/en
Priority to PCT/EP2008/063151 priority patent/WO2009059850A2/en
Priority to TW97142304A priority patent/TW200927638A/en
Publication of DE102007052663A1 publication Critical patent/DE102007052663A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/00468—Releasing structures
    • B81C1/00484—Processes for releasing structures not provided for in group B81C1/00476
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/0015—Cantilevers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
    • B81C2201/0176—Chemical vapour Deposition
    • B81C2201/0178—Oxidation

Abstract

Es wird ein mikromechanisches Bauelement mit einem Funktionsbereich und einem Trägersubstrat vorgeschlagen, wobei das Trägersubstrat eine Grabenstruktur parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägersubstrats aufweist, wobei die Oberfläche der Grabenstruktur eine Überdeckung durch eine erste Isolationsschicht aufweist und wobei die Grabenstruktur eine obere Oberflächenebene parallel zur Haupterstreckungsebene und verlaufend durch eine Oberkante des Trägersubstrats der Grabenstruktur aufweist und wobei ferner wenigstens ein Graben der Grabenstruktur mit einem Halbleitermaterial gefüllt ist, wobei der Funktionsbereich in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung unterhalb der oberen Oberflächenebene des Trägersubstrats angeordnet ist.The invention proposes a micromechanical component having a functional region and a carrier substrate, the carrier substrate having a trench structure parallel to the main extension plane of the carrier substrate, the surface of the trench structure having coverage by a first insulation layer, and the trench structure having an upper surface plane parallel to the main extension plane and running through an upper edge of the carrier substrate of the trench structure, and further wherein at least one trench of the trench structure is filled with a semiconductor material, wherein the functional region is arranged in a direction perpendicular to the main plane of extension below the upper surface plane of the carrier substrate.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht von einem mikromechanischen Bauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 aus.The Invention is based on a micromechanical component according to the preamble of claim 1.

Solche mikromechanischen Bauelemente sind allgemein bekannt. Beispielsweise ist aus der Druckschrift DE 10348908 A1 ein mikromechanisches Bauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils bekannt, welches eine Funktionsebene des Bauteils durch ein Aufbringen verschiedener Lagen, beispielsweise Oxidschichten, Siliziumfunktionsschichten und Leiterbahnen, auf die Oberfläche des Trägersubstrats erzeugt. Ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils, insbesondere eines mikromechanischen Membransensors, ist aus der Druckschrift DE 10 2004 036 035 A1 bekannt, wobei eine Kaverne in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung unterhalb der Trägersubstratoberfläche geätzt wird, wobei in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung oberhalb der Trägersubstratoberfläche eine Epitaxieschicht als Funktionsschicht aufgebracht wird. Der mikromechanische Funktionsbereich ist in beiden Fällen in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung oberhalb des Trägersubstrats angeordnet.Such micromechanical components are well known. For example, from the document DE 10348908 A1 a micromechanical component and a method for producing a micromechanical component is known which generates a functional plane of the component by applying different layers, for example oxide layers, silicon functional layers and conductor tracks, to the surface of the carrier substrate. A method for producing a micromechanical component, in particular a micromechanical membrane sensor, is known from the document DE 10 2004 036 035 A1 in which a cavern is etched below the carrier substrate surface in a direction perpendicular to the main extension plane, an epitaxial layer being applied as functional layer in a direction perpendicular to the main extension plane above the carrier substrate surface. In both cases, the micromechanical functional region is arranged above the carrier substrate in a direction perpendicular to the main extension plane.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauelements gemäß den nebengeordneten Ansprüchen haben den Vorteil, dass eine gegenüber dem Stand der Technik deutlich geringere Anzahl von Einzelschritten zur Herstellung des mikromechanischen Bauteils nötig ist und daher eine erhebliche Kostenreduktion und Materialeinsparung bei der Herstellung des mikromechanischen Bauelements, insbesondere bei der Herstellung von mikromechanischen Sensoren und Aktoren, erreicht wird. Die Verringerung der benötigten Prozessschritte erfolgt durch die Bildung der Grabenstruktur, insbesondere durch bekannte Trench-Prozesse, zur Anordnung der beweglichen und angebundenen Teile des mikromechanischen Bauelements direkt im Trägersubstrat. Die Grabenstruktur stellt im wesentlichen eine Negativform des Funktionsbereichs des mikromechanischen Bauelements im Trägersubstrat dar und folglich fungiert das Trägersubstrat zumindest teilweise als Opferschicht beim Aufbringen der ersten Isolationsschicht und beim Befüllen wenigstens eines Grabens mit dem Halbleitermaterial. Ein aufwändiges und mit vielen Prozesseinzelschritten verbundenes Aufbringen mehrerer Opferschichten zur Bildung eines Funktionsbereichs oberhalb des Trägersubstrats entfällt. Das mikromechanische Bauelement weist wenigstens einen Graben der Grabenstruktur auf, der mit einem Halbleitermaterial gefüllt ist und eine angebundene oder bewegliche Struktur bildet, wobei der Funktionsbereich in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung unterhalb der oberen Oberflächenebene (vor Erzeugung der Grabenstruktur) angeordnet ist.The Micromechanical component according to the invention and the inventive method for the preparation a micromechanical device according to the invention according to the independent claims have the advantage of being one over the prior art significantly smaller number of individual steps for the production of Micromechanical component is needed and therefore a significant Cost reduction and material savings in the production of micromechanical Component, in particular in the production of micromechanical Sensors and actuators, is achieved. The reduction of the needed Process steps take place through the formation of the trench structure, in particular by known trench processes, for the arrangement of the movable and connected parts of the micromechanical device directly in the carrier substrate. The trench structure essentially represents a negative form of the functional area of the micromechanical component in the carrier substrate and consequently, the carrier substrate acts at least partially as a sacrificial layer when applying the first insulating layer and when filling at least one trench with the semiconductor material. An elaborate and associated with many process steps Applying multiple sacrificial layers to form a functional area above the carrier substrate is omitted. The micromechanical Component has at least one trench of the trench structure, which is filled with a semiconductor material and a tailed or movable structure, wherein the functional area in one to the main extension plane vertical direction below the upper Surface level (before creating the trench structure) arranged is.

Die Aufgabe der Isolationsschicht, insbesondere eine Oxid- oder Nitridschicht, umfasst sowohl die elektrische Isolation und die räumliche Trennung der unterschiedlichen Materialschichten, als auch den Schutz der bedeckten Materialschicht, insbesondere bei Ätz- und/oder Lithographievorgängen. Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement ist mit bekannten Verkappungstechnologien kombinierbar.The Object of the insulating layer, in particular an oxide or nitride layer, includes both the electrical insulation and the spatial Separation of the different material layers, as well as the protection the covered material layer, in particular at Ätz- and / or Lithography processes. The invention Micromechanical device is familiar with capping technologies combined.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung bildet das Halbleitermaterial und der am Halbleitermaterial anliegende Teilbereich der ersten Isolationsschicht eine bewegliche Struktur. Die erfindungsgemäße bewegliche Struktur ist sensitiv bezüglich einer äußeren Kraftwirkung, insbesondere bezüglich einer mechanischen, elektrischen oder magnetischen Kraftwirkung, so dass eine Induktion oder eine Detektion von mechanischen Auslenkungen der beweglichen Struktur durch das mikromechanische Bauelement vorteilhaft ermöglicht wird.According to one preferred development forms the semiconductor material and the on the semiconductor material adjacent portion of the first insulating layer a movable structure. The inventive movable structure is sensitive to an external one Force, in particular with respect to a mechanical, electric or magnetic force, so that induction or a detection of mechanical deflections of the moving Structure by the micromechanical device advantageously allows becomes.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung unterhalb des Halbleitermaterials ein unterätzter Bereich vorgesehen, so dass die bewegliche Struktur auch in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung beweglich ist.According to one Another preferred development is in a direction perpendicular to the main extension plane Direction below the semiconductor material an undercut Area provided so that the movable structure also in one to the main extension plane vertical direction is movable.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung oberhalb des Halbleitermaterials eine Brücke und/oder eine Leiterbahn vorgesehen, so dass eine elektrisch leitende Verbindung über die bewegliche Struktur hinweg ermöglicht wird. Vorzugsweise ist die Brücke und/oder die Leiterbahn aus Metall, Silizium oder Polysilizium vorgesehen. Besonders bevorzugt ist ein Kontakt des Halbleitermaterials mit der Leiterbahn in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung oberhalb des Halbleitermaterials vorgesehen.According to one Another preferred development is in a direction perpendicular to the main extension plane Direction above the semiconductor material, a bridge and / or a conductor track provided, so that an electrically conductive connection over the movable structure is made possible. Preferably is the bridge and / or the track of metal, silicon or polysilicon provided. Particularly preferred is a contact of the semiconductor material with the conductor track in a direction to the main extension plane vertical direction provided above the semiconductor material.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements, wobei in einem ersten Verfahrensschritt das Trägersubstrat mit der Grabenstruktur parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägersubstrats versehen wird, wobei in einem zweiten Verfahrensschritt die erste Isolationsschicht auf der Oberfläche der Grabenstruktur gebildet wird, wobei die Isolationsschicht insbesondere auch die Grabenböden und die Grabenwände bedeckt und wobei in einem dritten Verfahrensschritt wenigstens ein Graben der Grabenstruktur, vorzugsweise durch ein Epitaxieverfahren, mit dem Halbleitermaterial befüllt wird. Durch ein solches erfindungsgemäßes Verfahren ist es vorteilhaft möglich, dass aktive mikromechanische Strukturen ohne die Aufbringung von zusätzliche Prozessschritte erfordernder Opferschichten erzeugt werden.A further subject of the present invention is a method for producing a micromechanical component, wherein in a first method step the carrier substrate is provided with the trench structure parallel to the main extension plane of the carrier substrate, wherein in a second method step the first insulating layer is formed on the surface of the trench structure the insulation layer especially the Gra and in which, in a third method step, at least one trench of the trench structure, preferably by an epitaxial method, is filled with the semiconductor material. Such a method according to the invention advantageously makes it possible to produce active micromechanical structures without the application of sacrificial layers requiring additional process steps.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung wird im Anschluss an den dritten Verfahrensschritt in einem vierten Verfahrensschritt eine zweite Isolationsschicht, insbesondere zur Bildung von Kontaktzugängen und/oder Ätzzugängen, gebildet, wobei in einem fünften Verfahrensschritt eine Metallschicht, insbesondere zur Bildung von Kontaktpads, Kontakten, Brücken und/oder Leiterbahnen, aufgebracht wird und wobei in einem sechsten Verfahrensschritt eine Ätzung des Trägersubstrats der Grabenstruktur, insbesondere zur Bildung der beweglichen Strukturen und/oder der unterätzten Bereiche durch die Ätzzugänge hindurch, durchgeführt wird, so dass bewegliche Strukturen entstehen, die in einer zur Haupterstreckungsebene des Trägersubstrats parallelen und/oder senkrechten Richtung beweglich sind.According to one preferred development is subsequent to the third process step in a fourth method step, a second insulation layer, in particular for the formation of contact accesses and / or etch accesses, formed in a fifth step, a Metal layer, in particular for the formation of contact pads, contacts, bridges and / or printed conductors, is applied and wherein in a sixth Process step, an etching of the carrier substrate the trench structure, in particular for forming the movable structures and / or the undercut areas through the Ätzzugänge through, is performed, allowing moving structures arise in a to the main extension plane of the carrier substrate parallel and / or vertical direction are movable.

Gemäß einer weiteren Weiterbildung folgt auf den dritten Verfahrensschritt ein siebter Verfahrensschritt, wobei die zweite Isolationsschicht, insbesondere ein thermisches Oxid und insbesondere zur Bildung der Opferschichtzugänge, gebildet wird, wobei in einem achten Verfahrensschritt die Opferschicht aufgebracht wird, wobei in einem neunten Verfahrensschritt die zweite Isolationsschicht, insbesondere zur Bildung der Kontaktzugänge und/oder der Ätzzugänge, strukturiert wird, wobei ferner der fünfte Verfahrensschritt (Aufbringen der Metallschicht) durchgeführt wird und wobei in einem zehnten Verfahrensschritt die Ätzung des Trägersubstrats der Grabenstruktur und/oder der Opferschicht, insbesondere zur Bildung der beweglichen Strukturen, der unterätzten Bereiche und/oder der Brücken durch die Ätzzugänge, durchgeführt wird. Die gebildeten Brücke ermöglichen eine elektrisch leitfähige Verbindung in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung oberhalb der beweglichen Strukturen ohne diese in ihrer Beweglichkeit einzuschränken.According to one Further development is followed by the third method step seventh method step, wherein the second insulating layer, in particular a thermal oxide and in particular to form the sacrificial layer accesses, is formed, wherein in an eighth method step, the sacrificial layer is applied, wherein in a ninth step, the second Insulation layer, in particular for the formation of the contact access and / or the Ätzzugänge, is structured, wherein also the fifth method step (application of the metal layer) is carried out and wherein in a tenth process step the etching of the carrier substrate of the trench structure and / or the sacrificial layer, in particular for the formation of the mobile Structures, undercut areas and / or bridges through the Ätzzugänge performed. The bridge formed allow an electric conductive connection in one of the main extension plane vertical direction above the moving structures without them to restrict their mobility.

Gemäß einer weiteren Weiterbildung werden zeitlich nach dem dritten Verfahrensschritt die folgende Verfahrensteilschritte zusätzlich vorgesehen, wobei in einem ersten Verfahrensteilschritt eine dritte Isolationsschicht, bevorzugt eine Isolationsschicht aus einem thermischen Oxid, besonders bevorzugt mit einer Schichtdicke größer als die Schichtdicke der ersten Isolationsschicht, gebildet wird, wobei in einem zweiten Verfahrensteilschritt durch ein Lithographieverfahren die dritte Isolationsschicht strukturiert wird, wobei in einem dritten Verfahrensteilschritt die Ätzung zum Öffnen der Ätzzugänge zum Ätzen des Trägersubstrats durchgeführt wird, wobei in einem vierten Verfahrensteilschritt ein weiteres Lithographieverfahren zur Strukturierung der dritten Isolationsschicht durchgeführt wird und wobei in einem fünften Verfahrensteilschritt die Ätzung zum Öffnen der Kontaktzugänge durchgeführt wird. Durch die zusätzlichen Lithographieverfahren ist es insbesondere möglich, dass kleine Überstände der Isolationsschichten an den gefüllten Grabenstrukturen, die durch einen Justageversatz entstehen, vermieden werden.According to one Further training will take place after the third process step the following process steps are additionally provided, wherein in a first process substep a third insulation layer, preferably an insulating layer of a thermal oxide, especially preferably with a layer thickness greater than that Layer thickness of the first insulating layer is formed, wherein in a second process substep by a lithography process the third insulating layer is structured, wherein in a third Process step the etching to open the Ätzzugänge for etching the carrier substrate is, wherein in a fourth process substep another Lithography process for structuring the third insulation layer is performed and wherein in a fifth process substep the etch to open the contact access is carried out. Due to the additional lithography process In particular, it is possible that small projections the insulation layers at the filled trench structures, which arise due to an adjustment offset can be avoided.

Gemäß einer weiteren Weiterbildung umfasst der dritte Verfahrensschritt einen weiteren Vorgang, bei dem aus dem Graben überstehendes Halbleitermaterial abgetragen wird, bevorzugt durch ein chemisch-mechanisches Polierverfahren, wobei insbesondere die erste Isolationsschicht als Ätzstop fungiert.According to one Further development, the third method step comprises a further process, in which protruding from the trench Semiconductor material is removed, preferably by a chemical-mechanical Polishing method, wherein in particular the first insulating layer acts as an etch stop.

Gemäß einer weiteren Weiterbildung wird im dritten Verfahrensschritt wenigstens einer der Gräben der Grabenstruktur durch ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren mit dem Halbleitermaterial befüllt, wodurch insbesondere die Bildung von Hohlräumen im Halbleitermaterial verhindert wird.According to one further development is at least in the third step one of the trenches of the trench structure by a chemical Gas phase deposition process filled with the semiconductor material, whereby in particular the formation of cavities in the semiconductor material is prevented.

Gemäß einer weiteren Weiterbildung umfasst der fünfte Verfahrensschritt zum Aufbringen der Metallschicht, die Verfahrensschritte des Aufbringens eines ersten Metalls, insbesondere zur Bildung der Leiterbahnen, und des Aufbringens eines zweiten Metalls, insbesondere zur Bildung der Kontaktpads und/oder der Brücken, wodurch eine raumsparendere Anordnung der Leiterbahnen ermöglicht wird.According to one Further development comprises the fifth method step for applying the metal layer, the method steps of applying a first metal, in particular for the formation of the conductor tracks, and the Applying a second metal, in particular for the formation of the Contact pads and / or bridges, creating a more space-saving Arrangement of the tracks is possible.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.embodiments The invention is illustrated in the drawings and in the following Description explained in more detail.

Es zeigen:It demonstrate:

1a bis 1f zeigen eine schematische Darstellung der Herstellungsschritte zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 1a to 1f show a schematic representation of the manufacturing steps for producing a micromechanical device according to a first embodiment of the present invention.

2 zeigt eine schematische Aufsicht auf eine mögliche Sensorstruktur gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 shows a schematic plan view of a possible sensor structure according to a first embodiment of the present invention.

3a bis 3f zeigen eine schematische Darstellung der Herstellungsschritte zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3a to 3f show a schematic representation of the manufacturing steps for producing a micromechanical device according to another embodiment of the present invention.

4 zeigt eine schematische Aufsicht auf eine mögliche Sensorstruktur gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 shows a schematic plan view of a possible sensor structure according to another embodiment of the present invention.

In den verschiedenen Figuren sind gleiche Teile stets mit den gleichen Bezugszeichnen versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal beschriftet.In In the different figures, the same parts are always the same Reference signs are provided and therefore usually also respectively only labeled once.

Ausführungsform(en) der ErfindungEmbodiment (s) of the invention

Zur Veranschaulichung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des mikromechanischen Bauelements sind in 1a bis 1f die Herstellungsschritte des mikromechanischen Bauelements anhand einer Mehrzahl von Vorläuferstrukturen des mikromechanischen Bauelements schematisch dargestellt. In 1a ist eine erste Vorläuferstruktur dargestellt, welche ein Trägersubstrat 1 umfasst, wobei das Trägersubstrat 1 eine Grabenstruktur 2 parallel zur Haupterstreckungsebene 1' aufweist, wobei vorzugsweise die Grabenstruktur 2 eine Mehrzahl von Gräben 10 und dazwischenliegenden Stegen aufweist, und wobei die Grabenstruktur 2 eine obere Oberfläche 5 parallel zur Haupterstreckungsrichtung 1' und im wesentlichen verlaufend durch die Oberkante 5' des Trägersubstrats 1 der Grabenstruktur 2 aufweist. In der 1b ist eine zweite Vorläuferstruktur zur Veranschaulichung des zweiten Verfahrensschritts dargestellt, wobei eine erste Isolationsschicht 20 auf der Oberfläche der Grabenstruktur 2, wozu auch die Grabenwände und die Grabenböden gehören, gebildet wird. Die nachfolgende 1c illustriert eine dritte Vorläuferstruktur zur Veranschaulichung eines dritten Verfahrensschritts, wobei wenigstens ein Graben 10 der Grabenstruktur 2 mit einem Halbleitermaterial 30, vorzugsweise Silizium, dotiertem Silizium oder Polysilizium, befüllt wird. Bevorzugt erfolgt die Befüllung durch ein Epitaxieverfahren und besonders bevorzugt durch ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD-Prozess), wodurch insbesondere die Bildung von Hohlräumen 32 im Halbleitermaterial 30 verhindert wird. Ein Hohlraum 32 im Halbleitermaterial 30 ist beispielhaft in 1c dargestellt. Das aus dem Graben 10 überstehende Halbleitermaterial wird durch ein chemisch-mechanisches Polierverfahren (CMP), wobei insbesondere die erste Isolationsschicht 20 als Ätzstop fungiert, abgetragen. In einem vierten Verfahrensschritt, illustriert in 1d, wird zur Bildung einer vierten Vorläuferstruktur eine zweite Isolationsschicht 22 abgeschieden und strukturiert, insbesondere zur Bildung von Kontaktzugängen 52 und/oder zur Bildung von Ätzzugängen 50. Die gebildeten Kontaktzugänge 52 ermöglichen eine spätere Kontaktierung des Halbleitermaterials 30 in einem der folgenden Verfahrensschritte, während die gebildeten Ätzzugänge 50 eine spätere Ätzung des Trägersubstrat 1 in einem der folgenden Verfahrensschritte ermöglicht. Die Aufgabe der Isolationsschichten 20, 22, vorzugsweise Oxid- oder Nitridschichten, umfasst sowohl die elektrische Isolation und die räumliche Trennung des Halbleitermaterials 30 und des Trägersubstrats 1, als auch den Schutz des Halbleitermaterials 30 und des Trägersubstrats 1, insbesondere bei Ätz- und/oder Lithographievorgängen. In 1e wird anhand einer fünften Vorläuferstruktur ein fünfter Verfahrensschritt zur Aufbringung einer Metallschicht 40 gezeigt, bevorzugt eine Metallschicht mit einer Schichtdicke von weniger als 2 μm, welche insbesondere die Bildung von Kontakten 43 zur Kontaktierung des Halbleitermaterials 30 und/oder die Bildung von Kontaktpads 42 zur Kontaktierung des mikromechanischen Bauelements, insbesondere durch Bonddrähte, die Bildung von Brücken 44 und/oder die Bildung von Leiterbahnen 46 zur Aufgabe hat. In 1f ist anhand einer beispielhaften Struktur eines erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauelements der sechste Verfahrenschritt dargestellt, wobei eine Ätzung des Trägersubstrats 1 durch die Ätzzugänge 50 durchgeführt wird. Durch die Ätzung entstehen bewegliche Strukturen 100 und unterätzte Bereiche 200, welche eine Bewegung der beweglichen Strukturen 100 in einer zur Haupterstreckungsebene 1 parallelen und/oder senkrechten Richtung erlauben. Vorzugsweise wird die Ätzung mit Silizium-Ätzmedien, insbesondere mit XeF2 oder ClF3, durchgeführt.To illustrate the inventive method for producing the micromechanical device are in 1a to 1f the manufacturing steps of the micromechanical device schematically illustrated by a plurality of precursor structures of the micromechanical device. In 1a a first precursor structure is shown, which is a carrier substrate 1 comprising, wherein the carrier substrate 1 a trench structure 2 parallel to the main extension plane 1' preferably, the trench structure 2 a plurality of trenches 10 and intermediate webs, and wherein the trench structure 2 an upper surface 5 parallel to the main extension direction 1' and extending substantially through the top edge 5 ' of the carrier substrate 1 the trench structure 2 having. In the 1b a second precursor structure is illustrated to illustrate the second method step, wherein a first insulation layer 20 on the surface of the trench structure 2 , which also includes the moat walls and the trench soils, is formed. The following 1c illustrates a third precursor structure for illustrating a third method step, wherein at least one trench 10 the trench structure 2 with a semiconductor material 30 , preferably silicon, doped silicon or polysilicon, is filled. Preferably, the filling takes place by an epitaxial process and more preferably by a chemical vapor deposition (CVD) process, whereby in particular the formation of cavities 32 in the semiconductor material 30 is prevented. A cavity 32 in the semiconductor material 30 is exemplary in 1c shown. That from the ditch 10 supernatant semiconductor material is by a chemical-mechanical polishing (CMP), in particular the first insulating layer 20 acts as Ätzstop, removed. In a fourth process step, illustrated in FIG 1d , a second insulating layer is formed to form a fourth precursor structure 22 deposited and structured, in particular for the formation of contact access 52 and / or for the formation of etch accesses 50 , The formed contact access 52 allow a later contacting of the semiconductor material 30 in one of the following process steps, while the formed Ätzzugänge 50 a subsequent etching of the carrier substrate 1 in one of the following method steps. The task of the insulation layers 20 . 22 , Preferably oxide or nitride layers, includes both the electrical isolation and the spatial separation of the semiconductor material 30 and the carrier substrate 1 , as well as the protection of the semiconductor material 30 and the carrier substrate 1 , in particular in etching and / or lithography processes. In 1e becomes a fifth method step for applying a metal layer based on a fifth precursor structure 40 shown, preferably a metal layer with a layer thickness of less than 2 microns, which in particular the formation of contacts 43 for contacting the semiconductor material 30 and / or the formation of contact pads 42 for contacting the micromechanical component, in particular by bonding wires, the formation of bridges 44 and / or the formation of tracks 46 to the task. In 1f is shown on the basis of an exemplary structure of a micromechanical device according to the invention of the sixth method step, wherein an etching of the carrier substrate 1 through the Ätzzugänge 50 is carried out. The etching creates moving structures 100 and undercut areas 200. which is a movement of moving structures 100 in a to the main extension plane 1 allow parallel and / or vertical direction. Preferably, the etching is carried out with silicon etching media, in particular with XeF 2 or ClF 3 .

In 2 ist beispielhaft ein erfindungsgemäßes mikromechanisches Bauelement, insbesondere als ein Beschleunigungssensor, schematisch dargestellt, welches unterätzte bewegliche Strukturen 100 umgeben von angebunden Strukturen 110, 111, 112, 114 aufweist. Die angebundenen Strukturen 110, 111, 112, 114 umfassen mit Polysilizium gefüllte Gräben 10 der Grabenstruktur 2, welche nicht unterätzt sind und teilweise über die zweite Isolationsschicht 22 miteinander verbunden sind. Des weiteren weisen angebundene Strukturen Kontaktierungen mit Hilfe von Brücken 44 auf, welche zu Leiterbahnen aus Polysilizium führen. Die Struktur dient als Beschleunigungssensor und kann mechanische Auslenkungen der beweglichen Strukturen 100, welche aufgrund von Beschleunigungskräften erfolgen, durch Detektion einer elektrischen Kapazitätsänderung zwischen bewegter 100 und angebundener 111, 112, 114 Struktur, messen.In 2 is an example of a micromechanical device according to the invention, in particular as an acceleration sensor, shown schematically, which undercut movable structures 100 surrounded by tethered structures 110 . 111 . 112 . 114 having. The tailed structures 110 . 111 . 112 . 114 include polysilicon filled trenches 10 the trench structure 2 which are not undercut and partly over the second insulation layer 22 connected to each other. Furthermore, tethered structures have contacts with the aid of bridges 44 which lead to tracks of polysilicon. The structure serves as an acceleration sensor and can cause mechanical deflections of the moving structures 100 , which occur due to acceleration forces, by detecting an electrical capacitance change between moving 100 and tailed 111 . 112 . 114 Structure, measure.

Zur Veranschaulichung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des mikromechanischen Bauelements gemäß einer weiteren Ausführungsform sind in 3a bis 3f weitere Herstellungsschritte des erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauelements anhand einer Mehrzahl von Vorläuferstrukturen schematisch dargestellt. In 3a ist die dritte Vorläuferstruktur gemäß der 1c dargestellt. Zur Veranschaulichung eines siebten Verfahrensschritts ist in 3b eine sechste Vorläuferstruktur dargestellt, wobei eine zweite Isolationsschicht 22 abgeschieden und strukturiert wird, so dass Opferschichtzugänge 51 entstehen. In 3c wird anhand einer siebten Vorläuferstruktur ein achter Verfahrensschritt dargestellt, in dem die Abscheidung einer Opferschicht 4 durch die Opferschichtzugänge 51 auf dem Trägersubstrat 1 durchgeführt wird, wobei die Opferschicht 4 bevorzugt aus Silizium und besonders bevorzugt aus Polysilizium besteht. Eine achte Vorläuferstruktur illustriert in 3d stellt einen neunten Verfahrensschritt zur Strukturierung der zweiten Isolationsschicht 22 dar, wobei durch ein Lithographieverfahren Kontaktzugänge 52 und Ätzzugänge 50 hergestellt werden. Der fünfte Verfahrensschritt (Aufbringen einer Metallschicht) ist anhand der neunten Vorläuferstruktur in 3e dargestellt, wobei im Bereich der Opferschicht 4 die Metallschicht 40 zum Trägersubstrat 1 und zur zweiten Isolationsschicht 22 eine Beabstandung aufweist. In 3f wird anhand einer beispielhaften Struktur eines erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauelements gemäß einer weiteren Ausführungsform ein zehnter Verfahrensschritt dargestellt, wobei ein Ätzvorgang vorgesehen ist, bei dem ein Ätzmittel durch die Ätzzugänge 50 hindurch zum Trägersubstrat 1 und zu der Opferschicht 4 gelangt. Zur Bildung der beweglichen Strukturen 100, der unterätzten Bereiche 200 und der Brücken 48 wird das Trägersubstrat 1 und die Opferschicht 4 von dem Ätzmittel geätzt.To illustrate the method according to the invention for producing the micromechanical component according to a further embodiment, FIGS 3a to 3f further manufacturing steps of the micromechanical device according to the invention schematically illustrated by a plurality of precursor structures. In 3a is the third precursor structure according to the 1c shown. To illustrate a seventh process step is in 3b a sixth precursor structure is shown, wherein a second insulation layer 22 is deposited and structured so that sacrificial layer accesses 51 arise. In 3c is shown on the basis of a seventh precursor structure an eighth process step, in which the deposition of a sacrificial layer 4 through the sacrificial layer accesses 51 on the carrier substrate 1 is performed, the sacrificial layer 4 preferably made of silicon and particularly preferably consists of polysilicon. An eighth precursor structure is illustrated in FIG 3d represents a ninth process step for structuring the second insulation layer 22 wherein, by a lithographic process, contact accesses 52 and etch accesses 50 getting produced. The fifth method step (application of a metal layer) is based on the ninth precursor structure in FIG 3e being shown, being in the area of the sacrificial layer 4 the metal layer 40 to the carrier substrate 1 and the second insulation layer 22 has a spacing. In 3f a tenth method step is illustrated with reference to an exemplary structure of a micromechanical device according to the invention according to another embodiment, wherein an etching process is provided in which an etchant through the Ätzzugänge 50 through to the carrier substrate 1 and to the sacrificial layer 4 arrives. To form the mobile structures 100 , the undercut areas 200. and the bridges 48 becomes the carrier substrate 1 and the sacrificial layer 4 etched from the etchant.

In 4 ist ein beispielhaftes erfindungsgemäßes mikromechanisches Bauelement gemäß einer weiteren Ausführungsform, insbesondere als ein Beschleunigungssensor, schematisch dargestellt. Das Bauelement weist angebundene Strukturen 114 auf, welche von unterätzten bewegliche Strukturen 100 umgeben sind. Die angebundenen Strukturen 114 umfassen Gräben 10 der Grabenstruktur 2, wobei die Gräben 10 mit einem Halbleitermaterial 30, insbesondere Polysilizium, gefüllt sind und keine unterätzten Bereiche 200 aufweisen. Das Bauelement weist ferner Leiterbahnen 110, 111, 112 auf, welche durch Brücken 44, insbesondere aus Polysilizium, mit den beweglichen Strukturen 110 oder den angebundenen Strukturen 114 verbunden sind. Die Struktur dient als Beschleunigungssensor und kann mechanische Auslenkungen der beweglichen Strukturen 100, welche von Beschleunigungskräften hervorgerufen werden, durch Detektion einer elektrischen Kapazitätsänderung zwischen bewegter 100 und angebundener 114 Struktur, messen.In 4 is an exemplary inventive micromechanical device according to another embodiment, in particular as an acceleration sensor, shown schematically. The component has tethered structures 114 on which of undercut moving structures 100 are surrounded. The tailed structures 114 include trenches 10 the trench structure 2 , where the trenches 10 with a semiconductor material 30 , in particular polysilicon, are filled and no undercut areas 200. exhibit. The component further has conductor tracks 110 . 111 . 112 on, which by bridges 44 , in particular of polysilicon, with the movable structures 110 or the attached structures 114 are connected. The structure serves as an acceleration sensor and can cause mechanical deflections of the moving structures 100 , which are caused by acceleration forces, by detecting an electrical capacitance change between moving 100 and tailed 114 Structure, measure.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 10348908 A1 [0002] - DE 10348908 A1 [0002]
  • - DE 102004036035 A1 [0002] - DE 102004036035 A1 [0002]

Claims (12)

Mikromechanisches Bauelement mit einem Funktionsbereich (3) und einem Trägersubstrat (1), wobei das Trägersubstrat (1) eine Grabenstruktur (2) parallel zur Haupterstreckungsebene (1') des Trägersubstrats (1) aufweist, wobei die Oberfläche der Grabenstruktur (2) eine Überdeckung durch eine erste Isolationsschicht (20) aufweist und wobei die Grabenstruktur (2) eine obere Oberflächenebene (5) parallel zur Haupterstreckungsebene (1') und verlaufend durch eine Oberkante (5') des Trägersubstrats (1) der Grabenstruktur (2) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Graben (10) der Grabenstruktur (2) mit einem Halbleitermaterial (30) gefüllt ist, wobei der Funktionsbereich (3) in einer zur Haupterstreckungsebene (1') senkrechten Richtung unterhalb der oberen Oberflächenebene des Trägersubstrats (1) angeordnet ist.Micromechanical component with a functional area ( 3 ) and a carrier substrate ( 1 ), wherein the carrier substrate ( 1 ) a trench structure ( 2 ) parallel to the main extension plane ( 1' ) of the carrier substrate ( 1 ), wherein the surface of the trench structure ( 2 ) an overlap by a first insulation layer ( 20 ) and wherein the trench structure ( 2 ) an upper surface level ( 5 ) parallel to the main extension plane ( 1' ) and passing through an upper edge ( 5 ' ) of the carrier substrate ( 1 ) of the trench structure ( 2 ), characterized in that at least one trench ( 10 ) of the trench structure ( 2 ) with a semiconductor material ( 30 ), the functional area ( 3 ) in a to the main extension plane ( 1' ) vertical direction below the upper surface plane of the carrier substrate ( 1 ) is arranged. Mikromechanisches Bauelement gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial (30) und ein Teilbereich der ersten Isolationsschicht (20), welcher am Halbleitermaterial (30) anliegt, eine bewegliche Struktur (100) bilden.Micromechanical component according to claim 1, characterized in that the semiconductor material ( 30 ) and a portion of the first insulation layer ( 20 ), which on the semiconductor material ( 30 ), a movable structure ( 100 ) form. Mikromechanisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einer zur Haupterstreckungsebene (1') senkrechten Richtung unterhalb des Halbleitermaterials (30) ein unterätzter Bereich (200) vorgesehen ist.Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that in a direction to the main plane of extension ( 1' ) vertical direction below the semiconductor material ( 30 ) an undercut area ( 200. ) is provided. Mikromechanisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einer zur Haupterstreckungsebene (1') senkrechten Richtung oberhalb des Halbleitermaterials (30) eine Brücke (44, 48) vorgesehen ist.Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that in a direction to the main plane of extension ( 1' ) vertical direction above the semiconductor material ( 30 ) a bridge ( 44 . 48 ) is provided. Mikromechanisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kontakt (43) zwischen einer Leiterbahn (46) und dem Hableitermaterial (30) vorgesehen ist.Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that a contact ( 43 ) between a conductor track ( 46 ) and the conductor material ( 30 ) is provided. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Verfahrensschritt das Trägersubstrat (1) mit der Grabenstruktur (2) parallel zur Haupterstreckungsebene (1') des Trägersubstrats (1) versehen wird, wobei in einem zweiten Verfahrensschritt die erste Isolationsschicht (20) auf der Oberfläche der Grabenstruktur (2) gebildet wird und wobei in einem dritten Verfahrensschritt wenigstens ein Graben (10) der Grabenstruktur (2) mit dem Halbleitermaterial (30) befüllt wird.Method for producing a micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that in a first method step the carrier substrate ( 1 ) with the trench structure ( 2 ) parallel to the main extension plane ( 1' ) of the carrier substrate ( 1 ), wherein in a second method step, the first insulating layer ( 20 ) on the surface of the trench structure ( 2 ) and wherein in a third method step at least one trench ( 10 ) of the trench structure ( 2 ) with the semiconductor material ( 30 ) is filled. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass in einem nachfolgenden vierten Verfahrensschritt eine zweite Isolationsschicht (22), insbesondere zur Bildung von Kontaktzugängen (52) und/oder Ätzzugängen (50), gebildet wird, wobei in einem fünften Verfahrensschritt eine Metallschicht (40), insbesondere zur Bildung von Kontaktpads (42), Kontakten (43), Brücken (44) und/oder Leiterbahnen (46), aufgebracht wird, wobei in einem sechsten Verfahrensschritt eine Ätzung des Trägersubstrats (1) der Grabenstruktur (2), insbesondere zur Bildung beweglicher Strukturen (100) und/oder unterätzter Bereiche (200) durch die Ätzzugänge (50), durchgeführt wird.A method according to claim 6, characterized in that in a subsequent fourth method step, a second insulating layer ( 22 ), in particular for the formation of contact accesses ( 52 ) and / or etch accesses ( 50 ), wherein in a fifth method step, a metal layer ( 40 ), in particular for the formation of contact pads ( 42 ), Contacts ( 43 ), Bridges ( 44 ) and / or printed conductors ( 46 ), wherein in a sixth method step, an etching of the carrier substrate ( 1 ) of the trench structure ( 2 ), in particular for the formation of movable structures ( 100 ) and / or under-etched areas ( 200. ) through the Ätzzugänge ( 50 ), is carried out. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass auf den dritten Verfahrensschritt ein siebter Verfahrensschritt folgt, wobei eine zweite Isolationsschicht (22), insbesondere zur Bildung von Opferschichtzugängen (51), gebildet wird, wobei in einem achten Verfahrensschritt eine Opferschicht (4) aufgebracht wird, wobei einem neunten Verfahrensschritt die zweite Isolationsschicht (22), insbesondere zur Bildung von Kontaktzugängen (52) und/oder Ätzzugängen (50) strukturiert wird, wobei in einem fünften Verfahrensschritt eine Metallschicht (40), insbesondere zur Bildung von Kontaktpads (42), Kontakten (43), Brücken (44, 48) und/oder Leiterbahnen (46), aufgebracht wird, wobei in einem zehnten Verfahrensschritt eine Ätzung des Trägersubstrats (1) der Grabenstruktur (2) und/oder der Opferschicht (4), insbesondere zur Bildung beweglicher Strukturen (100), unterätzter Bereiche (200) und/oder Brücken (44, 48) durch die Ätzzugänge (50), durchgeführt wird.A method according to claim 6, characterized in that the third method step is followed by a seventh method step, wherein a second insulation layer ( 22 ), in particular for the formation of sacrificial layer accesses ( 51 ), wherein in an eighth process step a sacrificial layer ( 4 ), wherein a ninth method step, the second insulation layer ( 22 ), in particular for the formation of contact accesses ( 52 ) and / or etch accesses ( 50 ), wherein in a fifth process step a metal layer ( 40 ), in particular for the formation of contact pads ( 42 ), Contacts ( 43 ), Bridges ( 44 . 48 ) and / or printed conductors ( 46 ), wherein in a tenth method step an etching of the carrier substrate ( 1 ) of the trench structure ( 2 ) and / or the sacrificial layer ( 4 ), in particular for the formation of movable structures ( 100 ), undercut areas ( 200. ) and / or bridges ( 44 . 48 ) through the Ätzzugänge ( 50 ), is carried out. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem dritten Verfahrensschritt folgende Verfahrensteilschritte zusätzlich vorgesehen sind, wobei in einem ersten Verfahrensteilschritt eine dritte Isolationsschicht gebildet wird, wobei in einem zweiten Verfahrensteilschritt durch ein Lithographieverfahren die dritte Isolationsschicht strukturiert wird, wobei in einem dritten Verfahrensteilschritt eine Ätzung zum Öffnen von Ätzzugängen durchgeführt wird, wobei in einem vierten Verfahrensteilschritt ein weiteres Lithographieverfahren zur Strukturierung der dritten Isolationsschicht durchgeführt wird, wobei in einem fünften Verfahrensteilschritt eine Ätzung zum Öffnen von Kontaktzugängen durchgeführt wird.Method according to one of claims 6 to 8, characterized in that after the third process step the following process steps are additionally provided, wherein in a first process substep a third insulation layer is formed, wherein in a second process step by a lithography process structures the third insulation layer is, wherein in a third process substep an etching for opening of Ätzzugängen performed is, wherein in a fourth process substep another Lithography process for structuring the third insulation layer performed is, wherein in a fifth process substep an etching to open contact accesses becomes. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Verfahrensschritt einen weiteren Vorgang umfasst, bei dem aus dem Graben (10) überstehendes Halbleitermaterial (30) abgetragen wird.Method according to one of claims 6 to 9, characterized in that the third method step comprises a further process, wherein from the trench ( 10 ) protruding semiconductor material ( 30 ) is removed. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der Gräben (10) der Grabenstruktur (2) mit dem Halbleitermaterial (30) durch ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD-Prozess) befüllt wird.Method according to one of claims 6 to 10, characterized in that at least one of the trenches ( 10 ) of the trench structure ( 2 ) with the semiconductor material ( 30 ) by a chemical gas phase deposition process (CVD process) is filled. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt zum Aufbringen der Metallschicht (40), in einen ersten Verfahrensteilschritt zum Aufbringen eines ersten Metalls, insbesondere zur Bildung der Leiterbahnen (46), und in einen zweiten Verfahrensteilschritt zum Aufbringen eines zweiten Metalls, insbesondere zur Bildung der Kontaktpads (42) und/oder der Brücken (44, 48), unterteilt wird.Method according to one of claims 7 to 11, characterized in that the method step for applying the metal layer ( 40 ), in a first process step for applying a first metal, in particular for the formation of the conductor tracks ( 46 ), and in a second process step for applying a second metal, in particular for forming the contact pads ( 42 ) and / or bridges ( 44 . 48 ) is divided.
DE200710052663 2007-11-05 2007-11-05 Micromechanical device, short process for manufacturing MEMS devices Withdrawn DE102007052663A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200710052663 DE102007052663A1 (en) 2007-11-05 2007-11-05 Micromechanical device, short process for manufacturing MEMS devices
PCT/EP2008/063151 WO2009059850A2 (en) 2007-11-05 2008-10-01 Micromechanical component, and short process for producing mems components
TW97142304A TW200927638A (en) 2007-11-05 2008-11-03 Micromechanical component, and short process for producing mems components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200710052663 DE102007052663A1 (en) 2007-11-05 2007-11-05 Micromechanical device, short process for manufacturing MEMS devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007052663A1 true DE102007052663A1 (en) 2009-05-07

Family

ID=40514376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200710052663 Withdrawn DE102007052663A1 (en) 2007-11-05 2007-11-05 Micromechanical device, short process for manufacturing MEMS devices

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102007052663A1 (en)
TW (1) TW200927638A (en)
WO (1) WO2009059850A2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108495810A (en) * 2015-09-30 2018-09-04 麦穆斯驱动有限公司 Simplified MEMS device manufacturing process
CN108602664A (en) * 2015-09-30 2018-09-28 麦穆斯驱动有限公司 MEMS grids for the structural parameters for operating MEMS device
KR102656354B1 (en) * 2015-09-30 2024-04-11 멤스 드라이브, 인크. Simplified MEMS device manufacturing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10348908A1 (en) 2003-10-21 2005-05-25 Robert Bosch Gmbh Microsystem on semiconductor substrate, e.g. acceleration sensor, with integrated circuit, micromechanical component has silicon functional layer on substrate near component region, metallization to contact point, preferred interrupt points
DE102004036035A1 (en) 2003-12-16 2005-07-21 Robert Bosch Gmbh Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component, in particular a membrane sensor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4400127C2 (en) * 1994-01-05 2003-08-14 Bosch Gmbh Robert Capacitive acceleration sensor and method for its manufacture
US6461888B1 (en) * 2001-06-14 2002-10-08 Institute Of Microelectronics Lateral polysilicon beam process

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10348908A1 (en) 2003-10-21 2005-05-25 Robert Bosch Gmbh Microsystem on semiconductor substrate, e.g. acceleration sensor, with integrated circuit, micromechanical component has silicon functional layer on substrate near component region, metallization to contact point, preferred interrupt points
DE102004036035A1 (en) 2003-12-16 2005-07-21 Robert Bosch Gmbh Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component, in particular a membrane sensor

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108495810A (en) * 2015-09-30 2018-09-04 麦穆斯驱动有限公司 Simplified MEMS device manufacturing process
CN108602664A (en) * 2015-09-30 2018-09-28 麦穆斯驱动有限公司 MEMS grids for the structural parameters for operating MEMS device
JP2018531803A (en) * 2015-09-30 2018-11-01 メムズ ドライブ, インク.Mems Drive, Inc. Simplified MEMS device manufacturing process
EP3356289A4 (en) * 2015-09-30 2019-06-19 Mems Drive Inc. Simplified mems device fabrication process
EP3356288A4 (en) * 2015-09-30 2019-12-25 Mems Drive Inc. Mems grid for manipulating structural parameters of mems devices
JP7079728B2 (en) 2015-09-30 2022-06-02 メムズ ドライブ，インク． Simplified MEMS device manufacturing process
CN108602664B (en) * 2015-09-30 2022-11-11 麦斯卓有限公司 Method for forming multiple wiring layers in MEMS device
KR102656354B1 (en) * 2015-09-30 2024-04-11 멤스 드라이브, 인크. Simplified MEMS device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009059850A3 (en) 2009-12-03
WO2009059850A2 (en) 2009-05-14
TW200927638A (en) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1274648B1 (en) Micromechanical component and method for producing the same
EP1963227B1 (en) Micromechanical component and production method
DE19537814A1 (en) Sensor, esp. acceleration sensor
DE102008043788A1 (en) Micromechanical component
DE102007030121A1 (en) Method for producing a component and component
DE19503236A1 (en) Multilayer silicon sensor, esp. acceleration sensor
WO2008052762A2 (en) Semiconductor arrangement and method for fabricating a semiconductor arrangement
DE102008062499B4 (en) MEMS devices and methods of making same
DE102011080978A1 (en) Method for producing a micromechanical structure and micromechanical structure
DE102012217133A1 (en) Microelectronic component and corresponding manufacturing method
DE102013216901A1 (en) Micromechanical component and method for producing a micromechanical component
DE10196676B4 (en) Substrate and manufacturing method therefor, and thin-layer structural body
EP1296886B1 (en) Method for producing a micromechanical component
DE102007052663A1 (en) Micromechanical device, short process for manufacturing MEMS devices
DE102013222664A1 (en) Micromechanical structure and method for producing a micromechanical structure
EP2164800B1 (en) Micromechanical component and method for producing a micromechanical component having a thin layer cap
WO2007074017A1 (en) Micromechanical component having a cap
DE102010041900B4 (en) Method for producing a micromechanical component
DE102010039180B4 (en) Method for producing semiconductor chips and corresponding semiconductor chip
EP3110748B1 (en) Method for producing a component, and component
DE102008040522A1 (en) Method for manufacturing micromechanical structure, involves applying sacrificial layer on substrate, applying sacrificial layer on function layer, and applying another sacrificial layer on function layer
DE102008040758A1 (en) Micromechanical structures and methods for producing micromechanical structures
DE102021203566A1 (en) MEMS switch with embedded metal contact
DE102008003242B4 (en) Micromechanical component and method for producing a micromechanical component
DE102009000116A1 (en) Micromechanical structure e.g. acceleration sensor, has substrate with main extension plane, and insulation layer arranged between another insulation layer and conductive layer along vertical direction and consisting of silicon carbide

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee